Автор: Перебаскин А.В. Бахметьев А.А. Кирюхин И.С. Халикеев В.М.
Теги: электротехника полупроводниковые устройства электроника маркировка
ISBN: 5-94120-093-5
Год: 2004
Текст
9-е издание,
стереотипное
ОДЭКА
Москва
Издательский дом «Додэка-ХХ1»
2004
УДК 621.382-777(035.5)
ББК 32.852я2
М25
М25 Маркировка электронных компонентов. — 9-е изд., стер.
— М.. Издательский дом «Додэка-XXI», 2004. — 208 с : ил.
ISBN 5-94120-093-5
В книге приводится цветовая и кодовая маркировка пассивных компонентов ре-
зисторов, конденсаторов, катушек индуктивности, а также активных элементов в
SMD-корпусах DO и SOT Поскольку приборы в корпусе ТО-92 являются наиболее за-
гадочными с позиции маркировки, то во втором исправленном и дополненном изда-
нии справочника раздел отечественных транзисторов в корпусе ТО-92 стал одним из
основных разделов книги и содержит более 1000 типов маркировки
Для специалистов в области электроники, работников ремонтных и сервисных
служб, широкого круга радиолюбителей и радиоинженеров
УДК 621.382-777(035 5)
ББК 32.852я2
Материалы подготовили А В Перебаскин, А А Бахметьев,
И С Кирюхин, В М Халикеев
Дизайн обложки А А Бахметьев, О В Будко, О А Жукова
Иллюстрации А Ю Анненков, И Л Люско
Верстка О А Жукова
Корректор/О А Баева
Издательский дом «Додэка-XXI»
ИД № 02041 от 13 06 2000 г.
ОКП 95 3000
105318 Москва, а/я 70
Тел/факс (095) 366-24-29, 366-81-45
E-mail books@dodeca ru, red@dodeca ru
Подписано в печать 13 04.2004 г
Формат 70 х 100/32 Бумага мелованная, офсетная Гарнитура «PragmaticaC».
Изд №61 Печать офсетная Объем 6,5 п л. Тираж 4000 экз Заказ №1375
Отпечатано с готовых диапозитивов в ОАО «Типография Новости»
105005 Москва, ул ф Энгельса, 46
ISBN 5-94120-093-5
© Издательский дом «Додэка-XXI», 2002
ЭТО НЕОБХОДИМО ЗНАТЬ
Для того чтобы правильно воспринимать и использовать материал, представленный в
этой книге, необходимо ознакомиться со следующей информацией
Очень важны размеры корпусов, поскольку внешне многие корпуса похожи друг на дру-
га, а для идентификации прибора необходимо знать не только маркировку, но и тип корпу-
са Но и это может не спасти Так, корпус типа SOD-80 у фирмы «Philips» имеет диаметр
1 6 мм (ном ), а корпус с таким же названием у ряда других фирм имеет диаметр 1 4 мм,
что даже меньше диаметра другого, более компактного, корпуса фирмы «Philips» SOD-80C
Корпус типа SOD-15 фирмы «SGS-Thomson» очень похож на корпуса 7043 и SMC, но не
совпадает с ними по установочным размерам
SOD-80
7343
SOD-15
Возможны ситуации, когда фирмы-производители в один и тот же корпус под одной и
той же маркировкой помещают разные приборы Например, фирма «Philips» помещает в
корпус типа SOT-323 л-р-л-транзистор типа BC818W и маркирует его кодом 6Н, а фирма
«Motorola» в такой же корпус с маркировкой 6Н помещает р-л-р-транзистор типа
MUN5131T1 Такая же ситуация встречается и внутри одной фирмы Например, у фирмы
«Siemens» в корпусе типа SOT-23 под маркировкой 1А выпускаются транзисторы ВС846А
и SMBT3904, обладающие разными параметрами Различить такие приборы, установлен-
ные на плате, можно только по окружающим их компонентам и, соответственно, схеме
включения
MVN5131T1
MOTOROLA
ВС846А SMBT3904
SIEMENS SIEMENS
SOT-23
BC818W
PHILIPS
SOT-323
Путаница существует не только с маркировкой, но и цоколевкой корпусов Например
корпус типа SOT-89 у фирм «Rohm», «Siemens», «Toshiba» имеет цоколевку 1-2-3 (вид
сверху), а у «Philips» этот же корпус имеет цоколевку 2-3-1 или 3-2-1 В данной книге
номера выводов и их функциональное значение у разных фирм приведены к единому
знаменателю
3
Введение
Не лучше ситуация и с пассивными компонентами для поверхностного монтажа Если
на корпусе стоит маркировка 103, то это может быть резистор номиналом 10 кОм кон-
денсатор емкостью 10 нФ или индуктивность 10 мГн Если на корпусе стоит маркировка
2R2, то это может быть и резистор номиналом 2 2 Ом, и конденсатор емкостью 2 2 пФ
Код 107 может означать 0 1 Ом («Philips») или 100 мкФ («Panasonic»).
В корпусах типа 0603, 0805 и тп. без маркировки могут находиться конденсатор, ин-
дуктивность или резистор-перемычка (Zero-Ohm, jumper)
Цветная полоса или выемка-ключ на корпусах типа SOD-123, DO-215 может указывать
на катод диода или вывод «плюс» у электролитического конденсатора.
Ф КОНДЕНСАТОРА
SOD-123
КАТОД ДИОДА ИЛИ СТАБИЛИТРОНА
По внешнему виду очень трудно отличить друг от друга R, С и L, если они находятся
в цилиндрических корпусах с выводами и маркируются цветными кольцами. Но и после
идентификации могут возникнуть сложности с определением параметров компонента
Например, на практике для цветовой маркировки постоянных конденсаторов использу-
ются несколько методик (см главу «Конденсаторы. Цветовая маркировка»).
R
В совершенно одинаковых корпусах с одинаковым цветовым кодом может выпускать-
ся целая серия приборов с разными параметрами Например, фирма «Motorola» выпуска-
ет в корпусе типа SOD-80 маркируемом одним цветным кольцом, целую серию
стабилитронов (51 прибор) с напряжением стабилизации от 1.8 до 100 В и током от 0 1 до
1 7 А В таком же корпусе фирма «Philips» выпускает серию диодов
Необходимо правильно определять сам цвет маркировки На практике могут встре-
чаться сложности с различием следующих оттенков
серый — св. голубой — серебристый, голубой — бирюзовый — электрик,
желтый — золотистый, оранжевый — св коричневый — табачный — бежевый
Черное кольцо посередине корпуса могут иметь не только резисторы-перемычки
(Zero-Ohm, jumper), но и другие приборы, особенно с учетом технологического разброса
при нанесении маркировки
Многие фирмы, помимо принципов маркировки, указанных в публикациях Междуна-
родной Электротехнической Комиссии (IEC), используют свою внутрифирменную цвето-
вую и кодовую маркировки Например, встречается маркировка SMD-резисторов, когда
вместо цифры 8 ставится двоеточие В таких случаях маркировка 1:23 означает 182 кОм
a 0R6 — 80 6 Ом
SOT (SOD) — Small Outline Transistor (Diode) — в дословном переводе означает «тран-
зистор (диод) с маленькими выводами» На современном этапе в корпуса типа SOT поме-
щают не только транзисторы и диоды, но и транзисторы с резисторами, стабилитроны,
стабилизаторы напряжения на базе операционного усилителя и многое другое, а коли-
чество выводов может быть более трех. Органы стандартизации не успевают за новыми
разработками фирм, и те вынуждены вводить свои новые обозначения. Более подробную
информацию см в главе «Корпуса»
4
Корпуса
КОРПУСА КОМПОНЕНТОВ
ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
Несмотря на большое количество стандартов, регламентирующих требования к корпусам
электронных компонентов для поверхностного монтажа (SMD), многие фирмы выпускают
элементы в корпусах не соответствующих международным стандартам Встречаются также
ситуации, когда корпус, имеющий стандартные размеры, имеет нестандартное название
Часто название корпуса состоит из четырех цифр, которые отображают его длину
и ширину Но в одних стандартах эти параметры задаются в дюймах, а в других — в мил-
лиметрах Например, название корпуса 0805 получается следующим образом
0805 = длина х ширина = 0 08 х 0 05 дюйма, а корпус 5845 имеет габариты 5 8 х 4 5 мм
Корпуса с одним и тем же названием могут иметь разную высоту, различные контактные
площадки и быть выполнены из различных материалов, но рассчитаны для монтажа на
стандартное установочное место Далее приведены размеры наиболее популярных ти-
пов корпусов (список сокращений и условных обозначений используемых в таблицах,
см в приложении)
В зависимости от технологий, которыми обладает фирма, варьируются и нормируемые
разбросы относительно базовых габаритов Наиболее распространенные допуски
±0 05 мм — для корпуса длиной до 1 мм, например 0402, ±0 1 мм — до 2 мм, например
SOD-323 ±0 2 мм — до 5 мм, ±0 5 мм — свыше 5 мм Небольшие расхождения в размерах у
разных фирм обусловлены различной степенью точности перевода дюймов в мм а также
указанием только минимального максимального или номинального размера.
Корпуса с одним и тем же названием могут иметь разную высоту Это обусловлено: для
конденсаторов — величиной емкости и рабочим напряжением, для резисторов — рассеива-
емой мощностью и т.д
Резисторы
Конденсаторы
Индуктивности
Термисторы
Варисторы
Тип корпуса L [мм] W [мм] Н [мм] к [мм] Источник
0402 (1005) 10 05
0603(1608) 16 08 045 0 95 03
0805 (2012) 20 20 04 16 05 ГОСТ Р1-12-0.062
1206(3216) 32 1 6 0.4.175 05 ГОСТ Р1-12-0 125. Р1-16
1210(3225) 3.2 25 0 55 1 9 05
1218(3245) 3.2 45 0 55 1.9 0 5
1806 (4516) 45 16 16 05
1808(4520) 45 20 20 05
1812(4532) 45 32 0.6 2 3 05
2010(5025) 50 25 0 55 05
2220(5750) 5.7 5.0 1.7 0.5
2225 (5763) 57 63 20 05
2512(6432) 64 32 20 05
2824(7161) 71 61 39 05
3225 (8063) 80 6 3 32 05
4030 г 39 ।
4032 10.2 32 0.5
5040 127 10.2 48 J
6054 J 48
5
Введение
Диоды
Стабилитроны
Конденсаторы
Индуктивности
Термисторы
Варисторы
Те корпуса L [мм] W [мм] Н [мм] [мм] испгмик
2012(0866) 12 1.2 EIAJ
3216(1206) 32 1.6 16 1.2 EIAJ
3216L 32 16 1 2 12 EIAJ
3528 35 28 1 9 22 EIAJ
3528L 35 28 12 22 EIAJ
5832 58 32 15 22 —
5845 58 45 31 22 EIAJ
6032 60 32 25 22 EIAJ
7343 7.3 4.3 28 24 EIAJ
7343Н 73 43 43 24 EIAJ
DO-214AA 5.4 36 23 2 05 JEDEC
DO-214AB 7 95 59 2.3 3 0 JEDEC
DO-214AC 52 26 24 1 4 JEDEC
DO-214ВА 5 25 26 2 95 1 3 JEDEC
SMA 5 2 26 2.3 145 MOTOROLA
SMB 54 36 2.3 MOTOROLA
SMC 7 95 59 23 MOTOROLA
SOD-6 5.5 38 25 2.2 ST
SOD-15 78 L_
Диоды
Стабилитроны
Конденсаторы
Тип корпуса L [«m) LI [mm] W [mm] H [MM] В [мм] Источник
DO-215AA 4.3 62 205 JEDEC
DO-215AB 685 99 59 23 3.0 JEDEC
DO-215AC 43 6.1 26 24 14 JEDEC
DO-215B A 4 45 62 26 295 1.3 JEDEC
ESC 1 2 16 08 06 0.3 TOSHIBA
SOD-123 1 55 06 PHILIPS
SOD-323 10 PHILIPS
SSC 13 08 08 TOSHIBA
6
Корпуса
Диоды
Стабилитроны
Конденсаторы
Резисторы
Тип корпуса L [мм] D [mm] F [mm] s [mm] I
DO-213AA(SOD-80) 3 5 1 65 0 48 003 JEDEC
DO-213AB(MELF) 50 2 52 0 48 003 JEDEC
DO-21ЗАС 345 14 0 42 — JEDEC
ERD03LL 16 10 02 005 PANASONIC
ERO21L 2 0 1 25 03 007 PANASONIC
ERSM 59 22 06 015 PANASONIC. ГОСТ P1-11
MELF 50 CENTS
SOD-80 (miniMELF) 35 16 03 0 075 PHILIPS
SOD-80C 36 1 52 0 3 0075
SOD-87 35 205 0 075 PHILIPS
ТАБЛИЦЫ СООТВЕТСТВИЙ НАИБОЛЕЕ ПОПУЛЯРНЫХ SMD-КОРПУСОВ
JEDEC E1AJ PHILIPS SIEMENS CENTS MAXIM ROHM SANYO HITACHI MOTOROLA TOSHIBA KEC
TO-236 SC-59 SOT-346 SMD/T3 MPAK2 SC-59 S-MINI
TO-236AB SOT/SOD-23 SSD/T3 CP SOT-23
TO-243AA SC-62 SOT-89A MPT3 UPAK PW-MINI
TO-243AB SOT-89B
TO-252-3 SC-63 CPT3
10-253 SOT-143 SMD/T4 SOT-143
TO-253 SOT-143R
SOD-123 SOD-123
SOD-323 UMD2 use
SOT-343
SOT-343R CMPAK4
SOT-87
SC-70 SOT-323 UMD/T3 MCP CMPAK SOT-323 USM
SC-74 SMD/T6 SM6
SC74A SMD/T5 SMV
SC75A SOT 416 EMD/T3 SSM
SC-79 SOD-523 EMD2
SC-82 UMD/T4
SC 88 SOT-363 UMD/T6 US6
SC-88A SOT-353 UMD/T5 usv
7
Введение
5
Тип корпуса PHILIPS MURATA AVX VISHAY S+M TOK MALLORY SYFER KEMET VFTRAMON BOURNS SINCERA YAGEO SGS- THOMSON PANASONIC CTC ROHM SAMSUNG
0402 0402 10 06 05
0603 0603 AN21 11 18 10
0805 AN12 12 12 21 21
1206 1206 1206 AN20 13 31 31
1210 1210 1210
1218 1218
1812 1812 43
2220 2220
Тип корпуса ST NOVER AVX S+M FUJITSU HITACHI NEC MATSUO SAMSUNG ELNA KEMET NACC MALLORY PANAS MOT cs VISHAY PHILIPS — ROHM
1608 E
2012 P D
3216 A A A A Y A A
3216L UA
3528 В Bl В В X В В
3528L B2 UB
5832 UC
5845 D V
6032 C C C C C c
7343 D E E D D D
7343H E G X
DO-214AA SMB SMB
DO-214AB SMC SMC
DO-214AC SMA SMA SOD-106 PMDS
DO-214BA
Примечания:
1 Наметилась тенденция, когда рядом с внутрифирменным обозначением корпуса
указывается название этого корпуса по одному из стандартов — JEDEC или EIAJ
2 У разных фирм под одним и тем же названием могут быть корпуса с отличающимися
размерами, не указаны корпуса, которые внешне похожи на представленные, но имеют
габаритные размеры отли ающиеся от стандартных например SOD-15 фирмы SGS-Thomson»
8
Пассивные компоненты
НОМИНАЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЯ И ЕМКОСТИ (РЯДЫ)
1 ЕЗ Е6 Е12 Е24 Е48 Е96 Е192 ЕЗ Е6 Е12 Е24 Е48 Е96 Е192
100 1001 150 100 120 150 100 110 120 130 150 160 100 105 110 115 121 127 133 140 147 154 162 169 100 102 105 107 110 113 115 118 121 124 127 130 133 137 140 143 147 150 154 158 162 165 169 174 100 101 102 104 105 106 107 109 110 111 113 114 115 117 118 120 121 123 124 126 127 129 130 132 133 135 137 138 140 142 143 145 147 149 150 152 154 156 158 160 162 164 165 167 169 172 174 470 330 470 330 390 470 330 360 390 430 470 510 316 332 348 365 383 402 422 442 464 487 511 536 316 324 332 340 348 357 365 374 383 392 402 412 422 432 442 453 464 475 487 499 511 523 536 549 316 320 324 I 324 332 336 340 344 348 352 357 361 365 370 374 379 383 388 392 397 402 407 412 417 422 427 432 437 442 448 453 459 464 470 475 481 487 493 499 505 511 517 523 530 536 542 549_
Пассивные компоненты
НОМИНАЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЯ И ЕМКОСТИ (РЯДЫ)
окончание
ЕЗ Е6 Е12 Е24 Е48 Е96 Е192
180 180 178 178 176 178 180
182 182 184
187 187 187 189
196 191 196 191 193 196
200 205 200 205 210 198 200 203 205 208 210 213
215 215 215 218
220 220 220 220 221 221
223
226 226 232 226 229 232 234
240 237 237 243 237 240 243 246
249 249 249 252
255 255
258
261 261 261 264
267 267
270 270 271
274 274 280 274 277 280
287 287 284 287
294 291 294 298
300 301 301 301
I 309 305 309 312
ЕЗ Е6 Е12 Е24 Е48 Е96 Е19
556
560 560 562 562 562
576 569 576 583
590 590 590
620 619 649 604 619 634 649 665 597 604 612 619 626 634 642 649 657 665 673
680 680 680 681 681 681
750 715 750 698 715 732 750 690 698 706 715 723 732 741 750
787 768 787 806 759 768 777 787 796 806 816
820 820 825 825 825
866 845 866 887 835 845 856 866 876 887 898
910 909 909 909
953 931 953 976 920 931 942 953 965 976
988
10
Резисторы
ЦВЕТОВАЯ МАРКИРОВКА
В соответствии с ГОСТ175-72 и требованиями Публикации 62 IEC Цветова?
маркировка наносится в виде 3 4, 5 или 6 цветных колец Маркировочные кольца должнь
быть сдвинуты к одному из выводов или ширина первого или второго кольца должна был
в два раза больше других, что на практике выдерживается не всегда
3 кольца
33 кОм
Цвет 1-я цифра 2-я цифра 3-я цифра Множитель TKC[ppm/°C]
Примеры цветовых маркировок различных фирм отличающихся от вышеуказанн
приведены на стр 13 Вместо цветовых колец могут встречаться цветовые точки,
принцип маркировки тот же
11
Пассивные компоненты
ЦВЕТОВАЯ МАРКИРОВКА ФИРМЫ «PHILIPS»
Маркировка осуществляется 4,5 или 6 цветными полосами, несущими информацию о
номинале, допуске и температурном коэффициенте сопротивления (ТКС) соответствен-
но. Дополнительную информацию несет цвет корпуса резистора и взаимное расположе-
ние полос
Металлопленочные NFR
резисторы-
предохранители
12 кОм ±5%
Металлопленочные
общего применения SFR
Металлопленочные
мощные (1 Вт/2 Вт) PR01 /2
Толстопленочные
высокоомные,
высоковольтные
(>10 МОм, >1 кВ)
2 7 МОм ±5%
12 кОм ±5%
82 кОм ±5%
। \ »
MRS16
MRS25
Металлопленочные
прецизионные
*
390 кОм ±10% ±50 ррт/°С
47 кОм ±10%
Серебряный I । 1 1 1 1 1 1 1 0.01 10%
Золотой । 1 1 1 1 1 1 L 1 0.1 5%
Черный 1 1 0 0 ’ Ml
Коричневый 1 1 _ 1. - 1 10 1%^ ?%
Красный 2 2 2 100
Оранжевый 3 3 3 1k 1 1 1
Желтый 4 4 4 10k
Зеленый 5 j 100» v 5% 0 25%
Голубой 6 | 1М
Фиолетовый 7 7 ЮМ on
Серый 8 8 8 100М Допуск
Белый 1 9 9 9 Множитель
КС [ррт/’С]
Цвет
1 -я цифра 2-я цифра 3-я цифра
50
25
Резисторы
НЕСТАНДАРТНАЯ ЦВЕТОВАЯ МАРКИРОВКА
Помимо стандартной цветовой маркировки, приведенной на стр. 11, многие фирмы
применяют нестандартную (внутрифирменную) маркировку Нестандартная маркировка
применяется для отличия, например, резисторов, изготовленных по стандартам MIL, от
стандартов промышленного и бытового назначения, указывает на огнестойкость и т.д
А. Маркировка фирмы «Corning Glass Work» (CGW)
10 кОм ±5%
--V
Цветовые кольца согласно
таблице на стр 11
(цифра, цифра,
множитель допуск)
Кольцо белого цвета
обозначает резисторы,
выпускаемые по стандарту
MIL-R-22684
2 4 Ом
Кольцо белого цвета
обозначает проволочные
резисторы промыш-
ленного применения
Цветовые кольца согласно
таблице на стр. 11
(цифра цифра, множитель)
220 кОм
Кольцо белого цвета
Цветовые кольца
согласно таблице на стр 11 .
(цифра цифра множитель)
Кольцо голубого цвета
совместно с кольцом
белого цвета обозначает
j проволочные огнестойкие
резисторы
В. Маркировка фирмы «Panasonic»
220 кОм
Цветовые кольца согласно
таблице на стр 11
(цифра, цифра множитель)
Кольцо черного цвета
обозначает огнестойкие
резисторы типа
Anti-Pulse
220 кОм+0 1%
Цветовые кольца согласно
таблице на стр 11
(цифра, цифра
множитель, допуск)
Кольцо желтого цвета
обозначает высококачествен-
ный пленочный резистор типа
ERDAS3 для звуковой техники
220 кОм t1%
Цветовые кольца согласно
таблице на стр 11
(цифра, цифра
множитель, допуск)
Кольцо белого цвета
обозначает металло-
оксидный пленочный
। резистор-предохранитель
220 кОм
±50 х 100 ррт/'С
Номинал Температурный коэффициент
Цветовые кольца согласно (1-я цифра, 2-я цифра х 100 ррт/’С)
таблице на стр 11
(цифра цифра, множитель)
13
Пассивные компоненты
КОДОВАЯ МАРКИРОВКА
В соответствии с ГОСТ 11076-69 и требованиями Публикаций 62 и 115-2IEC первые 3
или 4 символа несут информацию о номинале резистора, определяемом по базовому
значению из рядов ЕЗ Е192, и множителе Последний символ несет информацию о до-
пуске, те классе точности резистора Требования ГОСТ и IEC практически совпадают с
еще одним стандартом BS1852 (British Standart)
НОМИНАЛ [Ом]
ДОПУСК [%]
Базовое
значение из рядов
ЕЗ —
Е6 —
Е12-
Е24-
Е48 -
Е96 -
Е192 -
Множитель
как десятичная
запятая
R(E)=1 —
К (К) = 103 —
М(М) = 106 —
С(Г) = 109 —
Т(Т) = 1012 —
Е = ±0 001
L=±0 002
R = ±0 005
— Р = ±0 01
_ U = ±0 02
— А = 0.05
— В = +0 1
— С = ±0 25
— D = ±0 5
— F = ±1
G = ±2
— J = ±5
— К = ±Ю
— М = ±20
N = ±30
= 0 33 Ом ±20%
или
или
или
или
или
= 1 1 МОм ±30%
= 12 ГОм ±10%
= 47Ом±1%
= 330 Ом ±2%
= 110 кОм ±0 5%
= 220 МОм ±30%
Помимо строки, определяющей номинал и допуск резистора, может наноситься до-
полнительная кодированная информация о типе резистора, его номинальной мощности
и дате выпуска Например
Резистор типа Р1 -7
Мощность 2 Вт
Номинал 3 6 Ом ±5%
Выпущен в феврале 1980 года
Резисторы
ПЕРЕМЫЧКИ И РЕЗИСТОРЫ С «НУЛЕВЫМ» СОПРОТИВЛЕНИЕМ
Многие фирмы выпускают в качестве плавких вставок или перемычек специальные
провода Jumper Wire с нормированными сопротивлением и диаметром (0 6 мм, 0.8 мм) и
резисторы с «нулевым» сопротивлением Резисторы выполняются в стандартном цилин-
дрическом корпусе с гибкими выводами (Zero-Ohm) или в стандартном корпусе для по-
верхностного монтажа (Jumper Chip) Реальные значения сопротивления таких
резисторов лежат в диапазоне единиц или десятков миллиом (~ 0 005 0 05 Ом) В ци-
линдрических корпусах маркировка осуществляется черным кольцом посередине, в кор-
пусах для поверхностного монтажа (0603, 0805, 1206 .) маркировка обычно отсутствует
либо наносится код «000» (возможно «0»).
Zero-Ohm
(керамика-металл)
R <13 мОм
Jamper-Chip
R < 50 мОм
КОДОВАЯ МАРКИРОВКА
ПРЕЦИЗИОННЫХ ВЫСОКОСТАБИЛЬНЫХ РЕЗИСТОРОВ ФИРМЫ «PANASONIC»
15
Пассивные компоненты
КОДОВАЯ МАРКИРОВКА ФИРМЫ «PHILIPS»
Фирма «Philips» кодирует номинал резисторов в соответствии с общепринятыми стан-
дартами, т е первые две или три цифры указывают номинал в Ом, а последняя — количе-
ство нулей (множитель). В зависимости от точности резистора номинал кодируется в
виде 3 или 4 символов Отличия от стандартной кодировки могут заключаться в трактов-
ке цифр 7, 8 и 9 в последнем символе
Буква R выполняет роль десятичной запятой или, если она стоит в конце, указывает
на диапазон. Единичный символ «О» указывает на резистор с нулевым сопротивлением
(Zero — Ohm).
Последний символ Номинал резистора
1 976 0м
I 9 76 кОм
3 10 97 6 кОм
4 100 976 кОм
5 1 9 76 МОм
6 10 68 МОм
7 0 1 0 9760м
8 ' 1 9 76 0м
9 10. 97 60м
0 0м
R 1 91 0м
1008 или 108 = 1 Ом
3303 или 333 = 33 кОм
1006 или 106 = 10 МОм
R470 = 0.47 Ом
0 = 0.0 Ом
Таким образом, если на резисторе вы увидите код 107 — это не 10 с семью нулями
(100 МОм), а всего лишь 0 1 Ом
16
Резисторы
КОДОВАЯ МАРКИРОВКА ФИРМЫ «BOURNS»
103 = 10 000=10 кОм
А. Маркировка 3 цифрами
Первые две цифры указывают значения в Ом последняя — количество нулей Распрос-
траняется на резисторы из ряда Е-24, допусками 1 и 5%. типоразмерами 0603, 0805 и 1206
4422 = 442 00 = 44.2 кОм
В. Маркировка 4 цифрами
Первые три цифры указывают значения в Ом, последняя — количество нулей Распро-
страняется на резисторы из ряда Е-96, допуском 1%, типоразмерами 0805 и 1206 Буква
R играет роль десятичной запятой
10С= 124 х 102= 12.4 кОм
С. Маркировка 3 символами
Первые два символа — цифры, указывающие значение сопротивления в Ом, взятые из
нижеприведенной таблицы, последний символ — буква, указывающая значение множи-
теля S = 10 2, R = 10 1 А = 1 В = 10, С = 102 D = 103 Е = 104 F = 105 Распространяется
на резисторы из ряда Е-96, допуском 1%, типоразмером 0603
Код — Значение Код Значение Код Значение Код Значение
49
02 102 26 182 50 324 74 576
03 105 27 187 51 332 75 590
04 107 28 191 52 340 76 604
05 110 29 196 53 348 77 619
06 113 30 200 54 357 78 634
07 115 31 205 55 365 79 649
08 118 32 210 56 374 80 665
09 121 33 215 57 383 81 681
10 124 34 221 58 392 82 698
11 127 35 226 59 402 83 715
12 130 36 232 60 412 84 732
13 133 37 237 61 422 85 750
14 137 38 243 62 432 86 768
15 140 39 249 63 442 87 787
16 143 40 255 64 453 88 806
17 147 41 261 65 464 89 825
18 150 42 267 66 475 90 845
19 154 43 274 67 487 91 866
20 158 44 280 68 499 92 887
162 45 287 J J J 909
22 165 46 294 70 94 931
23 169 47 71 536 953
24 174 48 309 72 549 96
Примечание:
Маркировки А и В — стандартные, маркировка С — внутрифирменная
Пассивные компоненты
ДОПУСКИ
В соответствии с требованиями Публикаций 62 и 115-2 IЕС для конденсаторов уста-
новлены следующие допуски и их кодировка*
Допуск [%] Буваешм обозначение
±0 г В (Ж)
±0 25* С (У) Ф оранжевый
±0.5* О(Д) желтый
+1 0* F (Р) Ф коричневы
±2 0 G(B) • красный
±5 0 J (И) • зеленый
±10 К (С) О белый
±20 М (В) • черный
±30 М(Ф)
-10 +30 0(0)
-10 +50 ТО)
-10 +100 У(Ю)
-20 +50 S(B) • фиолетовый
-20 +80 ।
* Для конденсаторов емкостью <10 пФ допуск указан в пикофарадах
Перерасчет допуска из % (S) в фарады (А)
д=»2£С[ф]
100% 11
Пример
Реальное значение конденсатора с маркировкой 221J (0 22 нФ ±5%) лежит
в диапазоне
С = 0 22 нФ ± А = (0.22 ±001) нФ,
где
Д = (0 22 х 10"9 [Ф] X 5) х О 01 = 0 01 нФ,
или, соответственно, от 0 21 до 0 23 нФ
ТЕМПЕРАТУРНЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ ЕМКОСТИ (ТКЕ)
КОНДЕНСАТОРЫ С НЕНОРМИРУЕМЫМ ТКЕ
Допуск при -60...+85 С [%] Буквенный код Цвет*
±10 В ® оранжевый черный
Н20 ±20 Z ® оранжевый + • красный
нзо ±30 0 • оранжевый + ® зеленый
Н50 ±50 X оранжевый + ® голубой
Н70 ±70 Е • оранжевый + • фиолетовым
F J “ оранжевый +О белый
* Современная цветовая кодировка Цветные полоски или точки Второй цвет может быть
представлен цветом корпуса
18
Конденсаторы
КОНДЕНСАТОРЫ С ЛИНЕЙНОЙ ЗАВИСИМОСТЬЮ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ
Обозначение гост Обозначение международное ТКЕ [₽Р<С1‘ Бук. КОД Цвет**
ПЮО -49) А Ф красный+Ф фиолетовый
пзз 33 N серый
мпо NP0 0(+30 -75) С Ф черный
мзз N030 -33 (+30 -80) Н Ф коричневый
М75 N080 -75 (+30 -80) L Ф красный
М150 N150 -150/+30 -105) Р Ф оранжевый
М220 N220 -220(+30 -120) R желтый
МЗЗО N330 -330(+60 -180) S Ф зеленый
М470 N470 -470 (+60 -210) Г Ф голубой
М750 N750 -750(+120 -330) и Ф фиолетовый
М1500 N1500 -500(-250 -670 V Ф оранжевый+Ф оранжевый
М2200 К желтый+Ф оранжевый
* В скобках приведен реальный разброс для импортных конденсаторов в диапазоне
температур -55 .+85 С
* * Современная цветовая кодировка в соответствии с EIA. Цветные полоски или точки Второй
цвет может быть представлен цветом корпуса
КОНДЕНСАТОРЫ С НЕЛИНЕЙНОЙ ЗАВИСИМОСТЬЮ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ
Группа ТКЕ* Допуск [%] Температура** [’С] I Буквенный код*** Цвет***
Y5F ±7.5 -30 -85
Y5P +10 -30 +85 серебряный
Y5R -30 +85 R серый
Y5S ±22 -30 +85 S Ф коричневый
Y5U +22 -56 -30 +85 А
Y5V(2F) +22 -82 -30 +85
X5F ±7 5 -55 +85
Х5Р +10 -55 +85
X5S ±22 -55 +85
X5U +22 -56 -55 +85 Ф синий
X5V +22 -82 55 +85
X7R(2R) ±15 -55 +125
Z5F ±7 5 -10 +85 В
Z5P ±10 -10 +85 С
Z5S ±22 -10 +85
Z5U (2Е) +22 -56 -10 +85 Е
Z5V +22 -82 -10..+85 F Ф зеленый
SLO (GP) +150 -1500 -55. +150 Ni О белый
* Обозначение приведено в соответствии со стандартом EIA в скобках — JEC
* * В зависимости от технологий, которыми обладает фирма, диапазон может быть другим
Например, фирма «Philips» для группы Y5P нормирует -55 +125 °C
* ** В соответствии с EIA Некоторые фирмы, например «Panasonic», пользуются другой кодировкой
19
Пассивные компоненты
ЦВЕТОВАЯ МАРКИРОВКА
На практике для цветового кодирования постоянных конденсаторов используются
несколько методик цветовой маркировки
МЕТКИ (полосы, точки, кольца) 1 2 3 4 5 б
3 метки* 1 -я цифра 2-я цифра Множитель — — —
4 метки 1-я цифра 2-я цифра Множитель
4 метки 1-я цифра 2-я цифра Множитель Напряжение — —
4 метки 1 и 2-я цифры Множитель Допуск Напряжение — —
5 меток 1-я цифра 2-я цифра Множитель Допуск Напряжение —
5 меток** а цифра ифра Множитель Допуск ГКЕ —
6 меток цифра 2-я цифра 3-я цифра Множитель Допуск ТКЕ
* Допуск 20%. возможно сочетание двух колец и точки, указывающей на множитель
* * Цвет корпуса указывает на значение рабочего напряжения
Черный
Коричневый
Красный
Оранжевый
Желтый
Зеленый
Голубой
Фиолетовый
Серый
Белый
3
4
8
0.01
8
25
9
3
9
0.1
1 -я цифра 2-я цифра Множитель
35
2
3
4
3
20
Розовый
Цвет
мкФ
Напряжение
определяется
по положению точки
может иметь больший
диаметр
20
Конденсаторы
3 9 нФ
3 метки
2 2 мкФ ±2%
4 метки
0.015 мкФ ±5%
4 метки
4 метки
4 метки
5 меток
6 меток
2.7 мкФ ±5%
270 нФ ±20%, -220 ррт/’С
3 мкФ т2%
390 нФ +80/—20%. -75 ррт/°С
Серебряный ! 1 । 1 > 0.01 10% Y5P
Золотой 1 1 । । 1 1 । 0.1 5% I I
Черный 1 1 । 0 0 1 20%* NPO
Коричневый 1 1 j ' . io j л*- |mwn
Красный 2 2 2 100 2% ДО
Оранжевый 3 . 3 3 103 I I N150
Желтый 4 4 4 N220
Зеленый * s 1 5 1
Голубой 6 6 6 10*
Фиолетовый 7 ю7
Серый 8 8 8 10е 30% Y5R
Белый 9 9 9 Множитель +80 -20% SL
1 -я цифра 2-я цифра 3-я цифра
Цвет
Допуск ТКЕ
Для емкостей меньше 10 пФ допуск ±2 0 пФ
Для емкостей меньше 10 пФ допуск +0 1 пФ
пФ
21
Пассивные компоненты
1 8 пФ ±0 25 пФ. 16 В
270 пФ ±20%. 20/25 В
10 000 пФ = 10 нФ ±5%. 40 В
Черный 10 1 20% 4
Коричневый
Красный
103 ! 0.25 пФ ’ 16
иранжевыи IO
Желтый 22 104 0 5 пФ 40
Зеленый
Голубой 33 106 1% 30'32
Фиолетовый D
Серый 47 0.01 -20...*80% 3.2
Белый 56 10% 63
Серебряный 68 2.5
| Золотой 82 5% 1.6
Цвет 1-я и 2-я цифры Множитель Допуск Напряжение
пФ
22
Конденса торы
Для маркировки пленочных конденсаторов используют 5 цветных полос или точек
Первые три кодируют значение номинальной емкости, четвертая — допуск пятая — но-
минальное рабочее напряжение
23
Пассивные компоненты
КОДОВАЯ МАРКИРОВКА
В соответствии со стандартами IEC на практике применяется четыре способа коди-
ровки номинальной емкости
А. Маркировка 3 цифрами
Первые две цифры указывают на значение емкости в пикофарадах (пФ), последняя —
количество нулей Когда конденсатор имеет емкость менее 10 пФ, то последняя цифра
может быть <9 При емкостях меньше 1 0 пФ первая цифра «0* Буква R используется в
качестве десятичной запятой Например, код 010 равен 1 0 пФ, код 0R5 — 0 5 пФ
вад Емкость [пФ] Емкость [нФ] Емкость [мкФ]
109 0 001 0 000001
159 15 00015 0000001
229 22 0 0022 0 000001
339 33 00033 0 000001
479 47 0 0047 0 000001
689 68 0.0068 0 000001
100* 10 0.01 000001
150 15 0.015 0 000015
220 22 0022 0000022
330 33 0.033 0 000033
470 47 0 047 0000047
680 68 0 068 0000068
101 100 01 0 0001
151 150 015 0 00015
221 220 0 22 0 00022
331 330 033 0 00033
471 470 0 47 0 00047
681 680 0 68 0 00068
102 1000 1 0 0001
152 1500 1 5 0 0015
222 2200 г- 22 0 0022
332 3300 3.3 0 0033
472 4700 47 0 0047
682 6800 68 0 0068
103 10000 10 0.01
153 15000 15 0015
223 22000 22 0 022
333 33000 33 0 033
473 47000 47 0 047
683 68000 68 0 068
104 100000 100 01
154 150000 150 0 15
224 220000 220 0 22
334 330000 330 0 33
474 470000 470 0 47
684 680000 680 0 68
105 1000000
* Иногда последний ноль не указывают
В. Маркировка 4 цифрами
Возможны варианты кодирования 4-значным числом Но и в этом случае последняя
цифра указывает количество нулей а первые три — емкость в пикофарадах
Код Емкость [пФ] Емкость [нФ] Емкость [мкФ]
16200 162
4753 475000 475 0475
24
Конденсаторы
О 22 пФ ±5%
6 8 нФ ±20%
47 нФ ±10%
Емкость 4 7 мкФ
Напряжение. 10 В
Емкость: 220 пФ ±5%
Емкость 16 2 нФ ±10%
Напряжение 20 В
С. Маркировка емкости в микрофарадах
Вместо десятичной точки может ставиться буква R
Код Емкость [мкФ]
R47 0 47
4R7 47
100
ЕМКОСТЬ
D Смешанная буквенно-цифровая маркировка емкости, допуска, ТКЕ, рабочего
напряжения
В отличие от первых трех параметров которые маркируются в соответствии со стан-
дартами. рабочее напряжение у разных фирм имеет различную буквенно-цифровую
маркировку
Код Емкость
рЮ
1р5 1 5 пФ
332 пФ
1 НО или 1п0
15Н или 15п
ЗЗН2 или 33п2
п
т15
1m5 1 5 мкФ
33т2 33 2 мкФ
330m
1 мФ или 1000 мкФ
10m 10 мФ
ТКЕ
| L= М75 - -75ррт/'С
ТКЕ
N750
ЕМКОСТЬ
10 пФ
ДОПУСК
ЕМКОСТЬ
15 пФ
ДОПУСК
±10%
ЕМКОСТЬ
33 пФ
25
Пассивные компоненты
КОДОВАЯ МАРКИРОВКА ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ
ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
Приведенные ниже принципы кодовой маркировки применяются такими известными
фирмами, как «Panasonic», «Hitachi» и др Различают три основных способа кодирования
А. Маркировка 2 или 3 символами
Код содержит два или три знака (буквы или цифры), обозначающие рабочее напряжение
и номинальную емкость Причем буквы обозначают напряжение и емкость, а цифра указыва-
ет множитель В случае двухзначного обозначения не указывается код рабочего напряжения
РАБОЧЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ
НОМИНАЛЬНАЯ ЕМКОСТЬ
G-4B
J — 6 3 или 7 В
А- 10В
С- 16В
D-20B
Е-25В
V-35B
Перед буквами может ставиться
цифра, указывающая на диапазон
0 — для напряжений до 10 В
1 — для напряжений до 100 В
2 — для напряжений до 10ОО В
Например 0Е - 2 5 В, 1Е - 25В. 2Е - 250 В
А- 1.0 пФ
Е— 1 5 пФ
J - 2 2 пФ
N —3 ЗпФ
S - 4 7 пФ
W — 6 8 пФ
МНОЖИТЕЛЬ
5 — 105
6 — 106
7- 107
Код Емкость [мкФ] Напряжение [В] Код Емкость [мкФ] Напряже ие [В]
А6 1 0 16/35 ESb 47
А7 10 4 EW5 0 68
АА7 10 10 GA7 10 4
АЕ7 15 10 GE7 15 4
AJ6 22 10 22 4
AJ7 22 10 GN7 4
AN6 3.3 10 GS6 47 4
33 10 GS7 47 4
AS6 47 10 GW6 4
AW6 68 GW7 68 4
10 16 J6 22
СЕ6 1 5 JA7 10 6 3/7
СЕ7 JE7 15 6 3/7
CJ6 22 16 JJ7 22
CN6 33 16 JN6 33 6 3/7
CS6 47 16 JN7 33 6 3/7
CW6 4 JS6 47 6 3/7
DA6 1 0 20 JS7 47 6 3/7
DA7 10 20 JW6 6.8
DE6 1 5 20 N5 0 33 35
DJ6 20 N6 4/16
DN6 33 20 S5 047 25/35
DS6 47 20 VA6 1 0 35
DW6 68 20 VE6 1 5 35
10/25 VJ6 2.2 35
ЕА6 1 0 25 VN6 35
ЕЕ6 1 5 25 VS5 0 47
EJ6 22 25 VW5 068
EN6 33 25 W5 0 68 20/35
1.0 пФ х 107 = 10 мкФ
4В
10 мкФх 10 В
2.2 пФ х 106 = 2.2 мкФ
20 В
26
Конденсаторы
В. Маркировка 4 символами
Код содержит четыре знака (буквы и цифры), обозначающие емкость и рабочее на-
пряжение Буква, стоящая вначале, обозначает рабочее напряжение, последующие зна-
ки — номинальную емкость в пикофарадах (пФ) а последняя цифра — количество нулей
Возможны 2 варианта кодировки емкости а) первые две цифры указывают номинал в
пикофарадах, третья — количество нулей, б) емкость указывают в микрофарадах, знак m
выполняет функцию десятичной запятой Ниже приведены примеры маркировки конден-
саторов емкостью 4 7 мкФ и рабочим напряжением 10 В
С. Маркировка в две строки
Если величина корпуса позволяет, то код располагается в две строки на верхней стро
ке указывается номинал емкости, на второй строке — рабочее напряжение Емкость мо
жет указываться непосредственно в микрофарадах (мкФ) или в пикофарадах (пФ)
указанием количества нулей (см способ В) Например, первая строка — 15, вторая стро
ка — 35V — означает, что конденсатор имеет емкость 15 мкФ и рабочее напряжение 35 Е
ЕМКОСТЬ
ЕМКОСТЬ
10 мкФ
6 В (также маркируется 6.3 В)
РАБОЧЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ
336 = 33 000000 пФ = 33 мкС
КОЛИЧЕСТВО НУЛЕЙ
000000(106)
РАБОЧЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ
20В
ЮмкФХбВ 33 мкФ X 20 В
МАРКИРОВКА ПЛЕНОЧНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ
ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА ФИРМЫ «HITACHI»
РАБОЧЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ
ЕМКОСТЬ
Е-25В
0G-4B
0J-7B
1А-10В
1С-16В
1D-20B
1Е — 25В
ТЕМПЕРАТУРА ПАЙКИ
1V- 35 В
1Н-50В
1J-63 В
2А- 100 В
2Е - 250 В
2G - 400 В
2J - 630 В
Конденсатор
серии ММХ-Е
0.22 мкФ ±10%,
100 В
Первые две цифры указывают значени
емкости в пикофарадах (пФ)
третья — количество нулей
224 = 22 0000 пФ = 220 нФ = 0 22 мкФ
G — 250*0/5 с
Н - 260°С/5 с
J — 260*0/10 с
СЛУЖЕБНАЯ ИНФОРМАЦИЯ
ДОПУСК
J - ±5%
К -±10%
М - ±20%
СЛУЖЕБНАЯ ИНФОРМАЦИЯ
ЕМКОСТЬ
224 = 220000 пФ = 0 22 мкФ
ДОПУСК
±10%
РАБОЧЕЕ НАПРЯЖЕН!
100 В
27
Пассивные компоненты
ЦВЕТОВАЯ МАРКИРОВКА
В соответствии с Публикацией IEC 62 для индуктивностей кодируется номинальное
значение индуктивности и допуск т.е. допускаемое отклонение от указанного номинала.
Наиболее часто применяется кодировка 4 или 3 цветными кольцами или точками. Первые
две метки указывают на значение номинальной индуктивности в микрогенри (мкГн), тре-
тья метка — множитель, четвертая — допуск. В случае кодирования 3 метками подразу-
мевается допуск 20% Цветное кольцо, обозначающее первую цифру номинала, может
быть шире, чем все остальные
3 кольца
3 кольца
4 кольца
22 мкГн ±10%
Серебряный 0.01 10%
Золотой 0.1 5%
Черный
Коричневый 1 1 10 Допуск
Красный 2 100
Оранжевый 3 3 1000
Желтый 4 4 Множитель
Зеленый Голубой 6 6
Фиолетовый
Серый 8 8
Белый 9 9
1-я цифра 2-я цифра
4 метки
28
Индуктивности
КОДОВАЯ МАРКИРОВКА
Обычно для индуктивностей кодируется номинальное значение индуктивности и до-
пуск, те допускаемое отклонение от указанного номинала Номинальное значение коди-
руется цифрами, а допуск — буквами Применяется два вида кодирования
А. Кодированная маркировка
Первые две цифры указывают значение в микрогенри (мкГн), последняя — количест-
во нулей Следующая за цифрами буква указывает на допуск Например, код 101J обоз-
начает 100 мкГн ±5%. Если последняя буква не указывается — допуск 20%. Исключения
для индуктивностей меньше 10 мкГн роль десятичной запятой выполняет буква R а для
индуктивностей меньше 1 мкГн — буква N
J = ±5%
К = ±10%
Допуск: D = +0 3 нГн
Примеры обозначений.
Код Индуктивность
22N 22 нГн +20%
R10M 0 ЮмкГн+20%
R15M 0 15 мкГн ±20%
R22M 0 22 мкГн +20%
R33M 0 33 мкГн +20%
R47M 0 47 мкГн±20%
R68M
1R0M 1 2мкГн+20%
Код Индуктивность
2R2K 2 2мкГн+10%
3R3K 3 3 мкГн ±10%
4R7K 4 7 мкН
6R8K 8мкГн±10%
100К
150К 15мкГн ±10%
220К 22мкГн±10%
ЗЗОК
М = ±20%
Код
680К
101К 100 мкГн ±10%
151К 150 мкГн ±10%
221К 220мкГн ±10%
331К 330 мкГн ±10%
471 470 мкГн±5%
681J 680 мкГн ±5%
1000 мкГн ±20%
2.7 мкГн +5%
22мкГн±20% 220 мкГн ±10%
47 мГн ±20%
1 мГн ±10%
В. Непосредственная маркировка
Индуктивности маркируются непосредственно в микрогенри (мкГн). В таких случая
маркировка 680К будет означать не 68 мкГн ±10%, как в случае А а 680 мкГн ±10%.
330 мкГн ±5%
4 7 мкГн ±20%
Ж”?
I I
680 мкГн ±10%
29
Корпуса для монтажа в отверстия
МАРКИРОВКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
В КОРПУСЕ КТ-26 (ТО-92)
Нет, не удалось нам догнать буржуев нигде, кроме как в области цветовой и кодовой
маркировки радиокомпонентов Здесь мы не только догнали загнивающий Запад, но и
перегнали его, как говорится, «навсегда». Никакому иностранцу никогда не удастся рас-
шифровать таинственные и постоянно меняющиеся комбинации странных значков и та-
инственных точечек, коими маркируются отечественные полупроводниковые приборы
Что, в общем-то, хорошо, чего не понимают, того хотя бы опасаются, так что можно счи-
тать отечественную маркировку частью нашей оборонной инициативы, как говорится,
«наш ответ на ультиматум Керзона». Но в своей страсти зашифровывать и засекречивать
все и вся мы зашли слишком далеко, так как и собственное население уже не может по-
нять, что же за загадочные приборы впаяны в наши неказистые платы
Невозможно объять необъятное, поэтому из всей массы приборов мы постарались
выбрать группу, которая наиболее часто маркируется всевозможными кодами Понятно,
что применение кодовой маркировки связано в первую очередь с размерами, а значит, и
типом корпуса. Безусловным лидером по частоте применения кодовой маркировки явля-
ется корпус типа КТ-26 Выпускавшийся ранее корпус КТП-4 представляет собой моди-
фикацию КТ-26 и, следовательно, тоже попадает под рассмотрение В связи с
вышеизложенным, упор, сделанный в данном издании на маркировку полупроводнико-
вых приборов, выпускающихся в корпусе КТ-26, является закономерным и позволяет от-
ветить на большинство вопросов, связанных с кодовой маркировкой
Первый и самый неутешительный вывод, полученный в результате исследований- по
маркировке полупроводниковых приборов, выпускающихся в корпусе КТ-26, часто НЕ-
ВОЗМОЖНО однозначно установить тип прибора Можно долго рассуждать, почему так
случилось и кто в этом виноват, мы же считаем что сложившаяся ситуация является, ре-
зультатом во-первых, нашего российского менталитета, то есть привычкой решать все
проблемы административным путем, а во-вторых, особенностей протекания историчес-
кого процесса в нашей стране. Из последнего утверждения следует очень важный вывод:
маркировка полупроводниковых приборов, выпускающихся в корпусе КТ-26, есть катего-
рия историческая Это значит, в частности, что если производитель какого-нибудь тран-
зистора в 1992 году маркировал его, допустим, красной точкой, а в 1993 году перестал
выпускать этот транзистор, то в 1994 году мог появиться другой (а иногда и тот же самый)
производитель и замаркировать красной точкой совершенно другой прибор, считая, что
данная конкретная маркировка «свободна»
Вообще-то, служение полупроводниковой промышленности в советское время нуждам
военно-промышленного комплекса не пошло ей на пользу До сих пор принципы маркиров-
ки компонентов их изготовитель считает исключительно своей прерогативой и руководству-
ется в них даже не ГОСТами, а своими сиюминутными интересами, как-то. наличием или
отсутствием необходимой краски, трудностями, связанными с изготовлением клеима, и т.п
Выполнение требований по маркировке, внесенных в ТУ, обходят обычно следующим обра-
зом достаточно крупные партии приборов выпускаются «по нормали главного конструкто-
ра» или «по конкретному контракту», что позволяет маркировать эти партии так, как удобно
изготовителю Еще «хлеще» маркируются приборы, выпускаемые в странах СНГ для россий-
ского рынка Самостийность, видимо, не позволяет маркировать по российским стандар-
там, а свои вырабатывать просто некогда, да и некому, надо быстрее клепать приборы, а то
скоро эту «высокотехнологичную продукцию» никто брать не будет Исключения в лучшую
сторону достаточно редки и серьезного исследователя интересовать не могут.
ИСТОРИЯ
Первым массовым транзистором с кодовой маркировкой был КТ315 в миниатюрном
пластмассовом корпусе КТ-13. На нем в левом верхнем углу плоской стороны ставилась
буква, обозначающая группу, ниже иногда указывалась дата изготовления (Рис. 1). Через
несколько лет в корпусе КТ-13 стали выпускать транзистор прямой проводимости —
КТ361 Для отличия от КТ315 буква, обозначающая группу, ставилась посередине верх-
ней части плоской стороны (Рис. 2).
► 30
КТ-26
КТ315А КТ361Б
Рис. 1
Рис. 2
В 1974 году появился транзистор КТ375 в корпусе КТ-26 (тогда еще с круглыми вывода-
ми), который маркировался цифрами 375 и буквой, указывающей группу транзистора
В 1976 году появляется целая группа транзисторов в корпусах КТП-4 и КТ-26 отмарки-
рованных цветовым четырехточечным кодом (Рис. 3), и транзистор КТ209 (корпус КТП-4),
который маркировался буквой А в левом нижнем углу плоской стороны корпуса В правом
нижнем углу плоской стороны корпуса буквой указывалась группа прибора, выше — двумя
цифрами год, а еще выше — двумя цифрами дата изготовления (Рис. 4). Понять, что это за
приборы, без расшифровки кода было уже невозможно, поэтому 1976 год можно считать
началом эры цветовой и кодовой маркировки корпуса КТ-26 в СССР
КТ350А
Рис. 3
КТ209Д
Рис. 4
В 1979 году появляются транзисторы в корпусе КТ-26 маркированные символами
Сначала символы ставятся где попало (Рис. 13), но к 1985 году они обретают постоянное
место в левом верхнем углу плоской стороны корпуса Примерно в это же время появля-
ются транзисторы, маркируемые двумя цветовыми метками (Рис. 8) С 1988 года наби-
рает обороты сокращенная символьная маркировка (Рис. 5)
ОБЩИЕ ПРИНЦИПЫ МАРКИРОВКИ
Корпус КТ-26 (ТО-92) изготавливается из пластмассы темного, чаще черного, цвета
поэтому все надписи наносятся белой или серебристой краской Маркировка обычно на-
носится на срезе боковой поверхности корпуса, реже — на цилиндрической части боко-
вой поверхности корпуса, на торце корпуса цветовым кодом указывают группу прибора
Встречаются приборы, торец корпуса которых целиком закрашен каким-либо цветом
Это, за немногими исключениями, внутризаводская маркировка, которая, как правило, не
стандартизируется и не расшифровывается (обозначает иногда разбраковку по одному
или нескольким параметрам номер смены и т.п.). Уловить какие-нибудь закономерности
здесь не удалось, да и не очень надо, так как для массового потребителя данный тип мар-
кировки несет немного полезной информации
На корпусе стараются указать тип прибора, группу, дату выпуска (год, месяц или номер
смены) Наиболее важными представляются тип и группа прибора — на них мы и сосредо-
точим свое внимание, что касается даты изготовления, то часто она вообще не указывается.
Когда же дата указывается, чаще всего это делается согласно ГОСТ 25486 82 (Табл. 1), или
просто двумя цифрами год, двумя (одной) месяц (например, 95 09 означает 1995 год, сен-
тябрь-месяц) Встречается обратный порядок указания года и месяца (например, 3-74 оз-
начает март 1974 года) или обозначение только года изготовления двумя цифрами
(например, 85 — 1985 год)
31
Корпуса для монтажа в отверстия
Таблица 1
•чш ГСимвол Месяц
IJ 19)6 1
V 1987~ 2 Февраль
W 1988 3 Март
X 1989 4 Апрель
А 1990 5 Май
В 1991 6 Июнь
С 1992 7 Июль
D 1993 8 Август
Е 1994 9 Сентябрь
F 1995 0 Октябрь
Н 1996 N Ноябрь
1997 Декабрь
К 1998
L 1999
М 2000
ТИПЫ МАРКИРОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
Для удобства все рассмотренные варианты маркировки полупроводниковых прибо-
ров, выпускающихся в корпусе КТ-26, были разбиты на шесть классов, которым были
присвоены условные названия
1 Цифро-буквенная маркировка (Рис. 5).
2 Символьно-буквенная маркировка (Рис. 6).
3 Символьно-цветовая маркировка (Рис. 7)
4 Цветовая двухточечная маркировка (Рис. 8)
5 Цветовая четырехточечная маркировка (Рис. 9).
6 Нестандартизируемая маркировка (Рис. 10)
КТ326БМ КТ351Б КТ3102БМ
КТ645А
КТ219А
Рис. 5
КП501А КТ3117А1 КТ3107А КТ645Д КТ3126Б
Рис. 7
32
КТ-26
КП364А КТ209Г КТЗЮ2ДМ КТ342ВМ КТ503Б
Рис. 8
КТ326АМ КТ349В КТ350А КТ351Б КТ3107Е
Рис. 9
Цифро-буквенная маркировка
Цифро-буквенная маркировка может быть полной и сокращенной Наносится на срез
боковой поверхности корпуса как правило, в две строки друг над другом возможны как
правый поворот надписи, так и левый (Рис. 11), а также маркировка в одну строку (Рис.
12) Относительно полный список сокращенного варианта цифро-буквенной маркировки
дается в Табл. 2 (условные обозначения используемые в таблице, см. на стр 206). При-
боры. тип и группа которых промаркированы полностью, по понятным причинам в данном
издании не рассматриваются
Рис. 1 1
it 401
12 3 12 3
Рис. 12
33
Корпуса для монтажа в отверстия
Таблица 2
КТ969А1 р-п В 1А
КР1188ЕН5 reg+ In Сот Out 8ЕН5
КР1188ЕН8 reg+ In Сот Out 8ЕН8
КР1188ЕН9 reg+ In Сот Out 8ЕН9
КР1188ЕН12 reg+ In Сот Out 8ЕН12
КТ117АМ 0 E В1 B2 17А
КТ117БМ 0 E В1 B2 17Б
КТ117ВМ 0 E В1 В2 17В
КТ117ГМ 0 E В1 В2 17Г
КР1157ЕН1 reg+ Com Out In 57ЕН
КР1168ЕН1 reg+ Com Out In 68ЕН1
КР142ЕН17А reg+ Out Сот In 69
КР142ЕН17Б reg+ Out Сот In 70
КР142ЕН19 reg+ G А К 71
КТ133А 0 B1 Е В2 133А
КТ133Б 0 B1 Е В2 133Б
КР1125КПЗА btd К А1 А2 153А
КР1125КПЗБ btd К А1 А2 153Б
КР1125КПЗВ btd К А1 А2 153В
КТ208А1 p-n-p С В Е 208А
КТ208Б1 p-n-p С В Е 208Б
КТ208В1 p-n-p С В Е 208В
КТ209А p-n-p С В Е 209А
КТ209Б p-n-p С В Е 209Б
КТ209Б1 p-n-p С В Е 209Б1
КТ209В p-n-p С В Е 209В
КТ209В1 p-n-p С В Е 209В1
КТ209В2 p-n-p С В Е 209В2
КТ209Г p-n-p С в Е 209Г
КТ209Д p-n-p С в Е 209Д
КТ209Е p-n-p С в Е 209Е
КТ209Ж p-n-p С в Е 209Ж
КТ209И p-n-p С в Е 209И
КТ209К p-n-p С в Е 209К
КТ209Л p-n-p С в Е 209Л
КТ209М p-n-p С в Е 209М
КТ219А n-p-n С в Е 219А
КТ306АМ n-p-n С в Е 306А
КТ306БМ n-p-n с в Е 306Б
КТ306ВМ n-p-n с в Е 306В
КТ306ГМ n-p-n с в Е 306Г
КТ306ДМ n-p-n с в Е 306Д
КП307А1 n-FET G D S 307А
КП307Б1 n-FET G D S 307Б
КП307Г1 n-FET G D S 307Г
КП307Е1 j j
► 34
КТ-26
Таблица 2 (продолжение)
|ш—.1 Цоколевка Маркировка
^1 1 t »
КП307Ж1 n-FET S 07Ж
КТ313А1 р-п-р с В Е 313А1
КТ313А2 р-п-р Е С В 313А2
КГ313Б1 р-п-р с в Е 313Б1
КТ313Б2 р-п-р Е с В 313Б2
КТ313В1 р-п-р с в Е 313В1
КТ313В2 р-п-р Е с В 313В2
КТ313Г1 р-п-р с в Е 313Г1
КТ313Г2 р-п-р Е с В 313Г2
КТ3157А р-п-р С Е В 3157А
КТ315А1 п-р-п Е С В 315А1
КТ315Б1 п-р-п Е С В 315Б1
КТ315В1 п-р-п Е С В 315В1
КТ315Г1 п-р-п Е С В 315Г1
КТ315Д1 п-р-п Е с В 315Д1
КТ315Е1 п-р-п Е с В 315Е1
КТ315Ж1 п-р-п Е с В 315Ж1
КТ315И1 г-р-п Е с В 315И1
КТ315Н1 п-р-п Е с В 315Н1
КТ315Р1 п-р-п Е с В 315Р1
КТ316АМ п-р-п С в Е 316А(М)
КТ316БМ п-р-п С в Е 316Б(М)
КТ316ВМ п-р-п С в Е 316В(М)
КТ316ГМ п-р-п С в Е 316Г(М)
КТ316ДМ п-р-п С в Е 316Д(М)
КТ325АМ п-р-п С Е В 325А
КТ325БМ п-р-п С Е В 325Б
КТ325ВМ п-р-п С Е В 325В
КТ326АМ р-п-р С В Е 326АМ
КТ326БМ р-п-р С В Е 326БМ
КТ337А р-п-р С В Е 337А
КТ337Б р-п-р С В Е 337Б
КТ337В р-п р С В Е 337В
КТ339АМ п-р-п С Е В 339А
КТ342АМ п-р-п С В Е 342АМ
КТ342БМ п-р-п С В Е 342БМ
КТ342ВМ п-р-п С В Е 342ВМ
КТ342ГМ п-р-п С В Е 342ГМ
КТ342ДМ п-р-п С В Е 342ДМ
КТ345А р-п-р С В Е 345А
КТ345Б р-п-р С в Е 345Б
КТ345В р-п-р С в Е 345В
КТ349А р-п-р С в Е 349А
КТ349Б р-п-р с в 349Б
КТ349В р-п-р с в Е 349В
КТ350А
35
Корпуса для монтажа в отверстия
Таблица 2 (продолжение)
КТ351А Е
КТ351Б р-п-р c В Е 351Б
КТ352А р-п-р c В Е 352А
КТ352Б р-п-р c В Е 352Б
КТ355АМ п-р-п C В Е 355А
КТ357В р-п-р C В Е 357А
КТ357А р-п-р C В Е 357Б
КТ357Б р-п-р C В Е 357В
КТ361А2 р-п-р E С В 361А2
KT361A3 р-п-р E с В 361A3
КТ361Б2 р-п-р E с В 361Б2
КТ361В2 р-п-р E с В 361В2
КТ361Г2 р-п-р E с В 361Г2
КТ361ГЗ р-п-р E с В 361ГЗ
КТ361Д2 р-п-р E с В 361Д2
КТ361ДЗ р-п-р E с в 361ДЗ
КТ361Е2 р-п-р E с в 361Е2
КТ361Ж2 р-п-р E с в 361Ж2
КТ361И2 р-п-р E с в 361И2
КТ361К2 р-п-р E с в 361К2
КТ361Л2 р-п-р E с в 361Л2
КТ361М2 р-п-р E с в 361 М2
КТ361Н2 р-п-р E с в 361Н2
КТ361П2 р-п-р E с в 361П2
КТ363АМ р-п-р C в Е 363АМ
КТ363БМ р-п-р C в Е 363БМ
КП364А n-FET G D S 364А
КП364Б n-FET G D S 364Б
КП364В n-FET G D S 364В
КП364Г n-FET G D S 364Г
КП364Д n-FET G D S 364Д
КП364Е n-FET G D S 364Е
КП364Ж n-FET G D S 364Ж
КП364И n-FET G D S 364И
КТ368АМ n-p-n C В Е 368А/М
КТ368БМ n-p-n C В Е 368Б/М
КТ368ВМ n-p-n C В Е 368ВМ
КТ373А n-p-n E В С 373А
КТ373Б n-p-n E В С 373Б
КТ373В n-p-n E В С 373В
КТ373Г n-p-n E В С 373Г
КТ375А n-p-n C В Е 375А
КТ375Б n-p-n C В Е 375Б
КТ399АМ n-p-n C Е 399А
КТ399БМ n-p-n C В Е 399Б
КТ399ВМ n-p-n C в Е 399В
36
KT-26
Таблица 2 (продолжение)
КТ399ГМ п-р-п c в Е 399Г
КП501А n-MOS G D S 501А
КП501Б n-MOS G D S 501Б
КП501В n-MOS G D S 501В
КП502А n-MOS S D G 502А
КТ502А p-n-p C В Е 502А
КТ502Б p-n-p C В Е 502Б
КТ502В p-n-p C В Е 502В
КТ502Г p-n-p C В Е 502Г
КТ502Д p-n-p C В Е 502Д
КТ502Е p-n-p C В Е 502Е
КП503А n-MOS S D G 503А
КТ503А n-p-n C В Е 503А
КТ503Б n-p-n C В Е 503Б
КТ503В n-p-n C в Е 503В
КТ503Г n-p-n C в Е 503Г
КТ503Д n-p-n C в Е 503Д
КТ503Е n-p-n C в Е 503Е
КП504А n-MOS S D G 504А
КП504Б n-MOS S D G 504Б
КП504В n-MOS S D G 504В
КП505А n-MOS S D G 505А
КП505Б n-MOS S D G 505Б
КП505В n-MOS S D G 505В
КП505Г n-MOS S D G 505Г
КП523А n-MOS S D G 505Г
КС515Г1 dz 515Г1
КС520В1 dz 520В1
КС531В1 dz 531В1
КТ632А1 p-n-p C В Е 632А1
КТ632Б1 p-n-p C В Е 632Б1
КТ632В1 p-n-p C В Е 632В1
КТ638А n-p-n C В Е 638А
КГ638Б n-p-n C В Е 638Б
КТ645А n-p-n c В Е 645А
КТ645Б n-p-n c в Е 645Б
КТ660А n-p-n c в Е 660А
КТ660Б n-p-n c в Е 660Б
КТ668А p-n-p c в Е 668А
КТ668Б p-n-p c в Е 668Б
КТ668В p-n-p c в Е 668В
КТ680А n-p-n c в Е 680А
КТ681А p-n-p c в Е 681А
КТ684А в с Е 684А
КТ684Б p-n-p в с 684Б
К1684В с Е 684В
37
Корпуса для монтажа в отверстия
Таблица 2 (продолжение)
664Г
КТ684Г р-п-р 1 В <ч| о Е
КТ685А р-п-р с в Е 685А
КТ685Б р-п-р с в Е 685Б
КТ685В р-п-р с в Е 685В
КТ685Г р-п-р с в Е 685Г
КТ685Д р-п-р с в Е 685Д
КТ685Е р-п-р с в Е 685Е
КТ685Ж р-п-р с в Е 685Ж
КТ686А р-п-р с в Е 686А
КТ686Б р-п-р с в Е 686Б
КТ686В р-п-р с в Е 686В
КТ686Г р-п-р С в Е 686Г
КТ686Д р-п-р С в Е 686Д
КТ686Е р-п-р С в Е 686Е
КТ686Ж р-п-р С в Е 686Ж
КТ698А п-р-п С в Е 698А
КТ698Б п-р-п С в Е 698Б
КТ698В п-р-п С в Е 698В
КТ698Г п-р-п С в Е 698Г
КТ698Д п-р-п С в Е 698Д
КТ698Е п-р-п С в Е 698Е
КТ698Ж п-р-п С в Е 698Ж
КТ698И п-р-п С в Е 698И
КТ698К п-р-п с в Е 698К
КТ3102АМ п-р-п с в Е 3102АМ
КТ3102БМ п-р-п с в Е 3102БМ
КТЗЮ2ВМ п-р-п с в Е 3102ВМ
КТ3102ГМ п-р-п с в Е 3102ГМ
КТ3102ДМ п-р-п с в Е 3102ДМ
КТ3102ЕМ п-р-п с в Е 3102ЕМ
КТЗЮ2ЖМ п-р-п с в Е 3102ЖМ
КГ3102ИМ п-р-п с в Е 3102ИМ
КТ3102КМ п-р-п с в Е 3102КМ
КТ3107А р-п-р с в Е 3107А
КТ3107А1 р-п-р в с Е 3107А1
КТЗЮ7Б р-пр с в Е 3107Б
КТ3107Б1 р-п-р в с Е 3107Б1
КТ3107В р-п-р с в Е 3107В
КТ3107В1 р-п-р в с Е 3107В1
КТ3107Г рп-р с в Е 3107Г
КТ3107Г1 р-п-р в с Е 3107Г1
КТ3107Д р-п-р с в Е 3107Д
КТ3107Д1 р-п-р в с Е 3107Д1
КТ3107Е р-п-р с в Е 3107Е
КТ3107Е1 р-п- в с
КТ3107Ж в 3107Ж
КТ3107Ж1 р-п-р Е 3107Ж1
38
KT-26
Таблица 2 (продолжение)
Цоколевка Е!89|!
1 . » 3
КТ 107Й р-п-р В Е 3107И
КТ3107И1 р-п-р в С Е 3107И1
КТ3107К р-п-р с в Е 3107К
КТ3107К1 р-п-р в с Е 3107К1
КГ3107Л р-п-р С в Е 3107Л
КТ3107Л1 р-п-р В с Е 3107Л1
КТ3117А1 п-р-п С в Е 3117
КТ3126А р-п-р С в Е 3126А
КТ3126Б р-п-р С в Е 3126Б
КТ3128А1 р-п-р С в Е 3128А1
КТ3128Б1 р-п-р С в Е 3128Б1
КТ3166А п-р-п С в Е 3166А
КТ3166Б п-р-п С в Е 3166Б
КТ3166В п-р-п С в Е 3166В
КТ3166Г п-р-п С В Е 3 66Г
КТ6109А р-п-р Е в С 6109А
КГ6109Б р-п-р Е в Г с 6109Б
КТ6109В р-п-р Е в с 6109В
КТ6109Г р-п-р Е в с 6109Г
КТ6109Д р-п-р Е Н в t” с 6109Д
КТ6110А п-р-п Е в с 61ЮА
КТ6110Б п-р-п Е в П с 6110Б
КТ6110В П-р-П Е в ' с 6110В
КТ6110Г п-р-п Е в с 6110Г
КТ6110Д п-р-п Е в с 611 ОД
КТ6111А п-р-п Е в н с 6111А
КТ6111Б п-р-п Е в с 6111Б
КГ6111В п-р-п Е в с 6111В
КТ6111Г п-р-п Е в с 6111Г
КТ6112А р-п-р Е в 1 с 6112А
КТ6112Б р-п-р Е в с 6112Б
КТ6112В р-п-р Е в с 6112В
КТ6113А П-р-П Е в с 6113А
КТ6113Б п-р-п Е в с 6113Б
КТ6113В п-р-п Е в с 6113В
КТ6113Г п-р-п Е в с 6113Г
КТ6113Д п-р-п Е в с 6113Д
КТ6113Е п-р-п Е в с 6113Е
КТ6114А п-р-п Е в с 6114А
КТ6114Б п-р-п Е в с 6114Б
КТ6114В п-р-п Е в с 6114В
КТ6114Г п-р-п Е в с 6114Г
КТ6114Д п-р-п Е в с 6114Д
КТ6114Е п-р-п Е в 6114Е
КТ6115А L в 6115А
Т6115Б Е в “1 6115Б
Г J 6115В
39
Корпуса для монтажа в отверстия
Таблица 2 (окончание)
Мммщроем
1 э
КТ6115Г р-п-р Е
КТ6115Д р-п-р Е в с 6Т15Д
КТ6115Е р-п-р Е в с 6115Е
КТ6116А Р П-Р Е в с 6116А
КТ6116Б р-п-р Е в с 6116Б
КТ6117А п-р-п Е в с 6117А
КТ6117Б п-р-п Е в с 6117Б
КТ6127А р-п-р С в Е 6127А
КТ6127Б р-п-р С в Е 6127Б J
КТ6127В р-п-р С в Е 6127В
КТ6127Г Р-П-Р С в Е 6127Г
КТ6127Д Р-П-Р С в Е 6127Д
КТ6127Е р-п-р С в Е 6127Е
КТ6127Ж Р-П-Р С в Е 6127Ж
КТ6127И р-п-р С в Е 6127И
КТ6127К Р П-р С в Е 6127К
КТ6128А п-р-п Е в С 6128А
КТ6128Б п-р-п Е в С 6128Б
КТ6128В п-р-п Е н в С 6128В
КТ6128Г п-р-п Е в С 6128Г
КТ6128Д п-р-п Е в С 6128Д
КТ6128Е п-р-п Е н в С 6128Е
КТ6133А р-п-р С в Е ' 6133А
КТ6133Б р-п-р С в Е 6133Б
КТ6133В р-п-р < С в Е 6133В
КТ6134А п-р-п С в Е 6134А
КТ6134Б п-р-п с в Е 6134Б
КТ6134В п-р-п г с в Е 6134В
КТ6135А п-р-п с в Е 6135А
КТ6135Б п-р-п с в Е 6135Б
КТ6135В п-р-п I с в Е 6135В
КТ6135Г п-р-п в Е 6135Г
КТ6136А р-п-р с в Е 6136А
КТ6137А с 6137А
КР1210ЕН1 к А ЕН1
Символьно-буквенная маркировка
Основным признаком этой маркировки является сочетание геометрических симво-
лов, букв и цифр
Срез боковой поверхности корпуса делится на четыре информационных поля До 1991
года встречались различные порядки использования информационных полей (Рис. 13)
В настоящее время используется следующий порядок верхнее левое поле обознача-
ет тип прибора (один геометрический символ, буква или цифра) верхнее правое поле —
группу (одна буква), нижнее левое поле — год выпуска, нижнее правое — месяц выпуска
(дата согласно ГОСТ 25486-82) (Рис. 14). Варианты данного класса маркировки даются в
Табл. 3 (условные обозначения, используемые в таблице, см. на стр 206)
КТ209Б КТ209В КТ209Е КТ339АМ КТ339АМ КТ3102Г КТ503Д
Рис. 13
40
КТ-26
Тип
Год
выпуска
1 * :
Группа
Месяц
выпуска
Рис. 14
Таблица 3
Прибор Функция Тип Рисунок*
КТ632х1 р-п-р 1 шт о 1
КТ638 п-р-п 2 ГТ (Зм I
КТ3102хМ п-р-п 2 1 I ОГОГП
КТЗЮ2хМ2 п-р-п 3 CD ОШ
КТ3102хМ2 п-р-п 4 и*’1' ; ь— В 1 с Г Е
КТ3107х2 р-п-р 7 room
КТ681А р-п-р 1 тп огот
КР1157ЕНххО2А reg+ IA l^g к 1 |п г — Сот Out
КР1157ЕНххО1А reg+ A —— Out - ~*~ In Сот
КП364х n-FET A . Е Г с Г— в
КП361Х n-FET Б ( 1 i • ООСЛ
КП307х1 n-FET В В ввз S - _ D G
КР1171СПхх vd В Out *х=-=г Сот In
КР1170ЕНхх reg+ г - In “ — Сот Out
* На всех рисунках в этой таблице «А» в правом верхнем углу означает пример для rpynni
«А», «Е5» внизу — условную дату изготовления (май 1994 год)
41
Корпуса для монтажа в отверстия
Таблица 3 (окончание)
Рисун«*
КТ680А п-р-п г 1 . In Com Out
КТ680АЗ п-р-п т E В c
КТ517х п-р-п П E В c
КТ698х п-р-п п ШШО
КТ6127Х р-п-р U шсао t
КТ523х р-п-р с СЙМ' ШССЮ L
КТ3166Х п-р-п т ш mo ii
КТ313х1 р-п-р JL o cd m
КТ503х п-р-п • ШШО
КТ502х р-п-р » ичнк Е Й11ИВ — в ~ с
КТ3102хМ п-р-п г ш mo IL
КТ203хМ р-п-р л orom
КТ3157А р-п-р к (2ШО 1 9
КТ342хМ п-р-п orom
КТ209х1 р-п-р ♦ ШШО 1
КТ3107х2 р-п-р ▼ E В f c
КТ326хМ р-п-р ▼ 1 Orom
КТЗЗЭхМ п-р-п Л 1 B E Г C
* На всех рисунках в этой таблице «А» в правом верхнем углу означает пример для группы
«А», «Е5» внизу — условную дату изготовления (май, 1994 год)
42
КТ-26
Символьно-цветовая маркировка
Основным признаком является наличие цветных геометрических символов на срезе
боковой поверхности корпуса и отсутствие каких-либо букв/цифр Варианты данного
класса маркировки даются в Табл. 4 (условные обозначения, используемые в таблице,
см на стр 206). Тип прибора указывается на срезе боковой поверхности корпуса цвет-
ным геометрическим символом, группа — на торце корпуса цветными точками (Рис. 15)
Здесь необходимо отметить, что символ наносится с помощью специального штампа и
поэтому имеет четкую форму и «оттиснутый» вид, а точка наносится кистью и поэтому не
имеет четкой формы, но заполняется краской гораздо более плотно (Рис. 16)
Рис. 15
Символ
(оттиск
штампа)
Точка
(мазок
кистью)
КТ645Б КТ503Б
Рис. 16. Символ в виде кружка
следует отличать от точки (см. Табл. 6)
Таблица 4
Маркировка
нас*** ап**»
КТ645А п-р-п белый — — Е В С
КТ645Б п-р-п белый белая што
КТ645М п-р-п зеленый две белые ШШО а
КТ645Л п-р-п зеленый две зеленые Осот
КТ645К п-р-п зеленый две красные в Е
:: Ж В с
КТ645Ж п-р-п зеленый две синие И што
КТ645И п-р-п зеленый белая ГдГ што
КТ645Г п-р-п зеленый желтая г Е В С
КТ645Д п-р-п зеленый зеленая * што J
КТ645В п-р-п зеленый красная што
43
Корпуса для монтажа в отверстия
Таблица 4 (продолжение)
Тигкжсмикал Фу НАЦИЯ Маркировка I ж
... Символ на срезе Точка на торце
КТ645Е п-р-п зеленый синяя ЖЖ Е * в с
КТ645А п-р-п белый — шшо 1
белый белая
КТ645Б п р-п с
КТ3126А р-п-р зеленый — што Hl
КТ3126Б р-п-р зеленый зеленая с
ШШЛ В
KT361A3 р-п-р синий —' i • с Е
Ж”!'. i в
КТ361А2 р-п-р синий белая • ~с Т- Е
в*** в
КТ361В2 р-п-р синий р то
КТ361ДЗ синий МВ; ₽ В
р-п-р Е
шл в
КТ361Е2 р-п-р синий —*“ № W С Шм» Е
дач в
КТ361Ж2 р-п-р синий — s с ЯшмйЙ Е
КТ361Б2 р-п-р синий желтая 1^1 того
КТ361И2 р-п-р синий зеленая того
КТ361К2 ЯШЛ в
рп-р синий W Е
КТ361ГЗ р-п-р синий красная того
КТ361Л2 р-п-р синий — Pl того
КТ361М2 р-п-р синий —
КТ361Н2 р-п-р синий — • Е
В
КТ361Г2 р-п-р синий **
► 44
КТ-26
Таблица 4 (продолжение)
Маркировка
Символ на срезе на торце
КТ361П2 р-п-р синий — Г’’-' в • Е
КТ361Д2 р-п-р синий синяя 1 • г-.-- В - С Е
КТ6117А п-р-п белый — С В Е
КТ6117Б п-р-п белый белая П тгоо
КТ6116А р-п-р зеленый — pm с I 4 в Е
КТ6116Б р-п-р зеленый зеленая ВИВ с 14 в liSfr е
КТ6110А п-р-п зеленый белая С в 1 Е
КТ6110Г п-р-п зеленый желтая ) * t. -х—- С —" . |™’" ф ' L:!!: £
КТ6110Б п-р-п зеленый зеленая 1 - W тело
КТ6110В п-р-п зеленый красная Г * С - В Е
КТ6110Д п-р-п зеленый синяя - с в ™ Е
КТ6114Г п-р-п белый две белые 4 •' * t — С В Г Е
КТ6114Д п-р п белый две зеленые i г > с — В вЕ
КТ6114Е п-р-п белый две красные ив с Вж — в Е
КТ6114А п-р-п белый белая BBS* с - В НЫЫ Е
КТ6114Б п-р-п бельй зеленая MWW: - С В Е
КТ6114В п-р-п белый красная Г" —“ С в
КТ6И5Г р-п-р зеленый две белые с - в Г Е
КТ6115Д Р-П-Р зеленый две зеленые н шгоо
45
Корпуса для монтажа в отверстия
Таблица 4 (продолжение)
КТ6115Е Маркировка
•я орвэя «там»
две красные
р-п-р зеленый О СОШ
КТ6115А р-п-р зеленый белая «ПН ГПСОО — j
КТ6115Б р-п-р зеленый зеленая Осо ш Г*» 1
КТ6115В р-п-р зеленый красная ня та ПВО
КТ6109А р-п-р белый белая у. О СОШ
КТ6Ю9Г р-п-р белый желтая ГПОТО
КТ6109Б р-п-р белый зеленая с * .< m ОТ О
КГ6109В р-п-р белый красная ОСО ш
КТ6109Д р-п-р белый синяя | с в F Е
КТ6111Б п-р-п белый желтая ОСО ш
КТ6111В п-р-п белый зеленая • «МКН m ото
КТ6ША П-р-П белый красная и mono
КТ6111Г п-р-п белый синяя К" " 1 с В f Е
КП365А n-FET белый — к d
S I G
КП365Б n-FET белый белая ОСЛО
КП501А n-MOS зеленый — мн 1 S D 1 G
КП501Б n-MOS зеленый белая 1 у ggg woo t -
КП501В n-MOS зеленый зеленая В S D b- G
КД130АС d зеленый | A2 KI K2 F Al
► 46
КТ-26
Таблица 4 (продолжение)
47
Корпуса для монтажа в отверстия
Таблица 4 (продолжение)
Маркировка
КЖ101А1 cld белый — ЛГ5Г» .0 |Ц*| с ИЗ»
КС106А1 dz белый ШШО
КТ399БМ n-p-n белый белая
•с > Е | В J С
КТ399ГМ n-p-n белый голубая
ЯЕ в J с
КТ399ВМ n-p-n белый зеленая с 1 в
J а
КТ399АМ n-p-n белый красная
1
в с
КР1064КТ1Б btd белый белая
•И ГВ S 1 G Lf D
КР1064КТ1Г btd белый голубая
•II s Ь_ G Lf D
КР1064КТ1В btd белый зеленая
11 *1 - S 1 G LX D
КР1064КТ1А btd белый красная
II S t G D
КТ3144А n-p-n белый — ШШО jIL
КТ201ДМ n-p-n белый две белые orom
КТ201БМ n-p-n белый белая
1 E f В — c
КТ201ГМ n-p-n белый голубая
1' ш mo
КТ201ВМ n-p-n белый зеленая orom
КТ201АМ n-p-n белый красная orom
КТ316ДМ n-p-n белый две белые 1 E в J c
КТ316БМ n-p-n белый белая orom
КТ316ГМ n-p-n белый голубая : 1
► 48
КТ-26
Таблица 4 (продолжение)
Функция I Маркировка Рисунок
Символ на срезе Точка на торце
КТ316ВМ п-р-п белый зеленая што II!
КТ316АМ п-р-п белый красная ого т
КТ502Е р-п-р белый две белые
што и
КТ502А р-п-р белый белая што В
КТ502Г р-п-р белый желтая огот
КТ502Б р-п-р белый зеленая што В
КТ502В р-п-р белый красная ^^1 Е ; в с
КТ502Д р-п-р белый синяя В ого т
КТ503Е п-р-п зеленый две белые 1 што
КТ503А п-р-п зеленый белая ! огот
КТ503Г п-р-п зеленый желтая 11 што
КТ503Б п-р-п зеленый зеленая огот
КТ503В п-р-п зеленый красная ЛК-.
КТ503Д п-р-п зеленый синяя огот
КТ3107Л р-п-р белый две белые Огот
КТ3107Г р-п-р белый белая и зеленая 0 огот
КТ3107Д р-п-р белый белая и красная Ого т
КТ3107В р-п-р белый две голубые што м
КТ3107Е р-п-р белый две зеленые што LJ
49
Корпуса для монтажа в отверстия
Таблица 4 (окончание)
Типономинал Функция Маркировка Рисунок
Символ на срезе Точка на торце
КТ3107И р-п-р белый две красные j Е В С
КТ3107К р-п-р белый белая к Е В I С
КТ3107А р-п-р белый голубая
h Е
1нини1 F—В
КТ3107Б р-п-р белый зеленая А*А' огот
КТ3107Ж р-п-р белый красная ч Е
В
С
КТ315Р1 п-р-п темно-зеленый две белые 1} < тосп
КТ315И1 п-р-п темно-зеленый две желтые j 4 того
КТ315Н1 п-р-п емно-зеленый две зеленые i' 4 г В с
Е
КТ315Ж1 п-р-п темно-зеленый две красные ЕЕ того
КТ315Д1 п-р-п темно-зеленый две синие Е£ того
КТ315Е1 п-р-п темно-зеленый белая Г5 k R
I в
КТ315Б1 п-р-п темно-зеленый желтая Р соош
КТ315В1 п-р-п темно-зеленый зеленая рг III того
КТ315А1 п-р-п темно-зеленый красная I "4 того
КТ315Г1 п-р-п темно-зеленый синяя Е соош
Цветовая двухточечная маркировка
Отличается наличием цветной точки на срезе боковой поверхности корпуса (капля
краски, наносимая кистью вручную), кодирующей тип прибора на торце корпуса цветной
точкой указывается группа (Рис. 17) Точки наносятся цветной эмалью типа ЭП140 по
ГОСТ 24709-81 согласно цветовому ряду из Табл. 5. Кодирование группы часто произво-
дится тоже согласно цветовому ряду из Табл. 5, хотя возможны как частичные нарушения
этого ряда, так и полное им пренебрежение Варианты данного класса маркировки дают-
ся в Табл. 6 (условные обозначения, используемые в таблице, см. на стр 206)
50
Таблица 5
I Гррта
Ф Ф темно-красный/красный А
? желтый Б
Ф Ф темно-зеленый/зеленый В
Ф голубой Г
ф синий Д
О белый Е
Ф Ф темно-коричневый/коричневый Ж
серебристый И
Ф оранжевый к
Ф табачный л
Ф серый м
Рис. 17.Точку следует отличать
от символа в виде кружка
(см. Табл. 4)
Таблица 6
Маркировка Рисунок
Тжжсммиал Функцик Точка на боковом срезе Точка на торце
КГ6112А р-п-р красная темно-красная
I КТ6112Б р-п-р красная желтая R ПИЛО
КТ6112В р-п-р красная зеленая оиш ы
КТ203АМ р-п-р темно-красная темно-красная а опт
КТ203БМ р-п-р темно-красная желтая (Г-о в W с
КТ203ВМ р-п-р темно-красная темно-зеленая в
КТ502А р-п-р желтая темно-красная В осот
КТ502Б р-п-р желтая желтая а опт
КТ502В р-п-р желтая темно-зеленая В опт
КТ502Г р-п-р желтая голубая D ।
КТ502Д р-п-р желтая синяя С !
КТ502Е р-п-р желтая белая ] в
51
Корпуса для монтажа в отверстия
Таблица 6 (продолжение)
Маркировка
Типономинал Фучкцм
Точка на боковом срезе Точка на торце
КТ3102АМ п-р-п темно-зеленая темно-красная што
КТ3102БМ п-р-п темно-зеленая желтая г> ОЗ ГП
КТ3102ВМ п-р-п темно-зеленая темно-зеленая што
КТ31О2ГМ п-р-п темно-зеленая голубая П О в * ' с
КТ3102ДМ п-р-п темно-зеленая синяя А О<л гл
КТ3102ЕМ п-р-п темно-зеленая белая опт
КТ3102ЖМ п-р-п темно-зеленая темно-коричневая што 111
КТ3102ИМ п-р-п темно-зеленая светло табачная А опт
КТ3102КМ п-р-п темно-зеленая серая опт
КТ339А п-р-п голубая — ОГП СП
КТ6111А п-р-п голубая темно-красная тгоо
КТ6111Б п-р-п голубая желтая Ш в ОИ0
КТ6111В п-р-п голубая зеленая 0 т сп О
КТ6111Г п-р-п голубая синяя лннб с И в МЫТ Е
КТ342АМ п-р-п синяя темно-красная што
КТ342БМ п-р-п синяя желтая ШШО
КТ342ВМ п-р-п синяя темно-зеленая што
КТ342ГМ п-р-п синяя голубая што
КТ342ДМ п-р-п синяя синяя ш со О
52
КТ-26
Таблица 6 (продолжение)
Маркировка
Типономинал Функция Точка на боковом срезе Точка на торце Рисунок 1
КВ131А var синяя '* • и К Г”
А
КВ131А2 var синяя т к
А
КТ503А n-p-n белая темно-красная
С
КТ503Б n-p-n белая желтая L Е н в Г С
КТ503В n-p-n белая темно-зеленая
Р— с
КТ503Г n-p-n белая голубая Е - В Г С
КТ503Д n-p-n белая синяя Г”®****' Е ——— в с
КТ503Е n-p n белая белая пг г Е В с
КТ326АМ p-n-p коричневая розовая ООТГП
КТ326БМ p-n-p коричневая желтая 1 шшо
КТ632А1 серебристая темно-красная Е
p-n-p С
КТ632Б1 p-n-p серебристая желтая 1 • т 1 i осот
КТ632В1 p-n-p серебристая теми )-зеленая • II осот
КТ313А1 p-n-p оранжевая темно-красная Е
с
КТ313Б1 p-n-p оранжевая желтая 1 > Е В " С
КТ313В1 оранжевая темно-зеленая ... Е
p-n-p g с
КТ313Г1 p-n-p оранжевая голубая Е
1 i > в с
КТ638А Е
n-p-n оранжевая темно-красная Ьннв в Г““ с
КТ638Б Е
n-p-n оранжевая желтая 1 1 в ~ с
53
Корпуса для монтажа в отверстия
Таблица 6 (окончание)
КП364А n-FET Марки Точка на боковом срезе . табачная ровка Точка наторив темно красная S D t- G
КП364Б n-FET табачная желтая S D G
КП364В n-FET табачная темно-зеленая S D G
КП364Г n-FET табачная голубая S _____ D ’ G
КП364Д n-FET табачная синяя r s D G
КП364Е n-FET табачная белая S D G
КП364Ж n-FET табачная темно-коричневая S D G
КП364И n-FET табачная светло-табачная S D G
КТ209А p-n-p серая темно-красная = & c
КТ209Б p-n-p серая желтая E
c
КТ209В p-n-p серая темно-зеленая E В C
КТ209Г p-n-p серая голубая E 1 В C
КТ209Д p-n-p серая синяя E В C
КТ209Е p-n-p серая белая E В C
КТ209Ж p-n-p серая коричневая E В C
КТ209И p-n-p серая серебристая E В C
КТ209К p-n-p серая оранжевая E В Г C
КТ209Л p-n-p серая светло-табачная E В C
КТ209М p-n-p серая серая E В C
54
КТ-26
Цветовая четырехточечная маркировка
Использовалась до 1986 года Почти все приборы, отмаркированные четырьмя
цветными точками на срезе боковой поверхности корпуса выпускались как в корпусе
КТ-26 (Рис. 18), так и в корпусе КТП-4 (Рис. 19) Точки наносятся цветной эмалью типа
ЭП140 Кодирование группы, месяца и года выпуска производится строго согласно цве-
товому ряду из Табл. 7. Все варианты данного класса маркировки даются в Табл. 8
(условные обозначения используемые в таблице см на стр 206).
Таблица 7 "***. » -4 * 'ч '»* КТ-26 Рис 18 КТП-4 Рис. 19 Я Группа 0^ Год выпуска । Группа к Год выпуска
Месяц Год Тип Месяц выпуска Тип _ Месяц выпуска
Розовый А — —
Желтый Б Ноябрь —
Ф Синий В Февраль —
Я Бежевый Г Январь 1977
Я Оранжевый Август 1979
О Бель Е Октябрь 1982
• Электрик Ж Сентябрь 1980
♦ Салатовый И Маи 1978
S Зеленый К Март 1985
• Красный Л Апрель 1983
• Серый м Июнь —
Ф Коричневь Июль 1984
• Голубой — Декабрь 1986
* Бирюзовый — — 1981
Таблица 8
Типономинал Функция Маркировка на боковом срезе Рисунок”
Точка в левом Точка в правом
ЛЧЧТ Е
КГ363АМ р-п-р розовая розовая в ш - с
КТ363БМ р-п-р розовая желтая ” Xi в с
КТ351А р-п-р желтая розовая Au в • с
КТ351Б р-п-р желтая желтая в ' с
КТ349А р-п-р синяя розовая t±s в
На всех рисунках в этой таблице две нижние белые точки указывают условную дату
изготовления (октябрь, 1982 год)
55
Корпуса для монтажа в отверстия
Таблица 8 (продолжение)
Маркировка на боковом срез*
Точка в левом Точка в правом
верхнем углу верхнем углу
OVRb—
КТ363АМ р-п-р розовая розовая ж- ~в ЪЛь с
КТ363БМ — Е
р-п-р розовая желтая к Ч..’‘ В шЫ с
4|да и
КТЗбIА р-п-р желтая розовая » в
Е
КТ351Б р-п-р желтая желтая Илг _ в
с
КТ349А тп
р-п-р синяя розовая Ь
Е
К1349b р-п-р синяя желтая f ГХ В
tfitf С
КТ349В -в
р-п-р синяя синяя г- в
КТ352А р-п-р зеленая розовая ЯЯМ- - в
КТ352Б р-п-р зеленая желтая Е пч в
с
КТ337А р-п-р красная розовая л Otom
Г~~ - — Е
КТ337Б р-п-р крас ая желтая !• а
КТ337В р-п-р красная синяя Л-1 О го п-1
КТ350А р-п-р серая розовая в О шт
КТ3107А р-п-р голубая розовая ем
КТ3107Б р-п-р голубая желтая о со т
КТ3107В р-п-р голубая синяя ЧШ С
КТ3107Г р-п-р голубая бежевая шшО б
голубая Ml Е
КТ3107Д р-п-р оранжевая ВНИ- — в
Wat* с
* На всех рисунках в этой таблице две нижние белые точки указывают условную дату
изготовления (октябрь 1982 год)
56
КТ-26
Таблица 8 (окончание)
Маркировка на боковом срезе L Рисужж*
Точка в левом верхнем углу Точка в правом верхнем углу
КТ3107Е р-п-р голубая электрик * ' ее» III о oom
КТ3107Ж р-п-р голубая салатовая LU СО О
КТ3107И р-п-р голубая зеленая Е
В с
КТ3107К р-п-р голубая красная осот
КТ3107Л р-п-р голубая серая Е
В с
КТ326АМ р-п-р коричневая розовая г Е
“ в с
КТ326БМ р-п-р коричневая желтая осо т
КТ345А р-п-р белая розовая - Е В С
КТ345Б р-п-р белая желтая г— Е В С
КТ345В р-п-р белая синяя Е В С
* На всех рисунках в этой таблице две нижние белые точки указывают условную дату
изготовления (октябрь. 1982 год)
Нестандартизируемая маркировка
Все виды маркировки не подпадающие под вышеперечисленные классы Многие из
них даются в Табл. 9 (условные обозначения используемые в таблице, см. на стр 206).
57
Корпуса для монтажа в отверстия
Таблица 9 (продолжение)
КП402А p-MOS Две красных точки на торце корпуса S D G
КП403А n-MOS Три красных точки на торце корпуса S D G
КП329А n-FET Одна цветная точка на корпусе (цвет точки не оговаривается) (ЛОО
КП329Б n-FET Две цветных точки на корпусе (цвет точек не оговаривается)
КТ208А1 p-n-p Е В С
КТ208Б1 p-n-p Маленький кружок в центре среза боковой сторонь и буква группы Е В С
КТ208В1 p-n-p UJtDO
КТ325АМ n-p-n Две белых точки на торце корпуса расположенные перпендикулярно срезу I
КТ326АМ p-n-p Розовая точка у коллектора на срезе боковой стороны - Е В С
КТ326БМ p-n-p Желтая точка у коллектора на срезе боковой стороны осот
КТ368АМ n-p-n Две белых или красных точки на торце корпуса ШШО
КТ368БМ n-p-n Одна белая или красная точка на торце корпуса Е В С
КН104А btd Точка (обычно белая) у анода длинный вывод не используется* \с
КН104Б btd Нет маркировки длинный вывод не используется** ...
