Текст
•РАДИО И СВЯЗЬ»
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
БИС
ЗАПОМИНАЮЩИХ
УСТРОЙСТВ
СПРАВОЧНИК
GZJ. г>&2.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
БИС
ЗАПОМИНАЮЩИХ
УСТРОЙСТВ
Под редакцией
А. Ю. ГОРДОНОВА и Ю. Н. ДЬЯКОВА
@
МОСКВА „РАДИО И СВЯЗЬ
1987
& 2.1.312-0^/3. 77
ББК 32.852 S&,/. 1^/2- ZS-Z. 4
УДК [621.^04^774^817327.664] (03)
В. В. БАРАНОВ, Н. В. БЕКИН. А. Ю. ГОРДОНОВ, Ю. А. ГОРДОНОВ,
А. В. КАЛИНИН, Е. П. ЛЕПЕХИН, Э. П. САВОСТЬЯНОВ,
В. П. СИДОРЕНКО. ГО. Н. СМИРНОВ, В. В. ЦЫРКИН
Полупроводниковые БИС запоминающих уст-
П 53 ройств: Справочник/ В. В. Баранов, Н. В. Бекин,
А. Ю. Гордонов и др.; Под ред. А. Ю. Гордонова и
Ю. Н. Дьякова, — М.: Радио и связь, 1987.—
360 с.: ил.
Приведены классификация и справочные данные выпускаемых про*
мышленностью больших интегральных схем запоминающих устройств
широкого применения. Проанализированы режимы работы, особенности
эксплуатации и даны рекомендации по их применению.
Для инженерно-технических работников, связанных с разработкой и
применением электронной вычислительной аппаратуры.
, 2403000000—138
II--------------- 131-86
046(01)-87
ББК 32.852
Рецензенты: канд. техн, наук А. Б. Акинфеев
и канд. техн, наук Б. В. Орлов
Редакция литературы по электронной технике
Справочное издание
ВАЛЕРИЙ ВИКТОРОВИЧ БАРАНОВ
НИКОЛАЙ ВИКТОРОВИЧ БЕКИН
АЛЕКСАНДР ЮРЬЕВИЧ ГОРДОНОВ и др.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ БИС ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
Заведующий редакцией Ю. Н. Рысев Редактор издательства Г. Н. Астафуров
Технический редактор Т. Н. Зыкина Художественный редактор Н. С. Шеин.
Переплет художника Н. А. Пашуро. Корректор Н. В. Козлова
ИБ № 1897
Сдано в набор 15.10.86
Т-08739 Формат 84 X 108’/;.
Печать высокая
Бумага тип. № 2
Усл. печ. л. 18,9
Подписано в печать 14.01.87
Гарнитура литературная
Усл. кр.-отт. 18,9
Уч.-изд. л. 22,87 Тираж 80 000 экз. (2 завод 40 001—80 000 ькз.) Изд. № 20483
Зак. № 5037 Цепа 1 р. 50 к.
Издательство «Радио и связь». 101000 Москва, Почтамт, а/я 693
Ордена Октябрьской Революции и ордена Трудового Красного Знамени МПО
«Первая Образцовая типография имени А. А. Жданова» Союзполиграфпрома
при Государственном комитете СССР по делам издательств, полиграфии и
книжной торговли: 113054, Москва, Валовая, 28.
© Издательство «Радио и связь», 1987
Содержание
Предисловие................................................... 5
Принятые сокращения и обозначения............................. 6
РАЗДЕЛ ПЕРВЫЙ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ ПО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ
ЗАПОМИНАЮЩИМ УСТРОЙСТВАМ
Глава первая. Классификация и условные обозначения БИС
запоминающих устройств ....................................... 7
1.1. Государственная и отраслевая классификация микросхем ЗУ 7
1.2. Условные обозначения микросхем ЗУ........................ 7
1.3. Техническая классификация................................ 8
Глава вторая. Система электрических параметров полупро-
водниковых запоминающих устройств.............................12
Глава третья. Методы контроля и измерения электрических
параметров БИС запоминающих устройств.........................27
3.1. Измерение статических параметров БИС ЗУ..................27
3.2. Измерение динамических параметров БИС ЗУ ... . 29
3.3. Контроль функционирования ЗУ.............................31
Глава четвертая. Полупроводниковые БИС запоминаю-
щих устройств.................................................57
4.1. Конструктивно-технологические особенности БИС ЗУ на
основе биполярных структур ................................. 60
4.2. Конструктивно-технологические особенности БИС ЗУ на
основе МОП-структур................................-. . . 65
Глава пятая. Построение модулей полупроводниковых за-
поминающих устройств..........................................73
5.1. Общие сведения...........................................73
5.2. Расчет модуля ЗУ.........................................76
5.3. Примеры построения модулей ЗУ............................84
Глава шестая. Корпуса микросхем запоминающих устройств 90
Глава седьмая. Рекомендации по применению и эксплуата-
ции микросхем.................................................94
7.1. Установка БИС ЗУ на плату................................94
7.2. Защита микросхем от статического электричества ... 96
7.3. Указания по эксплуатации БИС ЗУ..........................96
РАЗДЕЛ ВТОРОЙ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ И РЕКОМЕНДАЦИИ
ПО ПРИМЕНЕНИЮ БИС ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
Глава восьмая. Оперативные запоминающие устройства 98
8.1. Статические ЗУ на основе биполярных структур .... 98
Серия К134................................................98
3
Серия К155........................................
Серии К185, КР185.................................
Серия К500 .......................................
Серия К531........................................
Серии К541, КР541.................................
Серия К1500 ....................................
8.2. Статические ЗУ на основе п-МОП-структур ....
Серии К132, КР132, КМ132..........................
Серия КР565 ....................................
8.3. Статические ЗУ на основе КМОП-структур ....
Серия К176 .......................................
Серии К537, КР537 ................................
Серия К561 .......................................
8.4. Динамические ЗУ на основе п-МОП-структур .
Серии К565, КР565 ....................................
Глава девятая. Постоянные запоминающие устройства .
9.1. Масочные ПЗУ.....................................
Серии К568, КР568 ................................
Серия К596 .......................................
Серия КР1610......................................
9.2. Программируемые ПЗУ..............................
Серия КР556 ......................................
Серия К1500 ......................................
9.3. Репрограммируемые ПЗУ............................
Серия КР558 ....................................
Серия К573 .......................................
Серии К1601, КР1601...............................
Серия КМ 1609 ....................................
Приложение 1. Условия эксплуатации микросхем ....
Приложение 2. Указатель типов БИС, сведения о которых при
ведены в справочнике .................................
Список литературы ....................................
102
ПО
124
137
346
158
165
165
188
191
192
196
269
215
215
242
242
242
249
253
257
257
280
285
285
291
332
344
354
357
359
Предисловие
Полупроводниковые запоминающие устройства (ЗУ) являются
одним из основных типов запоминающих устройств ЭВМ и устройств
автоматики.
За последние годы разработаны новые типы полупроводниковых
ЗУ с повышенной емкостью и быстродействием. Благодаря своей тех-
нологичности, надежности, малым габаритам полупроводниковые ЗУ
получают все большее применение в различных устройствах вычисли-
тельной техники.
В настоящем справочнике рассмотрены основные типы больших
интегральных схем (БИС) ЗУ широкого применения, выпускаемые
отечественной промышленностью, приводятся статические и динамиче-
ские параметры этих микросхем, временные диаграммы работы, усло-
вия эксплуатации, зависимости электрических параметров от режимов
работы. Кроме того, даются рекомендации по применению этих микро-
схем в различных модулях ЗУ.
Приводится также классификация параметров БИС ЗУ по
ГОСТ 19480—74 с изменениями 1981 и 1985 гг. «Микросхемы инте-
гральные. Термины, определения и буквенные обозначения электриче-
ских параметров». Для сравнения даются обозначения аналогичных
параметров, принятые за рубежом.
В справочнике рассматривается схемотехника БИС ЗУ и особен-
ности их использования в модулях ЗУ. Кроме того, приводятся
методика контроля БИС ЗУ и основные алгоритмы тестов, приме-
няемых при контроле БИС ЗУ и модулей ЗУ.
Справочник не заменяет официальных документов (технических
условий, этикеток, указаний по применению), но позволяет читателю
достаточно полно ознакомиться с большим количеством БИС ЗУ,
их параметрами и условиями практического применения в модулях ЗУ.
_ При подготовке справочника использован обобщенный многолет-
ний опыт авторов в области разработки и эксплуатации БИС ЗУ,
а также материалы по БИС ЗУ (технические условия, частные техни-
ческие условия, руководящие технические материалы, технические
отчеты) и данные по отечественным и зарубежным источникам.
В подготовке справочника участвовали: разд. 1: гл. 1—Н. В. Бе-
кин; гл. 2— Л. Ю. Гордонов и Ю. Н. Смирнов; гл 3 — Н. В. Бекин,
Ю. А. Гордонов и В. В. Цыркин; гл. 4 — А. В. Калинин; гл. 5 —
А. Ю. Гордонов и В. В. Цыркин; гл. 6—В. В. Баранов и Э. П. Са-
востьянов; гл. 7 — В. В. Баранов и Э. П. Савостьянов; разд. 2:
В. В. Баранов, Н. В. Белкин, А. Ю. Гордонов, А. В. Калинин, Е. П. Лепе-
хин, Э. П. Савостьянов, В. П. Сидоренко, Ю. Н. Смирнов, В. В. Цыр-
кин совместно.
Отзывы и пожелания читателей просим присылать по адресу.
101000 Москва, а/я 693, изд-во «Радио и связь».
5
Принятые сокращения и обозначения
АФ АШ БМУ НК МПЗУ ОЗУ ОК ПЗУ ППЗУ РПЗУ — адресный формирователь — адресная шина — блок местного управления — накопитель — масочное постоянное запоминающее устройство — оперативное запоминающее устройство — выход микросхемы с открытым коллектором — постоянное запоминающее устройство — программируемое постоянное запоминающее устройство — репрограммируемое постоянное запоминающее устрой- ство
РГ А РГ ч РШ сс УЗ УС УУ эп А С/, Со cL CS DC X, DC DC CS EEPROM EPROM — регистр адреса — регистр числа — разрядная шина — схемы согласования — устройство записи — устройство считывания — устройство управления — элемент памяти — адрес (уровень логической 1 или логического 0) — входная и выходная емкость — емкость нагрузки — сигнал выбора микросхемы У — дешифраторы строк и столбцов — дешифратор сигнала выбора микросхемы (CS) — РПЗУ с электрической перезаписью информации — РПЗУ с электрической записью информации и УФ-сти- ранием
F G Nm Nev N Пм n M — частота обращения сигналов — генератор напряжения или сигналов — количество чисел (адресов) в ЗУ — число циклов перепрограммирования в РПЗУ — количество чисел (адресов) в БИС ЗУ — число разрядов в ЗУ — число разрядов в БИС ЗУ — комбинация логических уровней или сигналов по вы- водам CS БИС ЗУ
P cr. Pcc.s PR Q RAM ROM T WR/RD X $ £ — мощность потребления БИС ЗУ в режиме обращения — мощность потребления БИС ЗУ в режиме хранения — сигнал программирования — число БИС ЗУ в модуле ЗУ — оперативное запоминающее устройство — постоянное запоминающее устройство — температура окружающей среды — сигнал запись — считывание — безразличный уровень сигнала — выход микросхемы с тремя состояниями — выход микросхемы с открытым коллектором — выход микросхемы с открытым эмиттером.
РАЗДЕЛ ПЕРВЫЙ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ ПО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ
ЗАПОМИНАЮЩИМ УСТРОЙСТВАМ
Глава первая
Классификация и условные обозначения БИС
запоминающих устройств
1.1. Государственная и отраслевая классификация
микросхем ЗУ
Общесоюзная классификация продукции (ОКП) предусматривает
присвоение всей промышленной продукции десятичных кодов с целью
ее автоматизированного учета, планирования и распределения. Микро-
схемам запоминающих устройств присвоены коды ОКП 62318ХХХХХ
и 62328ХХХХХ. Расшифровка кода ОКП поясняется на рис. 1.1.
1.2. Условные обозначения микросхем ЗУ
В настоящее время условные обозначения микросхем ЗУ присваи-
ваются по их функциональной классификации. Построение условного
обозначения является общим для всех подгрупп микросхем и поясня-
ется рис. 1.2. Описание видов микросхем помещено в табл. 1.1.
62 3 1 8ХХ XXX
Класс П===
62 - изделия электронной -
техники
Подкласс
623 - микросхемы интег-
ральные
Группы_____________________
6231 — микросхемы интеграль-
ные полупроводниковые
6232 — микросхемы интеграль-
ные гибридные
Подгруппы
62318 — многофункциональные
элементы и элементы ЗУ
Виды
623186 — матрицы-накопители
оперативных и постоянных ЗУ
623187 - матрицы-накопители
оперативных и постоянных ЗУ
со схемами управления
623189 - устройства ассоциативные
запоминающие, полупроводниковые ЗУ
Регистрационный номер
изделия ООО ... 999
Вид климатического исполнения
0. . . 9————
Рис. 1.1. Десятичная общесо-
юзная классификация микро-
схем запоминающих устройств
7
Символы могут быть
опущены
к эх хххххххх _х
К — изделие общетехничес-
кого применения
Э — экспортное исполнение
(шаг выводов, кратный
2,54 мм)
Вид корпуса
Б — бескорпусное исполнение
М — металлокерамический
с двумя рядами выводов(ДИП)
Р — пластмассовый ДИП
Н — керамический кристалпо-
носитель
Отсутствие символа — корпус
с планарным расположением
выводов
Номер серии микросхем
может быть трех или четырехзнач-
ным: 100.. 899 или
1000 . . . 8999 — первый знак:
1, 5. 6. 7 — полупроводниковые
микросхемы;
2, 4, 8 — гибридные микросхемы;
3 — прочие микросхемы (пьезо-
керамические, вакуумные и др.)
| Вид исполнения (только для
I бескорпусных микросхем)
1 — с гибкими выводами,
2 — с ленточными выводами,
3 — с жесткими выводами,
4 — неразделенные кристаллы
на пластине, '
5 — разделенные кристаллы без
потери ориентации,
6 — кристаллы без выводов
Типономинал микросхем
А ... Я проставляется в случае раз-
браковки микросхем в производстве
по электрическим параметрам
Номер разработки
1 . . 999 (условно)
Вид (функциональное назначение)
РУ — оперативное ЗУ (с управлением),
РМ - матрицы оперативных ЗУ,
РВ — матрицы постоянных ЗУ,
РЕ -- постоянное ЗУ (заказное) ,
РТ — постоянное программируемое ЗУ,
РР — постоянное электрически репрограм
мируемое ЗУ (РПЗУ)
РФ — РПЗУ со стиранием информации
ультрафиолетовым светом,
РА — ассоциативные ЗУ,
РП — прочие ЗУ
(описание видов см. в табл. 1.1)
Рис. 1.2. Система условных
обозначений микросхем запоминающих
устройств
Примеры обозначения:
КР565РУ1А— микросхема общетехнического применения, в пласт-
массовом корпусе, полупроводниковая, серия 565, оперативное ЗУ,
разработка 1, типономинал А;
КБ537РУ1-1 — микросхема общетехнического применения, бескор-
пусная, полупроводниковая, серия 537, оперативное ЗУ, разработка 1,
с гибкими выводами.
1.3. Техническая классификация
Приведенная выше классификация отражает деление микросхем
ЗУ по их функциональному назначению.
Существующие конструктивно-технологические особенности пост-
роения ЗУ позволяют выделить еще ряд классификационных призна-
ков, уточняющих и дополняющих функциональную классификацию.
По способу обращения к массиву элементов памяти все ЗУ делят-
ся на адресные и ассоциативные. Большинство видов ЗУ (см. табл. 1.1),
кроме вида РА, относятся к адресным ЗУ с произвольной выборкой,
архитектура построения которых на протяжении более 10 лет оста-
ется практически неизменной. В адресных ЗУ обращение к элементам
памяти производится по их физическим координатам, задаваемым
8
внешним двоичным кодом — адресом. Адресные ЗУ бывают с произ-
вольным обращением, которые допускают либо порядок следования
адресов, и с последовательным обращением, где выборка элементов
памяти возможна только в порядке возрастания или убывания адре-
сов; функционально такие ЗУ представляют собой сдвигающие реги-
стры (вид ИР). Номенклатура ассоциативных ЗУ (см табл. 1.1,
вид РА) в подклассе микросхем ограничена в связи с иеустановив-
шейся архитектурой построения.
По способу хранения информации ЗУ бывают статическими и
динамическими. Элементы памяти статических ЗУ представляют
собой бистабильные элементы, что определяет потенциальный характер
управляющих сигналов и возможность считывания информации и без
ее разрушения.
В динамических ЗУ для хранения информации используются
инерционные свойства реактивных элементов (в полупроводниковых
ЗУ—конденсаторов), что требует периодического восстановления
(регенерации) состояния элементов памяти в процессе хранения
информации. В современных конструкциях ЗУ регенерация совмеща-
ется с обращением к элементу памяти или группе элементов памяти.
Такие ЗУ с моностабильными элементами памяти требуют для обес-
печения синхронизации элементов обрамления матрицы ЗУ управления
потенциально-импульсными сигналами. Разрабатываются ЗУ с дина-
мическим накопителем, но встроенной системой регенерации и синхро-
низации — квазистатичсские ЗУ. Внешние сигналы управления в этом
случае такие же, как у полностью статических ЗУ.
Статические тактируемые, или синхронные ЗУ имеют статический
накопитель (матрицу элементов памяти) и динамические входные цепи
управления, требующие синхронизации, аналогично динамическим ЗУ.
По технологическому исполнению интегральные ЗУ имеют сле-
дующие разновидности: полупроводниковые ЗУ на основе биполярных
структур, использующие схемотехнику ЭСЛ, ТТЛ, инжекционную И2Л;
полупроводниковые ЗУ на основе МОП-тсхнологии, использующие
структуры p-МОП, п-МОП, КМОП.
Следует отметить, что по уровням входных и выходных сигналов
ЗУ любого типа изготовляются совместимыми с логическими элемен-
тами одной из трех стандартных систем: ЭСЛ, ТТЛ, КМОП. Как
правило, ЗУ на основе ТТЛ и ЭСЛ имеют одинаковую схему построе-
ния элементов памяти и различаются только схемотехникой обрамле-
ния внутри БИС ЗУ; ЗУ на основе И2Л рассчитаны на работу с мик-
росхемами ТТЛ или реже ЭСЛ. а ЗУ на основе p-МОП и п-МОП
совместимы с микросхемами ТТЛ. Запоминающие устройства на ос-
нове КМОП совместимы с КМОП логическими элементами, а по вы-
ходу— с ТТЛ логическими элементами. При использовании в устрой-
ствах ТТЛ уровней на входе КМОП ЗУ обычно требуются схемы
сопряжения.
Для РПЗУ разработаны специальные структуры:
с лавинной инжекцией заряда (ЛИПЗ МОП) и плавающим
затвором (для РПЗУ УФ);
ЛИПЗ МОП с двойным затвором для РПЗУ с электрическим
стиранием;
металл — нитрид кремния — окисел кремния — полупроводник
(МНОП); используется в РПЗУ с электрическим, в том числе избира-
тельным, стиранием.
По внешним сигналам все типы РПЗУ совместимы с логическими
элементами на основе ТТЛ. В настоящее время разрабатываются
РПЗУ с КМОП-обрамлением.
9
О Таблица. 1.1. Виды микросхем, входящих в подгруппу «Схемы запоминающих устройств» [1]
Наименование вида изделия
Условное обозначе- ние вида изделия Сокращенное Краткое техническое описание вида изделия
Полное Отечественное По гост 2.743-82
РМ Матрицы оперативных запоминающих устройств — — Массив активных элементов памяти, объеди- ненных в прямоугольную матричную схему, обес- печивающую прямой электрический доступ к лю- бому элементу памяти
РУ Оперативные запоми- нающие устройства ОЗУ RAM Матрица активных элементов памяти, объеди- ненная со схемами управления, обеспечивающи- ми режимы записи, хранения и считывания двоичной информации в процессе ее обработки
РВ Матрицы постоянных за- поминающих устройств Массив, как правило, пассивных элементов па- мяти в виде прямоугольной матрицы, предназна- ченных только для воспроизведения информации, определяемой расположением элементов памяти в матрице
РЕ Постоянные запоминаю- щие устройства ПЗУ ROM Матрица пассивных элементов памяти со схе- мами управления, предназначенная для воспро- изведения неизменной информации, заносимой в матрицу при изготовлении; хранение информации энергонезависимо
РТ Постоянные запоминаю- щие устройства с возмож- ностью однократного элек- трического программиро- вания ППЗУ PROM Отличаются от ПЗУ тем, что позволяют в про- цессе применения микросхемы однократно изме- нить состояние запоминающей матрицы электри- ческим путем по заданной программе
РР РФ Постоянные запоминающие устройства с возможностью многократного электрическо- го перепрограммирования (репрограммируемые) Постоянные запоминаю щие устройства с ультра- фиолетовым стиранием и электрической записью ин- формации РПЗУ РПЗУУФ EEPROM EPROM ПЗУ, предназначенные для долговременного хранения и воспроизведения записанной в про- цессе эксплуатации информации. Допускает мно- гократную электрическую запись информации, но число циклов записи — стирания ограничено (25 ... 104 циклов). От ОЗУ отличается также значительно меньшей скоростью записи по сравне- нию со скоростью считывания информации От РПЗУ вида «РР» отличаются только спосо- бом стирания информации — с помощью ультра- фиолетового освещения, для чего в крышке кор- пуса имеется окно со специальным стеклом
РА РП Ассоциативные запоми- нающие устройства Прочие запоминающие устройства АЗУ CAM «Безадресные» ЗУ; поиск и выборка информа- ции осуществляется по содержанию произволь- ного количества разрядов, хранящихся в АЗУ чисел, независимо от физических координат яче- ек памяти
себя программируемые логические
е ч а и и я: I. Вид РТ включает в
Прим . .......... ж t „
ценным набором входных переменных данных”
„„ Ja 1’Убсжом терминологически различают электрически стираемые РПЗУ
- EE,'R0M...........................................которых допускается
матрицы (Р1Л1), отличающиеся от ППЗУ ограни-
п которых стирание информации происходит во
избирательное стирание информации в любом
Глава вторая
Система электрических параметров
полупроводниковых запоминающих устройств
Параметры БИС ЗУ делятся на статические и динамические
Статические параметры характеризуют работу БИС ЗУ в статиче-
ском (устойчивом) режиме. Система статических параметров БИС ЗУ
представляет собой совокупность контрольных точек вольт-амперных
характеристик. Динамические параметры определяются временными
процессами, происходящими в БИС ЗУ. Систему динамических пара-
метров БИС образует совокупность временных позиций (фаз) перепа-
дов входных и выходных сигналов, соответствующих границам пра-
вильного функционирования БИС.
Основные сигналы БИС ЗУ приведены в табл. 2.1.
По способу контроля БИС ЗУ параметры делятся на измеряемые,
режимные и производные *.
Таблица 2.1. Сигналы БИС ЗУ
Наименование сигнала Обозначение
По ГОСТ 19480—74 с изменениями 1981 и 1985 гг. мэк
Международ- ное Отечественное
Адрес А a А
Тактовый сигнал С T С
Адрес столбца СА CA СА
Строб адреса столбца CAS CAS CAS
Цикл CY Ц С
Входные данные DI ”вх.и D
Данные вход/выход DIO(Dl DO) ^вх.и/^вых.и DO
Сигнал разрешения СЕ p Е
Сигнал обнуления (стирания) ER УСТ0 ER
Сигнал разрешения по выходу CEO — G
Выходные данные DO k вых . и Q
Сигнал информации D и D
Сигнал считывания RD сч R
Адрес строки RA RA RA
Строб адреса строки RAS RAS RAS
Сигнал регенерации REF РЕГ RF
Сигнал запись — считывание WR'RD ЗП СЧ WR
Сигнал считывание — запись RD WR СЧ ЗП RW
Выбор микросхемы CS ВМ S
Сигнал записи WR ЗП W
1 В справочных листах по БИС ЗУ (см. разд. 2) в таблицах ста-
тических и динамических параметров нет деления на эти группы пара-
метров.
12
Измеряемые параметры — измеряются с непосредственным отсчетом
значений параметров.
Режимные параметры контролируемые как условия измерения или
как граничные условия правильного функционирования ЗУ.
Производные параметры получаются расчетным путем на основе
измеряемых и режимных параметров.
Существуют также специальные классификационные параметры, по
которым производится классификация по группам в соответствующих
сериях БИС ЗУ. В качестве классификационных параметров могут так-
же использоваться статические или динамические параметры.
Под предельными значениями параметров понимают допустимые
значения за пределами рабочих режимов, после воздействия которых
БИС ЗУ не будет повреждена. При этом параметры не регламенти-
руются. При превышении предельных .режимов работоспособность БИС
ЗУ может быть нарушена. (Существуют также предельно допустимые
значения параметров — см. § 7.3.)
Система параметров БИС ЗУ приведена в табл. 2.2, а их опреде-
ления — в табл. 2.3, 2.4 и 2.5.
Для представления параметров используются буквенные индексы.
В этой главе приводятся буквенные параметры и индексы, принятые
ГОСТ 19480—74 с изменениями 1981 и 1985 гг. в отечественном и
международном обозначениях [2, 3], а также рекомендованные Меж-
дународным электротехническим комитетом. Все параметры, применен-
ные в разд. 2 настоящего справочника, указаны по ГОСТ 19480—74
с изменениями 1985 г. в международном буквенном обозначении.
Все параметры микросхем и индексы обозначаются прописными
буквами. В индексе указываются дополнительные сведения о пара-
метре.
Статические параметры представляются в виде Хкмк, где X— па-
раметр; К—назначение (вид) параметра; М — режим; Л'— дополни-
тельная информация.
Индексы К, Л1, N могут состоять из одной и более букв. Напри-
мер, les wbl — ток сигнала низкого уровня выбора микросхемы в ре-
жиме записи.
Динамические параметры представляются в виде
Ацвс-овуг, (2.1)
где А— вид временного параметра; i—порядковый номер параметра
(1, 2, ...); В — наименование сигнала или вывода в соответствии
с табл. 2.1, относительно которого ведется отсчет данного вида времен-
ного параметра; С — направление перехода сигнала В в конечное со-
стояние (табл. 2.6; 2.7); D — наименование сигнала или вывода в со-
ответствии с табл. 2.1, до которого ведется отсчет данного вида вре-
менного параметра; Е — направление перехода сигнала в конечное
состояние (см. табл. 2.6 и 2.7); F — добавочная информация (режим ра-
боты, условия измерения).
Индексы А ... F могут состоять из одной и более букв. Если со-
бытие В начинается раньше события D, то временной интервал поло-
жителен. Если события D начинается раньше события В, то временной
интервал отрицателен.
Общая форма обозначения (2.1) может быть упрощена, если нет
опасений в неправильном толковании параметра. Обозначение уровней
сигналов приведены в табл. 2.6; 2.7. Переход из одного уровня (состоя-
13
Таблица 2.2. Система
Тип вывода ЗУ Статические параметры
Измеряе- мые Ре кимные Предел! - НЫС
Магистральный >5 С К С X СС на МОП транзисторах 4l Ur, Ucc у ilim
на би- полярных транзисторах Ьь Чн u,c, Ucc Uib', Ucc b I lim
Выходной открытый коллектор ^OL Чн Uthrub) lot.', Ucc Uthrub) I oh', Ucc 0 lim 0 lim
двухтактный UOL ^ОН {OS Uthrub)', lot.', Ucc Utbrl(b)', Iob', Ucc Uil(h>; Uo', Ucc U0 Um О Um
три состояния U OL UOH IOL, 4z fOS Utbrl(b)', Iol', Ucc Uthrub)', Iob', Ucc Utbriab), Uo', Ucc UI l(H)‘, Uo', Ucc Ъ'о Um 10 lim
Питание 4c ^CC Ucc', ^TL(H) Icc‘, UIL(B) ^CC lim !CC lim
14
параметров БИС ЗУ
Динамические параметры Классификацион- ные параметры Производные параметры
Измеряемые Режимные
Время выборки Время установ- ления tsu Организация (слов X разрядов), бит Коэффициент объ- единения Кс
Время выбора lcs Время удержа- ния tH Потребляемая мощ- ность Рсс Коэффициент раз- ветвления /Ср
Время восста- новления tREQ Время сохране- ния tv Число циклов пе- репрограммирова- ния -\'Су Потребляемая мощность Рсс
Время фронта (спада) выход- ного сигнала lRQ (*Ро) Длительность сигнала Время хранения ин- формации tsa Время цикла tr-Y Время записи Время считывания fRD
Входная емкость с, Время нараста- ния (спада) вход- ного сигнала * Rl Период регенера- ции TREF
Выходная ем- кость со Нагрузка RL- Roff. CL
15
Таблица 2.3. Классификационные параметры БИС ЗУ
16
Рис. 2.1. Переход от одного уровня (со-
стояния) к другому:
а — от высокого уровня к низкому; б —от
низкого уровня к высокому; в — от безразлич-
ного состояния к постоянному уровню: г — от
высокого уровня к высокоомному (третьему
состоянию); д — от высокоомного уровня
(третьего состояния) к низкому
ния) к другому (рис. 2.1) обозначается
двумя буквами. Предыдущий уровень
(состояние) представляется первой бук-
вой, последующий — второй буквой. При
однозначном толковании первая буква
может быть опущена.
Примеры динамических параметров
в соответствии с ГОСТ 19480—74 с из-
менениями 1981 и 1985 гг. и МЭК при-
ведены в табл. 2.8. Кроме того, здесь
же приведены варианты обозначений
этих параметров. На рис. 2.2 и 2.3 даны
примеры обозначений параметров на вре-
менных диаграммах работы БИС ЗУ.
