/
Текст
СПРАВОЧНИК
МОЩНЫЕ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ
•
ТРАНЗИСТОРЫ
Под редакцией А. В. Голомедова
МОСКВА „РАДИО И СВЯЗЬ*'
ББК 32.852.3
М 87
УДК 621.382.3
Б. А. Бородин, В. М. Ломакин, В. В. Мокриков,
В. М. Петухов, А. К. Хрулев
Рецензенты К. М. Брежнева н Б. Л. Перельман
Редакция литературы по электронной технике
Мощные полупроводниковые приборы. Тран-
М 87 зисторы: Справочник / Б. А. Бородин, В. М. Ло-
макин, В. В. Мокриков и др.; Под ред. А. В. Го-
ломедова. — М.: Радио и связь, 1985. — 560 с.,
ил.
В пер.: 2 р.
Приводятся справочные данные по техническим, электриче-
ским и эксплуатационным характеристикам и параметрам совре-
менных мощных транзисторов, рассеиваемая мощность которых
превышает 1 Вт. Рассматриваются особенности использования
мощных транзисторов в аппаратуре.
Для широкого круга инженерно-технических работников.
2403000000-027 ББК 32.852.3
046(01)-85 6Ф0.32
© Издательство «Радио и связь», 1985
Содержание
Предисловие............................................ 8
ЧАСТЬ ПЕРВАЯ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИ-
СТОРАХ ..................................................$
Раздел первый. Классификация биполярных и полевых
транзисторов ........................................... 9
1.1. Классификация и система обозначений...............9
1 2. Классификация транзисторов по функциональному на-
значению ......................................11
1.3. Условные графические обозначения.................13
1.4. Условные обозначения электрических параметров . . 13
1.5. Основные стандарты на биполярные и полевые тран-
зисторы ...............................................16
1.6. Приборы для измерения параметров мощных транзи-
сторов ................................................19
Раздел второй. Особенности использования транзисто-
ров в радиоэлектронной аппаратуре ..................... 21
ЧАСТЬ ВТОРАЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ТРАНЗИСТОРОВ..........................34
Раздел третий. Транзисторы биполярные низкоча-
стотные ................................................34
п-р-п
П701, П701А, П701Б....................................34
П702, П702А...........................................36
2Т504А, 2Т504Б........................................39
2Т504А-5, 2Т504Б-5....................................42
2Т506А, 2Т506Б........................................45
2Т704А, 2Т704Б, КТ704А, КТ704Б, КТ704В...........49
ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705В, ГТ705Г, ГТ705Д...........53
КТ801А, КТ801Б........................................55
КТ802 \...............................................57
2Т803А, КТ803А........................................59
КТ805А, КТ805Б, КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ ... 63
КТ807А, КТ807Б, КТ807АМ, КТ807БМ..............65
2Т808А, КТ808А........................................67
2Т809А, КТ809А........................................70
2Т812А, 2Т812Б, КТ812А, КТ812Б, КТ812В................73
КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г......................77
КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г......................79
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, КТ819А, КТ819Б, КТ819В,
КТ819Г, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ ... 82
КТ821А-1, КТ821Б-1, КТ821В-1........................87
КТ823А-1, КТ823Б-1, КТ823В-1........................89
2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В, КТ826А, КТ826Б, КТ826В . . .91
2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В ... 95
2Т828А, 2Т828Б, КТ828А, КТ828Б..........................98
КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г.........................102
2Т831А, 2Т831Б, 2Т831В, 2Т831Г.........................105
2Т832А, 2Т832Б.........................................109
2Т834А, 2Т834Б, 2Т834В, КТ834А, КТ834Б, КТ834В . .112
КТ838А.................................................116
2Т839А.................................................119
КТ840А, КТ840Б.........................................122
2Т841А, 2Т841Б.........................................124
ТК135-16. ТК135-25, ТК142-40, ТК142-50, ТК142-63,
ТК152-80, ТК152-100, ТК235-32, ТК235-40, ТК235-50,
ТК235-63 ............................................. 128
р-п-р
П201Э, П201АЭ, П202Э, П203Э...........................141
П210А, П210Ш..........................................144
П213, П213А, П213Б, П214, П214А, П214Б, П214В, П214Г,
П215..................................................146
П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217, П217А,
П217Б, П217В, П217Г...................................149
П302, ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304, П306, П306А..................153
П601И, П601АИ, П601БИ, П602И, П602АИ...............156
2Т505А, 2Т505Б........................................159
КТ626А, КТ626Б, КТ626В, КТ626Г, КТ626Д...............163
ГТ701А.........................-......................166
ГТ703А, ГТ703Б, ГТ703В, ГТ703Г, ГТ703Д................168
2Т708А, 2Т708Б, ГТ708В............................171
2Т709А, 2Т709Б, 2Т709В............................175
1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В, ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В,
ГТ806Г, ГТ806Д........................................179
ГТ810А................................................182
1Т813А, 1Т813Б, 1Т813В................................184
КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г........................189
КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г....................192
2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ,
КТ818ГМ, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г .... 195
КТ820А-1, КТ820Б-1, КТ820В-1..........................200
КТ822А-1, КТ822Б-1, КТ822В-1......................203
2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е . . 205
2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г........................209
2Т836А, 2Т836Б, 2Т836В............................212
КТ837А—КТ837Ж, КТ837И—КТ837Н, КТ837П—КТ837Ф 217
2Т842А, 2Т842Б....................................219
рач (ел четвертый. Транзисторы биполярные высоко-
частотные ..............................................223
П-р-И
оТбО^А 2Т602Б, 2Т602ЛМ, 2Т602БМ, КТ602Л, КТ602Б,
КГ602АМ, КТ602БМ......................................223
КТ611А, КТ611Б, КТ611В, КТ611Г..................227
2Т625А-2, 2Т625Б-2, 2Т625АМ-2, 2Т625БМ-2, КТ625А,
КТ625АМ...............................................229
К.Т646А...............................................234
2Т653А, 2Т653Б........................................236
КТ902А................................................239
2Т903А, 2Т903Б, КТ903А, КТ903Б..................242
2Т908А, КТ908А, КТ908Б......................245
2Т912А, 2Т912Б, КТ912А, КТ912Б..................249
2Т920А, 2Т920Б, 2Т920В, КТ920А, КТ920Б, КТ920В,
КТ920Г.................................................252
2Т921А, КТ921А, КТ921Б......................258
2Т922Л, 2Т922Б, 2Т922В, КТ922А, КТ922Б, К.Т922В,
КТ922Г, КТ922Д......................................262
2Т926А, КТ926А, КТ926Б......................269
КТ927А, КТ927Б, КД927В............................ ... 272
2Т928А, 2Т928Б, КТ928А, КТ928Б..................275
2Т929А, КТ929А......................................278
2Т931А, КТ931А......................................282
2Т935А, КТ935А......................................286
КТ936А, КТ936Б......................................289
КТ940Л, КТ940Б, КТ940В......................291
КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943Д . . . .293
2Т944А, КТ944А......................................296
2Т945А, 2Т945Б, 2Т945В, КТ945А..................299
2Т947А, КТ947А......................................304
2Т950А, 2Т950Б......................................307
2Т951А, 2Т951Б, 2Т951В......................31]
2Т955А, КТ955А......................................315
2Т956А, KTS56A......................................318
2Т957А, КТ957А......................................322
2Т958А, КТ958А......................................325
КТ961А, КТ961Б, КТ961В......................329
2Т964А . 331
2Т967А, КТ967А......................................334
2Т968А............................................... 338
КТ969А................................................341
2Т971А, КТ971А......................................343
2Т980А..................,.............................346
р-П-р
2Т629А-2, КТ629А........................................349
КТ639А—КТ639Д...........................................353
КТ644А—КТ644Г...........................................357
1Т901А, 1Т901Б .......................... 3G0
1Т905А, ГТ905А, ГТ905Б........................362
1Т906А, ГТ906А, ГТ906АМ.......................367
1Т910АД............................................... 370
2Т932А, 2Т932Б, КТ932А, КТ932Б, КТ932В................372
2Т933А, 2Т933Б. КТ933А, КТ933Б....................374
Раздел пятый. Транзисторы биполярные сверхвысокоча-
стотные .................................................377
п-р-п
2Т606А, КТ606А, КТ606Б.................................377
2Т607А-4, КТ607А-4, КТ607Б-4...........................381
2Т610А, 2Т610Б, КТ610А, КТ610Б.........................384
2Т624А-2, 2Т624АМ-2, КТ624А-2, КТ624АМ-2 . . . .387
2Т633А, КТ633А.........................................391
2Т634А-2, КТ634А-2.....................................395
2Т635А, КТ635А.........................................398
2Т637А-2...............................................401
2Т643А-2, КТ643А-2.....................................405
2Т652А-2...............................................409
2Т904А, КТ904А, КТ904Б.................................412
2Т907А, КТ907А, КТ907Б.................................416
2Т909А, 2Т909Б, КТ909А—КТ909Г..........................420
2Т911А, 2Т911Б, К.Т911А—КТ911Г.........................424
2Т913А—2Т913В, КТ913А—КТ913В...........................428
2Т916А, КТ916А.........................................433
КТ918А, КТ918Б.........................................436
2Т919А—2Т919В, КТ919А—КТ919Г...........................439
2Т925А, 2Т925Б, 2Т925В, КТ925А КТ925Б, КТ925В,
КТ925Г.................................................445
2Т930А, 2Т930Б, КТ930А, КТ930Б.........................450
2Т934А, 2Т934Б, 2Т934В, КТ934А, КТ934Б, КТ934В,
КТ934Г, КТ934Д.........................................455
2Т937А-2, 2Т937Б-2, КТ937А-2, КТ937Б-2 . . . .462
2Т938А-2, КТ938А-2.....................................467
2Т939А, КТ939А.........................................470
2Т942А, 2Т942Б, КТ942В.................................473
2Т946А, КТ946А.........................................477
2Т948А, 2Т948Б, КТ948А, КТ948Б.........................482
2Т960А, КТ960А.........................................487
2Т962А, 2Т962Б, 2Т962В, КТ962А, К.Т962Б, К.Т962В . . .491
2Т963А-2, 2Т963Б-2.....................................496
2Т970А, КТ970Л.........................................500
2Т975А, 2Т975Б ....................................... 503
2Т976А, КТ976А ... . .................508
2Т977А............................................... 511
2Т979А.................................................514
р-п-р
2Т914А, КТ914А.................................... . . 517
2Т974А—2Т974В..........................................520
Раздел шестой Матрицы и сборки биполярных транзи-
сторов ... . 524
п-р-п
2ТС613А, 2ТС613Б, КТС613А, КТС613Б, КТС613В,
КТС613Г 524
КТС631А, КТС631Б, KTC63IB, КТС631Г...................530
р-п-р
1ТС609А, 1ТС609Б, 1ТС609В, ГТС609А, ГТС609Б, ГТС609В 533
2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А, КТС622Б . . . .537
Раздел седьмой Транзисторы полевые . ... 542
2П901А, 2П901Б, КП901А, КП901Б . ... 542
2П902А, 2П902Б, КП902А, КП902Б, КП902В . 545
2П903А, 2П903Б, 2П903В, КП903А, КП903Б, КП903В . 548
2П904А, 2П904Б, КП904А, КП904Б . . . . 551
2П905А, 2П905Б, КП905А, КП905Б, КП905В . . . .554
Алфавитно цифровой указатеть транзисторов, помещенных
в справочнике .... ........................556
Предисловие
Настоящий справочник представляет наиболее полное издание,
содержащее сведения о широкой номенклатуре отечественных бипо-
лярных и полевых транзисторов с рассеиваемой мощностью более
1 Вт
В нем приводятся электрические и эксплуатационные характе-
ристики и параметры транзисторов, классификация и система обо-
значений, классификация транзисторов по функциональному назна-
чению, условные графические обозначения и условные обозначения
электрических параметров, показаны особенности использования
транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре
Настоящий справочник отличается от подобных издании пол-
нотой справочных параметров и их зависимостей от режимов экс-
плуатации
Справочные сведения о полупроводниковых приборах составле-
ны на основе данных, зафиксированных в государственных стандар-
тах и технических условиях на отдельные типы приборов Справоч-
ник содержит сведения об основном назначении, габаритных и при-
соединительных размерах, маркировке, важнейших параметрах,
режимах измерения, предельных эксплуатационных режимах тран-
зисторов, а также зависимости параметров от режимов и эксплуа-
тационных факторов
Он предназначен для специалистов, занимающихся разработ-
кой, ремонтом и эксплуатацией радиоэчектроннои аппаратуры, сту-
дентов и аспирантов радиотехнических факультетов вузов и широ-
кого круга радиолюбителей
Отзывы и замечания о книге авторы просят направлять по ад-
ресу 101000, Москва, Почтамт, а/я 693, издательство «Радио и
связь», редакция литературы по электронной технике
Авторы
ч 4СТЬ ПЕРВАЯ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ
И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
Раздел первый
КЛАССИФИКАЦИЯ БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ
ТРАНЗИСТОРОВ
1.1. Классификация и система обозначений
Классификация транзисторов по их назначению, физическим свой-
ствам, основным электрическим параметрам, конструктивно техноло-
гическим признакам, роду исходного полупроводникового материала
находит свое отражение в системе условных обозначений их типов.
В соответствии с появлением новых классификационных групп тран-
зисторов совершенствуется и система их условных обозначении
Система обозначений современных типов транзисторов установле-
на отраслевым стандартом ОСТ 11 336 919—81 и базируется на ряде
классификационных признаков В основу системы обозначений поло-
жен буквснно цифровой код
Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый мате-
риал, на основе которого изготовлен транзистор
Для обозначения исходного материала используются следующие
символы
Г или 1 — для германия или его соединений,
К нли 2 — для кремния или его соединений,
А или 3 — для соединений галлия (практически для арсенида гал-
лия, используемого для создания полевых транзисторов),
И или 4 — для соединений индия (эти соединения для производст-
ва транзисторов пока в качестве пехотного материала не примени
ются)
Второй элемент обозначения — буква определяющая подкласс
( (ли группу) транзистора Для обозначения подклассов используется
о та из двух букв Т — для биполярных и П — для полевых транзи-
сторов
Третий элемент—цифра, определяющая основные функциональ-
ные возможности транзистора (допустимое значение рассеиваемой
мощности и граничную либо максимальную рабочую частоту)
Дтя обозначения наиболее характерных эксплуатационных при-
знаков транзисторов применяются следук^щие цифры
Для транзисторов малой мощности (максимальная мощность, рас-
сеиваемая транзистором, не более 0,3 Вт)
1 — с граничной частотой коэффициента передачи тока или макси-
мальной рабочей частотой (далее граничной частотой) не более
3 МГц,
2 — с 1ранпчнон частотой бочсе 3, но не более 30 МГц,
3 — с граничной частотой более 30 ЛА! ц
Для транзисторов средней мощности (макенматьиая мощность,
ассенваемая транзистором, более 0 3 но не более 1,5 Вт),
4 — с граничной частотой не бо iee 3 МГц,
5 — с граничном частотой более 3 но не ботее 30 МГц,
6 — с граничной частотой более 30 МГц
Для транзисторов большой мощности (максимальная мощность,
ассенваемая транзистором, более 1,5 Вт),
7 — с граничной частотой ие более 3 МГц
8 — с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц,
9 — с граничной частотой более 30 МГц
Четвертый элемент — число, обозначающее порядковый номер раз-
аботки технологического типа транзисторов
Для обозначения порядкового номера используют двухзначные
пела от 01 до 99 Ес'ли порядковый номер разработки превысит чис-
о 99, то применяют трехзпачные числа от 101 до 999
Пятый элемент — буква, условно определяющая классификацию
о параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии
В качестве классификационной литеры применяют буквы русского
лфавита (за исключением 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э)
Стандарт предусматривает также введение в обозначение ряда до-
олиительных знаков при необходимости отметить отдельные сущест-
енные конструктивно-технологические особенности приборов
В качестве дополнительных этементов обозначения используют
ледующие символы
цифра от 1 до 9 — для обозначения модернизаций транзистора,
риводящих к изменению его конструкции или электрических пара-
етров,
буква С — для обозначения наборов в общем корпусе однотипных
ранзисторов (транзисторные сборки),
цифра, написанная через дефис, — для бескорпусных транзисторов,
ти цифры соответствуют следующим модификациям конструктив-
ого исполнения
1— с гибкими выводами без кристаллодержателя (потложки);
2 — с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке),
3 — с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки),
4 — с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке),
5 — с контактными площадками без кристаллодержателя (подлож-
и) и без выводов (кристалл);
6 — с контактными площадками на кристаллодержателе (подлож-
е), но без выводов (кристалл па подложке)
Таким образом, современная система обозначений позволяет по
аименованию типа получить значительный объем информации о
войствах транзистора
Примеры обозначения некоторых транзисторов
КТ604А — кремниевый биполярный, средней мощности, низкоча-
тотный, номер разработки 04, группа А,
2Т920А — кремниевый биполярный, большой мощности, высокоча-
готный, номер разработки 20, группа А;
КТ937А-2 —• кремниевый биполярный, большой мощности, высоко-
астотный, номер разработки 37, группа А, бескорпусный, с гибкими
ыводами на кристаллодержателе.
2ПС202А-2— набор маломощных кремниевых полевых транзисто-
ров сроднен частоты, номер разработки 02, группа А, бескорпусный,
с гибкими выводами на кристаллодержателе
Для большинства транзисторов, включенных в настоящий спра-
вочник, использована система обозначений согласно рапсе действо-
вавшим ГОСТ 10862—64 и ГОСТ 10862—12, которая в своей основе
не отличается от описанной Однако у биполярных транзисторов,
разработанных до 1964 г. и выпускаемых до настоящего времени, ус-
ловные обозначения типа состоят из двух или трех элементов
Первый элемент обозначения — буква П, характеризующая класс
биполярных транзисторов, или две буквы МП для транзисторов в
корпусе, герметизируемом способом холодной сварки.
Второй элемент — одно-двух- или трехзначпое число, которое оп-
ределяет порядковый номер разработки и указывает на подкласс
транзистора по роду исходного полупроводникового материала, зна-
чениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной (или пре-
дельной) частоты
от 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзи-
сторы,
от 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзи-
сторы,
от 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзи-
сторы,
от 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы;
от 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощ-
ные транзисторы,
от 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные
транзисторы,
от 601 до 699—германиевые высокочастотные и СВЧ мощные
транзисторы,
от 701 до 799 — кремниевые высокочастотные н СВЧ мощные
транзисторы
Третий элемент обозначения (у некоторых типов он может отсут-
ствовать) — буква, условно определяющая классификацию по пара-
метрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.
Примеры обозначения некоторых транзисторов.
П213А—германиевый мощный низкочастотный, номер разработки
13, группа А;
П702А — кремниевый мощный высокочастотный, номер разработ-
ки 02, группа А
1.2. Классификация транзисторов по функциональному
назначению
В настоящем справочнике, наряду с нашедшей отражение в си-
стеме условных обозначений типов транзисторов классификацией,
приведена классификация биполярных транзисторов по частоте: низ-
кочастотные (/гр<30 МГц); высокочастотные (30 МГц</гр<
< 300 МГц), сверхвысокочастотные (frp^300 МГц).
Биполярные транзисторы в соответствии с основными областями
применения подразделяются иа следующие группы универсальные
(низкочастотные и высокочастотные); усилительные (сверхвысокоча
Таблица I
Графические обозначения полупроводниковых приборе»
Наименование
Обозначение
Транзистор тн!<а рп р
Транзистор типа п р п с котлектором, электрически
соединенным с корпусом
Полстей транзистор с канатами типов /г и р
Подвои транзистор с изолированным затвором с вы
водой от подлой ли обогащенного типа с р каналом
и обедненного типа с п канатом
Полевой транзистор с изолированным затвором обо
тащенного типа с л каналом и с внутренним соедине
нисм подложки и истока
Полевой трапзнсюр с двумя изолированными затво рами обедненного типа с п каналом и с внутренним соединением подложки и истока
стотные, высоковольтные, высокочастотные линейные); генераторные
(высокочастотные, сверхвысокочастотные, сверхвысокочастотные с
согласующими цепями); переключательные и импульсные (переклю-
чательные высоковольтные и импульсные высоковольтные).
По своему основному назначению полевые транзисторы делятся
на усилительные и генераторные.
Каждая из перечисленных групп характеризуется специфической
системой параметров и справочных зависимостей, отражающих осо-
бенности применения транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре.
Применительно к данной классификации транзисторов расположен
информационный материал в справочнике.
1.3. Условные графические обозначения
В технической документации и специальной литературе следует
применять условные графические обозначения полупроводниковых
приборов в соответствии с ГОСТ 2.730—73.
Графические обозначения полупроводниковых приборов, помещен-
ных в данном справочнике, приведены в табл. 1.
1.4. Условные обозначения электрических параметров
(7КЭ —напряжение коллектор — эмиттер
б/КЭО — постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
токе базы, равном нулю
^КЭК —постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
заданном сопротивлении в цепи база — эмиттер
—постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
— постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
заданном обратном напряжении база — эмнттер
^КЭЛ, и — импульсное напряжение коллектор — эмиттер при
заданном сопротивлении в цепи база — эмиттер
^КэК, и —импульсное напряжение коллектор — эмиттер при
короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
^Кэх, и — импульсное напряжение коллектор — эмиттер при
заданном обратном напряжении база — эмиттер
^Кэо проб — пробивное напряжение коллектор — эмиттер при
токе базы, равном нулю
^Кэк проб — пробивное напряжение коллектор — эмиттер при
заданном сопротивлении в цепи база — эмиттер
^КЭК проб —пробивное напряжение коллектор — эмиттер при
короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
^Кэх проб —пробивное напряжение коллектор — эмиттер при
заданном обратном напряжении база — эмиттер
/7КЭ max — максимально допустимое постоянное напряжение
коллектор — эмиттер
^Кэ, и max — максимально допустимое импульсное напряжение
коллектор — эмиттер
^КБ — постоянное напряжение коллектор — база
^КБ, и —импульсное напряжение коллектор — база
^КБо проб
^КБ max
^КБ, и шах
^ЭБО проб
УэБ max
^СИ
^ЗИ
^ИП
^СИ max
^ЗИ max
U3C max
^СП max
^ИП max
U ЗП max
Ея и
Ек
Еъ
/к
!Э
!в
/к. ж
1Э, и
^В, и
/ К вас
^Б нас
/К max
max
Б max
Fk, я max
Э, и max
К нас max
Б нас max
— пробивное напряжение коллектор — база
— максимально допустимое постоянное напряжение
коллектор — база
— максимально допустимое импульсное напряжение
коллектор — база
— пробивное напряжение эмиттер — база
— постоянное напряжение эмиттер — база
— падение напряжения на участке база — эмиттер
— максимально допустимое постоянное напряжение
эмиттер — база
— напряжение сток — исток
— напряжение затвор — исток
— напряжение исток — подложка
— максимально допустимое напряжение сток — исток
— максимально допустимое напряжение затвор —
исток
— максимально допустимое напряжение затвор —
сток
•—максимально допустимое напряжение сток—под-
ложка
— максимально допустимое напряжение исток — под-
ложка
—• максимально допустимое напряжение затвор —
подложка
— напряжение источника питания
— напряжение источника питания цепи коллектора
— напряжение источника питания цепи базы
— постоянный ток коллектора
— постоянный ток эмиттера
— постоянный ток базы
— импульсный ток коллектора
— импульсный ток эмиттера
— импульсный ток базы
— постоянный ток коллектора в режиме насыщения
— постоянный ток базы в режиме насыщения
— максимально допустимый постоянный ток коллек-
тора
— максимально допустимый постоянный ток эмиттера
— максимально допустимый постоянный ток базы
— максимально допустимый импульсный ток коллек-
тора
— максимально допустимый импульсный ток эмиттера
— максимально допустимый постоянный ток коллек-
тора в режиме насыщения
— максимально допустимый постоянный ток базы в
режиме насыщения
/с max 1с ост /3 (np> max /С (и) тач Cr f Квас Кст U 1 Р — максимально допустимый постоянный ток стока — остаточный ток стока — максимально допустимый прямой ток затвора — максимально допустимый импульсный ток стока — емкость генератора — частота — коэффициент насыщения — коэффициент стоячей волны по напряжению — длина выводов — постоянная рассеиваемая мощность биполярного (полевого) транзистора
Pcv — средняя рассеиваемая мощность биполярного тран- зистора
Рв — импульсная рассеиваемая мощность биполярного (полевого) транзистора
Рк Рк СР Рпх — постоянная рассеиваемая мощность коллектора — средняя рассеиваемая мощность коллектора — входная мощность биполярного (полевого) тран зистора
Pax (по) — входная мощность в пике огибающей (средняя мощность однотонового сигнала с амплитудой, рав ной амплитуде двухтонового сигнала в пике огиба- ющей)
Рвы^ (по) — выходная мощность в пике огибающей (средняя мощность однотонового сигнала с амплитудой, рав- ной амплитуде двухтонового сигнала в пике оги- бающей)
Рот р р пад Р так — мощность отраженной волны СВЧ сигнала — мощность падающей волны СВЧ сигнала — максимально допустимая постоянная рассеиваемая
Рк так мощность биполярного (полевого) транзистора — максимально допустимая импульсная рассеиваемая
РК так мощность биполярного (полевого) транзистора — максимально допустимая постоянная рассеиваемая
Рк ср так мощность коллектора — максимально допустимая средняя рассеиваемая
Q Рк мощность коллектора — скважность — сопротивление в цепи коллектор — источник пи- тания
-5 3 О о» — сопротивление в цепи база — эмиттер — сопротивление в цепи база — источник питания — сопротивление нагрузки — выходное сопротивление генератора при измере-
/?Т Рг п к Рг кпк ниях — тепловое сопротивление — тепловое сопротивление переход — корпус — импульсное тепловое сопротивление переход—кор-
Рг п с $11 б Sj 13 пус — тепловое сопротивление переход — среда — коэффициент отражения входной цепи сЪответст- венно в схеме ОБ и ОЭ
^120 — коэффициент обратной передачи напряжения в схе- ме ОБ
|S120| —модуль коэффициента обратной передачи напряже-
ния в схеме ОБ
5 — коэффициент прямой пере щчи напряжения в схе-
ме ОЭ
S12o —коэффициент отражения выходной цепи в схеме
ОБ
Т — темпеиатура окружающей среды
Тк — температура корпуса, для бескорпусных транзисто-
ров криста тлодержателя (подложки)
Тл —температура рп перехода
т]н — коэффициент полезного действия коллектора
<р — фаза S параметра
Ти — длительность импульса
Тф — длительность фронта
Знаком * далее в тексте отмечены параметры или их значения,
приведенные в справочных данных ТУ При производстве полупро-
водниковых приборов они могут не контролироваться
Значения эксплуатационных данных, приведенных без указания
температурного диапазона, справедливы во всем интервале темпера-
тур окружающей среды для данного типа транзистора
Значения электрических параметров, приведенные без специально-
го указания температуры окружающей среды (температуры корпуса),
справедливы для температуры 25 °C
1.5. Основные стандарты на биполярные и полевые
транзисторы
ГОСТ 15133—77
ОСТ 11 336 919—81
ГОСТ 2 730—73
ГОСТ 18472—82
ГОСТ 20003—74
ГОСТ 19095—73
ГОСТ 18604 0-74
ГОСТ 18604 1—80
ГОСТ 18604 2—80
ГОСТ 18604 3—80
ГОСТ 18604 4—74
Приборы полупроводниковые Термины и
определения
Приборы полупроводниковые Система ус-
ловных обозначений
ЕСКД Обозначения условные графические в
схемах Приборы потупроводниковые
Приборы полупроводниковые Корпуса Га-
баритные и присоединительные размеры
Транзисторы биполярные Электрические па-
раметры Термины определения и буквенные
обозначения
Транзисторы полевые Электрические пара-
метры Термины определения и буквенные
обозначения
Транзисторы биполярные Методы измере-
ния электрических параметров Общие по-
ложения
Транзисторы биполярные Методы измере-
ния постоянной времени цепи обратной свя-
зи на высокой частоте
Транзисторы биполярные Метод измерения
статического коэффициента передачи тока
Транзисторы биполярные Метод измерения
емкостей коллекторного и эмиттерного пере-
ходов
Транзисторы биполярные Методы измере-
ния обратного тока коллектора
гост 18604 5—74
ГОСТ 18604 6—74
ГОСТ 18604 7—74
ГОСТ 18604 8—74
ГОСТ 18 604 9—82
ГОСТ 18604 10—76
ГОСТ 18604 11—76
ГОСТ 18604 13—77
ГОСТ 18604 14—77
ГОСТ 18604 15—77
ГОСТ 18604 16—78
ГОСТ 18604 17—78
ГОСТ 18604 18—78
ГОСТ 18604 19—78
ГОСТ 18604 20—78
ГОСТ 18604 21—78
ГОСТ 18604 22—78
ГОСТ 18604 23—80
ГОСТ 18604 24—81
ГОСТ 18604 25—81
Транзисторы биполярные Метод измерения
начального тока коллектора
Транзисторы бипотярные Метод измерения
обратного тока эмиттера
Транзисторы биполярные Метод измерения
коэффициента передачи тока
Транзисторы биполярные Метод измерения
выходной проводимости
Транзисторы биполярные Методы определе-
ния граничной и предельной частот коэффи-
циента передачи тока
Транзисторы биполярные Метод измерения
входного сопротивления
Транзисторы биполярные Метод измерения
коэффициента шума на высоких и сверхвы-
соких частотах
Транзисторы биполярные СВЧ генераторные.
Метод измерения выходной мощности и оп-
ределения коэффициента усиления по мощ-
ности и коэффициента полезного действия.
Транзисторы биполярные СВЧ генераторные.
Метод измерения модуля коэффициента об-
ратной передачи в схеме с общей базой на
высокой частоте
Транзисторы биполярные СВЧ генераторные
Методы измерения критического тока.
Транзисторы биполярные Метод измерения
коэффициента обратной связи по напряже-
нию в режиме малого сигнала
Транзисторы биполярные Метод измерения
плавающего напряжения эмиттер — база
Транзисторы биполярные Методы измере-
ния статической крутизны прямой передачи.
Транзисторы биполярные Методы измере-
ния граничного напряжения
Транзисторы биполярные Методы измере-
ния коэффициента шума на низкой частоте.
Транзисторы биполярные Методы измере-
ния времени рассасывания
Транзисторы биполярные. Методы измере-
ния напряжения насыщения коллектор —
эмиттер и база — эмиттер
Транзисторы биполярные Методы измере-
ния коэффициентов комбинационных состав-
ляющих
Транзисторы биполярные высокочастотные
генераторные Метод измерения выходной
мощности и определения коэффициента уси-
ления по мощности и коэффициента полез-
ного действия
Транзисторы биполярные высокочастотные
генераторные Метод определения граничной
частоты коэффициента передачи тока.
ГОСТ 20398.0—74
ГОСТ 20398.1—74
ГОСТ 20398.2—74
ГОСТ 20398.3—74
ГОСТ 20398.4—74
ГОСТ 20398.5—74
ГОСТ 20398.6—74
ГОСТ 20398.7—74
ГОСТ 20398.8—74
ГОСТ 20398.9—80
ГОСТ 20398.10—80
ГОСТ 20398.11—80
ГОСТ 20398.12—80
ГОСТ 20398.13—80
ОСТ 11 336.909.1—79
ОСТ 11 336.909.2—79
ОСТ 11 336.909.3—79
ОСТ 11 336.916—80
ОСТ 11 073.073—82
ГОСТ 2.117—71
ОСТ И aA0.336.013—73
ОСТ 11.336.907.0—79
ОСТ 11 336.907.8—81
Транзисторы полевые. Методы измерения
электрических параметров. Общие положе-
ния.
Траизнсторы полевые. Метод измереиня мо-
дуля полной проводимости прямой передачи.
Транзисторы полевые. Метод измерения ко-
эффициента шума.
Транзисторы полевые. Метод измерения
крутизны характеристики.
Транзисторы полевые. Метод измерения ак-
тивной составляющей выходной проводимо-
сти.
Транзисторы полевые. Метод измерения
входной, проходной и выходной емкостей.
Транзисторы полевые. Метод измерения то-
ка утечки затвора.
Транзисторы полевые. Метод измерения по-
рогового напряжения и напряжения отсечки.
Транзисторы полевые. Метод измерения на-
чального тока стока.
Транзисторы полевые. Метод измерения кру.
тнзны характеристики в импульсном режиме.
Транзисторы полевые. Метод измерения на-
чального тока стока в импульсном режиме.
Транзисторы полевые. Метод измерения
спектральной плотности шумового напряже-
ния.
Транзисторы полевые. Метод измерения
остаточного тока стока.
Транзисторы полевые. Метод измерения со-
противления сток — исток.
Транзисторы биполярные мощные высоко-
вольтные. Методы измерения граничного на-
пряжения.
Транзисторы биполярные мощные высоко-
вольтные. Методы измерения временных па-
раметров.
Транзисторы биполярные мощные высоко-
вольтные. Методы измерения скорости на-
растания обратного напряжения.
Транзисторы полевые. Метод измерения вы-
ходной мощности, определения коэффициен-
та усиления по мощности, определения ко-
эффициента полезного действия стока.
Приборы полупроводниковые и микросхемы.
Методы контроля температуры полупровод-
никовых структур.
ЕСКД. Согласование применения покупных
изделий.
Приборы полупроводниковые. Методы защи-
ты от статического электричества.
Приборы полупроводниковые. Руководство
по применению. Общие положения.
Транзисторы биполярные. Руководство по
применению.
OCT 11 336 935—82
OCT И ПО 336 001
ред 1-71
Транзисторы полевые. Руководство по при-
менению
Приборы полупроводниковые бескорпусные.
Руководство по применению.
I 6. Приборы для измерения параметров мощных
транзисторов
Для измерения параметров транзисторов промышленность выпу-
скает ряд измерительных приборов. Наибольшее распространение для
измерения параметров мощных биполярных и полевых транзисторов
получили приборы, приведенные в табл 2-
Методы измерения основных электрических параметров транзисто-
ров установлены государственными стандартами. Для наблюдения
вольт-амперных характеристик транзисторов рекомендуется использо-
вать приборы, приведенные в табл. 3.
Таблица 2
Приборы для измерения параметров мощных транзисторов
Тип, прибор Измеряе- мый па- раметр Предел измерения по шкале Режим измерения Габаритный размер, мм (масса, кг)
Л2-13 й21Э 3—1000
Измеритель статических S 0 1-30 А/В С/кб = 1-20 В 630X360X340
параметров мощных транзисторов ^КЭ нас 6ЬЭ час УКЭО Гр ;КБО 0,1—10 в 0,1 — 10 в 2—150 В 10 мкА- 100 мА (при измерении ^КБО д0 150 В) /к<10 А I Б5?1 А (32 кг) Выносной пульт 180X200X210 (3 кг)
;ЭБО 10 мкА- 100 мА
;K3R Ю мкА— 300 мА
Л2-28 Измеритель емкости р п переходов ск Сэ ;КБО 0 3—1000 пФ 0,3—1000 пФ 0,3—100 мкА <7кб = °.25 —99,9 В <7эб= 0,25 —9,9 В f = 1 0 МГц (при С^ЗО пФ) /==0,3 МГц (при Сг^ЗО пФ) 495X215X365 (16 кг)
Л2 34 Измеритель емкости ^11И ^22И 0,3—30 пФ 0.3—30 пФ иСИ = 2-29 В б'зш = 1 — 29 в 490X216X355 (16 кг)
полевых транзисторов С12И 0,03—30 пФ ^зиг = 1—29 в гс =0,3—50 мА
(jm oe) 091 X 999X081 V" 009— 1 =и ‘aZ V 66‘0-Vй 0fr=H "*1 a oooz — —009 = и ‘siIn V 1-01— S-01 a oooz—ooi О9Л/ dj oenn sodoxo •HEHBdl Х1ЧН •хч1гоаомоэ1чя Eodxawedeu qirsindswEH 89-EIT
UH SI) fr6XSZfrX88V BHHShOilfMlTOU ояхэиобхэд (JH S3) SZIXSZi’XeSi’ aoaox вйгиах Moirg ря oe) SZI XSZ^XSSi’ аоннжэй Moirg (JH 00) SZl X9Z1XW {ЦЧИЧ1ГЭХ -ибэиси Moirg и я с • . ф Я Я Я II II II 41 О о о II • - - W О И- W | 7 1 1 1 о w CD W © О CD ° ® и 05 > > V 1-01—8-01 V 1-01—8-01 V 1-01— 8-01 g oi—so*o H 01—90*0 0002—9 HG'AI О9Я/ 096/ эвн €9Л эвн е~яп Gl aodoxoHEHud-i' XHHlnow sodxswBden ХИЯЭЭНИХБХЭ ЯГЭХИбэИЕИ Z9-2IT
sozxoezxooe У1ЧНЧ1ГЭХ -HdawEH noirg 9X1X06^X098 яоиижэй MOirg 992X06^X081- 0ННЧ1ГЭХ -ибэяЕИ Moirg v« оог>3/ а ое —£'о = гиел g 0£-£‘0 = 1ИЕЛ а оог — \=тп V 0£—l‘O »O 0001—8 g 0£—£‘0 a 0£—£‘0 V s-01 —Z1-01 £‘0 VK 000—£‘0 a/v £—io‘o a/v o£— io‘o и ‘Э/ Я1О ИЭу 010 И£л don И£л £; Э/ ПЯИЬ'Н хэоп ь-н$ sodoxoHenedi xwasifuu XRHtaOrt aodxswcuEU qirsxHdawEH 9i-2if
(JH Z) OOZX191XZZI ZZI ХЧ1ГАЦ (JH IZ) 99EX99ZX061 «О» I —0 = 3etf V 9—£0‘0=а/ V ог —I '0 = */ g oi-£‘о=аел (а оо1 °® озЯ/ иинэЗэиен Hdu) a os —г =а:ял < < < s 2 s a ca © © о © © о © co co CO ч 7 7 1 1 I i J. J. < < < 1X5 - - ii « as 0 0 2 2 2 оеЯ/ 036/ ОЭЛ/ э«н едл эвнехл 6>sv aodoxoHenedx xiqutaow sodxawcdeu хияээьнхвхэ 4L*9XHd9WE[-I 1 Zf-Zir
(ля ‘вээвл) нн ‘dawccd VjqHXHdspBj ЕИНЭёЭИЕН WHHOJ Э1ГВЯШ on BHHdddWEH irattadu dxawBdeu цни -эбйэиеи dopndu ‘них
Z -ircjBX эииеьноио
Таблица 3
идоры для наблюдения вольт-амперных характеристик транзисторов
Гии Режим по песто ЯН1 ому току Режим ступенчттого сигнала ГаОаритный размер, мм (масса, кг)
ПНХГ-1 (7=0—20 В По току 643 X 334 X 423
(при I = 1 — 10 А) 0 —200 В (при А) 1—500 мкА/ступень, 1—200 мА/ступень (всего 17 фиксированные значений) По напряжению 0 01—0,2 В/ступснь (всего 5 фиксированных значении) Число ступеней 4—12 (40 кг)
П'’ 56 и= 0 — 16 в По току 490 X 294 X 560
(ПНХТ-2) (при /^1 0 А) t/-=0 — 80 В (при 1 = 0,4 —2 А) (7 = 0—400 В (при / = 0,4 — — 0,08 А) U = 0—2000 В (при Z 0,08 А) 50 нА/ст^пеиь, 20 mA/ctv пень (всего 21 фиксирован- ное значение) По напряжению 0 05—2 В/ступень (всего 6 фиксированных значении) Число ступеней 1 — 10 (40 кг)
Раздел второй
ОСОБЕННОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ
ТРАНЗИСТОРОВ В РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ
АППАРАТУРЕ
При разработке, изготовлении и эксплуатации полупроводниковых
приборов еле чует принимать во внимание их специфические особенно-
сти Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть
обеспечена только при учете таких факторов, как разброс парамет-
ров транзисторов, температурная нестабильность и зависимость нх
параметров от режима работы, а также изменение параметров тран-
зисторов в процессе эксплуатации.
Транзисторы, приведенные в справочнике, являются транзисторами
общего применения. Они сохраняют свои параметры в установленных
пределах в условиях эксплуатации и хранения, характерных для раз-
личных видов и классов аппаратуры. Условия эксплуатации аппара-
туры могут изменяться в широких пределах. Эти условия характери-
зуются внешними механическими (вибрационными, ударными, цент-
робежными нагрузками) и климатическими воздействиями (темпера-
турными, атмосферными и др )
Общие требования, справедливые для всех транзисторов, предна-
значенных для испотьзования в аппаратуре определенного класса, со-
держатся в общих технических условиях Нормы на значения элек-
трических параметров и специфические требования, относящиеся к
конкретному типу транзистора, содержатся в частных технических
условиях
Под воздействием различных факторов окружающей среды неко-
торые параметры, характеристики и свойства транзисторов могут из-
меняться.
Для герметичной защиты транзисторных структур от внешних
воздействий служат корпуса приборов Конструктивное оформление
транзисторов рассчитано на их использование в составе аппаратуры
при любых допустимых условиях эксплуатации Необходимо помнить
что корпуса транзисторов в конечном счете имеют ограничение по
герметичности Поэтому при исготьзовании транзисторов в аппара
туре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной
влажности, платы с расположенными на них транзисторами рекомен,
дуется покрывать лаком не менее чем в три слоя Рекомендуется при
менять лаки УР 231 (ТУ 6 10 863—79) или ЭП-730 (ГОСТ
20824—75)
Все большее распространение получают так называемые бескор
пусные транзисторы, предназначенные для использования в мпкросхе
мах и микросборках Кристаллы таких транзисторов защищены спе
циатьиым покрытием, но оно не дает дополнитет0иой защиты от воз
действия окружающей среды Защита достигается общей герметиза
цией всей микросхемы
Рассеиваемая мощность, а также возможность работы на СВЧ оп
ределяются конструкцией транзисторов
Чтобы обеспечить долголетнюю и безотказную работу радиоэлек-
тронной аппаратуры, конструктор обязан не только учесть характер
пые особенности транзисторов на этапе разработки аппаратуры, но и
обеспечить соответствующие условия ее эксплуатации и хранения
Транзисторы — приборы универсального применения Они могут
быть успешно использованы не только в классе устройств, для кото-
рых они разработаны, но и во многих других устройствах Однако
набор параметров и характеристик, приводимых в справочнике, со
ответствует основному назначению транзистора В справочнике при-
водятся значения параметров транзисторов, гарантируемые ТУ дтя
соответствующих оптимальных или предельных режимов эксплуата-
ции Рабочий режим транзистора в проектируемом устройстве часто
отличается от того режима, для которого приводятся параметры
в ТУ
Значение большинства параметров транзисторов зависит от рабо-
чего режима и температуры, причем с увеличением температуры за-
висимость параметров от режима сказывается более сильно В спра
вочиике, как правило, приводятся типовые (усредненные) зависимо-
сти параметров транзисторов от тока, напряжения, температуры, ча
стоты и т д Эти зависимости должны использоваться при выборе
типа транзистора и ориентировочных расчетах, так как значения па-
раметров транзисторов о того типа не одинаковы, а лежат в некого
ром интервале Этот интервал ограничивается минимальным или мак-
симальным значением указанным в справочнике Некоторые пара
метры имеют двустороннее ограничение
При конструировании устройств необходимо стремиться обеспе
чить их работоспособность в возможно более широких интервалах
изменений важнейших параметров транзисторов Разброс параметров
транзисторов и их изменение во времени при конструировании могут
быть учтены расчетными методами или экспериментально — методом
граничных испытаний
В справочнике, как правило, пе приводятся выходные характер!!
стики биполярных транзисторов ввиду их однотипности и возможно-
сти построения по приводимым данным
Рис 2 1. Выходные характеристики биполярного транзистора и об-
ласти работы при включении по схеме ОБ (а) и по схеме ОЭ (б).
На рис 2 1 показаны выходные характеристики биполярного тран-
зистора с указанием областей работы для схем с общей базой (ОБ)
и общим эмиттером (ОЭ). Как видно, выходные характеристики в
схеме ОБ (рис. 2.1, а) напоминают анодные характеристики усили-
тельных пентодов, с тем различием, что коллекторный ток протекает
и при нулевом напряжении питания В схеме ОЭ (рис 2 1,6) выход-
ные характеристики идут из начала координат, имеют наклон к оси
напряжений.
Характерные особенности рабочих областей, показанных на
рис. 2 2 применительно к токам и напряжениям для р-п-р транзисто-
ра, приведены в табл. 4. Для п-р-п. транзисторов знаки неравенств в
столбцах табл. 4 «Напряжение на коллекторе» и «Напряжение на
эмиттере» должны быть заменены на обратные.
Выходные вольт-амперные характеристики полевых транзисторов
(зависимость тока стока от напряжения на стоке при различных на-
пряжениях на затворе) напоминают характеристики усилительных
пептодов (рис. 2.3). На семействе этих характеристик можно выде-
лить три области: линейную (изменение тока стока пропорционально
изменению напряжения на стоке); область насыщения (ток стока сла-
бо зависит от напряжения на стоке); область пробоя (ток стока
резко возрастает при малых изменениях напряжения на стоке)
На рис. 2 4 приведены проходные вольт-амперные характеристики
(зависимость тока стока от напряжения на затворе при неизменном
напряжении на стоке) полевых транзисторов с управляющим р-п пе-
реходом с каналами п- н p-типов проводимости и схемные обозначе-
ния этих транзисторов. Проходные характеристики полевых транзи-
сторов с управляющим р-п переходом хорошо аппроксимируются вы-
ражением
,С — !С иач ('~^3и/^3и ото)" •
Где /с пач — начальный ток стока (ток стока при Пзи -0); б/зи огс —
напряжение отсечки. Теоретическое значение показателя степени п =
— 2. Однако на практике л =1,5—2,5.
Таким образом, полевые транзисторы с управляющим р-п перехо-
дом работают в режиме обеднения канала носителями заряда (неза-
Рис. 2.2. Реальные выходные характеристики мощного германиево-
го транзистора и области максимальных режимов (заштрихованы).
Щпач 1
ЩпачЗ
ЩначЗ
О ЩипасЗ ^СИ пас! Щи
Рис. 2.3. Выходные характери-
стики полевого транзистора.
ОНлас/пь
пробоя
Рис. 2.4. Проходные характери-
стики полевого транзистора с уп-
равляющим р-п переходом с ка-
налом п- и p-типов проводимо-
сти.
внснмо от типа его проводимо-
сти) при изменении напряжения
затвор — исток от нулевого зна-
чения до напряжения отсечки то-
ка стока
На рис 2 5 приведены про
ходные вольт амперные характе-
ристики МДП-транзпсторов и их
схемные обозначения В отличие
от транзисторов с управляющим
р п переходом, у которых рабо-
чая область составляет от
£УзИ =0 В до запирания, МДП-
транзисторы сохраняют высокое
входное сопротивление при любых
значениях напряжения па затво-
ре, которое ограничено напряже-
нием пробоя изолятора затвора
При необходимости примене-
Рис 2 5 Проходные характе-
ристики МДП-транзистора с
каналом п- и р-тнпов проводи-
мости
ния транзисторов для выполнения
функций, отличающихся от их основного назначения, вывод о воз-
можности их использования в этих режимах может быть сделан по-
сле измерения параметров транзисторов в этих режимах, проведения
соответствующих испытании п согласования их параметров в соответ-
ствии с ГОСТ 2 117—71
Таблица 4
Характерные особенности рабочих областей при включении биполярных
транзисторов типа р-п-р по схемам ОБ и ОЭ
Рабочая область Схема включения Напряжение на эмиттере Напряжение на коллекторе Ток коллектора Ток базы
силе ние ОЬ <7ЭВ>° ,УКБ<(| /К.=Л21Б/Э ;Б = ^К х х(1Н Л21в)/ /12 1Ь>0
ОЭ О вэ < ° °КЭ<0 /К = Л21Э/Б 7Б = 7 К/h 2 1 Э> 0
Насы- щение ОЬ с7эб>с7кь УКБ>° 'К <fl2tbl3 /Ь>/К< 1 Н Л2 1Ь>/ Л’1Ь
ОЭ 16БЭ|>РКЭ| <7КЭ<° /К<Л21Э/Б /Б>/К//121Ь
Отсеч- ка ОЬ С/эВ^0 (7кб<° /КБК>/К>/КБО /ь<о
ОЭ ^БЭ^О <7кэ<° /КЭО>/К>/КБО /Б<0
Умно- жение ОБ <7ЭБ>° В КБ<0 /К>Л21Ь/Э /Б</К Х X (1 + Л2 1 Б>/Л21Б
ОЭ (7вэ<0 ^кэ<° /К>Л2 1Э/Б /Б<-'к/л21Э
Рис 2 6 Рис 2 7 Рис 2 8 Рис 2 9
Рис 2 6 Устройство защиты транзистора с помощью последова-
тельной RC цепи
Рис 2 7 Устройство защиты транзистора с помощью шода
Рис 2 8 Устройство защиты транзистора с помощью стабилитрона
Рис 2 9 Комбинированная схема защиты транзистора
В аппаратуре транзистор может быть использован в широком
диапазоне напряжений п токов Ограничением служат значения пре-
дельно допустимых режимов превышение которых в условиях экс-
плуатации ие допускается независимо от длительности импульсов на
пряжения или тока Даже кратковременное превышение предельно
допустимых режимов может привести к пробою р п перехода, сгора
ник? внутренних выводов и выходу прибора из строя Поэтому при
применении транзисторов необходимо обеспечивать их защиту от
мгновенных изменений токов и напряжении, возникающих при пере-
ходных процессах (моменты включения, выключения изменения ре
жимов работы ит д), мгновенных изменениях питающих напряже-
нии Не допускается также работа транзисторов в совмещенных пре
дельных режимах (например по напряжению и токх)
Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочих токах,
соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всем диапазо-
не температур
Существуют различные устройства защиты транзисторов от пере-
напряжения основанные на поглощении части накопленной индуктив-
ностью днерлии или блокирующие транзистор от попадания в высо-
ковольтную область
Устройство защиты с помощью последовательной RC цепи приве-
дено на рис 2 6 Элементы цепи рассчитывают из соотношения
С > 2Л££/((7> /?=), R С'н R„/(yrЕк),
где UK — разность между напряжением источника питания Еь. и
максимально допустимым напряжением коллектор — эмиттер
Устройство зашиты от всплесков напряжении с использованием
шунтирующего диода приведено на рис 2 7 Перепад напряжения в
этом случае равен прямому падению напряжения на диоде т е прак-
тически отсутствует
Для защиты усилителей от случайных напряжений и импульсных
перегрузок в устройствах с реактивной нагрузкой применяют стаби-
литроны, допускающие работу в ждущем режиме (рис 2 8)
Рис 2 10 Схемы параллельного включения транзисторов
Устройство защиты, используемое в широкопо тосных усилителях,
приведено на рис 2 9, где смещение транзистора выбирают меньшим
напряжения стабилизации стабилитрона
Для транзисторов, предназначенных для работы на согласован-
ную нагрузку, при настройке аппаратуры необходимо принимать ме
ры, исключающие возможность работы транзистора иа рассогласован-
ную нагрузку Если полностью это исключить невозможно, то на-
щройку следует осуществлять при пониженном напряжении питания
или пониженной мощности возбуждения
Режимы работы транзисторов должны контролироваться с учетом
возможных неблагоприятных сочетаний условий эксплуатации аппа-
ратуры При измерениях необходимо принимать во внимание колеба-
ния напряжений источников питания, значение и характер нагрузки
на выходе блока, колебания амплитуды и длительности выходных
сигналов, уровни внешних воздействующих факторов
Для повышения надежности транзисторов при эксплуатации еле
дует выбирать рабочие режимы с коэффициентами нагрузки по на-
пряжению и мощности в диапазоне 0,7—0,8 Однако следует учесть,
что применение транзисторов при малых рабочих токах приводит к
снижению устойчивости их работы в диапазоне температур и к не-
стабильности усиления во времени Использование более высокоча-
стотных типов транзисторов в низкочастотных цепях нежелательно,
так как они дороги, склонны к самовозбуждению и обладают мень-
шими эксплуатационными запасами
Для коэффициентов загрузки менее 0,5—0,6 надежность работы
транзистора практически не зависит от режима работы
Для повышения надежности параллельно соединенных транзисто-
ров рекомендуется транзисторы располагать на общем теплоотводе,
в цепи эмиттеров и баз включать резисторы (рис 2 10), обеспечи-
вать их работу при коэффициентах нагрузки по току 0,5—0,6
Для повышения надежности последовательно соединенных транзи-
сторов рекомендуется коллектор — э-миттер шунтировать резисторами,
сопротивтенпе которых в 2—3 раза меньше эквивалентного сопротив-
ления закрытого транзистора, или стабилитроном, допускающим ра-
боту в ждущем режиме, напряжение стабилизации которого не более
0,7—0,8 U кэо (рис 2 11)
При применении мощных транзисторов необходимо обеспечивать
правильный тепловой режим работы, чтобы температура корпуса
транзистора была минимальной и не превышала допустимой Пре-
вышение предельной температуры может привести к тепловому про-
Осю p-п перехода Тепловой пробой возникает вследствие лавинооб-
Рис. 2,11, Схемы последовательною включения i раизпсторов.
разного нарастания темпера 1уры р-п перехода. Во избежание тепло-
вого пробоя необходимо улучшать отвод тепла от транзистора. Пра-
вильный выбор теплового режима работы снижает интенсивность от-
казов транзисторов, а также обеспечивает стабильность выходных
параметров аппаратуры. Обеспечение оптимального теплового режи-
ма работы транзисторов играет первостепенную роль при создании
надежной аппаратуры.
Для учета зависимости параметров от температуры в справочнике
приводятся температурный диапазон применения транзисторов, зна-
чения параметров и режимов при различных температурах и их тем-
пературные зависимости.
В качестве теплоотвода для мощных транзисторов могут исполь-
зоваться специально сконструированные радиаторы или конструктив-
ные элементы узлов и блоков При этом должна предусматриваться
специальная обработка мест крепления транзисторов.
Качественное соединение корпуса транзистора с теплоотводом до-
стигается шлифовкой поверх 'ости теплоотвода, смазкой места соеди-
нения специальной мастикой 1 чи невысыхающим маслом.
Для улучшения теплового контакта рекомендуется смачивать ниж-
нее основание транзистора полиметилсилоксановой жидкостью
ПМС-100 ГОСТ 13032—77 или теплоотводящей смазкой КПТ-8 ГОСТ
19783—74. Полезным оказывается использование тонких прокла-
док из фольги мягких металлов Сверление больших отверстий в
радиаторе для выводов транзистора уменьшает эффективность отво-
да тепла
Площадь теплоотвода приближенно можно вычислить по фор-
муле
S [см2] ~ 1000/(/?7п с 6f),
где Rr п с — требуемое тепловое сопротивление переход — окружаю-
щая среда, °С/мВт, 61 —коэффициент теплопередачи от теплоотвода
в окружающую среду, равный 0,6—1,5 мВт/(см2-°С).
Для повышения эффективности отвода тепла за счет излучения
рекомендуется теплоотвод покрывать черной матовой краской (зачер-
нить)
Принудительный обдув теплоотвода, помещение его в проточную
жидкость (вода, масло) значительно улучшает охлаждение транзи-
сторов и позволяет снимать с них большие мощности.
Крепление транзисторов к радиаторам должно обеспечить их на-
дежный тепловой контакт. Особое внимание следует уделить надеж-
ному тепловому контакту при введении между корпусом транзистора
Н падиатором изолирующих прокладок Для уменьшения общего теп-
пового сопротивления лучше изолировать радиатор от корпуса аппа-
ратуры. чем транзистор от радиатора
” При необходимости электрической изоляции корпуса (коллектора)
транзистора от шасси илн теплоотвода между корпусом и теплоот-
водом рекомендуется ставить прокладку из оксидированного алюми-
ния пли слюды Суммарное тепловое сопротивление переход — тепло-
отвод увеличивается при этом на 0,5 °С/Вт на каждые 50 мкм тол-
щины слюдяной прокладки или на 0,25 °С/Вт на каждые 50 мкм тол-
щины слоя аксидированного алюминия
При применении заливки плат компаундами следует учитывать
возможное ухудшение теплообмена между транзисторами и окружа-
ющей средой Для заливки плат следует использовать компаунды, не
оказывающие отрицательного химического и механического влияния
на транзисторы
Особенностью применения мощных биполярных транзисторов яв-
ляется работа этих приборов в режимах, близких к предельным по
температуре перехода Для обеспечения надежной работы аппарату-
ры режимы использования мощных транзисторов должны выбирать-
ся таким образом, чтобы ток и напряжение не выходили за пределы
области максимальных режимов На рис 2 12 приведен типичный вид
области максимальных режимов мощного биполярного транзистора
Сплошными линиями ограничена область статического режима рабо-
ты транзистора, а пунктирными — импульсного Область максималь-
ных режимов ограничена
максимально допустимым током коллектора (постоянным и им-
пульсным) — область I,
максимально допустимой мощностью рассеивания (постоянной и
импульсной) — область II,
вторичным пробоем — область III,
граничным напряжением вольт амперной характеристики при за-
данных условиях на входе — область IV,
максимально допустимым обратным напряжением коллектор —
эмиттер (постоянным и импульсным) — область V
Область максимальных режимов в справочнике приводится, как
правило, при температуре коппуса Тк1, при которой обеспечивается
максимальная мощность рассеивания При увеличении температуры
корпуса выше ТК1 мощность рассеивания определяется с помощью
графиков (рис 2 13), а при их отсутствии — рассчитывается по фор-
муле
Ртах— (Тп~ к
где 7'п— температура перехода; Т, — температура корпуса (напри-
мер, Ти2, Ткз и т п), Ктп к — тепловое сопротивление переход —
корпус
При работе транзистора при температуре корпуса Тц2 или Ткз
(см рис 2 12) область II перемещается, что соответствует уменьше-
нию мощности рассеивания, определенной графическим путем или
рассчитанной по формуле
При повышении температуры корпуса изменяется также положе-
ние области V Значение предельно допустимого обратного напряже-
ния коллектор — эмиттер (постоянного или импульсного) при росте
Рис. 2.12. Область максималь-
ных режимов мощного бипо-
лярного транзистора.
Рис. 2.13 Зависимость посто-
янной рассеиваемой мощности
от температуры.
температуры уменьшается (рис. 2.14), Эта зависимость снимается
экспериментально
При переходе от статического режима к импульсному и при
уменьшении длительности импульса границы области максимальных
режимов перемещаются в сторону больших значений тока и напря-
жения.
Максимально допустимая мощность рассеивания в импульсном
режиме связана с максимальной рассеиваемой мощностью соотноше-
нием
max (^шах ^Тп, и п, к ’
где Нт и п, к — импульсное тепловое сопротивление переход — корпус,
являющееся функцией длительности импульса и скважности
(рис. 2.15).
Рис. 2.14. Области максималь-
ных режимов при различных
температурах корпуса.
Рис. 2.15. Зависимость тепло-
вого сопротивления от дли-
тельности импульса.
Рис 2 16 Эквивалентная схема мощного СВЧ транзистора в актив-
ном режиме
Рис 2 17 Вид спектра частот выходного сигнала при измерении
коэффициента комбинационных составляющих методом двухтоно-
вого сигнала
; - основной тон 2 — комбинационные составляющие третьего порядка, 3 —
комбинационные составляющие пятого порядка
Чем меньше длительность импульса и больше скважность, тем
больше импульсная мощность рассеивания, вызывающая разогрев
перехода до максимально допустимой температуры. Области макси-
мальных режимов II и III при этом перемещаются вправо — в об-
ласть больших значений токов и напряжений. Эти границы определя-
ются экспериментально.
Тепловое сопротивление переход — корпус зависит от конструкции
транзистора и может быть определено из области максимальных ре-
жимов Например, для режима (7КЭ|, /ki (см. рис. 2.12) тепловое
сопротивление
^„,к1°С/В^=(Гп-Гк)/(7/КЭ1 /к1).
Импульсное тепловое сопротивление переход — корпус связано с
тепловым сопротивлением в статическом режиме соотношением
П к =(^КЭ1 !Kl/^K3 И’ fK. Hl) ^Гп. К-
Все мощные биполярные транзисторы СВЧ диапазона предназна-
чены для работы в режимах с отсечкой коллекторного тока. Допус-
тимые электрические режимы на постоянном токе (по напряжению и
мощности рассеивания), как правило, существенно отличаются от
динамических режимов работы. Приведенные в справочнике парамет-
ры мощных СВЧ транзисторов позволяют пользоваться типовой экви-
валентной схемой для оценки их эксплуатационных характеристик.
Эквивалентная схема транзистора в активном режиме показана иа
Рис 2 16
Параметры некоторых элементов, изображенных на схеме, в спра-
вочных данных отсутствуют. Это значит, что эквивалентная схема
может быть соответствующим образом упрощена. Например, если не
приводится эквивалентное последовательное сопротивление коллекто
ра, то это означает малое влияние этого параметра на типовые экс
плуатациоиные характеристики, и он может быть исключен из схемы
Приводимое в справочнике значение емкости коллекторного перехода
СВЧ мощных транзисторов включает в себя значения емкостей ме-
таллизированных площадок в структуре транзистора и емкостей кор
пуса То же относится и к понятию «емкость эмиттерного перехода»
Линейные усилительные свойства мощных высокочастотных линеи
ных транзисторов характеризуются параметрами, методы измерения
которых основываются на использовании двухтонового сигнала, со
стоящего из двух гармонических сигналов Нелинейные свойства
транзисторов в этом случае оцениваются коэффициентом комбинаци
онных составляющих третьего и пятого порядков, являющихся отно-
шением наибольших амплитуд соответствующих комбинационных со
ставляющих спектра выходного сигнала (рис 2 17) к амплитуде ос
новного тона
Между средней мощностью линейного двухтонового сигнала и
мощностью в пике огибающей существует соотношение Рвых =
= .Рвых(по)У2 Это соотношение используется для расчета КПД кол-
лектора транзистора в режиме двухтонового сигнала
В процессе монтажа транзисторов в устройство механические и
тепловые воздействия на них не должны превышать значений, ука
занных в ТУ, так как это может привести к растрескиванию нзоля
тора и следовательно, к нарушению герметичности корпуса транзи
стора При рихтовке, формовке и обрезке участок вывода у корпуса
транзистора должен быть закреплен таким образом, чтобы в месте
выхода вывода из корпуса (изолятора) он не испытывал изгибающих
или растягивающих усилий Оснастка для формовки выводов должна
быть заземлена Расстояние от корпуса транзистора до начала изги-
ба вывода при формовке должно быть не менее 2 мм, если оно не
оговорено в ТУ на конкретный тип транзистора При диаметре выво
да не более 0,5 мм радиус его изгиба должен быть не менее 0,5 мм,
при диаметре от 0,6 до 1 мм — не менее 1 мм, при диаметре более
1 мм — не менее 1,5 мм
При лужении, пайке и монтаже транзисторов следует принимать
меры, исключающие возможность их повреждения из-за перегрева и
механических усилий При лужении и пайке расстояние от корпуса
(изолятора) до места лужения и пайки должно быть не менее 3 мм,
если в ТУ на конкретный тип транзистора не указано иное
Допускается пайка выводов без теплоотвода и групповым мето
дом, если температура припоя не превышает 260±5 °C, а время пай-
ки не более 3 с, если в ТУ на конкретный тип транзистора не указано
иное
Печатные платы очищают от флюсов жидкостями, не портящими
покрытие, маркировку и материал корпуса транзистора (рекоменду-
ется спиртобензоновая смесь)
В процессе монтажа, транспортировки, хранения ВЧ и СВЧ би-
полярных транзисторов и МДП полевых транзисторов необходимо
обеспечивать защиту их от воздействия статического электричества
Способы защиты приведены в ОСТ 11 аА0 336 013—73
К числу важнейших предупредительных мер относятся хорошее
заземление оборудования и измерительных приборов, применение за-
земляющих браслетов (или колец) между телом оператора и землей
антистатических халатов, использование низковольтных электрона..
яльииков с заземленным жалом При включении транзистора в элек-
трическую цепь, находящуюся под напряжением, коллекторный кон-
такт должен подсоединяться последним и отсоединяться первым
С це и ю предупреждения появления в процессе иастроики цепи мгно-
венного напряжения на коллекторе, превышающего максимально до-
псстимое значение рекомендуется проводить ее настройку при по-
ниженной вхо щой мощности постепенно достигая номинального зна-
чения
Транзисторы ЛАДП полевые обы ию хранят и транспортируют при
наличии замыкателей на их выводах Замыкатети удаляют непосред-
ственно перед включением (монтажом) транзистора в устройство
При пайке все выводы "АДГ! транзистора должны быть закорочены
Для сохранения минимальных значении тока затвора МДП полевых
транзисторов необходимо применять меры, предохраняющие корпус
от попадания флюса и припоя При выборе лаков или компаундов
для заливки и дат с МДП полевыми транзисторами необходимо учи-
тывать влияние этих материалов на юк утечки затвора транзистора
При применении МДП полевых транзисторов в радио* (емроииой
аппаратуре необходимо принимать меры для их защиты от электри-
ческих перегрузок
2
Зак 225
ЧАСТЬ ВТОРАЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ
ТРАНЗИСТОРОВ
Раздел третий
ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ
НИЗКОЧАСТОТНЫЕ
п-р-п
П701, П701А, П701Б
Транзисторы кремниевые сплавпо-днффузионные п-р-п усилитель-
ные. Предназначены для применения в усилительных и генераторных
каскадах радиоэлектронных устройств
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Масса транзи-
стора не более 12 г, с крепежным фланцем не более 16 г.
электрические параметры
Значение Режим
измерения
Буквенное й> о о m
Параметр обозначе- X
ние cd
S сд
S
м о
S та X
2 S
Граничная частота коэффициента
передачи тока в схеме ОЭ, МГц ^гр 20
Статический коэффициент передачи
тока в схеме ОЭ h2 1 Э 1 0
Г = 20 °C П701Б 30 I 00 0, 5
Т = 25°С П701 1 о 40 0, 5
П701А. 15 60 0, 2
7’==125Х П701 10 90 0.2
П701А 15 120 0.2
7 = -55;С П701Б 15 0,5
Т= — 60 °C П701 6 0,5
П701А 9 0, 2
Модуль коэффициента передачи то-
ка иа высокой частоте (}=5 МГц) lh2 1 э | 2,5 20 о, 1
Входное напряжение, В ^вх 4 1 0 0,5
Напряжение насыщения коллек-
тор — эмиттер, В 7 0,5
Обратный ток коллектора мА 1КБО (0,1)
П701, П701Б 0,1 40
П701А 0, 1 60
Обратный ток коллектор — эмиттер
(/?бэ=100 Ом), мА1 /КЭЯ
Т=-60 - +25 °C П701, П701А 0,5 50
Т=—55 - +20 °C П701Б 0, 5 50
Т= 100 °C П701Б 5 50
Г-125 °C П701 3 35
П701А 3 50
Обратный ток эмиттера, мА 7 ЭВО 3 (3)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер {/?,-,,< ЮО Ом)-
Т=—60+-+100 °C1 П701 ..................... 40 Б
_ П701А...................... 60 В
Т = ~55 +-+100°С П701Б..................... 40 В
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (/к. и<0,5 А, /?бэ< 100 Ом):
Г=_60 4- +100 °C П701...................... зо в
п П701А...................... 50 В
остоянное напряжение коллектор — база-
Г = -60-4-+100°С! П701 ..... 40 В
т П701А...................... 60 В
Г = —55+Ю0 °C П701Б......................40 В
Постоянное напряжение эмиттер — база:
Г = —60 ч-+80 °C П701, П701А .
Т = -55 ч- +80 °C П701Б . . .
7" = 80— 120°С П701. П701Л .
Т= 100 °C П701Б ....
Постоянный ток коллектора............
Импульсный ток коллектора ...
Постоянный тик эмиттера..............
Постоянная рассеиваемая мощность коллек
тора с теплоотводом1 2 ... ..........
Постоянная рассеиваемая мощность коллек
тора без теплоотвода3................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление переход — среда
Температура р-п перехода ....
Температура окружающей среды
П701, П701А........................
П701Б..............................
2 В
2 В
1,8 В
1 8 В
05 А
1 А
0,7 А
10 Вт
1 Вт
10°С/Вт
85 °С/Вт
150 °C
—60 - +125 °C
-55 ч- +100 °C
1 При температуре окружающей среды выше 100 °C напряжение
снижается на 10% на каждые 10°C
2 При температуре корпуса от 50 до 130 °C Рк miX [Вт] = (150—
/Рт 11. к.
3 При температуре окружающей среды от 65 до 120 °C
Р, так [Вт[ = (150—Г)//?т 1, с '
Пайку выводов транзистора рекомендуется производить иа рас-
стоянии не менее 5 мм от корпуса. Температура пайки не более
280 °C, время касания вывода не более 3 с
П702, П702А
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п усилительные.
Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей
низкой частоты, переключающих устройствах, в преобразователях и
стабилизаторах постоянного напряжения.
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Масса транзи-
стора не более 24 г, с крепежным фланцем не более 34 г.
tl
12 5
Электрические параметры
Значение Рея> им измере- ния
Параметр Ьукпенное обозна- чение чиниматьное о о л л ? m 7к ('Б1’ а
Статический коэффициент переда- чи тока в схеме ОЭ 7\=25 и 120 °C П702 П702А 7=-оо °C П702 П702А Модуль коэффициента передачи то- ка на высокой частоте (f=l МГц) Напря/ксние насыщения коллск тор — эмиттер. В П702 П702А Обратный ток коплсктора, мА 60 °C и 7 и- = 25 °C П70? П702А Тк=120 °C П702 П7024 Обратный ток коллектор —эмиттер (“бэ~Ю0 Ом), мА 1т=-б0 "С'п Ть-25 °C П702 П702А / =-- I2f) 'С П7О2 П702А Обратный ток эмиттера, мА: 7 «--23 °C Тк=120°С ——- - 112 1 Э 1 э| ^КЭ нас ;кьо ZK3R ;ЭБО Го 1 0 4 2, 5 4 2 , 5 1 0 1 0 5 1 5 7 , 5 1 5 (10) 1 0 (70) (70) 3 1.1 1 1 (0.2) I (0,2)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер и коллектор — база
Тп до 120 °C Т„= 150 °C1 60 В 30 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 3 В
Постоянным ток коллектора 2 А
Постоянный ток базы 05 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек- тора
с тептоотводом Т-. до 50 °C 40 Вт
Т, =120 °C 2 12 Вт
без теплоотвода Т до 20 °C 4 Вт
7'= 120 °C3 . . 0,9 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус 2,5 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход — среда 33°С/Вт
Температура перехода 150 °C
Температура окружающей среды от 7’ = —60 °C до Т„=120 °C
При температуре перехо-
да (Гп = 7'к + /?Г п иЛЛ от
120 до 150 °C напряжение сни-
жается линейно
2 При температуре корпуса
ОТ 50 ДО 120°С Рк max [Вт] ==
= (150-7', )/Яг п к
3 При температуре окружа-
ющей среды от 20 до 120 °C
Ри max [Вт] = (ISO-T-J/Pr и с
2Т504А, 2Т504Б
Транзисторы кремниевые планарные п-р-п переключательные.
Предназначены для применения в высоковольтных ключевых стаби-
лизаторах напряжения п преобразователях.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. Масса транзи-
стора не более 2 г.
Электрические параметры
Зн ач ей не Ре ж им и и 1Я змере-
Параметр Буквенное обозна- чение с о X X ч ГС 2 X & с к с (- 1 максимальное о < (Г
Граничное напряжение (Ти=300 мкс, Q 100, время нарастания напря- жения не менее I мкс)1, В 2Т504А 2Т504Б Напряжение н а с ы щс н и я коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения база — эмиттер. В Статический коэффици- ент передачи тока в схе- ме оэ Г==25 °C Г=125СС Г=-б0 °C Время включения, мкс Время выключения мкс Время рассасывания, мкс ^КЭО Гр нас нас fl2 1 Э *вкл *ВЫЬ.-| f[)2C 2 50 1 50 0,2* 0,81* 1 5 8 7 0,013* 0,4 9* 0,4* 0,35* 0,92* 24* 0,06* 1,5* 1,7* I I . 6 1 00* о, I з, 5 2 , 7 5 0,5 0,5 0 . 5 0,5 0,5 0 03 (0, 1) (0.1) 0,5 (0,05) (0.05) (0,05)
Охончаш е
Значение Режим из меренпя
Параметр Буквенное обозиачс- ине минимальное о о а о Е X + максимальное m 23 [ 1 V >!/ 1 /3 (/Б). А
Граш.чн in частота коэф- (} 1 цнеита передачи тока в схеме ОЭ, Ml и Емкость коллекторною перехода (/=10 МГц), пФ Емкость эмиттерною пс рсхода (/ = 300 кГц), пФ Обратный ток коллскто- р 1 мкА 1 =-60 - п-25 °C 2150!Л 2 ГЗО И> 7= 125 °C 2750 И 2Т501Б ратный ток эмиттера Ml \ р ск <+ ;КЬО 'эьо 20 I ! * 160* 0 005 ‘ 0 005 0,002х 56* 16* 238* 20* 50 * 1 1 * 8 2 * 30 300 1 00 1 00 1 000 1 000 100 10 I 0 (0,5) 10 0 250 250 1 50 (6) 0,05
1 Прь ВК'ПОЧеНПИ н шряж спин мсньш ' L 1\ЭО , Р юп>скас гея время пара
CI 1ПИЯ и шряжения ПС МСШ с 0 2 МКС
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор--эмит-
юр 1 (/?.-,>=С 100 Ом)
21504А . . . . .
21504Б . . .................