КР1125КП2А bW Белая точка на торце корпуса А п с К
КР1125КПЗА btd Торец корпуса закрашен красным Е А2 At К
КР1125КПЗБ \ btd Торец корпуса закрашен синим г - А2 А1 К
КР1125КПЗВ btd Торец корпуса закрашен зеленым А2 А1 К
* Анодом может быть любой из коротких выводов
* * Неполярный прибор
► 58
.1
КТ-27
МАРКИРОВКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
В КОРПУСЕ КТ-27 (ТО-126)
КГ646А КТ646Б КТ972А КТ972Б КТ973А
КТ815А КТ816Г КТ816Г КТ817Б КТ817Б
КТ8131А КТ940 КТ961А КТ9115
59-
Корпуса для монтажа на поверхность
КАК ПОЛЬЗОВАТЬСЯ ТАБЛИЦАМИ ПО SMD-КОМПОНЕНТАМ
Сортировка по кодам задана с приоритетом цифр перед буквами, следовательно
код 618 расположен раньше, чем код 64S и 6А, а код А1 — после 9А
Для увеличения количества информации в таблицах широко используются сокраще-
ния Ниже приведен конкретный пример
о © © о
© © О © © ©
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
WXs BCR196W SIEM p-n-p UcbQ=50B Iq=70 mA, Pq-250 мВт h2i>S0 Ту>150МГц В E c
ZR MSD1819A RT1 МОТ П p-n Ucb0=60 В Ic=100mA Pd=150mBt h2l=210-340 E В c
Е2 HSMP 381С HP pm Два 1F<1 A VBR>1OOB Rt<300m Ст<0 35пФ Rh>1500 0m Rl<100m А1 K2 A2 KI
JF BAL99W PHIL fd Vr<70В lp< 150mA Vp(1p=50mA)<1 OB Cq<1 5пФ Trr<4hc nc К A
GO HSMP 389В HP pin lp<1 A Vgq>lOOB Rg<2 5OM Су^ОЗОлФ A nc К
63 BAS40W PHIL shd Vp<40B 1р<120мА, Vf(lp_l мА)<380мВ Ср<5пф TRR<0 1 нс A nc К
О — название корпуса (EIAJ, JEDEC ),
@ — общий вид (не в масштабе)
© — код нанесенный на корпус
0 — габаритный чертеж с указанием цоколевки,
© —возможные варианты кодов Бывают ситуации, когда совпадают код и тип
корпуса а приборы разные Например, на корпусе типа SOT-323 нанесен код
6Н У фирмы «Philips» это л-р-п-транзистор типа BC818W, а у фирмы «Motorola»
это р-п-р-транзистор типа MUN5131T1 с совершенно другими параметрами,
0 — типономинал (полное название прибора),
0 — сокращенное название фирмы-производителя Например, SIEM — фирма
«Siemens» HP — «Hewlett-Packard» и тд Для расшифровки необходимо
воспользоваться таблицей на стр 203—205,
© — функциональное назначение прибора Например, л-р-л-транзистор с указанной
проводимостью, shd — диод Шоттки и тд Для расшифровки необходимо
воспользоваться таблицей на стр 206,
0 — особенности или основные электрические характеристики прибора Для
расшифровки необходимо воспользоваться таблицей на стр 206
ф — цоколевка (см габаритный чертеж) Для расшифровки необходимо воспользо-
ваться таблицей на стр 206
80
Первый вывод полярных приборов маркируется точкой,
выемкой или полосой у катода
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2
AD SMBJ5 ОС VISH vs VBr(It=10 0mA)=6 40 7 55B,Vwm=5 0B Ipp=62 5A X X
АЕ SMBJ5 ОСА VISH vs Vbr(It='0 0mA)=6 40 7 23B Vwm=5 OB lp₽=65 2A X X
AF SMBJ6 ОС VISH vs Vbr(It=10 0mA)=6 67 8 45B, W6 OB, lp₽=52 6A X X
AG SMBJ6 ОСА VISH vs V0r(It=iO 0mA)=6 67 7 67B, Vwm=6 OB, lPP=58 ЗА X X
АН SMBJ6 5С VISH vs V8r(It=10 0mA)=7 22 9 14B, Vwm=6 5B, Ipp=48 7A X X
АК SMBJ6 5СА VISH vs VBr(It=10 0mA)=7 22 8 30B,Vwm=6 5B lPP=53 6A X X
AL SMBJ7 ОС VISH vs VBr(It=10 0mA)=7 7B 9 86B, W7 OB, Irp=45 1А X X
AM SMBJ7 ОСА VISH vs V8r(It=10 0mA)=7 78 8 95B, W? OB. IPP=5O OA X X
AN SMBJ7 5С VISH vs Vbr(It=1 0mA)=8 33 10 80B Vww=7 5B, lPP=42 OA X X
АР SMBJ7 5СА VISH vs VBr(It=1 0mA)=8 33 9 58B Vwm=7 5B Irp=46 5A X X
АО SMBJ8 ОС VISH vs VBr(It=1 0mA)=8 89 11 ЗОВ, Vwm=8 OB lPP=40 OA X X
AR SMBJ8 ОСА VISH vs VBr(It=1 0mA)=8 89 10 23B, W8 OB, Irp=44 1A X X
AS SMBJ8 5С VISH vs VBr(It=1 0mA)=9 44 11 92B W8 5B 1^37 7A X X
АТ SMBJ8 5СА VISH vs VBr(It=1 0mA}=9 44 10 82B, Vwms8 5B, 1рр=41 7A X X
AU SMBJ9 ОС ViSH vs VBr(It- 1 0mA}=i0 00 12 80B, Vwm=9 OB, lPP=35 5A X X
AV PSMBJ9 ОСА VISH vs VBr(It=1 OmAHO 00 11 50B, Vwm=9 OB, lPP=39 OA X X
AW SMBJ1OC VISH vs VBr(It=1 0mA)=11 10 1410B, Vwm=10 OB, IPP=31 9A X X
АХ SMBJ10CA VISH vs VBr(It=1 0mA)=11 10 12 80B, Vwm=10 OB, lPP-35 ЗА X X
AY SMBJ11C VISH vs VBr(It=1 0mA)=12 20 15 40B, Vwm=11 OB, lPP=29 9A X X
AZ SMBJ11CA VISH vs VBr(It=1 0mA)=12 20 14 40B, W11 OB, 1^=33 OA X X
BD SMBJ12C VISH vs VBr(It=1 0mA)=13 30 16 90B Vwm=12 0B Irp=27 3A X X
BE SMBJ12CA VISH vs VBr{It=1 0mA)=13 30 15 ЗОВ, Vwm=12 OB, lPP=30 2A X X
BF SMBJ13C VISH vs VBr(It=1 0mA)=14 40 18 20B, Vwm=13 OB, (№=25 2A X X
BG SMBJ13CA VISH vs VBr(It=1 0mA)=14 40 16 50B,Vwm=13 0B 1^=27 9A X X
ВН SMBJ14C VISH vs VBr(It=1 0mA)=15 80 19 80B Vwm=14 OB lPP=23 ЗА X X
ВК SMBJ14CA VISH vs VBr(It=1 0mA)=15 80 17 90B,Vwm=14 0B lPP=25 8A X X
BL SMBJ15C VISH vs Vbr(It=1 0mA)=16 70 21 ЮВ, W15 OB, Irp=22 ЗА X X
ВМ SMBJ15CA VISH vs VBr(It=1 0mA)=16 70 19 20B, Vwm=15 OB, Irp=24 OA X X
BN SMBJ16C VISH vs V6r(It=1 0mA)=17 80 22 80B, Vwm=i6 OB, lPP=20 8A X X
6-1375
81
DO-214AA, SMB
Код Тип Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2
BP SMBJ16CA VISH vs Vbr('t=1 0mA)=17 80 20 50B VWM-16 OB |РР-23 1A X X
BQ SMBJ17C VISH vs VBR(IT-1 0мА)=1890 2390B Vwm-170B Ipp-19 7A X X
BR SMBJ17CA VISH vs VBr(It-1 0mA)=18 90 21 70B W17 0B lpp-21 7A X X
BS SMBJ18C VISH vs Vbr(It-1 0mA)=20 00 25 30B VWm=18 0B Ipp=18 6A X X
ВТ SMBJ18CA VISH vs Vbr(It-1 0mA)=2000 23 ЗОВ VWM=180B lPP=20 5A X X
BU SMBJ20C VISH vs VBr(It-1 0mA)*22 20 28 10B VWM=20 OB |РР"1б 7A X X
BV SMBJ20CA VISH vs VBr(It=1 0mA)~22 20 25 50B V«m=20 OB 1^-18 5A X X
BW SMBJ22C VISH vs Vbr(It-1 0mA)=24 40 30 90B VWM=22 OB lPP-15 2А X X
BX SMBJ22CA VISH vs VBr(It-1 0mA)=24 40 28 00B Vwm-22 OB |рр=1б9А X X
BY SMBJ24C VISH vs VBr(IT=1 0mA)=26 70 33 80B VWM=24 0B IPP=14 0A X X
BZ SMBJ24AC VISH vs VBR(IT=1 0mA)-26 70 30 70B VWM=24 OB Icp-15 4A X X
CD SMBJ26C VISH vs V8r(It=1 0mA)=28 90 36 BOB VWM-26 OB IPP=12 4A X X
CE SMBJ26CA VISH vs VBr(It=1 0mA)*28 90 33 20B VWM-26 OB lPP=14 2A X X
CF SMBJ28C VISH vs Vbr(It=1 0mA)=31 10 39 40B VWM=28 0B IPP=12OA X X
CG SMBJ28CA VISH vs Vbr(It=1 0mA)-31 10 35 80B VWM=28 OB lPP=13 2A X X
CH SMB30C VISH vs Vbr(It-1 0mA)=33 30 42 20B VWM=30 OB lPP-11 2A X X
CK SMBJ30CA VISH vs Vbr(It=1 0mA)=33 30 38 ЗОВ VWM=30 0B IPP=12 4A X X
CL SMBJ33C VISH vs VBr(1t=1 0mA)-36 70 46 90B VWM=33 0B lPP-10 2А X X
CM SMBJ33CA VISH vs Vbr<It=1 0mA)=36 70 42 20B VWM"33 OB |PP-11 ЗА X X
CN SMBJ36C VISH vs VBrOt=I 0mA)=40 00 50 70В УШ=36ОВ lPP-9 3A X X
CP SMBJ36CA VISH vs Vbr(It=1 0mA)=40 00 46 00B VWM-36 OB IPP-1O3A X X
CQ SMBJ40C VISH vs VBr(It=1 0mA)=44 40 56 30B VWm"40 OB lPP=8 4A X X
CR SMBJ40CA VISH vs VBr(It=1 0mA)=44 40 51 ЮВ VWM=40 0B lpp=9 ЗА X X
CS SMBJ43C VISH vs VBr(It=1 0mA)=47 80 60 5OB W43 OB lPP-7 8A X X
CT SMBJ43CA VISH vs VBr(It-1 0mA)=47 80 54 90B VWM-430B lpp=8 6A X X
cu SM8J45C VISH vs Vbr(It-1 0mA)=50 00 63 ЗОВ Ущ-45 OB lPP=7 5A X X
cv SMBJ45CA VISH vs VBR(IT=1 0mA)=50 00 57 50B VWM=45 OB lpp=8 ЗА X X
cw SMBJ46C VISH vs VBfi(lT=1 0mA)-53 30 67 5OB ^-48 OB lPP-7 DA X X
ex SMBJ48CA VISH vs Vbr0t=1 0mA)=53 30 61 ЗОВ VWM=48 0B lpp=7 7A X X
CY SMBJ51C VISH vs Vbr(It=1 0mA)=56 70 71 80B VW=51 OB lPP-6 6A X X
cz SMBJ51CA VISH vs VBr(It=1 0mA)=56 70 65 20B VWM“51 OB lPP=7 3A X X
DD SMBJ54C VISH vs VBr(It"1 0mA)=60 00 76 00B VWM=54 OB lpp=6 2A X X
DE SMBJ54CA VISH vs Vbr(Jt=1 0mA)=60 00 69 00B VWM=54 0B lPP-6 9A X X
DF SMBJ58C VISH vs VBr(It=1 0mA)=64 40 81 60B VWM=58 OB lPP=5 8A X X
DG SMBJ58CA VISH vs VBr(It=1 0mA)=64 40 74 60B VWM=58 OB lPP~6 4A X X
DH SMBJ60C VISH vs V0r(It=1 0mA)=66 70 64 50B VWM=60 OB lPP=5 6A X X
DK SMBJ60CA VISH vs Vbr(It=1 0mA)=66 70 76 70В Уш=60 OB lpp=6 2A X X
DL SMBJ64C VISH vs VBr(It=1 0mA)=71 10 90 ЮВ Vwm-64 OB lPP-5 ЗА X X
DM SMBJ64CA VISH vs VBr(It=1 0mA)=71 10 81 80B VWM=64 OB lPP=5 8A X X
82
DO-214АА, SMB
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2
DN SMBJ70C VISH vs VBr(It-1 0mA)-77 80 98 60B VWM-70 0B lPP’4 8A X X
OP SMBJ70CA VISH vs VBR(IT-1 0mA)=77 80 B9 50B Vwm"70 OB lpp-5 ЗА X X
DQ SMBJ75C VISH vs VBR(IT-1 0mA)=83 30 106 00B VWM"75 0B lpp-4 5А X X
DR SMBJ75CA VISH vs VBr(It-1 0mA)=83 30 95 80B VWM-75 OB lPP=4 9A X X
DS SMBJ78C VISH vs Vbr(It=1 0mA)=B6 70 110 OOB Vwm=78 0B Ipp^4 ЗА X X
DT SMBJ78CA VISH vs VBr(It=1 0mA|=86 70 99 70B Vwm=78 OB lPP=4 7A X X
DU SMBJ85C VISH vs V8R(h=1 0mA)=94 40 119 20B Vwm=85 0B 1^=3 9A X X
DV SMBJ85CA VISH vs VBr(It=1 0mA)=94 40 108 20В Уш=85 OB lPP=4 4А X X
DW SMBJ9OC VISH vs Vbr(It=1 0mA)=100 0 126 50B VWM=90 OB lPP"3 8А X X
DX SM8J90CA VISH vs VBr(It-1 0mA)=100 0 115 50B VWM-90 0B lPP=4 1А X X
DY SMBJ1OOC VISH vs VBr(It=10mA}=1110 141 OOB Vwm=100 0B lPP-3 4A X X
DZ SM8J100CA vish vs VBr(It-1 0mA)=111 0 128 OOB Vwm=100 OB Irr-3 7A X X
EA ES2A GS fd Vr-50B If=2A С0=18пФ к А
EB ES2B GS fd Vr-100B If=2A Со=18пФ к А
EC ES2C GS fd Vr-150B lP-2A С0=18пф К А
ED ES2D GS fd Vr-200B If=2A С0=18пФ К А
ED SMBJ110C VISH vs VBr(It=1 0мА)=122 0 154 50B Vwm=110 0B lpp-З OA X X
EE SMBJ11OCA VISH vs VBR(IT=1 0мА)=1220 140 00B Vwm’HOOB lPP-34A X X
EF SMBJ12OC VISH vs VBr(It_10mA)=133 0 169 OOB Vwm=120 0B Ipp=2 8A X X
EG SMBJ12OCA VISH vs VBr(It=1 OmA)=133 0 153 OOB Vwm=120 0B Ipp"3 1A X X
EH SMBJ13OC VISH vs VBr(It"1 0мА)=144 0 182 50B Vwm=130 0B Ipp-2 6А X X
EK SMBJ130CA VISH vs VBr(It=1 0мА)-1440 165 50B Vwm"130 0B lpp=2 9A X X
EL SMBJ150C VISH vs Vbr(It=1 0mA)=1670 211 50B Vwm=150 OB lPP=22A X X
EM SMBJ150CA VISH vs VBr(It=1 0mA)=167 0 192 50B Vwm’150 0B lPP-2 5A X X
EN SMBJ160C VISH vs VBr(It=1 0mA)=178 0 226 OOB Vwm-160 0B lpp-2 1А X X
EP SMBJ160CA VISH vs VBr(It=1 0mA)=178 0 205 OOB VWM-16OOB lpp=2 ЗА X X
EQ SMBJ170C VISH vs VBr(It=1 0mA)=1890 239 50B Vwm=170 0B lPp-2OA X X
ER SMBJ170CA VISH vs Vbr{It-1 0mA)=189 0 217 50B Vwm=170 0B Ipp-2 2A X X
KD SMBJ5 0 VISH vs Vbr(It-10 0mA)=6 40 7 55B W5 OB lPP=62 5A к А
KDP TPSMB68 GS vs VbrOtW 0mA)-6 12 7 46BVwm=5 50B 1^=55 64 к А
KE SMBJ5 OA VISH vs Vbr(It-W 0mA)=6 40 7 23B VWM-5OB 1^=65 2A К А
KEP TPSMB6 8A GS vs VSr(It-10 0mA)=6 45 714BVWm=5 80B |рр=57 1A К А
KF SMBJ6 0 VISH vs Vbr(It=10 0mA)=6 67 8 45B Vwm"6 OB lPP=52 6A К А
KFP TPSMB7 5 GS vs VBR(IT-1O 0mA)-6 75 B25B VWM-6 05B IPP=51 ЗА К А
KG SMBJ6 OA VISH vs VSr(It=10 0mA)=6 67 7 67B VWm-6 OB Irr-58 ЗА К А
KGP TPSMB75A GS vs VBR(IT-1O 0mA)=7 13 7 88B Vwm=6 40B lPP-53 1A К А
KH SMBJ6 5 VISH vs Vsr(It-W 0mA)-7 22 9 14В Уш-6 5B lPP=48 7A К А
83
D0-214AA, SMB
Код Типономинал Фирма Функции Особенности Цоколевка
1 2
КНР TPSMB8 2 GS vs VBr(It=10 0mA)=7 38 9 02B Vwm"6 63B |pp=48 OA К А
кк SMBJ6 5А VISH vs Vbr(It=10 0mA)=7 22 8 30B VWm=6 5B Ipp=53 6A К А
ККР TPSMBB 2А GS vs V0r(It-1OOmA)-7 79 8 61В V«m=7 02B l₽p=49 6A К А
KL SMBJ7 0 VISH vs Vbr(It=10 0mA)=7 78 9 86B Vwm=7 0B Ipr-45 1A к А
KLP TPSMB9 1 GS vs VBR(IT=1 0mA)=8 19 10 OB Vwm-7 37B l₽p=43 5A к А
КМ SMBJ7 ОА VISH vs Vbr(It~10 0mA)"7 78 8 95B VWM=7 OB lPP=50 OA к А
КМР TPSMB9 1А GS vs VBr(It“1 0mA)=8 65 9 55B VWM-7 78B lPP=44 8A к А
KN SMBJ7 5 VISH vs VBr(It-1 0mA)=8 33 10 80B VWM=7 5B lPp-42 OA к А
KNP TPSMB10 GS vs Vbr(It=1 0mA)=9 00 11 OB VWM=8 tOB lPP=40 0A к А
КР SMBJ7 5A VISH vs V0R(IT=1 0mA)=8 33 9 58B V«M=7 5B lPP=46 5A к А
КРР TPSMB70A GS vs Vbh{It=1 0mA)=9 50 10 58 Vwm~8 55B 1рр=41 4A к А
ко SMBJ8 0 VISH vs VBr(It=1 0mA)=8 89 11 ЗОВ VWM=8 OB lpp=40 OA к А
KQP TPSMB11 GS vs VBP(IT=1 0mA)=9 90 12 1B VwM"8 92B Ipp=37 0A к А
KR SMBJ8 ОА VISH vs Vbr(It"1 0mA)=8 89 10 23B VWM=8 0B 1рр=441А к А
KRP TPSMB11А GS vs VBr(It-1 0mA)=10 5 11 6B VWm=9 40B lPp-38 5A к А
KS SMBJ8 5 VISH vs V0r(It=1 0mA)=9 44 1192B VWM=8 5B lPP=37 7A к А
KSP TPSMB12 GS vs VBR(IT=1 0mA)=10 8 13 2B VWm=9 72B lpp-34 7A к А
КТ SMBJ8 5А VISH vs VBr(It=1 0mA)=9 44 10 82B VWM=8 5B lpp=41 7A к А
КТР TPSMB12A GS vs VBR(IT=1 0mA)-11 4 12 6B VWM=10 2B lPP=35 9A к А
KU SMBJ9 0 VISH vs Vbr(It=1 0mA)=10 00 12 80B Vwm=9 0B 1Ррг35 5A к А
KUP TPSMB13 GS vs VBr(It=1 0mA)=11 7 14 3B Vwm=10 5B lPp=3l 6A к А
KV SMBJ9 ОА VISH vs VBr(It=1 0mA)=10 00 11 50B VWM=9 OB !pp=39 OA к А
КУР TPSMB13A GS vs VBr(It=10mA)=12 4 13 7B Vwm=11 IB (pp-33 OA к А
KW SMBJ1O VISH vs VBr(It=10mA)-11 10 14 10B VWM=1OOB 1Рр-31 9A к А
KWP TPSMB15 GS vs Vbr(It=1 0mA)=13 5 16 5B Уш=12 1B lpp=27 3A к А
кх SMBJ10A VISH vs VBfl{lrl0MAH1 10 12 80B V«m=10 0B lpp-35 ЗА к А
КХР TPSMB15A GS vs Vbr(It-1 0mA)=14 3 15 8B W12 8B lpp=28 ЗА к А
КУ SMBJ11 VISH vs Vbr(It=1 0mA)=12 20 1540B Vis’ll OB lPP=29 9A к А
КУР TPSMB16 GS vs VBr(It-1 0mA)=14 4 17 6B Vwm_12 9B lpp=25 5A к А
KZ SMBJ11A VISH vs VBR(IT-1 0mA)-12 20 14 40B VWM=11 OB Ipp=33 OA к А
KZP TPSMB16A GS vs Vbr(It= 1 0mA)-15 2 16 8B Vwm=13 6B lPP=26 7A к А
LD SMBJ12 VISH vs Vbr(It=1 0mA)=13 30 16 90B Vwm=12 0B lpp-27 ЗА к А
ЮР TPSMB18 GS vs V0r(It=1 0mA)=16 2 19 8B VWM=14 5B lpp_22 6A к А
LE SMBJ12A VISH vs VBr(It=1 0mA)=13 30 15 ЗОВ Vwm’12 0B |PP=30 2A к А
LEP TPSMB18A GS vs Vbr(It=1 0mA)-17 1 18 9B VWM~15 3B lpp=23 8A к А
LF SMBJ13 VISH vs VBr(It=1 0mA)-1440 18 20B VWm=13 0B lPp=25 2A к А
LFP TPSMB20 GS vs V0r(1t-1 0mA)=18 0 22 OB VWM~16 2B lpp=20 6A к А
LG SMBJ13A VISH vs Vbr(It-1 Оман 4 40 16 50B Vwm=13 0B ipP=27 9A к А
84
DO-214АА, SMB
Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2
ZLGP TPSMB20A GS vs Vbr(It=1 0mA}=19 0 21 OB Vwm=17 1B Ipp-21 7A К А
LH SMBJ14 VISH vs VBr(It=1 0mA)=15 60 19 80B VWM=14 0B lPP=23 3A К А
LHP TPSMB22 GS vs VBR(IT=1 0mA)-19 8 24 2B VWM-17 8B lPP=18 8A К А
LK SMBJ14A VISH vs VBR(IT-1 0mA)-15 60 17 90B Vw*r’40B lPP’25 8A к А
LKP TPSMB22A GS vs Vbr(It=1 0mA)_20 9 23 IB Vwm- 18 8B IPP-19 6A к А
LL SMBJ15 VISH vs VBR{IT=1 0mA)-16 70 21 10B Vwm=15 0B |РР-22 ЗА к А
LLP TPSMB24 GS vs Vbr(It=1 0mA)=21 6 264B Vwm=194B lPP=17 ЗА к А
LM SMBJ15A VISH vs VBr{It=1 0mA)=16 70 19 20B Vwm=15 0B lPP 24 0A к А
LMP TPSMB24A GS vs VBR(IT=1 0mA)-22 8 25 2B VWM=20 5B lPP=18 1A к А
LN SMBJ16 VISH vs VBR(IT=1 0мА)=17 80 22 60B Vwm=16 0B lPP"20 BA к А
LNP TPSMB27 GS vs VBR{IT=1 0mA)=24 3 29 7B VWM=21 BB IPP=15 ЗА к А
LP SMBJ16A VISH vs Vbr(It-1 0mA)=17 80 20 50B Vwm=16 0B Ipp=23 1A к А
LPP TPSMB27A GS vs VBR{IT=1 0mA)-25 7 28 4B VWM=23 1B lPP=16 0A к А
LQ SMBJ17 VISH vs VBR{IT=1 0мА)-18 90 23 90B Vwm-17 OB IPP=19 7A к А
LQP TPSMB30 GS vs VBR(IT=1 0mA)-27 0 33 OB VWM=24 3B lPP=138A к А
LR SMBJ17A VISH vs VBR(IT-1 0mA)-1 8 90 21 70B VWM=17 OB IPP"21 7A к А
LRP TPSMB30A GS vs VBR(IT=1 0mA)=28 5 31 5B VWm=25 6B lPP-14 5A к А
LS SMBJ18 VISH vs VBR(IT-1 0mA)-20 00 25 ЗОВ Vwm=18 OB IPP=18 6A к А
LSP TPSMB33 GS vs VBR(IT=1 0mA)=29 7 36 3BVwm=26BB lpp=12 6A к А
LT SMBJ18A VISH vs Vbr(It=1 QmA)=20 00 23 ЗОВ Vwm=18 OB lPP=20 5A к А
LTP TPSMB33A GS vs Vbr(It=1 0mA}=31 4 34 7B Vwm"2B2B IPP"13 1A к А
LU SMBJ20 VISH vs VBR(IT-1 0мА)-22 20 2B10B Vwm=20 OB IPP=16 7A к А
LUP TPSMB36 GS vs VBR(IT-1 0mA)=32 4 39 6B VWm=29 IB lPP-11 5A к А
LV SMBJ20A VISH vs VBR(IT-1 0mA)-22 20 25 50B Vwm=20 OB 1РР’18 5А к А
LVP TPSMB36A GS vs VBR{IT=1 0мА)=34 2 37 8B Vwm=30 8B IPP=12OA к А
LW SMBJ22 VISH vs Vbr(It=1 0мА)=24 40 30 90B VWm=22 0B IPP=15 2A к А
LWP TPSMB39 GS vs Vbr(It=1 0mA)=35 1 42 9B VWM=31 6B lpp-10 6A к А
LX SMBJ22A VISH vs VBR(IT=1 0mA)=24 40 28 00B VWm=22 OB IPP=16 9A к А
LXP TPSMB39A GS vs VBr(It=1 0mA)=37 1 41 OB Vwm=33 3B lPP=11 1A к А
LY SMBJ24 VISH vs VBR(IT=1 0mA}=26 70 33 BOB VWM"24 OB lPP-14 0A к А
LYP TPSMB43 GS vs Vbr(It-10mA)=3B7 47 3B Vwm"34 8B lPP=9 7A к А
12 SMBJ24A VISH vs Vbr(It=1 0mA)-26 70 30 70B VWm=24 0B Ipp-15 4A к А
LZP TPSMB43A GS vs VBr{It-1 0mA)=40 9 45 2B Vwm-36 8B 1рр=Ю 1A к А
MD SMBJ26 VISH vs VBR(IT=1 0mA)=2B90 36 BOB Vwm’26 0B IPP-12 4A к А
ME SMBJ26A VISH vs VBR(IT=1 0mA)=28 90 33 20B VWM-26 OB Irp“ 14 2A к А
MF SMBJ28 VISH vs VBR(IT-1 0mA)-31 10 39 40B VWM-28 OB lPP-12 0A к А
MG SMBJ28A VISH vs VBR(IT=1 0mA)=31 10 35 80B VWM=28 OB IPP=13 2A к А
MH SMB30 VISH vs VBR(IT=1 0mA)=33 30 42 20B VWM-30 OB lPP=11 2A к А
85-*
DO-214АА, SMB
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2
MK SM8J30A VISH vs Уея(1г-1 0mA)=33 30 38 ЗОВ Vwm’30 OB lp₽=12 4A К А
ML SMBJ33 VISH vs VBr(It-1 0mA)-36 70 46 90B VWM=33 OB lPP= 10 2A К А
ММ SMBJ33A VISH vs Vbr(It"1 0mA}—36 70 42 20B Vwv_33 OB lpp-11 ЗА К А
MN SMBJ36 VISH vs Vbr(It- 1 0«A)=40 00 50 708 VWM-36 OB lPP-9 ЗА к А
MP SMBJ36A VISH vs Vbr(It=1 0mA)-40 00 46 OOB Vwj-36 OB lPP-10 ЗА к А
MQ SMBJ40 VISH vs VBr(It-1 0mA)-44 40 56 308 Vwm"40 OB lPP_8 4A к А
MR SMBJ40A VISH vs VBP(IT=1 0mA)-44 40 51 10B Vwu"40 OB lPP-9 ЗА к А
MS SMBJ43 VISH vs Vbr(It=1 0mA)=47 80 60 50B Vwm"43 OB lPp=7 8A к А
MT SMBJ43A VISH vs Vsfiflrl 0mA)=47 80 54 90B VWM-43 OB lPP-8 6A к А
MU SMBJ45 VISH vs VBr(It=1 0mA)=50 00 63 ЗОВ VWm_45 OB lPP=7 5A к А
MV SMBJ45A VISH vs VBr(It=1 0mA)-50 00 57 50B VWM=45OB lPP-8 3A к А
MW SMBJ48 VISH vs VSr(It=1 0mA)-53 30 67 50B VWm=48 OB lPP-7 OA к А
MX SMBJ48A VISH vs Vbr(It"1 0mA)=53 30 61 30B V«m_4B0B lPP=7 7A к А
MY SMBJ51 VISH vs Vsr{It-1 0mA)=5670 71 80B VWM-51 OB lPP=6 6A к А
MZ SMBJ51A VISH vs Vbr(It-1 0mA)=56 70 65 20B Vwm”51 OB lPP=7 ЗА к А
ND SMBJ54 VISH vs VbrGt’I 0mA)=60 00 76 OOB VWM=54 08 lPP-6 2A к А
NE SMBJ54A VISH vs VBr(It=1 0mA}-60 00 69 OOB Vwm=54 OB lPP=6 9A к А
NF SMBJ58 VISH vs Vbr(It"1 0mA)=64 40 81 60B VWM=58 OB |РР-5 8Д к А
NG SMBJ58A VISH vs Vbr(It"1 0mA)=64 40 74 608 V«m-58 OB 1^=6 4A к А
NH SMBJ60 VISH vs Vbr(It=1 0mA)=66 70 84 50B Vwm=60 0B Ipp_5 6a к А
NK SMBJ60A VISH vs VBr(It-1 0mA)=66 70 76 70B VWM_60 OB |PP-6 2A к А
NL SMBJ64 VISH vs Vbr(It-1 0mA)-71 10 90 10B Vwm=64 OB lPP-5 ЗА к А
NM SMBJ64A VISH vs VBr(It=1 0mA)=71 10 81 80B VWM-64 0B |РР=5 8A к А
NN SMBJ70 VISH vs VbrOt-J OmA)-77 80 98 6OB Уш=70 0В lPP=4 8А к А
NP SMBJ70A VISH vs Vbr(It=1 0mA)-77 80 89 50B Vwm=70 0B lPP-5 ЗА к А
NQ SMBJ75 VISH vs Vbr(It=1 0mA)=83 30 106 OOB VWM=75 OB lPP-4 5A к А
NR SMBJ75A VISH vs Vbr(It=1 0mA)=83 30 95 80B VWM=75 OB |pP-4 9A к А
NS SMBJ78 VISH vs VBr(It=1 0mA)=86 70 110 OOB Vwm’78 OB lPP=4 ЗА к А
NT SMBJ78A VISH vs Vbr(It=1 0мА)=86 70 9970B VWM=78 0B lPP-4 7A к А
NU SMBJ85 VISH vs VBr(It=1 0мА)=9440 11920B VWm-85 0B Ipp=3 9A к А
NV SMBJ85A VISH vs VBR(IT-1 0mA)-94 40 108 20B Vwm’85 OB lPP-4 4A к А
NW SMBJ90 VISH vs Vbr('t-1 0мА)=100 0 126 50B Vwm_90 0B lPP=3 8A к А
NX SMBJ90A VISH vs V8r(It=1 0mA)=100 0 115 50B VWM=90 OB lPP=4 1A к А
NY SMBJ100 VISH vs VBR(IT=1 0mA)"1 11 0 141 OOB VWM-1OO OB lPP-3 4A к А
NZ SMBJ1OOA VISH vs VBr(It’1 0mA)=111 0 128 OOB Vwm-ЮООВ Ipp=3 7A к А
PD SMBJ11O VISH vs VBr(It=1 0mA)=122 0 154 50B Vwm-110 OB lPP=3 OA к А
PE SMBJ11DA VISH vs V0r(It=1 0mA)-1220 140OOB VWM=11OOB lPP=34A к А
PF SMBJ12O VISH vs VBr(It-10mA}-133 0 169 00B Vwm-120 06 lPP=28A к А
PG SMBJ120A VISH vs V8r(It=I 0mA}=133 0 153 OOB VWM=120 OB lPP=3 1A к А
PH SMBJ13O VISH vs Vbr(It"1 0mA)=144 0 182 50B VWM=13OOB lPP=2 6A к А
PK SMBJ13OA VISH vs VBr{It=1 0mA)=1440 16550В УШ-13ООВ lPP=2 9A к А
PL SMBJ150 VISH vs VSr(It=1 0mA)=167 0 211 50B VWM"15O OB lPP"2 2A к А
PM SMBJ150A VISH vs VBr(It=1 0mA)=167 0 192 50B Vwm’150 0B IPp=2 5A к А
PN SMBJ160 VISH vs VBR(iT=1 0mA)*178 0 226 OOB VWM=160 OB iPP-2 1A к А
► 86
DO-214АА, SMB
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2
MK SMBJ30A VISH vs Vbr(It=1 0мА)=33 30 38 ЗОВ VWM=30 0B lPP=12 4A К А
ML SMBJ33 VISH vs VBr{It=1 0mA)=36 70 46 90B VWM-33 OB lPP-10 2A К А
ММ SMBJ33A VISH vs Vbr(It"1 0mA)-36 70 42 20B Vwm=33 OB lPP=11 ЗА К А
MN SMBJ36 VISH vs Vbr(It=1 0mA)=40 00 50 70B VWM"36OB lPP-9 ЗА к А
MP SMBJ36A VISH vs Vbr(It"I OmA)"40 00 46 00B VWM-36 OB lPP=10 3A к А
MQ SMBJ40 VISH vs Vbr(It-1 0mA)-44 40 56 ЗОВ VWM-40 OB lPP-8 4A к А
MR SMBJ40A VISH vs Vbr0t=1 0mA)-44 40 51 ЮВ VWM=40 OB lPP=9 ЗА к А
MS SMBJ43 VISH vs VBr(It=1 0mA)=47 80 60 50B VWM-43 OB lPP"7 8A к А
MT SMBJ43A VISH vs VBR(IT-1 0mA)-47 80 54 90B VWM-43 OB lPP-8 6A к А
MU SMBJ45 VISH vs VBr(It=1 0mA)=50 00 63 ЗОВ VWM-45 OB lPP=7 5A к А
MV SMBJ45A VISH vs VBr(It-1 0mA)-50 00 57 50B VWM-45 OB lPP=8 ЗА к А
MW SMBJ48 VISH vs Vbr(It=1 0mA)-53 30 67 50B Vwm-48 OB lPP-7 OA к А
MX SMBJ4BA VISH vs VBr(It“1 0mA)-53 30 61 ЗОВ Vwm-48 OB lPP-7 7A к А
MY SMBJ51 VISH vs VBr{It_1 0mA)-56 70 71 80B VWm=51 OB lPP=6 6A к А
MZ SMBJ51A VISH vs V0R(IT=1 0mA)=56 70 65 20B Vwm-51 OB lPp=7 ЗА к А
ND SMBJ54 VISH vs Vbr(It=1 0mA)=60 00 76 00B VWM-54 OB lPP-6 2A к А
NE SMBJ54A VISH vs Vbr(It-1 0mA)=60 00 69 00B VWM=54 0B lPP-6 9A к А
NF SMBJ58 VISH vs Vbr(It_1 0mA)-64 40 81 60B Vwm=58 OB lPP=5 8A к А
NG SMBJ58A VISH vs VSr(It=1 0мА)=64 40 74 60B VWM=58 OB lPP-6 4A к А
NH SMBJ60 VISH vs VBr{It-1 0mA)=66 70 84 50B VWM=60 0B 1РР"5 6A к А
NK SMBJ60A VISH vs VBr(It=1 0mA)=66 70 76 70B VWM-60 0B lPP-6 2A к А
NL SMBJ64 VISH vs VBr{It-1 0mA)-71 10 90 10B VWM=64 0B lPP=5 3A к А
NM SMBJ64A VISH vs Vbr(It-1 0mA)=71 10 81 80B VWm"64 OB lPP"5 8A к А
NN SMBJ70 VISH vs VBR(IT-1 0mA)-77 80 98 60B VWM-70 0B lPP=4 BA к А
NP SMBJ70A VISH vs Vbr(It"1 0mA)"77 ВО 89 50B VWM-70 0B lPP-5 ЗА к А
NO SMBJ75 VISH vs VBR(IT-1 0mA)=83 30 106 OOB W75 OB lPP-4 5A к А
NR SMBJ75A VISH vs VBR(IT=1 0mA)-83 30 95 80B VWM=75 OB lPP=4 9A к А
NS SMBJ78 VISH vs VBR(IT=1 0mA)=86 70 110 OOB Vwm"78 OB lPP-4 ЗА к А
NT SMBJ78A VISH vs VBr(It=1 0mA)=86 70 99 70B Vwm’78 OB lPP-4 7A к А
NU SMBJ85 VISH vs Vbr(It-1 0mA)-94 40 119 20B VWm=85 0B Ipp=3 9A к А
NV SMBJ85A VISH vs VBR(IT=1 0mA)=94 40 108 20B VWm’85 OB lPP-4 4A к А
NW SMBJ9O VISH vs Vbr|It-1 0mA)=100 0 126 50B Vwm’90 OB lPP-3 8A к А
NX SMBJ90A VISH vs VBR(IT=1 0mA)-100 0 115 50B VWm=90 0B Ipp=41A к А
NY SMBJ1OO VISH vs VBr(It=1 0mA)=111 0 141 OOB VWM=W0 0B lPP=3 4A к А
NZ SMBJ100A VISH vs VBr(It=1 0mA)=111 0 128 OOB VWM-1OOOB lpp’3 7A к А
PD SMBJ11O VISH vs Vbr(It=1 0mA)=122 0 154 50B Vwm’HOOB lpp-3 OA к А
PE SMBJ110A VISH vs VBr(It=1 0mA)=122 0 140 00B VWM-11OOB Ipp"3 4A к А
PF SMBJ120 VISH vs V6r(It=10mA)=133 0 169 OOB Vwm=120 0B lPP-2 8A к А
PG SMBJ120A VISH vs VBr(It=1 0mA)=133 0 153 OOB VWM“120 OB lPP=3 1A к А
PH SMBJ130 VISH vs VBr(It=1 0mA)"144 0 182 50B Vwm’130 OB lPP-2 6A к А
PK SMBJ13OA VISH vs Vbr(It=1 0mA)-1440 165 50B VWM’13OOB lPP=29A к А
PL SMBJ15O VISH vs Vbr(It-1 0mA)=167 0 211 50B Vwm=150 0B Ipp-2 2A к А
PM SMBJ50A VISH vs Vbr(It=1 0mA)=1670 192 50В УШ-15ООВ lPP-2 5A к А
PN SMBJ160 VISH vs Vbr(It=1 0mA)=178 0 226 OOB Vwm-160 OB lpp-2 1A к А
87-*
DO-214AB
SMC
выемкой или полосой у катода
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоко 1 чевка 2
B0D SMCJ5 ОС VISH vs VBR(lT=10 0mA)=6 40 7 55BVwm=5 0B lPP~156 2A X X
BDE SMCJ5 ОСА VISH vs VBr(It=10 0MA)=6 40 7 25B Vwm~5 OB IPP=163OA X X
BDF SMCJ6 ОС VISH vs VgfiflrlO 0mA)=6 67 8 45B Vwm’60B Ipp=131 6A X X
BDG SMCJ6 ОСА VISH vs VBR(lT-10 0mA)=6 67 7 67B Vwm-6 06 IPp~145 6A X X
BDH SMCJ6 5С VISH vs Vbr(!t-10 0mA)=7 22 9 14B Vwm-6 5B lPP~122 0A X X
BDK SMCJ6 5СА VISH vs VSR(lT-10 0mA)=7 22 8 30BW6 5B IPP-133 9A X X
BDL SMCJ7 ОС VISH vs VBR(IT=1O0mA)=778 9 86BVwm"70B IPP=1128A X X
В DM SMCJ7 ОСА VISH vs VBR(IT=1O 0mA)-7 78 8 95B VWm=7 0B lpp=l25 0A X X
BDN SMCJ7 5С VISH vs Vbb(It-1 0mA)-8 33 10 80B Vwm-7 5B IPP"1O4 9A X X
BDP SMCJ7 5СА VISH vs VBr{It-1 0mA)=8 33 9 58B Vwm-7 5B 1РР=11б ЗА X X
BDQ SMCJ8 ОС VISH vs Vbr(It"1 0mA)=8 89 11 30B Vwm”8 OB lPP-100 OA X X
В DR SMCJ8 ОСА VISH vs Vbr(It-1 0mA)-8 89 10 23B VTO-8 OB 1^=110 ЗА X X
BDS SMCJ8 5С VISH vs VBr(It=1 0mA)=9 44 11 92B Vwm-8 5B lPP—94 ЗА X X
BDT SMCJ8 5СА VISH vs VBR(IT-1 0mA)-9 44 Ю82В VWM=85B lPf>-104 2А X X
В DU SMCJ9 ОС VISH vs Vsr(It- 1 0mA)=10 00 12 80B VWM=9 OB lPP"88 7A X X
BDV SMCJ9 ОСА VISH vs VbrGt’I 0mA)-1000 11 50B VWM=90B lPP=97 4A X X
BDW SMCJ10C VISH vs Vbr(It~1 0mA)-1 1 10 14ЮВ Vwm-ЮОВ lPP=79 8A X X
BDX SMCJ10CA VISH vs Vbr{It=1 0mA)-11 10 12808 Vwm-ЮОВ |pp_882A X X
BOY SMCJ11C VISH vs VSr(It-1 OmAJ-1220 15 40B VWM-11OB |pp=74 6A X X
BDZ SMCJ11CA VISH vs V0r(It=1 0мА)=12 20 14 40B W11 OB |PP=82 4А X X
BED SMCJ12C VISH vs Vbr(It= 1 0mA)-13 30 >6 90B V„u-12 OB 1^=68 2A X X
BEE SMCJ12CA VISH vs Vbr(It=1 0mA)- 13 30 15 ЗОВ VWM=12 OB lpp-75 ЗА X X
BEF SMCJ13C VISH vs VBr(It=1 0mA)-14 40 18 20B Vwm’13 OB lPP=63 0А X X
BEG SMCJ13CA VISH vs Vbr(It=1 0мА)=14 40 16 50B VWM“13 OB lpp-69 7A X X
BEH SMCJ14C VISH vs VBr(It=1 0mA)=15 60 19 80B Vwm"14 OB |РР-58 1A X X
BEK SMCJ14CA VISH vs Vbr(It=1 0mA|=1 5 60 17 SOS Vwu-14 OB lPp-64 7A X X
BEL SMCJ15C VISH vs VBr(It=1 0mA)-16 70 21 10B VWM-15OB lPP=55 8А X X
BEM SMCJ15CA VISH vs Vbr(It=1 0mA)=16 70 19 20B Vwm=15 OB lPP_61 5А X X
BEN SMCJ16C VISH vs Vbr(It=1 0mA)=17 80 22 60B Vwm=16 0B Ipp=52 1A X X
88
DO-214AB, SMC
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2
ВЕР SMCJ16CA VISH vs Vbr(It=1 0mA)=17 80 20 50B W16 0B lPP=57 7A X X
BEQ SMCJ17C VISH vs VBR(IT-1 0мА)=18 90 23 90B WI7 OB lPP-49 2A X X
BER SMCJ17CA VISH vs VBr(It=1 0мА)-1890 21 70B VWM=170B l₽p=53 ЗА X X
BES SMCJ18C VISH vs Увй|1т-1 0мА)=20 00 25 ЗОВ Vwm=18 0B lPP-46 6A X X
BET SMCJ18CA VISH vs VBr(It=1 0mA)=20 00 23 ЗОВ Vwm=18 OB IPP"51 4A X X
BEU SMCJ20C VISH vs Vbr(It=1 0mA)=22 20 28 10B VWM=20 0B IPP=41 9A X X
BEV SMCJ20CA VISH vs VBr(It=1 0mA)-22 20 25 50B VWM"20 0B lPP=46 3A X X
BEW SMCJ22C VISH vs VBr(It=1 0mA)-24 40 30 90B VWM=22 0B lPP=38 1A X X
BEX SMCJ22CA VISH vs VBr(It’1 0mA)-24 40 28 OOB Уш=22 OB lPP=42 2А X X
BEY SMCJ24C VISH vs VBr(It-1 0mA)-26 70 33 80B VWM-24 OB lPP=34 9A X X
BEZ SMCJ24CA VISH vs Vbr(It=1 0mA)-26 70 30 70B Vwm=24 OB 1^=38 6A X X
BFD SMCJ26C VISH vs VBr(It_1 0mA)=28 90 36 80B VWm=26 OB lPP-32 2А X X
BFE SMCJ26CA VISH vs Vbr(It=1 0mA)=28 90 33 20B VWM=26 OB lPP-35 6A X X
BFF SMCJ28C VISH vs VBr(It-1 0mA)"31 W 39 4OB VWM=28 0B Ipp"30 0A X X
BFG SMCJ28CA VISH vs VBr(It-1 0mA)-3i 10 35 80B VWM-28 OB lPP"33 OA X X
BFH SMCJ30C VISH vs VBr(It= 1 0mA)-33 30 42 40B VWM=30 OB lPP=28 OA X X
BFK SMCJ30CA VISH vs VBr(It=1 0mA)=33 30 38 ЗОВ Vwm_30 0B lPP=3l OA X X
BFL SMCJ33C VISH vs VBR(|T-| 0mA)=36 70 46 90B VWM=33 OB lPP’25 2A X X
BFM SMCJ33CA VISH vs VBr(It=1 0mA)=36 70 42 2OB VWM"33 OB lPP=28 1A X X
BFN SMCJ36C VISH vs VBr(It=1 0mA)=40 00 50 70B Vwm’36 OB lPP=23 ЗА X X
BFP SMCJ36CA VISH vs VBr(It"1 0mA)=40 00 46 OOB Уш=36 OB lPP-25 6А X X
BFQ SMCJ40C VISH vs Vbr{It=1 0mA)=44 40 56 ЗОВ VWM=40 0B IPP=21 OA X X
В PR SMCJ40CA VISH vs VBr(It-1 0mA)-44 40 51 10B Уш=40 OB lPP-23 2A X X
BFS SMCJ43C VISH vs VBr(It-1 0mA)=47 80 60 50B Vwm=43 OB lPP=196A X X
BFT SMCJ43CA VISH vs VBr(It=1 0mA)-47 80 54 90B VWM"43 OB IPP=21 6A X X
BFU SMCJ45C VISH vs VBr(It=1 0mA)=50 00 63 ЗОВ VWM=45 OB lPP=18 7A X X
BFV SMCJ45CA VISH vs VBr(It=1 0mA)=50 00 57 50B Vwm=45 OB lPP=20 6A X X
BFW SMCJ48C VISH vs Vbr/It-’0мА)=53 30 67 50B ^=48 06 lPP=17 5A X X
BFX SMCJ48CA VISH vs VBr(It=1 0mA)=53 30 61 30B VWM-48 OB lPP=19 4A X X
BFV SMCJ51C VISH vs VbrOt’I 0mA)-56 70 71 80B Уш=51 OB IPP-16 5A X X
BFZ SMCJ51CA VISH vs VBr(It_1 0mA)-56 70 65 20B VWM=51 OB lPP 18 2A X X
BGD SMCJ54C VISH vs VBr(It=1 0mA)-60 00 76 00B VWM-54OB lPP-156A X X
BGE SMCJ54CA VISH vs VBr(It-1 0mA)=60 00 69 OOB VWM=54 0B lPP-17 2A X X
BGF SMCJ58C VISH vs Vbr(It=1 0мА)-64 40 81 60B Vwm_58 OB lPP=14 6A X X
BGG SMCJ58CA VISH vs Vsr(It=1 0мА)-64 40 74 60B V«m=58 OB lPP-16 0A X X
BGH SMCJ60C VISH vs VbrIIt’1 0mA)-66 70 84 50B VWM=60 0B lPP=14 0A X X
BGK SMCJ60CA VISH vs Vbr(It-1 0mA)-66 70 76 70В Уш=60 OB IPP=15 5A X X
BGL SMCJ64C VISH vs VBr(It=1 0mA}-71 10 90 10B W64 0B 1^=13 2A X X
89-*
D0-214AB, SMC
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2
BGM SMCJ64CA VISH vs VBR(IT=1 OmAJ'71 10 8! 80B VWM"64 OB lPP"14 6A X X
BGN SMCJ70C VISH vs VeR()r1 0mA)-77 80 98 60B Vwm-70 0B Ipp-12 OA X X
BGP SMCJ70CA VISH vs VBR(IT-1 0mA)-77 80 89 50B VWM-70 0B IPP-13 3A X X
BGQ SMCJ75C VISH vs VBR(IT~1 0mA)-83 30 106 00B VWM 75 OB lPP И 2А X X
BGR SMCJ75CA VISH vs VBR(IT-1 0mA)-83 30 95 80B VWM 75 OB IPP-12 4A X X
BGS SMCJ78C VISH vs VBR(IT=1 0mA)-86 70 НОСОВ VWM-78 0B lPP-10 8A X X
BGT SMCJ78CA VISH vs Vbr(It= 1 0mA)-86 70 99 70B Vwm-78 OB lPP=11 4A X X
BGU SMCJ85C VISH vs VBr(It-1 0mA)=94 40 119 2QB Vwm”85 0B 1рр 99A X X
BGV SMCJ85CA VISH vs Vbr(It'1 0mA)-94 40 108 20B VWm"85 OB 1РР"10 4A X X
BGW SMCJ90C VISH vs Vbr{It’1 0mA) 100 00 126 50B VWM 90 OB lPP=9 4A X X
BGX SMCJ90CA VISH vs VBr(It 10mA)=100 00 115 50B ^м-90 0В lPP-103A X X
BGY SMCJ100C VISH vs Vbr{’t-1 0mA)-111 00 141 OOB VWM-1OO OB lPP~8 4A X X
BGZ SMCJ100CA VISH vs Vbr(It-1 0mA)_111 00 128 OOB Vwm-100 0B Ipp 9 ЗА X X
BHD SMCJ110C VISH vs VBr(It-1 0мА)-122 00 15450B VWM HOOB lPP-77A X X
SHE SMCJ110CA VISH vs VBr(It_1 0mA)-12200 140 50B Vwm-110 0B IPP=8 4A X X
BHF SMCJ120C VISH vs Vbr(It"1 0mA)-133 00 169 OOB Vwm”120 0B 1pp=7 0A X X
BHG SMCJ120CA VISH vs Vbr(It"1 0mA)=133 00 153 OOB VWM-12O OB lpp-7 9A X X
BHH SMCJ130C VISH vs VBr(It-1 0mA)-144 00 182 50B VWM~13O OB lPP-6 5A X X
BHK SMCJ130CA VISH vs VBr(It=1 0mA)-144 00 165 50B VWM-13OOB lPP-7 2A X X
BHL SMCJ150C VISH vs Vbr(It”1 0mA)-167 00 211 50B Vwm~150 0B lPP-56A X X
BHM SVCJ150CA VISH vs VbrOt"’0mA)-167 00 192 50BVwm 150 OB Jpp-6 2A X X
BHN SMCJ160C VISH vs Vbb(It=1 0mA)-178 00 226 OOB VWM~16O OB lPP-5 2A X X
ВНР SMCJ160CA VISH vs VbrOt-1 0mA)"178 00 205 OOB VWM-160 OB lPP-5 8A X X
BHQ SMCJ170C VISH vs VbrIIt’I 0mA)=189 00 239 50B Vwm-170 0B 1рр-4 9A X X
BHR SMCJ170CA VISH vs VbrOt’1 0mA)-189 00 217 50B VWM“170 OB lPp-5 5A X X
OOP TPSMC6 8 GS vs VBr(It=10 0mA)-6 12 7 48B VWM"5 50В IPP-139A к А
DEP TPSMC6 8A GS vs Vbr(It-10 0mA}=6 45 7 14B Vwm 5 80B Ipp 143A к А
DFP TPSMC7 5 GS vs Vbr(It"10 0mA)_6 75 8 25B Vwm_®05B 1рр_ 128A к А
DGP TPSMC7 5A GS vs VBr(It-10 0mA)=7 13 7 88B VWM-6 40B IPP-133A к А
DHP TPSMC8 2 GS vs VbrJt=10 0mA)-7 38 9 02B VWM-6 63B lpP"120A К А
DKP TPSMC8 2A GS vs VBr{It-10 0mA}-7 79 8 6lB VWM 7 02В IPP-124A К А
DLP TPSMC9 1 GS vs Vbr(It-1 0mA)~8 19 10 OB VWM-7 37B lPP-109A К А
DMP TPSMC9 1A GS vs VBr(It-1 0mA)~8 65 9 55B VWM-7 78B lPP-112A К А
DNP TPSMC10 GS vs Vbr(It-1 0mA)~9 00 11 OB Vwm-8 1OB Ipp-WOA К А
DOP TPSMC11 GS vs VBr(It-1 0mA)-990 121B VWM-8 92B lPP-926A К А
DPP TPSMC10A GS vs Vbr(It-1 0mA)~9 50 10 5B VWM-8 b5B IPP-1O3A К А
DRP TPSMC11A GS vs Vbr(It=1 0mA)-105 11 6B Vwm"9 40B lPP”96 2A К А
DSP TPSMC12 GS vs VBr(It-1 0mA)_10 8 13 2B 7^м_9 72В lPP=86 7A К А
90
DO-214AB, SMC
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2
DTP TPSMC12A GS VS Vbr(It-IOmA) 114 126B Vwm"102B lPP-89 8A К А
DUP TPSMC13 GS VS Vbr(Ij—T OmA) 117 14 3B V\vm~10 5B lpP—78 9A К А
DVP TPSMC13A GS vs VBr(It_1 OmA) 124 137B Vwm=11 IB lPP"82 4A К А
DWP TPSMC15 GS vs Vbr(It=1 0mA)_13 5 16 5B V«m-121B lPP_68 2A к А
DXP TPSMC15A GS vs Vsr{It=1 OmA) 143 158В Vwm 128B lpp—708А к А
DYP TPSMC16 GS vs VBn(lT-1 OmA) 144 176B Vwm-12 9B lPP"63 8A к А
DZP TPSMC16A GS vs VBr(It=1 0mA)-15 2 16 8B VWM"13 6В lPP=66 7A к А
EA ES3A GS Id Vr-50B If-3A С0-45пФ к А
EB ES3B GS fd VR-1OOB If-3A С0=45пФ к А
EC ES3C GS fd Vr=150B If-3A Со"45пФ к А
ED ES3D GS fd Vr-200B If-3A С0-45пф к А
EDP TPSMC18 GS vs VBr(It-1 0мА)_1б 2 19 8B Vwm-14 5B Ipp_56 6A к А
EEP TPSMC18A GS vs VBr(It=1 0мА)-17 1 18 96 Vwm”15 3B 1РР-59 5A к А
EFP TPSMC20 GS vs Vbr(Ij_1 OmA) 18 0 22 OB 16 2B lPP-51 5A к А
EGP TPSMC20A GS vs VBr(It=1 0mA)-19 0 21 OB VWM-17 1B lpp-54 2A к А
EHP TPSMC22 GS vs Vbr(It=1 0mA)-19 8 24 2B Vwm-17 8B Ipp-47 0A к А
EKP TPSMC22A GS vs VBR(IT-1 0mA)-20 9 23 1B Vwm-18 8B Ipp-49 OA к А
ELP TPSMC24 GS vs VBR(lT-1 0mA)"21 6 26 4B Vwm 19 4B lPP"43 2A к А
EMP TPSMC24A GS vs Vbr(It=1 0mA)_22 8 25 2B Vwm-20 5B Ipp=45 2A к А
ENP TPSMC27 GS vs VBr(It-1 0mA)-24 3 29 7BV«m"218B lpP-38 4A к А
EPP TPSMC27A GS vs Vbr(It“T OMAJ-25 7 28 4BVwm=23 1B lPP=40 OA к А
EQP TPSMC30 GS vs VBr(It-1 0mA)-27 0 33 OB Vwm_24 3B lPP-34 5A к А
ERP TPSMC30A GS vs VBr{It“1 0mA)-28 5 31 5B VWM"25 6B lPP"36 2A к А
ESP TPSMC33 GS vs VBr(It-1 OmA) 29 7 36 3B VWm-26 8B lpp-31 4A к А
ETP TPSMC33A GS vs Vbr(It” 1 OmA) 31 4 34 7B Vwm-28 28 Ipp_32 8A к А
EUP TPSMC36 GS vs VBr(It-1 0mA)-324 39 6B VWM"29 IB lPP=28 8A к А
EVP TPSMC36A GS vs VBr(It-1 0mA)-34 2 37 8B VWM=30 8B Ipp-30 1A к А
EWP TPSMC39 GS vs Vbr(It-1 OmA) 35 1 42 9B V«m=31 6B Ipp-26 6A к А
EXP TPMSC39A GS vs VBr(It- 1 OmA)-37 1 41 OB Vwm-33 ЗВ Ipp=27 8A к А
EYP TPSMC43 GS vs Vbr(It-1 0mA}-38 7 47 3B VWM-34 8B lPP-24 2A к А
EZP TPSMC43A GS vs Vbr(It=1 0mA)-40 9 45 2B Vwm’36 8B 1РР-25 ЗА к А
GDD SMCJ5 0 VISH vs VBR(IT-1O0mA)=640 755B Vwm=50B lPP-1562A к А
GDE SMCJ5 OA VISH vs VBR(IT=1O 0mA)-6 40 7 25B Vwm-5OB IPP-183OA к А
GDF SMCJ6 0 VISH vs VBr(Jt=10 0mA)-6 67 8 458 Vwm-SOB Ipp=131 6A к А
GDG SMCJ6 OA VISH vs VBr(It-10 0mA)=8 67 7 67B Vwm=6 0B lPP-145 6A к А
GDH SMCJ6 5 VISH vs VBr(It-10 0mA)-7 22 914B Vwm=6 5B IPP-122OA к А
GDK SMCJ6 5A VISH vs VBr{It=10 0mA)_7 22 8 ЗОВ Vwm_6 5B lPP=133 9A к А
GDL SMCJ7 0 VISH vs Vbr(It-10 0mA)=7 78 9 86B VWm=70B IPP-1128A к А
91
DO-214AB, SMC
1-1
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2
GDM SMCJ7 OA VISH vs VeR(lT-lO 0mA)-7 78 8 95B V^OB IPp-125 OA К А
GON SMCJ7 5 VISH vs Vbr(!t-1 0mA)-8 33 10 80B Vwm"? 5B IPP-1O4 9A К А
GDP SMCJ7 5A VISH vs Vbh(It-1 0mA)=8 33 9 58B Vwm=7 5B 1рр=116 ЗА К А
GDQ SMCJ8 0 VISH vs Vbr(It-1 0mA)~8 89 11 30B VWM=8 OB IPP=100 OA к А
GDR SMCJ8 OA VISH vs VBr(It=1 0mA)=8 89 10 23B Vwm_8 OB 1^=110 ЗА к А
GDS SMCJ8 5 VISH vs Vbr(It=1 0mA)=9 44 11 92B Vwm-8 5B lPP=94 3A к А
GOT SMCJ8 5A VISH vs VBr(It=I 0mA)=944 10 82B VWM=8 5B |РР=104 2A к А
GDU SMCJ9 0 VISH vs Vgfl{ly=1 0mA)=10 00 12 80B Vwm~9 0B lPP=88 7A к А
GDV SMCJ9 OA VISH vs VBr(It=1 OmA)=10 00 11 508 7Ш"9 OB lPP=97 4A к А
GDW SMCJ10 VISH vs I/brOt^I 0mA)=1 1 10 14 10B Vwm-10 0B lPP-79 8A к А
GDX SMCJlOA VISH vs Vbr(It=1 0mA)=11 10 12 80B Vwm’10 06 Ipp’88 2A к А
GDY SMCJ11 VISH vs V0r(It-1 0mA)=12 20 15 40B VWM-11 00 Ipp- 74 6A к А
GDZ SMCJ11A VISH vs Vbr(It-1 0mA)=1220 1440B Vwm=110B IRR-82 4A к А
GED SMCJ12 VISH vs VBR(IT=1 0mA)=13 30 18 90B VWM"12 OB 1^68 2A к А
GEE SMCJ12A VISH vs VBr(It=T 0mA)=13 30 15 ЗОВ Vwm=12 0B lpp-75 ЗА к А
GEF SMCJ13 VISH vs VbrI't-! 0mA)=14 40 18 20B V^m-13 0B Ipp^S OA к А
GEG SMCJ13A vish vs Vbr(It~1 O^A)-I4 40 16 5OB V^m-130B lPp—69 7A к А
GEH SMCJ14 VISH vs VBR(IT-1 0mA)-1 5 60 19 80B VWM=14 0B lPP-58 1A к А
GEK SMCJ14A VISH vs VBR{IT= 1 0mA)=15 60 17 90B VWm~14 OB lpp-64 7A к А
GEL SMCJ15 VISH vs VBR(IT=1 0mA)-16 70 21 10B VWm~15 0B Ipp-55 8A к А
GEM SMCJ15A VISH vs Vbr(It=1 0mA)=16 70 19 20B Vwm~15 0B Ipp—61 5A к А
GEN SMCJ16 VISH vs VBr(It=1 0mA)=17 80 22 SOB Vwm-16 06 1^=52 1A к А
GEP SMCJ16A VISH vs Vbr{It~1 0mA)=17 80 20 50B Vwm~16 0B lPP~57 7A к А
GEQ SMCJ17 VISH vs Vbr(It=1 0mA)=18 90 23 90B 7^-17 06 lPP-49 2A к А
GER SMCJ17A VISH vs VBr(It=1 0mA)=18 90 21 70B Vwm"17 0B Ipp=53 ЗА к А
GES SMCJ18 VISH vs Vbr(’t’1 0mA)=20 00 25 ЗОВ VWM=18 OB lPP=46 6A к А
GET SMCJ18A VISH vs VbrOt- 1 OmA)=20 00 23 ЗОВ Vwm=18 OB lpp=51 4A к А
GEU SMCJ20 VISH vs Vbr(It"1 0mA)-22 20 28 10B Vwm_20 OB lPP~41 9A к А
GEV SMCJ20A VISH vs VBR(IT=1 0mA)-22 20 25 50B VWm=20 OB lPP=46 ЗА к А
GEW SMCJ22 VISH vs VBr0t_1 0mA)=24 40 30 90B Vwm=22 0B ipp=38 1A к А
GEX SMCJ22A VISH vs Vbr(It=1 0mA)=24 40 28 OOB Vwm=22 0B lPP-42 2A к А
GEY SMCJ24 VISH VS VBr(It-1 0mA)=26 70 33 BOB W24 OB 1^=34 9A к А
GEZ SMCJ24A VISH vs Vbr(It=1 0mA)=26 70 30 70B Vwm=24 OB lPP=38 6A к А
GFD SMCJ26 VISH vs VbrUtI 0mA)=28 90 36 80B VWM-26 0B lPP=32 2A к А
GFE SMCJ26A VISH vs VbrOt-1 0mA)=28 90 33 20B VWm=26 OB lPP-35 6A к А
GFF SMCJ28 VISH VS Vbr0t=’OmA)=31 10 39 40B VWm-28 0B lPP=30 0A к А
GFG SMCJ28A VISH vs VbrIIt- 1 0mA)-31 10 35 80B Vwm=28 08 lpp-ЗЗОА к А
GFH SMCJ3O VISH VS V6r(It=1 0mA)=33 30 42 40B Vwm=30 08 Ipp-28 OA к А
GFK SMCJ30A VISH vs VBR(IT=1 0mA)=33 30 38 ЗОВ Vwm=30 08 IPP=31 OA к А
92
DO-214AB, SMC
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2
GFL SMCJ33 VISH vs Vbr(It~I 0mA)=36 70 46 908 Vwm=33 08 lPP-25 2A К А
GFM SMCJ33A VISH vs VBR(lT-1 0mA)=36 70 42 20B Vwm-33 OB lPP-28 1A К А
GFN SMCJ36 VISH vs VBR(IT=1 OmA)-40 00 50 708 Vwm=36 08 lPP=23 3A К А
GFP SMCJ36A VISH vs VBr(Ij=1 OmAJMO 00 46 OOB Vwm=36 00 lPP=25 8А к А
GFQ SMCJ40 VISH vs V3R(IT=1 0mA)=44 40 56 ЗОВ Vwm=400B l^l OA к А
GFR SMCJ40A VISH vs VBR{IT-1 OmA)=44 40 51 ЮВ VWm=400B lpp=23 2A к А
GFS SMCJ43 VISH vS Vbr(It=1 0mA)-47 80 60 5OB Vwm=43 OB 1рр=19 6A к А
GFT SMCJ43A VISH vs VBR(IT=1 0мА)-47 80 54 90B VWM-43 0B lpp=2l 6A к А
GFU SMCJ45 VISH vs VBR(IT-1 0mA)=5O 00 63 ЗОВ Vwm=45 OB IPP-18 7A к А
GFV SMCJ45A VISH vs VBR(IT=1 0mA)-50 00 57 50B Vwm-45 OB lPP-20 6A к А
GFW SMCJ48 VISH vs VSR(IT-1 0mA)=53 30 67 50B VWM=46 OB IPP=17 5A к А
GFX SMCJ48A VISH vs VBR(IT=1 0mA)=53 30 61 ЗОВ Vwm’48 OB lPP=19 4A к А
GFY SMCJ51 VISH vs Vbr(It=1 0mA)=56 70 71 80B V«m=51 OB IPP=16 5A к А
GFZ SMCJ51A VISH vs VBR(IT=1 0mA)-56 70 65 20B VWM-51 OB IPP=18 2A к А
GGD SMCJ54 vish vs VBR(IT_1 0mA)=60 00 76 OOB Vwm=54 OB lPP_ 15 6A к А
GGE SMCJ54A VISH vs VBR(IT-1 QmAI-60 00 69 OOB Vwm=54 OB lPP-17 2A к А
GGF SMCJ58 VISH vs Venfl^l 0mA)=64 40 81 60B Vw=58 OB iPP=14 6A к А
GGG SMCJ58A vish vs VBR(IT=1 0mA)=64 40 74 60B Vwm=58 OB IPP-16OA к А
GGH SMCJ60 VISH vs VBR(IT=1 ОмА}=66 70 64 50B VWM=60 0B lpp-14 OA к А
GGK SMCJ60A VISH vs VBr{It=1 0mA)=66 70 76 70B Vwm=60 0B 1рр=15 5А к А
GGL SMCJ64 VISH vs Vbr(It=1 0mA)=71 10 90 TOB Vwm=&4 OB IPP=13 2A к А
GGM SMCJ64A VISH vs Vbr(It=10mA)-71 10 81 80B Vwm=64 0B lPP=14 6A к А
GGN SMCJ70 VISH VS Wt=1 0mA)-77 80 98 608 Vwm-70 OB lpp-12 OA к А
GGP SMCJ70A VISH VS VBr(It=1 0mA)-77 80 89 50B Vwm=70 0B Ipr=13 3A к А
GGO SMCJ75 VISH VS Vbr(It-1 0mA)"83 30 106 008 VWM'75 OB lpp-11 2А к А
GGR SMCJ75A VISH vs Vbr(It_1 0mA)-83 30 95 80B VWM=75 OB 1рр=12 4A к А
GGS SMCJ78 VISH vs Vbr(It=1 0mA)-86 70 110 OOB Vwm_78 0B Ipp=10 8A к А
GGT SMCJ78A VISH vs Vbr(It=1 0mA)"86 70 99 70B VWM"78 OB lpP-11 4A к А
GGU SMCJ85 VISH vs VBr(It=10mA)-94 40 119 20B Vwm=85 OB lPp=9 9A к А
GGV SMCJ85A VISH vs VBr(It=1 0mA)=94 40 108 20B Vwm=85 OB 1РР=Ю 4A к А
GGW SMCJ90 VISH vs V8r(It=1 0mA)-100 00 126 508 VWm’9O OB 1^=9 4A к А
GGX SMCJ90A VISH vs VBR{IT=1 ОмА)=ЮООО 115 50B VWM-90 OB lPP=10 3A к А
GGY SMCJ1OO VISH vs VBR{IT=1 0mA)=111 00 141 OOB VWM=100 08 lPP-8 4A к А
GGZ SMCJ100A VISH vs VBR(IT=1 0mA)=111 00 128 OOB VWM“1OO 08 lPP-9 ЗА к А
GHD SMCJ110 VISH vs Wt=1 0mA)=122 00 154 50B VWM=H00S lPP=7 7A к А
GHE SMCJ110A VISH vs VBR(IT-1 0mA)-122 00 140 50B Vwm=110 0B |PP=8 4A к А
GHF SMCJ120 VISH vs Vbr(It-1 0mA)-133 00 169 00B Vwm“120 0B lPP-7OA к А
GHG SMCJ120A VISH vs VBR(IT=1 0mA)-13300 15300B Vwm=120 0B lPP=79A к А
GHH SMCJ130 VISH vs VBR(IT=1 OmA)=144 00 182 508 VWM=130 0B |РР=6 5A к А
GHK SMCJ130A VISH vs VBR(IT=1 OmA)=144 00 165 50B Vwm=130 0B Ipp=7 2А к А
GHL SMCJ150 VISH vs VBr(It"1 0mA)=167 00 211 50B */^-150 08 !PP=5 6A к А
GHM SMCJ150A VISH vs VBR(IT=1 0mA)=167 00 192 50B Vwm=150 0B |PP=6 2А к А
GHN SMCJ160 VISH vs Vbr(It=1 0mA)=178 00 226 OOB Vwm-160 0B Ipp=5 2A к А
GHP SMCJ160A vish vs Vbr(It=1 OmA)=178 00 205 008 Vwm=160 0B Ipp-5 8A к А
GHQ SMCJ170 VISH vs VBr(It=1 0mA)=189 00 239 50В Уш=170 OB 1^4 9A к А
GHR SMCJ170A VISH vs VBr(It=1 0mA)=189 00 217 50B Vwm“1 70 08 |РР=5 5A к А
93
Первый вывод полярных приборов маркируется точкой,
выемкой или полосой у катода
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2
10 SML4740 GS dz Vz(lz’25 0mA)-10B Zzt-7 0Om К А
11 SML4741 GS dz VzZ(lz=23 0мА)~11B Zzt=8 OOm К А
12 SML4742 GS dz Vz(lz=2l 0mA)-12B Zzt=9 0Om К А
13 SML4743 GS dz Vz(Iz=19 0mA)=13B Zzt=10 0Om к А
15 SML4744 GS dz Vz(Iz=170mA)=15B Zn-140OM к А
16 SML4745 GS dz VZ(IZ=155mA)~16B Zzt-16 0Om к А
1В SML4746 GS dz Vz(Iz=14 0mA)-18B Zzt=20 00m к А
20 SML4747 GS dz Vz(z=12 5mA)=20B Zzt=22 0Om к А
22 SML4748 GS dz VzOz-11 5mA)=22B Zn-23 0OM к А
24 SML4749 GS dz VZ(IZ-1O 5mA)-24B Zzt-25 OOm к А
27 SML4750 GS dz Vz(lz=9 5mA)=27B Zzt=35 OOm к А
30 SML4751 GS dz Vz(lz_8 5mA)=30B Zzt=40 OOm к А
33 SML4752 GS dz Vz(lz=7 5мА)=ЗЗВ Zn=45 OOm к А
36 SML4753 GS dz Vz(lz=7 0mA)-36B Zzt=50 OOm к А
39 SML4754 GS dz Vz(lz=6 5mA)-39B Zzt=60 OOm к А
43 SML4755 GS dz Vz(lz=6 0mA)=43B Zzt=70 OOm к А
47 SML4756 GS dz Vz(lz-5 5mA)=47B Zn=80 OOm к А
51 SML4757 GS dz Vz0z=5 0mA)-51B Zzt=95 0Om к А
56 SML4758 GS dz Vz(z-4 5mA)-56B Zzt=’WOOm к А
62 SML4759 GS dz Vz(I2-4 0mA)=62B Zzt-125 0Om к А
68 SML4760 GS dz Vz(Iz-3 7mA)=68B Zzt-150 00m к А
6Р2 SML4735 GS dz Vz(lz=41 0мА)=6 2В 2гт-2 0Ом к А
6Р6 SML4736 GS dz Vz(lz=37 0мА)=6 8B Zzr-3 50м к А
75 SML4761 GS dz Vz(Iz=3 3mA)=75B Zzt-175 0Om к А
7Р5 SML4737 GS dz Vz(Iz-34 0mA)-7 5B Zn 4 OOm к А
62 SML4762 GS dz Vz(lz-3 0mA)=82B Zzt-200 OOm к А
ВР2 SML4738 GS dz Vz(lz-31 ОмА)=0 2B Zzt"4 50m к А
91 SML4763 GS dz Vz(Iz-2 0mA)=91B Zzt"250 00m к А
► 94
DO-214AC, SMA
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2
9P1 SML4739 GS dz W28 0мА)=9 1В Zn=5 0OM К А
ADP TPSMA6 8 GS vs VBr(It=10 0mA)=6 12 7 48B VWM_5 50B lPP"37 OA К А
AEP TPSMA6 8A GS vs Vbr(It-10 0mA)-6 45 7 14B VWM"580B lPP"38 1A к А
AFP TPSMA7 5 GS vs VBr(It"100mA)“6 75 8 25В Vwm~6 05B lPP-34 2A к А
AGP TPSMA7 5A GS vs V0r(It=1O 0mA)=7 13 7 88B VWM=6 40B lPP=35 4A к А
AHP TPSMA8 2 GS vs Vbr(It=10 0mA)=7 38 9 02B VWM=6 63B lPP=320A к А
AKP TPSMA8 2A GS vs Vbr(It=10 0mA)_7 79 8 61B Vwm_702B lPP"33 1A к А
ALP TPSMA9 1 GS vs VbrOt'1 0mA)=8 19 10 OOB Vwm=7 37B lPP=29 OA к А
AMP TPSMA9 1A GS vs VBR(h=i 0mA)=8 65 9 55B VWM=7 78B lPP-29 9A к А
ANP TPSMA10 GS vs VBr(It-1 0mA)=9 00 11 OOB VWM=8 10B lPP=26 7A к А
APP TPSMA10A GS vs VBR(IT=1 0mA)-9 50 10 50B VWM-8 65B lPP=27 6A к А
AQP TPSMAH GS vs Vbr(It=1 0mA)=9 90 12 ЮВ Vwm=8 92B lPP=24 7A к А
ARP TPSMA11A GS vs VBr(It-1 0mA)-10 50 11 60B VWM=9 40B lpp-25 6A к А
ASP TPSMA12 GS vs VBR(IT=1 0mA)=10 80 13 20B VWM-972B Irp-23 1A к А
ATP TPSMA12A GS vs VBr(It=10mA)=1140 12 60B Vwm=10 20B lPP=24 0A к А
AUP TPSMA13 GS vs VBr(It=1 0mA)=11 70 14 30B Vwm=10 50B lPP=21 1A к А
AVP TPS MAI ЗА GS vs VBr(It=1 0mA)=12 40 13 70B VWM-11 ЮВ lPP-22 OA к А
AWP TPSMA15 GS vs VBR(IT=1 0mA)=13 50 16 30B VWM=121OB lPP=18 2A к А
AXP TPSMA15A GS^ vs VBr(It=1 0mA)=14 30 15 80B VWM=12 8OB IPP=18 9A к А
AYP TPSMA16 GS vs VbrOt’I 0mA)"14 40 17 60B VWm=12 908 IPP=17OA к А
AZP TPSMA16A GS vs VBr(It=1 0mA)-1 5 20 16 80B Vwm~1360B lPP=17 8A к А
BDP TPSMA18 GS vs VBr(It=1 0mA)-16 20 19 80B VWM=14 508 lPP=15 1A к А
BEP TPSMA18A GS vs V8r(It=1 0mA)=17 10 18 90B Vwm"15ЗОВ lPP~15 9A к А
BFP TPSMA20 GS vs VBr(It=1 0mA)=1800 22OOB VWm-16 20B lPP=137A к А
BGP TPSMA20A GS vs VBr(It=1 0mA)=19 00 21 OOB VWM-171OB 1^=14 4A к А
ВНР TPSMA22 GS vs VBr(It=1 0mA)=19 80 24 20B VWM-17 80B IPP=12 5A к А
BKP TPSMA22A GS vs Vbr(It=1 0mA)=20 90 23 10B VWM-18 8OB IPP"13 1A к А
BLP TPSMA24 GS vs VBr(It=1 0mA)=21 60 26 40B VWM-19 40B lPP-11 5A к А
BMP TPSMA24A GS vs Vbr(It_1 0mA)=22 80 25 20B VWM-20 50B IPP=12 OA к А
BNP TPSMA27 GS vs VbR(It=1 0mA)=24 30 29 70B VWM=2l 80B lPP-10 2A к А
BOP TPSMA30 GS vs Vbr(It=1 0mA}=27 00 33 OOB Vwm=24 30B lPP=9 2A к А
BPP TPSMA27A GS vs Vbr(It=1 0mA)=25 70 28 40B VWM-23 ЮВ lPP=10 7A к А
BRP TPSMA30A GS vs VBR(IT-1 0mA)=28 50 31 50B VWm=25 60B lPP=9 7A к А
BSP TPSMA33 GS vs VBr(It=1 0mA)=29 70 36 30B VWM=26 80B lPP=8 4A к А
BTP TPSMA33A GS vs VBr(It=1 0mA)=31 40 34 70B VWm-28 20B lPP=8 8A к А
BUP TPSMA36 GS vs VBr(It=1 0mA)=32 40 39 60B VWM-29 10B lPp"7 7A к А
BVP TPSMA36A GS vs VBR(IT=1 ОмА)=34 20 37 80B VWM=30 80B lPP=8 0A к А
BWP TPSMA39 GS vs VBr{It=1 0mA)=35 10 42 90B VWM"3l 60B lPP=7 1A к А
BXP TPSMA39A GS vs Vbr(It=1 0mA)=37 10 41 OOB Vwm=33 ЗОВ lPP=7 4A к А
95-*
DO-214AC, SMA
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2
BYP TPSMA43 GS vs Vbr(It=1 0mA)=38 70 47 ЗОВ, V«m=34 BOB, lpp=6 5A К А
BZP TPSMA43A GS vs Vbr(It=1 OmA)=40 90 45 208 Vwm=36 808, lpp=6 7A К А
EA ES1A GS Id Vr=508, lp=1A, CD=7n0 К А
EB ES1B GS fd Vr=1008, If=1A С0=7пф к А
EC ES1C GS Id Vr=150B )р=1А, Со=7пФ к А
ED ES1D GS Id Vr=2OOB, If=1A, С0=7пф к А
HO SMAJ5O VISH vs Vbr(It-100mA)=6 40 7 30В Уш=9бВ IPP=416A к А
HE SMAJ5 OA VISH vs VBr(It=10 0mA)=6 4 7 OB Vwm=9 2B Ipp—43 5A к А
HF SMAJ6 0 VISH vs VBrGt=10 0mA)=6 67 8 15B Vwwll 4B, lPP-35 1A к А
HG SMAJ6 OA VISH vs VBr(It-10 0mA)=6 67 7 37B VwM=lO3B,lpp=38 8A к А
HH SMAJ6 5 VISH vs V0r(It=1O 0mA)=7 22 8 82B W12 ЗВ, Ipp=32 5A к А
HK SMAJ6 5A vish vs Vbr(It=100mA)=722 798B,VWm=H 28 lPP=35 7A к А
HL SMAJ7O VISH vs V8R(IT=1O 0mA)=7 78 9 518 Уш=13 38,1рр=30 1A к А
HM SMAJ7 OA VISH vs Vbr(It=10 0mA)=7 78 8 60B,Vwm=12 0B lPP=33 3A к А
HN SMAJ7 5 VISH vs Vbr(It-1 0mA)=8 33 10 38, Vwm=14 3B, Ipp—28 OA к А
HP SMAJ75A VISH vs V8R(IT=1 0mA}=8 33 9 21B, W12 9B, Ipp=31 OA к А
HQ SMAJ8O VISH vs Vbr(It=1 0mA)=8 89 10 9B Vwm=15 OB, lpp=26 5A к А
NR SMAJ8 OA VISH vs Мт=1 0mA)=8 89 9 83B, Vwm=13 6B, lpp=29 4A к А
HS S MAJS 5 VISH vs VBr(It=1 0mA)=9 44 11 5B, 7^=15 9B,IPP=25 1A к А
HT SMAJ8 5A VISH vs VBr(It=1 0mA)=9 44 10 4B VWM=14 4B lPP=27 7A к А
HU SMAJ9 0 vish vs 7Br(It=1 0mA)=1Q 0 12 28 Vw=16 9B, lPP=23 6A к А
HV SMAJ9 OA VISH vs Vbr(It=1 0мА)=Ю 0 11 1B VWM=15 4B lpp=26 OA к А
HW SMAJ10 VISH vs VBr(It=1 0mA)=11 1 13 6B, 7WM=18 8B, lpp=2l 2А к А
HX SMAJ1OA VISH vs VBr(It=1 0mA)=1 1 1 12 3B, Vwm=17 OB, 1рр=23 5A к А
HY SMAJ11 VISH vs VBB|IT=I 0uA)=12 2 14 96 Vwu=20 IB, lPP=20 OA к А
HZ SMAJ11A VISH vs Vbr(It=1 0mA)=T2 2 13 5B, Vwm=18 26. Irp=22 OA к А
ID SMAJ12 vish vs Vbr(It=1 0mA)=13 3 16 38 Vwm=22 OB, lPP=18 1A к А
IE SMAJ12A vish vs Vbr(It=1 0mA)=13 3 14 7B Vwm=19 9B lPP=20 1A к А
IF SMAJ13 VISH vs V0R(tT=t 0mA)=14 4 17 6B, VwM=23 8B, lp₽=18 8A к А
IG SMAJ13A VISH vs Vbr(It=1 0mA)=14 4 15 98,Vwm=21 5B,IPP=18 6A к А
IH SMAJ14 VISH vs Vbr(It=1 0mA)=15 6 19 18 У^м=25 8B, lpp=15 5A к А
IK SMAJ14A VISH vs Vbr(It=1 0mA}=15 6 17 2B Уш=23 2B, lPP=17 2А к А
IL SMAJ15 VISH vs Vbr(It=1 0mA)=16 7 20 48 7^m=26 9B, lpp=14 8A к А
IM SMAJ15A vish vs VBr(It=1 0mA)=16 7 18 5В,Уш=2448,1рр=164А к А
IN SMAJ16 VISH vs Vbr(It=1 0mA)=17 8 21 8B VWM=28 88, lPP=13 8A к А
IP SMAJ16A vish vs 7BR(IT=1 0mA)=17 8 19 7B, 7wm=26 OB, lPP=15 ЗА к А
IQ SMAJ17 VISH vs VBr(It=1 0mA)=18 9 23 1B Vwm=30 5B, lpp=13 1A к А
IR SMAJ17A vish vs Увя(1т=1 0мА)-18 9 20 9B, Vwm=27 68, lPP=14 5A к А
► 96
DO-214AC, SMA
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2
IS SMAJ18 vish vs Vbr(It=1 0mA)=20 0 24 4B Vwm=32 2B 1рр=12 4А К А
IT SMAJ18A vish vs V8R/IT=1 OmA)=20 0 22 IB Vwm=29 2B, lPP=13 7A К А
IU SMAJ20 VISH vs VBR(h=1 0mA)=22 2 27 1В W35 8B, lPP=11 1A К А
IV SMAJ20A VISH vs Vbr(It=’ 0mA)=222 24 5B, VWM=324B, 1рр=12ЗА к А
IW SMAJ22 VISH vs VBr(1t=1 0mA)=24 4 29 8B, W39 4B 1РР=Ю 1А к А
IX SMAJ22A vish vs VBR(lr=t 0MA)=24 4 26 9B W35 5B lPP=11 2А к А
IY SMAJ24 VISH vs VBR(h=1 0mA)-26 7 32 6B VWM=43 OB, |PP-9 ЗА к А
IZ SMAJ24A VISH vs Vbr(It=1 0mA)=26 7 29 5B VWM=38 98 IPP=1O3A к А
JD SMAJ26 VISH vs Vbr(It=1 0mA)=28 9 31 9B, Vwm=46 6B, Ipp=8 6A к А
JE SMAJ26A VISH vs Vbr(It=1 0mA)=28 9 25 3B W42 IB, lPP=9 5A к А
JF SMAJ28 VISH vs VBR(IT=1 0mA)=31 1 38 OB VWM=50 08 lPP=8 OA к А
JG SMAJ28A VISH vs Vbr(It=1 0mA)=31 1 344B,VWM=45 4B Ipp=8 8A к А
JH SMAJ30 vish vs Vbr^I 0mA)=33 3 40 7B, Vwm=53 5B lPP=7 5A к А
JK SMAJ30A VISH vs Vbr(It= 1 0mA)=33 3 36 8B Vwm=48 4B Ipp=8 ЗА к А
JL SMAJ33 VISH vs VBR(IT=1 0mA)=36 7 44 9B, Vwm=59 OB, lPP=6 8A к А
JM SMAJ33A VISH vs Vbr(It=1 0mA)=36 7 40 6B Vwm=53 3B, Ipp=7 5A к А
JN SMAJ36 VISH vs VBR(IT=1 OmA)=40 0 48 9B,VWM=64 38 lPP=6 2A к А
JP SMAJ36A VISH vs V8R(IT=1 0mA)-40 0 44 2B,VWM=581B lPP=6 9A к А
JQ SMAJ40 vish vs VBR(IT=1 0mA)=44 4 54 3B V«m=71 4B Ipp=5 6A к А
JR SMAJ40A VISH vs Vbr(It=1 0mA)=44 4 49 IB VWM=64 5B Ipp=6 2A к А
JS SMAJ43 vish vs */Ви(1т=1 0mA)=47 8 58 4B Vwm=76 7B Ipp=5 2A к А
JT SMAJ43A VISH vs Vbr(It=1 0mA)=47 8 52 8B, VWM=69 4B, lPP=5 7A к А
JU SMAJ45 VISH vs Vbr(It=1 OmA)=50 0 61 IB Vwm=80 3B, lp₽=5 OA к А
JV SMAJ45A VISH vs VBR(IT=1 OmA)=50 0 55 38, VWM=72 7B, lPP=5 5A к А
JW SMAJ48 VISH vs Vbr(It=1 OmA)=53 3 65 IB Vwm=85 58, l₽p=4 7A к А
JX SMAJ48A vish vs Vbr(It=1 0mA)=53 3 58 9B, Vwm=77 48, lpp=5 2A к А
JY SMAJ51 VISH vs Vbr(It=1 0mA)=56 7 69 3B Vwm=91 IB lPP=4 4A к А
JZ SMAJ51A VISH vs VBR(IT=1 0mA)=56 7 62 78, Уш=82 4B, lPP=4 9A к А
RD SMAJ54 vish vs VBR(IT=1 0mA)=6Q 0 73 38, ЗВ lPP=4 2A к А
RE SMAJ54A vish vs Vbr(It=1 OmA)=60 0 66 3B, Vwm=37 1B l₽p=4 6A к А
RF SMAJ58 vish vs VBr(It=1 0mAJ=64 4 78 78 7^-1036 lPP=3 9A к А
RG SMAJ58A VISH vs VBR(IT= 1 0mA)=64 4 71 2B, Vwm=93 6B, lPP=4 ЗА к А
RH SMAJ60 VISH vs Vbr(It=1 0mA)=66 7 81 5B, Ущм=Ю7В, lpp=3 7A к А
RK SMAJ60A vish vs Vefiflj^l 0mA)=66 73 7B V^m=96 8B Ipp=4 1A к А
RL SMAJ64 VISH vs VBr(It=1 0mA)=71 1 86 48 Vwm=114B Ipp=3 5A к А
RM SMAJ64A vish vs VBr(Ij=1 0mA)=71 1 78 68, 03B, lPp=3 9А к А
RN SMAJ70 VISH vs VBr(It=1 0mA)=77 8 95 18, W125B, lPP=3 2А к А
RP SMAJ70A vish vs VBR(IT=1 0mA)=778 86 0BVwm=113B lPP=35A к А
97
DO-214AC, SMA
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2
RQ SMAJ75 VISH vs Vbr(It=1 0mA)=83 3 Ю2В VWM=134B lPP=3 0A К А
RR SMAJ75A VISH vs VBr(It=1 0mA)=83 3 92 1В Vwm-1 21 В, lPP=3 ЗА К А
RS SMAJ78 VISH vs Vbr(It=10mA)=86 7 106B Vwm=139B lpP=2 9A К А
RT SMAJ78A VISH vs VBr(It=1 0mA)=86 7 95 8B, Vwm_126B, lPP_2 2A к А
RU SMAJ85 VISH vs Vbr(H=1 0mA)-944 115B Vwm=151B lPP=26A к А
RV SMAJ85A VISH vs Vbr(It=1 0mA)=944 104B Vwm=137B, lPP_2 9A к А
RW SMAJ90 VISH vs Vbr(It=1 0mA)=100 122B Vwm-1608 Ipp_2 5A к А
RX SMAJ90A VISH vs Vbr(It-1 OmA)=100 11 IB Vwm"I46B lpp-2 7A к А
RY SMAJ1OO VISH vs Vbr(It=1 0mA)=1 11 136B Vwm=179B,Ipp=2 2A к А
RZ SMAJ100A VISH vs VBr(It=1 0mA)=111 123B,Vwm-162B lPp=25A к А
SD SMAJ110 VISH vs Vbr(It=1 0mA}=122 1498, Vwm=196B Ipp-2 OA к А
SE SMAJl10A VISH vs Vbr/It=1 0mA)-122 135B, Wvm"T7’76, lppj=2 ЗА к А
SF SMAJ120 VISH vs Vbr(It=1 0mA)-133 163B Vwm=214B, Irr=1 9А к А
SG SMAJ120A VISH vs Vbr(Iv1 0mA)-133 147B VWM-193B, 1^=204 к А
SH SMAJ130 VISH vs VBr(It=1 0mA)=144 176B,Vwm=231B,Ipp=1 7A к А
SK SMAJl 30A VISH vs VBr(It=1 0mA)=144 159B Vwm=209B lPp=1 9A к А
SL SMAJ150 VISH vs VBr(It=1 0mA)=167 2048,Vwm=268B IPp=1 5A к А
SM SMAJ150A VISH vs Vsr(It=1 0mA)=167 185B VWM=243B, lpp=1 6A к А
SN SMAJ160 VISH vs Vbr{It=1 0mA)=178 2l8B Vwm=2878 lpp=1 4A к А
SP SMAJ160A VISH vs VBr(It=1 0mA)=178 197B Vwm=2598, lPp=1 5A к А
SO SMAJ170 VISH vs VBr(It=1 0mA)=189 231B Vwm=304B lPp=1 ЗА к А
SR SMAJ170 VISH vs Vbr(It-1 0мА)=189 209B,Vwm=275B Ipp_1 4A к А
TO SMAJ5 ОС VISH vs VBr(It=10 0mA)=6 40 7 30B, Vwm=9 68, lPP=41 6A X X
ТЕ SMAJ5 OAC VISH vs VBr(It=10 0mA)=6 4 7 OB VWm=9 2B, 1^=43 5A X X
TF SMAJ6 ОС VISH vs Vbr(It=10 0mA)=6 67 8 15B VWM=11 4B, iPP-35 1A X X
TG SMAJ6 OAC VISH vs Vbr(It=10 0mA)=6 67 7 378, Vi^m=10 3B lPP=38 8A X X
TH SMAJ6 5C VISH vs VBr(It=10 0mA)=7 22 8 826 ^-12 36 lPP=32 5A X X
TK SMAJ6 5AC VISH vs VBR(IT=1O 0mA)-7 22 7 98B, Vwm=1 1 2B lPP=35 7A X X
TL SMAJ70C VISH vs VSr(It=10 0mA)=7 78 9 51B, Vwwrl3 ЗВ 1PP=30 1A X X
TM SMAJ7 OAC VISH vs VBR(IT=1O 0mA)=7 78 8 608, Vwm=12 06 lPP=33 3A X X
TN SMAJ7 5C VISH vs Vbr(It=1 0mA)=8 33 10 3B Vwm=14 38, lPP=28 OA X X
TP SMAJ7 5AC VISH vs VBr(It=1 0mA)=8 33 9 21B, W12 9B, lPP=31 OA X X
TO SMAJ8 ОС VISH vs VBr(It=1 0mA)=8 89 10 9B, VWM=15 OB, |РР=26 5A X X
TR SMAJ8 OAC VISH vs VBr(It=1 0mA)=8 89 9 83B VWm=13 6B, Ipp=29 4A X X
TS SMAJ8 5C VISH vs V8r(It=1 0mA)=944 11 5B VWM=15 9B, lPP=25 1A X X
TT SMAJ8 5AC VISH vs VBr(It=1 0mA)=9 44 10 4B VwM=14 48 lPP=27 7A X X
TU SMAJ9OC VISH vs Vbr(It=1 OmA)=10 0 12 2B, Vwm-16 9B |рр=23 6A X X
TV SMAJ9 OAC VISH vs VBr(It=1 OmA)=10 0 11 18, Vwm=15 4B, lPP=26 OA X X
► 98
DO-214AC, SMA
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цокси 1 тевка 2
TW SMAJ10C VISH vs Vbr(It“1 0mA)=11 1 13 6B, Vwm=18 8B, lPP=21 2A X X
TX SMAJ10AC VISH vs VBr(It=1 0mA)=11 1 l23B,7WM=170B lPP=23 5A X X
TY SMAJ11C VISH vs V8R(It=1 0mA)=122 149B7WM=2O1B Ipp=20 OA X X
TZ SMAJ11AC vish vs V8r(It=1 0mA)=12 2 13 5B 7WM=182B 1^=22OA X X
UA US1A GS Id 7R=50B If=1A, С0=17пФ К А
UB US1B GS fd Vr=1008, If=1A С0=17лф К А
UD SMAJ12C VISH vs Vbr(It=1 0мА}=13 3 16 ЗВ 7«м=220В,1РР=18 1A X X
UD US1D GS fd Vr=200B, If=1A, Ср=17лФ К А
UE SMAJ12AC VISH vs Vbr(Ij=1 0mA}=13 3 14 7B 7^=19 9B, |РР-20 1A X X
UF SMAJ13C VISH vs VBr(It=1 0mA)=14 4 17 6B, VWm=23 8B IPP=16 8A X X
UG SMAJ13AC VISH vs VBr(It=1 0mA)=144 159В 7Ш=21 5B, lPP=18 6A X X
UG US1G GS Id Vr=4008, If=1A, С0-17пФ К А
UH SMAJ14C VISH vs VBr(It=1 0mA)=15 6 19 IB, Vwm=25 8B lPP=15 5A X X
UJ USU GS fd Vr-600B If=1A, Ср=15пФ К А
UK SMAJ14AC VISH vs Vbr(It= 1 0mA)=1 5 6 17 2B, 7^=23 28, lPP=17 2А X X
UL SMAJ15C VISH vs Vbr(It=1 0mA)=16 7 20 4B VwM"26 9B, lPP=14 8A X X
UM SMAJ15AC VISH vs Vbr(It=1 0mA)-16 7 185B,Vwm=244B IpP=164A X X
UN SMAJ16C VISH vs Vbr(It=1 0mA)=17 8 21 8B Vwm=28 8B, lPP=13 8A X X
UP SMAJ16AC VISH vs Vbr(It=1 0mA)=178 197B 7wm”36 08 lPP=153A X X
UQ SMAJ17C VISH vs Vbr(It=I 0mA)=18 9 23 1B,Vwm”30 5B, IPP=13 1A X X
UR SMAJ17AC VISH vs Vbr(It=1 0mA)=18 9 20 9B VWM=27 68 lPP-14 5A X X
US SMAJ18C ViSH vs 7BR(IT=1 OmA)=2QO 24 4B Vwm-32 2B Ipp=12 4A X X
UT SMAJ18AC VISH vs 7ей((т=1 OmA)=2QO 22 1B 7WM=29 28 (PP=13 7A X X
UU SMAJ20C vish vs VBn(lT=1 0mA)=222 27 1B 7wm=35 8B 1^11 1A X X
UV SMW20AC VISH vs Vbr(It” 1 0mA)=22 2 24 5B, Vwm=32 4B, !?₽=12 ЗА X X
UW SMAJ22C VISH vs VBr(It=1 0mA)=24 4 29 8В,УШ=39 4В lpp-Ю 1A X X
UX SMAJ22AC vish vs VBr(It=1 0mA)-24 4 26 9B,VWM-355B lpp'11 2А X X
UY SMAJ24C VISH vs VBR(l7-1 0mA)=26 7 32 6B, Vwm=43 OB 1^=9 ЗА X X
UZ SMAJ24AC VISH vs VBR(IT=1 0mA)-26 7 29 5B 7«м=38 9B, IPP=1O ЗА X X
VD SMAJ26C VISH vs Vbr(It=1 ОмА)=28 9 31 9B 7^м~46 6В Ipp—8 6A X X
VE SMAJ26AC VISH VS Vbr{It=1 0mA)=28 9 25 3B 7^m~42 1B lpp=9 5A X X
VF SMAJ28C VISH vs VBR{li=1 0мА)=31 1 38 OB Vwm-50 0B 1рр=8 0А X X
VG SMAJ28AC VISH vs Vbr('t=1 0mA)=31 1 34 4B, VwmMS 4B lpp-8 8A X X
VH SMAJ30C VISH vs Vbr<It=1 0mA)=33 3 40 78,7Ш=53 5B, Ipp-7 5А X X
VK SMAJ30AC VISH vs 0mA)=33 3 36 8B VWM=48 4B lPP"8 ЗА X X
VL SMAJ33C VISH vs VBr(It=1 0mA)=36 7 44 9B, 7^=59 OB, iPP=6 8A X X
VM SMAJ33AC VISH vs 7br|It=1 0mA)=36 7 40 68, Vwm=53 3B lPP=7 5А X X
W SMAJ36C VISH vs Vbr('t=1 OmA)=40 0 46 9B 7wm=64 ЗВ, Ipp~6 2А X X
99
D0-214AC, SMA
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2
VP SMAJ36AC VISH vs V0R(IT=1 OmA)-4O 0 44 2B W58 IB lPP-6 9A X X
VQ SMAJ40C VISH vs V0R(IT=1 OmA)-44 4 54 3B V^l 4B lPP=5 6A X X
VR SMAJ40AC VISH vs V0R(IT=1 OmA)-44 4 49 1B W64 5B lPP=6 2A X X
VS SMAJ43C VISH vs V0r(It=1 0mA)=47 8 58 4B V^m=76 7B Ipp=5 2A X X
VT SMAJ43AC VISH vs Vbr(It=1 0mA)-47 8 52 8B Vwm”69 4B lPP-5 7A X X
VU SMAJ45C VISH vs VBr(It=1 0mA)=50 0 61 IB Vwm=80 3B lpp=5 OA X X
W SMAJ45AC VISH vs V0r(It-1 0mA)b50 0 55 3B Vwmb?2 7B lpp=5 5A X X
VW SMAJ48C VISH vs Vbr(It=1 OmA)b53 3 65 IB Vwmb85 5B lpp=4 7A X X
VX SMAJ48AC VISH vs VBR(IT=1 OmA)b53 3 58 9B Vwm=77 4B Ipp=5 2A X X
VY SMAJ51C VISH vs V0r(It=1OmA)-567 69 3B Vwm=91 IB l₽p=4 4A X X
vz SMAJ51AC VISH vs V0r(It_1 0mA)=56 7 62 7B Vwm~82 4B lp₽-4 9A X X
WD SMAJ54C VISH vs VBr{It=1 0mA)=60 0 73 3B VWM-96 ЗВ 1₽р=4 2A X X
WE SMAJ54AC VISH vs VBfi(lT=1 0mA)=60 0 66 3B Vwm=87 1B lPP-4 6A X X
WF SMAJ58C VISH vs VBr(It-1 0mA)=64 4 78 7B VWM=lO3B Ipp=3 9A X X
WG SMAJ58AC VISH vs Vbr(It-1 0mA)-64 4 71 2B VWM=93 6B lPP=4 ЗА X X
WH SMAJ60C VISH vs Vbr(It=1 0mA)=66 7 81 5B VWM=lO7B 1рр=3 7A X X
WK SMAJ60AC VISH vs Vbr{It-1 0mA)=66 73 7B W96 8B lPP=4 1A X X
WL SMAJ64C VISH vs VBr(It=1 0mA)-71 1 86 4B VWM=114В lPp=3 5A X X
WM SMAJ64AC VISH vs Vbr(It=1 0мА)=71 1 78 6B V«m=103B lPP-3 9A X X
WN SMAJ70C VISH vs Vbb(It= 1 0mA)=77 8 95 IB VWM=125B l₽₽=3 2A X X
WP SMAJ70AC VISH vs V0P(IT=1 0mA)=77 8 860BVw=113B lpp-3 5A X X
WO SMAJ75C VISH vs Vbr(It=1 0mA)=83 3 102B VWM=134B lPP=3 OA X X
WR SMAJ75AC VISH vs Vbr(It=1 QmA)=83 3 92 1B VW=121B l₽p=3 3A X X
ws SMAJ78C VISH vs VSr(It=1 0mA)-86 7 106B VWM=139B l₽₽=2 9A X X
WT SMAJ78AC VISH vs V0R(IT-1 0mA)=86 7 95 8B 7^-1266 |РР=2 2A X X
wu SMAJ85C VISH vs V6r(It=1 0мА)=94 4 115B VWM=151B lpp=2 8A X X
wv SMAJ85AC VISH vs V0r(It-1 0mA)-94 4 104B Vwm=137B lpp=2 9A X X
ww SMAJ90C VISH vs VBR(>r=1 0мА)=100 122B Vwm-1606 lpp-2 5A X X
wx SMAJ90AC VISH vs VeR()T=1 ОмА?=100 111B Vww=’48B lpp=2 7A X X
WY SMAJ100C VISH vs V8r(It-1 OmA|=111 136B Vwm-1796 l₽p=2 2A X X
wz SMAJ100AC VISH vs VBr(Itb1 OmA)=111 123B VW=162B lpp=2 5A X X
XD SMAJ110C VISH vs Vep(lT=1 0mA)=122 149B VW=196B lpp=2 OA X X
XE SMAJ11DAC VISH vs VSP(lrB1 OmA)=122 135B VW=177B 1^=2 ЗА X X
XF SMAJ120C VISH vs V0P(It=1 0mA)=133 163B Vwm=214B lPP-1 9A X X
XG SMAJ120AC VISH vs V0fl(lT=1 OmA)=133 147В VWm=193B lpp"2 OA X X
XH SMAJ130C VISH vs V00(It=1 ОмА)=144 178В VWM=23lB Irp=1 7A X X
XK SMAJ130AC VISH vs Vbr(It=1 ОмА?=144 159B VWM=209B |РР=1 9A X X
XL SMAJ150C VISH vs Vbr(It=1 0mA)=167 204B VWM=268B lPP=1 5A X X
► 100
D0-214AC, Sib
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цокож 1
ХМ SMAJ150AC VISH vs Vbr(It"1 0mA)=167 185B VWM-243B lPP-1 6A X
XN SMAJ160C VISH vs VbrOt-1 0mA)=178 2l8B VWM=287B iPP=1 4A X
ХР SMAJ160AC VISH - vs VBr(It=1 0mA)-178 197B W259B lPP-1 5A X
XQ SMAJ170C VISH vs Vbr(It=1 0mA)=189 231B Vwm"304B lPP_1 ЗА X
ХА SMAJ170C VISH vs VBr(It=1 0mA)=189 209B VWM-275B lPP-1 4A X
ZHK SMAZ5V1 VISH dz Vz(Iz=1£X)mA)=4 8 5 4B Zn“5 0OM К
ZHL SMAZ5V6 VISH dz Vz(Iz=100mA)=5 2 6 OB 2^=2 OOm К
ZHN SMAZ6V2 VISH dz Vz(lz 100mA)-5 8 6 6В 2^=2 OOm К
ZHO SMAZ6V8 VISH dz Vz(Iz-100mA)-6 4 7 2lBZn=2 0OM К
ZHQ SMAZ7V5 VISH dz Vz(Iz-100mA)-7 0 7 9BZzt=2 0Om К
ZHR SMAZ8V2 VISH dz Vz(Iz-100mA}-7 7 8 7BZn=2 0OM К
ZKT SMAZ9V VISH dz Vz(Iz=50mA)"8 5 9 6В 2^’4 OOm К
ZHU SMAZlO VISH dz Vz(Iz=50mA)=9 4 10 6BZzt=4 00m К
ZHW SMAZ12 VISH dz Vz(Iz-50mA)-11 4 12 7B Z^-7 OOm К
ZHZ SMAZ15 VISH dz Vz(Iz-50mA)=13 8 15 6В2л=10Ом К
ZJA SMAZ16 VISH dz Vz(Iz-25mA)-15 3 17lBZn-l5OM К
UF SMAZ18 VISH dz Vz(Iz-25mA)-16 8 19 1В2гт=150м К
UG SMAZ20 VISH dz Vz(Iz-25mA)-18 8 21 2B 2гт=150м К
UK SMAZ22 VISH dz Vz(Iz=25mA)=20 8 23 3В2гт=150м К
UL SMAZ24 VISH dz Vz(Iz=25mA)=22 8 25 66 2^=150м К
UN SMAZ27 VISH dz Vz(Iz-25mA)=25 1 28 9B Z^ISOm К
ZJQ SMAZ30 VISH dz Vz(Iz=25mA)=28 32B Z^ISOm К
ZJR SMAZ33 VISH dz Vz(Iz=25mA)-31 35В 2гт-150м К
ZJS SMAZ36 VISH dz Vz(Iz-10mA)=34 38B ZZt=40Om К
гл SMAZ39 VISH dz Vz(Iz=10mA}=37 41B Zn=40OM К
ZJV SMAZ47 VISH dz Vz(Iz-10mA}=44 50B Zzt=450m К
ZKM SMAZ68 VISH dz Vz(Iz=10mA)=64 72B Z^SOOm К
ZKQ SMAZ100 VISH dz Vz(lz-5 0мА)-94 106B Zzt-ZOOOm к
ZKR SMAZ150 VISH dz Vz(lz=5 0мА)=138 156B Zzt=3000m к
ZKW SMAZ200 VISH dz Vz(lz-5 0мА)=188 212В 2гт=3500м к
101 -
Код Типономинал фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2
WA SMZG3789A is dz Vz(lz=37 5мА)=ЮВ±Ю% Zzt-5 0Om Т А
WB SM2G3789B GS dz Vz(lz=37 5mA)=10B±5%, Zzt=5 OOm К А
wc SM2G3790A GS dz Vz(lz=34 1мА)= 11B± 10%, 2^=6 ООм К А
WD SM2G3790B GS dz Vz(lz=34 1мА)=11В±5%, Zzt=6 OOm К А
WE SMZG3791A GS dz Vz(lz=3l 2mA)=12B±10%, Zzt=7 OOm к А
WF SM2G3791B GS dz Vz(lz=31 2mA)=12B±5% 2п=7 0Ом к А
WG SM2G3792A GS dz Vz(lz=28 8мА)=13В±10%, 2Zy=7 50м к А
WH SMZG3792B GS dz Vz(lz=28 8мА)=13В±5% 2гт=7 50м к А
Wl SMZG3793A GS dz Vz(Iz=25 0mA)=15B±10%, Zzt=9 OOm к А
WJ SM2G3793B GS dz Vz(Iz=25 0mA)=15B±5% 2^=9 OOm к А
WK SMZG3794A GS dz Vz(lz=23 4mA)=16B±iO%, 2^=10 OOm к А
WL SMZG3794B GS dz Vz(lz=23 4mA)=16B±5%, 2^=10 OOm к А
XA SM2G3795A GS dz Vz(lz=20 8mA)=18B±10%, 2^=12 OOm к А
XB SMZG3795B GS dz Vz(lz=20 8mA)=18B±5%, 2^=12 00м к А
XC SMZG3796A GS dz Vz{lz=18 7мА)=20В±10%, 2гт=14 OOm к А
XD SMZG3796B GS dz Vz(lz=l8 7мА)-20В±5%, 2^=14 OOm к А
XE SMZG3797A GS dz Vz(Iz=17 0мА)=22В±Ю%, 2ct=17 50m к А
XF SMZG3797B GS dz Vz(lz=17 OmA)=22B±5% 2^=17 50м к А
XG SMZG3798A GS dz VZ(IZ=15 6mA)=24B±10%, 2zt= 19 OOm к А
XH SM2G3798B GS dz Vz(Iz=15 6mA)=24B±5% 2пв19 0Ом к А
XI SMZG3799A GS dz Vz(lz=l3 9mA)=27B±10% 2гт=23 0Ом к А
XJ SMZG3799B GS dz Vz{lz= 13 9mA)=27B+5%, 2Zt=23 OOm к А
XK SM2G3800A GS dz Vz(Iz=12 5mA)=30B±i0% 2^=26 OOm к А
XL SMZG3800B GS dz VZ(IZB12 5mA}=30B±5%, 2^=26 OOm к А
YA SM2G3801A GS dz Vz{lz=11 4mA)=33B± 10%, 2zt=33 OOm к А
YB SMZG3801B GS dz Vz(lz=11 4mA)=33B±5%, 2^=33 OOm к А
YC SMZG3802A GS dz Vz(lz= 10 4mA)=36B±10%, Zzt=38 OOm к А
YD SM2G3802B GS dz VZ(IZ=1O 4mA)=36B±5%, 2zt=38 OOm к А
YE SMZG3803A GS dz Vz(lz=9 6mA)=39B±10%, Zzt=45 OOm к А
YF SM2G3803B GS dz Vz(lz=9 6mA)=39B±5%, 2zt=45 OOm к А
YG SMZG3804A GS dz Vz(lz=8 7mA)=43B±10%, 2zt=53 OOm к А
YH SM2G3804B GS dz Vz(Iz=87mA)=43B±5%,2Zt=53 OOm к А
Yl SMZG3805A GS dz VzH ОмА)=47В±10% 2гт=67 0Ом к А
YJ SM2G3805B GS dz Vz(lz=8 0mA)=47B±5%, 2zt=67 OOm к А
YK SMZG3806A GS dz Vz(Iz=7 ЗмА)=51В±10% 2гт=70 00м к А
YL SM2G3808B GS dz Vz(lz=7 ЗмА)=51В±5%, 2п=70 OOm к А
ZA SM2G3807A GS dz Vz(lz=6 7мА)=56В+Ю%, 2гт=86 ООм к А
ZB SM2G3807B GS dz Vz(lz=6 7мА)-56В±5% 2гт-86 ООм к А
zc SMZG3808A GS dz Vz(lz=6 0мА)=62В110%, 2ZT=100 ООм к А
ZD SM2G3808B GS dz Vz(lz=6 0мА)=62В±5%, 2^=100 ООм к А
ZE SMZG38Q9A GS dz Vz(lz=5 5мА)=68В±10%, 2гт=120 ООм к А
ZF SMZG3809B GS dz Vz(lz=5 5мА)=68В±5%, 2^=120 ООм к А
► 102
Первый вывод полярных приборов маркируется точкой, 0.55
выемкой или полосой у катода ®
Цвет полосы Тип Типономинал Фирма Функция Особенности Цокол.