Рис. 2.2. Временная диаграмма статического ЗУ. Цикл записи
2—5037
17
Таблица 2.4. Статические параметры БИС ЗУ
00
Параметры Обозначения Определение параметра
По ГОСТ 19480-74 с изменениями 1981 и 1985 г г. МЭК
Международ- ное Отечественное
I. Параметры, характе- ризующие обеспечение совместной работы БИС ЗУ с входными и выходными устройст- вами Напряжение питания исс исс Напряжение источника питания микросхемы
Ток потребления Iqc ^пот !СС Ток потребления по определенному источнику питания
Напряжение питания в U CCS ^о.хр L'CCS микросхемы в заданном режиме Напряжение источника питания, нобходимое для хра-
режиме хранения Ток потребления в ре- I CCS ^CCS нения информации микросхемы Ток, потребляемый микросхемой от источника питания
жиме хранения Напряжение логическо- UIL U/L или источников питания в режиме хранения Напряжение сигнала на входе (выходе) микросхемы,
го 0 входного (выход- ного) сигнала Vol) (<4х> (uoi.) соответствующее низкому уровню при положительной логике
Напряжение логической UIH U,n Напряжение сигнала на входе (выходе) микросхемы,
1 входного (выходно- го) сигнала Woh) t (<х) (UOh) соответствующее высокому уровню при положительной логике
Ток логического 0 вход- ного (выходного) сигна- ла hr. Vol) /« BX <C) hi. Vol.) Ток в цепи входного (выходного) сигнала микросхемы, соответствующий низкому уровню входного (выходно- го) напряжения
Ток логической 1 вход- ного (выходного) сиг- h/i (Cx) lIH Voh) Ток в цепи входного (выходного) сигнала микросхемы, соответствующий высокому уровню входного (выход-
нала (‘он> ного) напряжения
Выходной ток при треть- ем состоянии (высоко- омный уровень) Iqz I сыкл loz Выходной ток микросхемы, находящейся в третьем со- стоянии
Сопротивление нагрузки Rl /?>. Rl Суммарное активное сопротивление внешних цепей, подключенных к выходу микросхемы
Выходное сопротивление при третьем состоянии (высокоомный уровень) Rolf R Roll Выходное сопротивление микросхемы, находящейся в третьем состоянии
Пороговое напряжение логического 0 (логиче- ^THRL (Vthru) U° nop I'THRL Значения напряжений, определяющие переход микро- схемы ЗУ из одного устойчивого состояния в другое
ской 1) (<p) VtHRh)
Помехоустойчивость при логическом 0 (логиче- W "пом Максимальное значение напряжения статической поме- хи на входе, при котором сохраняется состояние логи-
ской 1) на входе (MH) ("nc»P (mh> ческого 0 (логической 1) микросхемы
Напряжение сигнала программирования UpR ^np UpR Напряжение сигнала программирования информации микросхем постоянных ЗУ, программируемых и ре- программируемых
Ток сигнала программи- рования II. Параметры, характе- ризующие устойчивость БИС ЗУ к воздействиям предельных и макси- мальных (минимальных) 5 электрических режимов IpR ^up 1 PR Ток по цепи программирования микросхем постоянных ЗУ, программируемых и репрограммируемых
О к о н ч а н и е т а б л. 2.4
Параметры Обозначения Определение параметра
По ГССТ 19480—74 с изменениями 1981 и 1985 гг. мэк
Международ- ное Отечественное
Предельное напряжение UcCHm Uп.пред UcClim Допустимое значение напряжения питания за преде-
питания ламп рабочих режимов, при котором микросхема ЗУ не будет повреждена
Предельное входное (вы- Um ^вх.пред СI 1 im Допустимое отклонение напряжения (тока) за преде-
ходиое) напряжение и (//вых.вред) лы рабочих режимов, при котором микросхема ЗУ не
ТОК № О Um ) (и о 1 1т) будет повреждена
Ъ Нт /вх.пред h l im
U0 Нт) (^вых .пред) U0 Um)
Максимальное (мини- С/ max Свхтах UI max Максимальное (минимальное) значение величин, соот-
мальное) входное (вы- ветствуклцих предельно допустимым рабочим режимам
ходкое) напряжение и Vi min) Vi min) микросхем
ТОК U О max ^вых п ах UO max
VOmin) (^вых mln) Vq min)
h max ^вх max 11 max
( 11 min) U вх min) 1 min)
IО max О min) /вых max (/вых min) 'о max (/fl min) 1
Предельная емкость на- грузки Cl Um С в.пред CL Um Предельная емкость нагрузки, при которой гаранти- руется работоспособность микросхемы, но не гаранти- руются ее временные параметры
Максимальная емкость нагрузки Cl max с ''в max Cl max Максимальная емкость нагрузки микросхемы, при ко- торой гарантируются указанные в ТУ временные пара- метры
III. Параметры, опреде- ляемые технологией и конструкцией микро- схемы Ток утечки на входе (выходе) высокого уров- ня fLIH <Jloh) Iх ут.вх (/уТ.ВЫх) Ilih Uloh) Значение тока высокого уровня во входной (выходной) цепи микросхемы при закрытом входе (выходе) и за- данных режимах на остальных выводах
Ток короткого замыка- ния на выходе I OS /к .3. ?os Значение выходного тока при коротком замыкании вы- ходного вывода микросхемы на общую шину
Примечания: 1. Допустимая величина помехи определяется разностью выходных и пороговых UTHRI;
Утики напряжений (U м L = UT н R L—UQ l max: RHX'
2. Ток, втекающий в БИС ЗУ, определяется как положительная величина, а ток вытекающий — как отрицательная величина.
К Таблица 2.5. Динамические параметры БИС ЗУ
Параметры Обозначение Определение параметра
По ГОСТ 19480—74 с изменениями 1981 и 1985 гг мэк
Между- народное Отечественное
Время выборки 1А ta ta Интервал времени между подачей на вход ИС задан- ного сигнала и получением на выходе микросхемы данных, при условии, что все остальные необходимые сигналы поданы
Время выбора tes ^в.м t. Интервал времени между подачей на вход микросхе- мы сигнала выбора микросхемы и получением на ее выходе данных, при условии, что все остальные необ- ходимые сигналы поданы
Время цикла Период следования им- пульсов тактовых сигна- лов tcY tc Интервал времени между началами (окончаниями) сиг- налов на одном из управляющих входов микросхемы. При этом микросхема выполняет одну функцию
ТС Тт т Интервал времени между началами (окончаниями) сле- дующих друг за другом импульсов тактовых сигналов микросхемы, измеряемый на заданном уровне напря- жений
Время запрещения Временной интервал между двумя импуль- сами tois ^зпр trits Интервал времени, в течение которого происходит за- прещение данных на выходе микросхемы
to ^зад td Время задержки между специально упомянутыми точ- ками на двух сигналах микросхемы
Время разрешения (СЕ ‘р ten Интервал времени, в течение которого разрешен выход данных микросхемы
Время спада tp ^0 tf Время спада сигнала между двумя установившимися уровнями
Время удержания
Время считывания t RD
Время фронта tp
Время восстановления lREC
Время регенерации lREF
Период регенерации Tref
Время установления tsu
Время сохранения *V
Время храпения данных lSG
(информации) Длительность сигнала tw
Время записи twR
Емкость нагрузки cL
Входная (выходная) ем- Ct
кость (Co)
*сч
^в<ю
^рег
Т
‘ per
<ус
*сх
GP
t
^ЗП
С'н
С-вх
(Свых)
th
tr
tr
tree
tri
Tri
tsu
tv
tsg
tw
tv,
Cl
Ct
(Co)
Интервал времени между началом одного и оконча-
нием другого сигналов микросхемы на разных входах
Минимальное время совпадения управляющих сигна-
лов на входах микросхемы, обеспечивающее считыва-
ние данных
Время нарастания сигнала между двумя установивши-
мися уровнями
Интервал времени между окончанием заданного сиг-
нала на выводе микросхемы и началом заданного сиг-
нала следующего цикла, необходимый для восстанов-
ления хранимой микросхемой информации
Интервал времени, необходимый для восстановления
хранимой информации ЭП
Максимальный интервал времени между двумя обра-
щениями к ЭП микросхем для восстановления храни-
мой информации
Интервал времени между началами двух заданных
входных сигналов на разных входах
Интервал времени между окончанием двух заданных
входных сигналов на разных входах микросхемы
Интервал времени, в течение которого .микросхема в
заданном режиме сохраняет данные (информацию)
Интервал времени между определенными точками на
фронте и спаде сигнала
Минимальное время совпадения управляющих сигна-
ков на входах микросхем, обеспечивающее запись
данных
Суммарная емкость внешних цепей, подключенных к
выходу микросхемы
Величина, равная отношению емкостной реактивной
составляющей входного (выходного) тока микросхемы
к произведению круговой частоты на синусоидальное
входное (выходное) напряжение микросхемы при за-
данном значении частоты сигнала
8
Таблица 2.6. Обозначение уровней сигналов
Уровни сигналов Обозначение
Высокий логический уровень Л/
Низкий логический уровень L
Постоянный уровень V
Безразличное состояние X
Высокоомное состояние (третье состояние) Z
Таблица 2.7. Переход от одного уровня к другому
Примеры переходов Инд Полные »ксы Сокращен- ные
Переход от высокого уровня к низкому (рис. 2.1,а) Переход от низкого уровня к высокому (рис. 2.1,6) Переход от безразличного состояния к постоян- ному уровню (рис. 2.1,в) Переход от высокого уровня к высокоомному (рис. 2.1,г) Переход от высокоомного уровня к низкому (рис. 2.1,6) HL LH XV HZ ZL L Н V Z L
Рис. 2.3. Временная диаграмма статического ЗУ. Цикл считывания
24
CS
a,
H
0)
*
C3
осительно сигнала
25
Глава третья
Методы контроля и измерения
электрических параметров БИС
запоминающих устройств
Исправное состояние БИС ЗУ определяется путем контроля: ста-
тических параметров; динамических параметров; функционирования
(функциональный контроль— ФК).
Параметры должны быть определены [4] для каждого вывода БИС
при любых комбинациях входных сигналов и соответствующих им вы-
ходных сигналов, определяемых по таблице истинности БИС.
3.1. Измерение статических параметров БИС ЗУ
Для входных и выходных статистических характеристик принципи-
ально безразлично, которая из двух координат (ток или напряжение)
является заданной в качестве режима измерения и которая измеряе-
мой. но в случае измерения и контроля статических передаточных ха-
рактеристик в силу вентильных свойств БИС ЗУ заданным должен
быть входной сигнал.
Действующими стандартами [4] устанавливаются методы измере-
ния следующих статических параметров микросхем ЗУ:
токов потребления в режиме хранения Ices и в режиме обраще-
ния 1сс\
входных токов 1г,
выходных токов /о;
входных напряжений Ur,
выходных напряжений Uo.
Метод измерения тока потребления в режиме хранения основан на
измерении постоянных токов, протекающих через выводы питания ЗУ
в заданном статическом состоянии, как правило, соответствующем ма-
ксимальному значению тока потребления. Электрический режим —
напряжение питания UCc, постоянное напряжение на входах Uil, Uih
указывается в нормативно-технической документации (НТД) на ЗУ
конкретных типов. Все выходы ЗУ должны быть отключены от внеш-
них электрических цепей. Структурная схема измерения приведена па
рис. 3.1,а. Допустимые погрешности установки режима и измерителей
указываются в НТД.
Метод измерения тока потребления в режиме обращения основан
на измерении среднего тока потребления, протекающего через выводы
питания ЗУ при воздействии па его входы переменных сигналов задан-
ных частоты и длительности или тестовых сигналов с генератора тестов.
Т Остальные условия те же, что и при измерении статического тока по-
требления в режиме хранения. Структурная схема измерения приведена
<о на рис. 3.1,6.
Метод измерения входных токов Ццну, 1и основан на измерении
постоянного тока, протекающего через заданный вход микросхемы при
заданном испытательном напряжении на входе U/L, Uih- Электрический
режим измерения — напряжение питания, значение испытательного на-
пряжения, условия на неиспользуемых в тесте выводах — указывается
в НТД на ЗУ конкретных типов. Двунаправленные выводы должны
быть поставлены в состояние «вход». Электрическая структурная схе-
ма измерения приведена на рис. 3.1,в.
Метод измерения входных напряжений Uilw, Ui цт основан на
измерении постоянного напряжения на входе микросхемы при данном
27
26
Ucd Ucc2 Uca
Ucci Uta Ucci
Ucci Vcc2
Выход
Ucci UcC2 Ucci UCC1 UCC2 Ucti.
Рис. 3.1. Метод измерения статических параметров БИС ЗУ:
а — тока потребления в режиме хранения /ccs; б —тока потребления в режиме
обращения /сс; e — входных токов lIL(Hy 1 и; а —входных напряжений
Ulltm; б —выходных токов >оцн}' 1 OS' 1LO' е — выходных напряжений УОЦН)
испытательном токе //. Измерение Ui проводится аналогично измере-
нию //, но заданным условием измерения является ток через контро-
лируемый вывод. Схема измерения приведена на рис. 3.1,г.
Метод измерения выходных токов 1оцнь ios, Ilo основан на изме-
рении постоянного тока, протекающего через заданный выход микро-
схемы при заданном его состоянии и заданном испытательном напря-
жении Ucc, Uown, UinH), Uthruh)- Электрическим режим — напряже-
ние питания, значение испытательного напряжения, входные напряже-
ния — указываются в НТД на ЗУ конкретных типов. Состав и порядок
следования установочных тестов, обеспечивающих предварительную
установку заданного состояния на выходе, также устанавливается
в НТД. Схема измерения приведена на рис. 3.1,д. Входные пороговые
напряжения Uthr ц«) в каждом из установочных или измерительных
тестах рекомендуется подавать только на один вход; в этом случае
при измерении 1оцн> одновременно контролируется запас статической
помехоустойчивости поочередно по каждому входу. При условии при-
нятия мер к обеспечению высокой стабильности U/ и устранению
28
импульсных помех допускается одновременная подача пороговых на-
пряжений на несколько входов. Двунаправленные выводы должны быть
поставлены в состояние «выход».
Метод измерения выходных напряжений иОцн) аналогичен методу
измерения выходных токов с тем отлиичем, что через контролируемый
выход задается испытательный ток (нагрузка). Схема измерения при-
ведена на рис. 3.1,е. Условия подачи пороговых напряжений те же, что
при измерении 10цн) (рис. 3.1,0).
При контроле входных и выходных характеристик микросхем, осо-
бенно при разбраковке по способу годен — брак, методически безраз-
лично, какой из параметров (ток или напряжение) является заданным,
а какой контролируется. Практически важно лишь исключить возмож-
ность выхода измеряемого параметра за предельно-допустимые режи-
мы эксплуатации микросхем.
3.2. Измерение динамических параметров БИС ЗУ
Действующими стандартами [4] установлены методы измерения
следующих динамических параметров:
времени выборки /д;
времени фронта и спада сигнала tp, tF',
длительности сигнала tw',
длительности сигнала записи triwp,',
времени сохранения, установления, удержания и восстановления
tsu, tn, tПЕС',
времени хранения tso-
Метод непосредственного измерения времени выборки /д основан
на измерении интервала времени между моментом подачи сигнала,
определяющего начало перехода к заданному состоянию микросхемы,
и моментом появления выходного сигнала, соответствующего этому со-
стоянию; измерение проводится на заданных уровнях отсчета входных
и выходных сигналов. Уровень задается либо в единицах напряжения
(В), либо в долях амплитуды сигнала. Амплитуда определяется как
размах логического перепада сигнала Un—Ul, а уровень отсчета в долях
амплитуды указывается относительно уровня Ut.. Как правило, за уро-
вень отсчета принимают половину амплитуды (0,5 А) сигнала; исклю-
чение составляет сигнал выхода с тремя состояниями, где уровни отсче-
та устанавливаются в НТД. Контролируемый выход должен быть
нагружен на эквивалент нагрузки, имитирующий реальные условия ра-
боты. Электрический режим — напряжение питания, уровни входных
сигналов (постоянных и импульсных), длительность, частота следова-
ния, время нарастания и спада входных сигналов, времена установле-
ния и другие составляющие временной диаграммы — устанавливаются
в НТД. Структурная схема измерения приведена на рнс. 3.2. Метод не-
посредственного измерения временных параметров приведен на
рис. 3.2,а.
Метод косвенного измерения (функционально-параметрического)
времени выборки tA позволяет установить максимальное значение 1л
при переборе различных комбинаций одноименных входных сигналов
ЗУ и в процессе проведения функционального контроля (ФК). Метод
основан на определении минимального интервала времени логического
контроля (рис. 3.2,6), при котором его результаты остаются положи-
тельными. Логический контроль выходного напряжения проводится
после подачи входного воздействия через заданный интервал времени
tF, определенный задержкой контроля. Время tK последовательно умень-
шают до границы перехода результата контроля из положительного
в отрицательный, и граница функционирования определяет измеряемое
29
Устройство переменной задержки
строба (импульса) контроля
tmsccs)
'r
A.
A
!x Vo
CS
Sei---
ИС ЗУ
Считыва-
ние 1
Устройство
логического
контроля
Выхода
Запись Запись
Ucci UcctUcci.
| fSuixod |
tw(wR)
VO
Направление сдвига
строба контроля
Рис. 3.2. Метод измерения динамических параметров БИС ЗУ:
а структурная схема и временная диаграмма при непосредственном измерении
параметров; б — структурная схема и временная диаграмма при косвенном изме-
рении параметров
-началь-
ное
положе-
ние строба
контрила
время выборки /л=/дтраи. Режимы измерения и уровни отсчета уста-
навливают так же, как при непосредственном измерении /д.
Метод контроля режимных параметров времени установления, со-
хранения, удержания, восстановления и длительности импульса записи
tsu, tv, tH, teuc, t«-<.wR} основан на определении минимального значения
любого из перечисленных параметров режима, при котором еще обес-
печивается правильное функционирование ЗУ. Один из заданных пара-
метров режима последовательно уменьшают до появления признаков
отказа функционирования. Заключение о правильности функциониро-
вания делается либо по результатам измерения выходных параметров
ЗУ, либо по логическому результату группы входных воздействий.
Измеряемый параметр режима ЗУ принимается равным его мини-
мальному значению, обеспечивающему положительный результат ФК
при выборе любого запоминающего элемента ЗУ. Измерение проводит-
ся раздельно для каждого входного сигнала, в том числе из группы
30
одноименных сигналов адреса, данных, выборки и т. п. Состав и поря-
док следования тестов указывается в НТД. Основные применяемые
тесты приведены в § 3.3. Электрические режимы устанавливаются так
же, как при измерении времени выборки. Время задержки контроля вы-
ходного сигнала 1К должно превышать соответствующее время выборки
на величину суммарной аппаратурной погрешности установки 1К. Схема
измерения приведена на рис. 3.2,6.
Метод измерения времени фронта, спада и длительности импульс-
ного сигнала tR, tF, tv основан на определении указанного интервала
времени на заданных уровнях отсчета. Рекомендуется tK и tF измерять
на уровнях от 0,1 до 0,9Д, где А — амплитуда импульса, a tv—по
уровню 0,5 А, если иное не указано в НТД.
Метод измерения времени хранения для динамического ЗУ (перио-
да регенерации) основан на определении максимального интервала вре-
мени между двумя последовательными сигналами регенерации инфор-
мации, при котором считываемая из ячейки памяти информация тож-
дественна ранее записанной. Время храпения (период регенерации)
обычно определяется в режиме ФК путем последовательного уменьше-
ния частоты обращения к ЗУ до появления отрицательного результата
ФК. Это методически справедливо, поскольку у всех современных ди-
намических ОЗУ регенерация происходит при обращении к памяти.
Разработаны специальные алгоритмы контроля времени регенерации
(см. § 3.3). Электрические режимы устанавливаются в соответствии
с НТД так же, как при измерении времени установления tSu и других
режимных параметров.
3.3. Контроль функционирования ЗУ
Под функционированием какого-либо объекта понимается выпол-
нение предписанного ему алгоритма функционирования при применении
объекта по назначению [5]. Функциональный контроль (ФК) решает
две основные задачи: определение факта наличия неисправности в объ-
екте и определение места неисправности (задача диагностики).
Методы ФК основаны на сравнении с эталонными сигналами вы-
ходных реакций (сигналов) тестируемой схемы на заданные входные
воздействия. Наиболее общая структурная схема ФК приведена на
рис. 3.3. Одним из основных узлов системы ФК является генератор
тестов, предназначенный для формирования последовательности тести-
рующих и эталонных сигналов по заданному закону. В понятие теста
включают состав, параметры и порядок следования электрических сиг-
налов, подаваемых на испытуемую схему с целью измерения какого-
либо параметра или контроля работоспособности [4]. Переменной со-
ставляющей теста являются наборы входных и эталонных сигналов.
Наборы входных сигналов, задаваемые в виде машинных слов
(кодов), определяют порядок обращения к элементам памяти и после-
довательность выполняемых операций. Математические адреса элемен-
тов памяти могут нс совпадать с их физическими координатами на
кристалле, это следует учитывать при анализе отказов БИС ЗУ.
Коды эталонных сигналов должны соответствовать выходным ко-
дам исправной БИС ЗУ при заданных входных воздействиях, т. е.
эквивалентность выходных и эталонных сигналов, определяемая путем
логического сравнения, указывает на правильность функционирования
БИС. Электрические режимы функционирования контролируемой схе-
мы, как правило, не изменяются в пределах теста и выбираются в со-
ответствии с НТД на конкретное изделие. Специализированные тесты
с переменным режимом [6], хотя и более эффективны, но сложны
31
Рис. 3.3. Функциональная схема контроля функционирования БИС ЗУ:
ZJOon| — используется при сравнении с физическим эталоном; 1)Ооп2 — использу-
ется при алгоритмическом синтезе эталонного сигнала и при записанном эталон-
ном сигнале
в реализации и мало распространены. Заключение о правильности
функционирования ЗУ делают либо по результатам выполнения оче-
редного элементарного теста («останов по ошибке»), либо по конеч-
ному результату выполнения полного теста.
Контроль функционирования может быть совмещен с измерением
(контролем) статических и динамических параметров ЗУ, если позво-
ляет точность и быстродействие аппаратуры контроля. Принципиаль-
ных методических отличий от уже рассмотренных методов измерения
параметров ЗУ в этом случает нет.
Эффективность ФК решающим образом определяется построением
теста. Существуют различные способы генерации тестовых последова-
тельностей для контроля ЗУ.
Наиболее широко используются при контроле функционирования
ЗУ [6] алгоритмические функциональные тесты (АФТ), содержащие
последовательность элементарных тестов, измеряемых по известному
закону (алгоритму). Это связано с простотой генерации, малым объ-
емом занимаемой памяти управляющей ЭВМ и высокой воспроизводи-
мостью результатов ФК.
Эталонный сигнал выхода ЗУ вырабатывается, как правило, также
алгоритмически генератором тестов, но можно использовать и эталон-
ную схему ЗУ. АФТ должны обладать двумя противоречивыми свой-
ствами: с одной стороны, обеспечивать достаточную полноту контроля
БИС ЗУ, а с другой — быть достаточно короткими по времени, чтобы
обеспечить производительность проверки БУС ЗУ при их большой
информационной емкости и большом количестве БИС.
Непосредственный перебор всех 2(,v+'f) возможных состояний ОЗУ
(Л' — число запоминающих элементов, бит; К—число функциональных
входов) становится нереальным при V>64. Поэтому алгоритмы ФК
ЗУ имеют ограниченный набор входных тестовых комбинаций (циклов
32
Запись фоно О
| Счит. /дJj]
| контроль]
Рис. 3.4.
Qначало )
1 1
I
Рио. 3.4. Алгоритм теста «Последовательная запись и считывание».
Здесь и далее принимается:
«Контроль» — сравнение считанной информации с эталонной; Д, — текущий ад-
рес ячейки /; Ао — дополняющий адрес (Д0-ЛЛ,_|—Л,); (Д,] — содержимое ячей-
ки о адресом А,; Г —информация логического 0; Т — информация логической 1.
В структурных схемах алгоритмов элементы матрицы памяти могут иметь либо
один индекс /. изменяющийся от 0 до N— 1, где Ак — контролируемый адрес, ли-
бо двойной индекс 1, J, где I изменяется от 0 до4^" N (считаем, что матрица на-
копителя квадратная) — по строкам матрицы, а / — от 0 до N —по столбцам
матрицы, в этом случае Л8В — контролируемые адреса матрицы памяти, где
S —по строкам, a R — по столбцам; ALM — конечный адрес строки L и столбца М
Рис. 3.5. Алгоритм теста «Шахматный код»
3—5037
обращения), обеспечивающих обнаружение типовых отказов [4] в де-
шифраторе и матрице памяти ОЗУ. При разработке алгоритмов ФК
ищется минимальная тестовая последовательность входных сигналов,
для которой имеет место изменение выходной последовательности сиг-
налов тестируемой схемы при отказе любого из ее элементов. Решение
этой задачи осложняется наличием у БИС ОЗУ ряда неисправностей,
не описываемых Булевыми функциями (например, множественная вы-
борка), а также связанных с динамическими состояниями элементов.
Ниже приводится ряд типовых алгоритмов ФК ЗУ, имеющих прак-
тическое применение. Коротко скажем о применимости различных
алгоритмов.
Инверсия
и повто-
рение
проверок
Q конец
Рис. 3.6
Рис. 3.6. Алгоритм теста «Считывание и запись в прямом и обратном
направлениях»
Рис. 3.7. Алгоритм теста «Марш»
34
3*
35
| J=R+1 |
| Обработку
{Обработка]
♦
I I
{Обработка]
I J°Y ।
| Обработка]
I 1
{Обработка
Алгоритм обработки
]Cvam.MSgj]
{контрола |
| Счит [Asr1]
I ГЫ-? I
(начало )
I y I
Запись
тона
R-1<0
R-1
P*1>M
R-1*0
S-1<0
R*1*M
S+1>L
{Обработка]
R-Ъ
S*1>L
{Обработка]
I I
{обработка{
I I
I I
| Обработка]
'Г
1 I
| Обработка]
i у i
| Обработка]
। :
{Обработка]
( Коней )
I 3 = R
EFfE
I
| R=R+1 |
\Ш!ТИП1И1йНЛ\
Инверсия
и повто-
рение
проверок
R=M
S = /
Рис. 3.11. Алгоритм теста «Крест»
36
I I=g; J=0 I
I (An]=T |
I IAjjJ-Г I
*L-1
I lAlll-T I
J=M
r-OiJ’O I
[Счит. fAcJi\
| Контроль |
| Счит IA^
| Контроль}
“L-1
J-M
Рис. 3.12. Алгоритм теста «Считывание по столбцам»
37
Рис. 3.13. Алгоритм теста «Бегущая 1 (0)»
38
Рис. 3.14. Алгоритм теста «Пинг-понг»
39
40
По количеству циклов обращения к тестируемой схеме, выражен-
ному через ее информационную емкость, алгоритмы ФК условно де-
лятся на три типа: ,V, №, NSP (N — емкость ЗУ, бит). Линейные алго-
ритмы типа N (рис. 3.4 ... 3.12) используются, как правило, для
предварительной оценки ОЗУ на отсутствие катастрофических не-
исправностей. Для производственного контроля ОЗУ из линейных те-
стов практически пригоден лишь «Марш», так как достоверность кон-
троля другими линейными алгоритмами недостаточна. Квадратичные
алгоритмы (типа №) зарекомендовали себя наиболее эффективными
для контроля функционирования всех типов ЗУ (рис. 3.13 ... 3.18).
Попарные передачи информации между любыми парами элементов
памяти позволяют эффективно обнаруживать как статические, так и
Рис. 3.16. Алгоритм теста «Попарная запись — считывание»
41
динамические отказы ЗУ. Применение квадратичных алгоритмов огра-
ничивается резким ростом длительности контроля с увеличением емко-
сти ЗУ. Алгоритмы типа №/* (рис. 3.19 ... 3.25) появились в резуль-
тате поиска компромисса между длительностью и достоверностью кон-
троля БИС памяти; они достаточно широко используются при контро-
ле ОЗУ большой емкости (более 4 ... 16К).
Для контроля времени регенерации динамических ОЗУ используют
специальные алгоритмы (рис. 3.26 ... 3.30), позволяющие фиксировать
паузы между циклами обращения к каждому (или группе) элементу
яамяти.
42
I
Запись
информации
----п—— Q-счетчик цикла
|---л = л I Р -промежуточная
I— । । переменная
(начало)
i
Запись
фона
Рис. 3.19.
| к=о\р=О |
Р=КЧ-Ы-2\
I Р-к+1
Запись
информации
Считывание
информации
из [Ад] и
контроль
R-Ii-0
1- P=K~I I
>*j |
Считывание
информации
I-N-1
K-N-1
=N-1
( Конец )
Рис. 3.18.
Рис. 3.18. Алгоритм теста «Галопирующий адресный код». Информа-
ция Т изменяется для каждого текущего адреса и для каждого разря-
да и определяется как сумма в двоичном коде номеров цикла и адреса.
Значение суммы записывается в воображаемый последовательный цик-
лический разрядный регистр и считывается с разряда регистра, номер
которого соответствует номеру цикла или кратен ему
Рис. 3.19. Алгоритм теста «Бегущий столбец»
43
Рис. 3.20. Алгоритм теста «Бе-
гущая строка»
Рис. 3.21. Алгоритм теста «Попарное
считывание по строке»
44
Начало')
l =z,
J =M
1-1+1
l-S
| Контроль]
| Счит.[Ац]\
| контроль]
1=L
\[ASJ]=T |
I [ASj>T\
| Контроль]
S=L
7=W
I~0: $*5*7]-1 IAsj]-T |
Инверсия
TD
и повто-
рение
проверок
Q конец )
Рис. 3.22. Алгоритм теста «Попарное считывание по столбцу:
45
Рис. 3.23. Алгоритм теста «Баттерфляй»
46
венным считыванием можно считать допустимым. Для контроля функ-
ционирования ПЗУ и ППЗУ также используют линейные алгоритмы,
проверяющие правильность занесенной в БИС информации путем
сравнения с эталоном любого типа (исправная БИС, перфолента
и т. п.), допустимо использование сигнатуры.
Следует отметить, что ширина зон устойчивого функционирования
ЗУ (например, в координатах напряжение питания — время выборки
адреса) может служить для сравнительной оценки эффективности алго-
ритма: зона сужается при переходе к более тяжелому для функцио-
нирования алгоритму.
Ниже приводятся описания некоторых алгоритмов тестов функцио-
нального контроля.
Тест «Марш» (см. рис. 3.7). Последовательно по всем адресам про-
изводится запись фона 0 (см. рис. 3.4). Затем для каждого адреса
считывается информация Т и записывается Т при изменении от Яо до
ЛЛ_|. Далее, начиная с адреса Я;=Яа до А/=АЛ—i, для каждого адре-
са считывается информация Т и записывается Т. Затем для каждого
адреса считывается информация Т и записывается Т при измерении
адресов от A.v_| до Ло (обратный перебор адресов). Далее для каж-
дого адреса считывается информация Т и записывается Т при измене-
нии адресов от A.V-i до Ло. Затем производится инверсия фоновой
информации (запись фона 1) и цикл проверки повторяется.