Постоянное напряжение коллектор — база1
2Т504А ...
2Т504Б ................ . .
Постоянное напряженно эмиттер — база1
Постояшпш ток коллектора2
Импульсный гок коллектора1’2 (ти:С
•3'500 мкс, Q>2) . .
Постоянный ток бант1’2
Постоянная рассеиваемая .мощность кол-
лектора
с теплоотводом (от —60 °C до 7",,=
= +25 °C3) ... . .
без теплоотвода (Т =—604- + 25°С3)
Температура перехода ...................
Температура окружающей среды (корпуса)
350 В
200 В
400 В
250 В
6 В
1 А
2 А
0,5
10 Вт
1 Вт
150 °C
—60 -4- +125 °C
1 При времени нарастания напряжения не менее 0,5 мкс.
2 Без превышения значения постоянной рассеиваемой мощности
коллектора
3 При температуре корпуса от 25 до 125 °C при использовании
транзистора с теплоотводом и при температуре окружающей среды
от 25 до 125 °C при использовании без теплоотвода рассеиваемая
мощность коллектора снижается липеипо до 2,25 Вт с теплоотводом
и до 0,25 Вт без теплоотвода.
Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба и пайки
вывода не менее 3 мм.
2Т504А-5, 2Т504Б-5
Транзисторы кремниевые
планарные п-р-п переключа-
тельные Предназначены для
применения в устройствах уп-
равления газрразрядиыми па-
нелями переменного тока, в вы
соковольтпых ключевых стаби-
лизаторах напряжения и пре-
образоватетях
Оформление бескорпусное
с контактными площадками
без кристаллодержателя, раз-
деленные или неразделенные
(на общей пластине) Масса
транзистора не более 0,002 г.
ак-ктрикские параметры
Параметр Буквенное обозначе ние Значен не Режим измерения
о с РЗ 2 0J о к с 1 1 максима тьное i tzKb (^эь)- В 12 (Т)
Гланииное напряжение (ТИ <- 300 мкс, <2>100), в 2Т504А 5 2Т504Б-5 Напряжение в асы щен ня котлектор - эмиттер. В Напряжение насыщения база — эмиттер,* В Статическим коэфф лии еПт передачи тока в схе ме ОЭ 7 = 25 °C Т= 125 °C Т= —G0 °C Время включения, мкс Время выключения мкс Время рассасывания*, мкс Граничная частота коэф фициента передачи тока в схеме ОЭ (/ = 5 МГц), МГц Емкость коллекторио! о перехода" (/ = 50 МГц) п Ф Емкость эмиттерною пе- рехода* (/ = 300 кГц), пФ Обратный ток коллекто- ра мкА 7 = 25 °C 2Т501А 5 2Т501Б 5 7=125 °C 2Т50 ! А 5 2Т501Б 5 Обратный ток эмиттера, мкА УКЭО гр ''КЗ нас УБЭ нас Э ^Bh.l 1 выьл ^рас frp Ск с ( 7эбо 250 1 50 0,2* 0, 84 1 5 8 7 0,013* 0,49‘ 0, ' 10 11 1 ьо 0,005* 0,003* 0,002* о,зз * 0,9 2 2 1 * 0 06* I 5 * 1 , 7 56* 1 6 238 20* 50* I 1 * 1 1 .6 I 00=* 0, 07 3 2,25 82* I 8 300 100 1 00 1000 1 000 100 5 1 0 1 0 (0,5) 400 250 ' 250 1 50 (6) 0,5 0, 5 0 5 0, 5 0 5 0, 03 (0,1) (0,1) о, 5 (0,05) (0,05) (0,05) 0,05
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
теР ’ {^бэ = 100 Ом)'
2Т504\ 5 .... 350 В
2Т504Б 5 Постоянное напряжение коллектор — база': 200 В
2Т501А 5 400 В
2Т504Б 5 . 250 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 6 В
Постоянный ток коллектора 2 .... 1 А
Импульсные ток коллектора 2 (ти^500 мкс,
Q>2) . . ... 2 А
Постоянный ток базы2 . ... 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора (7'п = —60 4- 4-25 °C):
с теплоотводом3 . . .
без теплоотвода 4 .
Температура р-п перехода ....
Температура окру жающеи среды
10 Вт
25 мВт
150 °C
—СО -г- 4-125 °C
1 При времени нарастания напряжения не менее 0,5 мкс
2 Без превышения значения постоянной рассеиваемой мощности
3 При температуре подложки от 25 до 125 °C для транзисторов
с теплоотводом Pv max [Вт] — (150 — Tu)/Rni п, где 7П— температу-
ра подложки, /?п, п — тепловое сопротивление переход — подложка,
которое должно быть не более 12,5°С/Вт.
4 При тепловом сопротивлении переход — кристалл не более
5 °С/В г
При монтаже транзисторов в микросхему нагрев кристалла не
должен превышать 420 °C
2Т506А, 2Т506Б
Транзисторы кремниевые планарные п-р-п переключательные.
Предназначены для работы в ключевых устройствах, импульсных
модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напря-
жения.
Корпус металлический со стеклянными
выводами. Масса транзистора не более 2 г.
Ц5” '
изоляторами и гибкими
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозна- чение минимальное о о ffi о Е S 1 | максимальное 1 В m п V '(6;) v -а/
Г раиичное напряжение, В 2Т506А 2Т506Б Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения база — эмиттер*, В Статическим коэффици ент передачи тока в схс ме ОЭ Г = 25 °C Т= 125 °C Г = —60 °C Время включения*, мкс Время рассасывания*, мкс Время спада, мкс Граничная частота коэф- фициента передачи тока в схеме ОЭ, МГц Емкость коллекторного перехода, пФ Емкость эмиттерного пе- рехода, пФ Обратный ток коллекто- ра, мА- Г = 25 СС 2Т506А 2Т506Б Г=125 °C 2Т506А 2Т506Б Обратный ток эмиттера, мА Пробивное напряжение коллектор — база, В: 2Т506А 2Т506Б иКЭО гр УКЭ нас 6'бЭ „ас h2 13 (вьл *рас ;сп frp Ск Сэ /ЭБО ^КБОпроб 100 300 0,15* 0,74 30 30 I 0 0,08 0, 8 0,2* 10 25 * 940* 800 600 0,35* 0,75 80* 0,19 1,35 0,35* 17* 30* 980* 0, 6 1 1 50 0,25 1 , 56 0,5 2 I * 40 I I 00 1 0,2 0,2 0,2 I (5) 200 200 200 (Ю) (5) (800) (600) (400) (300) I 5 (0,03) 0,3 0,3 (0,3) 1 I 1 (0,03) 0, 001 0,001 о, 03 о, оз 0,2 0,2 0,2
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база-
2Т506А.................................... 800 В
2Т506Б.................................... 600 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (Лсэ^Ю Ом, dU/di^lf>00 В/мкс):
2Т506А..................................... 800 В
2Т506Б.................................... 600 В
Импульсное напряжение коллектор—эмит-
тер Ом, ти^50 мкс, dU/dt^.
<1600 В/мкс):
~2Т506А................................
2Т506Б ..............................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора . . . .
Постоянный ток базы....................
Импульсный ток базы....................
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора 1 (Т'к = —60 ~ 4-25 °C):
с теплоотводом.......................
без теплоотвода .....................
Температура перехода ..................
Температура окружающей среды
800 В
600 В
5 В
2 А
5 А
0,5 А
1 А
10 Вт
0,8 Вт
150 °C
от —60 °C до
Т’к=125°С
Значение Рк, и max [Вт] определяется по формуле Рк, итах =
= Ритлк/К. где К — коэффициент, определяемый из графика.
Допустимое значение статического электричества составляет 1 кВ
2Т704А, 2Т704Б, КТ704А—КТ704В
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р п импутьсны^^^тед-
назначены для работы в импульсных модуляторах
Корпус металтокерамическпй с жесткими выводами и винтом.
Масса транзистора не более 20 г
i
При конструировании следует учитывать возможность Самовоз-"'
Суждения транзистора за счет паразитных связей
Транзисторы крепят к панели гайками. Осевое усилие на ~щ1мт
Должно быть ие более 120 кг Пайка выводов допускается на 4>д<4сдо-
яни,1 не менее 2 мм от корпуса транзистора
За температуру корпуса принимается температура любой. тонки
основания прибора диаме(ром не более 13 мм со стороны, опорной
поверхности
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
о о X Л е; СЧ S X S максимальное 1 а ‘ (кд7?) ея7) / V ‘(3j) >4
Напряжение насыщения коллек-
тор — эмиттер, В Напряжение насыщения база — UК.Э нас 5 2.5 (1,5)
эмиттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ ^БЭ пас Л2 1Э 3 2.5 (1,5)
7 = 25 °C 1 0 1 00 15 1
Т= 125 °C 2Т704А, 2Т704Б 6 300 1 0 0.5
Г =-60 °C 2Т704А, 2Т704Б 6 1 00 15 1
Модуль коэффициента передачи то- ка на высокой частоте (/==1 МГц) Обратный ток коллектор — эмиттер (/?бэ= 10 Ом), мА lft21 Э| 'к эк 3 15 I 000 0,1
7 = 25 °C 2Т704А, КТ704А 5
2Т704Б, КГ704Б б 700
КТ701В 5 500
Т=-60 и +125 °C 2Т704А 1 0 700
2Т704Б 1 0 500
Обратный ток Эмиттера, мА ;ЭБО 1 00 (4)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер1 (/?+, = 10 Ом или смещение 1,5 В);
Г„ =—10-4-4-80 °C 2Т704А, КТ704А . 500 В
2Т704Б, КТ704Б, КТ704В.............. 400 В
Импульсное напряжение коллектор-—эмит-
тер 2 (/?г,э=10 Ом или смещение 1,5 В, тн =
= 1 —10 мс, Тф^Ю мкс, Q^50 и Ти^
1 мс, Тф^Ю мкс, QjslO):
Т„ = —40- 4-80°С 2Т704А, КТ704А . 1000 В
2Т704Б, КТ704Б . 700 В
КТ704В ... 500 В
Тк = — 60 - 4- ЮО °C 2Т704А ... 700 В
2Т704Б ... 500 В
Постоянное напряжение база — эмиттер . 4 В
Постоянный ток коллектора .... 2,5 А
Импульсный ток коллектора (ти=Ю мс,
QS&2) 4 А
Постоянный ток базы.......................... 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
Т0^ = —60-4-4-50 °C 2Т704А, 2Т704Б . . 15 Вт
Тк = —45 -4- 4-50 °C КТ704А— КТ704В . 15 Вт
Температура перехода .... . 125 °C
Температура окружающей среды:
2Т704А, 2Т704Б........................от —60 °C до
Т'к—100 °C
«Т704А — КТ704В . . . , / . . от —45 °C до
1 Т’к = 85°С
। При понижении температуры корпуса ниже —10 °C и при по-
вышенпн температуры корпуса свыше 80 °C ^кэтах =350 В для
9Т704Б и 500 В для 2Т704А во всем диапазоне температур корпуса.
2 При 7\ от —40 до —60 °C и от 80 до 100 °C 6-’кэ и тах сни-
жается линейно до 700 В для 2Т704А и до 500 В для 2Т704Б.
з При температуре корпуса от 50 до 100 °C для 2Т704А, 2Т704Б
и от 50 до 85 °C для КТ704А — КТ704В Рк max [Вт] = (Тп —
— где Т„— максимально допустимая температура пере-
хода, 7" к— температура корпуса; п, а — тепловое сопротивление
переход — корпус, определяемое из области максимальных режимов.
ГТ705А—ГТ705Д
Транзисторы lepuanucBbie сплавные п-р-п усилительные Предна-
ены Д1Я Ра6оты в усилителях мощности низкой частоты
3"J[4opnvc металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
|[!0 ими Масса транзистора ие ботее 15 г
33 S
I 11 I
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (Л,->> = 50 Ом):
ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705Д...............
ГТ705В, ГТ705Г.......................
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?г> > = 50 Ом., т„ <73 мс, Q Зд 10):
ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705Д................
ГТ705В, ГТ705Г.......................
Постоянный ток коллектора . . . .
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора 1
с теплоотводом при 7» = —40 У-4-40 °C .
без теплоотвода при 7=—40-4—(-35 °C .
Температура перехода ...................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление переход — среда
Температура окружающей среды . . . .
20 В
30 В
25 В
35 В
3,5 А
15 Вт
1,6 Вт
85 °C
3°С/Вт
30°С/Вт
От —40 °C до
Tlf = 55 °C
1 При 7„>40°С в транзисторах с теплоотводом Рк max [Вт] =
= (85 — 7К)/3, без теплоотвода при 7>35°С Рк шах [Вт] =
= {85—7)/30.
Допускается папка выводов на расстоянии не менее 6 мм от кор-
пуса любым способом {пайка, сварка, пайка погружением и т. д.)
при условии, что температура в любой точке корпуса не превышает
предельно допустимой температуры окружающей среды.
КТ801А, КТ801Б
Транзисторы кремниевые сплавно-диффузиоиные п-р-п переключа-
тельные. Предназначены для применения в каскадах кадровой и
строчной разверток, вторичных источниках питания.
Корпус металлостекляннын с гибкими выводами. Масса транзи-
стора не более 4 г.
Параметр Бу квенпое обозна- чение Значение Режим и змсрен и
минимальное максимальное я ,£>1л 1 В 1 1
Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ. МГц г ' гр I 0 I 0 0,3
С 1 атичес кин коэффициент передачи iohj в схеме ОЭ К'Г 801 \ КТ801Б Н а и ряж свис насыщения > о стентор — эмиттер, В Обратный ток коллектор — эмиттер (А’б > 100 Ом), мА: от Г = --40°С до Гн = 25сС КТ801Л КТ801Б Гк = 8.^С КТ801А КТ801Б Обратный ток эмиттера. мА Ло 1Э ,7КЭ нас ! K3R 7эьо I 3 30 50 1 50 > I 0 I 0 20 20 о 5 8 0 ЪО 1 0 30 ( 2 . И I 1 (0.2)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллекюр— эмит- тер (/?,-,,100 Ом)'
от Г = —40 °C до Л. = 55 С° КТ801Л 80 В
КТ801Б 60 В
Т,. =85 °C КТ801А 40 В
КТ801Б 30 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 2,5 В
Постоянный ток коллектора 2 А
Постоянный ток базы Постоянная рассеиваемая мощность коллек- тора: 0,4 А
от Т = — 40 °C до Т,.. = 55 °C . . . 5 Вт
Г„ = 85°С1 ... 2 Вт
Температура перехода .... 150 °C
Температура окружающей среды . ' . . . от —60 °C до Г,. = 85 °C
1 При температуре корпуса от 55 до 85 °C напряжение и рассеи-
ваемая мощность снижаются линейно.
КТ802А
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п универсальные.
Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, гене-
раторах строчной развертки, усилителях мощности, вторичных источ-
никах питания.
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Масса транзи-
стора не более 22 г, с накидным фланцем не более 3-1 г.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от кор;
lQQa0(,nPHf’°Pa- При пайке температура корпуса не должна превышать
Буквенное обозначе- ние Значение
Параметр минималь- ное макси- мальное
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ, МГц Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения коллек- тор — эмиттер, В Обратный ток коллектора, мА: от Т 25 °C до Гк-25 °C Гк= 100 °C 1 гр Л21Э 6'КЭ нас 'КБО 1 0 1 5 60 200
Режим
измерения
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмиттер — база
Импульсное напряжение коллектор—эмит-
тер (т.г^сЮ мкс, Q>2).................
Постоянный ток коллектора . . . .
Постоянный ток базы ... . .
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Тк до 25 °C 1................
Тепловое сопротивление переход—корпус
Температура перехода .................
Температура окружающей среды . . . .
150 В
3 В
130 В
5 А
1 А
50 Вт
2,5 °С/Вт
150 °C
от —25°С
до Тк=100°С
1 При температуре корпуса выше 25 °C
Ритах [Вт] = (150—
— TK)/Rr п, к-
Транзисторы
Предназначены
2Т803А, КТ803А
кремниевые мезапланарные п-р-п универсальные,
для применения в усилителях, генераторах строчной
развертки, вторичных источниках питания.
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Масса транзи-
стора не более 22 г, с накидным фланцем не более 34 г.
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
минимальное о о о Е X мзпсима 1ьиое CQ 2 -Э (Ч€Л) Ил 1 V (Ъ)
Модуль коэффициента пере- дачи тока (/=10 МГц) lft2 1 j 1 2 3* 4,5* 1 0 0,5
Статический коэффициент
передачи тока в схеме ОЭ л2 1 э 1 0
Гк=25<’С 2Т803А 10 20* 50
КТ803А 1 0 70
Т-= — 60 °C 2 1803А б 50
Отношение статического ко- эффициента передачи тока в схеме ОЭ (измеренного при
^кэ =10 В. = 1 А. Тк =
= 125 °C к измеренному при £/КЭ = 10 В, /к=5 А. Тк = Й'21Э
= 25 °C) для 2Т803А
Л21Э 3
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В ^КЭ ппс 0,5* I 75» 2, 5 5
Статическая крутизна пря- мой передачи в схеме ОЭ, (1)
А/В Время включения* (ти~=0,5— Г21Э 2 1 0 5
10 мкс), мкс Время выключения* (тц = ^вкл 0, 1 0, 3 40 6
= 0.5—10 мкс), мкс Время рассасывания* ^вы кл о, I 0,4 40 6
(Лиас=2, /?и=10 Ом, -10 мкс), мкс *рас 0, 6 2,5 1 .5
Обратный ток коллектор — эмиттер (Ябэ=100 Ом), мА:
1 КЭЛ
Гк = 25 °C 2Т803А, КТ803А 0,0025* 0,4* 5 70
Т = —60 °C 2Т803А 5 70
Тк = 125°С 2Т803А 15 60
Обратный ток коллектора*, мА 2Т803А /КБО 0, 1 30 300 I 0
КТ803А 1 , 5 I 00 600 60
Обратный ток эмиттера*, мА* ;ЭБО (П
2Т803А 0, 01 * 2* 20
КТ8ОЗА 0,01* 2» 50
Емкость коллекторного пе- рехода* (/=0,3 МГц), пФ Ск 300 400 500 1 0
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-—эмит-
тер (£бэ = 100 Ом) 1................... 60 В
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер ((7бэ =2 В -и=10 мкс, Q>2 ) . . 80 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 4 В
Постоянный ток коллектора .... 10 А
Л
КТ803А .
Постоянная рассеиваемая мощность транзи-
стора при т* до 50 °C 2..............
/к = 100°С КТ803А....................
7^ =125 °C КТ803А....................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ...............
Температура окружающей среди
2Т803А .......................
КТ803А
63 Вт
30 Вт
15 Вт
1,66 °С/Вт
150 °C
от —60 °C
до 7\ = 125°С
от —40 °C
до Гн =100 °C
' При температуре перехода от 100 до 150 °C напряжение сни-
жается линейно на 10% на каждые 10 °C. Температура перехода
рассчитывается по формуле 7’п = Тк -f- Rt п, кР.
2 При температуре корпуса ды ле 50 °C Ртах [Вт] =60— (7Т, —
—50)/Rr п 1.
Пайка выводов транзисторов должна производиться при темпера-
туре не выше 275 °C в течение не более 3 с на расстоянии не менее
6 (2Т803А) и 5 мм (КТ803А) от корпуса транзистора.
Не допускается работа транзистора в инверсном режиме.
КТ805А, КТ805Б, КТ805АМ—КТ805ВМ
Тпаизисторы кремниевые эпитаксиальные п-р-п переключательные,
п едназначены для применения в выходных каскадах строчной раз-
* Р ки системах зажигания двигателей внутреннего сгорания и дру-
Вих переключающих устройствах.
ГИ Корпус металлостеклянный с жесткими выводами (КТ805А,
КТ805Б) и пластмассовый с жесткими выводами (КТ805АМ—
КТ805ВМ). Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не бо-
лее 24 г, в пластмассовом не более 2,5 г.
Пайка выводов транзисторов в металлостеклянном корпусе долж-
на производиться на плоской части выводов при температуре не вы-
ше 260 °C в течение не более 10 с. Пайка выводов транзисторов в
пластмассовом корпусе — при температуре не выше 250 °C в тече-
ие не более 3 с на расстоянии не ближе 5 мм от корпуса. Изгиб в
оскости выводов не допускается.
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измер^Т'
минимальное максимальное а 'е^п а ‘(езо) ! и <zb). а у
——
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер. В:
КТ805А, КТ805АМ КТ805Б. КТ803БМ КТ805ВМ Напряжение насыщения ба- за — эмиттер, В' КТ805А, КТ805АМ ^БЭ нас 2.5 5 2.5 5 (0.5) 5 (0.5) 2 (0.2)
2, 5 5 (0,5)
КТ805Б. КТ805БМ, КТ805В1М 5
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: л2 1 Э 15 1 0 < 2
7 = 25 °C '
Т = — G0 °C 5
Модуль коэффициента пе- редачи тока на высокой ча- стоте (f=10 МГц) Обратный (импульсный) ток коллектор — эмиттер = •= 10 Ом), мА. 7=25 °C 1Л2 1 э| 2 60 1 0 1 60 1
ZK3R, и
КТ805А. КТ8О5АМ КТ805Б. КТ805БМ, КТ805ВМ Г=Ю0 °C КТ805А, К.Т805АМ
70 60 I 3 5 160
КТ805Б. КТ805БМ. 70 I 35
КТ805ВМ Обратный ток эмиттера, мА <ЭБО 1 00 (5)
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (т,1^500 мс, Тф^15 мс, /?бЭ=10 Ом,
Тп<Ю0 °C ')
КТ805А, КТ805АМ............................ 160 В
КТ805Б, КТ805БМ, КТ805ВМ ... 135 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 1 2 . 5 В
Постоянный ток коллектора .... 5 А
Импульсный ток коллектора (ти^200 мс,
<2=1.5)............................... 8 А
Постоянный ток базы.................. ‘А
Импульсный ток базы (ти^20 мс) . . 2,5 А
1 Для КТ805А, КТ805АМ в каскадах строчной развертки телеви-
зоров допускается увеличение импульсного напряжения до 180 В пр
7'к^70°С и тн^15 мс. При повышении Тк свыше 70 °C напряжет
снижается иа 10% на каждые 10 °C.
2 В каскадах строчной развертки телевизоров допускается
пульсное напряжение до 8 В при тп^40 мс.
Средняя рассеиваемая мощность коллекто-
ра (Т,< до 50 °C ').....................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ...................
Температура окружающей среды . . .
। При температуре корпуса выше 50 °C
— Tk)IRt п, к-
30 Вт
3,3'°С/Вт
150 °C
-60-?- +100 “С
Ri< шах [Вт]= (150—•
КТ807А, КТ807Б, КТ807АМ,
КТ807БМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п универсальные низ-
кочастотные. Предназначены для применения в генераторах кадровой
и строчной разверток.
усилителях низкой ча-
стоты, вторичных источ-
никах питания.
Корпус
стмассовый
КТ807Б) и
вый
КТ807БМ)
выводами,
зисторов
КТ807Б ие
металлопла-
(КТ807А,
пластмассо-
(КТ8О7АМ,
с гибкими
Масса тран-
КТ807А,
более 2,5 г,
2Z
КТ807АМ, КТ807БМ не
более 1 г.
Электрические параметры
1 ....... Буквенное обозна’ ченне Значение Режим измерения
минимальное максимальное Гд сТ) X b m С *21 &
Граничная частота коэффициента
передачи тока в схеме ОЭ, МГц Статический коэффициент передачи ^гр 5
тока в схеме ОЭ: Л21Э 5 0,5
7=25 “С КТ807А, КТ807АМ 1 5 4 5
, КТ807Б, КТ807БМ 30 100
7“ 85 °C КТ807А, КТ807АМ 20 60
н КТ807Б. КТ807БМ Напряжение насыщения коллек- 45 150 0, 5
'°Р — эмиттер, В “Ратный ток коллектор — эмиттер («бэ=ю Ом), мА: 7=25 °C ^КЭнас 1 (0,1)
5 1 00
J'85 °С кратный ток эмиттера, мА ЭБО 15 15 (4)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/+э«£Ю Ом или /?бэ = 1 кОм, запира-
ющее напряжение эмиттер — база 0,5 В) .
Импульсное напряжение коллектор—эмит-
тер » ................................
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора (ти<1 мс,
скважность не менее 2)................
Постоянный ток базы...................
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора (Т =—40 -т- +70 °C1) . . . .
Тепловое сопротивление переход — корпус
Предельная температура перехода .
Температура окружающей среды
100 В
120 В
4 В
0,5 А
1,5 А
0,2 А
10 Вт
8 °С/Вт
150 °C
—40 4- +85 °C
1 При температуре окружающей
РК max [Вт]= (150—TIRt п, к.
среды выше 70 °C
Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба п пайки ны-
не менее 5 мм. Радиус изгиба 1,5—2 мм. Пайка выводов долж-
в°дДрОизводиться при температуре не выше 250 °C в течение не бо-
лее 3 с.
2Т808А, КТ808А
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п переключательные.
Предназначены для применения в ключевых устройствах, генерато-
пах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения.
Р Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора без накидного фланца не более 22 г,
масса накидного фланца не более 12 г.
Электрические параметры
Значение Ре жим измерения
Параметр Буквенное обозна- чение минимальное CJ О № О Е Я максимальное В УЬЭ, в V ’I6/) ^1 1ь- А
Напряжение насыщения база — эмиттер, В Статический коэффицн- MeT03PeAa4n Т0Ка в схе" Т~ 25 °C £’125 °C 2Т808А £“100 °C КТ808А г“-60 °C ?АУль коэффициента кЛеДач« тока на высо- пД частоте (/==30,5 МГц) Время рассасыВания иБ1==/Б9 = 2/п ) мкс БгР- нас7, коллектора МГц). пФ ^БЭ нас /121Э 1л 2 1 э | ^рас Ск ( * 10 I 0 1 0 6 2,4 1,4* 15* 20* 20* 10* 2,5 50 1 50 150 50 2 500 3 1 0 15 I 0 6 6 (0,5) 6 0,6
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерений '
минимальное v о ю О Е S максимальное (7) ТВ m (В ю £ тв / V -3/
Обратный ток коллек- тор — эмиттер (/?бэ= = 10 Ом), мА: Т=+25 и —60 °C 2Т808А КТ808А Г=125ОС 2Т808А Т=100°С КТ808А Обратный ток эмиттера, ZK3R 3 3 20 20 (200) (120) (160) (120) *
мА 7эбо 4* 50 4
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер 1 (Рбэ=ЮОм, Тп до 100°C)
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер 1 (7?бэ=10 Ом или 1/БЭ — 2 В, ти<
<500 мкс, Q^6, Тп до 100°C) . . .
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора ....
Постоянный ток базы....................
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора (Тк = —60-|-50 °C):
с теплоотводом ......................
без теплоотвода .....................
Тепловое сопротивление переход—корпус
Температура перехода ..................
Температура окружающей среды:
2Т808А ..............................
КТ808А...............................
120 В
250 В
4 В
10 А
4 А
50 Вт
5 Вт
2 °С/Вт
150 °C
от —60 °C до
Тк=125°С
от —60 ° С до
Тк = 100 °C
1 Постоянное и импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при температуре перехода от 100 до 150 °C снижается линейно на
10% на каждые 10 °C. Температура перехода рассчитывается по
формуле Тп = Тк 4- RT п, к (Рк 4- Рэ)-
Механические усилия на выводы транзисторов не должны превы-
шать 19,62' Н (2 кгс) в осевом и 3,43 Н (350 г) в перпендикулярном
направлениях к оси вывода.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 6 мм от кор-
пуса транзистора.
АЛ
2Т809А, КТ809А
Транзисторы кремниевые мезапланариые п-р-п переключательные
Предназначены для работы в ключевых и импульсных устройствах'
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора без накидного фланца не более 22 г
Масса накидного фланца не более 12 г.
В импульсных режимах работы допускаются перегрузки по мощ-
ности рассеивания до 300 Вт в момент переключения. При этом дли-
тельность перегрузки должна быть не более 0,5 мкс, частота пере-
грузки не более 5 кГц, температура корпуса не выше 90 °C.
В импульсных режимах допускается обратное напряжение Г'БЭ
до 8 В. При этом ток через переход база — эмиттер не должен пре-
вышать 1 А, скважность должна быть не менее 2, частота не менее
30 кГц. Допускается использование транзистора с импульсным током
до 7 А при скважности не менее 2, Мгновенная мощность при пере-
ключении не должна превышать 100 Вт в течение не более 5 мкс и
скважности не менее 10.
Механические усилия на выводы транзисторов не должны превы-
шать 19,62 Н (2 кгс) в осевом и 3,43 Н (350 г) в перпендикулярном
направлениях к оси вывода.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 6 мм от кор-
пуса транзистора.
--„стоические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
минимальное о о са о Е К максимальное иКЭ В V ‘^7 /б. а
.—-—
Напряжение насыщения ^Напряжение а — эмиттер, В Статический коэффици- ент передачи тока в схе- М£7°=25”С Тк= 125 “С Гк=-60 °C Время включения*, мкс УКЭ нас 6'бэ нас Л21Э 7вкл 0,22* 1,03* 15 15 1 0 0.2 0, 6* I ,3* 50* 50* 15* 0,25 1.5 2,3 1 00 130 1 00 0,3 5 2 2 2 2 0,4 0,4 0,5
Время спада*, мкс %п 0,2 0,25 0,3 2 0,5
Время рассасывания*. t 0,5 2 з 0,5
мкс Модуль коэффициента рас
передачи тока на высо- кой частоте (f=3 МГц) |ft2 1 Э | 1 J 5 0,5
Емкость коллекторного перехода* (f=l МГц), пФ Обратный ток коллек- тор — эмиттер (R бэ = = 10 Ом), мА: 190 220 270 5 400
ск 7КЭЯ
Тк =+25 и —60 °C 3
Тк=125 °C 1 0 300
Обратный ток эмиттера, мА ;ЭБО 50 (4)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер 1 (Я6э=Ю Ом).......................
Постоянное напряжение база—эмиттер
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора (тн^400 мкс,
Q>10)..................................
Постоянный ток базы....................
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора 2 (Тк = — 60 4- +50 °C) . . . .
Температура перехода ..................
Температура корпуса ...................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура окружающей среды
400 В
4 В
3 А
5 А
1,5 А
40 Вт
150 °C
125 °C
2,5 °С/Вт
от —60 °C
до Тк=1250С
При температуре перехода от 100 до 150 °C l/кэ max снижает-
ся линейно на 10% на каждые 10 °C.
При температуре корпуса выше 50°С Рк шах [Вт] = (ТП —
~~ 7 k)/Rt п, к, где Рт п, к — тепловое сопротивление переход — кор-
Ус. определяемое из области максимальных режимов.
3
2,5
2
1,5
1
0,5
О
-BO -20 20 60 T,'JC
l^zra I
0
3,5
3
2,5
2
J,5
1
0 0,3 0,6 0,3 TK,0
2Т812А, 2Т812Б,
КТ812А—КТ812В
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п импульсные. Пред-
назначены для работы в импульсных н ключевых устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 20 г.
Параметр Буквенное обозна- чен не Значение Режим измерения
минимальное типовое 1 максимальное иКЭ н (уКБ). в уБЭ’ в 1 1
Граничное напряжение (£ = 40 мГн), В иКЭО гр 350 450* 650 0,1
Напряжение насыщения, коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения, УКЭ нас 1* 1 ,35* 2,5
8 (1,6)
база — эмиттер, В 1,8* 2,2* 2,5 8(1,6)
Статический коэффнци-
еит передачи тока в схе- ме ОЭ: h213
7"к=25 °C 2Т812А, 2Т812Б 5 15* 30 3 8
КТ812А, КТ812Б 4 2,5 8
КТ812В Тк=125 °C 10 80* 125* 5 5
2Т812А, 2Т812Б 4 3 5
Тк = — 60 °C 2Т812А, 2Т812Б 3 3 8
Модуль коэффициента
передачи тока на высо- кой частоте* (f—1 МГц) lft2 1 э 1 3,5 6,5 8,4 10 0,2
Время спада, мкс *сп 0,22* 0, 6* I ,3 250 4 5(2,5)
Емкость коллекторного перехода* (f=l МГц), пФ Емкость эмиттерного ск 70 85 100 (100)
перехода* (f—\ МГц), пФ Обратный ток коллекто- 1300 1700 2300 0
ра, мА: /КБО
2Т812А, КТ812А 0, 5* 5 (700)
2Т812Б, КТ812Б 0.5* 5 (500)
КТ812В 0,5* 5 (300)
7= 125 °C 2T8I2A I 0 (400)
2Т812В 10 (300)
60 °C 2Т812А 10 (500)
2Т812Б 10 (400)
Обратный ток эмиттера, мА: ;ЭБО
2Т812А, 2Т812Б 5* 50 6
КТ812А. КТ812Б, КТ812В 150 7
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор—эмит-
тер ' закрытого транзистора 2Т812А,
2Т812Б (/?бэ=10Ом, ти^20мкс, Тф>3мкс,
<2^3, Тк =—40-?+85°С), КТ812А—
КТ812В (7?бЭ=10 Ом, ти^1 мс, Q5sl0
или тн^50 мкс, Q>2):
2Т812А, КТ812А............................ 700 В
2Т812Б, КТ812Б............................ 500 В
КТ812В.................................... 300 В
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер 2 закрытого транзистора (/?бэ=1О Ом,
Тп<500 мкс, тф>0,3 мкс, Q$s2):
Гк = —40-4-+85°С 2Т812А, 2Т812Б . .
Постоянное напряжение эмиттер — база:
2Т812А, 2Т812Б......................
КТ812А — К.Т812В....................
Постоянный ток коллектора:
2Т812А, 2Т812Б ...................
КТ812А — КТ812В.....................
Импульсный ток коллектора:
2Т812А, 2Т812Б т„<20 мкс, Q5& 10 . .
тя<20 мкс, <?>2.....................
КТ812А —- КТ812В ти<1 мс, Q>10 или
ти<50 мкс, Q$s2.....................
Постоянный ток базы:
2Т812А, 2Т812Б......................
КТ812А — КТ812В.....................
Импульсный ток базы:
2Т812А, 2Т812Б ти<20 мкс, 10 . .
ти<20 мкс, Q^2......................
КТ812А — КТ812В т„С1 мс, Q10 или
ти<50 мкс, Q^2......................
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора ':
2Т812А, 2Т812Б (Тк = — 60 4- +50 °C),
КТ812А —КТ812В (Тк = —45 4-+50 °C)
Температура перехода .................
Температура окружающей среды;
2Т812А, 2Т812Б......................
КТ812А - КТ812В
350 В
6 В
7 В
10 А
8 А
17 А
12 А
12 А
4 А
3 А
7 А
5 А
4 А
50 Вт
150 °C
от —60 °C
до 7’к=125°С
от —45 °C до
Тк = 85 °C
1 При понижении температуры корпуса от —40 до —60 °C и при
повышении от 85 до 100 °C t7K3. и max линейно снижается до 500
для 2Т812А н до 400 В для 2Т812Б; при повышении температуры
корпуса от 100 до 125 °C Uk э и max линейно снижается до 400 для
2Т812А и до 300 В для 2Т812Б.
2 При коротком фронте при понижении температуры корпуса от
—40 до —60 °C и при повышении температуры от 85 до 125 °C ли-
нейно снижается до 300 В.
3 При повышении температуры корпуса выше 50 °C Рк max сни-
жается В СООТвеТСТВИИ С формулой Рк max [Вт] = (Гп — 7К)/Лтп,к
(Rt п, к — определяется из области максимальных режимов).
При применении транзисторов в каскадах строчной развертки те-
левизоров допускается эксплуатация их с коэффициентом загрузки,
Равным единице по 1/КЭд 11 ^к; ПРИ этом температура корпуса не
д°лжна превышать 100 °C.
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса 5 мм;
емпература пайки не выше 250 °C в течение 3 с.
Vf,3P,I^K3K
KT815A—КТ815Г
Транзисторы кремниевые меза-эпнтаксиально-планарные п-р-п
универсальные. Предназначены для работы в усилителях низкой ча-
стоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразова-
телях, импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора
не более 1 г.
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозна- чение минимальное типовое максимальное а ‘(ед/7) е>1/7 V ‘(е/) + 1б. а
Граничное напряжение (ти< 300 мкс, Q>100), В: КТ815А КТ815Б KT8I5B КТ815Г Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения ба- за — эмиттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: 7=25 °C КТ815А - КТ815В КТ815Г Г = —40 °C КТ815А — КТ815В КТ815Г Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ, МГц Емкость коллекторного пе- рехода = 465 кГц). пФ Емкость эмиттерного перехо- да (/ = 465 кГц), пФ Входное сопротивление в ре- жиме малого сигнала (/ = = 0,8 кГц), Ом Обратный ток коллектора, мкА: Гк=— 40 и +25 °C Гм = 100 °C +<30 гр иКЭ „ас +э нас Л21Э 1 гр ск С, 1 I э /1<БО 25 40 60 80 4 0 30 30 20 3 0,2* 0,9* 70* 70* 10* 60* 300* 0,06* 5* 0,6 I ,2 60 75 800 50 1 000 2 5 5 (0,5) 5 40 (0,05) 0,5 0,5 0, 15 (0,03) 0 . 005 0,05 0,05
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?бт = о°):
КТ815Л...................................... 25 В
КТ815Б..................................... 40 В
КТ815В..................................... 60 В
КТ815Г..................................... 80 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер 100 Ом):
КТ815А...................................... 40 В
К.Т815Б.................................... 50 В
К.Т815В.................................... 70 В
КТ815Г.............................. 100 В
Постоянное напряжение база—-эмиттер . 5 В
Постоянный ток коллектора .... 1,5 А
Импульсный ток коллектора (тл^10 мс,
Q>100)...................................... ЗА
Постоянный ток базы................... 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора 1 (Тк = - 40 4- +25 °C):
с теплоотводом ........................
без теплоотвода .......................
Температура перехода ....................
Температура окружающей среды
10 Вт
1 Вт
125 °C
от —40 °C до
7’к=100°С
। При температуре корпуса выше 25 °C Рк шах уменьшается
линейно с теплоотводом на 0,1 без теплоотвода на 0,01 Вт/°С.
Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее
5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземле-
но. Разрешается производить пайку путем погружения выводов не
более чем на 2 с в расплавленный припой с температурой не выше
250 °C.
Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от кор-
пуса транзистора с радиусом закругления 1,5 мм. Прн этом должны
приниматься меры, исключающие передачу усилий на корпус. Изгиб
в плоскости выводов не допускается.
КТ817А—КТ817Г
Транзисторы кремниевые меза-эпитакснально-планариые п-р-п уни-
версальные. Предназначены для применения в усилителях низкой ча-
стоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразова-
телях и импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора
не более 0,7 г.
Параметр буквенное обозна- чение Значение Режим измерения ’
минимальное типовое максимальное в m СП А С £
Граничное напряжение (ти 300 мкс, Q^lOO), В: КТ817А иКЭО гр 25 (0,1)
КТ817Б 45
КТ817В 60
КТ817Г Напряжение насыщения 80 0,6
коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения ба- УКЭ нас 0,15* I 0.1
за — эмиттер, В Статический коэффициент ^БЭ нас 0,83* 1,5 1 0,1
передачи тока в схеме ОЭ: Л21Э 2 (1)
Гк = 25 °C 25 30*
Тк=100 °C 25 45*
7'к =—40 °C Граничная частота коэффи- 15 25*
цнента передачи тока в схе- ме ОЭ, МГц Емкость коллекторного пе- рехода (f—l МГц), пФ Емкость эмиттерного перехо- да (f=l МГц), пФ Обратный ток коллектора, мкА: 1 гр ск сэ 'КБО 3 0, I* 60 115 10 (10) 0,5 (0,25)
100
=^КЭ/?шах
Т— + 25 н —40 °C
7’к=100°С 40* 3000
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер (/?бэ = °°):
КТ817А............................. 25 В
КТ817Б............................. 45 В
КТ817В............................. 60 В
КТ817Г............................. 80 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер < 1 кОм):
КТ817А............................ 40 В
КТ817Б.......................... 45 В
КТ817В.......................... 60 В
КТ817Г............................. 100 В
Постоянное напряжение база — эмиттер . 5 В
Постоянный ток коллектора .... ЗА
Импульсный ток коллектора (тн^20 мкс,
100)............................... 6 А
Постоянный ток базы............. 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора 1 (Г.< = -60 4- +25 °C):
с теплоотводом . . ... 25 Вт
без теплоотвода . . . . . 1 Вт
Температура перехода . . . . 150 °C
Температура окружающей среды ... от —40 °C до
7-„ = 100°С
1 При температуре корпуса выше 25 °C Рк max уменьшается
линейно па 0,2 у транзисторов (с теплоотводом) и на 0,01 Вт/°С —
без теплоотвода).
Пайку выводов разрешается проводить на расстоянии не менее
5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземлено,
разрешается производить пайку путем погружения выводов не более
чем на 3 с в расплавленный припой с температурой не выше 250 °C.
Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от кор-
пуса транзистора с радиусом закругления 1,5—2 мм. При этом дол-
жны приниматься меры, исключающие передачу усилий на корпус.
Изгиб в плоскости выводов не допускается.
При монтаже транзисторов на теплоотвод крутящий момент при
нажиме не должен превышать 70 Н-см.
2Т819А—2Т819В, КТ819А—КТ819Г,
КТ819АМ—КТ819ГМ
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-плаиариые п-р-п уНм
нереальные. Предназначены для работы в линейных и ключевых уст"
ройствах. у
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами (2Т819А — 2Т819В, КТ819АМ — КТ819ГМ) и пластмасса
вый — с жесткими выводами (КТ819А — КТ819Г). Масса транзистор
не более 20 г для КТ819А — КТ819В, КТ819АМ — КТ819ГМ и не бо
лее 2,5 г для КТ819А — КТ819Г.
Параметр Буквени ос обозна- чение Значение Режим измерения
минимальное о о я о с максимальное со /К ('э). А
Гпаничное напряжение [Л<300 мкс. О 100). В: 1 9T8I9A КТ819Г, КТ819ГМ 9Т819Б KT8I9B, KT8I9BM 2Т819В; КТ819Б. КТ819БМ КТ819А. КТ819АМ Напряжение насыщения коллектор — эмиттер. В: 2T8I9A - 2Т819В КТ819А — КТ819Г КТ819АМ — КТ819ГЛ1 Напряжение насыщения ба- за — эмиттер. В- 2T8I9A — 2Т819В KT8I9A -- КТ819Г КТ819АМ — КТ819ГМ Статический коэффициент пе- редачи тока в схеме ОЭ: 2Т819А — 2T8I9B 7' = 25 и 125 °C Т= -СО °C 7 = 25 °C KT819V KT8I9B. KT8I9M, КТ819ВМ КТ819Б. КТ819БМ КТ819Г. КТ819ГМ Г=100 °C КТ819А, KT8I9B, КТ819АМ, KT8I9BM КТ819Б, KT8I9BM КТ819Г. КТ819ГМ Г=-40 °C KT8I9A, КТ819В, КТ819АМ, KT8I9BM КТ819Б, КТ819БМ КТ819Г, КТ819ГМ Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ*, МГц Время выключения*, мкс Емкость коллекторного пере- хода 1/=|МГц),пФ (ИТе?^АЬ1Й ток коллектора ^Г819АМ- КТ819ГМ) мА: +25 X ^==100 сс зеЛг,ИВНое напряжение кол- (R.Т0Р - эмиттер пзйГ Ом)-В: »1819Б 2Т819В ^КЭО гр ^КЭ иас ^ БЭ нас Л2 13 f гр 1 вЫКЛ ск ;КБО ^КЭДпроб 80 60 4 0 25 0, 7* 1 * 20 9 4* I 5 20 12 1 5 2 0 1 2 10 1 5 7 3 360 1 00 80 60 I 00* 80* 60* 1 .5* 0.5* О 9 * 1 л* 16* 30* 30* 30* 60* 60* 60* 25* 25* 25* 5 600 130* 1 05* 80* 1 1 0* 1 00* 80* 1 5* 4 ’ 5*> 3 35* I 2 2 . 5 1 000 I 1 0 200* 130* 1 10* 5 5 5 5 5 5 5 5 Ю (0.1) 5 20 5 1 5 5 20 5 5 20 5 5 5 5 5 5 5 5 (0,5) 0,001 0 , 5 4 0. 5 3 0.5 1 0.5 0.5
—
Окончание
Значение Режим
Параметр Буквенное обозна- чение минимальное о о S3 о Е К максимальное m 10 [ V *(е7)
Пробивное напряжение кол- лектор — база, В: Т =—60 + +25 °C 2Т819А 2Т819Б 2Т819В Т— 125 °C 2Т819А 2Т819Б 2Т819В Пробивное напряжение эмиттер — база, В ^КБОпроб б'ЭБОцроб 1 00 80 60 1 00 80 60 5 0,001 0,005 0,005
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?бэй£100 Ом, Т^50°С):
2Т819А, КТ819Г, КТ819ГМ ....
2Т819Б .............................
2Т819В .............................
КТ819В КТ819ВМ......................
КТ819Б, КТ819БМ.....................
КТ819А, КТ819АМ.....................
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т819А ..............................
2Т819Б .............................
2Т819В .............................
Постоянное напряжение база — эмиттер
Постоянный ток коллектора:
2Т819А —2Т819В, КТ819АМ — КТ819ГМ
КТ819А—КТ819Г.......................
Импульсный ток коллектора (тя^10 мс,
100):
2Т819А — 2Т819В, КТ819АМ — КТ819ГМ
КТ819А—КТ819Г.......................
Постоянный ток базы..................
Импульсный ток базы..................
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора 1 (Гк 25 °C):
с теплоотводом
2Т819А — 2Т819В, КТ819АМ — КТ819ГМ
КТ819А—КТ819Г......................
без теплоотвода
2Т819А —2Т819В.....................
КТ819А — КТ819Г . . . .
КТ819АМ — КТ819ГМ ....
100 В
80 В
60 В
70 В
50 В
40 В
100 В
80 В
60 В
5 В
15 А
10 А
20 А
15 А
3 А
5 А
100 Вт
60 Вт
3 Вт
1,5 Вт
2 Вт
Температура перехода
2Т819А-2Т819В . . . .
КТ819А-- КТ819Г, КТ819АМ —КТ819ГМ
Температура окружающей среды
2Т819А — 2Т819В
кт819д — КТ819Г, КТ819АМ —КТ819ГМ
150 °C
125 °C
от —60 °C до
Т, =125 °C
от —40 °C до
7\ = 100 °C
1 При повышении температуры корпуса (окружающей среды)
ыше 25 °C для 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В' max [Вт] = (Тп max—
В Т )/1,25 ДЛЯ транзисторов С теплоотводом И Pk тах = (Тп max —
__f)/4L6 — без теплоотвода, для КТ819А—КТ819В, КТ819Г умень-
шается на 0,6 Вт/°С с теплоотводом и на 0,015 Вт/°С без теплоотво-
да для КТ819АМ — КТ819ГМ—-на 1 Вт/°С с теплоотводом и на
О 02 Вт/°С без теплоотвода.
98
КТ821 A-l — КТ821 В-1
Тоанзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные п-р-п уси-
1ьные. Предназначены для применения в усилителях низкой ча-
Л1,1ты операционных и диффе-
С1яциальных усилителях, пре-
Рбпазователях и импульсных
"стройствах герметизирован-
ной аппаратуры.
Оформление бескорпусное,
гибкими выводами, с защит-
с м покрытием. Каждый тран-
чнстор упаковывается в инди-
видуальную тару. Масса тран-
зистора не более 0,02 г.
tM.ln
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозна- чение минимальное V о CQ О Е S максимальное) g • (eg/7) (дяЛ) емл 7к <'э). А /Б. А
Граничное напряжение (Тн^ЗОО мкс, Ю0), В: KT82IA-I КТ821Б-! КТ821В-1 Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения ба- за—эмиттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: КТ821А-1, КТ821Б-1 КТ821В-1 KT82IA-1 КТ821Б-1 KT82IB-1 Отношение статических ко- эффициентов передачи тока в схеме ОЭ при большом 21этпахи малом h 2 1Эт1п значениях тока коллектора Граничная частота коэффн- передачи тока в схе- "е ОЭ, МГц тпа°ЛНОе сопротивление го г»Истора в режиме мало- Емког>Иала* tf=0-8 кГЧ>. Ом Ko-iJ ,ь. коллекторного пере- Емкост"’!65 кГ1<>' пФ Ходя* it эмиттерного пере- Обра’/Г465 кГц), цф мкА HWli ток коллектора, мкэо гр Г" КЗ нас Г'б.Э нас Л21Э кг = _А2 ISrriax 40 60 80 0,18* 0,8* 40 30 35 25 20 1 45 45 45 2 0,6 1,2 4 (2) (2) (2) (2) (2) 2 0,05 0,5 0,5 (0,15) (0,15) (0,5) (0.5) (0,5) (0,001—0,2) 0,05 0,05
h213mln f гр л 1 1Э Ск сэ ГКБО 3 160 45 45 50 50 800 65 65 30 5 5 (5) [0,5] (40) (0,03) 0,005
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер:
100 Ом КТ821А-1....................... 50 В
КТ821Б-1........................ 70 В
КТ821В-1....................... 100 В
/б=0А КТ821А-1................. 40 В
КТ821Б-1........................ 60 В
КТ821В-1........................ 80 В
Постоянное напряжение база—эмиттер . 5 В
Постоянный ток коллектора 1 0,5 А
Импульсный ток коллектора (ти^10 мс,
Q + 100).................................... 1,5 А
Постоянный ток базы......................... 0,3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора2 в составе гибридной схемы (Т =
= -40 4-+25 °C)....................... 10 Вт
Температура перехода.................. 125 °C
Тепловое сопротивление переход— кристалл 10°С/Вт
Температура окружающей среды . . . —40 °C 4-+85 °C
1 Допускается /к тах = 1 А при условии непревышения мощно-
сти.
2 При Т = 25-г 85 °C в составе гибридной схемы РКпш =
= (125—Т)/10.
Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 3 мм от за-
щитного покрытия.
КТ823А-1 —КТ823В-1
Транзисторы кремниевые меза-
эпитакснальио-планариые п-р-п уси-
лительные. Предназначены для при-
менения в усилителях низкой часто-
ты, операционных и дифференциаль-
ных усилителях, преобразователях и
импульсных устройствах.
Оформление бескорпусное, с гиб-
кими выводами, с защитным покры-
тием. Каждый транзистор упаковы-
вается в индивидуальную тару. Мас-
са транзистора не более 0,03 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное укэ В m V ‘Iе/) tQ
Драничное напряжение пи <300 мкс. о>100), В: КТ823А-1 КТ823Б-1 КТ823В-1 апряжение насыщения ллектор — эмиттер, В пряжение насыщения ба- — эмиттер, в иКЭО гр с'кэ нас С'вЭ нас 45 60 80 0,15* 0, 8* 0, 2* 0,9* 0,6 1,5 (0,1) 1 1 0,1 0,1
__________________________________________________ Окончание
Значение Режим измерТ^
Параметр Буквенное обозначе- ние 1 минимальное типовое ! максимальное 1 ^КЭ (^КБ)' в j a '3fc'/7 Э) N. /ц. Л /
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Тк = 25 °C Ть ==85 °C Гк = —40 °C Отношение статических ко- эффициентов передачи тока в схеме ОЭ при большом ft213rnaxH «алом h213min значениях тока коллектора Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ. МГц Входное сопротивление транзистора в режиме мало- го сигнала (f = 0,8 кГц), Ом Емкость коллекторного пере- хода МГц), пФ Емкость эмиттерного перехо- да () = 1 МГц), пФ Обратный ток коллектора, мкА Т = 25 С Г = 85 С Л2 1Э Kt = Л21Этах 112 1Этах ^гр Л1 1э ск Сэ 'кьо 25 25 15 1 .6 3 250 35* 80* 30* 35* 25* 2,5 500 60* 1 15* 4 1500 75 1 30 50 1 00 2 5 5 (Ю) (45) (40) °, 5 1 0,001—1 0,05 (0,03)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер
foasgl кОм КТ823А-1..................
КТ823Б-1.................
КТ823В-1.................
/е =0 А КТ823А-1.....................
КТ823Б-1 . . .
КТ823В-1 . .
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора1 . .
Имп>льсный ток коллектора (ти==^Ю мс,
Q^lOO) . . .................
Постоянный ток базы....................
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора 2 (Г = —40ч--|-25°С)
Температура перехода ..................
Тепловое сопротивление переход—кристалл
Температура окружающей среды
45 В
60 В
100 В
45 В
60 В
80 В
5 В
2 А
4 А
0,5 А
20 Вт
125 °C
5°С/Вт
—40 °C -у- +85 °C
1 Допускается lK тах = 3 А при условии непревышения мощно-
сти
2 При Т = 25 — 85°С в составе гибридной схемы Рк
= (125 —Г„)/5.
2Т826А—2Т826В,
КТ826А—КТ826В
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п переключательные.
Предназначены для работы в преобр£зовате тях постоянного напря-
жения, высоковольтных стабилизаторах, ключевых устройствах
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами Масса транзистора не более 17 г.
Пайка выводов допускается на расстоянии ие менее 5 мм от кор-
пуса транзистора.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
о О К ге S К S S максимальное 2d CQ m сЬ < й
Граничное напряжение (L = = 40 мГи), В: б'кэо гр 0,1
2Т826А, 2Т826В, КТ826Л, KT82GB 500
2Т826Б, КТ826В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения ба- кэ нас 600 2,5 0, 5 о, 2
за — эмиттер, В Статический коэффициент ^БЭ цас I 0 0,5 0,2
передачи тока в схеме ОЭ: h2 1 Э 120 0. 1
Гк —25 °C Гк= 125 °C 1 0
300
2Т826А — 2Т826В 5
Гк= 100 СС КТ826А — KT82GB 5 300
Тк = -60 °C 5 1 2 0
Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой ча- стоте (/=1 МГц) |Л2 I э( 6 1 5 0. I
Время спада, мкс: *сп 500 5 0,5 ^Б1 = 0,2 А, /Б2 = 0,5 А
2Т826А. КТ826А 2Т826Б. КТ826Б I , 5 0,7
Емкость коллекторного пере- (юо)
хода (f=l МГц), пФ ск 25*
Емкость эмиттерного перехо- да (Н1 МГц), пФ Обратный ток коллектор — эмиттер (/?бэ= 10 Ом), мА: Сэ 1 КЭЛ 250* 700 5
Гк = 25 °C Гк=125 °C 2
2Т826А — 2Т826В 5 300
Тк-100"С КТ826А- КТ826В 5 300
Гк = -60 °C 4 500
Обратный ток эмиттера, мА ;ЭБО 3 5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер1 Ом, Тк — —60-э 4-75 °C)
Импульсное напряжение коллектор—эмит-
тер ' (Лбэ^Ю Ом, тп^20 мс, <?^50, т<ь$г
0,2 мкс, скорость нарастания фронта не
более 3,5 В/нс, Тк = —60-Н 4-75 °C) . .
Импульсное напряжение коллектор—эмит-
тер (/?бэ< 10 Ом, тн^20 мкс, Тф$г1,5 мкс,
скорость нарастания фронта не более
0,66 В/нс, ТК = 25°С).................
700 В
700 В
1000 В
Постоянный и импульсный ток коллектора 1 А
Постоянный и импульсный ток базы . . 0,75 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора 1 2 (Тк = —60н-+50°С)................. 15 Вт
Температура перехода...................... 150 °C
Температура окружающей среды:
2Т826А — 2Т826В.......................от —60 °C до
Тк=125°С
КТ826А—КТ826В .......................от —60 °C до
Тк=100 °C
1 При температуре корпуса от 75 °C до максимально допустимой
постоянное и импульсное напряжение коллектор — эмиттер снижа-
ется линейно до 300 В.
2 При температуре корпуса свыше 50 °C Рк шах [Вт] = (150 —
. Тк)/^тп, к, где RT п, к — тепловое сопротивление переход — кор-
пус, определяемой из области максимальных режимов.
2Т827А—2Т827В, КТ827А—КТ827В
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные состав-
ные п-р-п усилительные. Предназначены для работы в усилителях
низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных
усилителях мощности, повторителях, переключателях, электронных
системах управления защиты и автоматики.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 20 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим
о д ч ОЗ S К X X S о о е о CU о е; сч S К д я S Г) иа сз S S?
Граничное напряжение. В: б'кзо гр 140* о, 1
2Т827А, КТ827А I 00 1 10*
2Т827Б. КТ827Б 80 90* 1 00*
2Т827В, КТ827В 60 70» 80*
Напряжение насыщен и я
коллектор — эмиттер, В °'КЭ нас I * 1 .8* 1.45* 2,4* з“* I 0 20 40 200
Напряжение насыщения ба- за — эмиттер. В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: ^БЭ нас Л2 1Э 2.6* 750 3* 4 18000 20 200
Гк—25 °C 6000* 3 10
100 700* 3500* 3 20
Т к — Тк шах 750 3 10
Тк = — 60 °C 1 00 3 1 0
Модуль коэффициента пе- редачи тока на высокой ча- стоте (/' — 10 МГц) |h2 1 Э | 0, 4 3 10
Время включения*, мкс *вкл о.з 0.5 1 I 0 40
Время выключения*, мкс *выкл 3 4 6 10 40
Время рассасывания*, мкс 9 3 4,5 10 40
Емкость коллекторного пе- 400
рехода*, пФ Емкость эмиттерного перехо- Ск 200 160 260 180 I 0 (5)
350
да*. пФ Входное напряжение база — сэ
эмиттер*. В Обратный ток коллектор — эмиттер (/?бэ=1 кОм). мА: 6’БЭ 1 КЭЛ I .6 2 . 8 3 ^КЭОгр 1 0
Гк —+25 и -60 °C 3
Тк — Т К max 5 (5)
Обратный ток эмиттера, мА 'ЭБО
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т827А, КТ827А.........................
2Т827Б, КТ827Б.......................
2Т827В, КТ827В .... . .
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?g:>= 1 кОм):
2Т827А, КТ827А . .............
2Т827Б, К.Т827Б . . .
2Т827В, К.Т827В......................
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (тф $г0.2 мкс):
2Т827А, КТ827А.......................
2Т827Б, К.Т827Б......................
2Т827В, К.Т827В ....(..
Постоянное напряжение база—эмиттер
Постоянный ток коллектора
100 В
80 В
60 В
100 В
80 В
60 В
100 В
80 В
60 В
5 В
20 А
Импульсный ток коллектора .... 40 А
Постоянный ток базы..................... о.5 А
Импульсный ток базы..................... 0,8 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора 1 (Тк= 60 4 |-25 °C)............... 125 Вт
Температура перехода.................... 200 °C
Температура окружающей среды:
2Т827А — 2Т827В.......................от—60 °C до
Л, = 125 °C
КТ827А КТ827В......................... от—60 °C
до Гк= 100 °C
'При Гк>25°С Рктах [Вт] = (Т TK)/RT п, к, ЯГпк
определяется из области максимальных режимов; папрпмео
Rr п, 1<=1Л<,С/Вт прн икэ =10 В, /к = 12,5 А.
^213
2Т828А, 2Т828Б, КТ828А, КТ828Б
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п высоковольтные
импульсные. Предназначены для работы в источниках питания, вы-
соковольтных ключевых устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 20 г.
ZotB
Электрические параметры
Параметр Б}квенное обозна- чение Зиачени е Режим измерения
минимальное 1 о о я о с 5 максимальное а ‘(ЯМ/7) емл I
Граничное напряжение (тя^ЗОО мкс, Q^50), В: 0, 1
2Т828А, КТ828А гр 700
2Т828Б, КТ828Б Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В GOO 1,5(2)
7\=25 °C 0, 5* 1 ‘ 3
Гк ——ЬО °C И +Гк тн Напряжение насыщения ба- 5
за — эмиттер, В Статический коэффициент ^БЭ пас 0,95* 1 * 3 1.5 (2)
передачи тока в счсме ОЭ 2,25 4* 5 4 , 5
Модуль коэффициента пере-
дачи тока на высокой ча- стоте* (f=\ МГц) ]/l2 1 э | 4 7 20 0, 1
Время спада, мкс 'сп 1 * 1 ,2 500 4 4,5 (1 ,8)
Время включения*, мкс вил 0,4 0,5 5 500 4,5 (1,8)
Время рассасывания*, мкс обратный ток коллектора, (рас □ 10 500 4,5 (1,8)
2Т828А, КТ828А ;КБО 1 * 5 (1100)
2Т828Б, КТ828Б Рратныи ток коллектор — эмиттер (Ябэ=Ю Ом), мА: ^к==’2,5 °C 7 КЭЛ I * 5 (1200)
2Т828А 1 0 500
2Т828Б 1 0 400
£*=-60 °C 2Т828А 5 800
2Т828Б 5 600
Обратный ток эмиттера, мА ;ЭБО 1 * 1 0 5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер 1 {/?бэ=10 Ом, Тк = — 60-г+85°С):
2Т828А, КТ828А.............................. 800 В
2Т828Б, КТ828Б.............................. 600 В
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер 2 (/?бэ=10 Ом, тп<40 мкс, Тф^З мкс,
Q^IO), dU/dt<0,4S В/нс для 2Т828А,
КТ828А и <0,4 В/нс для 2Т828Б, КТ828Б
(7\ = —40< + 85°С) и 0,33 В/нс и 0,26 В/нс
соответственно при Тк = —60 4-+Тк max:
2Т828А, КТ828А •........................ 1400 В
2Т828Б, КТ828Б.................... 1200 В
Постоянное напряжение база—эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора .... 5 А
Импульсный ток коллектора (ти<10 мс,
Q^2)................................ 7,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность (Тк =
= —60 4-+50°С)з...................... 50 Вт
Температура перехода................ 150 °C
Температура окружающей среды:
2Т828А, 2Т828Б...........................—60 4-+125 °C
КТ828А, КТ828Б..........................—60 4-+100 °C
1 При температуре корпуса от 85°C до Тк max HK3R н тахсни'
жается линейно до 500 для 2Т828А, КТ828А и до 400 В для 2Т828Б,
КТ828Б.
2 При снижении температуры корпуса до —60 °C и повышении
до Тк max ^кэк.н max снижается линейно до 1000 для 2Т828А,
КТ828А и до 800 В для 2Т828Б, КТ828Б. При Q>2, т„ <40 мкс,
Тф^0,3 мкс (dU/dt^.2,3 для 2Т828А, КТ828А, и <2 В/нс для
2Т828Б, КТ828Б) U и тах снижается линейно до 700 для
2Т828А, КТ828А и до 600 В для 2Т828Б, КТ828Б при ТК=85°С.
При Тк от 85 °C до Тк = Тктах снижается линейно до 500 для
2Т828А, КТ828А и до 400 В для 2Т828Б, КТ828Б (<«//<#= 1,65 и
1,33 В/нс соответственно).
3 При Тк>50 С Рк max [Вт] = (150—Тк)/Т?т п, к, где Р.т п, к
определяется из области максимальных режимов.
101
e г i о
t/g'i boos = е^л
ъ.
9SZ9iy‘y8Z91M ‘9 3Z91Z‘yBZ81Z
ЭВЫ ‘ иЭ1
КТ829А—КТ829Г
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п составные усили-
тельные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты,
ключевых устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора
не более 2 г.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от кор-
пуса транзистора. При этом температура корпуса не должна превы-
шать 85 °C.
я.ектрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чен ие Значение Режим измерения
минимальное максимальное В /К ('1+ А
—
гпаничиое напряжение, В: КТ829А ^КЭО гр 1 00 0,1
КТ829Б 80
КТ829В 60
КТ829Г Напряжение насыщения коллектор - эмиттер. В _ ^КЭнас 4 5 о 3,5(14)
Мяппяжеиие насыщении ба- 2 , 5 3,5(14)
за — эмиттер, В ^БЭ нас
Статический коэффициент
передачи тока в схеме ОЭ- 7=25—85 °C Й21Э 750 3 3
7-=—40 °C Мппуль коэффициента пе- 1 00
педачи тока на высокой ча- стоте (/=10 МГц) lft2 1 э | 0,4 3 3
Обратный ток коллектор — эмиттер (/?бэ I кОм), мА:
Г=—10 и +25 °C 7=85 °C 1 , 5 3
Обратный ток эмиттера, мА ;ЭБО - (5)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ829А ...................................... 100 В
КТ829Б............................... 80 В
КТ829В............................... 60 В
КТ829Г............................... 45 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?бэ< 1 кОм):
КТ829А....................................... 100 В
КТ829Б...................................... 80 В
КТ829В...................................... 60 В
КТ829Г...................................... 45 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 5 В
Постоянный ток коллектора .... 8 А
Импульсный ток коллектора (ти^0,5 мс,
Q>10).................................. 12 А
Постоянный ток базы.................... 0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора । (Тк=—40 -Н +25 °C, Uк э = 7,5 В,
7к=8 А)................................ 60 Вт
Температура перехода................... 150 °C
Температура окружающей среды ... от —40 °C до
_________ Тк = 85°С
' При Т„ = 254-85°С Рктах [Вт] = (150-7„)/2,08.
Транзисторы кремниевые
усилительные. Предназначены
преобразователях.
н Корпус металлический со
выводами. Масса транзистора
меза-эпитаксна льно-планарные п-р-п
для работы в усилителях мощности,
стеклянными изоляторами и гибкими
не более 2 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
минимальное । типовое максимальное 9 V ‘(6/) Я/ уи “(096/) ОЯМ/
Граничное напряже- ние (Тя^ 300 мкс, Q >100), В: 2Т831А УКЭО гр 25 (0,1)
2Т831Б 2T83IB 2Т831Г 45 60 80
Напряжение насыще- ния коллектор — эмиттер, В 0,37* о,6 1 0,1
0,15*
Напряжение насыще- ния база — эмиттер, В Статический коэффи- циент передачи тока и схеме ОЭ: ^БЭ нас Л21Э 0,8* 0,95* 1 .з 1 1 (1) 0,1
7к = 25ч-125 °C 2Т831А — 2T83IB 25 42* 200*
2Т831Г 20 23* 150*
т~~G0 °C 2Т831А — 2Т831В 10
2Т831Г 7
Граничная частота коэффициента пере-
Дачи тока в схеме
£Э*. МГц время включения*. ^гр 4 25 50 5 (0,05)
Мкс *вкл 0,3 0,5 0,8 1 0,1
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное 1 типовое максимальное ^КБ (уЭБЬ 1 В «ч LQ «ч 1 ОО гл ЦЗ к®
Время выключения,
мкс Емкость коллектор- ного перехода* (/ = = 1 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода* (f=l МГц), пФ Пробивное напряже- ние коллектор — ба- за, В: Т 60 н +25° С 2Т831А 2Т831Б 2Т831В 2Т831Г Г=125 °C 2Т831А 2Т831Б 2Т831В 2Т831Г Пробивное напряже- ние эмиттер — база, В: 2Т831А 2Т831Б — 2Т831Г Обратный ток кол- лектора*, мкА Обратный ток эмит- тера*, мкА ^выкл С,< Сэ ^КБОпроб ^ЭБОпроб ;КБО ;ЭБО 1 35 60 35 60 80 100 35 60 80 100 12 5 0,1 20 1 ,5 41 230 10 500 2 150 350 100 1000 5 (0,5) 80 (5) 1 0,1 0,1 3 (1)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т831А..................................... 35 В
2Т831Б..................................... 60 В
2Т831В..................................... 80 В
2Т831Г.............................. 100 В
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер (/?бэ 1 кОм):
2Т831А..................................... 30 В
2Т831Б..................................... 50 В
2Т831В..................................... 70 В
2Т831Г..................................... 90 В
Постоянное напряжение эмиттер — база:
2Т831А .... 12 В
2Т831Б —2Т831Г.............................. 5 В
Постоянный ток коллектора .... 2 А
Импульсный ток коллектора .... 4 А
Постоянный ток базы..................... 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора 1 (Тк =—60 ч—|-25°С):
с теплоотводом......................... 5 Вт
без теплоотвода....................... 1 Вт
Температура перехода.................... 150 °C
Температура окружающей среды ... от —60 °C до
Г,, = 125 °C
1 При Тк (Т) >25 °C Рк max определяется из графиков.
2Т832А, 2Т832Б
Транзисторы кремниевые планарные п-р-п усилительные. Предна-
значены для работы в стабилизаторах постоянного тока.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 20 г.
К13
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное Я ‘(€3/7) SM/7 уи •(ОЗМ/) е.
Граничное напряжение (Q >50, 4 мГн), В:
2Т832А 600 1050* 1150* 5
2Т832Б 500 1050* 1150*
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Л21Э 10 30
7=25 °C 10 23* 50*
7=125 °C 10
7=—60 °C 5
Модуль коэффициента пере- дачи тока иа высокой часто- те (/=2 МГц) Емкость коллекторного пе- |Л2 1э | 3 9,5* 12,5* 10 30
Рехода* (/=10 МГц), пФ Емкость эмиттерного пере- Ск 8 12 20 5
хода* (/ = 300 кГц), пФ пробивное напряжение кол- Сэ по 155 180 (0,5)
лектор — база, В: 7=25 «С ^КБОпроб
2Т832А 1000 1320* 1460* (0,1)
2Т832Б 7= 125 °C 800 1320* 1460* (0,1)
2Т832Д 900 (1) (1)
2Т832Б 7=—60 °C 700
2Т832Д 2Т832Б Робивное напряжение SSSlTep - база, В ^ЭБОпроб 900 700 7 13* 17* (0,5) (0,5) 0,1
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмит- .
тер (/?63s£10 Ом, Г = 25 °C, dU/dt^
250 В/мкс):
2Т832А...............................
2T832D ..............................
Постоянное напряжение коллектор — база
(Г = 25 °C, dU/dt<z250 В/мкс):
2Т832А ..............................
2Т832Б . ,...........................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора ....
Постоянный ток базы....................
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора транзистора1 (Т,, = —60-?-+25°С):
с теплоотводом ........................
без теплоотвода .....................
Температура перехода ..................
Температура окружающей среды
1000 В
800 В
1000 В
800 В
7 В
100 мА
100 мА
10 Вт
2 Вт
150 °C
от —60 °C до
Л, = 125 °C
1 При Тк (Т) >25°С Рк max определяется из графиков.
2Т834А—2Т834В, КТ834А—КТ834В
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п составные усили-
тельные. Предназначены для работы в регуляторах тока и напряже-
ния, в ключевых устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 22 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна-» чение Значение Режим измерения
минимальное | типовое максимальное УКЭ <УБЭ)’ В V '(Э/) *1
Граничное напряжение (L=25 мГн), В: 2Т834А, КТ834А 2Т834Б, КТ834Б 2Т834В, КТ834В Напряжение насыщения УКЭО гр 400 350 300 4 50* 375* 340* 490* 440* 375* о,1
коллектор — эмиттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Тк = 25 °C 4-Тк max Тк — Тк mln УКЭнас л2 1Э 1,2* 150 50 1 ,5* 500* 2 3000* 5 15 (1,5) 5
Тк —25 °C Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой ча- 60 250* 1250* 5 1 0
стоте (f—l МГц) Обратный ток коллектор — эмнттер (/?бэ = 10 Ом), мА: Тк=25 °C 2Т834А, КТ834А 2Т834Б, КТ834Б 2Т834В, КТ834В Р21 э | 'кэя 4 5* 0,2* 0,2* 0,2* 7,8* 3 3 3 5 600 500 4 00 5
Параметр Буквенное обозначе- ние Значения Режим измерения
минимальное о ю о С X максимальное Ф Ю Л m V ‘(а/) *1
— — Т'к = 7'к max 2Т834А, КТ834А 2Т834Б, КТ834Б 2Т834В, КТ834В Тн = Тн mln 2Т834А, КТ834А 2Т834Б, КТ834Б 2Т834В, КТ834В Обратный ток эмиттера, мА Время спада, мкс ;БЭО fcn 0,25* 25* 0,6* 3 3 3 3 3 3 50 1 ,2 400 350 300 490 4 1 0 330 (5) 250 (5) 10(1)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер' (/?б,= 100 Ом), Тк = —40-?+85°С):
2Т834А, КТ834А..........................
2Т834Б, КТ834Б........................
2Т834В, К.Т834В.......................
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?бэ=100 Ом, Тф^г0,2 мкс):
2Т834А. КТ834А........................
2Т834Б, КТ834Б........................
2Т834В, КТ834В........................
Постоянное напряжение база — эмиттер
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора (ти^0,5 мс,
Q^lOO)..................................
Постоянный ток базы.....................
Импульсный ток базы (the£0,5 мс,
QSS100).................................
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора2 (ТК = ТК mln-T-25 °C)
Температура перехода ...................
Температура окружающей среды:
2Т834А — 2Т834В.......................
КТ834А — КТ834В.......................
500 В
450 В
400 В
400 В
350 В
300 В
8 В
15 А
20 А
3,5 А
7 А
100 Вт
150 °C
от —60 °C до
ТК = 125°С
от —40 °C до
Т„=85’С
1 При Тк от —40 до —60°C и от 85 до 125°C и^эв. max сни"
жается линейно до 400, 350, 300 В.
При ТК>25°С Ритах [Вт] = (Тп — Тк)/^?тп,к, где Rt и, к —
епловое сопротивление переход — корпус, определяемое из области
аксимальных режимов.
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер практически ие зави
сит от сопротивления в цепи база — эмиттер (в диапазоне
10 кОм). Ао
/Л
7/
Л7
°,8
0,6
Z74
0 Z ‘t 6 IK,fl
ten,'I''!