1 2
белая 2 ВВ419 SIEM bd Vr<28B,If<20mA, Ir<0 02mkA, C3v~26 32лФ, C3v/C25v=5 6 5 К А
белая А 8АТ14-098 SIEM shd Vr<4B, If<90mA, Vf(If= ЮмА)<0 55B, CD<0 35лФ К А
белая В ВАТ15-098 SIEM shd Vr<4B, lF< 1 10mA, VP(lp= 1 0mA)<0 32B, CD<0 35пФ к А
белая С ВАТ65 SIEM shd VR<30B, If<500mA, VF{lp=250мA)<0 7B, |R< ЮмкА, CD< 12лф к А
белая М ВВ512 SIEM bd VR< 12В, If<50mA, |r<0 02mkA, C ty=440 520пф, C 15 к А
белая Р ВА586 SIEM pm Vn<50B, If<50mA, Vf(If=50mA)<1 158, Ir<0 05mkA Со<0 2пФ к А
белая R ВА585 SIEM pm Vr<50B, If<50mA, Vf(If=50mA)< 1 IB, lR<0 05мкА, Со<0 4пф к А
белая S ВВ515 SIEM bd Vr<308 If<20mA Ir<0 01mkA CiV=17 5 20лФ,Civ/C28v=82 98 к А
белая т ВВ8И SIEM bd Vr<30B,If<20mA,Ir<002mkA,C1v=78 9 8лФ, C^Cjsr? 8 9 5 к А
голубая S ВА582 SIEM dtv Vr<35B If<100mA, Vf(|f=100mA)<1 OB, Ir<0 02mkA,Cd<1 1лФ к А
желтая S ВВ619 SIEM bd VR<30B, If<20mA, Ir<0 OImkA, C1v=36 42пф CiV/C28v> 13 5 к А
желтая S ВВ619С SIEM bd Vr<30B If<20mA, Ir<0 OImkA, Cjv=36 42пФ C|v/C28v>13 5 к А
красна) S ВВ620 SIEM bd Vr<30B 1[<20мА Ir<Q01mkA,Civ=62 76пФ,Ctv/C28v=l9 5 25 к А
S0D-91
Тип Типономинал Фирма Функция Особенности Цокол.
1 2
HD BYD11D PHIL byg Vr<200B, If<0 5A, V^O 5A)<0 91В Vr>225B, Ir< 1 мкА, С0=14пФ, Irr=3mkc К А
11G BYD11G PHIL byg Vr<400B If<0 5A Vf(0 5A)<091B,Vr>450B,Ir<1mkA С0=14пф 1rr=3mkc К А
11J BYD11J PHIL byg VR<600B 1^0 5А VKO 5A)<0 91В Vr>650B Ir<ImkA, С0=14лФ 1rr=3mkc к А
НК BYD11K PHIL byg Vr<800B If<0 5A VKO5A)<O91B Vr>900B Ir<1mkA, С0=14лФ 1rr=3mkc к А
ИМ BYD11M PHIL byg Vr<1000B If<0 5A Vf(0 5A)<091B Vr>1 100В Ir<1mkA С0=14пФ,1рр=Змкс к А
31D BYD31D PHIL byg VR<200B, If<0 44A VF(0 5A)< 1 35В VR>300B, Со=9лф, tRR<250нс к А
31G BYD31G PHIL byg VR<4008, lF<0 44A, VF(0 5A)< 1 35B, VR>500B, С0=9пФ, 1rr<250hc к А
31J BYD31J PHIL byg Vr<600B, If<0 44A, VF(0 5A)< 1 35B, Vr>700B, С0=9пФ, 1rr<250hc к А
31К 8YD31K PHIL byg Vr<800B, If<0 44A Vf(0 5A)<1 35B Vr>900B, С0=8лФ, Irr<300hc к А
ИМ 8YD31M PHIL fid Vr<1000B |f<0 44А Vf(0 5A)<1 35B VR>11OOB, С0=8лФ Irr<300hc к А
SH 8AS11 PHIL dl VR<300B If<300mA, Vf(If=300mA)<1 OB Со=20пФ 1rr<1mkc к А
S12 BAS12 PHIL dl Vr<400B, If<300mA, Vf(IF=300mA)<1 OB, Со=2Опф, Irr<1mkc к А
103
SOT-143, ТО-253
25
max
0 150
0 090
0 75
0 60
O8«o’i - |i/- °48 0'
3CP 1 1
max max
Код Типономинал Фирма ФуНКЦИ' Особенности Цоколевка
1 2 3 4
01 MRF9011LT1 MOT n-p-n Vcso=25B,Ic=3OmA Pd=300mBt h21=30 200,1т=3800МГц С Е В Е
02 MRF5711LT1 MOT n-p-n Vcbo=2OB Ic=80mA, Pd=580mBt h2f=50 300 1г-8000МГц С Е в Е
04 MRF4427 MOT n-p-n Vcbo=4OB |c=400mA, Pd=220mBt h2l=l0 200,1т=1б00МГц С Е в Е
04 MRF5211LT1 MOT p-n-p VC0O=-2OB Ic=-70mA, Pd=333mBt, h2,=25 125, (т=4200МГц с Е в Е
06 MRF9331LT1 MOT n-p-n Vcbo=15B Ic=2mA, Po=5OmBt, h21=30 200 1т=5000МГц с Е в Е
11 MRF9511ALT1 MOT n-p-n VCbo=20B, Ic=100mA, Pd=322mBt, h21=75 150, fT=8000MTu с Е в Е
17 BAS125-07 SIEM 2xshd Vr<25B, Ir< 100mA Vf(If=35mA)<0 9B Ir<1 0mkA,Cd<1 1лф К1 К2 А2 А1
18 MRF9331LT1 MOT n-p-n Vcbo=15B Ic=2mA, Pd=50mBt h21=30 200 1т=35О0МГц с Е в Е
18 MRF9411BLT1 MOT n-pn Vcbo=2OB, Ic=50mA Pd=250mBt h21=l00 200 fT=8000MTu с Е В Е
18 MRF9411BLT3 MOT n-p-n Vcbo=2OB, Ic=50mA, Pd=250mBt h2i=lO0 200 tj-—8000МГц с Е В Е
Up BCV61A PHIL n-p-n W30B, 1с=Ю0мА, Po=250mBt h2i=H0 220Л>100МГц В1,В2, С2 С1 Е1 Е2
Us BCV61A SIEM n-p-n VCbo=30B, Ic=100mA Pd=300mBt, h21=1 Ю 220 1т=250МГц С1,В1, В2 С2 Е2 Е1
IKp BCV61B PHIL n-p-n VCbo=3OB, Ic=100mA, Po=250mBt, h2i=200 450, fT> 100МГц В1В2, С2 С1 Е1 Е2
IKs BCV61B SIEM n-p-n VCB0=308, Ic=100mA, Pd=300mBt, h2,=200 450,1т=250МГц С1 В1 В2 С2 Е2 Е1
ILp BCV61C PHIL n-p-n VC0O=3OB, Ic=100mA, Po=250mBt h21=420 800,1т>Ю0МГц Bl В2, С2 С1 Е1 Е2
1Ls BCV61C SIEM n-p-n Vcbo=30B,Ic=100mA Pd=300mBt, h2l=420 800 1т=250МГц С1В1 В2 С2 Е2 Е1
IMp BCV61 PHIL n-p-n VCbo=30B Ic=100mA Po=250mBt h2i=110 800, Ь>100МГц В1.В2, С2 С1 Е1 Е2
305 AT-30511 HP n-p-n VCbo=11B,Ic=8mA Pd=100mBt, h21=70 300 1т=ЮГГц В Е С Е
310 AT-31011 HP n-p-n VCbo= 11B, Ic=18mA Po=150mBt, h2i=70 300 1т=ЮГГц В Е С Е
320 AT 32011 HP n-p-n Vcbo=11B Ic=32mA Pd=200mBt h2i=70 300 1т=10ГГц В Е С Е
3Jp BCV62A PHIL p-n-p Vcbo=3OB, Ic=100mA, Pd=250mBt, h21=l25 250 Тт>100МГц В1.В2, С2 С1 Е1 Е2
3Js BCV62A SIEM p-n-p VCbo=3OB, Ic=100mA, Pd=300mBt h2l=125 220,1т=250МГц С1.В1, В2 С2 Е2 Е1
3Kp BCV62B PHIL p-n-p VCbo=3OB, Ic=100mA,Po=250mBt h21=220 475Л>Ю0МГц В1,В2, С2 С1 Е1 Е2
3Ks BCV62B SIEM p-n-p Vcbo=3OB, Ic=100mA, Pd=300mBt, П2,=220 475,1т~250МГц С1,В1 В2 С2 Е2 Е1
3Lp BCV62C PHIL p-n-p W30B, Ic=100mA, Pd=250mBt, h2i=420 800, fT>W0MFu В1.В2, С2 С1 Е1 Е2
3Ls BCV62C SIEM p-n-p Vcbo=3OB, Ic=100mA, Po=300mBt h2,=420 800,1т=с250МГц С1,В1, В2 С2 Е2 Е1
3Mp BCV62 PHIL p-n-p VCbo=3OB Ic=100mA, Po=250mBt, h2l=100 800 !т>100МГц В1,В2, С2 С1 Е1 Е2
► 104
SOT-143, ТО-251
Код Гипономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3 4
414 AT-41411 HP n-p-n VCbo=2OB Ic=50mA, Pd=225mBt h21=30 270 fr 7000 МГц C E В Е
47s 8AS40-07 SIEM 2xshd Vr<40B, If< 120mA Vf(If=40mA)<1 OB lR<1 OmkA, Cd<5 ОпФ K1 K2 A2 А
57 BAT17-07 SIEM 2xshd Vr<4B If<130mA Vf(If=10mA)<0 6B Ir<0 25mkA, Cp<0 75пф K1 K2 A2 AI
60 BAR60 SIEM 3xpm VR<100B, If<140mA Vf(If=100mA)<1 25B, Ir<0 1mkA CD<02n® К1 K2 A3 КЗ A1 А2
61 BAR61 SIEM 3xpm Vr<100B Ip<140mA VHIf=100mA)<1 25B, lR<0 ImkA Co<0 2пФ K2.K3 A1 K1.A2 АО
62 BAT62 SIEM 2xshd Vr<40B If<20mA Vf{If=2mA)<1 OB Ir<10mkA, Cd<0 бпф Al K2 A2 К1
63 BAT63 SIEM 2xshd Vr<3B,If<100mA Vf(If=1mA)<0 3B 1н<0 01мкА,Со<0 85пф Al K2 A2 К1
67s BAT64-07 SIEM 2xshd Vr<40B, If<250mA, Vf(If=100mA)<0 75B, Ir<2 OmkA, С0<6лФ KI K2 A2 А1
77p BAS70-07 PHIL 2xshd Vr<70B If<70mA, Vf(If=1 mA)<41 OmB, С0<2пф K1 K2 A2 А!
77s BAS70-07 SIEM 2xshd Vr<70B, If<70mA, Vf(If=1 5мА)<1 OB, Ir<0 ImkA. Cd<2 ОпФ K1 K2 A2 А1
3372 MRF8372 MOT n-p n VCbo=36B, Ic=200mA Po=1880mBt, h2]=30 200 C E В Е
97p BCV65 PHIL p-n p(1)+ n-p-n(2) Vqbo=3OB Ic=100mA, Pq=250mBt, h2l=75 800 C2 B1.B2 Cl Е1,8
98p BCV65B PHIL p-n-p(1)+ n-p-n(2) VCbo=3OB Ic=100mA, Pd=250mBt, I>2i=200 475 C2 B1.B2 Cl E1.fi
A MRF947T3 MOT n-p-n Vcbo~2OB, Ic=50mA Рр=188мВт h2j>50 Тт=8000МГц C E В Е
A2 CFY30 SIEM FET GaAs, Vds=5B, Io=80mA Pd-250mBt, Idss=15 60мАдР=30мСм S D S G
A5 HSMS 2805 HP 2xshd Vw>708, VF(If=15mA)<1 08 Ir(Vr=508)<200hA, Cd<2 ОпФ, Rd=350m K1 K2 A2 А1
A61 BAS28 CENTS 2xfid If<250mA Vbr>758 Vf(If-10mA)<0 8558 Ir<1000hA ^<6 Ohc Cd<2 ОпФ Al A2 K2 К1
A7 HSMS-2807 HP 4xshd Vbr>70B, Vr(If=1 5mA)<1 OB Ir(Vr=50B)<200hA, Co<2 ОпФ Rd=35Dm K1,A4 K4,A3 K3.A2 К2,А
A6 HSMS-2808 HP 4xshd Vbr>70B Ур(|р=15мА)<106jR(VR=50B)<200HACo<20n^^50M К1 K4 A4,K3 A3,A2 К2,А
B5 HSMS-2815 HP 2xshd VW>2OB, Vrilr35MA)<1 OB, IrO/Ft158)<200hA, Ст< 12пФ, Rd=15Om K1 K2 A2 А1
B7 HSMS-2817 HP 4x$hd V8r>2OB,Vf(If=35mA)<1 OB,WVfrl58)<200HA Co<1 2пФ Rd=15Om K1A4 K4,A3 K3,A2 К2,А
88 HSMS-2818 HP 4xshd VBr>2OB,Vf(If=35mA)<1 0B,Ir(Vr=158)<200hA,Co<1 2пФ,Во=15Ом K1.K4 A4 КЗ A3A2 К2,А
C5 HSMS-2825 HP 2xshd Vbr>158 VHH30mA)<07B Ir(Vr=1B)<100hA Co<1 ОпФ Rd=i20m K1 K2 A2 А1
C7 HSMS-2827 HP 4xshd Vbr>158 VKIf=30mA)<07B Ir(Vr=1B)<100hA,Ci<1 ОпФ Ro=i2Om K1A4 K4A3 K3A2 К2,А
C8 HSMS 2828 HP 4xshd Vbr>158 Vf(If=30mA}<0 7B Ib(Vb=1B)<100h4, M> Ro=12Om К1 K4 A4 КЗ АЗ A2 К2,А
C9 HSMS-2829 HP 4<shd V№>15S, Vr(If=30mA)<0 7B, WVr=1B}<100hA Ct<1 ОпФ Ro=12Om K1A2 АЗ K4 A4,K2 КЗ,А
C95 ВС164 PHIL p-n-p Vcbo=30B,Ic=100mA Pd=250mBt, h2i=1l0 800 1т>Ю0МГц Bl C2 Cl E1 E2 В2
C96 BCV648 PHIL p-n-p VCso=3OB, Ic=100mA Pd=250mBt, h21=220 475 Тт>ЮОМГц B1,C2 Cl E1,E2 В2
D95 BCV63 PHIL n p n VCbo=30B Ic=100mA, Pd=250mBt, h2t=110 800 1т>100МГц Bl C2 Cl E1,E2 В2
D96 BCV63B PHIL n-p-n W30B, Ic=100«A, Pd=250mBt h21=200 45<Мт>1ММГц Bl C2 Cl Е1 E2 В2
FAs BFP81 SIEM n p-n Vceo=25B Ic=30mA, Po=280mBt h2l=50 200 1т>5800МГц C E В Е
FEs BFP93A SIEM n-p-n Vc8o=2OB, Ic”50mA, P[)-300mBt h2i=50 200 f-рбОООМГц C E В Е
G5 HSMP-3895 HP 2xpm lF< 1 A, Pd<250mBt, Vbr>W0B, Rs<2 50m, Ct<0 ЗОпФ A1 A2 K2 К1
HHs BBY51-07 SIEM 2xbd Vh<7B,lF<20MAlR<00lMKA,Cir48 6 ОпФ, С^/С«г1 55 2 15 KI K2 A2 А1
JPs BAW101 SIEM 2xdi K1 K2 A2 А1
JSs 8AW100 SIEM 2xdi Vr<758,If<200mA,Vf{If=150mA)<1 25В,1в<10иАСо<20пФ,|йя<6нс Al A2 K2 К1
JTp BAS28 PHIL 2xfd Vr<75B, If<215mA, Vf(If=50mA)< 1 OB, Со<1 5пФ, tRR<4HC KI K2 А2 А1
JTs BAS28 SIEM 2xdi Vr<758 К200мА,^Ц=50ыА)<1 OB Ir<0 ImkA, Co<2 ОпФ, ^бнс KI K2 А2 А1
L30 BAV23 PHIL 2xd Vr<200B, If<225mA Vf(If=100mA)<1 OB, С0<5пФ, Irr<50hc K1 K2 А2 А1
105
SOT-143, ТО-253
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3 4
141 BAT74 PHIL 2xshd VR<30B, If<200mA Vf(If=1mA)<320mB Ср<ЮпФ 1rr<5hc KI K2 A2 А1
L51 BAS56 CENTS 2xfid If<200mA,V3r>60B Vf(H0mA)<0758 Ir<100hA ^<60нс,Со<25пФ A1 A2 K2 К1
L51 BAS56 PHIL 2xfd Vh<60B If<200mA, Vf(If=200mA)<1 OB, Co<2 5пФ, 1rr<6hc K1 K2 A2 А1
М BAR65-07 SIEM 2xpin Vr<30B, |f< 100mA, Vf(If=50mA)< 1 OB CD<0 9пФ K1 K2 A2 А1
МВ BF995 SIEM n-MOS Vcs=20B,l[f^CMft,R}=200MBT'h^=1 20мАд[:>12мСм S D G2 G1
МВ BF995 TELEF n-MOS Vps=20B 1р=30мА, Рр=200мВт, lpg=4 18mA qf>12mCm S D G2 G1
MG BF994S SIEM n-MOS Vps=20B Iq-30mA, Pd=200mBt Мр=1дБ, lp$s=2 20мА, др>15мСм S D G2 G1
MG BF994S TELEF n-MOS Vps=20B 1р=30мА, Рр=200мВт lpg=4 18мА qf>15mCm S D G2 G1
МН BF996S SIEM n-MOS Vds=20B, |р=30мА, Pq=200 мВт, NF-18дБ, Idss^ 20mA, gp> 1 5mCm s D G2 G1
МН BF996S TELEF n-MOS Vps=20B, 1р=30мА, Рр=200мВт, lps=4 20мА, qf>15mCm s D G2 G1
МК BF997 SIEM n-MOS Vps=20B 1р=30мА, PD=200 мВт, Nf- 1 ОдБ, Ips^ 20mA gF> 1 5mCm s D G2 G1
MD BF998 SIEM n-MOS Vp$-128 1р=30мА Рр=200мВт, Nf-1 ОдБ, Idss=2 20mA, qf-24mCm s D G2 G1
МО 8F998 TELEF n MOS Vqs=12B Iq=30mA Рр=200мВт Ids~4 18mA, qf>21mCm s D G2 G1
MS CF739 SIEM n-FET GaAs Vds=10B,Io-80mA,Pd=240mBt lpss=6 60мА, дР=25мСм s D G2 G1
MX CF750 SIEM n-FET GaAs Vpsr8B lp=80мА Рр=ЗООмВт 1р$в=50мА др-25мСм GND D G S
MYs BF1012 SIEM n-MOS VDS=16B, 1р=25мА Рр=200мВт NF=1 4дБ дР=26мСм s D G2 G1
MZs 8F1005 SIEM n-MOS Vos=8B, 1р=25мА, Рр=200 мВт NF=1 4дБ дР=24мСм s D G2 G1
NYs BF1012S SIEM n-MOS Vps=!6B 1р=25мА, Рр=200мВт NF=1 4дБд£=26мСм s D G2 G1
NZs BF10Q5S SIEM n-MOS Vps=8B, |р=25мА, Ррв200 мВт NF=1 6дБ, д₽=24мСм s D G2 G1
PTs BAR64-07 SIEM 2xpm VR<200B If<100mA,Vp(If=50mA)<1 1В Со<О35пФ, KI K2 A2 А1
RAs BF772 SIEM n-p-n Vcbo=20B Iq=80mA Pq*580mBt L?2i=50 200 1|=8000МГц c E В Е
RCs 8FP193 SIEM n-p-n Vpgo=20B Ic=80mA Рр=580мВт h2i=50 200 1у=8000МГц c E В Е
RDs BFP180 SIEM n-p-n VCbo=10B |c=4mA, Pd=30mBt h2,=30 200 1т=6200МГц c E В Е
REs BFP280 SIEM n-p-n VCbo=1 OB, 1с=ЮмА, Pd=80mBt, h21=30 200,1т>7000МГц c E В Е
RFs 8FP181 SIEM n-p-n VCbo=2OB Ic=20mA Pd=175mBt h21=50 200Тт=8000МГц c E В Е
RFs BFP181R SIEM n-p-n Vcbo=2OB, Ic=20mA, Pd=175mBt h21=50 200, fT>8000MTu c E В Е
RGs BFP182 SIEM n-p n VCbo=2OB Ic=35mA, Pd=250mBt, h21=50 200 1т>8000МГц c E В Е
RGs BFP182R SIEM n-p-n VCbo=2OB, Ic=35mA Pq=250mBt h2l=50 200,1т>8000МГц c E В Е
RHs BFP183 SIEM n-p-n VCbo=2OB, Ic=65mA Po=450mBt h21=50 200,1т=8000МГц c E В Е
RHs BFP183R SIEM n-p-n Vcso=2OB Ic=65mA Pd=250mBt h2,=50 200, <т>8000МГц c E В Е
RKs BFP194 SIEM p-n-p Vcbo=2OB, 1с=100мА Po=700mBt h2l-20 150 <т=5000МГц c E В Е
RIs BFP196 SIEM n-p-n VCbo=2OB Ic=100mA,Pd=700mBt h21=50 200 1т=7500МГц c E В Е
S4 BBY62 PHIL 2xbd Vr<30B If<20mA, Cjv=16 5пФ, C2$v=1 6 2пф Civ/C2ev=8 3 K1 K2 А2 А1
S5 BAT15-099 SIEM 2xshd Vr<4B, If< 11 0mA, Vf(|f=10mA)<0 32B, Cd<0 35пФ KI A2 К2 А1
S5 BAT15-Q99R SIEM 4xshd Vr<4B, If< 11 0mA, Vf{If=10mA)<0 32B, Cd<0 38пф K1,A4 A3 K2 К4А2 А1 КЗ
58 BAT14-099R SIEM 4xshd Vr<4B If<90mA Vf(If=10mA)<0 48B CD<0 38n® K1.A4 A3 K2 К4А2 А1 КЗ
S9 BAT14-099 SIEM 2xshd Vr<4B, If<90mA, Vf(If= ЮмА)<0 55B, CD<0 35пФ K1 A2 К2 А1
SN BAT63-099R SIEM 4xshd If<50mA, Vf{If=1mA)<0 ЗВ, Cp<1 ШФ АЗ K1 A4 K2 КЗА2 А1 С4
T5 HSMS-2865 HP 2xshd Vbr>5B, Vf(If=30mA)<0 6B CD<0 30n® Rd=100m K1 K2 А2 А1
► 106
SOT-23
SOD-23
I----------О--------------->i
Код Типономинал фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
1A TMPT3904 ALLEG n-p-n VCSo=6OB,Ic=1OOmA, Po=200mBt,I)2i=100 300 1т>300МГц В Е С
1A BC846A CDIL n-p-n Vcso=8OB, lc=1 00mA, Po=250mBt, h?I=110 220, fT>100МГц В Е с
1A BC846ALT1 MOT n-p-n Vcbo=8OB, Ic=100mA Pd=300mBt h2!=11Q 220 fpiOOMFu В Е с
1A KST3904 SAMS n-p-n VCbo=6OB Ic=100mA Pd=200mBt, h2i=l00 300, fT>300MTu В Е с
1A BC846A TOSH n-p-n Vcbo=8OB Ic=100mA, Рр=150мВт h2i=H0 220 1у=300МГц в Е с
1A MMBT3904 VISH n-p-n VCbo=6OB, Ic=i00mA, Pd=200mBt h21=l00 300 1т>300МГц в Е с
1A BC846A VISH n-p-n VCbo=8OB,Ic=1OOmA, Рр=310мВт h2i=1l0 220,fT>300MFu в Е с
1A FMMT3904 ZETEX n-p-n VCbo=60B, Ic=200mA, Pd=330mBt, h2l=l00 300, fT>300MTu в Е с
1AM MMBT3904LT1 MOT n-p-n VCbo=60B,Ic=200mA, Pd=300mBt, h21=lOO 300,1т>200МГи в Е с
lAp BC846A PHIL n-p-n VCbo=8OB, Ic=100mA, Pd=250mBt, h2i=1l0 220,1т>Ю0МГи в Е с
1AR ВС846АЧ PHIL n-p-n VCbo=65B, lc= 1 00mA, Рр=310мВт, h2i=220,fT>300MFu, Е В с
lAs ВС846A SIEM n-p-n VCbo=8OB Ic=100mA, Pd=330mBt, h2i=110 220,1т=250МГц В Е с
IB TMPT2222 ALLEG n-p-n VCbo=6OB, Icbo<ЮнА, h2rl00 300, VCE(sat)<0 4B, 1т>250МГц В Е с
IB BC846B CDIL n-p-n VCbo=8OB, Ic=100mA, Pd=250mBt, h21=200 450,1т>Ю0МГц В Е с
18 BC846BLT1 MOT n-p-n VCB0=80B, Ic=100mA Pd=300mBt, h21=200 450, fT> 100МГц в Е с
IB KST2222 SAMS n-p-n Vcbo=6OB, Ic=600mA, Pd=350mBt h2l>75 1т>250МГц в Е с
IB BC846B TOSH n-p-n Vcbo=8OB, !c~100mA Pd=150mBt, h2l=200 450,1т=300МГц в Е с
IB BC846B VISH n-p-n VCbo=8OB Ic=100mA Pd=310mBt, 1121=200 450,1т>300МГц в Е с
18 BC846B ZETEX n-p-n VCbo=8OB, Ic=100mA, Pd=330m8t h2l=200 450, Тт>300МГц в Е с
IBp BC846B PHIL n-p-n VCbo=8OB Ic=100mA Po=250mBt, h21=200 450, {т>100МГц в Е с
1BR BC846BR PHIL n-p-n Vcbo=88B, Ic=100mA, Рр=ЗЮмВт, h2i =330,1т>300МГц Е В с
IBs BC846B SIEM n-p-n Vcbo=80B,Ic=100mA,Po=330mBt, 1)21=200 450 fT=250Mru В Е с
1BZ FMMT2222 ZETEX n-p-n Vcbo=6OB, Ic=600mA Pd=330mBt I)2i=100 300 fT>250Mru В Е с
1C KST20 SAMS n-p-n Vcbo=4OB, Ic=100mA, Po=350mBt, l)2t=40 400, Ь>125МГц в Е с
1C FMMTA20 ZETEX n-p-n Vcbo=4OB, |c= 100mA, Pd=330mBt, h2i=40 400, fT> 125МГц в Е с
ID TMPTA42 ALLEG n-p-n Vcbo=300B, ICbo< IOOhA, I)2i>40, VCE(sat)<0 5B fT>50MTu в Е с
ID BC846 CDIL n-p-n Vcbo=8OB, Ic=100mA, Pd=250mBt, h2i=110 450, Ь>100МГц в Е с
ID KST42 SAMS n-p-n VCbo=3OOB, Ic=500mA, Pd=350mBt, h2i>40,1т>50МГц в Е с
ID MBTA42 TOSH n-p-n VCbo=3OOB, Ic=500mA, Pd=250mBt, h2i >40,1т=50МГц в Е с
107
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
1D SMBTA20 VISH n-p-n Vcbo=4OB, Ict100mA, Pd=330mBt h21=40 400, fT>l25MTu В Е С
ID MMBTA42 VISH n-p-n Vp3o=3OOBt Ic=200mA, Pd=350mBt, hji >25, Тт>50МГц В Е С
IDp BC846 PHIL n-p-n VcbHOB, Ic=W0mA, Pd-250mBt 1>г,=110 450, fT>100Mru В Е С
IE TMPTA43 ALLEG n-p-n Vcbo=200B, Icso''IOOhA h2,>40, VpE(sat)<0 5B, 1у>50мГц в Е с
IE BC847A CDIL n-p-n Vc8o=50B, 1с=Ю0мА, Рр-150мВт, =110 220, fr>300Mru в Е с
IE BC847ALT1 MOT n-p-n VCbo=5OB, Ic=100mA Po=300mBt, h21=110 220, fT>lOOMfu в Е с
IE KST43 SAMS n-p-n Vcbo=2OOB, Ic=500mA, Pd=350mBt, h2i>40, Тр>50МГц в Е с
1E BC847A TOSH n-p-n Vcbo=5OB Ic=100mA,Po=150mBt h2|=1lO 220 1|=ЗООМГц в Е с
IE BC847A VISH n-p-n Vcbo=5OB, Ic^IOOmA, Pd=3WmBt h2i=110 220, Тт>300Мгц в Е с
IE FMMTA43 ZETEX n-p-n VCbo=2OOB, Ic=200mA, Pd=330mBt h2,=50 200, fT>50Mlu в Е с
tEp BC647A PHIL n-p-n Vcbo=5OB, Ic=100mA, Po=250mBt, h21=1l0 220, fT>lOOMru в Е с
1ER BC847AR PHIL n-p-n Vcbo=45B, Ic=100mA, Pd=310mBt, h2l=220,1т>300МГц Е в с
1Es BC847A SIEM n-p-n Vcbo=5OB, Ic=I00mA, Pd-330mBt, 10 220,1т=250МГц В Е с
IF BC847B CDIL n-p-n VCbo=5OB, Ic=100mA, Pd=150mBt, h2l=200 450, fT>300MTu В Е с
IF BC847BLT1 MOT n-p-n Vcbo=5OB, Ic=100mA, Pd=300mBt, h2l=200 450, fT> 100МГц в Е с
IF KST5550 SAMS n-p-n VCbo=16OB, Ic=600mA, Pd=350mBt, h2, =60 250, fT> 150МГц В Е с
IF BC847B TOSH n-p-n Vcbo=5OB,Ic=1OOmA, Pd=150mBt h2,=200 450 1т=300МГц В Е с
IF BC847B VISH n-p-n Vcbo-SOB Ic=100mA, РгЗЮмВт, l>?1=200 450, 1т>300МГц В Е с
IF BC647B ZETEX n-p-n VCbo=5OB, Ic= 1 00mA, Pd=330mBt, h21=200 450, fT>300MTu в Е с
IFF CMPT5551 CENTS n-p-n VCbo=180B,Ic=600mAPd=350mBt h2i=80 250, IT=1OO 300МГц в Е с
IFp BC847B PHIL n-p-n Vcbo=5OB, Ic=100mA, Po=250mBt U2i=200 450, fT>100Mfu в Е с
1FR BC647BR PHIL n-p-n VCbo=45B lc=1 00mA, Pd=310mBt, h2!=330,1т>ЗООМГц Е в с
1Fs BC847B SIEM n-p-n Vcso=5OB, lc= 100mA, Pd=330mBt, h21=200 450, fT=250MTu в Е с
1G TMPTA06 ALLEG n-p-n Vcbo=8OB, Icbo< 100hA, /?2т>50, Vcg(sat)<0 25B, fj> 100МГц в Е с
1G BC847C CDIL n-p-n Vcbo=5OB, Ic=100mA, Po=310mBt, h2,=420 800,1у>300МГц в Е с
1G BC847CLT1 MOT n-p-n Vcbo=5OB, Ic=100mA, Po=3OOmBt, h2l=420 800, fT> 100МГц в Е с
1G KST06 SAMS n-p-n Vcbo=8OB, Ic=500mA, Po=350mBt, h2i >50, fy> 100МГц в Е с
1G BC847C VISH n-p-n Vcbo=5OB, Ic=100mA, Pd=3i0mBt, h2l=420 800, fT>300Mlu в Е с
1G MMBTA06 VISH n-p-n Vcbo=8OB, Ic=300mA, Pd=350mBt, h2i >50, f?> 100МГц в Е с
1G BC847C ZETEX n-p-n Vcbo=5OB, Ic=100mA, Po=330mBt, h2l=420 800, fT>300MTu в Е с
1G FMMTA06 ZETEX n-p-n VCso=8OB, 1c=500mA, Pd=330mBt h2l>50,1т>Ю0МГц в Е с
IGp BC847C PHIL n-p-n VCbo=5OB Ic=100mA, Pd=250mBt, h2i=420 800, fpiOOMTu в Е с
1GR BC647CR PHIL n-p-n Vcbo=45B Ic=100mA, Pd=310mBt, h2i=600,1т>300МГц Е в с
IGs BC847C SIEM n-p-n VCbo=5OB Ic=100mA, Pd=330mBt, h2,=420 800,1т=250мГц в Е с
1GZ BC847C ZETEX n-p-n Vcbo=5OB, Ic=100mA, Po=330mBt, h2l=420 800, fT>300Mfu в Е с
1H TMPTA05 ALLEG n-p-n VCbo=6OB, ICbo< 1 OOhA, h2i>50, Vcdsat)<0 25В, fT> ЮОМгц в Е с
1H BC847 CDIL n-p-n VCSO=50B, Ic=100mA, Pd=250mBt, h2)=110 800, Ь>100МГц в Е с
1H KST05 SAMS n-p-n VCbo=6OB, Ic=500mA Po=350mBt, h2i>50, fT>lOOMTu в Е с
► 108
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
1H MMBTA05 "W n-p-n Vceo=6OB, Ic=30mA, Pd=350mBt, h2i>50 fT> 100МГц В Е с
1H FMMTA05 ZETEX n-p-n VCbo=6OB, Ic=500mA Pd=330mBt h2l>50 fT>lOOMTu В Е с
IHp BC847 PHIL n-p-n VCbo=5OB, Ic=100mA, Pd=250mBt, h2l=1l0 800 1т>Ю0МГц В Е с
и BC848A CDIL n-p-n VC0o=3OB,Ic=1OOmA, Po=150mBt, h2i=1l0 220,1т>300МГц В Е с
и BC848ALT1 MOT n-p-n Vcbo=30B,Ic=100mA Pd-300mBt h2i=110 220, Гт>100МГц в Е с
и BC848A TOSH n-p-n VCbo=3OB, lc=1 00mA. Pd=150mBt, |>г1=110 220, 1т=ЗООМГц в Е с
и BC848A VISH n-p-n VCbo=30B,Ic=100mA,Po=310mBt h2!=1l0 220 fT>300Mru в Е с
и FMMT2369 ZETEX n-p-n VCbo=4OB, Ic=200mA, Pd=330mBt, h2,=40 120 в Е с
1JA MMBT2369ALT1 MOT n-p-n VCbo=40B, Ic=200mA Pd=300mBt, /121 >40 в Е с
IJp BC848A PHIL n-p-n Vceo=3OB 1с=Ю0мА, Po=25OmBt, h2i=1io 220 fpiOOMHj, в Е с
Us BC848A SIEM n-p-n Vcbo”3OB, 1с=Ю0мА Pd=330mBt, h2,=110 220,1т= 250МГц в Е с
UZ ВС848A ZETEX n-p-n Vcbo=3OB |с=100мА Pd=330mBt h2l = H0 220,1т>300МГц в Е с
IK BC848B CDIL n-p-n Vcbo=30B, 1с=100мА Po=310mBt, h2i=200 450, fj-^ЗООМГц в Е с
IK BC848BLT1 MOT n-p-n Vcbo=3OB, lc=1 00mA, Pd=300mBt, h2i=200 450, fT> 100МГц в Е с
IK KST6428 SAMS n-p-n Vcbo=608, Ic=200mA, Pd=350mBt, h2!=250 650 fT=lOO 700МГц в Е с
1K BC848B TOSH n-p-n Vcbo=3OB,Ic=1OOmA Рег150мВт h2i=200 450,1т=ЗООМГц в Е с
IK BC848B VISH n-p-n Vcbo=30B,Ic=100mA,Po=310mBt, h2i=200 450 Ь>300МГц в Е с
IK BC648B ZETEX n-p-n Vcbo=30B,Ic=100mA, Pd=330mBt, h2,=200 450 1т>300МГц в Е с
IKp BC848B PHIL n-p-n VCbo=3OB Ic=100mA Pd=250mBt П21=200 450, tT>1 00МГц в Е с
1KR BC848BR PHIL n-p-n Vcbo=3OB, lc= 100mA, Pd=310mBt, h21=330 1т>300МГц Е в с
IKs BC848B Siem n-p n Vcbo=3OB,Ic=1OOmA, Pd=330mBt, h2!=200 450 1т=250МГц в Е с
1KZ FMMT4400 ZETEX n-p-n Vcbo=6OB, Ic=600mA, Pd=330mBt h21=50 150,1т>200МГц в Е с
IL BC848C CDIL n-p-n VCbo=3OB, Ic=100mA, Pd=310mBt, h21=420 800,1т>300МГц в Е с
IL BC848CLT1 MOT n-p-n VCbo=30B,Ic=100mA, Pd=300mBt, h2i=420 800 1т>100МГц в Е с
IL BC848C TOSH n-p-n Vcbo=3OB Ic=100mA Pd=150mBt, h2l=420 8О0,1т=ЗООМГц в Е с
IL BC848C VISH n-p-n VCbo=3OB, Ic=100mA Pd=310mBt h21=420 800,1т>300МГц в Е с
IL FMMT4401 ZETEX n-p-n VCbo=6OB, Ic=600mA, Pd=330mBt, h2i=l00 300 fT>250MTu в Е с
ILp BC848C PHIL n-p-n VCeo=3OB Ic=100mA, Pd=250mBt, h2i=420 800 fT>100Mhj, в Е с
1LR BC848CR PHIL n-p-n VCbo=3OB, Ic=100mA, Р0=ЗЮмВт h21=600,1т>ЗООМГц Е в с
ILS BC848C SIEM n-p-n Vcbo=3OB, 1с=100мА, Pq=330mBt h2i=420 800,1т-250МГц в Е с
IM BC848 CDIL n-p-n VC80=30B, Ic=100mA, Pd=250mBt, h2i=1 Ю 800, Ь>Ю0МГц в Е с
IM MMBTA13LT1 MO? n-p-n VCbo=3OB Ic=300mA Pd=300mBt h2l>5000 1т>125МГц в Е с
1M KST13 SAMS n-p-n Vcbo=3OB, Ic=300mA, Pd=350mBt, h2l>5000, fT>125МГц в Е с
IM MMBTA13 VISH n-p-n VCbo=3OB Ic=300mA, Pd=350mBt, h2,< 10000,1т<125МГц в Е с
IM FMMTA13 ZETEX n-p n Vcbo=4OB, Ic=300mA Pd=330mBt, h2,> 10000 в Е с
IMp BC848 PHIL n-p-n VCbo=3OB, Ic=100mA, Pd=250mBt, h2i=1l0 800,1т>100МГц в Е с
IN TMPTA14 ALLEG n-p-n Vceo=3OB, ICbo<100hA, h2l>20k, VCE(sat)< 1 5B, 1т>125МГц в Е с
IN MMBTA14LT1 MOT n-p-n VCbo=3OB, Ic=300mA, Pd=300mBt, h21 > 10000, fT> 125МГц в Е с
109
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
1N KST14 SAMS n-p-n Vcbo=3OB, Ic=300mA, Pd=350mBt, h21 >10000, fT> 125МГц В Е С
1N MMBTA14 VISH n-p-n VCbo=3OB, Ic=300mA, Pd=350mBt, h2l<20000, fT< 125МГц В Е с
1N MMBT3904 VISH n-p-n Vcbo=6OB, Ic=100mA, Po=200mBt, h2i=100 300,1т>300МГц В Е с
IN FMMTA14 ZETEX n-p-n VCB0=40B Ic=300mA, Pd=330mBt, h2l>20000 в Е с
IP TMPT2222A ALLEG n-p-n VCbo=75B, ICbo<1OhA, h21=100 300, VCE(sa1)<0 ЗВ, 1т>250МГц в Е с
1P MMBT2222ALT1 MOT n-p-n Vcstr75B, Ic=600mA, Pd=300mBt, h2i >35,1у>300МГц в Е с
1P KST2222A SAMS n-p-n Vcbo=75B, Ic=600mA, Pd=350mBt, h21 >75,1т>300МГц в Е с
1P MBT2222A TOSH n-p-n Vcbo=75B, Ic=600mA, Po=250mBt, h21>40,1т=300МГц в Е с
1P MMBT2222A VISH n-p-n Vcbq-508 1с=800мА, Po=2OOmBt, h21-100 300, fT>200MRj, в Е с
1P FMMT2222A ZETEX n-p-n Vc8o=75B, Ic=600mA, Pd=330mBt, h2l=120 360,1т>300МГц в Е с
IQ ТМРТ5088 ALLEG n-p-n Vcbo=35B, Icbo<5OhA, h2j-300 900, VcE(sa1)<0 5B в Е с
IQ KST5088 SAMS n-p-n VCbo=35B, Ic=50mA, Pd=350mBt, h21 =300 900,1т>50МГц в Е с
1Q MMBT5088 VISH n-p-n VCbo=35B, Ic=100mA Pd=350mBt, h21=300 900,1т>50МГц в Е с
1Q FMMT5088 ZETEX n-p-n Vcbo=35B, Ic=50mA, Pd=330mBt, h21=300 900, Ъ>50МГц в Е с
1R TMPT5089 ALLEG n-p-n Vcbo=3OB, ICbo<5OhA, h2l=400 1200, VCE(sa1)<0 5B в Е с
1R KST5089 SAMS n-p-n Vcbo=35B, Ic=50mA, Pd=350mBt, h2l=400 1200,1т>50МГц в Е с
1R MMBT5089 VISH n-p-n Vcbo=3OB, Ic=100mA, Po=350mBt, h2i=400 1200,1т>50МГц в Е с
1R FMMT5089 ZETEX n-p-n Vcbo=3OB, Ic=50mA, Po=330mBt, h2l=400 1200,1т>50МГи в Е с
1T1 MMST5101 ROHM p-n-p VCbo=-6OB, Ic=-200mA, h21=2OO 400, fT> 125МГц в Е с
1U KST2484 SAMS n-p-n Vcbo=6OB, Ic=50mA, Pd=350mBt. h2l >250 в Е с
1V TMPT6427 ALLEG n-p-n VCbo=4OB, ICbo<5OhA, h2l=10000 100000, VCE(sat)<1 2B, 1т>130МГц в Е с
1V BF820 CDIL n-p-n Vcbo=3OOB. Ic=50mA, Pd=250mBt, h21>50,1т>60МГц в Е с
iVp BF820 PHIL n-p-n Ycbo=3OOB, Ic=50mA, Pd=250mBt, h2|>50, f-рбОМГц в Е с
1W BF821 CDIL p-n-p Vcbo=-3OOB, Ic=-50mA, Pd=250mBt, h2i>50,1т>60МГц в Е с
1W FMMT3903 ZETEX n-p-n VCbo=6OB, Ic=200mA, Pd=330mBt, h21=50 150,1т>250МГц в Е с
1Wp BF821 PHIL p-n-p Vcbo=-3OOB, Ic=-50mA, Pd=250mBt, h2i>50, Гт>60МГц в Е с
1X BF822 CDIL n-p-n VCbq=25OB, Ic=50mA, Pd=250mBt, h2l >50,1т>60МГц в Е с
1Xp BF822 PHIL n-p n VCbo=25OB, Ic=50mA, Pd=250mBt, h2l >50,1т>60МГц в Е с
1Y BF823 CDIL p-n-p Vcbo=-25OB, Ic=-50mA, Pq=250mBt, h2i >50, ТрбОМГц в Е с
1Y KST3903 SAMS p-n-p Vcbo=-6OB Ic=-200mA, Pd=350mBt h2l=50 150,1т>250МГц в Е с
1Yp BF823 PHIL p-n-p VCbo=-25OB, Ic=-50mA, Pd=250mBt, h2i >50,1т>бОМГц в Е с
1Z BAS70-06 ZETEX 2xshd Vr<70B, VF(lp=1 мА)<0 41B, lR<0 2mkA, Cd<2 ОпФ К1 К2 А1,А2
12E ZC2812E ZETEX 2xshd Vr<15B, Vf(Jf=1 MA)<0 41B, lft<0 1mxA, CD< 1 2пф А1 К2 К1Л2
13 BAS125 SIEM shd Vr<25B, If<1 00mA Vf(If=35mA)<0 9B, Ir<1 OmkA, Cd<1 ШФ А ПС К
13E ZC2813E ZETEX 2xshd Vb<15B,Vf(If=1mA)<0 41B Ir<0 1mkA, Cd<1 2пФ К1 К2 А1.А2
14 BAS125-04 SIEM 2xshd Vr<25B If<100mA,Vf(If=35mA)<0 9B,Ir<1 0mkA,Cd<1 1пФ А1 К2 К1,А2
15 BAS125-05 SIEM 2xshd Vr<25B, If<100mA,Vf{If=35mA)<0 9B, Ir<1 0mkA,Co<1 ШФ А1 А2 К1,А2
16 BAS125-06 SIEM 2*shd Vr<25B, HIOOiwA, Vf(If=35mA)<0 9B, lR< 1 OmkA, Cd<1 ШФ К1 К2 А1.А2
► 110
SOT-23, SOD-23
1:1
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
179 FMMT5179 ZETEX n-p-n VCbo=2OB, Ic=50mA, Pd=330mBt, h2l=25 250, fT>1100МГц В Е с
18A CMPZ5221B CENTS dz Vz(Izt=20mA)=228 2 52B IJVR=1 0B)<100mkA 7;?т(Ь=20мА)<30Ом А ПС к
18В CMPZ5222B CENTS dz Vz(Izt=20mA)=2 375 2 625B, Il(Vr=1 0B)<100mkA, Zzt(Izt=20mA)<300m А ПС к
18C CMPZ5223B CENTS dz Vz(Izt=20mA)=2 565 2 835B, Il(Vr=i 0B)<75mkA, Zzt<Izt=20mA)<300m А пс к
18D CMPZ5224B CENTS dz Vz(Izt=20mA)=266 2 94B lL(VR=1 0B)<75MrA,Zzr(ln=20MA)<30OM А ПС к
18E CMPZ5225B CENTS dz Vz(Izf=20mA)=2 85 3 15B lL(VR=1 OB)<50mkA, Zzrta=20MA)<29Cw А пс к
2A TMPT3906 ALLEG p-n-p VCbo=-4OB, h2l=100 300, VCE(sat)<0 25В, 1т>250МГц В Е с
2A MMBT3906LT1 MOT p-n-p VCbo=-4OB, Ic=-200mA, Pd=300mBt, h21=l00 300,1т>250МГц В Е с
2A KST3906 SAMS p-n-p Vcbo=-4OB, Ic='200mA, Pd=350mBt, h2l=100 300, fT>250MTu В Е с
2A MMBT3906 VISH p-n-p Vcbo=-4OB, |q--100mA, Pd=200mBt, h2,-l00 300,1т>25ОМГц В Е с
2A FMMT3906 ZETEX p-n-p Vc80=-40B, Ic=-200mA, Pd=330mBt h2l=100 300,1т>250МГц В Е с
2B TMPT2907 ALLEG p-n-p Vcso=-6OB, Iqbo<2OhA, h2i=l00 300 Vce(S91)^0 4B,fj>200МГц В Е с
2B BC849B CDIL n-p-n VCbo=3OB, lc=1 00mA, Pd=330mBt, h2]=200 450,1т>300МГц В Е с
28 KST2907 SAMS p-n-p VCeo=-6OB, Ic=-600mA, Pd=350mBt, h2i >75,1т>200МГц В Е с
2B BC849B TOSH n-p-n Vcgo=3OB Iq=100mA, Рг)-150мВт, h2i=200 450, fy—300МГц В Е с
2B MMBT2907 VISH p-n-p Vcbo=-4OB, Ic=-500mA, Pd=310mBt, h2,=l00 300,1т>200МГц В Е с
2B BC849B ZETEX n-p-n VCbo=3OB, Ic=100mA, Pd-330mBt, h2]=2OO 450, 1т> 300МГц В Е с
2Bp BC849B PHIL n-p-n VC0O=3OB, Ic=100mA, Po=250mBt, h2,=200 450,1т>100МГц В Е с
2BR BC849BR PHIL n-p-n VC80=30B Ic=100mA Pd=310mBt, h2l=330JT>300Mru Е В с
2Bs BC849B SIEM n-p-n Vcbo-ЗОВ, Ic=100mA, Pd=330mBt, h21=200 450,1т=250МГц В Е с
2BZ FMMT2907 ZETEX p-n-p Vcbo=-6OB, Ic=-600mA, Pd=330mBt, h2l=100 300,1т>200МГц В Е с
2C TMPTA70 ALLEG p-n-p 1сво<ЮОнА, h21=40 100, VCe{sat)<0 25В 1т>125МГц В Е с
2C BC849C CDIL n-p-n Vc80~30B, lc=1 00mA, Pd=330mBt, h2i=420 800,1у>300МГц В Е с
2C BC849C TOSH n-p-n VCbo=3OB, Ic=100mA, Pd=150mBt, h2l=420 800 1т=300МГц В Е с
2C BC849C ZETEX n-p-n VCbo=3OB, Ic=100mA, Pd=330mBt h2,=420 800,1т>300МГц В Е с
2Cp BC849C PHIL n-p-n Vcbo=3OB Ic=100mA, Pd=250mBt h21=420 800,1т>100МГц В Е с
2CR BC849CR PHIL n-p-n VCbo=3OB, Ic=100mA, Pd=310mBt h2l =600,1т>300МГц Е В с
2Cs BC849C SIEM n-p-n VCbo=3OB Ic=100mA, Pd=330mBt, h2l=420 800,1т=250МГц В Е с
2CZ FMMTA70 ZETEX p-n-p VCbo=-4OB, Ic=-100mA, Pd=330mBt, h21=40 400, fT>125МГц В Е с
2D BC849 CDIL n-p-n VC8o=3OB, 1c=100mA, Pd=250mBt, h2l=200 800 1т>100МГц В Е с
2D KST92 SAMS p-n-p Vcbo=‘3OOB, Ic=-500mA Pd=350mBt, h2i>40,1т>50МГц В Е с
2D MBTA92 TOSH p-n-p VCbo=-3OOB Ic='500mA, Pd=250mBt, h21 >40,1т=50МГц В Е с
2D MMBTA92 VISH p-n-p Vceo=-3OOB, Ic=-500mA, Pd=300mBt, h21=25,1т>50МГц В Е с
2Dp BC849 PHIL n-p-n VCbo=3OB, Ic=100mA, Pd=250mBt, h2< =200 800,1т>100МГц В Е с
2E KST93 SAMS p-n-p Vcbo=*2OOB Ic~-500mA, Pd=350mBt h2l>40, Н>50МГц В Е с
2E FMMTA93 ZETEX p-n-p Vcbo="2OOB, Iq=-200mA, Pq-330mBt, h2, =30 150,1у>5ОМГц В Е с
2F TMPT2907A ALLEG p-n-p VCbo=-6OB, ICbo<1OhA, h2,=100 300, VCE(sa1)<0 4B 1т>200МГц В Е с
2F BC85OB CDIL n-p-n VCbo=5OB, Ic=100mA, Pd=250mBt, h2l=200 450,1т>100МГц В Е с
SOT-23, SOD-23
Цоколевка
Код Типономинал Фирма Функция Особенности 1 2 3
2F MMBT2907ALT1 MOT p-n-p Vqbo=-6OB, Ic=-600mA, Pd=300mBt, h21=100 300, 1т>200МГц В Е С
2F KST2907A SAMS p-n-p VCbo=-6OB, Ic=-600mA, Pd=350mBt, h21=100 300, Ъ>200МГц В Е с
2F MBT2907A TOSH p-n-p Vcbo=-6OB, Ic=-600mA, Pd=250mBt, h21>50, fj-200MFu В Е с
2F MMBT2907A VISH p-n-p VcBtr-608, Ic=-500mA, Pd=310mBt, h2l=75 300,1т<200МГц в Е с
2F FMMT2907A ZETEX p-n-p VCBo=-6OB, Ic=-600mA, Po=330mBt, h2,=100 300,1т>200МГц в Е с
2Fp BC850B PHIL n-p-n VCBo=5OB, Ic=100mA, Pd=250mBt, h2l=200 450, fT>100МГц в Е с
2FR BC850BR PHIL n-p-n Vcbo=45B, Ic=100mA, Pd=310mBt, h2l=330 Ъ>300МГц Е В с
2Fs BC850B SIEM n-p-n VCbo=5OB, Ic=100mA, Pd=330mBt, h2,=200 450, 1т=250МГц В Е с
2FZ BC850B ZETEX n-p-n VCbo=5OB, Ic=100mA Po=330mBt, h21=200 450,1т>300МГц В Е с
2G ТМРТА56 ALLEG p-n-p Vcbo=-8OB, 1сво<ЮОнА, h2, >50, VcE(sai)<0 25В, ^>50МГц В Е с
2G BC850C CDIL n-p-n Vcbo-5OB, Ic=100mA, Pd=250mBt, h21=420 800, fT>100МГц В Е с
2G KST56 SAMS p-n-p Vcbq=-80B, Ic=-500mA, Pd=350mBt, h2i >50,1т>50МГц В Е с
2G MMBTA56 VISH p-n-p Vcbq=-80B, Ic=-500mA, Pd=350mBt, h21 >50,1т<50МГц В Е с
2G FMMTA56 ZETEX p-n-p Vcbo=’8OB, Ic=-500mA, Pq=330mBt, h2, >50,1у>100МГц В Е с
2Gp BC850C PHIL n-p-n VCbo=5OB, Ic=100mA, Pd=250mBt, h2i=420 800, fT> 100МГц в Е с
2GR BC850CR PHIL n-p-n VCbo-45B, Ic=100mA, Pd=310mBt, h21=600, 1т>300МГц Е В с
2Gs BC850C SIEM n-p-n Vcbo=5OB, Ic-100mA, Pd=330mBt, h21=420 800 <т=250МГц В Е с
2H TMPTA55 ALLEG p-n-p Vcbo-*60B, ICbo< 1 00hA, h21 >50, VCE(sat)<0 25В, 1т>50МГц В Е с
2H BC850 CDIL n-p-n Vcbo=5OB, Ic=100mA, Pd=250mBt, h21=200 800, fT>100МГц В Е с
2H KST55 SAMS p-n-p Vcbq=-60B, Ic=-500mA, Pd=350mBt, h21 >50 Н>50МГц В Е с
2H MMBTA55 VISH p n-p Vcbo=-8OB, Ic=-500mA, Pd=225mBt, h2r50, 1т>50МГц В Е с
2H FMMTA55 ZETEX p-n-p Vcbo=*8OB, Ic=-500mA, Pd=330mBt h2|>50, 1т>Ю0МГц В Е с
2Hp BC850 PHIL n-p-n VCbo=5OB, Ic=100mA, Pd=250mBt, h2l=200 800, fT>100МГц в Е с
2J MMBT3640LT1 MOT p-n-p Vcbo=’12B, Ic=-80mA, Pd=300mBt, h21=30 120,1у>500МГц в Е с
2K FMMT4402 ZETEX p-n-p Vcbo=-4OB, Ic=-600mA, Pd=330mBt, h21=50 150, Ь>150МГц в Е с
2L TMPT5401 ALLEG p-n-p VCBO=-16OB, ICbo<5OhA, h2,=60 240 VCE(sat)<0 2B, 1т>100МГц в Е с
2L KST5401 SAMS p-n-p VCbo=-16OB, Ic=-500mA, Pd=350mBt, h2l=60 240, fT> 150МГц в Е с
2L MMBT5401 VISH p-n-p VCbo=-16OB, Ic=-200mA, Po=350mBt, h2l=60 240,1т>Ю0МГц в Е с
21 FMMT4403 ZETEX p-n-p Vcbo='4OB, Ic=-600mA, Pd=330mBt, Ь2,=100 300,1т>200МГц в Е с
2m FMMT5087 ZETEX p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-100mA, Pd=330mBt, h21=250 800, fT>40Mrp в Е с
2N MMBT404ALT1 MOT p-n-p VCbo=-4OB,Ic=-15OmA, Pd=300mBt h2l=100 400 в Е с
2P TMPT5O86 ALLEG p-n-p VCbo=-5OB, ICbo<5OhA, h2i=150 500, VCE(sa1)<0 ЗВ, 1т>40МГц в Е с
2P KST5086 SAMS p-n-p Vcbo=*5OB, Ic=-50mA, Pd=350mBt, h2]=150 500,1т>40МГц в Е с
2P FMMT2222R ZETEX n-p-n VCbo=6OB, Ic=600mA, Pd=330mBt, h2l=120 360,1т>250МГц в Е с
2Q ТМРТ5087 ALLEG p-n-p Vcbo=-5OB, Icbo<5OhA, h2)=250 800, VcE(sat)<0 ЗВ, 1т>40МГц в Е с
2Q KST5087 SAMS p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-50mA, Pd=350mBt, h21=250 800,1т>40МГц в Е с
2Q FMMT5209 ZETEX n-p-n VCbo=5OB, Ic=50mA, Pd=330mBt, h2l=100 300,1т>30МГц в Е с
2R FMMT5210 ZETEX n-p-n VCbo=50B Ic=50mA, Pd=330mBt, h2l=200 6ООЛ>30МГц в Е с
► 112
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
2T ТМРТ4403 ALLEG p-n-p VCbo=-40B, h2!=100 300, VCE(sat)<0 4B, 1т>200МГц В Е С
2T MMBT4403LT1 MDT p-n-p VCbo=-4OB, Ic=-600mA, Pd=300mBt, h21=l00 300,1т>200МГц В Е С
2Т KST4403 SAMS p-n-p VCbo=-6OB Ic=-600mA, Pd=350mBt, h2l=t00 300JT>200МГц В Е С
2Т ММВТ4403 VISH p-n-p Vc80=-40B, Ic=-800mA, Pd=200mBt, h21=100 300, Ь>200МГц в Е с
2U KST63 SAMS p-n-p VCbo=-30B, Ic=-500mA, Pd=350mBt, h21>5000, fT>125МГц в Е с
2V MMBTA64LT1 MOT p-n-p VCbo=-3OB Ic=-500mA, Pd=300mBt, ^>10000, fT>125МГц в Е с
2V KST64 SAMS p-n-p Vcbo=-3OB, Ic=-500mA, Po=350mBt, h21>l0000, fT>125МГц в Е с
2W ТМРТ4402 ALLEG p-n-p VCbo=-4OB, h2l=50 150, VCE(sat)<0 4B, lT>150МГц в Е с
2W MMBT8599LT1 MOT p-n-p Vcso=-8OB, Ic=-500mA, Pd=300mBt, h21=100 300, fT>150МГц в Е с
2W FMMT3905 ZETEX p-n-p Vcbo=’4OB Ic=-200mA Pd=330mBt, h21=50 150,1т>200МГц в Е с
2Х ТМРТ4401 ALLEG n-p-n VCKf60B ICbo<100hA 1'21=100 300, VCE(sa1)<0 4B, 1т>250МГц в Е с
2Х MMBT4401LT1 MDT n-p-n VCB0=60B, Ic=600mA, Pd=300mBt, h2l=100 300,1т>250МГц в Е с
2Х KST4401 SAMS a-p-n Vcbo=60B, Ic=600mA, Pd=350mBt, h21=l00 300, Ь>250МГц в Е с
2Х ММВТ4401 VISH n-p-n VCbo=5OB, Ic=800mA, Pd=200mBt, h2l=100 300,1т>200МГц в Е с
2Z BAS70-04 ZETEX 2xshd Vr<70B, Vf(If=1mA)<0 41B lR<0 2mkA, Cd<2 ОпФ А1 К2 К1.А2
2Z5 BAS70-05 ZETEX 2xshd Vr<70B, VF(IF=1 mA)<0 41B, Ir<0 2mkA, Cd<2 ОпФ А1 А2 К1,К2
305 АТ-30533 HP n-p-n VCbo"11B Ic=8mA, Pd=100mBt, h21=70 300,1т=10ГГц В Е С
310 АТ-31033 HP n-p-n VCbo=11B, 1с=16мА, Pd=150mBt, h21=70 300,1т=ЮГГц В Е С
320 АТ-32033 HP n-p-n VCbo=11B Ic=32mA, Pd=200mBt, h21=70 300 fT ЮГГц В Е С
ЗА ВС856А CDIL p-n-p VCbo=-8OB, Ic=-100mA. Pd=310mBt, h21=110 220,fj> 150МГц В Е С
ЗА BC856ALT1 MOT p-n-p Vcbct 80В,1с=-100мА, Р0=ЗООмВт,Ь21=125 250,1т>100МГц В Е С
ЗА KST24 SAMS n-p-n VCbo=4OB Ic=100mA, Pd=350mBt, h2l >30,1т>620МГц в Е С
ЗА ВС856А TOSH p-n-p Vcbo=8OB Ic=-100mA, Pd=150mBt, h21=l25 250,1т=300МГц в Е С
ЗА ВС856А VISH p-n-p VCbo=-8OB Ic=-100mA Pd=310mBt, h2l=f 10 220 1т>150МГц в Е С
ЗА ВС856А ZETEX p-n-p VCbo=-8OB Ic=-100mA, Po=330mBt, h2l=l25 250,1т>150МГц в Е С
ЗАр ВС856А PHIL p-n-p VCbo=-8OB, lc=-1 00mA, Pd=250mBt, h2l=125 250, fT> 100МГц в Е С
3AR BC856AR PHIL p-n-p VC8o=-65B, Ic=-100mA, Pd=200mBt, h21=l25 1т>150МГц Е В с
ЗА$ ВС856А SIEM p-n-p VCbo=-8OB Ic=-100mA Pd=330mBt, h2i=125 250,1т=250МГц В Е с
ЗВ ТМРТ918 ALLEG n-p-n Vcbo=3OB 1qbo<1OhA, h2i >20, VcE(sat)<0 4B, 1т>600МГц В Е с
ЗВ ВС856В CDIL p-n-p VCbo=-8OB Ic=-100mA, Pd=310mBt, h2l=200 450,1т>150МГц В Е с
ЗВ BC856BLT1 MOT p-n-p VCBo=-8OB, lc= 100mA, Pd=300mBt, h21=220 475 1т>Ю0МГц в Е с
38 8С856В TOSH p-n-p VCbo=-8OB Ic=-100mA, Pd=150mBt, h21=220 475 1т=300МГц в Е с
ЗВ ВС856В VISH P-n-p VCbo"’80B Ic--100mA, Pd=310mBt, h21=200 450,1т>150МГц в Е с
ЗВ FMMT918 ZETEX n-p-n Vcbo=3OB lc= 1 00mA, Po=330mBt, h2|>20,1т>600МГц в Е с
ЗВр ВС856В PHIL p-n-p Vceo=-8OB lc= 100mA Pd=250mBt, h21=220 475,1т>100МГц в Е с
3BR BC856BR PHIL p-n-p Vc8o= 65B Ic=-100mA, Pd=200mBt, h21-475 1т>100МГц Е В с
3Bs ВС856В SIEM p-n-p VCBo=-8OB Ic=-100mA, Po=330mBt, h2!=220 475 1т=250МГц В Е с
3D ВС856 CDIL p-n-p VCbo=-8OB Ic=-100mA, Po=250mBt, h2l=l25 800,1т>100МГц В Е с
7-1375
113-*
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функции Особенности Цоколевка
1 2 3
30 MMBTH8ILT1 MOT p-n-p Vcbo“-2OB Pd=300mBt, h21>60 1у>600МГц В Е С
3Dp BC856 PHIL P-D-P VCeo=-80B Ic=-100mA,Po=250mBt h2I=l25 800,1т>100МГц В Е С
ЗЕ BC857A CDIL p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-100mA, Pd=310mBt h2l=1lO 220, fT>150MI"u В Е с
ЗЕ BC857ALT1 MOT p-n-p VCBo=-5OB,Ic=-100mA,Pd=300mBt,h21=l25 250 Ъ>100МГц в Е с
ЗЕ KST10 SAMS n-p-n Vcbo=3OB, Pq=350mBt, h2t >60 1т>650МГц в Е с
ЗЕ BC857A TOSH p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-100mA, Pd=150mBt, h21=125 250,1т=300МГц в Е с
ЗЕ BC857A VISH p-n-p Vcbo=*5OB, Ic=-100mA, Pd=310mBt, h2l=110 220 (т>150МГц в Е с
ЗЕ FMMTA42 ZETEX n-p-n Vcbo-ЗООВ, |с=200мА РсгЗЗОмВт, h2t>40,1г>50МГц в Е с
ЗЕМ MMBTH10LT1 MOT л p-n Vceo=30B, Рр=300мВт, h2; >60,1т>650МГц в Е с
ЗЕр BC857A PHIL p-n-p Vcbo= 50B, Ic=-100mA, Pd=250mBt, h2i=125 250 1т>Ю0МГц в Е с
3ER BC857AR PHIL p-n-p Vcbo=-45B, |c=-100mA, Pd=250mBt, h2i =220, Т[>150МГц Е В с
ЗЕ$ BC857A SIEM p-n-p VCao"-5OB, Ic=-100mA, po=330mBt, h2l=125 250 1т=250МГц В Е с
3EZ FMMTH10 ZETEX n-p-n Vqbo=3OB, Ic=25mA, Pd=330mBt, h21>60,1у>650МГц В Е с
3F BC857B CDIL p-n-p Vcbo=-50B, Ic=-100mA, Po=310mBt, h2]=200 450, fT>150МГц В Е с
3F BC857BLT1 MOT p-n-p Vceir-50B, Ic=-100mA, Po-300mBt h2t=220 475,1т>100МГц в Е с
3F BC857B TOSH p-n-p Усвог-5ОВ, Ic=-100mA, Рр=150мВт h2j=220 475,1у=300МГц в Е с
3F BC857B VISH p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-100mA, Pd=310mBt, h2]=200 450,1т>150МГц в Е с
3F BC857B ZETEX p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-100mA, Pd=330mBt, h2l=220 475, fT>150МГц в Е с
3Fp BC857B PHIL p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-100mA, Pd=250mBt, h2]=220 475, fT>100МГц в Е с
3FR BC857BR PHIL p-n-p Vcbo=-45B, Ic=-100mA, Pd=200mBt, h2j=475,1у>150МГц Е В с
3Fs BC857B SIEM p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-100mA, Pd=330mBt, h21=220 475, Н=250МГц В Е с
3G BC857C CDIL p-n-p Vca^-SOB, 1с=-100мА, Pd=310mBt, h2[=420 800 1у>150МГц В Е с
3G BC857C TDSH p-n-p Vcbo=-50B,Ic=-100mA,Pd=150mBt h2,=420 800 1т>300МГц В Е с
3G BC857C VISH p-n-p Vcbo=-5OB. Ic=-100mA, Po=310mBt, h2l=420 800, fT>150МГц в Е с
3G BC857C ZETEX p-n-p Vcbo=-50B, Ic=-100mA, Pd=330mBt, h21=420 800 1т>150МГц в Е с
3Gp BC857C PHIL p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-100mA, Pd=250mBt, h2l=420 800,1т>Ю0МГц в Е с
3GR BC857CR PHIL p-n-p W-45B Ic=-100mA, Po=200mBt, h2l=800, {т*150МГц Е В с
3Gs BC857C SIEM p-n P Vcbo=-5OB, lc=-tOOMA, Pd=330mBt, h2!=42O 800,1т=250МГц В Е с
зн BC857 CDIL p-n-p VCbo=-50B, Ic=-100mA, Po=250mBt, h2(=125 800, fr> 100МГц В Е с
ЗНр BC857 PHIL p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-100mA, Pd=250mBt, h21=l25 800,1т>100МГц В Е с
3J BC858A CDIL p-n-p VCB0= зов, Ic=-100mA, Pd=310mBt, h2,=110 220,1т>150МГц В Е с
3J BC858ALT1 MOT p-n-p Vc8o=-3OB, Ic=-100mA, Po=300mBt h2(=l25 250,1т>Ю0МГц В Е с
3J BC858A VISH p-n-p VC8o=-3OB, lc=-tOOMA, Po=310mBt, h2l=110 220,1т>150МГц в Е с
3J BC858A ZETEX p-n-p VCB0=-30B, Ic=-100mA Pd=330mBt h2l=l25 250,1т>150МГц в Е с
3Jp BC858A PHIL p-n-p Vcbo=-3OB, lc*- 100mA, Pq=250mBt, h2l=125 250 fT>l00MTy в Е с
3JR BC858AR PHIL p-n-p Vcbo=-3OB, Ic=-100mA Po=250mBt, h21=220, fr>150МГц Е В с
3Js BC858A SIEM p-n-p VCbo=-3OB 1сг-100мА, Pd=330mBt h2l=125 250 1т=250МГц В Е с
3K BC858B CDIL p-n-p Vcbo=-3OB, Ic=-100mA, Pd=310mBt h21=200 450,1т>150МГц В Е с
► 114
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
зк 8C858BLT1 МОТ pn-p Vcbct-ЗОВ Ic=-100mA,Pd=300mBt, h2l=220 475,1т>100МГц В Е с
зк ВС858В TOSH p-n-p Vobg”'30B, Ic=-100mA, Pd=150mBt, h2i=22O 475, h=300МГц В Е с
зк ВС858В VISH p-n-p Vcbo=-3OB, Ic=-100mA, Pd=310mBt h21=2OO 450 1т>150МГц В Е с
зк ВС858В ZETEX p-n-p VCbo=-3OB, 1с=-100мА, Рр=ЗЗОмВт, h2l=220 475 |т>150МГц в Е с
зКр ВС858В PHIL p-n-p Vcbo=-3OB, Ic=-100mA, Po=250mBt h21=220 475 1т>100МГц в Е с
3KR BC858BR PHIL p-n-p Vcbo=-3OB, Ic=-100mA, Pd=200mBt h21=475, fT> 150МГц Е В с
зк$ 8С858В SIEM p-n-p Vcbo=-3OB,Ic=-1OOmA, Pd=330mBt h21=220 475,1т=250МГц В Е с
3L ВС858С CDIL p-n-p VCbo=-3OB, Ic=-100mA, Pd=310mBt, h21=420 800, fT>150МГц В Е с
3L BC858CLT1 MOT p-n-p Vceo= ЗОВ, Ic=-100mA, Pd=300mBt, h2l=420 800,1т>100МГц В Е с
3L ВС858С TDSH p-n-p Vcbo='3OB, |с=-100мА, Рр-150мВт, h2; =420 800,fy-ЗООМГц В Е с
3L ВС858С VISH p-n-p VCbo=-3OB, Ic=-100mA, Pd=310mBt, h2)=420 800,1т>150МГц В Е с
3L ВС858С ZETEX p-n-p VCbo=-3OB, Ic=-100mA, Pd=330mBt, h2l=420 800, fT>150МГц В Е с
3Lp ВС858С PHIL p-n-p VCbo=-3OB, Ic=-100mA, Po=250mBt, h2l=420 800, fT> 100МГц В Е с
3LR BC858CR PHIL p-n-p Vcbo=’3OB, Ic=-100mA, Рр=250мВт h2]=800, fy>150МГц Е В с
3Ls ВС858С SIEM p-n-p Vcbo=-30B,Ic=-100mA, Pd=330mBt 1^=420 800,Ь=250МГц В Е с
зм ВС858 CDIL p-n-p Vcbo='3OB, Ic=-100mA, Рр=250мВт, h2,=125 800,1у>100МГц В Е с
3m FMMT5087R ZETEX p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-100mA, Pd=330mBt, h2l=200 600 Гт>40МГц В Е с
ЗМр ВС858 PHIL p-n-p Vcbo="3OB, Ic=-100mA, Po=250mBt, h2|=125 800,1т>100МГц В Е с
ЗС FMMTA20R ZETEX n-p-n VCbo=4OB, Ic=100mA, Pd=330mBt, h21=40 400, fT>125МГц В Е с
3N ММВТ3906 VISH p-n-p VCbo=-4OB,Ic=-1OOmA, Pd=200mBt, h21=l00 300 1т>250МГц В Е с
ЗР FMMT2222AR ZETEX n-p-n Vce0=75B, Ic=600mA, Pd=330mBt, h2l=120 360,1т>300МГц В Е с
3S ММВТ5551 VISH n-p-n Vcbo=1 80B, Ic=200mA, Pd=350mBt, h2l=80 250,1т>300МГц В Е с
3W FMMTA12 ZETEX n-p-n Vcbo=20B, Ic=300mA, Pd=330mBt, h2l >20000 в Е с
413 FMMT413 ZETEX n-p-n Vcbo=15OB, Ic=100mA, Po=330mBt, h2l >50, fT>150МГц в Е с
415 FMMT415 ZETEX n-p-n Vcbo=26OB, Ic=500mA, Pd=330mBt, h21 >25,1т>40МГц в Е с
417 FMMT417 ZETEX n-p-n Vcbo=32OB, Ic=500mA, Рр=330мВт h2i >25,1т>40МГц в Е с
43 BAS40 VISH shd VR<40B, If<200mA, Vf(If=40mA)<1 OB lR<0 2mkA, Cd<5 ОпФ, 1rr<5hc А пс к
43р BAS40 PHIL shd Vr<40B, If<12OmA,Vf0f=1mA}<38OmB, С0<5пФ А ПС к
43s BAS40 SIEM shd Vr<40B, If<1 20mA, Vf(If=40mA)<1 OB, lR<1 OmkA, Co<5 ОпФ А ПС к
44 BAS40-04 VISH 2xshd Va<40B If<200mA, Vf(If=40mA)<1 OB lR<0 2mkA, Co<5 ОпФ, 1rr<5hc А1 К2 <1,А2
449 FMMT449 ZETEX n-p-n VCBo=5OB, Ic=1000mA, Pd=500mBt, h2,=100 300 1т>150МГц В Е с
44р BAS40-04 PHIL 2xshd Vr<40B, If< 1 20mA, Vf(If=1mA)<380mB, С0<5пф А1 К2 К1,А2
44s BAS40-04 SIEM 2xshd Vr<40B, If< 1 20mA, Vf(If=40mA)< 1 OB, lR<1 OmkA, Co<5 ОпФ А1 К2 К1,А2
45 BAS40-05 VISH 2xshd Vn=40B, If=200mA, Pd=200mBt, 1rr<5hc А1 А2 К1.К2
451 FMMT451 ZETEX n-p-n Vcbo=8OB, Ic=1000mA, Pq=500mBt, h2,=50 150, 1t> 150МГц В Е С
455 FMMT455 ZETEX n-p-n Vcbo=1 60B, Ic=1000mA, Pd=500mBt, h21=100 300, fT>100МГц В Е с
458 FMMT458 ZETEX n-p-n VCbo=4OOB, Ic=225mA, Pd=500mBt, h2l=100 300,1т>50МГц В Е с
459 TMPD459 ALLEG dl If<500mA VBr>200B,Vf(If=3mA) 1 OB, 1а<25нА,Со<6 0лФ А пс к
115-*
SOT-23, SOD-23
Цоколевка
Код Типономинал Фирма Функция Особенности 1 2 3
45p BAS40-05 PHIL 2xshd Vr<40B, 1р<120мА,Ур(!р=1мА)<380мВ,Со<5пФ Al А2 К1,К2
45s BAS40-05 SIEM 2xshd Vr<40B, lF< 1 20mA, Vf(If=40mA)<1 OB, lR<1 OmkA, Cd<5 ОпФ A1 А2 <1,А2
46 BAS40-06 VISH 2xshd Vr<40B, If<200mA, Vf(If=40mA|<1 OB lR<0 2мкА, С&<5 ОпФ ^<5нс K1 К2 А1А2
46p BAS40-06 PHIL 2xshd Vr<40B, If<I20mA. Vf(If=1mA)<380mB CD<5nO KI К2 А1А2
46s BAS40-06 SIEM 2xshd Vr<40B, If< 1 20mA, Vf(If=40mA)< 1 OB, lR< 1 ОмкА, Co<5 ОпФ K1 К2 А1«
489 FMMT439 ZETEX n-p-n VC6(j=50B, Ic=1000mA, Pd=500mBt, h2l=lOO 300, Ь>150МГц В Е С
491 FMMT491 ZETEX n-p-n VCBo=8OB Ic=1000mA, Pd=500mBt, h2?=l00 300,1т>150МГц В Е С
493 FMMT493 ZETEX n-p n Vgbo=12OB Ic=1000mA, Pd=500mBt, h2)=100 300 1т>150МГц В Е С
494 FMMT494 ZETEX n-p-n VCBo=14OB Ic=1000mA,Po=500mBt h2i=100 300 1т>100МГц В Е С
495 FMMT495 ZETEX n-p-n Vcbo=17OB Ic=1000mA,Pd=500mBt h21=100 300 1т>100МГц В Е С
497 FMMT497 ZETEX n-p-n VCbo=3OOB, Ic=500mA, Pd=500mBt, h21=80 300, <т>75МГц В Е С
4A BC859A CDIL p-n-p VCbo=-3OB Ic=-100mA,Po=310mBt h2,=H0 220 1т>150МГц В Е С
4A FMMV109 ZETEX bd VR<30B, C3V=26 32пФ, C3y/C25v=5 6 5, Q>250 А ПС К
4Ap BC859A PHIL p-n-p Vcbo='3OB, Ic=-100mA, Рр=250мВт, h2,=125 250, h>100МГц В Е С
4AR BC859AR PHIL p-n-p Vcbo=-3OB, Ic=-100mA, Pd=200mBt, h2j=250, h>150МГц Е В С
4As BC859A SIEM p-n-p VCBo=-3OB, Ic=-100mA, Pd=330mBt, h2l=125 250, 1т=250МГц В Е С
4B BC859B CDIL p-n-p VCBoa-3OB, Ic=-100mA, Pd=330mBt, h21=220 475,1т>300МГц В Е С
48 BC859B TOSH p-n-p Vcbo=-3OB Ic=-100mA, Pd=150mBt, h21=220 475,(т=300МГц В Е С
4B BC859B ZETEX p-n-p Vckt-ЗОВ, lc=- 100mA, Pd=330mBt, h2l=220 475, Гт>300МГц В Е С
4Bp BC859B PHIL p-n-p Vcbo=-30B, Ic--100mA, Pq=250mBt, h2t=220 475 1т>100МГц В Е С
4BR BC859BR PHIL p-n-p Vcbo=-3OB, Jc=-100mA, Po=200mBt, h2I=475, fT>150МГц Е В С
4Bs BC859B SIEM p-n-p VCbo=-30B, Ic=-100mA, Pb=330mBt, h2I=220 475 (т=250МГц В Е С
4C BC859C CDIL p-n-p Vcbo=-3OB, Ic=-100mA, Pd=330mBt, h21=420 800 <т>250МГц В Е С
4C BC859C TOSH p-n-p Vcso=-3OB, lc='1 OOmA, Pd=150mBt, h21=420 800, 1т=300МГц В Е С
4C FMMV3102 ZETEX bd VR<30B, Сзу=20 25пФ C3V/C25v>4 5, Q>300 А ПС К
4Cp BC859C PHIL p-n-p VCbo=-3OB, Ic=-100mA, Pd=250mBt, h21=420 800, 1т>100МГц В Е С
4CR BC859CR PHIL p-n-p Vcbo='3OB, Ic=-100mA, Pd=200mBt, h2j=800, fy>150МГц Е В С
4Cs BC859C SIEM p-n-p Vcbo=-3OB, lcs-1 00mA, Pd=330mBt, h2]=420 800, 1т=250МГц В Е С
40 BC859 CDIL p-n-p Vcbo=-3OB, Ic=-100mA, Pd=250mBt, h2l=125 800,1т>100МГц В Е с
40 HD3A ZETEX fid Va<75B, If<100mA, Vf(If=10mA)<1 OB, ln<1 ОмкА,Со<4ОпФ Irr<6hc А пс к
4Dp BC859 PHIL p-n-p Vcbo=-30B, Ic=-100mA, Po=250m8t h2,=l25 800,1т>100МГц В Е с
4E BC860A COIL p-n-p Vceo=-5OB, Ic=-100mA, Pd=250mBt, Ь21=125 250, fT> 100МГц В Е с
4E FMMTA92 ZETEX p-n-p Vceo= 300B, Ic=-200mA, Pq-330mBt, h2,>25, fj->50MRj В Е с
4 Ep BC860A PHIL p-n-p Vcbo=-50B, Ic=-100mA, Pd=250mBt, h2(=l25 250,1т>100МГц В Е с
4ЕЯ BC860AR PHIL p-n-p Vcbo=-45B, Ic=-100mA, Pd=200mBt, h2)=250, fT> 150МГц Е В с
4EZ FMMV105G ZETEX bd Vr<30B, C25v=1 8 2 8пФ C3v/C25v=4 6, Q>350 А ПС к
4F BC860B CDIL p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-100mA, Po=330mBt, h21=220 475,1т>300МГц В Е с
4F BC860B ZETEX p-n-p Vcbo=-5OB. Ic=-100mA, Po=330mBt, h2i=220 475,1т>300МГц В Е с
► 116
SOT-23, SOD-23
1:1
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
4Fp BC860B PHIL p-n-p Vceo=-50B, 1с=-Ю0мА Pd=250mBt h2l=220 475, Ь>100МГц В Е С
4 PR BC860BR PHIL p-n-p VCbo=-45B, lc=-1 00mA, Pd=200mBt, h2l =475, fT>150МГц E В с
4Fs BC860B SIEM p-n-p VCbo=-5OB Ic=-100mA Po=330mBt, h2l=220 475 1т=250МГц В Е с
4G BC860C CDIL p-n-p Vcgo=-5OB Ic=-100mA Pd=250mBt, h2i=420 800, fj>100MFu В Е с
4G FMMT2484 ZETEX n-p-n Vcbo=6OB, Ic=50mA, Po=330mBt, h2t=l00 500 В Е с
4Gp BC860C PHIL p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-100mA, Po=250mBt, h2l=420 800,1т>100МГц В Е с
4GR BC860CR PHIL p-n-p Vcbo= 45B, Ic=-100mA, Pq=200mBt, Ь21=800, fy>150МГц Е В с
4Gs BC860C SIEM p-n-p VCKr-50B, Ic=-100mA.Pd=330mBt h21=420 800 1т=250МГц В Е с
4GZ BC860C ZETEX p-n-p Vcbo=-50B. »c=- 100mA, Pd=330mBt, h2i=42Q 800,1т>ЗООМГц В Е с
4H BC860 CDIL p-n-p Vcbct-50B, Ic=-100mA Pd=250mBt, h2rl25 800 Ь>Ю0МГц В Е с
4Hp BC860 PHIL p-n-p VCbo=-5OB lc= 100mA, Po=250mBt, h2l=l25 800 1т>100МГц В Е с
4J FMMT38A ZETEX n-p-n Vcbo=80B, Ic=300mA Pq=330mBt h2, >500 В Е с
4P FMMT2907R ZETEX p-n-p VCbo=-6OB Ic=-600mA Pd=330mBt h21=l00 300,1т>200МГц В Е с
4V BCW65AR ZETEX n-p-n VCbo=6OB, Ic=800mA Po=330mBt, h21=l00 250 1т>100МГц В Е с
4W BCW67AR ZETEX p-n-p Vcbo= 45B Ic=-800mA Рц=330мВт h2i=lOO 250 Тт>100МГц В Е с
517 FMMT6517 ZETEX n-p-n Vcbo=35OB, Ic=500mA Р^рЗЗОмВт, h2,=30 200 fy>50Mru, В Е с
520 FMMT6520 ZETEX p-n-p VCbo=-35OB, Ic=-500mA Pd=330mBt h2l=30 200,1т>50МГЦ В Е с
53 BAT17 SIEM shd VR<4B If<130mA Vf(If=iOmA)<0 6B,Ir<0 25mkA С0<1пф А ПС к
54 BAT17-04 SIEM 2xshd Vr<4B If<130mA Vf(If=10mA)<0 6B, Ir<0 25mkA, С0<1пФ А1 К2 KI А2
549 FMMT549 ZETEX p-n-p VCbo=-35B,1c= 1000mA Pd=500mBt h21=100 300, fT>100МГц В Е С
55 BAT17-05 SIEM 2xshd Vr<4B, If<130mA Vf(If=10mA)<0 6В Ir<0 25mkA Сц<1лф А1 А2 К1К2
551 FMMT551 ZETEX p-n-p VCbo=-8OB lc= 1000mA Pd=500mBt, h2T=50 150 1т>150МГц В Е С
555 FMMT555 ZETEX p-n-p Vceo=-16OB Ic=-1000mA Pd=500mBt h2I=50 300,1т>Ю0МГц В Е С
558 FMMT558 ZETEX p-n-p Vcbo=-4OOB Ic=-150mA, Po=500mBt, h2i=l00 300,1т>50МГц В Е С
56 BAT17 06 SIEM 2xshd Vr<4B, If<130mA Vf(If=10mA)<0 6B Ir<0 25mkA, С0<1пФ К1 К2 А1А2
576 FMMT576 ZETEX p-n-p VCbo=-2OOB,Ic=-1000mA Pd=500mBt h2]=50 300,1т>100МГц в Е С
589 FMMT589 ZETEX p-n-p VCbo=-5OB,Ic=-1OOOmA Ро=500мВт,Ь21=Ю0 300 1т>100МГц в Е С
591 FMMT591 ZETEX p-n-p VCbo=-8OB Ic=-1000mA, Pd=500mBt, h2]=lOO 300,1т>150МГц в Е С
593 FMMT593 ZETEX p-n-p Vcbo=-12OB,Ic=-1000mA, Po=500mBt h21=100 300 1т>50МГц в Е С
596 FMMT596 ZETEX p n-p VCbo=-22OB Ic= 300mA Pd=500mBt h21=85 300 1т>150МГц в Е С
597 FMMT597 ZETEX p-n-p Vcbo=-3OOB Ic=-200mA Pd=500mBt h2)=lOO 300 Гг>75МГц в Е С
59A FMMT549A ZETEX P-n-p Vcbo=-35B Ic=-1000mA,Pd=500mBt,h21=l50 500,1т>100МГц в Е С
5A BC807-16 CDIL p-n-p Vcbo=-45B Ic=-500mA, Pd=250mBt, h2l=100 250 1т>80МГц в Е С
5A 8C807-16LT1 MOT p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-500mA Po=300mBt, h2l=lOO 250,1т>200МГц в Е С
5A FMMD6050 ZETEX fid Vr<70B If<200mA VfIIf=100mA)<1 IB, lR<0 1мкА Co<25пФ Irr<5hc А ПС К
5Ap BC807-16 PHIL p-n-p Vcbo--45B Ic=-500mA Pd-250mBt, h2l=100 250,1т>80МГц в Е С
5AR 8C807-16R PHIL p-n-p Vcso=-5OB Ic=-500mA, Po=250mBt, h21>250 1т>100МГц Е В с
5As BC807-16 | SIEM p-n-p Vcbo=-5OB lc= 500mA Po=330mBt h2i=l00 250 fT=200MFu в|е с
117-*
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал >ирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
5 AZ BC807-I6 ZETEX p-n-p Vqbo=-5OB Ic=-500mA, Pd-330mBt, h2)=100 250 fT>lOOMFu В Е С
5B ВС807-25 CDIL p-n-p VCeo=-45B, Ic=-500mA Pd=250mBt h2i=l60 400,1т>80МГц В Е с
5B BC807-25LT1 МОТ p-n-p VCbo=-5OB Ic=-500mA Pd=300mBt, h2i=160 400 1т>200МГц В Е с
5B KST4123 SAMS n-p-n Vceo=4OB, Ic=200mA, Pd=350mBt h2i=50 150Л>250МГц в Е с
5B FMMD6100 ZETEX 2xfid Vr<708 If<200mA Vf(If=100mA)<1 1B, Ir<0 1mkA, Cd<2 5пФ, 1rr<5hc А1 А2 К1К2
5Bp BC807 25 PHIL P n-p VCbo=-45B Ic=-500mA Pd=250mBt, h2l=160 400 Гт>80МГц В Е С
5Bs BC807-25 SIEM p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-500mA Po=330mBt h2]=160 400Лг200МГц В Е С
5BZ BC807 25 ZETEX p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-500mA Po=330mBt h2l=160 400,1т>Ю0МГц В Е С
5C BC807-40 CDIL p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-500mA, Pd=330mBt, h2i=250 630 'т>200МГц В Е С
5C BC807-40LT1 MOT p-n-p VCbo=-5OB, lc= 500mA Pd=300mBt, h21=250 600, fT>200Mru В Е с
5C FMMD7000 ZETEX 2xfid Vfl<70B Ir<200mA Vf(1f=100mA)<1 IB |ft<0 ЗмкА С0<2 5пФ,(т<15нс А1 К2 К1.А2
5Cp BC807-40 PHIL p-n-p Vcbo"-45B, 1с=-500мА, Pd=250mBt, h2l=250 600 Гт>80МГц В Е С
5CR BC807-40R PHIL p-n-p VCB(t-50B Ic=-500mA, Pd=310mBt, h2i>600,1т>Ю0МГц Е В с
5Cs BC807-40 SIEM p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-500mA, Pd=330mBt, h21=250 630,1т=200МГц В Е с
5CZ ВС 807-40 ZETEX p-n-p Vcbo=’5OB, Ic=-500mA, Pd=330mBt, h21=250 600, fT>100МГц В Е с
50 TMPD4148 ALLEG d If<600mA Vbr>1008,Vf(If=10mA)<1 0B,Ir<25hA, 1rr<4Онс Со<40пФ А пс к
50 TMPD914 ALLEG d If<600mA, Vbr> 10OB, Vf(If= 1 0mA)< 1 OB, Ir<25hA, 1т<4 Онс, Co<6 ОпФ А пс к
50 BC807 COIL p-n-p VCB(t-45B, Ic=-500mA, Pd=250mBt, h2I=100 600. Гт>80МГц В Е с
50 HD2A ZETEX 2xfid Vr<35B If<100mA Vf(If=10mA)<1 OB. IR<1 OmkA, Cd<4 ОпФ |rr<6hc А1 А2 К1,К2
50 FMMD914 ZETEX fid Vr<75B, If<225mA,Vf(If=10mA)<1 OB lR<0 025mkA, Cd<4 ОпФ, 1rr<8hc А пс К
5Dp BC807 PHIL p-n-p Vcbo=-45B, Ic=-500mA Pd=250mBt, h2,=l00 600 fT>80MTu В Е С
5DZ BC807 ZETEX p-n-p VC0o=-5OB, Ic=-500mA, Pd=330mBt, h2l=100 600,1т=Ю0МГц В Е с
5E BC808-16 CDIL p-n-p Vcbo=-3OB, Ic-’500mA, Pd=330mBt, h2i=l00 250, fT>100МГц В Е с
5E FMMTA43R ZETEX n-p-n Vcbo=2OOB, Ic=200mA, Po=330mBt, h2l=50 200,1т>50МГц В Е с
5Ep BC808-16 PHIL p-n-p vcbo"-25B, Ic=-500mA Pd=250mBt h2,=100 250, fr>80MTu В Е с
5ER BC808-16R PHIL p-n-p Vcbo=-3OB Ic=-500mA, Po=310mBt, h2l>250, fT>100МГц Е В с
5Es ВС 808-16 SIEM p-n-p Vcbo=-3OB. Ic=-500mA, Pd=330mBt, h2l=100 250, |т=200МГц В Е с
5EZ ВС 808-16 ZETEX p-n-p VCBo=-3OB, Ic=-500mA, Pd=330mBt, h2]=l00 250, fT>100МГц В Е с
5F ВС808-25 CDIL p-n-p Vcbo=-30B, Ic=-500mA, Pd=330mBt, h2l=160 400, Гт>200МГц В Е с
5Fp ВС808-25 PHIL p-n-p VCB0=-25B, Ic=-500mA Pd=250mBt, h2l=160 400,1т>80МГц В Е с
5FR BC808-25R PHIL p-n-p Vcbo=-3OB, Ic=-500mA, Pd=3 10mBt, h21 >400,1т>100МГц Е В с
5Fs ВС 808-25 SIEM p-n-p Vcbo=-3OB, Ic=-500mA, Pd=330mBt, h2l=l60 400 1т=200МГц В Е с
5FZ ВС808-25 ZETEX p-n-p Vcbo”-3OB, Ic=-500mA Pq=330mBt h2)=160 400,1т>Ю0МГц В Е с
5G ВС808-40 CDIL p-n-p VCB0=-30B lc= 500mA, Pd=330mBt, h21=250 630,1т>200МГц В Е с
5Gp ВС808-40 PHIL p-n-p Vc80=-25B, Ic=-500mA, Pd=250mBt, h2!=250 600 Гт>80МГц в Е с
5GR BC808-40R PHIL p-n-p VCbo=-3OB, Ic=-500mA, Po=3 10мВт h2l>100, fT> 100МГц Е В с
5Gs ВС808-40 SIEM p-n-p Vcbo=-3OB, Ic=-500mA, Pd=330mBt, h2l=250 630,1т=200МГц В Е с
5GZ ВС808-40 ZETEX p-n-p VCB0=-3OB, Ic=-500mA Pd=330mBt, h2t=250 600, |т>Ю0МГц В Е с
► 118
SOT-23, SOD-23
1:1
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
5H ВС 808 CDIL p-n-p Vcbo=-25B, Ic=-500mA, Pd=250mBt, h2i=100 600, fT>80MFu В Е С
5H MMBD4148 VISH di Vr<75B If<300mA VF(IF=1 0mA)< 1 OB. Ir<5 ОмкА CD<4n(D tRA<6HC A ПС к
5Hp BC808 PHIL p-n-p VCB0=-25B, Ic=-500mA Pd=250mBt h2r100 600 1т>80МГц В Е с
5 HZ BC808 ZETEX p-n-p Vcbo~'3OB Ic=-500mA, Po=330mBt, h2t=l00 600,1у>100МГц В Е с
5J FMMT38B ZETEX n-p-n Vceo=8OB, Ic=300mA, Pd=330mBt, h2|>2000 В Е с
5P FM MT2907AR ZETEX p-n-p Vcbo=-6OR, Ic=-600mA, Pq=330mBt. h2l=100 300 1т>200МГц В Е с
5T BCW66GR ZETEX n-p-n VCbo"75B Ic=800mA Po=330mBt h?1=160 400 1т>Ю0МГц В Е с
5T BCW68GR ZETEX p-n-p VCB0=-60B Ic=-800mA, Pd=330mBt h2]=l60 400,1т>100МГц В Е с
5V BCW65BR ZETEX n-p-n VCbo=6OB Ic=800mA, Pd=330mBt h2i=160 400,1т>100МГц В Е с
5W BCW67BR ZETEX p-n-p VC0O=-45B Ic--800mA Pd=330mBt, h2)=l60 400,1т>100МГц В Е с
614 FMMT614 ZETEX n-p-n VCBo=120B, Ic=500mA, Pd=500mBt h2)>15000 В Е с
617 FMMT617 ZETEX n-p-n Vcbo=15B Ic=3000mA Pd=625mBt В Е с
618 FMMT618 ZETEX n-p-n VCbo=2OB, Ic=2500mA, Pd=625mBt h2l=300 450,1т>140МГц В Е с
819 FMMT619 ZETEX n-p-n Vcbo=5OB Ic=2000mA P0=625mBt h2]=300 450,1т>160МГц В Е с
624 FMMT624 ZETEX n-p-n Vcbo=125B Ic-1000mA, Рр=625мВт, h2)=300 450 1т>155МГц в Е с
625 FMMT625 ZETEX n-p-n Vcbo=1 50B, Ic=1000mA, Pd=625mBt, h2,=300 450,fT>135МГц в Е с
63s BAT64 SIEM shd VR<30B If<250mA, Vf(If=100mA)<0 75B, Ir<2mkA, С0<6пф А ПС к
64s BAT64-04 SIEM 2xshd VR<30B 1р<250мА Vf(If=100mA)<0 75B lR<2 OmkA, CD<6n<t> А1 К2 К1,А2
65$ 8AT64-05 SIEM 2xshd VR<30B. If<250mA Vf(If=100mA)<0 75B, lR<2 ОмкА, С0<6пФ А1 А2 К1 К2
66s BAT64-06 SIEM 2xshd VR<30B, If<250mA, Vf(If=100mA)<0 75B, iR<2 ОмкА, С0<6пФ К1 К2 А1.А2
6A 8C817-16 CDIL n-p-n Vcbo=5OB, Ic=500mA, Pd=330mBt, h2j=100 250, fF> 170МГц В Е С
6A BC817-16LT1 MOT n-p-n VCbo"5OB, Ic=500mA, Pd=300mBt h2,=f00 250,1т>200МГц В Е С
6A BC817-16 VfSH n-p-n VCbo=5OB, Ic=800mA, Po=310mBt, h2,=100 250, fT> 100МГц В Е С
6Ap BC817-16 PHIL n-p-n Vc80=45B, Ic=500mA, Pd=250mBt, h2l=l00 250,1т>80МГц В Е с
6AR BC817-16R PHIL n-p-n Vcbo=45B, Ic=500mA, Prj=310мВт h2,>250,1т>200МГц Е В с
6As BC817-16 SIEM n-p-n Vcbo=5OB Ic=500mA, Pd=330mBt, h2l=100 250 1т=170МГц В Е с
6AZ BC817 16 ZETEX n-p-n Vcbo=5OB, Ic=500mA, Pd=330mBt, h2l=l00 250 1т=200МГц В Е с
6B BC817 25 CDIL n p-n Vcbo=45B Ic=500mA, Pd=250mBt, h21=|60 400 1т>80МГц В Е с
6B BC817-25LT1 MOT n-p-n Vcbo=5OB, Ic=500mA, Pd=300mBt, h21=l60 400 1т>200МГц В Е с
6B BC817-25 VISH n-p-n Vcbo=50B,Ic=800mA,Pd=310mBt h2l=l60 400,1т>Ю0МГц В Е с
8BG CMPF4416A CENTS in-FET Vgss^SB, Idss'5 15mA,Vgs(oH)-2 5 6В NF=2flB D S G
6Bp BC817-25 PHIL o-p-n Vcbo=45B, Ic=500mA Po=250mBt, h2l=160 400 1т>80МГц В Е С
6BR BC817-25R PHIL n-p-n Vcbo=45B 1р=500мА, Pq=310mBt h2l>400, 1т>200МГц Е В С
6B$ BC817 25 SIEM n-p-n VCb(t50B Ic=500mA, Pd=330mBt, h21=160 400,1т=170МГи В Е С
6BZ BC817 25 ZETEX n-p-n Vcbo=5OB, Ic=500mA Pq=330mBt, h2j=l60 400, fF=200MFu В Е с
6C BC817-40 CDIL n-p-n Vcbo=5OB, Ic=500mA, Pd=330mBt h2]=250 630,1т>170МГц В Е с
6C BC817-40LT1 MOT n-p-n Vcbo=5OB Ic=500mA Po=300mBt, h2t=250 600 1т>200МГц в Е с
6C BC817-40 VISH n-p-n VCbo=5OB, Ic=800mA, Pd=310mBt, h21 =250 630,1т>Ю0МГц в Е с
119-*
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
бср 6C817-40 PHIL. n-p-n Vcbo=456 Ic=500mA, Pd=250m6t h2,-250 600 Гт>80МГц 8 Е С
6CR BC817-40R PHIL n-p-n Vcbo=45B Ic=5OOmA,Po=31OmBt ti2,>600. Тт>200МГц E В С
6Cs BC817-40 SIEM n-p-n VCbo=5OB Ic=500mA Р^ЗЗОмВт h21=250 630,1т=170МГц В Е С
6CZ BC817-40 ZETEX n-p-n Vcbo=50B Ic=500mA, Pd=330mBt, h2l=250 600 Тт=200МГц В Е С
6D BC817 CDIL n-p-n VCbo=5OB Ic=500mA,Pd=330mBt H2i=100 600,1т>200МГц В Е С
6Dp BC817 PHU n-p-n VCbo-45B Ic=500mA, Po=250mBt, h2l=100 600 ^>80МГц В Е С
6DZ BC817 ZETEX n-p-n VCbo=5OB, Ic=500mA, Po=330mBt ti2i=T00 600 1т=200МГц в Е с
6E BC818-16 CDIL n-p-n Vcbo=3OB, Ic=500mA Pg=330mBt, h2i—100 250, 0170МГц в Е с
6E FMMTA93R ZETEX p-n-p Vc80=-2OOB, Ic=-200mA Pd=330mBt, h2t=30 150, Н>50МГц в Е с
6Ep BC818-16 PHIL n-p-n VCbo-25B |с=500мА, Pd=250mBt, h2,=100 250 lT,80МГц в Е с
6ER BC818-16R PHIL n-p-n Vpetr25B |с=500мА, Р0=ЗЮмВт, h2l=250 0200МГц Е В с
6Es BC818-16 SIEM n-p-n VCbo=3OB ic-500mA, Pd=330mBt h2l=100 250 Гт=170МГц В Е с