Тест «Диагональ» (см. рис. 3.8). Последовательно по всем адресам
производится запись фона 0 (см. рис. 3.4). Затем во все адреса, у ко-
торых совпадает номер строки и столбца (диагональ), т. е. ЛУ = Л/,
записывается информация Т. Далее происходит считывание информа-
ции по адресам Аг/, меняющимся по столбцам в соответствии с алго-
ритмом. Затем производится инверсия фоновой информации (запись
фона 1) и цикл проверки повторяется.
Тест «Крест» (см. рис. 3.11). Последовательно по всем адресам
производится запись фона 0 (см. рис. 3.4). Затем по контролируемому
адресу ЛзЯ=Лоо считывается информация Т и записывается информа-
ция Т по адресу Ац (соседнему адресу относительно Asp по
строке). Далее считывается информация Т по адресу ASp=Aoo и запи-
сывается информация Т по адресу Аи (соседнему адресу Л.ч/г
по столбцу). Такая операция производится для адреса ASJ?=A0o со все-
ми соседними адресами по «кресту» (по столбцу и строке). Далее пере-
ходят к адресу ASp=Aoi и производят аналогичную проверку, как и
адреса А<я. Такая проверка осуществляется для всех адресов последо-
вательно. Затем производится запись фона 1 по всем адресам и цикл
проверок повторяется.
Тест «Галоп» (см. рис. 3.15). В первый контролируемый адрес
АК=АО записывается информация 7, а во все другие адреса (А,=
=А|) ... (А/=А.ч-1) записывается информация Т. Затем последова-
тельно считываются адреса A/=At, Ar=Ax, Af=At, Ai=A2, Ai=Ak,
А;=Д2, А,=Аз. А,=Ак, А, = Аз и т. д., пока все пары переходов вклю-
чая адрес Ак=А0, не будут проверены. После этого в адрес Ак=А0
записывается информация Т. Эта последовательность повторяется для
адреса Ак=А| и т. д. до AK=AN-i. Затем производится инверсия
информации в контрольном адресе Ак и текущих адресах Аг и цикл
проверки повторяется.
Тест «Попарная запись — считывание с полным перебором» (см.
рис. 3.17). Последовательно по всем адресам производится запись
Лона 0 (см. рис. 3.4). В адрес Ar=At записывается информация
Т, а в адрес АЯ=АО записывается информация Т; затем происхо-
дит считывание информации из адресов Аг = А| и Ак=А0.
Далее в адреса Ar=At и Ак=Ао записывается информация Т с после-
47
С начало 'l Р,П-пррмежиточныв
v । > переменные
I ttsb-r I
| |
7=M
l-L
l*S
|fWff7.PlWj]
[контроль]
[СчилШуД
>*\>0;M+1 f
| контроль] I J=J+1
J = M
| IASr]-T | | [Asr1=T I
| 1=0=0 |
I R-R+1 | | контроль |
| S-S+1
a) з-д H p:’ I
48
Рис. 3.24. Алгоритм теста «Попарное считывание по диагонали»:
а — основной алгоритм; б — продолжение алгоритма
4—5037
49
( начало J
Запись
фона
О
I i=o\j=o |
I - T |
|CwmZ4fJJ]
I = L
J=M
\T-O;J’O |
7HZF~1
| ^J-T к
i -z,
J=M
|z=0;J-?|
р-Z. /?-/1
P,Q- промежуточные переменные
| z=z?, j-a F
(конец )
рение
проверок
Рис. 3.25. Алгоритм теста «Сдвигаемая диагональ>
50
дуюшим считыванием ее из этих адресов. Это повторяется для адресов
д/==Лг, А,=А3 и т. д. до Л/=Л,У_1 с контрольным адресом ЛХ=ЛО.
Далее цикл проверки повторяется для адресов ЛХ=Л|, ЛХ = Л2 и т. д.
до Лк=Л«-1. Затем последовательно по всем адресам производится
запись информации Т и цикл проверки повторяется.
Тест «Галопирующий адресный код» [7, 8] (см. рис. 3.18). Перво-
начально в матрицу памяти записывается фон. Затем устанавливаются
адреса текущей ячейки А/ и контрольной ячейки Л«. Разница адресов
контрольной и текущей ячеек изменяется последовательно [Лк—Л,—
=0, 1, 2, ... (ЛГ— 1)], причем изменение происходит циклически.
В ячейки с адресом (Лк-1-Л/) производится запись информации Т, счи-
тывание информации Г. а затем с ячеек с адресом (Лл—Л;) только
С начало )
Запись
(рана
0
Рис. 3.26. Алгоритм теста
«Статический»
4*
Рис. 3.27. Алгоритм теста
«Шахматный код с регенера-
цией»
51
Рис. 3.28. Алгоритм теста «Возбуждение матрицы чтением строк»
Q — счетчик цикла проверки
52
Рис. 3.29. Алгоритм теста
«Возбуждение
считыванием»
накопителя
многократным
53
IS-1
Обработка
- I
S-R+1
Обработка
I
1-1 + 1
Обработка
I
1-1+1
Обработка
. _ 1
J-R
Обработка
J-R+1 |
I
[Обработка |
I
I 0=R-1 |
I
[Обработка!
r i
| 1=5 + 1 |
[Обработка!
I
J=R
I
[Обработка!
i
I 0=R-1 |
' "1
[Обработка!
1
(^Начало'')
L.z-j-0 I
, ।
| S-R-D |
I QAsrI-t I
___fZZ
I-S 1
10тка
J-/?- 1
>отка
J-R+1
Обработка
I=S
Обработка
i
1=5 + 1
Обработка
0 = R
J-R-1
"7.1 J
Обработка
I-S
Обработка
R+1>M
+
•| конец паузы |-
R-1*0
S-1<0
начало
паузы
5-1<б'
R-1<0
R-w
S+f>L
5+1-L
7ММ?
5-/<Z7,
| 3-R+1 | 1 I
*1 >
[Обработке^ [Обработка [
1 -<^-1 1
[Обработка | [Обработка!
1 J-R 1 1
[Обработка! [Обработка!
»{ J-R-1 |
р>| 3-R-1
»j J-R-1 | 1 1-5~’ 1
[0бработка[ [Обработка!
I J-R+1 I I I 1 ’ 1
[Обработка! [Обработке!
I J-S-1 I 1 1 —1 1
[Обработка! [Обработка!
Y । 1 1
[Обработка! [Обработка!
1 1 1 i-s-1 I
[Обработка! [Обработка!
w.
| Контроль~\
R=M
R=0 |
S=L
Алгоритм обработки
I lA^-T I
| Счит. /’d/j?]
[контроль ]
Инверсия
(коней V- и побто-
4------' рение
проверок
[ 1-5 , J-R |
| Счит IaJj]
[контроль"!
Рис. 3.30. Алгоритм теста «Возбуждение накопителя обращением по
квадрату»
54
считывание информации Т. В каждом последующем цикле происходит
увеличение адреса контрольной ячейки на 1. Информация Т изменяет-
ся для каждого текущего адреса и для каждого разряда и определяет-
ся как сумма в двоичном коде номеров цикла и адреса, значение ко-
торой записывается в воображаемый последовательный циклический
n-разрядный регистр и считывается с разряда регистра,.номер которо-
го соответствует номеру цикла или кратен ему.
Тест «Баттерфляй» (см. рис. 3.23). В первый контролируемый адрес
Лз₽=Аоо записывается информация Т, а во все другие адреса (текущие
адреса Ап) записывается информация Т. Затем адреса Лзк попарно
считываются с адресами первой строки и первого столбца. Затем
в адрес ASr записывается информация Т и считывается по этому адре-
су. Далее информация Т записывается в адрес Лзк=/1<л; попарное
считывание адреса Л01 происходит с адресами первой строки и второго
столбца. Эта последовательность осуществляется для всех адресов Л.?я
от первой до последней строки; при этом попарное считывание осу-
Рис. 3.32. Алгоритм теста
«Марширующая строка»
55
Рис. 3.33. Алгоритм теста «Шахматная доска — не выбор ИС»
56
ществляется для контролируемого адреса и текущих адресов Аи
строки и столбца, на котором расположен контролируемый адрес Asr.
Затем происходит запись инверсной информации в адрес Ass и теку-
щие адреса А,, и цикл проверки повторяется.
Тест «Сдвигаемая диагональ» (см. рис. 3.25). Последовательно по
всем адресам записывается информация Т. Затем в адреса централь-
ной диагонали записывается информация Т. Далее происходит считы-
вание информации из адресов по столбцам. Аналогичная операция по-
вторяется для всех адресов нецентральных диагоналей, число которых
равно (|/Л'— 1). Затем происходит инверсия информации и цикл про-
верки повторяется.
Глава четверга я
Полупроводниковые БИС
запоминающих устройств
Полупроводниковые БИС ЗУ предназначены для записи, хранения
и считывания двоичной информации; они состоят из следующих типо-
вых узлов (рис. 4.1 ... 4.4): накопителя (НК); дешифраторов строк
и столбцов (DC X, DC У); устройства записи (УЗ); устройства считы-
вания (УС); устройства управления (УУ).
В зависимости от типа ЗУ (ОЗУ, ПЗУ, ППЗУ, РПЗУ) те или иные
типовые узлы могут в схеме отсутствовать, например БИС ПЗУ не
имеют устройства записи.
Особенности построения накопителя влияют на такие важные ха-
рактеристики, как устойчивость хранения информации, мощность, по-
требляемую в режиме хранения, а также быстродействие ЗУ.
Другие типовые элементы БИС ЗУ связаны с входными и выход-
ными схемами, особенности построения которых существенным образом
Рис. 4.1. Типовая структурная схема полупроводниковых БИС ОЗУ,
ППЗУ, РПЗУ:
ОСА' — дешифратор строк; DCY — дешифратор столбцов; НК. — накопитель; УЗ —
устройство записи; УУ — устройство управления; УС — устройство считывания
57
Рис. 4.2. Типовая временная диаграмма работы полупроводниковых
БИС ОЗУ, ППЗУ, РПЗУ
Рис. 4.3. Типовая структурная схема полупроводниковых БИС ПЗУ
Рис 4 4 Типовая временная диаграмма работы полупроводниковых
БИС ПЗУ
58
сказываются при объединении БИС ЗУ в систему памяти. Поэтому
в данной главе рассматриваются в основном такие элементы БИС ЗУ,
как накопитель, входные и выходные схемы. Накопитель представляет
собой матрицу элементов памяти, объединенных в строки и столбцы
через развязывающие ключевые элементы, связанные с дешифраторами.
В накопителях статических БИС ОЗУ применяются, как правило,
триггерные элементы памяти.
В накопителях динамических БИС ОЗУ применяются однотранзи-
сторные элементы памяти, состоящие из ключевого транзистора и
емкости хранения информации, интегрированной с транзистором в один
элемент памяти. Вследствие постоянного рассасывания заряда, храня-
щегося на емкости, такой элемент, а следовательно, и весь накопитель
требуют периодической регенерации информации, которая выполняется
с помощью устройства управления.
В накопителях масочного БИС ПЗУ используются, как правило,
транзисторы, подключенные соответствующим образом к строкам и
столбцам накопителя. При этом наличие или отсутствие транзистора
В' узле пересечения строки-столбца соответствует хранению 1 или О
В элементе памяти накопителя.
Иногда используется принудительное запирание транзисторов на-
копителя в тех узлах, где должны храниться 0 информации. Такое за-
пирание выполняется на стадии изготовления БИС ПЗУ специальными
технологическими приемами.
В накопителях БИС ППЗУ используются транзисторы с плавкими
перемычками, которые пережигаются при выборке соответствующего
элемента памяти в процессе программирования ППЗУ.
В накопителях РПЗУ используются специальные типы транзистор-
ных структур, изменяющие свои характеристики при программировании
РПЗУ. Это изменение характеристик и служит признаком хранящейся
информации.
Входные схемы представляют собой логические элементы, через
которые информационные, управляющие и адресные сигналы посту-
пают в БИС ЗУ.
Информационные сигналы DI поступают в устройство записи УЗ
которое служит для записи информации в элементы памяти, объеди-
ненные в накопителе. Информационные сигналы DO считываются из
БИС ЗУ через устройство считывания УС. _
Управляющие сигналы, CS, RAS, CAS, WR/RD поступают в устрой-
ство управления УУ и устройство записи УЗ и определяют режим
работы БИС ЗУ (запись, хранение, считывание информации).
Адресные сигналы Ао А„ поступают на схемы дешифрации
DC X, DC Y, которые определяют, к какому элементу памяти накопи-
теля производится обращение в соответствии с заданным кодом адреса.
Выходные схемы связаны с устройством считывания УС, которое
служит для усиления считанной из накопителя информации и передачи
ее на выходе DO. Во многих случаях выходные схемы имеют возмож-
ность передачи трех логических состояний: 1, 0 и состояния высокого
сопротивления на выходе ROft, что облегчает объединение БИС ЗУ
в системах с шинной организацией передачи данных.
БИС ЗУ выпускаются как одноразрядной (WXO. так и много-
разрядной (УХп) конфигурации, где АГ —числа адресов, п —число
разрядов БИС ЗУ. В многоразрядных БИС ЗУ записываемые и счи-
тываемые информационные сигналы часто передаются по одним и тем
же выводам с целью экономии их числа. Отдельные типы БИС ЗУ
имеют регистры для хранения поступающей адресных сигналов, а так-
же мультиплексный (с разделением по времени) режим ввода адресов,
применяемый для экономии числа выводов БИС ЗУ.
59
В зависимости от технологии изготовления БИС ЗУ имеют свои
конструктивно-технологические особенности построения. Более подробно
основные принципы работы полупроводниковых БИС ЗУ описаны
в [9 ... 11].
4.1. Конструктивно-технологические особенности БИС ЗУ
на основе биполярных структур
Конструктивно-технологические особенности БИС ЗУ на основе
биполярных структур подробно рассмотрены в [9 ... 12]. Поэтому
здесь приводятся только основные данные, необходимые при построе-
нии систем на БИС ЗУ такого типа.
БИС ЗУ на основе ТТЛ-схем. На рис. 4.5 приведены основные
элементы БИС ЗУ на основе ТТЛ схем.
Входные схемы построены в этом случае по классической схеме
ТТЛ-вентилей (рис. 4.5,а), где собственно входы представляют собой
эмиттеры многоэмиттерного транзистора У7\ с резистором в цепи
базы. Коллектор такого транзистора непосредственно подключен ко
входу (базе) ключевого транзистора УГ2. Далее схема построена по
принципу ТТЛ-вентиля со сложным выходом и работает непосредст-
венно на схемы дешифрации строк или столбцов, схему управления
запись — считывание и т. п.
Накопитель БИС ОЗУ (рис. 4.5,6) представляет собой матрицу
триггерных элементов на основе таких же стандартных ТТЛ-вентилей.
При этом считывание и запись информации выполняется либо через
дополнительные эмиттеры ключевых транзисторов V7\, VT2 (рис. 4.5,6),
либо через внешние диоды, подключенные к коллекторам этих ключе-
вых транзисторов (на рисунке не показаны). Вентильные свойства
таких элементов обеспечивают надежную развязку запоминающего
триггера от разрядных шин в отсутствие сигнала выборки, поступаю-
щего по общей шине всех триггеров выбранной строки.
Выходные схемы выполняются либо по типу ТТЛ-вентиля со слож-
ной нагрузкой (в виде нагрузочного транзистора VT2 рис. 4.5,в), либо
с открытым коллектором (рис. 4.5,г), позволяющим наилучшим обра-
зом осуществить объединение по общей шине БИС ЗУ, входящих в си-
стему.
Таким образом, отдельные типы БИС ЗУ на основе ТТЛ-техноло-
гин могут иметь выходные каскады с тремя состояниями или с откры-
тым коллектором.
ц) РШ, Ъ) РШо
Рис. 4.5. Элементы схем БИС ЗУ на основе ТТЛ:
а —входная схема; б —элемент памяти; в — выходная схема; г — выходная схе-
ма с открытым коллектором
60
Рис. 4.6. Схема входного буферного преобразователя (а) и выходного
каскада (б) БИС ЗУ на основе ТТЛ-ЭСЛ схем (t/on — опорное напря-
жение)
Статические характеристики по входу БИС ЗУ на основе ТТЛ-схем
определяются входными токами при напряжениях логического 0 и ло-
гической 1 на входе соответственно. Их типовые значения составляют
не менее минус (0,4 ... 0,5) мА при логическом 0 (0,4 В) и не более
(0,04 ... 0,1) мА при логической 1 (2,4 В) на входе. Статические ха-
рактеристики по выходу определяются выходными уровнями логическо-
го 0 (не более 0,4 ... 0,45 В) и логической 1 (не менее 2,4 В) при
токах нагрузки, заданных техническими условиями.
Так как в основе БИС ЗУ на ТТЛ-схемах лежит вентиль, потреб-
ляющий ток в любом логическом состоянии, схемы этого типа отли-
чаются постоянной потребляемой мощностью, практически не завися-
щей от режима работы (хранения или записи — считывания инфор-
мации).
Разновидностью БИС ЗУ на основе ТТЛ-схем являются схемы
с накопителем на тиристорах. Управление таким накопителем осуществ-
ляется при помощи стандартных ТТЛ-схем.
С целью повышения быстродействия в БИС ЗУ на основе ТТЛ-
схем часто применяется построение схем управления на ЭСЛ-схемах.
При этом согласование по входам и выходам выполняется преобразо-
вателями логических уровней ТТЛ-ЭСЛ и ЭСЛ-ТТЛ (рис. 4.6,а, б). На
основе такого решения строятся быстродействующие БИС ОЗУ [13].
На ТТЛ-схемах строятся также БИС МПЗУ [14] и ППЗУ [15] боль-
шой емкости.
БИС МПЗУ программируются, как правило, смасочным» методом
на стадии изготовления, когда информация, записываемая в накопи-
теле, определяется конфигурацией одного из слоев схемы нри помощи
специального фотошаблона.
БИС ППЗУ, выполняются, как правило, на основе принципа пере-
жигания плавких перемычек внутри кристалла БИС. Сами плавкие пе-
ремычки изготовляются из нихрома или других тугоплавких материа-
лов и защищаются специальным диэлектриком, обеспечивающим на-
дежность в условиях повышенной влажности. Процесс записи
информации в схему представляет собой избирательное разрушение
плавких перемычек током, обеспечиваемым схемой программирования.
Одна из типовых схем тракта программирования приведена на
рис. 4.7,а. Здесь же показан запоминающий элемент, состоящий из
транзистора VT3 и плавкой перемычки.
61
Рис. 4.7. Элементы схемы ТТЛ БИС ППЗУ с плавкими перемычками
(пунктирной линией показано матричное построение накопителя):
а — тракт программирования; б — накопитель
62
Схема считывания построена на транзисторах У7\, 1/Т5, элемента!
схемы дешифратора ДС и адресном формирователе АФ. Непосредст-
венное управление выборкой транзистора, входящего в состав за-
поминающего элемента (VT3), выполняется транзисторами VTb VTj.
При этом, если |/Г3 открыт и на входе программирования (вход PR)
есть положительный уровень, разрешающий открывание транзисторов
VTs, образуется прямая цепь тока через VT3, перемычку, УТ4 и VT3
в результате чего перемычка перегорает. В режиме считывания УТЪ по
входу PR закрыт и сигнал считывания через VT3, перемычку и VTt
поступает на усилитель считывания.
Накопитель ППЗУ представляет собой матрицу на многоэмиттер-
ных транзисторах (рис. 4.7,6). Программируемые элементы включены
между эмиттерами транзисторов матрицы и разрядными шинами. На-
личие перемычки соответствует напряжению логического 0 на выходе
усилителя считывания, отсутствие перемычки — логической 1 (или на-
оборот). Пережигание перемычки в режиме программирования выпол-
няется серией импульсов по специальной программе.
К особенностям ТТЛ ППЗУ относится то, что перемычка, воспрв-
нимаемая усилителем считывания при нормальных условиях как за-
программированная, с увеличением чувствительности усилителя считы-
вания при более высоких температурах или увеличением напряжения
питания может восприниматься как незапрограммированная. Этому
может способствовать малое значение коэффициента передачи транзи-
сторов схемы программирования. В результате программирование бу-
дет осуществляться слаботочным импульсом, температура плавления
нихрома 1450°С не будет достигнута и он в процессе программирова-
ния будет медленно окисляться кислородом из окружающего окисла,
но до конца не окислится и свою проводимость потеряет лишь частич-
но. Для предотвращения такого явления методика программирования
предусматривает подачу дополнительной серии 40 ... 100 импульсов
после фиксации усилителем момента пережигания, а также обязатель-
ную термоэлектротренировку запрограммированного потребителем
ППЗУ при определенной температуре в электрическом режиме.
БИС ЗУ на основе ЭСЛ-схем. На основе ЭСЛ-схем, как правило,
строятся БИС ОЗ для сверхскоростных ЗУ. Входные и выходные
схемы, схемы выборки микросхемы, записи выполняются на тради-
ционных ЭСЛ-элементах, обеспечивающих высокое быстродействие за-
писи и считывания информации [17, 18]. На рис. 4.8 приведены типо-
вые схемы этих узлов, а также один из вариантов элемента памяти
с нелинейной коллекторной нагрузкой. Накопитель представляет собой
матрицу таких элементов памяти, связанных по строкам адресными
шинами и шинами питания, а по столбцам — разрядными шинами через
эмиттеры транзисторов их элементов памяти (рис. 4.9).
Имеется модификация ЭСЛ БИС ЗУ с уменьшенными порогами
переключения ЭСЛ-схем, что приводит к увеличению быстродействия.
Допустима работа этих микросхем друг на друга. Статические харак-
теристики ЭСЛ БИС ЗУ по входам определяются значениями входных
токов при напряжениях логических 0 и 1 на входах соответственно и
в типовом случае составляют: по входу CS не более 200 ... 220 мкА,
по остальным входам не более 20 ... 50 мкА при уровне логической 1
на входах UiH минус (0,8 ... 0,96) В. Типовые значения входных уров-
ней логического 0 составляют минус (1,4 ... 1,65) В.
Статические характеристики по выходу определяются логическим!
уровнями 1 и 0 с типовыми значениями минус (0,85 ... 0,96) В и ми-
нус (1,65 ... 1,75) В соответственно при допустимых токовых нагруз-
ках по выходу, указанных в технических условиях. Следует учитывать,
что полярность выходного сигнала может изменяться в зависимости от
63
Рис. 4.9. Запоминающий элемент накопителя ЭСЛ БИС ОЗУ со схема
ми управления
того, какой полюс источника питания подключен к общей шине
(«земле»).
БИС ЗУ на основе И2Л-схем. Отличительной особенностью входных
каскадов БИС ЗУ, построенных на основе И2Л-схем является низкий
уровень логической 1 вследствие непосредственной подачи входных сиг-
налов на базу ключевого транзистора VT t И2Л-вентиля (рис 4.10,а).
В последних конструкциях БИС ЗУ на основе И2Л-схем применяются
дополнительные развязывающие входные р-п-р транзисторы или орга-
низация всех периферийных схем управления накопителем на основе
ТТЛ-элементов (рис. 4.10,а, в). При этом только накопитель, где не-
обходима высокая плотность размещения элементов, выполняется на
основе И2Л-элементов (рис. 4.10,6), а степень их использования в пе-
риферийных схемах уменьшается.
Наиболее простым вариантом реализации выходной буферной схе-
мы на основе И2Л-элементов (рис. 4.10,в) является подключение кол-
лектора п-р-п транзистора в вентиле не к базе следующего каскада,
а к резистору, соединенному с положительным полюсом источника пи-
тания. По характеристикам такой инжекционный вентиль подобен ТТЛ-
схемам с простым выходным каскадом.
Если нагрузочный резистор соединить не с плюсом, а с минусом
источника питания, то выходной транзистор И2Л-схемы будет работать
в режиме, аналогичном режиму эмиттерного повторителя. Буферная
Рис. 4.10. Элементы схемы БИС ЗУ на основе И2Л-структур:
а — входная схема; б — элемент памяти; в —выходная схема
64
схема такого типа обладает низким выходным сопротивлением и обес-
печивает высокий уровень тока в нагрузке. Такой каскад может непо-
средственно подключаться к ЭСЛ-схемам.
Ввиду технологической совместимости И2Л, ЭСЛ и ТТЛ-схем мож-
но сравнительно легко реализовать БИС ЗУ, неразличимые по входам
и выходам от обычных ТТЛ-схем. Последние конструкции И2Л БИС
35’ предусматривают именно такое решение проблемы низкой помехо-
устойчивости И2Л-схем по входам.
Выборка элементов в накопителе БИС ЗУ на основе И2Л-струк-
тур выполняется аналогично ТТЛ-схемам.
БИС ЗУ на ТТЛШ и И2ЛШ-схемах. С целью повышения быстро-
действия БИС ЗУ на ТТЛ и И2Л-схемах разработаны их модификации
с применением диодов Шотки, включенных между базой и коллектором
ключевых транзисторов схемы. Такое подключение обеспечивает шун-
тирование р-п перехода коллектор — база в режиме насыщения дио-
дом Шотки, имеющим меньшее напряжение отпирания в прямом на-
правлении (0,2 ... 0,3 В по сравнению с 0,6 ... 0,7 В обычно кремние-
вого диода), в результате чего ускоряется рассасывание носителей
в базе транзистора в режиме насыщения. Диод Шотки представляет
собой контакт металл — полупроводник, характеристики которого ста-
билизированы за счет применения специальной конструкции диода или
материалов типа силицида платины. В И2Л-схемах диод Шотки может
быть использован вместо коллектора.
Быстродействие ТТЛШ и И2ЛШ-схем может быть в 5 ... 10 раз
выше по сравнению с обычными ТТЛ и И2Л-схемами.
Схемотехническое построение БИС ЗУ на основе этих структур не
отличается от рассмотренных вариантов БИС ЗУ на ТТЛ и И2Л-
схемах.
4.2. Конструктивно-технологические особенности БИС ЗУ
на основе МОП-структур
БИС ЗУ на основе л-МОП-структур. На основе л-МОП-структур
строятся все типы БИС ЗУ: ОЗУ статические, в том числе сверхбыстро-
действующие [19], и динамические большой емкости [20, 21], ПЗУ
[22]. При этом упомянутые типы БИС ЗУ имеют существенные конструк-
тивно-технологические различия несмотря на то, что основным и оди-
наковым их элементом является «-канальный МОП-транзистор.
Статические БИС ЗУ на основе п-МОП-структур.
Входные схемы БИС ЗУ этого типа строятся, как правило,
на основе инверторов с активной нагрузкой. Ключевой инвертор выпол-
няется на л-МОП транзисторах: один — нормально закрытый (КГ, на
рис. 4.11,а), а в качестве активной нагрузки служит другой инвертор —
нормально открытый (VT2 на рис. 4.11,а), работающий в режиме гене-
ратора тока. Такая конфигурация обеспечивает высокое быстродей-
ствие, так как нагрузка CL всегда перезаряжается током одного из
транзисторов. Поэтому, например, в режиме заряда CL, когда работает
транзистор VT2, отдаваемый им в нагрузку ток постоянен и равен
току его насыщения /н. Если заменить такую нагрузку пассивной ре-
зистивной нагрузкой с сопротивлением, равным сопротивлению откры-
того транзистора VT2, т. е. RB = UCc/lH=Rm, то среднее значение тока
заряда CL будет равно /я/2, поскольку в начальный период времени
ток заряда равен а в конечный момент времени он близок к нулю,
так как емкость CL почти заряжена до уровня Ucc и нет разности
потенциалов на RH, обеспечивающей ток заряда.
5—5037
65
Рис. 4.11. Элементы статической схе-
мы БИС ЗУ на основе л-МОП-струк-
тур:
а — входная схема; б — элемент памяти;
в — элемент памяти с нагрузкой /?; г —
выходная схема на базе инвертора; б —
выходная схема на транзисторе с откры-
тым стоком
Отсюда видно, что инвертор с активной нагрузкой в среднем
в 2 раза быстрее отрабатывает фронт заряда Cl, что и объясняет по-
вышенное быстродействие схем этого типа. Иногда их называют схе-
мами на транзисторах с обогашением/обеднением, так как ключевой
транзистор VT; является прибором обогащенного типа с индуцирован-
ным каналом, а нагрузочный транзистор VT2— прибором обедненного
типа со встроенным каналом.
Входные буферные схемы БИС ЗУ статического типа, построенных
на инверторах с активной нагрузкой (рис. 4.11,а), имеют конструк-
тивные особенности, вызванные необходимостью защиты затвора клю-
чевого транзистора VTt от возможного воздействия статического элек-
тричества (элементы R и VT3 на рис. 4.11,а).
Необходимость защиты вызвана тем, что сопротивление затвора
МОП-транзистора чрезвычайно высоко (до 1015 ... 10,в Ом) и поэтому
он весьма чувствителен к накопленному электростатическому потенциа-
лу (достигающему нескольких киловольт на одежде персонала) и мо-
жет быть выведен из строя этим зарядом. Поэтому на входах БИС ЗУ
в кристалле имеется интегрирующая цепочка, состоящая из резистора
и барьерной емкости охранного транзистора, который к тому же откры-
вается, когда напряжение на его стоке, связанном с охранным рези-
стором, превышает пробивное напряжение стокового p-п перехода, ко-
торое всегда можно сделать меньше пробивного напряжения затвора.
Одновременно интегрирующая цепочка растягивает этот процесс во
времени, чтобы через охранный транзистор не проходили слишком
большие токи, могущие вывести его из строя.
Конструктивно-технологические особенности БИС ЗУ на основе
р-МОП-структур здесь не рассматриваются, так как они все меньше
применяются в БИС ЗУ по следующим причинам:
а) меньшее быстродействие по сравнению с л-МОП-структурами
вследствие меньшей подвижности дырок, чем электронов;
б) необходимость применения более мощных, больших по геомет-
рии транзисторов для сохранения быстродействия, что снижает сте-
пень интеграции, а следовательно информационную емкость ЗУ.
Схемотехнические принципы построения БИС ЗУ на р-МОП-струк-
66
турах аналогичны принципам построения n-МОП ЗУ с учетом замены
транзистора одного типа проводимости на другой.
Накопитель. В первых конструкциях накопителя БИС ЗУ на
инверторах такого типа (рис. 4.11,6) в качестве элемента памяти
использовалась схема на шести транзисторах, из которых два (V7\ и
Vis) служили для управления. Однако такой элемент памяти может
потреблять значительную мощность в режиме хранения информации,
так как весь ток нагрузочного транзистора (УТ6, УГ7) проходит через
ключевой транзистор (УТ8, УГ9), когда он открыт. Поэтому в после-
дующих разработках чаще стала использоваться схема с резистивной
высокоомной нагрузкой порядка нескольких единиц, а иногда и сотен
мегаом. Преимуществом такой схемы (рис. 4.11,в) является низкое
потребление в режиме хранения, а также уменьшение площади, зани-
маемой элементом памяти на кристалле, вследствие меньшего числа
транзисторов в нем, что в свою очередь приводит к увеличению инфор-
мационной емкости БИС ЗУ при прочих равных факторах.