2Т83^/1-2Т83ч8г KT8JM -KT83<tB^~-'
lK-5A,UBJ-58
Wzff
WO 150 ZOO 250 OK},B
КТ838А
Транзистор кремниевый мезапланарный п-р-п импульсный. Пред-
назначен для применения в каскадах горизонтальной развертки теле-
визоров и видеоконтрольных устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 20 г.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от кор-
пуса паяльником, нагретым до температуры 250 °C, в течение не бо-
лее 3 с.
' Значение Режим измерен ня
ф о ф О
Буквенное 1Д
Параметр обозна- ё ф га
чение S О а S д •<
м о о CD CD
к к с X га X LQ
S н S 2d « 2d «ч
'
т-25 °C иКЭ нас 5 4,5 2
у 45 и + ЮО С 5 4 , 5 3
Напряжение насыщения 4,5
база - эмиттер В Модуль коэффициента передачи тока иа высо- кой частоте (f=l МГц) ^БЭ нас |Л2 I э | t 3* 1 , 5 20
0,3
Время рассасывания, 1 0* 500 5 4,5 1,8
мкс рас
Время спада, мкс *сп 0,7* 1 ,5 500 5 4 , 5 1.8
Емкость коллекторного (10)
перехода, пФ Ск 1 70*
Емкость эмиттерного пе- рехода, пФ Постоянное напряжение эмиттер — база, В Обратный ток коллек- тор — эмиттер, мА: Сэ ^ЭБО 'кэк 5 7 2200* 1 500 5 0 0 0,01 0,1
7=25 °C 1 0
7 =—45 и + 100 °C 1 1 1 00 0
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер1 (Лбэ<10 Ом, ти^20 мкс, тф^2мкс,
Q>4):
Тк = — 45 -4- +75 °C 1500 В
Т’к=100°С 1100 В
Постоянный ток коллектора .... 5 А
Импульсный ток коллектора .... 7,5 А
Постоянный ток базы 0,1 А
Импульсный ток базы Постоянная рассеиваемая мощность кол- 3,5 А
лектора 2 (Тк = —45 -ь +95 °C) Импульсная рассеиваемая мощность кол- лектора (ти^4,5 мкс, Q + 14, Тк — =—45-у +95 °C): 12,5 Вт
^кэ =150 В 250 Вт
</кэ =200 В 200 Вт
^кэ =300 В 150 Вт
^КЭ =400 В 120 Вт
Пкэ =600 В 70 Вт
Температура перехода 115 °C
Температура окружающей среды от —45 °C до
.________ 7+= 100 °C
1 При Тк от 75 до 100 °C U кэг? и тах снижается линейно.
$ 2 При Тк ОТ 95 до 100°С Ркт’ах [Вт] = (Тп — TK)!RT п,к, где
г п, к — тепловое сопротивление, определяемое из области макси-
Мальных режимов.
2Т839А
Транзистор кремниевый мезапланарный п-р-п импульсный. Предка-
ми для работы в высоковольтных ключевых устройствах и вто-
ричных источниках питания.
" Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 20 г.
33,2
за
3/3
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозна- чение минимальное типовое максимальное В Убэ. в X <
Граничное напряжение (L==40 мГн. 1 к нас~ “300 мА), В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения база — эмиттер, В Статический коэффици- ент передачи тока в схе- ме ОЭ: Тк=25 °C Гк = -60 и +100 °C Модуль коэффициента передачи тока на высо- кой частоте (/=1 МГц) МксМЯ рассасывания, Время спада, мкс емкость коллекторного перехода, пФ ^кость эмиттерного пе- Й?°Да, пФ ^ратный ток коллекто- ра. мд- ?>25 °C Ойк 60 и +Ю0 °C ^Ратный ток эмиттера, ^КЭО гр икэ нас 6'+Э нас Л21Э |ft21э| fpac (сп ск Сэ 7КБО ;эбо 700 5 2 7* 5* 240* 4000* I ,5 1,5 10* 1,5* 1 I 10 10 10 20 500 500 (Ю) (1500) (1100) 5 5 5 5 0,1 4 4 4 4 0,3 4,5 4,5 2 2 1,8 1 ,8
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база1:
тк = —40 4-4-75 °C 1500 В
Тк=—40 4- — 60 и 75 ~ 100°С . . . 1100 В
Импульсное напряжение коллектор—эмит- тер * 2 (/?бэ= 10 Ом):
Тк = —40 4-4-75 °C 1500 В
Тк=—40 4-—60 и 75 4- 100°С . . . 1100 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 5 В
Постоянный ток коллектора .... 10 А
Импульсный ток коллектора .... Постоянная рассеиваемая мощность кол- 10 А
лектора3 (Тк=—604-4-25 °C) 50 Вт
Температура перехода . . . . 125 °C
Температура окружающей среды от —60 °C до Тк=100°С
1 При Тк от —40 до —60 и от 75 до 100 °C (?КБ тах сни, л
линейис
2 При Тк от —40 до —60 и от 75 до 100 °C l/K3R> и max ci
ется линейно при Тф^гЗ мкс При Тф<3 мкс(7кэгг n тах о
ется до 700 В.
2 При Тк от 25 до 100 °C Рк шах [Вт] = (Тп — Тк)/7?т п, к, i де
Rt п, к — определяется из области максимальных режимов.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от кор-
пуса транзистора паяльником с температурой не выше 260 °C в тече-
ние ие более 10 с.
КТ840А, КТ840Б
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п переключательные.
Предназначены для работы в ключевых и импульсных устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 20 г.
— Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозна- чение минимальное типовое е; та S S * О СП о со < U3
Граничное напряжение*, В КТ84ОА КТ84ОБ Напряжение насыщения коллектор — эмиттер*. В Напряжение насыщения ба- за — эмиттер В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ* Модуль коэффициента пере* цачи тока на высокой ча (.тоте * (/= 1 МГц) Время рассасывания, мкс Время спада, мкс Время включения*. мкс Обратный ток коллектора мА 7"к = 25 °C Гк = -45 °C Гк = 100 °C ^К-Ю гр WK3 час ^БЭ нас h 2 I Э | h213 1 1 рас (еи *bk;i 7КБО 400 350 0, 4 1 , 2* 1 0 10 8 0,4* 0,15* 0.08 0,1* 0.5* 0.5* 450 375 1 1 .4* 30 1 2 0.8* 0.3* 0 , I 0.5* 1 .5* 1 5* 3 1.6 1 00 1 5 3.5 0,6 0.2 3 5 * (5) (5) 1 0 20 0 200 200 (^КБ. и шах) 0, 4 4 0. 0 . 0 , 2, 2 I 6 I 2 1.25 I . 25 0,5: 1 0,5: 1 0,5.
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер (Яг, ,==100 Ом)
КТ840А . . .
КТ840Б . . . .
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер 1 (Отг. = 1,5 В, ти^80 мкс, Тф^г! мкс):
КТ840А Т,. = — 20 -г +100 °C . . . .
КТ840Б 7"к = —20 4-+90 °C . . . .
Импульсное напряжение коллектор — база 1
(т„80 мкс, Тф^г! мкс):
КТ840А Тк = —20-~ +100 °C . .
КТ840Б 7К = —20 - +90 °C . .
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора (г„^20 мкс,
0>3) . .....................
Постоянный ток базы
Импульсный ток базы (ти20 мкс, <?^3)
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
400 В
350 В
900 В
750 В
900 В
750 В
6 А
8 А
2 А
3 А
' Для транзисторов КТ840А ири Т,=— 20Ч-+45°С ^КЭХ и шах ,
^КБ. и max снижаются линейно до 750 В; для транзисторов КТ840Б
при Т„ — 90= 100 °C напряжения снижаю ся линейно до 700 и при
Гк=20- +45 °C до 600 В.
лектора1 ((7КЭ ^30 В, Тк==—454-+50°С)
Температура перехода .................
Температура окружающей среды
60 Вт
150 °C
от —45 °C до
Т„=100 °C
1 При Т к т> 50 С Рк max [Вт] — (1 50 — TK)/Rr п, к, где R г п> ,. ___
тепловое сопротивление переход—корпус, определяемое из области
максимальных режимов; например при U кэ = 30 В, /1( = 2 А
Rt п, к = 1,67 °С/Вт.
2Т841А, 2Т841Б
Транзисторы кремниевые планарные п-р-п переключательные.
Предназначены для работы в ключевых устройствах, импульсных мо-
дуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах на-
пряжения.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 20 г.
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
минимальное V о я о Е X максималь- ное УКЭ (^КБ), В а ‘езл LQ
—
Граничное напряжение, в- 2Т811А 2Т841Б ['КЭО гр 350 250 440* 370* 510* 450* 0, 1
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В ^КЭ нас 0,25* 0,6* 1 ,5 5 1
Напряжение насыщения 0,95 I ,6
база — эмиттер*, В Статический коэффици- ^БЭ нас 5 1
ент передачи тока в схеме ОЭ: Т = 25 °C h2 1Э 12 20* 45* 5 5
60 и + 125 °C
Граничная частота ко- эффициента передачи то- ка в схеме ОЭ (f=I МГц), (10)
МГц ^гр I 0 20* 25* (0.2)
Время рассасывания*, мкс ^рас 0,43 0, 8 I . 2 200 5 1
Время включения*, мкс t тг РКЛ 0,06 0,08 0, I 200 5 1
Время спада*, мкс (сп 0,06 0, I 0,5 200 5 I
Емкость коллекторного перехода * (f = 0,3 МГц), пФ Емкость эмиттерного пе- ск 185 220 300 (Ю)
эехода* (f = 0,l МГц), пФ Напряжение коллек- тор — эмиттер* , (ти = Сэ 3000 3800 5000 1
= 1 мкс), В Обратный ток коллекто- ра. мА: иКЭ 7кбо 20 8
Г = —60+ +25 °C 2Т8ИА 0,04* 3 (600)
2Т841Б Г =125 °C 0,04* 3 (400)
2Т841А 5 (600)
2Т811Б 5 (400)
Обратный ток эмиттера. мА 'эБО 10 5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база1:
2Т841А..................................
2Т841Б.......................... • • •
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер । ((/БЭ =1,5 В):
2Т841А..................................
2Т841Б................................
600 В
400 В
600 В
400 В
' При Тф $г0,3 мкс; Тф не ограничивается до 1/кэо гр
Импульсное напряжение колзектор— эмит
тер (/? ,sg 100 Ом т„ = 0 5 мкс тф^0 3 мкс
2Т841/Х
2Т841Б
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток колзектора
Импу тьсныи ток колтектора (ткеД 10 мс,
Q^2)
Постоянный ток базы
Импульсный юк базы (ти <10 мс, Q^2)
Постоянная рассеиваемая мощность кол
тектора
с теплоотвоюм 7, =—60------|-25°С
без тептоотвода Т =—60 —+25 °C
Температура перехота
Температура корпуса
Температура окружающей среды
500 В
350 В
5 В
10 А
15 А
2 5.
4 4
50 В
3 Вт
150 °C
125 °C
от —60 °C до
Л, = 125 °C
l^p/^orp^^
103-
1,02
1
0,38
0,36
0,36
0,31.
-60 - 20 20 60 УК,°С
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от кор.
пуса транзистора.
При эксплуатации, монтаже должны быть приняты меры, нсклю-
чающие воздействие статического электричества выше 1 кВ.
ТК135-16, ТК135-25, ТК142-40, ТК142-50,
ТК142-63, ТК152-80, ТК152-100, ТК235-32,
ТК235-40, ТК235-50, ТК235-63
Транзисторы кремниевые эпитакснальио-мезапланарные п-р-п пе-
реключательные. Предназначены для применения в преобразователях,
переключающих и усилительных устройствах. Выпускаются восьми
классов по напряжению (от 0,5 до 4) и трех групп по напряжению
насыщения коллектор — эмиттер.
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Масса транзи-
сторов ТК135-16, ТК135-25 не более 17,6 г; ТК235-32, ТК135-40
ТК135-50, ТК235-63 не более 25 г; ТК142-40, ТК142-50, ТК142-63 не
более 35 г; ТК152-80, ТК152-100 не более 56 г.
ьчг
ТН1чг чо,ткк2-5о,
7K14Z-63r7K15Z-60,
ТК152-100
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное 1 типовое о О X « S X X СС 2 ю X ф X го « 1К (;б) , А
Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В: для групп 1 III Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ для классов: 0,5—2 2 $ 4 Время включения (<внл= 8=/зд + /нар), мкс Время задержки, мкс ^КЭ иас ^КЛ *зд 10 8 10 0,6 1,5 2 100 1 0,3 5 -с'кэо °-5 fK, и max (0,08 /к.итах) ° - 5 ^К. и max ^К, и max (0,08 /«.„max'
Время нарастания, мкс *нар 0,7 0 -5 'К, и (0,08 7К1И
Время выключения (<вы«л= — /рас + /сп), МКС* *выкл <икэо max max)
ТК135, ТК235, ТКН2 ТК152 Время рассасывания, мкс ТК135, ТК235, ТК142 ТК152 Время спада, мкс *рас ^сп 3 4 2 3 1
Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ, МГц: ТК135 ТК235, ТК142 ТК152 Обратный ток коллектора, мА ^гр /КЁО 6 4 2 10 К Б Отах
Предельные эксплуатационные данные
Импульсный ток коллектора (ти=Ю мс,
Q = 2, /g=0,25 /к, и max# С):
5
16 А
25 А
32 А
40 А
50 А
63 А
80 А
100 А
10 А
16 А
20 А
ТК135-16 • • • •
ТК135-25 . • • *
ТК235-32
ТК235-40, ТК142-40
ТК235-50, ТК 142-50
ТК235-63, ТК142-63
ТК 152-80
ТК152-100
Постоянный ток коллектора (Гк^50°С):
ТК135-16
ТК 135-25
ТК235-32
Зак. 225
ТК235-40, ТК142-40 25 A
TK235-50, TK142-50 32 A
TK235-63, TK142-63 40 A
TK152-80 ................................... 50 A
TK152-100 .................................. 63 A
Импульсный ток базы (т»=10 мс, Q=2,
Тк^ЗО’С):
TK135-16........................................ 4 A
TK135-25 7 A
TK235-32 8 A
TK235-40, TK142-40 10 A
TK235-50, TK142-50 13 A
TK235-63, TK142-63 16 A
TK152-80 ..................................... 20 A
TK152-100 .................................... 25 A
Постоянный ток базы (Тк^50°С):
TK135-16....................................... 3,5 A
TK135-25 5 A
TK235-32 6,5 A
TK235-40, TK142-40 8 A
TK235-50, TK142-50 . . . . 10 A
TK235-63, TK142-63 13 A
TK152-80 ..................................... 16 A
TK152-100 .................................... 20 A
Импульсное напряжение коллектор — база
для классов:
0,5.................50 В 2,5 ................ 250 В
1...................100 В 3 300 В
1,5................150 В 3,5 ................ 350 В
2 200 В 4 400 В
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (/Б =0) для классов:
0,5..............ЗОВ 2,5..................150 В
1................60 В 3....................180 В
1,5..............90 В 3,5..................210 В
2 .............120 В 4 .............. 240 В
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (1?ба = 3,4 Ом или иБЭ =3 В) для
классов:
0,5.................45 В 2,5 ................ 225 В
1...................90 В 3 .................. 270 В
1,5.................135 В 3,5..................315 В
2...................180 В 4 .................. 360 В
Импульсное напряжение эмиттер — база 4 В
Температура перехода............................. 150°С
Тепловое сопротивление переход — корпус:
ТК135-16, ТК135-25 1,5вС/Вт
ТК235-32, ТК235-40, ТК142-40 . . . 1,1вС/Вт
ТК235-50, ТК142-50 0,7вС/Вт
ТК235-63, ТК142-63 0,5'С/Вт
ТК152-80, ТК152-100 ...................... 0,35вС/Вт
Рассеиваемая мощность коллектора
(Тк^50 °C):
ТК135-16, ТК135-25 ..............
ТК235-32, ТК235-40, ТК142-40 . .
ТК235-50, ТК142-50 ....
ТК235-63, ТК142-63 . . . г..
ТК152-80, ТК152-100 . . .
Температура окружающей среды
80
ПО
175
250
350
от —6(
Г„=1
Вт
Вт
Вт
Вт
Вт
• °C до
50 °C
Ptt.Br
у и' *fJ/J
8£l
1-6 >я
Значение крутящего момента при монтаже транзистора ТК142-63
иа теплоотвод должно быть ие менее 7±1 Нм, ТК152-100 не менее
9±1 Нм.
Транзисторы ТК135-25, ТК235-63, ТК142-63 крепят прижатием
фланца корпуса к теплоотводу с крутящим моментом затяжки винтов
ие менее 0,4 Нм.
р-П-р
П201Э, П201АЭ, П202Э, П203Э
Транзисторы германиевые сплавные р-п-р универсальные. Предна-
значены для применения в переключателях, выходных каскадах уси-
лителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Корпус металлостекляиный с жесткими выводами. Масса транзи-
стора ие более 12 г.
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное максимальное g ‘е>1л g Я ‘эеЛ
4апряжение насыщения коллектор — эмиттер. В* П201АЭ, Ч202Э. П2О2Э Статический коэффициент 1ередачи тока в схеме ОЭ П201Э, П202Э П201АЭ Статическая крутизна пря- мой передачи в схеме ОЭ, VB 7=25 °C П203Э Г ——60 °C П203Э "раничная частота коэффи- (иеита передачи тока в схе- ме ОБ, кГц П201Э, П202Э П201АЭ, П203Э Обратный ток коллектора, иА: °C П201Э, П201АЭ П202Э. П203Э 7 = 70 °C П201Э, П201АЭ П202Э, П203Э Эбратиый ток эмиттера, мА. 7 = 25 °C Т ~70 °C иКЭ нас Л12Э У21 Э frp ;КБО ;ЭБО 20 40 1,2 0.8 100 200 2t5 1 ,8 I ,4 0.4 0.4 2 2 0.4 2,5 10 28 to 20 30 20 30 10 2 0.2 0,2 0,3
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (Ябэ<50Ом):
Т <20 °C П201Э, П201АЭ .... 30 в 50 В
П202Э. П203Э
7" = 50 °C П201Э, П201АЭ .... 22 В
Постоянное П202Э, П203Э напряжение коллектор — база: 30 В
7 <20 °C П201Э, П201АЭ . . . 45 В
П202Э, П203Э 70 В
7 = 50 °C П201Э. П201АЭ .... 30 В
Постоянный П202Э, П203Э ток коллектора: 55 В
П201Э, П-201 АЭ .... 1,5 А
П202Э, П203Э 2 А
Импульсный ток коллектора:
П201АЭ ............................
П202Э, П203Э ....
Постоянная рассеиваемая мощность:
с теплоотводом (Tv^20°C) . .
(Тк=70°С) . . .
без теплоотвода (7’^25 °C) .
Импульсная рассеиваемая мощность
(ти^5 с, Q^=3, Ти^70С) . .
Переключаемая мощность ....
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ...............
Температура окружающей среды
2 А
2,5 А
10 Вт
4,3 Вт
1 Вт
10 Вт
30 Вт
3,5 °С/Вт
85 °C
от —60 °C
до Тк = 70вС
hml>hi3(f--2'roru')
Z,Z|---Н—--------Г—
о
/0'
10 2
103 /0* /,Гц
П210А, П210Ш
Транзисторы германиевые сплавные р-п-р универсальные. Предна-
значены для применения в переключателях, выходных каскадах уси-
лителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. Масса ^транзисто-
ра не более 37 г. с наконечниками выводов и кцепежным фланцем не
более 48,5 г.
/4
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное типовое 1 максимальное 1 .. _ 1 н ‘е>1л Д Д Ф £ ZK (ZK, н)’ А 1 V 'е/ 1
Граничное напряжение, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: П210А П210Ш Статическая крутизна пря- мой передачи в схеме ОЭ, А/В: П210А П210Ш Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОБ, кГц Плавающее напряжение эмиттер — база, В: П210А П210Ш Обратный ток коллёктора, мА: Т=25 °C П210А П210Ш 7*=70 °C П210А П210Ш Обратный ток эмиттера, мА: П210Ш б'кэо гр h21 Э Г21 Э frp б'ЭБ пл zkbo 50 15 15 6,6 6,5 too 70* 19* 23* 9* 10* 60 1.5 0, 15 8 8 50 12 3 10 2 1 2 1 20 40 45 65 45 65 15 35 (2,5) 5 7 5 7 0.1
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
ТеП2ЮА (6/БЭ >1,5 В)....................
П210Ш (1/БЭ >0,5 В) . . . .
Постоянное напряжение коллектор — база:
П210А...................................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора в режиме на-
сыщения: П210А..........................
Импульсный ток коллектора в режиме на-
сыщения (Тф<15 мкс): П210Ш
Постоянная рассеиваемая мощность:
Л, £=25 °C............................
Гк = 70°С.............................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление переход — среда
Температура перехода ...................
Температура окружающей среды
65 В
64 В
65 В
25 В
12 А
9 А
60 Вт
15 Вт
1 °С/Вт
40 °С/Вт
85 °C
от —60 °C
до Т„ = 70°С
h2l3
1W
120
100
80
60
W
20
1 2 3 Ч 5
Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не меиее
20 мм от корпуса в течение не более 10 с. Расстояние от корпуса до
начала изгиба вывода должно быть не менее 20 мм.
П213, П213А, П213Б, П214,
П214А—П214Г, П215
Транзисторы германиевые сплавные р-п-р универсальные. Предна-
значены для применения в переключателях, выходных каскадах уси-
лителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Масса транзи-
стора не более 12,5 г, масса крепежного фланца не более 4,5 г.
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное максимальное g I я 1 CQ Л О < 'Б. А
Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОБ, кГц /гр 150 10
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В: П213 П214. П214А, П214Б, П215 П213Б — П214Г иКЭ нас 0,5 0,9 2,5
Напряжение насыщения ба- за — эмиттер, В: П213 П214, П214А, П215 П214Б ^ЕЭ нас 0,6 0,75 1,2 0,9
Параметр Буквенное обозиаче- ине Значение Режим измерения
минимальное | j максимальное m Л * m Й * СП ib СО
оптический коэффициент передан тока в схеме ОЭ: П213Л. П214В П213Б П21* П214А Ц214Б. П215 Статическая крутизна пря- мой передачи в схеме ОЭ П214Г (Йи=>36 Ом, 1 = 270 Гц), А/В Плавающее напряжение эмиттер — база, 7*:=70 °C, В: П213 П213А. П213Б П214. П214А, П214Б П214В. П214Г П215 Обратный ток коллектора, мА' 7 = 20 °C П213' П213А. П213Б П214, П214А П214Б - П214Г П215 7=70 °C П213 П213А. П213Б П214, П214А П214Б П214В, П214Г П215 Обратный ток коллектор — эмиттер (/Б =0). мА: П213 П214, П214А, П214Б П214В, П214Г П215 Обратный ток коллектор — эмиттер (/гСя==50 Ом), мА. П213Д. П213Б П214В. П214Г Обратный ток эмиттера, мА: 7=20 °C П213. П214. П214А, П214Б, П213А П213Б, П214В, П214Г 7=70 °C П213. П214Б “214. П214А. П215 Д213А. П213Б 71214В, П214Г h2I Э У21 Э УЭБ пл ГКВО ;кэо ' КЭЛ 7ЭЕО 20 20 40 20 50 20 1 .4 50 60 150 150 2, 1 0,3 0,5 0,3 0.5 0,3 0,15 1 0,3 1,5 0,3 2 4.5 2,5 2 5 2.5 20 30 30 30 16 10 0,3 0,4 2 2,5 4,5 5 5 5 б 5 5 5 28 30 45 55 60 30 55 45 45 60 60 80 45 45 60 60 80 45 45 60 60 60 80 15 Ю 15 15 10 I 0 1 0 2 0,2 0.2 0.2 0,2
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/Б =0):
П213 .......................... 30 В
П214, П214Б........................ 45 В
П215............................ ... 60 В
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер (/?бэ^50 Ом):
П213А, П213Б.......................... 30 В
П213............................... 40 В
П214, П214А —П214Г ... . 55 В
П215...................................... 70 В
Постоянное напряжение коллектор — база:
П213, П213А, П213Б...................... 45 В
П214, П214А—П214Г......................... 60 В
П215...................................... 80 В
Постоянный ток коллектора .... 5 А
Постоянный ток базы................... 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность:
Гк<45°С П213А, П213Б, П214, П214А,
П214В, П214Г, П215........................ 10 Вт
П213, П214Б.............................. 11,5 Вт
Тк = 70°С П213А, П213Б, П214, П214А,
П214В, П214Г, П215....................... 3,75 Вт
П213, П214Б.............................. 4,3 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус:
П213, П214Б........................... 3,5 °С/Вт
П213А, П213Б, П214, П214А, П214В,
П214Г, П215........................ 4 °С/Вт
Температура перехода.................. 85 °C
Температура окружающей среды ... от —60 °C до
Тк = 70°С
Изгиб выводов при пайке допускается только иа их плоской части
П216,
П216А—П216Д,
П217,
П217А—П217Г
Транзисторы германиевые сплавные р-п-р универсальные. Предна-
значены для применения в переключателях, выходных каскадах уси-
лителей низкой частоты, преобразователях постоянного напря-
жения.
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Масса транзи-
стора не более 12,5 г, крепежного фланца ие более 4,5 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерение
минимальное максимальное а я ,д>1л ^ЭБ- в /к, А 1 / V 'Я/
Граничная частота коэффи- /гр 1 00 I 0 0, I
циеита передачи тока в схе- ме ОБ, кГц
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер В: ^КЭ нас
П216. П216А 0,75 4 0 5
П217, П217А. П217Б, П217Г I 4 0.5
П216Б, П216В, П216Д, П217В 0,5 2 0,3
Напряжение насыщения ба- за — эмиттер, В’ иБЭ нас I . 5 3,5 0.5
П216, П217
П217Б 0,6 0,9
П217Г 0 8
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме ОЭ‘ 1 э
П216А 20 80 5 I
П216Б 10 3
П216В 30 3
П216Г 5 3 ’
П216Д 15 30 3 2
П217А 20 60 5 1
П217Б 20 5 1
П217Г 1 5 40 3
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: П216 Л21 Э 18 0 75 4
П217 15 1 4
Плавающее напряжение эмнттер — база. В: УЭБ пл 0,3 40
П216, П216А
П216Б. П216В U, 5 35
П216Г. П216Д 0.5
П217. П217А. П217Б 0,3
П217В. П217Г 0.5
Обратный ток коллектора. мА ;КБО
7 = 20 °C П216, П216А П216Б П216В П216Г 0.5 1 ,5 2 2.5 40 35 35 50 50 60 60
П216Д П217. П217А. П217Б 0,5
П217В. П217Г Т = 70 °C П216, П216А П216Б. П216В П216Г. П216Д 4,5 7,5 7,5
40 35 50
П217. П217А. П217Б П217В, П217Г 7,5 60
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное максимальное m СО * CQ ib X ^ЭБ- В ib «ч
Обратный ток коллектор — эмиттер (/Б =°)- мА: П216. П216А П217. П217А. П217Б 'кэо 40 50 30 45
Обратный ток коллектор — эмнттер (Лбэ=0), мА: П216Б. П216В П216Г П216Д П217В. П217Г ;кэк 20 50 20 20 35 50 50 60
Обратный ток эмиттера. мА: Г ==20 °C П216. П216А, П217, П217А, П217Б П216Б - П216Д, П217В. П217Г Г=70 °C П216. П216А. П217, П217А. П217Б П216Б-П216Д. П217В, П217Г 'ЭБО 0,4 0,75 4 7 15
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
и коллектор — эмиттер (/?пэ = 0):
П216, П216А ... . . . .
П216Б, П216В . .
П216Г, П216Д . . . . .
П217, П217А —П217Г . . . .
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/ в =0):
П216, П216А..........................
П217, П217А, П217Б................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора
Постоянный ток базы.................
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора-
Л<^25°С П216, П216А, П217, П217А,
П217Б.............................
П216Б — П216Д, П217В. П217Г . . .
Т\ = 70°С П216, П216А, П217, П217А,
П217Б .....................
П216Б — П216Д, П217В, П217Г .
Тепловое сопротивление переход — корпус
П216, П216А, П217, П217А, П217Б
П216Б —П216Д, П217В, П217Г .
40 В
30 В
50 В
60 В
30 в
45 В
15 В
7,5 А
0,75 А
30 Вт
24 Вт
7,5 Вт
6 Вт
2 °С/Вт
2.5 °С/Вт
Температура перехода.
Температура окружающей среды-
85 °C
от —60 °C до
Т„ = 70 °C
П302, ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304, П306, П306А
Транзисторы кремниевые сплавные р-п-р усилительные. Предна-
значены для применения в усилителях низкой частоты и преобразова-
телях постоянного напряжения.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора ие более 10 г.
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе* нне о о X л Я 2 о о а л я S X V ‘(6/
X X X я S
Сопротивление насыщения коллектор — эмиттер. Ом: Т = 25 °C ПЗОЗ, ПЗОЗА Г=—60 и +120 °C гкэ нас 20 30 0,15 0,05
Статический коэффициент передачи ока в схеме ОЭ: Г=25°С П302 ПЗОЗ, ПЗОЗА П304 П306 П306А Г=—60 °C П302 ПЗОЗ, ПЗОЗА П304 П306 П306А Й21Э 10 6 5 7 5 6 3,5 3 4 3.5 25 35 (10) (0.12) (0,12) (0,06) (0,1) (0,05) (0,12) (0,12) (0,06) (0,1) (0,05)
Предельная частота коэф- кГц!*ента передачи тока, П302 ПЗОЗ, ПЗОЗА __П304 th ai 200 200 50 (20) (0,12) (0,12) (0,12)
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное максимальное ^КЭ (уКБ)- В /к д «ч
П306 П306А 50 50 (0,1) (0, 05)
Входное напряжение. В: П302 ПЗОЗ. П304 ПЗОЗА П304 П306А с'вх 6 10 4 6 4 (10) (10) (Ю) 15 15 0,3 0,3 0.3 0,3 0,2
Обратный ток коллектора, мкА* Г = 25 °C П302 ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304, П306 П306А Г=120 °C П302 ПЗОЗ ПЗОЗА, П304, П306 П306А 7 к во 100 100 100 1500 1500 1500 (35) (60) (80) (30) (50) (65)
Обратный ток коллектор — эмиттер, мА: 7 —25 °C (/?бэ=1 кОм) П302 ПЗОЗ. ПЗОЗА. П306 П304, П306А 7= 120 °C (Ябэ = 100 Ом) П302 ПЗОЗ. ПЗОЗА, ПЗО6 П304 П306А 1 КЭЛ 1 1 1 6 6 6 6 40 70 100 30 50 65 60
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит
тер (Лбэ^ЮО Ом) и коллектор — база’:
= —60 ч-+20 °C ПЗО2 . . . ЗОВ
ПЗОЗ, ПЗОЗА П304 50 В 65 В
Та = 204-100 °C П302 35 В
ПЗОЗ, ПЗОЗА, П306 60 В
П304, П306А . . . 80 В
7’п=150°С П302 18 В
ПЗОЗ, ПЗОЗА . . 30 В
П304 40 В
7'П = 25°С П306 60 В
П306А .... 80 В
Тп = —60°С П302 50 В
П306А . . , Постоянный ток коллектора' 70 В
П302 —П304, ПЗОЗА . . . . . . _ 0,5 А
П306, П306А . . ... 0.4 А
Постоянный ток эмиттера П306, П306А 0,5 А
Постоянный ток базы.................. 0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора * 2
с теплоотводом Тк = —60 4-+50 °C П302 7 Вт
ПЗОЗ, ПЗОЗА, ПЗО4, П306, П306А . . 10 Вт
Тк=120°С П306, П306А . . . 2 Вт
Тк=120°С П302 — П304, ПЗОЗА . . 3 Вт
Т„=90 °C ПЗО6, П306А . . 3 Вт
без теплоотвода Т ——60 4- +50 °C . 1 Вт
Т = 120 °C . .... 0,3 Вт
Температура перехода . . . 150 °C
Тепловое сопротивление переход — окружа-
ющая среда . 100°С/Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус 10°С/Вт
Температура окружающей среды . —60 4-+120 °C
При температуре перехода выше 100 °C UK3R max и 1/КБ тах
снижаются на 10% иа каждые 10 °C. Температура перехода опреде-
ляется по формуле Тп=Тк + Rt d,A.
2 При Тк>50 °C для транзисторов с теплоотводом и при
7>20°С для транзисторов без теплоотвода Рк mai снижается ли-
нейно.
Пайка подводящих проводов
допускается только к крючкам
выводов транзистора в течение ре
более 10 с. При пайке не допуска-
ются изгибы и боковые натяже-
ния выводов.
П601И, П601АИ, П601БИ, П602И,
П602АИ
Транзисторы германиевые диффузиоино-сплавные р-п-р универ,
сальные. Предназначены для применения в усилительных, импульсных
и переключающихся каскадах радиоэлектронных устройств.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами с гибкими
(вариант 1) и жесткими (вариант 2) выводами. Масса транзистора
ие более 12,5 г.
Электрические параметры
Параметр буквенное обозначе- ние Зиачеиие Режим измерения
минимальное | макси- мальное ^кэ (^кв), В а ф" % •«ч V -Э,
Граничное напряжение (Тн=5 мкс, f=l кГц), В: ПЫЛИ, П602АИ ПЫЛАЙ, ПЫЛБИ, П602И Напряжение насыщения коллектор — эмиттер*, В с'кэо гр УКЭ нас 20 25 2 / (0,3) 0, 12 0,06
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное 1 максимальное 9 (зял)е>1л я >еал «С й •-Ч
Напряжение насыщения ба- УБЭ нас 1,5 0,5 0,25
за — эмиттер*, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: 7=20 °C П601И П601АИ, П602И П601И, П602АИ Т=70 °C П601И, П601БИ, П602АИ П601АИ, П602И 7=-60°С П601И П601АИ, П601БИ, П602И, П602АИ Постоянная времени цепи Л21Э тк 20 40 80 40 10 100 200 250 100 °,5 *213 при Т — = 20° С 750 3 (20) 0,5 (0,05)
обратной связи (f=5 МГц), ПС Модуль коэффициента пе- редачи тока на высокой ча- стоте (/=10 МГц): П601И, П601АИ, П701БИ П602И, П602АИ Время нарастания, мкс' П601И П601АИ, П601БИ, П602И, П602АИ Время рассасывания, мкс: П601И П601АИ, П602И П601БИ, П602АИ Емкость коллекторного пере- хода (f=5 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехо- да* (/=5 МГц), пФ Обратный ток коллектора, мкА: 7=20 °C П601И П601АИ, П602И П601БИ, П602АИ П601И П602АИ П601АИ, П601ВИ, П602И 7=70 °C Обратный ток эмиттера, мА | Л21э 1 *нар *рас ск сэ /КБО Z3BO 2 3 0.4 0,4 6 4 5 170 2500 2 00 100 130 2000 1500 1500 3000 1 (Ю) (20) (Ю) (Ю) (10) (25) (25) (30) (Ю) 0,5 0,5 (0,05) 0,5 0.5 0,06 0,03 0,06 0,03 0,03
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение коллектор — эмиттер
(Яб3< 100 Ом, Г=20°С):
П601И, П602АИ.................
П601АИ, П601БИ, П602И . .
25 В
30 В
Напряжение коллектор — база (Т=20°С)
П601И, П602АИ.......................... 25 В
П601АИ, П601БИ, П602И . . . -. 30 В
Напряжение эмиттер — база
7 = 20 °C.........................- . 0,7 В
7 = 70 °C.............................. 0,5 В
Импульсный ток коллектора .... 1.5 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора
без теплоотвода Т=—60 Ч- +60 °C . . 0,5 Вт
с теплоотводом 7К=25°С . . . . 3 Вт
7к = 70°С . . . 0,75 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус 15°С/Вт
Тепловое сопротивление переход — среда . 50°С/Вт
Температура перехода................... 85 °C
Температура окружающей среды ... от —60 °C до
7к = 70 °C
1 При 7>60°С для транзисторов без теплоотвода Рк шах
[Вт] = (85 — 7)/50; для транзисторов с теплоотводом при 7К>25°С
Рк max снижается линейно.
2Т505А, 2Т505Б
Транзисторы кремниевые плаиариые р-п-р переключающие. Пред-
назначены для применения в переключающих устройствах и вторич-
ных источников питания.
Корпус металлический с гибкими выводами. Масса транзистора
не более 2 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное ооозиаче• ине Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное Я ‘^Л иКЬ (УБЭ), В v ‘(Э/) е7
Граничное напряже- "«е (тж <300 мкс. Q>I00): 2Т505А 2Т505Б ^КЭО гр 250 200 270* 230* 0,01
Значение
Параметр
Буквенное
обозначе-
ние
Режим измерения
Напряжение насыще- ния коллектор — эмиттер, В ^КЭ нас 0,15 0,7* 1,8* 0,5 (0,1)
Напряжение насыще- ния база—эмиттер, В ^БЭ нас 1,35 1,6* 1.8* 0,5 (0,1)
Статический коэффи- циент передачи тока в схеме ОЭ: Т = 25°С Т=125 °C Г = — 60 °C Л21 Э 25 18 15 120* 140* 10 0,5
Время включения, мкс *вкл 0,2* 0,25* 0,3 40 0,2 0,02
Время выключения, мкс 'вы к л 1.7* 2,7* 3,5 40 0.2 0,02
Время рассасывания, мкс 'рас 0.7* 1.6» 2,6 40 0,2 0,02
Граничная частота коэффициента пере- дачи тока в схеме ОЭ, МГц ^гр 20 30* 40* 10 0,05
Емкость коллекторно- го перехода*, пФ с« 27 50 70 5
Емкость эмиттерного перехода*, пФ сэ 320 420 500 (0.5)
Обратный ток кол- лектора, мкА 7=25 °C 2Т505А 2Т505Б 7=125 °C 2Т505А 2Т505Б ;КБО 100 100 500 500 300 250 250 200
Обратный ток эмит- тера, мкА !эво 100 (5)
Пробивное напряже- ния коллектор—база* <^КБО =0.5 мА), В: 2Т505А 2Т505В Пробивное напряже- ние эмиттер — база* НЭБО =0.5 мА>, в иКБОпроб С'ЭБО проб 300 250 5 320 280 6 I
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер1 100 Ом):
2Т505А................................
2Т505Б ...............................
Постоянное напряжение коллектор — база1:
2Т505А..................................
2Т505Б ...............................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора 2
Импульсный ток коллектора3 (ти^2 мс,
<?>2) ..............................
Постоянный ток базы 2..................
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора:
с теплоотводом (от 7 = —60°С до Тх =
= 55 °C4)..........................
без теплоотвода (Г = —60-=-+25 °C4)
Тепловое сопротивление переход—среда
Температура перехода ................
Температура окружающей среды
300 в
250 В
300 В
250 В
5 В
1 А
2 А
0,5 А
5 Вт
1 Вт
1204-150 °С/Вт
175 °C
—60 4- +125 °C
1 Скорость нарастания обратного напряжения I —- ) 41 250-10-®
\ dt /max
В/с.
2 Без превышения значения постоянной рассеиваемой мощности
коллектора.
3 При Q^2 /к, и max —7к maxQ.
4 При температуре корпуса от 55 до 125 °C при использовании
транзистора с теплоотводом и при температуре окружающей среды
от 25 до 125 °C при использовании без теплоотвода рассеиваемая
мощность коллектора снижается линейно в соответствии с графи-
ками.
КТ626А—КТ626Д
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р универ-
сальные. Предназначены для применения в переключателях и усили-
телях мощности КВ диапазона.
Корпус металлопластмассовый с гибкими выводами. Масса тран-
зистора ие более 1 г.
0J
Допускается изгиб выводов на расстоянии не менее 3 мм от кор-
пуса с радиусом закругления 1,5—2 мм. Пайку выводов допускается
производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение
1 минимальное максимальное
Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ, МГц: КТ626Б КТ626А, КТ626В—КТ626Д гр 75 45
Постоянная времени цепи обратной связи* (f = 5 М^ц), ПС тк 500
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В: КТ626А, КТ626Б КТ626В — КТ626Д УКЭ нас 1 1
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Г = 25°С КТ626А КТ626Б КТ626В КТ626Г КТ626Д Т = —40 °C КТ626А КТ626Б КТ626В КТ626Г КТ626Д Г = 85 °C КТ626А КТ626Б КТ626В КТ626Г КТ626Д '*21 Э 40 30 15 15 40 20 15 8 8 20 40 30 15 15 40 250 100 45 60 250 ' 250 100 45 60 250 500 200 90 120 500
Обратный ток коллектора, мкА: Т= +25 °C, -40 °C КТ626А КТ626Б, КТ626В КТ626Г, КТ626Д Т=85 °C КТ626А КТ626Б. КТ626В КТ626Г, КТ626Д ;КБО * 10 150 I 50 I 00 1500 2000
Обратный ток эмиттера*, мкА: КТ626А КТ626Б — КТ626Д 'ЭБО 10 300
Емкость коллекторного пере- хода* (f = 5 МГц), пФ Ск 1 50
Режим измерения
7Э (/б).
10 0,03
(10) 0, 5 0,03
(0,05) (0,1)
2 0, 15
(30)
(30)
(20)
(30)
(30)
(20)
(Ю)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер (Лвэ^ЮО Ом), коллектор — база:
КТ626А ..............................
КТ626Б...............................
К.Т626В..............................
КТ626Г, КТ626Д.......................
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора . . . .
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора:
от / = — 40 °C до 7’к=60°С1 . . . .
ТК==85°С.............................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ..................
Температура окружающей среды
45 В
60 В
80 В
20 В
0,5 А
1,5 А
6,5 Вт
4 Вт
10°С/Вт
125 °C
от —40 °C до
Тк = 85°С
I При Тк>60°С Рктах [Вт] = (125 — Гк)//?т П, к
Транзистор германиевый сплавной р-п-р универсальный. Предна-
значен для работы в системах зажигания двигателей внутреннего
сгорания, а также в преобразователях напряжения. Допускается при-
менять в условиях импульсных перегрузок по напряжению и мощ.
пости.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими вы.
водами. Масса транзистора не более 25 г Масса крепежного флан-
ца не более 7,5 г
Электрические параметры
Параметр
Граничное напряжение. В:
7’ = 25 °C
Т к = 55 и + 70 °C
Статический коэффициент
передачи тока в схеме ОЭ
Предельная частота коэффи-
циента передачи тока в схе-
ме ОЭ, кГц
Обратный ток коллектора
мА
Г —25 °C
7i.= 55 и +70 °C
Обратный ток коллектор —
эмиттер, мА
Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
о> о X е; я S х X с О а О с ь о с j я S X о X «3 2 иКЭ (^КБ), В X а 'езл
^КЭО гр i»e (2.5)
99
Л2 1 Э 10 1 5* 2 5
1(1 21Э 59 (20| 0. 1
1 КБО 0,9002* 6 (60)
0.0002* 30 (60)
1 К ЭХ 50 100 1 .5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер (Т„ — —60 ч-+85 °C)
Импульсное напряжение коллектор—эмит-
тер (UБэ =0,5 В, Ти=1 мс, Q + 1 й. Ти =
= -60 ч- +85 °C)
55 В
100 В
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
т “ (иБЭ =0,56 В, Ти = 0,3 мс, Q^IO,
Т„ =—60 ч—|-85°С) ...
Постоянное напряжение база — эмиттер
1(Гп = -60-+85’С> . . . .
Постоянный ток коллектора (Тв — — 60 4-
+85 °C) ........................
Постоянный ток базы в режиме выключе-
ния {Г,, = — 60 4-+85 °C) . . . .
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора-
Т = 25°С ... . .
Т’К = 55°С ....
Т„ = 70°С . . . .
Импульсная рассеиваемая мощность кол-
лектора (ти = 1 мс, 10):
7 = 25 °C .... . . . .
ТК = 75°С...........................
Температура перехода . . . . .
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура окружающей среды
140 В
15 В
12 А
0,15 А
50 Вт
25 Вт
8,3 Вт
1200 Вт
700 Вт
85 °C
1,2 °С/Вт
—55 4- +70 °C
ГТ703А—ГТ703Д
Транзисторы германиевые сплавные р-п-р усилительные. Предиа.
зпачены для работы в усилителях мощности низкой частоты.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами с жесткими
выводами. Масса транзистора не более 15 г
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе вне Знач а о л S X 2 гр максимапьное ж ^КЭ (УКБ), В тз — ft жим 02 (Т) 2d измере НИЯ <
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения ба- за — эмиттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: 7 = 25 °C ГТ703А, ГТ703В ГТ703Б, ГТ703Г ГТ703Д 7 = 55 °C ГТ703А, ГТ703В ГТ703Б, ГТ703Г ГТ703Д Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ, кГц Линейность статического коэффициента передачи то- ка ^2 I Э ПРИ ^Э” 0 • 05 А * ^2 1 Э при ;Э= 1 . 5 А Обратный ток коллектора; нА. ГТ703А, ГТ703Б ГТ703В — ГТ703Д Обратный ток эмиттера, мА °КЭ иле ^БЭ нас h2 I Э ^гр К. ;КБО ^ЭБО 30 50 2 0 30 50 20 10 0,6 1 0,6 1 70 100 45 100 150 70 1 , 5 0,5 0,5 0,5 1 •) (20) (30) 10 3 3 0,05 0,5 0,225 0,225
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (Лоэ = 5О Ом)
ГТ7ОЗА, ГТ7ОЗБ
ГТ703В, ГТ703Г
ГТ703Д . .
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?ба = 50 Ом, тн=1 мс, 10)
ГТ703А, ГТ703Б ...........
ГТ703В, ГТ703Г . . . . .
ГТ703Д , . .
Постоянный ток коллектора
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора '•
с теплоотводом (7’к = —40 4-+40 °C)
без теплоотвода (Тк = —40 4-+35 °C)
Температура перехода
Тепловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление переход — среда
Температура окружающей среды
20 В
30 В
40 В
25 В
35 В
50 В
3,5 А
15 Вт
1,6 Вт
85 °C
3 °С/Вт
30 °С/Вт
от —40 °C до
Т„ = 55 °C
1 При Тк>40 °C для транзисторов с теплоотводом
Рк тах[Вт] = (85—Тк)/3, при Т>35°С для транзисторов без тепло-
отвода Рк max [Вт] = (85— Т) /30.
Допускается панка выводов на расстоянии не менее ь мм от кор-
уса любым способом (пайкой, сваркой, пайкой погружением и т. д.)
эн условии, что температура в любой точке корпуса не превышает
эедельно допустимой температуры окружающей среды. При вклю-
нии транзисторов в электрическую цепь коллекторный контакт дол-
ей присоединяться последним и отсоединяться первым.
Транзисторы кремниевые мезапланарные р-п-р составные переклю-
чательные. Предназначены для применения в переключающих и ли-
нейных устройствах.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. Масса транзи-
стора не более 2 г.
Электрические параметры
Значение Режим измерения.
Параметр Буквенное обозначе- н ие минимальное типовое 4) о ч от S X и X от S a '3>Io 'к ('э) [ 'Б], А О S 'с? сп S О tfl СП
Граничное напряжение (ти 300 мкс, Q 5^100}, В: 2Т708А 2Т708Б 2Т708В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения база — эмиттер, В Статический коэффици- ент передачи тока в схе- ме ОЭ. Г = 25 °C 2Т708А 2Т708Б, 2Т708В Г = _60 °C 2Т708А 2Т708Б, 2Т70'8В 7'= 125 °C 2Т708А 2Т7О8Б, 2Т708В Статический коэффици- ент передачи тока в схеме ОЭ* 2Т708\ 2Т708Б. 2Т708В ^КЭО гр ^КЭ нас ^БЭ нас I Э /;21 Э 80 60 40 1.1* 1 .7* 500 750 1 50 200 400 600 150 250 90* 70* 50* 1,4* 400 600 100* 80* 60* 2 2,5 5 10 (0,05) 2 (0,01) 2 (0,01) (2) (5)
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное^ н 'Я*л А S о £ «Л S О LQ
Время включения* *вкл 0,5 0,8 1 2 [0,01]
(Ти==25 мкс), мкс Время выключения* I ,8 2,3 4 2 [0,01]
(Ти===25 мкс), мкс Граничная частота коэф- фициента передачи тока в схеме с ОЭ*, МГц Пробивное напряжение коллектор — эмиттер* (/?бэ < 1 кОм), В: 2Т708А 2Т708Б 2Т708В Пробивное напряжение коллектор — база, В: 7’=25°С 2Т708А 2Т708Б 2Т708В Г——50 °C 2Т708А 2Т708Б 2Т708В Г=125 °C 2Т708А 2Т708Б 2Т708В Пробивное напряжение f гр ВО проб ,УЭБО проб 3 100 80 60 100 80 60 100 80 60 100 80 60 5 130 88 72 ISO- 88* 75» 6* 150 100 80 150* 100* 80* 10* 5 (0,1) (I) 1 I 1 1 1 1 5 5 5 5
эмиттер— база, В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер кОм, от Т =—60°C до Тк=
= 55 °C1):
2Т708А................................
2Т708Б..............................
2Т708В..............................
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т708А................................
2Т708Б..............................
2Т708В..............................
Постоянное напряжение эмиттер — база:
Постоянный ток коллектора 2
Импульсный ток коллектора (ти^2 мс,
<?>22-3)........................... .
Постоянный ток базы2.................
Импульсный ток базы (ти^2 мс,
Q>22.3)...............................
100 В
80 В
60 В
100 В
80 В
60 В
5 В
2,5 А
5 А
0,1 А
0,16 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора:
с теплоотводом (от Г=—60 С до Гк=
=25 °C4).............................. 5 Вт
без теплоотвода (от 7=—60 °C до Гк =
= 25°C4).............................. 0,7 Вт
Температура перехода................... 150 °C
Температура окружающей среды ... от —60 °C
до ГК = 125°С
1 При температуре корпуса выше 55 °C напряжение снижается
линейно в соответствии с графиком.
s Без превышения значения постоянной рассеиваемой мощности
коллектора.
3 При <2^2 /к, к шах [А] =/к maxQ, /Б> и тах [А]=/Б тах Q.
4 При температуре корпуса от 25 до 125 °C при использовании
транзистора с теплоотводом и прн температуре окружающей среды
от 25 до 125 °C при использовании без теплоотвода рассеиваемая
мощность коллектора снижается линейно в соответствии с приве-
денными графиками.
При включении питающих иа
пряжений, а также при переход
ных процессах не допускаете;
превышения области максималь
ных режимов При работе с пико-
вой мощностью при длительности,
промежуточной для значений,
приведенных на области макси-
мальных режимов, ие рекоменду-
ется превышать границы области
максимальных режимов для бли-
жайшего большего значения дли-
тельности Расстояние от корпуса
до начала изгиба вывода не ме-
нее 3 мм.
Транзисторы кремниевые мезаплаиарные р-п-р составные усили-
тельные.
Предназначены для работы в линейных и ключевых устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 9 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое i максимальное п? CQ И CQ ум ‘(уем,) озя; у '(€/) М/ < й
Граничное напряжение иКЭО гр 0,1
(ти<300 мкс, Q>100), В*
2Т709А 80 90* 100*
2Т709Б 60 70* 80*
2Т709В 40 50* 60*
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер. В с'кЭ нас 1.1* 1,4* 9 5 0.02
Напряжение насыщения ^БЭ «ас 1.8* 2* 3 5 0,02
база — эмиттер, В Статический коэффици-
ент передачи тока в схе- ме ОЭ-
Г=25—125 °C 2Т709А 500 5 (5)
2Т709Б, 2Т709В Г=—60 °с 750 5 (5)
2Т709А 200 5 (6) (5)
2Т709Б. 2Т709В Т=25’С 300 5
2Т709А 200* 500* 5 (Ю)
2Т709Б, 2Т709В 300* 600* 5 (10) (0.5)
Граничная частота ко- 3 5
эффициента передачи то- ка в схеме ОЭ*. МГц, * гр
Время включения*, мкс *вкл 0.8 I , 4 2 5 0,02
Время выключения*, мкс (выкл 2 3 4,5 5 0,02
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное ^КБ^БЭЬ J i /КБО</КЭ«>' мА •ч 1 V ‘3/
жесть коллекторного рехода* (/=300 кГц), (кость эмиттерного пе- кода* (/=300 кГц), пФ •обивное напряжение ллектор — база, В: Г=—60 4- +25 °C !Т709А ’Т709Б >Т709В Г= 125 вС >Т709А ГГ709Б >Т709В юбнвное напряжение ллектор — эмиттер* бэ < 1 кОм), В: 2Т7О9А 2Т709Б 2Т7О9В юбнвное напряжение за — эмиттер, В ск Сэ ВО проб ^КЭЛпроб ^ЭБОпроб 100 80 60 100 80 60 100 80 60 5 1 150 250 120* 90* 70* 120 90 70 230 460 150* 100* 80* 150 100 80 5 (0,5) I 1 I 5 5 5 (1) 0,005
ре дельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т709А ................................
2Т709Б . . ... ...
2Т709В...............................
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер 1 кОм, Г„ = — 60ч-+55 °C) :
2Т709А..................................
2Т709Б...............................
2Т709В ..............................
Постоянное напряжение эмиттер — база:
Постоянный ток коллектора...............
Импульсный ток коллектора1 (тя^2 мс,
02).....................................
Постоянный ток базы.....................
Импульсный ток базы (ти^2 мс, Q>=2)
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора (Тк = —60 ч-+25 °C):
с теплоотводом .........................
без теплоотвода .....................
Температура перехода ...................
Температура окружающей среды
1 При Q^2 /к, ж max [А] —Ik maxQ.
100 в
80 В
60 В
100 В
80 В
60 В
5 В
10 А
20 А
0,2 А
0,3 А
30 Вт
2 Вт
150 °C
от —60 °C до
Тк = 125°С
Пайка выводов допускается на расстоянии ие менее 5 мм от кор-
пуса транзистора.
1Т806А—1Т806В, ГТ806А—ГТ806Д
транзисторы германиевые диффузионио-сплавные р--
тельные. Предназначены для работы в импульсных
чаеобразователях и стабилизаторах тока и напряжения.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами
выводами. Масса транзистора не более 28 г.
•л-р переклю-
устройствах,
н жесткими
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное максимальное g ‘е>1л уБэ- в 'к ('э)- а «ч
Граничное напряжение ^КЭО гр (3)
(Ти <50 мкс, f = 2O—5O Гц),
1Т806А 1Т806Б IT806B 40 65 80
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер. В: УКЭ нас
1Т806А — 1Т806В 0,6 20 2
ГТ806А - ГТ806Д Напряжение насыщения ба- за — эмиттер, В ^БЭ нас 0,6 15 2
1Т806А — 1Т806В 0,8 I 20 2
ГТ806А — ГТ806Д 15 2
с-татячсский коэффициент передачи тока в схеме ОЭ <на границе насыщения) Л2 1 Э 10 100 1 0
Гк = 25 °C Гк = 70 °с 1Т806 4 — 1Т806В 10 100 5
'к-55 °C ГТ806А — ГТ806Д 10 200 5
; = —60 'с 1Т8О6А—IT806B 10 150 10
Г„ '" ‘ 65 °с ГТ806А— ГТ806Д раничиая частота коэффи- ПеРеДачн тока в схе- f гр 8 10 1 00 5 10 I
э' МГц Ремя выключения, мкс (выкл 30 45 5 0,25
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение
минимальное максимальное
Обратный ток коллектор — эмиттер, мА: 7к==-60 ++25 °C 1Т806А 1Т806Б 1Т806В 7к=25 °C ГТ806А ГТ806Б ГТ806В ГТ806Г ГТ806Д Т’к = 70°С 1Т806А 1Т806Б 1Т806В Обратный ток эмиттера: 1Т806А — 1Т8053 ГТ806А— ГТ806Д ;кэх /ЭБО 12 12 12 15 15 15 15 15 25 25 25 5 8
--- Окончат»»
Режим измерения
са
К
75
100
120
75
100
120
50
140
75
100
120
И Л LQ ь /K<z3>’ а
1 2 1.5
и>
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (^вэ =1 В):
1Т806А, ГТ806А............................ 75 В
1Т806Б, ГТ806Б........................... 100 В
1Т806В, ГТ806В............... 120 В
ГТ806Г..................................... 50 В
ГТ806Д.............................. 140 В
Постоянное напряжение база — эмиттер:
1Т806А—1Т806В ... ... 2 В
ГТ806А — ГТ806Д..................... 1,5 В
Постоянный ток коллектора в режиме на-
сыщения:
1Т806А—1Т806В.............................. 20 А
ГТ806А — ГТ806Д............................ 15 А
Импульсный ток коллектора в режиме на-
сыщения (Ти^1 мс, Q^2, Квас>1):
1Т806А — 1Т806В.............................. 25 А
Постоянный ток базы................... ЗА
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора1 при ТК=ТК т1п4-25°С:
с теплоотводом 30 Вт; без теплоотвода 2 Вт
Температура перехода.................. 85 °C
Тепловое сопротивление переход — корпус 2°С/Вт
Тепловое сопротивление переход — среда . 30°С/Вт
Температура окружающей среды:
1Т806А — 1Т806В.....................—60 -г- +70 °C
ГТ806А — ГТ806Д.....................—55 -4- +55 °C
1 При Тк>25 °C Рк max [Вт]= (85—Тк)/Лт п,к для транзисторов
с теплоотводом и Рктах[Вт]= (85— Тк)/Рт п,с—без теплоотвода.
Пайка выводов допускается на расстоянии ие меиее 6 мм от кор-
пуса транзистора.
ГТ810А
Транзистор германиевый диффузиоиио-сплавной р-п-р усилитель-
ный. Предназначен для работы в выходных каскадах блоков строчной
развертки телевизионных приемников.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 12 г.
: Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное о ю о Е S максимальное ^КЭ (УКБ), В CQ Л) Л V ‘(е/) V -3/
Напряжение насыще- „ня коллектор — б'кэ нас 0,2* 0,4* 0,7 I 0 1
эмиттер, В Напряжение иасыще- ^БЭ нас 0,44* 0,5* 0,8 10 1
ННЯ база — эмиттер, В о А, • Статический коэффи- циент передачи тока Л2 I Э 15 I 0 5
в схеме ОЭ Модуль коэффицнеи- 1Л21э 1 3 10 1
та передачи тока на высокой частоте (f== =5 МГц) Время рассасывания, *рас 5 30 5 0,5
мкс
Обратный ток коллек- тора, мА’ 7КБО 20
Г=25 °C (200)
7=65 °C 20 (Ю0)
Т=—55 °C 0,5* 20 (200)
Обратный ток эмит- тера, мА 1 ЭБО 4* 1 5 1 , 4
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база1
(Г = —55 ч-+30 °C)............................. 200 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
теР' В, Тк = —55 ч-+30°С) 200 В
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер ((7Бэ В, ти^20 мкс, Q>3,
7 = 25 °C).............................. 250 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 1,4 В
Постоянный ток коллектора .... 10 А
Импульсный ток коллектора .... 10 А
Постоянный ток базы.......................... 1,5 А
Импульсный ток базы (ти + 500 мкс, Q^2) 1,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора 2:
с теплоотводом (Тк — 27,5 °C) ... 15 Вт
без теплоотвода.............................. 0,75 Вт
Температура перехода.................... 65 °C
Тепловое сопротивление переход — корпус 2,5°С/Вт
Тепловое сопротивление переход — среда 50°С/Вт
Температура окружающей среды . . .от —55 °C до
____ Г„ = 55°С
1 При 7’>ЗО°С 1/КБ тах и 7/кэ тах определиются по формуле
и(В) =200—4 (Т — 30 °C).
р " При Т„, 7>27,5 °C для транзисторов с теплоотводом
к ®ах [Вт] = (65—Гк)/2,5, без теплоотвода Рк max [Вт] = (65—
' ) /50.
Транзисторы германиевые диффузиоино-сплавиые р-п-р пеоеклю
чательные. Предназначены для работы в переключателях.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 28 г
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное максимальное1 g СО СТ) £ V 4е/)
Граничное напряжение (тн < 50 мкс, f= 20—50 Гц), В ^КЭО гр (3)
1T8I3A 60
1Т813Б 75
1Т813В Напряжение насыщения коллек- С'КЭ нас 80 0,8 30 3
тор — эмиттер, В Напряжение насыщения база — эмиттер, В 0,8 30 3
^БЭ нас
Статический коэффициент пере- дачи тока в схеме ОЭ (на гра- нице насыщения): Л2 1 Э 20
Тк=25 °C 10 60
Т'к = 70 °C I 0 60 10
?„ = —60 °C 10 1 20 20
Время выключения, мкс: IT8I3A *выкл 3 30 30 5
1Т813Б, 1Т813В 5
Обратный ток коллектор—эмит- тер, мА: 'кэх 1
Гк=—60 -т- +25 °C IT813A 16 100
1Т813Б 16 I 25
1Т813В Ги=70 °C 16 150
IT813A 25 80
1Т813Б 25 I 00
1Т813В 25 1 20
Обратный ток эмиттера, мА ^ЭБО 40 2
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (^бэ = 1 В)
Гк = — 60 + 4-30 °C 1Т813А 100 В
1Т813Б 125 В
1Т813В 150 В
7\ = —604-70 °C 1Т813А 80 В
1Т813Б 100 В
1Т813В 120 В
Постоянное напряжение база — эмиттер
<74 =-60- 4-85 °C) . . 2 В
Импульсное напряжение база эмиттер
(Тк = -60 ч- 4-85 °C) •
т:, е£1 мс, Q>2 4 В
ти<5 мкс, Q^3 , . 6 В
Постоянный ток коллектора (Тц = —60 —
4-85 °C) . . ... 30 А
Импульсный ток коллектора (7’к = —60-?
4-85 °C, T.rigl мс, Q>2) 40 А
Постоянный ток базы (7’к = —60 = 4-85 °C) 5 А
Импульсный ток базы (Тк = —60 — 4-85 °C,
т«<1 мс, Q>2) 10 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора (Тк — —60 = 4-25 °C)
с теплоотводом 50 Вт
без теплоотвода 1,5 Вт
Температура перехода 85 °C
Температура окружающей среды1 от —60 °C до
Г,, = 70 °C
981
УКЗ нас< В
Не допускается отключать базу при наличии напряжения между
„лектором и эмиттером. Запрещается использовать транзистор в
Кстпойствах, у которых цепь базы разомкнута по постоянному току
^рн напряжении UK3 >20 В и /?БЭ >5 Ом рекомендуется запирать
транзистор положительным смещением 0,5 В^(7БЭ^2 В. Эксплуа-
тация транзивторов за пределами областей максимальных режимов
/открытое состояние), в том числе с учетом процессов, происходящих
при включении и выключении, запрещается.
Р Пайка выводов допускается иа расстоянии не менее 6 мм от кор-
пуса.
КТ814А—КТ814Г
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные р-п-р уни-
версальные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты,
операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях,
импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора
не более 1 г.
Электрические параметры
Значение Режил измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное максимальное СП 5^ ю Vй ‘(бу) Му 2
Граничное напряжение (ти 300 мкс, 100), В- КТ814А КТ814Б KT8I4B КТ814Г Статический коэффициент пере- дачи тока в схеме ОЭ: КГ814А- KT8UB КТ814Г ^КЭО гр ft2 1 Э 25 40 60 80 4 0 30 2 (50) (150)
Окончание
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние | минимальное максимальное из те из Ь CQ S ? S из -ч.
Напряжение насыщения база — эмиттер, В Напряжение насыщения база — эмиттер, В Граничная частота коэффициен- та передачи тока на высокой частоте. МГц Емкость эмиттерного перехода (/==465 кГц), пФ Емкость коллекторного перехо- да (f = 465 кГц), пФ Обратный ток коллектора- Гк = —40 + +25 °C Гк = 100 °C МКЭ иас ^БЭ нас 1 гр Св Ск 3 0,6 1.2 75 60 50 1000 5 (0,5) 5 40 40 500 500 (30) 50 50
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/Б =0):
КТ814А .............................
КТ814Б......................... . .
КТ814В ... .............
КТ814Г .............................
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (R бэ < '00 Ом):
КТ814?..............................
КТ814Б .............................
КТ814В .............................
КТ814Г .............................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора (ти^Ю мс,
100)...............................
Постоянный ток базы...................
Постоянная рассеиваемая мощность.., кол-
лектора (7’к = — 40 — -j-ZS’C)1:
с теплоотводом . .............
без теплоотвода ....................
Температура перехода .................
Температура окружающей среды
25 В
40 В
60 В
80 В
40 В
50 В
70 В
100 В
5 В
1,5 А
ЗА*'
0,5 А
10 Вт
I Вт
125 °C
от —40 °C до
Тк = 100 °C
1 При температуре корпуса от 25 д® 100 °C Рк max снижается
линейно на 0,01 без теплоотвода и на 0,1 Вт/°С с теплоотводом.
ьг13
Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее
5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземлено.
Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от кор-
пуса транзистора с радиусом закругления 1,5—2 мм. При этом долж-
ны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий
иа корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.
КТ816А—КТ816Г
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-плаиарные р-п-р
универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой
частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразо-
вателях и импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора
не более 0,7 г.
Электрические параметры_________________________________________
Параметр Буквенное обозиаче- ние Значение Режим измерения
1 минимальное | 1 максимальное j а 1 ‘(дел) V ‘(е/) ^1 «ч
Граничное напряженке (тя < 300 мкс, 100), В. КТ816А КТ816Б КТ816В КТ816Г Напряжение насыщения коллск- ^'КЭО гр ^КЭ нас 25 45 60 80 0, 6 (0.1) 3 0,3
тор — эмиттер, В Напряжение насыщения база — 6’бЭ нас 1, 5 3 0,3
эмиттер. В Статический коэффициент пере- дачи тока в схеме ОЭ: Тк = 2$— 100 °C 7^ =-40 °C Граничная частота коэффициен- та передачи тока в схеме ОЭ, МГц Емкость коллекторного перехода (/ = 465 кГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (/=465 кГц), пФ Обратный ток коллектора, мкА: Гк=25 °C KT8IGA КТ816Б КТ816В КТ816Г 7к=100 СС КТ816А КТ816Б КТ816В КТ816Г 1г2 1Э ^гр Ск Сэ 'КБО 25 15 3 60 115 100 100 1 00 100 3000 3000 3000 3000 2 10 10 (0,5) 25 45 60 100 25 45 60 100 2 0,25
'• Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/Б =0):
КТ816Л ..............................
КТ816Б...............................
КТ816В ..............................
КТ816Г ... ................
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/'Г.:,'".'. 1 кОм)
КТ816А ..............................
КТ816Б...............................
КТ816В ..............................
КТ816Г ..............................
Постоянное напряжение база — эмиттер
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора (тп20 мс,
Q>100).................................
Постоянный ток базы....................
25 В
45 В
60 В
80 В
40 В
45 В
60 В
100 В
5 В
3 А
6 А
1 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора (Тк =—40 -J-25 °C)1:
с теплоотводом ............. 25 Вт
без теплоотвода ..................... 1 Вт
Температура перехода.................... 125 °C
Температура окружающей среды . . . от—40 °C до
_________ Тк=100°С
' При температуре выше 25 °C Рк max уменьшается линейно ца
0,2 Вт/°С при использовании транзисторов без теплоотвода.
Пайку выводов разрешает-
ся проводить на расстоянии не
менее 5 мм от корпуса. При пайке
жало паяльника должно быть за-
землено. Изгиб выводов допуска-
ется на расстоянии не менее 5 мм
от корпуса транзистора с радиу-
сом закругления 1,5—2 мм. При
этом должны приниматься меры,
исключающие возможность пере-
дачи усилий на корпус. Изгиб в
плоскости выводов не допускает-
ся. При монтаже транзисторов на
теплоотвод крутящий момент при
нажиме не должен превышать
70 Н-см.
2Т818А—2Т818В, КТ818АМ—КТ818ГМ,
КТ818А—КТ818Г
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиальио-планарные р-п-р
универсальные. Предназначенные для работы в линейных и ключевых
устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами (2Т818А — 2Т818В, КТ818АМ— КТ818ГМ) или пластмас-
совый с жесткими выводами (КТ818А — КТ818Г). Масса транзисто-
ра не более 20 г для 2Т818А—2Т818В. КТ818АМ— КТ818ГМ и ие
более 2.5 г для КТ818А — КТ818Г.
КТ818А—КТ818Г
2Т818А—2Т818В, КТ818АМ—КТ818ГМ
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение 02 2d Режим измерения
минималь- ное 1 типовое максима- льное /Б- А
Граничное напряжение ^КЭО гр (0.1)
(Ти^ЗОО мкс, Q > 100), В:
2T8I8A, КТ818Г, КТ818ГМ 80 1 00* 150*
2Т818Б, КТ818В, K.T8I8BM 60 80* 1 00*
2T8I8B. КТ818Б, КТ818БМ 40 60* 80*
КТ818А, KT8I8AM 25
Напряжение насыщения коллектор —- эмиттер, В; ^КЭ нас 0,5
2Т818А — 2T8I8B I 5
КТ818А — КТ818Г, КТ818АМ — КТ818ГМ 0.7* 1,5* 2 5 0, 5
2Т818А — 2Т818В 4* 20 5
КТ818А — КТ818Г. КТ818АМ — КТ818ГМ 0,7* I ,5* 5* 20 5
Напряжение насыщения ба- за — эмиттер. В: С'БЭ нас 0,5
2Т818А — 2Т818В 1 • 5 5
КТ818А — КТ818Г, КТ818АМ — КТ818ГМ 2,3* 3 5* 5 20 0, 5
2Т818А — 2Т818В Л21Э 1.6* 5
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: 20
2Т818А—2Т818В 7=25 и 5 5
125 °C Г ——60 °C 9 15* 5 5
7 = 25 °C 7 = 25 и 100 СС 4* 7* 5 20
KT8I8A, КТ818В, 15
КТ818АМ. КТ818ВМ 5
КТ818Б, КТ818БМ 20 5
КТ818Г, КТ818ГМ 12
Т = —40 °C KT8I8A, КТ818В. 10 5 5
КТ818АМ, КТ818ВМ 5
КТ818Б, КТ818БМ 5
КТ818Г, КТ818ГМ ^гр 7 о 5 (0,5)
Граничная частота коэффн циента передачи тока в схе
ме ОЭ*. МГц
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим изме- рения
от S S Ж О х о S Д о о ю 0 с S макси- мальное 1 m Ь v 4е/) яу
Время выключения*, мкс ^выкл 2,5 5 0.5
Емкость коллекторного пе- рехода* (/=> МГц), пФ пЛплтный ток коллектора Ск 1К ВО 400 600 1 ОиО 5
(КТ818А — КТ818Г.
КТ818АМ — К1818ГМ), мА * 7^-40 4-4-25 °C 1 40
г= юо °с 1 0 40 0,001
Пробивное напряжение кол- лектор — эмиттер («бэ< < 100 Ом). В: 2Т818А ^K3R проб 1 00 140* 1 80*
2Т818Б 80 1 05* 120*
2Т818В 60 80* 110*
Пробивное напряжение кол- лектор — база, В: БО проб 0,001
г = —60 4-+ 25 °C 2T8I8A 100 130* 200*
2Т818Б 80 1 00* 120*
2Т818В 60 80* 1 00*
Г—125 °C 2Т818А 1 00 0,005
2Т818Б 80
2T8I8B 60 0,005
Пробивное напряжение эмиттер — база. В ЭБО проб 5 8* 30*
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер 100 Ом):
Т = — 60 -+- + 80 °C 2Т818А . . . .
2Т818Б . . . .
2Т818В . . . .
Т = — 40-г- +25 °C КТ818А, КТ818АМ .
КТ818Б, КТ818БМ .
КТ818В, КТ818ВМ .
КТ818Г, КТ818ГМ .
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т818А ..............................
2Т818Б ... ................
2Т818В .............................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора:
2Г818Л — 2Т818В, КТ818АМ — КТ818ГМ
КТ818А—КТ818Г.......................
Импульсный ток коллектора (ти^10 мс,
QSz 100):
2Т818А —2Т818В, КТ818АМ — КТ818ГМ
КТ818А —КТ818Г......................
100 В
80 В
60 В
40 В
50 В
70 В
90 В
100 В
80 В
60 В
5 В
15 А
10 А
Постоянный ток базы................ з д
Импульсный ток базы................ 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора (ТК=ТК тш-^-25 °C)
с теплоотводом 2Т818А — КТ818В,
КТ818АМ—КТ818ГМ...................... 100 Вт
КТ818А—КТ818Г......................... 60 Вт
без теплоотвода 2Т818А — 2Т818В . 3 Вт
КТ818АМ—КТ818ГМ....................... 2 Вт
КТ818А—КТ818Г.................... 1,5 Вт
Температура перехода:
2Т818А — 2Т818В........................ 150 °C
КТ818АМ —КТ818ГМ, КТ818А—КТ818Г 125 °C
Температура окружающей среды:
2Т818А —2Т818В...................от—60 до
Тк=125 °C
КТ818АМ — КТ818ГМ, КТ818А—КТ818Г от —40 °C до
Тк = 100 °C
' При температуре корпуса (окружающей среды) выше 25 °C
для 2Т818А — 2Т818В Рк max [Вт] — (Тп max — Тк)/1,25 (с теплоот-
водом), Рк max [Вт] = (Тп max — Т)/41,6 (без теплоотвода); для
КТ818А — КТ818Г Рк max уменьшается на 0,6 с теплоотводом и на
0,015 Вт/°С без теплоотвода; для КТ818АМ — КТ818ГМ на 1 с теп-
лоотводом и на 0,02 Вт/°С без теплоотвода.
Пайка выводов допускается иа
расстоянии не менее 5 мм от кор-
пуса транзистора.