BE BC818-16 ZETEX n-p-n VCB(t30B Ic=500mA, Pd=330mBt h2i=l00 250 1т>200МГц В Е с
6F BC818-25 CDIL n-p-n VCeo=30B Ic=500mA Pd=330mBt h2,=160 400,1т>170МГц В Е с
6Fp BC818-25 PHIL n-p-n Vcbo=25B 1c=500mA, Pd=250mBt, h2l=l60 400 1т>80МГц в Е с
6FR BC818-25R PHIL n p-n Vpeo-25B, 1с=500мА Р^-ЗЮмВт h2j=400 >200МГц Е В с
6Fs BC818-25W SIEM n-p-n Vcbo=3OB Ic=500mA Pd=250mBt, h2|=l60 400,1т>170МГц В Е с
6Fs BC818-25 SIEM n-p-n VC0o=3OB |c=500mA, Pd=330mBt, h2l=160 400,М170МГц В Е с
6FZ BC818 25 ZETEX n-p-n VCbo=3OB |c=500mA Pd-330mBt h2l-160 400,1т>200МГц В Е с
6G BC818-40 CDIL r-p-n Vcbq=25B Iq-500mA, Pd=250mBt, h2l=250 600, Тр80МГц в Е с
6G CMPF4393 CENTS n-FET Vgss>40B Id$s=5 30mA, VGs(otf)=O 5 ЗВ Ros(on)<100OM, Ioff<50hc D S G
6G FMMV2103 ZETEX bd Vr<30B,C4v=9 11пФ C2v/C30v=2 6 3 3, Q>400 А пс к
6Gp BC818-40 PHIL n-p-n Vcbo=25B, Ic=500mA, Pq=250mBt ti2,=250 600,1т>80МГц В Е с
6GR BC818-40R PHIL n-p-n Vcbo=25B Ic=500mA Pd=3?0mBt h21-600,1т>200МГц Е В с
6Gs BC818 40 SIEM n-p-n Vcbo=3OB, Ic=500mA ₽d=330mBt, h2l=250 630,1т>170МГц В Е с
6GZ BC818-40 ZETEX n-p-n Vceo=3OB |c=500mA Pd-330mBt, h2l=250 630,1т>200МГц В Е с
6H BC818 CDIL n-p-n Vcbo=25B, |с=500мА, Pd=250mBt, h2t-iOO 600 ЫОМГц В Е с
6H FMMV2104 ZETEX bd VR<30B, C4V=1O 8 13 2пФ Сгу/С30у=2 6 3 3,Q>400 А ПС к
6Hp BC818 PHIL n-p-n Vcbo*25B, Ic”500mA, Po-250mBt, hji—100 600, Н>80МГц В Е с
6HZ । BC818 ZETEX n-p-n Vcbo=30B, Ic=500mA, Pd=330mBt, h21=l00 600, Тт>200МГц В Е с
6J CMPF4391 CENTS n-FET Vg$s>40B Idss-50 150mA VGS(otf)=4 10В Ясв(оп)<300м 1off<20hc D S G
6J iFMMV2105 ZETEX bd Vr<30B, C4V=13 5 16 5пФ Сгу/С3оу-2 6 3 3, Q>400 А пс к
6K CMPF4392 CENTS n-FET Vgss>40B Idss=25 75mA VGs(off)=2 5B Во§(оп)<600м !qff<35hc D S G
6L FMMV2107 ZETEX bd Vr<30B. C4V=19 8 24 2лФ, C2v/C3W=2 7 3 3,Q>350 А пс X
6M FMMV2108 ZETEX bd VR<30B, C4V=24 3 29 7пФ, Сгу/СзоУ=2 7 3 3 0300 А пс К
6N FMMV2109 ZETEX bd VR<30B C4V=29 3 36 ЗпФ, C2v/C3qv-2 7 3 3,0280 А пс К
6P BCX71HR ZETEX p-n-p Vcbq=-45B Ic=-200mA Pd=330mBt, h2l=180 310 1т>180МГц В Е с
6R FMMV2101 ZETEX bd Vr<30B, C4v=6 1 7 5пф, C2v/C3ov=2 5 3 3, Q>450 А пс к
► 120
SOT-23, SOD-23
Цоколевка
Код Типономинал Фирма Функция Особенности 1 2 3
6V BCW65CR ZETEX n-p-n VCB0=60B, Ic=800mA, Pd=330mBt, h2l=250 630, fT> 100МГц В Е С
6W BCW87CR ZETEX p-n-p Vcbo=-45B Ic=-800mA, Pd=330mBt, h2l=250 630,1т>Ю0МГц В Е с
702 2N7002 VISH n-FET Vdss=60B, Id=1 1 5mA, Pd=200mBt, Vgs<-2 5 В, Ссс^бОпФ G S D
717 FMMT717 ZETEX p-n-p VCeo=-l2B, Ic=-2500mA, Pd=625mBt В Е С
716 FMMT718 ZETEX p-n-p Vcso=-2OB, Ic=-1500mA, Pd=625mBt, h21=3OO 450 1т>1бОМГц В Е С
720 FMMT720 ZETEX p-n-p Vcbo= 40B, Ic=-1500mA, Pd=625mBt, h2i=3OO 450 ТрЮОМГц В Е С
722 FMMT722 ZETEX p-n-p VCbo=-70B,Ic=-1500mA P0=625mBt h21=300 450,1т>200МГц В Е С
723 FMMT723 ZETEX p-n-p Vcbo“'IOOB, 1с”-Ю00мА, Ро~625мВт h2i=300 450,1у>200МГц В Е С
73 BAS70 VISH shd Vr<70B If<200mA,Vf(If=15mA)<1 OB, lR<01мкА, Co<2 ОпФ Irr<5hc А ПС К
73p BAS70 PHIL shd Vr<70B, If<70mA, Vf(If=1mA)<410mB, С0<2пФ А ПС К
73s BAS70 SIEM shd Vr<70B, If<70mA, Vf(If=15mA)< 1 OB Ir<0 ImkA, Cd<2 ОпФ А ПС К
74 BAS70-04 VISH 2xshd Vr<70B, If<200mA, Vf(If= 1 5mA)< 1 OB, lR<0 ImkA Cd<2 ОпФ, tRR<5nc А1 К2 К1А2
74p BAS70-04 PHIL 2xshd Vr<70B, If<70mA, Vf(If=1mA)<410mB, С0<2пФ А1 К2 К1А2
74$ BAS70-04 SIEM 2xshd Vr<70B, If<70mA, Vf(If=15mA)<0 1B, Ir<2 OmkA Со<2 ОпФ А1 К2 К1А2
75 BAS70-05 VISH 2xshd Vr<70B, If<200mA Vf(If=15mA)<1 OB, lR<01 мкА, CD<2 ОпФ tRR<5nc А1 А2 К1,К2
75p BAS70-05 PHIL 2xshd Vr<70B If<70mA, Vf(If=1mA)<410mB, С0<2пф А1 А2 KI К2
75s BAS70-05 SIEM 2xshd Vr<70B, If<70mA, Vf(If=1 5mA)< 1 OB, lR<0 1 МкА, Co<2 ОпФ А1 А2 К1 К2
76 BAS70-06 VISH 2xshd Vr<70B, If<200mA, Vf(If=1 5mA)< 1 OB, lR<0 ImkA Cd<2 ОпФ, Irr<5hc К1 К2 А1А2
76p BAS70-06 PHIL 2xshd Vr<70B, If<70mA, Vf(If=1mA)<410mB, С0<2пф К1 К2 А1 А2
76s BAS70 06 SIEM 2xshd Vr<70B, If<70mA, Vf(If=15mA)<1 OB, lR<0 1мкА, Со<2 ОпФ К1 К2 А1,А2
7A MMBR901LT1 MOT n-p-n Vcbo=25B, Ic=30mA, Pd=300mBt, h2,=30 200 В Е С
7A MMBR901LT3 MOT n-p-n Vcbo=25B Ic=30mA,Pd=300mBt h2i=30 200 В Е С
7B MMBR920LT2 MOT n-p-n Vcbo=2OB, Ic=35mA, Pd=268mBt h2l=25 250,1т=4500МГц В Е С
7D MMBR931LT1 MOT n-p-n Vcbo=1OB, Ic=5mA, Pd=150mBt, h2]=50 150 В Е с
7D HD4A ZETEX 2xfid Vr<35B, If<100mA, Vf(If=10mA)<1 OB lR<1 0мкА,Со<40лФ Irr<6hc К1 К2 А1А2
7E FMMTA42R ZETEX n-p-n VCBo=3OOB, Ic=200mA, Pd=330mBt, h2i>40,1т>50МГц В Е С
7G *4MBR5O31LT1 MOT n-p-n Vcbo=15B, Ic=20mA, Pd=300mBt h2i=25 ЗООЛт=ЮООМГц В Е С
7H dMBR5179LT1 MOT n-p-n VCbo=2OB, Ic=50mA, Pd=375mBt, h21>25 1т=1400МГц В Е С
7H KST5179 SAMS n-p-n Vcbo=2OB, Ic=50mA, Pd=350mBt, h2l>25 1т>900МГц В Е С
7J FMMT38C ZETEX n-p-n Vcbo=8OB, Ic=300mA, Pd=330mBt, h2> >5000 В Е С
7M MMBR521LT1 MOT p-n-p VCso=-2OB, Ic=-70mA. Pd=333mBt, h2(=25 125,1т=3400МГц В Е С
7M BCW66HR ZETEX n-p-n VCbo=75B, Ic=800mA, Pd=330mBt, h21=250 830, fT>100МГц В Е С
7N dMBR941BLT1 MOT n-p-n VCB(r20B, Ic=50mA, Pd=250mBt, h21=l00 200,1т=8000МГц В Е С
7N 'HMBR941BLT3I MOT n-p-n Vcbo=2OB, Ic=50mA, Pd=250mBt h2i=l00 200, (т=8000МГц В Е С
7N BCW68HR ZETEX p-n-p Vcbo=‘6OB, Ic=-800mA, Pd=330mBt h2i=250 630, fy> 100МГц В Е С
7P MMBR911LT1 MOT n-p-n VCbo=2OB, Ic=60mA, Po=300mBt, h2l=30 200,1т=6000МГц В Е С
7P BCW66FP ZETEX n-p-n VCbo=75B, Ic=800mA, Pd=330mBt, h21=l00 250,1т>Ю0МГц В Е С
7T 8CW68FR ZETEX p-n-p VCbo=-6OB, Ic=-800mA, Po=330mBt, h2,=l00 250,1т>100МГц В Е С
121
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
7X MMBR571LT1 MOT n-p-n Vcbo=20B Ic=80mA, Pd=330mBt h2,=50 300 1у=8000МГц В Е С
7Y MMBR941LT1 MOT n-p-n Vcbo-2OB, Ic-50mA, Pd=250mBt h2.=50 200 fT=8000Mfu В Е с
7Y MMBR941LT3 MOT n-p-n VCbo=2OB Ic=50mA, Po=250mBt h2r50 250,1т=8000МГц В Е с
7Z MMBR951LT1 MOT n-p-n VCbo=20B, Ic=100mA, Pd=322mBt h21=50 200 1т=8000МГц в Е с
81A TMPZ5250 ALLEG dz Vz(Izt=62mA)=190 21 OB |l(Vr=15 0B)<0 1mkA, Zzt(Izt=6 2mA)<250m А ПС к
61A PMBZ5250B PHIL dz Vz(Izt=6 2mA)-20B Il(Vr=15B)<0 1mkA Zzt(Izt=6 2mA)<6000m, Izm-200mA А ПС к
81В TMPZ5251 ALLEG dz Vz(Izt=5 5mA)=20 9 231B IJVr-I? 08)<0 ImkA гг(1г=5 5mA)<290m А пс к
81В PMBZ5251B PHIL dz Vz(Izt=5 6mA)=22B Il(Vr=17B)<0 1mkA Z^Izt’5 6mA)<6000m IZm=200mA А ПС к
61C TMPZ5252 ALLEG dz Vz(IZt=5 2mA)-22 8 25 2B Il(Vr=1 8 OS )<0 ImkA Zzt(IZt-5 2mA)<330m А ПС к
B1C PMBZ5252B PHIL dz Vz(Izt=5 2mA)=24B, Il(Vr=18B)<0 1mkA 2^=5 2mA)<6000m Izm=200mA А ПС к
81D TMPZ5253 ALLEG dz Vz(Izt=5 0mA)=23 8 26 38, Il(Vr=19 0B)<0 1mkA Zzt(Izt=5 0mA)<350m А ПС к
81D PMBZ5253B PHIL dz Vz(Izt=5 0mA)=25B Il(Vr=19B)<0 1mkA Zzt(Izt=5 0mA)<600Om, Izm=200mA А ПС к
81E TMPZ5254 ALLEG dz VZ(IZT=46mA)=25 7 28 4B Il(Vr=21 0B)<0 ImkA, Zzt(IZt=4 6mA)<410m А ПС к
81E PMBZ5254B PHIL dz Vz{IZt=46mA)=27B, Il(Vr=21 B)<0 ImkA Zzrtlzr~4 6мА)<6000м, 1^=200мА А ПС к
B1F TMPZ5255 ALLEG dz Vz(Izt=4 5mA)=26 6 294B Il(Vr=21 OBhO 1 мкА, 2^=4 5мА)<440м А ПС к
81F PMBZ5255B PHIL dz Vz(ln=4 5mA)-28B, Il(Vr=21B)<0 ImkA Zzt(Izt-4 5mA)<6000m Izm=200mA А ПС к
61G TMPZ5256 ALLEG dz Vz(Izt=4 2mA)=28 5 31 5B, |l(Vr-23 OB)<0 1mkA Zn('ZTs4 2mA)<490m А ПС к
81G PMBZ5256B PHIL dz Vz(ln=42MA)=30B, Il(Vr=23B)<0 1mkA, 2^=4 2mA)<6000m, IZm-200mA А пс к
6.H TMPZ5257 ALLEG dz Vz(Izt=3 8mA)-31 4 34 7B |l(Vr=25 0B)<01 мкА ZZt(Izt=3 8mA)<580m А ПС к
81H PMBZ5257B PHIL dz Vz|Izt=3 8mA)=33B, Il(Vr'25B)<0 1mkA Zzt(Izt~3 8мА)<60СЮм |^-200мА А ПС к
83 BAT68 SIEM shd Vr<8B If<130mA,Vf(If=10mA)<0 5B Ir<0 ImkA, Cd<1 ОпФ А ПС к
B4 ВАГ68-04 SIEM 2xshd Vr<8B, If<130mA Vf(If=10mA)<0 5B,Ir<0 ImkA Cd<1 ОпФ А1 К2 К1.А2
85 BAT68-05 SIEM 2xshd Vr<8B, If<130mA Vf(IF-10mA)<0 5B, Ir<0 ImkA, Co<1 ОпФ А1 А2 К1К2
B6 BAT68-06 SIEM 2xshd Vr<8B, If< 1 30mA, Vf(If=10mA)<0 5B, Ir<0 ImkA, Cd<1 ОпФ К1 К2 А1А2
8A MUN5211T1 MOT n-p-n VcbO“5OB, Ic=50mA, Pd-1 50mBt, h2) >35 Е В С
8AA BC846A SAMS n-p-n VCbo=8OB Ic=100mA,Pd=310mBt h21=H0 220, Тт>300МГц В Е С
8AB BC846B SAMS n-p-n Vcbo=8OB Ic=100mA Pd=310mBt, h21“200 450, Тт>300МГц В Е С
8AC BC846C SAMS n-p-n VCbo=8OB, 1с=Ю0мА Pd=310mBt h21=420 800,1т>300МГц В Е С
BB MUN5212T1 MOT n-p-n Vcbo-5OB, Ic=50mA, Pd=150mBt h2l>60 Е В С
BBB BC847B SAMS n-p-n VCBo=5OB, Ic=100mA Pd=310mBt h21=200 450, Тт>300МГц В Е С
BBC BC847C SAMS n-p-n VCbo=5OB Ic=100mA Pq-ЗЮмВт h21=420 800 1т>300МГц В Е С
8C MUN5213T1 MOT n-p-n VcbctSOB Ic=50mA Pd=150mBt h2l>80 Е В С
8CA BC848A SAMS n-p-n VCbo“3OB Ic=100mA Pd=310mBt,ОггИЮ 220,1т>300МГц В Е С
8CB BC848B SAMS n-p-n VCbo=3OB, Ic=100mA Pd=310mBt, h21=200 450, Тт>300МГц В Е С
8CC BC848C SAMS n p n VCBor3OB, Ic=100mA, Pd=310mBt h2l =420 800, Гт>300МГц В Е С
BD TMPZ5229 ALLEG dz V2ilzT=20MA)=4 08 4 52В, IL(VR=1 0ВК5 ОмкА Zzt{Izt=20mA)<22Om А ПС К
8D MUN5214T1 MOT n-p-n Vcbo=5OB Ic-50mA, Pd=i50mBt, h2i>80 Е В с
8DA BC849A SAMS n-p-n VCbo=3OB Ic=100mA, Pd=310mBt, h2l=110 220 1т>300МГц В Е с
► 122
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
8DB BC849B SAMS n-p-n Vcbo=3OB Ic=100mA Pq=310mBt h2i-200 450 1т>300МГц В Е с
8DC BC849C SAMS n-p-n Vcbo=3OB, lc=1 00mA, Pd=310mBt, h2i=420 800,1т>300МГц В Е С
8E TMPZ5230 ALLEG dz V2(Izt=20mA)=4 47 4 94B Il(Vr=2 0B)<5 OmkA, Zzt(IZt=20mA}< 190м А ПС К
6E MUN5215T1 MOT n-p-n Vcbo=50B, Ic-50mA Pd=150mBt, h2]>l60 Е В С
8E FMMTA92R ZETEX p-n-p VCbo=-3OOB, Ic=-200mA, Pd=330mBt, n2i>25, 1т>50МГц В Е С
8EA BC85OA SAMS n-p-n VCbo“5OB, Ic=100mA, Pd=310mBt h2l=110 220, Тт>300МГц В Е С
6EB BC850B SAMS n-p-n Vcbo=50B, Ic=100mA, Pd=310mBt, h2l=200 450 Тт>300МГц В Е С
SEC BC85OC SAMS n-p-n VCBO=50B, Ic-ЮОмА, Po=310mBt h2,=420 800 1т>300МГц В Е С
8F TMPZ5231 ALLEG dz Vz(<zt=20mA)=4 85 5 36B, Il(Vr=2 0B)<5 OmkA 20mA)< 170м А ПС К
8F MUN5216T1 MOT n-p-n Vcbo=5OB, Ic=50mA, Pq=150mBt, h2, >160 Е В С
8FA BC817-16 SAMS n-p n VCbo=50B, Ic=800mA, P0=310mBt h2i=lOO 250,1т=100МГц В Е С
8FB BC817-25 SAMS n-p-n Vcbo=5OB, Ic=800mA Pd=310mBt h2l=l60 400, Гт=100МГц В Е С
8FC BC817-40 SAMS n-p-n VCB0=50B, Ic-800mA, Pd=31 OmBt, h2i=250 630, Ь=Ю0МГц В Е С
8G TMPZ5232 ALLEG dz Vz(Izt=20mA)-532 5 88B lL(VR=30B}<5OmkA,Zzt(Izt=20mA)< 110м А ПС К
8G MUN5230T1 MOT n-p-n Vcbq=50B, Ic=50mA, Pd=150mBt, h2,>3 Е В С
8GA BC818-16 SAMS n-p-n VCbo=3OB Ic=800mA, Pd=310mBt, h2l=100 250,1т=100МГц В Е С
8GB BC818-25 SAMS n-p-n Vcbo“3OB Ic=800mA, Pd=3i0mBt, h2l=l60 400, ^ЮОМГц В Е С
8GC BC818-40 SAMS n-p-n VC6o=3OB, Ic=800mA, PD=31 OmBt, h2l=250 630 fT=100МГц В Е С
8H TMPZ5233 ALLEG dz Vz(Izt=20mA)=5 70 6 30B lL(VA=3 5B)<5 OmkA, Zzt(<zt=20mA)<7 00м А ПС К
8H MUN5231T1 MOT n-p-n Vcbo=5OB,Ic=5OmA,Pd=15OmBt h2,>8 Е В С
8J TMPZ5234 ALLEG dz Vz(Izt=20mA)=5 98 651B lL(VR=40B)<3OmkA,Zzt(Izt=20mA)<7OOm А ПС К
81 MUN5232T1 MOT n-p-n Vcbo=50B, Ic“50mA, Pq=150mBt, h2, > 15 Е В С
8K TMPZ5235 ALLEG dz Vz(Izt=20mA)=6 46 7 14B, lL(VR=5 OB)<3 OmkA, 2гт(1п=20мА)<5 OOm А ПС К
8K MUN5233T1 MOT n-p-n VCB0=50B, Ic=50mA, Pd=150mBt, h21 >80 Е В С
81 TMPZ5236 ALLEG dz VzVzt-20mA)=7 13 7 88B, lL(VR=6 0B)<3 OmkA, Zzt(Izt=20mA)<6 OOm А ПС К
8L MUN5234T1 MOT n-p-n Vcbo=5OB. Ic=50mA Pq=150mBt h2l>80 Е В К
8M TMPZ5237 ALLEG dz Vz(IZt=20mA)=7 79 8 61B lL(VR=6 5B)<3 OmkA 2п(1?г20мА)<8 OOm А ПС К
8N TMPZ5238 ALLEG dz Vz(Izt=20mA)=8 26 9 14B lL(VR=6 5B)<3 OmkA Zzt(Izt=20mA)<8 OOm А ПС К
8₽ TMPZ5239 ALLEG dz Vz(Izt=20mA)=8 65 956B (l(Vr=70B)<3OmkA.Z^I^ZOmAKIOOm А ПС к
8Q TMPZ5240 ALLEG dz Уг(1гт=20мА)=9 50 10 5B, lL(VA=8 0B)<3 OmkA, Zzt(Izt:;20mA)< 170м А ПС к
8R TMPZ5241 ALLEG dz Vz{Izt=20mA)=10 5 11 6B Il(Vr=8 4B)<20mkA Zzt(Izt=20mA)<220m А ПС к
8$ TMPZ5242 ALLEG dz Vz1Izt=20mA)=11 4 126B lL(VR=91B)<1 OmkA,Zzt(Izt=20mA)<300m А ПС к
8T TMPZ5243 ALLEG dz VZ(|ZT=9 5mA)=12 4 13 7B, lL(VR=998)<0 5MKA,Zn(lzT=9 5mA)<130m А ПС к
8U TMPZ5244 ALLEG dz Vz(Izt=9 0mA)=13 3 147B lL(VR=l00B)<0 ImkA Zzt(Izt=9 OmA)< 1 50m А ПС к
8V TMPZ5245 ALLEG dz Ш=8 5мА)=14 3 15 8B, lL(VR=11 0B)<0 ImkA, 2^=8 5мА)< 160м А ПС к
8W TMPZ5246 ALLEG dz Vz(Izt=7 8mA)-I5 2 16 8В, lL(VB= 12 OBj<0 1мкА, ZzT(ln=7 8мА)< 170м А ПС к
8X TMPZ5247 ALLEG dz Vz(ln=7 4мА)-1б 2 17 9В, IL(VR=13 0В)<01 мкА Zzt(>zt=7 4мА)<1 90м А ПС к
SY TMPZ5248 ALLEG dz У2(1п=70мА)=17 1 18 9В Il(Vr=14 0В)<01 мкА, ZztOzt'7 0мА)<21 Ом А ПС к
123 -<
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
8Z TMPZ5249 ALLEG dz W66mA)=18 1 20 0B lL(Vn=140B)<0ImkA,Zzt<Izt=66mA)<230m A ПС к
9A FMMT2369AR ZETEX n-p-n VCso=4OB, Ic=200mA, Pd=330mBt, h2l=40 120 В Е с
9AA BC858A SAMS p-n-p VCbo=-8OB Ic=-100mA, Pd=310mBt, h21=H0 220,1т>150МГц В Е с
9 AB BC856B SAMS p-n-p Vcbo=-8OB |с=-100мА,Ро=310мВт,Ь21=200 450,1т>150МГц В Е с
9AC BC856C SAMS p-n-p VCbo=-80B, Ic=-100mA, Pd=310mBt, h2(=420 800,1?>150МГц В Е с
9BA BC857A SAMS p-n-p Vcb0“-50B, Ic=-100mA, Pd=310mBt, h2i=110 220,1т>150МГц В Е с
9BB BC857B SAMS p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-100mA, Pd=310mBt, h2i=200 450, fT>150МГц В Е с
9BC BC857C SAMS p-n-p VC8o=-50B, Ic=-100mA, Po=310mBt, h2(=420 800, ip 150МГц В Е с
9CA BC858A SAMS p-n-p VC8o=-3OB, Ic=-100mA, Pd=3i0mBt, h2r1l0 220,1т>150МГц В Е с
9CB BC858B SAMS p-n-p VCbo=-3OB, Ic=-100mA, Pd=310mBt, h2i=200 450, fT>150МГц В Е с
9CC BC858C SAMS p-n-p Vcbo='30B, Ic=-100mA, Pd-310mBt, h2; =420 800,1Р150МГц В Е с
9DA BC859A SAMS p-n-p Vcbo=-30B, |c=-100mA, Pd=310mBt, h2i=110 220,1т>150МГц В Е с
9DB BC859B SAMS p-n-p VCbo=-3OB, Ic=-100mA, Pd=310mBt, h21=200 450, fr>150МГц В Е с
9DC BC859C SAMS p-n-p Vcbo=-3OB,Ic=-1OOmA, Pd=310mBt h21=420 8ОО,1т>15ОМГц В Е с
9EA BC860A SAMS p-n-p VCbo=-5OB 1с=-100мА,Ро=310мВт,Ь21=110 220,1т>150МГц в Е с
9EB BC860B SAMS p-n-p VCbo“'5OB, Ic=-100mA, Pd=310mBt, h21=200 450, fT>150МГц в Е с
9EC BC860C SAMS p-n-p Vcbo”-5OB, Ic=-100mA, Pq—31 OmBt, h2i=420 800,1р150МГц в Е с
9FA BC807-16 SAMS p-n-p Vcbo“-5OB Ic= 800mA Pp=310мВт h2i=l00 250, Гр100МГц в Е с
9FB BC807-25 SAMS p-n-p Vcso=-5OB, lc=-80t>MA, PD=310мВт, h21=160 400, (т>100МГц в Е с
9FC BC807-40 SAMS p-n-p Vcbo=-5OB,Ic=-800mA Pd=310mBt h2i=250 630,1т>Ю0МГц в Е с
9GA BC808-16 SAMS p-n-p VCbo=-3OB, Ic=-800mA, Pd=310mBt, h2l=100 250, fT>100МГц в Е с
9GB BC8O8-25 SAMS P-n-p VCB0=-30B, Ic=-800mA,Po=310mBt h2l=160 400, fT> 100МГц в Е с
9GC BC808-40 SAMS p-n-p VCBo=-3OB, Ic=-800mA Pd=310mBt, h2l=250 630,1т>100МГц в Е с
9P BCX70HR ZETEX n-p-n VCbo=45B Ic=200mA Pd=330mBt h21=l80 ЗЮ,1т>250МГц в Е с
9R FMMT2369R ZETEX n-p-n Vcbo-4OB Ic=200mA, Pd=330mBt Ьгр40 120 в Е с
AO HSMS 2800 HP shd Vbr>70B Vf(If=15mA)<1 OB Ir(Vr=50B)<200hA, Cd<2 ОпФ А пс к
Al BAW56 ALLEG 2xd If<70mA VBr>70B,Vf(If-50mA)<1 IB Ir<2500hA tRR<6 Ohc, Cq<2 ОпФ К1 К2 А1А2
Al BAW56 VISH 2xdi Vr<70B If<300mA Vf(If=150mA)< 1 25B Ir<5 OmkA, Co<4 ОлФ 1rr<6hc К1 К2 А1,А2
A1 BAW56 ZETEX 2xdi Vr< 70B, lp< 100mA, Vf(If=50mA)<1 1В, Ir<2 5mkA, Сц<20пФ, Irr<6hc К1 К2 А1.А2
A16 ZC934A ZETEX bd Vr<12B Cd(Vr=2 5B)=47 25 57 75пФ, C|V/C4V<3 8, Q>80 А ПС К
A17 ZC933A ZETEX ’ bd VR< 12B, Cd(Vr=2 5B)=20 25 24 75пф C)V/CD|4B)<3 5 Q>15O А ПС К
A1p BAW56 PHIL 2xfd Vr<75B If<215mA,Vf(If=50mA)<1 0В,Сц<2пф 1rr<4hc К1 К2 AIA2
A1S BAW56 SIEM 2xdi Vr<70B If<200mA Vf(If=150mA)<1 25B Ir<2 5mkA Cd<2 ОпФ, tnR<6HC К1 К2 А1А2
A2 HSMS-2802 HP 2xshd Vbr>70B, Vf(If=15mA)<1 OB Ia(Vr=50B)<200hA Со<2 0пФ А1 К2 К1,А2
A2 BAT 18 PHIL dtv Vr<35B If<100mA Rd<0 7Om,Cd<1 ОлФ А ПС К
A2 BAT18 SIEM cpm Vr<35B, l₽< 100mA, Vf(If=100mA)<1 2B Ir<0 02mkA, Cd<1 ОпФ А ПС К
A2 MMBD4148 VISH di Vr<75B If<300mA Vf(If=10mA)<1 OB Ir<5 OmkA Со<4пф 1rr<6hc А ПС К
A2 FMMD2836 ZETEX 2xfid Vr<75B, If< 100mA Vf(If=50mA)< 1 OB, Ir<0 ImkA, С0<40пф, Irr<6hc К1 К2 А1А2
► 124
SOT-23, SOD-23
Цоколевка
Код Гипономинал Фирма Функция Особенности 1 2 3
АЗ HSMS-2803 HP 2xshd V0r>7OB, Vf(If=1 5mA}< 1 OB, Ir(Vr=50B)<200hA Co<2 Опф К1 К2 А1,А2
АЗ MMBD4448 VISH fid Vr<75B, 1р<500мА, VHIr=100mA)< 1 OB, Ir<5 ОмкА, Св<4пф, tRR<4HC А пс К
АЗр ВАТ 17 PHIL shd Vr<4B, Ip<30mA Vf(If=1mA)<450mB, Со<ШФ А пс К
А4 BAV70 ALLEG 2xd If<100mA,Vbr>70B Ур(1г10мА)<086В, Ir<5000hA,tw<60nc,Co<1 5пф А1 А2 К1,К2
А4 HSMS-2804 HP 2xshd Vbr>70B, Vpfl^l 5мА)< 1 OB, Ir(Vr=50B)<200hA, Cd<2 Опф А1 А2 KI К2
А4 BAV70 VISH 2xdi Vr<70B, If<300mA, Vp(If=150mA)<1 25B, lR<5 ОмкА, С0<4лФ, tRR<6nc А1 А2 К1,К2
А4 BAV70 ZETEX 2xd< Vr<70B If<100mA, VHIf=50mA}<1 1B, Ir<5 ОмкА, Co<1 5пф Irr<6hc А1 А2 К1,К2
А4р BAV70 PHIL 2xfd Vr<70B, If<215mA VrtlF=50MA)<f OB, Co<1 5пф, Irr<4hc А1 А2 К1К2
A4s BAV70 SIEM 2xdi Vr<70B, I₽<200mA, Vf(If=150mA)< 1 25B, lR<2 5мкА Co<1 5пФ, 1rr<6hc А1 А2 К1.К2
А5 FMMD2837 ZETEX 2xfid Vr<35B, lp<1 00mA Vf(If=50mA)< 1 OB, lR<0 1mkA Cd<4 Опф tRR<6nc А1 А2 К1.К2
А6 BAS 16 ALLEG d Ip<600mA Vbr>75B, Vp(If=1mA)<072B,Ir<1000hA,Irr<60hc Со<20лф А пс К
А6 BAS16 VISH fid Vr<75B, I₽<500mA, Vf(If=150mA)<1 25B, Ir<1 ОмкА Со<40пФ Irr<4hc А пс к
А6 BAS16 ZETEX di Vr<75B, 1/.250мА, Vf(If=50mA)<1 OB, lB<1 ОмкА, CD<2 ОпФ, tw<6wc А пс к
Абр BAS18 PHIL fd Vr<75B, If<215mA, Vr(If=50mA)<1 OB,Cq<1 5пф, Irr<4hc А пс к
A6s BAS16 SIEM di Vr<75B I₽<250mA, VhIf=50mA)<1 OB, lR<1 ОмкА, Со<2 Опф, 1rR<6hc А пс к
А7 BAV99 ALLEG 2xd If<70mA,Vbr>70B,Vf(If=50mA)<1 1B. Ir<2500hA, Irr<6 One Со<2 0пф А1 К2 К1А2
А7 BAV99 VISH 2xdi Vr<70B If<300mA, VhIf=150mA)<1 25B, Ir<5 OmkA, Cq<4 ОпФ Irr<6hc А1 К2 К1А2
А7 BAV99 ZETEX 2xdi Vr<70B 1р<100мА, Vp(If=5OmA}<1 1B, Ir<2 5mkA, Cd<1 ЬпФ.^бне А1 К2 К1А2
А7р BAV99 PHIL 2xfd Vr<75B, If<215mA, Vf(Ip=50mA)<1 OB, Cq< 1 5пФ, Irr<4hc А1 К2 К1А2
A7s BAV99 SIEM 2xdi Vr<70B, 1р<200мА, Vf(If=150mA)< 1 25B, Ir<25mkA, Cd<1 5пф, 1rr<6hc А1 К2 К1.А2
AS BAS19 ALLEG d |₽<200mA, Vbr>1OOB, УрС1р=200мА)<1 25B, lR< IOOhA, Irr<50hc, Со<50пФ А пс К
А8 BAS19 VISH di Vr<1OOB, Ir<400mA,Vr(If=200mA)<1 25B, lR<0 ImkA, Cd<5 Опф Irr<50hc А пс К
А8 BAS19 ZETEX di Vr<100B, 1р<200мА, Vr(If=100mA)<1 OB, lR<0 ImkA, Cd<5 ОпФ, Irr<50hc А пс к
А81 BAS20 VISH di Vr<150B, |₽<400мАЖ=200мА)<1 25B, Ir<0 ImkA, Cd<5 Опф, Ir^SOhc А пс к
А81 BAS20 ZETEX di Vr<150B, I₽<200mA VHIf= 100mA}< 10B, lR<0 1mkA Cd<5 Опф, Irr<50hc А лс к
А82 BAS21 ALLEG di If<200mA, Vbr>200B, Vf(If=100mA)<1 OB, Ir<100hA, Irr<50hc, Co<5 ОпФ А пс к
А82 CMPD2003 ^ENTS di Ip<250mA, Vr=200B, Vp(If=1OOmA)< 1 OB, Ir<100hA, Irr<50hc, Ct<5 О1Ф А пс к
А82 BAS21 VISH di VH<2008, I₽<400mA, VhIf=200mA)<1 25B, lR<0 1mkA, Cd<5 ОлФ, Ir^Mhc А пс к
А82 BAS21 ZETEX di Vr<200B, 1₽<200мАЖ=100мА)<1 OB, lR<01мкА, Co<5 ОлФ, (r^SOhc А пс к
А9 FMMD2835 ZETEX 2xfid Vr<35B, l₽< 100mA Vp(If=50mA}<1 OB lR<0 ImkA, Cd<4 Опф, tfiR<6HC К1 К2 А1.А2
АА BCW60A ALLEG n-p-n VCbo=32B, ICbo<2OhA, h2l=l20 220, VCE(sat)<0 35В <т>125МГц В Е С
АА BCW60A CDIL n-p-n VCbo=32B,Ic=200mA,P0=250mBt h2l=l20 220, <т>100МГц В Е с
АА 8CW60A SAMS n-p-n Vceo=32B, Ic=100mA Pd=350mBt, h2i=120 220, Гт>125МГц В Е с
АА BCW60A ZETEX n-p-n VCbo=32B, Ic=200mA, Pd=330mBt, 1^=120 220,1т>250МГц В Е с
AAD TMPD4448 ALLEG d |₽<600мА, Vrr> 10OB, VM If= 1 0OmA)< 1 OB, Ir<25hA, 1«r<4 Оно, Co<4 ОлФ А пс к
AAD CMPD4448 DENTS dih If=250mA, Vr“75B , Vf(If=100mA)<1 OB, Ir<25hA, t«R<4 Онс, Ст<4 Опф А пс к
AAG MMBR951ALT1 MOT n-p-n VCbo=2OB, Ic=100mA, P0=322mBt, h2i=75 150, Н000МГЦ в Е с
ААр BCW60A PHIL n-p-n VcB0=32B, Ic=200mA, Po=250mBt, h2i=l20 220, fT> 100МГц в Е с
125
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
AAR TMRD4153 ALLEG 0 If<600mA Vba>75B Vf(If=1 мА)<0 67B, Ir<50hA, 1аа<4 Онс Со<4 0пФ A ПС К
AAs BCW60A SIEM n-p-n W32B, Ic=’00mA Pd=330mBt, h2l=120 220 1т=250МГц В Е с
AB BCW60B ALLEG n-p-n VCbo=32B ICbo<2OhA, h2i=l80 ЗЮ VCE(sat)<0 35В Тт>125МГц В Е с
AB BCW60B CDIL n-p-n VCbo=32B, !c=200mA, Pct250mBt h2l=l80 320 fpWOMTu В Е с
AB BCW60B SAMS n-p-n Vcbo=32B, Ic=100mA, Pd=350mBt, h2i=180 310 fT>l25Mru В Е с
AB BCW60B ZETEX n-p-n Vcbo=32B, 1c=200mA, Po=330mBt h2)=l80 ЗЮ 1т>250МГц В Е с
ABA TMPD4150 ALLEG d If<600mA, Vbr>758, VF(lF=1 мА)<0 62B ln< 1 OOhA, tRR<4 Онс, Co<2 5пФ А ПС к
ABA CMPD4150 CENTS dih If=250mA,Vr=508 Vf(If=100mA)=082 0 928 Ia<100hA,^<4Онс Ст<40пф А ПС к
ABC TMPD4154 ALLEG d lf<600»A. VB„>358 Vf(If=30mA)<1 0B |п<100нА tw<4 Онс Со<4 0пф А ПС к
ABp BCW60B PHIL n-p-n VCbo=32B, Ic=200mA, Pd=250mBt h2i=l80 320,17>100МГц В Е с
ABs BCW60B SIEM n-p-n Vcbo~32B, lc=1 00mA, Pq-ЗЗОмВт, h2i=l80 310, fT=250MFn В Е с
AC BCW60C ALLEG n-p-n VCbo=32B, ICbo<2OhA П21=250 460 VCE(sat)<0 35В Тт>125МГц В Е с
AC BCW60C CDIL n-p-n VCbo=32B Ic=200mA Pd=330mBt, h2r250 460,1т>250МГц В Е с
AC BCW60C SAMS n-p-n Vcbo=32B, Ic=100mA, Pq=350mBt, h2i=250 460, 125МГц В Е с
AC BCW60C ZETEX n-p-n Vceo=32B 1с=200мА Pd=330mBt, h2t=250 460 1т>250МГц В Е с
ACp BCW60C PHIL n-p-n Vcso=32B, Ic=200mA, Pd-250mBt, h2i=250 460,1т>Ю0МГц В Е с
ACS BCW60C SIEM n-p-n Vcbo=32B, Ic=100mA, Pd=330mBt, h2,=250 460,1т=250МГц В Е с
AD BCW60D ALLEG n-p-n Vcbo=32B, 1Cbo<2OhA h2l=380 630 VCE(sat)<0 35В 1т>125МГц В Е с
AD BCW60D CDIL n-p-n Vcbo=32B, Ic=100mA, Pd=350m8t, h2|=38O 630 1т>125МГц В Е с
AD BCW60D SAMS n-p-n Vcbo=32B, Ic=100mA, Pd=350mBt, h2i~380 630,1у>125МГц В Е с
AD BCW60D ZETEX n-p-n Vc80=32B, Ic=200mA, Pd=330mBt, h2I=380 630,1г>250МГц В Е с
ADp BCW60D PHIL n-p-n Vcbo=32B Ic=200mA, Pd=250mBt, h2i=380 630,1т>Ю0МГц В Е с
ADs BCW60D SIEM n-p-n Vcbo=32B, 1с=100мА, Рр=330мВт, h2)=380 630, Ь=250МГц В Е с
AFs BCW60FF SIEM n-p-n VCB0=32B 1с=100мА, Рр=330мВт, n2l-250 4бО,1т=250МГц В Е с
AG BCX70G ALLEG n-p-n Vcbo=45B Icbo<2OhA, h2l=l20 220 VcE(sat)<035B, 1у>125МГц В Е с
AG BCX70G CDIL n-p-n Vcbo=45B, Ic=200mA Pd=250mBt h2l=l20 220,1т>100МГц В Е с
AG BCX70G SAMS n-p-n Vcbo=45B Ic=200mA Pd=350mBt, h21-l20 220 fT>125МГц В Е с
AG BCX70G ZETEX n-p-n Vcbo=45B, Ic=200mA, Pd=330mBt, h21=l20 220 fT>250MFu В Е с
AGp BCX70G PHIL n-p-n VCB0=45B, Ic=200mA, Po=250mBt, h21=120 220Л>Ю0МГц В Е с
AGs BCX70G SIEM n-p-n VCbo=45B, Ic=100mA, Pd=330mBt h21=l20 220,1т=250МГц В Е с
AH BCX70H ALLEG n-p-n Vcbo^SB, Icbo<20hA h2l=i8O 310 VcE(sat)<0 35В 12>125МГц в Е с
AH BCX70H CDIL n-p-n VCbo=45B, Ic=200mA, Pd=250mBt, h2r250 460,1т>100МГц в Е с
AH BCX70H SAMS n-p-n Vcbo=45B, Ic=200mA, Pd=350mBt, h2i=l80 310, Ь>125МГц в Е с
AH BCX70H ZETEX n-p-n Vcbo=45B, Ic=200mA Pd-33OmBt h2l=180 ЗЮ, 1т>250МГц в Е с
AHp BCX70H PHIL n-p-n Vcbo=45B, 1с=200мА, Pd=250mBt, h2l=250 460 ЬЛООМГц в Е с
AHs 8CX70H SIEM n-p-n Vcso^B Ic=100mA Po=330mBt, h2f=l80 ЗЮЛ=250МГц 8 Е с
AJ BCX70J ALLEG n-p-n Vcbo-45B Icbo<2OhA, 1^^250 460, VCE(sal)<0 35В, 1т>125МГц В Е с
AJ 8CX70J CDIL n-p-n VCso=45B Ic=100mA, Po=330mBt, n2)=250 460,1т>250МГц В Е с
► 126
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма функция Особенности Цоколевка
1 2 3
AJ BCX70J SAMS n-p-n VCbo=45B, Ic=200mA, Pd=350mBt h2l=250 460 fT>l25MFu В Е С
AJ BCX70J ZETEX n-p-n VCB0=45B, Ic=200mA, Pd=330mBt, h21=250 460 1т>250МГц В Е с
AJp BCX70J PHIL n-p n Vcb0=45B, Ic=200mA, Pd=250mBt, h21=l80 310, fT>lOOMFu в Е с
AJs BCX70J SIEM n-p-n VCbo=45B Ic=100mA Pd=330mBt, h2i=250 460, fT=250MTu в Е с
AK BCX70K ALLEG n-p-n VCbo=45B, ICbo<20hA h21=380 630, VCE(sat)<0 35В fT>i25MRj в Е с
AK BCX70K CDIL n-p-n Vcb(t45B Ic=200mA, Pd=250mBt h2l=380 630 1т>100МГц в Е с
AK BCX70K SAMS n-p-n VCB0=45B Ic=200mA Pd=350mBt, h21=380 630,1т>125МГц в Е с
AK BCX70K ZETEX n-p-n VCB0=45B Ic=200mA, Po=330mBt, h21=380 630 17>250МГц в Е с
AKp BCX70K PHIL n-p-n VCso=45B, Ic=200mA Pd=250mBt h2l=380 630 fT>lOOMFu в Е с
AKs BCX70K SIEM n-p-n VCB0=45B, Ic=100mA, Pd=330mBt, h2l=380 630,17=250МГц в Е с
AMp BSS64 PHIL n-p-n VCbo=12OB Ic=100mA, Pd=250mBt h2I>20,17>60 в Е с
AMs BSS64 SIEM n-p-n VCb(t120B,Ic=800mA Pd=330mBt h2i=20 80,1т=100МГц в Е с
ANs BCW60FN SIEM n-p-n VC60=32B Ic=100mA, Po=330mBt, h21=380 630 fT=250MTu в Е с
AR BCW60CR ZETEX n-p-n VCso=32B, Ic=200mA Pd=330mBt h2l=250 460,1т>250МГц в Е с
AS BAT18-05 SIEM 2xcpin Vr<35B If<100mA Vf(If=100mA)<1 2B lfl<0 02mkA, Cd<1 ОпФ А1 А2 К1К2
ASG KTA1504 К EC p-n-p VCB0=-50B Ic=-150mA Pd=150mBt h21=200 400, fT>80MFu в Е с
ASO KTA1504 KEC p-n-p Vcbct-50B, Ic=-150mA, Po=150mBt, h2l-70 140 1т>80МГц в Е с
ASY KTA1504 KEC p-n-p VCB0=-50B, |с=-150мА, Pq=150mBt, h2i=!20 240 Ь>80МГц в Е с
AT BAT 18-06 SIEM 2xcpm Vr<35B, If< 1 00mA, Vp(lF=1 00mA)< 1 2B, lR<0 02мкА Co<1 ОпФ К1 К2 А1А2
AU BAT18-04 SIEM 2xcpm Vr<35B, If< 100mA, Vf(If=100mA)< 1 2B, lR<0 02mkA, Cd<1 ОлФ А1 К2 К1 А2
AW BCX70GR ZETEX n-p-n Vcbo=45B, Ic-200mA, Pd=330mBt, h2i=120 220 1т>250МГц В Е с
AX BCX70JR ZETEX n-p-n VCbo=45B, Ic=200mA, Pd=330mBt h21=250 460,1т>250МГц в Е с
AZO KTA1505 KEC p-n-p VCB0=-35B, Ic=-500mA Pd=150mBt, h2,=70 140, fT>200MFu в Е с
AZY KTA1505 KEC p-n-p VCbo=-35B, Ic--500mA, Pd=150mBt, h21=l20 240 fT>200MFu в Е с
BO HSMS-28W HP shd Vefl>20B, Vf(If=35mA)< 1 OB, Ir(Vr=15B)<200hA, Cd<1 2пф А пс К
BO SST5460 SIL p-FET Vds=-40B Pb=350mBt b$s=1 5мА, др=1мСм D S G
Bl SST5461 SIL p-FET Vds=-40B Po=350mBt, bss=2 9mA gF=1 5mCm D S G
BIO KSC2715 SAMS n-p-n Vcbo=35B Ic=50mA, Pd=150mBt, h2l=70 140 fT> 150МГц В Е с
B1R KSC2715 SAMS n-p-n Vcbo=35B, Ic=50mA, Pd=150mBt h2i=40 80,17>150МГц В Е с
81Y KSC2715 SAMS n-p-n VCBOS35B Ic=50mA Pd=150mBt h2l=l20 240,17>150МГц В Е с
B2 HSMS-2812 HP 2xshd Vbr>20B Vf(If=35mA)<1 OB Ir(Vr=15B)<200hA, Co<1 2пФ А1 К2 К1.А2
B2 BSV52LT1 MOT n-p-n Vcbo=2OB,Ic=1OOmA Pq=300mBt h21-40 120 1т>400МГц В Е с
B2 SST5462 SIL p-FET V[js="40B Pd=350mBt, Idss=4 16mA, дЕ=2мСм D S G
82 BSV52 ZETEX n-p-n VCso=2OB Ic=100mA, Pd=330mBt, h2l=40 120,1т>500МГц В Е с
B26 BF570 PHIL n-p-n VcBq=40B, Ic=100mA, Pd=250mBt, h2r>40 fT>490Mru В Е с
B2p BSV52 PHIL n-p-n VCso=2OB, Ic-100mA Pd=250mBt h2l=40 120, fT>400 В Е с
83 HSMS-2813 HP 2xshd Vbr>20B Vf(If=35mA)<1 0B,Ir(Vr=15B)<20OhA CQ<1 2пФ К1 К2 А1А2
B31 IDB31 GS btd VBq=30 34B I7Rm=2A, Pd=150mBt X X пс
127-<
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
B4 HSMS-2814 HP 2xshd Vbr>20B Vf(If=35mA)<1 OB, Ir(Vr=15B)<200hA, Cd<1 2пФ А1 А2 К1.К2
B4 BSV52R PHIL n-p-n Vcbo=12B, Ic=200mA, Pd=200mBt, h2l=40, fT>400 E В С
В4 BSV52R ZETEX n-p-n VCbo=2OB, Ic=100mA, Pd=330mBt, h2l=40 120,1т>500МГц В Е с
ВА BCW61A ALLEG p-n-p VCbo=-32B ICBo<2OhA h2i=120 220, УСеМ)<0 25B В Е с
ВА BCW61A CDIL p-n-p VCbo=-32B, Ic=-200mA Pd=330mBt, h2l=120 220,1т>180МГц В Е с
ВА BCW61A SAMS p-n-p Vcbo=-32B, Ic=-100mA, Po=350mBt, h2|=l20 220 В Е с
ВА BCW61A ZETEX p-n-p Vcbo=-32B, 1^--200mA, Pd=330mBt, h2i=l20 220, 180МГц В Е с
ВАр BCW61A PHIL p-n-p VCBo=-32B, 1с=-200мА, Pd=250mBt h21=l20 220;1т>Ю0МГц В Е с
BAs BCW61A SIEM p-n-p VCBo=-32B, Ic=-100mA, Po=330mBt, h2l=l20 220,1т=250МГц В Е с
вв BCW61B ALLEG p-n-p VCbo=-32B Icbo<20hA, h2l=180 310, VCE(sat)<0 25B В Е с
вв BCW61B CDIL p-n-p Vcbo=-32B, Ic=-200mA, Рц=330мВт, h2j~180 310, fj>180МГц В Е с
вв BCW61B SAMS p-n-p VCBO=-32B Ic=-100mA, Pd=350mBt, h2i=180 310 В Е с
вв BCW61B ZETEX p-n-p Vcbo=-32B, )c~-200mA, Po“330mBt, h2(=18O 3l0‘ 60МГц В Е с
ВВр BCW61B PHIL p-n-p VCbo=-32B, Ic=-200mA, Pd=250mBt, h2l=180 ЗЮ, 1т>Ю0МГц В Е с
BBS BCW81B SIEM p-n-p Vcbo=-32B, Ic=-100mA, Pq=330mBt, h2,=l80 ЗЮ, 1т=250МГц В Е с
ВС BCW61C ALLEG p-n-p Vcbo=-32B, Iobo<20hA, h2(=250 460, VcE(sat)<0 25B В Е с
ВС BCW61C CDIL p-n-p Vcbo=-32B, Ic=-200mA, Pd=330mBt, h?1=250 460, fT>180МГц В Е с
ВС BCW61C SAMS p-n-p VCBo=-32B, lc=-1 00mA, Po=350mBt, h21=250 460,1T> 125МГц В Е с
ВС BCW61C ZETEX p-n-p Vcbo“-32B Ic--200mA, Pp-ЗЗОмВт, h2,-250 460,17>1бОМГц В Е с
вер BCW81C PHIL p-n-p VC0O=-32B, Ic=-200mA Pd=250mBt, h2i=250 460 17>100МГц В Е с
вс$ BCW61C SIEM p-n-p VCbo=-32B, Ic=-100mA, Pd=330mBt, h2,=250 460,1т=250МГц в Е с
BD BCW61D ALLEG p-n-p Vcs0=-32B, ICbo<2OhA, h21=380 630, VCE(sat)<0 25B в Е с
BD BCW61D CDIL p-n-p VCbo=-32B, Ic=-200mA, Pd=330mBt, h2t=380 630, fT>180МГц в Е с
BD BCW61D SAMS p-n-p Vcbo=-32B, Ic^-ЮОмА, Pd=350mBt, h2i-380 630,1T> 125МГц в Е с
BD BCW6W ZETEX p-n-p Vcbq=-32B, Ic=-200mA, Pd=330mBt h21=380 630,1т>1бОМГц в Е с
BDp BCW61D PHIL p-n-p Vcbo=-32B, Ic=-200mA Po=250mBt, h2,=380 630,1т>Ю0МГц в Е с
BDs BCW61D SIEM p-n-p Vcbo=-32B, lc=- 100mA, Pd=330mBt, h2|=380 630,1т=250МГц в Е с
BFs BCW61FF SIEM p-n-p Vcbo=-32B Ic=-100mA Pd-330mBt h2l=250 460,1т=250МГц в Е с
BG BCX71G ALLEG p-n-p Vcbo=-45B, Icbo<2OhA, h2t=120 220, VcE(sat)<0 25B в Е с
BG BCX71G CDIL p-n-p Vcbo=-45B, Ic=-200mA, Pd=250mBt, h2l=12O 220,1т> 100МГц в Е с
BG BCX71G SAMS p-n-p VCB0=-45B Ic=-100mA, Pd=350mBt, h2l=l20 220 в Е с
BG BCX71G ZETEX p-n-p VCbo=-45B, Ic--200mA Po=330mBt h2l=120 220,1т>180МГц в Е с
BGp BCX71G PHIL p-n-p ^свс= 45В Iq=-200mA, Pq-250mBt, h2[-120 220,17>100МГц в Е с
BGs BCX71G SIEM p-n-p VCbo=-45B Ic=-100mA Pd=330mBt П2|=120 220,1т=250МГц в Е с
BH BCX71H ALLEG p-n-p VCbo=-45B, ICBo<2OhA, h2l =180 310, VCE(sat)<0 25B в Е с
BH BCX71H CDIL p-n-p Vceo=-45B, Ic=-200mA, Pd=250mBt h2j=l80 ЗЮ,1т>Ю0МГц в Е с
BH BCX71H SAMS p-n-p VCbo=-45B, Ic=-100mA, Pd=350mBt h2l=140 310 в Е с
BH BCX71H ZETEX p-n-p VCbo=-45B, Ic=-200mA Pq=330mBt, h2l-180 310, fT> 180МГц в Е с
► 128
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
BHp BCX71H PHIL p-n-p W-45B, Ic=-200mA, Pd=250mBt, h2l=180 310 1т>100МГц В Е С
BHs BCX71H SIEM p-n-p VCbo=-45B Ic=-100mA, Po^330mBt, h2i=180 310 fT=250MTu В Е с
BJ BCX71J ALLEG p-n-p Vcbo=-45B, ICBo<2OhA, h2l=250 460, VCE(sat)<0 25B В Е с
BJ BCX71J CDIL p-n-p Vcbo=-45B,Ic=-2OOmA, Pd=250mBt, h2i=250 460,1т>100МГц в Е с
BJ BCX71J SAMS p-n-p Vcbo=-45B, Ic=-100mA, Pd=350mBt, h2i=250 460 в Е с
BJ BCX71J ZETEX p-n-p VCbo=-45B, Ic=-200mA, Pd=330mBt, h2i=250 460, fT>180МГц в Е с
BJp BCX71J PHIL p-n-p Vcbo=-45B, Ic=-200mA, Pd=250mBt, h2i=250 460,1т>100МГц в Е с
BJs BCX71J SIEM p-n-p VCbo=-45B Ic=-100mA, Pd=330mBt, h2l=250 460,1т=250МГц в Е с
BK BCX71K ALLEG p-n-p Vcbo=-45B 1рао<2ОнА, h2t=380 630, VcE(sat)<0 25B в Е с
BK BCX71K CDIL p-n-p VCbo=-45B, lc= 200mA, Po=250mBt, h21 =380 630,1т>100МГц в Е с
BK BCX71K SAMS p-n-p Vcbo=-45B, Ic=-100mA, Pd=350mBt, h2|=380 630 в Е с
BK BCX71K ZETEX p-n-p Vcbo=-45B, Ic=-200mA Po=330mBt, h21=380 630,1т>180МГц в Е с
BKp BCX71K PHIL p-n-p VCbo=-45B, Ic=-200mA, Pd=250mBt, h2l=380 630,1т>Ю0МГц в Е с
BKs BCX71K SIEM p-n-p VCbo=-45B, lc=-1 00mA, Pd=330mBt, h2,=380 630,1т=250МГц в Е с
BMp BSS63 PHIL p-n-p Vcbo=-11OB, Ic=-100mA, Pd=250mBt, h2,>30,Гг>50МГц в Е с
BMs BSS63 SIEM p-n-p Vcbo=-1OOB Ic--800mA, Pd=330mBt, h2i>30, <т=150МГц в Е с
BNs BCW61FN S1EM p-n-p VCbo=-32B, 1с--100мА, Pd=330mB"T, h2l=330 630,1т^25ОМГц в Е с
BR BCW60DR ZETEX n-p-n VCB0=32B, Ic=200mA, Pd=330mBt, h21=380 630, Тт>250МГц в Е с
CO HSMS-2820 HP shd Vbr>15B Vf(If=30mA)<0 7B, lR(VR=1 B)< 1 OOhA Ср<10пф А ПС к
Cl BCW29 ALLEG p-n-p Усво—ЗОВ, ICbo<1OOhA, h2l=l20 260 VCE(saf)<0 3B в Е с
Cl BCW29 CDIL p-n-p Vcbo=-3OB, I(t-100mA, Pd=330mBt, h2i=120 260, fT> 150МГц в Е с
C1 BCW29 SAMS p-n-p VCbo=-3OB, Ic=-100mA Pd=350mBt h2i=l20 260 в Е с
Cl BCW29 ZETEX p-n-p VCbo=-3OB Ic=-100mA, Pd=330mBt, h2i=l20 260,1т>150МГц в Е с
CIA CMPT3904 CENTS n-p-n Vcbo=6OB, Ic=200mA, Pd=350mBt, h2l=100 300, fT>300MFp в Е с
CID CMPTA42 CENTS n-p-n VCbo=3OOB, Ic=500mA Pd=350mBt h21>40, fT>50MFu в Е с
C1G CMPTA06 CENTS n-p-n Vcbo=8OB, Ic=500mA Рр=350мВт h2i>50,1т>100МГц в Е с
CIG KSA1623 SAMS n-p-n Vcbq=60B Ic=100mA Po=200mBt, h2l=200 400 Ь>250МГц в Е с
Cl J CMPT2369 CENTS n p-n Vcbo=4OB Ic=500mA Pd=350mBt h2i=40 120 1т>500МГц в Е с
C1K CMPT6428 CENTS n-p-n Vcbo=8OB ic=200mA Pd-350mBt h2i=250 650 fT=100 700МГц в Е с
C1L CMPT6429 CENTS n-p-n Vcbo=55B, 1с-200мА, Pd=350mBt h21=500 1250 fT=100 700МГц в Е с
C1L KSA1623 SAMS n-p-n VCB0=60B, Ic=100mA, Pd=200mBt h2,=300 600 fT>250Mru в Е с
ClM CMPTA13 CENTS n-p-n Vcbo=3OB Ic=500mA Pd=350mBt, h2l>5000 1т>125МГц в Е с
C1N CMPTA14 CENTS n-p-n Vcbo=3OB, Ic=500mA, Pd=350mBt Ь21>Ю000.Тт>125МГц в Е с
CIO KSA1623 SAMS n-p-n Vcbo=6OB, Ic=100mA Pd=200mBt, h2l=90 180, fT>250MFu в Е с
C1P CMPT2222A CENTS n-p-n Vcbo=75B Ic=600mA Pd=350mBt h2I<35,1т>300МГц в Е с
Clp BCW29 PHIL p-n-p Vcbo=-32B, Ic--100mA, Pd=250mBt h2,=120 260 1т>100МГц в Е с
ClQ CMPT5088 CENTS n-p-n VCbo=35B, Ic=50mA Pd=350mBt, h21=300 900,1т>50МГц в Е с
C1R CMPT5089 CENTS n-p-n Vcbq-ЗОВ, Ic-50mA Pd=350mBt h21=400 1200, Ь>50МГц в Е с
129
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
C1U CMPT2484 CENTS n p-n Vcbo=60B I(;-50mA Pq-350mBt h2i=250 800 В Е С
C1V CMPT6427 CENTS n-p-n Vcbo=4O8, L;-500mA Pq=350mBt h2,=10k 100k, (т>130МГц В Е с
C1X СМРТ930 CENTS n-p-n Vcbo=45B Iq=30mA, Pd=350m8t, h2i=100 300 1т>30МГц В Е с
C1Y KSA1623 SAMS n-p-n Vcbo=6OB, Ic=100mA Po=200mBt, h2l=l35 270 1т>250МГц в Е с
C1Z СМРТ6517 CENTS n-p-n VCbo=35OB, Ic=500mA Pd=350mBt h2l=20 200 fT=40 200МГц в Е с
C2 BCW30 ALLEG p-n-p Vcbo’-ЗОВ, Icbo< 1 00hA, h2,=215 500, VCE(sal)<0 3B в Е с
C2 BCW30 CDIL p-n-p VCbo=-3OB, Ic=-100mA, Pd=330mBt, h2i=215 500, 1т>150МГц в Е с
C2 HSMS-2822 HP 2xsh6 Vbr>15B Vf(If=30mA)<0 7B Ir{Vr=1B|<100hA, Cb<1 ОпФ А1 К2 К1А2
C2 BCW30 ZETEX p-n-p VC8O=-30B. Ic=-100mA, Pd=330mBt, =2f5 500, fT> 150МГц В Е С
C29 CMPTA29 CENTS n-p-n VCbo=iOOB Ic=500mA Pd=350mBt,h2l>l0000.1т>125МГц В Е С
C2A CMPT3906 CENTS p-n-p VCbo='4OB, Ic=-200mA Рр=350мВт h21=lOO 300, Ь>250МГц В Е С
C2A ZDC833A ZETEX 2xbd Vr<25B, C2v=29 7 33 6лФ, С2у/Сгоу=5 6 5, Q>200 А1 А2 ЮК2
C2D CMPTA92 CENTS p-n-p Vcbo=’3OOB, Ic=-500mA, Pd=350mBt, h2l >25, 1у>50МГц В Е С
C2F CMPT2907A CENTS p-n-p VCbo=-60B, Ic=-600mA, Pd=350mBt, h2i=l00 300 fT>200MTu В Е С
C2G CMPTA56 CENTS p-n-p Vcbo=-80B,Ic=-500mA Po-350m8t, h21 >50 Гт>Ю0МГц В Е С
C2J CMPT3640 CENTS p-n-p Vcbo=- ’ 2B, Ic=-80mA, Pd=350mBt, h2i=30 120, Тг>500МГц В Е С
C2L CMPT5401 CENTS p-n-p Vc0o=-16OB, Ic=-500mA, Pd=350mBt, h21=60 240 fT=lOO 300МГц В Е С
C2P CMPT5086 CENTS p-n-p Vcbo=-5OB, Iq--50mA, Pd=350mBt, h2i~ 150 500, Ь>40МГц В Е С
C2p BCW30 PHIL p-n-p Vcbo=-32B Ic--100mA, Pd=250mBt, h2i-2l5 500,1т>100МГц В Е с
C2Q CMPT5087 CENTS p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-50mA Pd=350mBt, h2l=250 800,1т>40МГц В Е с
C2R CMPT3646 CENTS n-p-n Vceo=4OB Ic=200mA, Pd=350mBt, h2l=30 120, fr>350MTu В Е с
C2T CMPT4403 CENTS p-n-p VCbo=-4OB Ic=-600mA, Pd=350mBt, h21=l00 300,1т>200МГц В Е с
C2U CMPTA63 CENTS p-n-p Vcbo=-3OB, Ic=-500mA Po=350mBt, h2l>l0000,fr>1 25МГц в Е с
C2V CMPTA64 CENTS p-n-p VCbo=-3OB, (c=-500mA, Po=350mBt h2l>20000, fT> 125МГц в Е с
C2W CMPT8599 CENTS p-n p Vcbo=-8OB, Ic=-500mA Pd=350mBt, h21=lOO 300 1т>150МГц в Е с
C2X CMPT4401 CENTS n-p-n Vcbo=6OB, Ic=600mA, Рр=350мВт h2,-100 300 Тт>250МГц в Е с
C2Z CMPT6520 CENTS p-n-p Vcbo= 350B, Ic=-500mA Pd=350m8t. h2l=20 200 fT=40 200МГц в Е с
C3 HSMS-2823 HP 2xshd Vbr>15B Vf(If=30mA)<078,Ir(Vb=1B)<iOOhA,Cd<1 ОпФ К1 К2 А1,А2
C3 KST4126 SAMS p-n-p Vcbo=-25B, lc= 200mA, Po=350mBt, h21=l20 360 1т>250МГц в Е С
C3A CMPT3019 CENTS n-p-n VCbo"12OB, Ic=500mA, Pd=350mBt, h21=lOO 300, fT>100МГц в Е С
C3B CMPT918 CENTS n-p-n Vcao=3OB Ic=50mA, Pd=350mBt, h2]>20 1т>600МГц в Е С
C3E CMPTH10 CENTS n-p-n VCbo=30B, Pd=350mBt, h2l >60,1т>650МГц в Е С
C3Z CMPTA44 CENTS n-p-n Vcbo=45OB Ic=300mA Pd=350mBt h21=50 200,Ь>20МГц в Е С
C4 HSMS-2824 HP 2xshd VBfl>l5B Vf(If=30mA)<0 78. lfi(Vfl=1 B)< 10ОнА Co<1 ОлФ А1 А2 К1К2
C4 BCW29R PHIL P-n P Vcbo=-32B, Ic=-100mA Po=350mBt, h2l=l20 260 ЬЯООМГц в Е С
C4 BCW29R ZETEX p-n-p Vcbo=-3OB, 1с=-100мА, Pd=330mBt h2i=l20 260 1у>150МГц Е В С
C4A CMPT4033 CENTS p-n-p VCeo=-80B, Ic=-500mA, Po=350mBt, h2I=W0 300, fT> 100МГц В Е С
C5 BCW30R PHIL P-n-p VCBo=-2OB,Ic=-1OOmA, Po=350mBt h21=2!5 500 ЬЯООМГц Е В С
130
SOT-23, SOD-23
Код ипономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
C5 BCW30R ZETEX p-n-p VCbo=-30B, Ic=-100mA Po=330mBt, h21=2l5 500, fT>l50MTu В Е С
C5C CMPD7000 CENTS 2xfid lo=200M^VffW=l00BVj<Hl00MA)=O75 110В,^300нА^40нс,Ст<1.5пФ A2 К1 К2А1
C5D CMPD914 CENTS fid If=250mA, Vr=75B, Vf(If=10mA)<1 08 Ir<25hA, Irr<4 0нс Ст<4 0пФ A пс К
C77 BCF29R PHIL p-n-p Vcbo=-32B Ic=-100mA, Pd=350mBt h21=l20 260 1т>Ю0МГц E в С
C7H CMPT5179 CENTS n-p-n Vcbo=20B Ic=50mA, Pq=350mBt. h21>25, Ь>900МГц В Е С
C7p BCF29 PHIL p-n-p Vcbo=-32B, Ic=-100mA Pd=250mBt, h2i=l20 260 1т>Ю0МГц В Е С
C8A CMPZ5226B CENTS dz V?(lzr=20MA)=3 135 3465B Il(Vr=1 0B)<25mkA Zzrte=20MA)<28OM A лс К
CSB CMPZ5227B CENTS dz Vz(Izt=20mA)=342 378B Il(Vr=1 0B)<15mkA.Zzt(Izt=20mA)<24Om A ПС К
CSC CMPZ5228B CENTS dz Vz(lzr=20MA)=3 705 4 095B, Il(Vr=1 0B)< IOmkA Z^ 20mA)<23Om A ПС К
CSD CMPZ5229B CENTS dz VJtrZOMAHOBS 4575B,Il(Vr=1 08)<50MKA,ZZT(lzr=20MA)<220M A ПС к
C8E CMPZ5230B CENTS dz \у1эт=20мА)=4465 4935B Il(Vr=20B)<50mkAZzt(Izt=20mA)<190m A ПС к
C8F CMPZ5231B CENTS dz Vz(Izt=20mA)=4845 5355B,lL{VR=20e}<50MKA.ZZT(lzr=20MA)<l70M A ПС к
C8G CMPZ5232B CENTS dz Vz(lzr20MA)=5 320 5 880B, Il(Vr=3 0B)<50mkA Zzt(Izt=20mA)<1 10m A ПС к
C8H CMPZ5233B CENTS dz Vz(Izt=20mA)=5 700 6 3006, Il(Vr=3 5B)<5 OmkA Zzt(Izt=20mA)<7 OOm A ПС к
C8J CMPZ5234B CENTS dz Vz(I?t20mA)=5 890 65108 Il(Vr=4 0B)<5 ОмкА, Zzt(I2t=20mA}<7 OOm A ПС к
C8K CMPZ5235B CENTS dz V?(Izt=20mA)=6460 7 14CS,Il{Vft50B}<3 0mkAZzt(I^=20mA)<500m A ПС к
CSL CMPZ5236B CENTS dz V^ZOmA)^ 125 7 875B, Il(Vr=6 0B)<3 OmkA, Zz^ZOmA)^ OOm A ПС к
CSM CMPZ5237B CENTS dz VzOzt=20mA)=7790 8 6108, Il(Vr=6 5B)<3 OmkA Zzr(lzr20MA)<8 OOm A ЛС к
C8N CMPZ5238B CENTS dz \У1п=20мА)=6 265 9135B, Iv(Vr=6 5B)<3 OmkA г^гОмАКв 00м A ЛС к
CSP CMPZ5239B CENTS dz V?(Izt=20mA)=6645 9 555ВЛ(Ур=б5В)<30мкА2гт(1гг=20мА)<10Ом A ПС к
C8p BCF3O PHIL p-n-p VCbo=-32B, Ic=-100mA, Po=250mBt, h2l=2l5 500, fT> 100МГц В Е с
C8Q CMPZ5240B CENTS dz \уЬг=20мА)=9500 Ю50В, 1^8 0B}<3 ОмкА Z^I^ZOmA^iTOm A ПС к
C8R CMPZ5241B CENTS dz Vz(lzr=20MA)=l0 45 1155B Il(Vr=6 4B)<2 OmkA Zzt^ZOmA^ZZOm A ПС к
CSS CMPZ5242B CENTS dz Vz((zt=20mA)=11 40 ^бОВ.^й^^ИОмкА^^ЗОмАКЗООм A ПС к
C8T CMPZ5243B CENTS dz Уг(Ь=95мА)=1235 13 65B, lL(VFr99B)<05MKAZzr(lzT=95MA)<l3OM A ПС к
C6U CMPZ5244B CENTS dz \у1л=90мА)=1330 14708,lj.{Vfrl08)<0 A ПС к
C9 BCF3OR PHIL p-n-p VCbo=-32B, Ic--100mA, Pd=350mBt, h2l=2l5 500, Ь>ЮОМГц E в с
CA SST4391 SIL n-FET Vds=40B Pd~350mBt, Idss>50mA, др=6мСм, Ros(on)=300M D S G
CA BCW61AR ZETEX p-n-p Vcbo=-32B, Ic=-200mA, Pq=330mBt, h2j=120 220, fy> 180МГц В Е с
CA2 CMPD2836 CENTS 2xfid b=20toA W75B, V^IOW 12B, lp< 100hA 1ff<40hc, Ст<40пФ K2 К1 А2,А1
CAS CMPD2838 CENTS 2xfid b=20toA WW^IOOmAH гВ^ЮОнА^ОнкМОпФ A2 А1 К2 К1
C8 SST4392 SIL n-FET Vos=40B, Pd=350mBt, Idss>25mA, др=6мс, Во$(оп)=600м D S G
C8 BCW61BR ZETEX p-n-p Vcbct-32B Ic=-200mA, Pd=330mBt, h2i=!80 ЗЮ 17>180МГц В Е С
CC BF554 SIEM n-p-n Vcbo"2OB, Ic=30mA Pd=280mBt, h2l=60 250,1т>250МГц В Е С
CC SST4393 SIL n-FET Vos=40B Pd=350mBt Idss>5mA др=6мс, Rps(on)=iOOOM D S G
CC BCW61CR ZETEX p-n-p VCB0=-32B, Ic=-200mA, Pd=330mBt, h2l=250 460 1т>180МГц В Е С
CD BCW61DR ZETEX p-n-p VCbo=-32B, lc= 200mA, Po=330mBt, h21=380 630, fT>180МГц В Е С
CDs BSS81B SIEM n-p-n VCbo=75B Ic=800mA, Po=330mBt h2l=40 120, fT=250MTu В Е С
131
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
CE BSS79B ZETEX n-p-n VCbo=75B, Ic=800mA, Pd=330mBt h21=40 120,1т>250МГц В Е С
CEs BSS79B SIEM n-p-n Vcbo=75B, Ic=800mA, Pd=330mBt, h21=40 120 1т=250МГц В Е с
CF BSS79C ZETEX n-p-n Vcbo=75B Ic=800mA Pd=330mBt h2l=l00 300, fT>250MTu В Е с
CFs BSS79C SIEM n-p-n VCBo=75B, (с=800мА, Po=330mBt h21=l00 300, Гт=250МГц в Е с
CG BCX71GR ZETEX p-n-p Vcbo=-45B !c=-200mA, Pq=330mBt, h2(=l20 220, fr>180MTu в Е с
CGs BSS81C SIEM n-p-n VCso=75B, Ic=800mA, Pd=330mBt, h21=l00 300 fT=250MTu в Е с
CH BSS8OB ZETEX p-n-p Vceo=-60B, Ic--800mA Po=330mBt h2l=40 120,1т>200МГц в Е с
CHs BSS8OB SIEM p-n-p Vcbo=-6OB, Ic=-800mA, Pd=330mBt, h2l=40 120 Ь=250МГц в Е с
CJ BSS8OC ZETEX p-n-p Vceo=-6OB, Ic=-800mA Pd=330mBt, h21=100 300 1т>200МГц в Е с
CJs BSS80C SIEM p-n-p VCbo"60B, Ic--800mA Pd=330mBt, h2,=l00 300, fT=250MTu в Е с
CK BCX71KR ZETEX p-n-p Vcbo=-45B Ic=-200mA Pd=330mBt h2)=380 830 fT>180MTu в Е с
СКВ CMPT8099 CENTS n-p-n Vcbo=80B, Iq~500mA, Pq-350mBt, h2, =100 300,1т>150МГц в Е с
CL BSS82B ZETEX p-n-p Vcbo=-60B. Ic=-800mA, Pd=330mBt h2l=40 120 1т>200МГц в Е с
CLs BSS82B SIEM p-n-p Vcbos-6OB, |с=-800мА, Pd=330mBt h2l=40 120 1т=250МГц в Е с
CM BSS82C ZETEX p-n-p VCBo=-6OB, Ic=-800mA Pq-ЗЗОмВт, h2i”l00 300 1у^200МГц в Е с
CMs BSS82C SIEM p-n-p VCbo=-60B, Ic=-800mA Pd=330mBt, h2!=l00 300,1г=250МГц в Е с
CR BCW60A ZETEX n-p-n Vcbo=32B, Ic-200mA Po=330mBt h2l=120 220 1т>250МГц в Е с
DO HSMP-3800 HP pm 1 A, Vgq>lOOB Rs<2 OOm, Cd<0 37пФ, Rh>1000Om, Rl<80m А ПС к
D1 BCW31 ALLEG n-p-n Vcbo=3OB, 1сво<ЮОнА, h2l=ilO 220, VCE(sat)<0 25B в Е с
D1 BCW31 CDIL n-p-n Vcbo=32B,Ic=1OOmA, PD=330MBT,h2l=110 220 1т>300МГц в Е с
Dl BCW31 SAMS n-p-n VC8o=30B, 1с=Ю0мА, Pd=350mBt, h2I=1lO 220 в Е с
D1 AZ23C2V7 VISH 2xdz Vz=2 5 2 9B, Rz(Iz-5mA)=830m К1 К2 Al А2
D1 BCW31 ZETEX n-p-n Vcbo=32B, Ic=100mA РогЗЗОмВт,Ь2|=1Ю 220 1т>300МГц в Е С
D10 AZ23C6V2 VISH 2xdz Vz=5 8 6 8B, Rz(Iz=5mA)=iOOm К1 К2 Al А2
Dll AZ23C6V8 VISH 2xdz Vz=6 4 7 2B, Rz(1z=5mAJ=80m К1 К2 Al А2
D12 AZ23C7V5 VISH 2xdz Vz=70 7 9B, Rz(Iz=5mA)=70m К1 К2 А1,А2
D13 AZ23C8V2 VISH 2xdz Vz=7 7 8 7B, Rz(Iz=5mA)=70m К1 К2 А1.А2
D14 AZ23C9V1 VISH 2xdz Vz=8 5 9 6B Rz(Iz=5mA)=10Om К1 К2 Al А2
D15 AZ23C10 VISH 2xdz Vz=9 4 10 6B, Rz(Iz=5mA)=150m К1 К2 А1 А2
D16 AZ23C11 VISH 2xdz VZ=1O4 11 6B Rz(I2=5mA)=20Om К1 К2 А1 А2
D17 AZ23C12 VISH 2xdz VZ=114 12 7B Rz(Iz=5mA)=20Om К1 К2 А1,А2
D18 AZ23C13 VISH 2xdz Vz=12 4 14 IB, Rz(Iz=5mA)=250m К1 К2 А1,«
D19 AZ23C15 VISH 2xdz VZ=13 8 15 6B,Rz(Iz=5mA)=30Om К1 К2 А1.А2
DIG KSA812 SAMS p-n-p Vcbo=-60B Ic=-100mA, Pd=150mBt, h2j=200 400,1т>180МГц в Е С
D1L KSA812 SAMS p-n-p VCM=-60B, 1с=-Ю0мА Pd=I50mBt h2l=300 600 1т>180МГц в Е С
DIO KSA812 SAMS p-n-p Vc8or-6OB, 1с=-100мА Po-15OmBt 1^1=90 180,1г>1бОМГц в Е С
Dip BCW31 PHIL n-p-n VCBO=32B, Ic=100mA, Pd=250mBt, h2!=1l0 220, fT>100МГц в Е С
D1Y KSA812 SAMS p-n-p Vcbo=-60B, 1сг-Ю0мА, Pd=150mBt, h21=l35 270, fT>180МГц в Е С
132
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
D2 BCW32 ALLEG n-p-n VCBo=3OB, 1сео<100нА h2i=200 450 VCE(sat)<0 25B В Е С
D2 BCW32 CDIL n-p-n VC60=32B Ic=100mA, Pq=330mBt, h2i *200 450, ^>300МГц В Е с
D2 HSMP-3802 HP 2xpm |p<1A, Vbr>100B, R$<2 OOm, Cd'-O 37пф, Rh>10000m, R|.<80a* А1 К2 К1 А2
D2 AZ23C3 VISH 2xdz Vz=2 8 3 2B Rz(Iz=5mA)=950m К1 К2 мл
D2 BCW32 ZETEX n-p-n VCbo=32B Ic=100mA, Pd=330mBt 1^=200 450,Ь>300МГц В Е с
020 AZ23C16 VISH 2xdz VZ=15 3 17 1B Rz(Iz=5mA)=40Om К1 К2 М А2
D21 AZ23C18 VISH 2xdz VZ=16 8 19 IB Rz(Iz=5mA)=50Om К1 К2 МЛ
D22 AZ23C20 VISH 2xdz VZ=18 8 21 2B Rz(Iz=5mA)=50Om К1 К2 МЛ
D23 AZ23C22 VISH 2xdz Vz=20 8 23 3B Rz(Iz=5mA)=550m К1 К2 М,А2
D24 AZ23C24 VISH 2xdz Vz=22 8 25 6B Rz(Iz=5mA)=80Om К1 К2 М «
D25 AZ23C27 VISH 2xdz Vz=25 1 28 9B Rz{Iz=5mA)=BOOm К1 К2 МЛ
026 AZ23C30 ViSH 2xdz Vz=28 32B Rz(Iz=5mA)=80Om К1 К2 МЛ
D27 AZ23C33 VISH 2xdz Vz=31 35B Rz(Iz=5mA)=80Om К1 К2 мл
028 AZ23C36 vish 2xdz Vz=34 38B Rz(Iz=5mA)=90Om К1 К2 МЛ
029 AZ23C39 VISH 2xdz Vz=37 41B Rz(Iz=5mA)=90Om К1 К2 М А2
D2p BCW32 PHIL n-p n VCS0=32B Ic=i00mA Pd=250mBt h21=200 450, Ь>100МГц в Е с
D3 BCW33 ALLEG n-p-n Vcso-3OB Icbo<1OOhA h2j=420 800, Vcp(sat)<0 256 в Е С
03 BCW33 CDIL n-p-n Vcso=32B, Ic=100mA Pd=250mBt h21=420 800,1т>Ю0МГц в Е С
03 BCW33 ZETEX n-p-n Vcso=32B, Ic=100mA, Pd=330mBt h21=420 800, fT>300MTu в Е С
D3 AZ23C3V3 VISH 2xdz Vz=3 1 3 5B Rz(Iz=5mA)=950m К1 К2 м а;
D30 AZ23C43 VISH 2xdz Vz=40 46B Rz(Iz=5mA)=100Om К1 К2 мл
031 AZ23C47 VISH 2xdz Vz=44 50B Rz(Iz=5mA)=WOOm К1 К2 МЛ
D32 AZ23C51 VISH 2xdz Vz=48 54B, RZ(IZ=5mA)=1000m К1 К2 М А2
D3p BCW33 PHIL n-p-n Vcbo=32B Ic=100mA Pd=250mBt h2;=420 800 fy^lOOMTu в Е с
D4 HSMP-3804 HP 2xpin |f<1A Vbr>100B Rs<2 OOm, Co<0 37пФ Rh>10000m Rl<8Om А1 А2 К1,К2
D4 BCW31R PHIL n-p-n Vcbo=328 Ic=100mA Pd=350mBt, h2)=1l0 220, fT>lOOMTu Е В с
D4 AZ23C3V6 VISH 2xdz Vz=3 4 3 8B Rz(Iz=5mA)=950m К1 К2 мл
04 BCW31R ZETEX n-p-n VCbo=32B Ic=100mA, Pd=330mBt h2l=H0 220, fT>300Mru в Е с
049 CMPD5001S CENTS 2xdih HOOmA,Vr=120B V^100MA)<09B,fe<l00HMfF<5(>C, Ст<35пФ А2 К1 К2,А1
05 BCW32R PHIL n p-n Vcso=32B (с=100мА Pd=350mBt h2i=200 450 fT> 100МГц Е В С
05 AZ23C3V9 VISH 2xdz Vz=3 7 4 IB Rz(Iz=5mA)=950m К1 К2 А1Л
D5 BCW32R ZETEX n p-n Vcbo=32B, Ic=100mA Pd=330mBt h21=200 450,1т>300МГц В Е С
053 CMPD2004 CENTS fid If<225mA Vr=240B V^If=100mA)<1 OB, Ir<100hA, 1f«<50hc Ст<50рФ А пс К
06 BCW33R PHIL n-p-n Vceo=32B Ic=100mA Pd=350mBt, h2!=420 800 Гт>Ю0МГц Е В С
08 AZ23C4V3 VISH 2xdz Vz=40 4 6B, Rz(Iz=5mA)=950m К1 К2 А1Л
D6 BCW33R ZETEX n-p-n Vcbo=32B Ic=100mA Pq=330mBt h2]=420 800, Гг>300МГц В Е С
07 AZ23C4V7 VISH 2xdz Vz=4 4 5 OB Rz(Iz=5mA)=780m К1 К2 А1Л
076 BAR18 ALLEG shd VBfi>70B Vf|I;=1mA)<0 41B Ir<200hA, C7<1 7пф А пс К
133
SOT-23, SOD-23
Цоколевка
Код Типономинал Фирма Функция Особенности 1 2 3
D76 CMPD6263 CENTS shd If=15mA,VrBm=70B.Vf(if-1mA)<0 395 0 4I0B |в<200нА Су<2 0пФ A пс К
D77 BCF32R PHIL n p-n Vcbo=2OB Ic*200mA, Pq-200mBt h2i=200, Ту>300МГц E В с
D7p BCF32 PHIL n-p-n VCbo=32B Ic=100mA, Pd=250mBt, h2,=200 450,1т>Ю0МГц В Е с
D8 AZ23C5V1 VISH 2xdz Vz=4 8 5 4B RJIz=5mA)=60Om K1 К2 А1,А2
D61 BCF33R PHIL n-p-n Vcbq=20B, Ic=200mA Pd=200mBt h21=420 fT>300MTu E В С
D8p BCF33 PHIL n-p-n VCB0-32B IC=100mA PD=250mBt,h2l=420 800, ГГ>Ю0МГц В Е С
D9 AZ23C5V6 VISH 2xdz V/-5 2 6 OB R2(I2-5mA)-40Om K1 К2 А1А2
D95 CMPSH-3 CENTS shd If=100mA, VBflM=30B, Vf(If=100mA)< 1 OB, 1д<500нА, Ст=7 ОлФ A пс К
DM CMPD6263S CENTS 2xshd H5mA,W70B,Vf(HmA)<0395 0 410В,1я<200нА,С7<20пФ A2 К1 К2А1
D97 CMPD6263C CENTS 2xshd lp=15MAVfwr70B VfOf=1mA)<0395 0410В,1р<200нА.Ст<20пФ A2 А1 К2 К1
D98 CMPD6263A CENTS 2xshd 1г15мАЛ^70В^НмА)<0395 0 410B, Ir<200hA, Cj<2 ОпФ K2 К1 А2,А1
DA BCW67A ALLEG p-n-p VCBo=-45B, Icbo<20hA h2,=100 250, VcE(salKO 7B, fy> 100МГц В Е С
DA BCW67A CDIL p-n-p Vcbo=-45B, Ic=-800mA, Pd=330mBt, h21=100 250,1т>Ю0МГц В Е С
DA BCW67A ZETEX p-n-p Vcbo”'45B Ic=-800mA, Po=330mBt, h2i=l00 250 f-plOOMTu в Е С
DA2 CMPD5001 CENTS dih If=400mA Vr=120B, Vf(If=100mA)<0 9B, Ir< 1 ООнА, 1ф<50нс, Ст<35пФ A ПС К
DA5 CMPSH-3S CENTS 2xshd If'IOOmA Vrbm=30B Vf(If=100mA)<1 OOB, Ir<500hA Ст=20пФ 1rr<5 Ohc A2 К1 К2,А1
DAs BCW67A SJEM p-n-p Vceo=-45B, Ic=-800mA, Р^-ЗЗОмВт, h2;=100 250,1у=200МГц В Е С
DB BCW67B ALLEG p-n-p Vcbct-45B, IC0o<2OhA h2l=160 400 VCE(sat)<0 7B, 1т>Ю0МГц В Е С
DB BCW67B CDIL p-n-p Vcbo=-45B, Ic=-800mA, Pq=330mBt, h21=160 400,fy>100МГц В Е с
DB BCW67B ZETEX p-n-p VC6o=-45B, Ic=-800mA, Pd=330mBt h2l=l60 400,1т>100МГц В Е с
DB1 CMPSH-3A CENTS 2xshd lF=1 00mA Vrbm=30B, Vf(If=100mA)<1 008 Ir<500hA Ct-2 ОлФ, 1rr<5 Ohc К2 К1 А2А1
D82 CMPSH-3C CENTS 2xshd If=100mA, Vrrm=30B, Vf(If=100mA)<1 OOB, Ia<500hA Ст=2 0пФ 1rr<5 Ohc А2 А1 <2 К1
DB8 CMPD2004S CENTS 2xfih If<225mA, Vr=240B Vf(Ip=1 OOmA)< 1 08, lR< 10ОнА Irr<50hc, Ct<5 Опф А2 К1 К2.А1
DBs BCW67B SIEM p-n-p VCbo=-45B, Ic=-800mA, Po=330mBt, h21=l60 400,1т=200МГц В Е С
DC BCW67C CDIL p-n-p Vcso=-45B, Ic=-800mA, Pd=330mBt, h21=250 630,1т>Ю0МГц В Е С
DC BCW67C ZETEX p-n-p VCbo=-45B, Jc=-800mA, Pd=330mBt h2(=250 630,17>Ю0МГц В Е с
DCs BCW67C SIEM p-n-p Vcbo=-45B, Ic=-800mA, Pq=330mBt h2i=250 630,1у=200МГц В Е с
DF BCW68F ALLEG p-n-p Vcecr-бОВ ICbo<20hA, h2l=l00 250 VCE(sat)<07B 1т>100МГц В Е с
DF BCW68F CDIL p-n-p VCbo=-6OB, Ic=-800mA Po=330mBt h2l=lOO 250 1т>Ю0МГц В Е с
DF BCW68F ZETEX p-n-p VCbo=-6OB, Ic=-800mA, Pd=330mBt h2,=l00 250.1т>Ю0МГц В Е с
DFs BCW68F SIEM p-n-p Vqbo=-60B, Ic=-800mA, Pq-330mBt, h2,-100 250,1т=200МГц В Е с
DG BCW68G ALLEG p-n-p VCbo= 60B, ICbo<2OhA h21=l60 400 VCE(sat)<0 7B, 1т>100МГц В Е с
DG BCW68G CDIL p-n-p Vcbo--6OB, Ic--800mA, ро=330мВт, h2l=160 400 1т>100МГц В Е с
DG BCW68G ZETEX p-n-p VcB(r-60B Ic=-800mA Pd=330mBt, h2l=l60 400 1т>Ю0МГц В Е с
DGs BCW68G SIEM p-n-p Vcb0=-6OB, Ic~-800mA, pp-ЗЗОмВт, h2,=160 400,17-200МГц В Е с
DH BCW68H CDIL p-n-p VCBCr-60B Ic=-800mA, Pd=330mBt, h21=250 630,1т>Ю0МГц В Е с
DH BCW68H ZETEX p-n-p Vceo=-6OB, Ic=-800mA Pd=330mBt, h2i=250 630,1т>100МГц В Е с
DHs BCW68H SIEM p-n-p VCbo=-6OB, Ic=-800mA, Po=330mBt, h21=250 630,1т=200МГц В Е с
•r- 134
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
OKs BCX42 SIEM p-n-p VCbo=-125B Iq^-SOOmA,Pd=330mBt,h2l>63,fT=l50Mfu В Е С
DR BCW60BR ZETEX n-p-n VCbo=32B Ic=200mA, Pd=330mBt h2i=180 310 1т>250МГц В Е с
ED HSMP-3810 HP pm lp< 1 A, VgR> 10OB R§<3 OOm Cq<0 35пФ Rr>15000m R^<iOOm А ПС к
El BFS17LT1 MOT n-p-n Vcbo"15B Ic=50mA Рр=200мВт h2i-20 150 fT>lOOOMTu В Е с
E1 BFS17 ZETEX n-p-n Vcbo=25B, Ic=25mA Рр=330мВт h2i=25 150, ГрТОООМГц В Е с
E1H BFS17H ZETEX n p-n Vcbo=25B Ic=25mA Pq—330мВт, h2,=70 200 1у?1000МГц В Е с
EIL BFS17L ZETEX n-p-n Vcbq-25B Ic=25mA Рр=330мВт h2i=25 100 f-j-ЯОООМГц В Е с
ЕЮ KSC2859 SAMS n-p-n VpBQ=35B, 1р=500мА, Pd=150mBt, h2i=70 140, Ь>300МГц В Е с
E1Y KSC2859 SAMS n-p-n VCbo=35B, Ic=500mA, Pd=1 50mBt, h2r 120 240, fT>300MTu В Е с
E2 HSMP-3812 HP 2xpm If<1A,Vbr>100B Rs<2 0Om Со<0 37пФ Rh>10000m, Rl<8Om А1 К2 К1Л
E2 BAL99 ZETEX di Vr<70B If<1COmA Vf(If=50mA)<11B, Ir<2 5mkA, Cd<1 блф.^сбнс ПС К А
ЕЗ HSMP-3813 HP 2xpm lF<7A, VBr>1 OOB, Rs<2 OOm, Cd<0 37пФ, Rh>1000Om, Rl<8Om К1 К2 А1Д2
ЕЗ BAR99 ZETEX di Vr<70B 1р<100мА Vf(If=50mA)<1 iB,Ir<25mkA,Cd<1 5пФ, Vp<6hc К ПС А
E4 HSMP-3814 HP 2xpm If<1A, Vbr>100B, Rg<2 OOm Сц<0 37пФ Rr>10000m, Rl<80m А1 А2 К1.К2
E8 ZC28OOE ZETEX shd Vr<75B Vf(If=1mA)<0 41B, lR<0 2mkA, Cd<2 ОпФ А ПС К
E8 ZC2811E ZETEX shd Vr<15B, Vf(IHmA)<0 41B, lR<0 1mkA, Cd<1 2пф А ПС к
E9 ZC5800E ZETEX shd Vr<50B Vf(If=1mA)<0 41B Ir<0 2mkA Со<2 0пФ А ПС к
EA BCW65A ALLEG n-p-n Vcbo=6OB ICbo<2OhA, h2i-lOO 250 fT>lOOMfu В Е с
EA BCW65A CDIL n-p-n VCso=6OB, Ic=800mA, Pd=330mBt, h2i=lOO 250 Ь>Ю0МГц В Е с
EA BCW65A ZETEX n-p-n Vcbo”6OB, Ic=800mA, Pd=330mBt, h2i=100 250, f-j->100МГц В Е с
EAs 8CW65A SIEM n-p-n VCbo=6OB, Ic=800mA Pd=330mBt h2i=lOO 250 Ь=170МГц В Е с
EB BCW65B ALLEG n-p-n VCBQ-60B Iobo<20hA h2i=l60 400,Тт>Ю0МГц В Е с
EB BCW65B CDIL n-p-n Vcbo=60B Ic=800mA, Рц-ЗЗОмВт, h2i"l60 400,1т>100МГц В Е с
EB HSMP-4810 HP pm If<1A, PD<250 мВт, VBA>1OOB Rs<3 0Om С0<0 40пф LT=1 ОнГ К К А
EB BCW65B ZETEX n-p-n Vcbo=60B, Ic=800mA, Рц-ЗЗОмВт, h2i-l60 400,1т>100МГц В Е С
EBs BCW65B SIEM n p-n Vcbct60B Ic=800mA, Рц=330мВт h2l=l60 400,1т=170МГц В Е С
EC BCW65C CDIL n-p-n Vcbo"6OB, Ic=800mA, Рр=330мВт h21=250 830,1т>Ю0МГц В Е с
EC BCW65C ZETEX n-p-n VCbo=6OB,IC"8OOmA РсгЗЗОмВт h21=250 630 h>lOOMTu В Е с
ECs BCW65C SIEM n-p-n VCbo=6OB, Ic=800mA, Pd=330mBt, h2I=250 630, fT=170MTu в Е с
EF BCW66F ALLEG n-p-n Vcbo=75B, Icbo<2OhA h2l=l00 250, Тт>ЮОМГц в Е с
EF BCW66F CDIL n-p-n Vcbo=75B, Ic=800mA Рр=330мВт h2-t—100 250, fi>100МГц в Е с
EF BCW66F ZETEX n-p-n Vcbo"T5B, Ic=800mA, Рр=330мВт h2i=l00 250 ТгЯООМГц в Е с
EFs BCW66F SIEM n-p-n Vcbo=75B Ic=800mA Pd=330mBt h2^l00 250, Ь>170МГц в Е с
EG BCW66G ALLEG n-p-n VCbo=75B ICbo<2OhA, h2l=l60 400,1т>Ю0МГц в Е с
EG BCW66G CDIL n p-n Vcbq-75B Ic=800mA Pd=330mBt, h2i=l60 400 1т>100МГц в Е с
EG BCW66G ZETEX n-p-n Vcbo=75B, Ic-800mA Pd=330mBt, h21=l60 400 1т>100МГц в Е с
EGs BCW66G SIEM n-p-n Vcbo=75B, Ic=800mA, Pd=330mBt h21=l60 400,1т=170МГц в Е с
EH BCW66H CDIL n-p-n Vcbo=75B, Ic=800mA Р^ЗЗОмВт, h2r250 630,1т>100МГц в Е с
135
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
EH BCW66H ZETEX n-p-n Vc80=75B, Ic=800mA Pd=330mBt, h21=250 630, Тт>700МГц В Е С
EHs BCW66H SIEM n-p-n VCbo=75B Ic=800mA Po=330mBt h21=250 630 fT>l70MTp В Е с
EK BCX41 ZETEX n-p-n VCbo=125B, Ic=800mA Pd=330mBt, h21>63 fT>lOOMTp В Е с
EKs BCX41 SIEM n-p-n VCbo-125B Ic=800mA, Pd=330mBt, h21>63 fT=lOOMFu в Е с
EO KTC3265 KEC n-p-n VCBO=35B Ic=800mA, Pd=200mBt, h21=W0 200, fT>l20MTu в Е с
EY KTC3265 KEC n-p-n Vcbo=358, Ic=800mA, Pd=200mBt h2i=l60 320 1у>120МГц в Е с
FO HSMP-3820 HP pm lF<1 A, VBa>50B, Rs<0 60m, Co<0 8пФ А пс к
Fl KST1009F1 SAMS n-p-n Vcbo=5OB Ic=50mA Pd=350mBt, h21=30 60, Ь>150МГц В Е с
F1O KSA1182 SAMS p-n p Vcbo=,35B Ic=-500mA Pd=150mBt, h21=70 140, f-j->200Mfm В Е с
Flp BFS18 PHIL n-p-n VCbo=30B Ic=30mA, Pd=250mBt h21=35 125Л=200МГц В Е с
F1Y KSAH82 SAMS p-n-p Vcbo=-35B, Ic=-500mA, Pd=150mBt h21=l20 240 fT>200MTp В Е с
F2 HSMP-3822 HP 2xpm ip< 1 A, Vbr>50B R$<0 60m, Сц<0 8пф А1 К2 К1А2
F2 KST1009F2 SAMS n-p-n Vcbo=5OB, Ic=50mA Pd=350mBt, h21=4C 80 1т>150МГц В Е С
F2p BFS19 PHIL n p-n VCbo=3OB Ic=30mA, Pd=250mBt h2i=65 225 М260МГЦ В Е С
F3 HSMP-3823 HP 2xpm 1F<1A, Vbr>50B Rs<0 6Om, Cd<0 8пФ К1 К2 А1А2
F3 KST1009F3 SAMS n-p-n Vcbo=50B, Ic=50mA, Pd=350mBt, h2, =60 120,1T> 150МГц В Е С
F4 HSMP 3824 HP 2xpin lF<1A VBr>50B Rs<0 6Om, Cp<0 8пф А1 А2 К1,К2
F4 BFS18R PHIL n-p-n Vcbo=2OB, 1с=30мА, Po-1 ЮмВт h2i=35 Т[=200МГц Е В С
F4 KST1009F4 SAMS n-p-n Vcbq=50B, Ic=50mA Pd=350mBt h2,=90 180 Тт>150МГц В Е с
F5 BFS19R PHIL n-p-n VCbo=2OB, Ic=30mA Po=200mBt h2i=225,1T=260Mru Е В с
F5 KST1009F5 SAMS n-p-n Vcbo=5OB Ic=50mA Pd=350mBt, h21=l35 270, Тт>150МГц В Е с
F8p BF824 PHIL p-n-p Vcbo=-30B, Iq--25mA, Pq=250mBt ^=450 В Е с
FA HSMP-4820 HP pm If<1A, Pd<250 мВт Vbr>50B. Rs<0 60m CD<1 ОпФ Lt=1 OhT А А к
FDp BCV26 PHIL p-n-p Vcbo=-40B, Ic=-300mA, Pd=250mBt, h21 >20000,1т=220МГц В Е с
FDs BCV26 SIEM p-n-p Vcbo=-4OB Ic=-500mA, Pd=360mBt, h21>W000 1т=200МГц В Е с
FEp BCV46 PHIL p-n-p VCbo=-8OB Ic=-500mA, Pd=250mBt, h2,>4000.1т=220МГц В Е с
FEs BCV46 SIEM p-n-p VCbo=-8OB Ic=-500mA, Pd=360mBt, h2l>4000, fT=200MTp В Е с
FFp BCV27 PHIL n-p-n Vcbo=40B Ic=300mA, Pd=250mBt, h2,>20000,1т=220МГц В Е с
FFs BCV27 SIEM n-p-n Vcbo=4OB, Ic=500mA Pd=360mBt h2l>l0000,1т=170МГц В Е с
FGp BCV47 PHIL n-p-n VCbo=80B Ic=500mA, Pd=250mBt, h2i >4000,1т=220МГц В Е с
FGs BCV47 SIEM n-p n Vcbo=8OB, Ic=500mA, Pd=360mBt, h2t>4000 Т70МГц В Е с
FHs BFN24 SIEM n-p-n VCbo=25OB, Ic=200mA, Po=360mBt, h2l>40 fT=70MTu В Е с
FJs BFN26 SIEM n-p-n VCbo=3OOB, Ic=200mA, Po=360mBt, h2l>30, ^70МГц В Е с
FKs BFN25 SIEM p-n-p Vcbo=-25OB, Ic=-200mA, Pq=360mBt h2l>40 1у=100МГц В Е с
FLs BFN27 SIEM p-n-p 7сзо=-300В, Ic=-200mA, Po=360mBt, h21 >30, fj-100МГц В Е с
GD HSMP-3890 HP pin lrOA, Pq<250mBt, Vbb> 1 OOB, Rs<2 50м, Co<0 ЗОпФ А пс к
G1 BFS2O ZETEX n-p-n VCbo=3OB, Ic=25mA, Pd=330mBt, h21=40 85 fT>450Mru В Е с
G1p BFS2O PHIL n-p-n Vc8o=3OB, Ic"25mA, Po=250mBt, h21 >40 1у=450МГц В Е с
► 136
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
G2 HSMP-3892 HP 2xpm lF< 1 A, Pd<250mBt, VBr>1 OOB, Rs<2 50м, Co<0 ЗОпФ Al К2 K1.AS
G3 HSMP-3893 HP 2xpm lF<1A, Pd<25OmBt,V0R>iOOB Rs<2 50m Ср<0 30пФ K1 К2 А1 А2
G3 BAR63 SIEM pin Vr<50B If<100mA, Vf(If=i00mA}<1 2B Ir<0 05mkA, Cd<0 ЗпФ A ПС К
G4 HSMP-3894 HP 2xpm If<1A, Pd<250mBt VBr>iOOB Rs<2 50m, Cd<0 ЗОпФ Al А2 К1.К2
G4 BAR63-04 SIEM 2xpm Vr<50B, If<100mA Vf(If=100mA)<1 2B,Ir<0 05mkA, Cd<0 Зпф A1 К2 <1А<
G5 BAR63 05 SIEM 2xpm Vr<50B,If<100mA Vf(If=100mA)<1 2B Ir<0 05mkA, Cp<0 Зпф A1 А2 <1,А2
G6 BAR63-06 SIEM 2xpm Vr<50B If<100mA, Vf(If=100mA)<1 2B lR<0 05mkA, Cp<0 Зпф K1 К2 А1.А2
G5A BC817 16 TOSH n-p-n Vcbo=5OB, Ic=800mA, Pd=330mBt, h2l=100 250, fT=150МГц В Е С
G8B BC817-25 TOSH n-p-n VC0o=5OB, Ic=800mA, Po=330mBt, h2l=l60 400 Ь=150МГц В Е С
GA HSMP-4890 HP pin If<1A Pd<250mBt, VBr>100B, Rs<2 50m Со<0 375пФ Lt=1 ОнГ A А К
GEs BFR35AP SIEM n-p-n Vcbo=2OB, |c=30mA, Pd=280mBt, h2l=40 200 Ь=5000МГц В Е с
GFs BFR92P SIEM n-p-n VC0O=2OB, Ic=30mA, Pd=280mBt, h21=40 200 1т=5000МГц В Е с
GG BFR93P SIEM n-p-n Vceo=2OB, Ic=50mA, Рр=280мВт, h2,>30 1т=5000МГц В Е с
H1 BCW69 ALLEG p-n-p VCB0=-50B, Icbo<' 1 OOhA, h21=120 260, Vcg(sat)<0 3B В Е с