Сохранение устойчивого режима при хранении информации обес-
печивается благодаря чрезвычайно малым токам утечки закрытого клю-
чевого транзистора, достигнутое в результате эволюции технологии
л-канальных МОП-структур, вызванной требованиями схемотехники
динамических БИС ЗУ. Этого малого значения тока утечки недоста-
точно, чтобы разрядить суммарную эффективную емкость в плече триг-
гера при хранении 1. Типовое значение тока утечки порядка единиц
пикоампер, что и определяет допустимое сопротивление нагрузочного
резистора на упомянутом выше уровне.
Запись информации в элемент памяти такого типа производится
парафазным методом через транзисторные ключи VTt, VT5, которые затво-
рами соединены с адресной шиной, а стоками — с разрядными шинами.
Считывание информации также производится парафазным методом.
Поскольку и запись и считывание информации выполняются через
транзисторы УГ4...УГа, УГ5...УГ9, узловые емкости С триггера
перезаряжаются не за счет переключения триггера, а за счет внешней
цепи, состоящей из упомянутых транзисторов. За счет этого обеспечи-
вается сохранение быстродействия несмотря на высокоомную нагрузку
в плечах триггера.
Применение принудительного перезаряда емкостей через внешние
цепи создает опасность разрушения информации в режиме считывания.
Поэтому необходима специальная схема, которая обеспечивала бы
автоматическое восстановление информации при считывании. Одновре-
менно эта схема должна усиливать считываемый сигнал. В связи с эти-
ми требованиями были разработаны и используются во всех полупро-
водниках п-МОП БИС ЗУ в настоящее время усилители-регенераторы
(рис. 4.12).
Работа усилителей-регенераторов основана на свойстве статическо-
го триггера устанавливаться в сторону «перекоса», заданного каким-
либо внешним фактором. Плечи такого триггера (рис. 4.12,а) подклю-
чаются непосредственно к разрядным шинам, а при подготовке к счи-
тыванию (сигнал подготовки), они, кроме того, перемыкаются между
собой специальным транзистором VTy, в результате чего потенциалы
их уравниваются и триггер находится в неустойчивом, высокочувстви-
тельном промежуточном состоянии, из которого его выводят сигналы
считываемой информации, поступающей по разрядным шинам от эле-
мента памяти. При этом триггер устанавливается в то же состояние,
которое задано парафазными сигналами, полученными от элемента
памяти по разрядным шинам, в результате чего и происходит усиление
и регенерация поступающих сигналов.
5* 67
Рис. 4.12. Схемы усилителей-регенераторов:
а — с перемыканием плеч усилителя; б — с «занулением» плеч усилителя
Другой вариант усилителя-регенератора, оба плеча которого обну-
ляются в процессе подготовки к считыванию, приведен на рис. 4.12,6.
Достоинством этой схемы является большая устойчивость самого уси-
лителя к помехам, а недостатком — меньшая чувствительность. Усили-
тель-регенератор подключается к разрядным шинам и обеспечивает
усиление сигнала на них. Например, если в первый момент считывания
на одной из шин (РИД) появляется слабый положительный импульс,
то через определенное время усилитель-регенератор установит на этой
шине логический уровень, равный почти полному напряжению питания,
а соответственно на другой шине (РИД) — уровень логического нуля.
Очевидно, что эта же схема может служить и формирователем
записи, если предварительно устанавливать ее состояние, а затем
открывать доступ к запоминающему элементу по разрядным шинам.
Из рассмотренного ясно, что усилитель-регенератор представляет
собой фактически элемент памяти, в который перезаписывается инфор-
мация, хранящаяся в элементах памяти накопителя. В процессе этой
перезаписи и происходит восстановление и усиление информационных
сигналов. Очевидно, что для перезарядки больших емкостей разрядных
шин транзисторы усилителя-регенератора должны быть более мощными
по сравнению с транзисторами'запоминающих элементов. За счет та-
кой разницы и происходит, собственно, усиление сигналов на разрядных
шинах.
Выходные каскады статических n-МОП ЗУ строятся по схеме
инвертора (см. рис. 4.11,г) или на транзисторе с открытым стоком
(рис. 4.11,6) аналогично схеме с открытым коллектором ТТЛ БИС ЗУ.
Статические характеристики n-МОП ЗУ по входам определяются
уровнями логических 0 и 1, которые близки по своим значениям
к уровням ТТЛ, а также токами утечки, которые не превышают еди-
ниц наноампер.
Статические характеристики по выходу определяются нагрузочной
способностью выходных каскадов, указанной в технических условиях,
а также уровнями выходных напряжений логических 0 и 1, перепад
которых достигает более 70 % напряжения питания.
В отдельных типах статических ЗУ на n-МОП и КМОП структу-
рах (так называемых тактируемых ЗУ) требуется импульсная подача
сигналов выборки микросхемы CS или сигналов записи-считывания
68
WR/RD, что обусловлено необходимостью подготовки (восстановления)
внутренних схем управления БИС ЗУ к новому циклу обращения
БИС ЗУ.
Динамические БИС ЗУ на л-канальных МОП-структурах имеют
ту особенность, что нагрузочный элемент в инверторе также является
активным, но периодически включается сигналом С (рис. 4.13,а).
В результате емкость нагрузки CL периодически подзаряжается до
уровня, близкого к UCc, и разряжается, если в период отсутствия так-
тового импульса С ключевой транзистор УТ\ открыт сигналом по
входу. Такой режим работы обеспечивает уменьшение токов потребле-
ния в момент переключения и хранения логического состояния, однако
вызывает необходимость синхронизации входных сигналов с тактовы-
ми импульсами, генерируемыми внутри БИС ЗУ. Поскольку частота
таких импульсов относительно постоянна и нс зависит от внешних сиг-
налов, потребляемая мощность динамических БИС ЗУ в режиме хране-
ния (Pecs) относительно постоянна (порядка 50 мВт/корпус) и воз-
растает в режиме обращения в 5 ... 8 раз при максимальной частоте
обращения.
В элементе памяти таких ЗУ хранение информации осуществляет-
ся на емкости CSg (рис. 4.13,6), а транзистор УТ\ выполняет только
роль ключа выборки. Сохранность информации при считывании обес-
печивается наличием в схеме усилителя-регенератора, аналогичного изо-
браженным на рис. 4.12. Режим хранения обеспечивается периодиче-
ской регенерацией информаций в элементах памяти с частотами порядка
десятков— оотен герц. При этом происходящее вследствие утечек умень-
шение информационного сигнала, хранящегося в виде заряда на емкости
Csg, компенсируется усилителем-регенератором.
Особенностью выходных каскадов схем динамических ЗУ
(рис. 4.13,в) является наличие форсирующей емкости между стоком и
затвором нагрузочного транзистора. Ес назначение состоит в ускорении
времени заряда нагрузочной емкости в момент открывания нагрузоч-
ного транзистора. Однако в большинстве новых схем выходной каскад
строится с открытым стоком аналогично рис. 4.11,6.
Входные и выходные статические характеристики динамических
БИС ЗУ такие же, как и БИС ЗУ статического типа.
Поскольку в схемах динамических БИС ЗУ для передачи и хра-
нения информации используется перезарядка емкостей транзисторами,
доля потребляемой мощности в режиме хранения в них относительно
мала (в схемах почти нет инверторов статического типа). Поэтому ди-
намические л-МОП БИС ЗУ отличаются небольшой потребляемой мощ-
ностью (50 ... 500 мВт) при информационных емкостях в 4... 6 раз
больших, чем у аналогичных схем статического типа.
Рис. 4.13. Элементы динамической схемы БИС ЗУ на основе л-МОП
структур:
а — входная схема; б — элемент памяти; в — выходная схема
69
ПЗУ на n-канальных МОП-структурах. Схемы ПЗУ на /{-канальных
МОП-структурах отличаются от схем соответствующих динамических
и статических БИС ОЗУ отсутствием тракта записи информации и
устройством накопителя. Накопитель представляет собой в этом слу-
чае просто транзисторную матрицу, в которой затворы транзисторов
построчно объединены в адресные шипы, а стоки подключены к раз-
рядным шинам. При выборке соответствующего элемента он просто
замыкает разрядную шину на шину О В, что служит сигналом считы-
вания информации для усилителя считывания, подключенного к этой
шине.
Программирование таких ПЗУ обычно осуществляется «масочным»
методом, когда наличие или отсутствие области подзатворного окисла
на соответствующей «маске», используемой при изготовлении БИС,
определяет 0 и 1 соответственно. В остальном схема ПЗУ на л-МОП-
структурах аналогична по своим входным и выходным характеристи-
кам схемам статического или динамического типов ОЗУ, рассмотрен-
ным выше.
РПЗУ на /г-МОП-структурах. Такие РПЗУ строятся на основе фи-
зического явления хранения заряда на границе между двумя различ-
ными диэлектрическими средами или проводящей и диэлектрической
средой.
В первом случае подзатворный диэлектрик МОП-структуры выпол-
няется двуслойным: из нитрида кремния и двуокиси кремния (так на-
зываемая МН011-структура металл — нитрид — окисел — полупровод-
ник). При этом оказывается, что большие напряжения (до 30 В) на
затворе такой структуры вызывают туннелирование носителей заряда
через слой двуокиси кремния, который, как правило, делается ультра-
топким (единицы нанометров) к границе двух диэлектриков, вблизи
которой имеется много ловушек для носителей заряда. В результате,
внутри МОП-системы образуется некоторый заряженный слой, который
приводит к изменению порогового напряжения МОП-транзистора, вы-
полненного на основе такой структуры. При постоянном напряжении
на затворе в режиме считывания информации это эквивалентно изме-
нению тока считывания, которое и детектируется специальным усили-
телем-регенератором, подобным описанным выше.
Во втором случае затвор МОП-структуры выполняется «плаваю-
щим», не связанным с другими элементами схемы. Такой затвор за-
ряжается током лавинной инжекции1 части носителей заряда, возни-
кающих при подаче на сток транзистора большого напряжения (до
30 В), вызывающего состояние лавинного пробоя стока. В результате
такой зарядки затвора изменяется также ток через транзистор, что
детектируется усилителем при выборке транзистора схемами дешифра-
ции. Поскольку затвор транзистора со всех сторон окружен изолирую-
щим окшжом, утечка заряда очень мала и обеспечено длительное хра-
нение информации. Для ее стирания пользуются облучением схемы
через прозрачное окно в корпусе коротковолновым ультрафиолетовым
излучением люминесцентной лампы, которое увеличивает ток утечки
в изолирующем окисле и способствует рассасыванию хранимого заряда.
Другой способ перезаписи, который используется в РПЗУ. основан
на размещении над «плавающим» затвором второго затвора (управ-
ляющего), подача напряжения на который приводит к рассасыванию
заряда за счет туннелирования, аналогичного описанному выше.
1 Отсюда распространенное название БИС ЗУ на структурах та-
кого типа: ЛИПЗ, т. е. лавинно-инжекционные с «плавающим»
затвором.
70
Следует отметить, что структуры РПЗУ на основе ЛИПЗ с двумя
затворами имеют значительные преимущества перед однозатворными
структурами с ультрафиолетовым стиранием информации. Они не тре-
буют специальных источников света и позволяют выполнять полностью
электрическое репрограммирование.
Необходимо учитывать следующие специфические особенности БИС
РПЗУ на МНОП-етруктурах:
а) вследствие постепенного рассасывания заряда, хранящегося на
границе раздела двух диэлектрических слоев или на плавающем затво-
ре, за счет утечек через изолирующий окисел время хранения инфор-
мации ограничено, особенно при воздействии повышенной температуры
или радиации;
б) число циклов перезаписи также ограничено, так как изолирую-
щий окисел при каждом цикле репрограммирования подвергается воз-
действиям, частично изменяющим его структуру вследствие больших
электрических полей, необходимых для протекания туннельных токов
через окисел. Поэтому диэлектрические свойства окисла с увеличением
числа циклов программирования ухудшаются, что приводит к сокра-
щению времени хранения информации.
Генерация больших напряжений, необходимых для программиро-
вания БИС ЗУ таких типов, в последнее время осуществляется спе-
циальными схемами, расположенными непосредственно на кристалле.
В результате схема питается от одного источника напряжением 5 В.
Схемотехника входных—выходных каскадов БИС РПЗУ на п-
канальных МОП-структурах не отличается от соответствюущих схем,
используемых в статических и динамических БИС ОЗУ.
КМОП БИС ЗУ. КМОП-структуры становятся доминирующим ти-
пом схем при изготовлении БИС ЗУ. Этому способствуют характери-
стики КМОП-структур: сверхмалая потребляемая мощность в статиче-
ском состоянии и высокая помехоустойчивость [23].
Входные схемы. Основной элемент КМОП БИС (в том чис-
ле на их входах) представляет собой инвертор на транзисторах про-
тивоположной структуры (рис. 4.14,а). В таком элементе при передаче
логических сигналов один из транзисторов всегда открыт, а другой за-
крыт1. Поэтому в любом из логических состояний потребляется только
очень малая мощность вследствие тока утечки закрытого транзистора.
Рис. 4.14. Элементы схемы БИС ЗУ на основе КМОП-структур:
о — входная схема; б — элемент памяти; в —выходная схема
1 Это справедливо для статического состояния инвертора. В пере-
ходном режиме непосредственно в момент переключения могут быть
открыты оба транзистора.
71
Защита входов КМОП БИС ЗУ выполняется аналогично защите
n-канальных МОП БИС, но чаще всего вместо транзисторов охраны
применяются зенеровские диоды (см. рис. 4.14,а). При этом, как только
напряжение на входе превысит уровень напряжения питания, откроется
диод VD\, а если оно понизится на величину, меньшую нулевого уров-
ня, откроется диод VD2. Тем самым обеспечивается эффективная защи-
та входов от электростатического воздействия.
Накопитель КМОП БИС ОЗУ строится на основе статических триг-
геров на шести транзисторах (рис. 4.14,6), работа которых аналогична
работе элементов памяти статических n-МОП ЗУ. Возможно также
построение ППЗУ на КМОП-структурах, когда для однократного про-
граммирования используются не явления пережигания или хранения
заряда на затворе, а управляемый пробой подзатворного окисла, сфор-
мированного специальным образом. КМОП ППЗУ сохраняют все пре-
имущества биполярных ППЗУ, но имеют во много раз меньшую по-
требляемую мощность.
Выходные каскады КМОП БИС ЗУ аналогичны выходным каска-
дам и-канальных схем, только нагрузочный транзистор выполнен p-ка-
нальным. Парафазное управление ключевым и нагрузочным транзисто-
рами в выходном каскаде позволяет обеспечить трехуровневый выход.
При создании систем на КМОП БИС ЗУ следует учитывать воз-
можность возникновения в них так называемого «эффекта защелкива-
ния», когда ток потребления резко возрастает (до сотен миллиампер)
и может быть уменьшен только за счет отключения и повторного
включения источника питания. «Защелкивание» наиболее часто проис-
ходит, если входные сигналы подаются в отсутствие напряжения пита-
ния или превышают этот уровень. Физической причиной «защелкива-
ния» является наличие в структуре КМОП БИС паразитных четырех-
слойных р-п-р-п элементов, обусловленных конструктивно-технологиче-
скими особенностями КМОП-структур.
Схемотехнические меры борьбы с «защелкиванием» предусматри-
вают включение по входам, выходам и цепям питания ограничиваю-
щих резисторов, которые удерживают переходные токи по этим цепям
на уровнях, меньших пусковых токов паразитных структур. Обычно их
сопротивления составляют несколько сотен ом, что может привести
к дополнительным потерям быстродействия.
Необходимо отмстить, что малая потребляемая мощность КМОП-
структур позволяет создавать БИС ОЗУ, в составе которой могут быть
объединены тактируемый накопитель на динамических однотрапзистор-
ных элементах памяти и схемы дешифрации и управления на КМОП-
структурах. Это позволяет создавать схемы большой информационной
емкости с малой потребляемой мощностью. Такой же принцип исполь-
зуется^при создании КМОП ППЗУ, когда только схемы обрамления
накопителя выполняются на КМОП-структурах. В целом, однако, по-
требляемая мощность КМОП БИС ЗУ в активном режиме при одина-
ковых частотах обращения близка к потребляемой мощности п-МОП
ЗУ, поскольку она зависит от частоты обращения. Существенное пре-
имущество по потребляемой мощности обеспечивается КМОП-струк-
турами в режиме хранения (при «нулевом» обращении), когда она
почти на несколько порядков меньше, чем у n-МОП БИС ЗУ.
Одним нз перспективных направлений создания КМОП ЗУ явля-
ются структуры КМОП КНС (кремний на сапфире), обеспечивающие
высокую стойкость к импульсному воздействию ионизирующих излуче-
ний за счет малой толщины (менее 1 мкм) пленки кремния, в которой
реализуется схема. В результате наведенные фототоки, индуцируемые
импульсом ионизирующего излучения, относительно невелики и слабо
72
сказываются на работе схемы. Однако структуры КМОП КНС имеют
ряд существенных недостатков, связанных с особенностями исходного
материала для изготовления структур и поэтому их применение обу-
словлено рядом специфических случаев. Широкое использование этой
перспективной технологии станет возможным после существенного
улучшения характеристик исходного материала.
Глава пятая
Построение модулей
полупроводниковых запоминающих устройств
5.1. Общие сведения
Модули ЗУ, составляющие часть блока ЗУ, представляют собой
функционально законченные устройства, оптимальные для данного
БИС ЗУ, обеспечивающие заданный информационный объем и быстро-
действие, а при необходимости позволяющие наращивать информацион-
ный объем ЗУ (по адресам и разрядам).
При построении модуля на БИС ЗУ необходимо решить вопросы
выбора типа БИС ЗУ и оптимальной организации накопителя ЗУ —
т. е. соотношения числа слов и разрядов. От выбора типа БИС ЗУ
и способа объединения зависят основные характеристики модуля ЗУ:
емкость, быстродействие, мощность потребления, габариты, надежность
и другие параметры. При объединении БИС ЗУ необходимо предусмот-
реть соответствующие схемы согласования нагрузок по входам и вы-
ходам.
Существует три способа увеличения информационной емкости на-
копителя модуля ЗУ: увеличение разрядности слов; увеличение количе.
ства слов; увеличение разрядности и количества слов.
Увеличение количества разрядов ЗУ осуществляется за счет объ-
единения адресных входов БИС ЗУ, информационные входы и выходы
БИС ЗУ являются входами и выходами модуля ЗУ увеличенной раз-
рядности (рис. 5.1,а).
Увеличение количества слов в модуле ЗУ осуществляется с помо-
щью объединения одноименных информационных (входных и выход-
ных) шин БИС ЗУ. Адресные входы БИС, относящиеся к одноимен-
ным разрядам хранимых слов, объединяются и соединяются с частью
разрядов кода адреса. Другая часть разрядов кода адреса подается
на дешифратор выбора микросхемы (DC CS), с помощью которого
производится выбор одной БИС ЗУ в каждом из разрядов ЗУ (рис. 5.1,6).
Увеличение информационной емкости ЗУ за счет приращения ко-
личества слов и их разрядности показано на рис. 5.1,в.
Модульный принцип построения ЗУ позволяет создавать блоки ЗУ
с различными параметрами. При создании модульных ЗУ чаще всего
не удается в равной степени использовать допустимую нагрузочную
способность схем управления и объединенных выводов БИС, что приво-
дит к некоторому увеличению аппаратурных затрат. Однако это позво-
ляет несколько повысить быстродействие (при недогрузке уменьшается
задержка в элементах) и надежность модульных ЗУ.
Существует несколько вариантов организации модульных ЗУ [24].
Вариант 1. Модульное ЗУ с централизованной дешифрацией
БИС ЗУ и модулей памяти (рис. 5.2,а). В устройстве имеется спе-
73
I! но
Адреса
Ч)
Рис. 5.1. Способы увеличения информационной емкости ЗУ:
а —увеличение разрядности слов; б —увеличение количества слов; в — увеличе-
ние разрядности и количества слов
74
Рис. 5.2. Способы организации модульных ЗУ:
пЯТЛЛ!1УР«ЛИ30ва жНоЯ дешифрацией БИС ЗУ и модулей памяти; б - с децент.
Р ванной дешифрацией БИС ЗУ; в —с децентрализованной дешифрацией
БИС ЗУ и БМУ
75
циальный модуль (на рис. 5.2,а не показан) центрального блока управ-
ления ЗУ, в котором формируется временная диаграмма работы модуля
памяти, дешифраторы и другие вспомогательные цепи (в качестве цен-
трального блока управления может быть использована ЭВМ, в которой
применен рассматриваемый модуль ЗУ). Недостаток такой организа-
ции ЗУ — увеличение количества соединений между модулями и цен-
тральным блоком управления ЗУ, преимущество — упрощение схемы
модуля ЗУ.
Вариант 2. Модульное ЗУ с децентрализованной дешифрацией
БИС ЗУ (рис. 5.2,6). В кажом модуле памяти кроме микросхем памяти
содержится дешифратор CS (DC CS), обеспечивающий выбор нужного
БИС ЗУ данного модуля, по команде обращения к данному модулю.
Недостаток такой организации ЗУ — усложнение самого модуля, пре-
имущество— однотипность схемы модуля и упрощение соединений
между модулями. Такой вариант организации ЗУ имеет более гибкие
функциональные возможности и меньшее количество соединений, чем
вариант 1.
Вариант 3. Модульное ЗУ с децентрализованной дешифрацией
БИС ЗУ и БМУ (рис. 5.2,s). В данном ЗУ выбор необходимого модуля
осуществляется с помощью специального сигнала СО, подаваемого не-
посредственно в блок местного управления (БМУ) модуля, который
обеспечивает формирование временной диаграммы работы. Кроме того,
в самом модуле имеется дешифратор выбора БИС данного модуля
(DC CS).
5.2. Расчет модуля ЗУ
Основными факторами, определяющими структуру построения мо-
дуля памяти, являются входные и выходные нагрузочные характери-
стики БИС ЗУ и согласующих схем, а также их временные характе-
ристики. Ниже приводится расчет модуля ЗУ [25].
Нагрузка на согласующие схемы управления модуля памяти, в ко-
тором НК выполнен на биполярных БИС, определяется входными то-
ками логических 0 и 1 и входными емкостями.
Если накопитель выполнен на БИС ЗУ на МОП-структурах, то
входными токами, определяемыми токами утечки, в расчете можно
пренебрегать.
Выходные каскады БИС ЗУ (см. гл. 4) позволяют объединить их
по схеме проводило ИЛИ, если БИС ЗУ выполнено с открытым кол-
лектором, или тремя состояниями (рис. 5.3). При этом объединении
должны соблюдаться требования ТУ на БИС по выходным нагрузкам.
Необходимо иметь в виду, что БИС ЗУ на МОП-структурах, как пра-
вило, строятся по схеме с тремя состояниями и имеют высокую емкост-
ную нагрузочную способность Сг>100 пФ и малую токовую нагрузку
(один вход ТТЛ-схемы). Большинство выходных каскадов БИС ЗУ
обеспечивают совместимость с ТТЛ-схемами. Если это не соблюдается
(например, для ЗУ на p-МОП или КМОП), то применяют специальные
согласующие схемы или ТТЛ-схемы с открытым коллектором.
Количество БИС ЗУ, используемых в накопителе модуля, опреде-
ляется вне зависимости от способов построения накопителя как
Число выходов дешифратора микросхем определяется как
S=Nm/N. (5.2)
76
Рис. 5.3. Схемы объединения выходных каскадов БИС ЗУ:
а — выход с открытым коллектором; б — выход с тремя состояниями
Объединение БИС ЗУ по входу. Под коэффициентом объединения
по любой цепи накопителя (адресной, информационной и управления)
будем понимать число одноименных цепей накопителя модуля ЗУ, ко-
торые необходимо подключить к одному выходу соответствующей со-
гласующей схемы.
Коэффициент объединения по адресным цепям Кел и цепям режи-
ма Кср равен числу БИС ЗУ в накопителе
Kca=Kci^=Qhk- (5.3)
Коэффициент объединения по информационным входным цепям1
Kcdi=Nm/N. (5.4)
Коэффициент объединения по цепям выбора микросхемы
Kccs=nM/n. (5.5)
Для управления цепями выбора микросхемы, как правило, приме-
няют дешифратор DC CS, который управляется адресами и, если не-
обходимо, синхронным сигналом, подключаемым непосредственно
к DC CS или на выход каждой цепи по схеме И.
Нагрузка по одной соответствующей входной цепи накопителя, на-
пример адресной, определяется как
Iai=Kca'XJiaiA 1лн=КслХ.11лн', Сл = КслХС/л-|-Слм. (5.6)
где IAL и Ли — суммарные токи нагрузки логических 0 и 1 по одной объеди-
ненной адресной цепи накопителя модуля ЗУ; Dal и Ьан—входные токи
логических 0 и 1 по одному адресному входу БИС ЗУ; Са—суммар-
1 Для ПЗУ этот параметр отсутствует.
77
ная емкость одной объединенной адресной цепи накопителя модуля ЗУ;
С1А — входная емкость по одному адресному входу БИС ЗУ; Смл —
монтажная емкость но одной адресной цепи НК модуля ЗУ.
Нагрузка по другим входным цепям накопителя определяется по
формуле (5.6) с учетом своих коэффициентов объединения (5.3 ... 5.5)
и своих значений входных токов и емкостей соответствующих цепей
накопителя и соответствующих коэффициентов объединения.
Если нагрузка по любому входу накопителя больше допустимой на
согласующую схему этой цепи, то требуется разделить одноименные
цепи НК на группы и поставить дополнительные согласующие схе-
мы СС.
Коэффициент разветвления Ко по любой входной цепи НК опре-
деляется числом одноименных входов БИС ЗУ, которые можно одно-
временно подключить к выходу согласующей схемы. Коэффициент раз-
ветвления для каждой цепи определяется отдельно из условия обес-
печения согласования токов логических 0, 1 и емкостей и выбирается
равным или меньшим минимального значения, полученного из этих
условий. Например, коэффициент разветвления для согласующей схемы
по адресной цепи
^PAL~ , > 1КРАН~ , > РАС
4AL ЧАН
—(5.7)
CZ4
где Iol, 1он — допустимые выходные токи соответственно логических О
и 1 согласующей схемы (токи нагрузки); CL — емкость нагрузки со-
гласующей схемы; Смл — монтажная емкость по адресной шине; /мь
Ьлн — входные токи логических 0 и 1 по одному адресному входу
БИС ЗУ; С1А — входная емкость по одному адресному входу БИС ЗУ.
Если в параметрах БИС ЗУ указаны требования по фронтам вход-
ных сигналов, то коэффициент разветвления согласующих схем опре-
деляется из условия
KPAt —
Р доп^О/У
2' ^IHmirf-LA
(5.8)
Число групп т по каждой lAnn определяется из соотношения ко-
эффициентов объединения и разветвления. Например, для каждой
адресной цепи
тА = Ксл'Крл min. (5.9)
Причем в (5.9) берется ближайшее большое целое число.
Для цепи режима (WR/RD) тР=Кср/Крр-
Для каждого разряда входных данных то—Ксо^Крт.
Для каждой цепи выхода дешифратора mcs = Kccs/Kpcs, где Крр—
коэффициент разветвления согласующей схемы по цепи режима;
Крщ — коэффициент разветвления согласующей схемы по входным це-
пям данных; Kpcs—коэффициент разветвления согласующей схемы по
цепям выбора микросхемы.
Отсюда число согласующих схем по входным цепям НК модуля
ЗУ т1:!К НК можно определить как
т1Нк=тл log2 N+mp+mDnM+mCsS, (5.10)
где log2W— число адресных входов БИС ЗУ накопителя.
Если модуль памяти имеет большую емкость, то размножение
адреса осуществляется с помощью пирамидальной схемы размножите-
лей, содержащих несколько ярусов [26].
78
Рис. 5.4. Выходные цепи БИС ЗУ с общим коллектором:
а — режим логического 0: б — режим логической 1
79
Объединение БИС ЗУ по выходу. Выходы БИС ЗУ для увеличения
информационной емкости объединяют по проводному ИЛИ или по ло-
гическому ИЛИ. В каждый момент времени можно выбрать только
одну из объединенных микросхем. При объединении БИС ЗУ по логи-
ческому ИЛИ расчет выходных нагрузочных характеристик произво-
дится аналогично расчету схем на логических микросхемах ТТЛ.
При объединении БИС ЗУ по проводному ИЛИ требуемый коэф-
фициент объединения в каждом разряде
Kco=NM/N. (5.11)
Нагрузка на выходе выбранной БИС ЗУ с ОК в точке А (рис. 5.4)
определяется как
ILH— 1оЦ-\-(Кс01 1)/LO~]~ZIRl! С[_= (КсоС i)Co-}-ZCt-~CM, (5.12)
где /ди— ток в режиме логической 1 через резистор /?д; /он— ток
через выбранную БИС ЗУ; Ли— входной ток логической 1 одной цепи
нагрузки; /— ток через резистор /?ь Kcoi—коэффициент объедине-
ния при токовой нагрузке; Со — выходная емкость одной БИС ЗУ;
С, — входная емкость одной цепи нагрузки; Z — число входных цепей
нагрузки; С,и — монтажная емкость; Кеос—коэффициент объединения
при емкостной нагрузке; /до — выходной ток утечки невыбранной
БИС ЗУ.
Влиянием тока /дд на коэффициент объединения Kcoi пренебрегаем.
Рис. 5.5. Выходные цепи БИС ЗУ с тремя состояниями
80
Нагрузка на выходе выбранной БИС ЗУ с тремя состояниями
(рис. 5.5) определяется как
CL= (Kcoc-l)C0-]-ZCr4-CM;
1он=(КсО1—LOH-rZJiH', (5.13)
Iol=(KcOI—1) ILOL-T-Z1 IL,
где bn — входной ток логической 1 одной цепи нагрузки; IiL — вход-
ной ток логического 0 одной цепи нагрузки; Кео/ — коэффициент объ-
единения при токовой нагрузке; Ilol, Iloh — выходные токи логическо-
го 0 и 1 в режиме невыбора (выходные токи утечки).