КТ820А-1 — КТ820В-1
Транзисторы кремниевые меза-эпитакснально-плаиарные Р'п~Р
универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой
частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразо-
вателях и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Оформление бескорпусиое, с гибкими выводами, без кристаллодер-
жателя, с защитным покрытием. Каждый транзистор упаковывается
в индивидуальную тару. Масса траизистора не более 0,02 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Ре ж им измерения
о о г 2 S максимальное ^КБ (7КЭ), В СП ф СО й
Граничное напряжение УКЭО гр 0,05
(Ги <300 мкс, <?^100), В:
КТ820А 1 4 0
КТ820Б 1 60
KT820B-I 80
Напряжение насыщения ^КЭ нас 0,5 0,5 0,05
коллектор — эмиттер, В
Напряжение насыщения ба- ^БЭ нас I , 2 0,5 0, 05
За — эмиттер. В
Статический коэффициент ft2 1Э 2 0, 15
передачи тока в схеме ОЭ
KT820A-I, КТ820Б-1 40
КТ820В-1 30
Граничная частота коэффи- 3 (5) 0,03
цнента передачи тока, МГц
Емкость коллекторного пере- Ск 65 5
хода (/ = 465 кГц), пФ
Емкость эмиттерного пере- сэ 65 0, 5
хода (/ = 465 кГц), пФ
Обратный ток коллектора ;КБО 30 40
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер 100 Ом) •
КТ820А-1.............................
КТ820Б-1 . .................
КТ820В-1.............................
Постоянное напряжение база — эмиттер
Постоянный ток коллектора..............
Импульсный ток коллектора (ти^Ю мс,
Q 3s 100)..............................
Постоянный ток базы....................
50 В
70 В
100 В
5 В
0,5 А
1,5 А
0,3 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора в составе гибридной схемы1 (Т =
= —40 4-+25 °C)............................... 10 Вт
Температура перехода ........................ 125 °C
Температура окружающей среды . . . —40 4- +85 °C
1 В составе
= (125 — Г)/10.
гибридной схемы при 7 = 254-85 °C Рк max [Вт] =
КТ822А-1 —КТ822В-1
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные р-п-р
универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой
частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразо-
вателях и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Оформление бескорпусное, с гибкими выводами, без кристаллодер-
жателя, с защитным покрытием. Каждый транзистор упаковывается
в индивидуальную тару. Масса транзистора не более 0,03 г.
Значение — Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние а> с сз S <и с и 2 максималь- ное 1 ^кэ (с'кб). В V '(6/) >1/ 1 V '(69/7) 9/
Граничное напряжение (ти 300 мкс, Q^-100), В* КТ822А-1 КТ822Б-1 KT822B-I Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения ба- за — эмиттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: 7 = 25 °C Г==85 °C Г = —40 °C Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ, МГц Емкость коллекторного пере- хода (/ = 465 кГц), пФ Емкость эмиттерного пере- хода (/ = 465 кГц), пФ Обратный ток коллектора, мкА: 7 = 25 °C 7 = 85 °C Входное сопротивление транзистора в режиме мало- го сигнала* (/=0,8 кГц), кОм Линейность статического коэффициента передачи то- ка*: /121 Э ПРН 1Э~ °- 001 А | 1,КЭО гр ,;КЭ нас и БЭ нас Л21Э ^гр Ск Сэ hI 1Э К1 45 60 80 0,1* 0,8* 25 25 15 з 80* I 1 0* 0,15 0,2* 0,9* 40* 41* 35* 90* 125* 0,36 0,6 I . 5 I I 5 150 50 I 00 I 2 2 2 5 (5) (40) (40) 5 (0.1) 1 I I I 1 0, 05 0, 03 0, I 0, 1 (0,5)
• .. .... .....— /i2 13 при 1 А 1 , 5 2,75 4
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?г>э С 1 кОм):
КТ-822А-1.............................
КТ822В-1 .............................
КТ822Б-1 .............................
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/Б=0):
КТ-822А-1.............................
КТ822Б-1..............................
КТ822В-1 ............................,
Постоянное напряжение база — эмиттер
Постоянный ток коллектора 1
' Допускается /ктлх = 3 А при условии не превышения мощности.
45 В
60 В
100 В
45 В
60 В
80 В
5 В
2 А
Импульсный ток коллектора (ти^20 мс,
(?5=100) ; .......................
Постоянный ток базы....................
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора 1 в составе гибридной схемы (Т =
’——40 н-+25 °C)........................
Температура перехода ..................
Температура окружающей среды
4 А
0,5 А
20 Вг
125 °C
—40 -т- +85 °C
2Т825А—2Т825В, КТ825Г—КТ825Е
Транзисторы кремниевые мезапланарные р-п-р составные универ-
сальные. Предназначены для применения в линейных и ключевых
устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами. Масса тран-
зистора не более 20 г.
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное 'г? со V '(е/) S
Граничное напряжение (ти <300 мкс, 100), В: иКЭО гр (0,1)
2Т825А 2Т825Б 2Т825В, КТ825Д КТ826Г КТ825Е 80 60 45 70 25
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В ^КЭ нас 2 I 0 40
Напряжение насыщения ба- 3* 20 200
3 10 40
за — эмиттер, В Статический коэффициент Л21Э 4* 10 20 (Ю) 200
передачи тока в схеме ОЭ:
Т' = 25 °C 2Т825А 500 1 8000
2Т825Б. 2Т825В 750 18000
КТ825Г — КТ825Е Т= 125 °C 750
2Т825А 400 25000
2Т825Б, 2Т825В • 600 25000
т = —60 °C 2Т825А I 00 18000
2Т825Б, 2Т825В 150 18000
7'=25 °C 2Т825А—2Т825В 1 00* 10 (20)
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала* (/ = 5 кГц): л2 1Э 3 (10)
2Т825А — 2Т825В 430 1500* 60000
Время включения, мкс ^вкл 0,4* I 1 0 40
Время выключения, мкс ^выкл з* 4 , 5 10 40
Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой ча- 1 л 21 э | 4 3 (10)
стоте (/=1 МГц) Емкость коллекторного пере- Ск 350* 600 10
хода (/=100 кГц), пФ Емкость эмиттерного пере- 400* 600 (3)
хода (/=100 кГц), пФ Пробивное напряжение кол- лектор — эмиттер, В: ^КЭХ проб (1,5) 0,001
7 = 25 °C 2Т825А 100
2Т825Б 80
2Т825В, КТ825Д 60
КТ825Г 90
КТ825Е 30
7=125 °C 2Т825А 80 (1,5) 0,005
2Т825Б 60
2Т825В 50
Т = -60 еС 2Т825А 100 (1,5) 0,005
2Т825Б 80
2Т825В 60
Пробивное напряжение эмиттер — база, В иЭ ВО проб 5 (0,002)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмит- тер (/?ба <1 кОм или ПБЭ =1,5 В, Гк — = Гш,п4-+55 °C): 2Т825А 100 В
2Т825Б 80 В
2Т825В, КТ825Д 60 В
КТ825Г 90 В
КТ825Е 30 В
Постоянное напряжение база — эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора .... 20 А
Импульсный ток коллектора:
2Т825А — 2Т825В 40 А
КТ825Г — КТ825Е 30 А
Постоянный ток базы 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора:
с теплоотводом 2Т825А — 2Т825В (Тк =
= ---60 =+25 °C) 160 Вт
КТ825Г—КТ825Е (Тк= — 40 4- +25 °C) 125 Вт
без теплоотвода (7 = 25 °C) .... 3 Вт
Температура корпуса:
2Т825А — 2Т825В 125 °C
КТ825Г — КТ825Е 100 °C
Температура перехода:
2Т825А — 2Т825В 175 °C
КТ825Г — КТ825Е 150 °C
Температура окружающей среды:
2Т825А —2Т825В от —60 °C до
Тк = 125 °C
КТ825Г — КТ825Е .... . . от —40 °C до
Т1С= 100 °C
2Т830А—2Т830Г
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные р-п-р
универсальные. Предназначены для применения в усилителях мощно-
сти, вторичных источниках питания, преобразователях.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими
выводами. Масса транзистора не более 2 г.
Параметр
Значение
о
о о *,
Буквенное о X X л
обозначе- R о та СП
ние СЧ о S й_»
S X ни Q
X X X о с X о X ТО tfl 1Д
S S CQ «N
Режим измерения
v ‘(ei) ^1
Граничное напряже- ние (Ти <?300 мкс, иКЭО гр (0,1)
> 100), В: 2Т83ОА 25
2Т830Б 45
2Т830В 60
2Т830Г 80
Напряжение насы- щения коллектор — эмиттер, В С'КЭ нас 0,25* 0,35* 0,6 1 0,1
Напряжение насыще- ния база—эмиттер, В ^БЭ нас 0,9* 0,92* 1,3 1 0,1
Статический коэффи- Л21Э 1 (1)
циент передачи тока в схеме ОЭ:
Г = 20—125 °C 2Т830А — 2Т830В 25 30* 55*
2Т830Г 20 23* 50*
Г = —60 °C 2Т830А — 2Т830В 20
2Т830Г 18
Граничная частота f гр 4 9* 13* 5 (0 05)
коэффициента пере- дачи тока в схеме ОЭ, МГц Время рассасывания, *рас 1 1 0,1
мкс
Время включения. *вг:л 0,3* 0,5* 0,8 1 0,1
мкс
Время выключения, 'выкл 1 1,5* 2 I 0,1
мкс
Емкость коллектор- ного перехода (f= Ск 63* 67* 150 5
= 1 МГц), пФ 88* 200
Емкость эмиттерного перехода (f=l МГц), Сэ 95* (0,5)
пФ Обратный ток кол- 'КБО 0,1 10 100 80
лектора*, мкА Обратный ток эмит- тера*, мкА Пробивное напряже- ;ЭБО ^КБОпроб 20 500 I 000 (5)
ние коллектор — ба- за, В:
Т = -60-г +25 °C 2Т830А 35 0, 1
2Т830Б 60 о, 1
2Т830В 80 о, I
2Т830Г 1 00 о, I
Г= 125 °C 2Т830А 35 3
2Т830Б 60 3
2Т83ОВ 80 3
2Т830Г Пробивное напряже- ние эмиттер—ома, В: ^ЭВОПроб 100 3 (0,001)
2Т830А 12 Е
2Т830Б О
2Т830В 5
2Т830Г 5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
2Т83ОА..............................
2Т830Б ...........................
2Т830В ...........................
2Т830Г ...........................
Постоянное напряжение коллектор — эмит
тер кОм).
2Т830А ...........................
2Т830Б ...........................
2Т830В ...........................
2Т830Г ...........................
Постоянное напряжение эмиттер — база:
2Т830А .............................
2Т830Б — 2Т830Г...................
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора
Постоянный ток базы.................
Постоянная рассеиваемая мощность кол
лектора (Тк — —60 —|-25оС):
с теплоотводом......................
без теплоотвода...................
Температура перехода ...............
Температура окружающей среды
35 В
60 В
80 В
100 В
30 В
50 В
70 В
90 В
12 В
5 А
2 А
4 А
1 А
5 Вт
1 Вт
150 °C
от —60 °C
до ТК=125°С
2Т836А—2Т836В
Транзисторы кремниевые планарные р-п-р переключательные.
Предназначены для работы в ключевых усилителях мощности, вто-
ричных источниках питания.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами н гибкими
выводами. Масса транзистора ие более 2 г.
арктические параметры
Параметр Буквенное обозначе- нне
Граничное напряже- ние, В: 2Т836А 2Т836Б 2Т836В ^КЭО гр
Напряжение насы- щения коллектор — эмиттер, В: 2Т836А 2Т836Б 2Т836В 6’К Э нас
Напряжение насы- щения база — эмит- тер, В: 2Т836А 2Т836Б 2Т836В ^ЭБ нас
Статический коэффи- циент передачи тока в схеме ОЭ: Тк~25 ~ 125 °C Гк=—60 °C Л21Э
Граничная частота коэффициента пере- дачи тока в схеме ОЭ, МГц
Время рассасывания, мкс (рас
Время включения, мкс *ВкЛ
Время выключения, мкс *выкл
Время спада (сп
80 1 00*
80 90*
40 60*
0,25* 0,45*
0,25* 0,29*
0,25* 0,3*
0,95* 1*
0, 9* 1 *
0,95* 1 *
20
1 0
4 30*
0,2* 0,6*
0, 25* 0,4*
0,31* 0,9*
0,1* 0,4*
Значение
Режим измерения
V
О
д
ч
«1 S а, СО 'S
к
о X СП СП LQ
2 £ « *«ч s*‘
(0,1)
125*
110*
80*
0.6 2 0,2
0 35 2 0,08
0,45 2 0,2
1 . з 2 0,2
1 .2 2 0,08
1 .3 2 0,2
(5) (2)
40* (5) (0,05)
I 85 2 0,08
0.6 85 2 0,08
1.6 85 2 0,08
0,6 85 2 0,08
ОкончацВо
Значение Режим измерения^
Параметр Буквенное обозначе- ние , минимальное о о а о с S максимальное Та £ со m о са V ‘ (е/) Чг /Б. a /
Емкость коллектор- ного перехода (f— = 1 МГц), пФ ск 340* 350* 370 (5)
Емкость эмиттерного перехода (/=1 МГц), пФ Сэ 150* 220» 250 0,5
Обратный ток кол- лектора, мА: Тк=—60 — +25 °C Тн —125 °C 'КБО о. 1 3 БОгпах
Обратный ток эмит- тера, мА 7ЭБО 1 5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т836А..................................
2Т836Б . . ....................
2Т836В................................
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (Лбэ^ 100 Ом):
2Т836А ...........................
2Т836Б................................
2Т836В ...............................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора (ти^100 мс,
<3^2) ..............................
Постоянный ток базы.....................
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора (Тк = —60 -г- -|-25 °C):
с теплоотводом .......................
без теплоотвода ....................
Температура перехода ...................
Температура окружающей среды
90 В
85 В
60 В
90 В
85 В
60 В
5 В
3 А
4 А
1 А
5 Вт
0,7 Вт
150 °C
от —60 °C до
74 = 125 °C
КТ837А—КТ837Ж,
КТ837П — КТ837Ф
КТ837И—КТ837Н,
Транзисторы кремниевые
КТ837Р — КТ837Ф) и
КТ737П) р-п-р усилн-
тельные. Предназначены
Для применения в пере-
ключателях,
выходных
усилителей
каскадах
низкой частоты, преоб-
разователях постоянного
напряжения.
Корпус пластмассо-
вый с жесткими вывода-
ми. Масса транзистора
не более 2,5 г.
эпитаксиально-планарные
- КТ837Е,
(КТ837Ж —
планарные (КТ837А
Параметр Буквенное обозначе- ние Значе- ние Режим измерения
укэ (^кб), В ^БЭ’ в V ‘(Я/) Ж
минима- льное максима- льное |
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер. В* ^КЭ нас
КТ837А — КТ837В, КТ837Л — КГ837Н
КТ837Ж, КТ837И, КТ837К. КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф 2.5 3 (0,37)
КТ837Г — КТ837Е, КТ837П — КТ837С 0,5 2 (0,3)
0,9 3 (0,37)
Напряжение насыщения ба- за — эмиттер, В ^БЭ нас 1 ,5 2 (0,5)
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Л21Э $ 2
КТ837А, КТ837Г, КТ837Ж, КТ837Л, КТ837П, КТ837Т КТ837Б, КТ837Д, КТ837И, КТ837М, КТ837Р, КТ837У 10 40 80
КТ837В, КТ837Е, КТ&37К, 20
КТ837Н. КТ837С, КТ837Ф 50 150 (иКБ max)
Обратный ток коллектора, ' кво 0,15
Обратный ток коллектор — эмиттер (Ябэ50 Ом), мА 1 K3R 10 0,3 Л'КЭК max
Обратный ток эмиттера, мА Z3BO ^БЭ max
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ837А — КТ837В, КТ837Л — КТ837Н
КТ837Г — КТ837Е, КТ837П - КТ837С .
КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Т—
КТ837Ф ...............................
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер:
/?6э<50 Ом КТ837А — КТ837В
К.Т837Л — КТ837Н.....................
КТ837Г — КТ837Е, КТ837П — КТ837С .
КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Т —
КТ837Ф ..............................
Яб, = ОО КТ837А — КТ837В, КТ837Л —
КТ837Н ..............................
КТ837Г — КТ837Е, КТ837П — КТ837С .
КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ8371 —
КТ837Ф ..........................
Постоянное напряжение база—эмиттер:
КТ837А — КТ837Ж, КТ837И, КТ837К .
КТ837Л — КТ837Н, КТ837П — КТ837Ф .
Постоянный ток коллектора..............
Постоянный ток базы....................
80 В
60 В
45 В
70 В
55 В
40 В
60 В
45 В
30 В
15 В
5 В
7,5 А
1 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора:
с теплоотводом1 (Гк^25 С) . .
без теплоотвода (7^25 °C) . . . .
Температура перехода ...................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура окружающей среды
30 Вт
1 Вт
125 °C
3,33 °С/Вт
от —60 °C до
7'к=100 °C
1 При jTk1>25 С Рк max [Вт] — (125—Тк)/3.33.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от кор-
пуса. Допускается одноразовый изгиб выводов на угол ие более 90°
от первоначального положения в плоскости, перпендикулярной плос-
кости корпуса, и на расстоянии не менее 1,5 мм. При этом должны
приниматься меры, исключающие передачу усилия на корпус. Изгиб
в плоскости выводов не допускается.
Шероховатость поверхности радиатора в месте крепления транзи-
стора не более 2,5, иеплоскостность должна быть не более 0,02. Не-
допустима плохо притертая поверхность, царапины, пыль, грязь.
2Т842А, 2Т842Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планариые р-п-р переклю-
чательные. Предназначены для работы в мощных преобразователях,
линейных стабилизаторах напряжения.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 18 г.
Пайка выводов допускается иа расстоянии не менее 5 мм от кор-
пуса транзистора.
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное максимальное m m о V ‘(е/) +
Граничное напряжение, В: 2Т842А 2Т842Б Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения ба- за — эмиттер. В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: 7^=25 4- 125 °C Тк = — 60 °C Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ, МГц Емкость коллекторного пе- рехода* (f=0,3 МГц), пФ Эбратный ток коллектора, мА: Г~ — 60 ~ +25 °C 2Т842А 2Т842Б Т=125 °C 2Т842А 2Т842Б Обратный ток эмиттера, мА иКЭО гр иКЭ иас ^ВЭ иас Л21Э ^гр Ск ;КБО 1 ЭБО 250 1 50 15 10 20 180 1 ,8 1 ,8 300 I 1 3 3 5 15 15 5 Ю 300 200 300 200 5 (0,03) 5 5 5 5 (1) 1 I
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное наппяжение коллектор — база1:
2Т842А . . '..........................
2Т842Б ..........................
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер 1 (Рг,э< 10 Ом):
2Т842А ..............................
2Т842Б...............................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора.............
Импульсный ток коллектора . . . .
Постоянный ток базы...................
Импульсный ток базы...................
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора 2:
300 В
200 В
300 В
200 В
5 В
5 А
8 А
1 А
2 А
1 Скорость нарастания напряжения (dU/dt)max <250 В/мкс.
2 При Тк>50°С для транзисторов с теплоотводом Рк max [Вт] =
= (Гп — Гк)/2,5 при 7’>25°С без теплоотвода Рк max [Вт] = (7'п<
-Т)/50; Р,... и тах = Рк тах/Л’, где К -коэффициент, определяемый
нз гоафнков.
с теплоотводом (Тк = —60<-+50°С) . 50 Вт
без теплоотвода (Т =—604-4-25 °C) . . 3 Вт
Температура корпуса.................... 125 °C
Температура перехода................... 175 °C
Температура окружающей среды . . . от—60 °C до
7-к=125°С
0 Iff 20 JO 40 50 50 Zff 80 lfKS,8
50 -40 -го ff 20 40 60 80 100 120 TK,°C
раздел четвертый
ТРДНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ
п-р-п
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ,
КТ602А, КТ602Б. КТ602АМ, КТ602БМ
Транзисторы кремниевые планарные п-р-п универсальные. Пред-
назначены для применения в усилителях и генераторах высокой ча-
стоты.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими
выводами (2Т602А, 2Т602Б, КТ602А, КТ602Б) или пластмассовый с
жесткими выводами (2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ).
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 5 г, в пласт-
массовом не более 1 г.
Для транзисторов в металлическом корпусе разрешается изгиб
Выводов на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с ра-
диусом закругления не менее 1,5 мм; в пластмассовом корпусе до-
пускается одноразовый изгиб выводов на угол ие более 90° и на рас-
стоянии не менее 5 мм от корпуса с радиусом изгиба не менее 1,5 мм.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от кор-
пуса транзистора при температуре 260 °C в течение 10 с.
Параметр
Режим измерения
Буквенное
обозначе*
ине
7К (7Э)> мА
Граничное напряжение (Тп = = 5 мкс, [ = 2 кГц), В Напряжение насыщения коллек- тор — эмиттер, В ^КЭО гр ^КЭ иас 70 3 (50) 50 5
Напряжение насыщения база — эмиттер, В Статический коэффициент пере- ^БЭ нас h2 1 Э 3 (10) 50 (Ю) 5
дачи тока в схеме ОЭ' Г=25 °C 2Т602А. 2Т602АМ, КТ602А, КТ602АМ 2Т602Б, 2Т602БМ КТ602Б. КТ602БМ Г = 85 °C КТ602А. КТ602АМ КТ602Б, КТ602БМ Т— 125 °C 2Т602А, 2Т602АМ 2Т602Б, 2Т602БМ Т~~~40 °C КТ602А. КТ602АМ КТ602Б. КТ602БМ t=—go °C 2Т602А, 2Т602АМ 2Т602Б, 2Т602БМ Модуль коэффициента передачи 1Л21э | 20 50 50 16 40 20 50 5 12 5 12 1 , 5 80 200 220 240 240 500 80 80 2С0 10 25
тока на высокой частоте (f = = 100 МГц) Постоянная времени цепи обрат- тк 300 (10) I 0
ной связи на высокой частоте (f = 2 МГц), пс Емкость коллекторного перехода (f —2 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (/=2 МГц), пФ Обратный ток коллектора, мкА: 7=7mtn - 25 °C 2Т602А. 2ТС02Б, 2Т602АМ, 2TG02BM КТ602А, KTG02B, КТ602АМ, К Г002БМ 7 =85 °C КТ602А, КТ602Б, КТ6О2АМ, К ГоО2БМ 7=125 °C 2TG02A, 2TG02G, 2TG02AM, 2Т602БМ Обратны}) ток коллектор — эмиттер (/?53=zl0 Ом), мкА* Т ~ 7"rnin 25 'С 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ 2Т002БМ KTbO2A, K.TG025, КТ602АМ, КТ502БМ 7—85 °C КТ602А. КТ002Б, КТ602АМ, КТ602БМ 7=125 °C 2Т602А, 2Т602Б, 2TG02AM, 2Т602БМ Обратный ток эмиттера, мкА Ск Сэ 7КВО 7 как 7эбо 4 1 0 70 1 000 1 00 1 0 1 00 1000 100 50 (50) (120) (120) (100) (100) I 00 1 оо 80 80 0
Предельные
эксплуатационные данные
чгтоянное напряжение коллектор — база1:
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ
у _60 Ч-+100 °C..................... 120 В
Т-в=150°С........................... 60 В
КТ602А, КТ602Б, КТ602АМ, КТ602БМ
Тп^ — 40 ч- +70°C................... 120 В
Т’в=120°С........................... 60 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер * кОм).
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ
Гп = — 60 4- +100 °C......................... Ю0В
Т’„=150°С........................... 50 В
КТ602А, КТ602Б, КТ602АМ, КТ602БМ
Гп = —40 Ч-+70 °C................... Ю0В
Г,, = 120 °C........................ 50 В
Импульсное напряжение коллектор — база1
(т„< 1 мкс, 10):
2Т602А, 2Т602Б, 2Т502АМ, 2Т602БМ
Тп = — 60 ч- +100 °C................ 160 В
Гп=150°С............................ 80 В
КТ602А, КТ602Б, КТ602ДМ, КТ602БМ
Тп = —40 4- +70 °C ................. 160 В
Постоянное .напряжение эмиттер — база 5 В
Постоянный ток коллектора.................. 75 мА
Постоянный ток эмиттера.................... 80 мА
Импульсный ток коллектора (ти^1 мкс,
Q>7)................................. 500 мА
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора:
с теплоотводом2 2Т602А, 2Т602Б,
2Т602АМ, 2Т6О2БМ
Гк ——60 ч-+25 °C.................... 2,8 Вт
ТВ = 125°С.......................... 0,55 Вт
КТ602А, КТ602Б, КТ602АМ, КТ602БМ
Тк=— 40ч- +25°C..................... 2,8 Вт
Гк = 85оС........................... 0,65 Вт
без теплоотвода3 2Т602А, 2Т602Б,
2Т602АМ, 2Т6О2БМ
Т = —60 ч-+25 °C ........................ 0,85 Вт
7"= 125 °C............................... 0,16 Вт
КТ602А, КТ602Б, КТ602АМ, КТ602БМ
7-4=—40 ч-+25 °C........................ 0,85 Вт
Г=85°С.............................. 0,2 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус 45 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда 150°С/Вт
Температура перехода:
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ 150 °C
КТ602А, КТ602Б, КТ602АМ, КТ602БМ 120 °C
Температура окружающей среды:
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ —60-=-+125 °C
КТ602А, КТ602Б, КТ602АМ, КТ602БМ -40 -=- +85 °C
' При Тп выше 70 °C для КТ602А, КТ602Б, КТ602АМ, КТ602БМ
и 100 °C для 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ напряжения ли-
нейно уменьшаются
2 При 7,,>25 °C Рк max [Вт] = (Тп—Тк)/45 (с теплоотводом).
3 При Т>25°С Рк шах [Вт] == (Тп—Т)/150 (без теплоотвода).
Шероховатость поверхности радиатора в месте крепления транзи-
стора в пластмассовом корпусе не меиее 1,5, неплоскостность должна
быть не более 0,02. При креплении транзистора в пластмассовом кор-
пусе к радиатору необходимо применять в качестве прокладки меж-
ду крепящим винтом и корпусом транзистора шайбу 3 (ГОСТ
9649—66). Крутящий момент при прижиме должен быть 60—70 Н-см
(6—7 кгс-см).
КТ611А—КТ611Г
Транзисторы кремниевые планарные п-р-п усилительные. Предна-
значены для усиления и генерирования напряжения в диапазоне вы-
соких частот.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими вы-
водами. Масса транзистора ие более 5 г.
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим
минимальное максимальное а ‘(задемл Ф 03
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/ = |Л2Iэ | 3 40
= 20 МГц) Постоянная времени цепи об- Тк 200 (20)
ратной связи на высокой часто-
те (f=2 МГц), пс Статический коэффициент пере- дачи тока в .схеме ОЭ: h21 Э 40
у__-25 °C KT61IA. КТ611В 10 40
КТ6ИБ. КТ611Г 30 120
Т= 100 °C КТ6ИА, KT61IB 10 80
КТ6ПБ. КТ6ПГ 30 240
у—. 25 °C КТ6ПА, KT61IB 5 40
КТ611Б. КТ611Г 15 120
Напряжение насыщения коллек- тор — эмнттер, В ,7КЭ нас 8
Емкость коллекторного перехо- да (f = 2 МГц), пФ Ск 5 (40)
Обратный ток коллектор— эмит- тер (Ябэ = 0), мкА: 7КЭК
KT6I1A, КТ611Б 100 180
KT61IB, КТ611Г Обратный ток эмиттера, мкА; 7эбо 100 150
КТ6ИА —КТ611Г 100 3
измерения
(20)
(20)
20
20 2
/К (7э)’ мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер 1 (Rea — 1 кОм).
Тп = — 2Ь-т- +юо°с КТ611А, КТ611Б 180 В
КТ611В, КТ611Г 150 В
7’„ = 150оС КТ611А, КТ611Б 90 В
КТ611В, КТ611Г 75 В
Постоянное напряжение коллектор — база1:
Тп = ~25 + 100°С КТ611А, КТ611Б 200 В
КТ611В, КТ611Г 180 В
Гп—150°C КТ611А, КТ611Б 100 В
КТ611В, КТ611Г 90 В
Постоянное напряжение база — эмиттер1:
Тп == —25-? +100 °C КТ611А —КТ611Г 3 В
Тп=150°С КТ611А —КТ611Г 1,5 В
Постоянный ток коллектора Постоянная рассеиваемая мощность кол- 100 мА
лектора:
без теплоотвода 2 Т = 25°С2 0,8 В
Т=100 °C 0,33 Вт
с теплоотводом3 ГК = 25°С* 3 Вт
Тк = 100°С . . . 1,25 Вт
Тепловое сопротивление переход — окружа-
,.,|ггЛя среда...........................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода . ..............
Температура окружающей среды . . .
150°С/Вт
40 °С/Вт
150 °C
—25 4- 4-100 °C
। При повышении температуры пере-
пт 100 до 150 °C напряжение
УОДЗ *
уменьшается линейно. „
у 2 пои температуре окружающей сре-
лы от 25 до 100°C Рк .„ах [Вт] = (150—
__Т)//??•„ с (без теплоотвода).
з При температуре на корпусе от
25 до 100 °C Рк max [Вт] = (150—74)/
п (с теплоотводом).
/<т п. К '
2Т625А-2, 2Т625Б-2, 2Т625АМ-2,
2Т625БМ-2, КТ625А, КТ625АМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п импульс-
Ые- Предназначены для применения в быстродействующих импульс-
ных устройствах, системах памяти ЭВМ герметизированной аппара-
Оформление бескорпусное на кристаллодержателе с защитным
покрытием и гибкими выводами: 2Т625А-2, 2Т625Б-А, КТ625А на
керамическом (1,9X1,9 мм) кристаллодержателе (масса не более
0,015 г); 2Т625АМ-2, 2Т625БМ-2, КТ625АМ. на металлическом (ЗХ
XI мм) кристаллодержателе (масса не более 0,04 г).
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное типовое максимальное 9 ‘(ОЛ) со СО 'сп V '3/
Граничное напряжение (Ти<30 мкс, Q>50), В: 2Т625А-2. 2Т625АМ-2. КТ625А, КТ625АМ 2Т625Б-2, 2Т62БМ-2 (;КЭО гр 40 30 48* 37* 60* 54* 0,01
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер. В: 2Т625А-2, 2Т625АМ-2 2Т625Б-2, 2Т625БМ-2 КТ625А, КТ625АМ С'КЭ нас 0,33* 0,2* 0,49* 0,37* 0. 65 0, 7 I ,2 0, 5 0,05
Напряжение насыщения база — эмиттер, В: 2Т625А-2, 2Т625АМ-2 2Т625Б-2, 2Т625БМ-2, КТ625А, КТ625АМ ^БЭ нас 0,8* 0,8* 0,95* 0,95* I ,2 1.5 0,5 »,05
Статический коэффици- ент передачи тока в схе- ме ОЭ: 2Т625А-2, 2Т625АМ-2 2Т625Б-2, 2Т625БМ-2 КТ625А, КТ625АМ Л21Э 3» 20 20 48* 48* 120 120 200 I 0,5
Модуль коэффициента передачи тока на высо- кой частоте (/ = 100 МГц) | Л21э | 2 3,5» 5,5* 10 0,05
Параметр
Значение Режим измерения
Буквенное о о X о X
обозиаче- q я
иие СО X о X 2 X 5^. со
X X 1 типо макс CD X ь « ф CQ to
;К (;Э)'
Ппемя рассасывания, ис: 2Т625А-2, 2Т625АМ-2 2Т625Б-2. 2Т625БМ-2 КТ625А, КТ625АМ 'рас 15» 15» 30» 48» 60 60 60 0.5 0,05
емкость коллекторного перехода (Л=10 МГц), пФ Ск 5» 7* 9 (10)
Емкость эмиттерного пе- рехода 0=10 МГц), пФ сэ 40» 63* 90 0
Обратный ток коллекто- оа, мкА: и Г=-60 + +25 “С 2Т625А-2. 2Т625Б-2, 2Т625АМ-2, 2Т625БМ-2 Т—125 °C (в составе микросхемы) 2Т625А-2. 2Т625Б-2, 2Т625АМ-2, 2Т625БМ-2 7-=-45 + +85 °C КТ625А, КТ625АМ 'КБО 30 100 30 (60) (45) (60)
Ооратяый ток коллек- тор-эмиттер (Ябэ= oj 2Т625А-2. 2Т625Б-2. 2Т625АМ-2, 2Т625БМ-2: 'кэк
7’ = —60 4- +25 °C Т=125°С (в составе микросхемы) Обратный ток эмиттера. /ЭБО 60 200 (60) (45)
Г=-60 + +25 °C 2Т625А-2, 2Т625Б-2, 2Т625АМ-2. 2Т625БМ-2 Г—125 °C (в составе микросхемы) 2Т625А-2, 2Т625Б-2. 2Т625АМ-2, 2Т625БМ-2 Г=25 °C КТ625А, КТ625АМ 1 00 200 100 5 5 4
Предельные эксплуатационные данные 1
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т625А-2, 2Т625Б-2, 2Т625АМ-2,
2Т625БМ-22
Тк = _60 4- +100 °C............
^к=125°С ...
КТ625А, КТ625АМ
—45+85°С....................
60 В
45 В
60 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?бэ = 5 кОм): КТ625А, КТ62-5АМ . . 40 В
Постоянное напряжение эмиттер — база:
2Т625А-2, 2Т625Б-2, КТ625АМ-2,
2Т625БМ-2............................ 5 В
КТ625А, КТ625АМ................... . 4 В
Постоянный ток коллектора .... 1 А
Импульсный ток коллектора (Ти^5 мкс,
Q> Ю).................................. 1,3 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора:
2Т625А-2, 2Т625Б-2, 2Т625АМ-2,
2Т625М-2 3
Тк = — 60 Ч- +85 °C . . ... 1 В
Г,; = 125°С................ . . 0,2 Вт
КТ625А, КТ625АМ
Тк = —45 ч- +70 °C................... 1 Вт
Т’|( = 85°С.......................... 0,7 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус 50°С/Вт
Температура перехода:
2Т625А-2, 2Т625Б-2, 2Т625АМ-2,
2Т625БМ-2............................ 135 °C
КТ625А, КТ625АМ................... 120 °C
Температура окружающей среды:
2Т625А-2, 2Т625Б-2, 2Т625АМ-2,
2Т625БМ-2............................— 60ч-+125сС
КТ625А, КТ625АМ......................—45 ч- +85 °C
1 В составе микросхемы.
2 Напряжение снижается линейно.
3 При температуре корпуса от 85 до 125 °C Рк max [Вт] =
= (Тп--TI() /Ri' п, к-
hzt3
160
120
100
80
60
60
20
0
//
l.Z
1
0.8
0,6
0,6
0.2
0
UK3nac>B
o.s
0.55
0.5
0.65
0,6
0,35
0,0
-60 -20 ZO 60 TO
ggl _______________1_2з
Ю° !0' IO2 !03 Ufo.xOM
Защитное покрытие транзисторов — эмаль КО-97 (ТУ-6-10-542-75)
и компаунд (ГТ-7 ЫУ0.037.002 ТУ)-
Монтаж транзисторов осуществляется следующим образом: ме-
сто монтажа смачивается спирто-канифольным флюсом (10—30%
канифоли ГОСТ 19113—73, спирта 70—90% ГОСТ 18300—72), затем
укладывается фольга припоя ПОС-61 ГОСТ 1499—70 толщиной
30 мкм, размером 3X3 мм. Температура пайки 200 °C, время пайки
10 с. В момент пайки транзистор притирается к месту монтажа пин-
цетом. Пайка (сварка) выводов допускается ие ближе 2 мм от места
выхода вывода из защитного покрытия.
Статическое электричество не более 1 кВ.
КТ646А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-плаиарный п-р-п усилитель-
ный. Предназначен для работы в усилителях высокой частоты, им-
пульсных и переключательных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора
не более 1 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное 1 максимальное ЦЭ СП b m (7БЭ- в V ‘(е/) Я/ «ч
Напряжение насыщения коллек- тор — эмиттер, В Напряжение насыщения база — эмиттер, В Статический коэффициент пе- ^КЭ иас ^БЭ иас ft2 1 Э 40 1 I , 2 200 (5) 0,5 0,5 (0,2) 0,05 0,05
редачи тока в схеме ОЭ Модуль коэффициента передачи 2 (Ю) (0,03)
тока иа высокой частоте (/= = 100 МГц) Постоянная времени цепи об- Тк 120 (5) (0,05)
ратной связи на высокой часто- те (/ = 5 МГц), пс Емкость коллекторного перехо- да {/=10 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (/=10 МГц), пФ Обратный ток коллектора, мкА Обратный ток эмиттера, мкА Си сэ 'къо ;ЭБО 10 80 10 10 (10) 60 0 4
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение эмиттер — база 60 В
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер:
R 6, == О............................ 60 В
#оэ=1 кОм............................ ,50 В
Постоянное напряжение база — эмиттер 4 В
Импульсное напряжение база — эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора.............. 0,5 А
Импульсный ток коллектора .... 0,7 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора ............................... 1 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность кол-
лектора ................................
Температура окружающей среды
1,2 Вт
—45 4- 4-85 °C
2Т653А, 2Т653Б
Транзисторы кремниевые планарные п-р-п переключательные
Предназначены для работы в ключевых и линейных преобразовате."
лях и вторичных источниках питания.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими
выводами. Масса транзистора не более 2 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное I типовое максимальное Я *(я^л) емл о Л ю £ уи '(€/) Я у /Б» мА 1
Граничное напряже- ние (та С 300 мкс, Q>!00), В: 2Т653А 2Т653Б УКЭО гр 120 100 150* 130» 170* 140» (30)
Напряжение насыще- ния коллектор—эмит- тер, В ^КЭ нас 0,3* 0,35* 0,5 150 15
Напряжение насыще- ния база—эмиттер, В С'ВЭ иас 0,8* 0,85* 1,1 150 15
Статический коэффи- циент передачи тока в схеме ОЭ: Г=25 °C 2Т653А 2Т653Б Л21 Э 40 80 100* 150* 150 250 (10) (150)
Значение Режин измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное типовое максимальное! _ 1 5^ СП CQ 2 Е "г? X /5, мА
7=125 °C 2Т653А 2Т653Б Т = -60 °C 2Т653А 2Т653Б Граничная частота коэффициента пере- дачи тока в схеме ОЭ*» МГц Время включения, мкс Время выключения, мкс Емкость коллектор- ного перехода (J— = 10 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода* = = 0.3 МГц), пФ Пробивное напряже- ние коллектор—эмит- тер (/?бэ 3 кОм), В Обратный ток кол- лектор — эмиттер (Ябэ -X 3 кОм), мкА: Г==—60 ~ +25 °C 2Т653А 2Т653Б Г—125 сС Обратный ток эмит- тера, мкА frp 'вкл ^выкл Ск сэ иКЭК проб ZK3R /ЭБО 40 80 15 15 50 0,018» 0,4» 6,5» 35 130 120 0,05* 0,58* 10* 40 [60* 0,1 * 0,5* 0,08* 300 500 1 60 250 I 80 0,1 I 20 80 200* 10 10 30 0, I (10) 100 100 (10) С'КЭО гр 0,5 5 (25) 200 200 0,1 40 40
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база1 130 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер ' <3 кОм)....................... 1,30 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 7 В
Постоянный ток коллектора.................... 1 А
Импульсный ток коллектора (тя^10 мс,
<?>2)........................................ 2 А
Постоянный ток базы......................... 0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора:
с теплоотводом Тк = —60->+40°С . . 5 Вт
Тк = 85°С............. 3 Вт
без теплоотвода Т——60 — +25 °C . . 0,8 Вт
Температура перехода.................... 150 °C
Тепловое сопротивление переход — корпус 25°С/Вт
Температура окружающей среды ... от —60 °C до
Тк = 125 °C
1 Допустимая скорость иарастаиия
1600 В/мкс.
напряжения dU/dt-^
При эксплуатации и монтаже должны быть приняты меры, исклю-
чающие воздействие статического электричества выше 1 кВ.
КТ902А
Транзисторы кремниевые меэапланарные п-р-п генераторные,
•фсдназначены для применения в усилителях мощности КВ диапазо-
На при напряжении питания 28 В.
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Масса транзи-
стора не более 25 г
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное максимальное g ‘(змл)е>1л LQ СП ZK (zb) А
Выходная мощность (/=10 МГц), Вт р вых 20 28
Коэффициент усиления по мощ- *Ур 7 28
иости (/=10 МГц, Рвых = 10Вт) Статический коэффициент пере- ft21 Э 15 10 2
дачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения коллек- тор — эмиттер, В Прямое напряжение база—эмит- ^КЭ нас ^БЭО 2 2 10 2(0,4) 2
тер, В Модуль коэффициента передачи Ih21э 1 3,5 10 I
тока на высокой частоте (f= = 10 МГц) Обратный ток коллектора. мА Обратный импульсный ток кол* лектор — эмиттер (/?бэ=50 Ом), мА Обратный ток эмиттера, мА ;КБО 1 и, КЭЛ Аэбо 10 60 100 70 110 (имп ) 5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
(ТП<125°С)1........................ . 65 В
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (Лба <50 Ом, ти<15 мкс, TnsC 125 °C)1 110 В
Постоянное напряжение эмиттер — база
(Г„<125°С)‘................................ 5 В
Импульсное напряжение эмиттер — база
(ти=<40 мкс)............................... 8 В
Постоянный ток коллектора .... 5 А
Постоянный ток базы ... . . 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора 2 (Тк<50 С)......................
т пповое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ....................
Температура корпуса . ..............
Температура окружающей среды . . .
30 В
3,3 °С/Вт
150 °C
125 °C
от —60 °C до
Тк=125 '’С
1 Пои Т’п>125°С напряжение снижается линейно
у =150 °C
ЧеНИ2ЯГфи Тк>50°С Рк max 1Вт] = (150-Тк)/3,3.
до 0,5 зиа
Пайка выводов допускается на плоской части выводов транзисто-
и осуществляется в течение не более 10 с. Температура плавле-
ния припоя, применяемого для пайки, не должна превышать 250 °C.
Необходимо осуществлять теплоотвод между корпусом транзисто-
ра и местом пайки. Запрещается кручение выводов вокруг оси. Изги-
- г-------- кота-i’ouno оипллл, ив ДОПуСКЭЮТСЯ.
бы и боковые натяжения выводов
2Т903А, 2Т903Б,
КТ903А, КТ903Б
Транзисторы кремниевые мезаплаиариые п-р-п генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности н автогене-
раторах.
Корпус металлостекляиный с жесткими выводами. Масса транзи-
стора не более 24 г.
__ические параметры
Электрид______________
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное Я со а (Ъ Ь V ‘(9/) ^7
мощность (/= BbS МГц. 7’к=50°С), Вт ^^Аыпиент усиления по ЙатиТеекий коэффициент передачи ЖзАСХеМе КТ903В Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В. “ 2Т903А. 2Т903Б КТ903А, КТ9ОЗБ Напряжение насыщения ба- ₽вых 10 30
кУр 3 30
Л21Э УКЭ нас С'БЭ иас 15 40 70 180 2 2,5 2 10 2 2(0,4) 2 (0,4)
за—эмиттер, В Прямое напряжение база — ^БЭ 10 2
эмиттер, В, 2Т903А, 2Т903В КТ903А, КТ903Б Модуль коэффициента пере- |Л21э| 4 2, 5 3 10 0,5
пачи тока на высокой часто-
те (/=30 МГц) Постоянная времени цепи тк 500 (30) 0,1
обратной связи иа высокой частоте (f=2 МГц), пс Емкость коллекторного пе- ск 50» 180 (30)
рехода (f=2 МГц), пФ
Обратный ток коллектор — эмнттер, мА: 7=25 °C (/?бэ = 100 Ом) ZK3R
2Т9ОЗА, 2Т903Б КТ903А, КТ9ОЗБ 7=85 °C (Ябэ=0 Ом) КТ903А, КТ903Б 7= 125 °C (Ябэ=0 Ом) 2Т903А, 2Т903Б 2 10 30 70 70 60
10 60
Обратный ток эмиттера, мА: ^ЭБО 30
2Т903А, 2Т903Б
КТ903А, КТ903В 5D
Индуктивность эмиттерного вывода*, нГи I 0
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер (/?бЭ^100 Ом)1’2....................... 60 В
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
теР (ЯбэСЮО Ом, тя<1 мкс, 100)' . 80 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 4 В
Постоянный ток коллектора .... ЗА
Импульсный ток коллектора:
Ти^1 мкс, Q^rlOO................... 10 А
т«^10 мкс, Q>= 10......................... 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора:
2Т903А, 2Т903Б (7'K=g50°C)1 2 3 . . . .
КТ903А, КТ903Б (ТК<25°С)4 . . .
Импульсная рассеиваемая мощность кол-
лектора (ти<10 мкс, Q^IO, 1/кэ =^30 В):
2Т903А, 2Т903Б (Тк<50°С) . . . .
КТ903А, КТ903Б (7К^25 °C) . . . .
Температура перехода:
2Т903А, 2Т903Б.......................
КТ903А, КТ903Б.......................
Температура корпуса:
2Т903А, 2Т903Б.......................
КТ903А, КТ903Б.......................
Температура окружающей среды:
2Т903А, 2Т903Б.......................
КТ903А, КТ903Б.......................
1
30 Вт
30 Вт
60 Вт
60 Вт
150 °C
115 °C
125 “С
85 °C
от —60 °C до
7% = 125 °C
от —40 °C до
Тк = 85°С
1 При Тп>70°С (КТ903А, КТ903Б), Тп>100°С (2Т903А,
2Т903Б) (/КЭтах снижается на 10% на каждые 10 °C.
2 При работе в ВЧ генераторах и усилителях с АМ допускается
мгновенное значение напряжения звуковой частоты до 70 В.
3 При Гк>50°С Рк max [Вт] = (150—Тк)/3,33.
4 При Тк>25°С Рк шах [Вт] = (115 —Тк)/3.
Допускается пайка только к плоским частям выводов паяльником
50—60 Вт в течение не более 10 с с теплоотводом между корпусом
и местом пайки.
2Т908А, КТ908А, КТ908Б
Транзисторы кремниевые мезаплаиариые п-р-п переключательные.
Предназначены для работы в ключевых стабилизаторах и преобразо-
вателях напряжения, импульсных модуляторах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора без накидного фланца не более 22 г.
Масса накидного фланца ие более 10 г.
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим
минимальное типовое максимальное ^КЭ (УКБ), i 2 о (TJ Ъ / V '(sr)
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В: ^КЭ нас
2Т908А, КТ908А 1.5
2Т908А 0,8* 5(1) 4 (0,4)
КТ908Б 1
Напряжение насыщения ба- за — эмиттер, В: ^БЭ нас 0,7*
2Т908А, КТ908А, КТ908Б 2,3 0(2) 5 (I)
2Т908А 1.6*
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Л21Э
Тк = 25 ’С 2Т908А, КТ908А 8 60 2 10
КТ908Б 20 4 4
7-к=—60 °C 2Т908А. КТ908А 6 60 2 10
КТ908Б 10 4
Отношение статического ко- эффициента передачи тока в схеме ОЭ при 7’к = 125°С h2iэ ПР“ 1 25° С
h21 э при 25° С
к статическому коэффициен- ту передачи тока при Тк —
= 25 °C-
2Т908А 3 2 5
КТ908А 5 2 5
КТ908Б 3
Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой ча- |ft2 1 э| 10 1
стоте (/=10 МГц):
2Т908А
КТ908А, КТ908Б
Время включения*, мкс *вкл 0. 1 0,2 0,3 5(1)
Время рассасывания*, мкс ^рас 0.6 2 2,6 5(1)
Время спада*, мкс *сп 0,1 0,2 0,3 511)
Емкость коллекторного пере- хода <f=0,3 МГц), пФ Ск 500* 700 (10)
Обратный ток коллектор — эмиттер, мА: 1 кэя
TK=60—25 °C 2Т908А, КТ908А (Ябэ= = 10 Ом) 25 50 100 60
КТ908Б («бэ = 250 Ом) 7'к=125°С (R6a=I0 Ом) 2Т9О8А КТ908А 50 75 150 80 80 60
КТ908Б 1 ЭБО 300 5
Обратный ток эмиттера, мА J
едьные эксплуатационные данные
ЯР^гтпяиное напряжение коллектор — эмит-
60 4- 4-100 °C):
те£Т908А, КТ908А (/?вэ=Ю Ом) . . .
КТ908Б (Ябэ = 250 Ом).................
Постоянное напряжение коллектор — база*
Постоянное напряжение база —эмиттер
Постоянный ток коллектора . . . .
Постоянный ток базы ......
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора2 (Тк=—60 4-4-50 °C) . .
Температура перехода ...................
Температура корпуса ....................
Температура окружающей среды
100 В
60 В
140 В
5 В
10 А
5 А
50 Вт
150 °C
125 °C
от —60 °C до
Тк=125 °C
При температуре перехода от 100 до 150 °C ПКЭЛтах и
^квотах 1$)• снижаются линейно иа 10% иа каждые 10°C. Тем-
пература перехода рассчитывается по формуле:
уп = 7'кп, к (Рк 4-гДе ^к, рэ —мощности, рассеива-
емые коллектором и эмиттером.
2 При Тк>50 С Рк max [Вт] = (Гц—Тц) /Вт п, к, где Вт п, к—
определяется нз области максимальных режимов (например, при
Укэ =10 В, /к =5 А, Вт п, к = 2°С/Вт).
При эксплуатации транзисторов в условиях механических воздей-
ствий их необходимо крепить за корпус. Механические усилия иа вы-
воды транзисторов в контактном приспособлении при испытаниях и
измерениях параметров не должны превышать 2 кг в осевом и 350 г
в перпендикулярном направлениях к оси вывода.
Допускается производить распайку паяльником, нагретым до тем-
пературы не более 275 °C в течение 3 с иа расстоянии не менее 6 мм
от корпуса транзистора.
В импульсных устройствах допускают-
ся перегрузки по мощности рассеивания до
400 Вт в момент переключений. При этом
Длительность перегрузки должна быть не
более 0,5 мкс (по уровню 0,5), частота пе-
регрузок не более 5 кГц, Гк^90°С. При
запертом транзисторе в импульсных уст-
ройствах допускается использование тран-
10ПГц>а С напРяжением источника питания
100 (напряжение иа транзисторе
«±3 Б> длительность импульса ^3 мкс,
«важность 2г 25). При пусковых переход-
кол пР°Цессах допускается импульс тока
т„.л!КТ0Ра длительностью г£5 мкс, ампли-
УДои С30 А (импульс тока базы ^10 А).
2Т912А, 2Т912Б,
КТ912А, КТ912Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усили-
тельные. Предназначены для применения в линейных усилителях
мощности на частотах 1,5—30 МГц при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с жесткими выводами. Внутри
корпуса имеется полупроводниковый диод — датчик температуры.
Масса транзистора не более 45 г.
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режнм
минимальное типовое максимальное 9 J 9 7 V ‘(ап1) *1
Выходная мощность (в пике огибающей двухтонового Рвых (по) 70 27
сигнала) (/=30 МГц), Вт Коэффициент усиления по мощности (/=30 МГц, кУр 10 13» 27
Рвых (по) = 70 Вт) Коэффициент полезного дей- ствия коллектора (/ = «=30 МГц, Рвых (по) = 70 Вт, % % 50 80* 27
Коэффициент комбинацион- ных составляющих третьего порядка (двухтоновый сиг- Aft -30» -28» — 25 27
нал /=30 МГц. Рвых (по)= =60 Вт), дБ Статический коэффициент Л21 Э
передачи тока в схеме ОЭ: 20»
2Т912А, КТ912А 10 50 I 0 5
2Т912Б, КТ912Б 20 28* 100 10 5
Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой часто- | л 21 э | 3 5,5* 7,5» 10 3
те (/=30 МГц) Обратный ток коллектор — 'кэя
эмиттер (Рбэ= 10 Ом), мА: 50
7 = 25 °C 2* 70
7=85 °C KT9I2A, КТ912Б 75 70
7= 125 °C 2Т912А, 2Т912Б /ЭБО 75 70
Обратный ток эмиттера, мА 24» 250 5
Постоянный обратный ток диода, мА Постоянное прямое напря- жение диода, В ^обр 0,3 1 1 (5) (0.02)
Упр
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (floats 10 Ом):
2Т912А, 2Т912Б ТП=125°С .... Тп=150°С .... 70 В 35 В
КТ912А, КТ912Б ТК = 75°С .... 70 В
ТК = 85°С .... Импульсное напряжение коллектор — эмит- тер (1/эб=-1,5 В): 56 В
2Т912А, 2Т912Б ТП<125°С .... 80 В
Тп = 150°С .... 60 В
КТ912А, КТ912Б ТК<75°С .... 80 В
Тк = 85°С .... 60 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 5 В
Постоянный ток коллектора .... 20 А
Постоянный ток базы 10 А
..«я пассеиваемая мощность в динами-
Som режиме (^кэ ^28 В, Тк<85°С')
— корпус
Тепловое сопротивление переход
Температура перехода . . .
Температура корпуса:
2Т912А, 2Т912Б ....
КТ912А, КТ912Б ....
температура окружающей среды:
2Т912А, 2Т912Б ....
КТ912А, КТ912Б ....
35 Вт
1,42 °С/Вт
150 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
Тк=125°С
от —45 °C до
Тк = 85 °C
। При Тк>85°С для 2Т912А, 2Т912Б Рк» ср шах [Вт] = (150 —
— Гк)/1Л2.
Допускается производить пай-
ку выводов иа расстоянии не ме-
нее 2 мм от корпуса паяльником,
нагретым до температуры 250 °C
в течение ие более 10 с. Допуска-
ется пайка выводов на расстоя-
нии меиее 2 мм от корпуса тран-
зистора и в том случае, если обес-
печен отвод тепла от корпуса, при
котором температура корпуса ие
превышает 125 °C. Диод включа-
ется в устройство в прямом на-
правлении и служит датчиком
температуры корпуса.
2Т920А—2Т920В, КТ920А—КТ920Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности, ум-
ножителях частоты и автогенераторах на частотах 50—200 МГц при
напряжении питания 12,6 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Масса
транзистора не более 4,5 г.
Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба и пайки
вывода не более 3 мм. Пайка выводов должна производиться при
температуре не выше 250 °C в течение не более 5 с.
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное 0> 0 ю о с максимальное Я ‘(д^) емп д ‘зел £ «ч А
пмходиая мощность ^175 МГц, 40’С), ^вых 12,6
В2Т9О2А, КТ920А 2Т920Б КТ920Б 2Т920В. КТ920В КТ920Г 2 7 5 20 1 5
КоэфФп!1Неит усиления по мощности (f= «175 МГц): 2Т920А, КТ920А (Рвых=2 Вт) 2Т92ОБ, КТ920Б (Рвых = 5 Вт) 2Т920Б (Рвых=7 Вт) 2Т92ОВ, КТ920В <Рвых=20 Вт) КТ920Г (Рвых=15 Вт) Кур 7 6 4 3 3 12* 9* 8* 4» 35* 12* 11* 5* 12,6
Коэффициент полезного действия коллектора, %: 2Т920А — 2Т920В КТ92ОА — КТ920Г % 60 55 70* 12,6
Статический коэффици- ент передачи тока в схе- ме ОЭ*: 2Т920А 2Т920Б 2Т920В h213 10 10 10 30 40 25 100 100 100 5 5 5 0,05 0,1 0,25
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер", В: 2Т920А 2Т920Б 2Т920В ^КЭ нас о,1 0,1 0,15 0,3 0,4 0,45 0,75 0,75 0,81 0,05 0,1 0,25 0,01 0,02 0,05
Модуль коэффициента передачи тока на высо- кой частоте (f-100 МГц): 2Т920А, КТ920А 2Т920Б, КТ920Б 2Т920В, КТ920В КТ920Г 1 Н21 э | 4 4 4 3,5 7,5* 7* 4,5* 4* 9" 12* 7» 10 10 10 10 0,2 0,4 1 1
Критический ток коллек- ТОР? </=100 МГц), А: 2Т920Д, КТ920А 2Т920В, КТ820Б в’ КТ92°В п°С™яина« времени це- обратной связи иа вы- „°кои частоте 0=5МГц), 2Т92ОА, 2Т920Б 2тХп°^’ KT920R' 21920В KT92OR ^КТ920Г К1J20B’ тк 0,8 1,5 4,5 4 5’ 4" 1* 2* 7* 7* 9* 20 20 10 10 10 0,03 0,15
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение
минимальное типовое максимальное ^кэ (укб), в К)
Емкость коллекторного перехода (/=5 МГц), пФ: 2Т920А, КТ820А 2Т920Б, КТ920Б 2Т920В, КТ920В, КТ920Г Емкость эмиттерного пе- рехода (/=5 МГц), пФ: 2Т920А 2Т920Б 2Т920Г Обратный ток коллек- ток — эмнттер (^бэ= = 100 Ом). мА: Г==25 °C 2Т920А 2Т920Б, КТ920А 2Т920В КТ820Б КТ920В. 2Т920Г 7=125 °C 2Т920А 2Т920Б 2Т920В Обратный ток эмиттера, мА: 2Т920А, 2Т920Б 2Т920В Индуктивность эмиттер- ного вывода ({=1 мм)*, нГн: 2Т920А, КТ920А 2Т920Б, КТ920Б 2Т92ОВ, КТ920В, КТ920Г Индуктивность коллек- торного вывода (Z= = 1 мм)*, нГи Индуктивность базового вывода (7=1 мм)*, нГн: 2Т920А 2Т920Б 2Т920В Емкость эмнттер — кор- пус*, пФ Емкость коллектор — корпус*, пФ Емкость база — корпус*, пФ ск Сэ 1КЭИ 'ЭБО Ч S, Ч Сэн Скк сбк 8* 12* 40* 36* 81* 230* 10» 16» 50» 45» 95* 350* 0,1* 0,25* 1.0* 1,7 1,2 1 2,4 2,9 2, 6 2,4 1,84 1,53 0,96 15 25 75 55 100 410 1 2 5 4 7,5 2 4 Ю 0,25 2 (Ю) 36 4
|>)tbie эксплуатационные данные
„явное напряжение коллектор — эмит-
[/?6,<100 Ом).....................
оянное напряжение эмиттер — база
оянный ток коллектора:
)20А, КТ920А......................
)20Б, КТ920Б......................
)20В, КТ920В, КТ920Г..............
льсиый ток коллектора (тя^20 мкс,
Ю):
)20А, КТ920А......................
)20Б, КТ920Б .... . .
120В, КТ920В, КТ920Г..............
эянный ток базы:
>20Ал КТ920А . . . . . .
120Б, КТ920Б......................
120В, КТ920В, КТ920Г..............
льсный ток базы (Ти^Ю мкс,
3):
I20A, КТ920А ... . . .
120Б, КТ920Б......................
120В, КТ920В, КТ920Г..............
1яя рассеиваемая мощность в дниами-
м режиме (7’К^5О°С)!:
I20A, КТ920А ... . . .
•20Б, КТ920Б................
120В, КТ920В, КТ920Г . . . .
)вое сопротивление переход — корпус:
I20A, КТ920А......................
20Б, КТ920Б . . . . . .
>20В, КТ920В, КТ920Г..............
:ратура перехода..................
гратура корпуса:
»20А—2Т920В ... . . .
IKT920A—КТ920Г.......................
Температура окружающей среды:
2Т920А—2Т920В . ..............
КТ920А — КТ920Г......................
•ння
36 В
4 В
0,5 А
1,0 А
3,0 А
1,0 А
2,0 А
7,0 А
0,25 А
0,5 А
1,5 А
0,5 А
1,0 А
3,5 А
5 Вт
10 Вт
25 Вт
20 °С/Вт
20 °С/Вт
10 °С/Вт
150 °C
125 °C
85 °C
от —60 до
Тк = 125 °C
от —45 °C до
Ти=85°С
<
4
' При Т„>50°С Рк max [Вт] ==(150 — Tk)/Rt п к.
Р8М’вТ
2Т921А, КТ921А, КТ921Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усили-
тельные. Предназначены для применения в линейных усилителях
мощности КВ н УКВ диапазонов при напряжении питания 27 В.
Корпус металлокерамический с жесткими выводами и монтажным
винтом. Масса транзистора не более 6,5 г.
параметры
Значение Режим измерения
о О о -
Параметр Буквенное обозиаче- н ие миннмальнс о О я о Е максималы со 5 2d CQ £С СП
ВЫ.«^ая> “0ЩИ0СТЬ (/ = мГн). Ет р вых 12,5 27
. ^„„«еит усиления по Коэффициент j м°ЩНОС,2 5 Вт): PE2T92iA.’ КТ921А КТ921Б Л’Ур 8 5 27
КоэФФ1|Нпент полезного \Ат0Ня коллектора (/= 1мСМГт. Р»ыт=12.5 Вт), % 27
%2Т921А. КТ921А КТ921Б 50 40 65* 76*
Коэффициент комбинацион- ных составляющих третьего порядка (двухтоновый сиг- нал, f = 60 МГц, Рвых (on) = м, — 40* — 33* — 30 27
= 12,5 Вт), дБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ h2 1 Э 1 0 45* 80 10 1
Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой часто- те (/=30 МГц) | Л21э J 3 7,5» 10, 5* 10 0,4
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/ = 10 МГц), пс тк 22 10 1
Емкость коллекторного пе- рехода (/=10 МГц), пФ Ск 40* 50 (20)
Емкость эмиттерного перехо- да (/=10 МГц), пФ: 2Т921А КТ921Д, КТ921Б Сэ 300» 2 1 0 4 50 3 3
Обратный ток коллектор — “г!”/» <^6э=Ю Ом), мА: Т’ = 125"С 1 КЭЛ 1 * 1 0 50 70 65
Обратный ток эмиттера, мА ;ЭБО 2* 20 4
Индуктивность эмиттерного вывода», нГц ч 3
Индуктивность коллектор- ного вывода*, нГн Lk • 3,5
водДаУ*КТиГн°СТЬ бгзовог° вы‘ La 3,5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер 10 Ом):
ТП = 125°С..........................
Т„ = 150°С..........................
Импульсное напряжение коллектор—эмит-
тер (^Кэ = — 1,5 В):
65 В
32 В
Т„^125°С.................. . .
Т„=150°С...........................
Постоянное напряжение эмиттер — база .
Постоянный ток коллектора , . . .
Постоянный ток базы ... . .
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Тк с7 75 °C1 2, Нкэ SJ28 В)
Тепловое сопротивление переход—корпус
Температура перехода ..............
Температура корпуса ...............
Температура окружающей среды:
2Т921А.....................
80'В
60 В
4 В
3,5 А
1,0 А
12,5 Вт
6 °С/Вт
150 °C
125 °C
КТ921Л, КТ921Б
от —60 до
Т„=125°С
от —45 °C до
ТК = 125°С
1 При Т„>75°С Рк, ершах [Вт] = (150 — Тк)/6.
Пайку выводов допускается производить иа расстоянии не менее
2 мм от корпуса транзистора паяльником, нагретым до температуры
250 °C, в течение не более 3 с. Допускается пайка выводов на рас-
стоянии менее 2 мм от корпуса при условии, что температура кор-
пуса не превышает 100 °C.
3 Ю 15 20
О
1
2 в
JO >
2Т922А—2Т922В, КТ922А—КТ922Д
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности, ум-
иожителях частоты и автогенераторах иа частотах выше 50 МГц при
напряжении питания 28 В
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и монтаж-
ным винтом. Масса транзистора не более 4,5 г.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от кор-
пуса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и гер-
метичности транзисторов. Пайку производить при температуре ие вы-
ше 270 “С в течение времени не более 5 с.
.„гские параметры
— Параметр Б> квеипое обозначе- лис Значение Режим из*. срсш'я
о с г; 23 са <
„,,,ая мощность (/ = ^5°ДМГЩ Г« = «'С1. Вт Lt922A КТ922А 2Т922Б- КТ922Б КТ922Г КТ922Д „ ЛТ922В, 1\ТЭ22В Коэффициент усиления по «О№-Чт''Л;‘7а5 МГц) ?T922V КТ922А (Рюих=5 Вт) 2Т922Б, КТ922о (Рпит=20 Вт) ]ЧТ922Г (Гвих=17 Вт) КТ922Д (/’»Ь1х = 35 Вт) 2Г922В. КТ922В (Рвих=40 Вт) Коэффициент полезного дей- ствия коллектора, % 2Т922А — 2Т922В КТ922А-КТ922Д Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ* 2Т922А 2Т922В 2Т922В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер*, В 2Т922А 2Т922Б 2Т922В Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой ча- стоте (/= 100 МГц). 2Т922А, КТ922А 2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г 2Т922В, КТ922В КТ922Д Критический ток коллектора </=100 МГц), А 2Т922А. КТ922А КТ922Г 2Т922Б, КТ922Б КТ922Д 2Т922В, RT922B Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/ = 5 МГц), пс- 2Т922Л, КТ922А Ц 2Т922Б. К1922Б. КТ022Г 2Т922В, КТ922В, КТ922Д ’чкость коллекторного пере- хода (/ = 5 МГц) пф- 2Т922А, КТ922А КП922Б, КТ922Г 2Г922В КТ922В, КТ922Д ^ВЫ\ кУр ”к Л2 1 Э иКЭ нас 1 h21э 1 7кР тк Ск 20 1 7 35 40 I 0 5,5 5 3, 5 4 55 50 1 0 1 0 1 0 0,15 0,15 0,15 3 3 3 2 , 5 0, G 1 , 8 2 , 0 4 , 5 5 , 0 5* 6* 6* 5* 1 5* 40* 2.9 * 10* 6* 65* 50 50 50 о.з 0,35 0 1 6,5* 4 , 3* I ,2* 3,0* 6, 5* 7,5* 8* 20* 8* 20* 50* 30* I 5* 9* 150 1 50 150 0 , 55 0 . 7 0,6 10* 9* 6* 1 , 3* 4,0* 8,0* 20 20 25 1 5 35 65 2S 28 5 5 1 0 Ю 1 0 1 0 ] 0 1 0 1 0 1 0 (28) 0 , 1 0,25 0 , 5 0, 1 0, 25 0 , 5 0,02 0,05 0. 1 0,4 1 . 5 3 , о 3 , 0 0 , 04 0,15 0,3
рвм>Вт
70
60
50
60
30
20
70
1Z0
100
60
60
40
Zff
о
15 20 25 30 UK3,B
2Т926А, КТ926А, КТ926Б
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р~п импульсные. Пред-
назначены для работы в импульсных модуляторах.
Корпус металлокерамический. Масса транзистора не более 20 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное максимальное а ‘(езл) е>1л &
Напряжение насыщения коллек- тор — эмнттер, В: ^КЭ пас 15
2Т926А, КТ926А 2.5 3
2Т926А 0,4* 0.5* I * 15 2
KT92GB Напряжение насыщения база — эмнттер, В' иБЭ нас 2,5 2,5 10 3 1,5
2Т926А, КТ926А 15
КТ926Б 2.5 10 1.5
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ (ти=500 мкс, 50): Л21Э
Та = 25 °C 2Т926А 1 2 60 7 15
КТ926Б 1 0 60 7 15
КТ926А 1 0 60 5 5
7'к= 100 °C КТ926А, КТ926Б 200 5 5
=== Th mln 2Т926А 5 60 7 15
КТ926А 8 60 7 I 5
КТ926Б 8 60 5 7
Отношение статического коэффици- Л21Э(125°С)/Л21Э(25°С)
®нта передачи тока в схеме ОЭ при '« = 125 °C к статическому коэффи- циенту при Гк«25 °C: 15
2Т926А 3 7
Модуль коэффициента передачи т°ка на высокой частоте (f — ( ft2 1 э | 1 ,7 10 I
МГц> у^ратный ток коллектор — эмиттер U?6a=;io Ом), мА: /КЭЙ
'« = Тц mln 4-25 °C 0, 1* 25 150
—Т'к шах °Ратный ток эмиттера, мА 0,2* 80 1 20
ЛэБО 300 (5)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер 1 (РбЭ= 10 Ом) Импульсное напряжение коллектор—эмит- 150 В
тер (тн<0,5 мс, <2 >50) 200 В
Постоянное напряжение база — эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора .... 15 А
Импульсный ток коллектора (тв<0,5 мс, <2>50) 25 А
Постоянный ток базы 7 А
Импульсный ток базы (ти^0,5 мс, <2>50) 12 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол- лектора2 (Тк = Ткт1п — 50 °C) . . . . 50 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность 2Т926А (т„^0.5 мс, <2 >50, Тк = 25—80 °C) 450 Вт
Температура перехода 150 °C
Температура корпуса 125 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус (U кэ В, /к 5 -А.) 2 °С/Вт
Температура окружающей среды: 2Т926А от —60 °C до
7% = 125 °C
КТ926А, КТ926Б от —45 °C до
7% = 100 °C
1 7’п^100°С, НКЭтах [В] в диапазоне температур перехода
от 100 до 150 °C уменьшается линейно на 10% па каждые 10 °C.
2 При Т'к>50°С Рк max [Вт] — (Tn—1\)/RT и, к, где Ртп.,,
определяется из области максимальных режимов (например, при
Пкэ=10 В и 7К=5 A, RT п, к = 2°С/Вт).
При конструировании схем следует учитывать возможность само-
возбуждения транзисторов за счет паразитных связен. Крепление
транзисторов к панели осуществлять с помощью гайки. Осевое усилие
иа винт должно быть не более 120 кг. Допускается распайка транзи-
сторов паяльником с температурой 275 °C в течение 3 с на расстоянии
не менее 2 мм от корпуса транзистора.
О 30 60 30 ию,в
UfWmax» &
Сп,пФ
2 T325fi
т:иЧОмкс,
О 200 tfOO 600 Ох., Ом
7 я -
к,и max г °'
wod
воо
600
чГ
‘too
200
1MKG,
100Mh С,
0’10 0’50
5ъ
1011мг
Q40
Q--100 iM/fc'.
25 50 75 Гк, °C
КТ927А—КТ927В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п
тельные. Предназначены для применения в линейных усилит 1И’
мощности на частотах 1,5—30 МГц при напряжении питания 28ЛЯХ
Корпус пластмассовый с о,.............
и
жесткими выводами и монтажным в °
полупроводниковый диод — датчик т""
не более 10 г. ем
том Внутри корпуса имеется
пературы. Масса транзистора
21,3
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
ч> с л С5 X ? а> о ГЕ С н максимальное СО CD * 2d сп сд сп CD 'к ('в), А
Выходная мощность (/'== = 30 МГц). Вт О,Ых 75 28
Коэффициент усиления по мощности (f = 30 МГц, Рвых(по ) = 75 Вт) Ку р 13.1 14.5* 16* 28
Коэффициент полезного действия коллектора (/ = = 30 МГц, Putjji (по) = 75 Вт), % 1 0 50* 5 2 * 28
Коэффициент комбинацион- ных составляющих третьего порядка (двухтоновый сиг- нал) иа f = 30 МГц, Р»ых (по) = 75 Вт .19* 32* — 30 28
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: '41Э
КТ927А 1 5 30* 50 6 5 с
КТ927Б 1 :> ш* 75 6 к
КТ927В 40 G0* 1 00 6
Напряжение насыщения кол- лектор — эмиттер. В ^КЭ пас 0,35* 0,5* 0.7 10
Параметр Буквенное обозннче ние Значение Режим изме]
3 F 3 о 0 о Е Н максимальное ^КЭ<иКБ)- В g ,дел
-—- МоДуль коэффициента пере- ' . Тока на высокой часто- те (/=30 МГц) 1 "21Э 1 3,5 5,0* 7,0* 28
ёмкость коллекторного пере- хода МГц), пФ гмкость эмиттерного перехо- Ск I 20* 150* 190 (28)
Q 17 00* 2300* 2850
па 0=10 МГи)’ пф Активная составляющая пол- ного входного сопротивления (^=30 М^Ц, Рвых = 75 Вт). /1ц 2,65* 28
Ом 'кэк
Обратный ток коллектор — эмиттер — 0), м\
7=25 СС 4* 40 70
7=125 'С 1 20 65
Обратный ток эмиттера, мА 'ЭБО 0,1* 40 3,5
Прямое напряжение диода (/пр==10 мА), В ^пр 0,6* 0,7 0,8
'к('б)-
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?бт = 0) .... , .
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер (Ябэ=оо) .... . .
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора
Прямой ток диода ...
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Л. 75 СС1) . . . .
Тепловое сопротивление переход—корпус
Температура перехода . . . . .
Температура корпуса . . .
Температура окружающей среды . . .
70 В
35 В
3,5 В
10 А
30 А
100 мА
83,3 Вт
1,5°С/Вт
200 °C
150 °C
от —60 °C до
Гк=150 °C
1 При Г,t>75 °C Рк ср max (200—{Вт].
0 5/0/5 20 1м,мЯ
г
2Т928А, 2Т928Б, КТ928А, КТ928Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п импульс-
е Предназначены для работы в импульсных и переключающих
‘’^Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими вы-
,,н Масса транзистора не более 3 г.