HI BCW69 CDIL p-n-p VC0O=-5OB IC--100mA, PD=250mBt, h2l=l20 260 ГГ>ЮОМГц В Е с
Hl SST4416 SIL n-FET Vds=30B Pd=350mBt,Idss=5 15mA дР=45мСм,RDS(on)=l50OM D S G
H1 BCW69 ZETEX p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-100mA, Pd=330mBt, h2l=i20 260,1т>150МГц В Е с
H1O KSC2755 SAMS n-p-n VC0o=3OB Ic=20mA Po=150mBt, h2l=70 140,1т>600МГц В Е С
Hip BCW69 PHIL p-n-p VCbo=-5OB,Ic=-1OOmA, Pd=250mBt, h21=l20 260,1т>Ю0МГц В Е С
H1R KSC2755 SAMS n-p-n Vcbo=3OB, Ic=20mA, Pd=150mBt h2i=40 80,1]>600МГц В Е С
H1Y KSC2755 SAMS n-p-n VCBO=30B, Ic=20mA, Pd=150mBt, h2l=120 240,1т>600МГц В Е С
H2 BCW70 ALLEG p-n-p Vcbo"-5OB, 1сво<Ю0нА,h21=2l5 500 Vg^(sat)<0ЗВ В Е с
H2 BCW70 CDIL p-n-p VCbo=-50B Ic=-100mA, Pd=250mBt, h21=2l5 500,1т>Ю0МГц В Е с
H2 BCW70 ZETEX p-n-p Vc0o=-5OB, 1с=-100мА, Рр=330мВт, h21=2l 5 500 fT>150МГц В Е с
H2O KSC2756 SAMS n-p-n VCbo=2OB, Ic=30mA, Po=150mBt, h2l=9O 180,1т>850МГц В Е с
H2p BCW70 PHIL p-n-p Vcbo=-5OB,Ic=-1OOmA, Pd=250mBt, h2l=2l5 500 1т>Ю0МГц В Е с
H2R KSC2756 SAMS n-p-n VC0O=2OB Ic=30mA, Po=150mBt h2,=60 120 1т>850МГц В Е с
H2Y KSC2756 SAMS n-p-n VCbo=2OB Ic=30mA, Po=150mBt h21=l20 240 1т>850МГц В Е с
H3 BCW89 CDIL p-n-p VCbo=-80B, Ic=-100mA, Pd=250m6t, h2]=l20 260, fT> ТООМГц В Е с
H3 KDV153 KEC bd Vr=20B, Ir=10hA, Сгу=15пФ, Сюу=5пФ, RB<0 60м А пс к
H3 BCW89 ZETEX p-n-p Vcso--80B, 1с=-100мА, Ро=330мВт h2l=l20 260 1т>150МГц В Е с
H31 BCW89R PHIL p-n-p VCBO=-60B, 1с=-100мА Pd=350mBt,h2l=l20 260,1т=150МГц Е В с
H3O KSC2757 SAMS n-p-n Vqbo”3OB, Ic“50mA, Pq=150mBt h2i=90 180, ff>1100МГц В Е с
H3p BCW89 PHIL p-n-p VCbo=-8OB,Ic=-100mA,Pd=250mBt h2l=l20 260 1т=100МГц В Е с
HSR KSC2757R SAMS n-p-n VCbo=3OB Ic=50mA Po=150mBt h21=60 120,1т>1100МГц В Е с
H3Y KSC2757Y SAMS n-p-n Vcbo=3OB Ic=50mA Po=150mBt h21-l20 240, fT> 1100МГц В Е с
H4 BCW69P PHIL p-n-p VC0(r-45S11с=-100мА, Ро=350мВт, h2f=120 260 1г=Ю0МГц Е В с
H4 SST5484 SIL n-FET Vps=25B, Pd=350mBt, loss=1 5mA, др=2мСм D S G
137
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
H4 BCW69R ZETEX P-n-p Vcbo=-5OB Ic=-100mA Pd=330mBt h21=l20 260, fT>l50Mru В Е С
H4Z KSC2758 SAMS n-p-n VCB0=30B Ic=20mA Pd=150mBt, h21=60 240,1т>1000МГц В Е С
H5 BCW70R PHIL P-n-p Vcbo=-45B, Ic=-i00mA Po=350mBt hsi=2l5 500, 1т>Ю0МГц E В С
Н5 SST5485 SIL n-FET Vqs=258, Pd=350mBt, Idss=4 10mA, Qf—3 5mCm D S G
Н5 BCW70R ZETEX p-n-p Vcbo=-5OB, lc=- 100mA Pd=330mBt h2i=2l5 500, <т>150МГц В Е С
Н5О KSC2223 SAMS n-p-n VCbo=3OB, Ic=20mA Pd=150mBt h2i=60 120 1т>600МГц В Е С
H5R KSC2223 SAMS n-p-n Vcbo=3OB, Ic=20mA Pd=150mBt h2i—40 80 1т>600МГц В Е С
H5Y KSC2223 SAMS n-p-n VCbo=3OB, Ic=20mA, Pd=150mBt h21=90 180 fT>600MTu В Е С
Н6 SST5486 SIL n-FET Vps=25B, Pd=350mBt, 1р$$=8 20мА, др=4мСм D S G
Н8 BCW89R ZETEX P-n-p Vcbo=-8OB lc= 100mA, Po=330mBt, h21=120 260,1у>150МГц В Е С
Н6О KSC2759 SAMS n-p-n Vcbo=30B Ic=50mA Pd=150mBt, h21=60 120, f-[->2000MTu, В Е С
H6R KSC2759 SAMS n-p-n VCbo=3OB Ic=50mA, Pd=150mBt, h21=40 80, Ь>2000МГц В Е С
H6Y KSC2759 SAMS n-p-n Vcbo"3OB, Ic=50mA Рр=150мВт h2l=90 180 Ь>2000МГц В Е С
Н71 BCF70R PHIL P-n-p VCbo=-45B,lc= 100mA Pd=350mBt, h21=2l5 500,fT>lOOM(p Е В С
Н7р BCF70 PHIL p-n-p VCbo=-5OB Ic=-100mA, Pd=250mBt, h21=2l5 500,1т>100МГц В Е С
H8Z KSC2734 SAMS n-p-n Vcbo=2OB, Ic=50mA Pd=150mBt, h2)=20 200, Ь>3500МГц В Е С
H9Z KSC3120 SAMS n-p-n Vcbo=3OB Ic=50mA Pq—1 50mBt, h2j=40 200, fy'2400MRi В Е С
НАО KSC3123 SAMS n-p n VCbo=3OB Ic=50mA, Po=150mBt, h2i=90 180,1т>1400МГц В Е С
HAR KSC3123 SAMS n-p-n Vcbo=3OB,Ic=5OmA,Pd=15OmBt h2l=60 120 1т>1400МГц В Е С
HAY KSC3123 SAMS n-p-n Vcbo=3OB,|с-50мА,Pd=150mBt,h21=l20 240 Ь>1400МГц В Е С
HBs BFN22 SIEM n-p-n VCbo=25OB Ic=50mA Pd=360mBt h2l>50 1т=100МГц В Е С
HCs BFN23 SIEM P-n-p VCbo=-25OB, Ic=-50mA, Pd=360mBt, h2l >50 1т=Ю0МГц В Е С
10 K7A129S KEC p-n-p VCbo=-35B Ic=-800mA Pd=200mBt, h2t=l00 200 1т>120МГц В Е С
IY KTA1298 KEC p-n-p Vcbo”-35B, Ic=-800mA, Pd=200mBt, h2|-l60 320 1т>120МГц В Е С
JO SST110 SIL n-FET Vos=25B, Pd=350mBt, Idss>i0mA, дР=17мСм Ros(on)=18Jv D S G
JIA ZC830A ZETEX bd Vp<25B C2v~l0 ^10%лФ, C2v/C2qv”4 5 6 Q>300 А ПС К
J1B ZC830B ZETEX bd Vp<25B С2у=10±5%пФ C2V/CW4 5 6, Q>300 А ПС К
Л0 KSA1298 SAMS p-n-p Vcbo"-3OB, Ic=-800mA, Pd=200mBt, h21=l00 200,1т>120МГц В Е С
JIS ZC830 ZETEX bd Vn<25B, C2v=10 ±20%пФ, CWWA 5 6, Q>300 А ПС К
J1Y KSA1298 SAMS p-n-p VCbo=-3OB, lc= 800mA, Pd-200mBt, h21 - J60 320, fT> 120МГц В Е С
J2A ZC833A ZETEX bd Vr<25B 0^=33 ±10%пФ C2v/C2ov=5 6 5 Q>200 А ПС К
J2B ZC833B ZETEX bd Vr<25B С2у=33±5%пф C2v/C20v=5 6 5, Q>200 А ПС К
J2S ZC833 ZETEX bd Vr<25B C2v=33 +20%пФ, C^/WS 6 5, Q>200 А ПС К
J3A ZC831A ZETEX bd Vr<25B C2v=15 ±10%пФ, C2v/C2ov=4 5 6, Q>300 А ПС К
J3B ZC831B ZETEX bd Vr<25B С2у=15±5%пФ C2v/C20v=4 5 6, Q>300 А ПС К
J3S ZC831 ZETEX bd Vp<25B, C^-15 ±20%пФ, С^/Сэду^ 5 6, Q>300 А ПС К
J4A ZC832A ZETEX bd Уп<25В,С2у=22*10%пФ,Сгу/С2оу=5 6 5 Q>200 А ПС к
J4B ZC832B ZETEX bd Vr<25B, C2y—22 *5%пФ C2v/C2ov=5 6 5, Q>200 А пс к
► 138
SOT-23, SOD-23
Код Гипономина/ Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
J4S ZC832 ZETEX bd Vr<25B С2у=22±20%пФ, СЛоу=5 6 5, Q>200 A nc К
J5A ZC834A ZETEX bd Vr<25B C2v=47±lO%n(t),C2v/C2ov=5 6 5 Q>200 A nc к
J5B ZC834B ZETEX bd Vr<25B С2У=47±5%пФ, C2v/C2ov=5 6 5, Q>200 A nc к
J5S ZC834 ZETEX bd Vr<25B, Сгу=47±20%лФ, C2v/C2ov=5 6 5, Q>200 A nc к
J5A ZC835A ZETEX bd Vr<25B, C2v=68ilO%n(t), C2v/C2ov=5 6 5, Q>1OO A nc к
J6B ZC835B ZETEX bd Vr<25B, С2у=68±5%пф, C2v/C2ov=5 6 5, Q>1OO A nc к
J6S ZC835 ZETEX bd Vr<25B, С2у=68±20%пФ, C2v/C20V=5 6 5, Q>100 A nc к
J7A ZC836A ZETEX bd Vr<25B, С2у=Ю0±10%пФ C2v/C2ov=5 6 5, Q>l00 A nc к
J7B ZC836B ZETEX bd Vr<25B Сгу=Ю0±5%пФ C2v/C20v=5 6 5, Q>l00 A nc к
J7S ZC836 ZETEX bd Vr<25B, Сгу=Ю0±20%пф C2v/C20v=5 6 5, Q>1OO A nc к
J8 BCX71JR ZETEX P-n-p Vcbo=-45B, Ic~-200mA, Pq=330mBt, h2;=250 460, Т[>180МГц В E с
J9 SST109 SIL n-FET Vds=25B,Pq=350mBt,Idss>40mA др=17мСм,Ros(c>n)=120м D S G
JA BAV74 ALLEG 2xd If<70mA VBr>50B,Vf(If=100mA)<1 OB Ir<100hA, Irr<4 Ohc, Co<2 ОпФ A1 A2 Ki к:
JA BAV74 ZETEX 2xfd Vr<50B, If< 1 50mA, Vf(If=100mA)< 1 OB, lR<01 мкА, Сс<2пФ, Irr<4hc Al A2 К1К
JAp BAV74 PHIL 2xfd Vr<50B, If<21 5mA, Vf(If=1 00mA)< 1 OB, CD<2 ОпФ, 1rr<4hc A1 A2 К1 к;
JAs BAV74 SIEM 2xdi Vr<50B, If<200mA Vf(If=100mA)<1 OB, lR<0 ImkA, Cd<2 ОпФ, Irr<4hc A1 A2 Ki к;
JB BAR74 ZETEX di Vr<50B, If<1 50mA Vr(If=100mA)< 1 OB Ir<0 1mkA, Cd<2 ОпФ, Irr<4hc A nc к
JBs BAR74 SIEM di Vr<50B, If<250mA Vf(If=100mA)< 1 OB lR<0 1мкА, С0<2лФ, Irr<4 hc A nc к
X BAL74 ZETEX di Vr<508 If<150mA Vf(If=100mA)<1 OB, lR<0 1мкА Со<2лф, 1rr<4hc nc A к
JCp BAL74 PHIL fd Vr<50B, If<2 1 5mA, Vf(If=50mA)< 1 OB, Со<2пФ, Irr<4hc nc A к
Xs BAL74 SIEM di Vr<508, If<250mA Vf(!f=100mA)<1 OB 1р<О1мкА,Со<2пФ Irr<4hc nc A к
JD BAW56 VISH 2xdi Vr<70B ИЗООмА, VHIf=150mA)<1 25B ln<5 OmkA, Cd<4 ОпФ tRR<6HC K1 K2 А1.А1
JE BAV99 VISH 2xdi Vr<70B Ir<300mA, Vf(If=150mA)<1 25B, Ir<5 OmkA, Cq<4 Опф 1rr<6hc А1 K2 <1А
JF BAL99 GS shd Vr=1 OOB, If=300mA, Pq=350mBt, Irr<6hC nc К А
JF BAL99 VISH di Vr<70B, If<250mA, УН1г50мА)<1 OB lR<2 5mkA, Cd<1 5пф, tfiR<6HC nc К А
JFp BAL99 PHIL fd Vr<70B, If<250mA, Vf(If=50mA)<1 OB, CD<1 5пФ, tRR<6Hc nc К А
JFs BAL99 SIEM di Vr<70B If<250mA, Vf(If=50mA)<1 OB Ir<2 5mkA, Cd<1 5пФЛд<6нс nc К А
Xs BAR99 SIEM di Vr<70B If<250mA, Vf{If=50mA)<1 OB Ir<2 5mkA, Co<1 5пФ,1яВ<6нс к nc А
JJ BAV70 VISH 2xdi Vr<70B, 1р<300мА, Vf(Ip=150mA)< 1 25B, lR<5 OmkA, Co<4 ОпФ, 1rr<6hc A1 А2 К1.К2
JPp BAS19 PHIL fd Vr<iOOB If<200mA,Vf(If=100mA)<1 OB С0<5пФ, Irr<50hc A ПС К
JPs BAS 19 SIEM di Vr<100B, И250мА Vf(If=100mA)<1 OB, 1я<01 мкА, Со<50пФ, 1^(50 nc A nc к
JRp BAS20 PHIL fd Vr< 150B If<200mA,Vf(If=100mA)<1 OB, С0<5пФ, 1rr<50hc A nc к
JRs BAS20 SIEM di Vr<1508 If<250mA Vr{If=1 00mA)< 1 OB lR<0 1мкА Со<5 0лф 1rr<50hc A nc к
JSp 3AS21 PHIL fd Vr<200B, If<200mA, Vf(If=100mA)<1 OB, Сд<5пФ Irr<50hc A nc к
JSs BAS21 SIEM di Vr<200B, If<250mA Vf(If-1 00mA)< 1 OB lR<0 ImkA Cq<5 Опф, tRR<50 nc A nc к
JVp BAS116 PHIL dl Vr<75B Ip<215mA, Vf(If=10mA)<1 OB, Ir(Vr=7581<5hA, С0<2пФ 1rr<3000hc A nc к
JVs BAS116 SIEM di Vr<75B,If<250mA Vf(If=50mA)<1 IB Ir<5 OmkA, Cd<2 Опф, Irr<3000hC A nc к
JXp BAV170 PHIL 2xdl Va<75B, If<215mA, VHHOmAH OB Ir(Vr-75B1<5hA Cd<M> IrrOOOOhc A1 A2 К1,К2
139
SOT-23, SOD-23
Код Гипономина/ Фирма Функция Особенности 1 кол 2 веха
JXs BAV170 SIEM 2xdl Vr<70B If<200mA Vf(If-150mA)<1 25B lR<0 OOSmkA Со<20лФ IrrOMOrc A1 А2 KI К2
JYp BAV199 PHIL 2xdl Vb<75B If<160mA Vf(If-10mA)<1 OB Ir(Vr=75B)<5hA Со<2пф 1rB<3M0hc A1 К2 К1А2
JYs BAV199 SIEM 2xdl Vr<70B If<200mA Vf(If-150mA)<1 25B lR<0 005мкА Со<2 0пФ 1rr<3000hc A1 К2 К1А2
JZp BAW156 PHIL 2xdl Vr<75B If<160mA Vf(H0mA)<1 OB Ir(Vr-75B)<5hA С0<ЗпФ 1rr<3M0hc K1 К2 А1 А2
JZs BAW156 SIEM 2xdl Vr<70B If<200mA Vf(Ip-150mA)<1 25B lR<0 005мкА Со<20пФ IhrOOOOhc KI К2 А1А2
KO HSMP 3830 HP pin If<IA Vrr>200B Rs<1 50m Cd<0 ЗпФ A пс К
K1 BCW71 ALLEG n p n VCbo=5OB Icbo<iOOhA П21=110 220 VCE(sat)<0 25B В Е С
K1 BCW71 CDIL n p n Vceo=5OB Ic-100mA pd=250mBf h2F=110 220 1т>100МГц В Е С
K1 BCW71 SAMS n p n Vcbo=50B Ic-100mA Pd=350mBi h2i“120 220 1т>300МГц В Е С
K1 VN10KT SIL n MOS Vps=60B lp-ЗЮмА PD 1000мВт 9F=100mCm RDs(on)=7 50m G S D
K1 BCW71 ZETEX npn VCbo=5OB Ic-100ma P„-330mBt h21=110 220 1т>ЗООМГц В Е С
K1N ММВТ3904 VISH n p n Vcbo“6OB lc-WOmA Pd=200mBt h2 =100 300 1у>300МГц В Е С
K10 KSA3265 SAMS npn Vcbo-ЗОВ 1с-В00мА P„-200uBt h2,=1O0 200 1,>120МГц В Е С
K1p BCW71 PHIL npn Vcbo”50B Iq-IOOmA Pd-250mBt h2i=110 220 1т>100МГц В Е С
K1P ММВТ2222А VISH npn Vcbo“5OB Ic=800mA Po=200mBt h2i-lOO 300 Т[>200МГц В Е С
K1Y KSA3265 SAMS npn Vcbo”30B Ic-800mA Pd=200mBt h2i=160 320 1т>120МГц В Е С
K2 BCW72 ALLEG npn Vcbo-50B Icbo<100hA h2,=200 450 VCE(sat)<0 25B В Е С
K2 BCW72 CDIL npn Vcbo”5OB lc-ЮОмА Pq=250mBt h2i=2OO 450 Тр>100МГц В Е С
K2 HSMP 3832 HP 2xpin iF<1A V0r>2OOB Rs<15Om Cd<0 ЗпФ А1 К2 К1А2
K2 BCW72 ZETEX npn Vcbo"50B Ic-100mA Pd=330mBt 1>2г2О0 450 1,>ЗООМГц В Е С
K2F ММВТ2907А VISH pnp Vcbo- AOB lc- 500mA Pd=310mBi h2l-100 300 1,>200МГц В Е С
K2p BCW72 PHIL npn Vcbo"50B ic=100ma Pd-250mBt h21=200 450 1,>Ю0МГц В Е С
K2T ММВТ4403 VISH pnp Vcs0- 40B lc- 800mA Po-200mBt h2l-100 300 (т>200МГц В Е С
K2X ММВТ4401 VISH npn Vcbo=50B 1c=800mA Pd-200mBt p2,=100 300 1т>200МГц В Е С
КЗ BCWB1 CDIL npn Vcbo=5OB Ic-100mA Pd-250mBt h2r420 800 1т>100МГц В Е С
КЗ HSMP звзз HP 2xpin lF<1A Vbr>200B Rs<1 50m Cd<0 ЗпФ К1 К2 Al А2
K31 BCWB1R PHIL npn Vcbo=50B Ic’IOOmA Pd_350mBt h2i-420 800 1у_300МГц Е В С
КЗА KDVB04S KEC 2xpd Vr=15B iR"50hA C2v=42 7пф Сзх/=25гтф г$<ОЗОм А1 А2 К1 К2
КЗВ KDVB04S KEC 2xpd Vr=15B |r_50hA C2v_43 7пф Сду_25пФ fg<0 ЗОм А1 А2 К1 К2
КЗС KDV804S KEC 2xbd Vr"15B Ir=50hA Сгу-44 7пф Сз\/=25пф rg<0 30м А1 А2 К1К2
K3D KDVB04S “кеГ 2xbd Vr=15B 1я-50нА С2у-45 7пф С8у=25пф rg<0 30м А1 А2 К1 К2
К3£ KDV804S KEC 2xbd Vr-15B Ib-50hA Crv-46 7пф C!v-25n« fs<0 3Om А1 А2 К1К2
K3N ММВТ3906 VISH p n p Vcbo- 40B lc- 100mA Pd-200mBt 02, 100 300 Н>250МГц В Е С
КЗр BCW81 PHIL npn Vcbo~50B Ic-100mA Pq 350mBt h2t~420 800 ^-ЗООМГц В Е С
К4 HSMP 3B34 HP 2xpin If<1A Vbr>200B Rs<1 50m CD<0 Зпф А1 А2 К1К2
К4 BCW71R PHIL npn VCbo=45B Ic-IOOmA Pd=350mBt hjrllO 220 1т>100МГц Е В С
К4 BCW71R ZETEX npn Vcbo-5OB Ic-100mA Pd-330mBt h2i-1lO 220 1т>ЗООМГц В Е С
К5 BCW72R PHIL npn VCB0-45B Ic=1O0mA Pd=350mBt h?1-200 450 1,>10ОМГц Е В С
► 140
SOT-23, SOD-23
1:1
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
K5 BCW72R ZETEX При Vcbo=50B Ic=100mA Pd=330mBt h2f-200 450 fT>300Mrp В Е С
Кб BCV71R ZETEX npn VCeo=B0B Ic’IOOmA Pd=330mBt h2i=110 220 1т>300МГц В Е с
К7 BCV71 COIL n p n Vcbo-80B Ic-100mA Pd-330mBt h2l“1l0 220 1т>300МГц В Е с
К7 BCV71 ZETEX n p n Vcbo-BOB Ic=100mA Pd-330mBt h2r1l0 220 1т>300МГц в Е с
К7р BCV7t PHIL npn Vcbo-8OB 1с-100мА PD’250mBt h2l"110 220 1т>Ю0МГц в Е с
К8 BCV72 CDIL n p n Vceo=BOB Ic=100mA Pd"330mBt h2ix200 450 1т>300МГи в Е с
К8 BCV72 ZETEX npn Vcbo"8OB lc=tOOMA Pd-330mBt h21-2OO 450 1т>300МГц в Е с
К8р BCV72 PHIL npn VCbo"80B Ic-100mA Pd-250mBt h2,=200 450 1т>100МГц в Е с
К9 BCV72R ZETEX npn Vcbo=8OB Ic’IOOmA Pd-330mBt п21=200 450 1т>300МГц в Е с
К91 BCFB1R PHIL npn Vcbo-45B Ic=100mA Pd-350mBt h21’420 800 1т>100МГц Е В с
К9р BCF81 PHIL npn Vcbo"5OB IC’100mA Pd=250mBt h2i=420 BOO 1т>Ю0МГц В Е с
КА2 MMBD4148 VISH d Vr<758 If<300mA Vf(If=10mA)<1 OB lfi<5 OmkA С0<4пф 1rr<6hc А ПС к
КАЗ MMBD444B VISH lid Vr<75B If<500mA Vf(If~100mA)<1 OB Ir<5 OmkA Со<4пф Irr<4hc А ПС к
КА6 BAS16 VISH fid Vr<75B If<500mA Vr(If=150mA)<1 25B iA<1 OmkA Со<40пФ Irr<4hc А ПС к
КС BFQ29P SIEM npn Vcbo=2OB Ic=30mA Po’2B0mBt h2!=50 250 М 5000МГЦ В Е с
КО1 AZ23C2V7 VISH 2xdz Vz=2 5 2 9B Rz(Iz=5mA)=830m KI К2 МА2
KD2 AZ23C3 VISH 2xdz Vz-2 В 3 2B Rz(Iz=5mA)=950m К1 К2 Al А2
КОЗ AZ23C3V3 VISH 2xdz Vz=3 1 3 5B Rz(Iz=5mA)’950m К1 К2 А1А2
KD4 AZ23C3V6 VISH 2xdz Vz-3 4 3BB Rz(Iz-5mA)=950m К1 К2 Al А2
KD5 AZ23C3V9 VISH 2xdz VZ’3 7 4 1B Rz(Iz=5mA)-950m К1 К2 А1А2
KD6 AZ23C4V3 VISH 2xdz Vz-4 0 4 6B Rz(Iz=5mA)“950m К1 К2 Al А2
KD7 AZ23C4V7 VISH 2xdz Vz-4 4 5 OB Rz(Iz=5mA)=7BOm К1 К2 А1А2
KD6 AZ23C5V1 VISH 2xdz Vz-4 8 5 4B Rz(Iz=5mA)’60Om К1 К2 Al А2
KD9 AZ23C5V6 VISH 2xdz Vz=5 2 6 OB Rz(Iz=5mA)=40Om К1 К2 А1А2
KDA AZ23C6V2 VISH 2xdz Vz=5 В В 6B R2(I2-5mA)=10Om К1 К2 А1А2
KDB AZ23C6V8 VISH 2xdz Vz=6 4 7 2B Rz(Iz=5mA)=BOm К1 К2 Al А2
КОС AZ23C7V5 VISH 2xdz Vz-7 0 7 9B Rz(Iz=5mA)-70m К1 К2 А1А2
KDD AZ23C8V2 VISH 2xdz Vz=7 7 8 7B Rz{IZ’5mA}=70m К1 К2 А1А2
КОЕ AZ23C9V1 VISH 2xdz Vz-B 5 9 6B Rz(Iz=5mA)=10Om Kt К2 А1А2
KDF AZ23CtO VISH 2xdz Vz=94 Ю6В Rz{Iz-5mA)=150m К1 К2 А1А2
KDG AZ23C11 VISH 2xdz Vz-104 1I6B Rz(Iz=5mA)’20Om К1 К2 А1А2
KDH AZ23C12 VISH 2xdz Vz=114 t2 7B Rz(IZ’5mA)=20Om К1 К2 А1А2
KOI AZ23C13 VISH 2xdz Vz=t2 4 14 1B Rz(Iz-5mA)=250m К1 К2 А1А2
KDJ AZ23C15 VISH 2xdz VZ-13B 156B Rz(Iz=5mA)-30Om К1 К2 А1А2
KDK AZ23C16 VISH 2xdz VZ=15 3 17 1B Rz(Iz-5mA)’40Om К1 К2 А1А2
KDL AZ23C1B VISH 2xdz Vz-16 8 19 IB Rz(IZ’5mA)=50Om К1 К2 Al А2
КОМ AZ23C20 VISH 2xdz VZ=18B 21 2B Rz(Iz=5mA)=50Om К1 К2 А1А2
KON AZ23C22 VISH 2xdz Vz=20 8 23 3B Rz(Iz=5mA)s550m Kt К2 А1А2
141
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
KDO AZ23C24 VISH 2xdz Vzs22 8 25 6B, Rz(Iz=5mA)=80Om К1 К2 А1,А2
KDP AZ23C27 VISH 2xdz Vz=25 1 2B9B,Rz(Iz=5mA)=800m К1 К2 А1.А2
KDQ AZ23C30 VISH 2xdz Vz=28 32B Rz{Iz=5mA)=BOOm К1 К2 А1.А2
KDR AZ23C33 VISH 2xdz VZ=31 35B, Rz(Iz=5mA)=80Om К1 К2 Al А2
KDS AZ23C36 VISH 2xdz Vz=34 38B, Rz(Iz=5mA)=90Om К1 К2 Al А2
KDT AZ23C39 VISH 2xdz Vz=37 41B, Rz(Iz=5mA)=90Om К1 К2 А1А2
KJD BAW56 VISH 2xdi Vr<70B, If<300mA Vf(If=150mA)<1 25В, Ir<5 OmkA Со<4ОпФ !rr<6hc К1 К2 А1,А2
KJE BAV99 VISH 2xdi Vr<70B If<300mA,Vf(If=150mA)<1 25В Ir<5OmkA Ср<40пФ 1rr<6hc А1 К2 К1.А2
KJF BAL99 VISH di Vr<70B, If<250mA, Vf(If=50mA)<1 OB lR<2 5mkA Co<1 5пф tRR<6nc пс К А
KJJ BAV70 VISH 2xdi Vr<70B If<300mA, Vf(If=150mA)<1 25B Ir<5 OmkA Cd<4 Опф, Irr<6hC А1 А2 К1,К2
KL1 BAT54 VISH shd Vr<30B,If<200mA, Vf(If=100mA)<1 OB, Ir<2mkA Ср^Юпф, Irr<5hC А пс К
KL2 BAT54A VISH 2xshd Vr<30B, If<200mA, Vf{If=1 00mA}<1 OB Ir<2 OmkA, Ср<10пФ, Irr<5hC К1 К2 А1.А2
KL2 BAS54A VISH 2x$hd Vr=30B, If=200mA, Pd=200mBt, tRR< 5hc К1 К2 А1.А2
KL3 BAT54B VISH 2x$hd Vr<30B, If<200mA, Vf(If=100mA)< 1 OB, lR<2 OmkA, Со<10пФ, 1rr<5hc А1 А2 К1.К2
KL3 BAS54C VISH 2xshd Vr=30B, If=200mA Pd=200mBt, 1rr<5hc А1 А2 К1,К2
KL4 BAT54S VISH 2xshd Vr<30B, If<200mA, Vf(If= 1 00mA)< 1 OB, lR<2 OmkA, Со<10пФ, Irr<5hc А1 К2 К1.А2
KL4 BAS54S VISH 2xshd Vr=30B, If=200mA, Pd=200mBt, trr<5hc А1 К2 К1,А2
KV1 DZ23C2V7 VISH 2xdz Vz=2 5 2 9B, Zzt(Iz=5mA)=B30m А1 А2 К1,К2
KV2 DZ23C3V0 VISH 2xdz VZ=2B 3 2B, Zzt(Iz=5mA)=950m А1 А2 К1,К2
KV3 DZ23C3V3 VISH 2xdz Vz=3 1 3 5B, ZZt(Iz=5mA)=950m А1 А2 К1.К2
KV4 DZ23C3V6 VISH 2xdz Vz=3 4 3 8B,ZZt(Iz=5mA)=950m А1 А2 К1.К2
KV5 DZ23C3V9 VISH 2xdz Vz=3 7 4 1B,Zzt(Iz=5mA)=950m А1 А2 К1.К2
KV6 DZ23C4V3 VISH 2xdz Vz=4 0 4 6B, Zzt(Iz=5mA)=950m А1 А2 К1,К2
KV7 DZ23C4V7 VISH 2xdz Vz=4 4 5 OB, Zzt(IZ=5mA)=7BOm А1 А2 К1,К2
KV8 DZ23C5V1 VISH 2xdz Vz=4 В 5 4B, ZZt(Iz=5mA)=600m А1 А2 К1,К2
KV9 DZ23C5V6 VISH 2xdz Vz=5 2 6 OB, Zzt(Iz=5mA}=40Om А1 А2 К1,К2
KVA DZ23C6V2 VISH 2xdz Vz=5 8 6 6В 2гт(1г=5мА)=10Ом А1 А2 К1.К2
KVB DZ23C6VB VISH 2xdz Vz=6 4 7 2B,Zzt(Iz=5mA)=80m А1 А2 К1,К2
KVC DZ23C7V5 VISH 2xdz V^7 0 7 9B, Zzt(Iz=5mA)=70m А1 А2 К1.К2
KVD DZ23C8V2 VISH 2xdz Vz=7 7 B7B,Zzt(Iz=5mA)=70m А1 А2 К1,К2
KVE DZ23C9V1 VISH 2xdz VZ=B 5 9 6B, Z2t(Iz=5mA)=1 OOm А1 А2 К1,К2
KVF DZ23C10 VISH 2xdz Vz=94 ЮВ Zzt(Iz=5mA)=150m А1 А2 К1,К2
KVG DZ23C11 VISH 2xdz VZS1O4 11 B, Zzt(Iz=5mA)=200m А1 А2 К1.К2
KVH DZ23C12 VISH 2xdz Vz=114 12 B, Zzt(IZ=5mA)=200m А1 А2 К1.К2
KVI DZ23C13 VISH 2xdz VZ=12 4 14 В 2гт(1г=5мА)=250м А1 А2 К1.К2
KVJ DZ23C15 VISH 2xdz VZ=13 8 15 В, ZzT(Iz=5mA)=300m А1 А2 KI К2
KVK DZ23C16 VISH 2xdz Vz=153 17 B, Zzt{IZ=5mA)=400m А1 А2 К1,К2
KVL DZ23C18 VISH 2xdz VZ=16 8 19В,2гт(1г=5мА)=50Ом А1 А2 К1,К2
► 142
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
KVM DZ23C20 VISH 2xdz Vz=1BB 21 B, Zzt(Iz=5mA)=50Om A1 A2 K1,K2
KVN DZ23C22 VISH 2xdz Vz=20 В 23 В, 2гг(12=5мА}=550м A1 A2 K1,K2
KVO DZ23C24 VISH 2xdz Vz=22B 25 В, Zzt(Iz=5mA)=BOOm A1 A2 К1 K2
KVP DZ23C27 VISH 2xdz Vz=25 1 28 В Zzt(Iz=2mA)=80Om A1 A2 К1 K2
KVO DZ23C30 VISH 2xdz VZ=28 32B, Zzt(Iz=2mA)=BOOm A1 A2 K1,K2
KVR DZ23C33 VISH 2xdz Vz=31 35B Zzt(Iz-2mA)'80Om Al A2 K1,K2
KVS DZ23C36 VISH 2xdz Vz=34 3BB, Zzt(Iz=2mA)=90Om A1 A2 K1,K2
KVT DZ23C39 VISH 2xdz Vz=37 41B, ZZt(Iz=2mA)=90Om Al A2 К1 K2
KVO DZ23C43 VISH 2xdz V2-40 46B Zzt(Iz=2mA)=1000m A1 A2 K1K2
KW DZ23C47 VISH 2xdz Vz=44 50B Zzt(Iz=2mA)=1000m A1 A2 K1.K2
KVW DZ23C51 VISH 2xdz VZ=4B 54B, Zzt(Iz=2mA)=1000m A1 A2 K1,K2
KYI BZX84C11 VISH dz Vz(Izt=5mA)=10 4 11 6B, Zzt(Izt=5mA)<20Om A nc К
KY2 BZX84C12 VISH dz Vz(Izt=5mA)=1 1 4 12 7B, Zzt(Izt=5mA)<250m A nc К
KY3 BZXB4C13 VISH dz Vz0zt=5mA)=12 4 14 1B, гп(12Т=5мА)<ЗООм A nc К
KY4 BZX84C15 VISH dz Vz(Izt=5mA)=13 8 15 6B, Z^Izt^mAJOOOm A nc К
KY5 BZX84C16 VISH dz Vz(Izt=5mA)=15 3 17 IB, ZZt(IZt=5mA)<40Om A nc К
KY6 BZX84C18 VISH dz Vz(lzr=5MA)=f6 В 19 1B Zzt(Izt-5mA)<450m A nc К
KY7 BZX84C20 VISH dz Vz(Izt=5mA)=18 8 21 2B, Zzt(Izt=5mA)<550m A nc К
KV8 BZX84C22 VISH dz Vz(Izt=5mA)=20 8 23 3B Zzt(Izt=5mA)<550m A nc К
KY9 BZX84C24 VISH dz Vz(Izt=5mA)=22 8 25 6B, 2л(1гт=5мА)<70Ом A nc К
KVA BZXB4C27 VISH dz Vz(Izt=2mA)=25 1 2B 9B, Zzt(Izt=2mA)<80Om A nc к
KYB BZXB4C30 VISH dz Vz(Izt=2mA)=28 0 32 OB, Zzt(Izt=2mA)<BOOm A nc к
KYC BZX84C33 VISH dz Vz(Izt=2mA)=31 0 35 OB, Zzt(Izt=2mA)<800m A nc к
KVD BZXB4C36 VISH dz Vz(Izt=2mA)=33 0 3B OB, Zzt(Izt-2mA)<90Om A nc к
KVE BZX84C39 VISH dz Vz(Izt=2mA)=36 0 41 0B,Zzt(Izt=2mA)<130Om A nc к
KVF BZX84C43 VISH dz Vz{Izt=2mA)=40 0 46 OB ZZt(IZt-2mA)<150Om A nc к
KYG BZX84C47 VISH dz Vz(Izt=2mA)=44 0 50 OB, гп(1гт=2мА)<170Ом A nc к
KYH BZX84C51 VISH dz Vz(Izt=2mA)=48 0 54 OB, Zzt(Izt=2mA)< 1 BOOm A nc к
KZ1 BZX84C4V7 VISH dz Vz(Izt=5mA)=4 4 5 OB, Zzt(Izt=5mA)<80Om A nc к
KZ2 BZX84C5V1 VISH dz Vz(Izt=5mA)=4 В 5 4B, Zzt(Izt-5mA)<60Om A nc к
KZ3 BZXB4C5V6 VISH dz Vz(Izt=5mA)=5 2 6 OB ZZt(Izt=5mA)<40Om A nc к
KZ4 BZX84C6V2 VISH dz Vz(Izt=5mA)=5 8 6 6B, ZZt(IZt=5mA)<1 OOm A nc к
KZ5 BZXB4C6V8 VISH dz Vz(Izt=5mA)=6 4 7 2B, Zzt(Izt=5mA)<1 50м A nc к
KZ6 BZXB4C7V5 VISH dz Vz(Izt=5mA)=7 0 7 9B Zzt{Izt=5mA)<1 50m A nc к
KZ7 BZX84C8V2 VISH dz Vz(Izt=5mA)=7 7 В 9B, Zzt(Izt=5mA)< 150м A nc к
KZS BZX84C9V1 VISH dz Vz(Izt=5mA)=B 5 9 6B, 2гг(1гт=5мА)<150м A nc к
KZ9 BZX84C10 VISH dz Vz(Izt=5mA)=9 4 10 6B, Zzt(Izt=5mA)<20Om A nc к
KZC BZX84C2V7 VISH dz Vz(Izt=5mA)=2 51 2 89B, Zzt(Izt=5mA)<1000m A nc к
143
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
KZD BZX84C3V0 VISH dz Vz(Izt=5 0mA)=2 8 3 2B, Zzt(Izt=5 0mA)<10DOm A DC К
KZE BZXB4C3V3 VISH dz Vz(Izt=5mA)=3 1 3 5B Zzt(Izt=5mA)<950m A DC К
KZF BZX84C3V6 VISH dz Vz(Izt=5mA)=3 4 3 8B, Zzt(Izt-5mA)<950m A nc К
KZG BZX84C3V9 VISH dz Vz(Izt=5mA)=3 7 4 1B, ZZT(lr=5MA)<90OM A nc К
KZH BZX84C4V3 VISH dz Vz(Izt=5mA)=4 0 4 6B Zzt(Izt=5mA)<90Om A nc К
LO HSMP-3B60 HP pm |f<1A Vbr>50B Rs(typ)=3 0OM CD(typ)=O 20пф A nc К
LI BSS65 ZETEX p-n-p Vcbo=’I2B lc= 100mA Pd=330mBt, h2i=40 150 1т>400МГц В E С
L2 HSMP 3862 HP 2xpm lF< 1A Vbr>50B, Rs(typ)=3 OOm, CD(typ)=O 20пф A1 K2 К1А2
L2 BSS69 ZETEX p-n-p Vcbo=-4OB Ic=-100mA Pd=330mBt h2i=50 150 fT>200MFu В E С
L20 CMPD1001 CENTS dih If<250mA Vr=90B Vf(If=10mA)<0 75B Ir<100hA 1йя<50нс, Ст<35пф A nc К
L20 BAS29 PHIL di Vr<90B, If<250mA Vf(If=200mA)< 1 OB Ср<35пф tRR<50 A nc К
L21 CMPD1001S CENTS 2 x dih If<250mA Vr=90B Vf(If-10mA)<0 756 Ir<100hA Irr<50hc Ст<35пФ A2 Kt K2AI
L21 BAS31 PHIL 2xdi Vr<90B, If<250mA Vf(If-200mA)<1 OB Со<35пф Irr<50hc A1 K2 К1А2
122 CMPD1001A CENTS 2xdih If<250mA Vr=90B Vf(If-10mA)<0 75B Ir<100hA tRR<50HC, Ст<35пФ K2 K1 А2А1
122 BAS35 PHIL 2xdih Vr<90B If<250mA Vf(If-200mA)<1 OB С0<35пФ, tRR<50wc K1 K2 А1А2
L2O KSK211 SAMS n FET Vds"1BB, Pd=200mBt Idss->^mA, Qf>9mCm D G S
L3 HSMP 3863 HP 2xpm lF< 1 A, Vbb>50B Rs(typ)=3 OOm, CD|typ)=O 20пф KI K2 А1А2
L3 KST1623L3 SAMS n-p-n VC0o=5OB Ic-100mA Pd=350mBt, h21=60 120 Тт>200МГц В E С
L3 BSS70 ZETEX p n p Vcso=-4OB lc= 100mA Pd=330mBt h21-l00 300 Тт>250МГц В E С
L31 BAV23S PHIL 2xd Vr<200B If<225mA Vf(If=100mA)<1 OB С0<5пф Irr<50hc Al K2 К1 А2
L4 HSMP-3B84 HP 2xpm If<1A Vbr>50B, Rs(typ)—3 OOm CT(typ)=O 20пф A1 A2 К1К2
L4 KST1623L4 SAMS n-p-n Vcbo=5OB, Ic-ЮОмА Pd=350mBt h2|=90 180 1т>200МГц В E С
L4 BAT54 VISH shd VR<30B If<200mA VF{IF=1 OOmA)< 1 OB Ir<2mkA Со<10пФ 1rr<5hc A nc К
L4Z BAT54 ZETEX shd Vr<30B If<200mA Vf(If=100mA)<1 OB Ir<4 OmkA Со<10пф IrR<5hc A nc К
L42 BAT54A PHIL 2xshd Vr<30B If<200mA Vf(If=1mA)<320mB С0<Юпф Irr<5hC K1 K2 А1А2
L42 BAT54A VISH 2xshd Vr<30B If<200mA Vf(If=100mA)<1 OB lp<2 OmkA Со<10пф Irr<5hc KI K2 А1А2
L42 BAT54A ZETEX 2xshd VR<30B If<200mA Vf(If=100mA)<1 OB lB<4 OmkA, Co<1 ОпФ ^<5hc KI K2 klA2
L43 BAT54C PHIL 2xshd Vr<30B 1f<200mA Vf(If-1mA)<320mB Со<10пф 1rr<5hc A1 A2 К1 К2
L43 BAT54B VISH 2x$hd Vr<-30B If<200mA Vf(If-100mA)<1 OB ir<2 0mkA Сс<10пФ W5hc A1 A2 К1К2
143 BAT54C VISH 2xshd VR=30B If-200mA Pd=200mBt 1rr<5hc Al A2 К1К2
L43 BAT54C ZETEX 2xshd Vr<30B 1f<200mA Vf(If= 100mA)<1 OB Ir<4 OmkA Со<10лф tRR<5wc Al A2 К1 К2
L44 BAT54S PHIL 2xshd VR<30B If<200mA Vf(If-1mA)<320mB С0<ЮлФ 1rr<5hc Al K2 К1А2
L44 BAT54S VISH 2xshd Vr<30B If<200mA Vf(If" 100mAJ< 1 OB Ir<2 OmkA Со<10пФ tRR<5HC Al K2 К1А2
L44 BAT54S ZETEX 2xshd VR<30B If<200mA Vf(If=100mA)<1 OB lR<4 OmkA Со<10пФ 1rr<5hc Al K2 К1А2
L4p ВАГ54 PHIL shd VR<30B If<200mA Vf(If=1mA)<320mB Со<10пФ |rr<5hc A nc К
L5 KST1623L5 SAMS n p-n VCbo"50B Ic=100mA Pd=350mBt h21=l35 270 Тт>200МГц В E С
L5 BSS65R ZETEX p-n-p Vcbo= 12B lc= ЮОмА Pd”330mBt h2i=40 150 Н>400МГц В E С
L52 BAS678 PHIL Id Vr<80B If<250mA Vf(If-200mA)<1 OB С0<2пФ Irr<6hc A nc К
► 144
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
L5p BAS55 PHIL fd Vr<60B, If<250mA, Vf(If=200mA)<1 OB, CD<2 5пф Irr<6hc A ПС К
L6 KST1623L6 SAMS n-p n VCbo=5OB Ic=100mA Pd=350mBt, 1^=200 400,fT>200Mlu В Е с
L6 BAR17 SIEM pm Vr<100B If<140mA, Vf(If=100mA)<1 OB lR<0 ОбмкА, CD<0 37пФ A пс к
L6 BSS69R ZETEX p-n-p Vcbo=-4OB Ic=-100mA, Pd=330mBt, h21=50 150, fT> 200МГц В Е с
L7 KST1623L7 SAMS n-p-n Vc8o=5OB, 1с=100мА, Pd=350mBt h2,=300 600 fpZOOMFu В Е с
L7 BAR14-1 SIEM 2xpin Vn<100B, If<140mA, VfOf=100mA)<1 05B lA<0 ImkA Со<О2лф А1 К2 К1,А2
L7 BSS70R ZETEX p-n-p VC8o=-4OB, Ic=-100mA, Po=33OmBt, h2i=100 300 1т>25ОМГц В Е С
L8 BAR15-1 SIEM 2xptn Vr<100B If<140mA,Vf<If=100mA)<1 05B, Ir<0 ImkA, Cd<0 2пФ А1 А2 К1,А2
L9 BAR16-1 SIEM 2xpm VrCIOOB, If<140mA, Vf(If=1 00mA)< 1 05B, Ir<0 ImkA, Cd<0 2пФ К1 К2 А1.А2
LA BF550 SIEM p-n-p Vcbo=-4OB,Ic=-25mA1Pd=28OmBt h2i=50 250Дт=350МГц В Е С
LAp BF550 PHIL p-n-p W-40B Ic=-25mA, Po=25OmBt, h2i>50, fT=325MFu В Е С
LB BF999 SIEM n-MOS VDS^,lo=30MAP(r200MBr,h^l0AB,kss=5 18мАдг=1ВмСм G D S
U) BF543 SiEM n-MOS Vos=20B Id=30mA, Pd=200mBt, Nf=1 0дВ,д,=12мСм G D S
LD BF543 TELEF n-MOS Vps=20B, Id=30mA, Pd=200mBt, 9г70мс, Ros(on)=lOOM G D S
LE BF66O SIEM p-n-p Vcbo=-40B, Ic=-25mA, Pd=280mBt, h2i>30 fT=700MFu В Е с
lEp BF660 PHIL p-n-p Vc80= ЗОВ, Ic=-25mA, Pd=280mBt, h2i=30, fT=650MFu В Е с
LGs BF775A SIEM n-p-n Vc80=25BJc=30MA,PD=280MBT,h2r50 250 1т=5800МГц В Е с
LH BF569 SIEM p-n-p Vcbo=-4OB Ic=-30mA, Рр=260мВт, h2t>20, fT>950MFu в Е с
LHp BF569 PHIL n-p-n Vcbo=35B Ic=30mA, Pd=2S0mBt, h21=50 fT=900MFu в Е с
IK BF799 SIEM n-p-n Vc8o=3OB, Ic=35mA, Pd=260mBt, h21=40 250,1т=1100МГц в Е с
LOs BF775 SIEM n-p-n VC8o=2OB, Ic=30mA, Pd=260mBt h2l=40 250, fT=4500MFu в Е с
LRs BF517 SIEM n-p-n Vc80=20B, Ic=25mA, Po=2S0mBt, h2i=25 250,1т=2000МГц в Е с
LSs BF770A SIEM n-p-n Vcbo=15B, Ic=50mA, Pd=300mBt, h21 >40,1т=5500МГц в Е с
MlJ MMBT2369LT1 MOT n-p-n W40B, Ic=200mA, Pd=300mBt, h2,=40 120 в Е с
М3 KDV173 KEC 2xpm Vr=50B, Ir=O 1mkA, Ct=0 25пФ, Rs<7 OOm А1 К2 К1А2
М3 KSTB12M3 SAMS p-n-p VCbo=-5OB Ic=-100mA, Pd=350mBt, h2]=60 120 В Е С
M3A MMBTH24LT1 MOT n p-n Vcbo=4OB Ic=50mA, Po=3OOmBt, h2i>30 Ь>400МГц в Е с
M38 MMBT918LT1 MOT n p-n Vcbo=3OB, Ic=50mA, Pq=300mBt h2i>20, fy>600Mrp в Е с
M3J MMBTH69LT1 MOT p-n-p VCbo=-15B Po=300mBt h2,=30 300, fT>2000MFu в Е с
M4 KST812M4 SAMS p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-100mA Pd=350mBt, h2l=90 180 в Е с
M5 KST812M5 SAMS p-n-p Vcso=-5OB, Ic=-100mA, Pd=350mBt, h2i=l35 270 в Е с
M6 KST812M6 SAMS p-n p Vcbo=-5OB, Ic=-100mA, Pd=350mBt, h2i=200 400 в Е с
M6 BSS66 ZETEX n-p-n VC80=60B Ic=100mA, Pd=330mBt, h2l=50 150, fT>250MFp в Е с
M7 KSTB12M7 SAMS p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-100mA, Pd=350mBt, h2,=300 600 в Е с
M7 BSS67 ZETEX n p-n Vcbo=60B 1с=1ООмА,Ро=ЗЗОмВт,Ь21=1ОО 300 fT>300MFu в Е с
M6 BSS66R ZETEX n-p-n Vcbo=6OB, Ic=100mA, Po=33OmBt h21=50 150, fr>250Mrq в Е с
M9 BSS67R ZETEX n-p-n Vcbo=6OB, Ic=100mA, Pd=330mBt, h2l=l00 300, fT>300MFu в Е с
MA FMMTA06R ZETEX n-p-n Vcbo=8OB, Ic=500mA, Pd=330mBt, h2l >50, fT>100MFu в Е с
145
8-1375
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
MB FMMTA56R ZETEX p-n-p VCbo=-80B, Ic=-500mA, Pd=330mBt, h21 >50 fT>100МГц В Е С
MC ZVN3306F ZETEX n-MOS Vds=60B, 1р=150мА, Рр=330мВт, дг=100мСм RDs(on)=5OM G S D
MCs BFS17P SIEM n-p-n VCeo=25B, Ic=25mA, Pd=280mBt, h2i =20 150, 1т=2500МГц В Е С
MF ZVN3310F ZETEX n-MOS Vds=100B, 1р=100мА, Рр=330мВт, др=150мСм RDS(on)=5OM G S 0
ML ZVP3306F ZETEX p-MOS Vos=-60B, Id=90mA, Рр=330мВт, др=25мСм, RDS(on)=BOOM G S D
MR ZVP3310F ZETEX p-MOS Vds='100B, Io=45mA, Pd=330mBt, др=В0мСм, Rps(on)=14OM G S D
MT ZVP132OF ZETEX p-MOS Vps=-200B, Id=35mA, Pd=330mBt др=150мСм, Rps(on)=2 50м G S D
MU ZVN3320F ZETEX n-MOS Vds=2OOB, Id=80mA, Pd=330mBt дР=100мСм, RDS(on)=10OM G S D
MV BS170F ZETEX n-MOS Vps=60B Id=150mA, Pd=330mBt G S D
MX BS250F ZETEX p-MOS Vps=-45B, 1р=90мА, Рр=330мВт, др=200мСм, Rps<on)=5OM G S D
MY VN10LF ZETEX n-MOS Vps=60B, 1ц=1 50mA, Pd=330mBt G S D
MZ ZVN4106F ZETEX n-MOS Vps=60B, 1р=200мА, Рр=330мВт, д₽=75мСм, RDs(on)=250M G S D
N BAV70 VISH 2xdi Vr<70B If<300mA, VfOf= 1 50mA)< 125B, Ir<5 OmkA, Cd<4 ОпФ, Irr<6hc A1 А2 KI К2
NO TN0200T SIL n-MOS Vps=20B, 1р=730мА, Рр=350мВт, Idss=B 20mA, д^=4мСм G S D
N1 TN0201T SIL n-MOS Vps=20B, 1р=390мА, Pd=350mBt, дР=450мСм, Rps(on)=0 750м G S D
N12 TMPT2221 ALLEG n-p-n VCbo=6OB, ICBo< 1 OhA, h2]=40 120, VCE(sat)<0 4B, fT>250MTu В Е С
N3 KDV152S KEC bd Vr-1 5B, Ir=50hA, Сгу=45пФ, Сзу-26пФ, r$< 0 30м A пс К
N54 TMPT2221A ALLEG n-p-n Vcbo=75B, ICbo< 10hA, h2i=40 120, VCE(sat)<0 3B, fT>250MTu В Е С
NA FMMTA05R ZETEX n-p-n VCbo=60B, Ic=500mA, Pd=330mBt, h2l >50,1т>Ю0МГц В Е С
NB BF599 SIEM n-p-n VCbo=4OB, Ic=25mA, Pd=2B0mBt h21>38, fT=550MTu В Е С
NB FMMTA55R ZETEX p-n-p Vcbo=-60B, Ic=-500mA, Po=330mBt, h2l >50,1т>Ю0МГц В Е С
NC BF840 CDIL n-p-n Vcbo=40B Ic=25mA, Pq=2B0mBt, h2i=65 220, ^>ЗВ0МГц В Е С
NC BF840 SIEM n-p-n Vcbo=4OB, Ic=25mA, Pd=2B0mBt, h2i=65 220, ^=ЗВ0МГц В Е С
NCp BF840 PHIL n-p-n Vcbo=4OB, Ic=25mA, Po=250mBt, lb=4 5 15мкА ^ЗВОМГц В Е С
ND BF841 CDIL n-p-n Vcbo=4OB, Ic=25mA, Pd=280mBt, h2l=35 125, Тт>ЗВ0МГц В Е С
ND BFB41 SIEM n-p-n Vcbo=4OB, Ic=25mA, Pd=2B0mBt h21=35 125^т=ЗВ0МГц В Е С
NDp BFB41 PHIL n-p-n VCbo=4OB Ic=25mA, Pd=250mBt, |Ь=В 28mkA, fT=3B0MFu В Е С
NS TN0200TS SIL n-MOS Vds=2OB Id=1200mA, ^j=1000mBt, др=2200мСм, Ros(on)=0 40м G S D
P BAW56 VISH 2xdi Vr<70B 1р<300мА, VfOf=150mA)<1 25B, Ir<5 OmkA, Cq<4 ОпФ, 1rr<6hc К1 К2 А1,А2
PO TP0101T SIL p-MOS Vds=-20B, Iq^OOmA, Pd=350mBt; др=1300мСм, Rps(on)=0 650м G S D
P«1 PDTA143ET PHIL D-p-n-p Vcbo='5OB, Ic=-100mA, Pd=250mBt, h2i >20 В Е С
pO2 PDTC143ET PHIL D-n-p-n Vcbo=5OB, Ic=100mA, Pd=250mBt, h2l >20 В Е С
pO3 PDTA114ET PHIL D-p-n-p Vcbo=-50B, Ic=-50mA, Pd=250mBt, h2j >30 В Е С
p04 PDTC114ET PHIL D-n-p-n VC8o=5OB, Ic=50mA, Pd=250mBt, h21 >30 в Е С
pO6 PDTA124ET PHIL D-p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-30mA, Pd=250mBt, h21 >56 в Е С
p06 PDTC124ET PHIL D-n-p-n Vcbo=50B, Ic=30mA, Pq=250mBt, h2t >56 в Е С
pO7 PDTA144ET PHIL D-p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-100mA, Pd=250mBt, h2l >6B в Е С
pOB PDTC144ET PHIL D-n-p-n Vcso=50B, Ic=30mA, Pq=250mBt, h2i >6B в Е С
► 146
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
p09 PDTB114ET PHIL p-n-p VCbo=-50B Ic=-500mA, Pd=250mBt h2i>56 В Е С
PI SST201 SIL n-FET Vds=40B Pd=350mBt, Iqss-0 2 1mA, gp=O 5mCm D S G
plO PDTD114ET PHIL D-n-p-n Vcbo-SOB , Ic=500mA, Pd=250mBt, h2i>56 В Е С
p1 A PMBT3904 PHIL n-p-n Vcbo=6OB, Ic=200mA, Pd=250mBt, h2t=l00 300,1г>300МГц В Е С
pl В PMBT2222 PHIL n-p-n VCbo=60B, Ic=B00mA, Po=250mBt, h2i=lOO 300, 7т>250МГц В Е с
plD РМВТА42 PHIL n-p-n Vcbo=3OOB, Ic=500mA, Pd=250mBt, h2l>40, fT>50MFu В Е с
plE PMBTA43 PHIL n-p-n VCbo=200B, Ic=500mA, Po=250mBt h2, >40, fT>50MFu В Е с
piF РМВТ5550 PHIL n-p-n VCbo=16OB Ic=600mA, Pd*250mBt h2i=B0 250,fT=100 300 В Е с
plG PMBTA06 PHIL n-p-n Vcbo=8OB Iq=500mA, Pd=250mBt, h2i>50, ^>100МГц В Е с
pIH PMBTA05 PHIL n-p-n Vcbo=60B, Ic-500mA, Pd=250mBt, h2,>50, fT> 100МГц в Е с
plJ PMBT2369 PHIL n-p-n Vcbo^OB, Ic=500mA, Po=25OmBt, h2i=40 120 в Е с
pIK PMBT642B PHIL n-p-n VCbo=60BJc=2OOmA,Pd=25OmBt, h2i=250 650Jt=100 700МГц в Е с
pit PMBT6429 PHIL n-p-n Vcbo=55B Ic=200mA,Pd=250mBt h21=500 1250 fT=100 700МГц в Е с
р1М PMBTA13 PHIL n-p-n Vcbo=30B, Ic=300mA, Pd=250mBt, h2i>5000, fj>125МГц в Е с
plN PMBTA14 PHIL n-p-n Vcbo=30B, 1c=300mA, Рр=250мВт, h2i >10000, ^т>125МГц в Е с
pIP РМВТ2222А PHIL n-p-n Vcbo=75B, |с=600мА, Pd=250mBt 1i21=100 300, f-рЗООМГц в Е с
plQ PMBT50B8 PHIL n-p-n Vcbo=3OB Ic=50mA, Pd=250mBt h21=350 1400 в Е с
P2 BFR92ALT1 MOT n-p-n VCso=2OB Ic=25mA, P0=273mBt, ^,>40. ^ООМГц в Е с
P2 SST202 SIL n-FET Vns^AOB, Pd=350mBt, lps$=O 9 4 5mA, Qf=1mCm D S G
p2A РМВТ3906 PHIL p-n-p Vcbo=-4OB Ic=-200mA, Pd=250mBt, h2i=lOO 300, fT>250Mrp В Е с
p2B PMBT2907 PHIL p-n-p Vcbo='6OB, Ic=-600mA, Pq=250mBt, h2i >30,1у>200МГц в Е с
p2D РМВТА92 PHIL p-n-p Vcbo=-3OOB, Ic=-500mA, Pd=250mBt, h21 >40, fT>50MFu в Е с
p2E РМВТА93 PHIL p-n-p Vcbo=-200B Ic=-500mA, Po=250mBt, h2i>40, fT>50MFq в Е с
p2F PMBT2907A PHIL p-n-p Vcbo=’60B Ic=-600mA, Pd=250mBt, h2i>50, fT>200MRj. в Е с
p2G PMBTA56 PHIL p-n-p Vcbo=-80B, Ic=-5Q0mA, Po=25OmBt, h2T>50, fT>50Mru в Е с
p2H РМВТА55 PHIL p-n-p Vcbo=-6OB, Ic=-500mA, Pd=250mBt, h2, >50, (т>50МГц в Е с
pa. PMBT5401 PHIL p-n-p VCbo=-160B Ic=-500mA,Pd=250mBt h2i=60 240,fr=100 300МГц в Е с
p2T РМВТ4403 PHIL p-n-p VCbo=-4OB, Ic=-600mA, Pd=250mBt h2i=100 300,7т>2ООМГц в Е с
p2U РМВТА63 PHIL p-n-p Vcbo=-30B, Ic=-500mA, Pd=250mBt h21 >5000, fT> 125МГц в Е с
p2V PMBTA64 PHIL p-n-p VCbo=-30B, Ic=-500mA, Pd=250mBt, h21>10000, fT> 125МГц в Е с
p2X PMBT4401 PHIL n-p-n Vcbo=40B, Ic=600mA, Po=250mBt, h2i=lOO 300, fT>250Mru в Е с
P3 TPO202T SIL p-MOS Vos=-20B, Iq=410mA, Pd=350mBt, дг=600мСм, Ros(on)=0 90м G S D
P4 SST204 SIL n-FET Vqs=25B Pd=350mBt, lpsssO 2 ЗмА, 9f=0 5mCm о S G
p4F PMBD353 PHIL 2xshd Vr<4B, If<30mA, VfOf=10mA)<600mB, С0<1пФ К1 А2 А1.К2
P5 FMMT2369A ZETEX n-p-n VCbo=40B, Ic=200mA, Pd=330mBt h2,=40 120 в Е С
p5A PMBD6050 PHIL Id Vr<70B If<215mA,Vf(If=150mA)<1 25B Ir< 100hA, Cd<1 5пФ 1йй<4нс А ПС К
p5B PMBD6100 PHIL 2xfd Vr<70B,If<215mA,Vf(If=100mA)=085 11B, Ir< 100hA,Cd<1 5пФ 1вд<4нс А1 А2 К1.К2
pSC PMBD7000 PHIL 2xfd Vr<100B K215mA Vf(If=100mA)=075 1 25B,Ir<500hACd<1 5пФ Irr<4hc | A1 К2 <i,a;
147
SOT-23, SOD-23
1:1
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
p6D PMBD914 PHIL fd Vr<70B, If<215mA,Vf(If=150mA)<1 25B Io6p< ImkA Cq<1 5пФ Irr<4hc А ПС К
p5G PMBD352 PHIL 2xshd Vr<4B, If<30mA, VHIf=10mA)<600mB, С0<1пФ А1 К2 К1Д2
pBA PMBZ5226B PHIL dz Vz(Izt=20mA)=33B, Il(Vr=1 0B)<25mkA 2гт(1п=20мА)<16000м Izm=200mA А ПС К
p88 PMBZ5227B PHIL dz Vz(Izt=20mA)=36B, Il(Vr=1 0B)<15mkA 2гт|1л=г0иА)<1700Ом Izu=200mA А ПС к
p8C PMBZ5228B PHIL dz Vz(Izt=20mA)=3 9B, Il(Vr=1 0B)<10mkA ггт(1г=20мА)<19000м,12М=200мА А ПС к
p8D PMBZ5229B PHIL dz Vz(ln=20MA)=43B, Il(Vr=1 0B)<5mkA, Zzt(Izt=20mA)<20000m Izm=200mA А ПС к
p8E PMBZ5230B PHIL dz Vz(lr=20MA)=4 7B, Il(Vr=1 0B)<5mkA, Zzt(IZt=20mA}<20000m, Izm=200mA А ПС к
p8F PMBZ5231B PHIL dz Уг^гОмА^ 1В, Il(Vr=2 0B1<5mkA, Zzt(IZt=20mA)<20000m, Izm=200mA А ПС к
p8G PMBZ5232B PHIL dz Vz(Izt=20mA)=5 68, Il{Vr=3 0B)<5mkA, Zzt(Izt=20mA)< 16000m, Izm=200mA А ПС к
p8H PMBZ5233B PHIL dz VzOct=20mA)=5 OB, Il(Vr=3 5B)<5mkA, Zzt(Izt=20mA)< 16000m, Izm=200mA А ПС к
pSJ PMBZ5234B PHIL dz Vz(Izt=20mA}=6 28, Il(Vr=4 0B)<5mkA, Zzt(IZt=20mA)<10000m, Izm=200mA А ПС к
p8K PMBZ5235B PHIL dz Уг(1п=20мА)=6 8B, Il(Vft5 0B)<3mkA, Zct(Izt=20mA)<7500m Izm=200mA А ПС к
p8L PMBZ5236B PHIL dz Уг(1п=20мА)=7 5B, Il(Vr=6 0B)<3mkA, Zzt(IZt=20mA)<5000mi Izm=200mA А ПС к
ЭЗМ PMBZ5237B PHIL dz Vz(Izt=20mA)=8 2B, Il(Vr=6 5B)<3mkA Z^I^ZOmA^SOGOm Izm=200mA А ПС к
p8N PMBZ5238B PHIL dz Vz(ln=20uA)=8 7B, Il(Vh=6 5B)<3mkA Znfa'ZOuAlzmOx Izm=200mA А ПС к
p8P PMBZ5239B PHIL dz Уг(1п=20мА)=9 IB, Il(Vr=70B)<3mkA г^гОмА^бОООм Izm=200mA А ПС к
p8Q PMBZ5240B PHIL dz Vz(Izt=20mA)=10B,Il(Vr=8 0B)<3mkA гп(12т=20мА)<6000м Izm=200mA А ПС к
p8R PMBZ5241B PHIL dz УгОл=20мА}=1 IB,Il(Vr=84В)<2мкА гп(1п=20мА)<6000м Izm=200mA А ПС к
pSS PMBZ5242B PHIL dz Vz(Izt=2OmA)=12B, Il(Vr=9 1B)<1mkA, ^(^гОмА^бОООм 1гм=200мА А ПС к
p8T PMBZ5243B PHIL dz Vz(Izt=9 5мА)=13В, Il(Vr=9 9B)<0 5mkA, 2^=9 5mA)<6000m, Izm=200mA А ПС к
p8U PMBZ5244B PHIL dz Vz(Izt=90mA)=14B, Il(Vr= 10B)<O ImkA, Zzr(ln=9 OmA)<6000m, Izm=200mA А ПС к
p8V PMBZ5245B PHIL dz Vz(Izt=8 5мА)=15B, Il(Vr=1 1 B}< 01 мкА, Zzt(Izt=8 5mA)<6000m, Izm=200mA А ПС к
p8W PMBZ5246B PHIL dz Vz(Izt=78mA)=16B, Il(Vr=12B)<0 ImkA Zct(Izt=7 8мА)<6000м, 1д^=200мА А ПС к
p8X PMBZ5247B PHIL dz W74mA)=17B, Il(Vft13B)<0 ImkA Zn( 1^=7 4мА)<бОООм, Izm=200mA А ПС к
p8Y PMBZ5248B PHIL dz Vz(ln=7 0мА)=1 BB, Il(Vr=148)<0 ImkA, гп(1гт=7 ОмА)<бОООм, Izm=200mA А ПС к
p8Z PMBZ5249B PHIL dz Vz(Izt=€ 6мА)=19B, Il(Vr=14B)<0 ImkA, ZzHIzt=66mA)<6000m, Izm=200mA А ПС к
P9 BCX70KR ZETEX n-p-n Vceo=45B 1с=200мА,Рр=330мВт,Г121=38О 630, fT>250Mfu В Е с
p9A PLVA650A PHIL dz Уг(1п=250мкА}=4 8 5 2B, Il(Vr=O 8*Vz )<20mkA, г^гбОмкА^ТОООм, 1дг250мА А ПС к
p9B PLVA653A PHIL dz Уг(1п=250мкА)=51 5 5B, WM 8*VZ )<5мкА, Zzt<Izt=250mkA)<2500m ^ЗбОмА А ПС к
p9C PLVA65BA PHIL dz Vz(Izt=250mkA)=5 4 5 88, Il(Vr=O 8*VZ )< ImkA, г^ЗбОмкАК 10ООм, Izm=250mA А ПС к
p9D PLVA659A PHIL dz Уг(1п=250мкА)=5 7 6 IB, Il(Vr=O 8*Vz )<500hA, ZzHIzt=250mkA)<1 OOOm, Izm=250mA А ПС к
P9E PLVA662A PHIL dz Vz(Izt=250m«A)=6 0 6 48, Il(Vr=O 8*Vz )< IOOhA, ZzHIzt=250mkA)<ЮООм, Izm=250mA А ПС к
p9F PLVA665A PHIL dz Vz(Izt=250mkA)=6 3 6 78, Il(Vr=O 8*Vz )< 50hA ZzH 1д=250мкА)< 10ООм, Izm=250mA А ПС к
p9G PLVA668A PHIL dz Уг(1гг250мкА)=6 б 708, Il(Vr=O 8*Vz )< 10нА, 2^1д=250мкА|<1000м, Izm=250mA А ПС к
p9J PLVA2650A PHIL 2xdz Уг(1гг250мкА)=48 52В,lt(VR=08*Vz)<20McA,ZzHlzr=250MKA)<7000M, 1дл=250мА К1 К2 А1,А2
p9K PLVA2653A PHIL 2xdz Уг(1гт=250м«А)=51 55ВДМ^г)<5мкА,2Ы1гг=25()мкА)<250()м,1гМ=^ К1 К2 А1,А2
ря. PLVA2656A PHIL 2xdz Уг(1гт=250мкА)=5 4 5 88, I<.(Vr=0 8*VZ }< 1 мкА, ZzHtr=250M«A)<1000м, 1дг250мА К1 К2 А1,А2
ФМ PLVA2659A PHIL 2xdz \у1гт=250мкА)=57 618,Ii(Vr=08*Vz)<500нА,ггт<1д=250мкА)<1000м 1дг250мА К1 К2 А1,А2
► 148
SOT-23, SOD-23
1:1
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
p9N PLVA2662A PHIL 2xdz VzOzt’250mkA)=60 64B Il{Vr=08*VZ)< 1Q0HA,Zz^Izt=250mkA)<1000m,Izm=250mA K1 К2 А1А2
p9O PLVA2665A PHIL 2xdz ^=2501^=63 67B iL(VR=08,Vz)<50HA,ZZT<lzr=250MKA)<l00OM 1дг250мА Kt К2 А1,А2
p9P PLVA2668A PHIL 2xdz V2(Izt=250mkA)=6 6 70S UVr=0 8*VZ)< 10нА Ш=25Ш|<1000м 1дг250мА KI К2 Af,A2
PA BA885 SIEM pm VR<50B, If<50mA, VHIf=50mA)<1 1Вt Ir<0 05mkA, Co<0 4пФ A пс К
pA2 PMBD2836 PHIL 2xfd Vr<75B If<21 5mA, Vf(If=150mA)<1 25B, 1R< 100нА, Cd<2 5пФ, tw<4nc K1 К2 А1 А2
pA3 PMBD2B35 PHIL 2xfd Vr<35B, If<2 15mA, Vf(1f= 1 50mA)< 1 25B, lR< 10ОнА, Cd<2 5пФ; 1да<4нс K1 К2 А1,А2
pA5 PMBD2B37 PHIL 2xfd Vr<308, If<215mA, Vf(If=150mA)<1 25B, Ir< 1 OOhA, Cd<2 5пФ, Irr<4hc Al А2 К1,К2
pA6 PMBD2838 PHIL 2xfd Vn<50B, If<215mA. Vf(If=1 50mA|< 1 25B, lB< IOOhA Cd<2 5пФ 1rb<4hc A1 А2 К1,К2
PC BA8B6 SIEM pin Vr<50B, lf<50мA, Vf(If=50mA)< 1 15B, Ib<0 05mkA, Cd<0 2пФ A пс К
PDs BA887 SIEM pm VB<50B, If< 100mA, Ib<0 02mkA, Cd<0 27пФ A пс К
pGI РМВТ5551 PHIL n-p-n Vceo=l8OB, Ic=600mA, Pd=250mBt, h21=B0 250, fT=lOO 300 В Е с
»Ms BAR66 SIEM 2xpm Vr< 150B, If<200mA, Vf(If=50mA)<1 2B, CD<0 35пФ Al К2 К1.А2
p04 PMSS3904 PHIL n-p-n Vc8o=6tB, Ic=200mA, Pd=300mBt, 1^=100 300 1т>180МГц В Е К
P06 PMSS3906 PHIL p-n-p VC8o=-4OB, Ic=-200mA, Pd=200mBt, h2l=100 300, fT> 150МГц В Е С
POs BAR64 SIEM pm Vr<200B, lF< 1 00mA, Vf(If=50mA)<1 1B, Cd<0 35пФ A пс к
PPs BAR64-04 SIEM 2xpm Vr<200B, If< 100mA, Vf(If=50mA}< 1 1В, CD<0 35пф A1 К2 К1,А2
PRs BAR64-05 SIEM 2xpm V„<2OOB, If<100mA, Vf(If=50mA)<1 1В, CD<0 35пФ A1 А2 К1.А2
PS TPO1O1TS SIL p-MOS Vk=-20B, Icr 1000mA, Рр=1000мВт; др=1300мСм, Ro$(on)=0 650м G S D
PSs BAR64-06 SIEM 2xpm Vr<200B, If<100mA, Vf0f=50mA)< 1 IB, CD<035пф KI К2 А1.А2
R01 KSR1101 SAMS D-n-p-n Vcbo=50B, 1с=Ю0мА Рр=200мВт h2i>20,1т>250МГц В Е С
R02 KSR1102 SAMS D-n-p-n Vcbo35OB, Ic=100mA, Pd=200mBt, h2,>30,1т>250МГц В Е С
R03 KSR1103 SAMS D-n-p-n VCbo=50B, Ic=100mA, Pd=200mBt, h2I >56,^>250МГц В Е С
R04 KSR1104 SAMS D-n-p-n Vcbo=5OB, Ic=100mA, Pd=2OOmBt, h21 >6B, 7т>250МГц В Е с
R05 KSR1105 SAMS D-n-p-n Vcbo=5OB, lc= 1 00mA, Рр=200мВт, h2i>30,Гр>250МГц В Е с
ROS KSR1106 SAMS D-n-p-n Vcbo=5OB, lc=1 00mA, Pd=200mBt n2, >68, fT>250MГц В Е с
RO7 KSR1107 SAMS D-n-p-n Vceo=50B, Ic=100mA, Pq=200mBt, h2j>6B, 1т>250МГц В Е с
ROS KSR110B SAMS D-n-p-n Vcbo=5OB, Ic“100mA, Рр=200мВт h2,>56,1р>250МГц В Е с
R09 KSR1109 SAMS D-n-p-n Vcbo=4OB, Ic=100mA, Pd=200mBt, h2l=lOO 600,1т>250МГц В Е с
R1 TN2010T SIL n-MOS Vds=200B ID=i20mA, Pd=360mBt дР=300мСм, RDS(on)=9 50m G S D
RIO KSR1110 SAMS n-p-n VCbo=40B, Ic=’00mA, Po=200mBt, h2I=lOO 600,1т>25ОМГц В Е С
R11 KSR1111 SAMS n-p-n Vcbo=4OB, Ic”100mA, Рр=200мВт, П21=100 600,1т>250МГц В Е С
R12 KSR1112 SAMS n-p-n Vc80=40B Ic=100mA, Pd=200mBt, h2,=100 600,1т>250МГц В Е С
R13 KSR1113 SAMS D-n-p-n Vcbo=5OB, Ic=100mA, Pd=300mBt, h2i >56, Ь>250МГц в Е с
R14 KSR1114 SAMS D-n-p-n Vcbo=5O8, lc" 100mA, Po=300mBt, h21 >68 1г>250МГц в Е с
RIA SST3904 ROHM n-p-n Vcbo=6OB, Ic=200mA, h2l=100 300 1т>300МГц в Е с
RIA MMBT3904 VISH n-p-n Vcbo=6OB Ic=100mA Pd=200mBt h2)=lOO 300, fT>300МГц в Е с
RIB SST2222 ROHM n-p-n Vcbo=6OB Ic=600mA, h2i=lOO 300,1у>250МГц в Е с
?1C SST113O ROHM n-p-n Vcbo=3OB, Ic=200mA, h2i=f20 360 в Е с
149
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
R1C SSTA20 ROHM n-p-n VCbo=4OB Ic=200mA h2i>120, fT>125MFu В Е С
R1G SSTA06 ROHM n-p-n Vcbo=8OB, Ic=500mA, h2! >100, fT> 100МГц В Е с
R1G MMBTA06 VISH n-p-n VCbo=80B, Ic=300mA, Po=350mBt, h2i>50 1т>100МГц В Е с
RIH SSTA05 ROHM n-p-n Vcbo=6OB, Ic=500mA, h2j >100, f-рЮОМГц в Е с
RIH ММВТА05 VISH n-p-n Vcbq=60B, Ic=30mA, Po=350mBt h2,>50,1т>100МГц в Е с
R1J SST6427 ROHM n-p-n Vcbo=4OB, Ic=500mA, h21=20000 200000 в Е с
R1K SST6428 ROHM n-p-n Vcbo”6OB Ic=200mA h2i=250 650,1т>100МГц в Е с
RIM SSTA13 ROHM n-p-n Vcbo=3OB, Ic=500mA, h21>10000, fT>125МГц в Е с
RIM MMBTA13 VISH n-p-n Vcbo=3OB, Ic=300mA, Рр-350мВт, h2f>10000 fy>125МГц в Е с
RIN SSTA14 ROHM n-p-n VCbo=3OB, Ic=500mA, h2i >20000, Ь>125МГц в Е с
RIN MMBTA14 VISH n-p-n VCbo=3OB, Ic=300mA, Pd=350mBt, h21 >20000, h>125МГц в Е с
RIP SST2222A ROHM n-p-n Vcbo=75B, Ic=600mA, h2,=100 300,1т>250МГц в Е с
RIP MMBT2222A VISH n-p-n VCbo=5OB, Ic=800mA Pd=200mBt h2i=100 300,1т>200МГц в Е с
RIO SST5088 ROHM n-p-n VCbo=35B Ic=200mA, h2l=300 900Л>50МГц в Е с
R1R SST5089 ROHM n-p-n VCbo=3OB Ic=200mA, h2i=400 1200, fT>50MFu в Е с
R2 BFR93ALT1 MOT n-p-n Vqbo=15B, Ic=35mA, Pd=306mBt, h2, >40 fr>3000MFu в Е с
R2A SST3906 ROHM p-n-p VCbo=-4OB, Ic=-200mA h2l=l00 300,1т>250МГц в Е с
R2A MMBT3906 VISH p-n-p Vqbo='4OB, Ic=-100mA, Pd=200mBt, h2,=100 300,1у>250МГц в Е с
R2B SST2907 ROHM p-n-p VCbo=-60B, Ic=-600mA h2l=100 300,1т>200МГц в Е с
R2C MMSTA70 ROHM p-n-p VCbo=-6OB, Ic=-200mA, h2,=l60 400, fT>125МГц в Е с
R2F SST2907A ROHM p-n-p Vcbo=’6OB, Ic=-600mA, h2,=l00 300,1у>200МГц в Е с
R2G SSTA56 ROHM p-n-p VCbo=-8OB, Ic=-500mA, h2l > 100, Ь>50МГц в Е с
R2H SSTA55 ROHM p-n-p Vcbo=-60B, Ic=-500mA, h2i >100,1т>50МГц в Е с
R2K MMST8598 ROHM p-n-p Vcbq=-60B, Ic=-200mA, h21=100 300, fT>150МГц в Е с
R2P MMST5086 ROHM p-n-p Vcbq=-50B, Ic=-200mA, h21=150 500,1т>40МГц в Е с
R2Q MMST5087 ROHM p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-200mA, h2i=250 800,1т>40МГц в Е с
R2s BFR93A SIEM n-p-n VCbo=2OB, Ic=50mA, Pd=300mBt, h2i=50 200, Ь=5500МГц в Е с
R2T SST4403 ROHM p-n-p VCbo=-40B, Ic=-600mA h21=l00 300 fT>200MFu в Е с
R2T MMBT4403 VISH p-n-p Vcbo""40B, Iq=-800mA Pq=200mBt h2i=100 300, fy>200МГц в Е с
R2U SSTA63 ROHM p-n-p VCbo=-3OB, Ic=-300mA, h2l >5000, fT> 125МГц в Е с
R2V SSTA64 ROHM p-n-p Vceo=-3OB, Ic=-300mA, h2l >10000, fT> 125МГц в Е с
R2X SST4401 ROHM n-p-n VCbo=6OB, Ic=600mA, h21=l00 300,1т>250МГц в Е с
R2X MMBT4401 VISH n-p-n Vcbo=8OB, Iq=800mA, Р[)=200мВт h2i=100 300,1у>200МГц в Е с
R2Z SST4400 ROHM n-p-n VCbo=6OB, Ic=600mA, h2l =50 150,1т>200МГц в Е с
R51 KSR2101 SAMS D-p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-100mA, Po=200mBt h2l>20,fT>250MFu в Е с
R52 KSR2102 SAMS D-p-n-p Vceo=-50B, 1с=-100мА, Рр=200мВт h2|>30, Г[>250МГц в Е с
R53 KSR2103 SAMS D-p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-100mA, Pd=200mBt, h2|>56, fy>250МГц в Е с
R54 KSR2104 SAMS D-p-n-p Vcbo=-50B, Ic=-100mA, Pd=200mBt, h2|>68,1т>250МГц в Е с
150
SOT-23, SOD-23
1:1
Код Типономинал Фирма Функции Особенности Цоколевка
1 2 3
R55 KSR2105 SAMS D-p-n-p Vcbo='5OB, Ic=-100mA, Pd=200mBt, h2i>30, 1т>250МГц В Е С
R56 KSR2106 SAMS D-p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-100mA Pd=200mBt, h21 >68, fT>250MFu В Е с
R57 KSR2107 SAMS D-p-n-p Vcbo=-5OB, 1с=-100мА Рр=200мВт h2i>68, ^>250МГц В Е с
R58 KSR2108 SAMS D-p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-100mA, Pd=200mBt, h21 >56,1т>250МГц в Е с
R59 KSR2109 SAMS p-n-p VCbo=-4OB, Ic=-100mA, Po=200mBt, h21=100 600, 1т>250МГц в Е с
Я 60 KSR2110 SAMS p-n-p Vcbo=-40B, Ic=-100mA Pd=200mBt, h21=100 600Л>250МГц в Е с
R61 KSR2111 SAMS p-n-p VCbo=-4OB, lc=-1 00mA, Pd=200mBt, h2i=100 600, fT>250MFu в Е с
R62 KSR2112 SAMS p-n-p VCbo=-40B, Ic=-100mA, Pd=200mBt, h2i=100 600, fT>250MFu в Е с
R63 KSR2113 SAMS p-n-p Vcbo=‘5OB, Ic=-100mA, Рр=300мВт, h2, >68,1т>250МГц в Е с
R64 KSR2114 SAMS p-n-p Vcbo="5OB, Ic=-100mA, Pd=300mBt, h2|>68,1т>250МГц в Е с
R65 SSTA65 ROHM p-n-p VCbo=-3OB, lc= 300mA, h2l >50000, fT>lOOMFu в Е с
R7s BFR106 SIEM n-p-n VCbo=2OB, lc= 1 00mA, Pd=700mBt, h2l=25 250, fT=5000MFu в Е с
R97 SSTTIS97 ROHM n-p-n Vcbo=6OB, Ic=200mA, h2l=250 700 в Е с
RA1 BAW56 VISH 2xsd Vr-100B, If=300mA, Pq=350mBt, tpjR<6HC К1 К2 А1А2
RA4 BAV70 VISH 2xsd Vr=100B, If=300mA, Pd=350mBt 1rr<6hc А1 А2 К1,К2
RA6 BAS16 VISH shd Vr=100B, If=500mA, Pd=350mBt 1rr<4hc А пс К
RA7 BAV99 VISH 2xsd VR= 10OB, If=300mA Pd=350mBt, tRR<6nc А1 К2 К1.А2
RAB MMBD4448 VISH shd Vr=100B, If=500mA, Pq=350mBt 1rr<4hc А ПС К
RAF SSTA29 ROHM n-p-n VCbo=1OOB, Ic=500mA h2l>10000 1т>125МГц в Е С
RAs BFQ81 SIEM n-p-n Vcbo=25B, Ic=30mA, Pd=280mBt, h2i=50 200, f-[=5800MFu в Е с
RAT SSTA28 ROHM n-p-n Vcbo=8OB, Ic=500mA, h2i >10000,1т>125МГц в Е с
RAV BAS16 VISH shd Vr=100B, If=500mA, Pd=350mBt, tRR<4HC А ПС к
RBA BAV99 VISH 2xsd Vr~ 10OB, If=300mA, Po=350mBt, 1rr<6hc А1 К2 К1,А2
RBQ SST7208 ROHM n-p-n VCbo=6OB, Ic=100mA, h2l >100 Ь>180МГц В Е С
RBR SST6838 ROHM n-p-n Vcbo=5OB Iq=200mA h2i>l00 1у>50МГц В Е С
RBs BF771 SIEM n-p-n VC0o=2OB, Ic=80mA Pd=580mBt h2l=50 200,fT=8000MFu В Е С
RCs BFR193 SIEM n-p-n VCB0=20B, Ic=80mA, Pd=580mBt h21=50 200 fT=8000MFu В Е С
RDs BFR180 SIEM n-p-n VCbo=1OB Ic-4mA, Pd=30mBt, h2i=30 200, fT=6200MFu В Е С
RFQ SST6839 ROHM p-n-p Vcbo=-50B, Ic=-200mA, h2,>100,1т>50МГц В Е С
RFs BFR181 SIEM n-p-n VCbo=2OB Ic=20mA PD=175MBT,h2r50 200Л=8000МГц В Е С
RGs BFR182 SIEM n-p-n Vcbo=2OB, Ic=35mA, Pd=250mBt, h2,=50 200 fy—8000МГц В Е С
RHs BFR183 SIEM n-p-n Vcbo=20B, Ic=65mA, Pd=450mBt, h21 =50 200,1т=8000МГц В Е С
RKs BFR194 SIEM p-n-p VCbo=-20B Ic=-100mA, Pd=700mBt, h2l=20 150,1т=5000МГц В Е с
RSR SST5210 ROHM n-p-n Vcbo=5OB, |с=200мА, h2i=200 600 1т>30МГц В Е с
RVZ MMST4126 ROHM p-n-p VCbo= 25В, lc= 200mA, h21=l20 360, fT>250MFu В Е с
RX7 SST6426 ROHM n-p-n VCbo=4OB,Ic=5OOmA h21=300 300000 В Е с
RZC SST4124 ROHM n-p-n VCbo=3OB, Ic=200mA h2l=120 360,1т>300МГц В Е с
RZQ MMST7157 ROHM p-n-p VCBo=-6OB, Ic=-200mA, h2l>l00 В Е с
151
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функциа Особенности Цоколевка
1 2 3
SO HSMP-3880 HP pin If<1A,Pd<250mBt Vbr>100B Rs<6 50м, Ст<0 40пФ A пс К
SO SST270 SIL n-FET Vps=30B, Рр=350мВт д^бмСм, lpss=2 15 mA D S G
SI BBY31 PHIL bd Vr<30BJf<20mA, Ir<10hA Rs<1 20m Civ=16 5пФ, C2sv=1 6 2пФ A ПС К
SI SST271 SIL n-FET Vds=30B Po=350mBt, Idss=6 50mA, gF=0 5mCm D S G
SI BBY3t ZETEX ba Vr<28B C25v=1 8 2 8пФ Сзу/С25у>5 A ПС К
S12 BBY39 PHIL 2xbd VR<30B, If<20mA, Civ=16 5пФ, C28v=1 6 2пФ Al А2 К1,К2
S13 BBY42 PHIL bd VR<30B, 1р<20мА, Ir<10hA, Rs<10m, Cjv>3 1 пФ, C2ev=2 4 ЗпФ, A пс К
S14 BB901 PHIL bd Vfl<28B, If<20mA Ir< 10hA, Rs<30m, C20v<1 055пФ, Cq 5V/C28V> 12 A пс К
S16 ZHCS1006 ZETEX shd VR<60B If<0 9A VF(IF= 1 A)<0 ев Ir<100mkA, CD<17n<t>. 1яя<12нс A пс К
slA SMBT3904 SIEM n p-n VCbo=6OB, Ic=200mA Po=330mBt h21=l00 300 fT>300MFu В Е С
s1B PXTA93 SIEM p-n-p Vcbo=-2OOB Ic=-500mA, Pd=1000mBt, h2f>40, fT>50MFu В Е С
slB SMBT2222 SIEM n-p-n VCbo=6OB, Ic=600mA, Pd=330mBt, h2l=l00 300,1т>250МГц В Е С
s1C SMBTA20 SIEM n-p-n Vcbo=40B,Ic=100mA, Po=330mBt, h21=40 400 1т>125МГц В Е С
sID SMBTA42 SIEM n-p-n VCbo=3OOB, Ic=500mA Pd=360mBt, h2t>40,1т>50МГц В Е С
s1E SMBTA43 SIEM n-p-n Vcbo=2OOB Ic=500mA, Pd=360mBt, h2)>40 1т>50МГц В Е С
sIG SMBTA06 SIEM n-p-n Vcbo=8OB, Ic=500mA, Рр=330мВт, h2i >100,1т>100МГц В Е С
sIH SMBTA05 SIEM n-p-n Vcbo=6OB, Ic=500mA, Po=330mBt h2i>100, МЮОМГц В Е С
sIK SMBT6428 SIEM n-p-n VCbo=6OB Ic=200mA, Po=330mBt h21=250 650, Ь=200МГц В Е С
si L SMBT6429 SIEM n-p-n VCB0=55B, Ic=200mA Pd=330mBt, h21=500 1250 1т=200МГц В Е с
sIM SMBTA13 SIEM n-p-n Vcbo=3OB, Ic=300mA Pd=330mBt, h2l>5000, fT>125МГц В Е с
SIN SMBTA14 SIEM n-p-n Vcbo=3OB, Ic=300mA, Pq=330mBt, h2| >10000, fF>125МГц В Е с
SIP SMBT2222A SIEM n-p-n VCBO=75B, Ic=600mA, Pd=330mBt, h2(=l00 300, Ь>300МГц В Е с
sIV SMBT6427 SIEM n-p-n W40B Ic=500mA,Pd=360mBt 1^=20000 200000,1т>130МГц В Е с
S2 BBY40 PHIL bd Vr<30B,If<20mA,Ir<10hARs<070m,C3V=26 32пФ, Сг5У=4 3 блф, А пс к
S2 BBY40 ZETEX bd Vr<28B,C3v=26 32пФ, C3v/C25V=5 6 5 А ПС к
S2 BFQ31 ZETEX n-p-n Vcbo=3OB Ic=100mA, Pd=330mBt, h21>20 1у>600МГц В Е с
s2A SMBT3906 SIEM p-n-p VCbo=-4OB, Ic=-200mA Pd=330mBt, h21=l00 300 1т>250МГц В Е с
s2B SMBT2907 SIEM p-n-p VCeo=-4OB Ic=-600mA, Pd=330mBt, h2]=l00 300, fT>200МГц В Е с
s2C SMBTA70 SIEM p-n-p Vcbo=-4OB,Ic=-1OOmA, Po=330mBt, h21=4O 400, fT>125МГц В Е с
S2D SMBTA92 SIEM p-n-p Vcbo=-3OOB, Ic=-500mA, Pd=360mBt, h21 >25,1т>50МГц В Е с
s2E SMBTA93 SIEM p-n-p VCbo=-2OOB, Ic=-500mA, Pd=360mBt, h2l >25 fT>50MFu В Е с
s2F SMBT29O7A SIEM p-n-p Vcbo=-60B, Ic=-600mA, Pd=330mBt, h2i=100 300, Г[>200МГц В Е с
s2G SMBTA56 SIEM p-n-p Vcbo--8OB, Ic=-500mA, Po=330mBt, 1,=100МГц В Е с
s2H SMBTA55 SIEM p-n-p Vcbo"6OB, Ic=-500mA, Po=330mBt, h2,>100. Тт=100МГц В Е с
s2P SMBT5086 SIEM p-n-p VCB0r-50B Ic=-50mA, Pd=330mBt h2l=150 500,fT>40Mru В Е с
s2V SMBTA64 SIEM p-n-p VcBtr-ИВ Ic=-500mA, Pd=360mBt, h2,> 1OOOO, 1т>125МГц В Е с
s2Q SMBT5087 SIEM p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-50mA, Po=330mBt, h2l=250 800, fT>40MFu В Е с
s2U SMBTA63 SIEM p-n-p VCbo=-3OB, Ic=-500mA Pd=360mBt, h2l>5000 1т>125МГц В Е с
152
SOT-23, SOD-23
1:1
Код Типономинал Фирма Функцив Особенности Цоколевка
1 2 3
S3 BBY51 SIEM 2xbd Vr<7B,If<20mA,Ir<001mkA Cjv=4 5 6 1n0,Clv/C*v=1 55 22 Al A2 K1,K2
S3 BFQ31R ZETEX n-p-n Vcbo=3OB, Ic=100mA, Pd=330mBt, h2i >20,1т>600МГц В E C
S4 SST174 SIL p-FET Vds=-30B, Pd=350mBt, Idss=‘2O 135mA gp=4 5mCm D S G
$4 BFQ31A ZETEX n-p-n VCbo=3OB, Ic=100mA, Po=330mBt, h2] >100, 1т>600МГц В E C
S5 SST175 SIL p-FET Vp$=-306, Pq=350mBt, Iqss=7 70mA, gF=4 5мСм D S G
S5 BFQ31AR ZETEX n-p-n VCbo=3OB, Ic=100mA, Pd=330mBt, h2i >100,1т>600МГц В E C
850 BS85O GS p-FET Voss=-60B, Iq=-250mA, Pd=310mBt, Vgs<20B G S D
$56 ZHCS506 ZETEX shd VR<60B, IfKO 5А, VF(IF=O 5A)<0 63B, Ir<40mkA, Ср<20пФ, tRR< 10нс A nc К
$5A SMBD6050 SIEM di Vr<70B, If<250mA, VfOf=1 00mA)< 11B, lR<0 1mkA, Cd<2 5пФ, Irr<10hc A nc К
S5B SMBD6100 SIEM 2xdi Vr<708, If<250mA, VHIf=100mA)< 1 1B, iR<0 ImkA, Co<2 5пФ, tRp< 15hc Af A2 K1K2
$5C SMBD7000 SIEM 2xdi Vr< 10OB, If<200mA, Vf(If=1 00mA)< 11B, lR<0 5mkA, Cd<2 ОпФ, tRp< 15нс A1 K2 K1,A2
$5D SMBD914 &EM di Vr<70B If<250mA, Vr{If=100mA)<1 OB, Ir<0 025mkA Co<2 ОпФ, Irr<4hc A nc К
85$ BBY52 SIEM 2xbd Vr<7B,If<2QmA,Ir<001mkA,Civ=1 1 2 5пФ,С17/С«у=1 1 21 A1 A2 K1,K2
85 SST176 SIL p-FET Vp$=-30B, Pd=350mBt, Idss=2 350mA, gF=4 5mCm D S G
87 SST177 SIL p-FET Vds=-30B, Pd=350mBt, lp$s='1 6 20mA, gF=4 5mCm D S G
S70 BS870 GS n-FET Vdss=60B, Io=250mA Po=310mBt Vgs<20B G S D
S72 2N7002 VISH n-FET VOSS=60B, Id=115mA Po=200mBt Vgs<2 5В,С,сс=60пФ G S D
S76 ZHCS756 ZETEX shd Vr<60B, If<0 75A, Vf{If=O 75A)<0 618, lR< 1 OOmkA Co< 1 7пФ, tRp< 12нс A nc К
S7s BBY53 SIEM 2xbd VR<6B If<20mA Ir<001mkA,Ciy=4 8 5 8пФ,Czv/C^I 8 28 Al A2 K1,K2
85 BAT15-04 SIEM shd Vr<4B, If< 11 0mA, VHIf=10mA)<0 48B, CD<0 З5пф A nc К
SA BSS123 ZETEX n-MOS Vds=1 OOB, Id=170mA, Ро=330мВт,др=90мСм, Rp${on)=14OM G S D
$A2 SMBD2836 SIEM 2xdi Vr<50B, If<200mA, VHIf=1 00mA)< 1 2B, lR<0 ImkA Ср<4лФ, Ir^Shc KI K2 A1,A2
$A3 SMBD2835 SIEM 2xdi Vr<30B, If<200mA, Vf(If=100mA}<1 2B, Ir<0 1мкА,С0<4пФ tm<8HC KI K2 A1,A2
sA4 SMBD2838 SIEM 2xdi VR<50B, If<200mA, Vf(If=100mA)<1 2B, Ir<0 ImkA, С0<4пФ tRR<6HC A1 A2 K1K2
$A5 SMBD2837 SIEM 2xdi Vr<30B, If<200mA, VfOf=100mA}<1 2B, Ir<0 ImkA, С0<4лФ, !rr<6hc A1 A2 K1,K2
SAs BSS123 SIEM n-MOS VDs=100B Io=170mA РсгЗбОмВт дР=170мСм, Ros(on)<6OM G S D
SBs BSS145 SIEM n-MOS Vds=65B Id=220mA Pd=360mBt дР>120мСм, Ros(on)=3 50м G S D
sC3 SMBT4126 SIEM p-n-p Vcbo=-25B, |c=200mA, Pd=330mBt, h2i=120 360, fT>300MFu В E C
80s BSS284 SIEM p-MOS Vds=-50B, Id=-130mA, Pd=360mBt, дР>50мСм, RDs(on)=lOOM G S D
SFO BB804 PHIL 2xbd Vr<18B If<50mA, Ir<20hA, Rs<02Om 0^42 43 5пФ C^/C^l 65 A1 A2 K1,K2
SFO BB804FO SIEM 2xbd VR< 18B, If<50mA, Ir<0 02mkA, C&=42 43 5пФ, C2v/C6v>1 65 Al A2 K1K2
SF1 BB804 PHIL 2xbd Vr<1S8, If<50«A, lB<20«A Rs<020u Ся=43 44 5лФ, Czv/Csv> 1 65 A1 A2 K1,K2
SF1 BB804F1 SIEM 2xbd VR< 18B, If<50mA, Ir<0 02mkA, 0^=43 44 5пФ, C2v/Cev>1 65 Al A2 K1K2
SF2 BB804 PHIL 2xbd VR<18B, If<50mA Ir<20hA, Rs<0 20m, (^=44 45 5пФ, (WV’ 65 A1 A2 K1.K2
SF2 8B804F2 SIEM 2xbd VR< 18B, If<50mA, Ir<0 02mkA, Сдг44 45 5пФ, C^/CtN> 1 65 A1 A2 K1,K2
SR BB804 PHIL 2xbd Vr<18B, If<50mA Ir<20hA, Rs<020m,0^=45 46 5пФ C^/C^l 65 A1 A2 <1,K2
SR BB804F3 SIEM 2xbd VR< 18B, If<50mA, Ir<0 02mkA, 0^45 46 5пФ, C^/Csv^ 1 65 A1 A2 0,K2
SF4 BB804F4 SIEM 2xbd VR< 18B, If<50mA, Ir<0 02mkA, C2v=46 47 5пф, C2v/Cev>1 65 Al A2 |K1,K2
153
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
SHI BB814H1 SIEM 2xbd Vr<18B If<50mA,Ir<002mkA C2v=43 45пФ, 05 2 25 A1 А2 К1К2
SH2 BB814H2 SIEM 2xbd Vr<18B,If<50mAIr<0 02mkA,C2v=445 46 5пФ C2v/C8v=2 05 225 Al А2 KI К2
SMs 66914 SIEM 2xbd Vr<18B,If<50mA lR<0 02mkA, Сгу=42 5 45пФ C2v/Cav=2 28 2 42 A1 А2 KI К2
SP BSS84 ZETEX p-MOS Vds=-5OB Icr 1 30mA, Pd=360mBt, др=50мСм, RDS(on)=10OM G S D
SPs BSS84 SIEM p-MOS Vds=-5OB, 1р=-130мА, Pd=360mBt, дрбОмСм, RDS(on)<10OM G S D
SRs BSS131 SIEM n-MOS 1Vds=24OB, Id=100mA, Pd=360mBt дР=140мСм, RDS(on)=6OM G S D
ss BSS138 ZETEX n-MOS VDs=5OB, Id=200mA, Pd=360mBt, др=120мСм, Яо$(оп)-6Ом G S D
sSF SP0610T SIEM p-MOS Vds=-60B, 1р=-130мА, Pd=360mBt др>80мСм Ros(on)=lOOM G S D
sSH BSS119 SIEM n-MOS VDs=100B, Io=170mA, Pd=360mBt, дрЮОмСм Ros(on)-60M G S D
sSJ BSS7728 SIEM n-MOS Vds=60B Id=150mA, Рр=360мВт др=80мСм, Rps(on)=7 50м G S D
SSs BSS138 SIEM n-MOS Vqs=50B, Iq=220mA, Pq=360mBt, др>1200мСм, Rds(o^)=3 50m G S D
STs BSS139 SIEM n-MOS Vds=250B, Id=40mA, Pq=360mBt др?50мСм, Ros(on)<1000M G S D
sZC SMBT4124 SIEM n-p-n VCbo=3OB, Ic=200mA, Pd=330mBt, h2i=l20 360 fT>300Mru В Е С
TO HSMS-2860 HP shd VBr>5B, Vf(If=30mA)<0 6B, Ct<0 ЗОпФ Ro=10Om A пс К
TD TP0610T SIL p-MOS Vp$=-60B, Io=120mA, Pd=360mBt, др=60мСм Нрд(оп)=ЮОм G S D
T1 BCX17 ALLEG p-n-p Vcbo=-5OB, 1сво<ЮОнА h2i=lOO 600 VcE(sat)<0 62B В Е С
T1 BCX17 CDIL p-n-p VCbo=-45B Ic=-500mA, Pd=250mBt h2-=100 600 fT>lOOMFu В Е С
T1 HSMS-2862 HP 2xshd VeR>5B, Ур(1р=30мА)<0 6B, Cr<0 ЗОпФ, Ro=10Om А1 К2 KI А2
T1 BCX17 ZETEX p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-500mA, Pd=330mBt, h2i=100 600, fT>100МГц В Е С
Tip BCX17 PHIL p-n-p VCbo=-45B, Ic=-500mA Pd=250mBt, h2i=W0 600, fT>100MFu В Е С
T2 BCX18 ALLEG p-n-p Vcbo=-3OB, Icbo<1OOhA, hgriOO 600 VcE(sat)<0 62B В Е С
T2 BCX18 CDIL p-n-p Vcbo=-25B, lc= 500mA, Pd=250mBt h2l=100 600, fT>100МГц В Е С
T2 TN2460T SIL n-MOS Vds=240B, Id=51mA, Pd=360mBt, дР=70мСм, Ros(on)=1lOM G S D
T2 BCX18 ZETEX p-n-p Vcbo=-3OB, Ic=-500mA, Pd=330mBt, h2i=100 600, fT>100МГц В Е С
T2p BCX18 PHIL p-n-p Vcbo=-25B, Ic=-500mA, Pd=250mBt, h2i=100 600 fT=100MFu В Е С
T3 HSMS-2863 HP 2xshd VBr>5B, Vf(If=30mA)<0 6B, Ct<0 ЗОпФ, Rd=10Om К1 К2 А1А2
T35 BSR20 CDIL p-n-p Vcbo=-13OB Ic=-600mA, Pd=250mBt, h2i>40 Ь=400МГц В Е С
T35 BSR20 PHIL p-n-p VCbo=-13OB, Ic=-600mA Pd=250mBt h21>40 fT=100 400МГц В Е С
T36 BSR20A CDIL p-n-p VCbo=-16OB, Ic=-600mA, Pd=250mBt, h2i>60, *т=ЗООМГц В Е С
T36 BSR20A PHIL p-n-p Vcbo=-16OB, Ic=-600mA, Pd=250mBt h2i>60 fT=lOO 300МГц в Е С
T4 HSMS-2864 HP 2xshd VBr>5B Vf(If=30mA)<0 6B, Ct<0 ЗОпФ, Rd=10Om А1 А2 К1К2
T4 BCX17R ZETEX p-n-p VCBo=-5OB, Ic=-500mA, Pd=330mBt, h2l=l00 600 Ь>Ю0МГц В Е С