Допустимый коэффициент объединения по выходу при емкостной
нагрузке для схем с ОК и тремя состояниями
cz.Ton+cn—ZQ-C.,
КСОСдоп<------------с-------------(5-14>
где Ciaon — допустимая емкость нагрузки БИС ЗУ.
Кроме того, коэффициент объединения при токовой нагрузке для
схемы с ОК:
„ _ fLH — fQH + !LO — Z1,H — IR\
Kcoi лоп^ , ' (5.15)
LO ,
для схемы с тремя состояниями:
в режиме логической 1
. ГОН + lLOH ~ 71IH .
КСО1 дон < Г
‘LOH
в режиме логического О
_ lOL + fLOL — 7JIL
^CO/ДОП г
'lol
Допустимый коэффициент объединения по выходу выбирается из
(5.14) и (5.15) по меньшему значению Кео. Если Ксо^Ксоцот то вы-
ходы БИС ЗУ объединяются по схеме проводного ИЛИ.
Если ХсоЖсодоп, то все выходы делятся на группы. Число групп
гионк —Ксо/Ксоцоп. (5.16)
Причем берется ближайшее большее целое число. Выходы БИС ЗУ,
принадлежащие одной группе, объединяются по схеме проводного
ИЛИ, а отдельные группы — по схеме логического ИЛИ.
Для БИС ЗУ с ОК требуется дополнительный внешний резистор
(см. рис. 5.4), в то время как для БИС ЗУ с тремя состояниями рези-
стор не требуется, так как выходной каскад сам является активным
источником тока.
Сопротивление резистора в схеме с ОК — Rl определяется мини-
мальным и максимальный значениями допустимых уровней согласова-
ния па выходе БИС ЗУ. Максимальное значение Rl max определяется
из условия, когда все выходы микросхем имеют значения логической 1
(высокий уровень)
^СС min UОН min _ ._
Lmax Гон + 21 ш+ (Ксо~ о rLD
6—5037
81
а минимальное значение Rl min — когда один из выходов микросхем
•имеет логический 0 (низкий уровень)
U СС max ^01. max
Rl min = / _7 г
‘OLliIL
(5.18)
где Ucc max и L/cc mln — напряжение питания микросхем (максималь-
ное и минимальное); UoHmin—минимальный уровень логической 1,
UoLmax—максимальный уровень логического 0; 1он, Iol—выходной
ток логических 1 и 0 микросхемы ЗУ; /w, 1ц — входной ток логиче-
ских 1 и 0 схемы нагрузки; ILO — ток утечки невыбранной схемы;
Кео — число объединенных выходов микросхемы ЗУ; Z — число управ-
ляемых входов схем нагрузок.
Сопротивление резистора RL должно быть в пределах
Rl min^Rc^iRL max' (5.19)
Если при расчете /?£<! кОм, то чтобы выполнить требование ТУ
ла ИС ТТЛ (Rl — нагрузка БИС ЗУ, см. рис. 5.4), необходимо между
выходом БИС и общей шиной включить дополнительный резистор Rlt
«сопротивление которого может быть определено из выражения
_L=_L- < 1 |-z + ,
Rl #экв R/H %LO )
(5.20)
UОН min
U('C min ОН min
UOH max^L
^СС max UgHmax
(5.21)
Rl <
.где R'axv — суммарное сопротивление параллельно включенных Rlt
Rih/Z (входного сопротивления логических схем в режиме логической
1); Ro—(выходного сопротивления выбранной ИС ЗУ); RloKKco —
—1) — (выходного сопротивления невыбранных БИС ЗУ).
Обычно можно считать, что R^R'»Kn-
Выбор сопротивлений Rt. и R\ влияет на быстродействие модуля
ЗУ. Действительно, емкость СL на выходе БИС ЗУ (после окончания
сигнала CS) заряжается в течение времени /яес<с5) (когда все БИС
ЗУ находятся в закрытом состоянии) через сопротивления Rl и R\.
Отсюда длительность заряда (фронта)
/r=2,3/?8kbC,2., (5.22)
где
RlR^kh R1.R1
₽9KB = Rf. + Я'экв Rl + Rl ’ (5•23)
C'l — KcoCo+ZC,+CM.
Необходимо, чтобы выполнялось условие
(5.24)
где /ядоп — допустимая по ТУ длительность фронта сигнала, подавае-
мого с микросхемы ЗУ на следующую микросхему.
Исходя из (5.23) и учитывая (5.20) ... (5.22), (5.24), можно опре-
делить допустимый коэффициент объединения БИС ЗУ по выходу по
быстродействию
*«>Доп<---------Wi--------~---------------------<5’25>
213 Tl + Rl(Cl до" +<?’ “ ZCr ~См)
€2
После определения сопротивлений RL и из выражений (5.19)
и (5.20) необходимо проверить условие (5.25) и внести коррективы
в значение Кео в формулах (5.14) и (5.15), выбрав минимальное це-
лое значение.
Количество согласующих микросхем по выходу НК модуля ЗУ по
всем разрядам определяется исходя из (5.16):
т'онк—1Понк"м- (5.26)
Количество корпусов микросхем, используемых в модульном ЗУ,
можно определить исходя из (5.1), (5.10) и (5.26):
, тР
ткор зу = ^нк + log2'v т;- '
б.ц б.ц
ПЛ1
-1, mcs тонк
‘ Q 51 б.ц + о Пм
б.ц ^cs
I б.ц,
(5.27)
где — количество адресных согласующих микросхем в одном кор-
пусе выбранной микросхемы; QP — количество согласующих микросхем
в одном корпусе выбранной микросхемы по цепи режима работы; Qd'—
количество согласующих микросхем в одном корпусе выбранной микро-
схемы по входной разрядной цепи; Qcs — количество согласующих ми-
кросхем в одном корпусе выбранной микросхемы по цепи CS; Qo —
количество согласующих микросхем в одном корпусе выбранной ми-
кросхемы по выходной цепи; б. ц. — ближайшее большое целое число.
Расчет потребляемой мощности. Мощность, потребляемая модулем
ЗУ, определяется потребляемой мощностью накопителя и схемами
управления и согласования
^ссзу = ^сснк + Лхупр (5.28)
В некоторых БИС ЗУ, например,-тактируемых ОЗУ, потребляемая
мощность в режимах обращения и хранения разная. Поэтому мощность
потребления выбранных БИС ЗУ (с которых происходит в данный
момент считывание информации) отличается от мощности потребления
остальных БИС ЗУ.
У статических ОЗУ в режиме работы из НК выбирается в течение
цикла только одно число (соответственно всех пм разрядов). Время
выборки определяется соотношением длительности выборки микросхе-
мы tv(cs) и длительности циклов записи и считывания. Выбирая ма-
ксимальное отношение tvicsy/tcYwo'i или /irfcsj/^criirp), имеем
р -р (а
*СС НК- *CCS у"<НК П /
«Л! (CS) «М tcY-^fCS)
+ СС П *CY + CCS п tCy (5
У динамических ОЗУ потребляемая мощность накопителя
Pcchk.=Ucc(Icchk.-{-Iccshk.-{-Icc лгепк), (5.30)
пм
где ^сс///<—^сс~7Г —потребляемый ток в выбранном БИС ЗУ.
Потребляемый ток в невыбранных БИС ЗУ
/ пМ \ *НЕС~'lCY
'CCS iik = 'ccs ~~ n ) tREC
6’
83
Потребляемый ток в режиме регенерации
• пМ \ ^CY
lCC REG НК = ZCC I ^НК ~~п~ I S-
' ' ‘REG
где g — число строк регенерации в БИС.
Временные характеристики. При расчете временных характеристик
модуля ЗУ необходимо учитывать временные параметры БИС ЗУ и
величины задержек на схемах управления и согласования. Так, время
выборки адреса ЗУ
/л(4)ЗУ = ^Л(Л)-НоЛ-|-[^0 °C CS-^SU(4-CS)]-Ho DO,
где tDi; tD dccs', tDDO — соответственно задержки элементов цепей,
адреса дешифратора выбора CS и выходных цепей в модуле ЗУ.
5.3. Примеры построения модулей ЗУ
Модуль программируемого ПЗУ. Модуль PROM емкостью А'м
словХллт разрядов выполнен на элементах статического типа с пере-
жиганием перемычек (рис. 5.6). Программа пережигания обеспечивает-
ся предварительно на специальном программаторе. Модуль ЗУ выпол-
нен с децентрализованной дешифрацией БИС ЗУ (см. рис. 5.2,6).
В устройстве применено объединение шин адреса и данных, поэтому
в модуле ЗУ необходимо предусмотреть регистр, фиксирующий адрес,
чтобы в дальнейшем освободить шину адрес — данные от адреса. Адрес
устанавливается на регистре по специальному сигналу RD\ после его
прекращения информация на шине адрес — данные не влияет на со-
держимое регистра РГ А.
На вход модуля PROM подаются адреса, а с выхода поступают
данные, «зашитые» в накопителе PROM.
Для выбора нужных БИС ЗУ, обеспечивающих должный объем
PROM, необходимо применять дешифратор CS, работающий от стар-
ших разрядов адреса.
Необходимо обеспечить согласование нагрузок по адресным входам
и выходам PROM, а также с РГ А и DC CS. При необходимости (на
рис. 5.6 не показано) применяются дополнительные согласующие кас-
кады.
Если БИС PROM по выходу не имеют три состояния, то необхо-
димо на выходе поставить согласующие схемы с тремя состояниями
по выходу, чтобы не допускать нагрузку шины адрес — данные при
необращении к ЗУ (см. рис. 5.6).
Модуль репрограммируемого ПЗУ. Блок EEPROM состоит из
нескольких аналогичных модулей. На рис. 5.7 показан один из моду-
лей EEPROM емкостью NM словХ и.м разрядов. Каждый БИС ЗУ па
один разряд. Для обеспечения N» слов требуется Q БИС ЗУ. Выход ми-
кросхемы имеет три состояния. Входные и выходные шины данных
объединены. Управление выполняется с децентрализованной дешифра-
цией БИС ЗУ и БМУ (см. рис. 5.2,о). На вход модуля РПЗУ подаются
адреса, сигналы управления WR/RD — сигнал записи — считывания,
СО —сигнал выбора модуля РПЗУ и входные данные. Для обеспече-
ния выбора соответствующих БИС в каждом разряде данного модуля
применяется дешифратор DC CS. Регистр адреса обеспечивает нуж-
ную длительность сигнала адреса с помощью сигнала С, с БМУ. Для
выполнения требования согласования адресных входов НК и выходов
РГ А применяются схемы согласования (СС А). В РПЗУ с электриче-
ской записью и стиранием (EEPROM) запись информации осуществ-
84
Рис. 5.6. Модуль программируемого ПЗУ (PROM)
85
Рир. 5.7. Модуль репрограммируемого ПЗУ (EEPROM)
86
ляется, как правило, в составе устройства вручную с пульта операторе
или автоматически от внешних носителей. Для этого входные данные
поступают на регистр входных данных РГ DIO, а с него по команде
БМУ на соответствующие входы накопителя. Временная диаграмма
работы НК формируется БМУ.
В РПЗУ с электрической записью и УФ стиранием (EPROM) за-
пись данных осуществляется на специальном программаторе отдельной
БИС ЗУ или нескольких БИС ЗУ, расположенных на конструктивной
плате.
Выходные данные поступают непосредственно с микросхемы на
шину данных. В режиме записи выходы микросхемы находятся
в третьем состоянии и не влияют на входные шины, на которых в этом
режиме находятся входные данные.
Модуль статического ОЗУ (/?ДЛ1). Модуль статического ОЗУ емко-
стью Им еловХл.и разрядов (рис. 5.8). Каждый БИС ЗУ имеет п раз-
рядов. Для обеспечения NM словХн.ч разрядов требуется Q БИС ЗУ.
Выход имеет три состояния. Входные и выходные шины данных в мо-
дуле ЗУ, а также адресные шины, независимые. Управление выполняет-
ся с децентрализованной дешифрацией БИС ЗУ (см. рис. 5.2,6).
На вход модуля RAM подаются адреса, сигналы управления (С,
WR/RD) и данные. Имеется несколько сигналов CS(i ...г), обеспечиваю-
щие более удобную систему выборки БИС в устройстве, для чего при-
меняются специальные DC CS. Для тактированных БИС ОЗУ необ-
ходимо применять специальный сигнал С согласно временной диаграм-
ме на данный тип БИС ЗУ. Для иетактированных БИС ОЗУ подача С
на вход DC CS не обязательна, так как в этом случае выбор соот-
ветствующего БИС в одном разряде можно осуществлять адресами
старших разрядов.
Согласование нагрузок (входных сигналов и входов БИС ЗУ) тре-
бует добавочных согласующих схем (см. § 5.2), как показано на
рис. 5.8.
Модуль динамического ОЗУ (RAM). Модуль динамического ОЗУ
выполнен емкостью Нм словХлл< разрядов (рис. 5.9). Шины входных
и выходных данных, а также адресные шины независимые. Управление
выполняется с децентрализованной дешифрацией БИС ЗУ и БМУ (см.
рис. 5.2,в). На вход модуля динамического ОЗУ подаются адреса,
входные данные и сигналы управления (сигнал выбора модуля ОЗУ
(СО) и сигнал запись — считывание). В динамическом ОЗУ необходи-
мо предусмотреть регенерацию данных в режиме хранения. С этой
целью в устройстве имеется генератор регенерации, мультиплексор
адреса, осуществляющий коммутацию адреса в режиме обращения
адресов строк и столбцов и адресов строк регенерации, счетчик адреса
строк регенерации, мультиплексор сигнала RAS (Мх RAS) и триггер
регенерации. Входные адреса модуля ОЗУ делятся на три группы —
адреса строк (До ... Д*), адреса столбцов (ДАЧ.( ... Дш) и адреса
выбора микросхем (Дт+1 ... Длг). Адреса строк и столбцов поступают
через мультиплексор непосредственно на адресные входы БИС ЗУ.
Адреса выбора микросхем поступают на DC RAS и DC CAS и осу-
ществляют выбор нужного БИС ЗУ.
В динамическом ОЗУ для ускорения регенерации данных сигнал
RAS в режиме регенерации подается одновременно на все БИС ЗУ и,
таким образом, регенерация осуществляется поочередно в каждой стро-
ке в зависимости от адреса строки, поступающего со счетчика строк
регенерации через мультиплексор одновременно во всех БИС ЗУ всех
разрядов.
При отсутствии регенерации триггер регенерации (ТГнео) находит-
ся в состоянии разрешения прохождения адресов строк (До ... Д<Д
87
Адрес
j)ut
Л02
VQ(
Рис. 5.9. Модуль динамического ОЗУ (RAM)
через мультиплексор. В момент регенерации генератор регенерации фор-
мирует импульс и устанавливает триггер регенерации в состояние 1
разрешая прохождение адреса строк через мультиплексор со счетчика
адреса строк регенерации и формируя одновременно сигнал /?Д5 через
мультиплексор RAS для всех микросхем накопителя (адреса столбцов
Л*+1 ... А,» подаются на БИС ЗУ независимо от состояния ТГцео).
Работа дешифратора СЛ5 (DC CAS) в режиме регенерации может
быть запрещена для уменьшения потребляемой мощности. Во время
регенерации обращение к модулю динамического ОЗУ из внешних
устройств запрещается.
Возможны и другие способы организации регенерации в модуле.
Например, если быстродействие модуля памяти по ТЗ позволяет ра-
ботать в два такта обращения, то в одном такте происходит обраще-
ние к памяти, а в другом — ее регенерация. При этом генератор реге-
нерации и триггер регенерации не требуются. Кроме того, следует
отметить, что регенерация в модуле памяти динамического ОЗУ не
требуется, если в течение времени ТREG, оговоренного в ТУ на дина-
мические БИС ЗУ, происходит обращение по всем строкам микро-
схем накопителя.
С выхода динамического ОЗУ данные поступают на шнну выход-
ных данных в режиме считывания, во все остальное время выходы
БИС ЗУ находятся в третьем состоянии. БМУ вырабатывает сигналы,
необходимые для работы модуля ОЗУ.
Глава шестая
Корпуса микросхем запоминающих устройств
Микросхемы ЗУ выпускают в корпусах, обозначение которых со-
ответствует ГОСТ 17467—79 [28]. Однако, в связи с тем, что в ли-
тературе и ТУ на микросхемы встречаются обозначения корпусов и
по ГОСТ 17467—72, в справочнике приводятся соответствующие обо-
значения по обоим ГОСТ.
Корпуса микросхем по ГОСТ 17467—72 делятся на четыре типа
(табл. 6.1), по ГОСТ 17467—79 — на пять типов (табл. 6.2).
Условное обозначение конструкции корпуса приведено на рис. 6.1.
Пример. Обозначение корпуса по ГОСТ 17467—72: 201.14—2 — пря-
моугольный корпус типа 2, типоразмер 0,1,14 выводов, регистрационный
номер 2.
Таблица 6.1. Классификация корпусов микросхем по ГОСТ 17467—72
Тип корпуса Форма основания корпуса Расположение выводов корпуса относительно основания
1 Прямоугольная В пределах основания, перпендику- лярно ему
2 Прямоугольная За пределами основания, перпенди- кулярно ему
3 Круглая В пределах основания, перпендику- лярно ему
4 Прямоугольная Параллельно плоскости основания, за его пределами
90
Таблица 6.2. Классификация корпусов микросхем по ГОСТ 17467—79
Тип корпуса Подтип корпуса Форма основания корпуса Расположение выводов корпуса относительно основания
1 2 11 Прямоугольная В пределах основания, перпендикулярно ему В один ряд
12
В два ряда
13 В три ряда и бо- лее
14 По контуру прямо- угольника
21 Прямоугольная За пределами основа- ния, перпендикулярно ему В два ряда
22 В четыре ряда в шахматном поряд- ке
3 31 Круглая В пределах основания, перпендикулярно ему, по одной окружности
ОО Овальная
33 Круглая За пределами основания, перпендикулярно ему, по одной окружности
4 41 Прямоугольная Параллельно плоскости основания, за его пре- делами По двум противо- положным сторо- нам
42 По четырем сто- ронам
5 51 Прямоугольная В пределах основания — перпендикулярно боковым выводным площадкам; в плоско- сти основания — параллельно нижним вы- водным площадкам
91
Пример. Обозначение корпуса по ГОСТ 17467—79: 2101.14—5—
прямоугольный корпус подтипа 21, типоразмер 01, 14 выводов, реги-
страционный номер 5.
Микросхемы ЗУ выпускают в корпусах типов 2 и 4. Шаг выводов
микросхем в корпусе 2 — 2,5 мм, а в корпусе типа 4—1,25 мм.
Выводы корпусов в поперечном сечении имеют прямоугольную
форму. Размеры поперечных сечений выводов лежат в пределах опи-
санной окружности диаметром 0,4 ... 0,7 мм.
Корпуса, содержащие в условном обозначении букву (например,
2140Ю.20—3), хотя и соответствуют ГОСТ 17467—79, но имеют уста-
ревшие названия, поэтому в дальнейшем названия их будут изменены
в соответствии с условными обозначениями, принятыми в этом стан-
дарте.
По вариантам исполнения корпуса микросхем ЗУ разделяются на
три типа: пластмассовые; металлокерамические; стеклокерамические.
Рис. 6.3. Чертеж корпуса типа 4
92
Таблица 6.3. Габаритно-присоединительные размеры корпусов
микросхем типа 2
Габаритно-присоединительные размеры, мм . я « 2
а Pog
корпуса о ч SS а ь с d е 1 g k z «5 о ? «с® S’0 S
5й я СС Q. S
201.14—2. 201.14—12 14 0.5 1.5 2.5 15 4 5 7,5 19.5 19,5 0.34 0,27 I
201.16—6 16 0.5 1.5 2.5 17,5 5 5,5 7.5 I
201.16-8 16 0.59 1,28 2.5 17,5 3.9 Г 7.5 19,2 0.36 II
201.16—11 16 0,52 2.5 17,5 4,5 7.5 19,2 0.32 II
201.16—16 16 0.5 1.3 2.5 17,5 4 4.5 7,5 19 0.3 I
201.16-17 16 0,59 2.5 17,5 3,9 5 7.5 19.2 0,36 и
210. А.22-1 22 0.59 1.28 2.5 25 3,9 4 ,93 10,16 27.9 0.36 II
210. А.22—3 22 0.59 1.5 2.5 25 3,9 5 10 29,5 0,36 I
210.Б.24—2 24 0.59 1,28 2.5 27.5 3.7 4.65 15 29.5 0,3'5 II
210. Б. 24—5 24 0,59 1,28 2,5 27.5 3.9 6 15 29,5 0.36 II
236.16—1. 238.16-2 16 0.5 1.5 2,5 17.5 4 5 5,5 7.5 21,5 0,34 0.34 I
239.24-2 24 0.5 1.5 2.5 27.5 4 15 31,5 I
2103.16—1. 2103.16—2 16 0.59 1.5 2.5 17,5 3.4 3.9 4,6 7.5 20 0.3 0.32 I
2103.16-5 16 0.52 2.5 17,5 4,7 7.5 19,2 II
2103.16-6 16 0.5 1.5 2,5 17,5 3,9 4.6 7,5 19,5 0.3 I
2101.18—1 18 0.50 2.5 20 3.9 5.0 7,5 22.5 0,36 II
2104.18—2 18 0,59 1,28 2.5 20 3,9 5,0 7.5 24,5 0,36 I
2101.18—5 18 0.5 1.3 2.5 20 3.5 4.5 7,5 24.5 0.3 I
2106.16—2 16 0.59 2.5 17,5 4 5 10 20 0.3 I
2107.18-1 18 0.5 1.5 2.5 20 4 5'° 10 22.5 0,35 I
2107.18—2 18 0.5 1.5 2.5 20 5 10 24,5 0.3 I
2107.18—3 18 0,59 1.5 2.5 20 4 5 10 22,5 О.з I
2107.18-4 18 0,59 — 2.5 20 3.9 5 10 23 °,3 1
2118.20—1 20 0.5 1.5 2.5 22.5 3,9 к 15 25 0,34 I
2120.24-1 24 0.57 —— 2.5 27.5 3.9 4.5 15 29,4 0.32 и
2120.24-1 24 0.5 1.5 2.5 27,5 3.9 5 15 — 0,35 I
2121.28—3 28 0,59 1.5 2.5 32,5 4.5 5.5 15 36,5 о.з I
2121.28—5 28 0.5 2.5 32.5 3.9 5 15 36 0,35 I
2121.28—6 28 0.57 1.5 2.5 34.1 3.9 4.7 15 34,6 0,32 11
2121.23-8 28 0,57 2.5 32,5 3.9 6.2 15 34,6 0.32 II
2140.Ю.20-3 20 0.59 — 2.5 22.5 3.9 5 7,5 25 0,3 I
Таблица 6.4 Габаритно-присоединительные размеры корпусов
микросхем типа 1
Тип корпуса Число ВЫВО- ДОВ Габаритно-присоединительные размеры, мм
а с 1 а е 1 ' 1 Л I к т г Р
402.16—11 16 1,25 8,75 5,5 2.5 20,5 12 9,4 0.23 0
402.16—18 16 — 1,25 8,75 10 2.5 31.4 12 9,4 0.23 0
402.16—21 16 0,5 1,25 8,75 10,5 2,5 30.5 11,65 9,45 0.2 1.3
405.24-2 24 0,47 1,25 13.75 11 2,8 34 19,5 12 0.23 0
405.24—7 24 0,5 1,25 13,75 — 3.2 30,9 18 11 0.3 1.5
427.18-1 18 0.5 1,25 10 6.7 3.21 26,5 12.5 12 0,22 0
4106.16—4 16 0.5 1,25 8,75 9.4 2.5 30.6 9,8 9.8 0.18 1.25
4112.16-2 16 0.5 1,25 8,75 4.5 2.8 20.5 12.8 9.4 0,23 0
4112.16-9 16 0,47 1,25 8,75 10.5 2.5 31.6 9.8 9.8 0,15 1,19
4114.24-3 24 0,53 1,25 13,75 10 3 31,6 15 9.8 0.5 1.3
4116.18-3 18 0,47 1.25 10 10 2.5 31,6 9,8 9.8 0.15 1.2
4131.24-3 24 0.45 1,25 13,75 7 3,35 34,4 15,8 18.4 0.2 1.95
93
Пластмассовый корпус образуется путем опрессовки пластмассой
полупроводникового кристалла, смонтированного на выводную рамку.
В металлокерамическом корпусе имеется керамическое основание
с площадкой для монтажа кристалла и выводами; основание имеет
металлизированный ободок по периметру монтажной площадки, к ко-
торому в процессе герметизации микросхемы припаивается или прива-
ривается металлическая крышка.
Стеклокерамический корпус отличается от металлокерамического
корпуса наличием керамической крышки, соединенной с основанием
с помощью стекла.
Конструкции корпусов, используемых для приведенных в настоя-
щем справочнике микросхем ЗУ с указанием их габаритно-присоедини-
тельных размеров, показаны на рис. 6.2 и 6.3, а варианты их испол-
нения для разных типов микросхем — в табл. 6.3 и 6.4 соответственно.
Форма ключа на корпусе не регламентируется и представляет собой
или отметку на корпусе в зоне ключа или специфическую форму пер-
вого вывода.
Глава седьмая
Рекомендации по применению
и эксплуатации микросхем
При эксплуатации необходимо руководствоваться ГОСТ 18725—73
[29] и техническими условиями на конкретный тип БИС ЗУ. Для без-
отказной работы микросхем необходимо строго соблюдать правила
монтажа микросхем в аппаратуре, исключать электрические и тепло-
вые перегрузки и механические повреждения микросхем [30].
7.1. Установка БИС ЗУ на плату
Формовка выводов (в случае формируемых выводов). Для микро-
схем в корпусах типа 4 радиус изгиба равен 2z+10%, где z— тол-
щина вывода; минимальное расстояние от корпуса до центра окружно-
сти изгиба равно 1 мм. На рис. 7.1 в качестве примера приведены ре-
комендуемые размеры формовки выводов микросхем в корпусе типа
4131.24—3.
Рис. 7.2. Пример установки на
плату микросхемы в корпусе ти-
па 4
/ — клей; 2 — корпус микросхемы;
3 — припой; 4 — плата
Рис. 7.1. Пример формовки корпу-
са микросхемы типа 4
94
Лужение выводов методом погружения в расплавленный припой:
Температура расплавленного припоя .... Не более 250 °C
Время погружения..................................Не более 2 с
Расстояние от корпуса до зеркала припоя по длине
вывода............................................Не менее 1 мм
Допустимое число погружений.......................Не более 2
Интервал между двумя погружениями .... Не менее 5 мин
Установка микросхем на плату. Установка микросхем в корпусах
типа 2 производится с зазором, который обеспечивается конструкцией
выводов (при установке БИС, имеющих отклонения выводов до 15° от
номинального, допускается возврат выводов до нормального поло-
жения).
Установка микросхем в корпусах типа 4 производится с зазором!
0 ... 0,7 мм с последующей прилакировкой или приклейкой клеями;
при установке микросхем допускается использование прокладки из
электроизоляционного материала; при приклейке зазор между плоско-
стью основания микросхемы и установочной плоскостью платы должен
быть полностью заполнен клеем. На рис. 7.2 приведен пример крепле-
ния на плате микросхем в корпусе типа 4131.24—3.
Пайка микросхем одножальным паяльником. Рекомендуется начи-
нать пайку с выводов «ОВ» и «Напряжение питания». Пайку осталь-
ных выводов разрешается производить в любой последовательности.
Для микросхем в корпусах типа 2;
Температура жала паяльника.........................Не более 280 °C
Время касания каждого вывода.......................Не более 3 с
Расстояние от корпуса до места пайки (по длине
вывода)..........................................Не менее 1 мм
Интервал между пайками соседних выводов . Не менее 10 с
Жало паяльника должно быть заземлено
Для микросхем в корпусах типа 4:
Температура жала паяльника.........................Не более 265 °C
Время касания каждого вывода.......................Не более 3 с
Интервал между пайками соседних выводов . . Не менее 3 с
Расстояние от корпуса до места пайки (по длине
вывода)..........................................Не менее 1 мм
Жало паяльника должно быть заземлено
Групповая пайка
Для микросхем в корпусах типа 2:
Температура расплавленного припоя .... Не более 265 °C
Время воздействия этой температуры (одновременно
на все выводы)...................................Не более 3 с
Расстояние от корпуса до места пайки (по длине
вывода)..........................................Не менее 1 мм
Интервал между двумя повторными пайками выводов Не менее 5 мин
Для микросхем в корпусах типа 4:
Температура жала группового паяльника ... Не более 265 °C
Время воздействия (одновременно на половину или
на все выводы)...................................Не болеее 2 с
Расстояние от корпуса до места пайки (по длине
вывода)..........................................Не менее 1 мм
Интервал между двумя повторными пайками одной
микросхемы.......................................Не менее 5 с
Жало группового паяльника должно быть заземлено
95
Приклейка и влагозащита. Приклейку микросхем к печатным пла-
там рекомендуется производить клеями АК-20, ВК-9 или мастикой ЛН.
Для влагозащиты рекомендуется применять лак УР-231 или ЭП(730)
(Э-4100), рекомендуемая толщина покрытия лаком УР-231 35 ...
...55 мкм, лаком ЭП-730 — 35 ... 100 мкм, число слоев 3, если нет
других указаний в ТУ на микросхемы.
Рекомендуемая температура сушки клея, мастики и лака 65±5СС.
7.2. Защита микросхем от статического электричества
Воздействие статического электричества 1 на микросхемы ЗУ может
привести к следующим последствиям: появлению аномальных утечек;
уходу параметров за нормы технических условий; короткому замыка-
нию между выводами; нарушению функционирования. Поэтому при
выполнении технологических операций с микросхемами необходимо при-
нимать меры защиты от статического электричества [30].
В первую очередь, эти меры должны быть направлены на устра-
нение основных причин электризации. Это достигается применением ма-
териалов с большой проводимостью для изготовления межоперацион-
ной тары, для рабочих поверхностей и полов и для рабочей одежды
и обуви.
Снижение степени электризации достигается следующими спосо-
бами:
обработкой материалов антистатическими веществами;
нанесением покрытий с низким поверхностным сопротивлением;
за.4?млением электропроводных частей технологического, испыта-
тельного и измерительного оборудования;
поддержанием относительной влажности воздуха в помещениях
на уровне максимально допустимого значения (не менее 50... 60%).
Оператор должен работать с микросхемами с использованием спе-
циального антистатического браслета, подключенного к заземляющей
шине через высоковольтный резистор.
При хранении и транспортировании выводы микросхем должны
быть закорочены между собой.