воДам
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное типовое макснмальное m lq Ь СП а 'едл 1 к (‘э), мА 2 tQ
Граничное напряжение, В Напряжение насыщения кол- лектор — эмиттер, В: 2Т928А, ST9285 КТ928А. КТ928Б Напряжение насыщения ба- за — эмиттер, В пеТ„а™Ч„еский коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: 7 = 25 °C 2Т928А 2Т928Б, КТ928Б КТ928А К‘928Ь 7=125 "с 2Т928А 2Т928Б Г=~60 °C 2Т928А г 2Т928Б ыентаНаЯ частота коэффн- ехеме ™Р«ДачН тока в МГц: 0Э tf=IOO МГЦ), №28Л- 2Т928Б к28А, КТ928Б УКЭО гр ГКЭ нас ^БЭ иас к21Э ^гр 40 30 50 20 30 50 1 5 25 300 250 0, 17* 0,9* 65* 1 10* I 10* 170* 40* 65* 0,6 1 1 ,5 100 200 1 00 200 400 100 200 (3) 10 (20) 300 300 (150) 50 30 30
Значение Реж -5++нн<> “4
Параметры Буквенное обозначе- ние z> о 'т та X О о я о 1- о X л е; та х та 1а 5^ £ CQ ^бэ- в / уи •(£/) Я/ /£. мА 1 1
Время рассасывания, ис: ^рас 300 30
2Т928А. 2Т928Б КТ928А, КТ928Б Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (f = 10 МГц), пс Емкость коллекторного пере- хода (f=10 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехо- да (/= Ю МГц), пФ: 2Т928А, 2Т928Б КТ928А, КТ928Б Обратны/! ток коллектора, мкА Г = 25 °C Г= 125 °C 2Т9282Т928Б Т = 85еС КТ928А, КТ928Б Т~ — 60 °C 2Т928А, 2Т9283 Обратный ток коллектор — эмиттер (7?бэ=100 Ом), мкА Обратный ток эмиттера, мкА Г = 25 °C Г=125СС 2Т^28А. КГ928Б Г = - СО °C 2Ю_'8А. 2Г938Б т Сэ 1КБО ;кэк 'ЭБО НО* 6,9* 60* 0, 01 * 0,08* 0. 0Р 0,01* 0, 03* 225 250 1 00 I 0 90 1 00 I 50 60 I 1 0 1 50 I 10 (10) (60) 60 0 5 50
Преде. _.!ые эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?бэ = 0) .......................
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение база — эмиттер
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора (ти^10 мкс,
Q+=50).................................
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора:
с теплоотводом 1
T = Tmin 4- 25 °C....................
Г,, ,nax 2Т928А, 2Т928Б . . . .
КТ928А, КТ928Б . . . .
без теплоотвода 2
Г= Гт in 4-25 “С.....................
Т = Т„ тах 2Т928А, 2Т928Б . . . .
КТ928А, КТ928Б . . . .
Импульсная рассеиваемая мощность кол-
лектора (ти<10 мкс, Q^50)2 для 2Т928А,
2Т928Б:
Т = —60 4-+25 °C.....................
Т’=125°С . . ’....................
Температура перехода ..................
60 В
60 В
5 В
0,8 А
1,2 А
2 Вт
0,4 Вт
0,96 Вт
0,5 Вт
0,1 Вт
0,24 Вт
3,6 Вт
3,2 Вт
150 °C
- 60 -/-125 °C
—45 4- +185 °C
»ттура окружающей среды:
Т«8Л Р2Т928Б . • •
КТ928А. КТ928Б . • •
Допускается проводить пайку выводов при температуре 250 °C в
течение 10 с иа расстоянии ие менее 3 мм от корпуса. Расстояние от
корпуса до начала изгиба не менее 3 мм. Статический потенциал не
более 1000 В.
2Т929А, КТ929А
Транзисторы кремниевые эпитаксиальио-планариые п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности. У '
ножителях частоты и автогенераторах иа частотах более 50 МГн ПР
напряжении питания 8 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами н монта
ным винтом. Масса транзистора не более 4,5 г.
Э1ектривеские параметры
Значенне Режим измерения
Параметр Б" квенное обозначе- ние о с 7- п р о с с максималыюе| щ 5^ (Ъ id 1Д
Выходная мощность ([ = = 175 МГц, 40 °C). Вт Коэффициент усиления по мощности (/=175 МГц) 2Т929А (/>вы1 = 2 Вт) КТ929А (Рвых=2 Вт) Коэффициент полезного дей- ствия (/=175 МГц, Рвых = =2 Вт), % 21929А КТ929А Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ* Модуль коэффициента пере дачи тока на высокой часто- те (/=100 МГц) Критический ток коллектора (/=100 МГц)*, А Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/ = 5 МГц), пс ёмкость коллекторного пере- хода (/ = 5 МГц), пФ Обратный ток коллектор— эмиттер (Ле, = 100 Ом), мА- ? = 25'с £ = 85 "с КТ929А О/ = 125 ’С 2Т929А ратный ток эмиттера, мА £=25 "С £=85'С КТ929А И„„Т125°С 2Т929А вЫпоУд1«'В“г';1ТЬ эмиттерного ногоУп?'В11ос.ть коллектор- го оь-вода*. пГп Р вых Ку р ’’к Л 2 1 Э 1Л21Э1 7кр тк Ск 7 КЗ R ;ЭБО Ч ч 2 1 0 8 60 55 25 4 I 1 0* 11,5* 72* 4 0 8* 0* 15* 0,5* D.5* 1 , 2 2,4 14* 78* 50 1 I * 2 , 8 25 20 5 10 I 0 5 1 0 I 0 8 8 8 8 8 8 (8) 30 3 0,7 0,3 0,05
Параметр
Буквенное
обозначе-
ние
Индуктивность базового вы-
вода*, нГн
Емкость эмнттер — корпус*,
пФ
Емкость коллектор — кор-
пус*, пФ
Емкость база — корпус*, пФ
Предельные эксплуатационные данные
1 , 84
1,53
0,96
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение коллектор — эмит
тер (/?6э < 100 Ом)....................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора . . . .
КСВН коллекторной цепи*................
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Л,-<40 °C)1 . . . .
Тепловое сопротивление переход'—корпус
Температура перехода ..................
Температура корпуса.
2Г929А” . . ....................
КТ929А ..............................
Температура окружающей среды:
2Т929А . ..............................
КТ929А ..............................
30 В
30 В
3 В
0,8 А
1,5 А
10
6 В г
20°С/Вг
160 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
Т,. = 125 °C
от - 40 °C до
Тк = —85 °C
[Вт] = {150 — Г,<)/20.
11
10
3
в
7
6
5
о о,1 о,г о,з o/t
Шероховатость контактной поверхности теплоотвода должна быть
не менее 1,6. Неплоскостность контактной поверхности теплоотвода
ие более 0,04 мм. Пайка выводов допускается на расстоянии не ме-
нее 3 мм от корпуса по методике, не приводящей к нарушению кон-
струкции и герметичности транзистора. Пайку производить при тем-
пературе не выше 270 °C в течение времени не более 5 с.
2Т931А, КТ931А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-плаиарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в широкополосных усилите-
лях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах
50—200 МГц при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Внутри
корпуса имеется согласующее ДС-звено, Масса транзистора не бо-
лее 7 г.
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное о о са о Е ф о а ч 2 S яз S m LQ V ‘(д/)
Выходная мощность (/ = ^175 /МГн). Вт Коэффициент 2^ГПНМГц° мощности .у —1/5 MI Ц’ РвЫ! 80 Вт). 2T93IA KT93IA Коэффициент полезного дей- ствия коллектора (/ = = 175 МГц, Рвых = 80 Вт), % Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ* Напряжение насыщения кол- лектор — эмнттер*. В Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой ча- стоте (/=100 МГц) Критический ток коллекто- ра* (/=100 МГц), А Постоянная времени цепи обратной связи иа высокой частоте (/ = 5 МГц*), пс Емкость коллекторного пе- рехода (/ = 30 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехо- да (/ = 5 МГц*), пФ Обратный ток коллектор — эмиттер («63 = 10 Ом), мА: Т'=25°С 2T93IA KT93IA Г=85°С КТ931А J=125X Т931А Обратный ток эмиттера, мА: 7=25 °C 7=85 "С KT93IA 7= 125 °C 2Т931А Индуктивность внутреннего £С-звена, нГц звеиа*ТЬ ф внутРеннего (Индуктивность эмиттерио- го вывода (/ = J мм)*. нГн ДУктивиость коллекторио- И *Ывода мм)*, нГн кТИВИОсть базового вы- Вода (/=1 ММ)*, „Гн р вых л’Ур h2 1Э УКЭ нас 1 ft219 । /1<Р тк Ск сэ 'кэк 'ЭБО Сз Ч L6 80 4 3,5 50 5 0,06 2,5 18 1 1 165* 2800* 1500 5,5* 60* 25 0,09 4* 18 1 90* 3200* 4* 1* 0,43 1600 0,29 1.6 1,47 8* 70* I 00 0, 16 5,5* 30 32 240 3800 20 30 60 40 1 0 20 20 1 700 28 28 28 5 10 1 0 1 0 (28) 60 0 4 4 4 0,5 0,5 (0,1) 5 0,5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (Лбэ^ 10 Ом).......................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
ВЧ входная мощность...................
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Тк 40 °C)1 . . . .
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ..................
Температура корпуса:
2Т931А...............................
КТ931А...............................
Температура окружающей среды:
2Т931А ................................
КТ931Л ..............................
60 в
4 В
15 А
20 Вт
150 Вт
0,8°С/Вт
160 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
Тк = 125 °C
от -40 °C до
Т,. = 85°С
ssz
r^l
Шероховатость контактной
верхности теплоотвода доли-0'
быть не менее 2,5. НеплосКос"а
иость контактной поверхност"
теплоотвода должна быть не б И
лее 0,04 мм. Тепловое сопротив'
ление корпус — теплоотвод Пв"
нанесении теплоотводящей пасть-
типа КПТ-8 на поверхность теп-
лоотвода транзистора не боте»
0,3 °С/Вт.
Пайка выводов допускается
на расстоянии не менее 1 мм от
корпуса по методике, не приводя-
щей к нарушению конструкции и
герметичности транзисторов. Пай-
ку производить при температуре
не выше 270 °C в течение времени
- не более 3 с.
2Т935А, КТ935А
Транзисторы кремниевые эпитаксиальио-меза-плаиарные п-р-п пе-
реключательные. Предназначены для работы в переключателях и
импульсных устройствах.
Корпус металлокерамический с жесткими выводами. Масса тран-
зистора не более 20 г.
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное о О са о Е максимальное СП CQ £0 СТ) «ч «ч
граничное напряжение. В ^КЭО гр 70 I
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, п Напряжение насыщения fie- ^КЭ иас ^БЭ иас 0,75* 1,3* 1 1 ,7 15 (3) 15 (3)
,а _ эмиттер, В Статический коэффициент передачи °тока в схеме ОЭ: Тк —125 °C 2Т935А Л2'Ч 20 30* 100 150 4 5 15 3
Гк GO °C 2Т935А 1 0 1 00 4 15
Модуль коэффициента пе- ! h213 1 1 . 7 I 0 1
педачи тока на высокой ча- стоте (f = 30 МГц) Время включение мкс Ai.T 0,25 ю (2)
Время выключения*, мкс ^выкл 0,7 Ю (2)
Емкость коллекторного пе- Ск 800 (10)
рехода(f=l МГц), пФ Емкость эмиттерного перехо- да* (f=l МГц), пФ Обратный ток коллектор — эмиттер (7?бэ=10 Ом), мА: Сэ 'K9R 3500 30 80 4
Гк = Гк mln + 25 °C
7 н — Г к max 60 60
Обратный ток эмиттера, мА /ЭБО 3 00 4
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-—эмит-
тер' (/?бэ=10 Ом, Гп^100°С) .... 80 В
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (Лба=Ю Ом, Ги^бО МКС, Тф>15 мкс,
Q^20).................................. 100 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 5 В
Импульсное напряжение эмиттер — база
(ти^50 мкс, 0^20)..................... 6 В
Постоянный ток коллектора .... 20 А
Импульсный ток коллектора2 (ти<1 мс.
Q>2)................................. 30 а
Постоянный ток базы.................. 10 А
Импульсный ток базы (ти^1 мс, Q^2) . 15 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора2 (TK=7'Kmi„ 4-50°С) .... 60 Вт
Температура перехода
Температура корпуса:
2Т935А................
КТ935А . . .
Температура окружающей среды:
2Т935А . . . . .
КТ935А
150 °C
125 °C
100 °C
от -60 °C до
Л, = 125 °C
от —45 °C до
Тк = 100 °C
1 ^КЭйтах [В] ПРИ от 100 д0 150 °С снижается линейно
до 40 В.
г Допускается при включении аппаратуры выброс тока коллек-
тора до 50 А .в течение 1 мс, далее ток коллектора спадает до 20 д
в течение 2 мс.
3 При Тк>50 С Ришах [Вт] = (7*п Рк)/Рт п, к определяется
из области максимальных режимов (например, при Йкэ =6 В, /к =
= 10 А, /?т п, к =1,67 °С/Вт).
При конструировании схем следует учитывать возможность само-
возбуждения транзисторов за счет паразитных связей. Крепление к
панелям осуществлять с помощью гайки. Осевое усилие на винт дол-
жно быть ие более 120 кг Допускается пайка паяльником, нагретым
до 250 °C, в течение 3 с на расстоянии не менее 2 мм от корпуса
транзистора. Допускается пайка в торец виита корпуса. Время пайки
не более 20 с.
КТ936А, КТ936Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-плаиарные п-р-п усили-
ельные. Предназначены для применения в широкополосных лиией-
усилителях мощности в герметизированной аппаратуре.
с Бескорпусные, выпускаются в двух конструктивных исполнениях
v Жесткими выводами: КТ936А — иа круглом кристаллодержателе,
т₽и — на прямоугольном кристаллодержателе с диодом-датчиком
50 ПеРатуры. Масса транзистора КТ936А не более 0,2 г, КТ936Б ие
>0 з.
Лак. 225
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
мини- мальное макси- мальное g о Л <
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Обратный ток коллектор — эмнттер </?бэ = О), мА: КТ936А КТ936Б Обратный ток эмиттера, мА: КТ936А КТ936Б Й21Э 7 КЭЛ 'ЭБО 6 1 0 30 15 40 3 60 3,5 0,1
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер (Лбэ = 0)................................ 60 В
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер (/ц =0)........................ 35 В
Постоянное напряжение коллектор — база 60 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 3,5 В
Прямой ток диода.................. 0,1 А
Постоянный ток коллектора:
КТ936А............................ 3,3 А
КТ936Б........................... 10 А
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (7'к 75 °C)1:
КТ936А.............................. 28 Вт
КТ936Б................................... 83,3 Вт
овое сопротивление переход — корпус:
ТеКТ93бА •........................
КТ936Б............................
-г «пеоатура перехода...............
тдмпература кристаллодержателя . .
Температура окружающей среды
4,5 °С/Вт
1,5 °С/Вт
200 °C
100 °C
от —60 °C до
Тк=Ю0 °C
1 При 5*75 °C Рк, ср тах= (200 — Гк)/Рт п. к, Вт
КТ940А—КТ940В
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-п-п усилительные.
Предназначены для работы в выходных каскадах видеоусилителей
телевизионных приемников цветного и черно-белого изображения.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзисторов
не более 0,7 г.
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное я Л л л максимальное § Реж ь, ф Ь со нм на О Л tfl ь мерен 2 IJ
Граничная частота коэффициен- та передачи тока в схеме ОЭ, МГц Статический коэффициент пере- дачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения коллек- тор — эмиттер, В Емкость коллекторного перехо- да (f = l МГц), пФ Обратный ток коллектора, нА: КТ940А КТ940В КТ940В Обратный ток эмиттера. нА 1 гр h21 Э УКЭ нас Ск /КБО /ЭБО 90 25 1 5, 5 50 50 50 50 10 10 (зо) (250) (160) (ЮО) 3 15 30 30 6
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
(Тк=—45 ч- +45 °C)-
КТ940А
КТ940Б
КТ940В ... . ...
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?бэ<10 кОм, Тк — —45 Ч- +45° С):
КТ940А ............
КТ940Б . . . . . .
КТ940В .............................
Постоянное напряжение база — эмиттер
(Тк=—45-т- +45 °C)...................
Постоянный ток коллектора (Гк =—45 ч-
+45 °C)..............................
Импульсный ток коллектора (тя=30 мкс,
Q>10, Гк=—45-5- +45 °C) . . . .
Постоянный ток базы (Гк=—45 -5- +45 °C)
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора:
без теплоотвода* (Г——45 -5- +25 °C)
с теплоотводом1 2 (Гк=—45 Ч-+45 °C
^КЭ =Ю0 В) • .............
Тепловое сопротивление переход — среда .
Тепловое сопротивление переход—корпус
Температура перехода.................
Температура окружающей среды
300 В
250 В
160 В
300 В
250 В
160 В
5 В
100 мА
300 мА
50 мА
1,2 Вт
10 Вт
104°С/Вт
10°С/Вт
150 °C
—45 4. +85 °C
1 При Г=25°С [Вт] — (150—Т)/104.
2 Рк шах [Вт] при ТК>45°С и икэ >100 В определяется нз
рисунка.
КТ943А—КТ943Д
Транзисторы кремниевые мезаплаиариые п-р-п усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устрой-
ствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора
не более 0,8 г.
Электрические параметры
Параметр — Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
о о 3 е; ге S S максимальное укэ (УКБ) В и (Т) нА /Б, мА
^Tolol06 иапРяжеиие, В: К1У43Д ^КЭО гр 45 60 80 100
КТ943Д Н?пТ943В’ КТ943Г топ РЯЖение часыщення коллек- кт^эЛиттеР- В: ~ КТ943В КТ943Г, КТ943Д 6КЭ нас 0,6 1,2 I 000 100
Параметр
Буквенное
обозначе-
ние
Значение Режим измерен
° °
из
1 . S
<5 л .
s «J и >✓
2 S Ъ И 15 «
/Б, мА
Статический коэффициент пере- дачи тока в схеме ОЭ- Ук —25 °C КТ943А h21 Э 40 200 2 150
КТ943Б КТ943В КТ943Г КТ943Д Тк = 85 °C КТ943А КТ943Б КТ943В КТ943Г КТ943Д у-к — 45 °C КТ943А — КТ943В КТ943Г, КТ943Д Модуль коэффициента передачи 1^21э | 40 40 20 30 40 40 40 20 30 15 5 1 60 120 60 1 00 400 320 250 200 300 10 250
тока на высокой частоте (j— = 10 МГц) Обратный ток коллектора, мА: Тк = —45- 25 °C КТ943А — КТ943В КТ943Г, КТ943Д Тк = 85 °C КТ943А — КТ943В КТ943Г, КТ943Д Обратный ток эмиттера, мА: КТ943А — КТ943В КТ943Г, КТ943Д /КБО ;ЭБО 0, 1 1 0, 3 3 1 5 ^КБщах 5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ943А..................................... 45 В
КТ943Б..................................... 60 В
КТ943В — КТ943Д..................... 100 В
Постоянное напряжение коллектор-—эмит-
тер (Д6э= 10 Ом или /?бэ=1 кОм):
КТ943А..................................... 45 В
КТ943Б, КТ943Д............................. 60 В
КТ943В, КТ943Г............................. 80 В
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?бэ= Ю Ом):
КТ943А..................................... 50 В
КТ943Б..................................... 75 В
КТ943Д..................................... 80 В
КТ943В, КТ943Г...................... 100 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 5 В
Постоянный ток коллектора ... 2 А
Импульсный ток коллектора (то«£1 мс,
0 3:50) .......................
Постоянный ток базы . . . . .
Постоянная рассеиваемая ^мощность1 кол-
лектора (Тк = —45 — +25 С) . . . .
Температура перехода ..................
Температура окружающей среды . . .
G А
0,3 А
25 Вт
150 °C
от —45 °C до
7'„ = 85'гС
1 При Тк — +25 4- +85 С Рк max [Вт] — 0,2(150 Тк). Разре-
ся использование транзисторов в схемах кадровой развертки те-
левизоров при Ти=10 МС, Q>2, /кишах^З А.
Допускается пайка выводов паяльником с температурой 250 °C в
течение не более 3 с иа расстоянии ие менее 5 мм от корпуса. При
эксплуатации транзистора следует учитывать возможность его само-
возбуждения за счет паразитных обратных связей монтажа.
2Т944А, КТ944А
Транзисторы кремниевые эпитаксиальио-плаиариые п-р-п усили-
тельные. Предназначены для применения в линейных широкополос-
ных усилителях мощности иа частотах 1,5—30 МГц при напряжении
питания 28 В.
Корпус металлокерамический с жесткими выводами и монтажным
впитом. Масса транзистора не более 40 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное ; i типовое 1 максимальное 9 ib СП ;К (;б). а
Выходная мощность (/ = = 30 МГц. Гк<45’С), Вт ^вых 100 28
Коэффициент усиления по мощности (/=30 МГц, Рвы1 = 70 Вт) кУр 10 13» 28
Коэффициент полезного дей- ствия коллектора (/ — 30 МГц. Рвых = 100 Вт), % 60 28
Коэффициент комбинацион- ные составляющих 3-го и 5-го порядков на f — ЗО МГц (двухтоиовый сигнал) при /’вых (по) = 70 Вт. дБ и,. Л4, - 30 28
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ’ Л2 1 Э 5 10
Г = 25 °C 10 80
-60 °C 2Т944А 8 80
Г—125 °C 2Т944А 250
Модуль коэффициента пере- дачи тока иа высокой ча- стоте (/ = 30 МГц) Напряжение насыщения коллектор — эмиттер*, В 1 h21э| ^КЭ иас 3.5 4.5» 1.5» 2,5 I 0 2 Ю (2)
Емкость коллекторного пере- вода, пФ Ск 350 28
ходТпФ эмиттеРиого пере- Сэ 1500 5
?^”вый „ток коллектор — Эч ттеР (Я БЭ==10 ом). мА ОбРатный ток эмиттера. мА ' кэл 1 ЭБО 80 150 100 5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-—эмит-
тер 10 Ом)
Тп^100°С.............................
7'П = 175°С|.........................
Импульсное напряжение коллектор--эмит-
тер (/?бэ < ЮО Ом)....................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора (t„ rjj 1 мс,
Q>2,5)................................
Постоянный ток базы...................
Импульсный ток базы (ти<1 мс,
Q>2,5)................................
Степень рассогласования нагрузки
(/’вых (по) = 70 Вт) в течение 1с...
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Тк с: ! 00 °C)
Постоянная рассеиваемая мощность
(//кэ^25 В, 90 °C) 1 2................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода .................
Температура корпуса:
2Т944А ........................
КТ944А ....................
Температура окружающей среда:
2Т944А ................................
КТ944А .....................
100 В
50 В
100 В
5 В
12,5 А
20 А
5 А
10 А
30 : 1
70 Вт
55 Вт
1,67’С/Вт
175 °C
125 °C
100 °C
от —60 до
Тк= 125 °C
от —45 до
Г„ = 100°С
1 Б диапазоне температур от 100 °C до 175 °C снижается ли-
нейно.
2 При 7'11>90°С Р,. max снижается линейно.
2Т945А—2Т945В, КТ945А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п переклю-
чательные. Предназначены для работы в ключевых и импульсных
устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 20 г.
33,7
зо
Параметр Б> квенпое обозначение Значение Режим /725Е77
CJ С с> <□ с г (‘^1 ? —
У -С’
— । д
7. н г и
1 ресничное птпрятсш’р (L = ^1\ЭО гр 0,1
— 40 мГн 0 3 Л), В
2Т915А. 2 00
2T915D, 21015В 1 оС
ПапрЯ/лснне насыщения коллектор — амиттср Б КЭ нас
2Т915/Х 2и15Ь 1\Г915\
2Т915В 1 J ( >
Напряжение насыщения б за — эмиттер, В ^БЭ и с
2Т945 Х 21'Н5Б, 1\Т915А 1 (J)
2T9UB 10(2
Статичсс ни нсъ 1) 1)ициспт передачи тока в ue tc 04 112 1 Э
Гк = 2о СС 1 0 60 7 I )
2Т945А 2Т9ЫЗ М9*5Л I 0 СО 7 1 0
2T9I5B 1 80 7
Тк “ Т к m х 180 7 1)
2Г945А 2Г915Б 2Г9453 КТ945А ft2 I 5, 1 00°с/ Л21 Э, 25°С 3 7
Т к — Т1 mln 80
2Г915А 2Т915Б 80
2Т945В
КТ945\ о
Модуль коэффициента пере дачи тока на высокой часто тс (/—30 МГц) 1 h 2 I Э | 1 ,7 I 0 I
Время нарастания*, мкс (нр 0,052 0, 08 100 1 !С (2)
Время рассасывания*, мкс ^рас 0,75 I . 1 100 4 10(2)
Врем т спада*, мкс 'си 0 1 1 0,2 1 1 00 1 10 (2)
Емкость кодтскторного пе- рехода (f—1 МГц), пФ Ск 120 1 50 2 00 (30)
Обратны! ток котт-жтор — эмиттер (/?Gj=IO Ом), мА (КЭ/?
Т = Ттп\п 25 °C 2Т945А 25 200
2Т945Б, 2T9I5B КТ945А 25 1 50
7 к — Тк max 2Т945А 50 200
21945Б 9Т945В 5 0 1 50
КТ9 45А 80 1 50
Обратный ток эмиттера, мА ;ЭБО 300 5
ельные эксплуатационные данные
ПРп гтоянное напряжение коллектор — эмит- 2р(«- = Ю Ом): 2Т945Б, 2Т945В,’ КТ945А 200 В 150 В
импульсное напряжение коллектор — эмит- тер Ц=10 Ом> 2Т945А • 200 В
2Т945Б, 2Т945В, КТ945А 150 В
Постоянное напряжение эмиттер — база Постоянный ток коллектора 5 В
2Т945А, 2Т945Б, КТ945А 15 А
2Т945В ... Импульсный ток коллектора- 10 А
2Т945А, 2Т945Б, КТ945А 25 А
2Т945В 20 А
Постоянный ток базы .... Импульсный ток базы Постоянная рассеиваемая мощность кол- лектора1 (Тк = Тктш — 50 °C) .... Температура корпуса 7 А 12 А 50 Вт 125 °C
2Т945А — 2Т945В КТ945А Температура перехода-
100 °C 175 °C
2Т945А — 2Т945В
КТ945А . Температура окружающей среды: 150 °C
2Т945А — 2Т945В от —60 до Тк=-125 °C
КТ945А от —45 до Тк=100 °C
1 При Тк >50 °C Рк max [Вт] == (Тп — Тк)//?т п,к, где ^?т п, к *—
тепловое сопротивление, определяемое из областей максимальных
режимов
Допускается пайку выводов производить паяльником с темпера-
турой 250°C в течение не более 3 с на расстоянии не менее 5 мм от
корпуса транзистора.
2Т947А, КТ947А
Транзисторы кремниевые эпитакснально-плаиарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности, ум-
ножителях частоты и автогенераторах на частотах 0,1—1,5 МГц при
напряжении питания 27 В.
Корпус металлокерамический с жесткими выводами и монтажным
винтом. Масса транзистора не более 35 г.
t>12.8
Электрические параметры
———- Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
о о X Л 2 X X X 2 типовое максимальное Ь Ф X Z) CQ СО ф £
Выходная мощность (/в = 1,5 МГц), Вт р вых 250 27
Коэффициент усиления по
МОЩНОСТИ (f-l.b М1Ц, Рвых=250 Вт) Коэффициент полезного дей- ствия коллектора (/= *у₽ 10 60» 27
= 1,5 МГц, /-*Bbix = 2i>0 Вт), % 55 7 5* 27
Статический коэффициент 20
передачи тока в схеме 9Э: h2 1Э
Г=25 °C 10 35* 80
Г=-60 °C 2Т947А 5 160
7= 125 °C 2Т947А 5 80
Модуль коэффициента пере- дачи тока иа высокой часто- те (f=30 МГц) Емкость коллекторного пе* |Л2 1 э | 2,5 3,3* 10 4
рехода, пФ Ск 400* 680* 850 27
Обратный ток коллектор — эмиттер (/?бэ=10 Ом), мА: 'кэн
7=25 °C 5* 100 100
7= 125 °C 2Т947А 160 90
Обратный ток эмиттера, мА 7ЭБ О 30* 150 5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
теР (ЯбэСЮ Ом)-
Т а < 100 °C
7’п = 200оС1
°стоянное напряжение эмиттер — база
100 В
70 В
5 В
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора:
/=100кГц, <?>2.......................
тн = 300 мкс, Q>6..................
Постоянная рассеиваемая мощность
(Тк^50°С)2...........................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ................
Температура корпуса:
2Т947А ..............................
КТ947А.............................
Температура окружающей среды:
2Т947А...............................
20 А
50 А
40 А
200 Вт
0,75 °С/ВТ
200 °C
125 °C
100 °C
КТ947А ........................
от —60 °C до
Тк = 125 °C
от —60 °C до
Тк = 100оС
1 В диапазоне температур 100—200 °C снижается линейно
2 При Тк>50°C Рк max [Вт] = (200 — Тк)/0,75.
При пайке выводов температура корпуса не должна превышать
125 °C Прн отсутствии контроля температуры корпуса иапайка про-
изводится паяльником, нагретым до температуры 250 °C, в течение
времени не более 3 с. Пайка выводов допускается иа расстоянии не
менее 2 мм от корпуса транзистора. Допускается осевое усилие на
винт не более 1200 Н (120 кГ).
2Т950А, 2Т950Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усили-
тельные. Предназначены для применения в широкополосных линей-
ных усилителях мощности в диапазоне частот 1,5—30 МГц (2Т950Б)
и 30—80 МГц (2Т950А) при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с гибкими полосковыми выводами.
Масса транзистора не более 6 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное Знамен о о ю О Е X о максимальное УКЭ’В к 1 °| ^ЭБ. в £* 1 = /х = / \ “73 01 zk(zb^> А а * II'
Выходная мощность, Вт: 2Т950А (/ = 80 МГц) 2Т950Б (/ = 30 МГц) Коэффициент уснлеиня по мощ- ности: 2Т950А (/ = 80 МГц, Рвых = = 70 Вт) 2Т950Б (/ = 30 МГц, Рвых = = 50 Вт) Коэффициент полезного дейст- вия коллектора, %: 2Т950А (/=80 МГц, Рвых = = 70 Вт) 2Т950Б (/ = 80 МГц, Рвых = = 50 Вт) Коэффициент комбинационных составляющих 3-го и 5-го поряд- ков (двухтоиовый сигнал), дБ: 2Т950А (/ = 80 МГц. Рчых (по) = 50 Вт) 2Т950Б (/ = 30 МГц, Рвых (по) = 50 Вт) Статический коэффициент пере- дачи тока в схеме ОЭ: 2Т950А 2Т950Б Сопротивление насыщения кол- лектор — эмнттер*, Ом Модуль коэффициента передачи тока иа высокой частоте (f = = 30 МГц): 2Т950А 2Т950Б Емкость коллекторного перехо- да, пФ: 2Т950А 2Т950Б Емкость эмиттерного перехода, пФ Полное входное сопротивление*, Ом: 2Т950А (/ = 80 МГц, Рвых = = 70 Вт) 2Т950Б (/=30 МГц, Рвых = = 50 Вт) Обратный ток коллектор — эмиттер (Рбэ=10 Ом), мА: Т = 25 °C Т=125 °C Обратный ток эмиттера, мА Индуктивность эмиттерного вы- вода (/ = 5 мм)*, нГн Индуктивность коллекторного вывода (/ = 5 мм)*, нГн Индуктивность базового вывода (/ = 5 мм)*, нГн Емкость коллектор — корпус*, пФ Емкость база—корпус*, пФ р вых КУ р Af,, Afs Л21Э О Анас lh21 э 1 ск сэ ZBX ;КЭ R ?ЭБО LK L6 Ск к Сб. к 70 50 7 10 65 40 — 30* — 30* 15 10 о. I 5 3 130* 130* 1000* 8,5* 1 7* 77* 50* 40* 0, 15 7,5* 7, 5* 150* 150* 1100* 0,6+ +/I 1.4 + +/1,3 15* 6 2,1 4 2,3 2,2 1,15 11* 25* 83* — 27 — 30 I 00* I 00* 0,2 12* 165 200 1 20Ю 30 50 100 28 28 28 28 28 28 28 28 10 10 28 28 28 28 60
оп.ные эксплуатационные данные
(1реДельп
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (У ЭБ =~1 *'5 В>:
2Т950А ................................
2Т950Б.........................• •
Постоянное напряжение эмиттер — база
р|остоянныи ток коллектора.
2Т950Л ................................
2Т950Б ................................
g4 входная мощность.
2Т950А ................................
2Т950Б ................................
Степень рассогласования нагрузки в тече-
ние 1 с при Ри ых =2 70 Вт (2Т950А) и
рвПХ^50 Вт (2Т950Б)......................
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Г,,^30°С)1:
2Т950Л ................................
2Т950Б . . . .....................
60 В
65 В
4 В
10 Вт
7 Вт
10 Вт
5 Вт
30 : 1
Тепловое сопротивление переход—корпус:
2Т950А ................................
2Т950Б ...............................
Температура перехода ...................
Температура корпуса:
2Т950А; 2Т950Б.........................
Температура окружающей среды:
2Т950А, 2Т950Б ....................
84 Вт
60 Вт
1,25°С/Вт
1,75 °С/Вт
200 °C
125 °C
от —60 °C до
ТК = 125°С
1 Прн Т'к>30°С Рк, Ср max снижается линейно до 36 Вт для
2Т950А и 25 Вт для 2Т950Б (Т„=125°С).
Попускается работа транзистора 2Т950А на частотах выше
МГц и в диапазоне частот 1,5—30 МГц. При работе на частотах
8® р 30 МГц значения Рвых и Рк, ср снижаются иа 40%. Допуска-
н1!Я< работа транзистора 2Т950Б на частотах выше 30 МГц. Пайку
еТСЯодов допускается производить на расстоянии не менее 1 мм от
в°рпуса транзистора при температуре 260 °C в течение времени не
^Конструкция транзистора 2Т950Б обеспечивает отпайку фланца от
ппуса п не менее чем трехкратную перепайку транзистора на мон-
К жную поверхность гибридных схем при температуре напайки не
ыше 200 °C в течение времени пе более 8 с на каждую пайку. Для
отпайки фланца от корпуса проводят локальный подогрев винта
лланца, используемого для крепления транзистора только при изме-
рении параметров.
2Т951А—2Т951В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усили-
тельные. Предназначены для применения в широкополосных линей-
ных усилителях мощности в диапазоне частот 1,5—30 МГц (2Т951Б)
н 30—80 МГц (2Т951А, 2Т951В) при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с
Масса транзисторов не более 3,5 г.
гибкими полосковыми выводами.
^КОНч д...
Значение — п 4 g НЦр. , Режим"
П араметр Буквенное обозначе- ние минимальное | i типовое 1 | максимальное| О) II V •*'
2Т951А (РвЫ1=25 Вт, f=80 МГц) 2Т951В (Рвых=3 Вт, ( = 80 МГц) Коэффициент полезного действия, %: 2Т951Б (Рвых = 20 Вт, ( = 30 МГц) 2Т951А (Рвыг=25 Вт. ( = 80 МГц) •2Т951В (Рвых = 3 Вт, ( = 80 МГц) Коэффициент комбинационных со- ставляющих 3-го и 5-го порядков (двухтоновый сигнал), дБ: 2Т951Б (Рвых(по) = 20 Вт. ( = = 30 МГц) 2Т951А (7’вых(по)= 15 Вт, ( = = 80 МГц) 2Т951В (Рвых(по)=2 Вт), f = = 80 МГц) Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: 2Т951А 2Т951Б 2Т951В Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (( = = 30 МГц): 2T95IA 2Т951Б 2Т951В Емкость коллекторного перехода, пФ: 2Т951А, 2Т951Б 2Т951В Емкость эмиттерного перехода, пФ: 2Т951А, 2Т951Б 2Т951В Полное входное сопротивление*, Ом: 2Т951Б (Рвых = 20 Вт, ( = 30 МГц) 2Т951А (РЯых = 70 Вт, ( = 80 МГц) 2Т951В (Рвых=3 Вт, f = 80 МГц) Обратный ток коллектор — эмиттер, (Ябэ= 10 Ом), мА: 7' = 25 °C 2Т951В. 2Т951Б 2Т951В Г= 125 °C 2Т951А, 2Т951Б 2Т951В Обратный ток эмиттера, А: 2Т951А, 2Т951В 2T95IB Индуктивность эмиттерного вывода (/ = 5 мм)*, нГн Индуктивность коллекторного вы- вода (7 = 5 мм)*, нГн Индуктивность базового вывода (7 = 5 мм)*, нГн Емкость коллектор — корпус,* пФ Емкость база — корпус*, пФ Ms h213 |л21э1 СК Сэ 2вх ;КЭЯ /ЭБО La LK L6 Ск.к Сб.к 8,3 15 40 60 50 — 35* — 33* 15 10 30 5 3 5 60* 9* 70* 20* 30* 70* 58* 50* 40* 100* 10* ю* 14* 68* 9,5* 600* 80* 3,5-}-/ 5 0,8+ +/2,2 2+/2 8* 0,05* 2* 0. I* 3,8 3,2 3, 2 1.0 0,8 25’ 40* 80* 60* — 30 — 27 -27 I 00* I 00* 200* 14* 14* 18* 70 12 90 20 5 40 1 0 40 10 28 28 28 28 28 10 10 I 0 Ю 10 10 28 28 (0) (0) 28 60 (4) 2 2 0,4 1 1 0.2
сдельные эксплуатационные данные
ri.<nv.ibCHoe напряжение коллектор — эмит-
?ер КБ=-1 *’5 В):
2Т951А, 2Т951Б ..................
2Т951В..............................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора:
2Т951А .............................
2Т951В..............................
2Т951В..............................
ВЧ входная мощность:
2Т951А .............................
2Т951Б ............................
2Т951В ............................
Степень рассогласования нагрузки в тече-
ние 1 с при Рвых = 25 Вт (2Т951А),
Л,Ых^20 Вт (2Т951Б), РВЬ11^3 Вт
(2Т951В)................................
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (ГкСЗО'С)1:
2ТЭ51А................................
2Т951Б................................
2Т951В................................
Тепловое сопротивление переход—корпус-
2Т951А ..........................
2Т951Б.........................
2Т951В................................
Температура перехода....................
Температура окружающей среды:
2Т951А —2Т951В........................
60 В
65 В
4 В
5 А
3 А
0,5 А
3 Вт
2 Вт
0,2 Вт
30 ; 1
КТ951А—КТ951В .
45 Ьх
30 Вт
6,3 Вт
2,83 °С/Вт
4,25 °С/Вт
12,1 °С/Вт
200 °C
от —60 °C до
Тк=125 °C
от —60 °C до
Тк=100 °C
1 При 7’„>30°С Рк, ср шах
2Т951А, до 12 Вт для 2Т951Б и
снижается линейно до 18 Вт для
2,8 Вт для 2Т951В (Тк= 125°C).
Допускается работа транзисторов 2Т951А, 2Т951В на частотах
выше 80 МГц, а также в диапазоне частот 1,5—30 МГц. При работе
на частотах ниже 30 МГц значения Рвых и Рк, ср снижаются на 40%.
Допускается работа транзистора 2Т951Б на частотах выше 30 МГц.
Пайку выводов допускается производить на расстоянии не менее
1 мм от корпуса при температуре 260 °C в течение не более 8 с.
Конструкция транзистора 2Т951Б обеспечивает отпайку фланца от
корпуса н нс менее чем трехкратную перепайку транзистора на мон-
тажную поверхность гибридных схем при температуре напайки не
выше 200 °C в течение времени не более 3 с на каждую пайку. Для
отпайки фланца от корпуса проводят локальный подогрев винта
фланца, используемого для крепления транзистора только при изме-
рении параметров.
2Т955А, КТ955А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усили-
тельные. Предназначены для применения в линейных широкополос-
ных усилителях мощности на частотах 1,5—30 МГц при напряжении
питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Масса
транзистора не более 6 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначение CJ о Значение о о 23 О максимальное Режим иЭ13- 3 “ 1 <т> I еИНЧ
Выходная мощность (f = = 30 МГц), Вт Коэффициент усиления по мощ- ности (/ = 30 МГц, двухтоновый сигнал, Рвых (по)= 10 Вт) Коэффициент полезного дейст- вия коллектора (/ = 30 МГц, двухтоиовый сигнал, Рвых(по) = ==Ю Вт), % Коэффициент комбинационных составляющих 3-го и 5-го по- рядков, (/ = 30 МГц, двухтоно- вый сигнал, Рвых(по1=10 Вт), дБ Статический коэффициент пере- дачи тока в схеме ОЭ: J- — 25 °C Т = — 60 °C 2Т955А Т=125 °C 2Т955Л Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/ = = 30 МГц) Емкость коллекторного перехода (/ = 1 МГц), пФ Ёмкость эмиттерного перехода (/=1 МГц), пФ Полное входное сопротивление (/ = 30 МГц, Рвых(по)=10 Вт)*, Ом Обратный ток коллектор — эмит- тер (/?бэ= 10 Ом), мА: Г = 25 °C Г=125°С 2Т955А Обратный ток эмиттера, мА Индуктивность эмиттерного вы- вода, иГн Индуктивность коллекторного вывода, иГн Индуктивность базового выво- да, нГн р вых Ау р ’'к М„ Ms 11 2 1Э 1'>21э1 ск ZBX /КЭ R ;ЭБО Ч Лб 20 20 — 42* 1 0 5 1 0 3,3 50* 1 60* -38* 35 ‘ 1 0* G0* 200* 0, 75-{- +/1.2 1 ,5* 2* 2, 6* 2,4* — 33 80 80 250 13* 75 320 1 0 20 10 28 28 28 28 5 (28) 28 СО 0,66 0 , 66 0, би 4 1 1 1
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер 10 Ом)..............................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Постоянный ток базы.....................
Степень рассогласования нагрузки
(fuMx (По) = 20 Вт) в течение 1с.
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Тк^100°С)< . . . .
Тепловое сопротивление переход — корпус
70 В
4 В
6 А
2 А
30 : 1
20 Вт
6,07 °С/Вт
Температура
Температура
2Т955А
КТ955А
Температура
2Т955А -
перехода
корпуса:
окружающей среды:
КТ955А
200 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
7’к = 125оС
от —45 °C до
Тк = 85 °C
, ттри т,:> 100 °C Рк, ср max снижается линейно.
При пайке выводов температура корпуса ие должна превышать
125 °C. При отсутствии контроля температуры корпуса пайка произ-
водится паяльником, нагретым до температуры 250 °C. в течение вре-
мени не более 8 с.
2Т956А, КТ956А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усили-
тельные. Предназначены для применения в линейных широкополос-
ных усилителях мощности иа частотах 1,5—30 МГц при напряжении
питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми-выводами и монтаж-
ным винтом. Масса транзистора не более 15 г.
I
Электрические параметры
. Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим из- мерения
минимальное о о с о с S максимальное^
укэ (^КБ), В СО ib ст;
Выходная мощность (/ = 30 МГц), Вт Р вых 100 28
Коэффициент усиления по мощно- сти (/=30 МГц. двухтоновый сиг- Кур 20 30* 35* 28 0,5
нал. Рвых (по) = 80 Вт) Коэффициент полезного действия 45 28 0,5
коллектора (/ = 30 МГц, двухтоно- вый сигнал, Рвых(по) = 80 Вт), %
Коэффициент комбинационных со- ставляющих 3-го и 5-го порядков м,, м. —40* — 36* - 33 28 0,5
(/=30 МГц, двухтоновый сигнал, />вых(по) = 80 Вт). дБ
Статический коэффициент ередачи тока в схеме ОЭ- Л21 Э 5 0,5
Г = 25 °C 10 80
Г = -60”С 2Т956А 5 80
Г=125°С 2Т956А 10 250
Модуль коэффициента передачи то- ка иа высокой частоте (/ = 30 МГц) ьмкость коллекторного перехода (/«1МГц),пФ емкость эмиттерного перехода (/—I МГц), пФ 1 Л21 Э ( 3,3 5,2* 6.5*
С, 340* 380* 400 28
СР 800* 1 200* 1600
™НоЛ входное сопротивление (/= Обпа ’ ^ВЬГ1(пО)“80 Вт)*, Ом соРатнь1И ток коллектор — эмиттер (Ябэ==ю Ом), мА: Znv вх 1,4+/2,4
/кэд 100
Г=25°С nl“125°c 2Т956А 30* 80 1 00
ратный ток эмнттеоа, мА ;ЭБО 5* 30 4
индуктивность эмиттерного вывода, ч 2,8*
й°даУКиГиИ0СТЬ К0ЛлекТ0Р110Г0 вы- LK. 2,6*
нГнУКТИВИ°Сть базового вывода. L6 2,8* 4
Предельные эксплуатационные дойные
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (Лбэ< 10 Ом).......................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора ...
Постоянный ток базы....................
Степень рассогласования нагрузки
(РВых = 70 Вт) в течение 1с.
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Тк^ 100 °С)!
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ..................
Температура корпуса:
2Т956А...............................
КТ956А .... . . .
Температура окружающей среды:
2Т956А.................................
КТ956А ..............................
100 В
4 В
15 А
5 А
30: 1
70 Вт
1.68 °С/Вт
200 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
ТК=125°С
от —45 °C до
Тк=85 °C
1 При Тк> 100 °C Рк, ср щах снижается линейно.
При пайке выводов температура корпуса не должна превышать
125 °C. При отсутствии контроля температуры корпуса пайка произ-
водится паяльником, нагретым до температуры 250 °C в течение вре-
мени не более 8 с на расстоянии не менее 1 мм от корпуса. Допус-
кается изгиб выводов на расстоянии не менее 3 мм от корпуса.
Ь.я
18 —
15 —
72 —
9 —
6 —
3 —
О _
5 10 15 Z0 25
2Т957А, КТ957А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п уСИл
тельные Предназначены для применения в линейных широкополое'
ных усилителях мощности па частотах 1,5—30 МГц при напряжений
питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и монтаж
иым винтом. Масса транзистора не более 15 г.
Электрические параметры
Параметр
Значение Режим измерения
Выходная мощность (f=30 МГц), Вт ^вых 125
Коэффициент усиления по мощ- ности (f = 30 МГц, двухтоиовый сигнал Рвых (по)= 150 Вт) кУр 17
Коэффициент полезного дейст- вия коллектора (/=30 МГц, двухтоновый сигнал, Рвых (по)» = 150 Вт), % Коэффициент комбинационных составляющих 3-го и 5-го по- рядков (/ = 30 МГц, двухтоно- вый сигнал, Рвых (по)= 150 Вт), дБ Afa , М, 50
Статический коэффициент пере- дачи тока в схеме ОЭ ft21 Э 1 0 50-
Модуль коэффициента передачи тока иа высокой частоте (f — = 30 МГц) ft2 1 Э 3,3 500*
Емкость коллекторного перехо- да (f = 1 МГц), пФ Ск 450*
Емкость эмиттерного перехода (f = I МГц). пФ 1000* 1900*
28
28
28
28
0,45
0, 4 5
0,45
80 5 5
5 5
600 (28)
2250 4
Параметр
лЛ нходяое сопротиаленне
gSVaP.» (ПС)-150 Вт)*,
Обратный ток коллектор -эмит-
тер (№=10 Ом). мА:
7=25 "С
7=125 °C 2Т957А
обратный ток эмиттера, мА
Индуктивность вывода эмнтге-
пв*, иГн
Индуктивность вывода коллек-
тора*. иГи
Индуктивность вывода базы’,
яГн
Значение Режим измерения
Буквенное обозначение минимальное о о СП о с S максимальное LQ ь (Ъ X m LQ СП /К. А
ZBX О.б-Н'0,5
1КЖ 10* 100 60
200
'ЭБО 5* 30 4
1,4
2
L6 2.2
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор — эмнт
тер (Леэ^Ю Ом).......................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора ....
Постоянный ток базы..................
Степень рассогласования нагрузки
(Рвых (по) = 70 Вт) в течение 1с
Средняя рассеиваемая мощность в динами
ческом режиме (Тк^ 100°C)1
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ................
Температура корпуса:
2Т957А ............................
КТ957А ............................
Температура окружающей среды:
2Т957А ..............................
КТ957А ............................
60 В
4 В
20 А
7 А
30: 1
100 Вт
1,42 °С/Вт
200 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
Гк=125 °C
от —45 °C до
ТК = 85°С
' При Т„>100 °C Рк, ершах снижается линейно.
125^гИ пайке выводов температура корпуса не должна превышать
ИЗд При отсутствии контроля температуры корпуса пайка про-
вое°ЛИТСя паяльником. нагретым до температуры 250 °C, в течение
пуск6НИ не б°лее 8 с на расстоянии не менее 1 мм от корпуса. До-
7 ается изгиб выводов на расстоянии ие меиее 3 мм от корпуса.
2Т958А, КТ958А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планариые п-р-п гене-
раторные. Предназначены для применения в широкополосных уси-
лителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах иа ча-
стотах 50—200 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Внутри
корпуса имеется согласующее £С-звено. Масса транзистора не бо-
лее 7 г.
Шероховатость контактной поверхности теплоотводов должна
оыть не менее 2,5. Неплоскостность контактной поверхности теплоот-
вода должна быть ие более 0,04 мм. Тепловое сопротивление кор-
пус теплоотвод при нанесении теплоотводящей смазки типа КТП-8
на поверхность теплоотвода транзистора не более 0,3°С/Вт.
Пайка выводов допускается иа расстоянии не меиее 1 мм от кор-
Уеа по методике, не приводящей к нарушению конструкции и гер-
в Юности транзисторов. Пайку производить при температуре не
Ше 270 °C в течение времени не более 5 с.
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измере^
минимальное типовое максимальное Ь о УЭБ, В Ч ('в), а 1
Выходная мощность (/= Р 40 12,6
= 175 МГц, 7ir<40”C), Бт
Коэффициент усиления по мощ- Кур 4 6* 1 1 * 12,6
мости (f=175 МГц, 7’вых = «40 Вт)
Коэффициент полезного дейст- пк 50 75* 90* 12,6
вия коллектора ((=175 МГц, Рвых = 40 Вт), %
Статический коэффициент пере- дачи тока в схеме ОЭ h2 1 Э I 0 55 250 8 0,5
Напряжение насыщения коллек- ^КЭ нас 0,05 0,08 0,15 0,5
тор — эмиттер*, В (0,1)
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (f = = 100 МГц): | ft2 I Э 1 10 3,5
2Т958А 4 7* 9,2*
КТ958А 3
Критический ток коллектора 12 20 29 10
(; = 100 МГц)*, А
Постоянная времени цепи об- тк 9,5 12 35 5 0,05
ратной связи на высокой часто- те (( = 5 МГц)* пс
Емкость коллекторного перехо- да (( = 30 МГц). пФ Ск 100* 130* 180 (12)
Емкость эмиттерного перехода сэ 1770 1920 2100 0
(f = 5 МГц),*, пФ
Обратный ток коллектор—эмит- тер (/?бэ=10 Ом), мА: ZK3« 36
Г = 25 °C 2Т958А 3* 15
КТ958А 25
7= 125 "С 2Т958А 30
Обратный ток эмиттера, мА: 1ЭБО 15* 10
7 = 25 вС 4
Т = 125 вС 20
Индуктивность внутреннего LC-звеиа*, иГв Ч 0,52
Емкость внутреннего LC-звеиа* пФ Сз 1250 1400 1550
Индуктивность эмиттерного вывода (/=1 мм)*, нГн Ч 0,44
Индуктивность коллекторного вывода (/=1 мм)*, нГн Индуктивность базового вывода Ч 1 ,6
Ч 0,6
(/=1 мм)*. нГн
32 6
ельиые эксплуатационные данные
Прад
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?вэ<Ю Ом) ...... . 36 в
Постоянное напряжение эмиттер — база . 4 в
Постоянный ток коллектора.............. Ю д
ВЧ входная мощность*................... 10 Вт
КСВН коллекторной цепи (РВых = 30 Вт
у„==40°С).............................’ 5
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Л^М'С)1 . . . , 85 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус ',4°С/Вт
Температура перехода................... 160 °C
Температура корпуса:
2Т958А . . . . ..... 125 °C
КТ958А............................85оС
Температура окружающей среды:
2Т958А..................................от —60 °C до
Тк=125 °C
КТ958А..................................от —40 °C до
Л, = 85 °C
1 При 7’к>4О°С Р»,opmax [BtJ = (160—
КТ961А—КТ961В
Транзисторы кремниевые планарные п-р-п усилительные. Пред-
назначены для работы в усилительных и импульсных схемах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора
не более 0,8 г.
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим кзиёр^Т"
о с л с; га S максимальное i иКЭ (с/КБ), ! В сс (/э), мА
Граничная частота коэффн- >гр h2 1 Э УКЭО гр иКЭ иас 'КБО ГЭБО 50 (10) (30)
циеьга передачи тока в схе- ме ОЭ, МГц, Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: KT9GIA КТ961Б КГ961В Граничное напряжение. В: KT9G1A КТ961Б КТ961В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер. В Обратный ток коллектора, мкА Обратный ток эмиттера, мкА 40 63 1 00 80 60 45 1 00 1 60 250 0,5 I 0 I 00 2 (60) 5 1 50 20 500 50
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база-
КТ961А........................ . . 100 В
КТ961Б...................................... 80 В
КТ961В...................................... 60 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер кОм, /к<1 мА):
КТ961А .................................... 100 В
КТ961Б.................... . . . 80 В
КТ961В............................... 60 В
KT96IA (/?бз=оо) ... ... 80 В
КТ961Б (Я6э = оо) ... ... 60 В
КТ961В (Я6э = оо).................... 45 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 5 В
Постоянный ток коллектора.................. 1,5 А
Импульсный ток коллектора (ти^30 мкс,
10).......................................... 2 А
Постоянный ток базы........................ 0,3 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора (8 В^^э В):
с теплоотводом Тк ——45-н+40 °C1 . . 12,5 Вт
без теплоотвода Т =—45 4-+40 °C 2 . . 1 Вт
Температура перехода................... 150 °C
Тепловое сопротивление переход — корпус 10°С'Вт
Тепловое сопротивление переход — окружа-
ющая среда............................. 110°С/Вт
Температура окружающей среды ... от —45 °C до
Тк — 85 °C
1 При Т„>40°С Рктах [Вт] = (150 — Тк)/10 (с теплоотводом).
’ При Т>40°С РК1М1 [Вт] = (150—Т)/110 (без теплоотвода).
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усили-
те Предназначены для применения в линейных широкополос-
теЛЬ усилителях мощности на частотах 30—80 МГц при напряжении
и ы х уv л Q
питания до 40 о.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и монтаж-
ным впитом. /Масса транзистора не более 10 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обоз- начен ИС Значение Режим измерения
О о с; я S X X О О ю О С максимальное £0 А со щ
Выходная мощность (/ = Р 150 40
= 80 МГц), Вт
Коэффициент усиления по мощ- ности (/ = 80 МГц. Рвыхспо)-^ кУр 5 6* 8* 40
= 150 Вт) Коэффициент полезного дейст- Т),. 40 50* 60* 40
вия коллектора (/=80 МГц, Раых (noj=: 150 Вт). %
Коэффициент комбинационных составляющих 3-го и 5-го поряд- Л/,, л/, —33* -30* — 27 40
К0” *fT80 МГн. (ПО>=
-15° Вт), дБ ^татическпй коэффициент пере- Л 9 1 Э I 0 15* 50* 1 0 5
Дачи тока в схеме ОЭ л1и»Ическн" коэФФнциеит пере- Rrt ТОка в схемс ОЭ в инверс- ном режиме* h2 1 Э 2 0,5 2
таап»ЧНая част°та коэффпциен- ЕмкостьДГ" Т0ка’ МГц f гр I 50 2 10* 300* 20 2
(/«1 >т_к°ллекторного перехода ЕмкосЙ Ч,’’ "Ф у® эмиттерного перехода й 1 МГц), пф н (/=ялС в*ОДИОе сопротивление N О П я ® Я 220* 240* 0.78 + 290 4 000 40 40 0
-150 Вт)^’ DT> . Ом +/0,62
Значение
Параметр
о>
о
X
л
R
«
S
X
X
S
о
X
л
R
Я
S
X
X
я
S
ГСЖИМ »3g^.
Обратный ток коллектор —эмит-
тер (Ябэ = 10 Ом), мА:
Г = 25 °C
Г=125 °C
Обратный ток эмиттера, мА
Индуктивность эмиттерного
вывода*, нГн
Индуктивность коллекторного
вывода*, иГи
Индуктивность базового выво-
да*, иГн
1 КЭЛ
7эбо 10* 50* 25* 200* 100 150 500 80 80 4
S 2,8
L>< 1 . 6
L6 1 ,9
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?эг>СЮ Ом)........................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора ....
ВЧ входная мощность.....................
Степень рассогласования нагрузки в тече-
ние 1 С (Рвых (ПО)< ЮО Вт) . . . .
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (7’к^5О°С1) . . . .
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ...................
Температура корпуса ....................
Температура окружающей среды
80 В
4 В
10 А
40 Вт
30 : 1
200 Вт
0,75°С/Вт
200 °C
125 °C
от —60 °C до
Т,< = 125 °C
1 При Тк>50°С Рк, ершах [Вт] = (200—Тк)/0,75.
ПугПай- выводов Д°пУскается на расстоянии не меиее 2 мм от кор-
У а при температуре не выше 260 °C в течение не более 8 с
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п уси_
тельные. Предназначены для применения в линейных широкополо1*
пых усилителях мощности в диапазоне частот 1,5—30 МГц при цС
пряжении питания 12,6 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами н МОн
тажным винтом. Масса транзистора не более 16 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим из- мерения
о о 2 S S 2 о ей О Е максимальное сс из СП X 2d <
Выходная мощность (f~30 МГц), Вт ₽вых 90 12.6
Выходная мощность (/ = 30 МГц. двухтоиовый сигнал), Вт р 1 вых (по) 70 12.6
Коэффициент усиления по мощно- Ку р I 8 30* 40* 12,6
сти (f = 30 МГц, Рвых = 90 Вт) Коэффициент усиления по мощно- сти (f = 30 МГц, двухтоновый сиг- Ку р(по) 20 35* 50* 12,6
нал, Рвых(по) = 70 Вт) Коэффициент полезного действия пк 60 70* 80* 12,6
коллектора (/ = 30 МГц. Рвых==
= 90 Вт). % Коэффициент полезного действия пк 38 50* 60» 12.6
коллектора (/ = 30 МГц, Рвых(по) =
“70 Вт). % Коэффициент комбинационных со- ставляющих 3-го и 5-го порядков (/=30 МГц, Рвых(по) = 70 Вт, двух- тоновый сигнал), дБ м,. м„ — 40* — 36’ — 32 12.6
Статический коэффициент передачи h 2 I Э 10 30* 100 5 5
тока в схеме ОЭ Модуль коэффициента передачи то- ка иа высокой частоте (/ = 30 МГц) 6 8* 1 0* 5 I
1 h210 1
Емкость коллекторного перехода Ск 200* 350* 500 12.6
(/ = 1 МГц). пФ —
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
о л г о о о о е ь о О 3 я и £ а ^кэ <уэб>- В /к- Л
г ,кость эмиттерного перехода (f = МГц). пф Абоатный ток коллектор — эмиттер /о,,3==10 Ом). мА Обрат ток эмиттера, мА Полное входное сопротивление* (/ = 30 МГц. Рвых(ио) = 70 Вт), Ом Индуктивность эмиттерного выво- да*. нГн ш Индуктивность базовою вывода , и Г и Сз ;КЭ Я ;ЭБО “вх '6 700* 1500* 1 . о* 1 0* 0.9-}- + /I.1 2.0 2,2 2500 20 150 (4) 36 (4) 12,6
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?.,б<10 Ом)....................... 36 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 4 В
Постоянный ток коллектора ... 15 А
ВЧ мощность на входе.................... 8 Вт
Степень рассогласования нагрузки в тече-
ние 1 с (/ = 30 МГц, Р„,.,х^90 Вт) . . 30:1
Средняя динамическая мощность в дина-
мическом режиме (Тк 5а 35 °C1) . . . 100 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус 1,7°С/Вт
Температура перехода......................... 200 °C
Температура корпуса:
2Т967А...................................... 125 °C
КТ967А...................................... 100 °C
Температура окружающей среды:
2Т967А....................................от —60 °C до
Г„=125 °C
КТ967А ... .................от —45 °C до
Гк = 100 °C
' пРи 7",, >35 °с cpmai [Вт] = (200 —Гк)/1,7.
пУс2апЙКа ВЫв°л°в допускается
пРи температуре не выше
на расстоянии не менее 2 мм от кор-
260 °C в течение не более 8 с.
Транзистор кремниевый планарный п-р-п усилительный. Пп
назначен для работы в широкополосных линейных усилителях.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибки
выводами. Масса транзистора не более 1,5 г. М1
!И
более 1,5 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- н не Значение Режим измерения
о о я 3 Я q я га S 2 типовое макси- мальное mg СО л 2d 1 К<7в) • мА
Граничное напряжение, В иКЭО гр 250 10
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В ^КЭ нас 0,12* 0,22* I 30 (6)
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: 7 = — 60 ~ + 25 вС Л2 I Э 35 75* 220* 1 0 30
Г=»25 °C 25 40* 150* 1 0 30
7к=125 °C 20 1 0
Граничная частота коэффи- 90 129* 180* 10
циента передачи тока в схе- ме ОЭ, МГц 0,2 50 30
Время включения*, мкс ^вкл (6)
Время выключения*, мкс (выкл = = <рас + 14-0,5 50 30 (6)
+ *сп
Емкость коллекторного пе- ск 2* 2,2* 2,8 (30)
рехода, пФ Емкость эмиттерного перехо- да, пФ сз 30 3
Обратный ток коллектор — эмиттер (/?бэ=1 кОм), мкА: ;КЭ R
Г = —60 + +25 "С 0,5 250
Тк=125 °C 1 250
Обратный ток коллектора, ;КБО 0,05* 0.5 (250)
мкА 0,04* 1 00 (300)
Обратный ток эмиттера, мкА ?ЭБО о. 5 I 00 3 5
еЛЬные эксплуатационные данные
оЯННое напряжение коллектор — база
л°С пянное напряжение коллектор—эмит-
^°СТ/^6Э=1 кОм).........................
Постоянное напряжение эмиттер — база .
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора . . . .
Постоянный ток базы.....................
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
ТОсРатеплоотводом ' (Тк=—60 4- 40 °C) .
без теплоотвода 2 (Тк=—60 4-25 °C)
Температура перехода ..............
Тепловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление переход — среда .
Температура окружающей среды . . .
300 В
250 В
5 В
100 мА
200 мА
50 мА
4 Вт
0,8 Вт
150 °C
27,5 °С/Вт
156 °С/Вт
от —60 °C до
Тк = 125 °C
1 При Тк > 40 °C Рк max [Вт] — (150 — Тк)/Рт п, к, где Рт п, к —
27,5 °C при 1/кэ <140 В /?т п, к при (7КЭ >140 В рассчитыва-
ртся из области максимальных режимов.
2 При Т >25 °C Рк шах [Вт] = (150 — Г)//?Т п, с.
120
100
80
60
SO
20
о
300
230
280
210
260
250
2W
io3 io4 ю5к1з,о^
Транзистор кремниевый планарный п-р-п усилительный. Предна-
значен для работы в выходных каскадах видеоусилителей телевизи-
онных приемников.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора
не более 0,8 г.
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозна- чение минимальное типовое максимальное 9 ! я ‘еал 1 ; уи Ч3/)^/
Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ, МГц Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Т=25— 85 °C Т=~~45 °C Граничное напряжение, В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В мкость коллекторного пере- хода МГцЕ пф Обратный ток коллектора: т=~45+ +25 °С,нА С, мкА . “Ратный ток эмиттера, нА 1гр Л21Э ^КЭО гр иКЭ иас Ск ;КБО ;ЭБО 60 50 25 250 0,2* 1.4* 1* 1* 100* I 00* 0,25* 1.5* 3* 2* 250» 1 1.8 50 20 50 10 10 (30) (200) 3 15 15 10 15 (3)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база 300 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?в,=0О)....................... . . 250 В
постоянное напряжение эмиттер — база . а о
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора (Ти^ЮО мс,
100)..................................
Постоянный ток базы....................
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
с теплоотводом1 (Тк = —45 ч-+25 °C)
без теплоотвода 2 (Т — —45-г+25 °C)
Температура перехода ....................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление переход—среда .
Температура окружающей среды
100 мА
200 мА
50 мА
6 Вт
1 Вт
150 °C
21 °С/Вт
125°С/Вт
—45 ч- +85 °C
> При Т„>25°С Рк max [Вт] = (150 — Тк)/21.
2 При Т>25°С Рктах [Вт] = (150 — D/125.
м/I
Разрешается производить пайку выводов при температуре 250 °C
в течение не более 3 с на расстоянии не менее 6 мм от корпуса тран-
зистора. Изгиб выводов осуществляют на расстоянии не менее 5 мм
от корпуса только в направлении, перпендикулярном плоскости вы-
водов. Радиус изгиба не менее 1,5 мм.
При эксплуатации транзисторов следует учитывать возможность
их самовозбуждения как высокочастотных элементов.
2Т971А, КТ971А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности, ум-
ножителях частоты и автогенераторах на частотах 50—200 МГц при
напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Внутри
корпуса имеется согласующее LC-звено. Масса транзистора не более
г.
Изгиб
3 мм от
Н<* I ММ
выводов транзистора допускается на расстоянии ие менее
корпуса. Пайка выводов допускается на расстоянии не ме-
от корпуса при температуре 260 °C в течение 4 с.
Параметр
Выходная мощность (J—
= 175 МГц, 7-х<4О”С), Вт
Коэффициент усиления по мощ-
ности (/=175 МГц, Рвых —
=150 Вт)
Коэффициент полезного дейст-
вия коллектора (/=175 МГц,
Рвых = 150 Вт), %
Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте «=
= 100 МГц)
Критический ток коллектора
«=100 МГц), А
Постоянная времени цепи об-
ратной связи иа высокой часто-
те «=6 МГц), пс
Емкость коллекторного перехо-
да (/=30 МГц), пФ
Обратный ток коллектор —эмит-
тер (Лэв= 10 Ом), мА:
7'=25 °C
Т'=85°С КТ971А
Т= 125 ’С 2Т971А
Обратный ток эмиттера, мА:
7'=25 °C
Т'=85°С КТ971А
7’= 125 °C 2Т971А
Индуктивность внутреннего
LC-звена*, нГн
Емкость внутреннего £С-звена*,
пФ
Индуктивность эмиттерного вы-
вода*, и Гн
Индуктивность коллекторного
вывода*, иГи
Индуктивность базового выво-
да*, нГи
Значение Режим
Буквенное обозначение минимальное типовое максимальное^ СО Л Ь
₽вых 150 28
КУ р 3 5* 9* 28
”к 55 75* 84* 28
Л21э 2,2 4* 5,7* 10
*кр 30 40* 50* 10
тк 13* 20* 40 10
Ск 200* 240* 330 28
1 КЭЛ 8* 50
;ЭБО Ч 4* 0,35 60 120 120 30 60 60
сз 2000
ч 0,18
0. I
L6 0,56
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (Рэв< 10 Ом)........................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
ВЧ входная мощность.....................
КСВН коллекторной цепи (17кэ^24 В,
Тк<50°С, /=175 МГц):
Рвы 1^85 Вт (в течение 3 с) .
Рвых^ЭО Вт (длительное) . . . .
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Гк=^40вС) 1
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ...................
50 В
4 В
17 А
50 Вт
10
3
200 Вт
0,6 °С/Вт
160 °C
Температура корпуса:
2Т971А...................................
2Т971А ................................
Температура окружающей среды:
2T97IA...................................
2Т971А ................................
125 °C
85 °C
от —60 °C до
Гк=125 °C
от —40 °C до
Тк = 85 °C
। При Тк>40 °C Ри max [BtJ = (160 — Тв)/0,6.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усили-
тельные. Предназначены для применения в линейных широкополос-
ных усилителях мощности в диапазоне частот 1,5—30 МГц прн на-
пряжении питания до 50 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и монтаж-
ным винтом. Масса транзистора не более 11 г.
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное 4) О к л 4> о я ЭБ>'
обозиаче-
© 2
иие S а о X <
я с я X а 2
S ь 2 CQ «ч
выходят nMOUlI,OCTb = Чзо МГН). Вт усиления^по^ощ- ПОСТ” V «=250 Вт) ТА**ициент полезного деист- „К° коллектора (f=30 МГц, ₽вых Ку р 250 25 35 50 50 50
Рвых <noJ готический коэффициент пе- h2 1Э 15 20* 60* 10 5
педали тока в схеме ОЭ гпавичиая частота коэффициен- та передачи тока, МГц ^гр 150 50 21 0* 270* 20 9
розничное напряжение. В ^КЭО гр 0,2
Юность коллекторного перехо- ск 450 50
да (/=1 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода сэ 1 5000 (0)
(/==3 кГц), пФ Полное входное сопротивление ((=30 МГц, Рвых (по)=250 Вт), % Обратный ток коллектор -эмит- ZBX 'КЭ R 0,62+/0,37 50
тер, (А]бэ=10 Ом), мА'
Т=25 °C 1 0* 6 0* 1 00 1 00
Г=125 СС 200 1 00
Обратный ток эмиттера, мА 'ЭБО 500 (4)
Индуктивность эмиттерного вы- вода", иГи 1.6
Индуктивность коллекторного вывода*, нГн 2,8
Индуктивность базового выво- да*, нГи £б i , 9
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит
тер (/?Эб^10 Ом)......................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора
ПЧ входная мощность...................
Степень рассогласования нагрузки в теме
нис 1 с (/ = 30 МГц, РВЫ1 (no)SS100 Вт .
Средняя рассеиваемая мощность в динами
песком режиме (Тк<30°С) 1 . . .
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода..................
'емпература окружающей среды
100 В
4 В
10 А
16 Вт
30 : 1
300 Вт
0,57 °С/Вт
200 °C
от —60 °C до
Г„ = 125 °C
' ПРИ Гк>30°С Рк, ср mar [Вт] = (200 —Г„)/0,57.
ВоЗИКа выводов на расстоянии не более 2 мм от корпуса произ-
расстСЯ ПРИ температуре не более 260 °C в течение не более 8 с. На
яиин менее 2 мм температура пайки выводов ие более 150 °C.
200 220 210 260 280 300Plut(in)flT 11 45 16 17 IB 13l/K3,6
р-п-р
2Т629А-2, КТ629А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р импульс-
ные. Предназначены для работы в быстродействующих импульсных,
переключающих схемах и в усилителях высокой частоты в составе
герметезированиой аппаратуры. Бескорпусиые с защитным покры-
тием на керамической подложке с гибкими выводами. Масса тран-
зистора не более 0,02 г.
Защитное покрытие—лак ПАИ-1 ТУ6-05-211-804-72. Не допуска-
ется воздействие на транзисторы в момент монтажа в интегральную
схему температуры более 200 °C, время воздействия температур не
олее 1Q0 с Минимальное расстояние от места пайки (сварки) до
°верхности транзистора 2 мм, изгиба не ближе 0,5 мм от места вы-
°Да вывода из защитного покрытия. При монтаже рекомендуется
"Пользовать припой ПОС-61.
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измер^7~~
минима пьное । типовое максимальное ^’кэ^кб). в 03 из 3
—
Г ра нич ное напряжение, В ^КЭО гр (0,01)
2Т692А-2 КТ629А Напряжение насыщения коллектор — эмнттер, В: 2Т629А-2 КТ629А Напряжение насыщения база — эмиттер. В: 2Т629А-2 КТ629А Статический коэффици- ент передачи тока в схе- ме ОЭ: 7 = 25 °C 2Т629А-2 КТ629А Т=125’С 2Т629А-2 Г = -60 °C 2Т629А-2 Модуль коэффициента передачи тока иа высо- кой частоте (/=100 МГц) Время рассасывания, мс УКЭ иас ^БЭ нас ft213 1Л2 1Э1 fpac 50 40 25 25 25 10 2.5 0.8 1 1.5 1 .2 ВО 150 150 80 90 <1.2) (5) (1.2) (1.2) 5 0,5 0.5 (0,5) (0.2) (0.5) (0,5) 0,05 0,5 0,05 0,05 0.05
Время включения*, ис f вил 15 30 50 0,5 0.05
Время выключения*, нс (выкл 20 75 90 0,5 0,05
Постоянная времени це- пи обратной связи на вы- сокой частоте* (/ = = 30 МГц), ис Емкость коллекторного перехода (/=10 МГц), пФ: 2Т629А-2 КТ629А Емкость эмиттерного перехода (/=10 МГц). нФ: 2Т629А-2 КТ629А Обратный ток коллекто- ра, мкА: 7’===25 ®С 7= 125 °C 2Т629А-2 Г = —60°С 2Т629А-2 Обратный ток коллек- тор — эмиттер (Яб» = = 1 кОм), мкА Обратный ток эмиттера. мкА тк Ск сэ 'КБО 'КЭ R 'ЭБО 90 120 200 20 25 1 00 120 5 10 5 5 5 (10) (Ю) (50) 50 0.5 4.5 (0.05)
рредельхые эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?Са<1 кОм).........................
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение база'—эмиттер
Постоянный ток коллектора • . . .
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
T7L-60-+80°C........................
Г=125°С 2Т629А-2..................
Температура перехода ...............
Тепловое сопротивление переход — корпус
микросхемы..............................
Температура окружающей среды
50 В
50 В
4.5 В
1 А
1 Вт
0,18 Вт
135 °C
55 'С/Вт
—60 4- +125 °C
1 В диапазоне температур 80—125 °C max [Вт] снижается по
линейному закону.
КТ639А—КТ639Д
Транзисторы кремниевые энитаксиальпо-плапарные р-п-р универ-
сальные. Предназначены для применения в усилителях низкой ча-
стоты, усилителях мощности, видеоусилителях различного назначе-
ния, устройствах автомобильной электроники, импульсных и переклю-
чающих схемах, в оконечных устройствах ЭВМ.