T5 BCX18R ZETEX p-n-p VCB0=-30B, Ic=-500mA, Pd=330mBt h2l=l00 600, fT>iOOMFu В Е С
17 BSR15 CDIL p-n-p Vcbo=‘6OB, Ic=-600mA, Pd=250mBt h2i>30 Гр>200МГц в Е С
17 SST4117 SIL n-FET Vds=40B, Pd=350mBt, loss=3 03 0 09мА, др=70мСм D S G
T7p BSR15 PHIL p-n-p VCbo=-6OB, Ic=-600mA Pd=250mBt, h21>30 *т>200МГц В Е С
ТВ BSR16 CDIL p-n-p Vcbo=-6OB, Ic=-600mA Pd=250mBt h21>50, Тт>200МГц В Е С
ТВ SST4118 SIL n-FET Vds"40B, Pd=350mBt Idss=0 08 0 24mA, qf=80mCm D S G
154
SOT-23, SOD-23
КОД Типономинал Фирма функция Особенности Цоколевка
1 2 3
w BSR16 PHIL p-n-p VcBtr-бОВ, Ic=-600mA, Pd=250mBt, hai>50,1у>200МГц В Е С
T9 SST4119 SIL n-FET Vqs=40B, Ро=350мВт, Iqss=0 2 0 6mA др=100мСм D S G
T92 BSR18A CDIL p-n-p VC0o=-4OB, Ic=-200mA, Po=250mBt, h21=100 300,1т>250МГц В Е С
T92 BSR18A PHIL p-n-p VCbo=-40B, Ic=-200mA, Pd=250mBt, h2l=100 300,1т>250МГц В Е С
TA KTC3295A KEC n-p-n Vcbo=60B,Ic=150mA, Pd=150mBt, h2<=600 1800 1т>250МГц В Е С
ТВ KTC3295B KEC n-p-n VCbo=6OB, Ic=150mA, Pd=150mBt, h2l=1200 3600, 1т>250МГц В Е С
U1 BCX19 ALLEG n-p-n Vc8o=5OB, Icbo< 100hA, h2,"100 600, VcE(sat)<0 62B В Е С
U1 BCX19 CDIL n-p-n VCbo=45B, Ic=500mA, Pd=250mBt, h2t=100 600, fT>100МГц В Е С
U1 BCX19 ZETEX n-p-n Vcbo=5OB, Ic=500mA, Pd=330mBt, h21=100 600,1т>200МГц В Е С
U1p BCX19 PHIL n-p-n Vcbo=45B, Ic=500mA, Pd=250mBt, h2i=100 600, fT>100МГц В Е С
U2 BCX20 ALLEG n-p-n Vcbo=3OB, 1сво< 100hA, h2i=100 600, Vc£(sat)<0 62B В Е С
U2 BCX20 CDIL p-n-p VCbo=-25B, Ic=-500mA, Pd=250mBt, h2l=100 600, Н>Ю0МГц В Е С
U2 BCX20 ZETEX n-p-n Vcbo=3OB, Ic=500mA, Pd=330mBt, h2l=100 600,1т>200МГц В Е С
U2p BCX20 PHIL p-n-p Vcbo=-25B, Ic=-500mA, Pd=250mBt, h2l=l00 600,1т>100МГц В Е С
U35 BSR19 CDIL n-p-n Vcbo=16OB, Ic=600mA, Pq=250mBt, h2i>60, It=300 в Е С
U35 BSR19 PHIL n-p-n Vcbo=16OB, Ic=600mA, Pd=250mBt, h2] >60, fr=300 в Е с
U36 BSR19A CDIL n-p-n Vcbo=180B, Ic=600mA, Pd=250mBt, h2t>80, fT=300 в Е с
U36 BSR19A PHIL n-p-n Vcbo=18OB, Ic=600mA, Рр=250мВт, h2i>80 fj=300 в Е с
U4 BCX19R ZETEX n-p-n Vcbo=5OB, Ic=500mA, Po=330mBt, h2,=l00 600,1т>200МГц в Е с
U5 BCX20R ZETEX n-p-n Vceo=3OB, Ic=500mA, Pd=330mBt, h2,=l00 600,1т>200МГц в Е с
U7 BSR13 CDIL n-p-n Vcbo=6OB, Ic=800mA, Pd=250mBt, h2,=100 300, fT> 250МГц в Е с
U7p BSR13 PHIL n-p-n Vcbo=6OB, Ic=800mA, Pd=250mBt, h21=l00 300,1т>250МГц в Е с
UB BSR14 CDIL n-p-n Vcbo=75B, Ic=800mA, Po=250mBt, h21=l00 300,1т>300МГц в Е с
U8p BSR14 PHIL n-p-n Vcbo=75B, Ic=800mA, Pd=250mBt, h2l=l00 300, Тт>300МГц в Е с
U92 BSR17A CDIL n-p-n VC80=60B, Ic=200mA, Po=250mBt, h2l=l00 300,1т>300МГц в Е с
U92 BSR17A PHIL n-p-n VCbo=6OB, Ic=200mA, Pd=350mBt, h21=100 300,1т>300МГц в Е с
U9p BSR17 PHIL p-n-p Vcbo=-4OB, Ic=-200mA, Pd=425mBt, h2|=4O, fy>300Mru в Е с
UF BB801 SIEM bd Vr<30B, If< 50mA, Ir<0 02mkA, 85 1 2пФ, Civ/C28v=7 8 95 А пс к
VO VPO61OT SIL p-MOS Vds=-60B, 1р=120мА, Pd=360mBt, д?=70мСм, RDs(on)=lOOM G S D
V1 VN50300T SIL n-MOS VDs=500B, Id=22mA, Рр=350мВт, дР=140мСм, RDS(on)=250M G S D
V1 DZ23C2V7 VISH 2xdz Vz=2 5 2 9B, Zzt(Iz=5mA)=830m А1 А2 К1,К2
V1O DZ23C6V2 VISH 2xdz Vz=5 8 6 6B, Zzt(Iz=5mA)=10Om А1 А2 К1,К2
V11 DZ23C6V8 VISH 2xdz V2=6 4 7 2B, Zzt(Iz=5mA)=80m А1 А2 К1К2
V12 DZ23C7V5 VISH 2xdz Vz=7 0 7 9B,Zzt(Iz=5mA)=70m А1 А2 К1К2
V13 DZ23C8V2 VISH 2xdz Vz=7 7 8 7B, Zzt(Iz=5mA)=70m А1 А2 К1,К2
V13 ZC932 ZETEX bd Vr< 12B, Cd(Vr=2 5B)=8 5 10 5лФ, Czv/CavOd, Q>200 А пс К
V14 DZ23C9V1 VISH 2xdz Vz=8 5 9 6B,Zzt{Iz=5mA)=10Om А1 А2 К1,К2
V14 ZC931 ZETEX bd Vr< 12B, C0(Vr=2 5B)=6 5 7 8пФ, CIV/C4V=<3 6, Q>300 А ПС К
155
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма функцив Особенности Цоколевка
1 2 3
V15 ZDZ23C10 VISH 2xdz Vz=9 4 10 B, Zzt<Iz=5mA)=150m A1 A2 K1,K2
V15 ZC930 ZETEX bd Vr<25B, Cd(Vr=2 5B)=4 3 5 5пф CW/C4V=<3 0, Q>200 A nc К
V16 DZ23C11 VISH 2xdz Vz=104 11B,Zzt0z=5mA)=20Om А1 A2 KIK2
vie ZC934 ZETEX bd Vr< 12B, Cd(Vr=2 5B)=4O 65пф C,V/C4V<3 8, Q>80 A nc К
V17 DZ23C12 VISH 2xdz Vz=114 12 В 2гт(1г=5мА)=200м A1 A2 K1,K2
V17 ZC933 ZETEX bd Vr<12B,C0(Vr=2 5B)=18 27пф C1V/C4V<3 5, Q>150 A nc К
VIВ DZ23C13 VISH 2xdz Vz=12 4 14 В 2гт(|г=5мА)=250м Al A2 К1К2
V19 DZ23C15 VISH 2xdz VZ=13 8 15 В, Zzt(Iz-5mA)=30Om A1 A2 К1К2
V2 VN0605T SIL n-MOS Vds=60B Id=180mA Pd=360mBt д?=80мСм RDs(on)-5OM G S D
V2 DZ23C3V0 VISH 2xdz Vz=2 8 3 2B Zzt(Iz=5mA}=950m A1 A2 К1К2
V2O DZ23C16 VISH 2xdz VZ=15 3 17B,Zzt(Iz=5mA)-40Dm A1 A2 К1.К2
V21 DZ23C18 VISH 2xdz VZ=16 8 19 В Zn1lz=5MA)=50OM A1 A2 К1К2
V22 DZ23C20 VISH 2xdz VZM88 21 В,2эт(1г=5мА)=500м A1 A2 К1К2
V23 DZ23C22 VISH 2xdz Vz=208 23 B,Zzt(Iz=5mA)=550m A1 A2 К1К2
V24 DZ23C24 VISH 2xdz Vz=22 8 25 В Zzt(|z=5mA)=80Om Al A2 К1К2
V25 PMBT3840 PHIL p-n-p VCbo=-12B, Ic=-80mA, Pd=350mBt, h2l=30 120,1т>500МГц В E С
V25 DZ23C27 VISH 2xdz Vz=25 1 28 В 2п(1г=2мА)=80Ом A1 A2 К1К2
V26 DZ23C30 VISH 2xdz Vz=28 32В,2п(12=2мА)=800м A1 A2 К1К2
V27 DZ23C33 VISH 2xdz VZ=31 35В, 2гт|1г=2мА)=80Ом Al A2 К1.К2
V2B DZ23C36 VISH 2xdz Vz=34 38B Zzt(Iz=2mA)=90Om A1 A2 К1К2
V29 DZ23C39 VISH 2xdz Vz=37 41B,Zzt(Izs2mA)=90Om A1 A2 К1К2
V3 DZ23C3V3 VISH 2xdz Vz=3 1 3 5B,Zzt(Iz=5mA)=950m Al A2 К1,К2
V30 DZ23C43 VISH 2xdz Vz=40 46В7гт(1г=2мА)=1000м A1 A2 К1К2
V31 DZ23C47 VISH 2xdz Vz=44 5OB Zzt(Iz=2mA)-1000m A1 A2 К1К2
V32 DZ23C51 VISH 2xdz Vz=48 54В 2гт(1г=2мА)=1000м Al A2 К1К2
V4 DZ23C3V6 VISH 2xdz Vz=3 4 3 8В 2гт(1г=5мА)=950м A1 A2 К1К2
V5 DZ23C3V9 VISH 2xdz Vz=3 7 41B 2п(1г=5мА)=950м A1 A2 К1К2
V6 DZ23C4V3 VISH 2xdz Vz=40 4 6B,Zzt(Iz=5mA)=950m Al A2 К1К2
V7 DZ23C4V7 VISH 2xdz Vz=44 5 0В,2гт(12=5мА)=78Ом A1 A2 К1К2
V6 DZ23C5V1 VISH 2xdz Vz=48 5 4В 2гт(1г=5мА)=60Ом A1 A2 К1К2
V9 DZ23C5V6 VISH 2xdz Vz=5 2 6 OB Zzt(Iz=5mA)=40Om A1 A2 К1К2
W10 CMPZDA27V CENTS 2xdz Vz(Izt=20mAH25 298 Il(Vr=1898)<0 05mkA 2п(1п-20мА)<800м 1лг62мА K2 K1 А2А1
W11 CMPZDA30V CENTS 2xdz Vz0n=20MA1=28 328, Il(Vr-21 OB)<0 05мкА, ZzHIzt=2 0мА)<80Ом lai-5 6mA K2 KI А2А1
W12 CMPZDA33V CENTS 2xdz Vz(lZr20MA)=31 358 Il(Vr=23 1B)<0 05MKA,ZzHizr20MAj<800M 1дг50мА K2 KI A2AI
WIs BFT92 SIEM p-n-p Vcbo= 20B,Ic=-25mA Pd=200mBt Иг^гО.^бОООМГц В E С
we BZX84C3V3 CENTS dz Vz(Izt=5mA1=3 1 3 5B Il(Vr=1 0B)<5 OmkA, 2п(1гт=5мА)<950м 1?м<76мА A nc К
W7 BZX84C3V6 CENTS dz Vz(Izt=5mA)=3 4 3 88 lL(VR=10B)<5 OmkA 2п(1гт-5мА)<90Ом 1м<69мА A nc К
W74 BAW74 ZETEX 2xdi Vr<508 If<150mA Vf(If=100mA)<1 08 lR<0 ImkA Со<2ОпФ IrR<4«c A1 A2 К1К2
156
SOT-23, SOD-23
1:1
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
W8 BZX84C3V9 CENTS dz Vz(lzr5MA)=3 7 4 18 I^ftI 0fi}<3 OmkA, Z^SmAIOOOm, 1д|<64мА А пс К
W8 BZX84C4V3 CENTS dz Vz(Izt=5mA)=40 46B Il{Vr=1 0B)<30mkA,Zzi(IZt=5mA)<90Om I^WmA А пс к
WCs BCR133 SIEM D-n-p-n VCbo=50B, Ic=100mA, Pd=200mBt, h2i >30, fT>130МГц В Е с
WDs BCR141 SIEM D-n-p-n VCB0=50B, Ic=100mA Po=200mBt h21>50, 1т>130МГц В Е с
WEs BCR146 SIEM D-n-p-n Vcbo=5OB Ic=70mA Pd=200mBt h2i>70,1т>100МГц в Е с
WFs BCR112 SIEM D-n-p-n Vcbo=50B, Ic=100mA, Pd=200mBt h2l>20, fT> 140МГц в Е с
WDs BCR116 SIEM D-n-p-n Vcso=5OB, lc=1 00mA, Pd=200mBt, h21>70 1т>1бОМГц в Е с
WHs BCRlOfi SIEM D-n-p-n VCbo=5OB, Ic=100mA, Pct200mBt h2,>70, fT>170МГц в Е с
WIs BCR158 SIEM D p-n p VCbo=-50B,Ic=-100mA, Pd=200mBt h21>70 1т>200МГц в Е с
Ws BCR135 SIEM D-n-p-n Vcbo=5OB, Ic=100mA, Pd=200mBt h2,>70, fT>150МГц в Е с
WKs BCR119 SIEM D-n-p-n Vc80=50B, Ic=100mA, Po=2OOmBt h2l-120 630 fT>l50MTu в Е с
WLs BCR146 SIEM D-n-p-n Vcbo=5OB, Ic=70mA, Pd=200mBt, h2l>50 fT>150МГц в Е с
WMs BCR183 SIEM D p-n-p VC80=-50B, Ic=-100mA, Pd=200mBt, h21 >30 1т>200МГц в Е с
WNs BCR185 SIEM D-p-n-p Vcbct 50В 1с=-100мА Pd=200mBt, h2l>70,1т>200МГц в Е с
WOs BCR191 SIEM D-p-n-p Vc8o=-50B, lc= 100mA, P0=200mBt, h2l>50 1т>200МГц в Е с
WRs BCR198 SIEM D-p-n-p VCbo=-5OB Ic=-70mA Pd=200mBt, h2l >70, fr> 190МГц в Е с
WSs BCR169 SIEM D-p-n-p Vcbo=-50B, Ic=-100mA, Pd=200mBt, h2l=120 630 1т>200МГц в Е с
WTs BCR166 SIEM D-p-n-p Vca)='50B, Ic=-100mA, Pd=200mBt, h21 >70 1т>16ОМГц в Е с
WUs BCR162 SIEM D-p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-100mA, Pd=200mBt, h2i >20,1т>200МГц в Е с
WVs BCR129 SIEM D-n-p-n Vc80=50B,Ic=100mA,Pd=200^Bt h2l=l20 630 1т>15ОМГц в Е с
WW7 CMPZDA3V6 CENTS 2xdz Vzfe-5 ОмАИЗ 4 3 8B, 0B)<2 ОмкА Z^Izt=5 0мА)<95Ом |дг45мА К2 К1 А2А1
WW8 CMPZDA3V9 CENTS 2xdz Vz(IZt=50mA)=37 41В Il(Vr=1 0B)<20mkA,2^=5 0мА}<90Ом, ^МЭмА К2 К1 А2А1
WW9 CMPZDA4V3 CENTS 2xdz 7^=5 0мА)=4 0 4 68 lL(VR-1 OfiK 10мкА Z^lzr5 0мА)<90Ом IzmMOmA К2 К1 А2А1
WXs BCR196 SIEM D-p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-70mA, Pd=2OOmBt, h2i>50,1т>150МГц В Е С
WZs BCR142 SIEM D-n-p-n Vc80=50B, Ic=100mA, Pq=2OOmBt, h2i >70,1т>150МГц в Е С
Xis BFT93 SIEM D-p-n-p Vcbo=-15B, Ic=-35mA, Po=3O0mBt, h2i >20,1т>55ООМГц в Е С
XAs BCR5O3 SIEM D-n-p-n Vceo=5OB Ic=500mA, Pd=330mBt, h2i>40 1т>100МГц в Е С
XBs BCR553 SIEM D-p-n-p Vcbct-50B, Ic=-500mA Pd=330mBt, h2,>40, fT>150МГц в Е С
XCs BCR533 SIEM D-n-p-n VCbo=5OB, Ic=500mA, Pd=330mBt, h2,>70 fT> 100МГц в Е С
XDs BCR555 SIEM D-p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-500mA, Pd=330mBt, h2i>70 fT>f50МГц в Е С
XFs BCR512 SIEM D-n-p-n VCbo-5OB, Ic=500mA, Pd=330mBt, h2] >60, fT> 100МГц в Е С
XGs BCR523 SIEM D-n-p-n Vcbq=50B Ic=500mA, Р^-ЗЗОмВт, h2i>70,1т>100МГц в Е С
XHs BCR573 SIEM D-p-n-p Vcbo=-50B, Ic=-500mA, Po=33OmBt, h2, >70,1т>150МГц в Е С
XKs BCR519 SIEM D-n-p-n Vcbo=5OB, Ic=500mA, Pd=330mBt, h2l=120 630, fT> 100МГц в Е С
XU BCR569 SIEM D-p-n-p VCbo=-50B, Ic=-500mA, Po=33OmBt, h2l=120 630,1т>150МГц в Е С
XMs BCR583 SIEM D-p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-500mA, Pd=330mBt, h2l >70,1т>150МГц в Е С
XUs BCR582 SIEM D-p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-500mA Pd=330mBt h2l>60, 1т>150МГц в Е С
XVs BCR521 SIEM D-n-p-n Vcbo=50B, Ic=500mA, Po=33OmBt, h2i >20, 1т>100МГц в Е С
157-*
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
XWs BCR505 SIEM D-n-p-n Vcbo=5OB, Ic-500mA, Pd=330mBt, hjj >70, fy> 100МГц В E c
XXs BCR571 SIEM D-p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-500mA, Po=33OmBt, h2l >20, fT>150МГц В E c
VI BZX84C11 ALLEG dz Vz()tt=5mA}=10 4 1168, Il(Vr=8 08)<01mkA,Z2t(I2t=5mA)<200m A nc к
VI BZX84C11 CENTS dz V2(It=5mA)=104 11 6B, Il(Vr=8 OBKO 1mkA,ZzHIzt=5mA)<20Om Izm<23mA A nc к
VI BZX84C11 VISH dz V2(IZt=5mA)=104 11 6B ZZt(Izt=5**A)<20Om A nc к
Y10 BZX84C27 ALLEG dz Vz(Izt=2mA)=25 1 28 9B Il(Vr=21 0В)<005мкА,2гг(17Г=2мА)<80Ом A nc к
VW BZX84C27 CENTS dz Vz(Izt=2mA)=25 1 289B Il(Vrs1898)<005mkA,Z2i(I2t=2mA)<800m,|zm<9mA A nc к
Y10 BZX84-C27 PHIL dz Vz(tr2MA)=25 1 289B, Il(Vr=1898)<50hA, Zzt(Izt=20mA)<800m 1д|=200мА A nc к
YlO BZX84C27 VISH dz Vz(Izt=2MA)=25 1 28 96 Z^rfl/T—2mA)<80Om A nc к
VII BZX84C30 ALLEG dz Vz(lr=2MA)=28 0 32OB, №18 98)<0 ОбмкА, Т^гмА^вООм A nc к
VII BZX84C30 CENTS dz Vz(Izt=2mA)=28C 32 08Л(Ур=21 OB)<O05mkA Zzt(Izt=2mA)<800m I^SmA A nc к
VII BZX84-C30 PHIL dz Уг(1гг2мА)=28 0 32 OB Il(Vr=21 08)<50hA ZzHIzt=2 0mA)<80Om 1дг200мА A nc к
Y11 BZX84C30 VISH dz Vz(Izt=2mA)=28 0 32 OB Zzt(Izt=2mA)<800m A nc к
Y12 BZX84C33 ALLEG dz Vz(Izt=2mA)=31 0 35 08 Il(Vr=23 1 B)<0 05mkA Zzt(I2t=2mA)<80Om A nc к
Y12 BZX84C33 CENTS dz Vzdzr=2MA)=3l 0 35 OB, №23 1B)<O 05mkA Zzt(Izt=2mA)<80Om, |w<7mA A nc к
V12 BZX84-C33 PHIL dz Vz(Izt=2mA)=31 0 35 08A(Vr=2318)<50hAZzt{Izt=20mA)<800m Izm=200mA A nc К
Y12 BZX84C33 VISH dz Vz(Izt^2mA)=31 0 35 OB ZztOzt^mAJcSOOm A nc К
V13 BZX84-C36 PHIL dz Vz(I2t"2mA)=34 0 38 OB lL(VR=25 28)<50hA, Zzt(Izt=2 OmA)<900m, Im=200mA A nc К
Y13 BZX84C36 VISH dz Vz(lzr=2MA1=33 0 38 0В,2л(1п=2мА)<900м A nc К
V14 BZX84-C39 PHIL dz Vz(Ict=2mA)=37 0 41 OB ^Vr=27 38)<50hA, Z^Izt^ 0mA)<?5Om, 1д|=250мА A nc К
Y14 BZX84C39 VISH dz Vz(Izt=2mA)=360 41 OB ZztOzt^mA^ISOOm A nc К
V15 BZX84-C43 PHIL dz Vz(Izt-2mA)=40 0 46 0B Il(Vr=30 18)<50hA,Z2T(IZt=20mA)<150Om I^OOmA A nc К
Y15 BZX84C43 VISH dz W2MAHOO 46 08 Zzt(Izt=2mA)<150Om A nc К
V16 BZX84-C47 PHIL dz Vz(tf2MAl=44 0 50 OB, lL(VR=32 9B)<50hA, ^(^=2 ОмА)< 1700м, I^OOmA A nc К
V16 BZX84C47 VISH dz У2(1гт=2мА1=44 0 500B,Zzt(I2T=2mA)<1700m A nc К
Y17 BZX84-C51 PHIL dz Vz(tr=2MA)=46 0 54 OB, №35 7B)<50hA ZzrflZT=2 OmA)< 1 800m, Izm=200mA A nc К
V17 BZX84C51 VISH dz У2(1гт=2мА1=48 0 54 0В,2л(1гт’2мА|<1800м A nc К
Y1B BZX84-C56 PHIL dz 7г{|гт=2мА)-52 0 60 OB 1^39 2B)<50hA 2^2 0mA)<200Om, I^OOmA A nc К
Y19 BZX84-C62 PHIL dz Vzfl^A)^ 0 66 0B,Il(Vr=434B)<50hAZ2t(Izts20mA)<2150m I^ZOOmA A nc К
VIp BZX84-C11 PHIL dz У2(1п=5мА)=104 11 6B Il(Vr=808)<100hA 2^=5 0mA)<2O0m, Iz»t200mA A nc К
V2 BZX84C12 ALLEG dz V2(Izt=5mA)=11 4 12 78,lL(VR=80B}<0lMKA,ZZT{ln=5MA)<25OM A nc К
V2 BZX84C12 CENTS dz V2(Izt=5mA)=11 4 12 7B, LlVsrS O8)<01мкА г2у(1тг=5мА)<250м, I2m<21mA A nc К
Y2 BZX84C12 VISH dz V2(Ijt=5mA)=11 4 1Z7B 7гт(1гг5мА)<250м A nc К
Y2O BZX84-C68 PHIL dz Vz(I2T=2mA)=64 60 72 OB ^.(VR=47 68)<50hA, Zzt(Izt=2 ОлА)<2400м I^ZOOmA A nc К
V21 BZX84-C75 PHIL dz Vz(Izt=2mA)=70 0 79 08, lL(VR=52 58 )<50hA, Zzt(Izt=2 0mA)<Z550m, Izm=200mA A nc К
V2p BZX84-C12 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=11 4 12 7B,Il(Vr=8 0B}<100hA,Z2t(Izt=50mA)<250m,IZm=200mA A nc К
V3 BZX84C13 ALLEG dz V2(I2t=5mA)=124 1418, №8 0B)<01 мкА, Z^SmAIOOOm A nc К
Y3 BZX84C13 CENTS dz V2Czt=5mA)=124 141B ^р=80В)<01мкА Zzt<Izt=5mA)<300m,I^iSmA A nc К
158
SOT-23, SOD-23
1:1
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
V3 BZX84C13 VISH dz Vz(Izt=5mA)=124 14 1B,Zzt(Izt=5mA)<30Om A nc к
V3p BZX84-C13 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=124 14 IB Il(Vr=808)<100hA Zzt(Izt=5ОмА)<ЗООм Izm=200mA A nc к
V4 BZX84C15 ALLEG dz Vz( Izt=5mA)= 13 8 15 6B, Il(Vr= 10 58)<O C5mkA, Zzt(Izt=5mA)<300m A nc к
Y4 BZX84C15 CENTS dz Vz(Izt5mA)=13 8 156B, Il(Vr=1O 5B)<0 ОбмкА, Z?t(Izt=5mA)<300m, Izm<17mA A nc к
Y4 BZX84C15 VISH dz Vz(Izt=5mA)=138 156B,Zzt(Izt=5mA)<300m A nc к
V4p BZX84-C15 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=138 156ВД(7д=105В)<005мкД Zzr(izT=5 ОмА)<ЗООм 1дг200мА A nc к
Y5 BZX84C16 ALLEG dz Vz(Izt=5mA)=153 17 1BA(Vr=11 28)<0 05mkA, Zzt(Izt=5mA)<400m A nc к
V5 BZX84C16 CENTS dz Vz(Izt’5mAH15 3 17 IB L(Vr=11 2B)<005mkA Zzt(Izt=5mA}<400m,IZm<16mA A nc к
V5 BZX84C16 VISH dz Vz(Izt=5mA)=153 1718 Zzt(Izt=5mA)<400m A nc к
Y50 BZX84-A2V4 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=2 37 2 43B Il(Vr=1 08)<50мкА,2л{1п=50мА)<10(Юм, Izm=200mA A nc к
V51 BZX84A2V7 PHIL dz Vz(Izt5mA)=2 67 2 738, lL(VR=1 OB)<20mkA ZztOzt-S М<ЮООм, 1дг200мА A nc к
Y52 BZX84-A3V0 PHIL dz Vz(Izt=5mA}=2 97 3 03B, L(Vr=1 08)< 1 OmkA, Zzt(Izt=5 0mA)<95Om, 1д|=200мА A nc К
Y53 BZX84-A3V3 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=326 3 34BA(Vr=1 0B)<5mkA ZzHIzt=50mA)<95Om 1дг200мА A nc К
V54 BZX84-A3V6 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=3 56 3 64B Il{Vr=1 0B)<5mkA Zzt(Izt=5 0mA)<90Om |дг200мА A nc К
Y55 BZX84-A3V9 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=3 86 3 94B, Il(Vr=1 ОВ)<ЗмкА, ZzHIzt=5 ОмА)<900м 1м=200мА A nc К
V56 BZX64-A4V3 PHIL dz Ш=5"А)=4 25 435B, 1(Vr=1 08)<3«A, Znfc=5 0мА|<90Ои larJOOuA A nc К
Y57 BZX84-A4V7 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=4 65 4 75B, Il(Vr=2 0B)<3mkA 0mA)<80Om, 1дг200мА A nc К
Yfifi BZX84-A5V1 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=5 04 5 16B, Il(Vr=2 0B)<2mkA Zzt(Izt=5 ОмА)<600м, |дг200мА A nc К
V59 BZX84-A5V6 PHIL dz VzflzT=5MA)=5 54 5 66B Il{Vr=2 08}<1mkA, Zzt<Izt=5 ОмА}<400м 1эг200мА A nc К
V5p BZX84-C16 PHIL dz Vz(IZt=5mA}=1 5 3 171B, L(Vr=1 1 28}<50hA, Zzt0zt=5 M<400m, 1д|=200мА A nc К
V6 BZX84C18 ALLEG dz Vz(Iztt5mA)=168 19 1BA(Vr=12 6B)<OO5mkA, Zzt<Izt=5mA}<450m A nc К
Y6 BZX84C18 CENTS dz V2(Izt=5mA)=1 6 8 19 IB, lL( Vr= 12 6B)<0 05mkA, Zzi(IZt=5mA)<450m, !»< 14mA A nc К
V6 BZX84C18 VISH dz Vz(Izt=5mA)=16 8 191B,Zzt|Izt=5mA)<450m A nc К
V60 BZX84-A6V2 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=6 13 6278 L(Vr=4 0B)<3mkA, Zzt(Izt=5 0mA)<10Om 1д|=200мА A nc К
Y61 BZX84-A6V8 PHIL , dz V^Izt=5mA}=6 73 6 87B, Il(Vr=4 08 )<12мкА, ZZ|{IZt=5 0мА)<15Ом, 1эд=200мА A nc К
V62 BZX84-A7V5 PHIL dz Vz(lfT=5MA)=7 42 7 5ВВ, 0B}< 1 мкА, ZzHIzt=5 0mA)< 1 50m, Izm=200mA A nc К
Y63 BZX84-A8V2 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=8 11 8 298, Il(Vr=5 0B)<700hA, Zzt(Izt=5 OmA)<150m, Izm=200mA A nc К
V64 BZX84-A9V1 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=9 00 9 20B, IlOH OB)<500kA Z^I^S OmA)< 150м, 1дг200мА A nc К
VB5 8ZX84-A10 PHIL dz Vz(ln=5MA)=99 101, Il(Vr=7 06}<200hA, Zn|lzr=5 0мА)<20Ом, 1дг200мА A nc К
VS5 BZX84-A11 PHIL dz Vz(Izt=5mA}=108 111’B Il(Vr^0B)<100hA,Zzt(IZt=5 0mA}<20Om,Izm=200mA A nc К
V67 BZX84-A12 PHIL dz Vz(Izt=5mAH11 66 1212B Il(Vr=80B}<100hA,Zzi(Izt=50mA)<250m,Izm=200mA A nc К
Y66 BZX84-A13 PHIL dz Уг(1п=5мА)=12 87 13 138, Il(Vr=8 0B)< IOOkA, Zzt(Izt=5 ОмА)<ЗООм, |дг200мА A nc К
V69 BZX84-A15 PHIL dz Уг(1гт=5мА)=14 9 152B, Il{Vr=10 5B)<0 05мкА, ZZI|IZT=5 ОмА)<ЗООм, 1дг200мА A nc К
Y6p BZX84-C18 PHIL dz Vz(IZt=5mA)=168 19 1B,Il(Vr=126B)<50hA,Zzt|Izt=5 0мА)<45Ом 1м=200мА A nc К
Y7 BZX84C20 ALLEG dz Уг(1гт=5мА}=188 21 28 L(Vr=14 08}<0Q5mkA,Zzt(Izt=5mA)<55Om A nc К
Y7 BZX84C20 CENTS dz Vz(Izt=5mA}=188 21 2В, Il{Vr=14 08)<005mkA, 2гг(1п=5мА)<550мт 1д|<12мА A nc К
Y7 BZX84C20 VISH dz Vz(lr=5MA)=l88 21 2B,Zzi(Izt=5mA)<550m A nc К
Y70 BZX84-A16 PHIL dz Vz(IZt:5mA)-1564 16 16B Il(Vr=11 2B)<50hA, ZztII^S OmA)<400m, 1д|=200мА A | nc | К
159-*
SOT-23, SOD-23
кед Типономинал Фирма фужщж Цосолема
1 2 3
Y71 BZX84-A18 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=17 8 18 2B UVr=12 6B)<50hA, ОмАМЬОм 1дг200мА A nc К
Y72 BZX84 A20 PHIL dz W5mA)=198 202BA(Vr=140B)<50hAZzHIzt’50mA)<550m 1д=200мА A nc К
Y73 BZX84-A22 PHIL dz Vz(tf5MA)=21 8 22 2B Il(Vr=15 48)<50hA ZzrOzr*5 ОмА)< 550m I^ZOOmA A nc К
Y74 BZX84-A24 PHIL dz Vz(lZr5MA)=238 24 2B Il(Vr=16 88)<50hA ZzHb'5 ОмАКЗООм, 1?м=250мА A nc К
Y75 BZX84-A27 PHIL dz Vz(Izt=2mA)=26 7 27 ЗВ, L{Vr=1 8 9В)<50нА. Z^Z QmAJ<800m, 1дг200мА A nc К
Y76 BZX84-A30 PHIL dz WW» 7 30 38 Il(Vr=2I 08)<50hA Zzr<lzr=2 ОмА)<800м, 1ы=200мА A nc К
Y77 BZX84-A33 PHIL dz Vz(ln=2MA)=32 7 33 3B Il(Vr=23 1 8)<50hA, ZzH1^ OmA)<800m, ^гООмА A nc К
Y78 BZX84 A36 PHIL dz W2mA>=35 6 36 48, Il(Vr=25 2B}<50hA Znflz^ ОмАКЭООм, ^гООмА A nc к
Y79 BZX84-A39 PHIL dz W2mA)=38 6 38 48, уЦ,=2738)<50нА 2^-2 ОмАК750м A nc к
Y7p BZX84-C20 PHIL dz Vz(ln=5MA)=l88 21 2В ^14 08J<50hA, Z^S 0мА)<55Ом 1аг200мА A nc к
Y8 BZXB4C22 ALLEG dz Vz(Izt=5mAi=20 8 23 3В UVr=154B)<0 05mkA 2гп1ст=5мА)<550м A nc к
Y8 BZX84C22 CENTS dz VlfW’WZO8 23за 1М=154В)<0ИмЛггГ(1я=5мА)<550м,(гы<11мА A nc к
Y8 BZX84C22 VISH dz Vz(Ict=5mA)=20 8 23 3BZzHIzt=5mA)<55Om A nc к
Y80 BZX84-A43 PHIL dz Vz(Ict=2mA)=42 6 4348 Il(Vr=30 1B)<50HA,ZzHlzr=2 0мАК150Ом 1гм=200мА A nc к
Y81 BZX84 A47 PHIL dz W2mA)=465 4758 11(Уя=3298)<50нА,2гт(1пй2 0мА)<1700м,1аг200мА A nc к
Y82 BZX84-A51 PHIL dz Vz(Ict=2mA)=50 5 51 58, ^35 78)<50нА 2^2 ОмА)< 1800м 1»г200мА A nc к
Y83 BZX84-A56 PHIL dz \у1п=2мА)=55 4 56 6В Il(Vr=39 2В)<50мА, 0mAK200Om Izm=200mA A nc к
Y84 BZX84-A62 PHIL dz Уг(1гг=2мА)=61 4 62 6В Il(Vr=43 48)<50нА 2^2 0мА)<2150м, Izm=200mA A nc к
Y85 BZX84 A68 PHIL dz Vz(Izt=2mA)=67 3 6В7В Il(Vr=47 6BJ<50hA Z^lzr^ 0mAJ<24OOm I^ZOOmA A nc к
Y85 BZX84-A75 PHIL dz Vz(Izt=2mA)=74 3 75 7B Il(Vr=52 5B)<50HA,ZZr('zTe2 0mA)<255Om 1д =200мА A nc к
Y8p BZX84-C22 PHIL dz Vz(Izt=5mA}=20 8 23 38 11(Уп=154В)<50нА,2л{1п=5 0мА)<55Ом,1гм=г00мА A nc к
Y9 BZXB4C24 ALLEG dz Уг(1гт=5мА)=22 8 25 68 11(Уп=16 88)<0 05мкА,2л(1ст=5мА}<700м A nc к
Y9 BZX84C24 CENTS dz Уг(1п=5мА)=22 8 256BA(Vr=166B)<0 05mkA,Zzt(IZt=5mA)<700m I^IOmA A nc к
Y9 BZX84C24 VISH dz Vz(Izt=5mA1=22 8 25 6B Z?t<Izt=5mA)<70Om A nc к
Y9p BZX84-C24 PHIL dz Уг(1гт=5мА)=22 8 25 68, L(Vr= 16 86><50нА, Zzt<*zt=5 0mA)<30Om, ^=250*4 A nc к
YY1 CMPZDA11V CENTS 2xdz Vz(Izt=5mA)=104 11 6B,Il(Vr=808)<01mkA ZzHIzt=5 0mA)<200m 1гм=15мА K2 K1 А2А1
YY2 CMPZDA12V CENTS 2xdz Уг(1гт=5мА)=114 12 7В ^8 0B}<0 1mkA ZzH’zrS ОмА)<250м 1д=13мА K2 KI А2,А1
YY3 CMPZDA13V CENTS 2xdz Vzdzr=5MA)=12 4 14 IB, ^=8 0B)<01 мкА, ZzH'^5 ОмАКЗООм, 1д= 12mA K2 K1 А2Л
YY4 CMPZDA15V CENTS 2xdz Vzdrr=5MA)=138 1568 Il(Vr=105B)<0 05wA2^=5ОмА)<ЗООм I^HmA K2 KI А2.А1
YY5 CMPZDA16V CENTS 2xdz Vz(Izt=5mA}=153 171B Il(Vr=11 2B)<0 05mAZnfa=5OmA)<400m I^iOmA K2 K1 А2.А1
YY6 CMPZDAt8V CENTS 2xdz Vz(«ZT=5MA)=t68 l9lBilL(VR=l26B)<0CI5Mrt,ZzHHM<45^,lar92MA K2 K1 А2,А1
YY7 CMPZDA20V CENTS 2xdz Vz(Izt=5mA)=18 8 21 28 Il(Vr=14 0в}<0 05мкА 2гт(1гг=5 0mA)<55Om, l^ 3mA K2 K1 А2Л1
YY8 CMPZDA22V CENTS 2xdz Уг(1гт=5мА)=20 8 23 38, Il(Vr=15 4Bj<0 05mkA Z^l^ 0mAJ<55Om 1^7 6мА K2 KI А2,А1
YY9 CMPZDA24V CENTS 2xdz Vz(lzr=5*rt)=22 8 25 6B l,(Vw=)6 6B)<0 OSmkA. Zzr(ter=5 OmA)<70C«. Izm=7 Cta* K2 K1 А2,А1
ZO SST310 SIL n-FET V25B Ро=35Ом8т 1аз=24 60мА д^ОмСм D S G
Z1 BZX84C4V7 ALLEG dz W5mA)=44 50BA(Vfr20B)<30MKA,ZZT(lzTs5MA)<800M A nc К
Z1 BZXB4C4V7 CENTS dz Vz(Izt=5mA)=44 508 Il(Vr=2 0B)<3 ОмкА ггН^бмА^вООм.^бЗмА A nc К
Z1 BZX84C4V7 VISH dz Vz^SmAJMA 508 ZzHIzt=5mA)<8OOm A nc К
► 160
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
Z11 BZX84-C2V4 PHIL dz Vz(lzr=5 0mA)=2 2 2 6B 0В)<50мкА, 7^=5 ОмА)< 10ООм, 1дг200мА A nc К
Z12 BZX84-C2V7 PHIL dz Vz(ln=5 0мА)=2 5 2 9В уУц=1 06)<20мкА, ZzHlzr’5 ОмА)< 1 ОООм, Izm=200mA A nc К
Z12 BZXB4C2V7 VISH dz Vz(Izt=5mA)=2 51 2 896 ZzHIzt=5mA)<100Om A nc к
Z13 BZXB4 C3V0 PHIL dz Vz(Izt=50mA)=2 8 32В Il(Vr=1 06}<10mkA ZzrflzrS0мА)<95Ом Izm=200mA A nc к
Z13 BZX84C3V0 VISH dz W50mA)’-28 328,2^5GmA)<1000m A nc к
Z14 BZX84 C3V3 PHIL dz Vz(Izt=5 0mA)=3 1 3 5B 1^1 0B}<5mkA ZzHin=5 0мА)<95Ом Izm=200mA A nc к
Z14 BZX84C3V3 VISH dz Vz(Izt=5mA)=3 1 35B,ZzHIzt=5mA)<950m A nc к
Z15 BZX84-C3V6 PHIL dz Vz(Izt=50mA)=34 38B Il(Vr=1 0BJ<5mkA 2^=5 0mA)<90Om Izm=200mA A nc к
Z15 BZX84C3V6 VISH dz V2(Izt=5mA)=34 38В,2гг(1л=5мА)<95Ом A nc к
Z16 BZX84-C3V9 PHIL dz Vz(I2t=5 0мА)=3 7 4 1BA(Vr=1 0e)<3MKA,Zzr<lzT=5 0mA)<90Om Izm=200mA A nc к
Z18 BZX84C3V9 VISH dz Vz(Izt=5mA}=3 7 4 1B ZzHIzt=5mA)<90Om A nc к
Z17 BZX84-C4V3 PHIL dz Vz(Izt=5 0mA)=4 0 46B Il(Vr=1 06)<3mkA Z?t<Izt=5OmA}<900m Izm=200mA A nc к
Z17 BZX84C4V3 VISH dz VzAztSmAJM 0 46B Z2t(I2t=5mA)<90Om A nc к
Z1A BC846A ZETEX n-p-n Vcbo=30B Ic=100mA Pd=330mBt 1^=110 220,1т>300МГц В E с
Z1E BCB47A ZETEX n-p-n Vcbo=5OB, Ic=100mA РсгЗЗОмВт^йНО 220 1т>300МГц В E с
Z1L BC848C ZETEX n-p-n Vc8O=30B,ic=100MA,Fb=330MBT,h2,=42O 800Л>300МГц в E с
zip BZX84C4V7 PHIL dz Vz(lzr=5 0mA)=4 4 50B,Il(Vr=20B)<3mkA Zzr(lzr5 0mA)<80Om, I^OOmA A nc к
Z2 BZX84C5V1 ALLEG dz Vz(Izt-5mA)=4 8 54B Il(Vr=2 0B)<2 OmkA ZZT(lzr=5MA}<600M A nc к
Z2 BZX84C5V1 CENTS dz Vz(Izt=5mA)=48 54B Il(Vr=2 0B)<2 OmkA 2гт(1гг=5мА)<600м Izm<49mA A nc к
Z2 BZX84C5V1 VISH dz УЯ^бмАНв 548 Zzt(Izt=5mA)<60Om A nc к
Z2G BC85OC ZETEX n-p-n Vcbo=5OB,Ic=1OOmA Рь=330мВт Ь21=420 800 *т>300МГц В E с
Z2p BZXB4-C5V1 PHIL dz Vzdn=5 0mA)=4 8 54B,Il(Vr=2 06)<2mkA,Zzt(Izt=50mA)<600m 1дг200мА A nc к
Z2U FMMTA63 ZETEX p-n-p Vcbo=-3OB, lc= 500mA Pd=330m8t, h?,=10000, (т>125МГц В E с
Z2V FMMTA84 ZETEX p-n-p Vc8o=-3OB lc= 500mA, Pd=330mBt ^=20000 *г>125МГц В E с
23 BZX84C5V6 ALLEG dz Vz(Izt=5mA)=52 606 Il(Vr=2 0B)<1 OmkA ZrrflzrW^ A nc к
Z3 BZX84C5V6 CENTS dz Vz(Izt=5mA)=5 2 60B Il{Vr=2 0B)<1 OmkA,ZzHIzt5uA)<400m,Iw<45mA A nc к
Z3 BZX84C5V6 VISH dz Vz(Izt=5mA)=52 606 ZzHln=5MA)<400M A nc к
Z3B BCB56B ZETEX p-n-p Vcbo=-0O6 lc= 100mA Pd=330mBt 1^=220 475,1т>150МГц В E с
Z3E BC857A ZETEX P-n P W-50B lc= 100mA Pd=330mBt 1^=125 250 «т>150МГц В E с
Z3p BZXB4-C5V6 PHIL dz VzGzr=5 0mA)=5 2 6 OB Il(Vr=2 06)< 1 мкА 7^5 0mAJ<40Om |w=200mA A nc к
Z4 BZX84C6V2 ALLEG dz VzOz^SmA^S8 66BA(Vft=4 08)<30MKA,ZzT<lzr=5MA)<l0OM A nc к
Z4 BZX84C6V2 CENTS dz ВДгг5мА)=58 68B lL(VR=406K30MKA,Zzl(lZr5MA}<l0OM 1д,<40мА A nc к
Z4 BZX84C6V2 VISH dz Vz(lzr=5MA)=58 66B,Zzt(Izt=5mA)<10Om A nc к
Z4A BCB59A ZETEX p-n-p Vcbo=-3OB lc= 100mA, Pd=330mBt 1^=125 250 1т>300МГц В E с
Z4C BCB59C ZETEX p-n-p Vc8o= 306 Ic=-100mA,Pd=330mBt h?i=420 800 (т>300МГц В E с
Z4E BC86OA ZETEX p-n-p Vcbo=-5OB lc= 100мА,Ро=330мВт,Ьг1=125 250 1т>300МГц В E с
Z4p BZX84 C6V2 PHIL dz VzdzT=50мА)=58 666 yVft=4 06)<ЗмкА 2гт(1гг=50мА)<100м,1аг200мА A nc к
Z5 BZX84C6VB ALLEG dz Vz(ln=5MA)=64 7 2B Il(Vr=4 06)<2 OmkA, Zzt<Izt=5mA}<150m A nc к
161
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
Z5 BZX84C6V8 CENTS dz Vz(Izt-5mA)=64 72B IJVr=40B)<2OmkA,Zzt(Izt=5mA)<150m, 1д|<37мА A nc к
Z5 BZX84C6V8 VISH dz Vz(Ict=5mA)=6 4 72B,Zzt(IZt=5mA)<150m A nc к
Z5O BZX84-B2V4 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=2 4 2 5B Il(Vr= 1 0B)<50mkA, Zzt{Izt=5 GmA)< 1 OOOm, Izm=200mA A nc к
Z51 BZX84-B2V7 PHIL dz Vz(Izt=5mA}=2 68 2 75B, Il(Vr= 1 0B)<20mkA, 2^=5 OmA)< 1 OOOm. Izm=200mA A nc к
Z52 BZXB4-B3V0 PHIL dz Vz(Ict=5mA)=2 94 3 06B Il(Vr=10B)<10mkA,Zzt(Izt=50mA)<950m,Izm=200mA A nc к
Z53 BZX84-B3V3 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=3 23 3 37B, lL(VR=1 0B)<5mkA, ZztHztS 0мА)<95Ом, 1л=200мА A nc к
Z54 BZX84-B3V6 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=3 53 3 67B Il(Vr=1 0B)<5mkA 5 OmA)<900m, IZm=200mA A nc к
Z55 BZX84-B3V9 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=382 3 98B, Il(Vr=1 0B)<3mkA, Zzt<Izt=5 0mA)<90Om 1л=200мА A nc к
Z56 BZX04-B4V3 PHIL dz Vz(IZt=5mA)=4 21 439В ^|VR=1 ОВ)<ЗмкА Z^SOmAJOOOm ^200мА A nc к
Z57 BZX84-B4V7 PHIL dz Vz(Izt=5mA}-4 61 4 79B, lL(VR=2 ОВ)<ЗмкА, Zzt(Izt=5 ОмА)<800м, 1л=200мА A nc к
Z58 BZX84-B5V1 PHIL dz Мг=5мА)=500 52OB yVR=2 0В)<2мкА Znfc-5 0мА)<60Ом 1гм=200мА A nc к
Z59 BZX84-B5V6 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=5 49 5 71В, Il(Vr=2 OB )< 1 мкА, Zzt(Izt=5 0мА)<40Ом, |л=200мА A nc к
Z5p BZX84-C6V8 PHIL dz Vz(IZt=5mA)=64 72В, Il(Vr=4 0В)<2мкА Zzt(Izt=5 0мА)<15Ом, 1д|=200мА A nc к
16 BZX84C7V5 ALLEG dz Vz(Izt"5mA)=70 79В Il(Vr=50В)<1 OmkA,Zzt<Izt=5mA)<150m A nc к
Z6 BZXB4C7V5 CENTS dz Vz(Izt=5m4)=70 79В Il(Vr=50В)<1 OmkA,Z^SmA^I50м,I?m<33mA A nc к
Z6 BZX84C7V5 VISH dz Vz{Izt=5mA)=7 0 79В, ZzHIzt=5mA)<150m A nc К
Z60 BZX84-B6V2 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=6 08 6 32В, VVr=4 0B)<3mkA, Zzt<Izt=5 0мА)<10Ом, 1гм=200мА A nc К
Z61 BZX84-B6V8 PHIL dz Уг(1гг=5мА)=6 66 6 94В, Il(Vr=4 0В)<2мкА, 2^5 0мА)< 150м, 1л=200мА A nc К
Z62 BZX84-B7V5 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=7 35 7 65В Il(Vr=5 08)<1mkA Z^I^OmA^ISOm, 1дг200мА A nc К
Z53 BZX84-B0V2 PHIL dz Vz{Izt=5mA)=804 836В lL(VR-5 08)<700нА 2^=50мА)<15Ом,1гм=200мА A nc К
Z64 BZX84-B9V1 PHIL dz Vz(Izt=5mA}=6 92 9 28В, Il(Vr=6 0В)<500нА, 2^5 0мА)<150м, 1гм=200мА A nc К
Z65 BZX84-B10 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=9 8 10 2,Il(Vr=7 08}<200нА, Zzt(Izt=5 ОмА}<200м, 1дг200мА A nc К
Z58 BZXB4-B11 PHIL dz Vz(Ict=5mA)=10 8 112В Il(Vr=8 0В}< 1ООнА, Z^I^S ОмА)<200м, Izm=200mA A nc К
Z87 BZX84-B12 PHIL dz Vz(Izt=5mA)-1 18 12 2В Il(Vr^0B)<100hA,ZZt{Izt=50mA)<25Om,Izm=200mA A nc К
Z58 BZX84-B13 PHIL dz Vz{Izt=5mA)=12 7 13 ЗВ, Il(Vr=8 0В)<100нА ZztII^SOmAJOOOm 1гм=200мА A nc К
Z59 BZX84-B15 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=147 15 ЗВ, ^10 5В)<0 ОбмкА, Z^b ОмА)<ЗООм, 1л=200мА A nc К
Z8p BZX84-C7V5 PHIL dz Vz(Izt=5**A)=7 0 79В, Il(Vr=5 0В)< 1 мкА, Z^l^ ОмА}< 150м, |л=200мА A nc К
Z7 BZX84C8V2 ALLEG dz Vz(Izt=5mA)=7 7 6 7В, Il(Vr=5 08)<0 7мкА 2гт(1ст=5мА)< 150м A nc К
Z7 BZX04C8V2 CENTS dz Vz('zt=5mA)=7 7 8 9В, Il(Vr=5 08)<0 7мкА, Zzt<Izt=5mA)<1 50м, 1»<30мА A nc К
Z7 BZX84C8V2 VISH dz Vz(Izt=5mA)=7 7 69B,Zzt(1zt=5mA)<150m A nc К
Z7O BZX84-B16 PHIL dz Vz(Ict=5mA)=157 163В Il(Vr=11 2В)<50нА,2гт(1п=50мА)<400мЛм=200мА A nc К
Z71 BZX84-B18 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=176 184В Ii(Vr=12 6B)<50hA,Zzt(1Zt=50mA)<450m,IZm=200mA A nc К
Z72 BZX84-B20 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=19 6 204B,Il(Vr=14 08)<50hA 2^=5 0mA)<55Om ^м=200мА A nc К
Z73 BZX84-B22 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=2 ’ 6 22 4B, lL(VR=15 4B )<50hA Zzr<izT=5 ОмА)< 550m, 1дг200мА A nc К
Z74 BZX84-B24 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=23 5 24 5B, 1^=16 8B)<50hA, 2^=5 ОмА)<ЗООм Izm=250mA A nc К
Z75 BZX84-B27 PHIL dz Vz(Izt=2mA)=26 5 27 5B Il(Vr=189B)<50hA,Zzt(Izt=2 0mA)<600m,IZm=200mA A nc К
Z78 BZX84-B30 PHIL dz Vz(Izt=2mA|=29 4 30 6B, Il(Vr=21 08|<50hA, 2^=2 0mA)<60Om Izm=200mA A nc к
Z77 BZX84-B33 PHIL dz Уг|1л=2мА)=32 3 33 7B Il(Vr=231B)<50hA,ZzH1zt=2 0mA)<800m,Izm=200mA A nc к
Z78 BZX84-B36 PHIL dz VzHzt=2mA)=35 3 36 7B, Il(Vr=25 2B)<50hA, 2^=2 0mA)<90Om, I^ZOOmA A nc к
Z79 BZX84-B39 PHIL dz Vi(Izt=2mA)=38 2 39 8B Il(Vr=27 3S|<50hA 2^2 0mA)<75Om, Ijm=250mA A nc к
162
SOT-23, SOD-23
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
Z7p BZX84-C8V2 PHIL dz Vz(Izt=5mA)=77 67B |l(Vh=50B)<700hA(Zzt(Izt=50mA)<150m 1дг200мА A ПС к
Z8 BZX84C9V1 ALLEG dz Vz(Izt=5mA}=8 5 9 6B, Il(Vr=6 0B)<0 5mkA, Zzt(1zt=SmA)<150m A ПС к
Z8 BZX84C9V1 CENTS dz Vz(Izt=5mA)=85 96B Il(Vr=60B)<0 5mkA,Zzt(^=5mA)<150m Izm<27mA A ПС к
Z8 SST308 SIL n-FET Vos~25B Pq-350mBt, Idss=i2 60mA Qf~8mCm D S G
Z8 BZX84C9V1 VISH dz W5mAF85 96В,2гт(1гт=5мА)<150м A ПС К
Z80 BZX84-B43 PHIL dz Vzdzr2MA)=42 1 439B Il{Vr=30 1B)<50hA ZztOzt=2mA)<1500m 1дг200мА A ПС К
Z81 BZX84-B47 PHIL dz W2mAH61 479B IlO/r-32 9B)<50hA Zrr<lzT=2MA;<1700M Izm-ZOOmA A ПС К
Z82 BZX84-B51 PHIL dz ^!гг2мА^50 0 52 08 ^35 7В)<50нА Z^ttW’SCOh 1дг200мА A ПС К
Z83 BZX84-B56 PHIL dz УгИг=2мА)=54 9 571B. ЦУр^ЗЭ 28)<50нА Zzt(Izt:2mA)<2000w |д|=200мА A ПС К
Z84 BZX84-B62 PHIL dz Vz(Izt=2mA)=60 8 63 2B, IJV^ 48)<50hA Zrd Izt=2mA)<21 50m, |zm=200mA A ПС К
Z85 BZX84-B68 PHIL dz ^21^=66 6 69 48 Il(Vr=47 6B)<50hA Zzt{Izt=2mA)<2400m 1аг200мА A ПС К
Z86 BZX84-B75 PHIL dz Vz<Izt=2mA)=73 5 76 5B Il(Vr=52 58)<50hA Zzt(Izt-2mA)<2550m I^ZOOmA A ПС к
Z8p BZX84-C9V1 PHIL dz У2(1д-5мА)=85 96B Il(Vr=60B)<500hA,Zzt(IZt=5mA)<150m,Izm=200mA A ПС к
Z9 BZX84C10 ALLEG dz Vz(|zt=5mA)=9 4 10 6B, Il(Vr=7 0B)<0 2mkA Zzt(Izt=5mA)<200m A ПС к
Z9 SST309 S'L n-FET Vds=25B Pd=35OmBt,IosS=12 30mA дР=10мСм D S G
Z9 BZX84C10 VISH dz VzdzT=5MA}=94 106B,Zzt(Izt=5mA)<200m A ПС К
Z9p BZX84-C10 PHIL dz У^1гт-5мА)=94 106 Il(Vr=708)<200hA 2^=5 0mA)<20Om I^ZOOmA A ПС К
ZA6 FMMD2838 ZETEX 2xfid Vfi<75B, lp< 1 00mA, Vf(If=50mA)< 1 OB lR<01мкА, Co<4 ОпФ, 1rr<6hc А1 А2 KI К2
ZB FMMT4123 ZETEX n-p-n VcarAOB 1с=200мА ^ЗЗОмВт 1^50 150 ^>250МГц В Е С
zc KST4124 SAMS n-p-n Vcso=3OB 1г200мА Po=350mBt h2t=12O 360 1т>ЗООМГц В Е С
zc FMMT4124 ZETEX n-p-n Vc60=30B, Ic=200mA, Pd=330mBt. ^,=120 360,1т>300МГц В Е С
ZCA KN3904S KEC n-p-n W80B, Ic=200mA, Pd=350mBt В Е с
ZD KST4125 SAMS p-n-p Vcso=-3OB Ic=-200mA, Pd=350mBt h2l=50 150 1т>200МГц В Е с
ZD FMMT4125 ZETEX p-n-p W-30B, Ic=-200mA Pd=330mBt, 1^=50 150 1т>200МГц В Е с
ZFD BCV26 ZETEX p-n-p Vceo=-4OB Ic=-500mA Pd=330mBt h2i>l00,1т>200МГц В Е с
ZFE BCV46 ZETEX p-n-p W-80B Ic=-500mA, Po=330mBt, h21 >400,1т>200МГц В Е с
ZFF BCV27 ZETEX n-p-n Vc6o=4OB, Ic=500mA, pD=330MBT,h2i>lOO 1т>170МГц В Е с
ZFG BCV47 ZETEX n-p-n Vc6o=8OB, 1с=500мА, Ро=ЗЗОмВтЛ,>4ОО 1т>170МГц В Е с
ZRA KN3903S KEC n-p-n W80B, 1с=200мА Pd=350mBt В Е с
ZS1 ZHCS1OOO ZETEX shd Vr<40B lf<1A VrfJrW0 425B Ir<100mkA, Со<25пФ T«r<12hc А пс к
ZS5 ZHCS500 ZETEX shd Vr<40B If<0 5А,VfM 5А)<0 55В Ip<40mkA,Со<20пф ^IOhc А ПС к
ZS7 ZHCS750 ZETEX shd Vr<40B H 75А VrfHO 75АХ049В, lR<01мкА Сс<25пФ, |ra<12hc А ПС к
Z21 CMPZDA4V7 CENTS 2xdz^ У2(|^=5мА)-4 4 5 OB Il(Vr=2 0B)<3 OmkA ZZt(IZt=5mA)<80&j Ijm=38mA К2 К1 А2.А1
ZZ2 CMPZDA5V1 CENTS 2xdz ^(1п=5мАН8 54В, 1|_(Ув=20В)<20мкА,ггт(1гт=5мА)<600м ^ЗбмА К2 К1 А2.А1
ZZ3 CMPZDA5V6 CENTS 2xdz V^IztSmA^SZ 6 0B 1l(Vr=2 0B)<1 OmkA 2гт(1ст=5мА)<400м Izm=32mA К2 К1 А2,А1
ZZ4 CMPZDA6V2 CENTS 2xdz Vz(Izt-5mA)-58 66B Il(Vr=40B)<3OmkA Zzt(Izt=5mA)<100m,Izm=28mA К2 К1 А2.А1
ZZ5 CMPZDA6V8 CENTS 2xdz Vz(Ict=5mAH 4 72B Il(Vr=40B)<20mkA,Zzt{Izt=5mA}<150m, 1гм=25мА К2 К1 А2,А1
ZZ5 CMPZDA7V5 CENTS 2xdz Vz(|ct-5mA)=70 7 9B Il(Vr=5 0B)<1 OmkA Zzt(Izt=5mA)<150m Izm=23mA К2 К1 А2,А1
ZZ7 CMPZDA8V2 CENTS 2xdz V;(Izt=5uA)=7 7 6 7B. Il(Vr=5 OB[<0 7ukA 7гт(1П’5мА)<150м laf21MA К2 К1 А2,А1
ZZ8 CMPZDA9V1 CENTS 2xdz 72(|л=5мА)-85 96B Il(Vr=60B)<0 5mkA 2гт(1гт=5мА)<150м IZm=16mA К2 К1 А2,А1
ZZ9 CMPZDA10V CENTS 2xdz Vz[Izt=5mA)=94 106B ^Vr-7 0B)<02mkA,Zzt(Izt=W200m Izm-ISmA К2 К1 А2А1
163
SOT-323
SC-70
2.2
Код Тилономина/ Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
03 DTC143TUA RDHM D-n-p-л Vcbo=50B, Ic=100mA, Pd=20OmBt, h2l=l00 600,1т>25ОМГц R1=4 7kOm В Е С
04 DTC114TUA ROHM D-n-p-n W50B, Ic=100mA, Pd=200mBt, h2,>l00 600,1т>25ОМГц. R2=10kOm В Е С
05 DTC124TUA ROHM D-n-p-n Vc80=50B,Ic=100mA PD=200MBr,h2i=100 600,Гт>250МГц,Р1=22кОм В Е С
Об DTC144TUA ROHM D-n-p-n W50B, Ic=100mA, Pd=200mBt, h2l=100 600 1т>250МГц,Р1=47кОм в Е с
09 DTC115TUA ROHM D-n-p-n Vcbo=50B,1c=100mA,Pd=2(»mBt, h2l=l00 600 Гт>250МГц, RMOOkOm в Е с
OA DTC125TUA RDHM D-n-p-n Vcbo=5OB, Ic=100mA, Pd=200mBt, h2l=l00 600 1т>250МГц, R1=200kOm в Е с
10 MRF9411LT1 MDT n-p-n Vcbo=2OB, Ic=50mA, Pd=250mBt, h2i=50 200,1у=8ГГц в Е с
11 MRF9511LT1 MDT n-p-n Vcbo=2OB, Ic=100mA, P0=322mBt, h2i=50 200, НГГц в Е с
12 DTA123EUA ROHM D-p-n-p Vcbo=-5OB Ic=-100mA Pd=200mBt h2l>20 Гт>250МГц R1/R2=2 2/2 2kDm в Е с
13 DTA143EUA ROHM D-p-n-p Vc8o=-50B lc=-1 00mA, Pd=200mBt, h2i >20, Гт>25ОМГц, R1 /R2=4 7/4 7x0м в Е с
13s BAS125W SIEM shd Vr<258, If< 1 00mA, Vf(If=35mA}<0 9B, lR<0 15мкА, Co<1 1 пФ А пс к
14 DTA114EUA RDHM D-p-n-p W-50B, Ic=-50mA, Pd=200mBt, h21 >30, Гт>25ОМГц. R 1/R2=10/1 OkOm В Е с
14s BAS125-04W SIEM 2xshd Vr<25B,If<100mA, Vp(If=35mA)<0 9B, Ir<015mkA Cd<1 1пФ А1 К2 К1.А2
15 OTA124EUA RDHM D-p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-30mA, Pd=200mBt, h2T>58,1т>25ОМГц, R1/R2=22/22kOm В Е С
15s BAS125-05W SIEM 2xshd Vr<25B If<10OmA,Vf{If=35mA)<0 9B,Ir<015mkA,Co<1 1лФ А1 А2 К1.А2
16 DTA144EUA ROHM D-p-n-p Усео=-50В,1с(тах)=100мА, Po=200mBt, h2,>68, 1т>250МГц, R1/R2=47/47kOm В Е С
16s BAS125-0BW SIEM 2xshd Vr<25B, If<100mA, Vp(If=35mA)<0 9B, Ir<0 1 5mkA Cd<1 1лФ К1 К2 А1.А2
19 DTA115EUA RDHM D-p-n-p Усво=-5ОВ,1с=-2ОмАЫ Рь=200мВт,Ь21>82 1т>250МГц R1/R2=100/100kOm в Е С
111 DTA113ZUA ROHM D-p-n-p Vckt-SOB, 1с=-100мА, Р0=2«Квт, Ьи >33, 1т>250МГц, R1 /R2=1/10кОм в Е С
113 DTA143ZUA ROHM D-p-n-p Vc80=-50B,Ic=-100mA,Pd=200mBt h21>80 1т>250МГц, R1/R2=4 7/47кОм в Е с
121 DTC113ZUA ROHM D-n-p-n Vcbo-SOB, <с=1 00mA. Ро=200мВт, h2,>33, 1,>25ОМГц, R1 /Н2=1/10кОм в Е с
123 DTC143ZUA ROHM D-n-p-n Vcbo=50B, Ic=100mA, Pd=200mBt h2l >80,1т>250МГц, R1/R2=4 7/47кОм в Е с
132 DTA123JUA ROHM D-p-n-p Vcbo=-50B, |с=- 10ОмА, Ро=200мВт, h21>80 1т>250МГц, R1/R2=2 2/47кОм в Е с
142 DTC123JUA ROHM D-n-p-n W50B, 1с=100мА Pd=200mBt, h2l>80 (т>250МГц, R1/R2=2 2/47кОм в Е с
156 DTA144VUA ROHM D-p-n-p Vcar-SOB, Ic=- 1 ООмА, Pd=200mBt, h;, >33, (т>250МГц, R1 /R2 =47/1 ОкОм в Е с
158 DTC144VUA ROHM D-n-p-n Vcbo=5OB. Ic=1 00mA, Ро=2ООмВт, h21>33,1т>25ОМГц, R1/R2=47/10kOm в Е с
179 DTA115UU RDHM p-n-p Vcbo=-5OB, lc=-1 00mA, Pd=200mBt, >27, (т>250МГц в Е с
183 DTC115UU ROHM n-p-n Vc80=50B, 1с= 1 00mA, Pd=200mBt, h2l >27, fT>250Mfu в Е с
1A BC846AW PHIL n-p-n Vceo=8OB, Ic=100mA, Pd=200mBt, h21=H0 220,1т>100МГц в Е с
164
»
SOT-323, SC-70
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
1A ВС846МГ1 M07 n-p-n Vce0=8DB, Ic=100mA Pq=3D0mBt, h2l=1 Ю 220, lT> 100МГц В Е С
lAs BC846AW SIEM n-p-n VCbo=8OB lc=lOOMA,PD=250MBT,h2l=110 220,fT=250Mfu В Е с
IB BC846BW PHIL n-p-n VCbo=8OB Ic=100mA, Po=200mBt, h2i=200 450,1т>100МГц В Е с
IBs BC846BW SIEM n-p-n Vcbo=8O8, Ic=100mA, Po=250mBt h?(=200 450,1т=250МГц в Е с
1CL 2SC4082L ROHM n-p-n VCbo=3OB,1c=5OmA Pd=150mBt h?1=27 58, fT=1500МГц в Е с
1CM 2SC4082M ROHM n-p-n Vcbo=30B, Ic=50mA Ро=150мВт,Ь21=39 82, fT=1500МГц в Е с
1CN 2SC4Q82N ROHM n-p-n Усв^ЗОБ 1с=50мА Ро-150мВт h2t=56 120, (7=1500МГц в Е с
1CP 2SC4082P ROHM n-p-n Vcbo=3OB Ic=50mA,Pd=150mBt, h2,=82 180 1т=1500МГц в Е с
ICQ 2SC4Q82Q RDHM n-p-n Vcbo=3OB Ic=50mA Pd=150mBt, h2l=120 270, |т=1500МГц в Е с
ID BC846W PHIL n-p-n VcerBOB, Ic=I00mA, Po=200mBt h2I=110 450 17>100МГц в Е с
1DL 2SC4083L ROHM n-p-n Vcbo=20B,Ic=50mA Ро=150мВт,Ь21=27 58,1т=3200МГц в Е с
1DM 2SC4083M ROHM n-p-n VCbo=2OB Ic=50mA, Po=150mBt, h21=39 82,1т=3200МГц в Е с
1DN 2SC4Q83N ROHM n-p-n Vcbo=20B Ic=50mA, Po=150mBt h2t=56 120,1г=3200МГц в Е с
1DP 2SC4083P ROHM n-p-n W20B, Ic=50mA, Pd=150mBt, h21=82 180, |т=3200МГц в Е с
1DQ 2SC4083Q ROHM n-p-n VC6o=20B Ic=50mA Pd=150mBt, h2l=l20 270,1т=3200МГц в Е с
IE BC847AW PHIL n-p-n W50B, Ic=100mA, Po=200mBt, h2(=110 220,17>100МГц в Е с
1EL 2SC4O84L ROHM n-p-n VCbo=3OB, Ic=50mA, Pd=150mBt, h2l=27 56,1т>200МГц в Е с
1EM 2SC4084M ROHM n-p-n Vcbo=3OB Ic=50mA Pd=150mBt, h2l=39 82,1т>200МГц в Е с
1EN 2SC4084N ROHM n-p-n VCbo=3OB, Ic=50mA, Po=150mBt, h2I=56 120, |г>200МГц в Е с
1EP 2SC4084P ROHM n-p-n Vceo=3OB, Ic=50mA, Pd=150mBt, h2i=82 180,1т>200МГц в Е с
1EQ 2SC4084Q ROHM n-p-n Vcbo=3OB Jc=50mA Ро=150мВт,Ь2,=120 270 1т>200МГц в Е с
Its BC847AW SIEM n-p-n VCbo=5OB, Ic=100mA Po=250mBt, h2f=H0 220 1т>=250МГц в Е с
IF BC847BW PHIL n-p-n Vceo=5OB, Ic=100mA, Pd=200mBt, h21=200 450, fT> 100МГц в Е с
•IF PMST5550 PHIL n-p-n Vcbo=160B, 1c=600mA, Pd=200mBt h2f=60 250 frlOO 300 в Е с
IFs BC847BW SIEM n-p-n Vcbo=5OB, Ic=100mA Pd=250mBt, h2I =200 450,1т=250МГц в Е с
1G BC847CW PHIL n-p-n Усвв=50В,1с=100мА Ро=200мВт, h2l=420 800 1т>100МГц в Е с
IGs BC847CW SIEM n-p-n Vcbo=5OB, Ic=100mA, Pd=250mBt, h21=420 800,1т=250МГц в Е с
1H BC847W PHIL n-p-n Vceo=50B Jc=100mA Po=200mBt, h2(=1l0 800 1т>100МГц в Е с
1J BC846AW PHIL n-p-n VCbo=30B Ic=100mA Pd=200mBt h2i=1l0 220,1т>100МГц в Е с
•1J PMST2369 PHIL n-p-n Vcbo=40B,Ic=500mA, Pd=20OmBt, h2,=40 120 в Е с
IJs BC848AW SIEM n-p-n W30B, Ic=100mA Pd=250mBt, h2l=H0 220 1т=250МГц в Е с
IK BC848BW PHIL n-p-n Vcbo=3OB Ic=100mA, Pd=200mBt h21=200 450,1т>100МГц в Е с
•IK PMST8428 PHIL n-p-n Vcbo=60B,Ic=200mA,Pd=200mBt h2=250 650,1т=100 700МГц в Е с
IKs BC848BW SIEM n-p-n Vc8o=30B, 1с=100мА, Рр=250мВт, h2i=200 450 1т=250МГц в Е с
11 BC848CW PHIL n-p-n Vcbo=3OB, Ic=100mA Pd=200mBt h?1=420 800,1т>100МГц в Е с
-U PMST8429 PHIL n-p-n W55B 1с=200мА, Ро=200мВт, h2i=500 l250,fT=lOO 700МГц в Е с
1LM 2SC4103M ROHM n-p-n Vcbo=30B, Ic=30mA Pd=200mBt, h2!=39 82,1т>110МГц в Е с
UN 2SC4103N ROHM n-p-n Vcbo=3OB Ic=30mA, Pd=200mBt h2i=56 120 fT>110МГц в Е с
165
SOT-323, SC-70
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
ИР 2SC4103P ROHM n-p-n VCB0=30B, Ic=30mA, Pd=200mBt h2l=82 180,1т>110МГц В Е С
1LQ 2SC4103Q ROHM n p-n VcbO=30B,Ic=30mA Pd=200mBt h2i=!20 270,Ь>110МГц В Е с
ILs BC646CW SIEM n-p-n Vcgo=3OB If- 100mA Pd=250mBt, h2l=420 800,fy—250МГц В Е с
IM BC948W PHIL n-p-n Vcbo=3OB,Ic=1OOmA Pd=200mBt, h2l=1l0 800,|т>100МГц в Е с
1MN 2SC4128N ROHM n-p-n Vcbo=4OB Ic=100mA Pd=200mBt h21=56 120 Гт>230МГц в Е с
IMP 2SC412BP ROHM n-p-n Vceo=4OB Ic=100mA, Po=200mBt, h21=82 180,1т>230МГц в Е с
-IV BF820W PHIL n-p-n Vcbo=300B, Iq-IOOmA, Рр=200мВт h2i>50,1т>60МГц в Е с
•IX BF622W PHIL n-p-n Vceo=25OB, Ic=100mA Pd=200mBt, h2i >50 1т>60МГц в Е с
22 DTC123EUA ROHM D-n-p-n Vcbo=5OB Ic=100mA Po=20OmBt, h2!>20 1т>25ОМГц, R1/R2=2 2/2 2kOm в Е с
23 OTC143EUA ROHM D-n-p-n Vcbo=50B,Ic=100mA1Pd=200mBt Ь21>20Л>250МГц R1/R2=47/47kOm в Е с
24 DTC114EUA ROHM D-n-p-n Vcbo=5OB, Ic=100mA Pd=200mBt, h2l>30, Гт>250МГц, R1/R2=47/47kOm в Е с
25 DTC124EUA ROHM D-n-p-n Vcbo=5OB Ic=30mA Pd=200mBt h2l>56, fT>250Mfu R1/R2=22/22kOm в Е с
26 DTC144EUA ROHM D-n-p-n Vcbo=50B, Ic=30mA, Pd=200mBt, ^>681т>250МГц R1/R2-47/47k0m в Е с
29 DTC115BJA ROHM D-n-p-n Vcbo=50B, Ic=30mA, Pd=200mBt Ь21>82,1т>250МГц, R1/R2=100/100kOm в Е с
28 BC849BW PHIL n-p-n Vcbo=3OB. Ic=100mA, Pd=200mBt, h2l=200 450,1т>100МГц в Е с
2Bs BC849BW SIEM n-p-n VCBo=3OB Ic=100mA Pd=250mBt, h21=200 450 1т=250МГц в Е с
2C BC849CW PHIL n-p-n Vcbo=3OB, Ic=100mA Pd=200mBt, h21=420 800,1т>100МГц в Е с
2Cs BC849CW SIEM n-p-n W308 1с=100мА Ро=25ОмВ1,Ь21=420 800,1т=250МГц в Е с
2D BC849W PHIL n-p-n Vcbo=3OB, Ic=100mA, Pd=200mBt h2i=200 BOO 1у>100МГц в Е с
2F BC850BW PHIL n-p-n W50B, Ic=100mA, Pd=200mBt, h2l=200 450,1т>100МГц в Е с
2Fs BCB50BW SIEM n-p-n VCbo=5OB, lc= 1 00mA, Pd=250mBt, h21=200 450, fT=250Mru в Е с
2G BC850CW PHIL n-p-n VC0o=5OB Ic=100mA, Pd=200mBt, h2i=420 800,1т>100МГц в Е с
2Gs BCB50CW SIEM n-p-n W50B, lc= 100mA, Pd=250mBt, h2,=420 800,1т=250МГц в Е с
2N BC850W PHIL n-p-n VCbo=50B, Ic=100mA Pd=200mBt h2,=200 800 7т>100МГц в Е с
•2L PMST5401 PHIL p-n-p Vceo=-16OB, 1с=-500мА Pd=200mBt h21=60 240,1T=1OO 300МГц в Е с
33 DTA143XUA ROHM D-p-n-p W 50B,Ic=-100mA Po=2DOm8i h2l>30 fT>25OMfu R1/R2=47/10kOm в Е с
35 DTA124XUA ROHM D-p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-100mA, Pd=200mBt ^>66 1т>250МГц, R1/R2=22/47kOm в Е с
ЗА BC856AW PHIL p-n-p Vcbo=-8OB, lc=-1 00mA, Pd=200mBt, h21=l25 250, fT>100МГц в Е с
3As BC856AW SIEM P-n-p Vcbo=-8OB Ic=-100mA, Pd=250mBt, h2l=125 250,1т=25ОМГц в Е с
3S BC856BW PHIL p-n-p VCBo=-8OB, Ic=-100mA Pd=200mBt, h21=220 475,1т>100МГц в Е с
38s BCB56BW SIEM p-n-p VCbo=-8OB |с=-100мА, Po=250mBt, h2t=22O 475,1т=250МГц в Е с
3D BCB56W PHIL p-n-p VCbo=-8OB, lc=- 100mA, Pd=200mBt, h2)= 125 800, fT> ЮОМГц в Е с
3E BC857AW PHIL p-n-p Vcbo=-5OB Ic=-100mA, Pd=200mBt, h21=l25 250 1т>100МГц в Е с
3Es BC857AW SIEM p-n-p VCBq=-50B, Ic=-100mA, Po=250mBt, h2)=l25 250, fT*250MГц в Е с
3F BC857BW PHIL p-n-p VC80s-50B Ic=-100mA Pd=200mBt, h2i=220 475, Гт>ЮОМГц в Е с
3Fs BCB57BW SIEM p-n-p VCbos-5OB, lc=-1 00mA, Po=250mBt, h21-220 475,1т=250МГц в Е с
3G BC857CW PHIL p-n-p VCbo=-5OB Ic=-100mA, Pd=200mBt h21=420 800, fT>!OOMfu в Е с
3Gs BC857CW SIEM p-n-p Vcbo=-5OB, lc= 100mA Pd=250mBt, h2l=420 BOO, 1т=50МГц в Е с
166
SOT-323, SC-70
Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
3H BC657W PHIL p-n-p VC0O=-5OB Ic=-100mA Po=200mBt h21=l25 800Л>100МГц В Е С
3J BC858AW PHIL p-n-p Vcbo=-30B |c=*400mA, Pd=200mBt, h?i=l25 250 Тт>100МГц В Е С
3Js BC658AW SIEM p-n-p W-30B Ic=-100mA,Pd=250mBt h2l=l25 250, Гт=250МГц В Е с
3K BC858BW PHIL p-n-p Vcbo=-3OB Ic=-100mA,Po=200mBt ^=220 475 Ь>100МГц в Е с
3Ks BC85BBW SIEM p-n-p VCbo=-3OB Ic=-100mA Pd=250mBt, h2i=220 475,1т=250МГц в Е с
3L BCB5BCW PHIL p-n-p Vcbo=-3OB Ic=-100mA,Po=200mBt h2t=420 800 Гт>100МГц в Е с
3Ls BC85BCW SIEM p-n-p W-308 1с=-100мА Рр=250мВг, h2i=420 fi00.fr250МГц 8 Е с
3M BC658W PHIL p-n-p VC8o=-3OB Ic=-100mA, Pd=200mBt h2l=l25 800 Гт>100МГц В Е с
42 BAT54AW PHIL 2xshd Vfi<30B, If<200mA, Vf(If=1 мА)<320мВ Со<10пФ, Irr<5hc К1 К2 А2,А1
43 BAT54CW PHIL 2xshd Vr<30B,If<200mA,Vf(If=1mA)<320mB Сс<ЮпФ Irr<5hc А1 А2 К1К2
43 DTC143XUA ROHM D-n-p-n VCbo=50B Ic=100mA Pd=200mBt, h2,>30, Тт>250МГц, R1/R2=4 7/10kOm В Е С
44 BAT54SW PHIL 2xshd Vr<30B, If<200mA Vf(If=1mA)<320mB, Со<10пФ 1rr<5hc А1 К2 К1А2
44s BAS40-04W SIEM 2xshd Vr<40B If<120mA V₽(If=15mA)< 1 OB, lA< 1 OmkA Cd<5 Опф А1 К2 К1А2
46 DTC124XUA ROHM D-n-p-n VCBO=50B, Ic=T00mA Pd=200mBt ^>66, fT>250Mfn, R1/R2=22/47kOm В Е С
45s BAS40-05W SIEM 2*shd Vr<40B |f<120mA Vf(If=15mA)<1 OB lfl<1 OmkA Со<5ОпФ А1 А2 К1А2
46s BAS40-06W SIEM 2xsM Vr<40B, lf< 120mA VF(IF=15мА)< 1 OB, lft<1 OmkA, Сц<5 Опф К1 К2 А1 А2
4A BC859AW PHIL p-n-p Vcso=-3OB Ic=-100mA,Po=200mBt h2l=l25 250 Гт>100МГц В Е С
4As BC859AW SIEM p-n-p Vcbo=-3OB Ic=-100mA Pd=250mBt h21=125 250Л=250МГц В Е С
48 BC859BW PHIL p-n-p Vcbo= ЗОВ 1с=-Ю0мА Pd=200mBt h2l=220 475 1т>100МГц в Е С
48s BC859BW SIEM P-n-p VCbq=-30B, Ic=-100mA, Pd=250mBt, h2,=220 475, {т=250МГц в Е С
4C BC859CW PHIL p-n-p VCeo=-3OB 1с=-Ю0мА, Po=200mBt h21=42D 800 !т>Ю0МГц в Е С
4Cs BC659CW SIEM p-n-p VCbo=-3OB,Ic=-1OOmA Pd=250mBt, h2i=420 800 1т=25ОМГц в Е С
40 BC859W PHIL p-n-p VCbo=-3OB, lc=-100mA, Рз=200мВг 1^=125 800 fj^OOMfu в Е С
4E BCB60AW PHIL p-n-p Усвсг-50В, lc= 100mA Pd=200mBt h2)=f25 250 Ь>100МГц в Е С
4F BC860BW PHIL p-n-p VCbo=-5OB Ic=-100mA Pd=200mBt h2i=220 475Л>Ю0МГц в Е С
4Fs BC860BW SIEM p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-100mA Po=25OmBt h2l=220 475,1т=250МГц в Е С
4G BC660CW PHIL P n-p Vcbo=-5OB Ic=-100mA Pd=200mBt h2l=420 600 1т>100МГц в Е С
4Gs BC86OCW SIEM p-n-p Vcbo='5OB Ic=-100mA, Pd=250mBt h2l=420 800 (т=250МГц в Е С
4H BC860W PHIL p-n-p W-50B Ic=-100mA Pd=250mBt h2l=125 BOO !т>100МГц в Е С
52 DTA123YUA ROHM D-p-n-p W50B lc= 500mA Pd=200mBt ^.>56 fT>250Mfu, R1/R2=2 2/IOkOm в Е С
53 BAT17W SIEM shd Vr<4B If<130mA Vf(If=40mA)<0 6B, Ir<0 25mkA, Cd<0 75пФ А пс К
54 BAT17-04W SIEM 2xshd Vr<4B, If<130mA V^If=10mA)<0 6B |я<0 25mkA Со<0 75пФ А1 К2 К1А2
54 0TA114YUA ROHM D-p-n-p Vceo=-50B Ic=-100mA Pd=200mBt h21>66 1т>250МГц R1/R2=IO/47kOm В Е С
65 BAT17-05W SIEM 2x$hd Vr<4B If<130mA, Vf(IF=10mA)<0 6B Ir<0 25mkA Со<О75пФ А1 А2 К1К2
56 BAT17-06W SIEM 2x$hd Vr<4B If<130mA Vf(If=10mA)<06B Ir<025mkA,Cd<075пФ К1 К2 А1А2
5A BC807-16W PHIL p-np VCbo=-5OB, Ic=-500mA, Po=200mBt, h2T=100 250 fT>80Mfu В Е С
5 As BC807-16W SIEM p-n-p Vcbo=-5OB Ic=-500mA Pd=250mBt h2l=100 250 fT=2O0Mfu В Е С
58 BC8O7-25W PHIL p-n-p VCbo=-5OB Ic=-500mA, Pd=200mBt h2i=160 400 Гт>60МГц в Е с
167-<
SOT-323, SC-70
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
5Bs BC807 25W SIEM p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-500mA, Po=250mBt, h2,=l60 400, 1т=200МГц В Е С
5C BC807-40W PHIL p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-500mA, Pd=200mВт, h21=250 600, Гт>80МГц В Е с
5Cs BC807-40W SIEM p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-500mA, Po=250mBt, h21=250 630 (г200МГц В Е с
5D BC807W PHIL p-n-p Vceo=-50B, Ic=-500mA, Pd=200mBt, h21=l00 600,1т>80МГц в Е с
5E BCB08-16W PHIL p-n-p VCbo=-25B, Ic=-500mA, Pd=200mBt, h2rl00 250, 1т>80МГц в Е с
5Es BC806-16W SIEM p-n-p VCbo=-30B, Ic=-500mA, Pd=250mBt, h2l=l00 250, Гт=200МГц в Е с
5F BCB08-25W PHIL p-n-p Vcbo=-25B, Ic=-500mA, Pd=200mBt, h21= 160 400,1т>80МГц в Е с
5Fs BC808-25W SIEM p-n-p VCbo=-30B, Ic=-500mA Po=250mBt h2T=l80 400 Гт=200МГц в Е с
5G BC806-40W PHIL p-n-p W-25B, Ic=-500mA, Po=200mBt, h21=250 600,1т>80МГц в Е с
5Gs BC808-40W SIEM p-n-p VCbo=-30B,Ic=-500mA,Pd=250mBt h2,=250 630, 1т=200МГц в Е с
5N BC80BW PHIL p-n-p VCbo=-25B Ic=-500mA, Po=200mBt h21=l00 600, Гт>80МГц в Е с
6.8 DF3A6 BFU TOSH 2xpz Vz(Izt=5mA)=6 4 7 2B Ir(Vr=50B)<0 5mkA К1 К2 А1,А2
52 DTC123YUA RDHM D-n-p-n W50B, Ic=100mA Pd=200mBt, h2(>33, 1т>250МГц, R1/R2=2 2/10kOm в Е С
63 BAS40W PHIL shd Vr<40B, If<120mA Vf(If=1mA)<380mB С0<5пФ А пс К
84 BAS40-04W PHIL 2xshd Vr<40B, If< 1 20mA, Vf{If=1mA)<3B0mB, Ср<5лФ А1 К2 К1.А2
84 DTC114YUA ROHM D-n-p-n VCM=50B Ic=100mA, Pd=200mBt h2i>66 1т>250МГц, R1/R2=10/47kOm В Е С
55 BAS40-05W PHIL 2xsM Vr<40B,If<120mA УК1т=1мА}<380мВ,Со<5пФ А1 А2 К1,К2
66 BAS40-08W PHIL 2xshd Vr<40B, If<1 20mA Vf(If= 1 мА)<380мВ, С0<5пф К1 К2 А1,А2
6A BC817 16W PHIL n-p-n Vcbo=5OB, Ic=500mA, Pd=200mBt, h2l=100 250,1т>100МГц В Е С
6A MUN5111T1 MOT D-p-n-p Vcbo=-5OB, Ic- 50mA Pd=150mBt h21>35 в Е С
6As BCB17-16W SIEM n-p-n VCbo=5OB, Ic=500mA, Pd=250mBt, h2i=l00 250, 1т>170МГц в Е С
6B BC817-25W PHIL n-p-n W50B, 1с=500мА, Pd=200mBt, h2i=160 400, fT> 100МГц в Е С
68 MUN5112T1 MOT D-p-n-p Усвсг-50В,1сг-50мА Рр=150мВт, h2i>60 в Е С
68$ BC817-25W SIEM n-p-n VCbo=5OB, Ic=500mA, Pd=250mBt, h2pl60 400,1т=170МГц в Е С
6C BC81T-40W PHIL n-p-n W45B Ic=500mA, Pd=200mBt, 1^=250 600,Ь>100МГц в Е С
6C MUN5113T1 MOT D-p-n-p W-50B, Ic=-50mA, Po=150mBt, h2l>80 в Е с
5C$ BC817-40W SIEM n-p-n Vcbo=5OB,Ic=5OOmA,Pd=25OmBt h2l=250 630 Гт=170МГц в Е с
5D BC817W PHIL n-p-n VCBq=50B Ic=500mA, Pd=200mBt h2l=100 600, (т>100МГц в Е с
6D MUN5114T1 MOT D-p-n-p Vcbo--5OB, Ic=-50mA, Pq=150mBt, h2, >80 в Е с
6E BC818-16W PHIL n-p-n Vcbo=3OB, Ic=500mA, Po=200mBt, h2l=100 250. fT> 100МГц в Е с
6E MUN5115T1 MOT D-p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-50mA, Pd=150mBt, h2i >160 в Е с
6Es BC818-16W SIEM n-p-n VCBo=3OB, 1с-500мА, Pd=250mBt, h2l=l00 250 Гт=170МГц в Е с
6F BC816-25W PHIL n-p-n Vcbo=30B,Ic=500mA,Pd=200mBt, 1^1=160 40О.Ы00МГЦ в Е с
5F MUN5116T1 MOT D-p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-50mA, Pd=150mBt, h2,>160 в Е с
6G BC818-40W PHIL n-p-n W30B, Ic=500mA. Pd=2O0mBt, h2i=250 600, |т>100МГц в Е с
6G MUN5130T1 MOT D-p-n-p Vcbq=-50B Ic=-50mA, Рр=150мВт, h2i>3 в Е с
6Gs BC818-40W SIEM n-p-n Vc8o=30B, Ic=500mA, Pd=250mBt, h2i=250 630, fT=170МГц в Е с
6H BC818W PUL n-p-n Vcbo=30B, Ic=500mA, Pd=200mBt, h2r 100 600, fT> 100МГц в Е с
168
SOT-323, SC-70
1:1
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
6H MUN5131T1 MOT D-p-n-p Vcbo-’ЭДВ, 1с=-50мА, Pq=i50mBt h2i>8 В Е С
6J MUN5132T1 MOT D-p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-50mA, Pd=150mBt, h2i >15 В Е с
6K MUN5133T1 MOT D-p-n-p Vcbo='5OB, Ic=-50mA Pq=150mBt, h2pB0 В Е с
6L MUN5134T1 MOT D-p-n-p Vcbo='5OB Ic=-50mA, Pd=150mBt Ьзт>80 в Е с
6t3 1PS70SB40 PHIL shd Vr<40B. If<1 20mA, VrilF=1 мА)<380мВ, С0<5пФ А пс к
«4 1PS70SB44 PHIL 2xshd Vr<40B, lF< 1 20mA Vf(If=1 мА)<380мВ, Со<1ОлФ А1 К2 К1,А2
6t5 1PS70S845 PHIL 2xshd Vr<40B, If<120mA Vf(If=1mA)<380mB, Со<10лф А1 А2 К1,К2
8t6 1PS70SB46 PHIL 2xshd VR<40B, If< 1 20mA Vf(If=1mA)<380mB, С0<ЮпФ К1 К2 А1,А2
73p BAS70W PHIL shd Vr<70B, If<70mA, VF(IF=1 mA)<41 OmB, С0<2пФ А пс К
74p 8AS7Q-04W PHIL 2xshd Vr<70B, If<70mA Vf(<f=1mA)<410mB С0<2пФ А1 К2 К1Д2
74 DTA114WUA ROHM D-p-n-p Vcbo—50B, I(t-100mA Pd=200mBt, h2)>24,fT>250Mfu, R1/R2=10/47kOm В Е С
74$ BAS70-04W SIEM 2xshd Vr<70B,If<70mA,Vf(If=15mAj<1 OB Ir<0 ImkA Со<2 0пф А1 К2 К1А2
7Sp BAS70-05W PHIL 2xshd Vr<70B, If<70mA, Vr(If= 1 mA)<4 1 OmB Сэ<2пФ, {rr<0 1hc А1 А2 К1,К2
75$ BAS70-05W SIEM 2xshd Vr<70B, If<70mA, VrfiF-15мА)<1 OB, Ir<0 1mkA Cq<2 Опф А1 А2 К1К2
76p BAS70-06W PHIL 2xshd Vr<70B If<70mA Vf(If=1mA)<410mB, Со<2пф tRR<0 1нс К1 К2 А2,А1
76 0TA144WUA ROHM D-p-n-p Vceo=-506, Icfmax)=100mA Pd=200mBt, h2l>56, (т>25ОМГц, R1/R2=47/22kOm В Е С
76$ BAS70-08W SIEM 2xshd Vr<70B, If<70mA, VrfH 5mA)< 1 OB lR<0 ImkA, Co<2 ОпФ К1 К2 А1,А2
8.2 018ZA82 TOSH 2xpz VzOztSmAH 7 87B Ir(Vr=6 5B)<0 5mkA К1 К2 А1.А2
84 DTC114WUA ROHM D-n-p-n W50B, Jc=1 00mA, Pd=200mBt h2l>24, fT>250МГц, R1 /R2= 10/4 7кОм В Е С
86 DTC144WUA ROHM D-n-p-n Vc8o=5OB 1с(тах)=100мА Pd=200mBt, h2[>56 fT>25OMfu R1/R2=47/22kOm В Е С
93 DTA143TUA ROHM D-p-n-p Vceo=-5OB Ic=-100mA, Pd=200mBt h2i=l00 600 fT>250Mfu R1=47kOm В Е с
94 DTA114TUA ROHM D-p-n-p Vcbo=-5O6 Ic=-100mA Pd=200mBt, h21=l00 600,1т>250МГц, R1=10kOm В Е с
96 DTA1247UA ROHM D-p-n-p Vcbo=-5OB lc=- 100mA, Po=200mBt h2l=100 600 1г>25ОМГц, R1 =22kOm В Е с
96 DTA144TUA ROHM D-p-n-p Vckt-500, Ic=-100mA Pd=200mBt, h2,=10O 600 1т>250МГц, R1=47kOm В Е с
99 DTA115TUA ROHM D-p-n-p Vcbo=-5OB Ic=-100mA Pd=200mBt h21=100 600 1т>250МГц, R1=100kOm В Е с
9A DTA125TU ROHM D-p-n-p Vcoo=-50B. Ic=-100mA Po=200mBt, h2I=10O 600 1т>25ОМГц R1=200kOm В Е с
A MRF947T1 MOT n-p-n Vcbo=2OB, Ic=50mA, Pq- 188мВт, h2,>50 1у=8ГГц В Е с
A1 BAW56W PHIL 2xfd Vr<75B, If<150mA, Vf(If=50mA)<1 OB С0<2лФ, tRR<4wc К1 К2 А2.А1
Als BAW5BW SIEM 2xdi Vr<70B,If<200mA Vf(IF=150mA)<1 25B CD<2 ОпФ, 1rr<6hc К1 К2 А1.А2
A3 1PS300 PHIL 2xfd Vr<BOB If<200mA Vf(If=50mA)<1 OB CD<2 Опф, tRR<4wc К1 К2 А1А2
A3 1SS300 TOSH 2xdi Vr<80B, If<100mA, Vf(If=100mA)<1 2B, 1rr<4hc К1 К2 А1.А2
A3 KDS120 KEC 2xdi Vr=80B, If=100mA, Ir=0 5mkA, Ct=2 2пФ К1 К2 А1,А2
A4 BAV70W PHIL 2xfd Vr<70B If<175mA Vf(If=50mA)< 1 OB Co<1 5пф 1rr<4hc А1 А2 К1К2
A4s BAV70W SIEM 2xdi Vr<70B,If<200mA,Vf(If=150mA)<1 25B CD<1 5пФ,1яа<6нс А1 А2 К1 К2
A6 BAS16W PHIL fd Vr<75B,If<175mA,Vf{IF=50mA)<1 OB, CD<1 5пф 1rr<4hc А пс К
A6s BAS16W SIEM di Vr<75B, If<250mA Vf(If=50mA)< 1 OB, CD<2 Опф 1rr<6hc А пс К
A7 BAV99W PHIL 2xfd Vr<75B, If<150mA,Vf(If=50mA)<1 OB, Cd<1 55пФДвд<4нс А1 К2 К1А2
A7s BAV99W SIEM 2xdi Vr<70B,If<200mA,Vf(If=150mA}<1 25В Co<1 5пФ ^<6нс А1 |К2 К1.А2
169-*
SOT-323, SC-70
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
A9 1SS322 TOSH shd Vr<40B, If< 100mA, \Ц'гЮ0мА)<0 6B, С0=18пФ A ПС К
AN 2SC4098N ROHM n-p-n Vcbo=40B Ic=50mA, Pd=200mBt ^=56 120 1т=300МГц В Е с
AP 2SC4098P ROHM n-p-n Vcbo=Wc=50mA, Po=200mB-t, h2i=82 180 1т=ЗООМГц В Е с
AQ 2SC4098Q ROHM n-p-n Vcbo=4OB, Ic=50mA, Pd=200mBt h21=l20 270,1т=300МГц В Е с
B3 1PS301 PHIL 2xid Vr<80B If<250mA Vf|If=50mA)<1 OB Cp<1 5пФ, Ira<4bc А1 А2 К1,К2
B3 1SS301 TOSH 2xdi Vr<80B If<100mA, Vf(If=100mA)<1 2B 1rr<4hc А1 А2 KI К2
B9 1SS397 TOSH di Vr<400B If<100mA,Vf(If=100mA)<1 3B А пс К
BDM 2SA18O8M ROHM p-n-p VCbo=-30B, Ic=-30mA Pd=200mBt, h2r39 82,1т>400МГц В Е С
BDN 2SA1808N ROHM p-n-p Vcbo=-30B,Ic=-30mA Pd=200mBt, h21=56 120 1т>400МГц В Е с
BDP 2SA18O8P ROHM p-n p Vcbo=-30B Ic=-30mA Pd-200mBt, h2l~82 1B0,1т>400МГц В Е с
BF KDS112 KEC 2xdi Vr=30B If=50mA, Ir-0 1mkA Ct-0 8пФ А1 А2 К1,К2
BFR 2SC4723R ROHM n p-n Vcbo=50B Ic=100mA, Pd=200mBt, h2t=180 390 (т>180МГц В Е С
BFS 2SC4723S ROHM n-p-n Vcbo=50B,Ic=100mA Pd=200mBt h21=270 560 1т>180МГц В Е С
BHM 2SC4700M ROHM n-p-n VCbo=25B, Ic=200mA, Pd=150mBt, h2<39 82, fT>250MRj В Е С
BHN 2SC4700N ROHM n-p-n Vcbo=25B Ic=200mA, Pq=150mBt h21=56 120,1;>250МГц В Е С
ВНР 2SC4700P ROHM n-p-n VCbo=25B, Ic=200mA Pd=150mBt h2i=82 180 1т>250МГц В Е с
BJU 2SD2351U ROHM n-p-n VCbo=6OB Ic=150mA,Pd=200mBt h2l=560 1200 1т>250МГц В Е с
BJV 2SD235W ROHM n-p-n VCbo=6OB Ic=150mA, Pd=200mBt h21=820 1800 1т>250МГц В Е с
BJW 2SD2351W ROHM n-p-n VCbo=6OB,Ic=15OmA.Pd=2OOmBt h21=l200 2700, fT>250Mru В Е с
BLL 2SC4772L ROHM n-p-n Vcbo=30B Ic=50mA Pd=150mBt, 1)21=27 56,1т>600МГц В Е с
BIM 2SC4772M ROHM n-p-n VCbo=3OB, Ic-50mA, °d=150mBt h2r=39 82 1т>600МГц В Е с
BLN 2SC4772N ROHM n-p-n VCbo=3OB Ic=50mA Pd=150mBt h2i=56 120 1т>600МГц в Е с
BIP 2SC4772P ROHM n-p-n Vcbo=3OB, Ic=50mA, Pd=150mBt Ь2г82 180,1т>600МГц в Е с
BMQ 2SC4774Q ROHM n-p-n Vcbo~T2B Ic=50mA Pd=150mBt h2i=l20 270 1т=800МГц в Е с
BMR 2SC4774R ROHM n-p-n =Vcbo=12B Ic=50mA Po=150mBt, h2l=180 390 1т=800МГц в Е с
BMS 2SC4774S ROHM n-p-n VCB0=12B Ic=50mA, Pd=150mBt, h2.=270 560, НООМГц в Е с
BQ 2SC4081Q ROHM n-p-n Vcbo"50B Ic=150mA Pd=200mBt, h21=120 270 1т>180МГц в Е с
BR 2SC4081R ROHM n-p-n VCB0=50B Ic=150mA, Pd=200mBt ^,=180 390 1т>180МГц в Е с
BR MSB1218A-RT1 MOT p-n-p W-45B Ic=-100mA, Pd=150mBt h21=2l0 340 в Е с
BS 2SC4081S ROHM n-p-n W50B, Ic=150mA, Pd=200mBt, h21=270 560 1т>180МГц в Е с
BS MSB1218A-ST1 MOT p-n-p Vcb{j--45B Ic=-100mA Pd=150mBt h2i=290 460 в Е с
03 1PS302 PHIL 2xfd Vr<80B, If<200mA Vf(If=50mA)<1 OB CD<1 5пФ 1йй<4нс А1 К2 К1,А2
03 1SS302 TOSH 2xdi Vr<80B If<100mA VfOf=100mA)<1 2B, !rr<4hc А1 К2 К1А2
CG 2SA1587G TOSH P-n p </c8o=-12OB Ic=-100mA Po=100mBt h2f>200 400Л>=100МГц В Е С
CHA 2SC4667A TOSH n-p-n VCbo=15B Ic=200mA Pd=100mBt, h21>600 1800,1т>250МГц В Е С
CHB 2SC4667B TOSH n-p-n Vcbo=15B,Ic=2OOmA Pd=100mBt h21>!200 3600 1т>250МГц В Е С
CL 2SA4587B TOSH p-n-p Ъо= 120B Ic=-100mA Pd=100mBt, h21>350 700Л=100МГц В Е С
CP 2SC4097P ROHM n-p-n Vcbo=4OB Ic=500mA Pd=200mBt, ^,=82 180,(т>250МГц В Е С
► 170
SOT-323, SC-70
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