В аппаратуре во входных каскадах рекомендуется использовать
элементы, ограничивающие повышение напряжения или тока через ми-
кросхему.
При монтаже микросхем рекомендуется применять магнитные и
(или) вакуумные пинцеты.
При ремонте аппаратуры и контроле параметров микросхем в кон-
тактирующих устройствах замену микросхем следует производить толь-
ко при отключенных источниках питания.
7.3. Указания по эксплуатации БИС ЗУ
При эксплуатации микросхем рекомендуется принимать меры, обес-
печивающие минимальную температуру нагрева микросхем и защиту
от воздействия климатических факторов: улучшенную вентиляцию; ра-
циональное размещение микросхем в блоках; применение теплоотво-
дящих панелей и экранов; заливку компаундами.
При организации цепей питания на печатных платах [30] следует
предусмотреть установку развязывающих конденсаторов. Низкочастот-
ные помехи, проникающие в систему по шинам питания, должны бло-
кироваться с помощью конденсатора емкостью из расчета не менее
1 Статический потенциал может быть замерен с помощью электро-
статического вольтметра, например типов С50, С56, С95.
96
0,1 мкФ на микросхему, включенного между выводами «Питание» и
«ОВ» непосредственно у начала проводника печатной платы. Для бло-
кировки высокочастотных помех следует использовать керамические
конденсаторы, распределяя их равномерно по площади печатной платы
из расчета один конденсатор на группу до 10 микросхем. Емкость кон-
денсатора выбирается из расчета не менее 0,01 мкФ на одну микро-
схему. Высокочастотные конденсаторы должны быть расположены
в непосредственной близости от микросхемы ЗУ, особенна вывод «ОВ».
Накопитель должен быть скомпонован по. возможности компактно.
Информационные линии связи в пределах платы рекомендуется
осуществлять с помощью печатного монтажа. Проводники, располо-
женные на различных сторонах платы или в соседних слоях, должны
перекрещиваться под углом 90 или 45°. Особенно следует обратить
внимание на разводку шин питания и «ОВ». Площадь шин должна
быть по возможности максимальной, длина проводников — минималь-
ной. Линии связи длиной от 0,15 до 0,5 м в пределах устройства вы-
полняются несогласованными витыми парами. Обратные провода витых
пар должны заземляться на передающем и приемном концах. При дли-
не линии связи свыше 0,5 м (до 2 м) ее необходимо выполнять согла-
сованными витыми парами. Согласование линии рекомендуется осу-
ществлять с помощью резистора сопротивлением 82 Ом+5 %, вклю-
ченного последовательно в начале линии.
Для всех типов микросхем необходимо соблюдать следующие пра-
вила:
запрещается превышать напряжения питания микросхем, входные
напряжения, электрические нагрузки и другие предельные1 значения
электрических параметров, указанных в технических условиях;
для повышения надежности работы микросхемы рекомендуется
использовать их в облегченных условиях и режимах работы по сравне-
нию с предельно-допустимыми 1 2;
запрещается подведение каких-либо электрических сигналов, в том
числе шин «Питание» и «ОВ» к корпусу и выводам микросхемы, не
используемым согласно принципиальной электрической схеме;
замену микросхем при ремонте аппаратуры производить при
отключенных источниках питания;
допускается подключение выхода микросхем к источнику питания
через резистор, сопротивление которого определяется предельно допу-
стимым выходным током логического 0.
При использовании БИС ЗУ не в полном информационном объеме
свободные адресные входы необходимо подсоединить к шине «ОВ» или
к Ucc (для БИС, выполненных по МОП-технологии, непосредственно
к Ucc, а для БИС, выполненных по биполярной технологии, к Ucc
через резистор).
Если микросхема ЗУ имеет раздельные вход и выход информации
и если выход микросхемы имеет три состояния, допускается объеди-
нять выводы микросхемы вход и выход информации при соблюдении
соответствующих нагрузочных характеристик микросхемы.
1 Предельные электрические режимы эксплуатации БИС ЗУ опре-
деляются, как значения электрических режимов, при которых парамет-
ры не регламентируются, а после снятия воздействия и перехода на
режимы, указанные в таблицах статических и динамических пара-
метров, параметры БИС соответствуют нормам ТУ.
2 Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации БИС
ЗУ определяются как значения электрических режимов, при которых
параметры БИС ЗУ соответствуют нормам, указанным в таблицах ста-
тических и динамических параметров соответствующих типов БИС ЗУ.
7—5037 97
РАЗДЕЛ ВТОРОЙ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ И РЕКОМЕНДАЦИИ
ПО ПРИМЕНЕНИЮ БИС ЗАПОМИНАЮЩИХ
УСТРОЙСТВ
В разд. 2 помещены справочные листы на выпускаемые отечест-
венной промышленностью полупроводниковые микросхемы запоминаю-
щих устройств широкого применения с произвольной выборкой инфор-
мации. (Все справочные данные приведены для положительной логики.)
При составлении справочных листов использовались ТУ, техни-
ческие отчеты, стандарты, материалы по применению, а также опыт
работы с соответствующими микросхемами ЗУ.
В справочных листах приводятся условные графические обозначе-
ния микросхем, основные статические и динамические параметры, вре-
менные диаграммы работы, рекомендации по применению. В начале
каждого справочного листа приводятся значения основных параметров
данного типа микросхем ЗУ в рабочем диапазоне температур.
Типовые зависимости электрических параметров микросхем от элек-
трических режимов и условий эксплуатации отражают характер изме-
нения электрических параметров и не определяют конкретных гранич-
ных значений.
При применении и эксплуатации микросхем необходимо руковод-
ствоваться ГОСТ 18725—83 и техническими условиями на конкретный
тип микросхем ЗУ.
В справочных листах приводятся минимальные значения выходных
временных параметров tcs, ter и т. п., гарантируемые при подаче
входных сигналов, Л, CS, WR/RD, DI согласно временным характе-
ристикам, указанным в этих справочных листах. Если временные со-
отношения входных сигналов изменяются, то значения выходных вре-
менных параметров могут отличаться от минимальных.
Глава восьмая
Оперативные запоминающие устройства
8.1. Статические ЗУ на основе биполярных структур
СЕРИЯ К134
Статическое оперативное ЗУ на основе
инжекционных элементов
Информационная емкость . . . 1024 бит
Организация................ 1024 словХ1 разряд
Время выборки адреса .... Не более 700 нс
Напряжение питания . ... 5 В±10 %
98
Потребляемая мощность:
в режиме обращения . . . .
в режиме хранения . . . .
Диапазон температур , . , .
Выход............................
Совместимость по входу и выходу
Тип корпуса .....................
Не более 600 мВт
Не более 300 мВт
—40... +85 °C
Открытый коллектор
С ТТЛ-схемами
Металлокерамический,
4112.16—2 (см. рис. 6.3)
Назначение выводов микросхемы К134РУ6
Выводы Назначение Обозначе- ние
2...6, Ю... 13.9 /д 7 1 14 16 8 Адресные входы Вход данных Выход данных Выбор микросхемы Сигнал запись — считывание Напряжение пи- тания Общий А(>.. • D1 DO CS WR RD CD OB
К134РУ6
Таблица истинности микросхемы К134РУ6
CS WR RD Aq ... Лэ Dr DO Режим работы
1 X X X I Хранение
0 0 A 0 1 Запись 0
0 0 A 1 1 Запись 1
0 1 A X Данкые в пря- мом коде Считывание
Предельные режимы эксплуатации микросхемы К134РУ6
(в диапазоне температур —45...+85 °C)
Параметры Значения параметров
МИН. макс.
Напряжение питания, Ucciim, В 6,0
Напряжение входного сигнала, Um„, В —1.5 5,5
Емкость нагрузки, Сш„, пФ — 400
7*
99
Временные диаграммы [Габоты микросхемы К134РУ6
Статические параметры микросхемы К134РУ6
(в диапазоне температур —40...+85 °C)
Параметры Значения параметров Примечания
мин. макс.
Напряжение питания, Ucc, В 4,5 5,5
Ток потребления, мА, в режимах: обращения, Ice — 120 (/сс=5,5 В
хранения, Ices — 60 Ucc=5,5 В
Входное напряжение, В: 0,8
логического 0 0 —
логической 1 2,0 4,5
Входной ток логического 0, мА: по входу CS, llLCS — 1,7 Усс=5,5 В
по адресным входам, Цел — 0,55 С/сс=5,5 В
по остальным входам, //г. — 0,85 {/с„=5,5 В
Входной ток логической 1, 11Н, мА — 0,01 асс=5,5 В
Выходное напряжение, В:
логического 0, U0L — 0,3 (/сс=4,5 В
логической 1, Uон 2,4 — /ot=16 мА
Выходной ток логического 0, IOl — 16 ^сс=4,5 В
Ток утечки на выходе, IL0, мкА — 50 Ucc=5,5 В
100
Подключение нагрузки при измерении динами-
ческих параметров микросхемы К134РУ6:
(Я1=1 кОм; Я2=300 Ом, Ct=100 пФ,
... VDt - 2Д503)
. Ucc
0ff2
-44-
V VD2
3 7 VD^
Динамические параметры микросхемы К134РУ6 (при +23 °C)
Параметр» Значения параметров
мин. макс.
Время выборки адреса, /д(л>, нс — 700
Время выбора микросхемы, tcs, нс — 500
Время установления сигнала выбора микросхемы 200 —
относительно адреса, нс Время установления сигнала записи относительно 30 —
сигнала CS, tsutcs—WR), нс Время установления сигнала CS относительно 200 —
входных данных, tsuioi-cs), нс Время сохранения сигнала адреса поле сигнала 250 —
CS, lv(CS-A), нс Время сохранения входных данных после сигнала 250 —
CS. tv(cs-on, нс Время сохранения записи после сигнала CS, 0 —
t V(CS-WR), НС Длительность, сигнала CS, tw(cs), нс 550 —
Длительность интервала между сигналами CS, 450 —
^RECICSI, нс Время цикла, ^СУ(А)’ нс 1 000 —
Выходная емкость, пФ: по адресному входу, С1А — 10
по остальным входам, С, — 15
Выходная емкость, Со, пФ Емкость нагрузки, CL, пФ — 10
— 100
Примечание. Временные интервалы указаны по уровню 1,3 В соответ-
ствующих сигналов.
Рекомендации по применению
Микросхема может работать в режимах записи, считывания, и хра-
нения информации. В режиме записи сигнал CS можно подавать по-
стоянным уровнем. В режиме считывания сигналы CS и WR/RD мож-
но подавать постоянным уровнем. В режиме хранения певыбранная
схема потребляет мощность в 2 раза меньшую, чем в режиме обра-
щения.
Выводы Д/ и ДО в процессе работы запрещается объединять так
как в режиме записи на выходе микросхемы логическая 1.
Ниже приведены зависимости электрических параметров микро-
схемы от электрических режимов работы и условий эксплуатации.
101
Зависимость /cc~f(T, °C) микросхе-
мы К134РУ6
Зависимость Icc~f(Ucc)
микросхемы К134РУ6
Зависимость Icc=f(F) микросхе-
мы К134РУ6
Зависимость tCs—f(Ucc) миК'
росхемы К134РУ6
Зависимость tcs=
=f(T°C) микро-
схемы К134РУ6
СЕРИЯ К155
Статическое оперативное ЗУ на основе ТТЛ-элементов
К155РУ5
Информационная емкость
Организация
Время выборки адреса . , ,
Напряжение питания
Потребляемая мощность .
Диапазон температур .
Выход ......................
Совместимость по входу и выходу
Тип корпуса ................
256 бит
256 словХ! разряд
Не более 90 нс
5 В + 5 %
Не более 735 мВт
— 10... +70 °C
Открытый коллектор
С ТТЛ-схемами
Пластмассовый, 238.16—2
(см. рис. 6.2)
J02
Назначение выводов микросхемы К155РУ5
Выводы Назначение Обозначение
1...4. ГЛ.. 15 Адресные входы /Iq. .. Л3, Л-
9 Вход данных DI
И Выход данных DO
5...7 Выбор микро- схемы CS., CS2, cs3
10 Сигнал запись — считывание WR/RD
16 Напряжение пи- тания ^CC
S Общий 0B
Таблица истинности микросхемы К155РУ5
c.s, CS, CS, WRlSD Л0-Л7 DI DO Реким работы
M M M X X X 1 Хранение
0 0 1 0 A 0 1 Запись 0
0 0 1 0 A 1 1 Запись 1
0 0 1 1 A X Данные в пря- мом «оде Считывание
Примечание: М — любая комбинация логических уровней или сигна-
лов. отличных от кода CSi=O; CS2=0: C53~l.
К155РУ7
Информационная емкость .
Организация.................
Время выборки адреса .
Напряжение питания
Потребляемая мощность
Диапазон температур
Выход.......................
Совместимость по входу и выходу
Тип корпуса ................
1024 бит
1024 словХ1 разряд
Не более 45 нс
5 В±5%
Не более 840 мВт
—10... +70°С
Три состояния
С ТТЛ-схемами
Пластмассовый, 238.16—2
(см. рис. 6.2)
103
Назначение выводов микросхемы К155РУ7
Выводы Назначение Обозначение
2...6, Адресные входы Ао... А.,
9. ..13 А6... Ад
13 Вход данных DI
7 Выход данных DO
1 Выбор микросхемы CS
14 Сигнал запись — WR RD
считывание
16 Напряжение пита- ^cc
НИЯ
8 Обший OB
Таблица истинности микросхемы К155РУ7
CS WRJRD Ло—^9 DI DO Режим работы
1 X X X Roti Хранение
0 0 A 0 Ron Запись 0
0 0 A 1 Ron Запись 1
0 1 A X Данные в пря- мом коде Считывание
Предельные режимы эксплуатации микросхем серии К155
(в диапазоне температур —10...+70 °C)
Параметры Значения параметров
МИН. макс.
Напряжение питания, Uccum, В Кратковременное напряжение питания в те- чение 5 мс, Ucc к Нт. В Выходной ток, /0 Нт, мА Емкость нагрузки, CL цт, пФ Напряжение входного сигнала, Umm, В Напряжение выходного сигнала логической 1, О он Нт. В —0,4 6,0 7,0 20 200 5,5 5,25
104
t
б)
Временные диаграммы работы микросхемы серии К155:
а — режим записи; б — режим считывания
105
Статические параметры микросхем серии К155
(в диапазоне температур —10... 4-70 °C)
Параметры Значения параметров
K155PX5 К155РУ7
мин макс. МИН. макс.
Напряжение питания, Ucc, В Ток потребления, Ice, мА 4,75 5,25 4,75 5,25 140
— 140 —
Входное напряжение, В: логической 1, U,н 2,4 4,5 2,4 4,5
логического 0, UiL 0 0,4 0 0,5
Входной ток: логической 1, 1 in, мкА — 20 — 40
логического 0, he, мА — 0,8 — “ 0,4
Выходное напряжение, В: логической 1, Uон 2,4 — 2,4 —
логического 0, UOl — 0,45 — 0,45
Выходной ток: логической 1, 1qH, мкА логического 0, Iol, мА 50 50
— 20 — 16
Примечание: 1. Ток потребления измерялся при 1/сс=5,25 В.
2. Выходное напряжение логического 0 измерялось при максимальных зна-
чениях выходных токов. 3. Выходной ток логической 1 измерялся при Ucc=
=5.25 В.
Рекомендации по применению
Микросхемы могут работать в режимах записи, считывания и хра-
нения информации.
У микросхемы К155РУ5 доступ к накопителю (в режиме записи
или считывания) возможен только при соответствующих комбинациях
сигналов CS (CS] = логическому 0; С52=логическому 0; С53=логиче-
ской 1). При необходимости по входам CS можно осуществлять ло-
гическое совпадение сигналов CS. Если это не требуется, то не рабо-
тающие входы CS можно подключить к соответствующим уровням
(Ucc— через резистор или к общей шине).
Временная диаграмма работы микросхем ЗУ приведена выше. В ре-
жиме считывания сигналы выбора микросхемы и считывания можно
подавать уровнями или импульсами. В режимах хранения и обращения
потребляемая мощность одинаковая.
При эксплуатации микросхемы К155РУ7 можно объединять выво-
ды DI и DO (выход DO имеет три состояния) при допустимых на-
грузках. Микросхема К155РУ5 имеет на выходе открытый коллектор,
поэтому у нее такое объединение недопустимо.
Ниже приведены зависимости электрических параметров микросхе-
мы от электрических режимов работы и условий эксплуатации.
106
Динамические параметры микросхем серии К155 (при +25 °C)
Параметры Значение параметров
К155РУ5 К155РУ7
МИН. | макс. МИН. | макс.
Время выборки адреса, нс — 90 — 45
Время выбора, tCs, нс — 30 — 35
Время выборки считывания, tA{Ra}, нс — 40 — —
Время установления сигнала записи отно- сительно адреса, /дщл-тя), нс 10 — — —
Время установления сигнала записи отно- сительно сигнала CS, tsutes—if/?), нс 5 — — —
Время установления сигнала записи отно- сительно входных данных, tsu(oi-WR), нс 5 — —
Время запрещения выходных данных после сигнала CS, toisi.es), нс — 35 — —
Время запрещения выходных данных после сигнала считывания, tDIS(RD}, нс — 40 — —
Время сохранения выходных данных после сигнала записи, tv(VR-oo), нс 5 — — —
Время сохранения адреса после сигнала за- писи, tv(WR-R), НС Время сохранения сигнала CS после сигна- ла записи, tv(wn-cs), нс 5 — — —
5 — — —-
Длительность сигнала записи tw(vR), нс 30 — 30 —
Входная емкость, С/, пФ — 5 — 5
Выходная емкость Со, пФ — 8 — 8
Емкость нагрузки Сд, пФ — 30 — 30
Примечания: 1. Временные интервалы указаны по уровню 1,5 В соот-
ветствующих сигналов.
2. При измерении динамических параметров 1/сс=5 В.
3. При измерении динамических параметров К155РУ7 схема нагрузки следу-
ющая: резистор между выходом и шиной питания Я£1=300 Ом±5 резистор
между выходом и общей шиной /?£2=620 Ом±5 %: конденсатор между выходом
и общей шиной CL=30 пФ±10%.
4. Значения для К155РУ5 и К155РУ7 указаны в диапазоне темпера-
тур —10 . . . +70 'С.
5. Значения tcs для К155РУ7 указаны в диапазоне температур —10...
+70 °C
Зависимость Icc=f (Т, °C) мик-
росхемы К155РУ5 при Ucc=
=5 В и Ст=30 пФ
Зависимость Icc*=f(Ucc) мик-
росхемы К155РУ5 при Т=25°С
и Сд=30 пФ
107
Зависимость временных пара-
метров микросхем К155РУ5 от
нагрузки С,, при 1/Сс=5 В и
7х”=25 °C:
' ~*У(Л-ОО)- 2~1А(А)'' 3~
toisicsy 4~tA(VR)- 5~*СЗ’ 6~
(Л<ПВ1
Зависимость lcc—f(F) микро-
схемы К155РУ5 при (Л?с=5 В,
Г=25’С и CL=30 пФ
Зависимость 7сс=/(Т, °C) мик-
росхемы К155РУ7 при Ucc=
=5,25 В
Зависимость выходного и порого-
вого сигналов микросхемы
К155РУ7 от температуры окру-
жающей среды при IJcc—Ty В:
2 — U0M‘. 2 ~ VOL‘ 3 — UTHRH‘ 4 ~~
UTHRL
Зависимость выходного и по-
рогового сигналов микросхемы
К155РУ7 от напряжения пита-
ния при Г=25“С:
1 ~~ UOH- 2 ~ UOL> 3 — VTHKH'
4 ~ ^THRL
108
Зависимость временных пара-
метров микросхемы К155РУ5
от температуры окружающей
среды при Ucc—5 В и С£=
=30 пФ:
' — ^(А-поу- 2~2л(лу 3~
totSfCS)- 4~,A<.VK')' S~^cs-
^(ЛО)
Зависимость временных пара-
метров микросхемы К155РУ5
от напряжения питания при
7=25 °C и С£=50 пФ:
fV(A-DOy 2~*А(Ау 3~
^ISiCSy 4~1А(ТКУ S — fCS’ 3—
^(ЯО)
Зависимость временных пара-
метров микросхемы К155РУ7
от температуры окружающей
среды при Ucc—5 В и С,.=
=30 пФ:
1 — fA(Ay 2 — fCS< 3 — fDIS(CSy
4 — fAIKD)i S — *Л(1Г/г)
Зависимость временных пара-
метров микросхемы К155РУ7
от напряжения питания при
Г= + 25°С и CL=30 пФ:
' — ^ЦА}- 2 — ,CS' 3~,arS(CS)’
4 ~ fAlRDy 5 — {А(ГП)
109
СЕРИИ К185, КР185
Статическое оперативное ЗУ на тиристорных элементах
памяти с ТТЛ-управлением (КР185РУ2, КР185РУЗ,
К185РУ4, КР185РУ4) и на инжекционных элементах
[К185РУ5, КР185РУ5]
КР185РУ2
Информационная емкость
Организация..................
Время выборки адреса .
Напряжение питания
Потребляемая мощность:
в режиме обращения .
в режиме хранения
Диапазон температур
Выход .......................
Совместимость по входу и выходу
Тип корпуса .................
64 бит
64 словХ! разряд
Не более 210 нс
5 В± 10 %
Не более 310 мВт
Не более 295 мВт
— 10... +70°С
Открытый коллектор
С ТТЛ-схемами
Пластмассовый, 201.14—2
(см. рис. 6.3).
;з — 1 — 2 — J — « — 5 — 9- 10 — 6 — Назначение выводов микросхемы КР185РУ2
Ао 4, 4? А3 4<, 4- DI 1 0 CS RAM 1 *1 § К> Гыводы Назначение Обозначение
я 1, 2, 3, 4, 8 5, 13 12 10 9 8 6 14 7 12 11 Адресные входы Вход данных 0 Вход данных 1 Выход данных Выбо) микросхемы Напряжение пи- тания Общий Резистор 3, 4 кОм +20% Свободный Л1. .• а5, ао D1 ,0- DI J* DO CS исс 0В R
КР185РУ2
Таблица истинности микросхемы КР185РУ2
CS DI .О* DI .1- A„...At DO Режим работы
0 1 1 1 1 X 0 1 0 1 X 1 0 0 1 X А А А X 1 1 1 Данные в пря- мом коде X Хранение Запись 0 Запись 1 Считывание Запрещенное состояние
ПО
КР185РУЗ
Информационная емкость .
Организация.....................
Время выборки адреса . . . .
Напряжение питания . . . .
Потребляемая мощность:
в режиме обращения . . . ,
в режиме хранения . . . .
Диапазон температур . . . .
Выход ..........................
Совместимость по входу и выходу
Тип корпуса .................
64 бит
64 словах 1 разряд
Не более 200 нс
5 В± 10 %
Не более 310 мВт
Не более 95 мВт
— 10... +70°С
Открытый коллектор
С ТТЛ-схемами
Пластмассовый, 201.14—12
(см. рис. 6.3)
Назначение выводов микросхемы КР185РУЗ
Выводы Назначение Обозначение
I, 2. 3. 4, Адресные входы . Л$, Aq
5, 13 Ю Вход данных 0 DI .0-
9 Вход данных 1 DI ,1-
8 Выход данных DO
б Выбор микросхемы CS
14 Напряжение пи- Ucc
7 тания Общий 0 в
12 Резистор R
И 3, 4 кОм ±20% Свободный —
КРГ85РУЗ
КР185РУЗ
Таблица истинности микросхемы
CS DI .0- DI ,1- Ao... A, DO Режим работы
1 X X X 1 Хранение
0 0 1 A 1 Запись 0
0 1 0 A 1 Запись 1
0 0 0 A Данные в пря- мом коде Считывание
0 1 1 X X Запрещенное состояние
К185РУ4, КР185РУ4
Информационная емкость..................... 256 бит
Организация................................ 256 словХ! разряд
Время выборки адреса.......................Не более 200 нс
Напряжение питания.........................5 В±10%
Потребляемая мощность:
в режиме обращения.......................Не более 495 мВт
в режиме хранения........................Не более 250 мВт
Диапазон температур........................—10...+70°C
Вход.......................................Открытый коллек-
тор
Совместимость по входу и выходу .... С ТТЛ-схемами
111
Микросхемы К185РУ4 и КР185РУ4 отличаются друг от друга толь-
ко корпусом. Микросхема К185РУ4 имеют металлокерамический кор-
пус типа 402.16—11 (см. рис. 6.2), КР185РУ4— пластмассовый корпус
типа 238.16—2 (см. рис. 6.3).
г— 3 — 4 — с 11 — 1S — 14 — 15- *2 А3 ^4 *5 А7 UI RAM D0 — S
9 — 0
10 — 1
1 — CS
К185РУ4.
КР185РУ4
Назначение выводов микросхем К185РУ4,
КР185РУ4
Выводы Назначение Обозначение
2, 3, 4, 5, Адресные входы 4 q, ^1* • ’ ^1»
11,13, 14, 15 4?
9 Вход данных 0 DI ,0«
10 Вход данных 1 DI .1-
6 Выход данных DO
1 Выбор микросхемы CS
16 Напряжение пи- исс
тания
8 Общий 0В
7, /2 Свободные —
Таблица истинности микросхем К185РУ4, КР185РУ4
CS 01 .0* DI .1- Д>...Ат DO Режим работы
1 X X X 1 Хранение
0 0 1 А 1 Запись 0
0 1 0 А 1 Запись 1
0 0 0 А Данные в прямом коде Считывание
0 1 1 X X Запрещенное со- стояние
К185РУ5, КР185РУ5
Информационная емкость.....................1024 бит
Организация................................ 1024словХ1 разряд
Время выборки адреса.......................Не более 350 нс
Напряжение питания.........................5 В±10%
Потребляемая мощность:
в режиме обращения......................Не более 360 мВт
в режиме хранения.......................Нс более 225 мВт
Диапазон температур........................—10...+70°С
Выход . . . . ,.......................Открытый коллектор
Совместимость по входу и выходу............С ТТЛ-схемами
112
Микросхемы К185РУ5 и КР185РУ5 отличаются друг от друга
только корпусом. Микросхема К185РУ5 имеют металлокерамический
корпус типа 402.16—11 (см. рис. 6.2), КР185РУ5 — пластмассовый,
типа 238.16—2 (см. рис. 6.3).
Назначение выводов микросхем К185РУ5,
КР185РУ5
К185РУ5.
КР185РУ5
Выводы Назначение Обозначение
1...6, 12...15 Адресные входы А... А;
7 Вход данных 0/
9 Выход данных DO
11 Выбор микросхемы CS
10 Сигнал запись — считывание WR/RD
16 Напряжение пита- ния Ucc
8 Общий OB
Таблица истинности микросхем К185РУ5, КР185РУ5
CS WRIRD Лэ.. .Ai DI DO Режим работы
1 X X X 1 Хранение
0 0 A 0 1 Запись 0
0 0 A 1 1 Запись 1
0 1 A X Данные в прямом коде Считывание
Предельные режимы эксплуатации микросхем серий К185, КР185
(в диапазоне температур —10 ... -}-70°С)
Параметры Значение параметров
мин. макс.
Напряжение питания, Ucciim, В .— 6,0
Напряжение входного сигнала, Uium. В -1,5 5,5
Напряжение выходного сигнала, Un цт, В — 5,5
Выходной ток, 1о Нт, мА — 6,0
ЕМКОСТЬ НагруЗКИ, Cl Пт, пФ — 120
Примечание. У микросхем К185РУ5, КР185РУ5 /0 ;jm=20 мА и
СД(1.„,=2ОО пФ.
8—5037
из
Временные диаграммы работы микросхемы К185РУ2:
а — режим записи; б — режим считывания
114
Временные диаграммы работы микросхемы КР185РУЗ, К185РУ4.
КР185РУ4:
а — режим записи; б — режим считывания
8*
115
Временные диаграммы работы микросхемы К185РУ5, КР185РУ5:
а — режим записи; б — режим считывания
116
Статические параметры микросхем серий К185, КР185
(в диапазоне температур —10 ... -f-70°C)
Параметры
Напряжение питания,
Vcc, В
Ток потребления, мА:
в режиме обращения,
Ice
, f в режиме хранения,
Ices
Входное напряжение, В:
(логического 0, Uu
логической 1, Utli
Входной ток, мкА:
логического 0 для вхо-
да CS In.(cs)
логического 0 для вхо-
дов A, DI 1гцл), IlL(DI)
логического 0 для вхо-
да WR, huvRi
логической 1 для вхо-
да CS, hmcsi
логической 1 для вхо-
дов A, DI, 1тю, Iimoi)
логической 1 для вхо-
да WR,
Выходное напряжение, В:
логического 0, UOr.
логической 1, Uон
Выходной ток, мА:
логического 0, /од
логической 1, 1он
Выходной ток утечки,
Ilo, мкА
Значения параметров
КР185РУ2 КР185РУЗ К185РУ4, КР18БРУ4 К185РУ5, КР185РУ5
мин. макс. мин. макс. мин. макс. МИН. макс.
4,5 5,5 4,5 5,5 4,5 5,5 4,5 5,5
— 56 — 56 — 90 — 65
— 53 — 17 — 45 — 41
— 0,4 — 0,4 — 0,4 0,4
2,4 — 2,4 — 2,4 — 2,4 —
— 950 — 950 — 900 — 400
— 450 — 400 — 450 — 400
— — — — — — — 400
— 25 — 60 — 60 — 25
— 25 — 25 — 60 — 25
— — — — — — — 25
— 0,4 — 0,4 — 0,4 0,4
2,4 — 2,4 — 2,4 — 2,4 —
— 5 — 5 — 5 — • 10
— 0,2 — 0.2 — 0,2 — 0,2
— — — 30 — 30 — 25
токаГ нагрузки3 " " Я: *' ?ыходное ,,апРяжение измерялось при максимальных
2. Все параметры (за исключением Уо„) измерялись при Urr=5,5 В
'ион измерялось при Ucc=4,5 В).
117
Динамические параметры микросхем серий К185, КР185
(в диапазоне температур —10 ... +70°С)
Параметры Значения параметров
КР185РУ2 КР185РУЗ К1Я5РУ4. КР185РУ4 К185РУ5. КР185РУ5
МИН. макс. мин макс. мин. макс. мин. макс.
