FJNOM^ECH 41
vallalat у
SCKSZOROSntr^Se
Кк / UZEM '
[JI 1 - -	• I - I —
i
г
URTAI-МЙ Ci
UPOT
Bp. 19-£X- h6—^L-.r!b
HitelesiWVe;
м
Прибор В-4
1/29
ЩПЖ1ИТШ ВОЖЕИТЕЛЯ
Техническое описание и инструкция
по эксплуатации
2-ML11-7O41OO-O1
/ЯРЗ.215.036 ТО/
Составлено: На основании оригинальной лицензионной
документации ЯРЗ.215.036 ТО, альбом
й L4059-225/2.
i, !•' *<’Г 7(1 4.153 40 ('00
Техническое описание 2-мы1-704Ю0-0
Прибор В-4
21
Перечень
электро-радиоэлементов не советского производства
применяемых в изделии ВО-71 и их
советские аналоги
Применяемый элемент
ЭРЭ производства СССР (аналоги)
Интегральные микросхемы
MAA50I Тесла (ЧССР)	Диоды	К153УТ1
1N4143 Тунгсрам BIX42/100T Тунгсрам		2Д 5I0A 2Д 202В
P5I0 Ремикс	Резисторы	ОМЛТ
ТК 783 Тесла	&ндйнс,аша	КМ-5а-Н90
Проволочные резисторы
KRS-OJ Ремикс
ПЭВ
Лампочки
Тип»2702 6В; 0,6Вт
МН-6,3-0,3
В советской документации, имеющейся на заводе ФМВ не най-
дены соответствующие аналоги на нижеследующие ЭРЭ (резис-
торы, конденсаторы, диоды, транзисторы), поэтому даются
их основные параметры»
Ц213 Ремикс
Ц313 Ремикс
Металлизированный полуэфи-
ровый конденсатор
Миниатюрный металло-бумаж-
ный конденсатор/К40У-$М00В/
2-ML11-704100-0 .
.IxVzbkKnyvkern	»	3»»-Ш-001 — Rival, Eger 7» >111 MOM
		Прибор В-4				22
	Диоды Ценера					
	Тип	Характерные данные 25°С					
	Измер.ток	Пределы	Динами-	Темпера-	Максималь- (мА)	напряжения	ческое	турныи	ный ток (В)	сопро-	коэ^и-	при 45иС ТИ:(Ом)И0	(МА) м	°C					
	ZPD 3,3	5	3,1-3,5	ВО	-8...-3	109 ZPD 4,7	з	4,4—5,4	70	-5...42	76 ZPD 5,6	5	5,2-6,0	10	-2...+6	59 ZPD 6,8	5	6,4-7,2	4,5	+2...+7	49 ZPD 7,5	5	7,0-7,9	4	+3...+7	44 ZPD 8,2	5	7,7-8,7	4,5	44...47	40 ZPD 9,1	5	8,5-9,6	4,8	45...48	36 ZPD 10	5	9,4-10,6	5,2	+5...+8	33 ZPD 11	5	10,4-11,6	6	45...+9	30 ZPD 12	5	11,4-12,7	7	+6...+9	28 ZPD 18	5	16,8-19,1	18	48...+9,5	18 ZX 33	25	31-35	в	46...411	зз					
	Примечание: Взамен диодов типа ZPD могут быть подобраны соответствующие диоды из числа советских диодов 0,5 Вт (напр. из типов Д814). Допускаемое рассеяние диодов типа zx состав- ляет 1,3 Вт без радиатора и 10,5 Вт на алю- миниевом радиаторе при окружающей температуре 45°С, размер радиатора 125x125x2 мм.					
		<—		Техническое описание	2-ML11-704100-0}	
J-nvdkiinyvkei.-'	I MV-i'H — FMV-kod Лв-BOS-OM — Rival, Eger 78 S920 20 008
	Прибор В-4	23
Диоды	
1N4151	BY 154 u	Si	Si Напряжение в обратном направ- лении (В)	50	600 Допускаемый постоянный ток в прямом направлении (мА)	200	100 Напряжение в прямом направле-	I	1,3 нии (В) если ток (мА)	50	2000 Ток в обратном направлении (мА)	50	5000 если напряжение в обр.направл.(В)	50	600 Емкость диода (пФ)	<2 если напряжение (В)	0	
Емкостный диод BBI05A, емкость которого составляет 2,3... 2,8 пФ при напряжении 25 В. Охват емкости 4... 5, если напряжение изменяется в пределах между 3 и 25 В. Сериесное сопротивление потерь 0,8 Ом при измерении на частоте 470 МГц при емкости 9 пФ.	
	Техническое описание 2-mlii-7O41oo-oj
(VZol-.onyvkeid (>л f MV-3-2-13S — FMV-kM М«-Ш-001 — Rival, Eger 7B 3920 20 009
Техническое описание 2-MLll-7O41oo-oi
Транзисторы							
Тип	АС125	АС123	ASZ1015	BC1O7B	BF1S4	2N2219A	2N29O5A
	PNPGe	PNPGe	PNP Gs	KPN Si	NPN Si	NPN Si	PNP Si
Допускаемое рассеяние рполн.	0,5	I		0,3	0,1	0,8	0,6
Допускаемый ток коллекто- ра IKIAED	0,2	I	6	0,2	0,03	0,8	0,6
Допускаемое напряжение на коллекторе-базе Uj^q (В)	32	32	80	50	30	75	60
Допускаемое напряжение на кол- лекторе-эмиттере UR30 (В)	32	16	60	45	20	40	60
Допускаемое напряжение на эмит- тере-базе U	(В)	10	10	40	6	5	6	5
Коэффициент усиления	125	50-250	20-55		200-450	115	75	200
Переходная частота (МГц)	1,7	I	0,2	150	300	300	200
Термосопротивление между запи- рающем слоем и корпусом (°С/Вт)			2	•			
Прибор В-4