СО 2PB1219Q PHIL p-n-p Vcbo=-30B Ic=-500mA, Pq=200mBt h2i=85 170 1т>100МГц В Е С
CQ 2SC4097Q ROHM n-p-n Vcbo=40B,Ic=500mA,Po=200mBt h2l=120 270 Тт>250МГц В Е С
CR 2PB1219R PHIL p-n-p W-ЗОВ Ic=-500mA Pd=200mBt h2i=120 240 1т>120МГц В Е с
CR 2SC4097R ROHM n-p-n VCbo=40B,Ic=500mA, Pd=200mBt h21=l80 390,fT>250Mru в Е с
C$ 2PB1219S PHIL p-n-p Vc60=-30B 1с=-500мА Ро=200мВт, h2i=170 340, 1т>140МГц в Е с
DO 2PB1219AQ PHIL p-n-p W-60B Ic=-500mA Pd=200mBt h21=85 170Лт>100МГц в Е с
DR 2PB1219AR PHIL p-n-p Vceo=-60B, Ic=-500mA Pd=200mBt h21=120 240, Тт>120МГц в Е с
D$ 2PB1219AS PHIL p-n-p W-60B lc= 500mA, Pd=200mBt, h2i=170 340 1т>140МГц в Е с
EO HSMP-381B HP pin If<1A, Vbr>100B Rt<3 0Om Ct<0 35пФ, Rh>15000m, Rl<10Om А ПС к
£2 HSMP-381C HP 2xpm If<1A, VbaMOOB Рт<3 0Ом,Ст<035пФ,Рн>1500Ом Rl«0Om А1 К2 А2К1
E3 2SA1688 SANYO p-n-p W-30B, Ic=-30mA Pd=150mBt, h21=60 l20,fT>320MFu В Е С
E3 HSMP-381E HP 2xpin If<1A,VeA>lOOB Rt<3 0Om Ct<0 35пФ, Rh>1500Om, Rl<10Om К1 К2 А1А2
E4 2SA1688 SANYO p-n-p W-30B Ic=-30mA, Pd=150mBt h2i=90 180,1т>320МГц В Е С
E4 HSMP-3B1F HP 2xpm lF<1A VBr>100B, Rt<3 OOm Ct<0 35пФ, Rh>1500Om, Rl<10Om А1 А2 К1.К2
E5 2SA1688 SANYO p-n-p W-30B, Ic=-30mA Pd=150mBt, h2l=135 270,1т>320МГц В Е С
EC 2SC4462 HIT n-p-n Vcbo=3OB, Ic=20mA Pq=100mBt, h2i>30 1т>700МГц В Е с
F3 2SC4399 SANYO n-p-n Vc8o=30BJc=30mA,Pd=150mBt ^=60 120 1т>320МГц В Е с
F4 2SC4399 SANYO n-p-n Vcbc=30B Ic=30mA, Pd=!50mBt, b2i=90 180,1р320МГц В Е с
F5 1SS370 TOSH di Vr<200B, If<1 00mA Vf(If=100mA)<1 2B, 1rr<60hc А ПС к
F5 2SC4399 SANYO n-p-n VCbo=30B, Ic=30mA, Pd=150mBt, h21=135 270 !т>320МГц В Е с
F0 BF824W PHIL p-n-p VCbo=-30B, Ic=-25mA Po=200mBt, h2? >25, fT>400MTu В Е с
FQ 2PA1576Q PHIL p-n-p W-50B Ic=-100mA,Pd=200mBt ^=120 270 1т=100МГц В Е с
FQ 2SA1576AQ ROHM p-n-p W-50B 1с=-150мА, Рр=200мВт П21=120 270 1т>140МГц В Е с
FR 2PA1576R PHIL p-n-p W-50B Ic=-100mA,Pd=200mBt,7i2i=180 390, <т>100МГц В Е с
FR 2SA1576AR ROHM p-n-p VCeo=-50B Ic=-150mA Pd=200mBt 1)21-180 390 ГрМОМГц В Е с
FS 2PAT576S PHIL p-n-p Vceo=-5OB 1с=-100мА, Ро=200мВг, h21=270 560 Гт>?ООМГц В Е с
F$ 2SA1576AS ROHM p-n-p Vcbo=-5OB Ic=-150mA,Po=200mBt h21=270 560,1т>140МГц В Е с
G MRF947AT1 MOT n-p-n W20B Ic=50mA Pd=188mBt h2i=75 150,1т=81Тц в Е с
GO HSMP-389B HP pm |f<1A V8»>1OOB Rs<2 50m Ст<0 30пф А ПС к
•G1 PMST5551 PHIL n-p-n Vcbo=18OB Ic=600mA Pd=200mBt,Ii2i=80 250, fT=lOO 300МГц В Е с
G2 HSMP-389C HP 2xpm lF<1A, Vbr>100B, Rs<2 50м Ст<0 30пФ А1 К2 К1,А2
G3 HSMP-389E HP 2xpm lF< 1 A, VBfi> 10OB, Rs<2 50м, Ct<0 ЗОпф К1 К2 А1,А2
G4 HSMP-389F HP 2xpm lp<1 A Vbr>1 OOB, Rs<2 50м, Ct<0 ЗОпф А1 А2 К1,К2
GC 2SC4264 HIT n-p-n W20B 1с=50мА Po=100mBt, 1)21=20 200, fT>l 4ГГц В Е С
H MRF947BT1 MOT n-p-n Vcbo=20B,Ic=50mA Pd=188mBt, h2l=100 200 1т=8ГГц В Е С
N MRF947BT3 MOT n-p-n W20B Ic=50mA,Pd=188mBt, hjrIOO 200,fr8ITu В Е с
NC 2SC4463 HIT n-p-n W30B, Ic=50mA, Pd=100mBt h21>60 1т>600МГц В Е с
NE 2SC4102E ROHM n-p-n Vcbos120B,Ic=50mA,Po=200mBt, h2i=390 820 (т>140МГц В Е с
171
SOT-323, SC-70
Код Типономинал Фирма функция Особенности Цоколевка
1 2 3
NP 2SA1577P ROHM p-n-p Vcbo=-4OB Ic=-500mA, Po=200mBt, b21=82 180,1т>200МГц В Е С
HQ 2SA1577Q ROHM p-n-p W-40B 1с=-500мА Pd=200mBt, >121=120 270 1т>200МГц В Е с
HR 2SA1577R ROHM p-n-p W-40B 1с=-500мАЛ=200мВ1Лг180 390 1т>200МГц В Е с
NR 2SC4102R ROHM n-p-n Vcbo=12OB, Ic=50mA, Pd=200mBt, h21= 180 390,1т>140МГц в Е с
HS 2SC4102S ROHM n-p-n VCbo=120B Ic=50mA, Pd=200mBt, h2r270 560,1т>140МГц в Е с
1 MRF947RT3 MOT n-p-n VCbo=20B Ic=50mA,Pd=188mBt Ь21>50,1т=8000МГц Е В с
IL- 2SC4263 HIT n-p-n Vcbo=15B Ic=20mA, Pd=100mBt h21=30 200, (т>700МГц В Е с
IP- 2SC4262 HIT n-p-n Vcbo=20B, Ic=50mA, Pd=100mBt h21=50 200, fT>1 4ГТц в Е с
IS- 2SC4537 HIT n-p-n VC0o=15B Ic=50mA Pd=100mBt h2i=5O 250 fT>4 5ГГц в Е с
JC 2SC4265 HIT n-p-n Vcbo=3OB 1р=50мА Pd=100mBt fty >40, ?т>600МГц в Е с
JC BAL74W PHIL fd VR<75B If<175mA, Vf(If=50mA)<1 0B CD<15пФ tRR<4HC ПС А к
JF BAL99W PHIL fd VR<70B, |F< 150mA, Vf(If=50mA)<1 0B Cq< 1 5пф 1»р<4нс пс К А
JM 2SC4099M ROHM n-p-n W25B 1с=20мА,Ро=150мВтЛг39 82,1т>500МГц В Е с
JN 2SC4099N ROHM n-p-n VCbo=25B, Ic=20mA, Pd=150mBt ^=56 120 1т>500МГц В Е с
JP 2SC4099P ROHM n-p-n W25B, 1с=20мА Pd=i50mBt ^,=82 180,1т>500МГц В Е с
JS3 2SA1857 SANYO p-n-p W-15B, Ic=-50mA, Pd=150mBt h21=60 120 1т>750МГц В Е с
JS4 2SA1857 SANYO p-n-p W-15B 1с=-50мА Pd=150mBt h2i=9O 180,1т>750МГц В Е с
JS5 2SA1857 SANYO p-n-p Vcbo=-15BJc=’5OmA, Ро=150мВт, h2|=l35 270 1т>75ОМГц В Е с
K14 DTA114GUA ROHM D-p-n-p Vcbc=-50B. Ic=-100mA Po=200mBt, h2,>30,1т>250МГц, R2=10kOm в Е с
K15 DTA124GUA ROHM D-p-n-p VCbo=-5OB lc- 100mA, Рр=200мВт, h2l>56,1т>25ОМГц, R2=22kOm в Е с
K16 DTA144GUA ROHM D-p-n-p Vcbo=-5OB Ic=-100mA, Pd=200mBt, h2l>68,1т>250МГц, R2=47kOm в Е с
K19 DTA115GUA ROHM D-p-n-p Vcbo=-50B Ic=-100mA Po=200mBt, h21>82, 1т>250МГц, R2=100kOm в Е с
K24 DTC114GUA RDHM D-n-p-n VCbo=5OB, Ic=100mA, Pd=200mBt, h21 >30, fT>250M Гц, R2=10kOm в Е с
K25 DTC124GUA ROHM D-n-p-n Vcbo=5OB Ic=100mA Рр=200мВт,1121>56,?т>250МГц, R2=22kOm в Е с
K26 DTC144GUA ROHM D-n-p-n Vcbo=5OB,Ic=1OOmA, Pd=200mBt, 1121>68Л>250МГц R2=47kOm в Е с
K26 DTC115GUA ROHM D-n-p-n Vcbo=5OB, V100mA, Pd=200mBt 11?1>82,Тт>250МГц, R2=100kOm в Е с
K3B DTA1D3RUA ROHM p-n-p W-50B, 1с(тах)=-100мА, Pd=200mBt П21>20,1т>250МГц в Е с
K4B DTC1D3RUA ROHM n-p-n VCbo=50B, 1с(тах)=100мА Pd=2O0mBt, ^>20 1у>250МГц в Е с
KH 2SK1827 TOSH n-FET Vos>50B Io=50mA Rds(or)<50Om др20мСм, Ро=100мВт G S D
KI 2SK1829 TOSH n-MOS Vds>20B Ь=50мА RDS(on)<40OM <jf>20mCm, Pd=100mBt G S D
KK 2SK2824 TOSH n-MOS Vds>20B 1р=100мА R[>s{on)<28OM 9f>35mCm,Pd=100mBt G S D
KP 2SK2034 TOSH n-MOS Vds>2OB lo=l00MA,RDs(on)<l2OM дР>25мСм, ГЪ=100мВт G S D
KJ 2SK2037 TOSH n-MOS Vds>20B, 1р=100мА, Ros(on)<60M gF>35 мСм, Pd=100mBt G S D
KQ 2SJ344 TOSH p-MOS Vds>-50B Ь=-50мА, RD$(on)<50OM дР>15мСм, PD= 100мВт G S D
KS 2SJ346 TOSH p-MOS Vos>-20B Ь=-50мА, Rps(on)<40OM дР>15мСм Pq=100mBt G S D
LO HSMP-386B HP pm lF<1 A, V0r>5OB Rs(typ)=3 OOm, CT{typ)=O 20пФ А ПС К
L2 HSMP-386C HP 2xpm lF< 1 A, Vbr>5OB Rs(typ)=3 ООм, Ст(Тур)=О 20пФ А1 К2 К1,А2
L2 KTC4075 KEC n-p-n VOT=80B lc=150uA Pd=I0OmBt It,=70 140, Ь>80МГц В Е С
► 172
SOT-323, SC-70
Цоколевка
Код Типономинал Фирма Функция Особенности 1 2 3
L3 HSMP-386E HP 2xpin If<1A, Vw>50B, R$(typ)=3 OOm CT(typ)=O 20пф К1 К2 А1,А2
L4 BAT54W PHIL shd VR<30B, If<200mA, Vf(If=1mA)<320mB, Со<10пФ Trr<5hc A пс К
L4 HSMP-386F HP 2xpin lf<1A VBr>50B . Rs<tvpi=3 OOm, CrttypH 20пф А1 А2 К1,К2
14 KTC4075 KEC n-p-n Vceo=8OB, Ic=150mA, Pd=100mBt, h2i=120 240,1т>80МГц В Е С
L6 KTC4075 KEC n-p-n W60B, Ic=150mA Pd=100mBt h?1=200 400, |т>80МГц В Е С
L8 KTC4075 KEC n-p-n Vcbo=60B Ic=150mA,Pd=100mBt,Ii21=350 700 1т>80МГц В Е С
LBL KTC4075 KEC n-p-n W60B Ic=150mA, Pd=100mBt, h2,=350 700,1т>80МГц В Е С
LEs BF660W SIEM p-n-p Vceo=-40B Ic=-25mA, Pq-280mBt, h2i^30 1у=700МГц В Е С
LG 2SC4I16 70SH n-p-n Vc8o=60BJc=^50mA Pd=100mBt, ^>200 400, |г>80МГц в Е С
LGR KTC4075 KEC n-p-n Vcbo=60B, Ic=150mA, Pd=100mBt ^,=200 400 Тт>80МГц в Е С
LNs BF569W SIEM p-n-p VCbo=-40B Ic=-30mA Pd=280mBt h21>20 1т=950МГц в Е С
LKs BF799W SIEM n-p-n W30B Ic=35mA Pd=280mBt, h2i=40 250 1т=1100МГц в Е С
LL 2SC4116 TOSH n-p-n Vcbo=6OB, Ic=150mA, Pd=100mBt, h2i>350 700,1т>80МГц в Е С
LO 2SC4116 TOSH n-p-n VCbo=60B,Ic=150mA,Pd=100mBt h21>70 140, fT>80MRj в Е С
LO KTC4075 KEC n-p-n W60B, Ic=150mA Pd=100mBt,Ii21=70 140 1у>80МГц в Е С
LOs BF775W SIEM n-p-n VCbo=2OB, Ic=30mA Pd=280mBt, h2i=40 200,1т=5000МГц в Е С
LY 2SC4116 TOSH n-p-n Vcbo=6OB, Ic=150mA, Pd=100mBt, h21 >120 240, Тт>80МГц в Е С
LY KTC4075 KEC n-p-n W60B, Ic=150mA, Pd=100mBt ^,=120 240, |т>80МГц в Е С
MCs BFS17W SIEM n-p-n Vcbo=25B, Ic=50mA, Pd=280mBt h21s=20 150, <т>2500МГц в Е С
N9 1SS372 TOSH 2xshd VR< 10B, lF<1 00mA, Vf(If=1 00мА)<0 5B, Со<40пф А1 К2 К1А2
NA KRC401 KEC n-p-n W50B 1с=100мА Pd=100mBt, R1/R2=4 7/4 7kOm в Е С
NB KRC402 KEC n-p-n Vcbo=5OB, |c=1 00mA Pd=100mBt, R1/R2=10/10kOm в Е С
NC KRC403 KEC n-p-n Vcbo=5OB, Ic=100mA, Pd=100mBt, R1/R2=22/22kOm в Е С
ND KRC404 KEC n-p-n W50B, Ic=100mA Pd=100mBt, R1/R2=47/47kOm в Е С
NE KRC405 KEC n-p-n W50B Ic=100mA Po=100mBt R1/R2=2 2/47kOm в Е С
NF KRC4Q6 KEC n-p-n W50B Ic=100mA Pd=100mBt R1/R2=4 7/47kOm в Е С
NK KRC410 KEC n-p-n Vcbo=5OB, Ic=100mA Pd=100mBt, R1=4 7kOm в Е С
NM KRC411 KEC n-p-n Vcbq=50B, Ic=100mA Pd=100mBt, R1=10kOm в Е С
NN KRC412 KEC n-p-n Vcbo=5OB, Ic=100mA, Pd=100mBt, R1=100kOm в Е С
NO KRC413 KEC n-p-n VCbo=5OB, Ic=100mA, PD=tOOMBT, R1=22kOm в Е С
NP KRC414 KEC n-p-n W50B, Ic=100mA, Pd=100mBt, R1=47kOm в Е С
09 ISS378 TOSH 2xsM VR<1 OB, If<100mA, Vf(If=100mA)<0 58, Со<2ОпФ А1 А2 К1,К2
PI A PMST3904 PHIL n-p-n Ус80=Ж1с=200мА Ро=200мВт,Ь21=100 300,fT>300 в Е С
P1Q PMST5O88 PHIL n-p-n W35B,Ic=50mA Po=200mBt, h2i>300 900 в Е С
P1R PMST5089 PHIL n-p-n W30B, Ic=50mA, Po=200mBt, h21>400 1200 в Е С
Pls BFR92W SIEM n-p-n W20B, Ic=30mA Pd=280mBt,7i2i=40 200, 1т=5000МГц в Е с
P2A PMST3906 PHIL p-n-p W-40B Ic=-200mA, Po=200mBt, h21=l00 300, fT>250 МГц в Е с
P2T PMST4403 PHIL p-n-p W-40B 1с=-600мА, Рр=200мВт h21=l00 300, fT>200 МГц в I Е С
173
SOT-323, SC-70
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
P2X PMST4401 PHIL n-p-n W60B, Ic=600mA, Pd=200mBt, h21=100 300, Гт>250МГц В Е С
PA 2SC4686 TOSH n-p-n Vcbo-SOB Ic=150mA, Pd=100mBt, h2i>600 1800,1т=250МГц В Е с
PB 2SC4666 TOSH n-p-n W50B, 1с=150мА, Рр=100мВт, h2l>l200 3600 1т=250МГц В Е с
PH KRA307 KEC p-n-p W-50B, Ic=-100mA, Pd= 100mBt, R1/R2=10/47kOm в Е с
PI KRA308 KEC p-n-p VCBo= 50В, 1с=-100мА, Рр=100мВт, R1/R2=22/47kOm в Е с
PJ KRA309 KEC p-n-p W-50B, Ic=-100mA, Pd=100mBt R1/R2=47/22kOm в Е с
P04 PMSS3904 PHIL n-p-n VCbo=60B, Ic=200mA, Pd=200mBt, h2rl00 300 1т>180МГц в Е с
PO6 PMSS3906 PHIL p-n-p Vcbo=-4OB, 1c=-200mA, Pd=200mBt h2rl00 300, fT>l50 МГц в Е с
01- 2SC4261 HIT n-p-n Vcbo=25B,Ic=50mA,Pd=100mBt h2T-50 180 П>18ГГц в Е с
00 KTC4080 KEC n-p n Vceo=4OB, Ic=20mA, Po=100mBt, ^21=70 140, Ь>550МГц в Е с
OR KTC4080 KEC n-p-n Vcbo=40B,Ic=20mA,Pd=100mBt h21=40 80 1т>550МГц в Е с
QY KTC4080 KEC n-p-n VCBO=40B, Ic=20mA Ро=Ю0мВт, 1^=100 200,1т>55ОМГц в Е с
R2s BFR93AW SIEM n-p-n Vc8o=15B, Ic=50mA Pd=300mBt, h21=50 200, ff-бОООМГц в Е с
R9 1SS393 TOSH 2xsM Vr<40B, !f<100mA, Vf(If=100mA}<0 6B, Сэ=18пФ А1 Д2 К1,К2
RBs BF771W SIEM n-p-n VCbo=20B, Ic=80mA, Pd=400mBt, h2i =50 200, НОООМГц в Е с
RCs BFR193W SIEM n-p-n Vcbq"20B, Ic=80mA, Pd=580mBt h2i—50 200 fr-8000МГц в Е с
RDs BFR180W SIEM n-p-n Vceo=1OB, Ic=4mA Pd=30mBt, ЬгрЗО 200,1т=7000МГц в Е с
RE 2SA1579E ROHM p-n-p Vceo=-12OB 1с=-50мА Ро=200мВт,Ь2г390 820,1т>140МГц в Е с
REs BFR280W SIEM n-p-n VCbo=1OB 1с=10мА, Pd=80mBt, b2l=30 200,1т=7500МГц в Е с
RFs BFR181W SIEM n-p-n VCbo=2OB, Ic=20mA, Pd=175mBt h2r50 200, НОООМГц в Е с
RGs BFR182W SIEM n-p-n W20B, Ic=35mA, Pd=250mBt, h21=50 200, Н000МГЦ в Е с
RHs BFR183W SIEM n-p-n Vcbo=2OB, Ic=65mA, Pd=450mBt h2l=50 200 НОООМГц в Е с
RR 2SA1579R ROHM p-n-p W-120B Ic=-50mA Pd=200mBt h2,=180 390 1т>140МГц в Е с
RS 2SA1579S ROHM p-n-p Vcbo=-12OB Ic=-50mA, Pd=200mBt, h2i=270 560,1т>140МГц в Е с
RT3 2SC4400 SANYO n-p-n Ъо=4ОВ, Ic=50mA, Pd=150mBt, h2l=60 120,1т>75ОМГц в Е с
RT4 2SC4400 SANYO n-p-n Vcbo=4OB, Ic=50mA Pd=150mBt, h2l=90 180,1т>750МГц в Е с
RT5 2SC4400 SANYO n-p-n Vceo=40B, Ic=50mA, Pd=150mBt, h21=!35 270,1т>750МГц в Е с
S2 KTA2014 KEC p-n-p Vcbo=-50B, Ic=-150mA Pd=100mBt, h21-70 140,1т>80МГц в Е с
S4 KTA2014 KEC p-n-p Vcbo=-50B, |q=- 150мА, Рр=100мВт, П2>=120 240 1т>80МГц в Е с
S6 KTA2014 KEC p-n-p W-50B Ic=-150mA,Pd=i00mBt h2i=200 400,1т>80МГц в Е с
S9 1SS395 TOSH shd Vfl< 10B, lF< 1 00mA, Vf(If=100mA)<0 5B, Со<40пФ А ПС к
SG 2SA1586 TOSH p-n-p Vcbo=-50B, Ic=-150mA, Po=100mBt, h2p200 400,1т>80МГц в Е с
SGR KTA2014 KEC p-n-p W-50B, Ic=-150mA Pd=100mBt ^,=200 400,1т>80МГц в Е с
SM 2SC4100M ROHM n-p-n Vcbo=3OB Ic=50mA, Pd=200mBt ^=39 82 fT>110МГц в Е с
SN 2SC4100N ROHM n-p-n VCao=3OB 1с=50мА, Po=200mBt h2t=56 120,1т>1ЮМГц в Е с
SO 2SA1586 TOSH p-n-p Vcbo=-5OB, 1с=-150мА, Pd=100mBt h21>70 140 1т>80МГц в Е с
so KTA2014 KEC p-n-p W 50В,1с=-150мА,Ро=100мВт,П2г70 140Л>80МГц в Е с
SP 2SC41G0P ROHM n-p-n Усво’ЗОВ Ic=50mA Pd=200mBt h2l=82 180, fT>1 ЮМГц в Е с
► 174
SOT-323, SC-70
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
SO 2SC4100Q ROHM n p-n Vceo=3OB Ic=50mA Pd=200mBt h21=l20 270 (т>1ЮМГц В Е С
SY 2SA1586 TOSH p-n-p W-50B Ic=-150mA,Pd=100mBt, П21=120 240,1т>80МГц В Е с
SY KTA2014 KEC p-n-p W 50B, Ic=-150mA, Pd=100mBt, h21=l20 240,1т>80МГц В Е с
ТЕ 2SC4102E ROHM n-p n Vcbo=120B Ic=50mA, Po=200mBt h21=390 820, fT>140Mfu в Е с
Tl- 2SC4260 HIT n-p-n Vcbo=25B Ic=50mA, Рр=100мВт h2|=50 180 1у>ЗГГц в Е с
TR 2SC4102R ROHM n-p-n Vcbo=1?OB Ic=50mA Pd=200mBt, h21=l80 390,1т>140МГц в Е с
TS 2SC4102S ROHM n-p-n Vcbo=12OB Ic=50mA Pd=200mBt, h2l=270 560 Тт>140МГц в Е с
Ul- 2SC4259 HIT n-p-n VCbo=3OB,Ic=2OmA Pd=100mBt h21=50 180 1т>700МГц в Е с
WIs BFT92W SIEM P-n p W-20B Ic=-25mA, Po=200mBt h2l>l5,1т>5000МГц в Е с
WCs BCR133W SIEM D-n-p-n W50B Ic=100mA Pd=250mBt ПгРЗОЛ^ЗОМГц в Е с
WDs BCR141W SIEM D-n-p-n Vcbo=5OB 1с=100мА,Рр=250мВт h2J>50,1т=130МГц в Е с
WEs BCR148W SIEM D-n-p-n Vcbo=50B, Ic=70mA, Pd=250mBt, h21>70, Ь=Ю0МГц в Е с
WFs BCR112W SIEM D-n-p-n VCB0=50B Ic=100mA Pd-2S0mBt, h2l>20, Тт>140МГц в Е с
WGs BCR116W SIEM D-n-p-n Vcbo=5OB Ic=100mA Pq=250mBt, h2j>70,1т=1бОМГц в Е с
WHs BCR108W SIEM D-n-p-n W50B Ic=100mA Pd=250mBt, Ь21>70,1т=170МГц в Е с
WIs BCR158W SIEM D-p-n-p W-50B, 1с=-100мА Ро=250мВт,1121>70 1т=200МГц в Е с
WJs BCR135W SIEM D-n-p-n W50B, Ic=100mA, Pd=250mBt, h21>70 fT=150МГц в Е с
WKS BCR119W SlEM D-n-p-n Vcbo=50B,Ic=100mA,Pd=200mBt h21=120 630,1т>150МГц в Е с
WLs BCR146W SIEM D-n-p-n W50B, Ic-70mA, Pd=250mBt h21>50 1т=150МГц в Е с
WMs BCR183W SIEM D-p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-100mA, Pd=250mBt, h21 >30 1т>200МГц в Е с
WHs BCR185W SIEM D-p-n-p W-50B, Ic=-100mA, Pd=250mBt Пг,>70,1т=200МГц в Е с
WOs BCR191W SIEM D-p-n-p Vpgo=-5OB Ic=-100mA, Pd=250mBt h2|>50,1у>200МГц в Е с
WPs BCR192W SIEM D-p-n-p W-50B, 1с=-100мА, Рр=250мВт, h21 >70 1т>200МГц в Е с
WRs BCR198W SIEM D-p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-70mA, Po=250mBt, h21 >70 1т=190МГц в Е с
WSs BCR169W SIEM D-p-n-p Vcbo=-5OB, Ic~-100mA Рр=250мВт, h2l=l20 630,1т> 150МГц в Е с
WTs BCR166W SIEM D-p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-100mA, Pd*250mBt, h2l >70, fr= 160МГц в Е с
WUs BCR162W SIEM D-p-n-p W-50B, Ic=-100mA, P^250mBt, b2) >20 1т>200МГц в Е с
WXs BCR196W SIEM D-p-n-p Vcbo='5OB Ic=-70mA Pd=25QmBt, h2i>S0 tq-—150МГц в Е с
WZs BCR142W SIEM D-n-p-n VCbo=5OB Ic=100mA Pd=250mBt h21>70 1т=15ОМГц в Е с
XF- 2SC4464 HIT n-p-n Vcbo=15B Ic=5mA, Pd=5OmBt 1^=40 250, fj>2 5ГГЦ в Е с
XM- 2SC4593 HIT n-p-n Vcbo=15B,Ic’50mA Рр=100мВт,П21=40 250Л>65ГГц в Е с
XT- 2SC4674 HIT n-p-n Vcbo=12B, Ic=8mA, Pd=50mBt, h21=50 250 1т>4ГГц в Е с
YP 2SD1949P ROHM n-p-n VCbo=5OB Ic=500mA, Pd=200mBt, h2i=82 180,Ь>250МГц в Е с
YQ 2SD1949Q ROHM n-p-n W50B, Ic=500mA, Рр=200мВт, h21=l20 270 1т>250МГц в Е с
YR 2SD1949R ROHM n-p-n VCbo=50B Ic=500mA Po=200mBt, h21=180 390,1т>250МГц в Е с
zo 2PC4081Q PHIL n-p-n Vcbo=50B,Ic=100mA Pd=200mBt, П21=120 270,1т>Ю0МГц в Е с
ZR 2PC4081R PHIL n-p-n Vcbo=5OB,Ic=10DmA Pd=200mBt, h2l=180 390,1т>100МГц в Е с
ZR MSD18T9A-RT1 MOT n-p-n Vcbo=60BJc=’OOmA, Pd=15OmBt, h21=2l0 340 в Е с
ZS 2PC4O81S PHIL n-p-n W50B, Ic=100mA Pd=200mBt, h2f=270 560 1т>100МГц Bi Е с
175
SOT-343
02
2 О-
Цоколевка
Код Типономинал Фирма Функция Особенности 1 2 3 4
ALs BFP405 SIEM n-p-n Vcbo=15B Ic=12mA,P0=55mBt, h2i=50 150 fT>20 ГГц B E с Е
AMs BFP420 SIEM n-p-n VCbo-15B, 1с=35мА, Po=160mBt, h2i=50 150 1т>20ГГц 8 E с Е
ANs BFP450 SIEM n-p-n Vcbo=15B Ic=10mA, Pd=450mBt, h2i=50 1 50, f;> 15ГГц В E с Е
DI- 2SC3867 HIT n-p-n Vcbo=20B Ic=50mA, Pd=15DmBt, h21=20 200, fT> 1400МГц В E с пс
EC 2SC2732 HIT n-p-n Vcbo=30B, Ic=20mA Pd=150mBt h2l>30,1т>700МГц E В с ПС
El- 3SK182 HIT n-MOS Vds=20B, Id=50mA PD=150MBT,PG>10flE,NF<6 ОдБ S D G2 G1
Fl- 3SK186 HIT n-MOS Vps=l2B, 1р=35мА,Ро=150мВт,Рс>16дБ,МЕ<4 5дБ S D G2 G1
GC 2SC2734 HIT n-p-n VCbo=20B, Ic=50mA, Pd=150mBt, h2i=20 200, fT>1 4ГГц E В С ПС
HC 2SC2733 HIT npn Vcbo=3OB, Ic=50mA, Pd=150mBt h21>60 1т>б00МГц E В С ПС
HI- 3SK188 HIT n MOS Vds=22B, Id=35mA,Pd=150mBt Pg> Т8дБ NF<3 2дБ S D G2 G1
ID- 2SC3127 HIT n-p-n VCBo=2OB, Ic=50mA, Pd=150mBt Ре=10 5дБ (т>3500МГц E В С ПС
IG- 2SK360 HIT n-MOS Vps=20B, Id=30mA, PCh=150mBt, Рс=30дБ NF=2 ОдБ E В С ПС
U- 2SC3374 HIT n-p-n VCbo=2OB, Ic=20mA, Pd=150mBt, h?l=20 200,1т>400МГц E в С ПС
IL- 2SC3493 HIT n-p-n Vcbo=15B, Ic=20mA, Pd=150mBt, h2,=30 200. (т>70ОМГц E в С ПС
IP- 2SC3793 HIT n-p-n Vcbo=20B Ic=50mA, Pd=150mBt, 1121=50 200 1т>1400МГц E в С ПС
IS- 2SC3513 HIT n-p-n Vcbo=15B Ic=50mA, Pd=150mBt h2i=50 250 1т>4500МГц E в С ПС
IT- 3SK162 HIT n-MOS VDs=12B, I0=35mA PD=1 50mBt,Pg>18aB NF<3 ОдБ S D G2 G1
IV- 2SK668 HIT n-FET GaAs Vps=6 OB, 1р=100мА Рсн=150мВт Рс=ЮдБ NF=2 5flE S D S G
IV- 3SK136 HIT n-MOS Vds-20B lD=35MA,PD=l50MBT,PG>17flB,NF<3ЗдБ S D G2 G1
1W- 3SK137 HIT n-MOS Vo$=t5B Id=35mA,Pd=150mBt Ре>10дБ NF<5 ОдБ S D G2 G1
IW- 3SK137V HIT n-MOS Vqs=15B I0=35mA Po=150MBT,PG>20fl5,NF<3 ОдБ s D G2 G1
IX- 3SK138 HIT n MOS Vds=15B, Iq=35mA Ро=150мВт,Рс>10дБ NF<5 ОдБ s D G2 G1
IY- 3SK194 HIT n MOS Vds=15B Ip=35mA,Pd=150mBt Ре>27дБ NF<2 5дБ s D G2 G1
IZ- 3SK154 HIT n MOS VDs=15B 10=35мА,Ро=150мВт.Рс>22дБ NF<3 ОдБ s D G2 G1
JC 2SC2735 HIT n p-n VCbo=30B Ic=50mA, Po=150mBt, h21 >40,1т>600МГц E В С ПС
Ml- 2SC4126 HIT n-p n VCbo=15B Ic=50mA,Pd=150mBt, 1121=50 250,1т>4500МГц C Е В Е
MOs BF998W SIEM n MOS VDs=12B Id=30mA Pd=200mBt NF=1 ОдБ Idss=2 18мА,др=24мСм D S G1 G2
MYs BF1012W SIEM n-MOS Vqs=16B Io=40mA Pq=200mBt, NF=1 4дБ дР=26мСм D S G1 G2
Nl- 3SK191 HIT n-FET GaAs, Vds=12 0B Io=8OmA, Pd=150mBt, Рс>12дБ NF<3 0fl5 S D G2 G1
► 176
SOT-343
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3 4
Ml- 3SK191 HIT n-FET GaAs Vds=12OB, Id=80mA, Рр=150мВт PG>l2flB NF<3 0pB S D G2 G1
Ms BFP136W SIEM n-p-n Vcbo=20B,Ic=150mA,Po=1000mBt, h2,=8O 250 1т>5900МГц E C E В
QI- 2SC4196 HIT n-p n Vcbo=25B Ic=50mA, Pd=150mBt, h2i=50 180,1т>18ООМГц E В C nc
RCs BFP193W SIEM n-p-n Vcbo=2OB, Ic=80mA, Pd=5B0mBt, h2i=5O 200, Тт=8000МГц E c E В
RDs BFP18OW SIEM n-p-n Vcm=10B Ic=4mA, Pd=30mBt, h21=30 200, (т>6200МГц E c E В
REs BFP280W SIEM n-p-n Vcbo= 10B, Ic=I0mA, Po=BOmBt, h2l=30 200,1т>7000МГц E c E в
RFs BFP181W SIEM n-p-n Vcbo=20B, Ic=20mA, Pd=1 75mBt, ^=50 200, Н=8000МГц E c E в
RGs BFP182W SIEM n-p-n Vcbo=2OB Ic=35mA, Pd=250mBt h2i=50 200,1т>8300МГц E c E в
RHs BFP183W SIEM n-p n VCbo=2OB Ic=65mA Pd=450mBt, h2l=5O 200, fr=8000Mru E c E в
RIs BFP196W SIEM n-p-n VCbo=2OB, lc=f00mA, Pd=700mBt, h2i=50 200 1т>7200МГц E c E в
TC 2SC2736 HIT n p-n VCbo=30B Ic=50mA Pd=150mBt h2l=30 200 fT> 1400МГц E в C (1С
n- 2SC4197 HIT n-p-n VCbo=25B Ic=50mA, Pd=150mBt, h21=50 180 1т>3000МГц E в C ПС
И- 2SC4229 HIT n-p n VCbc=30B, 1с=20мА, Pq=150mBt ^=50 180 1г>700МГц E в c пс
Wl- 3SK197 HIT n-MOS Vds=12B Id=35mA,Pd=150mBt,Pg=24 6дБ NF=5 5дБ S D G2 G1
XB- 2SC4416 HIT npn Vcbq=25B, Ic=50mA, Po=150mBt h2i=50 180,1т>3000МГц В E C пс
xc- 2SC4415 HIT n-p-n Vcbo=30B Ic=20mA Pd=150mBt h2i=50 1 80,1|>70ОМГц c В E б
XE- 2SK1D92 HIT n-FET GaAs, Vds=4B, lp= 150mA, Pd=150mBt, Ре>8дБ, NF<3 5дБ s D nc G
XI- 3SK196 HIT n-MOS Vds=12B Id=35mA,Pd=150mBt,Pg=32ji5,NF=1 ОдБ s D G2 G1
XM- 2SC4591 HIT n-p-n Vcbo=15B Ic=50mA, Pd=150mBt lr2j=40 250 1т>6500МГц E В C пс
XN- 2SC4592 HIT n p-n VCbo=15B Ic=50mA, Pd=150mBt h2i=40 250 1т>7000МГц C E В Е
XR- 3SK228 HIT n-FET GaAs, Vos=12 OB 1р=5ОмА Ро=150мВт Рс>17дБ NF<2 0flB S D G2 G1
XS- 3SK229 HIT n-FET GaAs Vds=12 0B,Id=50mA Pd=150mBt Pg>1 7дБ, NF<2 ОдБ s D G2 G1
XV- 2SC4680 HIT n-p-n VCbo=12B Ic=50mA Pd=150mBt, h2l>lOO E В C пс
9-1375
177
SOT-353
SC-88A
КОД Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3 4 5
SI UMS1 ROHM 2xp-n-p Vcbo=50B Ic=100mA Pofcom )-300mBt Ь21>120 Bl E1E2 B2 C2 C1
S2 UMS2 ROHM 2xp-n-p Vcbo=5OBJc-1O°mA Relcom )=300mBt h21>l20 El B1,B2 E2 C2 Cl
W1 UMW1N ROHM 2xn-p-n Vcbo=50B,Ic=100mA Pe(com )=300mBt, h2,=l80 560 Bl E1E2 B2 C2 Cl
W10 UMW10N ROHM 2xn-p-n Vceo=3OB, Iq=50mA, R0(com )=300mBt, 1^1=27 270 Ь>1500МГц Bl E1,E2 B2 C2 Cl
W11 UMW11N ROHM 2xn-p-n Vcbo=30B, Ics50mA Pp(com )=ЗООмВт h2i=27 270Л>1500МГц E1 B1,B2 E2 C2 C1
W12 UMW12N ROHM 2xn-p-n Vcbo=50B, Ic=100mA, Relcom )=300mBt, h2i>120 El ,C2 Cl Bl B2 E2
W13 UMW13N ROHM 2xn-p-n Vcbo=3OB, Ic=50mA, Relcom )=300mBt, h2i=27 270,1т>2000МГц El Bl B2 E2 C2 Cl
W2 UMW2N ROHM 2xn-p-n Vcbo=50B, Ic=100mA, Pplcom !=300mBt, h21>120 E1 B1.B2 E2 C2 Cl
W5 UMW5N ROHM 2xn-p-n Vcbo=5OB, Ic=100mA. Relcom )=300mBt, h2i>250 Bl E1E2 B2 C2 Cl
W5 UMW6N ROHM 2xn-p-n Vcbo=3OB, Ic=50mA Po(com )=300mBt, h2l=27 270Лт>1500МГц E2 B2 B1 C1 Е1C2
W7 UMW7N ROHM 2xn p-n Vc8o=20B, Ic=50mA Pofcom )-300mBt h2l=27 270,1т>32ООМГц E2 B2 B1 C1 Е1C2
W8 UMW8N ROHM 2xn-p-n VCB0=2OB, Ic=50mA Relcom )=300mBt, h?i=27 27D, fT>3200Mru Bl E1E2 B2 C2 Cl
W9 UMW9T ROHM 2xn-p-n Vcao=20B Ic=50mA, Relcom )=300mBt, h2l=27 270,1т>3200МГц E1 B1.B2 E2 C2 Cl
Y1 UMY1N ROHM p-n-p(l) +n-p-n(2) Vc80=50B, Ic=100mA, Relcom )=300mBt, h2i>120,h>l80MFu Bl E1,E2 B2 C2 Cl
Y3 UMY3N ROHM p-п p(1) +n p-n(2) Vc8o=5OB Ic=100mA Relcom )=300mBt h21=l20 560,1т>180МГц B1 E1.B2 E2 C2 C1
Y4 UMY4N ROHM p-n-p(l) +n-p n(2) Vcbo=5OB,'с=100мА Relcom )=300mBt, h2rl20 560 1т>180МГц E1 B1E2 B2 C2 Cl
► 178
SOT-363
SC-88
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3 4 5 6
1Cs BC847S S^EM 2xn-p-n Vqbo=50B, Ic=100mA Pd"250mBt Г121-110 630 Ь=250МГц Е1 В1 С2 Е2 В2 С1
IPs BC847PN SIEM p-n p(1) +n-p-n(2) Vcbo=5OB, Ic=100mA, Pd=250mBt 1121=110 630 1т=250МГц Е1 В1 С2 Е2 В2 С1
3Cs BC857S SIEM 2xp-n-p Vcbo=50B, Ic=100mA Pq-250mBt h21=l25 630,ff=250Mru Е1 В1 С2 Е2 В2 С1
MCs BFS17S SIEM 2xn-p-n Vcbo=25B, Ic=50mA, Pd=280mBt h21=20 150,1т>2500МГц В1 Е1 С2 В2 Е2 С1
REs BFS480 SIEM 2xn-p-n Vcbo=10BJc=10mA Pd=80mBt, h2is30 200, 1т=7500МГц В1 Е1 С2 В2 Е2 С1
RFs BFS481 SIEM 2xn p n Vcbo-2OB, Ic=20mA, Pq_150mBt h21=50 200,1т=8000МГц В1 Е1 С2 В2 Е2 С1
RGs BFS482 SIEM 2x n-p-n Vcbo=20B, Ic=35mA, Pd=250mBt, h2i=50 200,1т=8000МГц В1 Е1 С2 В2 Е2 С1
RHs BFS483 SIEM 2xn-p-n Vcbo=20B, Ic=65mA, Pd=450mBt h?i=50 200,1т=8000МГц В1 Е1 С2 В2 Е2 С1
Tl UMT1N ROHM 2xp-n p Vcbo=50B, Ic=100mA, PD(com )=300mBt, h2i>120 Е1 В1 С2 Е2 В2 С1
T2 UMT2N ROHM 2xp-n-p Vcbo=5OB, Ic=100mA, Pofcom )=300mBt Ii21>120 Е1 Е2 В2 С2 В1 С1
T3 UMT3N ROHM 2xp n p Vcbo=5OB, Iq=1 00mA, Pofcom )=300mBt Ь21>120 Е1 В1 В2 С2 Е2 С1
WIs BCRlOPN SIEM D-p-n-p(2) +n-p-n(1) Vcbo=5OB, Ic=100mA, Pd=250mBt h2j>30 fT= 130МГц Е1 В1 С2 Е2 В2 С1
WCs BCR133S SIEM D-2xn-p n Vcbo-50B, Ic=100mA Pd-200m8t h2i>30 1т=130МГц Е1 В1 С2 Е2 В2 С1
WDs BCR141S SIEM D-2xn-p-n VCbo=50B, Ic=100mA Po-250mBt, h2l>50 1т>130МГц Е1 В1 С1 Е2 В2 С2
WEs BCR148S SIEM D-2xn-p-n Vcbo=50B, Ic=70mA Pd-250mBt, h2l>70, 1т>Ю0МГц Е1 В1 С1 Е2 В2 С2
WFs BCR08PN SIEM D-p n-p(2) +n-p-n(1) Vcso=5OB, Ic=100mA Pd=250mBt, h2i>70 М170МГЦ Е1 В1 С2 Е2 В2 С1
WNs BCR108S SIEM D-2xn-p-n Vcbo=5OB, Ic=100mA Pd=200mBt h2t>70, 1т>170МГц Е1 С1 Е2 В2 С2
179
S0T363, SC88
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3 4 5 6
WJs BCR135S SIEM D-2xn-p-n Vcbo=5OB, Ic«100mA, Рр=250мВт, h?i>70, fT> 150МГц Е1 Bl Cl E2 B2 C2
WKs 8CR119S SIEM D-2xn-p-ci Vcbo=5OB, Ic=100mA, Pd=250mBt, h2i=l20 630,1т>150МГц El Bl Cl E2 B2 C2
WMs BCR183S SIEM D-2xp-n-p Vcbo=5OB, Ic~100mA, Pd=250mBt, hzi >30, M 200МГц El Bl C2 E2 82 Cl
WNs BCR185S SIEM D-2xp-n-p Vcbo=5®B, Ic=100mA, Pd=250mBt, h2i >70, 1т>200МГц El Bl Cl E2 B2 C2
WOs BCR191S SIEM D-2xp-n-p W50B, Ic=100mA, Pd=250mBt, h2l >50, 1т>200МГц E1 Bl C1 E2 B2 C2
WPs BCR22PN SIEM 0-р-л-р(2| Vcbo=5OB, Ic=100mA, Pd=250 мВт, Г>21 >50, Н=130МГц El Bl C2 E2 B2 Cl
WRs BCR198S SIEM D-2xp-n-p Vceo=50B, Ic=70mA, Pj>=250mBt, h?, >70, 1т>190МГц E1 B1 Cl E2 82 C2
WSs BCR169S SIEM D-2xp-n-p Vcbo=5O8, Ic=100mA, Pd=250mBt 1121=120 630,1т>150МГц E1 B1 Cl E2 B2 02
WTs BCR48PN SIEM D-p-n-p(1) +n-p-n(2) Vcbo=50B, Icnpn= 70mA, Icpnp=100mA, Pd=250mBt, H2i>70 1т>100МГц El B1 Cl E2 B2 C2
WVs BCR35PN SIEM 0-Р-П-Й1) VcbctSOB; Ic=100mA Pd=250mBt h2i>70,fT>150Mru El Bl Cl E2 B2 C2
Ws BCR129S SIEM 0-2xn-p-n Vceo=5OB, Ic=100mA, Po=25OmBt, h2i=l20 630,1т>150МГц E1 B1 C1 E2 B2 02
X1 UMX1N ROHM 2xn-o-n Vcbo=5OB, Ics100mA, Ppfcom )=300mBt, P2i>120 El Bl C2 E2 82 01
XII UMX11N ROHM 2xn-p-n Vcbo=25B, Ic=20mA, h2i=39 180,1т>700МГц E1 Bl B2 C2 E2 01
X2 UMX2N ROHM 2xn-p-n Vcbo=50B, Ic=100mA, PD(com )=300mBt, h2l>120 E1 E2 B2 C2 B1 C1
X3 UMX3N ROHM 2xn-p-n Vcbo=5OB, Ic=100mA, PD(com )=300mBt, h2i>120 El B1 B2 C2 E2 Cl
X4 UMX4N ROHM 2xn-p-n VCBo=3Oe, Ic=50mA, Po(com )=300mBt, 1121=56 180, Н>1500МГц El B1 B2 C2 E2 Cl
X6 UMX6N ROHM 2xn-p-n Vcbo=4O8, Ic=50mA, Prjfcom )=300mBt, h2(>56,1т>ЗООМГц E1 E2 B2 C2 B1 C1
Z1 UMZ1N ROHM P-n-p(2) +n-p-n(1) Vcbo=5OB, Ic=100mA, Po(com )=300mBt, 1121=120 560,1т>400МГц E1 B1 C2 E2 B2 Cl
Z2 UMZ2N ROHM p-n-p{1) +n-p-n(2) VCM=50B, Ic=100mA, Pq( com )=300mBt h21=f20 560,1т>180МГц El Bl B2 C2 E2 01
► 180
SOT-346
SO-59 ®
i----1.9 —
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цокол.
1 2 3
03 DTC143TKA ROHM D-n-p-n W50B Ic=100mA, Pd=200mBt, h21=l00 600 Ь>250МГц R1=4 7k0m В Е С
04 DTC114TKA ROHM D-n-p-n Vc6o=50B Ic=100mA,Pd=200mBt h2i>l00 600Лт>250МГц,Р2=ЮкОм В Е с
05 DTC124TKA ROHM D-n-p-n VC6o=50B Ic=100mA, Pd=200mBt h2i=l00 600,1т>250МГц, Ri=22kOm в Е с
06 DTC144TKA ROHM D-n-p n VCbo=5OB Ic=100mA,Pd=200mBt h21=l00 600,1т>250МГц,Р1=47кОм в Е с
09 DTC115TKA ROHM D-n p-n Vcbo=50B,)c=100mA,Pd=200mBt h21=100 600,1т>250МГц, R1=100kOm в Е с
OA DTC125TKA ROHM D-n-p-n W50B Ic=100mA, Po=200mBt ^,=100 600Л>250МГц,В1=200кОм в Е с
10X 02CZ10 TOSH dz Vz(Izt=5mA)=9 40 10 60B, Il(Vr=8 OB)<0 5mkA, Zzt(>ztsO 5mA)<120Om А ПС к
11X 02CZ11 TDSH dz Vz(Izt=5mA1=10 4O 11 60B,Il{Vr=8 5B)<05mkA,Zzt(Izt=05mA)<1200m А ПС к
12 DTA123EKA ROHM D-p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-100mA Pd=200mBt, h2T>20, Тт>250МГц, Rl/R2=2 2/2 2kOm В Е с
12X 02CZ12 TDSH dz Vz(Izt=5mA)=H 40 12 60B lL(VR=90B)<05mkA,Z^zt^5mA)<110Dm А ПС к
13 DTA143EKA ROHM D p-n-p Vcaf -50B, I^-iOOmA, Рр=200мВг, ^>20, Ь>250МГц, R1/R2=4 7/4 7кОм В Е с
13X 02CZ13 TOSH dz Мл=5мА)=1240 14 10B IL(VR=10B)<05мкА,Zzrtb'O5мА)<1 10Dm А ПС к
14 DTA114EKA ROHM D-p-n-p Vc8o=-5<B. Ic= 100mA, Pd=200mBt, h2i>30 *т>250МГц R1/R2=10/10kOm В Е с
15 DTA124EKA ROHM D-p-n-p Vcaf -5QB Ic=30mA, Pd=200mBt, ^>56, fT>250MRi, R1 /R2=22/22k0m В Е с
15X 02CZ15 TDSH dz Vz0zt=5mA)=13 80 1560B )l(Vr=11B)<05mkA,Zzt(Izt=O5mA)<11DOm А ПС к
16 DTA144EKA ROHM D-p-n-p Vc8o=-50B Ic=30mA,Pd-200mBt П21>68 17>250МГц, R1/R2=47/47kOm В Е с
16X 02CZ16 TOSH dz Vz(Izt=5mA)= 15 30 17 10B, lL( VR= 12B )< 0 5mkA, Zzt(Izt=O 5mA}< 1500m А ПС к
18X 02CZ18 TOSH dz Vz(Izt=5mA)=16 80 19 10B, lL(VR= 14B)<0 5mkA, Zzt(>zt=O 5mA)<150Om А ПС к
19 DTA115EKA ROHM D-p-n-p W-50B lc=30 Pd-200mBt H2i>82, 17>250МГц, R1/R2=1OO/1 OOkOm В Е Гс
1T1 SST5101 ROHM p-n-p VCbo= 60B Ic=-200mA, h2(=200 400 fT>125МГц В Е с
2-OX 02CZ2 0 TDSH dz Vzfe=5MA)=1 85 2 15B lLWs=0 5B)<120шА, ZZ7((n=0 5мА)<ЮОООм А пс к
2-2X 02CZ2 2 TOSH dz Vz{IZ7=5mA)=205 238B |L(VR=1 0В)<120мкА,2г(1п=05мА)<1000Ом А ПС к
2-4X O2CZ2 4 TDSH dz Vz(IZ7=5mA)=2 28 2 60B 1l(Vr=1 0B)<120mkA, ZZ7(Izt=0 5mA)<10000m А ПС к
2-7X 02CZ2 7 TOSH dz Vz(Izt=5mA)=2 50 2 90B lL(VR=1 OB)<120mkA, Z^zr^ 5mA)<10000m А пс к
20X 02CZ20 TOSH dz Vz0zt=5mA)=18 80 21 20B Il|Vr=15B)<0 5mkA ZztI’zt=O 5mA)<2000m А ПС к
22 DTC123EKA ROHM O-n-p-n VCbo=5OB Ic=100mA Pd=200mBt h2,>20 1т>250МГц, R1/R2=2 2/2 2k0m В Е с
22X 02CZ22 TOSH dz Vz(Izt=5mA)=2080 23 30B Il(Vr=17B)<0 5mkA, Zzt(Izt=O 5mA)<2000m А пс X
23 DTCU3EKA RDHM D-n-p-n Vc8O=50B Ic=100mA Pd-200mBt h2T>20,1т>250МГц R1/R2=47/47kOm В Е с
24 DTC114EKA ROHM D-n-p-n Vc8o=50B Ic=100mA,Pd=200mBt h2l>30 Тт>25ОМГц, R1/R2=10/10kOm В Е с
181
SOT-346, SC-59
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цокол.
1 2 3
24X 02CZ24 TOSH dz Vz(Izt=5mA)=22 80 25 60B, Il(Vr=19B)<0 5mkA Zzt(Izt=0 5mA)<2000m A ПС К
25 DTC124EKA ROHM D-n-p-n Vcbo=5OB Ic=30mA Pd=200mBt ^>56 Ь>250МГц R1/R2=22/22kOm В Е С
26 DTC144EKA ROHM D-n-p-n Vcbo=5OB Ic=30mA Pd=200mBt h2i>68 1т>250МГц, R1/R2=47/47kOm В Е С
27X 02CZ27 TOSH dz Vz(Izt2mA)=25 10 28 90B Il(Vr=21B)<0 5mkA, Zr(ln=0 5mA)<25DOm A пс К
29 DTC115EKA ROHM D-n-p n Vcbo=5QB Ic=20mA Pd=200mBt h2i>82 |т>250МГц R1/R2=100/100kDm В Е С
З’ОХ 02CZ3 0 TOSH dz Vz(Izt=5mA)=2 80 3 20B lL(VR=1 0B)<50mkA ZztOzt=0 5mA)<10000m A пс X
З-ЗХ 02CZ3 3 TOSH dz Vz{Izt=5mA)=3 10 3 50B, lL(VR=1 0B)<20mkA Zzt(Izt=0 5mA)<10000m A пс к
3-6X 02CZ3 6 TOSH dz Ш=5мА)=3 40 3 80B lL(VR=1 0В)<ЮмкА 2г(1г=0 5мА)<10000м A ПС к
3-9X 02CZ3 9 TOSH dz Vz(Izt=5mA)=3 70 4 10B lL(VR=1 0B)<10mkA,Zct(Izt=0 5mA)<1000Om A пс к
30X 02CZ30 TOSH dz Vz(Izt=2mA)=28 00 32 OOB Il(Vr=23B)<0 5mkA Zzt(Izt=0 5mA)<2500m A ПС к
33 DTA143XKA ROHM D-p-n-p Vcbo- 506 lc~-100M Pq=200mBt h2I>30 Гг>250МГц R1/R2-4 7/?ОкОм В Е с
33X 02CZ33 TOSH dz Vz(’zt2mA)=31 00 35 00B lL(VR=25B)<0 5mkA, Zr(lr=0 5mA)<25DOm A ПС к
35 DTA124XKA ROHM D-p-n-p Vcbo=-5OB Ic=-100mA,Po=200mBt h21>68,1т>250МГц R1/R2=22/47kOm В Е с
36X 02CZ36 TOSH dz Vz(Izt=2mA)=34 00 38 OOB, Il(Vr=27B)<0 5mkA Zn(ln=0 5mA)<250Om A ПС к
39X 02CZ39 TOSH dz Vz(lr=2MA)=3700 41 00B lL(VR=30B)<0 5mkA, Zzt(Izt=0 5mA)<250Om A ПС к
4-3X 02CZ4 3 TOSH dz Vz(Izt=5mA)=4 00 450BA(Vr=1 0B)<5mkA,Zzt{Izt=0 5mA)<100OOm A ПС к
4-7X 02CZ4 7 TOSH dz Vz(Izt=5mA)=4 40 490B, lt(VR=1 0B)<5mkA Zzt(Izt=0 5mA)<10000m A ПС к
43 OTO143XKA ROHM D-n-p-n Vcso=50B, Ic=100mA Pd=200mBt, h21>30,1т>250МГц, R1/R2=4 7/ЮкОм В Е с
43X 02CZ43 TOSH dz Vz(Izt=2mA)=40 00 45 OOB, lL(VR=33B)<0 5mkA A ПС к
45 DTC124XKA ROHM D-n-p-n Vcbo=50B, Ic=100mA, Pd=200mBt, hzi>68 1у>250МГц R1/R2=22/47kOm В Е с
47X 02CZ47 TOSH dz Vz(Izt=2mA}=44 00 49 OOB, Il(Vr=36B)<0 5mkA A ПС к
5’1X 02CZ51 TOSH dz Vz(Izt=5mA)=4 BO 5 40B, lL(VR=1 5B)< 1 мкА, ZzrOzrO 5мА)<ЮОООм A ПС к
5-ex 02CZ5 6 TOSH dz VzUzt=5mA)=530 6 OOB, Il(Vr=2 5B)< 1 мкА, ZzHIzrO 5mA)<9000m A ПС к
52 DTA123YKA ROHM D-p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-100mA, Рр=200мВт, h2l >33,1т>250МГц, R1/R2=2 2/1 OkOm В Е с
54 0TA114YKA ROHM D-p-n-p Vc8c=-50B, Ic=-100mA, Pd=200mBt ^>68,1т>250МГц, R1/R2=W/4 7kOm В Е с
6-2Х 02CZ6 2 TOSH dz Vz(Izt=5mA)=5 80 6 60S, Il(Vr=3 0B)< 1 мкА, Zr(lzr0 5mA)<5000m A ПС к
6-8X 02CZ6 8 TOSH dz Vz(Izt=5mA)=6 40 7 20B, Il(Vr=5 0B)<0 5mkA, Zzt(Izt=O 5mA)<1500m A пс к
62 DTC123YKA ROHM D-n-p-n Vcbo=50B,Ic=100mA, Pq=200mBt h21>33 1т>250МГц R1/R2=2 2/10kOm В Е с
54 DTC114YKA ROHM O-n-p-n VCbo=50B, Ic=100mA, Рр=200мВт, h2l>68 1т>250МГц, R1/R2=10/47kOm В Е с
7-5X 02CZT 5 TOSH dz Vz(Izt=5mA)=7 00 7 90S, lL(VR=6 0B)<0 5mkA ZztOzt=0 5мА)<120Ом A ПС к
74 DTA114WKA ROHM D-p-n-p Vceo=-50B,lc=-lOOMA Ро=2ООмВт,Ь21>24 1т>250МГц, R1/R2=10/47kOm В Е с
76 DTA144WKA ROHM D-p-n-p Vcbo=-5OB Ic=30mA, Рр=200мВт h2l>56, |т>250МГц, R1/R2=47/22kOm В Е с
8-2X 02CZ8 2 TOSH dz Vz(Izt=5mA)=7 70 8 70B, lL(VR=6 5B)<0 5мкА,2г(1г=0 5мА)<120Ом A ПС к
84 DTC114WKA ROHM D-n-p-n Vcbo=50B Ic=100mA Pd=200mBt, h2i>24 1т>250МГц, R1 /R2=10/47kOm В Е с
86 DTC144WKA ROHM D-n-p-n Vceo=5OB, Ic=30mA, Po=200mBt, ^,>56,1т>250МГц, R1/R2=47/22kOm В Е с
9’1X 02CZ9 1 TOSH dz Vz(Izt=5mA)=8 50 9 60B, Il(Vr=7 0B)<0 5mkA, Zzt(Izt=0 5mA)<12DOm А ПС к
93 DTA143TKA ROHM D-p-n-p Vcbo=-50B,Ic=-100mA Pd=200mBt, b2l=100 600 1т>250МГц,Р1=47кОм В Е с
94 DTA114TKA ROHM D-p-n-p Vcbo=-50B Ic=-100mA Pd=200mBt h2l=100 600 1т>250МГц, R1=10kOm В Е с
► 182
SOT-346, SC-59
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
95 DTA124TKA ROHM D-p-n-p VCbo=5OB,Ic=-WOmA Pd=200mBt h2r100 600 !?250МГц, R1=22kOm В Е С
96 DTA144TKA ROHM D-p-n-p Vcbt-508 1с=-Ю0мА Pd=200mBt ЬггЮО 600 1т>250МГц, R1=47k0m В Е с
99 DTA115TKA ROHM D-p-n-p vcbo=-5OB, Ic=-100mA, Pd=200mBt h2rl00 600, ?т>250МГц, R1=100kDm В Е с
9A DTA125TKA ROHM D-p-n-p Vctsr-SOB Ic=-100mA Pd=200mBt, h2T=100 600 1т>250МГц, R1=200k0m в Е с
A3 1SS181 TOSH 2xdi Vr<80B If<iOOmA, Vf(I₽-100mA)<1 2B, Ir<0 5mkA, tRR<4HC К1 К2 А1,А2
A9 1SS294 TOSH shd Vr>40B, Vf(If= 100mA)<0 6B, Ir(Vr=40B)<5mkA С7<25пФ А пс К
AAQ 2SO1757KQ ROHM n-p-n VCbo=3OB Ic=500mA Pd=200mBt h2T=l20 270 Н>150МГц В Е с
AAR 2SD1757KR ROHM n-p-n Vcao=30B Iqs500mA Pd=200mBt, h2rl80 390 1т>150МГи В Е с
AAS 2SD1757KS ROHM n-p-n VCbo=30B Ic=500mA, Pd=200mBt, h2,=270 560, Тт>150МГц В Е с
ACL 2SC3837KL ROHM n-p-n Vcbo=3OB Ic=50mA, Pd=150mBt, h2,=27 56 <7=1500МГц В Е с
ACM 2SC3837KM ROHM n-p-n Vqbo=30B Ic=50mA, Рр-150мВт h2|=39 82,17=1500МГц В Е с
ACN 2SC3837KN ROHM n-p-n VCbo=30B, Ic=50mA Pd=150mBt, h2)=56 120,1т-1500МГц в Е с
ACP 2SC3837KP ROHM n-p-n VCbo=30B Ic=50mA Рр=150мВт, h21=82 180, fT=’500МГц в Е с
ACQ 2SC3837KQ ROHM n-p-n VCbo=30B,Ic=50mA, Po=i50mBt h27=l20 270,1т=1500МГц в Е с
ADL 2SC3838KL ROHM n-p-n Vcbo=20B, Ic=50mA, Pd=150mBt h2i=27 56 17=3200МГц в Е с
ADM 2SC3838KM ROHM n-p-n VCbo=20B Ic=50mA, Рр=150мВт h21=39 82 1т=3200МГц в Е с
AON 2SC3838KN ROHM n-p-n Vcbo=20B,Ic=50mA Po=150mBt, h25=56 120 Ь=3200МГц в Е с
ADP 2SC3838KP ROHM n-p n Vcbo=2OB Ic=50mA Pq=150mBt, h2p82 180, Гу—3200МГц в Е с
AOQ 2SC3838KQ ROHM n-p-n VCbos20B Ic=50mA Рр=150мВт,Ь21=120 270 1г3200МГц в Е с
AEL 2SC3839KL ROHM n-p-n Vcbo=3OB Ic=50mA, Pd=150mBt, h2]=27 56 1т>200МГц в Е с
AEM 2SC3839KM ROHM n-p-n VCbos30B Ic=50mA, Pd=150mBt h2r39 82 1т>200МГц в Е с
AEN 2SC3839KN ROHM n-p-n VCbo=30B, |с=50мА Pd=150mBt, h2)=56 1 20 1т>200МГц в Е с
AEP 2SC3839KP ROHM n-p-n Vcbo=3OB Ic=50mA, Pq=150mBt h27=82 180,17>200МГц в Е с
AEG 2SC3839KQ ROHM n-p-n VCbo=30B Ic=50mA Pd=150mBt h2l=l20 270,1т>200МГц в Е с
AFP 2SD1781KP ROHM n-p-n VCbo=40B, Ic=800mA Pd=200mBt h2i=82 180 1т>150МГц в Е с
AFQ 2SD1781KQ ROHM n p-n VCbo=40B,(c=800mA Pd=200mBt, h2l-l20 270,fT>150МГц в Е с
AFR 2SD1781KR ROHM n-p-n VCbo=4OB, Ic=B00mA, Pct200mBt, h2l=180 390, fT> 150МГц в Е с
AHP 2SB1197KP ROHM p-n-p Vcbo=-4OB,Ic= 800mA Pd=200mBt, h2i=82 180 1т>200МГц в Е с
AHQ 2SB1197KQ ROHM p-n-p Vcbo=-40B lc= 800mA, Pd=200mBt h2l=l20 270,1т>200МГц в Е с
AHR 2SB1197KR ROHM p-n-p Vcbo=-4OB Ic=-800mA,Pd=200mBt h2]=l80 390,1г>200МГц в Е с
AJP 2SD1782KP ROHM n-p-n VCbo=80B Ic=500mA Pd=200mBt, h21=82 180,1т>180МГц в Е с
AJQ 2SD1782KQ ROHM n-p-n Vcbo=8OB, 1с=500мА, Pd=200mBt h2i=120 270 17?180МГц в Е с
AJR 2SD1782KR ROHM n-p-n VCbo=80B |c=500mA Po=200mBt, h2)=l80 390 1т>180МГц в Е с
AKP 2SB1198KP ROHM p-n-p VCbo=-8OB Ic=-500mA, Pd=200mBt, h2l=82 180,1т>180МГц в Е с
AKQ 2SB1198KQ ROHM p-n-p Vcbo=-80B, Ic=-500mA Pd=200mBt h21=l20 270Л>160МГц в Е с
AKR 2SB1198KR ROHM pnp Vcbo=-80B Iq= 500mA, Pq=200mBt h2i=i80 390, Гр180МГц в Е с
ALM 2SC3802KM ROHM n-p-n Vcbo=3OB, Ic=30mA Pd=200mBt, h2t=39 82 1т>П0МГц в Е с
ALN 2SC3802KN ROHM n-p-n Vcbo=30B |c=30mA Pd=200mBt, h2l=56 120 1т>П0МГц в Е с
183-«
SOT-346, SC-59
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
ALP 2SC3802KP ROHM n-p n VCbo=30B Ic=30mA Рр=200мВт, h2l=82 180,1т>110МГц В Е С
ALQ 2SC3802KQ ROHM n-p-n VCbo=30B,Ic=30mA, Pd=200mBt h2i=120 270, fT>110МГц В Е с
AMN 2SC4018KN ROHM n-p-n VCbo=40B, 1c=100mA, Pd=200mBt h2i=56 120, |т>230МГц В Е с
AMP 2SC4018KP ROHM n-p-n Vcbo=4OB, 1с=100мА Pd=200mBt h2i=82 180 Гр>230МГц в Е с
AN 2SC2413KN ROHM n-p-n Vcbq=40B Ic=50mA, Рр=200мВт h2<=56 1 20 ff-ЗООМГц в Е с
AN 2SC2532 TOSH n-p-n Vceo=4OB Ic=300mA Ро=150мВт h2,>5000 в Е с
ANM 2SC4061KM ROHM n-p-n Vcbo=300B,Ic=100mA Pd=200mBt h2i=39 82,1т>100МГц в Е с
ANN 2SC4061KN ROHM n-p-n VCbo=3OOB Ic=100mA Рп=200мВт h21=56 120 1т>100МГц в Е с
ANP 2SC4061KP ROHM n-p-n Vcbo=300B Ic=100mA, Pd=200mBt h2,=82 180 1т>Ю0МГц в Е с
AP 2SC2413KP ROHM n-p-n Vcbos4OB <c=50mA Po=200mBt h21=82 180 Гт=ЗООМГц в Е с
AP_ 2SC4074K ROHM n-p-n Vcbct18B Ics50mA Pd=150mBt, h2l=270 Тт>1500МГц в Е с
AQ 2SC2413KQ ROHM n-p-n VC0O=4OB Ic=50mA, Pd=200mBt h21=l20 2T0,1т=300МГц в Е с
A OP 2SB1051KP ROHM p-n-p W-40B, Ic=-1000mA Pd=200mBt h2)=82 180 1т>150МГц в Е с
AQQ 2SB1051KQ ROHM p-n-p Vcbo=-40B Ic=-1000mA, Pd=200mBt h2I=l20 270 1т>150МГц в Е с
AQR 2SB1051KR ROHM p-np VCbo=-40B,Ic=-1000mA Pd=200mBt, h2,=180 390, fT> 150МГц в Е с
ATQ 2SC4326KQ ROHM n-p-n Vcbo=12B Ic=50mA Pd=150mBt h2,=l20 270,1?>800МГц в Е с
ATR 2SC4326KR ROHM n-p-n Vcso=12B 1с=50мА,Ро=150мВт h2i=l80 390,1т>80ОМГц в Е с
ATS 2SC4326KS ROHM n-p-n Vcbo=12B,Ic=50mA Po=’50mBt h2(=270 560 fT>800MFu в Е с
B3 1SS184 TOSH 2xdi Vr<80B If<100mA,Vf(|f=100mA)<1 2B, Ir<0 5mkA 1rr<4hc А1 А2 К1,К2
B9 1SS311 TOSH di Vr<400B If<100mA Vf(If=100mA)<1 2B,Ir<1 OmkA А пс к
BBU 2SD2114KU ROHM n-p-n VCbo=25B Ic=500mA, Pd=200mBt h21=560 1 200 1т>350МГц В Е с
BBV 2SD2114KV ROHM n-p-n VCbo=25B Ic=500mA, Po=200mBt 1^=820 1800,1т>350МГц В Е с
BBW 2SD2H4KW ROHM n-p-n Vcbo=25B,Ic=500mA Ро=2О0мВг, h21=l200 2700,1т>350МГц В Е с
В DM 2SA1733KM ROHM p-n-p Vcbct-ЗОВ, |с=-30мА Pd=200mBt, h21=39 82 Тт>400МГц в Е с
BON 2SA1733KN ROHM p-n-p VCbo=-3OB, Ic=-30mA, Pd=200mBt h2l=56 120,1т>400МГц в Е с
BDP 2SA1733KP ROHM p-n-p Vcbo=-30B |с=-30мА Рсг200мВт,Ь2г82 180,1т>400МГц в Е с
BFR 2SC4642KR ROHM n-p-n VCbo=5OB Ic=100mA,Pd=200mBt h2l=l80 390,1т>180МГц в Е с
BPS 2SC4642KS ROHM n-p-n Vcbo=5OB Ic=100mA, Rd=200mBt h2l=270 560, fj> 180МГц 6 с
BHM 2SC4699KM ROHM n-p-n Vcbo=25B, 1р=200мА, Pq=200mBt h2|=39 82,1т>250МГц в Е с
BHN 2SC4699KN ROHM n-p-n Vcbo=25BJc=200mA Pq=200mBt, h2^=56 120, Гр250МГц в Е с
ВНР 2SC4699KP ROHM D-p-n VCbo=25B, Ic=200mA, Ро=200мВт h2)=82 180,1т>250МГц в Е с
BJU 2SD2226KU ROHM n p-n Vcbo=6OB Ic=150mA, Pd=200mBt h21=560 1200,1т>250МГц в Е с
BJV 2SD2226KV ROHM n-p-n VCbo=60B Ic=150mA,Po=200mBt h?l=820 1800 1т>250МГц в Е с
BJW 2SD2226KW ROHM n-p-n Vc8o=60B,Ic=150mA Pd=200mBt, h21=l2O0 2700,1т>250МГц в Е с
BLL 2SC4771KL ROHM n-p-n Vcbo=30B,Ic=50mA,Pd=200mBt h2l=27 56,1т>600МГц в Е с
BLM 2SC4771KM ROHM n-p-n Vcbo=30B, Ic=50mA Pd=200mBt, h2l=39 82,1т>600МГц в Е с
BLN 2SC4771KN ROHM n-p-n Vcbo=3OB, Ic=50mA Pd=200mBt h2,=56 120 Н>600МГц в Е с
BLP 2SC4771KP ROHM n-p-n Vcbo=30B, Ic=50mA, Pq-200mBt, h2|=82 180,1т>6О0МГц в Е с
► 184
SOT-346, SC-59
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
BMQ 2SC4713KQ ROHM n-p-n Vcso=’2B Ic=50mA, Pd=200mBt, h2i=120 270,1т=800МГц В Е С
BMR 2SC4713KR ROHM n-p-n Vcbo=12B,Ic=5OmA Рр=200мВт, h2l=l80 390,1т=800МГц В Е с
BMS 2SC4713KS ROHM n-p-n Vqbo=12B Ic=50mA, Po=200mBt, h2r270 560 Г[=800МГц В Е с
BQ 2SC2412KQ ROHM n-p-n Vcbo=50B Ic=150mA, Po=200mBt, h21=120 270,1т>180МГц в Е с
BR 2SC2412KR ROHM n-p-n VCbo=50B Ic=150mA Pd=200mBt, h2l=180 390 fT> 180МГц в Е с
BS 2SC2412KS ROHM n-p-n Vcbo=50B, Ic=150mA, Pd=200mBt, h2i=270 560 1т>180МГц в Е с
C3 1SS226 TOSH 2xdi Vr<80B If<100mA Vf(If=100mA)<1 2B, Ir<0 5мкАЛй<4нс А1 К2 К1,А2
C9 1SS307 TOSH di VR<30B If< 100mA, Vf(If=100mA)< 1 3B, lR<0 OImkA А пс К
CP 2SC2411KP ROHM n-p-n Vcbo^B. Ic=500mA, Pd=200mBt, 1^=82 180,1т>250МГц В Е С
CQ 2SC2411KQ ROHM n-p-n Vcbo=4OB, Ic=500mA, Рр=200мВт, h?l=120 270,1т>250МГц В Е С
CR 2SC2411KR ROHM n-p-n Vcbo=40B Ic=500mA, Pq=200mBt, h2i=l80 390,1у>250МГц В Е
D3 1SS18T TOSH di Vr<80B If<100mA, Vf(If=100mA)<1 2B, |r<0 5mkA, t«R<4HC к пс А
DE 2SA1037AKLNE ROHM p-n-p VCbo=-50B,Ic=-150mA, Po=200mBt, h?l=39O 820 fT> 140МГц В Е С
DI- 2SC3867 HIT n-p-n Vcbe=2OB Ic=50mA Рр=15ОмВт, h2i=20 200, fp>1 4ГГц Е В С
DR 2SA1037AKLNR ROHM p-n-p Vcbo=-50B, Ic=-150mA, Pd=200mBt, h2)=180 390,1т>140МГц В Е С
DS 2SA1037AKLNS ROHM p-n-p VCbo=-5OB Ic=-150mA, Pd=200mBt h2l=270 560,1т>140МГц В Е С
Ell DTA113ZKA ROHM p-n-p Vceo=-50B, |c= 100mA Рь=200мВт, h2l>33,1т>250МГц, R1/R2=1/10kOm В Е С
E13 DTA143ZKA. ROHM p-n-p Vckt-MBJc-IOOmA Pq=200mBt, П2|>60,1т>250МГц R1/R2=47/47kOm В Е С
E21 DTC113ZKA ROHM n-p-n VcecrSOB 1с=100мА Ро=200мВт,Ь21>33,1т>250МГц, R1/R2=1/10kOm В Е С
E23 DTC143ZKA ROHM n-p-n Vcbo=50B,Ic=100mA,Pd=200mBt h21>80 1т>250МГц, R1/R2=47/47kOm В Е С
E3 1SS190 TOSH di Vr<80B If<100mA, Vf(If=100mA)<1 2B, lR<0 5мкА, 1«а<4нс пс К А
E32 DTA123JKA ROHM p-n-p Vcbo=-5Q8, Ic=-100mA, Pd=200mBt, h2l >80,1т>250МГц, R1/R2=2 2/47kOm В Е С
E42 DTC123JKA ROHM n-p-n Vcbo=5QB Ic=100mA, Pd=200mBt, h21>80, h>25(Mu, Rl /R2--2 2/4TkOm В Е С
E56 DTA144VKA ROHM p-n-p Vckt-WB, 1с=-1(ЮмА, Pd=200mBt, h2l >33,1т>250МГц, R1 /Я2=47/1 ОкОм В Е С
E66 DTC144VKA ROHM n-p-n VCbo=50B Ic=100mA Ро=2ООмВт,Ь21>33 1т>250МГц, R1/R2=47/10kOm В Е С
E79 DTA1I5UK ROHM p-n-p Vcbo=-50B, Ic=-100mA, Р^гООмВт, h21 >27 1т>250МГц В Е С
E89 DTC115UK ROHM n-p-n Vcbo=5OB, Ic=I0OmA Po-200mBt. h„>27, |т>250МГц В Е С
E92 DTB123TK ROHM p-n-p Vcbo=-5OB Ic=-500mA, Pd=200mBt, 1^=100 600,1т>200МГц, Rl =2 2kOm В Е С
E94 DTB114TK ROHM p-n-p Vcstr-SOB, Ic=-500mA, Pd=200mBt, ЬггИО 600, (т>200МГц, R1=1tkOu В Е С
E97 DTB163TK ROHM p-n-p Vc8o=-5OB, Ic=-500mA, Po=200mBt, h21>100 600,1т>200МГц В Е С
EC 2SC2732 HIT n-p-n Vcbo=30B, Ic=20mA, Pd=15OmBt, h2l>30,1т>700МГц В Е С
F02 DTD123TK ROHM n-p-n Vcm=50B 1с=500мА,Рь=200мВт,1т2г100 600, |т>200МГц, R1=2 2кОм В Е с
F03 DTB143TK ROHM p-n-p Vcar-MB, Ic=-500mA, Pd=200mBt h2)>100-600,fT>200Mru, R1=47kOm в Е с
F04 DTO114TK ROHM n-p-n Vcbo=5QB 1с=50ОмА,Ро-200мВт,Ь21=100 600 1т>200МГц, R1=10kOm в Е с
F07 OTD163TK ROHM n-p-n Vcbo=50B, Ic=500mA, Po=200mBt, h2l=l00 600,1т>200МГц в Е с
F11 DTB113EK ROHM p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-500mA, Po=200mBt, ^>33,1т>200МГц, R1/R2=1/1kOm в Е с
F12 DTB123EK ROHM p-n-p Vcbo=-5O8, Ic=-500mA, ГЪ=200мВт, ^,>39, #г>200МГц, R1/R2=2 2/2 2кОм в Е с
F13 DTB143EK ROHM p-n-p Vcm=-50B, Ic=-500mA, Pd=200mBt, ^>47 1т>200МГц, Rl /R2=4 7/4 7kOm в Е с
185-<
SOT-346, SC-59
Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
И 2 3
F14 DTB114EK ROHM p-n-p VCbo=-5OB, Ic=-500mA Рр=200мВт h2i>56, |т>200МГц R1/R2=10/1(XDm В Е С
F21 DTD113EK ROHM n-p-n VCbq=50B, Ic=500mA Pd=200mBt h2l>33 1т>200МГц R1/R2=1/1kOm в Е с
F22 DTD123EK ROHM n-p-n Vcbo=50B Ic=500mA Pd=200mBt hzi >39,1г>200МГц R1'R2=2 2/2 2к0м в Е с
F23 DTD143EK ROHM n-p-n Vc8q=50B Ic=500mA, Pd=200mBt h^A? 1г>200МГц R1/R2=4 7/4 7кОм в Е с
F23 DTD143TK ROHM n-p-n Vcbo=5OB Ic=500mA, Pd=200mBt 1^=100 600 (т>200МГц R1=47kOm в Е с
F24 DTD114EK ROHM n-p-n Vcbo’5OB, Ic=500mA, Pd=200mBt hp56 fT>200MFu, R1/R2=10/10kDm в Е с
F3 1SS193 TOSH di Vr<80B If<100mA Vf(If=100mA)<1 2B Ir<0 5mkA trc<4nc А пс к
F5 1SS250 TOSH di Vr<200B HIOOmA Vf(If=100mA)<1 2B Ir<1 OmkA, Irr<60hc А пс к
F52 DTB123YK ROHM p-n-p Vc8o=-5OB lc= 500mA Pd=200mBt H21>56 fT>200MFu, R1/R2=2 2/10k0m В Е с
F62 DTD123YK ROHM n-p-n VCbo=5OB, Ic=500mA MOOmBt h2l>56 1т>200МГц RVR2=22/10kOm В Е с
F9 1SS321 TOSH 2xshd Vr>10B Vf(If=50mA)<1 OB Ir(Vr=10B)<0 5mkA Ст<4 5пФ А1 А2 KI К2
FQ 2SA1037AKQ ROHM p-n-p Vcbo=’5OB Ic=150mA, Pd=200mBt h2i=T20 270, |т>14ОМГц В Е с
FR 2SA1037AKR ROHM p-n-p Vc3o=-50B, 1с=-150мА, Рр=200мВт, 160 390 fT> 140МГц В Е с
FS 2SA1037AKS ROHM p-n-p Vcbo=-5OB Ic=-150mA,Pd=200mBt h2p270 560 1т>140МГц В Е с
608 DTD133HK ROHM n-p-n Vcbo=5OB, Ic=500mA, ^=200mBt ^,>56 Тт>200МГц R1/R2=3 3/10kDm В Е с
Gil DTB113ZK ROHM p-n-p Vcbo=-5OB lc= 500mA ^=200mBt h2i>56,1т>200МГц, R1/R2-1/10kOm В Е с
621 DT0H3ZK ROHM n-p-n VCbo=5OB Ic=500mA Рр=200мВг ^>56 1т>2ООМГц, R1/R2=1/10kOm В Е с
G3 1SS196 TOSH di Vr<80B If<100mA,Vf(If-100mA)<1 2B Ir<0 5mkA 1rr<4hc пс А к
63C DTB122JK ROHM p-n-p W-50B 1с=-500мА Pd=200mBt ^,>47 1г>250МГц,В1/В2=0 22/4 7kOm В Е с
G4C DTD122JK ROHM n-p-n Vcbo=5OB, Ic=500mA Rd=200mBt, ^,>47 1т>200МГц, R1/R2=O 22/4 7kOm В Е с
698 DTB133HK ROHM p-n-p VCbo=-5OB Ic--500mA, Pd=200mBt, l^i >56,1т>200МГц R1 /R2=3 3/1 OkOm В Е с
6C 2SC2734 HIT n-p-n Vc80=2OB, Ic=50mA, Рр-150мВт 1^=20 200 fr>1 4ГГц В Е с
6E 2SA1455KE ROHM p-n p Vcbd= 120B Ic=-50mA Pd=200mBt, 1121=390 820 1|>140МГц В Е с
6R 2SA1455KR ROHM p-n-p Vcbd=-50B, 1с=-150мА,Рр=200мВтЛг1бО 390 1т>140МГц В Е с
6S 2SA1455KS ROHM p-n-p Vcbo-50В, 1с=-150мА Рр=200мВт,1т21-270 560 |т>140МГц В Е с
H02 DTC323TK ROHM n-p-n VCbo=30B, Ic=600mA, Pd=200mBt 1^=100 600 Тт>200МГц, R1=2 2kOm в Е с
HO3 DTC343TK ROHM n-p-n Vc8o=3OB Ic=600mA, F^=200mBt, h^flOO 600 1т>200МГц, R1 =4 7kOm в Е с
H04 DTC314TK ROHM n-p-n Vcbo=3OB,Ic=6OOmA,Pd=2OOmBt hjrIOO 600,1т>200МГц, R1=10kOm в Е с
HO7 DTC363TK ROHM n-p-n Vcso=3OB Iq=600mA Pq=200mBt, l^rlOO 600 fT>200МГц, R1=6 8k0m в Е с
H27 DTC363EK ROHM n-p-n Vcbo=3OB Ic=600mA, Pd=200mBt, h3l>70 1т>200МГц, Rl/R2=6 8/6 8kOm в Е с
H9 1SS344 TOSH shd Vr>20B VfOf=500mA)<0 558 Ir(Vr=20B)<20mkA Ст<120пФ А пс к
HC 2SC2733 HIT n-p-n Vcbo=3OB, Ic=50mA Pd=150mBt, hjpeO ГрбООМГц В Е с
HE 2SC3906KE ROHM n-p-n Vcbo=12OB Ic=50mA Pq=200mBt h2i=39O 820,1-[>140МГц В Е с
HP 2SA1036KP ROHM p-n-p VCbo=-4OB lc= 500mA PD=200MBr, h2p82 180 1т>200МГц В Е с
HQ 2SA1036KQ ROHM p-n-p W-40B, lc= 500mA Pd=200mBt h2l=l2O 270 1т>200МГц в Е с
HR 2SA1036KR ROHM p-n-p VCbd=-40B Ic=-500mA,Pd=200mBt h2l=l80 390 1т>200МГц в Е с
HR 2SC39O6KR ROHM n-p-n VcBif120B кг^ОмА Pd=200mBt, ^,=160 390 Гр140МГц в Е с
HS 2SC3906KS ROHM n-p-n VCB^12OB Ic=50mA Pd=200mBt h21=270 560 1т>140МГц в Е с
186
SOT-346, SC-59
1:1
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
I9 1SS336 TOSH 2xdi Vr<80B If<200mA Vf(If=200mA)<1 2B,Ir<0 5mkA tRR<20HC K1 К2 А1,А2
ID- 2SC3127 HIT n-p-n Vpeo=20B 1с=50мА,Ро=150мВт,|т>3 5ГГц В Е С
IE 2SC3722KE ROHM n-p-n VCbo=i20B Ic=50mA,Pd=200mBt,h2)=390 820,1т>140МГц В Е С
IG- 2SK360 HIT n-MOS Vos=20B 1р=30мА Pd=150mBt,Nf=2 ОдБ D G S
IJ- 2SC3374 HIT n-p-n Vcbct20B, 1р=20мА, Рр=150мВт, h2,=20 200,1т>400МГц В Е С
IL- 2SC3493 HIT n-p-n VCbo=15B Ic=20mA, Рр=150мВт, h21=30 200,1т>700МГц В Е С
IP- 2SC3793 HIT n-p-n Vcbq=20B, Ic=50mA, Pp=150мВт, h2i=50 200 fT>1 4ГГц в Е С
IR 2SC3722KR ROHM n-p-n VCbo=12OB, Ic=50mA, Pd=200mBt, h2l=180 390, fT>140МГц в Е С
IS 2SC3722KS ROHM n-p-n VCBo=12OB Ic=50mA Pd=200mBt, h2i=270 560 1т>140МГц в Е С
IS- 2SC3513 HIT n-p-n Vcbo= 15В, 1с=50мА Po=150мВт, h2l=50 250 fT>4 5ГГц в Е С
J9 1SS337 TOSH 2xdi Vr<80B If<200mA Vf(If=200mA)<1 2B Ir<0 5mkA, Irr<20hc А1 А2 К1,К2
JC 2SC2735 HIT n-p-n VCbo=30B, Ic=50mA Po=150mBt, h2l>40,1т>600МГц Е В С
JM 2SC2059KM ROHM n-p-n Vcbo=25B Ic=20mA, Pq=150mBt, h2l=39 82,|т>500МГц В Е С
JN 2SC2059KN ROHM n-p-n Vcbo’25B, Ic=20mA, Pd=150mBt h2l=56 120 1т>500МГц В Е С
JP 2SC2059KP ROHM n-p-n Vcbo=25B, |р=20мА Рр=150мВт, h2|s82 180, fpHjOOMTu В Е С
K14 DTA114GKA ROHM p-n-p Vcbo= 50B Ic=-100mA Po=200mBt, h2i>30,1т>250МГц, R2=10kOm В Е С
K15 DTA124GKA ROHM p-n-p Vcbct'50B, 1с=-100мА Pd=200mBt, h2,>56 1т>250МГц, R2=22kOm В Е С
K1S DTA144GKA ROHM p-n-p VCbo=-5OB Ic=-100mA, Pd=200mBt, h2l>68,1т>250МГц R2=47kOm В Е С
K19 DTA115GKA ROHM p-n-p Vceo=-50B, 1с=-100мА Рр=200мВт h21>82,1т>250МГц, R2=100kOm В Е С
K24 DTC114GKA ROHM n-p-n Vcbo=5O6, Ic=100mA, Pd=200mBt h2i>30,1у>250МГц R2=WkOm В Е С
K25 DTC124GKA ROHM n-p-n Vc8o=5OB Ic=100mA, Pd=200mBt, h21>56 1т>250МГц R2=22kOm В Е С
K26 DTC144GKA ROHM n-p-n VcetrSOB 1с=100мА.Ро=200мВт,П2,>68,|т>250МГц R2=47kOm В Е С
K29 DTC115GKA ROHM n-p-n VCbo=5OB Ic=100mA, Pd=200mBt, h21>82, |т>250МГц R2=100kOm В Е С
K3B DTA1D3RKA ROHM p-n-p Vcaf-5QB, 1с=-30мА, Ро=200|Лг, |>21>20Л>250МГи. R1/R2=2 7/1 кОм В Е С
K4B DTC1D3RKA ROHM n-p-n Vao=50B Ic=30mA. Pd=200mBt ^,>20, (т>250МГц, R1/R2=2T/1kOm В Е С
K9 1SS348 TOSH shd Vr>80B, Vf(If=100mA)<0 7B Ir(Vr=80B)<5mkA Ст<100пФ А пс к
KE 2SK1062 TOSH n-MDS Vd$=60B, Id=200mA,Pp=200mBt Rps(on)=0 60м G S D
KF 2SJ168 TOSH p-MOS Vos=-60B 1о=-200мА,Ро=200мВт,Ррз(оп}= 1 ЗОм G S D
KH 2SK1B26 TOSH n-MOS Vps=50B 1о=50мА,Ро=200мВт,Воз(оп)=200м G S D
KI 2SK1828 TOSH n-MOS Vos=2OB, 1р=50мА,Ро=100мВт,Роз{оп)=200м G S D
KJ 2SK2O36 TOSH n-MOS VDs=20B Id=100mA PD=200MBT1ROs(on)=3 50м G S D
KK 2SK2823 TDSH n-MOS Vps=20B lo=1 00mA, Pd=200mBt, Rosfon )=70m G S D
KM 2SK2009 TOSH n-MOS Vds=30B, Iq-200mA PD=200MBT,Ros(on)= 120м G S D
KN 2SJ305 TOSH p-MOS VOS=-30B Id=-200mA Рр=200мВт,Ро$(оп)=2 40м G S D
KP 2SK2033 TOSH n-MOS Vds=20B Id=1 00mA Ро=200мВт,Роз(оп>=80м G S D
KO 2SJ343 TOSH p-MOS Vds=-50B 1о=-50мА,Ро'200мВт,Но5(оп)=200м G S D
KS 2SJ345 tosh p-MOS Vds=-20B Id=-50mA,Pd=200mBt RDS(on)=20OM G S D
L14 DTB114GK ROHM p-n-p VCbo=-50B, Ic=-500mA Pd=200mBt h2i>56 1т>200МГц, R2=10kOm В Е С
187 -«
SOT-346, SC-59
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
L24 DTD114GK ROHM n-p-n Vcbct^OB, Ic=500mA Pd=200mBt h2i>56 1т>200МГц, R2=iOkOm В Е С
19 1SS349 TOSH shd Vr>20B, VF(lp=1 A)<0 55B, Ir(Vr=20B)<50mkA, Ст<=250пФ A пс к
LE 2SC2412KLNE ROHM n-p-n VCbo=50B, 1с=150мА, Рр=200мВт, h2l=390 820, fT> 180МГц В Е с
LG 2SC2712GR TOSH n-p-n VCa=50B, Ic=150mA, Pd=150mBt h2l=200 400 Тт>80МГц В Е с
LL 2SC2712BL TOSH n-p-n VCeo=5OB Ic=150mA, Pd=150mBt, h2i=350 700,1т>80МГц В Е с
10 2SC2712O TOSH n-p-n VC8f50B, Ic=150mA, Pd=150mBt h21=70 140, |т>80МГц В Е с
LR 2SC2412KLNR ROHM n-p-n Vco>=50B, Ic=150mA, Pd=200mBt, h2)=180 390, f7> 180МГц В Е с
LS 2SC2412KLNS ROHM n-p-n VCbo=50B,Ic=150mA,P0=200mBt h21=270 560,1т>180МГц В Е с
LY 2SC2712Y TOSH n-p-n Vceo=50B, Ic=150mA, Pd=150mBt, h2l=l20 240,1т>80МГц В Е с
N9 1SS374 tosh 2xshd VR>1OB, VHIf=100mA)<0 5B Ir(Vr=i0B)<20mkA, Ст<40пФ А1 К2 К1.А2
09 1SS377 TOSH 2xshd Vr>10B Vf(If=100mA)<0 5B, Ir(Vr= 1ОВ)<20мкА, Ст<40пФ А1 А2 KI К2
P9 1SS379 TOSH 2xdi Vr<80B, If<100mA, VfUf=100mA)< 1 3B lR<0 01mkA А1 К2 К1,А2
OA RN1421 TOSH d-n-p n VCeo=50B, Ic=800mA, Рр=200мВт, 1т>250МГц, Rl /R2=1/1kOm В Е С
QB RN1422 TOSH d-n-p-n Vceo=5OB, Ic=800mA, Po=200mBt, 1т>250МГц R1/R2=2 2/2 2x0м В Е С
QC RN1423 TOSH d-n-p-n VCeo=5OB, |c=800mA Pd=200mBt, |т>250МГц, R1/R2=4 7/47к0м В Е С
QD RN1424 tosh d-n-p-n Vceo=5OB, Ic=800mA, Pd=200mBt, 1т>250МГц, R1/R2=10/10kOm В Е С
OE RN1425 TOSH d-n-p-n Vca=50B, Ic=800mA, Pd=200mBt, 1т>250МГц, R1/R2=0 47/IOkOm В Е С
OF RN1426 tosh d-n-p-n Vca=50B, Ic=800mA, Pd=200mBt 1т>250МГц, R1/R2=1/1 OkOm В Е С
OG RN1427 TOSH d-n-p-n VchtSOB 1с=8(ЮмА, Р0=2С»мВт, |т>250МГц, Al/R2=2 2/ 10«Om В Е С
CH* 2SC4196 HIT n-p-n Vcbo~25B, Ic=50mA, Рр=150мВт, h2l=50 180, fT> 1 8ГГц В Е С
R1A MMST3904 ROHM n-p-n VCM=60B, Ic=200mA, h2(=l00 300,1г>250МГц В Е С
RIB MMST2222 ROHM n-p-n VCbo=6OB,Ic=6OOmA, h2i=l00 300,1т>250МГц В Е С
R1C MMST1130 ROHM n-p-n VCbo=3OB, Ic=200mA, h2l=l20 360 В Е С
R1C MMSTA20 ROHM n-p-n VCbo=4OB, Ic=200mA, h21>120, fr>125МГц В Е С
R1G MMSTA06 ROHM n-p-n VCbo=8OB, Ic=500mA, h2l >100, fT> 100МГц В Е С
R1K MMST6428 ROHM n-p-n VCbo=60B,Ic=200mA, h2i=250 650 1т>Ю0МГц В Е С
RIM MMSTA13 ROHM n-p-n Vcbo=30B |c=500mA, h2|>l0000 1т>125МГц В Е С
RIP MMST2222A ROHM n-p-n Vc0o~758,1сг600мА 100 300 fy>250МГц В Е С
RIN MMSTA14 ROHM n-p-n Vcbo=3OB, Ic=500mA, h21>20000, fT> 125МГц В Е С
RIO MMST5088 ROHM n-p-n VCbo=35B, Ic=200mA, h2l-300 900 1т>50МГц В Е С
R1R MMST5089 ROHM n-p-n Vcbo=30B,|c=200mA, h21=400 1200 1т>50МГц в Е с
R2A MMST3906 ROHM p-n-p VCbo=-4OB, Ic=-200mA, h2l=100 300,1т>250МГц в Е с
R2B MMST2907 ROHM p-n-p Vcbo=-6OB Ic=-600mA h2l=l00 300 1т>200МГц в Е с
R2C MMSTA70 ROHM . p-n-p Vcbo"-8OB, Ic=-200mA, h2l=160 400, fT>125МГц в Е с
R2F MMST2907A ROHM p-n-p Vcso='6O8 Ic=-600mA, h2>=100 300,1г>200МГц в Е с
R2G MMSTA56 ROHM p-n-p Vcbo='8OB Ic=-500mA h21>!00 1т>50МГц в Е с
R2K MMST8598 ROHM p-n-p VCbo=-6OB, Ic=-200mA, h21=100 300, fT>150МГц в Е с
R2P MMST5086 ROHM p-n P Vcbo='50B Ic=-200mA h2i=l50 500 1т>40МГц в Е с
►- 188
SOT-346, SC-59
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
R2D MMST5087 ROHM p-n-p Vcbo=-5OB, Ic=-200mA, h2l=250 800.1т>40МГц В Е С
R20 SST7157 ROHM p-n-p VcKr-бОВ, Ic=-200mA h2l>l00 В Е с
R2T MMST4403 ROHM P-np Vceo=-4OB, Ic=-600mA, h2l=100 300,1т>200МГц в Е с
R2U MMSTA63 ROHM p-n-p VCbo=-3OB, Ic=-300mA, hj, >5000,1,>125МГц в Е с
R2V MMSTA64 ROHM p-n-p VCbo=-30B Ic=-300mA, h2l>10000, fT>125МГц в Е с
R2X MMST4401 ROHM n-p-n VcktSOB, Ic=600mA, h21=100 300, 8>2Я)МГц в Е с
R9 1SS392 TOSH 2xshd Vft>40B Vf(If=100mA)<0 6B Ir(Vr=40B)<5mkA, Ст<25пФ А1 А2 К1,К2
R93 SSTTIS93 ROHM p-n-p Vcbo=-40B, Ic=-800mA, hjrIOO 300, |т>50МГц В Е С
RA RN2421 TOSH d-p-n-p VcKr-50B, 1с=-800мА Pd=200mBt, 1т>250МГц, R1/R2=1/1 кОм В Е С
RAT MMSTA28 ROHM n-p-n Vcbo=80B Ic=500mA h21>10000,1т>125МГц В Е С
RB RN2422 TOSH d-p-n-p Voter' 50B, Ic=-800mA, Pd=200mBt, 1т>250МГц, R1/R2=2 2/2 2kOm В Е с
RBR MMST6838 ROHM n-p-n Vcso=50B Ic=200mA, h2]>200 1у>50МГц В Е с
RC RN2423 TOSH d-p-n-p Vca=-50B, Ic=-800mA, Pd=200mBt, 1т>250МГц, R1 /R2=4 7/4 7kOm В Е с
RD RN2424 TOSH d-p-n-p Vceo=-5OB, Ic=-800mA Po=200mBt, 1т>250МГц, R1/R2=10/10kOm в Е с
RE 2SA1514KE ROHM p-n-p Vcbo”'I20B Ic=-50mA, Pd=200mBt, h2i=390 820,1у>140МГц в Е с
RE RN2425 TOSH d-p-n p VCEo=-5OB, Ic=-800mA, Po=200mBt, 1т>250МГц, Rl/R2=0 47/IOkOm в Е с
RF RN2426 TOSH d-p-n-p Vceo=’50B. Ic=-800mA, Pd=200mBt, Тт>250МГц, R1/R2=1/10kOm в Е с
RFQ SST6839 ROHM p-n-p Vc8o=-5OB 1с=-200мАЛ1>100Лт>50МГц в Е с
RG RN2427 TOSH d-p-n-p Vckt’MB, Ic=-800mA, Pd=200mBt 1т?250МГц, R1/R2=2 2/IOkOm в Е с
RR 2SA1514KR ROHM p-n-p Vceo=’l20B, Ic=-50mA, Pd”200mBt, h2i=180 390,1т> 140МГц в Е с
RS 2SA1514KS ROHM p-n-p Vcbo=-12OB, Ic=-50mA, Po=200mBt, h2i =270 560,1т>14ОМГц в Е с
RVZ MMST4126 ROHM p-n-p Vcbo=-25B, Ic=-200mA, 1^=120 380,1т>250МГц в Е с
RZC MMST4124 ROHM n-p-n Vcbo=3OB, Ic=200mA, h2l=l20 360,1т>300МГц в Е с
S9 1SS394 TOSH shd VR> 10B Vf(If=100mA)<0 5B, Ir(Vr=10B)<20mkA, Су<40лФ А пс к
SM 2SC3082KM ROHM n-p-n Vcbo=3OB, Ic=50mA, Pd=200mBt, h21=39 82, fT> 110МГц в Е с
SN 2SC3082KN ROHM n-p-n Vcbo=3OB, Ic=50mA, Pd=200mBt, h2l=56 120, fj>110МГц в Е с
SP 2SC3082KP ROHM n-p-n VCbo=30B, Ic=50mA, Pd=200mBt, h21=82 180, fT> 110МГц в Е с
SO 2SC3082KQ ROHM n-p-n Vcbo=3OB, Ic=50mA, Po=200mBt, h2l=l20 270 fT>110МГц в Е с
T9 1SS396 TOSH 2xshd VR>40B Vf(If=100mA)<0 6B, Ir(Vr=40B)<5mkA, Ст<25пФ А1 К2 К1.А2
TO 2SC2736 HIT n-p-n Vc8O=30B, Ic=50mA, Po=15OmBt h2|=30 200, fy>1 4ГГц В Е С
ТЕ 2SC3906KE ROHM n-p-n VCbo=12OB, Ic=50mA, Po=200mBt, h2l=390 820 Ь>14ОМГц В Е с
Tl- 2SC4197 HIT n-p-n Vc33=25B, Ic=50mA, Po=150mBt, h25=50 180, Ь>ЗГГц В Е с
TR 2SC3906KR ROHM n-p-n Vcbo=120B, Ic=50mA, Pd=200mBt, h2l=180 390,1т>14ОМГц в Е с
TS 2SC3906KS ROHM n-p-n VCbo=12OB, Ic=50mA, Po=200mBt, 1^=270 560, fT> 140МГц в Е с
UA 2SB852KA ROHM p-n-p VCbo=-40B Ic=-300mA, Pd=200mBt, h2l >1 000, 1т>200МГц в Е с
UB 2SB852KB ROHM p-n-p Vcbo=-4OB, Ic=-300mA, Pd=200mBt, h2l >5000,1т>200МГц в Е с
Ul- 2SC4229 HIT n-p-n Vcbo=3OB,Ic=2OmA,Pd=15OmBt h2l=50 180,1т>700МГц в Е с
WA 2SD1383KA ROHM n-p-n Vcbo=4OB , 1с=ЗООмА, Рр=200мВт, h2, > 10ОО, 1у>250МГц в Е с
189-<
SOT-346, SC-59
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 Гг 3
WB 2SO1383KB ROHM npn VCbo"4OB Ic-300mA Pd=200mBt h2T>5000 1т>250МГц В Е С
X. 2SB1051K ROHM P П p VCbo=32B lc- 1000mA Pd=200mBt h2l-390 1т>150МГц В Е с
X9 1SS398 TOSH 2xdi Vr<400B If<100mA Vf(If-100mA)v1 ЗВ Ir<1 OmkA А1 К2 К1А2
XA RN1401 TOSH d n p n VCE0"50B Ic-100mA Pd-200mBt 1т=200МГц R1/R2-4 7/4 7k0m В Е С