Время выборки адреса /л(Л), нс Время выбора, tcs, нс — 210 — 200 — 200 — 350
— ПО — 200 — 200 — 350
Время установления сиг- нала CS относительно адреса, fsi/(x-cs)> нс 100 — 0 — 0 — 0
Время установления сиг- нала записи относительно адреса при постоянной выборке tsuiA-vm, нс 150
Время установления входных данных относи- тельно сигнала записи, tsU(WR-DI), НС 0
Время установления входных данных относи- тельно адреса при по- стоянной выборке, tsu(A-Dl), нс Длительность сигнала CS, tv(cs), нс 70
170 — 230 — 230 —— 400 —
Длительность сигнала входных данных, нс 170 — 230 — 230 — — —
Длительность сигнала за- писи, /|T(TR), нс — — — — — — 250 —
Время сохранения адре- са после сигнала CS, ty(CS-A), нс 30 — 0 — 0 — 0 —
Время сохранения адре- са после сигнала записи при постоянной выборке, tv(WR-A), НС 0 —
Время сохранения адре- са после входных данных при постоянной выборке, tv(Dt-A), нс 40 — — ——
Время удержания вход- ных данных относитель- но сигнала CS, tH(cs-Dn, нс — 230 230 — —
Время удержания сигна- ла CS относительно входных данных, 6,(d/-cs> нс 230 230
118
Параметры
КР185РУ2
Окончание
Значения параметров
КР185РУЗ
К185РУ4.
КР185РУ4
К1Н5РУ5,
КР185РУ5
мин. макс. мин. макс. мни. макс. мин. макс.
запрещения вы-
данных после
CS, toisics), не
восстановления
CS, titec(cs), нс
Время
ходных
сигнала
Время
сигнала
Время цикла считывания,
<СУ(ЛО), нс
Время цикла записи,
tcr(VR), НС
Входная емкость. С;, пФ
Выходная емкость, Со,
пФ
Емкость нагрузки, CL, пФ
330
330
150
4
4
80
Примечания. I.
... 5,5 В и Ct = 80 пФ
2. Временные интервалы указаны по
Временные
200
200
200
200
500
500
4
4
80
параметры
170
500
500
4
4
80
измерялись
400
400
при
6
6
80
исс~
уровню 1,5 В соответствующих сигналов
Рекомендации по применению
У микросхем КР185РУ2, КР185РУЗ, К185РУ4 и КР185РУ4 отсут-
ствует команда запись — считывание. Запись осуществляется подачей
на один из входов D1 сигнала логического 0, а на другой вход D1 —
сигнала логической 1; считывание — подачей на оба входа DI («0» и
«1») сигналов логического 0 (см. соответствующие таблицы истинно-
сти и временные диаграммы). Не допускается одновременная подача
уровней логической 1 на оба информационных входа микросхемы при
выбранном адресе (при наличии сигнала CS).
У микросхем КР185РУ2 и КР185РУЗ на кристалле выполнен рези-
стор нагрузки с сопротивлением 3,4 кОм±20 %, подключенный между
шиной Ucc и выводом 12. Для использования этого резистора нагруз-
ки необходимо вывод 12 соединить с выводом 8 (выход данных).
Для исключения функциональных сбоев в работе микросхем на
максимальных частотах обращения длительности фронтов входных сиг-
налов не должны превышать у микросхем КР1852 и КР185РУЗ 25 нс,
У К185РУ4 и КР185РУ — 30 нс, у К185РУ5 и КР185РУ5 этот пара-
/ метр в ТУ не оговорен.
У микросхем К185РУ5 и КР185РУ5 изменение режима запись —
считывание осуществляется командой WR./R.D. Во время считывания
на выходе этих микросхем могут появиться импульсы помехи (уров-
нем логического 0) от фронта импульса выборки микросхемы (сигнала
CS), по длительности не превышающие время выбора tcs. В цикле
записи на выходе могут появиться помехи (уровнем логического 0) на
фронтах импульсов записи.
119
У микросхем КР185РУ2 в режиме записи на выходе может по-
явиться помеха по фронту сигнала выбора микросхемы (CS).
У микросхем КР185РУ2, К185РУ5 и КР185РУ5 допускается пода-
вать сигнал CS в режимах записи или считывания импульсом или
уровнем. В этом случае на вход CS можно подавать Ucc через ре-
зистор сопротивлением 1 ком или О В соответственно.
Микросхемы КР185РУЗ, К185РУ4 и КР185РУ4 являются такти-
руемыми схемами сигналом CS, поэтому у них в режиме записи и
считывания необходимо подавать сигнал CS импульсом.
У микросхем К185РУ5, КР185РУ5 допускается подавать в режиме
записи и считывания сигналы WR/RD импульсом или уровнем.
У микросхем серий К185РУ и КР185РУ не допускается объедине-
ние выводов DO и DI, так как их выход — с открытым коллектором.
Ниже приведены зависимости электрических параметров микросхем
от электрических режимов и условий эксплуатации.
Зависимость lcc=f(Ucc) мик-
росхемы КР185РУ2:
/ — при Т—10 =С: 2 —при Т-
-+25Х; 3 — при Т=+70°С
Зависимость Uol=I(Iol) мик-
росхемы КР185РУ2 при Т=
= + 25 °C и Усс=5.5 В
U0L,b
Зависимость lccs=f(UCc)
микросхемы КР185РУ2 при
7=+ 25 °C
Зависимость tcs—f(Ucc)
микросхемы КР185РУ2 при
Сд = 50 ПФ И tcV(RD) =
=0,33 мкс:
/ — при 10 °C; 2 —при т-
-+70°С
120
Зависимость tOis(cs}=f (Ucc)
микросхемы КР185РУ2
Cl=50 пФ и <сг(яо)=0,33
/ — при 7—10 °C: 2—при
- + 70°С
при
мкс:
т-
Зависимость tnis(c$i~
—f(Ucc) микросхемы
КР185РУ2 при Ct=120 пФ
и ^c>(rd)=0,33 мкс:
/ — при Т—10 °C: 2 —при 7=
-+25 °C; 3 —при 7—+70 °C
Зависимость <d/s<csi=
=f(UCc) микросхемы
КР185РУ2 при Ct=80 пФ
и /сг(лр)=0,33 мкс:
/ — при Г-+25 °C; 2 —при 7=
-+70°С
Зависимость lccs=f(Ucc)
микросхемы КР185РУЗ:
/ — при Г-+ 25 °C: 2-при Т-
—10 °C; 3 — при 7=+ 70 °C
Зависимость /cc~f(Ucc)
микросхемы КР185РУЗ при
7=+ 25 °C
Зависимость UoL=f (Iol) мик-
росхемы КР185РУЗ при Т=
= •+25 °C и Ссс=5,5 В
Зависимость Zo/s(cs)=
=f(Ucc) микросхемы
КР185РУЗ при Cj. -80 пФ и
/спяо)=0,5 мкс:
/-при Г- + 25°С; 2-7-
--10 °C; 3 — при 7=+70 °C
121
Зависимость tcs=f(Ucc)
микросхемы КР185РУЗ при
Сд=80 ПФ И tcr(RD)=
=0,5 мкс:
/ — при 7"-+25’С; 2 —при Т-
----10 °C; 3 — при Г-+70 °C
Зависимость lccs=f(Ucc) мик-
росхемы К185РУ4, КР185РУ4
при Т=+25’С
Зависимость lcc=f(Ucc)
микросхемы К185РУ4,
КР185РУ4 при Т= + 25°С
120
110
100
SO
W 60 80 100 С^,пФ
Зависимость tCs=f(CL)
микросхемы К185РУ4,
КР185РУ4 при (7Сс=4,5 В
и /сг(ло)=0,5 мкс:
1 — при Т—10 °C; 2 — при Г=
-+26 °C; 3 — при Т-+70°С
Зависимость tcs—f(CL) микро-
схем К185РУ4, КР185РУ4 при
£/сс=5,0 В и ^сг(яр)=0,5 мкс:
1 — при Г——10 °C: 2 — при Т—
- +25 °C; 3 —при Г-+70 °C
Зависимость tcs=l(Ci.') микро-
схем К185РУ4, КР185РУ4 при
1/сс=5,5 В и ^cr(RO)=0,5 мкс:
/ — при Т—10 °C; 2—при Т-
= +25 °C; 3 —при Г-+70 °C
122
Зависимость Uol=
микросхем
К185РУ5, КР185РУ5
при £/сс=4,5 В; Т=
=—10 °C
Зависимость tnis/cs~
=f(Ucc) микросхем
К185РУ4, КР185РУ4
при Cl=80 пФ и
<сг(1го)=0,5 мкс:
7— поя Т—10 °C; 2 —при
7—+25 °C; 3 — при Т=
-+70 ’С
0,30
0,2k
0,36
0,18
10 15
Зависимость Icc=f(Т, °C) микросхем
К185РУ5, КР185РУ5 при £/сс=5,5 В
Зависимость Uot.=f(T, °C) микросхем
К185РУ5, КР185РУ5 при t/cc=4,5 В и J0L=
= 10 мА
Зависимость Uol=
микросхем
К185РУ5, КР185РУ5 при
Г=-10°С и /от=10мА
Зависимость tcs=f(T, °C) микросхем
К185РУ5, КР185РУ5 при (/сс=4,5 В
123
Зависимость
tDIS(CS)=f (J,
°C) микросхем
К185РУ5,
КР185РУ5
при (7сс=5,5 В
СЕРИЯ К500
Статическое оперативное ЗУ на основе ЭСЛ-элементов
К500РУ145
Информационная емкость .
Организация.....................
Время выборки адреса . . . .
Напряжение питания . . . .
Потребляемая мощность
Выход ..........................
Совместимость по входу и выходу .
Тип корпуса ....................
64 бит
16 словХ4 разряда
Не более 10 нс (при
+ 25 °C)
-5,2 В±5 %
Не более 825 мВт
ЭСЛ-типа
С ЭСЛ-схемами
Пластмассовый, 238.16—2
(см. рис. 6.2)
6 — RAM 0
7 —
5 — 10 — 4? Aj И, 4
4 — VIq 00, — 2
5 — 11 — 01. П1г оог — 14
12 — ™з Ddj — 15
3 — CS
13 — НИ, 'ВЦ
К500РУ145
Назначение выводов микросхемы К500РУ145
Гыводы Назначение Обозначение
6, 7, 9, 10 4, 5, 11, 12 1, 2, 14, 15 3 13 8 16 Адресные входы Вход данных Выход данных Выбор микросхемы Сигнал запись — считывание Напряжение пита- ния Общий Ао... Ая D/0...D/3 DO0...DO3 CS WR RD ^CC OB
Таблица истинности микросхемы К500РУ145
CS WRIRD Ao...A, DO, ..DO, Режим работы
1 X X X 0 Храпение
0 0 A 0 0 Запись 0
0 0 A 1 0 Запись 1
0 1 A X Данные коде в прямом Считывание
124
К500РУ148
Информационная емкость .
Организация.....................
Время выборки адреса . . . .
Напряжение питания . . . .
Потребляемая мощность
Выход ..........................
Совместимость по входу и выходу .
Тип корпуса ....................
64 бит
64 словах I разряд
Не более 15 нс (при
+ 25 °C)
—5,2 В±5 %
Не более 670 мВт
ЭСЛ-типа .
С ЭСЛ-схемами
Пластмассовый, 238.16—2
(см. рис. 6.2)
Назначение выводов микросхемы К500РУ148
Выводы Нвзначение Обозначение
2, 3, 6, 7, Адресные входы Ло... А6
9. 10 13 Вход данных DI
15 Выход данных DO
4,5 Выбор микросхемы cslt cs2
12 Сигнал запись — WR RD
8 . считывание Напряжение пита- Ucc
1, 16 НИЯ Общий OB
11, 14 Свободные —
Таблица истинности микросхемы
К500РУ148
CS, CS, WR/RD Aq— DI DO Режим работы
M M X X X 0 Хранение
0 0 0 A 0 0 Запись 0
0 0 0 A 1 0 Запись 1
0 0 1 A X Данные в пря- мом коде Считывание
логических уровней или сигма*
П р и м е ч а и и е. М—любая комбинация
лов, отличная от CSi=0 и CS:-0.
К500РУ410, К500РУ410А
Информационная емкость .
Организация.................
Напряжение питания
Потребляемая мощность
Выход ......................
Совместимость по входу и выходу
Тип корпуса .................
. 256 бит
. 256 словХ! разряд
. -5,2±5%
. Не более 770 мВт
. ЭСЛ-типа
. С ЭСЛ-схемами
. Пластмассовый, 238.16—2
(см. рис. 6.2)
125
Классификационные параметры микросхем К500РУ410, К500РУ410А
Тип микросхемы Гремя выборки адреса при +25°С, нс, не более Длительность сигнала записи при +25*0. нс. не менее
К500РУ410 35 30
К500РУ410А 25 20
К500РУ410,
К500РУ410А
Назначение выводов микросхем К500РУ410
К500РУ410А
Выводы Назначение Обозначение
1...4, 9. . .12 Адресные входы Ло- . . i43, Л4... Л7
13 Вход данных D1
15 Выход данных DO
5, 6, 7 Выбор микросхемы csx, cs2 _GS3
14 Сигнал запись — считывание WR RD
8 Напряжение пита- ния UCC
16 Общий 0B
Таблица истинности микросхем К500РУ410, К500РУ410А
CS, CS, CS, WR/RD Ao-A, DI DO Режим работы
M M M X X X 0 Хранение
0 0 0 0 A 0 0 Запись 0
0 0 0 0 A 1 0 Запись 1
0 0 0 1 A X Данные в пря- мом коде Считывание
Примечание. М — любая комбинация логических уровней или сигна-
лов, отличная от CS1 = C52=CS3=0.
К500РУ415, К500РУ415А
Информационная емкость................1024 бит
Организация...........................1024 словХ! разряд
Напряжение питания....................—5,2±5 %
Потребляемая мощность.................Не более 820 мВт
Выход.................................ЭСЛ-типа
Совместимость по входу и выходу ... С ЭСЛ-схемами
Тип корпуса...........................Пластмассовый, 238.16—2
(см. рис. 6.2)
126
Классификационные параметры микросхем К500РУ415, К500РУ415А
Время выборки адреса Длительность сигнала
Тип микросхемы при +25°С, не более. записи при +25 °C,
ИС не менее, нс
К500РУ415 30 25
К500РУ115А 20 15
Назначение выводов микросхем К500РУ415,
К500РУ415А
2 — 4o RAM
3 — 4» V
4 — 42
S'—1
s —
7 — 4s
9 — 4f
IB — A, BO
11 — AS
12 — A9
15 — VI
14 — CS
13 — HR, /RD
t
К500РУ415,
К500РУ415А
Выводы Назначение Обозначение
2...7, 9...12 15 1 14 13 8 16 Адресные входы Вход данных Выход данных Выбор микросхемы Сигнал запись — считывание Напряжение пита- ния Общий А^.А, DO CS WR/RD ^сс 0В
Таблица истинности микросхем К500РУ415, К500РУ415А
CS WR/RD Ao-A, DI DJ Режим работы
1 X X X 0 Хранение
0 0 A 0 0 Запись 0
0 0 A 1 0 Запись 1
0 1 A X Данные в пря- мом коде Считывание
К500РУ470
Информационная емкость
Огранизация ...................
Время выборки адреса . . . .
Напряжение питания . . . .
Потребляемая мощность
Выход..........................
Совместимость по входу и выходу .
Тип корпуса ...................
4096 бит
4096 словХ1 разряд
Не более 35 нс (при
+ 25 °C)
—5,2 В±5 %
Не более П50 мВт
ЭСЛ-типа
С ЭСЛ-схемами
Пластмассовый, 2107.18—3
(см. рис. 6.2)
127
К1500РУ470
2 — А0 RAM $ название выводов микросхемы
3 — Ч — 5 — 6 — А2 А3 Выводы X Назначение Обозначение
7 — 8 — lO- tl — 12 — 13 — 1Ч~ 17 — 16 — 15 — А6 А6 А7 А8 Ад Ат Ап VI CS WVJ 'RD ПС 2. ..8, -• 10...14 17 1 16 15 9 Адресные входы Вход данных Выход данных Выбор микросхемы Сигнал запись — считывание Напряжение пита- ния Ио... D1 DO CS Hr rd Усс
К500РУ470 18 Общий OB
Таблица истинности микросхемы К500РУ470
CS WR/RD Ло—Ли DI DO Режим работы
1 X X X 0 Хранение
0 0 A 0 0 Запись 0
0 0 A 1 0 Запись 1
0 1 A X Данные в пря- мом коде Считывание
Предельные режимы эксплуатации микросхем серии К500
(в диапазоне температур —10 ... 4-70°С)
Параметры Значения параметров
мин. макс.
Напряжение питания, Уссит, В -6,0
Кратковременное напряжение питания в те- чение 5 МС, UcCKlim, В —7,0 —
Напряжение входного сигнала, СЛи™, В —5,5 0
Выходной ТОК, 1о Нт, мА — 27
Емкость нагрузки, CL цт, пФ — 150
128
tsu'rcs
tsu(CS-W41
VI
tsucm-wm
tcs
'Ьчиты-' \ Блокировка при
/ Вание\ записи
'Считы-
1
^A(WR) ^A(WR^
Временные диаграммы работы микросхем серии К.500:
а — режим записи; б — режим считывания
9—5037
Статические параметры микросхем серии К500 (в диапазоне температур —10 ... +70°C)
Параметры Значения параметров
К500РУ145 К5ООРУ148 К500РУ410, К500РУ410Л К500РУ415, К500РУ415А К500РУ470
мин макс. мин. макс. мим. макс. мин. макс. МИН. макс.
Напряжение питания, Ucc, В -5,46 —4,94 —5,46 —4,94 -5,46 —4,94 —5,46 -4,94 —5,46 —4,94
Ток потребления, 1Сс, мА Входное напряжение. В: — 150 — 122 140 —• 150 — 210
логического 0, UIL -2,0 — 1,6 —2,0 — 1,6 —2,0 —1,6 —2,0 -1,6 —2,0 — 1,63
логической 1, UtH Входной ток, мкА: —1,1 -0,6 — 1,1 —0,6 — 1,1 —0,6 — 1,1 —0,6 —0,93 —0,6
логического 0 по выводу CS, IlL(CS) — 50 — 50 — 50 — 50 220
по остальным выводам, 11L — 50 — 50 — 50 — 50 — 50
логической 1 по выводу CS, //Д(СЗ) — 365 — 365 — 365 — 220 — 220
по выводу WR/RD hii(VR) — 365 — 365 — 365 — 50 — 50
по остальным выводам, J/Zw] Выходное напряжение, В: — 50 — 365 — 365 — 50 — 50
логического 0, [£7ozJ логической 1, [t7o„J —1,07 -1,56 —2,0 —1,02 — 1,62 -0,72 —1,07 —1,56 — 1,04 —1,6 —1,04 —1,6
Примем а и и е. Параметры микросхем измерялись при L’cc = —5,2 В.
Значения параметров
Параметры К5ООРУ145 К300РУ148 К500РУ410, К500РУ410Л К500РУ415, К500РУ415Л К500РУ470
МИН. макс. МИН. макс. мин. макс. МИН. макс. МИН. | макс.
Время выборки адреса, нс — 10 — 15 — 35(25) — 30(20) — 35
Время выбора, tcs, нс — 7 — 12 — 12(20) — — — 15
Время выборки сигнала RD, t.^RD), нс — — 15 — 25 — 10 — 20
Время выборки сигнала WR, t.A(WR), НС — — — — — 30 — — — 15
Время установления сигнала CS относительно адреса, tsu(A-cs), нс 0 — — 0 — 0 — — —
Время установления сигнала WR относительно адреса, /зсчл-ия), нс 5 — 5 •— 5 — 10 — 10 —
Время установления сигнала WR относительно сигнала CS, tsmcs-wny, нс 5 — 3 — 5 5 — 5 —
Время установления сигнала WR относительно входных данных, /sU(Dr-ITR), нс 0 — 0,5 — 5 — 5 — 5 —'
Время запрещения выходных дан- ных после сигнала CS. toisics), нс ““ 7 —- 12 — 20 — 10 — 25
«04 «
132
Рекомендации по применению
Микросхема может работать в режимах записи, считывания и хра-
нения информации. При этом входные сигналы на БИС ЗУ подаются
согласно таблице истинности для данного типа микросхемы.
Временная диаграмма БИС ЗУ однотипна для всех ОЗУ ЭСЛ
серии К500.
Работа микросхемы возможна только при соответствующей подаче
сигналов CS (см. таблицу истинности для выбранного типа БИС ОЗУ
ЭСЛ). Если сигнал CS подается на микросхему по нескольким входам,
то возможно по этим входам строить схему И. Если этого не требует-
ся, то все входы CS могут быть объединены либо неиспользованные
входы CS подключены к шине питания. Необходимо учесть, что при
объединении входов CS пропорционально увеличивается нагрузка на
предыдущие каскады.
В режиме записи сигналы выбора микросхемы (CS) можно пода-
вать как импульсом, так и уровнем.
В режиме считывания сигналы выбора микросхемы (CS) и сигнал
считывания (RD) можно подавать как импульсом, так и уровнем.
Если сигнал CS подается уровнем, то данные на выходе микросхемы
появятся при смене адреса через 1а(а>.
Потребляемая мощность в режимах обращения и хранения практи-
чески одинаковая.
Ниже приведены зависимости электрических параметров микросхем
от электрических режимов работы и условий эксплуатации.
Зависимость fo=f(Uo) мик-
росхемы К500РУ145 при
различных температурах
окружающей среды:
1 — Т= — 10°С; 2 —Т=+25’С;
3 — Т= + 70 °C
Зависимость lo—f(Uo) микросхемы
К500РУ148 при различных температурах
окружающей среды:
/ — Т —10 °C; 2 —Т-+25°С; 3 — Г= + 70°С
133
Зависимость временных
параметров микросхемы
К500РУ415 от измене-
ния температуры окру-
жающей среды при
Усс=5,2 В:
1 ~ 2 —hlALliy 3~
2CS- 4~ (OIS(CS)' 3~~2A{RDt'
3 ~ *А(»Я)
Зависимость временных параметров
микросхемы К500РУ415 от нагруз-
ки Cl:
1 ~ tA(AHLY 2~1А(АЬМГ 3~fcs'' 4 ~~
1015(СЗ)’ 5~*А{КОУ 6 —^(ITR)
Зависимость l,t(A)=f (Т, СС) мик-
росхемы К500РУ148 при Усс'
= —5,2 В; /?l = 510 Ом; Сд=4 пФ
Зависимость ^(^)=/(Cl) мик-
росхемы К500РУ148 при Ucc=
==—5,2 В; /?,.=510 Ом; С;. =
=4 пФ
134
Зависимость UaL=f (Т, °C)
микросхем К500РУ410.
К500РУ410А при t/Cc=—5,2 В
Зависимость Uon=f (Г, °C)
микросхем К500РУ410,
К500РУ410А при Ucc=—5,2 В
Зависимость 1СС=[(Т, °C) мик-
росхем К500РУ415,
К500РУ415Л при Усс =-5,2 В
и /?/.=51 Ом
Зависимость /Сс=/(Усс) мик-
росхем К500РУ415,
К500РУ415Л при 7=+ 25 °C
и /?д=51 Ом
Зависимость временных пара- Зависимость временных пара-
метров микросхемы К500РУ470 метров микросхемы К500РУ470
от температуры окружающей от напряжения питания при
среды при Усс=—5,2 В: Г=+25°С:
2-,,Г(Л-ОО)! 1 ~ *А(А)' % — {У(А-ООу B — tcs-
1~tDIS(CS)- 5~*А(ТК)< S~lA{WR)< 6~,A(RDS'
7 — (T(TR) 7 —R)
135
Ucc,8 -5,25 -5,05
Зависимость временных пара-
метров микросхем К500РУ415,
К500РУ415А от температуры
окружающей среды при Ucc==
——5,2 В, J?t=51 Ом и Cl=
=30 пФ:
2~tA(Al.H}< 3~ICS’
*А1ГН)’ ^A(RD)’ ^DIS(CS)
Зависимость временных пара-
метров микросхем К500РУ415,
К500РУ415А от напряжения
питания при Г=25°С, Rl=
=51 Ом и С£=30 пФ:
,~^A(AHL')’ 2~tA{ALH'i' 3~fCS'’
#Л( ЖЯ): *.D/S(CS): 4 ~ KxiRDI
Зависимость временных пара-
метров микросхем К500РУ415,
К500РУ415А от нагрузки при
Ucc=5,2 В и Т=+25°С:
1 ~ fA(AHLy 2 ~ *А(А1Ну 3 ~ *0$’’
^ISICSY 4 ~ ^A(RD)
Зависимость выходных и поро-
говых сигналов микросхемы
К500РУ470 от температуры
окружающей среды при Ucc=
=—5,2:
1 ~ ион’’ 2 ~ ^ой 3 “ UqthrH’
4 ~~ UqtHRL
136
Зависимость Uo=f(T. °C) мик-
росхем К500РУ415,
К500РУ415А при i/cc=—5,2 В
и Яд=51 Ом
Зависимость Uo=f(Ucc) микросхем
К500РУ415, КР500РУ415А при Т=
=+25 °C и Я, =51 Ом
Зависимость lcc—f(T, °C) мик-
росхем К500РУ470 при Ucc=
=-5,2 В
Зависимость временных параметров
микросхемы К500РУ470 от нагруз-
ки CL'.
/ — г—*V(A-DO)! 3~{СЯ' 4~
5 — 6 — lA(RD}
СЕРИЯ К531
Статическое оперативное ЗУ на основе ТТЛШ-элементов
К531РУ8П
Информационная емкость .
Организация..................
Время выборки адреса .
Напряжение питания
Потребляемая мощность
Диапазон температур .
Выход .......................
Совместимость по входу и выходу
Тип корпуса .................
64 бит
16 словХ4 разряда
Не более 35 нс (при
+ 25 °C)
5 В±5 %
Не более 580 мВт
—10... +70°С
Три состояния
С ТТЛ-схемами
Пластмассовый, 201.16—16
(см. рис. 6.2)
137
К531РУ9П
Информационная емкость
Организация
Время выборки адреса .
Напряжение питания
Потребляемая мощность
Диапазон температур
Выход ................
Совместимость по входу и выходу
Тип корпуса ...................
64 бит
16 словХ4 разряда
Не более 35 нс (при
+ 25 °C)
5 В±5 %
Не более 580 мВт
—10... +70 °C
Открытый коллектор
С ТТЛ-схемами
Пластмассовый, 201.16—16
(см. рис. 6.2)
К531РУ8П,
К531РУ9П
Назначение выводов микросхем
К531РУ8П, К531РУ9П
Выводы Назначение Обозначение
1, 15, 14, 13 4, 6, 10. 12 5, 7, 9, И 2 з 16 8 Адресные входы Входы данных Выходы данных Выбор микросхемы Сигнал запись — считывание Напряжение пита- ния Общий Ло. .. 1я D1q...DI3 DO0...DO3 _CS WR/RD ^cc OB
Таблица истинности микросхем К531РУ8П, К531РУ9П
CS WR/RD Ao... A, DU...DI, DOO...DO, Режим работы
1 X X X Хранение
0 0 A 0 R*off Запись 0
0 0 A 1 R*„if Запись 1
0 1 A X Данные в прямом коде Считывание
•Для микросхемы К531РУ9П напряжение на выходах DO соответствует логи-
ческой 1.
138
Подключение нагрузки для измерения динамических параметров мик-
росхем:
/ — пассивная нагрузка к общей шине микросхем К531РУ8П (flj-I кОм, CL-
=30 пФ); 2-пассивная нагрузка к Ucc микросхемы К531РУ8П («2=3000 Ом,
С£=30 пФ); 3 —пассивная нагрузка между Urc и общей шиной микросхемы
К531РУ8П; •/ — пассивная нагрузка микросхемы К531РУ9П (7?3=600 Ом)
Временная диаграмма работы микросхемы в режиме записи и считыва-
ния при постоянном активном сигнале CS;
К531РУ8П— при различных условиях нагрузки на выходе данных DO;
(00'— при нагрузке, соответствующей варианту 1; ДО" —при нагруз-
ке, соответствующей варианту 2, DO"' — при нагрузке, соответствую-
щей варианту 3); К531РУ9П— при нагрузке, соответствующей вари-
анту 4 на выходе данных DO (DO");
139
Временная диаграмма работы микросхемы в режиме записи и считыва-
ния при импульсном сигнале CS:
К531РУ8П —при различных условиях нагрузки (см. рисунок на
стр. 139) на выходе данных DO; (DO' —при нагрузке, соответствую-
щей варианту /; DO" — при нагрузке, соответствующей варианту 2);
К531РУ9П — при нагрузке, соответствующей варианту 4 на выходе
данных DO (DO")
К531РУ11П
Информационная емкость
Организация.................
Время выборки адреса .
Напряжение питания
Потребляемая мощность
Диапазон температур
Выход.......................
Совместимость по входу и выходу
Тип корпуса ................
64 бит
16 словХ4 разряда
Не более 40 нс
5 В±5%
Не более 550 мВт
— 10... +70°С
Три состояния
С ТТЛ-схемами
Пластмассовый, 2107.18—2
(см. рис. 6.2)
140
Назначение выводов микросхемы К531РУ11П
Гыводы Назначение Обозначение
3, 6, 4, 5 Адресные входы Ао.. .А3
2, /, 17, 16 Входы данных Dl0...DI3
7, 8, 10, 11 Выходы данных DO0--.DO3
14 Тактовый сигнал CLK
15 Сигнал записи WR
13 Сигнал считывания RD
12 Сигнал разрешении CEO
выхода
18 Напряжение пита- l cc
НИЯ
9 Общий OB
Примечание. Тактовый сигнал CLK соот-
ветствует тактовому сигналу С по ГОСТ 19480-74 с
изменениями 1981 и 1985 гг.
3 — 6 — 4(1 4, RAM 0 — 7
4 — 5 — 4? 43 DO,
г — 1 — 17 - DI0 DI, DI, DO, — 8
мН 14 — 15 — ^3 CLK *R do2 — 10
13 — 12 — RD CEO • D0} -11
К531РУ11П
Временная диаграмма работы микросхемы К531РУ11П:
DO" ~ при нагрузке, соответствующей варианту 2; DO'—при нагруз-
ке, соответствующей варианту 1 (см. рис. на стр. 139)
141
Таблица истинности микросхемы К531РУ11П
142
Предельные режимы эксплуатации микросхем серии К531
(в диапазоне температур —10 ... +70 °C)
Параметры Значение параметрон
К531РУ8П, К531РУ9П К531РУ11П
мин. | макс. МИН. макс.