Корпус пластмассовый с гибкими выводами. Масса транзистора
не более 1.0 г.
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса 5 мм.
емпература пайки не более 250 °C, время пайки не более 10 с. Ми-
нимальное расстояние от корпуса до места изгиба вывода 5 мм, ра-
Диус изгиба 1,5—2 мм. Прн изгибе необходимо принимать меры,
^сключаютцпе передачу усилий на пластмассу. Кручение выводов за-
Буквенное Знаменис 22 ——
CJ О о О
Параметр обозначь в нс q та S 2 о о а о с ь га X LQ U3 * < ч
Модуль коэффициента перед »чи ток» на высо- кой частоте (/ = 20 Ml ц) Г ртннчиое напряжение, в l+l э| ^КЭО гр i 5 30 50
КТЬЗОА - МьЗОВ КГ639Г К1639Д Статическим коэффнцн* епт передачи тока в схе- ме С) ) К I иЗОЛ KFG39F КТЬЗОБ КТЬЗПД КТбЗОВ Напря/кспис насыщения коллектор -эмиттер, В Напряжение насыщения баз 1 — эмиттер. В Время рассасывания*, нс Гм кость коллекторного переходя (/ = 5—10 МГц), п Ф Емкость эмиттерного пе- рехода* (7 = 5—10 МГц), пФ Обратный ток коллекто- ра. нА Обратный ток эмиттера, нА Л ’ 1 э ,7КЭ пас !'+э пас 'рас Ск 'КБО 'ЭБО 4 5 ьо 10 25* 30* 63 25* 30* 1 00 25* 10* 90 40* 45* 80* 85* 120* 125* 200 120 1 00 160 250 0, 1,25 50 200 I 00 I 00 2 Го 2 1 0 2 1 0 I 0 (0.5) 30 (5) 500 500 500 1 50 5 1500 150 5 1500 150 5 I 500 50 50 50
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база'
К1639Л — КТ639В 45 В
КТ639Г, К1639Д . . . 60 В
Постоянное напряжение эмиттер — база Постоянный ток коллектора 5 В 1,5 А
Импульсный ток коллектора1 (тн 10 мкс, Q>2) Постоянный так базы Постоянная рассеиваемая мощность коллек- тора (—60< Т< +35 °C) 2 2 А 0,2 А 1 Вт
Импульсная
,^[6 мкс,
рассеиваемая мощность
Q > 2, Г, С 25 °) 1
(т„<
ТеПловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление переход — среда .
Температура перехода
Температура окружающей среды
60 Вт
10°С/Вт
115°С/Вт
150 °C
—60 — +125 °C
। При условии непревышения Рк max-
2 При использовании транзистора без теплоотвода при ТС >35 °C
[Вт] = (150 — Г)/7?тп, с.
959
0'7 S'l 0'1 S'O 0
as
DOI
OSl
OOI
OSl
ООО
eiz^
КТ644А—КТ644Г
Тоанзисюры кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р уннвер-
iibie. Предназначены для применения в усилителях низкой часто-
са’№ ,Сцлнтеляк мощности, видеоусилителях различного назначения,
' м'пу'1ЬСНЫХ 11 переключающих схемах, в оконечных устройствах
Корпус пластмассовый с гибкими выводами Масса транзистора
не более 1,0 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе пне Знамен ие Режим измерення
дон и'ГЛИЦИ JS о и о с максимальное 30 CD 'сД < S из ’г)
Модуль коэффициента не- )'' 1,1 2,0 2 .8* 4.2* 5 30
редачи тока на высокой стоте (/=100 МГц) ча-
1раничное напряжение КТ644А, К7644Б В УКЭО гр 60 1 0
_ КТ644В, КТ644Г 40
Статическим коэффициент fl!> 1э
передачи тока н схеме ОЭ
КТЬ44А. KTG44B 20* 1 0 0, I
25* 1 0 1 . о
35* 10 I 0
40 120 1 0 1 50
КГЫ4Б, КТ<. 14Г 20* I 0 500
1 00 300 1 0 150
"•"ряжение насыщения ^ZK3 нас 0.14* 0. 18’ 0. t 150 0.5»
коллектор - эмиттер. В 0,45* 0 , 5 5 * 1.6* 500 (50)
"лиряжеиие насыщения В* ~ аэм"ттер. В ба БЭ нас 1 . з I 50 (15)
время рассасынания нс fpac 80* 1 1 0* I 80 1 50 (15)
Время эмиттерною перс пФ ||дратны|’ ток коллектс хо- 50 (0)
ра, 'КБО I 00 50
Обратный ток эм иттера. нА /ЭБО 1 00 (5)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение колтектор— база
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора1 {т„ г>10 мкс,
Q>2) . . . . .
Постоянный ток базы
Постоянная рассеиваемая мощность коллек
тора (—60< Т<_ 35 °C)2
Импульсная рассеиваемая мощность (т„ г;;
10 мкс, Q3s2 Т,,<25 °C)1 3 * 5
Тепловое сопротивление переход—корпус
Тепловое сопротивление перехот—среда
Температура перехода
Температура окружающей среды
60 В
5 В
0,6 А
1,0 А
0,2 А
1,0 Вт
20 Вт
10°С/Вт
1 15°С/Вт
150 °C
—60 -----1-125 °C
1 При условии непревышения Рк пш
2 При использовании транзистора без теплоотвода при Г, >35 °C
Рк т1„ [Вт] = {150- Г)/Р1П с
3 При использовании транзистора с теплоотводом при Г, >25 °C
Рк [Вт] = {150 — Тк)/Рт п, к
Минимальное расстояние ме
ста панки вывозов от корпуса
5 мм Температура панки не
более 250 °C время пайки ве
более 10 с Минимальное рас
стояние от корпуса до места и<
гиба вывода о мм, радихс ш
гиба 1,5—2 мм При изгибе не
обхо (Имо принимать меры ис
ключающие передачу усилии па
п <астмасс\ Кручение выво (ов
з (ирещается
1Т901А, 1Т901Б
Транзисторы германиевые дпффузиоппо-сплавпые р-п-р верен i
нательные. Предназначены для применения в переключающих и
пульсных усилительных каскадах радиоэлектронных устройств М
Корпус металлостекляппый с гибкими выводами. Масса транз[
стора не более 25 г. Масса крепежного фланца не более 10 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозп.а че- иле Значение Режим измерения
О С X га 2 О о да ; । максимальное| £2 S' ^БЭ- в /К(/К. И) • А /Э</Э. и) А <
Граничное нанря/ке* нлс. В: ^КЭО ip (5)
Г = 25 °C 1Т901А 40 51* 53 '
1 Г90 1Б Г = -60, 4-70 °C 30 4 7 * 5 1 *
1T90IA, 1Т901Б Напряжение насыще- иКЭ нис 30 5 I
ния коллектор — эмиттер, В:
Т=25 °C 0,3* 0, 1* 0,6
Т= —60 °C 0,7
7 = 70 °C I . 8
Время нарастания, 'пр 0, 5 г 0, 7 1 0 0, 5 (5)
мкс
Время спада, мкс 'си о,?* 0,7 I 0 0,5 (5)
Граничная частота 30 1 0 о, 5
коэффициента пере- дачи тока5*, МГц 1 р
Статический коэффи- циент передачи тока в схеме ОЭ: й2 1Э 1 0 (О)
7=25 °C 1Т901А 20 33* 50
1Т901Б Т-=—60Х 40 7 2 * 1 00
1Т901А 20 60
П901Б 40 I 20
Параметр
у = "0 "С
ПЭ01А
1Т901Б
Статический коэффи-
циент передачи тока
° т=25 “С 1T90IA
Обратный ток кол-
лектора, мА:
Г=25 “С
Т = -6О'С
Г=70 °C
Обратный ток кол
лектор —эмиттер. мА:
Т = 25 °C
h2 1Э
7КБО
7 К ЭХ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор эмит-
тер (^эс =0-5 в):
>Т901Д 50 В
1Т901Б Постоянное напряжение коллектор — база1: 40 В
1Т901Л 50 в
1Т901Б 40 в
Постоянный ток коллектора .... 10 А
Постоянный ток базы Постоянная или средняя (за период 1 мс) рассеиваемая мощность транзистора {от 2 А'
Г = -60°Т до Тк = 37,5°С2) .... 15 Вт
Температура перехода 75 °C
Тепловое сопротивление переход—корпус 2,5 °С/Вт
Температура окружающей среды от —6( Тк = ) С до 70 °C
1 Допускается выброс напряжения длительностью до 10 мкс
Для 1Т901А до 50 В, для 1Т901Б до 40 В.
2 При 7'„>37 5°С Pv или Рк ер рассчитывается по формуле
[Вт] = (75 — 7-,,)/2,5.
Пайка выводов транзистора
должна производиться пая тиш-
ком мощностью не более 60 Вт
в течение не более 10 с па рас-
стоянии не менее 20 мм от корну
са Расстояние от начала гибкой
части составного вывода до нача-
ла изгиба вывода не менее 5 мм
Запрещается использование
транзисторов без теплоотвода
Чистота обработки поверхности
теплоотвода в месте установки
транзистора не хуже 1,6
1Т905А, ГТ905А, ГТ905Б
ГТ905А, ГТ905Б
Транзисторы германиевые диф
фузионно сплавные p-п р универ
сальные Предназначены тля при
менення в переключателях и гм-
пульсных усилительных устройст-
вах в выходных каскадах усили-
те зен мощности низкой частоты
Корпус метал тостеклянный
(1Т905А) и металлопластмассо-
вый (ГТ905А, ГТ905Б) с жестки
ми выводами Масса транзисторов
1Т905А не более 4 5 г (с крепеж-
ным фланцем не более 6 г),
ГТ905А, ГТ905Б не более 7 г
Электрические параметры
1Т905А
Параметр Буквенное обозначе н ие Значение Режим измерения
о О J3 Л S S <и о а о с г> о е; л О -з S "х о "х 2d < V (" ‘с/)1 / V (" '9/)4/ I
Граничное напряженно (Т11 = 00 мкс и 8000 паи ти—30 мкс и WOO) В 1Т90оА Г1905А ГТ905Б Напряжение htci цнд иля KOiicxTop — эмиттер В у — 25 1Т905А I Т905А ГТ905Б г=—60°С 1Т905А 7= 70 °C 1Ю05А Напряжение насыщения база — эм нттер В Граничная частота ко эффициента поре ичи то ка в схеме ОЭ* МГц 1Т905Д Moi\ ц. коэффициента нсретачи тока на внео кои 4JCTOTC (7=20 МГц) ГТ905Б Постоянная времени це ИН обрат ЮИ связи (/— = !0 МI и,) нс 1Т905\ ГТ90СБ Статический коэффици епт псрсичи тока вехе мс ОЭ 7=25 °C 1Т905\ ГТ905Х I Т903В ;=-60°С 1Т905Л Г=70 "С 1ТЭД5А Время включения (Ги = ,т„н^с / = 5° Г,‘> чкс 11УОэА ^Ремя нараста п я (Ти = “te /=501,0 мкс и и и КЭО гр КЭ нас БЭ иас 11 р 1Л 2 1 >1 тк Л 2 13 (вк.1 'нр 65 0 14* 0,16* 30 3 5 35 35 2 0 0 012* 74 * 0 21* 0 5 1 * 6 1 1 * 0 018* 78* 0,5 0 5 0 8 0 7 500* 300 I 00 1 00 I I 0 0,2 0,15 ! 0 ! 0 30 I 0 30 30 3 3 (3) 0,5 0 5 0 03 3 0 5 0, 5 (0 5) (0 , 5)
—
Значение Режим «змерений
Параметр Буквенное обозначе ине о О X л «с S X X S ф о S3 О С <и о X л СЗ S га со со ГТ) Id со < н) А
Время спада (Ти = = 20 мкс, f = 50 Гц), мкс: 1Т905А, ГТ905А Время рассасывания (Тп = 20 мкс, / = 50 Гц). мкс: IT905A. ГТ905А Обратный ток коллекто- ра. мА: Т=25 °C 1Т905А ГТ905А ГТ905Б Т = -60 °C 1Т905А. ГТ905А ГТ905Б Т = 70 °C IT905A ГТ905А ГТ905Б Обратный ток эмиттера, м А Емкость коллекторного перехода (/=10 МГц). пФ: IT905A ГТ905А, ГТ905Б Емкость эмиттерного пе- рехода (/=10 МГц), пФ: 1Т905А 'си ^ра с ;КБО УЭБО С к 0,012* I , 5* 0,09* 0,01* 0,053* 2,4* 0,35* 0, 18* 0,3 4 . 0 2, 0 2,0 2.0 2.0 2,0 8,0 16 16 5,0 250* 200 8000 30 30 75 7 5 60 75 60 75 75 60 (0,4) 30 (0J) (0. (0.
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер (/?г,, 1 Ом, UЭБ =0,4 В)
1Т905А, ГТ905А.......................
ГТ905Б...............................
Импульсное напряжение коллектор-—эмнт-
тер в переключающем или импульсном ре-
жиме (т„ 10 мкс).....................
закрытого транзистора (th=C20 мкс и
<2>3), ГТ905А, ГТ905Б..................
Постоянное напряжение коллектор — база:
1Т905А, ГТ905А.......................
ГТ905Б...............................
Постоянный, импульсный (в режиме пере-
ключения) ток коллектора ..............
Импульсный ток коллектора в режиме пере-
ключения для 1Т905А (тиг£:20 мкс) и для
ГТ905А, ГТ905Б (тн^20 мкс, <?>3) . .
60 В
75 В
60 В
60 В
130 В
75 В
GO В
3 А
7 А
Постоянный (прямой или обратный) ток
базы .................................
Импульсный (прямой или ооратиый) ток
базы .................................
Постоянная, средняя (за период не более
2 мс и ти-:'1О-3 с) рассеиваемая мощность
коллектора с теплоотводом 1 (от Т —60 °C
до Тк +30 С)....................'
Постоянная, средняя (за период не более
2 мс) рассеиваемая мощность транзистора
без теплоотвода2 (Г = —60-у+25 °C)
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора (Ти + 10~3 с. / + 5 Гц, Uкд + 32 В,
запирающий ток базы не менее 0,1 А и от
7>-60°С до Г,,+ 30 °C3)...............
Тепловое сопротивление переход—корпус
Тепловое сопротивление переход — среда
Температура перехода .................
Температура окружающей среды
0.6 А
1,0 А
6 Вт
1.2 Вт
60 Вт
9 °С/Вт
50 °С/Вт
85 °C
от —60 °C до Т
или Г„ = 70сС
При Гк>30°С [Вт) = (85 — Тк)/9.
2 При 7'>25°С Ртах [Вт] = (85- Т)/50.
3 При и^э >32 В; Тк >30 °C и при /Б >0,1 А, т;1+103 с,.
/„<5 Гц импульсная рассеиваемая мощность снижается линейно в
соответствии с приведенными далее зависимостями, а при 5 Гц +
+ (> + 103 Гц дополнительно снижается в соответствии с формулой
Рк. И max (f) =Рк. П max (/<5 Гц) (1 — ё~'11 0 ), где Т — период,
мс.
\^г1э\
1Т906А, ГТ906А, ГТ906АМ
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р переклю
нательные. Предназначены для применения в преобразователях на
пряжения, переключающих и им-
пульсных усилительных каскадах
радиоэлектронных устройств.
" Корпус металлостеклянный
(IT906A. ГТ906А) и металлопла-
стмассовый (ГТ906АМ) с жестки-
ми выводами. Масса транзисторов
JT906A, ГТ906А не более 4,5 г
(с крепежным фланцем ие более
6 г). ГТ906АМ ие более 7г.
ГТ906АМ
1Т906А, ГТ906А
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Знзч с» о X л =: S S си ие Я S X S аа JCzKHN аа 1(ЗМ< рели» । — , и* &
Драничное напряжение, IT90GA (Ти< 50 мкс. Q > 2000) ГТЭОЬА, ГТ9О6АМ (Ти т) 250 МКС, /и = 1 — 2 Гц) Напряжение насыщения коллектор - эмиттер. В' Г = 25°С IT90GA. ГТ906А, ГТ906АМ 60"С ГГ906А т = 70°с IT906A - МКЭО гр К Э н ас 65 75 0,5 0,5 I . о 5 5 0, 5
Око"чапие
Значение ’ежим измерения
Параметр квениос обозначе- ние о сс о с г- Я г а ‘(е*л) СП сд (Т) 2d V 'и ‘*1 'э. и , А
Напряженке насыщения база — эмиттер. В: (Т906А ГТ906А, ГТ906ДМ Время нарастания (тя = — 20 мкс, f = 50 Гц. R« — — Сз Ом), мкс: IT906A Время включения (Тй = = 20 мкс, f = 50 Гц. /?м = -6 Ом), мкс ГГ906А, ГТ906АМ Время рассасывания (Ги=20 мкс, [ = 50 Гц, А?м --G Ом). мкс Статический коэффици- ент передачи тока в схе- ме ОЭ: у—-25 °с 1Т906А, ГТ906А. ГТ906АМ Г = -60 °C 1Т906А 7 = 70 °C IT90GA Обратный ток коллек- тор — эмиттер, мА. 7=4-25, -60 °C IT90GA, ГТ906А. ГТ906АМ 7 = 70 °C 1Т906А ГТ906А. ГТ906АМ Обратный ток эмиттера, м А I1906A ГТ906А, П906АМ нас 'пр 'вил 'рас >'•> 1 Э /к ЭХ Лэ Б О 3 0 3 0 20 0,6 0 . 7 1 1 5 0 1 70 1 50 8 1 5 3 0 8 ! 5 30 30 30 (75) 0.5 0. 5 0, 5 1 . 1 -- 0,5 0,5 0,5 0 . 5
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение коллектор — эмиттер:
1Т906А (ПБЭ = 0.5-1,4 В) . . . . 75 В
ГТ906А, ГТ906АМ {НБЭ = 0,4-1,4 В) 75 В
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер закрытого транзистора ((7БЭ =0,4—.
1,4 В, тиё42О мкс, Qj=3):
ГТ906А, ГТ906АМ............................ 130 В
Напряжение коллектор — база .... 75 В
Напряжение база—эмиттер . ... 1,4 В
Постоянный или импульсный ток коллекто-
в режиме насыщения1.....................
Постоянный ток коллектора в режиме пере-
ключения:
1Т906А..............................' .
ГТ906А, ГТ906АМ......................
Ток коллектора в режиме переключения:
1Т906А ((7КЭ =36 В, выбросы напря-
5 А
6 А
жения до 45 В, тк< 10 мкс) . . . .
ГТ906А, ГТ906АМ (при напряжении на
коллекторе закрытого транзистора не бо-
лее 25 В) ............................
Постоянный или средний ток базы:
[Т906А (за период не более 2 мс)
ГТ906А, ГТ906АМ (тп^2 мс, <2>3)
Постоянная или средняя рассеиваемая мощ-
ность коллектора при температуре корпуса
не более 37,5 °C 2................... .
Импульсная рассеиваемая мощность транзи-
стора:
10 мкс...........................
>200 мкс, (7КЭ >60 В, /и ^5 Гц
7 А
Тепловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление переход — среда
Температура перехода ................
Температура окружающей среды
10 А
7 А
1,5 А
1,5 А
15 Вт
375 Вт
300 Вт
2,5 °С/Вт
50 °С/Вт
75 °C
от —60 °C до Т
или Т’к = 70°С
1 Выключение транзистора производить при токе коллектора не
более 5 А для 1Т906А и 6 А для ГТ906А, ГТ906АМ.
2 При Г,,->37,5 °C Рк так [Вт] = (75 — Т,<)/2,5 (при использова-
нии транзистора с теплоотводом); Рк max [Вт] = (75— Т) /50 (при
использовании транзистора без теплоотвода).
1 T910 АД
Транзисторы германиевые
диффузионно-сплавные р-п'Р
переключательные. Предназиа
чепы для применения в мост
вых преобразователях напр
жеиня и других переключа'
1цих каскадах радиоэлектр
ных устройств.
Корпус металлопластмасс
вын с гибкими выводами. .
вод эмиттера отмечен с
точкой на корпусе. Масса тр
знстора не более 5 г.
„ические параметры
> к т Р а —---------
Параметр Буквеиное обозначе- н ие Значение Режим измерения
минимальное ! типовое о о я я S 02 2d х 2d v •" ‘>1/ <
Граничное напряжение, 6'кэр гр 25 28* 3 1 * 5
Напряжение ^лзектор — эмиттер, а. 1 25 °C ^КЭ нас 0, 15* 0, 19* 0,6 ю 1
0, 22* 0,25* 0, 8 20 2
7 = —60 °C 0.6 1 0 1
Г=70 °C время нарастания, мкс (нр 0,6* 1 * 1 I , 5 10 1 0 5 1
Время спада, мкс 'сп 0,5* 0,8‘ I 1 0 5
Граничная частота коэф- фициента передачи тока. f гр 30
МГЦ „ . . Статический коэффицн- ft2 13
ент передачи тока в схе-
мс ОЭ: 7-25 °C 50 223* 320* 1 0 20
50 167* 320 1 0 1 0
30 70* 1 04 * 1 0 0. 1
Г = -60 °C 35 — 320 10 10
Т=70 °C 35 1 0 0, I
Обратный ток коллекто- ра. мА: 1КБО
7 = 25 °C 0,42* I , 2* 6 (40)
Т = -60 °C 6 (4 0)
7=70 °C 20 (40)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (УБЭ =0,4 В)1.........................
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора . . . .
Постоянный ток базы....................
Импульсный ток базы....................
Средняя (за период не более 1 мс) рассеи-
ваемая мощность коллектора (ТкеС20°С):
с теплоотводом 2.......................
без теплоотвода 3....................
Температура перехода ..................
'епловое сопротивление переход—корпус
'емпература окружающей среды
32 В
33 В
10 А
20 А
3 А
6 А
35 Вт
0,9 Вт
85 °C
1,85 °С/Вт
от —60 °C до
Т„ = 70°С
лее ^Допускается выброс напряжения до 37 В длительностью не бо
32 При Тк>20°С Рк, ор тах [Вт] = (85-Тк) /1,85.
При Г>20°С Рк. ершах [Вт] = (85—Т)/70.
«
2Т932А. 2Т932Б, КТ932А—КТ932В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-п усили-
тельные. Предназначены для применения в широкополосных усилите-
телях мощности и автогенераторах
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Масса транзи-
стора не более 20 г.
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер и коллектор-—база.
2Т932А, КТ932А................................ 80 В
2Т932Б, КТ932В.............................. G0 В
КТ 932В..................................... 40 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 4,5 В
Постоянный ток коллектора . . . 2 А
0оСтоянная рассеиваемая мощность коллек-
т°^^50оС‘ 2Т932А, 2Т932Б, КТ932А—
VT932B...................................
Т«= 125°C 2Т932А, 2Т932Б . . . .
Тепловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление переход — среда .
Температура перехода ....................
Температура окружающей среды:
2Т932А, 2Т932Б .....................
КТ932А - КТ932В........................
20 Вт
5 Вт
5 °С/Вт
42 °С/Вт
150 °C
от 60 °C до
Тк = 125 °C
от —60 °C до
Г» = 100 °C
1 При Т'к>50°С Рк max [Вт] — (150— T«)/Rt П, К (при исполь-
зовании транзистора с теплоотводом), при 7’>50°С Рк max (Вт] =
_ (РУО-- /") / Р т п, с (при использовании транзистора без теплоот-
вода)-
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное <и о ю о с X <и о X л ч еа X к * со S m /К(/К, и’> А i 1
'раничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ, МГц- 21932 \ 2Т932Б КТ932А КТ932Б Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ- Г=25 °C 2Т932А, КТ932А 2Т932Б, КТ932Б КТ932В Т=-60 °с 2Т932А 2Т932Б 7'= 125 °C 2Т932А 2Т932Б ?ДпРЯЖеНис насыщения ллектор — эмиттер, В эЙ-?ТНЬ1Й ток коллектор — "=25°с?6э=,О° Ом)’ В: тсЭ' КТ932А *1932Б, КТ9Ч2Б КТ932В д Ь Т = —60 ”С 2Т932А 2Т932Б р2Т931Б ht*KOCTb iron хода а к?Ллскторного пере- ^-Дщ__МГц). пФ ?гр л2 1Э иКЭ нас ;K3R Ск 30 50 80 100 I 5 30 40 1 0 20 1 5 30 0,2* 1 10* 45* 70* 30* 4 5* 0,4* 0,1* 0,1* 0,1* 160* 80* 100* 80* 1 20* 1,5 1,5 1 ,5 1 , 5 1 , 5 1 . 5 20 20 300 3 3 80 60 40 80 60 80 •0 С20) 1 , 5 (1.5) 1 (0,25)
2Т933А, 2Т933Б, КТ933А, КТ933Б
Транзисторы кремниевые эпитакснально-планариые р-п-р усили-
тельные. Предназначены для применения в широкополосных усили-
телях мощности и автогенераторах.
Корпус металлостсклянный с гибкими (2Т933А, 2Т933Б) и жест-
кими (КТ933А, КТ933Б) выводами. Масса транзисторов 2Т933А,
__ -
g не более 1,5 г, КТ933А, КТ933Б не более 24 г без накидного
JT933 ,масса накидного фланца не более 12 г).
фла”11 '
2Т933А, 2Т933Б
Электрические парзметры
-— Значение Режим измерения
Параметр Буквеиное обозначе- н не минимальное о а О с максимальн ое CQ 'со ZK(/K, и). А "Та
Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ. МГц Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: 7"—25 ’С 2Т933А. КТ933А 2Т933Б, КТ933Б ~=-60 "С 2Т933А 2Т933Б т = 125 ’С 2Т933А 2Т933Б «''XZ" насыщения Обратный ~ эмиттер. В эмитт" “DT0K коллектор- Г-. р9с^бэ~ ЮО Ом), мА: 2Т933А5,КТ933А П933А5 С с 2Т933Б tм Кость «ода if “л,Аекторного пере- 2Т933А 2® пФ: ^ЗЗА.Жв ^гр h213 ^КЭ нас 'кэ « Ск 75 I 5 30 1 0 20 I 5 30 0,2* 50* 100* 30* 4 5* 0,4* 60* 1 20* 80* I 20* 1 , 5 0.5 0, 5 5 5 1 00 70 3 3 80 60 80 60 (20) (0.4) (0,4) 0,4 (0,05)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер и коллектор — база:
2Т933А, КТ9°ЗЛ........................
2Т933Б, К.Т933Б.......................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора.
Тк 5g 50 °C1 2Т933А, 2Т933Б, КТ933А,
КТ933Б ...............................
125 °C 2Т933А, 2Т933Б . . . .
Тепловое сопротивление переход—корпус
Тепловое сопротивление переход-—среда
2Т933А, 2Т933Б..........................
Температура перехода ...................
Температура окружающей среды:
2Т933А, 2Т933Б .....................
КТ933А, КТ933Б........................
80 В
60 В
4,5 В
0,5 А
5 Вт
0,2 Вт
20°С/Вт .
125°С/Вт
150 °C
от —60 °C до
7’к=125 °C
от —60 °C до
Тк=100 °C
1 При Тк>50°С Рк max [Вт] = (150—-Тк)//?т п,к (при исполь-
зовании транзистора с теплоотводом), при 7'>5О°С Рк mav [Вт]=
= (150—Т)//?ти. с (при использовании транзистора без теплоот-
вода).
Раздел пятый
ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ
п-р-п
2Т606А, КТ606А, КТ606Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц
при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с жесткими выводами и монтаж-
ным винтом. Масса транзистора не более 6 г.
0/Z.7
Знаменне Реж <м измерен Ия
Параметр Бу квеиное обозначе и ие о S х S с» о а о с н о О -с о X к S 2d !Б • А 1
Выходная мощность (/ = — 400 MI ц) Вт 2Т606А KTGObA КТбОиБ Коэффициент усиления по мощности (/=400 МГц) Коэффициент полезного дей- ствия коллектора (/ = = 400 МГц) % Напряжение насыщения коттектор — эмиттер* В Моду ть коэффициента пере дачи тока на высокой ча- стоте (/=100 МГц) 2TG06A КТ606А КТ606Б Критический ток коллектора (/=100 МГц), А Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/ = 5 МГц), ис 2TG06A КТ606А 2TG06B Емкость коллекторного пе- рехода (/=5 МГц), пФ Емкость эмиттерного пере- хода (/ = 5 МГц) пФ Обратный ток коллектор — эмнттер (А?бэ=10 Ом), мА Т = 25 °C 2T60GA KTG06A КТ606Б Г = 85СС КТбОЬА КТ606Б Т= 125 °C 2TG0GA Обратный ток эмиттера мА 2Т6О6А КТ6064 КТ606Б Рв,„х А'у р Пк ^КЭ нас 7кр тк Сь сэ 7КЭ R ;ЭБО 0, 8 о.ь 2.5 35 3,5 3 о, I 3* 1 , 0 I 0 I 2 I 0 27 I 1 , 5 3, 0 2, 0 0 1 о . 3 2 8 28 28 10 I 0 I 0 (28) 65 0 4 0.2 0, I 0 03 ——. 0,04
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-—эмит
тер (/?<--, ЮО Ом)
Импульсное напряжение коллектор — эмит
тер 100 Ом)
2Т606А . . .
КТ606А, КТ606Б
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора
Постоянный ток базы
Средняя рассеиваемая мощность в динами
ческом режиме (Т„ «740 ° С)1
Тепловое сопротивление переход — корпус
65 В
75 В
70 В
4 В
0,4 А
0,8 А
0,1 А
2,5 Вт
44 °С/Вт
Температура перехода
2Г606А . . . 150 °C
KT606V КТ606Б ... 120 °C
Температура корпуса
2Г606А . 125 °C
КТ606А, К.Т606Б . . 85 °C
Температура окружающей среды
2Т606А . . . . от —60 °C до
Т, =125 °C
КТ606А, К.Т606Б . .... от —40°С ю
Л =85 °C
1 При I ^>40 С Рк, ср max
[Вт] = (Тп —Г„)/44
\h21e\! \Ь2,е\(1н ’00*Я)
Чисюга контактиои поверхности ~ г -п о юз ютлна быть пе
менее 2 5 11еплоскостность коптактноч пспжрмюсги гсплоогво та ю I-
АНа быть пе более 0.03 мм
Панка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от кор-
пуса транзистора паяльником нагретым до температуры не оо тес
250 °C в течение времени не более 3 с Целесообразно осуществлять
теплоотвот меж ту' корпусом и местом панки
2Т607А-4, КТ607А-4, КТ607Б-4
Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные п-р-п генера-
торные Предназначены для применения в усилителях мощности, ум-
ножитетях частоты и автотеиерагорах на частотах до 1 ГГц при
напряжении питания 20 В в герметизированной аппаратуре
Ьескорпуспые, с гибкими высотами Масса транзистора не ботсе
0 4г
П трамстр квенное обознтче ние 3 q <3 2 паче Hi о сс е о О 3 Режи» а £ сд 1 I 1 я зсл еиня 0.11 0 и 0.1 I 0,08 0,03
Выходная мощность (/ = = 1 ГГц медианное значе- ние) Вт Коэффициент j си тения по мощности (/=1 1Гц меди энное значение) тБ 2TG07A 1 КТ607Д 4 КТ607Б 4 Коэффициент полезного дей- ствия коттектора (/ = = 1 ГГц медианное значе- ние) °о 2Т607Д 4 KTG07A 4 (/’вх- = 0 4 Вт) КТ607Б 4 (^вх-Об Вт) Моду 31, коэффициента пере- дачи тока на высокой ча- стоте (/=100 МГц) Постоянная времени цепи обратном связи на высокой частоте (/=5 МГц) пс 2 IbO'A 4 КТ607А 4 КТ607Б 4 Емкость ко т тектор«'О1 о пере- хода (/=10 МГц) пФ 2Т60~А 4 КТ607А 1 КТбО’Б 4 Обратный ток KOTiehTOpa м кА 7 =25 °C 2Т6*47А 4 К Г607А 1 КТ007Б 4 Т = 85 СС КГ607А 4 КТ607Б 4 Т= I2u nC 2Т607А 4 Обратный ток эмиттера мкА 7 =25 °C Г = 85 °C КТ6О7А 4 КТ607Б 4 Т= 125 °C 2TG07A 4 КУ р п,, 1Л2 1 ')| тк Ск ’ к во 7эбо 0 85* 3 2‘ 38* 7 6 * 3 2* I 0 4 3 45 0* I 0* 3,6* 0 3* 0. 3* 0 1 * 1 , 2* 4 7 * 50* 1 5* I 8 4 4 5 I 0 1 0 5 5 5 0 5 3 3 20 20 20 (Ю) I 0 I 0 4 0 30 40 30 4 0 4
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер 10 Ом)
21607А-4 ....................
КТ607А-4 ....
КТ607Б-4 . .
Постоянное напряжение коллектор — база
2Т607А 4 ..............
КТ607А-4 . .
КТ607Б-4.............................
25 В
35 В
30 В
30 В
40 В
30 В
Постоянное напряжение эмиттер — база-
7<85°С . . .
Т=125 °C 2Т607А 4 ..............
Постоянный ток коллектора
Т <85 °C . .
7= 125 °C 2Т607Л4 . . .
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора
Т, <40 °C 2Т607А-4 . . .
Г, <50 °C КТ607А-4, КТ607Б-4 .
Тепловое сопротивление переход — корпус
микросхемы ....
Температура перехода
Температура корпуса микросхемы
2T607V4 . . .
К1607А-4, КГ607Б-4 . . . . .
Температура окружающей среды
2Т607Л 4 ................
КГ607А4, КТ607Б 4.....................
4 В
3 В
150 мА
125 мА
1,5 Вт
1,5 Вт
73 °С/Вт
150 °C
125 °C
85 °C
от •—60 °C до
Т„ = 125°С
от —50 °C до
Гц = 85 °C
1 При повышении температуры РК max [Вт] = (150 — Т„)/73
Крепление транзистора производится приклеиванием или напай-
кой. Максимально допустимая температура припоя пе более 160 °C.
Время напайки не более 3 с. Нажимное усилие на торце каждого
вывода не должно превышать 400 г.
2T6I0A, 2Т610Б, КТ610А, КТ610Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усили-
тельные. Предназначены для применения в линейных усилителях
мощности и напряжения.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводам^ п мон-
тажным винтом. Масса транзистора пе более 2 г
|Ические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Букве»»ное обозначе- ние минимальное типовое о о X t; 2 X о X СО S Та Ь ffi са ф Ь
Выходная мощность (f = ^400 МГц). Вт. 2Т6ЮБ Коэффициент усиления по мощности (f —400 МГц): 2Т610Б Коэффициент полезного дей- ствия коллектора (/= = 400 МГц). %: 2Т610Б Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: 2Т610А 2Т610Б KT6I0A КТ610Б Р вых Кур ”к Й21Э 1 6,3 45 50 20 50 20 8* 50* 1 50* 60* 12* 65* 250 250 300 300 I 2, 6 12,6 12.6 (Ю) 0, 1 5
Неравномерность коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ (в режиме малого сигнала): 2Т610А, КТ610Б Модуль коэффициента пере- дачи тока (7—100 МГц): 2Т610А, КТ610А 2Т610Б, КТ6ЮБ ^21э max ^213 mln |й21э| 10 7 1 2* 1 1* 2, 3 16» 15» (10) 0,03-^0 27
Коэффициент шума (f= =2-? 200 МГц)*, дБ Постоянная времени цепи обратной связи по высокой частоте (f = 30 МГц), пс: 2T6I0A 2Т610Б КТ610А КТ610Б Граничное напряжение, В Емкость коллекторного пере- хода (f=io МГц), пФ- 2Т610А, 2Т510Б КТ610А, КТ610Б Емкость эмиттерного пере- хода (/=10 МГц), пФ Обратный ток коллектора, Г=25 °C rZS-T КТ6ЮА, КТ610Б 2э„С 2т6ЮА. 2Т610Б 7=25Ь’С Т0К Эмитте₽а- мА: ИнлТ»'г5°С 2Т610А- 2Т610Б вывоУда,"ВнГиТЬ 3MHTTePHor<> ^гоУХВоНд°аС*Т,Ь нГнК°ЛЛеКТОр- тк С'КЭ гр Ск Сэ ;КБО ;ЭБО Ч LK 4 4* 3* 21 8 20 2,7* 2* 16* 6 20* 7,5* 24* 3,2* 17* 0,08* 0,01* 1 ,28 2,38 8 35 18 55 22 30* 4 , 1 4. 1 21 0.5 5 I . 5 0. I 0,5 10 10 10 26 0 4 0,03 0,03 0,05
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?бэ< 100 Ом)......................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Тк^50°C)1 . . . .
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ...................
Температура корпуса:
2Т610А, 2Т610Б ....................
КТ610А, КТ610Б........................
Температура окружающей среды:
2Т610А, 2Т610Б..........................
КТ610А, КТ610Б........................
26 В
4 В
0,3 А
1,5 Вт
65 °С/Вт
150 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
Тк=125°С
от —45 °C до
Тк = 85°С
1 При Тк>50°С Рк, ершах [Вт] = (150 — Тк)/65.
2Т624А-2, 2Т624АМ-2, КТ624А-2,
КТ624АМ-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-плаиарные п-р-п им-
пульсные. Предназначены для работы в импульсных устройствах, в
Устройствах памяти ЭВМ в герметизированной аппаратуре.
Ьескорпусные, с защитным покрытием и гибкими выводами. Тран-
зисторы 2ТВ24А-2, КТ624А-2 изготавливают на керамическом кри-
КТб24деРЖателе РазмеРом 1,9X1,9 мм, транзисторы 2Т624АМ-2,
44ДМ-2 на металлическом кристалле держателе размером ЗХ
тпя ММ’ Масса транзисторов 2Т624А-2, КТ624А-2 не более 0,015 г,
нинзисторов 2Т624АМ-2, КТ624АМ-2 не более 0,04 г.
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное типовое максимальное m Тс ей из < /Б, мЛ J
Граничное напряжение (Ти ^30 мкс Q^50), В 11а пряжение насыщения коллектор — эмиттер, В. 2Т624А 2, 2Т624ЛМ-2 КТ624А-2, КГ624АМ-2 Напряжение насыщения база — эмиттер, В ClаТПЧССКИЙ КОЭфф ИЦИ- ОН! передачи тока в схе- ме ОЭ Модуль коэффициента передачи тока на высо- кой частоте (/=100 МГц) Время рассасывания, нс: 2Т624А-2, 2Т624АМ-2 2Т624А-2. КТ624АМ-2 Емкость коллекторного перехода (/=’0 МГц), пФ Емкость эмиттерного пе- рехода (/==10 МГц), пФ Обратный ток коллекто- ра. мкА.. Г=/щ|п и 25 °C Тк == Тк mar Обратный ток коллек- тор — эмиттер (/?бэ = 0), мкА. Г = —60 и +25 °C 2Т624А-2, 2Т624АМ-2 Гк=125°С 21624А-2, 2Т624АМ-2 Обратный ток эмиттера мкА- Т ~ Т гл 1 п и 25 °C Т’к==125°С 2Т624А-2. 2Т624АМ-2 иКЭО гр ^КЭ нас УБЭ нас Л21Э |Л2 1 э | *рас Ск сэ ;КБО ;КЭК ;ЭБО 1 2 0,58* 0,58* I , 05* 30 4,5 6* 7* 27* 22* 0,62* 0,62* 1 ,2* 70* 9,7* 1 1 * 7,2* 30* 35* 0, 87 0, 9 1 . 7 180 12* 15 1 8 1 5 50 100 1 000 200 1200 1 00 1 000 0,5 (5) (30) (20) 30 20 0,5 4 30 1 000 1000 300 I 00 100 1 00 100 1 00 100 100
Предельные
эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
Тк = —60 4- +100 °C 2Т624А-2, 2Т624АМ-2
Т =125 °C 2Т624А-2, 2Т624АМ-21 . .
Гк = _45 4- +85 °C КТ624А-2, КТ624АМ-2
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
* (ЯОэ = 5 кОм) КТ624А-2, КТ624АМ-2
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора (Ти<с5 мкс,
<2^Ю) .......................
Постоянная рассеиваемая мощность2:
2Т624А-2, 2Т624АМ-2
Тк = —60 4-+85 °C . . . .
у — 125 °C
КТ624А-2. КТ624АМ-2
/„ = -454-+70 °C . .
Г,, = 85 °C
Температура перехода:
2Т624А-2, 2Т624АМ-2 . . . . .
КТ624А-2, КТ624АМ-2...................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура окружающей среды:
2Т624А-2, 2Т624АМ-2...................
КТ624А-2, КТ624АМ-2
30 В
20 В
30 В
30 В
4 В
1 А
1,3 А
1 Вт
0,2 Вт
1 Вт
0,7 Вт
135 °C
120 °C
50 °С/Вт
от —60 °C до
Тк=125 °C
от —45 °C до
7’„ = 85 °C
' иквотах 1В1 в диапазоне температур
125 °C снижается линейно.
2 РК max [BtJ = (Гп — Тк)//?Т п, к.
корпуса от 100 до
' У^'^ЮОЗ 009 OOh 002
9' пн^П
Монтаж транзисторов осуществляется следующим образом: место
монтажа смачивается спирто-канифольным флюсом (10—30% кани-
фоли ГОСТ 19113—73, спирта 70—90% ГОСТ 18300—72), затем
укладывается фольга припоя ПОС-61 ГОСТ 21931—76 толщиной
30 мкм, размером 3X3 мм. Температура пайки 200±5°С, время пай-
ки 10 с. В момент пайки транзистор притирается к месту монтажа
пинцетом. Допустимый статический потенциал ие более 1000 В.
2Т633А, КТ633А
Транзисторы кремниевые эпитаксиальио-планарные п-р-п им-
пульсные. Предназначены для работы в импульсных переключающих
устройствах.
Корпус металлический с изоляторами и гибкими выводами. Мас-
са транзистора не более 3 г.
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим намерения
минимальное | типовое । максимальное СО *tQ 5, То ь со 03 Ь
X Zg, мА
Граничное напряжение, В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения база — эмиттер*, В Статический коэффици- ент передачи тока в схе- ме ОЭ: Г—25 °C Г=125°С 2Т633А Г = —60 °C 2Т633А Граничная частота коэф- фициента передачи тока в схеме ОЭ, МГц Время рассасывания, нс Время включения*, нс иКЭО Гр икэ нас УБЭ нас Л21Э ^гр *рас ^вкл 15 0, 15* 0, 79* 40 40 20 500 3* 8 0,3* 0,85* 70* 600* 6* 9 0,5 1,5 140 280 140 950* 13 12 (1) I 0 1,5 (10) 100 100 (10) 100 10 10 10 Ю 10 3
Время выключения*, ис f вынл 10 13 18 1, 5 10 3
Емкость коллекторного перехода (f = 10 МГц), пФ Емкость эмиттерного пе- рехода (/=10 МГц), пФ Коэффициент шума (/== = 20 МГц), дБ Постоянная времени це- пи обратной связи на высокой частоте (/ = = 5 МГц), ис Обратный ток коллекто- ра, мкА: 7 = 25 °C 7=125 °C 2Т633А 7 = —60°С 2Т633А Обратный ток эмиттера, мкА: 7 = 25 °C 7=125 °C 2Т633А 7' = —60 °C 2Т633А Обратный ток коллек- тор — эмиттер, мкА Ск св тк 1КБО ^ЭБО 1 как 3* 4* 5* 3,3* 6* 1 0* 0, 09* 0,01* 0,09* 4,5 25 8 25 1 50 1 1 50 1 I (10) (5) (10) (30) 30 0,5 4,5 (5) 30
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база. 30 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 4,5 В
Постоянный ток коллектора .... 0,2 А
Импульсный ток коллектора (ти^Ю мкс,
Q>50)............................. 0,5 А
Постоянный ток базы.............. 0,12 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:
без теплоотвода 2Т633А Т~— 604-4-25 °C 0,36 Вт
Т = 125°С .... 0,072 Вт
КТ633А Т = — 45—+ 25 °C 0,36 Вт
Г = 85°С................. 0,187 Вт
с теплоотводом 2Т633А Тк — —604- + 25°С 1,2 Вт
Т„ — 125 °C .... 0,24 Вт
КТ633А Тк = — 45-н + 25°С 1,2 Вт
7\ = 85°С .... 0,625 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность2
(т„^10 мкс, Q>50, T = Tmin —50°С) 7,2 Вт
Температура перехода.................. 150 ° С
Тепловое сопротивление переход — окружа-
ющая среда......................... 347,22 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус 104,17°С/Вт
Температура окружающей среды:
2Т633А............................—60 4-+125 °C
КТ633А ......... —45 4- 4-85°С
1 При 25 C^7'^TKmax(7'max) Рк max
Рт п, к (7?Т п. С) .
2 Рк, и max [Вт] в интервале температур
снижается линейно на 5,7 мВт/’С.
[Вт] = [Т„-ТК(Т)]/
ОТ 25 °C ДО Тmax
Допустимый статический потенциал не более 1000 В.
2Т634А-2, КТ634А-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах иа частотах 1—5 ГГц при
напряжении питания 20 В в герметизированной аппаратуре.
Корпус металлокерамический с гибкими полосковыми выводами
Масса транзистора не более 0,15 г.
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т634А-2 Г,, 5г 25 °C.................
Г„ = — 60 °C1........................
КТ634А-2.............................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . .
Импульсный ток коллектора ....
Постоянный ток базы................
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (ГК<25°С)2 . . . .
Постоянная рассеиваемая мощность
(ТК=С25°С)2............................
Тепловое сопротивление переход—корпус
Тепловое сопротивление переход—корпус в
динамическом режиме....................
Температура перехода ..................
Температура корпуса:
2Т634А-2..............................
КТ634А-2................ . . .
Температура окружающей среды:
2Т6.34А-2.............................
КТ634А-2 ... ..............
50 В
25 В
30 В
3 В
0,15 А
0,25 А
0,075 А
1,8 Вт
1,2 Вт
100°С/Вт
70 °С/Вт
150 °C
125 °C
100 °C
от —60 °C до
Гк = 125°С
от —45 °C до
Гк = 100 °C
1 При Тк от -|-25 °C до —60 °C снижается линейно.
2 При ГК>25°С mai [Вт] = (150 —
Значение Режим изме-~ Ре иня
Параметр Буквенное обозначе- ние о о X «3 X X S и о а О с максимальное CQ m IQ СП X
Выходная мощность (/ = = 5 ГГц). Вт: 2Т634А-2 КТ634А-2 Коэффициент усиления по мощ- ности (/=5 ГГц, Рвх = 0,2), Вт Коэффициент полезного дейст- вия коллектора (f — 5 ГГц, Рвх=0,2 Вт). % Граничная частота коэффициен- та усиления по току, МГц Постоянная времени цепи об- ратной связи на высокой часто- те (f — 100 МГц), пс Емкость коллекторного перехо- да (/=10 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (/=10 МГц), пФ Обратный ток коллектора, мА: Г = 25 °C Г=125 °C Обратный ток эмиттера, мкА: Т = 25 °C Г= 125 °C Индуктивность эмиттерного вы- вода*, иГн Индуктивность коллекторного вывода*, нГн Индуктивность базового выво- да*. нГн Емкость эмиттер — база*, пФ Емкость коллектор — база*, пФ Емкость коллектор — эмнттер*, пФ fBbIX КУ р ^гр тк Ск сэ ;КБО 'ЭБО Ч LK L0 ^эб Скб Скэ 0,35* 0,2 1 , 75* 17,5* (5 00 0,5* I , 5* 0,45 2,2 22,5 2000* 0,85* I , 9* 0, 1 * 0.1* 0,3 0,5 0,11 0,44 0,61 0, 03 0,68* 3,4 34* 2 2 , 5 8 0.5 5 50 500 20 20 20 20 10 1 1 1 5 30 0 3 0,1 0,1 0,1 0. I 0,1 0,03
Пайка выводов допускается на
расстоянии не меиее 3 мм от дер-
жателя при температуре не более 220 °C в течение не более 10 с.
2Т635А, КТ635А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п пере-
ключательные. Предназначены для работы в быстродействующих
переключательных устройствах.
Корпус металлический с изоляторами и гибкими выводами. Мас-
са транзистора не более 3 г.
Дбпусгимый статический потенциал не более 1000 В
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное типовое максимальное Та Тт> ь о 0) V са -Ч»
Граничное напряжение, иКЭО гр 45 52* 70* (0.01)
В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Статический коэффици- ент передачи тока в схе- ме ОЭ Граничная частота ко- эффициента передачи то- ка в схеме ОЭ, МГц Время выключения, ис ^КЭ иас h213 f гр ^выкл 0,26* 25 250 35* 0,4* 40* 400* 45* 0,5 1 50 700* 60 1 10 0,5 0,5 0,05 0,5 0,05 0,05
Емкость коллекторного перехода (f=10 МГц). пФ Емкость эмиттерного пе- рехода (f=10 МГц), пФ Постоянная времени це- пи обратной связи на высокой частоте* (f — = 5 МГц), пс Обратный ток коллекто- ра, мкА- Г=7'т1п И 25 °C 7=125 °C 2Т635А Обратный ток коллек- тор — эмиттер, мкА Т = 7min и 25 °C 7=125 °C 2Т635А Обратный ток эмиттера, мкА 7 = 7min и 25 СС 7= 125 °C 2Т635А Ск сэ тк ;КБО 'кэк ;ЭБО 7,2* 23* 7 7,4* 70* 25 10 90 58 1 0 I 00 10 1000 10 100 (10) (10) (60) 60 0 5 (0,03)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база 60 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 5 В
Постоянный ток коллектора .... 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1-
Т- ГШ1пН-25 °C..................... 0,5 Вт
Т’к = 7'„ min4-25°C................... 1,5 Вт
Температура перехода:
2Т635А.................................. 150 °C
КТ635А................................ 125 °C
Тепловое сопротивление переход — окружа-
ющая среда:
2Т635А.................................... 250°С/Вт
КТ635А.................................... 190°С/Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус:
2Т635А...................................... 83,3°С/Вт
КТ635А................................ 63 °С/Вт
Температура окружающей среды:
2Т635Л........................— 60^+125 °C
КТ635А..........................—45 н- +85°С
'При 25 С Т T'max [Тк max ) Р К max [ В Т ] — [Тп—
-Т (Г,,)]/R? в,с (Rt в,к).
2Т637А-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
оРные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
множителях частоты и автогенераторах на частотах до 3 ГГц при
^апряжении питания 20 В в герметизированной аппаратуре.
Корпус металлокерамический с гибкими полосковыми выводами.
Дасса транзистора не более 0,15 г.
Электрические параметры
Зиачение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- н ие О о X ц го S К X X S О о С2 О с максимальное CQ 2d m л (Ъ V *!
Выходная мощность (f — =3 ГГц, медианное значе- ние). Вт Коэффициент усиления по мощности (/ = 3 ГГц, />вых = 0.5 Вт) Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Модуль коэффициента пере» Дачи тока на высокой ча- стоте (/ = 300 МГц) Критический ток коллектора (/=300 МГц). А Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (f=ioo МГц), пс ёмкость коллекторного пере- хода, пФ мкость эмиттерного пере- хода, пф Полное входное сопротивле- -2ПП „(/ = 3 ГГЧ’ = 200 мВт)*, Ом Р вых КУ р Л2ЧЭ |Л21Э| ZHP тк Ск сэ ZBX 0,4* 2* 30 4 3,2 0,2 0.7* 2,4* 10,5* 0,5 2.5 90* 7* 0,45* I .0* 2,7* 12,5* 104- +/15 1 ,0* 5,0* 140 1 0* 0,6* 3 4 , 5 1 7 20 20 5 1 0 10 10 10 15 20 0 0, 1 о, 1 0,05 0, I 0.2 0,03 0, 1
Оконч,,,..
Значение Режим пир нзмспри..-
Параметр Буквенное обозначе- ние о> О X в; га 2 S X X S V О CQ о Е £ (D О X л 5- X X га S со LQ со Й пЯ
Обратный ток коллектора, мА Г = 25 °C Г= 125 °C Обратный ток эмиттера, мА: Г = 25 °C Г = 125 °C Индуктивность вывода эмит- тера*. иГи Индуктивность вывода кол- лектора*, иГи Индуктивность вывода ба- зы*, нГн 'КБО ;ЭБО ч> 0,3 0,5 0,112 0, 1 1,0 0, 1 i .0 30 2,5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора (Ти^Ю мкс,
<2^50)................................
Постоянный ток базы...................
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (/^800 МГц, Г,,«Г25°C)1 2
Импульсная рассеиваемая мощность
(т„<10 мкс, Q>50, Тк«£25°С)2 . . .
Тепловое сопротивление переход — корпус
микросхемы..............................
Температура перехода ...................
Температура корпуса ....................
Температура окружающей среды . ' »
30 В
2,5 В
0,2 А
0,3 А
0,1 А
2 Вт
2,5 Вт
62,5 °С/Вт
150 °C
100 °C
от —60 °C до
Т’к=100‘,С
1 При Тк>25°С Рк ср max [Вт] = (150—) / 62,5.
2 При Гк>25°С Раита! [Вт] =(150 —Ти)/83,3.
ZT537#~Z
f = ЗГГц икб^ов IK '
Пои монтаже и пайке транзистора допускается температура не
fIe 200 °C в течение времени не более 3 с с усилием прижима 5 Н.
гГйка выводов эмиттера и коллектора допускается на расстоянии
* аменее 3 мм от керамического основания в течение времени ие бо-
Не 3 с. Допускается производить ------------- -------------------
от керамического основания
2оо °C в течение времени не более 1
пайку на расстоянии не менее
при температуре в месте пайки
с.
2Т643А-2, КТ643А-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах на частотах 2—8 ГГц при
напряжении питания 15 В в герметизированной аппаратуре. Выпу-
скаются на металлокерамическом держателе с гибкими полоско-
выми выводами. Обозначение типа приводится на держателе марки-
ровкой синей точкой (одна для 2Т643А-2 и две для КТ643А-2). Мас-
са транзистора не более 0,2 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе - пне Значение Режим измерения
минимальное О а О С X о о X СЗ S о X СП S 02 LQ <
Выходная мо|цнос'г’- (f = ,, Вт коэффициент усилении р мощности (/ = 7 ГГц. р вых Ку р 450* 500 550* I 5 I 5 0,09 0,09
*,“х=200 мВт) Раничная частота коэф- фициента передачи тока, f гр 3.8* 5, 2* 5 0,05
2,3 4 , 5* 5 0. 13
топаТИ<,еСКИЙ ток коллек- тора (/=[ ГГц), А 'кр 0, 14 5
-----------------------------------------------------Окончани«
Значение Реч5^Т~
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное 1 v о я О Е S (- максимальное 1_3Лерення
£/КБ’ В /к, А 1
Фаза коэффициента не- arg(h2 J Б) 9,5» 10,5* 16* 15 5 0,05 0, 13
редачи тока иа высокой частоте (/ = 1 ГГц), гра- дус 13* 25 5
Модуль коэффициента обратной вередами на- пряжения (f==100 МГц) Постоянная времени це- ли обратной связи на высокой частоте*, нс Islas! тк 0,4 • 10-3* 0,5 -10 —3 0, 5 1.5. 10~3 5 5 0,05 0,05
Емкость коллекторного перехода (f=10 МГц), пФ Емкость эмиттерного пе- рехода (f==10 МГц), пФ Обратный ток коллекто- ра, мА* Г = 25 °C Г=125 °C Обратный ток эмиттера, мА- Г = 25 °C Г = 125 °C Индуктивность эмиттер- ного вывода (внутрен- няя)*, иГн Индуктивность коллек торного вывода (внут- ренняя)*. иГи Индуктивность базового вывода (внутренняя)*, иГи Емкость эмиттер — кор- пус*, пФ Емкость коллектор — корпус*. пФ Ск сэ 'КБО 'ЭБО Бэ LC> Сэ,к Ск.к I , 2* 1,3» 4,5* 0, 1* 0,02» 0,6 0,5 0,3 0.2 0,3 1 , 8 7 J , 0 10 о, 1 1 0 1 5 25 (3)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме 7'к^50°С|.................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ...................
Температура корпуса 2Т643А-2
Температура окружающей среды
25 В
3 В
0,12 А
1,1 Вт
90 °С/Вт
150 °C
125 °C
от —60 °C до
Т„=125 °C
' При Т„>50°С Рктах (Вт] = (150 — Тк)/90.
Сдэ .. 0,004 П<р(0^-5в)
ZT643
С^2 . (МпФа/^ЭВ)
h
0,6 нГц
4~7ООм
rSan
нТ
~Г*ГЭ
С^.j ..0,25пФ
!1Ъ
Ог 5 ft/н
СВл &ПФ
_|_ а
“Го,гпФ
С3 10пФ [
7,5-20,
0,3 С
нГн С
rs
02
»0,9пФ
L6
0,3 пФ
Монтаж транзисторов осуществляется припайкой металлизирован-
ного основания держателя к теплоотводу прн 7’<С150°С. Пайка вы-
водов производится на расстоянии не менее 2 мм от держателя при
Г^260°С. Допускается пайка выводов иа расстоянии до 0,5 мм от
держателя при 7'^150 °C в течение времени не более 3 с.
Допускается использование транзисторов в диапазоне частот
J0 МГц — 2 ГГц в усилителях и генераторах мощности при напряже-
нии питания не более 10 В.
2Т652А-2
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный' п-р-п пере-
ключающий. Предназначен для работы в переключающих и усили-
тельных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусиые, на керамической подложке, с защитным покрыти-
ем и гибкими выводами. Выпускаются в таре, позволяющей произво-
дить измерение электрических параметров. Масса транзистора не бо-
лее 0,015 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное Та ^БЭ. В yw ‘М/ S л -X
Граничное напряжение (хи <30 мкс. 50), В Напряжение насыщения ^КЭО гр 36 50* 58* 10
^КЭ нас 0,16* 0,28* 0,65 500 50
коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения ^БЭ нас 0,86* 0,89* 1,2 500 50
база — эмнттер, В Статический коэффици- ент передачи тока в схе- ме ОЭ 25 47* I 00 3 500
Л21Э
Граничная частота коэф- t 200 900* 1000* 10 50
фициеита передачи тока
в схеме ОЭ, МГц Время рассасывания, ис !рас 35* 45* 1 00 500 50
Емкость коллекторного с„ 6* 7,2* 1 2 (10)
перехода (f=10 МГц),
Емкость эмиттерного пе- Сд 65* 77* 1 1 0 0
Рехода (f=10 МГц), пФ ^оратный ток коллекто- ра. мкА: 'КБО (30)
£=-60+ +25 °C 0,01* 30
2кдатиый ток эмиттера, ГЭБО 300 4
60 4-+25 ос _2 = 125оС 1* 100 300
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?бэ^500 Ом) .......
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора (тн^5 мкс,
Q>30) ...................
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора'
с теплоотводом1 Тк = — 60 +50 °C
Тк = 125°С . . . .
без теплоотвода2 Т = —60— +50 °C
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора3 (т„^5мкс, Q^30, Тк = — 6О-?+5О°С)
Температура перехода ...................
Температура окружающей среды
50 В
45 В
4 В
1 А
2 А
1 Вт
0,25 Вт
0,5 Вт
1,5 Вт
150 °C
-60-г- +125 °C
1 При 7’К>5О°С Рк max снижается линейно иа 10 мВт/°С.
2 При Т>5О°С Рк max снижается на 4 мВт/°С
3 При Тк>50°С Рк, и max снижается линейно иа 15 мВт/°С
411
Монтаж транзисторов осуществляется следующим образом. Ост-
рым режущим предметом, например скальпелем, отрезать выводы от
сварных точек тары. Нанести иглой на монтажную площадку платы
каплю теплопроводящего клея ЭЧТ ЫУ0.028.0Й2 ТУ. Взять пинцетом
транзистор, поместить его на клей и осторожно прижать по пери-
метру керамического держателя (прижимающее усилие ие должно
превышать 5 Н) к плате и сушить при температуре 145 °C в течение
45 мин. Сварка выводов допускается не ближе 2 мм от места выхода
вывода из защитного покрытия.
2Т904А, КТ904А, КТ904Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах иа частотах 100—400 МГц
при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с жесткими выводами и монтажным
винтом. Масса транзистора не более 6 г.
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние 1 i минимальное ' 1 типовое I максимальное 02 а ‘зел V ‘Я/ ih «ч
Выходная мощность, Вт1 2Т904А, КТ904Д (/= == 100 МГц) КТ904Б (/ = 400 МГц) 2Т904А (/=100 МГц) Коэффициент усиления по мощности: 2Т904А, КТ904А (f= =400 МГц, Рвых~3 Вт) КТ904В (/=400 МГц, 1°пых=2,5 Вт) Коэффициент полезного дей- ствия коллектора, %: / = 400 МГц /=100 МГц Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ* Граничное напряжение*, В Напряжение насыщения коллектор — эмитетр*. В Напряжение насыщения ба- за — эмиттер*, В Модуль коэффициента пере- дачи тока иа высокой ча- стоте (/=Ю0 МГц): 2Т904А, КТ904А КТ904Б Критический ток коллектора (/=100 МГц), А: 2Т904А, КТ904А КТ904Б Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/ = 5 МГц), пс: 2Т904А, КТ004А КТ904Б Емкость коллекторного пере- хода, пФ Емкость эмитерного перехо- да*, пФ Обратный ток коллектор — эмиттер (Ябэ=100 Ом), мА: Г=25 °C 2Т904А КТ904А КТ904Б Т =85 °C КТ904А, КТ904Б Г= 130 °C 2Т904А Обратный ток эмиттера, мА: Г=25 °C 2Т904А КТ904А, КТ904Б Г=85 °C КТ904А. КТ904Б 130 °C 2Т904А Индуктивность вывода*, нГн ₽вых КУ р Чк h21Э УКЭ гр иКЭ нас ^БЭ пас lft213| Znp си Ск Сэ 7КЭ R 7ЭБО LK. Ч 3 2,5 2.5 2 30 65* 10 40 0,2 0,85 3,5 3 0,4 0,3 90 8* 40* 73* 30 0,3 0,9 0,8* 130 40 60* 80* 60 0,6 0,95 1 , 0* 15 20 12 170 1 1.5 4,5 2,0 0, 1 0,3 0,9 0,2 28 28 28 5 28 10 (Ю) (28) 65 60 60 60 4 0,25 0 2 0, 25 0,25 0,2 0,05 0,05 0,03
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое I максимальное 1 УЭБ> в 'к- А ।
Емкость эмиттер — корпус*, пФ Емкость база — корпус*, пФ Емкость коллектор — кор- пус*, пФ Сэ.к сб.к Ск к 1,3 1 ,3 I , 8
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер 100 Ом):
2Т904А 65 В
КТ904А, КТ904Б 60 В
Импульсное напряжение коллектор—эмит- тер 100 МГц):
2Т904А ... .... 75 В
КТ904А, КТ904Б 70 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 4 В
Постоянный ток коллектора .... 0,8 А
Импульсный ток коллектора .... 1,5 А
Постоянный ток базы 0,2 А
Средняя рассеиваемая мощность в динами- ческом режиме (Тк^40°С)1:
2Т904А .... 7 Вт
КТ904А, КТ904Б 5 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус Температура перехода: 16 °C/Вт
2Т904А 150 °C
КТ904А, КТ904Б Температура корпуса: 120 °C
2Т904А 125 °C
КТ904А, КТ904Б Температура окружающей среды: 85 °C
2Т904А от —60 “С до 7„=125°С
КТ904А, КТ904Б .... . . от —40 °C до ТК = 85°С
1 При Гц >40 °C Рк, ср max [Вт] = (Гп — Тк)/16.
Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 1 мм от кор-
пуса. Усилие, перпендикулярное оси вывода, не более 0,5 Н. Заире-,
щается изгиб и кручение выводов.
415
2Т907А, КТ907А, КТ907Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100—400 МГц
при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с жесткими выводами н монтажным
винтом. Масса транзистора не более 6 г.
012.7
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
1 I минимальное типовое | максимальное д ь tn СП ф Ь V '(З/Р1/
Выходная мощность ()= = 400 МГЦ. 7к = 40°С), Вт: 2Т907А, КТ907А КТ9О7Б Коэффициент усиления по мощности (f—400 МГц): 2Т907А, КТ907А КТ907Б Коэффициент полезного дей- ствия коллектора (f = = 400 МГц), % Статический коэффициент р вых кУр ”к Л21Э 8 6 2 I ,5 45 10 10 8 65* 50* 70* 80 28 28 28 5 0,4
передачи тока в схеме ОЭ* Напряжение насыщения коллектор — эмиттер*, В Напряжение насыщения ба- за — эмиттер*, В Граничное напряжение кол- лектор — эмнттер*, В Модуль коэффициента пере- дачи тока иа высокой ча- стоте МГц): 2Т907А, КТ907А КТ907Б Критический ток коллектора (/=100 МГц), А: 2Т907А, КТ907А КТ907Б Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (f=5 МГц), пс: 2Т907А, КТ907А КТ907Б Емкость коллекторного пере- хода (/=5 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехо- да (/ = 5 МГц), пФ Обратный ток коллектор — эмиттер (7?бэ=100 Ом), мА: Т=25°С 2Т907А КТ907А. КТ907В Т=85°С КТ907А, КТ907Б Г=130°С 2Т907А Обратный ток эмиттера, мА; Г=25 °C 2Т907А КТ907А. КТ907Б Г = 85 °C КТ907А, КТ907Б 7’= 130 °C КТ907А Индуктивность коллектор- ного вывода*, нГн Индуктивность базового вы- вода*, нГи пусК*°СТф Коллектор — кор- Емкость база — корпус*, пФ УКЭ нас УБЭ нас УКЭ гр |Л21 э| 7кр тк СК сэ 1кэн 1ЭБО L6 ск сб 0,15 0,85 40 3,5 3 1.0 0,8 190* 0,35 0,9 1,8» 220* 4 4 5 1,3 0,65 0,95 2,5* 15 25 20 250 2 3 6 4 0,25 0,35 0,7 0,25 28 10 (10) (30) 65 60 60 65 4 4 4 4 0,25 (0,05) 0,25 (0,05) 0,2 0,4 0,03
[редельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер (Я6эй£ 100 Ом).
2Т907А ...........................
КТ907А, КТ907Б....................
Импульсное напряжение коллектор — эмит
тер
2Т907А............................
КТ907А, КТ907Б ...................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора (Ти^Ю мкс
<?>100).............................
Постоянный ток базы.................
Средняя рассеиваемая мощность в дииами
песком режиме (Тк^25°С)*:
2Т907А
КТ907А, КТ907Б .
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода:...............
2Т907А
КТ907А, КТ907Б
Температура корпуса:
2Т907А ...........................
КТ907А, КТ907Б....................
Температура окружающей среды:
2Т907А ............................
КТ907А, КТ907Б....................
65 В
60 В
75 В
70 В
4 В
1 А
3 А
0,4 А
16 Вт
13,5 Вт
7,5 °С/Вт
150 °C
125 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
Тк=125 °C
от —40 °C до
Тк = 85 °C
При Тк>25°С для 2Т907А Рк. ср max [Вт] = (150 — Тк)/7,5;
для КТ907А, КТ907Б /?к, ср max [Вт] = (125 — Т)/7,5.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от
корпуса.
2Т909А, 2Т909Б, КТ909А—КТ909Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100—500 МГц
при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Масса
транзистора не более 4 г.
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное ; i типовое максимальное . са Та Ь Ф сз (П b ZK. а th
Выходная мощность (f= =500 МГц, 7к = 40 С), Вт: 2Т909А 2Т909Б КТ909А КТ909Б КТ909В КТ909Г Коэффициент усиления по мощности </=500 МГц): 2Т909А, КТ909А (Рвых= = 17 Вт) 2Т909Б. КТ909Б (Рвых = = 35 Вт) КТ909В КТ909Г Коэффициент полезного дей- ствия коллектора (f= = 500 МГц), %: 2Т909А. 2Т909Б. КТ909А, КТ909Б КТ909В, КТ909Г Напряжение насыщения коллектор — эмиттер*, В 2Т909А. КТ909А, КТ909В 2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г Напряжение насыщения ба- за — эмиттер*, Б: 2Т909А, КТ909А, КТ909В 2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой часто- те (/=100 МГц)- 2Т909А, КТ909А 2Т909Б, КТ909Б КТ909В КТ909Г Критический ток коллектора (1 = 100 МГц). А: 2Т909А, КТ909А 2Т909Б, КТ909Б КТ909В КТ909Г Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (f=5 МГц), пс: 2Т909А, КТ909А 2Т909Б, КТ909Б КТ909В КТ909Г Емкость коллекторного пе- рехода (f = 5 МГц)», пФ: 2Т909А, КТ909А 2Т909Б. КТ909В. КТ909Г КТ909В Емкость эмиттерного перехо- да' (^ = 5 МГц). пФ- ,™9А. КТ909А, КТ909В 21909Б, КТ9О9Б, КТ909Г р вых КУ р ”к УКЭ нас ^БЭ нас 1Л21э1 7кр тк Ск сэ 17 35 17 35 12 30 I ,7 1,75 I , 2 1 , 5 45 40 0, 12 0. 12 0,65 0.65 3.6 5 3 4,5 3 3 2,5 5 170 350 24 42 20 40 15 35 55* 55* 0, 18 0, 18 0,85 0,85 6,5* 6,5* 4* 8» 30 60 35 250 500 75* 0,3 0, 3 0,9 0,9 8,0* 9,0* 20 20 30 30 350 700 28 2d 28 10 10 10 10 I 0 (10) (10) (10) (10) (28) 0 0,5 1.0 0,5 1.0 1 .8 3.0 1.5 3,0 0.15 0,3 0, 15 0,3 о. 1 0.2 0,1 0,2
Окончание
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное типовое максимальное То а са £ V ‘3/
Обратный ток коллектор — эмиттер (/?бэ=10 Ом), мА: 7=25 °C 2Т909А КТ909А, КТ909В 2Т909Б КТ909Б, КТ909Г Т=35 °C КТ909А, КТ909В КТ909Б, КТ909Г 7=125 °C 2Т909А 2Т909Б Обратный ток эмиттера, мА: 7=25 °C 2Т909А КТ909А, КТ909В 2Т909Б КТ909Б, КТ909Г 7 = 85 °C КТ9О9А, КТ909В КТ909Б, КТ909Г 7= 125 °C 2Т909А 2Т909Б Индуктивность коллектор- ного вывода (1=3 мм)*, нГ Индуктивность базового вы- вода (/=3 мм)*, нГ Емкость эмиттер — база*, пФ Емкость коллектор — база*. пФ Емкость коллектор — эмит- тер*, иФ Ф 1© • - X J и У 2 2.5 0, 85 0,35 1.7 25 30 50 60 30 60 25 50 4 6 8 10 6 10 4 8 60 3,5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?б»<ЮОм)'........................
Импульсное напряжение коллектор—эмит-
тер (Лба^ 10 Ом).......................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора:
2Т909А, КТ909А, КТ909В...............
2Т9О9Б, КТ909Б, КТ9О9Г...............
Импульсный ток коллектора (т.^20 мкс,
Q>50):
2Т909А, КГ909А, КТ909В...............
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г . . . . .
Постоянный ток базы:
2Т909А, KT9Q9A, КТ909В...............
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г...............
60 В
60 В
3,5 В
2 А
4 А
4 А
8 А
1 А
2 А
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Те =^40 С) .
2Т909А КТ909А, КТ909В ....
2Т909Б; КТ909Б, КТ909Г ....
Тепловое сопротивление переход — корпус:
2Т909А, КТ909А, КТ909В ....
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г ....
Температура перехода:
2Т909А, 2Т909Б......................
КТ909А. КТ909Б, КТ909В, КТ909Г .
Температура корпуса:
2Т909А, 2Т909Б......................
КТ909А, КТ909Б, КТ909В, КТ909Г .
Температура окружающей среды:
2Т909А, 2Т909Б......................
КТ909А, КТ909Б, КТ909В, КТ909Г .
27 Вт
54 Вт
5 °С/Вт
2,5 °С/Вт
160 °C
120 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
Тк=125 °C
от —40 °C до
Тк =85 °C
1 При Т = Тп mm ^кЭЛтах—50
2 ПрН Тк>40°С Рк.сртах [Вт]=(Тв—Тк)//?тп.к.
f гр, ГГц
Допускается пайка выводов на расстоянии ие Менее 3 мм от кор-
пуса в течение времени ие более 10 с при температуре пайки ие
более 260 °C. Обрезание выводов допускается на расстоянии ие менее
5 мм от корпуса.
2Т911А, 2Т911Б, КТ911А—КТ911Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиальио-планариые п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах на частотах более 400 МГц
при напряжении питания 28 В.
Корпус металлопластмассовый с полосковыми выводами и мон-
тажным винтом. Масса транзистора ие более 6 г.