XB RN1402 TOSH d n p n Vceo-5OB lc 100mA Pd=200mBt 1т-200МГц R1/R2-10/10kOm В Е С
XB- 2SC4416 HIT npn Vcbo“258 Iq=50mA Po-150mBt n21=50 180 ТрЗГГц Е в С
xc RN1403 TOSH d n p n VCeq=506 Ic-100mA Pd-200mBt 1т-200МГц R1/R2"22/22kOm б Е С
XD RN1404 TOSH d n p n Vceo=5OB Ic-100mA Pd-200mBt fT 200МГц R1/R2=47/47kOm В Е С
XE RN1405 TOSH d n p n Vceo=50B Ic=100mA Pd=200mBt 1т=200МГц R1/R2-2 2/47kOm В Е С
XF RN1406 TOSH d n p n VCeo=50B Ic=100mA Pd=200mBt 1т=200МГц R1/R2=4 7/47kOm В Е С
XH RN1407 TOSH d n p n VCE0"50B Ic=100mA Pd=200mBt fT=200MTu R1/R2~10/47kOm В Е С
XI RN1408 TOSH d n p n VC£o-5OB Ic-100mA Pd-200mBt 1т200МГц R1/R2-22/47kOm В Е С
XJ RN1409 TOSH d n p n VCec=50B Ic-100mA Pd-200mBt 1Т"200МГц R1/R2’47/22kOm В Е С
XX RN1410 TOSH d n p n Vcec-50B Ic=100mA Pd=200mBt Ь=200МГц R1=4 7kOm В Е С
XM RN1411 TOSH d n p n VCec=50B IC’100mA Pd-200mBt fT 200МГц R1-10kOm В Е С
XM- 2SC4591 HIT npn Vcbo"15B Iq-SOmA Pd=150mBt h2j-40 250 fy>6 5ГГц В Е С
XH RN1412 TOSH d n p n Vceo-SOB Ic-100mA Pd=200mBt 1т-200МГц R1=22kOm В Е С
XP RN1413 TOSH d n p n УсесгЬОВ Ic=100mA Pd=200mBt fy-200МГц R1M7k0m В Е с
XQ RN1414 TOSH d n p n Vceo-5OB Ic=100mA Pd=200mBt 1т=200МГц R1/R2=1/10kOm в Е с
XS RN1415 TOSH d n p n Vcec=50B Ic-100mA Pd=200mBt 1т=200МГц R1/R2-2 2/1DkOm в Е с
XT RN1416 TOSH d n p n Vceo-5OB Ic-100mA Pd=200mBt 1т-200МГц R1/R2=4 7/ЮкОм в Е с
XU RN1417 TOSH d n p n Vceo-SOB Ic-100mA Pd-200mBt Ь-200МГц R1/R2-10/4 7кОм в Е с
XU- 2SC4680 HIT npn VCbo’12B Ic=50mA Po-150mBt h2l>l00 в Е с
XW RN1418 TOSH d n p n VcEtrMB Ic=100mA Pd=200mBt 1т=200МГц R1/R2-47/10kOm в Е с
YA RN2401 TOSH d p n p VCE0" SOB lc= ЮОмА Pd-200mBt 1Т“200МГц R1/R2=47/4 7kOm в Е с
YB RN2402 TOSH d p n p Vceo- SOB lc= ЮОмА Pd-200mBt 1т-200МГц R1/R2=10/10kOm в Е с
YC RN2403 TOSH dpnp Vceo= SOB lc- 100mA Po-200mBt 1т-200МГц R1/R2=22/22kOm в Е с
YD RN2404 TOSH d p n p VcEtr SOB lc= ЮОмА Pd-200mBt 1т=200МГц R1/R2=47/47kOm в Е с
YE RN2405 TOSH d p n p VCE0= 50B lc- ЮОмА P0=200mBt 1т"200МГц R1/R2-2 2/47kOm в Е с
YF RN2406 TOSH d p n p Vceo" SOB lc- ЮОмА Рр=200мВт 1т=200МГц Ri/R2=4 7/47kOm в Е с
YH RN2407 TOSH d p n p Vceo= SOB lc- ЮОмА Pd=200mBt fT=200MRj R1/R2=10/47kOm в Е с
Yl RN2408 TOSH d p n p Vceo" SOB lC' 100mA Pd=200mBt 1т=200МГц R1/R2-22/47kOm в Е с
YJ RN2409 TOSH d p n p Vceo" SOB lc- ЮОмА Pd=200mBt (т=200МГц R1/R2-47/22kOm в Е с
YK RN2410 TOSH d p n p Vceo" 50B lc= ЮОмА Pd=200mBt (т-20МГц R1-4 7kOm в Е с
YM RN2411 TOSH d p n p Vceo= SOB lc" ЮОмА Pd-200mBt 1т=200МГц R1=10kOm в Е с
YN RN2412 TOSH d p n p VCeo= SOB lc= ЮОмА Pd=200mBt 1т-200МГц R1"22kOm в Е с
YP 2SD1484KP ROHM npn Vc80=30B Ic-500mA Pq=200mBt h2,=82 180 Тг>250МГц в Е с
YP RN2413 TOSH dpnp Vceo" SOB lc= ЮОмА Pd-200mBt 1т=200МГц R1=47kOm в Е с
YQ 2SD1484KQ ROHM npn VCbo=5OB Ic-500mA Pd=200mBt h21=l20 270 1т>250МГц в Е с
YQ RN2414 TOSH dpnp Vceo- SOB lc- ЮОмА Pd-200mBt Ь=200МГц R1/R2= 1/10kOm в Е с
YR 2SD1484KR ROHM npn VCbo=5OB Ic-500mA Pd-200mBt h2i=l80 390 1т>250МГц в Е с
YS RN2415 TOSH dpnp Vceo" SOB lc= ЮОмА Pd=200mBt (т-200МГц R1/R2-2 2/ЮкОм в Е с
YT RN2416 TOSH dpnp Vceo= 50B lc- ЮОмА Pd=200mBt (т=200МГц R1/R2=4 7/ЮкОм в Е с
YU RN2417 TOSH dpnp Vceo- SOB lc" ЮОмА Pq=200mBt 1у=200МГц R1/R2-10/4 7кОм в Е с
YW RN2418 TOSH dpnp Vceo= SOB lc- ЮОмА Pd-200mBt (т=200Мгц R1/R2"47/10kOm в Е с
► 190
OJ
SOT-416
SC-75A
191
SOT-416, SC-75A
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
93 DTA143TE ROHM D-p-n-p Vcbo=50B,Ic=100mA,Po=150mBt h^lOO 600, Ь>250МГц, R1=4 7k0m В Е С
94 DTA114TE ROHM D-p-n-p Vcbo=50S,Ic=i00mAPd=150mBt h2rl00 600Л>250МГц,Р1=10кОм В Е с
95 DTA124TE ROHM D-p-n-p W50B 1с=Г00мА,Ро=150м6т,П21=100 600, V250MTu, R1=22kOm В Е с
96 DTA144TE ROHM D-p-n-p Vcbo=5OS, Ic=100mA, Pd=150mBt IfeplOO 600 Ь>250МГц,Р1=47кОм в Е с
99 OTA115TE ROHM D-p-n-p W50B. Ic=1 00mA, Pd=150mBt, 1^=100 600, (т>250МГц, R1=100kOm в Е с
АЗ 1SS360 TOSH 2xdi Vr<80B, If<100mA, VHIf=100mA)<1 2B, |r<0 5mkA, 1rr<4hc К1 К2 А1.А2
AN 2SC4618 ROHM n-p-n Усво=4ОВ,1с=5ОмА,Рс>=15ОмВт,Пг1=56 120Л>30ОМГц в Е С
АР 2SC46I8 ROHM n-p-n Vcao=4OB, 1с=50мА,Р[г150мВт, h21=82 ISO, Гт>ЗООМГц в Е С
AQ 2SC4618 ROHM n-p-n Vcbo=40B, Ic=50mA, Pd=150mBt, h21=120 270 1т>300МГц в Е С
ВЗ 1SS361 TOSH 2xdi Vr<80B, If<100mA, Vf(If=100mA)<1 2B Ir<0 5mkA, 1rr<4hc А1 А2 К1,К2
BQ 2SC4617 ROHM n-p-n Vcbo=50B,Ic=150mA,Pq=200mBt h21=l20 270Лт>180МГц В Е С
BR 2SC4617 ROHM n-p-n Усйо=506,1с=150мА,Ро=200мВт,Ь21=180 390 fT>l80MFu в Е С
BS 2SC4617 ROHM n-p-n Vcar50BJc=l50MA,pD=200MBT,h2i=270 560Л>180МГц в Е С
C3 1SS362 TOSH 2xdi Vr<80B, If<80mA, Vf(If=80mA}< 1 2B, lR<0 5mkA, 1rr<4hc А1 К2 К1.А2
Ell DTA113ZE ROHM D-p-n-p Vcbo=50B, Ic’100mA Pd=150mBt, h2l >33,1т>250МГц, R1/R2= 1 /1 ОкОм В Е С
E13 DTA143ZE ROHM D-p-n-p VCbo=506, 1с=100мА, Ро=150мВг П^вОЛ^бОМГц, R1/R2=47/47k0m В Е С
E21 DTC113ZE ROHM D-n-p-n Vcbo=5OB, Ic=100mA, Pd=150mBt, h2, >33,1т>250МГц, R1/R2=1/10kOm В Е С
E23 DTC143ZE ROHM D-n-p-n Vc6o=5OB, 1с=100мА, Ро=15ОмВг ЬггЖ). /г>250МГц, R1/R2=4 7/47Юм 8 Е С
E32 DTA123JE ROHM D-p-n-p Vcao=5OB Ic=100mA, Pd=150mBt, l^pSO, <т>250МГц, R1 /R2=2 2/47k0m В Е С
E42 DTC123JE ROHM D-n-p-n Vcbo’5OB, Ic=100mA P[t150mBt >80 (т>250МГц, R1/R2=2 2/47k0m В Е С
E56 DTA144VE ROHM D-p-n-p W50B, <c=1 00mA. Pd=150mBt, >33 Ь>250МГц, R1/R2=47/10k0m В Е С
E66 DTC144VE RDHM D-n-p-n VcafSOB, lc= 1 00mA, Pd-ISOmBt, ^,>33 fT>250Mrii R1/B2M7/1 ОкОи В Е С
FQ 2SA1774 ROHM p-n-p Vcbo=5OB )с=150мА,Ро=200мВт,Ьг(=120 27O,1T>1W« В Е С
FR 2SA1774 ROHM p-n-p Vceo=50B, Ic=150mA, Pd=200mBt, h2]=180 390, fT> 140МГц В Е С
FS 2SA1774 ROHM p-n-p W50B. Ic=150mA, Pd=200mBt, h2i=270 560 fT>140Mlu В Е С
JM 2SC4649 ROHM n-p-n VCBO=25B, Ic=20mA, Ро=150квт, h2i=39 82Лт>500МГц В Е С
JN 2SC4649 ROHM n p-n ^сво=25В Ic=20mA, Pq=150mBt, h2i=56 120,f-рбООМГц В Е С
JP 2SC4649 ROHM n-p-n VCBO=25B Ic=20mA PctISOmBt h2)=82 180,fT>500Mfn в Е С
K19 DTA115GE ROHM D-p-n-p Vcbo=5OB Ic=100mA, Pd=150mBt, h21 >82, fT>250MFu, R2=100kOm в Е С
K29 DTUH5GE ROHM D-n-p-n Vc8o=50B,Ic=100mA, Pd=150mBt h2|>82,1т>25ОМГц, R2=100kOm в Е С
K3B DTA1D3RE ROHM D-p-n-p Vcbo=5OB, lC(max)= 1 00mA Pd=1 50mBt, h21 >20 fT>250МГц в Е с
K4B DTC1D3RE ROHM D-n-p-n VCbo=50B |с(тах)=100мА Pd=150mBt, h2i>20.1т>250МГц в Е с
KI 2SK1830 TOSH n-FET Vps=20B Id=50mA Ро=200мВт,Р[й(оп)=200м G S D
KK 2SK2825 TOSH n-FET Vps=20B 1о=100мА,Ро=200мВтЯоз(оп)=100м G S D
KP 2SK2035 TOSH n-FET Vqs=20B, 1[)=100мА,Рп=200мВг,В[й(оп)=80м G S О
KS 2SJ347 TOSH p-FET V[)s=-20B, 1о=-50мА,Ро=200мВтЯ[б(оп)=200м G S D
09 1SS385 TOSH 2xshd VR> 10B, Vf(lF= 1 0OmA)<0 5B Ir(Vr=10B)<20mkA, Ст<20пФ А1 А2 К1.К2
SM 2SC4619 ROHM n-p-n VCBo=3OB Ic=50mA Pd=150mBt h2)=39 82, fT>110МГц В Е С
► 192
SOT-416, SC-75A
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
SN 2SC4619 ROHM n-p-n Vceo=3OB, Ic=50mA,Pd=150mBt, h2i=56 120 fT>110МГц В Е С
SP 2SC4619 ROHM n-p-n Vcbo=306 Ic=50mA, Pd=150mBt, h2l=82 180 1т>110МГц В Е с
SO 2SC4619 ROHM n-p-n Vckt30B Ic=50mA,Pd=150mBt, h2i=120 270,1т>110МГц В Е с
XA RN1101 TOSH D-n-p-n Vceo=5O6 Ic=150mA, Pd=100mBt, fT>250M Гц, R1/R2=4 7/4 7kOm в Е с
XB RN1102 TOSH D-n-p-n Vceo=5OB Ic=150mA, Pd=100mBt, Ь>250МГц, R1/R2=10/10kOm В Е с
XC RN1103 TOSH D-n-p-n Vceo=50B, 1с=150мА Ро=1ООмВт,1т>25ОМГц, R1/R2=22/22kOm в Е с
XD RN1104 TOSH D-n-p-n Vceo=5OB, Ic=150mA, Pd=100mBt, Гт>250МГц, R1/R2=47/47kOm в Е с
XE RN1105 TOSH D-n-p-n Vceo=5OB, Ic=150mA, Pd=100mBt, fT>250M Гц, R1/R2=2 2/47kOm в Е с
XF RN1106 TOSH D-n-p-n Vceo=50S, Ic=150mA, Pd=100mBt, Тт>250МГц, R1/R2=4 7/47kOm в Е с
XH RN1107 TOSH D-n-p-n Vcect50B, Ic=150mA, Ро=100мВтДт>250МГц, R1/R2=10/47kOm в Е с
XI RN110B TOSH D-n-p-n VCeo=50B, Ic=150mA, Pd=100mBt, 1т>250МГц, R1/R2=22/47kOm в Е с
XJ RN1109 TOSH D-n-p-n Vceo=5O6 1с=150мА,Ро=100мВтДг>250МГц,Р1/В2=47/22кОм в Е с
XX RN1110 TOSH D-n-p-n Vcer50B, Ic=150mA, Pct 100мВт, /г>250МГц, R1=4 7кОм в Е с
XM RN1111 TOSH D-n-p-n VCeo=5OB 1с=150мА,Ро=100мВтЛт>250МГц,Р1=10)(Ом в Е с
XN RN1112 TOSH D-n-p-n Vcect50B Ic=150mA, Pd=100mBt, Гт>250МГц, R1=22kOm в Е с
XP RN1113 TOSH D-n-p-n Vceo=5OB, Ic=150mA, Pd=100mBt,1t>250MFu, R1=47kOm в Е с
XQ RN1111 TOSH D-n-p-n Vceq=50B, Ic=150mA, Pd=100mBt, 1т>250МГц, R1/R2=1/1DkOm в Е с
XS RN1115 TOSH D-n-p-n Voeo=50B, Ic=150mA, Pd=100mBt, Тт>250МГц, R1/R2=2 2/10kOm в Е с
XT RN1116 TOSH D-n-p-n VCeo=50B Ic=150mA, Pd=100mBt 1т>250МГц, R1/R2=47/1DkOm в Е с
XU RN1117 TOSH D-n-p-n Vceo=506 1с=150мА,Р0=100мВтЛт>250МГц R1/R2=10/47kOm В Е с
XW RN111S TOSH D-n-p-n Vceo=508 Ic=150mA, Р^ЮОмВтЛт^бОМГц, R1/R2=47/10kOm в Е с
YA RN2101 TOSH D-n-p-n Vceo=50S Ic=150mA, Pd=100mBt, Тт>250МГц, R1/R2=4 7/4 7kOm В Е с
YB RN2102 TOSH D-n-p-n Vcec=50B Ic=150mA, Pd=1 00мВт, 1т>250МГц, R1/R2=10/10kOm в Е с
YC RN2103 TOSH D-n-p-n Vceo=5OB Ic=150mA Pd=100mBt, fT>250МГц R1/R2=22/22kOm В Е с
YD RN2104 TOSH D-n-p-n Vcect50B Ic=150mA, Р0=100мВт,1т>250МГц, R1/R2=47/47kOm в Е с
YE RN2105 TOSH D-n-p-n Vceo=5OB Ic=150mA Ро=100мВт,1т>250МГц,Р1/й2=2 2/47кОм в Е с
YF RN2106 TOSH D-n-p-n Vcar50B 1с=150мА,Р[г100мВт,1т>250МГц,Р1/Н2=4 7/47кОм в Е с
YH RN2107 TOSH D-n-p-n Vcect50B, Ic=150mA, Pd=100mBt 1т>250МГц R1/R2=10/47kOm в Е с
Yl RN21O8 TOSH D-n-p-n Vceo=5OS, Ic=150mA, Pd=100mBt 1т>250МГц, R1/R2=22/47kOm в Е с
YJ RN2109 TOSH D-n-p-n W50B. Ic=150mA, Pd=100mBt, Гт>250МГц, R1/R2=47/22kOm В Е с
YK RN2110 TOSH D-n-p-n Vceo=508 Ic=150mA, Pd=100mBt, 1т>250МГц, R1 =4 7kOm в Е с
YM RN2121 TOSH D-n-p-n Vcec=50B Ic=150mA, Pd=i00mBt, (т>250МГц, R1=10kOm в Е с
YN RN2112 TOSH D-n-p-n Vcec=50B Ic=150mA, Ро=100мВтЛ>250МГц, R1=22kOm в Е с
YP RN2113 TOSH D-n-p-n Vcec=50B Ic=150mA Pd=i0OmBt, (т>250МГц, R1=47kOm в Е с
YQ RN2114 TOSH D-n-p-n Vceo=5OB Ic=150mA Pd=100mBt (т>250МГц, R1/R2=1/1DkOm в Е с
YS RN2115 TOSH D-n-p-n Vceo=5OB lc=1 50mA, Po=100mBt, 1т>250МГц, R1/R2=2 2/1DkOm в Е с
YT RN2116 TOSH D-n-p-n Vceo=50B Ic=150mA Po=100mBt Ь>250МГц R1/R2=47/10kOm в Е с
YU RN2117 TOSH D-n-p-n Vcer50B 1с=’50м4 PctIOOmBt 1г>250МГц,В1/В2=10/4 7кОм в Е с
YW RN2118 TOSH D-n-p-n Vcec=50S Ic=150mA Pd=100mBt, (т>250МГц, R1/R2=47/10kOm в Е с
193
SOT-89
4 25
3 75
I L0 44
0 37
Код Типономинал Фирма Функция Особенности цоколевка
1 2 3
- BCX68 SIEM n-p-n VCbo=2OB IC=1A, Pd=1Bt, h2i=85 375,1т>100МГц В С Е
- BCX69 SIEM p-n-p Vcbo=-20B,Ic=-1A, Pd=iBt, h21=85 375 1т>Ю0МГц В с Е
1A SXT3904 SIEM n-p-n Vc8o=40B,Ic=200mA, Pd=1Bt h2l=l00 300,1т>300МГц в с Е
ID SXTA42 SIEM n-p-n VCbo=300B Ic=500mA Ро=1Вт,Ь21>40,|т?50МГц в с Е
IE SXTA43 SIEM n-p-n Vcbo=200B Ic=500mA, P0=1Bt, h2i>40, f-p50MFu в с Е
10Y BZV49-C10 PHIL dz Vz(Izt=5 0mA)=9 4 10 6B, Zzt(Izt=5 0mA)<20 Om Izm=250mA А к А
11Y BZV49-C11 PHIL dz Vz!lr=5 0mA)=10 4 11 6В,г^1гт=5 0мА)<20 0м,12м=250мА А к А
12Y BZV49-C12 PHIL dz Vz(Izt=5 0мА)=11 4 12 7В,2г(|г1=5 0мА)<25Ом Izm=250mA А к А
13Y BZV49-C13 PHIL dz Vzdzr=5 0mA)=12 4 141B, Z2t(|zt=5 0mA}<30 Om, Izm=250mA А к А
15Y BZV49-C15 PHIL dz Vz(Izt=5 0мА)=13 8 15 6B, ZZt(IZt=5 0mA)<30 Om, Izm=250mA А к А
16Y BZV49-C16 PHIL dz Vz(Izt=5 0mA}=15 3 17 IB, Z2t{|2t=5 0mA)<40 Om, IZm=250mA А к А
18Y BZV49-C18 PHIL dz Vz(l^=5 0mA)=16 8 19 1B, Zjt-(Izt=5 0mA)<45 Om, IZm=250mA А к А
20Y BZV49-C20 PHIL dz Vz{Izt=5 0mA)=18 8 21 2B, ZZ7(|Zt=5 0mA)<55 0m,IZm=250mA А к А
22Y BZV49-C22 PHIL dz VzdzT=5 0mA)=20 8 23 3B, ZjTdZT=5 0mA)<55 Om, IZm=250mA А к А
24Y BZV49-C24 PHIL dz Vzd^S 0mA)=22 8 25 6B Z2t(IZt=5 0mA)<70 Om, I2M=250mA А к А
27Y BZV49-C27 PHIL dz '/z(Izt=2 0mA)=25 1 28 9B, ZztOzt=2 0mA)<80 Om, IZm=250mA А А К
2A SXT3906 SIEM p-n-p Vcbo=-4OB, Ic=-200mA, Pq=1 Вт, h2i=100 300, <т>250МГц В с Е
20 SXTA92 SIEM p-n-p VCBO=.300B, Ic=-500mA. Pd=1 Вт, П21 >25,1т>50МГц В с Е
2E SXTA93 SIEM p-n-p Vcbo=-200B, Ic=-500mA, Pd=1Bt, h?l >25,1т>50МГц В с Е
2F SXT2907A SIEM p-n-p VcKr-60B, Ic=-600mA, P0=1Bt, h21=100 300 (,>2ООМГц В с Е
2P SXT2222A SIEM n-p-n VcetF75B Ic=600mA, pd=1Bt, h2l=100 300,1т>300МГц в с Е
2Y4 BZV49-C2V4 PHIL dz Vz(Izt=5 0mA)=2 2 2 6B, Zzt(I2t=5 0mA)<i00 Om IZm=250mA А к А
2Y7 BZV49-C2Y7 PHIL dz Vz(Izt=5 0mAJ=2 5 2 9B,Zzt(Izt=5 OmA)< 100 Ом, 1Zm=250mA А к А
30Y BZV49-C30 PHIL dz Vz(Izt=2 0mA)=28 0 32 OB, ZzjdzT=2 0mA)<80 Om, IZm=250mA А к А
33Y BZV49-C33 PHIL dz Vz(Izt=2 0мА)=31 0 35 OB, 2^=2 0mA)<80 Om, Im=250mA А к А
36Y BZV49-C36 PHIL dz Vzdrr=2 0mA)=34 0 38 OB, Z?T(lZT=2 0mA)<90 Om, IZm=250mA А к А
39Y BZV49-C39 PHIL dz VzdzT=2 0mA)=37 0 41 OB, ZzrdzT=2 0mA)<130 Om, Izm=250mA А к А
3Y0 BZV49-C3V0 PHIL dz Vz(Izt=5 0mA)=2 8 3 2B, Zzt(Izt=5 OmA)<95 Ом, iZm=250mA А к А
3Y3 BZV49-C3V3 PHIL dz VzdzT=5 0mA)=3 1 3 5B,Zn(lzT=5 0MA)<95OM Izm=250mA А к А
3Y6 BZV49-C3V6 PHIL dz Vz(Izt=5 0mA)=3 4 3 8B, Zzt(Izt=5 OmA)<90 Ом, Izm=250mA А к А
3Y9 BZV49-C3V9 PHIL dz VzOzt=5 0mA)=3 7 4 IB, Zzt(Izt=5 OmA)<900m, |Zm=250mA А к А
► 194
SOT-89
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
43Y BZV49-C43 PHIL dz Vz(Izt=2 ОмА)=40 0 46 OB Zzt(Izt=2 OmA)< 150 Ом Izm=250mA A К А
47Y B2V49-C47 PHIL dz V2(Izt=2 0mA)=44 0 50 OB, 2^=2 0мА)< 170 Ом, I2m=250mA A К А
4Y3 BZV49-C4V3 PHIL dz У2(1гт=5 0mA)=4 0 4 6B ZndzT^OMAlOOOM Izm=250mA A К А
4Y7 BZV49-C4V7 PHIL dz VZ(IZT=5 0mA)=4 4 5 OB, ZZt(Izt=5 0mA)<80 Om, I2m=250mA A к А
51Y BZV49-C51 PHIL dz VZ(IZT=2 0mA)=48 0 54 OB, 2^=2 0mA)<180Om, Izm=250mA A к А
56Y BZV49-C56 PHIL dz VZ(IZT=2 0mA)=52 0 60 OB, 2^=2 0mA)<200 Om, I2m=250mA A к А
5Y1 B2V49-C5V1 PHIL dz V2(Izt=5 0mA)=4 8 5 4B, 2^=5 0мА)<60 Om, Izm=250mA A к А
5Y6 B2V49-C5V6 PHIL dz VzOzkS 0mA}=5 2 6 OB Z2t(Izt=5 0mA)<40Om, I2m=250mA A к А
62Y BZV49-C62 PHIL dz V2(Izt=2 0mA)s58 0 66 OB, 2^=2 0мА)<215 Ом, )zm=250mA A к А
68Y BZV49-C68 PHIL dz Vz(Izt=2 OmA)—64 0 72 OB, Z2j-(IZt=2 0mA)<240 Ом, IZm=250m/ A к А
6A KIA7019AF KEC vd VfiQ=f 9B, Vcc(max)=i5B, Pd=500mBt Vcc GND DOT
68 KIA7021AF KEC vd Vag=2 IB, Vcc(max)=l5B, Pd=500mBt Vcc GND OUT
6C KIA7023AF KEC vd Vrg=2 ЗВ, Усс{ппах)=15В, Ро=500мВт Vcc GND OUT
6D KIA7025AF KEC vd Vrg=2 5B, Vcc(max)=15B, Pd=500mBt Vcc GND OUT
6E KIA7027AF KEC vd Vrg=2 7B, Vcc(max)=l5B, Pq=500mBt Vcc GND OUT
6F KIA7029AF KEC vd Vrg=2 9B, VCc(max)=l5B Pq=500mBt Vcc GND OUT
6G KIA7031AF KEC vd VrG=3 IB, Vcc<max)=l5B, Pd=500mBt Vcc GNO OUT
6H KIA7032AF KEC vd Vrg=3 2B Усс(тах)=15В,Ро=500мВт Vcc GND OUT
6J KIA7033AF KEC vd Vrg=3 3B Vcc(max)=!5B Pd=500mBt Vcc GND OUT
6K KIA7034AF KEC vd Vrg=3 4B VCc(max)=l5B Pd=500mBt Vcc GND OUT
6L KIA7035AF KEC vd Vrg=3 5B,Vcc(max)=15B, Pd=500mBt Vcc GND OUT
6M KIA7036AF KEC vd VrG=3 6B Vcc(max)=15B, Pd=5OOmBt Vcc GND OUT
6N KIA7039AF KEC vd Vrg=3 9B, Vcc(max)=i5B, Po=500mBt Vcc GND OUT
6Р KIA7042AF KEC vd Vrg=4 2B, VCc(max)=15B, Pd=500mBt Vcc GND OUT
6R KIA7045AF KEC vd VrG=4 5B Vcc(max)=l5B, Pd=500mBt Vcc GND OUT
6Y2 BZV49-C6V2 PHIL dz V2(IZt=5 0mA)=5 8 6 6B, ZztIJzt^S 0mA}< 10 Om, Izm=250mA A К A
6Y6 BZV49-CSVS PHIL dz Vz(IZt=5 0mA)=6 4 7 2B, ZZy(l2r=5 0mA)< 15 Om I2m=250mA A К A
75Y BZV49-C75 PHIL dz V2(Iz’=2 0mA)=70 0 79 OB, Z2y(I2T'=2 0мА)<255 Om IZm=250mA A К A
7Y5 BZV49-C7V5 PHIL dz Vz(Izt= 5 ОмA}=7 0 7 9В, Zzt(Izt=5 0мА)<15 Ом, Izm=250mA A К A
8Y2 B2V49-C8V2 PHIL dz Vz(Izt=5 0мА)=7 7 8 7B, 2гт(1гт=5 0мА)<15 Ом, Izm=250mA A К A
9Y1 BZV49-C9V1 PHIL dz Vz(Izt=5 0мА)=8 5 9 6B, 2Zt(Izt=5 0mA)< 15 Ом, |Zm=250mA A К A
А27 РХТА27 PHIL n-p-n Vcbo=6OB Ic=500mA, P0=1Bt, h2t>100, fT> 125МГц В С E
АА ВСХ51 PHIL p-n-p Vcbo=-45B,Ic=-1A Po=iBT,h2i=40 250 h=50MFu В С E
АА ВСХ51 SIEM p-n-p Vceo=-45B, Ic=-1A, Pd=1Bt h2l=40 250, fT= 125МГц В С E
АВ ВСХ51-6 PHIL p-n-p VCbo=-45B,Ic=-1A, Pd=!Bt h21=40 100,fT= 125МГц В С E
АС ВСХ51-10 PHIL p-n-p Vcbo=-45B, lc=-1A Pd=1Bt, h2,=63 160,1т=50МГц В С E
АС BCX51-W SIEM p-n-p Vcbo=-45B, Ic=-1A, Pd=1Bt h2|=63 160, Гг=125МГц В С E
АС 2SA1690 ROHM p-n-p VCBo=-4OOB, Ic=-100mA, Pd=2Bt h2)=56 270 2J С E
195
SOT-89
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цок опека
1 2 3
AD BCX51-16 PHIL p-n-p VC8o=-45B, Pd=16t, h2>=100 250, Гт=5ОМГц В с Е
AD BCX51-16 SIEM p-n-p Vc80=-45B, IC=-1A, Pd=1Bt, h2i =100 250,1т=125МГц В с Е
AE BCX52 PHIL p-n-p VC80=-60B, IC=-1A, Pd=1Bt, h2r40 250, fT=5DMfu В с Е
AE BCX52 SIEM p-n-p Vcbo=-6OB, IC=-1A, Pd=1Bt, h2,=40 250,1т=125МГц в с Е
AEP 2SB1424 ROHM p-n-p VCbo--20B, lc=-3A, Po=5O0mBt, h21=82 180,1т>240МГц в с Е
AEQ 2SB1424 ROHM p-n-p Vcbo=-20B, lc=-3A, Po=500mBt, h2l=120 270, fT>240MFu в с Е
AER 2SB1424 ROHM p-n-p Vcbo=-20B, lc=-3A Po=500mBt, h2l=l80 390, fT>240Mfu в с Е
AF BCX52-06 PHIL p-n-p VCbo=-6OB, Ic=-1A h2i=40 1ОО,1тг125МГц в с Е
AF BCX52-6 SIEM p-n-p Vcbo=-60B, Ic=-1A, Pd=1Bt, h2i=40 100, fj=125МГц в с Е
AG ВСХ52-Ю PHIL p-n-p VCbo=-6OB, lc=-1A Pd=1Bt h2i=63 160,1т=50МГц в с Е
AG BCX52-10 SIEM p-n-p VCbo=-60B, Ic=-1A, Pd=1 Вт, h2i=63 160,1т=125МГц в с Е
AGP 2SA1797 ROHM p-n-p VCbo=-50B, Ic=-2A, Pd=500mBt, h2i=82 180, Ь>200МГц в с Е
AGQ 2SA1797 ROHM p-n-p Vcbo=-50B,Ic=-2A,Pd=500mBt, h2r120 270,1т>200МГи в с Е
AH BCX53 PHIL p-n-p VCBO=-100B, lc=-1A, Pd=1Bt, h2i=40 250,1т=50МГц в с Е
AH BCX53 SIEM p-n-p Vc8O=-80B, IC=-1A, Pd=1Bt, h2i=40 250,1т=125МГц в с Е
AHN 2SA1759 ROHM p-n-p VCbo=-400B, Ic=-100mA, Pd=500mBt, h2i=56 120, fT>12МГц в с Е
AHP 2SA1759 ROHM p-n-p Vcbc=-400B Ic=-100mA, Po=500mBt, h2i=82 180, Гр12МГц в с Е
AHQ 2SA1759 ROHM p-n-p Vcbo=-4OOB, 1с=-Ю0мА Po=500mBt, I12i=120 270,ГР12МГЦ в с Е
AHQ 2SD2098 ROHM n-p-n Vcbo=50B, lc=5A, Pd=500mBt, h2i=120 270, fT>150МГц в с Е
AHR 2SD2098 ROHM n-p-n VcbtSOB, lc=5A, Pd=500mBt, hi,=180 390, fT>150МГц в с Е
AHS 2SD2098 ROHM n-p-n VCbo=50B, lc=5A, Pd=500mBt, h2]=270 560, fT>150МГц в с Е
AJ BCX53-6 PHIL O-n-p VCKr-100B, lc=-1A, h2l=4O 1OO, 1т=50МГц в с Е
AJ BCX53-6 SIEM p-n-p Vcbo=-8OB, IC=-1A, P0=1Bt, h21=40 100 1т=125МГц в с Е
AJN 2SA1812 ROHM p-n-p VCbo=-4OOB, Ic=-500mA, Pd=500mBt, h2i=56 1 20,1г>12МГц в с Е
AJP 2SA1812 ROHM p-n-p VCbo=-400B, 1с=-500мА, Pd=500mBt, h2i=82 180.1т>12МГц в с Е
AJQ 2SA1812 ROHM P-n-p VCbo=-4OOB, Ic=-500mA, Pd=500mBt, h2i=l20 270, fT>12МГц в с Е
AK BCX53-10 PHIL p-n-p Vcbo=-1 DOB, Ic=-1A, Рц=1 Вт, h2i=63 160,1т=50МГц в с Е
AK ВСХ53-Ю SIEM p-n-p VC8o=-80B,Ic=-1A,Pd=1Bt h2i=63 160, Гт=125МГц в с Е
AL BCX53-16 PHIL p-n-p Vcbo=-1O0B, lc=-1A, Pd=1Bt, h2i=1O0 2 50,1т=50МГц в с Е
AL BCX53-16 SIEM p-n-p Vcbo=-8OB, lc=-1A, Pd=1Bt, h2i=lOO 250,1т=125МГц в с Е
ALP 2SA19OO ROHM P-n-p Vcbo=-8OB, IC=-1A, Pd=500mBt, h2i=82 180, h>150МГц в с Е
ALQ 2SA1900 ROHM p-n-p Vcbo=-6OB,Ic=-1A, Pd=500mBt h2)=l20 270,1т>150МГц в с Е
ALR 2SA1900 ROHM p-n-p Vcbo='8DB, lc=-1A, Рр=500мВт, h2i=180 390,1у>150МГц в с Е
AM BCX52-16 PHIL p-n-p Vc8o=-6OB, Ic=-1 A, Pd=1Bt, h2l=1O0 250,1т=50МГц в с Е
AM BCX52-16 SIEM p-n-p Vc8o=-6OB,Ic=-1A, Pd=1Bt, h2,=lOO 250,1т=125МГц в с Е
AR 2SC3338 HIT n-p-n VCbo=2OB, Ic=50mA, Pd=400mBt, PG=8,3dB, fT>3 5ГГц в с Е
ARI BSR40 PHIL n-p-n Vc8O=70B, IC=1A, Pd=1Bt h2i=40 12D. fT> 100МГц в с Е
AR2 BSR41 PHIL n-p-n Vceo=7OS, lc~1A, Pq=1Bt, h2i=l00 300, 100 6 с Е
► 196
SOT-89
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
AR3 BSR42 PHIL n-p-n VCso=9OB lc=1A, PD=lBT,h21=40 120,1т>100МГц В с Е
AR4 BSR43 PHIL n-p-n Vcbo=9OB, Ic=1A, Pp=1 Вт, hgi=1OO 300, f-p>100МГц В с Е
AS1 BST50 PHIL n-p-n Vqbo=60B, Ic=500mA, Pq-1 Вт, h2j>2000 В в Е
AS2 BST51 PHIL n-p-n VCBo=8OB, Ic=500mA Pd=1Bt, h21>2000 в с Е
AS3 BST52 PHIL n-p-n Vcbo=9OB Ic=500mA, Pd=1Bt, h21>2000 в с Е
ATI BST39 PHIL n-p-n VCBO=400B, lc=1 A Pd=1Bt, h?i>40.1т>70МГц в с Е
AT2 BST40 PHIL n-p-n VC80=3O0B IC=1A, Pd=1Bt, h2!>40, Ь>70МГц в с Е
ATN 2SA1S12 ROHM p-n-p VCbo=-400B, Ic=-500mA, Pd=5O0mBt, h21=56 120, fT>12МГц в с Е
ATP 2SA1812 ROHM p-n-p Vcbo~‘4OOB, Ic=-500mA, Pd=500mBt, h2i=82 180, fy> 12МГц в с Е
ATQ 2SA1812 ROHM p-n-p Vcbo=-4OOB, Ic=-500mA, Pq=500mBt h2i=l20 270,1у>12МГц в с Е
BA BCX54 PHIL n-p-n Vcbo=45B, 1с=1А, Pq=1 Вт, h2,=40 250 1у=130МГц в с Е
BA BCX54 SIEM n-p-n Vcbo=45B IC=1A, Pd=1Bt, h21=40 250, fT=1OOMru в с Е
BAP 2SB1132 ROHM p-n-p VCbos-4OB Ic=-1A, Pd=500mBt Ь21=82 180 1т>150МГи в с Е
BAQ 2SB1132 ROHM p-n-p VCbo='4OB IC=-1A,Pd=500mBt,h2i=l20 270,1т>150МГц в с Е
BAR 2SB1132 ROHM p-n-p Vcbo=-40B, lc=-1A, Pd=500mBt, h21=180 390, fT>150МГц в с Е
BB BCX54-6 PHIL n-p-n VCbo=45B, lc=1A, Pd=1Bt, h2,=40 100,1т=100МГц в с Е
BB BCX54-6 SIEM n-p-n Vcbo=45B, 1с=1А Pd=1Bt, h2]=40 100,00МГц в с Е
BC ВСХ54-Ю PHIL n-p-n Vcbo=45B, Ic=1A, Pq= 1 Вт h2,=63 160, fy—130МГц в с Е
BC BCX54-10 SIEM n-p-n Vcso=45B lc=1A, Pd=1Bt, h2i=63 160,1т=100МГц в с Е
BCP 2SB1188 ROHM p-n-p VCbo='40B, lc=-2A, Pd=500mBt, h2,=82 160, fT> 100МГц в с Е
BCQ 2SB1188 ROHM p-n-p VCbo=-4OB, lc=-2A, Pd=500mBt, h2l=l20 270, fT> 10ОМГЦ в с Е
BCR 2SB1188 ROHM p-n-p VCBC=-40B, lc=-2A Pd=5O0mBt, h2rl80 390,1т>Ю0МГЦ в с Е
BD BCX54-16 PHIL n-p-n VCBo=45B, Ic=1A, Pd=1 Вт, h21=100 250, fT=130МГц в с Е
BD BCX54-16 SIEM n-p-n VCBO-45B, Ic=1A, Рр=1 Вт h2i=100 250,Ь=100МГц в с Е
BDP 2SB1189 ROHM p-n-p VCbo=-80B Ic=-700mA, Po=500mBt, h21=82 180,1г>100МГц в с Е
BDQ 2SB1189 ROHM p-n-p VCbo=-8OB, )c=-700mA Ро=50ОмВт,Ь2|=120 270, 1т>100МГц в с Е
BDR 2SB1189 ROHM p-n-p VCbo=-80B Ic=-700mA Pd=500mBt, h21=l80 390 1т>100МГц в с Е
BE BCX55 PHIL n-p-n Vcbo=60B, Ic=1A, Pd-1Bt, h21=40 250 1т=130МГц в с Е
BE BCX55 SIEM n-p-n VC8O=60B, IC=1A, Pd=1Bt, h2l=40 250 ^ЮОМГц в с Е
BE. 2SB1260 ROHM p-n-p Vcbo=-80B, Ic=-1A,Pd=2Bt h21=82 390,1т>Ю0МГц в с Е
BF BCX55-06 SIEM n-p-n Vcbo=60B,Ic=1A, Pd=1Bt, h2i=40 100 Ь=100МГц в с Е
BF BCX55-6 PHIL n-p-n Vcso=6OB IC=1A Pd=1Bt h21=40 100, fT= 100МГц в с Е
BFP 2SB1308 ROHM p-n p Vcbo^'308, lc=-3A, Po=500mBt, h2,=82 180 !т>120МГц в с Е
BFQ 2SB1308 ROHM p-n-p Vcbo=-3OB, Ic=-3A, Pd=500mBt h2l=120 270, fT>l20Mru в с Е
BFR 2SB1308 ROHM p-n-p Vcbos-308, lc=-3A, Pd=500mBt, h21=180 390, fT>120МГц в с Е
BG ВСХ55-Ю PHIL n-p-n Vceo=608 IC=1A Pd=1Bt h21=63 160, Ь=130МГц в с Е
BG BCX55 10 S,EM n-p-n Vcbo=80B Ic=1A, Pd=1Bt h2i=63 160 1т=100МГц в с Е
BH BCX56 PHIL n-p-n Vcbq=100B Ic=1A, Pq=1Bt h2r40 2 50 1т=130МГц в с Е
197-4
SOT-89
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
BH BCX56 SIEM n-p-n Vcbo=8OB,Ic=1A,Pd=1Bt, 1121=40 250 Ь=100МГц В с Е
ВНР 2SB1386 ROHM p-n-p Vcsn=-30B, lc=-5A, Pd=500mBt, h2l=82 180, 1т>120МГц В с Е
BHQ 2SB1386 ROHM p-n-p Vcbo=-30B,Ic=-5A,Pd=500mBt, h2|=l20 270.1т>120МГц В с Е
BHR 2SB1388 ROHM p-n-p VCB0=-3OB, lc=-5A, Pd=500mBt, h2l=180 390, fT>120МГц в с Е
BJ BCX56-06 SIEM n-p-n Vcbo=SOB, lc=1A Pd=1Bt, h21=40 Ю0,1т=Ю0МГц в с Е
BJ BCX56-6 PHIL n-p-n Vcbo=80B, lc=1A, Pd=1Bt, h2i=40 100, Гг=50МГц в с Е
BJE 2SB1427 RDHM p-n-p VCbo=-20B, lc=-2A, Pd=500mBt, h2l=390 820,1т>90МГц в с Е
BJS 2SB1427 ROHM p-n-p VCBO=-20B, lc=-2A, Pd=500mBt, h2|=270 560,1т>90МГц в с Е
BJU 2SB1427 ROHM p-n-p VCeo='20B, lc=-2A, Pd=500mBt h2l=560 1200,1т>90МГц в с Е
BK BCX56-10 PHIL n-p-n Vcbq=100B, IC=1A, Pd=1Bt, h2i=63 160 Ь=130МГц в с Е
BK BCX56-10 SIEM n-p-n VCeo=80B, lc=1A, P0=1Bt, h2i=63 160, Ь=100МГц в с Е
BL BCX56-16 PHIL n-p-n Vcbo"100B, IC=1A, Po=1Bt, h2i=l00 250 1т=130МГц в с Е
BL BCX56-16 SIEM n-p-n Vcbo=8OB, lc=1A, Pd=1Bt, h2i=100 250 1т=100МГц в с Е
BLP 2SB1561 ROHM p-n-p Vcbo='80B, lc=-2A, Pd=500mBt, h2]=82 180, (у>200МГц в с Е
BLQ 2SB1561 ROHM p-n-p Vcbo=’8OB, lc=-2A, Pd=500mBt, h21-120 270,1у>200МГц в с Е
BM BCX55-16 PHIL n-p-n Vc8o=6OB, lc=1 A, P0=1Bt, h21=100 250, fT=130МГц в с Е
BM BCX55-16 SIEM n-p-n Vcbo=6OB, lc=1A, Pd"1Bt, h2rl00 250 1т=100МГц в с Е
BO 2SA1200 TOSH p-n-p Vceo=-15OB, Ic=-50mA, Pd=500mBt h2i>70 140,1т>120МГц в с Е
BO KTA1660 KEC p-n-p Vcbo=-15OB, Ic=-50mA, Pd=500mBt, h2]=70 140,1у>120МГц в с Е
BR1 BSR30 PHIL p-n-p Vcbo=-70B IC=-1A PD=1 Вт, h2i=40 120Л>Ю0МГц в с Е
BR2 BSR31 PHIL p-n-p Vcbo=-7OB, IC=-1A, Pd=1Bt, h2l=100 300, (т>100МГц в с Е
BR3 BSR32 PHIL p-n-p Vcbo=-90B, lc=-1A, Pd=1 Вт, h2r40 120. Ь>100МГц в с Е
BR4 BSR33 PHIL p-n-p VCbo=-9OB, lc=-1 A, Pd=1Bt, h2i=100 300,1т>100МГц в с Е
BS1 BST60 PHIL p-n-p VCbo=-6OB, Ic=-500mA, PD=1 Вт, h2l>2000 в с Е
B82 BST61 PHIL p-n-p VCbo=-8OB Ic=-500mA Pd=1Bt h2l>2000 в с Е
BS3 BST62 PHIL p-n-p VCbo=-9OB, Ic=-500mA, Pd=1Bt, h2)>2000 в с Е
BT1 BST15 PHIL p-n-p Vcbo=-200B, Ic=-1A, PD= 1 Вт, h2l=30 150, П>15МГц в с Е
BT2 BST16 PHIL p-n-p Vcbo=-35OB,Ic=-1A Pd=1Bt, h2l=30 120, Тт>15МГц в с Е
BY 2SA1200 TOSH p-n-p Vc=o=-15OB, Ic=-50mA, Pd=500mBt, h2i >120 240,Ь>120МГц в с Е
BY KTA1660 KEC p-n-p VCBO=-150B, Ic=-50mA, Pd=500mBt, h2l=120 240, Ь>120МГц в с Е
CAC BC868 PHIL n-p-n Vcbo=25B,Ic=1A,Pd=1Bt,Ii2i=85 375 Ь>40МГц в с Е
CB BCX68-10 SIEM n-p-n Vcbo=20B, Ic=1A, Pd=1Bt, h2i=85 160,1j=100МГц в с Е
CBC BC868-10 PHIL n-p-n Vcbo=25B, lc=1A, Pd=1Bt, h2l=l60 500,1т>40МГц в с Е
CBN 2SC4132 ROHM n-p-n VCBO=120B, lc=2A, Pd=500mBt, h21=56 120, Тт>80МГц в с Е
СВР 2SC4132 ROHM n-p-n Vcbo=1 20B, lc=2A, Pd=500mBt, h21=82 180, Тт>80МГц в с Е
CBQ 2SC4132 ROHM n-p-n VCBo=120B lc=2A, Pd=500mBt, h2i=l20 270,1т>80МГц в с Е
CBR 2SC4132 ROHM n-p-n Vcbo=12OB,Ic=2A,Pd=5OOmBt, 1121=180 390 1т>80МГц в с Е
CC BCX68-16 SIEM n-p-n Vcbo=20B, lc=1A, PD=lBi,h2l=lOO 250,1т=Ю0МГц в с Е
► 198
SOT-89
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
ccc BC868-16 PHIL n-p-n VCBO=25B lc=1A, Pd=1Bt, h2i=l00 250 1т>40МГц В с Е
CD BCX68-25 SIEM n-p-n Vcbo=20B,Ic=1A,Pd=1Bt h2l=l60 375,»т=Ю0МГц В с Е
CDC BC868-25 PHIL n-p-n Vcbo=25B, lc=1A, Pd=1 Вт, h2i>l60 1|>40МГц В с Е
CEC BC869 PHIL p-n-p W-25B, IC=-1A, Pd=1Bt h21=85 375 1т>40МГц в с Е
CEN 2SC4505 ROHM n-p-n Vcbo=400B, 1с=100мА Pq=500mBt, h2^=56 120 1т>20МГц в с Е
CEP 2SC4505 ROHM n-p-n VCeo=400B Ic=100mA Pd=500mBt, h21=82 180 1т>20МГц в с Е
CEQ 2SC4505 ROHM n-p-n Vcbo~400B. Ic=100mA Pd=500mBt, h2,=120 270,1т>20МГц в с Е
CF BCX69-10 SIEM p-n-p Vcbq=-20B, lc=-1A, Pq=1Bt, h2i=85 160, Ь=100МГц в с Е
CFC BC869-10 PHIL p-n-p VCbo=-25B, lc=-1A, PD=1 Вт, h2]>l60 1т>40МГц в с Е
CFQ 2SD2150 ROHM n-p-n VCbo=40B, Ic=3A, Pd=500mBt, h2l=120 270, fT>290МГц в с Е
CFR 2SD2150 ROHM n-p-n Vcbo=40B,Ic=3A, Pd=500mBt h2i=l80 390, Ь>290МГц в с Е
CFS 2SD2150 ROHM n-p n VCbo=40B, Ic=3A, Po=500mBt h2l=270 560,1т>290МГц в с Е
CG BCX69-16 SIEM p-n-p Vcbo=-20B, IC=-1A Pd=1Bt h21=l00 250 1т=100МГц в с Е
CGC BC869-16 PHIL p-n-p VCB0=-25B, lc=-1A, PD=1 Вт h21=1O0 250 Ь>40МГц в с Е
CGP 2SC5053 ROHM n-p-n Vcbo=®OB IC=1A, Po=500mBt, h2l=82 180,fj->150Mru в с Е
CGQ 2SC5053 ROHM n-p-n VCbo=60B lc=1A,Pd=500mBt,h2l=l20 270,1т>150МГц в с Е
CGR 2SC5053 ROHM n-p-n VcbitOOB Ic=1A, Pd=500mBt h^lSO 390 1у>150МГц в с Е
CH BCX69-25 SIEM p-n-p VCbo=-20B, Ic=-1A, Pd=1Bt, h2pl60 375, fT=lOOMfu в с Е
CHC 6C 869-25 PHIL p-n-p Vcbo=-25B, lc=-1 A, PD= 1 Вт h21=160, fT>40M Гц в с Е
CR 2SC4422 HIT n-p-n Vcbo=15B Ic=50mA, Pd=400mBt, h2i=50-250, fT>4 5ГГц в с Е
DA BF622 PHIL n-p-n VCBo=250B, Ic=50mA, Pd=1Bt h2l>50, fT>60МГц в с Е
DA BF622 SIEM n-p-n Vcbo=25OB, Ic=50mA, Pd=1 Вт, h2,>50,1?-100 МГц в с Е
DAP 2SD1664 ROHM n-p-n Vcao=4OB lc=1A, Рц=500мВт h2^=82 180,1т>150МГц в с Е
DAQ 2SD1664 ROHM n-p-n VCbo=40B,Ic=1A, Po=5OOmBt, h2i=120 270,1т>150МГц в с Е
DAR 2SD1664 ROHM n-p-n Vcbo=4OB IC=1A, Pd=500mBt, h2l=l80 390, fT>150МГЦ в с Е
DB BF623 PHIL p-n-p Vcbo=-25OB Ic=-50mA Ро=1Вт,Ь2р50,Н>60МГц в с Е
DB BF623 SIEM p-n-p VCbo=-25OB, Ic=-50mA, P0=1Bt, h2l>50,1т=100МГц в с Е
DBP 2SD1766 ROHM n-p-n Vcao=4OB lc=2A, Pq=500mBt, h2,=82 180,1т>100МГц в с Е
DBQ 2SD1766 ROHM n-p-n Vcbo=40B lc=2A, Pd=500mBt h2t=l20 270, Ь>Ю0МГц в с Е
DBR 2SD1766 ROHM n-p-n VCbo=4OB lc=2A Pd=500mBt, h2l=l80 390,1т>100МГц в с Е
DC BF620 PHIL n-p-n VCeo=300B, Ic=50mA, Pd=iBt h2l>50,1т>60МГц в с Е
DC BFN2O SIEM n-p-n Vcbo=300B, Ic=50mA, Pq=1 Вт h2i>40 1т=100МГц в с Е
DCP 2SD1767 ROHM n-p-n VCbo-8OB Ic=700mA, Pd=500mBt, h21=82 180,1т>720МГц в с Е
DCQ 2SD1767 ROHM n-p-n Vcbo=8OB, Ic=700mA, Pd=500mBt, h2i=120 270, fT> 120MГц в с Е
DCR 2SD1767 ROHM n-p-n VCbo=80B Ic=700mA Po=500mBt, h21=l80 390Л>120МГц в с Е
DD BFN16 SIEM n-p-n Vcbo=250B, Ic=200mA, Pq-1 Вт, h2i>40,1у>70МГц в с Е
DDP 2SD1766 ROHM n-p-n VC0O=4OB, lc=2A, Pd=500mBt, h2l=82 180,1т>100МГц в с Е
DDQ 2SD1766 ROHM n-p-n Vcbq=40B, Ig=2A Po=500mBt I121=12O 270Л>Ю0МГц в с Е
199
SOT-89
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
DDR 2SD1766 ROHM n-p-n Vcbo=4OB, lc=2A, Po=500mBt, h2l=180 390 fT>100MFu В с Е
DE 2SD1834 ROHM n-p-n Vcbo=6OB, lc=1A, Pq=500mBt h2<>2000 В с Е
DE BFN18 SIEM n-p-n Vcbo=3OOB Ic=200mA, Pd=1Bt, h2i>30 Тг>70МГц В с Е
DF BF621 PHIL p-n-p Vcbo=*3OOB, Ic=-50mA Pq=1Bt h2i>50, Т[>60МГц в в с
DF BFN21 SIEM p-n-p Vceo=’3OOB lc= 50mA Pd= 1Bt, h2i>40,ТрЮОМГц в с Е
DF 2SD1898 ROHM n-p-n VCbo=8OB lc=1A, Po=2Bt, h21=82 390 fT>lOOMFu в с Е
DG BFN17 SIEM p-n-p VCbo=-25OB, Ic=-200mA Pd=1Bt Ь2!>40Л=100МГц в с Е
DGQ 2SD1963 ROHM n-p-n VCbo=5OB lc=3A, Pd=500mBt h21=l20 270, fT>150MFu в с Е
DGR 2SD1963 ROHM n-p-n Vcbo=5OB lc=3A, Pd=500mBt П21=180 390, fT>l50MFu в с Е
DGS 2SD1963 ROHM n-p-n Vcbo=5OB, lc=3A, Pd=500mBt, h2i=270 560 fT>150MFu в с Е
DH BFN19 SIEM p-n-p Vcbo=-300B, Ic=-200mA Ро=1Вт,Ь21>30Л=Ю0МГц в с Е
DJQ 2SD2098 ROHM n-p-n Vcbo=5OB, lc=5A, Pd=500mBt h21 = l20 270, fT>150MFu в с Е
DJR 2SD2098 ROHM n-p-n Vcbo=5OB, lc=5A, Po=500mBt, h21=l80 390 fT>150MFu в с Е
DJS 2SD2098 ROHM n-p-n Vcbo=5OB, lc=5A, Po=500mBt h21=270 560 Ь>150МГц в с Е
DKP 2SC4672 ROHM n-p-n VCBo=6OB, lc=2A Pd=500mBt, h21=82 180 fT>2lOMFu в с Е
DKG 2SC4672 ROHM n-p-n VCbo=6OB, Ic-2A, Pd=500mBt, h2l=l20 270 fT>2lOMFu в с Е
DLN 2SD2167 ROHM n-p-n Vcbo=31B, Iq=2A, Pd=500mBt, h2i=56 120, 1у>100МГц в с Е
DLQ 2SD2167 ROHM n-p-n Vcbo=31B, lc=2A, Pd=500mBt, h2l=l20 270 fT>l00MFu в с Е
DLP 2SD2167 ROHM n-p-n Vcbo=31B lc=2A, Pd=500mBt, h2,=82 180 1т>Ю0МГц в с Е
DM 2SO2170 ROHM n-p-n Vcbo=9OB, lc=2A Pd=500mBt, h21=l000 10000 1у>80МГц в с Е
DNE 2SD2153 ROHM n-p-n Vcbo=3OB, Ic=2A Po=500mBt, h21=390 820, fT>110МГц в с Е
DNU 2SD2153 ROHM n-p-n VCbo=3OB, lc=2A, Po=500mBt, h21=560 1200, fT>110МГц в с Е
DNV 2SD2153 ROHM n-p-n Vcbo=3OB, lc=2A, Ро=5ООмВт, h2,=820 1800 ff>110МГц в с Е
DKW 2SD2153 ROHM n-p-n Vcbo=3OB,lc=2A Pd=500mBt,h21=l200 2700, fT> 110МГц в с Е
DO 2SA1201 TOSH p-n-p Vceo=-12OB, Ic=-800mA,Pd=500mBt h2l>70 140, fT=l20MFu в с Е
DP 2SD2195 ROHM n-p-n Vcbo=1OOB, Ic=2A Pq=500mBt, h2i=l000 10000 Ь>80МГц в с Е
DON 2SD2211 ROHM n-p-n Vc8o=16OB, Ic=1500mA, Pd=5O0mBt, ti2l=56 120,1т>80МГц в с Е
DQP 2SD2211 ROHM n-p-n Vcbo=16OB, Ic=1500mA Pd=500mBt, h21=82 180 Ь>80МГц в с Е
DQQ 2SD2211 ROHM n-p-n Vcbo=160B, Ic=1500mA, Pd=500mBt, h21=l20 270, Тт>80МГц в с Е
DR 2SC4643 HIT n-p-n Vcbo=15B, Ic=50mA, Pd=400mBt h2l=40-250, fT>5 5ГГц в с Е
DR 2SD2212 ROHM n-p-n Vcbo=6OB, Ic=2A, Pd=500mBt, h2i=l000 10000,1т>80МГц в с Е
DTP 2SD2391 ROHM n-p-n VCbo=6OB, lc=2A, Pd=500mBt, h2l=82 180,1т>210МГц в с Е
DTQ 2SD2391 ROHM n-p-n VCbo=60B, lc=2A, Pd=500mBt, h2l=120 270, fT>210МГц в с Е
DY 2SA1201 TOSH p-n-p VCeo=-12OB,Ic=-8OOmA, Ро=500мВт h21>120 240 fT=120MFu в с Е
E01 DTDG14GP ROHM D-n-p-n Vcbo=6OB, lc=1 A, Pd=500mBt, h2l>300,1у>80МГц, R2=10kOm в с Е
ED BCV28 SIEM p-n-p Vcbo=-4OB, Ic=-500mA, Pq=1Bt, h2,> 100,fy—200МГц в с Е
EE BCV48 SIEM p-n-p Vcbo=-8OB, Ic=-500mA, Pd=1Bt, h2, >400,1т=200МГц в с Е
EF BCV29 SIEM n-p-n VCbo=4OB, Ic=500mA P0=1Bt, h2I>l00 Ь=150МГц в с Е
► 200
SOT-89
Код Гипономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
EG BCV49 SIEM n-p-n Vcbo^OB, Ic=500mA Pd=1Bt hj,>400 |т=150МГц В С Е
FGs BFQ19S SIEM n-p-n Vcbo=2OB Ic=75mA Pd=1Bt, h21=40 220, Тг=5500МГц В с Е
FO 2SA1202 TOSH p-n-p Vceo='8OB Ic=-400mA, Po=500mBt h2i>70 140 Т[=120МГц В с Е
FY 2SA1202 TOSH p-n-p VCeo=-8OB Ic=-400mA,Pd=500mBt h2l>l20 240,Тт=120МГц в с Е
GA BAW78A SIEM di Vr<50B If<1A,Vf(If=1A)<1 6B Ir<1 0мкА,Со<ЮпФ 1йй<1000нс А к пс
GB BAW78B SIEM di Vr<100B If<1A, VHIf=1A)<1 6B,Ir<1 OmkA Ср<ЮпФ Irr<1000 hc А к пс
GC BAW78C SIEM di Vr<200B, If< 1A VHIf=1 A)< 1 6B, lR< 1 ОмкА, Со<10пф, Irr< 1000 нс А к пс
GD BAW78D SIEM di Vr<400B,If<1A VHIf=1A)<1 6B Ir<1 ОмкА Ср<10пф, Irr<1000 hc А к пс
GE BAW79A SIEM 2xdi Vr<50B, If<1A Vf(If=1A)<1 6B Ir<1 OmkA Ср<10пФ, tRR<lOOOHC А1 К1 К2 А2
GF BAW79B SIEM 2xdi Vr<100B, lp<lA, Vf(If=1A)<1 6B, Ir<1 0мкА,Со<Юпф tRR<lOOOHC А1 К1 К2 А2
GG BAW79C SIEM 2xdr Vr<200B,If<1A,Vf(If=1A)<1 6B Ir<1 OmkA, CD<1 Опф 1rr<1000hc А1 К1.К2 А2
GH BAW79D SIEM 2xdi Vr<400B, If<1A Vf(If=1A)<1 6B, Ir<1 OmkA Со<10пФ tRR<l000 hc А1 <1,К2 А2
GO KTC4375 KEC n-p-n Vcbo=3OB lc=1 5A, Pd=500mBt Ь21=Ю0 200, fT>120Mfu В С Е
GY KTC4375 KEC n-p-n Vcbo=3OB lc=1 5A, Pd=500mBt, h21=l60 320,1т>120МГц В С Е
HD 2SA1203 TOSH p-n-p Vceo='3OB lc=-15A Pd=500mBt, h2|-100 200 Т[=200МГц В С Е
HO KTA1663 KEC p-n-p VCbos-3OB Ic=-15A, Po=500mBt h21=l00 200, fT>120Mfu В С Е
HY 2SA1203 TOSH p-n-p Vceo=-3OB lc=-1 5A, Po=500mBt H21>16O 320,1т=ы120МГц В С Е
HY KTA1663 KEC p-n-p Vcbos-3OB lc=-1 5A, Pd=500mBt, h21=l60 320Дт>120МГц В С Е
JD 2SA1384 TOSH n-p-n Vceo=’300B Ic=-100mA Pd=500mBt, h2l>50 150, fT>50Mru В С Е
JR 2SA1384 tosh n-p-n VCEo=-3OOB, Ic=-100mA, Pd=500mBt, h2l>30 90, |т>50МГц В С Е
KA 2SC4409 tosh n-p-n Vceo=8OB, lc=2A, Рр=500мВт h2i>120 400 Тг=100МГц в С Е
KA BSS87 SIEM n-MOS Vds=240B, Id=290mA Pd=1 Вт, дР=50мс, Rds=100m G D S
KB 2SC4539 tosh n-p-n Vceo=3OB lc=1 2A,Рр=500мВт,h2i>l20 400 fT=lOOMIu В С Е
KB BSS192 SIEM p-MOS Vps- 240В, Id=-150mA, P0=1Bt, др=120мСм, Rds=3 50m G D S
КС 2SC4540 tosh n-p-n Vceo=5OB,Ic=1A, Po=500mBt, h2l>l20 400 fT=100MTu В С Е
KD 2SC4541 tosh n-p-n VCeo;;5OB,Ic=3A,Pd=15OOmBt h2l>120 400Л=100МГц В С Е
LA 2SC1681 TOSH p-n-p Vceo="6O8 lc=-2A, Pd=500mBt, h2l>120 400, fy—100МГц В С Е
LA KTD1003 KEC n-p-n VC80s60B IC=1OA Po=500mBt,h2l=800 1600,fT>250Mlu В С Е
LB 2SC1734 TOSH p-n-p Vceo=’4OB, lc=-1 2A Pd=500mBt, h2l>l20 400, Тг=100МГц В С Е
LB KTD1003 KEC n-p-n Vcbo=6OB lc=1 OA Pd=500mBt, h2l=1200 2400, fT>250MTu В С Е
LC 2SC1735 TOSH p-n-p VCeo=-6OB, Ic=-1A, Pd=500mBt, h2l>120 400Л=Ю0МГц В С Е
LC KTD1003 KEC n-p-n Vcbo=6OB,lc=1 OA,Pd=500mBt h21=2000 3200,fT>250Mlu В С Е
LD 2SC1736 TOSH p-n-p Vceo=-6OB, lc=-3A, Pd=500mBt, h21 > 120 400,1т=Ю0МГц В С Е
N01 DTDM12ZP ROHM D-n-p-n Vcbo=3OB lc-ЗА Pq=500mBt, h2|>68,1у>80МГц В С Е
p1A PXT3904 PHIL n-p-n Vcbo=6OB Ic=200mA, Pq=1Bt h2i -100 300 ТрЗООМГц В С Е
plB PXT2222 PHIL n-p-n Vcso^Oe Ic=600mA, Po=1Bt, h2l=l00 300, fT>250MTu В С Е
plD РХТА42 PHIL n-p-n Vcso=3OOB, Ic=500mA, Pd- 1 Вт, h2i>40, ТрбОМГц В С Е
plE PXTA43 PHIL n-p-n Vqbo=2OOB, Ic=500mA, Pd=1Bt, h2,>40,1у>50МГц В С Е
plN PXTA14 PHIL n-p-n Vcbo=3OB, Ic=300mA, Pq=1Bt, h2| >20000, fy> 125МГц в с Е
P1P PXT2222A PHIL n-p-n VCbo=75B, Ic=600mA Pd=1Bt, h2l=100 300 1т>300МГц В с Е
p2A PXT3906 PHIL p-n-p Vcbo=’4OB, Ic=-200mA, Pd=1Bt h2(=l00 300, f[>250MTu В с Е
p2B PXT2907 PHIL p-n-p Vcbo=-6OB Ic=-600mA, P0=1Bt h2l=l00 300,1т>200МГц В с Е
p2D PXTA92 PHIL p-n-p Vcbo=-3OOB, Ic=-500mA, Pd=1Bt, h2l >40,1т>50МГц в с Е
p2E PXTA93 PHIL p-n-p Vcbo=’2MB' Ic=,500mA Pd=1 Вт, h2i>40, fT>50Mru в с Е
p2F РХТ2907А PHIL p-n-p Vcbo=-6OB Ic=-600mA, Pd=1Bt h2,=l00 300, fT>200MTu в с Е
201
SOT-89
Код Типономинал Фирма Функция Особенности Цоколевка
1 2 3
p2F PXT2907A PHIL p-p-p VC0o"-6OB, Ic=-600mA, Pd-1Bt h21=100 300 (т>200МГц В с Е
p2T PXT4403 PHIL p-n-p Vcso=-4OB, Ic=-600mA, Pd=1Bt h21=lOO 300, f >200МГц В с Е
p2V PXTA64 PHIL p-n-p Vcbo=-3OB, Ic=-300mA, Pd=1Bt, h2l>l0000, fT>l25MTu В с Е
p2X PXT4401 PHIL n-p-n Vceo=4OBr Ic=600mA, Pd=1Bt h2i=l00 300 1т>250МГц в с Е
RO KTC4376 KEC n-p-n Vcbo=35B, lc=0 8A Pd=500mBt h21=l00 200 fT>120MTu в с Е
PY KTC4376 KEC n-p-n VCbo=35B, lc=0 8A Po=500mBt h2i=l60 320, fT>l20MTu в с Е
RCs BFQ193 SIEM n-p-n Vcbo=2OB, Ic=80mA, Pd=600mBt, h21=50 200 fT=7500Mru в с Е
RO 2SA1204 TOSH p-n-p Vceo=-35B, Ic=-800mA, Pd=500mBt, h21> 100 200, fT=120Mlu в с Е
RO KTA1664 KEC p-n-p Vcbo=-35B, lc=-0 8A Po=500mBt h21 = l00 200 fT> 120МГц в с Е
RY 2SA1204 TOSH p-n-p Vckt-356, Ic--800mA, Pd=500mBt, h2l>l60 320, fT=120МГц в с Е
RY KTA1664 KEC p-n-p Vcbo=-35B, lc=-0 8A, Рр=500мВт h2l=l60 320, Ь>120МГц в с Е
SA 2SC2982 TOSH n-p-n Vceo=3OB lc=2A Pd=500mBt h2l>140 240, fT=l40MTu в с Е
SB 2SC2982 TDSH n-p-n Vceo=3OB, lc=2A, Pd=500mBt ti2,2>200 330 ^=140МГц в с Е
SC 2SC2982 TOSH n-p-n Vceo-ЗОВ lc=2A, Pd=500mBt h2l>300 450,1т=140МГц в с Е
SCO KSC2881 SAMS n-p-n VCbo=12OB Ic=800mA, Pd=500mBt, h21=80 160 Ь>120МГц в с Е
SCY KSC2881 SAMS n-p-n VCbo=12OB Ic=800mA, Pd=500mBt h2l=l20 240 Тт>120МГц в с Е
SD 2SC2982 tosh n p-n Vceo=3OB, lc=2A, Pd-500mBt, h21>420 600, f-j-— 140МГц в с Е
SDO KSA1201 SAMS p-n-p Vcbo=-12OB Ic=-800mA, Po=500mBt h2!=80 160, fT>120МГц в с Е
SDO KSA1203 SAMS p-n-p VCBo=-3OB lc=-1 5A, Рр=500мВт, h21=W0 200 Тт>120МГц в с Е
SDY KSA1201 SAMS p-n-p Vcbo=-12OB,Ic=-8OOmA, Po=500mBt h2l=120 240 Тт>120МГц в с Е
SDY KSA1203 SAMS p-n-p Vcbo= ЗОВ lc=-1 5A, Pd=500mBt, h2i=160 320, fT>120МГц в с Е
SHO KSC2883 SAMS n-p-n Vcbo=3OB, 1с=1500мА, Pd=500mBt P2i=100 200,1т>120МГц в с Е
SHY KSC2883 SAMS n-p-n Vcso=3OB Ic=1500mA, Pd=500mBt, h2i=l60 320, Ь>120МГц в с Е
SLG KSB798 SAMS p-n-p VCbo=-3OB, lc=-1A, P0=2Bt, h2T=200 400, fT>110МГц в с Е
SLO KSB798 SAMS p-n-p Vcbo--3OB lc=-1A, Pd=2Bt h2l=90 180 fT>1lOMTu в с Е
SLY KSB798 SAMS p-n-p VCbo=-3OB, lc=-1A, Pd=2Bt h21=l35 270, fT>110МГц в с Е
SSA KSC2982 SAMS n-p-n VCbo=30B, lc=2A, Ро=500мВт h2i=140 240 fT>150MTu в с Е
SSB KSC2982 SAMS n-p-n VCbo=3OB, lc=2A, Pd=500mBt, h21=200 330, fT>150МГц в с Е
SSC KSC2982 SAMS n-p-n VC80=30B lc=2A, Po=500mBt, h2l=300 450/т>150МГц в с Е
SSD KSC2982 SAMS n-p-n VCbo=3OB, lc=2A, Pd=500mBt, h2, =420 600, fT> 150МГц в с Е
SYR KSD1621 SAMS n-p-n VCbo=3OB lc=2A, Pd=500mBt, h2|=l00 200 fT>150MTu в с Е
SYS KSD1621 SAMS n-p-n VCbo=30B lc=2A, Pd=500mBt, h2,=140 280 Ь>150МГц в с Е
SYT KSD1621 SAMS n-p-n Vcbo=3OB Iq-2A, Pq=500mBt, h2|=200 400, Т[>150МГц в с Е
SYU KSD1621 SAMS n-p-n VCbo=3OB, lc=2A, Pd=500mBt, h2l=280 560, fT> 150МГц в с Е
SZR KSB1121 SAMS p-n-p Vcbo=-3OB, lc=-2A, Pd=500mBt, h21=l00 200, fT>150МГц в с Е
SZS KSB1121 SAMS p-n-p VCbo=-3OB, lc=-2A Pd=500mBt h2l=140 280, fT>150MTu в с Е
SZT KSB1121 SAMS p-n-p Vcbo=-3OB, lc=-2A, Pd=500mBt, h2l=200 400, fT>150МГц в с Е
szu KSB1121 SAMS p-n-p Vcbo=-3OB, lc=-2A Pd=500mBt, h21=280 560,1т>150МГц в с Е
TA 2SA1314 TOSH p-n-p VCeo=-2OB lc=-2A, Pd=500mBt h2l>140 280,fT=140MTp в с Е
ТВ 2SA1314 tosh p-n-p Vceo=-2OB, lc=-2A, Pd=500mBt h2l>200 400 (т=140МГц в с Е
TC 2SA1314 tosh p-n-p Vceo=-2OB, lc=-2A Pd=500mBt h2]>300 600,М40МГц в с Е
VO 2SC3803 tosh n-p-n Vceo=45B Ic=200mA Pd=1Bt h21>70 140 ГрЮОМГц в с Е
VR 2SC3803R tosh n-p-n Vceo=45B Ic=200mA PD=1 Вт, h2l>40 80Л>Ю0МГц в с Е
VY 2SC3803Y tosh n-p-n Vceo=45B, Ic=200mA, Pd=1Bt, h2l>140 280 Тт>100МГц в с Е
VY 2SC3803Y tosh n-p-n Vceo=45B, Ic=’200mA, Pd=1 Вт, h21 >140 280,1т>200МГц в с Е
► 202
Приложения
СПИСОК ФИРМ-ПРОИЗВОДИТЕЛЕЙ
Сокращение Полное название фирмы
8X8 8x8, Inc
АСАР Acapella Lid
АСС ACC Microelectronics Corp
ACCUL Acculin Inc
ACTEL Actel Corporation
AD Analog Devices
ADAP Adaptec
AEROF Aeroflex Circuit Technology
АНА Advanced Hardware Architectures, Inc
AIT AITech International
АКМ AKM Semiconductor, Inc
ALD Advanced Linear Devices
ALLEG Allegro Micro Systems, Inc
ALLIA Alliance Semiconductor
ALPHA Alpha Semiconductor
ALT AverLogic Technologies, Inc
ALTER Altera Corporation
AMC Accutek Microcircuit Corporation
AMCC AMCC (Applied Micro Circuits Corp)
AMD Advanced Micro Devices Inc
AMI American Microsystems Inc
AMS Applied Microsystems Corporation
AMSI Austria Mikro Systeme International, Inc
ANAD Anadigics Inc
ANALO Analogic Corporation
APEX Apex Microtechnology Corporation
АРТЕК Aptek Williams, Inc
APTOS Aptos Semiconductor Corporation
ARRAY Array Microsystems
AS Analog Systems
ASHL Ashling Microsystems Ltd
ASPEC Aspec Technology Inc
ASTEC Astec Semiconductor
ATMEL ATMEL Corporation
AUST Austin Semiconductor, Inc
AVG AVG Semiconductors
AVX AVX KYOCERA
B-B Burr-Brown Corporation
BEL Bel Fuse Incorporated
BENCH Benchmarq Microelectronics
BOUR BOURNS
BROOK Brooktree Corporation
BUTT Butterfly DSP, Inc
C&T Chips and Technologies, Incorporated
CALDG Caloqic Corporation
CATAL Catalyst Semiconductor
CCD Cologne Chip Designs
CDIL CDIL
CEC Chip Express Corporation
CENTO Centon Electronics Inc
CENTS Central Semiconductor, Inc
CENTU Century Microelectronics, inc
CERM Cermetek Microelectronics, Inc
CHERR Cherry Semiconductor Corporation
CHRON Chrontel
CL Cirrus Logic Inc
CMDC California Micro Devices Corporation
CML Consumer Microcircuits Umiled
COLOR Colorado Microcircuits
Сокращение Полное название фирмы
соме Comcore Semiconductor
COML Comhnear Corporation
CONV Conversion Devices Inc
CPC CP Clare Corporation
CPS Crosspoint Solutions Inc
CROSS Crosslink Semiconductor; Inc
CRYST Crystal
CTC CTC
CYBER Cybernetic Micro Systems
CYPR Cypress Semiconductor Corp
CYRIX Cyrix Corporation
DALL Dallas Semiconductor
DALSA Dalsa Incorporated
DATEL Datel Inc
DDD Data Delay Devices Inc
DENSE Dense-Рас Microsystems Inc
DIGIT Digital Semiconductor
DION Dionics Inc
DSPG DSP Group Inc
EDGE Edge Technology Inc
EDI Electronic Designs Inc
EG&GI EG&G IC Sensors
EG&GR EG&G Reticon Corporation
ELANT Elantec Inc
ELET Eletech Electronics
ELMOS Bmos Elektromk in MOS-Technologie GmbH
ELNA ELNA
EMBED Embedded Support Tools Corp
EMM EM Microelectronics
EMS Enhanced Memory Systems, Inc
EMUL Emulation Technology, Inc
ENABL Enable Semiconductor Inc
EPSON Epson America Inc
ERIC Ericsson Components
ESC ESC Electronics Corporation
ESS ESS Technology, Inc
ETC Electronic Technology Corporation
EUROM Eurom Ltd
EXAR Exar Corporation
EXEL EXEL Microelectronics, Inc
EXPO Exponential Technology Inc
FAIR Fairchild Semiconductor
FUJIT Fujitsu Microelectronics, Inc
GAUL Galileo Technology
GENES Genests Microchip Inc
GENN Gennum Corporation
GETE GET Engineering Corp
G-LINK G-Link Technology Corporation
GOAL Goal Electronics Inc
GREEN Greenwich Instruments USA
GS General Semiconductors
GSI GSI Technology
HARR Harris Corporation
HIFN Hifn
HIT Hitachi Semiconductor (Amenca), Inc
HOLT Holl Integrated Circuits, Inc
HOLTE Hohek Microelectronics Inc
HONEY Honeywell Solid State Electronics Ctr
HP Hewlett-Packard-Logic Systems Division
203
Приложения
СПИСОК ФИРМ-ПРОИЗВОДИТЕЛЕЙ (продолжение)
Сокращение Полное название фирмы
HUAL Hualon Microelectronics Corp
HUGH Hughes Aircraft Co
HUNT Huntsville Microsystems, Inc
HYU Hyundai Electronics Amenca
IBM IBM Corporation
IC-H ICHaus
ICS Integrated Circuit Systems, Inc
ICT ICT Inc
IC-W IC Works Inc
IDEAL Ideal Semiconductor
IDT integrated Device Technology, inc
ILC ILC Data Device Corp
ILS Integrated Logic Systems Inc
IMI International Microcircuits Inc
IMP IMP, Inc
IMPAL Impala Unear Corporation
INTEL Intel Corporation
INTRO Intromcs Inc
10 lOtech, Inc
IPC Interpoint Corporation
IR International Rectifier Corp
ISO Information Storage Devices, Inc
ISDC Isocom Incorporated
ISS Integrated Silicon Solution Inc
1ST International Semiconductor Technologies
ITI Interface Technology Inc
in ITT Semiconductor
ITTI Integrated Telecom Technology, Inc
IXYS IXYS Corporation
KAWAS Kawasaki LSI USA
KEC Korean Electr Corp
KEMET KEMET
KRUE Krueger Company
LAMBD Lambda Advanced Analog
LANSD Lansdale Semiconductor, Inc
LATT Lattice Semiconductor Corp
LD Logic Devices Inc
LECRO LeCroy Corporation
LEVEL Level One
LG LG Semicon Company Ltd
LINF Unfimty Microelectronics
LINT Untel Security SA
LIS Unear Integrated Systems
LM Lockheed Madin
LSI-C LSI Computer Systems, Inc
LSI-L LSI Logic Corporation
LT Unear Technology Corporation
LUC Lucent Technologies Inc
M/A M/A CDM.Inc
MALL Mallory
MARV Marvell Semiconductor; Inc
MATRA Matra MHS Inc
MATS Matsuo
MAXIM Maxim Integrated Products
MC Mini-Circuits
M-CHIP Microchip Technology Inc
MICR Micrel
MICRO Microtek International, Inc
Сокращение Полное название фирмы
МН Micropac Industries, Inc
MISI Micronrx Integrated Systems, Inc
MITEL Mitel Semiconductor
M1TS Mitsubishi Electronics America, Inc
ML Micro Unear
MUNK MetaLink Corporation
MNC Micro Networks Company
MOSAI Mosaic Semiconductor, Inc
MOSEL Mosel-Vitehc
MOSYS MOSYS
MOT Motorola Semiconductor Products
MPSC MagePOWER Semiconductor Corporation
M-R Mrcro-Rel
MSIC Mixed Signal Integration Corporation
MSIS MSIS Semiconductor, Incorporated
MT1 Micron Technology, Inc
MUR Murata
music Music Semiconductors, Inc
MX-C MX-COM Inc
NACC NACC
NANO Nanoteq (Pty) Ltd
NCM NCM Corporation
NEC NEC Electronics Inc
NEWP Newport Components Limited
NEXC Nexcom Technology, Inc
Nl National Instruments
NJR NJR Corporation
NDHAU Nohau Corporation
NOVER Nover
NPC Nippon Precision Circuits Ltd
NPNX NPNX Corporation
NS National Semiconductor Corporation
NTE NTE Electronics Inc
OAK Oak Technology, Inc
OEI Optical Electronics !nc
OKI OKI Semiconductor, Inc
ONCH OnChip Systems, Inc
OPTEK Dptek Technology Inc
OPT! OPTi Inc
OPTO Optotek Limited
ORBIT Orbit Semiconductor Inc
ORION Orion Instruments, Inc
OXFDR Oxford Micro Device Inc
PANAS Panasonic Industrial Company/Etectronic Comp
PARAD Paradigm Technology Inc
PCA PCA Electronics Inc
PCC Power Convertibles Corporation
P-ECG Philips ECG
PEPS Performance Electronic Packaging Services
PERIC Pencom Semiconductor Corporation
PHIL Philips Semiconductors
PHYLO Phylon Inc
PI Power Integrations Inc
PLESS GEC Plessey Semiconductors
PLX PLX Technology Inc
PMC-S PMC-Sierra
204
Приложена
СПИСОК ФИРМ-ПРОИЗВОДИТЕЛЕЙ (окончание)
Сокращение Полное название фирмы
PMD Performance Motion Devices Inc
PSC Performance Semiconductor Corp
РТ Power Trends
QLC QuickLogic Corp
QLOG QLogic Corporation
QS Quality Semiconductor
QUALC Qualcomm Incorporated
R&E R&E International Inc
RAMTR Ramtron Corporation
RAYTH Raytheon Company
REALT Realtek Semiconductor Corporation
RF-M RF Micro Devices
RICOH Ricoh Corporation
RMV RMV Electronics Inc
ROCH Rochester Electronics Incorporated
ROCK Rockwell Semiconductor Systems
ROHM ROHM Corporation
S+M Siemens Matsushita Components
SAMS Samsung Semiconductor, Inc
SANYO Sanyo Semiconductor Corporation
SCI Silicon Composers Inc
SEEQ SEEQ Technology Incorporated
SEI Space Electronics Incorporated
SEIKO Seiko Instruments USA, Inc
SEMI Semiech Corporation
SENS Sensory Inc
SEPON Sepomx Corporation
SHARP Sharp Electronics Corporation
SIEM Siemens Microelectronics Inc
SIGN Signum Systems
SIL Vishay Sihcomx
SIUC Silicom Inc
SIMT Simtek Corporation
SINC Sincere
SIPEX Sipex Corporation
SIS SIS Microelectronics Inc
SMC Standard Microsystems Corporation
S-MOS S-MOS Systems Inc
SMS Samsung Microwave Semiconductor, Inc
SOFT Soft Davice
SOUT Solitron Devices Inc
SONY Sony Semiconductor Company of America
south South Afncan Micro-Electronic Systems (Pty) Ltd
SPACE Space Research Technology Inc
SPT Signal Processing Technologies
ss Silicon Systems Inc
SST Silicon Storage Technology, Inc
ST SGS THOMSON Microelectronics, Inc
STANF Stanford Telecommunications Inc
SUMIT Sumitomo Metal Industnes, Ltd
SUN Sun Microsystems, Inc
SUPER Supertex, inc
SYFER Syfer
SYMB Symbios Logic
SYNER Synergy Semiconductor Corporation
SYNT Syntaq Technology Inc
Сокращение Полное название фирмы
SYSTR Systronix Inc
TDK TDK Semiconductor Corp
TECH Technitrol Pulse Components Div
TELC TelCom Semiconductor
TELEF Vishay Telefunken
TELT Teltone Corporation
TEMIC Temic Semiconductors
THAL Thaler Corp
THAT THAT Corporation
THES Thesys Gesellscheft fur Mikroetektromk mbl
THIRD Third Domain, Inc
THOMS Thomson Components and Tubes Corporatii
Tl Texas Instruments, Inc
TLSI TLSI Incorporated
TDKO Toko Amenca Incorporated
TDSH Toshibe America Electronic Components, Im
TRANS TranSwitch Corporation
TRID Trident Microsystems Incorporated
TRIQ TriQuint Semiconductor
TRITE TriTech Microelectronics
TSENG Tseng Labs Inc
TSQW Tsqware, Inc
TUNDR Tundra Semiconductor Corporation
TURBO Turbo IC, Inc
UMC United Microelectronics Corporation
UNITR Umtrode Integrated Circuits Corp
UNIV Universal Semiconductor Inc
USM US MikroChipsJnc
USAR USAR Systems, Inc
UTM United Technologies Microelectronics Cante
V3 V3 Semiconductor
VADEM Vadem
VANT Vantis Corporation
VETRA Vetra Systems Corporation
VIA VIA Technologies Inc
VISH Ute Dn (ранее Vishay Ute On)
VITES Vitesse Semiconductor Corp
VITR Vitramon
VLSI VLSI Technology Inc
VORT Vortex Incorporated
VTC VTC Inc
WAFER Waferscale Integration Inc
WD Western Digital Corporation
WDC The Western Dasign Center, Inc
WElTR Weltrend
WHITE White Microelectronics
WINB Winbond Electronics Corp
WDLF Wolfson Microelectronics
XECOM Xecom Inc
XICDR Xicor, Inc
XIUN Xilinx Corp
YAGED Yageo
YAMA Yamahe Corp of America
ZAXT Zaxtek, Inc
ZETEX Zetex
205
Приложения
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
— — вывод отсутствует Izm
А — анод Izt
а — соединено с анодом К
В -база к
bd — варикап Lt
btd — динистор пс
byd - быстрый выпрямительный диод п FET
с «мягким» восстановлением
byg — быстрый высоковольныи выпрямительный п MOS
диоде мягким»восстановлением прп
byh — выпрямительный диод общего применения От
byv — высоковольтный выпрямительный диод 0
C — коллектор pd
Cjv — емкость при напряжении на варикапе 2 В
C2V/C30V — отношение емкостей для различных Рр
напряжении р FET
Cd — емкость диода
Com — общий рт
cpm — переключательный р 1 п диод pMOS
CT — суммарная емкость рп Р
d — диод (сборка) pz
D — сток RoSon
di — импульсный диод ref
dih — импульсный диод с большим рабочим reg+
током reg
dl — диод общего применения с малым током Rz
утечки S
d n p n — составной прп транзистор sd
D n p-n — «цифровой» л р п транзистор те в корпусе shd
помимо самого транзистора находятся shy
один или несколько разисторов Традици spd
онные способы проверки неисправности
могут не подойти spz
d p n p — составнойр п р транзистор Tcvz
D p n p — «цифровой» р г р транзистор
dtv — диод для переключения диапазонов Toff
телевизионного приемника tflR
dz - стабилитрон var
E — эмиттер Vbr
fd — быстродействующий диод Vc
fid - быстродействующий импульсный диод Vcbo
frd — быстровосстанавливающиися VcEO
выпрямительный диод
fT — граничная частота vCEsat
G — затвор/управляющии электрод
— прямая проводимость полевого vd
транзистора
621 — статический коэффициент передачи тока Vds
In — вход Vf
lc — ток коллектора Vgs
Icbo — обратный ток перехода коллектор база Vgss
Id - ток стока Vr
loss - ток стока при нулевом потенциале vs
на затворе
If — прямой ток Vwm
leak — ток утечки Vz
Ipp — пиковыи импульсный ток разряда X
Ir — обратный ток Zz
It — средний ток в состоянии включения Zzt
iz — ток стабилизации
— максимальный ток стабилизации
— ток стабилизации в контрольной точке
- катод
— соединено с катодом
— суммарная индуктивность
— не подключен
— л канальный полевой транзистор
с управляющим р п переходом
— л канальный МОП транзистор
— прп транзистор
— выход
— однопереходныи транзистор
— несимметричный динистор для защиты
оборудования связи
— рассеиваемая мощность
— р канальный полевой транзистор
с управляющим р п переходом
-pin диод
— р канальный МОП транзистор
— р л-р транзистор
— защитный стабилитрон
— сопротивление канала в открытом состоянии
— источник опорного напряжения
— стабилизатор положительного напряжения
— стабилизатор отрицательного напряжения
— динамическое сопротивление
— исток
— импульсный переключающий диод
— диод Шоттки
— выпрямительный диод Шоттки
— симметричный динистор для защиты
оборудования связи
— симметричный защитный стабилитрон
— температурный коэффициент напряже
ния стабилизации
— время выключения
— время обратного восстановления
— варикап
— напряжение пробоя
— напряжение фиксации (коллектора)
— постоянное напряжение коллектор база
— постоянное напряжение
коллектор эмиттер
— напряжение насыщения
коллектор эмиттер
— монитор напряжения (детектор
напряжения)
— напряжение сток исток
— прямое напряжение
— напряжение затвор исток
— напряжение пробоя затвор исток
— обратное напряжение
— подавитель выбросов напряжения
(супрессор)
— напряжение выключения
— напряжение стабилизации
- безразличное состояние
— дифференциальное сопротивление
— дифференциальное сопротивление
в контрольной точке
206
Приложен»
МЕЖДУНАРОДНЫЕ ОРГАНИЗАЦИИ
EIA Electronic Industries Association
Ассоциация электронной промышленности (США)
EIAJ Electronic Industries Association of Japan
Ассоциация электронной промышленности (Япония)
IEC International Electrotechnical Commision
Международная Электротехническая Комиссия
JEDEC Joint Electronic Device Engineering Council
Объединенный технический совет по электронным приборам
SIA Semiconductor Industry Association
Ассоциация полупроводниковой промышленности (США)
ISO International Organization for Standartization
Международная организация по стандартизации
СПИСОК РЕКЛАМОДАТЕЛЕЙ
ЦВЕТНАЯ ВКЛАДКА
AUTEX LTD
БУРЫЙ МЕДВЕДЬ
ИНФОРМАЦИОННО-ИЗДАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР «CONNECT»
ИЗДАТЕЛЬСТВО ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
ITE PRIMEXPO
МАКРО ПЕТЕРБУРГ
МЭИ
УНИСЕРВИС М
УЕ INTERNATIONAL
ЭЛЕКТРОМИР
ЗОЛОТОЙ ШАР
НТЦ ЭНЕРГИЯ
НОМАКОН
DIAL ELECTROLUX
МЕГА-ЭЛЕКТРОНИКА
INCOLL
ORMIX
МАКРО ТИМ
ФЭКНПЧП
RAINBOW TECHNOLOGIES
РЕМОНТ И СЕРВИС
РТК-КОМПОНЕНТ
ДОДЭКА
ОБЛОЖКА
СИММЕТРОН
ПЛАТАН
ПРОМЭЛЕКТРОНИКА
207
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Это необходимо знать 3
Корпуса компонентов для поверхностного монтажа 5
Таблицы соответствий наиболее популярных SMD корпусов 7
ПАССИВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Номинальные значения сопротивления и емкости (ряды) 9
Резисторы 11
Цветовая маркировка 11
Цветовая маркировка фирмы «Philips* 12
Нестандартная цветовая маркировка 13
Кодовая маркировка 14
Перемычки и резисторы с «нулевым* сопротивлением 15
Кодовая маркировка прецизионных высокостабильных резисторов фирмы «Panasonic» t5
Кодовая маркировка фирмы «Philips» 16
Кодовая маркировка фирмы «Bourns* 17
Конденсаторы 18
Допуски ' 18
Температурный коэффициент емкости (ТКЕ) t8
Конденсаторы с ненормируемым ТКЕ t8
Конденсаторы с линейной зависимостью температуры 19
Конденсаторы с нелинейной зависимостью температуры 19
Цветовая маркировка 20
Кодовая маркировка 24
Кодовая маркировка электролитических конденсаторов для поверхностного монтажа 26
Маркировка пленочных конденсаторов для поверхностного монтажа фирмы «Hitachi* 27
Индуктивности 28
Цветовая маркировка 28
Кодовая маркировка 29
КОРПУСА ДЛЯ МОНТАЖА В ОТВЕРСТИЯ
Маркировка полупроводниковых приборов в корпусе КТ 26 (ТО-92) 30
История 30
Общие принципы маркировки 31
Типы маркировки полупроводниковых приборов 32
Цифро буквенная маркировка 33
Символьно буквенная маркировка 40
Символьно цветовая маркировка 43
Цветовая двухточечная маркировка 50
Цветовая четырехточечная маркировка 55
Нестандартизируемая маркировка 57
Маркировка полупроводниковых приборов в корпусе КТ-27 (ТО-126) 59
КОРПУСА ДЛЯ МОНТАЖА НА ПОВЕРХНОСТЬ
DO 214АА SMB 81
DO 214АВ SMC 88
DO 214AC SMA 94
DO-2t5AA t02
SOD 123 103
SOD 91 103
SOT 143 TO 253 104
SOT 23 SOD 23 107
SOT 323 SC 70 164
SOT 343 176
SOT 353 SC-88A 17B
SOT 363 SC 8B t79
SOT 346 SC 59 18t
SOT 416 SC 75A 191
SOT 89 194
ПРИЛОЖЕНИЯ
Список фирм производителен 203
Список сокращении и условных обозначений 206
Международные организации 207
Список рекламодателей 207