Электрические параметры
Параметр
Буквеииое
обозначе-
ние
•де
Выходная мощность (Гк = 40°С), Вт: °ЫХ 1=1,8 ГГц КТ911А 2T91IA. КТ911В f=I,0 ГГц КТ911Б 2Т911Б, КТ911Г Коэффициент усиления по мощ- Ку « ности: f = l,8 ГГц КТ911А (Р.ых-1,0 Вт) 7=1,8 ГГц 2Т911А, КТ911В (Рвыхв0,8 Вт) 7=1.0 ГГц КТ911Б 2Т911Б. КТ911Г Коэффициент полезного дейст- т)„ аня коллектора, % Статический коэффициент пере- ^21Э дачи тока в схеме ОЭ* Модуль коэффициента передачи 1 Л„1э | тока иа высокой частоте (7= =300 МГц): 2Т911А 2Т911Б KT9I1A. КТ911В Критический ток коллектора 7„п <1=300 МГц)*. мА: КР 2Т911А. КТ911А 2Т911В. КТ911Б КТ911В КТ911Г Постоянная временя цепи об- t ратной связи на высокой часто- Те (7=5 МГц), пс- 2Т911Б- КТ911А, К J У11Б КТ911В - КТ911Г 1 28 1.0 0,8 1,0 0,8 28 2,5 2 2,5 2 23 Ф0* 60* 28 15 40 80 5 0,2 10 0,1 3.34 2.8 2,5 3,0* 4,0* 10 170 220 320 150 220 300 160 140 (10) 0,03 25 50 100
Окончание»
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное типовое 1 о о X SJ S X X СО S укэ (^кв), В ! СО ьа <
Емкость коллекторного перехо- да (f = 5 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (f=5 МГц)*, пФ Обратный ток коллектора, мА: ск Сэ 'КБО 2* 10 4* 18 10 25 (28) 0
у- — 25 °C 2Т911А, 2Т911Б КТ911А, КТ911Б КТ911В, КТ911Г Г = 85 ’С КТ911А. КТ911В КТ9НВ. КТ911Г Т— 1OR °C 2Т9ИА. 2Т911Б Обратный ток эмиттера, мА: ХЭБО 3 5 5 10 10 Ю (55) (55) (40) (55) (40) (55) 3
2Т911Л, 2Т911Б КТ911А. КТ911Б. КТ911В, КТ911Г 1 2
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т911А, 2Т911Б, КТ911А, КТ911Б . . ' 55 В
КТ911В, КТ911Г............................. 40 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер ЮО Ом):
2Т911А, 2Т911Б, КТ911А, КТ911Б . . 40 В
КТ911В, КТ911Г............................. 30 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 3 В
Постоянный ток коллектора .... 400 мА
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме-
Г,;^50оС 2Т911А, 2Т911Б .... 3 Вт
Т„^25°С' КТ911А, КТ911Б, КТ911В,
КТ911Г...............................- 3 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус 33°С/Вт
Температура перехода:
2Т911А, 2Т911Б............................ 150 °C
КТ911А, КТ911Б, КТ911В, КТ911Г . . ' 120 °C
Температура корпуса:
2Т911А, 2Т911Б............................. 125 °C
КТ911А, КТ911Б, КТ911В, КТ911Г . . 85 °C
Температура окружающей среды;
2Т911А, 2Т911Б........................от —60 °C до
Т = 125 °C
КТ911А, КТ911Б, КТ911В, КТ911Г . . от"—40 °C до
Тк = 85 °C
1 При большей температуре Рк, [Вт] = (7'пшях
-Тк)/33.
427
Запрещается при установке транзистора на теплоотвод скручи-
вающие усилия прикладывать к пластмассовой части корпуса. Шеро-
ховатость контактной поверхности теплоотвода должна быть ие ме-
нее 2,5. Неплоскостиость контактной поверхности теплоотвода долж-
на быть не более 0,03 мм.
Допускается пайка выводов на расстоянии ие менее 2 мм от кор-
пуса по методике, ие приводящей к нарушению конструкции транзи-
сторов. Пайку проводить паяльником при температуре ие более
260 °C в течение не более 6 с. Необходимо осуществлять теплоотвод
между корпусом и местом пайки.
2Т913А—2Т913В, КТ913А—КТ913В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-плаиарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах иа частотах 200—1000 МГн
при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и мон-
тажным винтом. Масса транзистора не более 1,6 г.
20
16,7
Электрические параметры
Значение Режи м измерения
Буквенное О о к ьное 'ю'
Параметр обозначе- ч
ние л S о X ю
X X о X LQ
X <ч bS”
2 со
Выходная мощность (/== 28
= 1 ГГц), Вт:
2Т913А, КТ913А 3 3 , 5* 4, 5*
2Т913Б, КТ913Б 6» 7*
2T9I3B, КТ913В I 0 11* 1 2*
Коэффициент усиления по мощности (f=l ГГц): КУ р 28
2T9I3A (Рвых = 3 Вт) 2 , 25 2,5* 3,5*
КТ913А (Рвых = 3 Вт) 2
2Т913Б (Рвых = 5 Вт) 2, 25 2,5* 3,5*
КТУ13Б (Рвых = 5 Вт) 2
KT9l3B (Рвых^Ю Вт) 2,25 2,5* 3,5*
КТ913В (Рвых = 10 Бт) Коэффициент полезного дей- ”к 2 28
•СТВИЯ коллектора (f-i ГГц),
2T9I3A, KT9I3A (Рвых = 40 45* 55*
= 3 Вт) 2Т913Б, KT9I3B (7>,ых = 40 45* 55*
=5 Вт) 2Т913В, KT9I3B (Л>ых = 50 55* 65*
= 10 Вт)
Модуль коэффициента пере- дачи тока иа высокой ча- 1 ft213 1
стоте (/=100 МГц)-
2Т913А, KT9I3A 9 1 0* 15* 10 0 2
КТО?™ 2Т913В> КТ913Б, 9 1 1 * 16* 10 0,4
^пряжение насыщения ^КЭ нас 0, I 5 0,28 0,4 5 0,25
коллектор — эмиттер*, В напряжение насыщения ба- за —эмиттер*, В Раничное напряжение кол- ректор-эмиттер*, В /f—Т,^е5.кий ток коллектора <'*=1°° МГц), A- F 2J9I3A. KT9I3A тто 2Б’ КТ913Б —Ц913В, 2Т913В 1БЭ иас 0,86 I , 0 I , 2 (0,03) 0, 25
УКЭО гр 'кр 30 0,4 0,8 1,6 40 0,6* 1 . 2* 2,0* 50 0,8* 1 , 6* 2,5* 1 0 (0,03) 0,075
Окончание
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное v о к о Е К 1 максимальное CQ СП X 03 m LQ сп 'К (‘В), A j
Постоянная времени цепи обратной связи иа высокой частоте (/=30 МГц), пс: 2Т913А КТ913А 2Т913Б. 2Т913В КТ913Б, КТ913В Емкость коллекторного пере- хода (/=10 МГц), пФ: 2T9I3A КТ913А 2Т913Б КТ913Б 2Т913В КТ913В Емкость эмиттерного перехо- да (/=10 МГц), пФ: 2Т913А КТ913А 2Т913Б, 2T9I3B КТ913Б. КТ913В Полное входное сопротивле- ние (f—1 ГГц)’. Ом: 2Т913А (Рвых=3 Вт) 2Т913Б (Рвых = 5 Вт) 2T9I3B (Рвых = 10 Вт) Обратный ток коллектор — эмиттер (/?бэ = Ю Ом), мА: 2T9I3A К T913 А 2Т913Б. 2Т913В КТ913Б. КТ913В Обратный ток эмиттера, 2Т913А. 2Т913Б, 2Т913В КТ913А, КТ913Б, КТ913В Индуктивность эмиттерного вывода при заземлении обо- их выводов (у основания вывода)*, нГн: 2Т913А, КТ913А 2Т913Б, 2T9I3B, КТ913Б, КТ913В Индуктивность коллектор- ного вывода (1=3 мм)*. иГк Индуктивность базового вы- вода (1=3 мм)’, иГи: 2T9I3A, КТ913А 2Т913Б, 2Т913В, КТ913Б, KT9I3B Емкость коллектор — эмит- тер*, пФ: 2Т913А, КТ913А 2Т913Б, 2Т913Б 2T9I3B, КТ913В SS° 1- 1- Г- 8? Я NC О а • о я И а я я ® ° Л 8» 6» 4,5* 5» 3.4* 3,5* 6,8* 5* 9* 5* 25* 25* 50* 60* 11* 12* 8* 8* 4,25* 5* 7,7* 7* Ю. 1* 7* 40* 50* 80* 100* 34-/20 1,24- 4-/I6 1,24- 4-/14 4,4* 8* 0,5* 0.7* 0,55 0,25 1,95 3 2.5 0,7 1.5 I .5 15 18 12 15 6 7 10 12 12 14 60 75 120 150 I 0 25 20 50 1.0 1.5 (10) (28) 28 55 0 3,5 0.05
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиг
тер (Лб»^ Ю Ом)>.....................
Импульсное напряжение коллектор —эмит
тер (Рб=><10 Ом).....................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора:
9ТЧ13Л КТ913А ......................
2Т913Б, 2Т913Б, 2Т913В, КТ913В
Импульсный ток коллектора:
2Т913Л, КТ913А......................
2Т913Б, КТ913Б, 2Т913В, КТ91ЭВ .
Постоянный ток базы:
2Т913А, КТ913А......................
2Т913Б, КТ913Б, 2Т913В, КТ913В .
Средняя рассеиваемая мощность в дииами
ческом режиме:
7„<55°С* 2 2Т913А, КТ913А . . .
7„<70°С2 2Т913Б, КТ913Б . . .
Тк <25 °C2 2Т913В, КТ913В . . .
Тепловое сопротивление переход — корпус:
2Т913А, КТ913А......................
2Т913Б, КТ913Б, 2Т913В, КТ913В .
Температура перехода ................
Температура корпуса:
2T9I3A — 2Т913В.....................
KT9I3A —КТ913В.....................
Температура окружающей среды:
2Т913Л. 2Т913Б, 2Т913В ....
КТ913А. КТ913Б, КТ913В . . .
55 В
55 В
3,5 В
0,5 А
1,0 А
1,0 А
2,0 А
0,25 А
0,5 А
4,7 Вт
8 Вт
12 Вт
20°С/Вт
10°С/Вт
150 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
Тк=125 °C
от —45 °C до
Гк = 85 °C
В диапазоне температур 25 °C — Гокр min снижается лииейио
до 45 В.
2 Для ГК>55°С (2Т913А, КТ913А), Тк>70°С (2Т913Б,
КТ913Б) Г,;>Э5°С (2Т913В, КТ913В) Рк. ершах [Вт] = (150-
к) / -R
°>5 1,0 1,5 2,0 рвх,Вт
Ifyrll
При присоединении (пайке) выводов температура корпуса в лю-
бой его точке не должна превышать 85 °C. Изгиб и обрезание выво-
дов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса.
2Т916А, КТ916А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предиазиачены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах иа частотах 200—1000 МГц
при напряжении питания 28 В,
И Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и мон-
тажным винтом. Масса транзистора не более 12 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное укэ (укб), в со Ф £ •*« из
Выходная мощность (f= = 1 ГГц), Вт Коэффициент усиления по мощности (1=1 ГГц, /’вых=20 Вт) Рвых Ку р 20 2, 25 2,5» 3* 28 28
Коэффициент полезного дей- ствия коллектора (/=1 ГГц, 45 55» 60* 28
Рвых=20 Вт). % Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ» Л21Э 35 5 0,25
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер*. В С'КЭ нас 0.1 0,2 0,4 0,25 0,03
Напряжение насыщения ба- за эмнттер*, В ^БЭ нас 0.8 0,98 I ,0 0,25 0,03
п!и^,Уль коэффициента пере- т /с ТОКа иа высокой часто- те (Г = 100 МГц) 1 Л21Э । 11 8 14» 10 10 1.5 2,6
ток коллектора V —100 МГц)*, А 'кр 2,6 2,8 4,2 10
Параметр Буквенное обозначе- ние минимально типовое максимальв Та X 5^ CQ g ‘зел V ‘Я/
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/=30 МГц), нс тк 3» 4* 10 10 0, 1
Емкость коллекторного пере- хода, пФ Ск 12* 14* 20 (30)
Емкость эмиттерного перехо- да*, пФ сэ 190 0
Полное входное сопротивле- ние (f=l ГГц, Рвых= = 20 Вт)*. Ом Полное сопротивление на- грузки (f—1 ГГц. Рвых = = 20 Вт)*, Ом Обратный ток коллектор — эмиттер (/?бэ=10 Ом), мА Обратный ток эмиттера, мА ZBX гн 'K3R ;ЭБО 2,2 + + /17 2+/6 25 4 28 28 55 3,5
Индуктивность эмиттерного вывода (при симметричном заземлении у основания корпуса)*, нГн Индуктивность коллектор- ного вывода (у основания корпуса)*, иГи Индуктивность базового вы- вода (у основания корпуса)*, иГн Ч LK L6 0,35 0,6 1.0
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (Лбэ-^Ю Ом)........................
Импульсное напряжение коллектор — эмит
тер.................................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора (тя=^5 нс
Q>10)...............................
Постоянный ток базы.................
Средняя рассеиваемая мощность в динами
веском режиме (Тк=£;25 °C)1
Тепловое сопротивление переход — корпус
55 В
55 В
3,5 В
2 А
4 А
1 А
30 Вт
4,5 °С/Вт
КТ9ЮЛ
Температура окружающей среды:
2Т916А ....................
КТ916А...................
ОО
от —60 °C до
ГК=125°С
от —40 °C до
Гк = 85 °C
/гр, ГГЧ
ск,пс
КТ918А, КТ918Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности, ум-
ножителях частоты и автогенераторах на частотах 1—3 ГГц при
напряжении питания 2Q В в герметизированной аппаратуре.
Корпус металлокерамический с частичной герметизацией с лен-
точными выводами. Масса транзистора не более 0,15 г.
Электрические параметры
— — ” Значение Режим измереиня
о о о
Буквенное к л
Параметр обозначе- ние СО S 4) о я СО 2 к CQ
К к к о с X я to ЭБ,
2 2 U CQ
выходная мощность (7=3 ГГц), Вт: КТ918А Р вых 0,25 0,5 2 20
КТ918Б Коэффициент усиления по мощ- ности ГГц): KT9I8A (Рвых=0.25 Вт) Кур 20
КТ918Б (Рвых=и,5 Вт) Розничная частота коэффицнеи- 2
frp (Ю) 0,1
та передачи тока в схеме ОЭ,
ГГц* 0,8 1,0
КТ918А КТ918Б
Постоянная времени цепи об- оатиой связи иа высокой часто- тк 10 0,03
те (f= 100 МГц), ис: 0,4* 15
КТ918А
КТ918Б 0,5* 4 15
Емкость коллекторного перехо- Ск 3,7* 4,2
да (f = 10 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода Сэ 15 0
(f=!0 МГц), пФ Обратный ток коллектора, мА ZKBO 2 30
Обратный ток эмиттера, мА Z3BO 0,1 2.5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме <7'к^25°С)1)
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода
Температура корпуса
Температура окружающей среды
30 В
2,5 В
0,25 А
2,5 Вт
50 °С/Вт
150 °C
85 °C
от —45 °C до
ТВ = 85°С
1 При Тк>25°С Рк.сртах [Вт] = (150 — Тк)/50.
Монтаж транзистора в микросхему осуществляется припайкой
корпуса транзистора к теплоотводящей поверхности. Максимальна
9пп»СТИМая температура припоя при монтаже в микросхему ие более
С. Время пайки не более 3 с.
_ Теплоотвод, иа который монтируется транзистор, должен быть
лУжен оловом или серебром толщиной 10 мкм. Основание корпуса
еред пайкой необходимо обезжиривать этиловым спиртом с помо-
Щь*° ватного тампона.
ся кипячением в четыреххлористом
В качестве припоя можно использовать сплавы с температупой
плавления менее 150°C. Например, индий — серебро (3%) или ин-
дий— олово (48%). Припой прокатывается толщиной 0,05—0,07 мй
и нарезается на прямоугольники размером 2,6X4 мм, обезжнрнвает-
’ ~ углероде. Место посадки транзи"
0,3
спиртом, раствором канифоли и
транзистор. Применение других
К8Р
3,0 -
2,5 -
2,0 -
1.5 -
1,0 -
0,5 -
0 _
25 50 15 1к,мЛ
/7,4
Р8ь,х,Вт
0,5
Н Г 918 б
р8ых
30
25
20
Чк
15
10
• 208
’ 120 м fl
- 3 ГГц
_ 5
100 200 РдХ1мвг
Oft
0,3
Р8ш>Вт
0,5
25
20
15
10
5
0к°/>
30
ю 12 1ч 16 18 iTffg,а
Пайка транзистора иа теплоотвод производится в печи с инерт-
ной атмосферой при температуре не более 200 °C с усилием прижима
около 0,5 кГ. Пайка выводов эмиттера н коллектора производится
с помощью микропаяльника мощностью не более 15 Вт на расстоя-
нии 3 мм от корпуса. Время пайкн порядка 3 с. Допускается пайка
выводов на расстоянии меиее 3 мм от корпуса, если при этом тем-
пература корпуса ие превысит 140 °C.
Допускается монтаж путем прижима транзистора к теплоотводя-
щей поверхности. Прижнмиое усилие должно быть до 2 кг. Шерохо-
ватость контактной поверхности теплоотвода должна быть ие хуже
10. Изгиб выводов допускается на расстоянии ие более 3 мм от кор-
пуса транзистора с радиусом закругления 1,5—2 мм. При изгибе
должна быть обеспечена неподвижность участка вывода между
местом изгиба и корпусом прибора.
2Т919А—2Т919В, КТ919А—КТ919Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах на частотах 0,7—2,4 ГГц
при напряжении питания 2£ В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Транзи-
сторы КТ919А, КТ919Б, КТ919В имеют дополнительную пластмассо-
вую оболочку. Масса транзистора не более 2,2 г.
Электрически» параметры
Значение Режим измерения
Параметр Букветюе обозначе- ние минимальное типовое максимальное ^КБ (иКЭ), В 1 CQ LQ (Ъ £
Выходная мощность (/= =2 ГГц), Вт* 2T9I9A. KT9I9A 2Т919Б, КТ919Б 2T9I9B, КТ919В КТ919Г Коэффициент усиления по мощности (/=2 ГГц)*: 2T9I9A, КТ919А (7>вых = =3,5 Вт) 2Т919Б. КТ91ЭБ (7>вых = = 1,6 Вт) 2T9I9B, КТ919В (Рвых = = 0,2 Вт) КТ919Г (Рвых = 1 Вт) Коэффициент полезного дей- ствия коллектора (/=2 ГГц), %: 2Т919А, КТ919А (Рвых = = 1 Вт) 2Т919Б, КТ919Б (Рвых= =0,5 Вт) 2Т919В, КТ919В (Рвых = =0,2 Вт) КТ919Г (Рвых = 1 Вт) Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой ча- стоте (/=300 МГц): 2Т919А, КТ919А, КТ919Г 2Т919Б, КТ919Б 2T9I9B. КТ919В Критический ток коллектора (/=300 МГц). А: 2Т919А, КТ919А 2Т919Б, КТ919Б 2T9I9B, КТ919В КТ919Г Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/=30 МГц), пс: 2Т919А 2Т919Б 2Т919В КТ919А — КТ919Г Емкость коллекторного пере- хода (/=10 МГц), пФ: 2Т919А, KT9I9A 2Т919Б, КТ919Б 2Т919В, КТ919В КТ919Г Емкость эмиттерного перехо- да (/=10 МГц)’, пФ: 2T9I9A КТ919А, КТ919Г 2Т919Б КТ919Б 2Т919В К T919В ^вых кУр Чк 1 Л21Э | 7кР тк ск св 3,5 1,6 0,8 3,0 3. 5 3,2 4 3 4,5 4,5 4,5 1, 1 0,5 0,22 1,0 1,1* 0,9» 0,6* 0,75» 7,5» 5, 2» 3,3* 4,4* 2,0* 1,0* 3,5* 33 30 25 30 6,2* 7,4* 7,5* 1,7* 0,7» 0,3* 1,25* 1,0* 0,8* 0,8* 8* 5,3* 4,0* 7,0* 50 60 25 30 12 15 35* 42* 42* 42* 7* 7.8* 8* 2,1* 0.8* 0, 4* 2,2 2,2 2,2 2,2 10 6,5 4,5 12 28 28 28 (Ю) (Ю) (10) (10) 10 28 0 0,5 0,25 0,1 0,05
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное а ‘(емЛ) я»/? CQ 10 П) £ «ч
пшное входное сопротивле- || Н«е (Й2/ГРГЦ)^И< RtI Ц 2Т919А (Рвмх=3,5 Вт) Ж Полное сопротивление на- грузки (f = 2 ГГц)* 2Т919А (Рвых = 3,5 Вт), Ом Обратный ток коллектора, мА 7 = 25 Т 219I9A. КТ919А. КТ919Г 2Т919Б, КТ919Б 2Т919В, КТ919В т= 100 °C КТ919А, КТ919Г КТ919Б КТ919В 7=125 СС 2T9I9A 2Т919Б 2Т9ЮВ Обратный ток эмиттера, мА: 7=25 °C 2T9I9A, КТ919А, КТ919Г 2Т919Б, КТ919Б 2T9I9B, КТ919В 7=100 °C КТ919А, КТ919Г КТ919Б КТ919В 7=125 °C 2Т919Л 2Т919Б 2T9I9B Индуктивность базового вы- вода (j основания вывода)*, к Г Емкость эмиттер- корпус*, пФ Емкость коллектор — кор- пус*. пФ Емкость коллектор — эмнт- тер*. пФ: 2T9I9A, КТ919А, КТ919Г 2Т919Б, КТ919Б 2Т919В. КТ919В ^идуктивность эмиттерного Ь1вода (у основания выво- да)*, иГ Индуктивность коллектор- го вывода (у основания ^вода)*, нГ гвх ZKBO 1Э БО L6 Сэ-к С Скэ La LK 2.2 + + / 16 2. 1 — - /2,5 0,2* 0,12» 0, 1» 0,14 2,7 1.9 0,4 0, 2 0,1 0,7 1,9 10 5 2 50 25 15 50 25 15 2 I 0,5 20 10 5 20 10 5 28 28 45 3,5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база1 45 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 3,5 В
Постоянный ток коллектора:
2Т919А, КТ919А, КТ919Г .... 0,7 А
2Т919Б, КТ919Б 0,35 А
2Т919В, КТ919В 0,2 А
Импульсный ток коллектора (тк^20 мкс,
2Т919А, КТ919А, КТ919Г .... 1,5 А
2Т919Б, КТ919Б 0,7 А
2Т919В, КТ919В 0,4 А
Постоянный ток базы:
2Т919А, КТ919А, КТ919Г .... 0,2 А
2Т919Б, КТ919Б 0,1 А
2Т919В, КТ919В 0,05 А
КСВН коллекторной цепи
(Рк. ор^Рк, ср шах) 3
Средняя рассеиваемая мощность в динами- ческом режиме (7К^25°С)2:
2Т919А, КТ919А, КТ919Г .... 10 Вт
2Т919Б, КТ919Б 5 Вт
2Т919В, КТ919В 3,25 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус:
2Т919А, КТ919А, КТ919Г .... 12 °С/Вт
2Т919Б, КТ919Б 25 вС/Вт
2Т919В, КТ919В . . .... 40 °С/Вт
Температура перехода 150 °C
Температура корпуса:
2Т919А —2Т919В х. 125 °C
КТ919А —КТ919Г 100 °C
Температура окружающей среды:
2Т919А —2Т919В от —60 °C до 7К=125 °C
КТ919А —КТ919Г от —45 °C до 7к = 100 °C
1 В диапазоне температур
+25-?7’окр mIn снижается ли-
нейно до 40 В.
2 При Тк>25°С Рк ср так
[Вт] = (150—Тк) /Rt п, к.
Допускается пайка выводов
на расстоянии менее 3 мм от
корпуса при 7^150 °C не бо-
лее 3 с.
> лс
**— 2Г 313 А , КТ919А Щь-58
„ юв
288
0,1 0,2 IH,fl
Ик, пс
2ТЭ1Э6, KTS196
унВ - 58
108
28 В
О 0,1 0,2 I„,fl
2Т925А—2Т925В, KJ925A—КТ925Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
пные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
^множителях частоты и автогенераторах на частотах 200—400 МГц
при напряжении питания 12,6 В.
” Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и монтаж-
ным винтом. Масса транзистора не более 4,5 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое | максимальное ^КЭ (укб), В СО из сп £
Выходная мощность ' (f = Р гвых 12,6
-320 МГц. ТкО5 °C). Вт: 2Т925А, КТ925А 2
КТ925Б 5
2ТЭ25Б 7
КТ925Г I 5
2Т925В, КТ925В 20
Коэффициент усиления по мощ- ности (/ = 320 МГц): Кур 12,6
2Т925А. КТ925А (Л,ых=2 Вт) 6,3 7* 9,5»
КТ925Б (/-’вых =5 Вт) 5 5,3»
21925Б (Рвых = 7 Вт) 4 6* 8, 5*
2Т925В, КТ925В (РВых=20 Вт) 3 3,2* 4*
(Рвых—15 Вт) коэффициент полезного дейст- 2.5 2,6* 12,6
»“Я коллектора (f=320 МГц),
2Т925А, 2Т925Б 60 63* 72*
2Т925В 60 70* 84*
КТ925А - КТ925Г ла»Тическнй коэффициент пере- 9ТооТЛка в схеме ОЭ*: 2Т925Б* КТ925А 2Т925В, КТ925В Й21Э 55 8 10 17 20 30 80 70 55 150 5 0, 2
Продолжение
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное укэ (укб), в о LQ СП /К. А
Модуль коэффициента передачи тока иа высокой частоте (/= = 100 МГц): 2Т925А КТ925А 2Т925Б КТ925Б 2Т925В КТ925В, КТ925Г Критический ток коллектора (/=100 МГц), А: 2Т925А, КТ925А 2Т925Б, КТ925Б 2Т925В, КТ925В КТ925Г Постоянная времени цепи об- ратной связи на высокой часто- те (/ = 5 МГц), не: 2Т925А, КТ925А 2Т925Б, КТ925Б 2Т925В. КТ925В, КТ925Г Емкость коллекторного перехода (/=5 МГц). пФ: 2Т925А, КТ925А 2Т925Б. КТ925Б 2Т925В, КТ925В, КТ925Г Обратный ток коллектор —эмит- тер (йбэ = 100 Ом), мА: Г=25 °C 2Т925А КТ925А 2Т925Б КТ925Б 2Т925В, КТ925В, КТ925Г Г =85 °C КТ925А КТ925Б КТ925В. КТ925Г Т= 125 °C 2Т925А 2Т925Б 2Т925В Обратный ток эмиттера, мА- 7 = 25 °C 2Т925А КТ925А 2Т925Б КТ925Б 2Т925В КТ925В, КТ925Г 7 = 85 °C КТ925А КТ925Б КТ925В, КТ925Г 7=125 °C 2Т925А 2Т925Б 2Т925В 1 *21Э 1 /мр тк Ск /КЭЛ *960 6 5 6 5 5 4 , 5 0,8 1,0 4,5 4,0 3.8* 7,2* 12* 4.5* 12» 32* 14* 17* 10* 8* 22* 15* 9,5* 16* 44* 0,5* 1 ,0* 2 5* 1, 8* 4,5* 0 9* 1 ,6* 2,0* 0,2* 0,5* 1.5* 24* 22* 15* 20 35 40 15 30 60 5 7 1 0 I 2 30 14 24 60 10 20 60 2 4 5 8 5 10 8 16 20 4 10 10 10 10 10 10 10 ю 10 10 10 10 (12,6) 36 4 4 4 3,5 3,5 4 4 3,5 4 4 3,5 0.6 0,6 0,8 0,8 1,0 1,0 0,03 0.03 0,1
. Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное о о к о Е S И максимальное УКЭ (УКБ), В СП -ч
Индуктивность эмиттерного вы- вО2ДТ925А.КТ925А 2Т925Б. 2Т925В, КТ925Б- КТ925Г ч 1.2 НО
Индуктивность коллекторного вывода*, иГн LK 2,4
Индуктивность базового выво- да». иГи: 2Т925А, КТ925А 2Т925Б, 2Т925В, КТ925Б- КТ925Г l5 2,6 2,4
Емкость эмиттер — корпус», пФ сэ.к 1,84
Емкость коллектор — корпус*, пФ ск-к 1 , 53
Емкость база — корпус», пФ сб.к 0,96
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?бэ<100 Ом) 36 В
Постоянное напряжение коллектор — база 36 В'
Постоянное напряжение эмиттер — база: 2Т925А, КТ925А, 2Т925Б, КТ925Б . . 4 В
2Т925В, КТ925В, КТ925Г 3,5 В
Постоянный ток коллектора: 2Т925А, КТ925А . 0,5 А
2Т905Б, КТ925Б 1,0 А
2Т925В, КТ925В, КТ925Г 3,3 А
Импульсный ток коллектора при косинусо- идальной форме импульса: 2Т925А, КТ925А 1,0 А
2Т925А, КТ925Б 3,0 А
2Т925В, КТ925В, КТ925Г 8,5 А
Средняя рассеиваемая мощность в динами- ческом режиме (Тк<40°С)!: 2Т925А, КТ925А ... 5,5 Вт
2Т925А, КТ925Б 11 Вт
2Т925В, КТ925В, КТ925Г . ... силовое сопротивление переход — корпус: 2Т925А, КТ925А . . . . 25 Вт
20 °С/Вт
2Т925А, КТ925Б 10°С/Вт
2Т925В, КТ925В, КТ925Г . . . 4,4 °С/Вт
Температура перехода . . . 150 °C
Температура корпуса:
2Т925А — КТ925В..................... 125 °C
КТ925А — КТ925Г.......................... 85 °C
Температура окружающей среды:
2Т925А — 2Т925В . ..... от—60 °C до
Т„=125°С
КТ925А - КТ925Г ......................от -45 °C до
Гн = 85 °C
1 При Тк>40°С [Вт] = (150 —Тк)//?г п, к
Чистота контактной поверхности теплоотвода должна быть ие
менее 1,6. Неплоскостность контактной поверхности теплоотвода дол.
жна быть не более 0,04 мм.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм-'от кор-
пуса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и гер-
метичности транзистора. Пайку проводить при температуре не выше
270 °C не более 5 с.
2Т930А, 2Т930Б, КТ930А, КТ930Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах иа частотах 100—400 МГц
при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Внутри
корпуса имеется согласующее LC-звено. Масса транзистора не бо-
лее 7 г.
Э.«ктри«^'"с параметры
Параметр Буквенное обоз- начение Значение Режим измерения
миииммльное типовое максимальное LQ CD CQ И lb (Т) 2d £
Выходная «“W.ocTb (/ = £=400 МГц. Гк-§40 С), Вт. 2Т930А. КТ930А 2Т930Б, КТ930Б Коэффициент усиления по мощ- ности (f = 400 МГц): 2Т930А (Рвых = 40 Вт) КТ930А (Рвых = 40 Вт) 2Т930Б (Рвых =75 Вт) КТ930Б (Рвых = 75 Вт) Коэффициент полезного дейст- вия коллектора (f~4 00 МГц), %: 2Т93ОА, К T9 30 А (Рвих=40 Вт) 2Т930Б, КТ930Б (Рвых = 75 Вт) Статический коэффициент пере- дачи тока в схеме ОЭ*: 2Т930А. КТ930А 2Т93ОБ, КТ930Б Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (f = = 300 МГц): 2Т930А, КТ930А 2Т930Б, КТ930Б Критический ток коллектора (/ = 300 МГц)*, А: 2Т930А, КТ930А 2Т930Б, КТ930Б Постоянная времени цепи об- ратной связи па высокой часто- те (f = 5 МГц), пс: 2Т930А. КТ930Л 2Т930Б, КТ93ОБ Емкость коллекторного перехо- да (/=30 МГц). пФ: 2Т930А. КТ930А 2Т930Б. КТ930Б Емкость эмиттерного перехода (Г=30 МГц), цф- 2Т930А, КТ930Л 2Т930Б, КТ930Б Обратный ток коллектор —эмит- ТСР (Рса= 10 Ом), мА: 7 = 25 °C 2Т930А. КТ930А 2Т930Б. КТ930Б 7 = 85 *С КТ930А КТ930Б ’==125’С 2ТЭ30Д Штезов р вых кУр ”к h2 1Э | Л21Э1 /ВР С К с':> ’кэя 40 75 6 5 4 3, 5 50 50 I 5 1 0 1 , 5 2 7 1 6 7* 9* 52* 120* 750* 1800* 7,2* 5,8* 65* 58* 40 50 3* 3 , 2* 8 20 8* 1 1 * 62* 130* 800* 2000* 1,1* 6,5* 10,2* 10* 76* 65* 1 00 100 4,5* 4,0* I 0 1 2 1 5 80 170 930 2 100 20 100 40 200 50 200 2S 28 28 5 10 1 0 5 10 (28) 0 50 0,5 2,5 5 0.5
п Значение Режим измерения
Параметр Буквенное об< иачение минимальное Q О в О С максимальное О К ib v ,4fz
Обратный ток эмиттера, мА: у— 25 °C 2Т930А, КТ930А 2Т930Б, КТ930Б Т==85 °C КТ930А КТ930Б Г= 125 °C 2Т930А 2Т930Б Индуктивность внутреннего LC-звеиа*, нГн 2Т930А, КТ930А 2Т930Б, КТ930Б Емкость внутреннего £С-звена*: 2Т930А. КТ930А 2Т930Б, КТ930Б Индуктивность эмиттерного вывода (/=1 мм)*. нГн 2Т930А, КТ930А 2Т930Б. КТ930Б Индуктивность коллекторного вывода (/=1 мм)* нГн Индуктивность базового выво- да (/= I мм)*, нГн: 2Т930А, КТ930А 2Т93ОБ, КТ930Б 'ЭБО Ч сз £к L6 400 600 0,45* 0,92* 0,44 0,26 450 650 0,35 0,24 1,6 I ,57 I ,42 10 20 20 40 20 40 500 700 4
Тип транзис- тора Параметр
HJH ,г97 | Ьб2, нГи 1 La, нГи нГн С, пФ
2Т930А I , 57 0,44 0,35 1,6 450
2Т930Б I ,42 0,26 0.24 1,6 650
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер (Лба^ЮО Ом)........................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора:
2Т930А, КТ930А........................
2Т930Б, КТ930Б......................‘
50 В
4 В
6 А
10 А
,-r4 входная мощность.
2Т930А, КТ930А . ...
2Т930Б, КТ930Б ....................
Соедняя рассеиваемая мощность в динами
ческом режиме (Т'кС40°С)!:
2Т930А, КТ930А.....................
2Т930Б, КТ930Б.....................
Тепловое сопротивление переход — корпус:
2Т930А ............................
КТ930А ............................
2Т930Б ............................
КТ930Б.............................
Температура перехода ................
Температура корпуса:
2Т930А, 2Т930Б ....
КТ930А, К.Т930Б....................
Температура окружающей среды:
2Т930А, 2Т930Б . . .
КТ930А, КТ930Б
7 Вт
18,5 Вт
75 Вт
120 Вт
1,6 °С/Вт
1,8°С/Вт
1,0’С/Вт
1,2 °С/Вт
160 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
ТК=125°С
от —40 °C до
Г„ = 85°С
1 При 7К >40 С Рк, ср шai [Вт) — (160 • Тк)IRt и, к
Шероховатость контактной поверхности теплоотвода должна быть
не менее 1,6 Неплоскостность контактной поверхности теплоотвода
должна быть не более 0,04 мм. Тепловое сопротивление корпус — теп-
лоотвод при нанесении теплопроводящей смазки типа КПТ-8 на
поверхность теплоотвода транзистора ие более 0,3 °С/Вт.
Пайка выводов допускается на расстоянии ие менее 1 мм от кор-
пуса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и гер-
метичности транзистора. Пайку производить при температуре не вы-
ше 270 °C не более 3 с.
2Т934А—2Т934В, КТ934А—КТ934Д
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителял частоты и автогенераторах на частотах 100—400 МГц
при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и монтаж-
ным винтом. Масса транзистора не более 4,5 г.
Шероховатость контактной поверхности теплоотвода должна быть
не менее 2,5. Неплоскостиость контактной поверхности теплоотвода
не более 0,04 мм. Для уменьшения контактного теплового сопротив-
ления между корпусом и теплоотводом следует применять теплоот-
Водящне смазки.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от кор-
Уса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и гер-
метичности транзистора. Пайку производить при температуре ие
Значение Режил йзмёр^^
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное о ю о с максимальное ^кэ (ккб), В CQ сЬ СП
Выходная мощность (f= = 400 МГц, 7к<40’С). Вт: 2Т934Д, КТ934А КТ934Г 2Т934Б, КТ934Б КТ934Д 2Т934В, КТ934В Коэффициент усиления по мощности (f = 400 МГц): 2Т934А, КТ934А (Рвых= = 3 Вт) 2Т934Б. КТ934Б (Рвых = = 10 Вт) 2Т934В, КТ934В (Рвых = = 25 Вт) КТ934Г (Рвых=Ю Вт) КТ934Д (Рвых = 20 Вт) Коэффициент полезного дей- ствия коллектора (f= = 400 МГц). % Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ*: 2Т934А, КТ934А 2Т934Б, КТ934Б 2Т934В, КТ934В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер*, В: 2Т934А 2Т934Б 2Т934В Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой ча- стоте (f —100 МГц): 2Т934А, КТ934А 2Т934Б, КТ934Б 2Т934В, КТ934В КТ934Г КТ934Д Критический ток коллектора (f=100 МГц), А: 2Т934А, КТ934А 2Т934Б, КТ934Б 2Т934В. КТ934В КТ934Г КТ934Д Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (f = 5 МГц), пс: 2Т934А, КТ934А 2Т934Б, КТ934Б 2Т934В, КТ934В КТ934Г КТ934Д Р вых ’Ik Л21Э иКЭ нас |Л21Э | 7кр гк 3 10 12 20 25 6 4 3 3,3 2.4 50 5 5 5 0, 15 0,08 0,08 5 5 5 4,5 4,5 0, 23 1,0 2,0 0, 9 I ,8 3* 3* 3* 9* 5,5* 4* 65* 50 50 50 0,2 0, 16 0,1 2 8.5* 9* 9* 8* 8* 0,32* I , 5* 3 ,2* 1 ,4* 2,5* 5» 5* 5* 5* 5* I 5* 7* 6* 150 1 50 1 50 0,35 0,3 0,2 14* 14* 14* 0,6* 2,0* 4,0* 10 20 20 25 25 28 28 28 5 5 5 10 10 10 1 0 10 10 0,1 0, 15 0,25 0, 1 (0.02) 0,15 (0,03) 0,25 (0.05) 0,15 0,6 1 ,2 0,6 1 ,2 0,1 0,15 0,2 0, I5 0,2
—
.— ’ ' Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
о £ q СЗ S X S о о и о £ максимальное ^КЭ (к КБ), В а ,дЕл 'к (' б)’ а
—
Рмкость коллекторного пе- рехода (f =5 МГц), пФ: Р 2Т934А. КТ934А 2Т934Б, КТ934Б. КТ934Г 2Т934В. КТ934В, КТ934Д Емкость эмиттерного пере- хода (f = 5 МГц). пФ: 2Т934А, КТ934А 2Т934Б. КТ934Б, КТ934Г 2Т934В, КТ934В. КТ934Д Обратный ток коллектор — эмнттер (Яг>а=Ю Ом), мА: Г-25 °C 2Т934А КТ934А 2Т934Б КТ934Б, КТ934Г 2Т934В КТ934В. КТ934Д Г = 85 °C КТ934А КТ934Б. КТ934Г КТ934В. КТ934Д 7= 125 °C 2Т934А 2Т934Б 2Т934В Обратный ток эмиттера, мА: Т = 25 °C 2Т934А 2Т934В КТ934А, КТ934Б. КТ934Г КТ934В, КТ934Д Г = 85 "С КТ934А. КТ934Б. КТ934Г КТ934В. КТ934Д 7= 125 °C 2Т934А 2Т934В Индуктивность эмиттерно- »<> вывода*. иГн: 2Т934А. КТ934А 2Т934Б. КТ934Б. КТ934Г 2Т934В, КТ934В. КТ934Д Индуктивность коллектор- ного вывода*. нГн Индуктивность базового вы- н°ла*. нГи: 2Т931А. КТ934А 2Т934Б. КТ934Б, КТ934Г 2Т934В. КТ934В. КТ934Д ьм^кость эмнттер — корпус*, ну *»°СТф коллектор — кор- Емкость база корпус*. пФ Ск С и 'КЭЛ 'ЭБО L •а '-К 'б Сэ.к ск.к Сб.к 5* 7» I6* I 5* 70* I 20* 6 5* I 0* 2 2* 30* 1 00* 200* 0,2* 0.5* 2.5* 0.2* 1 .3 1 . 2 1 . 0 2.5 3. 1 3 , 1 2 , 8 1 , 84 I .53 0.96 9 1 6 3 2 60 1 60 300 5 7.5 1 0 1 5 20 30 1 5 30 60 10 30 40 5 7 . 5 8 7.5 8 1 0 (28) 60 0 4
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмнт
тер (/?,-,.Ю Ом)1....................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора:
2Т934А, К.Т934А....................
2Т934Б, КТ934Б, КТ934Г ....
2Т934В, КТ934В, К.Т934Д ....
КСВН коллекторной цепи (Ткsg40 °C):
2Т934А, КТ934А (Рв,.,к = 3 Вт) . .
2Т934Б, КТ934Б (Рвмх = 6 Вт) . .
2Т934В, КТ934В (PBUV=12 Вт) . .
Средняя рассеиваемая мощность в динами
ческом режиме (T„sg25°C)2:
2Т934А, КТ934А.....................
2Т934Б, К.Т934Б, КТ934Г ....
2Т934В, КТ934В. КТ934Д ....
Тепловое сопротивление переход — корпус:
2Т934А, КТ934А......................
2Т934Б, КТ934Б, КТ934Г ....
2Т934В, КТ934В, КТ934Д ....
Температура перехода.................
Температура корпуса:
2Т934А — 2Т934В....................
КТ934А — КТ934Д ...................
Температура окружающей среды:
2Т934А — 2Т934В.....................
КТ934А - КТ934Д....................
60 В
4 В
0,5 А
1,0 А
2,0 А
10
10
10
7,5 Вт
15 Вт
30 Вт
17,5 °С/Вг
8,8 °С/Вт
4,4 °С/Вт
160 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
Л, = 125 °C
от —40 °C до
Г„ = 85 °C
! При TV- — Тк т1|‘^кэАтаХ ^^0 В.
2 При Т„>25°С Рк,«» max |Вт] = (160-Тк)//?т „.к.
120
WO
80
ба
60
20
О
5 10 15 20 lfH3,B
5 10 15 20 WK3,e
Допускается пайка выводов на расстоянии ие менее 1 мм от кор.
пуса по методике, ие приводящей к нарушению конструкции н гер-
метичности транзистора. Пайку производить припоем ПОС-61,
ПОССу61-0,5 не более 3—4 с при температуре не выше 220 °C с теп-
лоотводом между корпусом и местом пайки. Необходимо защищать
корпус прибора от попадания па него брызг флюса и припоя.
2Т937А-2, 2Т937Б-2, КТ937А-2,
КТ937Б-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты н автогенераторах иа частотах 0,9—5 ГГц при
напряжении питания 21 В в герметизированной аппаратуре. Выпус-
каются иа металлокерамическом держателе с гибкими полосковыми
выводами.
Обозначение типа приводится иа держателе для 2Т937А-2— бук-
ва А и зеленая маркировочная точка, для 2Т937Б-2—буква Б н бе-
лая маркировочная точка; для К.Т937А-2 и КТ937Б-2 — по две мар-
кировочные точки соответствующего цвета. Масса транзистора не
более 2 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обо та- чение минимальное Знамени <L> О СС О н макс ималыюе Ре л ИЗМ6] д а КИМ )ення
——— выходная мощность (1 — 5 ГГц), ВТ9Т9374-2. K19S7A-2 9Т937Б-2 КТ937Б-2 Коэффициент усиления но мощ- ности (/ = 5 ГГц): 2Т937А-2. КТ937А-2 (Г»х = 1 Вт) 9Т937Б-2 (Рит-2 Вт) КТ937Б-2 (Рит =2 Вт) Коэффициент полезного дейст- вия коллектора (f = 5 ГГц), %: 2Т937А-2. КТ937А-2 (Рвх-1Вт) 2Т937Б-2. КТ937Б-2 (Pbi-2 Вт) Модуль коэффициента обратной передачи напряжения (/=* = 100 МГц): 2Т937А-2. КТ937А-2 21937Б-2. КТ937Б-2 Фаза коэффициента передачи тока на высокой частоте (f = = 1 ГГц), град: 2Т937А-2. КТ937А-2 2Т937Б-2, КТ937Б-2 Граничная частота коэффициен- та передачи тока*. ГГц: 2Т937А-2. КТ937А-2 2Т937Б-2. КТ937Б-2 Критический ток коллектора (7=1 ГГц). А: 2Т937А-2, КТ937А-2, КТ937Б-2 2Т937Б-2 Емкость коллекторно!о перехода (f=I0 МГц), пФ: 2Т937А-2. КТ937А-2 2Т937Б-2. КТ937Б-2 Емкость эмиттерного перехода tf=10 МГц). пФ: 2Т937А-2. КТ937А-2 2Т937Б-2. КТ937Б-2 и^РДтиый ток коллектора, мА: 2Т937А-2, КТ937А-2 2Т937Б-2. КТ937Б-2 г=125 °C эй374'2- КТ937А-2 2Т937Б-2. КТ937Б-2 тра™ый ток эмиттера. мА: 7 ==25 °C oS74'2- КТ937А-2 По!937Б'2> КТ937Б-2 ()=л°тт-входное сопротивление* 2Т9Ч71 о’ fBbIX = 3.6 Вт), Ом: Полно А‘2' КТ937А-2 кн* сопротивление иагруз- Ом ('~4 ГГ«- Р»ых=3.6 Вт), р ных лУр П,. 1 sl 26 1 "•8 (л2|б) ^гр 1 ИР Ск ' КЕО ' ЭБО 2вх Z« 1.6* 6* 1 ,6* 1 ,8* 35* 38* 0.84 • ю-з* 0,58- ю -3* 7,7* 7, 7* 200 400 2.2* 4 ,2* 7,5* 22.5* 4 3.8 I . 9 43 44 0.98- I 0 " 3* 0.75- ю з* 8.5* 9* 6. 5 6.5 400* 800* 3,0* 4 ,5* 8.5* 27* 0.05* 0, I* 0.05* 0. 1* 0.54 /15 3+/ 1 2.5* 4.7* 2.5* 2.35х 53* 49* 2,1- 1 О-3 2* К>-« 17 16 550* 950* 5,5 7.5 25 50 5 20 30 0,2 0.5 21 21 i 21 21 21 J 0 10 5 5 5 5 2 0 (0) 2 5 (2,5) 0 05 0,08 0.15 0,3 0,15 0, 3
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база 25 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 2,5 В
Постоянный ток коллектора:
2Т937А-2, КТ937А-2 0,25 А
2Т937Б-2, КТ937Б-2 0,45 А
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Тк<25°C)*:
2Т937А-2, КТ937А-2 3,6 Вт
2Т937Б-2, Постоянная (Т„<25 °C) КТ937Б-2 рассеиваемая мощность ।. 7,4 Вт
2Т937А-2, КТ937А-2 (€/кб <6,5 В) 1,44 Вт
2Т937Б-2, КТ937Б-2 (С/КБ <5 В) . . 2,25 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус в
динамическом режиме: 2Т937А-2, КТ937А-2 2Т937Б-2, КТ937Б-2 34,5 °С/Вт 17,0°С/Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус в статическом режиме: 45 °С/Вт
2Т937А-2, КТ937А-2
2Т937Б-2, КТ937Б-2 Температура перехода Температура корпуса: 22,2 °С/Вт 150 °C
2Т937А-2, 2Т937Б-2 125 °C
КТ937А-2, КТ937Б-2 Температура окружающей среды: 100 °C
2Т937А-2, 2Т937Б-2 .... от —60 °C до Т„ =125 °C
КТ937А-2, КТ937Б-2 от —60 °C до Т„ = 85 °C
1 При Т„>40°С Рк „ах [Вт]==(150-Т„)/Рг к
и рекомендуется напряжение питания 2Т937А-2, КТ937А-2 более
g и 2Т937Б-2, КТ937Б-2 более 15 В в диапазоне частот 0,9—
Ч ,1ЛЯ !!Сех типов транзисторов более 18 В в диапазоне частот
} 4^2 5 ГГц. Статический режим допускается при 6/КБ^10 В и
>’.<50 мА.
Х [Зайка выводов допускается на расстоянии более 3 мм от корпуса
температуре пайки 260 °C н 1 мм от корпуса при температуре
пайки 125 °C и времени пайки не более 3 с.
2Т938А-2, КТ938А-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах на частотах до 5 ГГц при
напряжении питания до 20 В в герметизированной аппаратуре.
Корпус на металлокерамическом держателе с гибкими полосковы-
ми выводами. Масса транзистора не более 0,15 г.
Электрические пара метры
Выходная мощность (f = 5 ГГц)»
Вт
Коэффициент усиления но мощ-
ности (; = 5 ГГц.
коэффициент по.
*ия коллектора
дейст-
ГГц,
= 1 Вт). %
Раничная частота коэффициен-
та‘Передачи тока. МГц
РатСТ°”Ииая времени цепи об-
сгп>°и,гспязн на высокой ча-
Кпити(/==10° МГц). "С
(/аазХ!сск,,й ток коллектора
'А.ЫХ I . о 2 0
Кур » * 3 4,15*
26* 33
fl-p 2000 2 9 0 0 * 4 2 0 0 *
Т 0.5* 0.6* 2
7кр 0, I 8 0.27* 0,38*
0. I 5
Окончание
Параметр Буквенное обоз- начение Значение Режик и1мерсния
V О Ч л 2 S S 2 о о с к максимальное 1 CQ tfl 1 я ‘эеп | S
Емкость коллекторного перехо- да (/ = Ю МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (f=!0 МГц). пФ Обратный ток коллектора. мА: Г —25 °C Г= 125 °C Обратный ток эмиттера, мА: Ск сэ ;КБО 7ЭБО 2.2* 5,2* 2,6* 7 , 5* 0,5* 4 I 2 1 . о 10 20 28 2,5 2,5
Т=з:25 °C Г = 125 °C Индуктивность эмиттерного вы- вода (внутренняя)*, нГн Индуктивность коллекторного вывода (внутренняя)*. нГн Индуктивность базового вывода (внутренняя)*, иГи Емкость эмиттер — база", пФ Ч LK Ч Сэ.б 0.02* 0.3 0,5 0,17 0.35 0. I 1 ,о
Емкость коллектор — база, пФ пФ Емкость коллектор - эмнттер*, пФ ск.б ск.а 0.5 0,5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база 28 В
Постоянное напряжение эмиттер — база Постоянный ток коллектора Средняя рассеиваемая мощность в динами- ческом режиме (ТС <25 °C)1 Постоянная рассеиваемая мощность (ПКБ <10 В. Г^ЗО’С)1 Тепловое сопротивление переход—корпус Тепловое сопротивление переход—корпус в динамическом режиме . . . . Температура перехода 2,5 В 0,18 А 2,5 Вт 1,5 Вт 80 °С/Вт 50°С/Вт 150 °C
Температура корпуса: 2Т938АЗ ... . . КТ938А-2 Температура окружающей среды: 125 °C 85 °C
2Т938А-2 от —60 "С до Л, = 125 °C
КТ938А-2 :. ... ... от —45 °C до Тк = 85 °C
' При Г„>25°С Рк mar [Вт] = (150—Ти) ,‘/?т.
Держатель транзистора припаивается к теплоотводу при Гк^
< 200 °C за время не более 3 с.
Пайку выводов допускается производить на расстоянии не менее
м от держателя при Г sg: 150 °C. Допускается пайка выводов на
3 Стоянии I мм при условии жесткой фиксации основания вывода
относительно держателя.
2Т939А, КТ939А
Транзисторы кремниевые эпитакснальго-плаиарные п-р-п уси1И
тельные. Предназначены для работы в усилителях класса А с повы
(ценными требованиями к нелинейным искажениям.
Корпус металлокерамический с гибкими полосковыми выводами
Масса транзистора ие более 2 г.
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозна- чение минимальное о о а о с к f- максимальное LQ СП СО CQ Ch 2d уи •(£/) У/
Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ (/=300 МГц). ГГц Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Неравномерность коэффи- циента передачи тока в ре- жиме малого сигнала Постоянная времени цени обратной связи иа высокой частоте (/=30 МГц), пс Емкость коллекторного пе- рехода (f=10 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехо- да* (/=10 МГц). пФ Граничное напряжение, В Обратный ток коллектора, мА: Гк = -60 4- +25 °C Гк= 125 °C Обратный ток эмиттера, мА: Гк = -60 -г+25 °C Тк=125 °C frp Л21Э 2 I Э max Д2 I Э mtn тк г-к сэ 6'КЭО гр 'КБО 2,5 40 35* 1,04* 3,5* 15 18 3,06* I 13* 1,25* 4,6* 3,9* 17,5 28* 3,3* 200 200* 1. 5 9 5,5 23 34* 1 5 0,5 2,5 *2 1 5 12 5 1 2 (Ю) (12) (30) 0 з , 5 200 50 200 50 40 - 400 (50) (30)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор —эмит-
‘p>(fe^10 Ом’ Гк = 25-125’С) . .
Постоянное напряжение коллектор — база 1
^«25-125’С) . . . . .
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Постоянная расеиваемая мощность коллек-
тора ’ (Гк = -60 - +25’С) . . . .
Температура перехода .................
Температура окружающей среды
30 В
30 в
3,5 В
400 мА
4 Вт
150 °C
от —60 °C до
/„=125 °C
1 t/кэ лтах, УКБ.ш 1В) ПРИ т'< от +25 °C до -60 °C снижа-
йся линейно до 25 В.
2 Рк шах при Тк>25°С снижается линейно на 0,032 Вт/^С.
Допускается изгиб выводов на расстоянии не менее 3 мм от кор-
пуса. Допускается соединение выводов любым видом пайки (кроме
ультразвуковой и электрической сварки) при условии, что за время
пайки температура в любой точке корпуса, включая точки контакта
вывода с корпусом, не должна превышать 150 °C. Пайка выводов
допускается на любом расстоянии от корпуса по методике, не приво-
дящей к нарушению конструкции и герметичности транзистора.
При проектировании устройств должны быть приняты меры, ис-
ключающие возникновение паразитной генерации. Допустимый стати-
ческий потенциал 1000 В. При работе транзистора на частотах ниже
500 МГц рекомендуется контролировать максимальное напряжение
на коллекторе в процессе отработки и наладкн устройств.
Осевое усилие прижима транзистора к теплоотводу должно ле-
жать в пределах 0,04—0,045 кгс-м. Неплоскостиость контактной по-
верхности теплоотвода должна быть не более 0,04 мм. Разрешается
обрезать выводы на расстоянии не менее 3 мм от корпуса. Оба элек-
трических вывода должны быть симметрично соединены в схеме.
2Т942А, 2Т942Б, КТ942В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
пные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
множителях частоты н автогенераторах на частотах 0,7—2 ГГц при
напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Обозна-
чение типа приводится на корпусе для 2Т942А— буква А, для
2Т942Б — буква Б, для КТ942В — буква В и красная точка. Масса
транзистора не более 2 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
о О X q га S X X X S О) о се 0 Е X f- максимальное
m сд
Выходная мощность (f = 2 ГГц), р вых 28
2Т942А, КТ942В 8* 9
2Т942Б 6* 7
Коэффициент уСилення по мощ- ности (;=2 ГГц): КТ942В (Рвых = 9 Вт) КУр 2,5 28
к„Т212Б = 7 Вт) *оэффицнент полезиого дсйст- Ли 2, 5 28 28
9ТО^«ЛеКТОРа <f=2 ГГ«)’ "°: ,Е*2А. КТ942В (Рвых = 4 Вт) —gTg42B (P,MI=3RT| 30 25
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим нзмере- иия
минимальиое о m о с S О О X J3 е; -5 S X X «3
CQ гд 1а «ч
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/ = = 300 МГц) Критический ток коллектора (/=300 МГц). А: 2Т942А 2Т942Б. КТ942В Постоянная времени цепи об- ратной связи иа высокой часто- те (f = 30 МГц), пс; 2Т942А 2Т942Б КТ942В Емкость коллекторного перехо- да (f = 10 МГц). пФ: 2Т942А 2Т942Б КТ942В Емкость эмиттерного перехода (/ = 10 МГц). пФ Емкость коллектор — эмиттер, пФ Полное входное сопротивление (Рвх=3 Вт), Ом 2Т942А /=1.5 ГГц /=1.7 ГГц Полное сопротивление нагрузки (Рвх = 3 Вт), Ом 2Т942А /=1,5 ГГц /=1.7 ГГц Обратный ток коллектора, мА 1 Л21э | 'кр тк Ск Сэ Скэ ZBX 'КБО 6,5 1,6 1,5 15* 15 11,4* 2,7* 2, 5* I ,5* 1 , 8* 16,5* 16,5 16,5 1 10* 2, 5* 0,74-/7* 0,84-/9* 13* 3,5* 3* 2.2 2.5 3 20 22 25 3-/4 2,5-/6 10 I 0 1 0 28 (0) 28 28 45 1 ,2 0,15
Г = 25 °C 7*= 125 °C Обратный ток эмиттера, мА: ^ЭБО 0,5* 20 1 00 (3,5)
Т=25 6С Т=125 СС Индуктивность эмиттерного вы- вода* (в корпусе)*. иГн Индуктивность коллекторного вывода (в корпусе)*, нГн Индуктивность базового вывода (в корпусе*), нГн Емкость эмиттер — корпус*. пФ L., L6 Сэ.к 0,8 1 , 5 0,14 2,7 1 0 50
Емкость коллектор — корпус*, пФ Ск.к 1.9
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
Т„>25 °C................................. 45 В
Т'к —Т'к min . . . . . . . 40 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 3,5 В
Постоянный ток коллектора . 1,5 А
Импульсный ток коллектора (тиг£10 мкс,
Q^lOO) ........................
Постоянный ток базы.....................
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (7К=С25 °C)
2Т942А, КТ942В.......................
2Т942Б ..............................
Тепловое сопротивление переход — корпус:
2Т942А, КТ942В..........................
2Т942Б ..............................
Температура перехода ...............
Температура корпуса-
2Т942А, 2Т942Б.......................
КТ942В...............................
Температура окружающей среды:
2Т942А, 2Т942Б.......................
КТ942В...............................
3 А
0,5 А
25 Вт
22 Вт
7 °С/Вт
8 °С/Вт
200 °C
125 °C
100 °C
от —60 °C до
ТК = 125°С
от —45 °C до
Т,<=100 °C
1 При 7’кТ>25 С Рк шах [Вт] — (200 7'к)/Рт п, к
cbus'Z ™3
ЫЫ e Ur ПП7 ПЛ/
ои1
Попускается работа транзистора в импульсных режимах класса
. УрИ т„ = 10 мкс и в непрерывных режимах при и
р,. <4,9 Вт (Г„^25°С)
г Пайка выводов допускается на расстоянии более 3 мм от корпу-
при температуре пайки 260 °C и 1 мм от корпуса при температуре
айки не более 125 °C при времени пайки не более 3 с.
2Т946А, КТ946А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности, ум-
ножителях частоты и автогенераторах на частотах 0,4—1,5 ГГц при
напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Масса
транзистора не более 2 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозиа- чение Значение Режим измерения
минимальное о о ю О Е S Н максимальное
со «ч
^ыходиая мощность (f = вт моп$*?Ицие1?т Усиления по МОЩНОСТИ (Ь| ГГц, Рвых % = Р вых А'ур 27 4 30 7 40* 8* 28 28
Коэффициент полезного дей- Р,,.1кк°ллект0Ра ,?=1 ГГц, -Л5^6,5 Вт), % 50 55 70* 28
ОкопчацВе
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение —- Реяги,. ..
о о к те S X S и о и О Е о X л те S X £ га S ^КБ s, ' (иэв), в £i 2 : чня
Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой ча- стоте (/==300 МГц) Критический ток коллектора (/ = 300 МГц). А Модуль коэффициента об- ратной передачи напряже- ния на высокой частоте (f = 100 МГц) Емкость коллекторного пе- рехода (/=10 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехо- да (/=3 МГц), пФ Полное входное сопротивле- ние (/=1 ГГц, /?вых=30 Вт)*. Ом Полное сопротивление на- грузки (/=1 ГГц, Рвых = = 30 Вт). Ом Обратный ток коллектора, мА: Т=25 °C Т'=125°С Обратный ток эмиттера, мА; Г = 25 еС Т== 125 СС Индуктивность эмиттерного вывода (внутреняя)*, иГн Индуктивность коллекторно- го вывода (внутренняя)*, нГн Индуктивность базового вы- вода (внутренняя)*, и Гн Емкость эмиттер — корпус*. пФ Емкость коллектор — кор- пус*, пФ 1 Л2I б| 'кр 1 3.2б | ск Сэ ^вх 1 КБО 1 ЭБО £э L6 Сэ.к Ск к 2, 4 6 2- 10“3* 34* 260* 3* 8* 4 - I р—3* 38* 280* 0,454-/3,5 4 ,9— /7,1 I 0* 1 * 0,3 0,35 0,06 4 , 5 4 5* 10* 10-10—3 50 3 1 0 50 1 00 1 0 100 I 0 I 0 I 0 10 28 28 50 (3,5) 4 0,1
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
Тк >25 °C...............................' 50 В
Тк = — 60 °C1.............................. 45 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 3,5 В
Постоянный ток коллектора .... 2,5 А
Импульсный ток коллектора (тя^ 10 мкс,
(2^20)..................................
Постоянный ток базы.....................
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Тк^25°C)2 . . . .
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ...................
Температура корпуса:
2Т946А ..............................
КТ946А...............................
Температура окружающей среды:
2Т946Л..................................
5 А
1 А
37,5 Вт
4 °С/Вт
175 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
7’К = 125°С
от —45 °C до
7-к = 85°С
КТ946А.............................
1 В диапазоне температур +25°C-i---60 °C снижается линейно.
2 При Тк >25 С/^к, ср max [ВтJ == (175 — Т'к )/4.
iQ‘UXBd 91 71 S fr 0
OZ
oe
Oi
09
09
OZ
OS
lg ‘W>Sd
При работе в импульсном режиме при Тц^20 мкс и Q> 10 напря.
жеиие источника питания должно быть ие более .40 В. В статическом
режиме при напряжении источника питания 28 В ток коллектора не
должен превышать 30 мА.
Под фланец корпуса рекомендуется прокладка из свинца или из
сплава иидий — олово толщиной 50—100 мкм.
Допускается обрезка и пайка выводов иа расстоянии 1 мм от
корпуса при температуре ие более 150 °C и времени ие более 3 с.
Усилие при этом ие должно передаваться иа корпус. Допускается
изгиб и пайка выводов иа расстоянии не менее 3 мм от корпуса при
температуре не более 250 °C.
2Т948А, 2Т948Б, КТ948А, КТ948Б
Транзисторы кремниевые эпи-
таксиально-плаиарные п-р-п гене-
раторные. Предназначены для
применения в усилителях мощ.
ности, умножителях частоты и ав:
тогеиераторах иа частотах 0,7—
2,3 ГГц при напряжении питания
28 В.
Корпус металлокерамический с
полосковыми выводами. Масса
транзистора не более 2 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное -типовое максимальное со LQ ь УЭБ. В <
Выходная мощность (/—2 ГГц), Вт: ₽вых
2Т948А, КТ948А 15 19* 24» 28
2Т948Б, КТ948Б 8 11» 15*
Коэффициент усиления по мощ- ности (f=2 ГГц): кУр 28
2Т948А, КТ948А (Рвых = 18 Вт) 3
2Т948Б, КТ948Б (Рвых==9 Вт) Коэффициент полезного дейст- вия коллектора (f=2 ГГц): 3 28
2Т948А, КТ948А (Рвых = 18 Вт) 2Т948Б, КТ948Б (Рвых^Э Вт), % '•к 30* 35 45»
Значение
Режим измерения
Параметр
Буквенное
обозначе-
ние
УЭБ ,
модуль коэффициента передачи
ока на высокой частоте (/ =
т°300 МГн):
2Т948А, К.Т948А
2ТЯ48Б, КТ948Б
Контический ток коллектора
(f=300 МГц), А:
2Т948А. КТ948А
2Т948Б, КТ948Б
Емкость коллекторного перехо-
, (f= 10 МГц), пФ:
2Т948А, КТ948А
2Т948Б, КТ948Б
Обратный ток коллектора, мА:
Г = 25 °C
2Т948А
КТ948А
2Т948Б, КТ948Б
Г=125 °C
2Т948А, КТ948А
2Т948Б. КТ948Б
Обратный ток эмиттера, мА:
Г = 25 °C
2Т948А
КТ948А
2Т948Б. КТ948Б
Т= 125 °C
2Т948Б, КТ948Б
2Т948Б. КТ948Б
|Л2|э| 6 , 5 6.5 1 0* 10* I 3* 13* 5 5 1,5 0.8
;кр 5
Ск 2 I 3,5* 1 ,5* 5 5* 2,7* 28
1 КБО 20* 1 1* 22* 13* 30 1 7 45
I 0* 4* 30 35 1 5
/ЭБО 150 75 2
3* 3* 20 35 10
1 00 50
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора:
2Т948А, КТ948А.........................
2Т948Б, КТ948Б.........................
Импульсный ток коллектора (ти^20 мкс,
QSslO):
2Т948А, КТ948А.........................
2Т948Б, КТ948Б.........................
Постоянный ток базы:
2Т948А, КТ948А.........................
2Т948Б, КТ948Б.........................
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Гк^гб/С)1:
2Т948А, КТ948А.........................
2Т948Б, КТ948Б.........................
Тепловое сопротивление переход—корпус:
2Т948А, КТ948А..........................
2Т948Б, КТ948Б.........................
емпература перехода ....................
‘емпература корпуса:
45 В
2 В
2,5 А
1,2 А
5 А
2,5 А
1 А
0,5 А
40 Вт
20 Вт
4,5 °С/Вт
9,0 °С/Вт
200 °C
2Т948А, 2Т948Б . . .
КТ948А, КТ948Б ....
Температура окружающей среды:
2Т948А, 2Т948Б ....
КТ948А, КТ948Б ....
125 °C
100 °C
от —60 °C до
7’к = 125°С
от —45 °C до
Тк=100 °C
1 При 7'к>25°С Ркш.х [Вт]«(200 —Тк)//?гп, к.
Изгиб выводов при монтаже допускается на расстоянии более
1 мм от корпуса.
48b
Тип гб’ Ом Дг, Ом гк* Ом Ом ^ВХ’ пФ Сэк’ пФ Сиг пФ сК2, пФ
2Т948А 0,15 0.3 0, 45 0,15 40 6 1.5 14
2Т948Б 0,3 0,6 0,9 0,3 20 3,5 0,75 7
Тип Ct, пФ С2, пФ сэ, пФ S’ нГи сэ. М, нГн с2, нГн м. нГн Че нГи
2Т948А I 1,6 200 0.78 0, 23 0,32 0,14 0,51
21948Б 1 1.6 100 1.2 0, 39 0, 54 0, 19 0,73
2Т960А, КТ960А
Транзисторы кремниевые эпитаксиальио-плаиарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в широкополосных усили-
телях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на часто-
тах 100—400 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Внутри
корпуса имеется согласующее LC-звено. Масса транзистора не бо-
лее 7 г.
Значение Режим измер^1ж7
Параметр Буквенное обозиаче- и пе минимальное типовое максимальное Та Ь ь а ‘аеп / v
Выходная мощность (/= = 400 МГц), Вт Коэффициент усиления по мощности (( = 400 МГц, Рвых = 40 Вт) Коэффициент полезного дей- ствия (f = 400 МГц, Рвых = = 40 Вт). % Напряжение насыщения коллектор — эмиттер*, В Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой часто- те (( = 300 МГц) Критический ток коллекто- ра*, А Постоянная времени цепи обратной связи иа высокой частоте (f = 5 МГц)*, пс Емкость коллекторного пе- рехода (( = 30 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехо- да (f = 5 МГц)*, пФ Обратный ток коллектор — эмиттер (Ябэ = 10 Ом), мА: 7' = 25’С Т = 125 ° 2Т960А Обратный ток эмиттера, мА: Т'=25’С Г=125°С 2Т960А Индуктивность внутреннего LC-звена*, нГн Емкость внутреннего LC- звена*, пФ Индуктивность эмиттерного вывода (/=1 мм)*, нГн Индуктивность коллектор- ного вывода (/=1 мм)*, иГн Индуктивность базового вы- вода (/=1 мм)*, иГн ^вых кУр С'КЭ нас ^кр тк ск сэ 'КЭ R ;ЭБО L3 сз Ч LK Lo 40 2,5 60 0. 05 2 15 I 1 7,5* 860 560 3,5* 65* 0,08 4* 22 12,5 82* 1 200 1 ,8* 0,7* 0,33 610 0,38 1,6 0,49 5, 5 75 0, 1 5 5* 30 25 120 1200 20 40 10 20 660 12,6 12,6 12, 6 10 10 5 (12) 36 0 4 —-» 0,5 (0,1) 0,5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?бэ<10 Ом).........................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора................
СВЧ входная мощность....................
КСВН коллекторной цепи (Рвых<40 Вт,
Гк <40 °C):
в течение 3 с .........................
в непрерывном режиме.................
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Тк<40вС)1 . . . .
Тепловое сопротивление переход — корпус
36 В
4 В
7 А
16 Вт
10
3
70 Вт
1,75 °С/Вт
Температура перехода ..................
Температура корпуса-
2Т960А ..............................
КТ960А ..............................
Температура окружающей среды:
2Т960А ................................
2Т960Л ...........................
160 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
Гн = 125 °C
от —40 °C до
Г,, =85 °C
1 Прн Тк > 40 °C Рк, ср max [Вт] — (160—Тк)/1,75
Шероховатость контактной поверхности теплоотводов должна
быть не менее 2,5. Неплоскостность контактной поверхности теплоот-
вода должна быть не более 0,04 мм.
Тепловое сопротивление корпус — теплоотвод при нанесении теп-
юотводяшей смазки типа КПТ-8 на поверхность теплоотвода траизи-
стора не более 0,3°С/Вт.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от кор-
пуса по методике, ие приводящей к нарушению конструкции и гер-
метичности транзистора. Пайку производить при температуре не вы-
ше 270 °C в течение времени иа более 5 с.
2Т962А—2Т962В, КТ962А—КТ962В
Транзисторы креминевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах на частотах 400—1000 МГц
при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и монтаж
винтом. Внутри корпуса имеется согласующее £С-звеио. Масса тран-
зистора не более 5 г.
Электрические параметры
Параметр
Значение
Режим измерения
Выходная мощность (f=
= 1000 МГц, Т'к5!40°С), Вт:
2Т962А. КТ962А
2Т962Б, КТ962Б
2Т962В, КТ962В
Коэффициент усиления по мощ-
ности (f— 1000 МГц):
2Т962А, КТ962А (Рвых = 10 Вт)
2Т962Б, КТ962Б (Рвых-=20 Вт)
2Т962В, КТ962В (Рвых=40 Вт)
коэффициент полезного дейст-
коллектора (f=l000 МГц),
2Т962А. КТ962А
2Т962Б, КТ962Б
2Т962В, КТ962В
^вых
КУ р
Ю
20
40
4
3,5
3
4,7*
6*
5,1*
6*
8*
6,1
28
28
28
36
40
40
43*
51*
49*
49*
60*
55*
Окончание
Параметр Буквенное обозначение Значение Режим измерения
минимальное о с я о Е н максимальное О ть Та 2d са Ф
Модуль коэффициента передачи тока иа высокой частоте (/ = = 300 МГц): 2Т962А, КТ962А 2T9G2B, КТ962Б 2Т962В, КТ962В Критическим ток коллектора (/=300 МГц), А: 2T9G2A, KT9G2A 2Т962Б, КТ962Б 2Т962В. КТ962В Постоянная времени цепи об- ратной CB/Тэн на высокой часто- те (/ = 5 МГц), пс: 2Т962А, KT9G2A 2Т962Б, КТ962Б 2Т962В, КТ962В Емкость коллекторного перехо- да (/ = 30 МГц), пФ: 2Т962А. КТ962А 2Т962Б. КТ962Б 2Т962В, КТ962В Обратный ток коллектора, мА: 7 = 25 °C 2Т962А, KT9G2A 2Т962Б, КТ962Б 2Т962В, KT9G2B 7=125 °C 2Т962А. 2Т962Б 2Т962В Обратный ток эмиттера: 7 = 25 °C 2Т962А. KT9G2A. 2Т962Б, 2Т962Б 2Т962В. KT9G2B Индуктивность внутреннего LC- звена*. нГн: 2T9G2A, КТ962А 2Т962Б, КТ962Б 2Т962В, KT9G2B Емкость внутреннего LC-звена*, нФ: 2T9G2A, КТ962А 2Т962Б, КТ962Б 2Т962В, КТ962В Индуктивность эмиттерного вы- вода (7=1 мм)*, нГн: 2Т962А, KT9G2A 2Т962Б, КТ962Б 2Т962В, КТ962В Индуктивность коллекторного вывода (7=1 мм)*, нГи Индуктивность базового вывода (7=1 мм)*, нГн: 2Т962А. КТ962А 2Т962Б, КТ962Б 2Т962В, КТ962В /Л2| э| 'кр fKBO 'ЭБО ч Сз ч L К ч 2^5 2,0 2 , 7 4 , 2 7 . 1 9* 4.2* 3.7* 1 1 * 1 7* 3 2* 4.4* 3.8* 3 , 5* 3.7* 5,7* 9.9* I 0* 8, 2* 6.6* 1 2* 19* 33* 0. 8* 1 . 23* I .8* 0. 2* 0,25* 0,78 0,54 0.26 50 73 1 28 1,43 1 . 24 0,92 I . 55 0,23 0, I 2 0, 06 4 ,6* 4,2* 4 ,5* 5,3* 7,9* 1 4 1 G 16 16 20 35 50 20 2 0 30 40 G0 5 1 0 (10) (I 0) (10) (10) (10) ( 1_0) 2 8 50 4 I , 5 1 . 8 3.0
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора:
2Т962А, К.Т962А . . ....
2Т962Б, КТ962Б . . ....
2Т962В, КТ962В ... ....
ВЧ входная мощность:
2Т962А, КТ962А . . ....
2Т962Б, КТ962Б . . .' . . . .
2Т962В, КТ962В . . ....
КСВН коллекторной цепи в течение 1 с
(^КВ 24 В)'
2Т962А, КТ962А (Р„ых^Ю Вт)
2Т962Б, КТ962Б (Pn,.,xsS16 Вт)
2Т962В, КТ962В (РВых<26 Вт) . . .
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (ТкС40°С)':
2Т962А, КТ962А, КТ962А ....
2Т962Б, КТ962Б........................
2Т962В, КТ962В........................
Тепловое сопротивление переход — корпус:
2Т962А, КТ962А..........................
2Т962Б, КТ962Б........................
2Т962В. К.Т962В.......................
Температура перехода . . . . .
Температура корпуса:
2Т962А — КТ962В.......................
КТ962А — КТ962В.......................
Температура окружающей среды:
2Т962А — КТ962В.......................
КТ962А - КТ962В . . ...
50 В
4 В
1,5 А
2,5 А
4,0 А
2,5 Вт
5,7 Вт
13,3 Вт
25
17 Вт
27 Вт
66 Вт
7 °С/Вт
4,4 °С/Вт
1,8 °С/Вт
160 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
Г,,. = 125 °C
от —40 °C до
Т1( = 85°С
1 При Г„ > 40 С Рк.сргаах [Вт] = (160 — Тк) /$т в
4 94
Внутреннее согласующее ГС-звено оптимизировано для работы в
диапазоне 600—1000 МГц.
Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 1 мм от
корпуса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и
герметичности транзистора, при температуре не выше 250 °C с тепло-
отводом между корпусом и местом пайки.
Чистота контактной поверхности теплоотвода должна быть не
менее 1,5, а ее неплоскостность ие более 0,04 мм.
2Т963А-2, 2Т963Б-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-плаиариые п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах на частотах 2—10 ГГц при
напряжении питания 12—15 В в герметизированной аппаратуре.
Корпус на металлокерамическом держателе с гибкими леиточ-
иыми выводами. Обозначение типа приводится на держателе для
2Т963А-2 — буква А и белая точка, для 2Т963Б-2—буква Б и зеле-
ная точка. Масса транзистора не более 2 г.
7
лижтрические параметры
Значение Режим измерения
Буквенное о о »иое CQ
Параметры обозначе- ние £ те S X X X S типовое те S те Z ш СП 5. из о <
Выходная мощность (/= = 10 ГГц), Вт: 2Т963А-2 2Т963Б-2 Коэффициент усиления по мощности (f—10 ГГц): 2Т963А-2 (Рвх=0,25 Вт) 2Т963Б-2 (Рвх=0,45 Вт) Коэффициент полезного дей- ствия коллектора (f — = Ю ГГц). %: 2Т963А-2 (Рвх==0,25 Вт) 2Т963Б-2 (Рвх=0,45 Вт) Фаза коэффициента переда- тока на высокой частоте V—I ГГц), град Модуль коэффициента об- ратной передачи напряже- (f=JOO МГц) ёмкость коллекторного пе- ’«хода (f=i0 МГц). пФ Мкость эмиттерного перехо- o«n(f“10 мг>0. пф „^Ратный ток коллектора. Рвых КУ р % аг^Л31б> |312б| Ск сэ 'КБО 0.8 0.5 3 3 36 27.8 5* 0,6. ю з* 0,9 3,4* 38* 6* о.ЗИо-3* 1 . 5* 4,8* 1 ,05* 3,7* 42* I I 1 • I 0“3 15 12 (5 12 15 12 5 5 5 (0) 18 0,17 0, 15 0,17 0.15 0,17 0.15 0, I 0,1
£=25 ’С -^=125 ’С 7РД™ЫЙ ток эмиттера. мА: т « С г = 125 °C ?ЭБО 0.1» 0. I» 1,0 10 0.4 10 (1.5)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора:
2Т963А-2..............................
2Т963Б-2..............................
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Тк<25°C)1 * * *
2Т963А-2..............................
2Т963Б-2..............................
Постоянная рассеиваемая мощность
(1/КБ <8 В. TK^25°C)S * *...............
Тепловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление переход — корпус
для динамического режима:
-2Т963А-2..........................
2Т963Б-2 .......................
Температура перехода ................
Температура корпуса .................
Температура окружающей среды
18 В
1,5 В
0,21 А
0,185 А
2,1 Вт
1,55 Вт
1,1 Вт
140°С/Вт
74 °С/Вт
100°С/Вт
180 °C
125 °C
от —60 °C до
Тк= 125 °C
1 При ГК>25°С Рк, max [Вт] = (180 —Тк)/Рт.
Допускается применение транзисторов в диапазоне частот
10 МГц —2 ГГц при (Л,итг£8 В.
Изгиб выводов допускается иа расстоянии ие менее 2 мм от дер-
жателя. Пайка выводов производится иа расстоянии 1 мм от держа-
теля при температуре 260 °C в течение 3 с, на расстоянии 0,5 мм при
температуре не выше 150 °C.
2Т970А, КТ970А
Транзисторы кремниевые
эпитаксиально-планарные п-р-п
генераторные. Предназначены
для применения в усилителях
мощности, умножителях часто-
ты и автогенераторах на часто-
тах 100—400 МГц при напря-
жении 28 В.
Корпус металлокерамиче-
ский с полосковыми выводами.
Внутри корпуса имеется ДВУ*'
звеивая LC-цепь. Масса тран-
зистора ие более 9 г
ческие параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное <y 0 a o E максимальное £3 £Д 5, 7S x ffi ch (b I 'к, a
„„чая мощность (f = SM4oS МГЦ. Гк-40-С), Вт ^Хьициеит усиления по мощ- к « (/ = 400 МГц, Рвых = нос™ V „100 Вт) АЛчсиент полезного денст- К°,’^коллектора (f = 400 МГц, =100 Вт), % мЛучь коэффициента передачи S на высокой частоте (/ = „зоо мГц) «оптический ток коллектора (1 = 300 мГц). А Постоянная времени цепи об- ратной связи на высокой часто- те (/ = 5 МГц), пс Емкость коллекторного перехо- да (/=30 МГц), пФ Обратный ток коллектор—эмит- тер (Лэ<>=10 Ом). мА: 7=25 ’С 7 = 85 °C КТ907А 7= 125 °C 2Т970А Обратный ток эмиттера, мА: 7=25 “С 7 = 85*С КТ970А 7= 125 °C 2Т970А Индуктивность 1-го внутреннего LC-звспа*. нГн Индуктивность 2-го внутреннего tC-звена*. иГн Емкость 1-го внутреннего LC- звена*, пФ Емкость 2-го внутреннего LC- звена*. пФ Индуктивность эмиттерного вы- вода*. нГн ИндуктивпЪсть коллекторного вывода*, нГн Рвых КУ р |Л2Щ| /кр тк Ск 'КЭ R 'эъо L3l L3Z C3l С3. Г.-> LK 100 4 50 2 1 6 7,3* I I I * 55* 4 * 24 * I 1 * 1 25* I 1 * 3* 0,39 0,2' 3 1 0 620 0,2 0,87 I 3* 65* 6* 30* 25 I 80 I 00 200 200 30 60 60 28 28 28 I 0 I 0 (10) (28) 50 4 5 0,5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
«Р (ЯС;1<10 Ом).........................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
“Ч входная мощность ...
КСВН коллекторной цепи (UкЭ <24 В,
г«<50°С, ( = 400 МГц):
pi4.ix = 80 Вт (в течение 3 с)
в mi = 70 Вт (длительно)
Редняя рассеиваемая мощность в динами-
ком режиме (Г,< <40 °C)1 . . . .
пловое сопротивление переход — корпус
50 В
4 В
13 Л
25 Вт
10
3
170 Вт
0,7 °С/Вт
Температура перехода........................ 160 °C
Температура корпуса-
2Т970А....................................... 125 °C
КТ970А..................................... 85 °C
Температура окружающей среды:
2Т970А................................. от —60 °C до
Т„=125°С
КТ970А . . ..................от —40 °C до
Т„ = 85 сС
1 При Тк>40°С Рктах [Вт] = (160— Тк)/0,7.
Изгиб выводов транзистора допускается иа расстоянии не
нёе 3 мм от корпуса. Пайка выводов допускается на расстояни
менее 1 мм от корпуса при температуре 260 °C в течение 4 с.
Ме.
и Не
Транзисторы кремниевые эпи-
такснально-планарные п-р-п гене-
раторные. Предназначены для
Ранения в импульсных усили-
®ЛЯх мощности и генераторах на
ст°тах 1,4—1,6 ГГц при напря-
жении питания до 45 В.
с J°₽I^ металлокерамический
копПу0сковь1ми выводами. Внутри
-iacv имеются двухзвенные со-
выход014™ Т-С-звенья на входе и
1е« g ‘"асса транзистора не бо-
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение
мииимальн ое типовое | о о д 4 S Д X сч S 240* 140* 8,5* 8,5* 38* 38* 50 25 1 00 50 50 25 I 00 50 ад ад Л 35 45 35 15 35 15 45 3
Выходная мощность (/=1,5 ГГц, Ти = 10 мкс. Q = l00), Вт: 2Т975А 2Т975Б Выходная мощность (/=1,5 ГГц, Ти==Ю мкс, Q=100), Вт: 2Т975А 2Т975Б Коэффициент усиления по мощно- сти (/=1,5 ГГц), дБ: 2Т975А (Рвых. и = 75 Вт) 2Т975Б (Рвых, и = 45 Вт) Коэффициент усиления по мощно- сти (/=1,5 ГГц), дБ: 2Т975А (Рвых,и=200 Вт) 2Т975Б (Рвых. к = 100 Вт) Коэффициент полезного действия коллектора (/ = 1,5 ГГц).%: 2Т975А (Рвых = 75 Вт) 2Т975Б (Рвых = 45 Вт) Коэффициент полезного действия коллектора (/=1,5 ГГц), %: 2Т975А (Рвых, и = 200 Вт) 2Т975Б (Рвых, и= 100 Вт) Обратный ток коллектора. мА: 7 = 25 “С 2Т975А 2Т975Б Т=125вС 2Т975А 2Т975Б Обратный ток эмиттера, мА: Г = 25 °C 2Т975А 2Т975Б Г = 125 °C 2Т975А 2Т975Б РК, И РК. и *У р. и Ку р, н Чк Чк ' к во 'ЭБО 75 45 200 100 3,3 4 , 0 6 6 25 30 30 35 220* 130* 7* 7* 36* 36*
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмиттер — база
Импульсный ток коллектора (тн^10 мкс,
Q100, 7’К8?85°С)':
2Т975А ...............................
2Т975Б ...............................
Импульсная рассеиваемая мощность в ди-
намическом режиме (ти^10 мкс, Q^lOO,
Г„ <85 °C)2:3
2Т975А ........................
2Т975Б ........................
50 В
3 В
15 А
7 А
500 Вт
200 Вт
Температура перехода
Температура корпуса
Температура окружающей среды
180 °C
125°
от —60 °C до
Тк= 125 °C
1 При Т’к>85°С для 2Т975А /к, „ тах [А] = (180—Гц)/6,4,
ялЯ 2Т975Б /к. и max [AJ = (I80—Гк)/13,6.
Д 2 При Гк>85°С Рк, я max [Вт] = (180— Тк)/Рт, и.
з Импульсное тепловое сопротивление переход — корпус при
Ю мкс’ ЮО рассчитывается в соответствии с соотношени-
ями:
2,4 / 0,86 \ ____
ДЛЯ 2Т975/?т„ [°С/Вт| =+0,057^1-И т„ ,
2,4 / 0,86 \ ,___
для 2Т975Б /?Тн [°С/Вт] = —— +0,114 1- -~= У ти .
v \ V Q /
К^ЗВ _ _____!______
2Т375Л
PSx‘508r 2/975/1
Pfa -258т 2 Г975/1
J I--------1----J----1-----1---
-so -jo o jo so rKi°c
Тип ь,. вГи ^"3, нГк L6, нГн S<> иГн нГи С,. пФ с2, пФ с4 пФ,
2Т975А 0,4 0,06 0,01 0, 3 0,4 1,5- 2,5 1,5 — 2,5 200
2Т975Б 0,6 0, 12 0,02 0,45 0,6 1,5 — 2, 5 1,5- 2,5 100
Тип пФ с„, «4 > пФ пф с9- пФ Снэ, пФ Г!, Ом Гд, Ом гк. Ом
2Т975А 40 19 6 500 7,5 0,03 0, 15 0, 15
2Т975Б 20 10 3 250 4 0, 06 0,3 0,3
Допускается пайка выводов ва расстоянии 1 мм от корпуса при
температуре пайки не более 150 °C.
2Т976А, КТ976А
Транзисторы кремниевые эпитакспально-планарные п-р-п генера
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности'
умножителях частоты и автогенераторах на частотах до 1000 МГц а
схеме ОБ при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и мои.
тажным впитом. Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено
Масса транзистора не более 5 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное 1 типовое максимальное! а •(змп)емп m и (Ъ «ч
Выходная мощность (f — = 1000 МГц, Гк<40°С), Вт Коэффициент усиления по мощ- р вых Ку р 60 2 2,4* 2,8* (28) (28)
ностн (f=1000 МГц, Рвых—— = 60 Вт) Коэффициент полезного дейст- пк 45 55* 61* (28)
вия коллектора ((=1000 МГц, Рвых=60 Вт). % Модуль коэффициента передачи 2,5 4* 4,7* Ю 7
тока на высокой частоте (( = = 300 МГц) Критический ток коллектора 'кр Хк 16 25* 30* 10
(( = 300 МГц), А Постоянная времени цепи об- 3,6* I 0* 25 (Ю) 1
ратной связи на высокой часто- те (( = 5 МГц), пс Емкость коллекторного перехо- Ск 47* 50* 70 (28)
да (( = 30 МГц), пФ Полное входное сопротивление (Рвых = 50 Вт)*, Ом Полное сопротивление нагрузки (Рвых = 50 Вт)*, Ом Обратный ток коллектора, мА: у — 25 °C 7“=85 °C КТ976А Т=125°С 2Т976А 2вх Zn ZKBO 6,9 + + /13 5+/10 I 0* 60 120 120 (28) (28) 50
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное 1 типовое максимальное а о СД СП «ч
Обратный ток эмиттера. мА: /ЭБО 4
т=25 °C т=85 °C КТ976А 2Т976А ИндУкт,1ВН0СТЬ внутреннего LC- звена*. нГи Емкость внутреннего ДС-звена*, пФ Индуктивность эмиттерного вывода (/=1 мм)*, иГи Индуктивность коллекторного вывода (/=1 мм)*, нГн Индуктивность базового вывода мм)*. нГн L3 Сз 7* 0,26 140 20 40 40
S LK L(j 0,92 I ,55 0,66
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмиттер — база
ВЧ входная мощность....................
КСВН коллекторной цепи sg24 В,
Гк^50°С, /==1000 МГц) в течение 3 с:
/’вых^35 Вт..........................
Рвых^30 Вт...........................
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Т'к^40°С)1 . . . .
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ..................
Температура корпуса:
2Т976А ...........................
КТ976А ..............................
Температура окружающей среды:
2Т976А.................................
КТ976А
50 В
4 В
30 Вт
3
5
75 Вт
1,7°С/Вт
160 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
Тк=175°С
от —40 °C до
Гк=85 °C
1 При 7’„>400С Ркш.1 [Вт] = (160 — Гк)/1,6.
Пайку выводов транзистора допускается производить на рас-
стоянии не менее 1 мм от корпуса. Температура пайки не выше
^‘0 °с в течение не более 5 с.
2Т977А
Транзисторы кремниевые эпитаксиальио-плаиарвые п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в автогенераторах в схеме
ОК на частотах 0,6—1,6 ГГц при напряжении питания 32 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Масса
транзистора ие более 2 г.
Электрические параметры
Буквенное обозначе- ние Значение - „Ре«им ИЗмеренця
Параметр минималь- ное типовое макси* I мальиое • j 0 §
Выходная мощность (f=I,5 ГГц, Ти=10 мкс, Q = IOO), Вт Выходная мощность (f~ 1,5 ГГц, Tit=10, Q = 100), Вт Коэффициент полезного действия коллектора ГГц, Рвых, и = =35 Вт), % Коэффициент полезного действия коллектора (f = l,5 ГГц, Рвых, и = = 50 Вт). % Обратный ток коллектора, мА: р вых, и р вых, и 7кбо 35 50 15 20 70* 25* 80* 30* 32 40 32 40
7=25 °C 7= 125 °C Обратный ток эмиттера, мА: 7эбо 7* 25 50 45 45
7=25 °C 7=125 °C 7* 30 60 3 3
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмиттер — база
Импульсный ток коллектора (ти^10 мкс,
Q 3=100, Тк^вб’С)1......................
Средняя рассеиваемая мощность в импульс-
ном режиме (ти<10 мкс, Q^lOO,
7'к«£85оС)2'3...........................
Температура перехода ...................
Температура корпуса ....................
Температура окружающей среды
50 В
3 В
8 А
200 Вт
175 °C '
125 °C
от —60 °C до
ТК = 125°С
1 При Тк>85°С /китах [А] = (175 — Тк)/11,2.
2 При Тк>85°С Рк и max [Вт] = (175 — Т„)/Рт, и.
3
4,8 7
RT =-----------f-0,139 1
Т Q \
0,86
V~Q
V ти [°С/Вт].
Допускается пайка выводов иа расстоянии 1 мм от корпуса при
температуре ие более 150 °C.
CIS
szs яВ£ i
2Т979А
Транзисторы кремниевые эпитаксиалыю-план-арные п-р-п
торные
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножц
телях частоты и автогенераторах на частотах 0,7—1,4 ГГц при На
пряжении питания 28 В в непрерывном режиме и 35—40 в импульс
ном режиме
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и мои
тажным пиитом Внутри корпуса имеются согласующие двухзвенные
LC-звенья на входе и выходе транзистора. Масса транзистора це
более 5 г
Электрические параметры
Значение Режим
Буквеиное измерения
Параметр обозначе- о о о £0
ние О о , о
х л о U2
х е; X С<3 * (6
S S S 2
Выходная мощность (f = 1,3 ГГц). Вт рвых 50 60* 28
Коэффициент усиления по мощно- сти. дБ: кУп 30 20
[=1,3 ГГц, А’пых =50 Вт 6 7* 8.5* 28
[ = .3 ГГц, Рвых = 30 Вт 4
Коэффициент полезного действия коллектора (f==1.3 ГГц. Рвых = 45 52* 28
-50 Вт), % Обратный ток коллектора, мА: 1КБО ьо
Г = 25 °C Т=\25 *С 1 00 200 30 3,5
Обратный ток эмиттера, мА 'ЭБО
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
7^25 °C.............................
Тк = - 60 °C .....................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора (ти^20 мкс
<2>>0) •_ ................
Постоянный ток базы.................
Средняя рассеиваемая мощность в динами
ческом режиме (Гк^25 °C)1
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ...............
Температура корпуса ................
Температура окружающей среды
50 В
45 В
3,5 В
5 А
10 А
2 А
75 Вт
2 °С/Вт
175 °C
125 °C
от —60 °C до
Л, = 125 °C
I При >25 °C Рк. ер max [Вт] = (175-Г„)/2.
Пайка выводов допускается на расстоянии от корпуса 3 мм пр11
Г3^260 °C и 1 мм при — 150 °C.
р-п-р
2Т914А, КТ914А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р геиера-
горные. Предназначены для примеиеиня в усилителях мощности, ум-
ножителях частоты и автогенераторах на частотах до 400 МГц при
I напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с жесткими выводами и монтажным
пиитом. Масса транзистора ие более 6 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
। минимальное и о Cfi О С н макс имальмое и КЭ (°кв). в со LQ CD < V ‘9/
Выходная мощность. Вт* ВЫ X 28
/=100 МГц 7,2 8* 9*
f~400 МГц Коэффициент усиления «о мощности- Кур 2,5 3.2* 3.5* 28
f=JOO МГц, = 7.2 Вт 7,2
1 = 400 МГц. Ряих=- -2,5 Вт 2,4
Коэффициент полезного пк 2&
Дейстми я коллектора,
2T9I4A (/=100 МГц, 65 73 * 80*
^вых=±3 Вт) 2T9I4A (/ = 400 МГц, 40 50* 60*
,?«их=3 Вт) KT9I4A (/-400 МГц, 30
Риых=2.5 Вт)
угатический коэффици- СМт передачи тока в схе- ОЭ* h2I3 I 0 30 60 5 0,25
*а,‘РЯжеине насыщения ^лектор — эмиттер*. В (/КЭ нас 0.2 0.3 0.6 0,25 0,05
пряжение насыщения ‘“нттер — база*, В ^БЭ нас 0,85 0.9 0.95 0,25 0,05
Окончание
Параметр Буквенное обозначе* >1 нс Значение Режим измерения
мнинмальиое типовое и о X а «ч X X «J ^КЭ^КБ). | В 9 'ае/7 «ч из
Модуль коэффициента передачи тока ка высо- кой частоте (f — 100 МГн) Критический ток коллек- тора (/=100 МГц). Л: 2Т914А КТ914А Постоянная аременн це- пи обратной саязи на вы- сокой частоте (/-5МГи). нс 2Т914А КТ914А Г2,,1 7|!Р тн 1 0. 4 0,25 0,8* I . 0» 1 5 20 28 1 0 (Ю) 0.2 0.03
Емкость коллекторною перехода (f —5 МГц). пФ Емкость эмиттерного пе- рехода (f = 5 МГц)*. пФ Обратный ток коллек- тор — эмиттер (/?г,-»ия «и 100 Ом), мА: Т — or °C 7=125 °C 2T9I4A КТ914А с к с э 'кэ R 9 0 130 0.2* I 2 170 2 5 (28) 65 0
Обратный ток эмиттера. мА* 7 = 25 вС Т = 125 °C 2Т914А !эьо 0.01* 0.1 0.2 4
Индуктивность эмиттер- ного вывода*, нГн Индуктивность коллек4 торного вывода*. иГи Индуктивность базово- го вывода*, иГи Емкость эмиттер — кор- пус*, пФ Емкость коллектор корпус*. пФ Емкость база корпус*. пФ <6 с а. к С к. к <70 к 4 4 4 1 , з 1 . 8 1 . з
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор эмит-
тер ................ . 65 В
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер ............. . , 75 В
Постоянное напряжение эмиттер база 4 В
Постоянный ток коллектора . 0.8 А
Импульсный ток коллектора (т„ 100 мкс.
10) . . . . . , 1,5 А
Постоянный ток базы . . 0,2 А
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (TKsS40°C)1
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода
Температура корпуса
Температура окружающей среды
7 Вт
16'С/Вт
150 ’С
125 °C
от —60 °C до
Л. = 125 °C
I При Т„>40°С Рк, ср max [Вт] = (150—Тк)/16.
/^вых к ~ 2$ В)
° zoo чоо ооо воо «я
Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 1 мм от кор.
пуса Усилие, перпендикулярное оси вывода, не более 0,5 Н Запре-
щается изгиб и кручение выводов.
2Т974А—2Т974В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р усили-
тельные. Предназначены для работы в импульсных и линейных уси-
лителях и преобразователях.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими
выводами Масса транзистора ие более 1,5 г.
Прн установке в аппаратуру транзистор должен прижиматься к
теплоотводу. Шероховатость контактирующей поверхности теплоот
вода должна быть не более 1,6. Неплоскостиость контактирующей
поверхности теплоотвода должна быть не более 0,02 мм. Для умень-
шения контактного сопротивления между корпусом и теплоотводом
следует применять смазки, например КПТ-8. Допускается заливка
транзистора компаундом ВТ25-200.
Допускается изгиб выводов на расстоянии ие менее 3 мм от кор-
пуса с радиусом изгиба не менее 1,5 мм.
9лекп’и,еские па₽«*етры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое _______ 1 1 максимальное I Ь, са b а и БЭ, в V ‘(е/) ^7 V ‘9/
Напряжение нась,ще* коллектор — ’“tVzTa. 2Т974В 2Т974Б Напряжение насыще- вяя база — эмиттер, ^КЭ иас ^БЭ иас 0,3» 0,25» 0.5* 0,3* I 0,6 1 1 0.2 0,2
S2T974A — 2Т974В 2Т974Б Статический коэффи- циент передачи тока а схеме ОЭ: 2Т974А—2Т974В 2Т974А, 2Т974В 2Т974Б Л21Э 0,9* 0,9* 10 5 5 1 ,2* 1* 40* 30* 30* 1,5 1,2 120* 50* 50* (5) (5) (5) (I) (5) (7)
Модуль коэффициен- та передачи тока иа высокой частоте (/=300 МГц) 1 ftai0 1 1,5 3* 4,5* 10 И)
Время рассасывания мхе Время включения, мхе Емкость коллектор- ного перехода (/== = 10 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (f=>10 МГц)» урас ^вкл ск Сэ 0, 04* 0.012* 20* 85* 0,08* 0,015* 50* 130* 0,2 0,05 80 160 30 0,5 1 I 0,2 0,2
Обратный ток кол- лектора, мА: £“-60 - +25 ’С 7=125 "С Обратный ток кол- лектор — эмиттер* ‘^БЭ =100 Ом), мА- ;КБО 'кэя 0,01* 0,5* 5 50 ^КБтах
2Т974А 2Т974Б 2Т974В братиый ток эмит- ,еРа, мА 7ЭБО 0,01 0,01 0,01 0,01* 0.5 0,5 0,5 0,5* 5 5 5 5 70 50 40 3
Предельные эксплуатационные данные
остояиное напряжение коллектор — база:
«Т974А • • • Ь А* ’Ч > 80
2Т974Б \ 7 *?’ 60
2Т974В . W 4? : '' ~ ' 50
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
теР (#бэ 100 Ом)
2Т974А 2Т974Б 2Т974В Постоянное напряжение эмиттер — баз а ( 70 В 60 В 50 В 3 в
Постоянный ток коллектора 2 А
Импульсный Q > 100) ток коллектора (тп 10 мкс, - 10 А
Постоянный ток базы - 0,5 А
Импульсный Q> 100) ток базы (Ти^Ю мкс, 2 А
Постоянная лектора' (Th рассеиваемая мощность ==_60^-4-50 °C) . . кол- 5 Вт
Температура перехода 150 °C
Температура окружающей среды от Т -60 °C до , = 125 °C
1 При Тк> 50 °C Рк. nti [Вт] = (150- -Тк)/20
^КЗЯ проб /^ПЗ^проб
7,7 I----Г—---------
2 ТЭ^б
szs
lei^l
Прч пайке жало паяльника должно быть заземлено. Допускается
минимальное расстояние от корпуса до места пайки 1 мм при усло-
вии, если температура корпуса не превышает 150 °C.
Раздел шестой. МАТРИЦЫ И СБОРКИ
БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
п-р-п
2ТС613А, 2ТС613Б, КТС613А—КТС613Г
Транзисторные матрицы, состоящие из четырех электрически 1!3°.
лированных кремниевых эпитаксиально-плаиарных п-р-п переключа-
ющих сверхвысокочастотиых транзисторов, предназначены для ПР,,М
иения в быстродействующих импульсных устройствах и переключ
телях, различных каскадах вычислительных машин и другой радио-
электронной аппаратуры.
Корпус металлостекляннын с гибкими выводами. Масса матрицы
Не более 4 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
о о к ч « 2 X X X S типовое i максимальное g ‘(зел) дял X VH ‘(3/) е1
Модуль коэффициента пере- дачи тока (/==*100 МГц) Напряжение насыщения Коллектор — эмиттер, В: 2ТС613А. 2ТС613Б KTC6I3A КТС623Г lh213 1 ^КЭ нас 2 0,3* 2,9* 0,5* 0,5* 5,8* I . о 1 , 2 10 400 30 (80)
Напряжение насыщения ба- за — эмиттер, В Статический коэффициент рсдачн тока в схеме ОЭ: Г=25 СС ^БЭ пас h213 0 9* 1,1* 2,0 5 400 (80) 200
2ТС613А, KTC6I3A 2TC6I3B. КТС613Б КТС613В КТС613Г 25 40 20 50 45* 85* I 00 200 120 300
7 = -60 «С
2ТС613А 2ТС613Б 12 20 1 00 200
Окончанц,
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим из^„
и О X Л 2 X X X 2 типовое максимальное ^КБ (УЭВ), В yw ‘Я/ 1 —
— —1 —
7' = 85 “С
КТС613А 20 200
ДТС613Б 30 300
КТС613В 15 250
КТС613Г 40 450
7= 125 °C
2ТС613А 20 200
2ТС613В 30 300
КТС613А. КТС613Б Время рассасывания, нс *рас 12» 45* 100 150 (15)
Граничное напряжение, Б: ^КЭО гр 50
2TC6I3A, КТС613Б 40
Емкость коллекторного лере* 5* 8* 15 10
хода (f==10 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехо- 10* 30* 50 (0)
да (/=10 МГц), пФ Обратный ток коллектора, мкА. 'кэо
7 = 25 °C 2ТС623А, 2ТС613Б 0,01* 1* 5 60
KTC6I3A. КТС613Б 10 60
ДТС613В, КТС613Г 10 40
Т=—60 °C 2ТС613А, 2ТС613Б 7 = 85 °C 5 60
КТС613А, КТС613Б КТС613В. КТС613Г Т — 125 °C КТС613А, КТС613Б 0,01* 5 * 100 100 50 50 34 45
Обратный ток эмиттера, мкА 7ЭБО I 0 (4)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер1 (/?бэ = 0)
2ТС613А, 2ТС613Б Тп=— 60 +100 °C
Л, = 125 °C . .
Тп=150°С . . .
КТС613А, КТС613Б Гп = — 45 ~ +70°С
Гп=120°С . . .
КТС613В, КТС613Г Т„ = —45 ---+70 °C
Гп=120°С . . .
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер1 (Лбэ< 1 кОм):
2ТС613А, 2ТС61 ЗБ Тп = — 60 ~ +100 °C
ГП=125°С . . .
Тв=150°С . .
60 В
45 В
30 В
60 В
30 В
40 В
20 В
50 В
37 В
25 В
Г4 КТС613А, КТС613В, КТС613Б 7П = —45 4-+70°С 50 В 25 В 30 В 15 В
7п=120°С . .
КТС613Г 7+ = —45 4-+70 °C
7п=120°С .
Постоянное 2ТС613А, напряжение коллектор — база1 2ТС613Б 7П = —60 4-+100°С 60 В
7П=125°С . 45 В
7п=150°С . . 30 В
КТС613А, КТС613Б 7+ = —45 4-+70 °C 60 В
7п=120°С . . 30 В
КТС613В, КТС613Г 7П = —45 4- +70°C 40 В
7+= 120 °C . . 20 В
Импульсное тер (^бэ ’+1 2ТС613А, напряжение коллектор — эмит- • кОм, тп^10 мкс, Q^2) 2ТС613Б, КТС613А, КТС613Б 70 В
КТС613В, КТС613Г . . 50 В
Импульсное (Тп + Ю мм 2ТС613А, напряжение коллектор — база1 Q + 2) 2ТС613Б 7П = —60 4- +100 °C 80 В
7+= 125 °C 65 В
7„=150°С 40 В
КТС613А, КТС613Б 7П = —45 4- +70 °C 80 В
7+= 120 °C 40 В
КТС613В, КТС613Г 7’п = —45 4-+70 °C ’ 60 В
7п = 120°С 30 В
Постоянное напряжение эмиттер — база2 4 В
Постоянный ток коллектора
7= —60 — +125 °C 2ТС613А, 2ТС613Б
7=—45 4-+85 °C КТС613А —КТС613Г 400 мА
Импульсный ток коллектора (тп^ 10 мкс
Т = — 60 4- +125 °C 2ТС613А, 2ТС613Б - .
Т=~45 4- +85 °C КТС613А —КТС613Г 800 мА
Постоянная рассеиваемая мощность всех структур матрицы 3- 2ТС61 ЗА, 2ТС61 ЗБ Т = —60 4- +50 °C 0,8 Вт
7= 125 °C 0,2 Вт
КТС613А— КТС613Г Т = —45 4-+50°C 0,8 Вт
7 = 85 °C . . 0,2 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность всех структур матрицы4 (тк^10 мкс, Q$s2) 2ТС61 ЗА, 2ТС61 ЗБ Т = —60 4- + 50 °C 3,2 Вт
7= 125 °C 0,8 Вт
КТС613А—КТС613Г 7" = —45 4-+50°С 3,2 Вт
7 = 85 °C 0,8 Вт
Постоянная рассеивамая мощность коллек- тора одной структуры матрицы4- 7 = —60 4-+50°С 2ТС613А. 2ТС613Б и Т = —45 4- +50°С КТС613А —КТС613Г 0,5 Вт
125 °C 2ТС613А, 2ТС613Б • 0,125 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность кол-
лектора одной структуры матрицы4
(ти«£10 мкс, Q>2):
Т = —60 4-+50°С 2ТС613А, 2ТС613Б и
Т = —454-+50°С КТС613А —КТС613Г 2 Вт
Т=125°С 2ТС613А, 2ТС613Б . . 0,5 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус
(общее для всех структур) . ... 6О°С/Вт
Тепловое сопротивление переход — среда
(общее для всех структур) . 125’С/Вт
Температура перехода:
2ТС613А, 2ТС613Б ... 150 °C
КТСбГЗА— КТС613Г .... 120 °C
Температура окружающей среды:
2ТС613А, 2ТС613Б . . . .-60 °C 4-+125 °C
КТС613А—КТС613Г.....................—45 °C 4- +85 °C
1 При Т„>100°С для 2ТС613А, 2ТС613Б и Тп>70°С для
КТС613А — КТС613Г напряжение снижается линейно.
2 Допускается импульсное превышение напряжения прн условии:
ти<10 мкс, Q>2, /Эи rg20 мА.
3 При Т>50°С Ртах [Вт] ==0,2+(125 — T)/RT с для
2ТС613А, 2ТС613Б и РШах [Вт] =0,2+ (85 — T)/RT „ с для
КТС613А —КТС613Г.
4 Прн Г>50 °C рассеиваемая мощность снижается линейно.
/г, мА
hZ!3
Пайку выводов разрешается производить на расстоянии ие менее
3 мм от корпуса матрицы. Температура пайки ие более 250 °C. Вре.
мя пайки ие более 5 с. Изгиб выводов допускается иа расстоянии не
меиее 3 мм от корпуса матрицы с радиусом закругления не менее
1,5 мм.
КТС631А—КТС631Г
Транзисторные сборки, состоящие из четырех электрически изоли-
рованных кремниевых эпитаксиально-планарных п-р-п универсальных
сверхвысокочастотиых транзисторов. Предназначены для применения
в дифференциальных усилительных, быстродействующих импульсных
устройствах, различных каскадах вычислительных машин и другой
радиоэлектронной аппаратуры.
Корпус металлостекляниый с жесткими выводами. Масса сборки
не более 4 г
75,5
/5,5
26,9,13-KMJiurq:
Ifi.Siz-база
3,4,10,14-эпиттед,
Ч, 11 - сьобояныи
15- корпус
ядектрическве "аР»метРЫ
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное максимальное из X т % Ь из CQ cd ф b мА 1э(/в). мА
гпакичная частота коэффициен- та передачи тока в схеме ОЭ, МКТС631А, КТС631Б КТС631В, КТС631Г Постоянная времени цепи об- ратной связи (/=5 МГц), ис Напряжение насыщения коллек- тор — эмиттер, В: KTC63IA, КТС631Г КТС631Б, КТС631В Напряжение насыщения база — эмиттер, В: КТС631А, КТС631Г КТС631Б, КТС631В / гр тк ^КЭ нас ^БЭ иас 350 200 0, 3* 0,21* 0,9* 0, 8* 40 1,2 1.2 2 2 10 10 450 100 450 100 50 30 (45) (Ю) (45) (Ю)
Время рассасывания, ис: ‘рас 150 (15)
КТС631А, КТС631Б KTC63IB. КТС631Г Статический коэффициент дачи в схеме ОЭ: КТС631А, КТС631Г КТС631Б, КТС631В Обратный ток коллектора, пере- мА: h213 'КБО 7,5* 20» 20 20 30 60 115* 125* 1 1 300 150
7-=—45 4- +25 °C КТС631А КТС631Б KTC63IB КТС631Г 7=85 “С КТС631А КТС631Б КТС631В КТС631Г Обратный ток эмиттера, мА: 'ЭБО 0.2 0,05 0, 05 0.2 1.0 0,5 0,5 1 . 0 (30) (30) (60) (60) (20) (20) (10) (Ю)
Г=45 -г+25 °C Г=85 °C Емкость коллекторного перехода Vb3m=10 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода </кзм=10 МГц), пФ Ск Сэ 0,1 0,5 15 100 (Ю) 4 4 0,5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (Ябэ = 0):
7’=—45+-4-70 °C КТС631А, КТС631Б . ЗОВ
КТС631В, КТС631Г . 60 В
Т’=85°С КТС631А, КТС631Б . 24 В
КТС631В, КТС631Г . 50 В
Постоянное напряжение коллектор — база:
Т=—45-5- 4-70°С КТС631А, КТС631Б .
КТС631В, КТС631Г
., 30 в
- 60 в
Г=85 °C КТС631А, КТС631Б . ' \ 24 В
КТС631В, КТС631Г . /50В'
Постоянное напряжение эмиттер — база . - 4 В
Постоянный ток коллектора: , •’
КТС631А, КТС631Г ..J-... 1 А,
КТС631Б, КТС631В . . i , J 0,3 А.
Импульсный ток коллектора (т«^10 мкс,
<23=50):
КТС631А, ктсбз1г 1,3 А
КТС631Б, КТС631В.................... 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность тран-
зисторной матрицы:
Т = —454-55 °C...................... 1 Вт
Т=85°С1’3........................... 0,5 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность тран-
зисторной матрицы (ти^10 мкс, Q^50
Г = — 45 ~ 4-55 °C)................ 4 Вт
Т = 85°С2’3 КТС631А, КТС631Г . . 1,5 Вт
КТС631Б, КТС631В . . 0,9 Вт
Температура перехода.................. 120 °C
Температура окружающей среды
. —45 °C-5-4-85 °C
3 При температуре окружающей
ность снижается линейио.
1 Постоянная рассеиваемая
мощность коллектора одной
транзисторной структуры при
у ___45 ___|-55°С
КТС631А, КТС631Г . 0,7 Вт
КТС631Б, КТС631В . 0,3 Вт
Т = 85’С
КТС631А, КТС631Г . 0,2 Вт
КТС631Б, КТС631В . 0,15 Вт
2 Импульсная рассеива-
емая мощность коллектора од-
ной транзисторной структуры
при Т=45-? 4-55 °C
КТС631А, КТС631Г . 2,1 Вт
КТС631Б, КТС631В . 0,9 Вт
Г == 85 °C
КТС631А, КТС631Г . 0,6 Вт
КТС631Б, КТС631В . 0,45 Вт
среды от 55 °C до 85 °C мош-
р-п-р
1TC609A—1TC609B, ГТС609А—ГТС609В
Транзисторные матри-
цы, состоящие из четырех
электрически изолирован-
ных германиевых сплавно-
диффузиониых р-п-р пере-
ключающих сверхвысоко-
частотных транзисторов.
Предназначены для при-
менения в переключающих
схемах.
Корпус металлостек-
ляниый с гибкими вывода-
ми. Масса матрицы не бо-
лее 4 г.
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное типовое 1 максимальное укэ(укв), в РЭ со ф V 1 if sP
Граничная частота коэффициента пере- дачи тока в схеме ОЭ*. МГц Граничное напряже- ние. В Напряженне насы- щен ия коллектор — эмиттер, В: 1ТС609А, ГТС609А 1ТС609Б, 1ТС609В, ГТС6О9Б, ГТС609В Напряжение насыще- ния база — эмиттер, В: 1ТС609А, ГТС609А 1ТС609Б. 1ТС609В, ГТС609Б, ГТС609В Статический коэффи- циент передачи тока в схеме ОЭ: 7=20 °C 1ТС609А 1TQQO9B 1ТС609В 1ТС609А 1ТС609Б 1ТС609В 1ТС609А - 1ТС609В ГТС609А ГТС609Б ГТС609В 7=-60 “С и +70 °C 1ТС609А—1ТС609В 7=-40 °C и +60 °C ГТС6О9А - ГТС6О9В Время включения, мкс: 1ТС609А, ГТС609А 1ТС609Б. 1ТС609В ГТС609Б, ГТС609В Время рассасывания, мкс: 1ТС6О9А, ГТС609А 1ТС609Б, ITC6O9B ГТС609Б, ГТС6О9В Емкость коллекторно- го перехода (f= =5 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (/=5 МГц), пФ 'гр иКЭО гр УКЭ нас ^БЭ и ас *21Э *вкл *рас Ск Св 60 30 0,24* 0,24* 0,34* 0,34* 33 53 40 33* 53* 80 15 30 50 80 0,5Л21Э при 7=20°С 0.021* 0.021* 0.122* 0,122* 17* 63* 40* 0,74* 0,74* 0,57* 0,57* 0.048* 0,048* 0,438» 0,438» 19,8» 111,6* 54* 1,6 1.6 1,1 1.1 100 160 120 100 160 240 2Л21Э при 7=20°С 0,1 0. 1 0,7 0,7 50 250 3 (3) (3) (3) (3) (3) (3) (5) (3) (3) (3) (3) (10) 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0.5 (70) (40) (7 0) (40) 0,5 0,5 0,5 0,25 0,25 0,25 0,7 0,5 0,5 0,5 0.5 (70) (40) (70) (40)
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное ^кэ (^кв). в g ‘зел £ «•ч S ta «•ч 6
Обратный ток кол- лектора. мкА: 7=20 °C ;КБО 30 40 30 600 500
ITC6O9A — ITC609B ГТС609А — ГТС609В Г=—60 °C 1ТС609А — ITC609B Г=60 °C ГТС609А — ГТС609В Т=70 °C 1ТС609А — ITC609B Обратный ток эмит- тера, мкА: Г—20 °C 1 ЭВО 5* 8,3* (30) (30) (30) (30) (30) 2.5 2.5 2.5 2,5 2,5
1ТС609А — ITC609B ГТС609А — ГТС609В ?=—60 °C 1ТС6О9А — ITC609B 7=60 °C ГТС609А - ГТС609В 7 = 70 °C 1ТС609А — ITC609B 1. 1* 2,9* 100 200 100 1 000 500
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (С/Эв =0,5—0,7 В)...................
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмиттер — база
Импульсное напряжение эмиттер — база
(тн<10 мкс, Qjs2)!...................
Импульсный ток коллектора (ти+10 мкс,
Q>2)2................................
Импульсный ток базы (тя^Ю мкс,
Q>2)2................................
Постоянная рассеиваемая мощность всех
структур матрицы (7'^43 °C)3
Импульсная рассеиваемая мощность одного
транзистора матрицы (ти^10 мкс)
Тепловое сопротивление переход — среда
Температура перехода ................
Температура окружающей среды:
1ТС609А—1ТС609В....................
ГТС609А — ГТС609В..................
50 В
50 В
2,5 В
3 В
0,7 А
0,1 А
500 мВт
5 Вт
0,084 “CMBt
85 °C
—60 4- +70 °C
—40 4- +60 °C
1 Сумма постоянного и импульсного напряжений эмиттер —
база ие должна превышать 3 В.
2 Значение тока для одного элемента матрицы при условии
Непревышения мощности, рассеиваемой матрицей.
3 Прн 7>43°С Ртах [мВт]= (85— Т) / /?т п, с.
2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А, КТС622Б
Транзисторные матрицы, состоящие из четырех электрически изо-
лированных кремниевых эпнтаксиальио-плаиарных р-п-р переключа-
ющих сверхвысокочастотных транзисторов, предназначены для при-
менения в быстродействующих импульсных и переключающих уст-
ройствах.
Корпус металлокерамический с гибкими выводами. Масса матри-
цы не более 0,4 г.
/♦ 13 12 77 10 3 8
Пайку выводов разрешается производить на расстоянии ие меиее
1 мм от корпуса.
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режнй измерения
минимальное типовое максимальное аз СП g ‘(едл)дмл мА Е СЪ •ч.
Модуль коэффициента передачи тока (f — = 100 МГц): 2ТС622А. 2ТС622Б, КТС622А КТС622Б Напряженно насыщения коллектор — эмиттер. В: 2ТС622А. 2ТС622Б, KTCG22A КТС622Б Напряжение насыщения база — эмиттер, В: 2ТС622А. 2ТС622Б, КТС622А КТС622Б Статический коэффици- ент передачи тока в схе- ме ОЭ: 1 7 = 25 °C 2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А КТС622Б 7 = —60 °C 2ТС622А. 2ТС622Б 7= 125 °C 2ТС622А, 2ТС622Б Постоянная времени це- пи обратной связи на вы- сокой частоте*, ис: 2ТС622А. 2ТС622Б Время включения*, нс: 2ТС622А. 2ТС622Б Время рассасывания, ис: 2ТС622А, КТС622А 2ТС622Б, КТС622Б Ем кость коллекторного 1Л21э 1 иКЭ иас U БЭ вас Л21Э 'к *вкл (рас Ск 2 1. 5 25 10 10 25 8 18 I 2* 65» 6 4,5* 0,7* 1.1* 70* 22 26 65» 140» 9 5,8* 1 ,3 2 2, 2 2,5 1 50 I 50 250 60 35 120 200 15 10 1 0 5 10 30 400 400 30 200 200 (80) 80 200 (20) (20)
перехода* (f — 2 МГц), пФ Емкость эмиттерного пе- С;, 20 27 60 (0)
рехода* (f = 2 МГц), пФ Обратный ток коллекто- ра. мкА: 7 =—60 +25 °C 2ТС622А. 2ТС622Б Г = —45-т- +25 °C КТС622А КТС622Б 7 = 85 °C КТС622А КТС622Б 7 = 125 ° С 2ТС622А. 2ТС622Б Обратиый*ток эмиттера. 1КБО ;ЭБО 0,1* 0,01* 0,01* 0,1* Ю 10 20 1 00 200 1 00 20 45 45 35 30 20 30 (4)
мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмнт-
тер (Яоэ<1 кОм)1: 45
Тп<70°С КТС622А В
КТС622Б 35 В
7„<100°С 2ТС622А, КТС622Б . . . 45 в
То = 120 °C КТС622А 30 в
КТС622Б 20 в
То =150 °C 2ТС622А, 2ТС622Б . . . Импульсное напряжение коллектор — эмит- тер (Ябэ<1 кОм, ти<10 мкс, Q>10): 2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А .... 22 в
60 в
КТС622Б Постоянное напряжение коллектор — база1: 50 в
To <70 °C КТС622А 45 в
КТС622Б 35 в
То ==£100 °C 2ТС622А, 2ТС622Б . . . 45 в
То = 120 °C КТС622А 30 в
КТС622Б 20 в
То =150 °C 2ТС622А, 2ТС622Б . . . Импульсное напряжение коллектор — эмнт- тер (т«< 10 мкс, Q> 10): 22 в
2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А .... 60 в
КТС622Б 50 в
Постоянное напряжение эмиттер — база Импульсное напряжение эмиттер — база 4 в
(т„<10 мкс, Q^=10) 6 в
Постоянный ток коллектора2 Импульсный ток коллектора2 (ти<10 мкс, 0,4 А
Q>10) Постоянная рассеиваемая суммарная мощ- ность коллекторов рабочих элементов мат- рицы3: 0,6 А
7 <25 °C КТС622А, КТС622Б . . . 0,4 Вт
7 <60 °C 2ТС622А, 2ТС622Б , . . Импульсная рассеиваемая суммарная мощ- ность рабочих элементов матрицы (тн< 0,4 Вт
<10 мкс, Q> 10, 7=25 °C) . . 10 Вт
Тепловое сопротивление переход — среда . Температура перехода: 218°С/Вт
КТС622А, КТС622Б 120 °C
2ТС622А, 2ТС622Б Температура окружающей среды: 150 °C
КТС622А, КТС622Б —45 4- +85 °C
2ТС622А, 2ТС622Б —60 4- + 125 °C
1 При Гп >70 °C для КТС622А, КТС622Б иТ„>100°С для
2ТС622А, 2ТС622Б напряжение снижается линейно.
2 Значение тока для одного элемента матрицы при условии не-
превышения мощности, рассеиваемой матрицей.
3 При 7’>25°С для КТС622А, КТС622Б н Г >60 °C для
2ТС622А, 2ТС622Б
Рк max [Вт] =0,24+(85— Л/Ят а. с ДЛЯ КТС522А, КТС622Б.
Рк max [Вт] =0,1 + (125 — Т)/Ктп. с ДЛЯ КТС622А, 2ТС622Б.
Раздел седьмой
ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ
2П901А, 2П901Б, КП901А, КП901Б
Транзисторы кремниевые
планарные полевые с изолиро-
ванным затвором и индуциро-
ванным каналом л-типа Пред-
назначены для применения в
усилительных и генераторных
каскадах в диапазоне частот
коротких и ультракоротких
длин волн.
Корпус металлокерамиче-
ский с жесткими выводами.
Масса транзистора не более
б г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
1 минимальное 1 типовое максимальное 1 Уси. в Cfl S со £ О
Выходная мощность в не* рвых 50 0
прерывном режиме* (/=
= 100 МГц), Вт:
2П901А, КП901А 10
2П901Б, КП901Б 6,7 8,9 9.9
Коэффициент усиления по ^Ур 50 0
мощности* (Р1ых«Ю Вт).
д® • 2П901А. КП901А (f = 7 10 12,5
= 100 МГц)
2П901А, КП901А (f = 10 13 16
= 60 МГц)
Коэффициент полезного дей- в 50 0
ствия* (Раы1=10 Вт и /=
=60 МГц), %:
2П901А. КП901А 35 40 44
Ток стока, А: 'с 20 20
2П901А, КП901А 1.6 2,3* 3,7*
2П901Б. КП901Б 0, 8* 1 .4* 1,8*
Крутизна характеристики. S 20 0,5
мА/В:
T=2S °C
2П901А, КП901А 50 110* 160»
2П901Б, КП901Б 60 130* 170*
Т=— 60 °C
2П901А, КП901А 30
2П901Б, КП901Б 40
Т=100 ”С
КП901А 20
КП901Б 30
7=125 °C
2П901А 20
2П901Б 30
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
1 минимальное типовое ' максимальное CQ X О а сП X со О
Начальный ток стока, мА: иач 20 0
Г = 25 °C 2П9О1А, 2П901Б, КП901А, КП901Б 7-=—60 'С 15* 50* 200
2П901А, 2П901Б. КП901А, КП901Б 500
Г=100’С КП901А, ЦП901Б 400
Т= 125 'С 2П901А, 2П901Б 400
Остаточный ток стока, мА ост 3* 7* 50 20 — 20
Емкость затвор — исток при разомкнутом выводе стока С3ив 15* 50* 100 -30
()вз«=10 МГц), пФ Проходная емкость (/жам= •=10 МГц). пФ С12И 1.5* 4* 10 25 — 15
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток...............
Импульсное напряжение сток — исток
(ти^1 мс).............................
Напряжение затвор — сток..............
Импульсное напряжение затвор — сток
(ти^1 мс).............................
Напряжение затвор — исток ....
Постоянный ток стока..................
Постоянная рассеиваемая мощность
(Гк<25°С)!............................
Температура окружающей среды:
2П901А, 2П901Б......................
70 В
85 В
85 В
100 В
30 В
4 А
20 Вт
от —60 °C до
КП901А, КП901Б
Тк = 125 °C
от —60 °C до
Тк==100°С
’ При Тк>25°С Ртах [Вт] =20 [1—(Гк — 25)/125].
Прн работе с транзисторами необходимо принимать меры защиты
от статического электричества. Пайка выводов производится на рас-
стоянии не менее 1 мм от корпуса. В момент пайки все выводы тран-
зистора должны быть закорочены. Транзистор прижимается к тепло-
отводу тарированным ключом осевым усилием 24±5 кг. Чистота
контактной поверхности теплоотвода 1,6, неплоскостность 0,03 мм.
Запрещается изгиб выводов и вращение их вокруг оси.
При подаче на сток отрицательного напряжения ток стока ие
должен превышать 1 мА.
9106 UH ^IO6UU 'giaeuz lHlQ6UZ
V'
— —
O.'J. 09 Ob 0 Ob- 09-
b'O
90
9'0
O'l
Z'l
b'l
------------------------------ 9'1
(3.0Z-.l)SB,tu
0‘3I 90 S'O *1? 2'0
0
Ob
09
OZt
091
002
ObZ
b/vh'S
2П902А, 2П902Б, КП902А— КП902В
Транзисторы кремниевые
планарные с изолированным
затвором и каналом п-типа.
Предназначены для примене-
ния в приемоуснлительных и
передающих устройствах в
диапазоне частот до 400 МГц.
Корпус металлокерамиче-
ский с жесткими выводами.
Масса транзистора не более
6 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
минимальное | типовое максимальное Я ‘ИЭЛ а S СО Ь /с, мА
Коэффициент шума, дБ: 50 50
/=250 МГц
2П902А, КП902А 3,4» 5» 6
КП902В 8
/ = 100 МГц 2П902А 4.3» 4,6» 4,9»
Коэффициент усиления по кУр
мощности*, дБ:
/=250 МГц 6,6 13 15,4 50 50
/=400 МГц. Ри-03 Вт 1.7 2,9 4 50 0
Максимальная отдаваемая ^ВЫХ 0,8 1,2 1.8 50 0
мощность* (Ри—0.3 Вт, /=
=60 МГц), Вт
Крутизна характеристики. S
мА/В:
Г-25 °C 2П 902А, 2П902Б 10 1 & ’ 25* 20 50
КП902А—КП902В 10 19» 25» 50 50
Т- 45 °C КП902А—КП902В I 0 25* 30» 50 50
Г—— 60 °C 2П902А, 2П902Б 10 25* 30» 20 50
Г« = 85°С КП902А-КП902В 8 14» 22» 50 50
7= 125 °C 2П902А, 2П902Б 8 1 7* 22* 20 50
Активная составляющая ®22И 12 30 190 50 50
выходной прогсдлмости*,
мкСм
Начальный ток стока, мА: иач 50 0
Г=25°С 2П902А, 2П902Б 0,001* 0. 15* 10
КП902А—КП9О2В 0,001» 1,5* 10
Т 45 °C КП902А—КП902В 10
т 60 °C 2П9О2А, 2П901Б 10
Г-85 °C КП902А—КП902В I 5
Г—125 °C 2П902А, 2П902В 15
Остаточный ток стока, мА /С ост 0,001* 0, 03» 0,5 60 -10
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное : типовое | максимальное РЭ X о ь РЭ X ч S •У
Ток утечки затвора, нА '3 ут 0,02* 0, 05» 3 0 — 30
Входная емкость = 10 МГц), пФ: 2П902А, 2П902Б КП9О2А - КП902В (/= Спи 4* 7* 6,5* Ю* 11 i I 25 0
Выходная емкость = 10 МГц), пФ: 2П902А, 2П902Б КП902А — КП902В (/= С22И 3,9» 8» 5,5* 8,5* 11 и 25 0
Проходная емкость (/— = 10 МГц), пФ: 2П902А, 2П902Б, КП902А, КП902Б КП902В С12И 0,31» 0, 5» 0,6 0,8 25 0
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток — исток:
2П902А, 2П902Б............................... 50 В
Постоянное напряжение сток — исток
(1/3И = 0) 60 В
Импульсное напряжение сток — исток
(ти<1 мс, Q>100)................... 70 В
Напряжение затвор — исток .... 30 В
Постоянный ток стока (Тк^:25°С)1 . . 200 мА
Постоянная рассеиваемая мощность
(ГК^25°С)2........................ 3,5 Вт
Температура окружающей среды:
2П901А, 2П903Б........................от —60 °C до
Тк = 125 °C
КП902А — КП902В . . I •. . . . от—45°C до
I ТК = 85°С
1 При 25 °C <TKsS 125 °C для 2П902А, 2П902Б и 25°С<Тк<
^85 °C для КП902А—КП902В постоянный ток стока снижается
линейно до 130 мА.
2 При 25 °С<ТК^ 125 °C для 2П902А, 2П902Б постоянная рас-
сеиваемая мощность снижается линейно до 1 Вт, а для КП9О2А—
КП902В при 25 °С<ТК^85 °C— до 2,5 Вт.
При работе с транзистора-
ми необходимо принимать ме-
ры защиты от статического
электричества, мгновенных пе-
регрузок и самовозбуждения их
как высокочастотных элемен-
тов. Пайка выводов произво-
дится на расстоянии ие менее
1,5 мм от корпуса. При пайке
жало паяльника должно быть
заземлено. Транзистор прижи-
мается к теплоотводу тариро-
ванным ключом осевым усили-
ем _ 24±5 кг. Иистота контакт-
ной поверхности теплоотвода
1Д неплоскостность 0,03 мм.
Запрещается изгиб выводов и
вращение их вокруг осн. Мак-
симальное усилие на вывод
60 г.
24
20
16
12
8
4
10 f, МГц
0
1Ог
перпендикулярно его оси не более
fcft
2П903А—2П903В, КП903А—КП903В
Транзисторы полевые крем-
ниевые эпитаксиально-планар-
ные с затвором на основе р-п
перехода и каналом п-типа.
Предназначены для примене-
ния в приемопередающих и пе-
реключающих устройствах в
диапазоне частот до 30 МГц.
Корпус металлокерамиче-
ский с жесткими выводами.
Масса транзистора не более
6 г.
электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
минимальное 1 ! типовое максимальное CQ 'З S и £ m "и со 5^ со ум О/
Электродвижущая сила шу- ма (7=100 кГц), иВ//гц: 2П903А 2П903Б 2П9ОЗВ КП903А — КП903В £ш 0,5* 0,5* 0,7* I ,о* I . 0 2,5 4,6* 5,0 I 0 10
Выходная мощность* в схе- ме резонансного усилителя в рс>гиме класса А (/ = =30 МГц)» мВт р вых 90 4 5 и 600 (10) 0
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное i типовое максимальное л X о л “о со S со Ь S б
Коэффициент усиления по Кур 7.6 11 16 10 0
мощности* в схеме резонанс- ного усилителя в режиме класса А (/=30 МГц), дБ Сопротивление сток — исток в открытом состоянии, Ом: ЯСИ отк 0,2 0
Т=25 °C 2П903А, КП903А 3» 5» 9,8*
2П903Б, КП9ОЗБ 2* 5» 21 *
2П903В, КП903В 2* 5* 10
Т=—60 °C 2П903В, КП903В 10
Т=100°С КП903В 10
Т—125 °C 2П903В 18
Крутизна характеристики (f=l—10 кГц), мА/В: $ 10 0
2П903А, КП9ОЗА 85 125* 140*
2П903Б, КП903В 50 115» 130»
2П903В. КП903В Т=—60 °C 2П9ОЗА, КП9ОЗА 2П903Б, КП903Б 2П903В, КП903В Г=100°С 60 85 50 60 50 115» 140*
КП9ОЗА КП903Б КП903В 7= 125 °C 2П903А
30 40 50
2П9ОЗБ 30
2П903В Начальный ток стока, мА: иач 40 10 0
2П903А, КП903А 120» 450» 700
2П903Б. КП903Б 60» 250» 480*
2П903В, КП903В 90» 450» 600» — 15
Ток утечки затвора, мкА ^3 ут о,1 ю
Обратный ток перехода за- 7ЗС о 1 —20
твор — сток, мкА Остаточный ток стока. нА: 7 С ост 50 5 — 15
2П903В. КП903В Напряжение отсечки, В: иЗИ отс 5 0,01
2П903А, КП9ОЗА 5* 6» 12
2П903В, КП903Б 1* 2» 6,5
2П903В, КП903Б 1* 3* 10
Емкость затвор — сток (/= Сзсо 12» 13» 15 —20
==0л—Ю МГц), пФ Емкость затвор — исток (/= 14» 15» 18 -15
^зио
=0,1—10 МГц), пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток*................... 20 В
Напряжение затвор — сток................... 20 В
Напряжение затвор —исток .... 15 В
Постоянный ток стока...................... 0,7 А
Прямой ток затвора . . . .
Постоянная рассеиваемая мощность
(Т„<25°С)2.............................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура структуры (перехода):
2П903А — 2П903В...................
КП903А — КП903В......................
Температура окружающей среды:
2П903А — 2П903В........................
КП903А — КП903В
6 Вт
25 °С/Вт
155 °C ‘
150 "С
от —60 °C до
Тк=125 ’С
от —60 °C до
Гн =100 °C
1 При увеличении напряжения на затворе свыше
^СИ max = t/cn~(l ^ЗИ I-10)-
$ При Тх > 25 С Ртах [Вт] = (Тп — Тх) /Rт п, к.
10 в
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса 1 мм.
Жало паяльника заземляется обязательно. Запрещается изгиб выво-
дов и вращение их вокруг оси. При установке транзисторов иа теп-
лоотвод чистота контактной поверхности теплоотвода должна быть
не менее 1,6, иеплоскостность контактной поверхности ие более
0,03 мм.
При работе с транзисторами необходимо принимать меры защиты
от воздействия статического электричества.
2П904А, 2П904Б, КП904А, КП904Б
Транзисторы кремниевые плаиариые полевые с изолированным
затвором и индуцированным каналом n-типа. Предназначены для
применения в усилительных, преобразовательных н генераторных кас-
кадах приемопередающих устройств в диапазоне частот до 400 МГц.
Корпус металлокерамический с жесткими выводами. Масса тран-
зисторов 2П904А, 2П904Б не более 35 г, КП904А, КП904Б не более
45 г.
0'3 Ct
22 L2-5 - ,9
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначение Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное И X О ь Ю X со Ь /С- А
Выходная мощность* tf= =60 МГц), Вт: 2П904А, КП904А 2П904Б, КП904Б Коэффициент усиления по мощ- Рвых Кур 50 30 11 13 75 40 14 55 55 0
иостн* в режиме класса В (Рвых^бО Вт, f==60 МГц), дБ Коэффициент полезного дейст- В 49 51 53 55 0
ВИЯ» (/=60 МГц), % Крутизна характеристики, мА/В Г=25 ’С 2П904А, 2П904Б КП904А, КП904Б Т-—60 'С 2П904А, 2П904Б, КП904А, КП9О4Б Т=100’С КП904А, КП904Б Г=125°С 2П904А, 2П904Б Начальный ток стока, мА: Г=25 »С 2П904А. 2П904Б КП904А, КП904Б Г=—60 "С 2П904А. 2П904Б, КП904А, КП904Б Т=100°С КП904А, КП904Б Г=125°С 2П904А, 2П904Б Остаточный ток стока, мА S 'С иач 'С ост 250 250 150 too 100 1» 6* 440* 390* 50* 70* 10* 520* 510* 350 350 500 500 500 200 20 20 100 0 - 20 1
Емкость затвор — исток при свко — 200* 300 30
разомкнутом выводе стока (/кам = 1 МГц). пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток ....
Импульсное напряжение сток — исток
(ти<1 мс, Q3s2)......................
Напряжение затвор — сток.............
Импульсное напряжение затвор — сток
(ти<1 мс, Q>2).......................
70 В
100 В
90 В
120 В
Напряжение затвор — исток . . . .
Постоянная рассеиваемая мощность
(T„s=25°C)'............................
Температура окружающей среды:
2П904А, 2П904Б......................
КП9О4А, КП9О4Б
30 В
75 Вт
от —60 °C до
Тк=125 °C
от —60 °C до
Тк=100°С
1 При ГК>25°С Ртах [Вт]=75 [1—(Тк —25)/125].
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса 1,5 мм.
В момент пайки все выводы должны быть закорочены. Жало паяль-
ника заземляется обязательно. Запрещается формовка выводов и вра-
щение их вокруг оси. При установке на теплоотвод иеплоскостность
должна быть не более 0,03 мм.
При работе с транзисторами необходимо лрииимать меры защиты
от воздействия статического электричества и учитывать возможность
их самовозбуждения как высокочастотных элементов.
го 30 4Z7 50 1Гси,в
2П905А, 2П905Б, КП905А—КП905В
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным за-
твором и каналом л-типа. Предназначены для усилеиня и генериро-
вания сигналов в диапазоне частот до 1500 МГц.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Масса
транзистора не более 3,0 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначение Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное .. о X и £ (Д X ГО Ь S о
Выходная мощность* (/= PpLir
= 1000 МГц), Вт:
2П905А, КП905А 1.0 — I а 4 50 0
Коэффициент усиления по мощ« ности (/=1000 МГц), дБ: кУр 50 30
2П905А, КП905А 8 15*
2П905Б, КП905Б 6 — 10*
КП905В 4 8*
Коэффициент шума (f= ка 50 30
= 1000 МГц). дБ
2П905А
2П905Б, КП905Б 6.5
Крутизна характеристики, мА/В: S 20 50
Г=25*С 2П905А. 2П905В, КП905А - 18 29* 39»
КП905В Г=—40 *С КП905А - КП9О5В 18
Т=-60*С 2П905А. 2П905Б 1 8
Г = 85 °C КП905А — КП905В 12
Г= 125 ”С 2П905А. 2П905Б I 2
Ток стока, мА: >с 350» 20 20
2П905А, КП905А 225
2П9О5Б. КП9О5Б 150 350*
КП905В 120 — 350»
Остаточный ток стока, мА ост 0,06* 0. 1» I 60 -10
Начальный ток стока, мА: 20 0
Г = 25*С 2П905А. 2П 905Б. КП905А- КП905В Т= — 40 и +85 "С 0.5* 4* 20
КП9О5А — КП905В 20
Г=—60 *С 2П9О5А, 2П9О5Б 20
Г= 125 *С 2П905А, 2П9О5Б 30
Емкость входная (/а.м= С11И 25 0
= 10 МГц). пФ:
2П905А, КП905А 3* 5* 7
2П905Б. КП905Б 7* — 11
КП905В И* — 13
Емкость выходная (/ивм= = 10 МГц), пФ: С22И 25 - 5
2П 905А. 2П905Б. КП9О5А. КП905Б 1 ,4* 3.4* 2* 4
КП905В 4е 6
Емкость проходная (/жам= = 10 МГц). пФ: С1ги 25 0
2П905А. 2П905Б, КП905А. КП905Б 0,14» 0.25» 0,6
КП905В 0. 16» 0.28» 0.8
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток — исток .
Постоянное напряжение затвор — сток
Напряжение затвор — исток . . . .
Постоянная рассеиваемая мощность
(TKs£25°C)!...........................
Температура окружающей среды:
2П905А, 2П905Б......................
КП905А — КП905В.....................
60 В
70 В
±30 В
4 Вт
от —60 °C до
Тк=125 °C
от —40 °C до
ТК = 85°С
1 При Тк<25°С Ртах [Вт] = 4(1.05—(Гц—25) 125] для 2П905А,
2П905Б и Рп1ах [Вт] =4 [1,05—(Гк—25)/85] для КП905А—КП905В.
гпэо5А, кпэазя
Режим измерения 'иСИ‘508 Рв^О.бвт 1
— к Р ел U3Met ‘201 ним осни Vjh- 20 В -
Рвш.Вт
1,6
1,4
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
150 200 250 300 350 1с.иЛ
В момент пайки все выводы должны быть закорочены. Жало па-
яльника заземляется обязательно.
Запрещается формовка выводов н вращение их вокруг оси. При
установке транзисторов иа теплоотвод чистота контактной поверхно-
сти теплоотвода должна быть не менее 2.5, пеплоскостность контакт-
ной поверхности не более 0,03 мм.
При работе с транзисторами необходимо принимать меры защиты
от воздействия статического электричества и учитывать возможность
нх самовозбуждения как высокочастотных элементов.
ифавитно-цифровон указатель транзисторов,
мещенных в справочнике
II транзистора Стр. Тип транзистора Стр.
1Т806 179 2Т839 119
1Т813 184 2Т841 124
1Т901 360 2Т842 219
1Т905 362 2Т903 242
1Т906 367 2Т904 412
1Т910 370 2Т907 416
1ТС609 533 2Т908 245
2П901 542 2Т909 420
2П902 545 2Т911 424
2П903 548 2Т912 249
2П904 551 2Т913 428
2П905 554 2Т914 517
2Т504 39 2Т916 433
2Т505 159 2Т919 439
2Т506 45 2Т920 252
2Т602 223 2Т921 258
2Т606 377 2Т922 262
2Т607 381 2Т925 445
2Т610 384 2Т926 269
2Т624 387 2Т928 275
2Т625 229 2Т929 278
2Т629 349 2Т930 450
2Т633 391 2Т931 282
2Т634 395 2Т932 372
2Т635 398 2Т933 374
2Т637 401 2Т934 455
2Т643 405 2Т935 286
2Т652 409 2Т937 462
2Т653 236 2Т938 467
2Т704 49 2Т939 470
2Т708 171 2Т942 473
2Т709 175 2Т944 296
2Т803 59 2Т945 299
2Т808 67 2Т946 477
2Т809 70 2Т947 304
2Т812 73 2Т948 482
2Т818 195 2Т950 307
2Т819 82 2Т951 311
2Т825 205 2Т955 315
2Т826 91 2Т956 318
2Т827 95 2Т957 322
2Т828 98 2Т958 325
2Т830 209 2Т960 487
2T83I 105 2Т962 491
2Т832 109 2Т963 496
2Т834 112 2Т964 331
2Т836 212 2Т967 334
Тип транзистора Стр. Тип транзистора Стр.
2Т968 338 КТ814 189
2Т970 500 КТ815 77
2Т971 343 КТ816 192
2Т974 520 КТ817 79
2Т975 511 КТ818 195
2Т976 508 КТ819 82
2Т977 511 КТ820 200
2Т979 514 КТ821 87
2Т980 346 КТ822 203
2ТС613 524 КТ823 89
2ТС622 537 КТ825 205
ГТ 701 166 КТ 82 6 91
ГТ703 168 КТ827 95
ГТ705 53 КТ828 98
ГТ 806 179 КТ829 102
ГТ810 182 КТ834 112
ГТ905 362 КТ837 217
ГТ906 367 КТ838 116
ГТС609 533 КТ840 122
КП901 542 КТ902 239
КП902 545 КТ903 242
КП903 548 КТ904 412
КП904 551 КТ907 416
КП905 554 КТ908 245
КТ602 223 КТ909 420
КТ606 377 КТ911 424
КТ607 381 КТ912 249
КТ610 384 КТ913 428
КТ611 227 КТ914 517
КТ624 387 КТ916 433
КТ625 229 КТ918 436
КТ626 163 КТ919 439
КТ629 349 КТ920 252
КТ633 391 КТ921 258
КТ634 395 КТ922 262
КТ635 398 КТ925 445
КТ637 409 КТ926 269
КТ639 353 КТ927 272
КТ643 405 КТ928 275
КТ644 357 КТ929 278
КТ646 234 КТ930 450
КТ704 49 КТ931 282
КТ801 55 КТ932 372
КТ802 57 КТ933 374
КТ 803 59 КТ934 455
КТ805 63 КТ935 286
КТ807 65 КТ936 289
КТ808 67 КТ937 462
КТ809 70 КТ938 467
КТ812 73 КТ939 470
Гип траиэнетора Стр Тип транзистора Стр
КТ940 291 П214 146
КТ942 473 П215 146
КТ943 293 П216 149
КТ944 296 П217 149
К ТОТ,5 299 П302 153
КТ946 477 ПЗОЗ 153
КТ947 304 П304 153
КТ948 482 П306 153
КТ955 315 П601 156
КТ956 318 П602 156
КТ957 322 П605 349
КТ958 325 П606 349
КТ960 487 П607 353
КТ961 329 П608 353
КТ962 491 П609 353
КТ967 334 П701 34
КТ969 341 П702 36
КТ970 500 ТК135—16 128
KT97I 343 TKI35—25 128
КТ976 508 ТК142—40 128
КТС613 524 ТК142-50 128
КТС622 537 ТК142—63 128
КТС631 530 ТК152-80 128
П201 141 TKI52-100 128
П202 141 ТК235—32 128
П203 141 ТК235-40 128
П210 144 ТК235—50 128
П213 146 ТК235—63 128
БОРИС АЛЕКСАНДРОВИЧ БОРОДИН
ВИКТОР МИХАИЛОВИЧ ЛОМАКИН
ВЯЧЕСЛАВ ВЛАДИМИРОВИЧ МОКРЯКОВ
ВЛАДИМИР МАТВЕЕВИЧ ПЕТУХОВ
АРКАДИИ КВИНТИПИАНОВИЧ ХРУЛЕВ
МОЩНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ТРАНЗИСТОРЫ
Редакторы И В Ефимова Т В Жукова
Художественный редактор Р А Клочков
Переплат художника В В Третьякова
Технический редактор Г 3 Кузнецова Корректор Л А Буланцева
ИБ № 301
Сдано в набор 14 03 84 Подписано в печать 26 10 84 Т 21134
Формат 84Х108'Л2 Бумага кн журнальная офсетная Гарнитура литературная.
Печать высокая Усл печ л 29 4 Усл кр отт 29 4 Уч «мд л 33 0.
Доп тираж 70 000 эк» Изд К* 20128 Зак № 225 Цена 2 р
Издательство «Радио и связь» 101000 Москва Почтамт а/я 693
Московская типография № 4 Союзполиграфпрома при Государственной коми*
тете СССР по делам издательств полиграфии и книжной торговли
129041 Москва Б Переяславская 46