Напряжение питания, Ucciim, В Кратковременное напряжение питания в те- чение 5 мс, Ucc к Нт, В Напряжение на выходе, Uinm, В Напряжение на выходе, Uo ит, В Емкость нагрузки, Сщт, пФ 111 II 6,о 5,5 5,5 100 —0,4 —1.2 —0,4 6,0 7,0 5,5 5,5 100
Статические параметры микросхем серии К531
(в диапазоне температур —10 ... +70 °C)
Параметры Значения параметров
Kill РУ8П К531РУ9П К531РУ11П
мин. макс. МИН. | макс. мин. макс.
Напряжение питания Ucc, В 4,75 5,25 4,75 5,25 4,75 5,25
Ток потребления в режиме — НО — 105 — ПО
обращения, Ice, мА Входное напряжение, В: логического 0, Un. 0 0,8 0,8 0,8
логической 1, Uih 2,0 — 2.0 — 2,0 .
Входной ток логического 0, —- 0,25 — 0,25 —— —
he, мА Входной ток логической 1, 0,025 0,025 0,025
hi, мА Выходное напряжение, В: логического 0, hi 0,45 0,45 0,5
логической 1, Iih 2,4 .— 2,4 — 2,4 —
Выходной ток, мА: логического 0, UOl 16 16 16
логической I, Uih — 6,5 — 0,1 — 5,2
Ток утечки на выходе ho, мкА — 50 — 50 — 40
Примечания: 1. Выходное напряжение измерялось при £/^=4,75 В в мак-
симальном значении тока нагрузки, указанном в данной таблице.
2. Все параметры (кроме £7^ и измерялись при усс=5.25 В.
Рекомендации по применению
Микросхемы К531РУ8П и К531РУ9П представляют собой ОЗУ,
работающие в режимах записи, считывания и хранения информации
(см. таблицы истинности и временные диаграммы).
143
Динамические параметры микросхемы К531РУ8П, К531РУ9П
(при -f-2oC)
Значения параметров
Параметры мин. макс.
Время выборки адреса, нс Время выборки, tes, нс Время выборки сигнала считывания, Ецяо). нс Время установления сигнала CS относительно ад- реса, IsU(A-CS), нс Время установления сигнала записи относительно адреса, fsiM-гя), нс Время установления сигнала записи относительно сигнала CS, isu(cs-wm, нс Время установления сигнала записи относительно входных данных, /$ц(о/-гяь нс Время сохранения входных данных после сигнала записи, /г(вя-о/), нс Время запрещения выходных данных после сиг- нала считывания, /оисяо», нс Время сохранения адреса после сигнала записи, Л'(ГЯ-Л). нс Время запрещения выходных данных после сигна- ла CS, (d/sccs), нс Длительность сигнала записи, tvivny Время цикла записи, /сгопгя, нс Емкость нагрузки, CL, пФ 0 35 35 35 35 25 35 25 25 95 35 17 35 35
Примечания: 1. Грсменные интервалы для входных сигналов > казаны по
уровню 1,5 Р, для выходных сигналов логических 0 и 1 соответственно 1.0 В и 3,0 В.
2. Нагрузки, при которых снимались г ременные интервалы, указаны на соответ-
ствующих рисунках.
В режиме считывания сигналы CS и RD можно подавать импуль-
сом или уровнем.
В режиме записи сигнал CS можно подавать импульсом или уров-
нем, сигнал WR — только импульсом.
В микросхеме К531РУ11П имеются входные стробирующие цепи
записи и выходной запоминающий регистр, что позволяет применять
раздельное управление режимами и значительно расширить функцио-
нальные возможности этой микросхемы (см. таблицу истинности и
временную диаграмму):
Режим записи: запись происходит по положительному фронту сиг-
нала CLR и при сигнале й?7?=логическому 0, по выбранному адресу,
соответствующему подаваемому коду адреса. Состояние выхода опре-
деляется сигналами СЕО и RD.
Режим считывания: значения сигналов WR и CI.K безразлично,
однако сигнал СЕК должен оставаться неизменного уровня в течение
всего режима считывания. Считывание происходит по адресу, соответ-
ствующему подаваемому коду адреса. Сигналы СЕО и RD определяют
состояние выхода микросхемы. Выходной запоминающий регистр при-
нимает информацию из ОЗУ (Я£)=логическому 0) и передает ее на
выход микросхемы (СЕО = логическому 0).
144
Динамические параметры микросхем К531РУ11П (при 4-25°С)
Параметры Значения параметров
мин. j макс.
Время выборки адреса, /л<л), нс Время выборки сигнала разрешения выхода. — 40
t А(СЕО), НС Время выборки тактового сигнала записи, — 30
tA(CLK), нс Время установления тактового сигнала записи — 40
относительно адреса, Isuir-clkh нс Время установления тактового сигнала записи 25 -—
относительно сигнала записи, Isuiwr-clk), нс Время установления тактового сигнала записи 10 —
ОТНОСИТеЛЬНО RD, tsUiRD-CLK), нс Время установления тактового сигнала записи 15 ——
относительно входных данных, Isu^di-clk}, нс Время установления сигнала считывания относи- 15 —
тельно адреса, tsviA-Roy, нс Время сохранения адреса после тактового сигна- 40 —
ла записи, /с(ссх-л), нс Время сохранения входных данных после такто- 15 —
вого сигнала записи, (v(cz.x-o/), нс Время сохранения адреса после сигнала считы- 20 —
вания, (у(яо-л), нс Время сохранения сигнала записи после тактово- 10 —
го сигнала tv(CLK-VR), нс Время запрещения выходных данных после сиг- 20
нала разрешения выхода, Idis(ceoihl, нс Время запрещения выходных данных после сигна- — 40
ла разрешения выхода, Iois(ceo)lh, нс — 40
Емкость нагрузки, CL, пФ — 30
Примечания: 1. Временные интервалы указаны по уровню 1.5 в.
2. Нагрузки, при которых снимались временные интервалы, указаны на со- ответствующих рисунках.
Режим хранения — обеспечивается статическим состоянием сигнала
CLK в течение всего режима (независимо от значения—1 или 0).
Выход микросхемы может быть заблокирован с помощью сигнала
СЕО=логической 1 (при этом на выходе микросхемы высокоомное со-
стояние — Ron).
В режиме хранения при заблокированном выходе возможна пере-
дача данных из накопителя ОЗУ по выбранному адресу в выходной
запоминающий регистр. Это позволяет в режиме считывания умень-
шить время выборки информации.
Таким образом, у микросхемы К531РУ11П все сигналы (кроме
CLK) можно подавать импульсом или уровнем.
Ток потребления микросхем серин К531 в режиме хранения инфор-
мации примерно равен току потребления микросхемы при записи или
считывании.
Ниже приведены зависимости электрических параметров микро-
схем от электрических режимов и условий эксплуатации.
10—5037
145
I
Зависимость lcc=f (Г, °C) микро-
схем К531РУ8П, К531РУ9П:
/~УСС=5,25 В; 2-Ucc~S,0 В; 3-
Ucc-4,75 В
Зависимость UoL=f(IoL) микро-
схем К531РУ8П, К531РУ9П при
£ЛС=4,75 В
I,
I
СЕРИИ К541, КР541
Статическое оперативное ЗУ на основе инжекционных
структур
К541РУ1, К541РУ1А, КР541РУ1, КР541РУ1А
Информационная емкость .
Организация....................
Напряжение питания . . . .
Потребляемая мощность
Диапазон температур . . . .
Выход..........................
Совместимость по входу и выходу
4096 бит
4096 словХ1 разряд
5 В±5%
Не более 500 мВт
— 10... +70 °C
Три состояния
С ТТЛ-схемами
Микросхемы К541РУ1. К541РУ1А и КР541РУ1, КР541РУ1А отли-
чаются друг от друга только корпусом. У микросхем КР541РУ1,
КР541РУ1А корпус пластмассовый типа 2107.18—1 (см. рис. 6.2), у ми-
кросхем К541РУ1, К541РУ1А — металлокерамический, 427.18—1 (см.
рис. 6.3).
146
Классификационные параметры микросхем
К541РУ1, К541РУ1А, КР541РУ1, КР541РУ1А
Тип микросхемы Время выборки адреса при +25 ’С. нс
К541РУ1 120
КР541РУ1 120
К541РУ1А 70
КР541РУ1А 70
Назначение выводов микросхем К541РУ1,
К541РУ1А, КР541РУ1, КР541РУ1А
2 — 3 — Ао 4, RAM $
4—1 4?
5 — А3
6 — 4»
7 — а5
8 — 45
10 — 4?
11 — А8 DO — 1
12 — А9
13 — /4 — А10 А11
17 — ш
16 — CS
15 — 4fo
К541РУ1,
К541РУ1А,
КР541РУ1,
КР541РУ1А
Выводы Назначение Обозначение
2 ... 8, 10 ...14 Адресные входы Ло ... Лб,
А, ... Ап
17 Вход данных D1
1 Выход данных DO
16 Выбор микро- —
схемы CS
15 Сигнал запись—
считывание WR/RD
18 Напряжение пи- и
тания исс
9 Общий ОВ
Таблица истинности микросхем К541РУ1, К541РУ1А, КР541РУ1,
КР541РУ1А
CS WR/RD A,-4n D! DO Режим работы
1 X X X Ron Хранение
0 0 A 0 Ron Запись 0
0 0 A 1 Rott Запись 1
0 1 A X Выходные данные в прямом коде Считывание
К541РУ2, К541РУ2А, КР541РУ2, КР541РУ2А
Информационная емкость .
Организация....................
Напряжение питания . . . .
Потребляемая мощность . ,.
Диапазон температур . . . .
Выход..........................
Совместимость по входу и выходу
4096 бит
1024 словХ4 разряда
5 В±5 %
Не более 525 мВт
— 10... +70 °C
Три состояния
С ТТЛ-схемами
10*
'147
Микросхемы К541РУ2, К541РУ2А и КР541РУ2. КР541РУ2А .отли-
чаются друг от друга корпусом. У микросхем К541РУ2, К541РУ2А
корпус металлокерамический, типа 427.18—1 (см. рис. 6.3), у микро-
схем КР541РУ2, КР541РУ2А — пластмассовый, 2107.18—1 (см. рис. 6.2).
Классификационные параметры микросхем
К541РУ2, К541РУ2А, КР541РУ2, КР541РУ2А
Тип микросхемы Гремя вы'орки адреса при + 25 *С, нс
К541РУ2 120
КР541РУ2 120
К541РУ2А 9'1
КР541РУ2А 90
5 — V- 1Г— з — 2»- 1 17 — 16 — 15 — а — ю — Ао А, А2 Aj Az, Aj Afi А? А« Aj £5 /п RAM щ, VID, зюг иш} ( Назначение выводов микросхем К541РУ2, К541РУ2А, КР541РУ2, КР541РУ2А
Выводы Назначение Обозначение
/ ... 7, /5 — 17 16, 17 11 ... 14 —11 я Адресные входы Вход — выход дан- ных Выбор микросхемы Сигнал запись — считывание Напряжение пита- ния Общий Ао А. DIOn...DK)3 CS WR/RD I’cc ЬВ
К541РУ2, К541РУ2А, КР541РУ2, КР541РУ2А 10 18 9
Таблица истинности микросхем К541РУ2, К541РУ2А, КР541РУ2, КР541РУ2А
CS VFR/RD Aq ... А9 DiO0 ... DIO, Режим ра'о ты
1 0 0 0 X 0 0 1 X А А А Rtt 0 i Выходные дан- ные в прямом коде Хранение Запись 0 Запись 1 Считывание
К541РУЗ, К541РУ31 ... К541РУ34, К541РУЗА, К541РУ31А ...
... К541РУ34А, КР541РУЗ, КР541РУ31 ... КР541РУ34
Напряжение питания.........................5 В±5%
Потребляемая мощность......................Не более 565 мВт
Диапазон температур........................—10...+70°C
Выход......................................Три состояния
Совместимость по входу и выходу............С ТТЛ-схемами
Микросхемы К541РУЗ, К541РУЗА и КР541РУЗ отличаются друг
от друга корпусом и назначением выводов.
У микросхемы К541РУЗ, К541РУЗА корпус металлокерамический,
типа 405.24—2 (см. рис. 6.3), у микросхемы КР541РУЗ — пластмассо-
вый, типа 2118.20—1 (см. рис. 6.2).
Классификационные параметры микросхем
Тип микросхемы Информа- ционная емкость, бит Организация, слой, X X разряд Гремя выборки адреса, нс Задействованные адреса
К541РУЗ 16384 16384 X । 150 Все
К541РУЗА 16384 16384 X 1 100 То же
КР541РУЗ 16384 16384 X 1 150 »
К541РУ31 8192 8192 х 1 150 Все кроме
А12=логическому 0
К541РУ31А 8192 8192 х 1 100 То же
КР541РУ31 8192 8192 X 1 150 »
К541РУ32 8192 8192 х 1 150 Все кроме
Л|2=логической 1
К541РУ32А 8192 8192 х 1 100 То же
КР541РУ32 8192 819? х 1 150
К541РУЗЗ 8192 8192 х 1 150 Все, кроме
А|з=логическому 0
К541РУЗЗА 8192 8192 х 1 100 То же
КР541РУЗЗ 8192 8192 х 1 150 »
К541РУ34 8192 9192 х 1 150 Все, кроме
Л 13=логической 1
К541РС34А 819? 8192 х 1 100 То же
КР541РУ34 8192 8192 х 1 150 >
RAM ф
А«
А/
Аг
18
17
16
16
13
10
3
4
5
6
7
8
9
22
20
21
А»
Ау
Aff
А?
AS
Ар
А м
Ац
А13
16
15
19
13
12
11
9
г
з
9
5
6
7
8
17
19
18
К541РУЗ,
К541РУ31 ...
... К541РУ34,
К541РУЗА,
К541РУ31А...
...К541РУ34А
КР541РУЗ,
КР541РУ31 ...
... КР541РУ34
149
Назначение выводов микросхем К541РУЗ, К541РУ31 ... К541РУ34,
К541РУЗА, К541РУ31А ... К541РУ34А
Рыводы Назначение Обозначение
3 ... 9, 10, 13, 15 ... 19 Адресные входы* А7 ... Л13; Л» ... л0
22 Вход данных D1
1 Выход данных DO
21 Выбор микросхемы CS
20 Сигнал запись — считывание WR/RD
24 Напряжение питания ^сс
12 Общий 0B
2, 11, 14, 23 Свободные выводы —
•Микросхемы К541РУ31 . .. К541РУ34. К541РУ31А . . . К541РУ34Л имеют ин-
формационную емкость 8192 бит, поэтому у них на один из адресных входов
подается: К541РУ31, К541РУ32А: на вывод в. соответствующий /4 ц.—логиче-
ский 0: К541РУ32, К541РУ32А: на вывод 8. соответствующий Au—логическая I:
К541РУЗЗ, К541РУЗЗА: на вывод 9, соответствующий Ли, — логический 0;
К541РУ34, К541РУ34А: на вывод 9, соответствующий Ли, — логическая 1.
Назначение выводов микросхем KP54I РУЗ, КР541 РУ31 ... КР541РУ34
Выводы Назначение Обозначение
2 ... 8; 9; Адресные входы * Л7 ... Ai3; Лв; ... Ло
И ... 16
17 Вход данных D1
1 Выход данных DO
18 Выбор микросхемы CS
19 Сигнал запись — считывание WR/RD
20 Напряжение питания lJCC
. 10 Общий OB
•Микросхемы КР541РУ31 ... КР541РУ34 имеют информационную емкость
8192 бит, поэтому у них на один из адресных выводов подается:
КР541РУ31: на вывод 7, сответствующий Au.— логический 0: КР541РУ2: на
вывод 7, соответствующий Au, — логическая 1; КР541РУЗЗ: на вход 8. соот-
ветствующий Ли, — логический 0; КР541РУ34: на вывод 8, соответствующий
Л.,, — логическая 1.
Таблица истинности микросхем К541РУЗ, К541РУЗА, КР541РУЗ,
К541РУ31 ... К541РУ34, К541РУ31А ... К541РУ34А
КР541РУ31 ... КР541РУ34
CS WRfRD A, ... Al, DI • DO Режим работы
1 X A' X Roti Хранение Л
0 0 A 0 Roff Запись 0
0 0 A 1 Roif Запись 1
0 1 A X Данные в пря- мом коде Считывание
150
Временные диаграммы микросхем серий К541, КР541:
а —режим записи; б — режим считывания
151
Предельные режимы эксплуатации микросхем К541, КР541
(в диапазоне температур —10 ... +70°С)
Параметры Значения параметров
мин. макс.
Напряжение питания, Ucc нт, В — . 6,0
Кратковременное напряжение питания в те- чение 10 МС, Ucc к Нт. В Ток нагрузки, Il нт, мА 7,0
— 18
Емкость нагрузки, CLnm, пФ -— 200
Входное напряжение Uttim, В — 0,5 5.5
Выходное напряжение, Uoum, В — исс
Допустимое значение статического потен- циала, В — 100
Примечание: У микросхем К541РУ2, КР541РУ2 емкость нагрузки
CL „„,-1000 пФ. ,
Статические параметры микросхем серий К541, КР541
(в диапазоне температур —10 ... 4-70°С)
Параметры Значения параметров
К541РУ1. КР541РУ1. К541РУ1А, КР541РУ1А К 541 РУ 2, КР541РУ2. К541РУ2А, КР541РУ2А К541РУЗ. К541РУЗА, КР541РУЗ
мин. макс. МИН. макс. МИН. макс.
Напряжение питания, Ucc, В Ток потребления, /Сс, мА 4,75 5.25 4,75 5,25 4,75 5,25
— 95 — 100 —— НО
Входное напряжение. В: логического 0, UtL — 0,8 0,8 . 0,8
логической 1, Uih 2,0 —— 2,0 2,0
Входной ток, мА: логического 0, he — 0.45 0,45 0,5
логической I, Uh — 0,04 — 0,02 — 0,04
Выходное напряжение, В: логического 0, Uol — 0,45 0.45 0.45
логической 1, Uoh Выходной ток, мА: логического 0, /ОЛ 2,4 2,4 2,4
8 8 8
логической 1, 1он — 5,2 — 5,2 5,2
Ток утечки на выходе, мкА Ilol 50 40 40
Iloh — 30 — 50 — 50
Примечание: Выходные напряжения UOL и ио„ измерялись при
Усс=4.75 В и максимальных значениях выходных токов. Все остальные стати-
ческие параметры измерялись при Ucc=5,25 В.
152
Динамические параметры микросхем серий К541, КР541 (при +25°С)
Значения параметров
Параметры К541РУ1, К541РУ1А. КР541РУ1Л, КР541РУ1А К541РУ2. К541РУ2А. КР541РУ2, КР541РУ2А К541РУЗ, К5411>УЗА, КР541РУЗ
МИН. макс. МИН. макс. МИН. макс.
Время выборки адреса, нс — 129 (70) — 120 (90) — 150 (ЮО)
Время выбора, tCs, нс — 50 — 40 — 40
Время установления сигнала CS относительно адреса, tsU<.A-CS), НС — — 50 ~— —
Время установления сигнала записи относительно адреса, tsUlA-VR), НС 45 (30) — 50 — 60 —
Время установления сигнала записи относительно сигнала CS, tsu(cs-wR), нс 0 — 0 —
Время установления сигнала записи относительно входных ДаННЫХ, tsU(Dr-WR4, нс 0 — — —• 0 —
Время сохранения адреса пос- ле сигнала CS, tv(cs-A), нс 0 — 30 — 0 —
Время сохранения входных данных после сигнала записи, tv(WR-DI), НС 0 — 0 — 0
Время сохранения адреса пос- ле сигнала записи, tv(VR-Ai, нс 50 — 30 — 50 (30) —
Время сохранения сигнала CS после сигнала записи, tv(VR-cs), нс — — 0 — — —
Время сохранения входных данных после сигнала CS, tv(CS-DI), нс — — 0 — 0 —
Время запрещения выходных данных после сигнала CS, tolS(CS), нс — 70 (50) 70 50
Время запрещения выходных данных после сигнала WR, tntS(VR), НС — 70 (50) — — —
Время удержания сигнала CS относительно сигнала записи, tH(VR-CS), нс 90 — — — 90 —
Время удержания сигнала CS относительно входных данных, нс — — 60 — —
Время удержания сигнала за- писи относительно входных данных, нс 60
153
Окончание
Параметры Значения параметров
К541РУ14, К541РУ1Л. КР541РУ1, КР541РУ1А К541РУ2. К541РУ2А, КР541РУ2. КР541РУ2А К541РУЗ. К 541 РУЗА. КР511РУЗ
МИН. макс. МИН. макс. мин. макс.
Длительность сигнала записи, tv(VR~l, НС 60 (50) — 60 — 60 —
Длительность сигнала CS, tir(CS), нс Входная емкость, Ct, пФ — — 60 — — —
— 3 — 3 — 3
Выходная емкость. Со, пФ — 6 .— 9 — 6
Емкость нагрузки, CL, пФ — 30 — 30 — 30
Примечание: 1. В скобках указаны значения параметров микросхем
К541РУ1А. К541РУ2А. К541РУЗА, отличные от аналогичных параметров микро-
схем К541РУ1. К541РУ2. К541РУЗ.
2. При измерении динамических параметров схема нагрузки следующая:
Я, !-620 Ом±5 % — резистор между выходом и шиной питания; Яг2-910±
±5 % — резистор между выходом и общей шиной; CL=30 пФ — конденсатор
между выходом и общей шиной.
3. Временные интервалы указаны по уровню 1,5 В.
Рекомендации по применению
Микросхемы могут работать в режимах записи, считывания и хра-
нения информации.
Временные диаграммы работы БИС ЗУ этой серии приведены
выше.
В режиме записи сигнал CS допускается подавать как импульсом,
так и уровнем. Минимальный цикл записи
В режиме считывания сигналы CS и RD допускается подавать как
импульсом, так и уровнем. Допускается подключение выхода микро-
схемы серий К541, КР541 к источнику питания микросхемы через ре-
зистор, ограничивающий выходной ток логического 0 до значений, ука-
занных в таблице статических параметров.
Возможна непосредственная работа микросхемы на шину данных;
при этом непосредственно соединяются входные и выходные выводы,
а режим работы микросхемы определяется сигналом WR/RD.
В режиме хранения потребление мощности такое же, что и в ре-
жиме обращения к микросхеме.
Ниже приведены зависимости электрических параметров микросхем
от электрических режимов и условий эксплуатации.
154
Зависимость Icc=f (Т, °C) микро-
схем К541 РУ 1, К541 РУ 1 А, КР541 РУ 1,
КР541РУ1А при Ucc—5,25 В
Зависимость временных параметров
микросхем К541РУ1, КР541РУ1 от
температуры окружающей среды при
t/cc=5,0 В, С£=30 пФ и RLL=
= 560 Ом:
1 ~~ 2 — *cs! 3 ~ ^DISICS}’ 3 —
Зависимость временных пара-
метров микросхем К541РУ1,
КР541РУ1 от напряжения пи-
тания при Г=4-25°С, CL—
=30 пФ и #а=560 Ом:
1 — ^(Л)' 2 — 2cs: 3 ~ toisicsy 4 ~
Зависимость временных пара-
метров микросхем К541РУ1,
КР541РУ1 от нагрузки CL
при Г=+25°С, (/сс—5,0 В и
#и=560 Ом:
1 ~ 2 — *CS: 3 ~ lDIS(CS}
Зависимость временных пара-
метров микросхем К541РУ1,
КР541РУ1 от нагрузки #,.
при Г=+25°С, Uс с =5,0 В и
Ci=30 пФ:
lCS' Z^DISICS)
155
Jet iM A
80' г—r~-| I ~г~Г ГП
60^_____I— 1 M. J
-10 0 10 20 30 00 50 60 I, °C
let i
0,8 5,0 5,2-Oct, 8
Зависимость Icc=f (T. °C) мик-
росхем К541РУ2, К541РУ2Л.
КР541РУ2, КР541РУ2А при UCc=
=5,25 В
Зависимость /cc=f(Ccc) мик-
росхем К541РУ2, К541РУ2А.
КР541РУ2, КР541РУ2Л при
Г=(25±5)°С
Зависимость временных пара-
метров микросхем К541РУ2.
КР541РУ2 от температуры
окружающей среды при Ucc—
=5,0 В; Ci_=30 пФ:
2— 3~*DIS(CSy
(1Г(ГЯ)
Зависимость временных пара-
метров микросхем К541РУ2,
КР541РУ2 от сопротивления
нагрузки Rli., подключенного
между выходом и общей ши-
ной при Ucc—5,0 В, Т=(25±
±5)°С и Ct=30 пФ:
1 ~ 2 ~ *CS; 3 — *DJS(CS)
Зависимость временных параметров
микросхем К541РУ2, КР541РУ2 от со-
противления нагрузки Ri,h, подклю-
ченного между выходом и напряжени-
ем питания при Ucc = 5,0 В, Г=
= (25±5) “С и Cl = 30 пФ:
156
Зависимость временных
параметров микросхем
К541РУ2, КР541РУ2 от
напряжения питания при
Т= (25±5) °C и CL=
=30 пФ:
2 2~tcs< 3 —
'DIS(CS)‘ ^~tV(VR)
Зависимость временных
параметров микросхем
К541РУ2, КР541РУ2 от
емкости нагрузки при
Усс=5,0 В; Т=
= (25±5) °C:
1 ~ *Л(Л)> 2 ~ tcS' 3 ~
IdIS(CS)
Зависимость' временных парамст.
ров микросхем К-541 РУЗ
К541РУ31 ... К541РУ34,
КР541РУЗ, КР541РУ31...
...КР541РУ34 от температуры
окружающей среды:
2— ^(VTRymin- 3~,СЯ
Зависимость временных парамет-
ров микросхем К541РУЗ.
К541РУ31 .. . К541РУ34,
КР541РУЗ, КР541РУ31...
...КР541РУ34 от емкости на-
грузки:
~ ^Л(Ау 2 ~ *CS’ 3 ~ finest
157
It С, и A
70 Lu—I-----J-----------1
-WO 10 50 50 T,°C.
80
70
60
0,5 4,75 5,0 5,25UCC,B
Зависимость Icc=f (T, ’C)
микросхем К541РУЗ,
К541РУ31 ... К541РУ34,
К541РУЗА. К541РУ31А...
... К541РУ34А, КР541РУЗ,
КР541РУ31 ...КР541РУ34:
1 — при 6'cc = 5,25 В; 2—при Ucc—
-5,0 В; 3 — при Ucc-4,75 В
Зависимость tA(A)—f(UCc) мик-
росхем К541РУЗ, К541РУ31...
... К541РУ34. КР541РУЗ,
КР541РУ31 ...КР541РУ34 при
Т=4-25±10‘С и С<=30 пФ
СЕРИЯ К1500
Статическое оперативное ЗУ на основе ЭСЛ-элементов К1500РУ073 Информационная емкость . . . 256 бит Организация 64 словХ4 разряда Время выборки адреса .... Не более 6 нс Напряжение питания .... —4,5 В = 5 % Потребляемая мощность .... Не более 1100 мВт Диапазон температур + 1 ... 85 °C Выход ЭСЛ-типа Совместимость по входу и выходу С ЭСЛ-схемами Тип корпуса Стеклокерамический, 4114.24—3 (см. рис. 6.2) Назначение выводов микросхемы К150РУ073
Выводы Назначение Обозначение
-А М -А С* 4-1 Со См Кд <Х> ’О «0 1 I 1 1 ! 1 1 1 1 1 1.1. 4о Ч А2 % CS Юс т, ш? Юз RAM Ъ О0о 00, 002 ООз 8...10, _г 12...14 4, 5, 18, 19 — t /, 2, 21, 22 — 22 — 21 3 20 Адресные входы Вход данных Выход данных Выбор микросхемы Сигнал запись — считывание Напряжение пита- ния Общий Свободные ,Л0... А5 Dllt Dl„, Dl2, Dl3 DO,, DO„, DO3. DO3 CS WR RD ^cc OB
К1500РУ073 11 23, 24 6, 7, 15, 16, 17
158
Таблица истинности микросхемы К1500РУ073
CS WR/RD Ло ...» Д 5 DO,... DO, Режим работ
1 X X X 0 Хранение
0 0 А 0 0 Запись 0
0 0 А 1 0 Запись 1
0 1 А X Данные в пря- мом коде Считывание
К1500РУ415
Информационная емкость
Организация.................
Время выборки адреса
Напряжение питания
Потребляемая мощность
Диапазон температур
Выход......................
Совместимость по вход}' и выходу
Тип корпуса ...............
1024 бит
1024 словХ! разряд
Не более 20 нс
—4.5 В±5 %
Не более 675 мВт
+ 1 ... +85 °C
ЭСЛ-типа
С ЭСЛ-схемами
Керамический,
4106.16—4 (см. рнс. 6.2)
Назначение выводов микросхемы К1500РУ415
Выводы Назначение Обозначение
1 2... 7, 9. ..12 Адресные входы Ло • • • Л^
/5 Вход данных DI
1 Выход данных DO
14 Выбор микросхемы CS
13 Сигнал запись — считывание WR/RD
8 Напряжение пита- ния Ucc
16 Общий OB
2 — J — * — 5 — S — 7 — 9 — 10 — 11 — 12 — 15 — 13 — 14 — Ag A, *2 As As A? Ав a9 DI HR/ /R3 C3 RAM <5 DO
К1500РУ415
15»
Таблица истинности микросхемы К1500РУ415
CS WR/RD DI DO Режим раСюты
1 X X X 0 Хранение
0 0 А 0 0 Запись 0
0 0 А 1 0 Запись 1
0 1 А X Данные в при- мем коде Считывание
К1500РУ470
Информационная емкость
Организация.................
Время выборки адреса .
Напряжение питания
Потребляемая мощность
Диапазон температур
Выход ......................
Совместимость по входу и выходу
Тип корпуса ................
4096 бит
4096 слов XI разряд
Нс более 35 нс
-{.о В±5 %
Не более 855 мВт
+ 1 ... +85 °C
ЭСЛ-типа
С ЭСЛ-схемами
Керамический, 4116.18—3
(см. рис. 6.2)
4, I2 Ait А, АВ А9 А ю А11 иг CS /ffn RAM <5 DO
К1500РУ470
Назначение выводов микросхемы К500РУ470
Гыводы Назначение Обозначение
2. ..8, 10...14 Адресные входы Ао... Иц
/7 Вход данных D1
/ Выход данных DO
16 Выбор микросхемы CS
15 Сигнал запись — считывание WR/RD
9 Напряжение пита- ния Lcc
18 Общий OB
160
Таблица истинности микросхемы К1500РУ470
CS WR/RD Ло.-.Л,, Dr DO Режим работа’
1 X X X 0 Хранение
0 0 А 0 0 Запись 0
0 0 А 1 ' 0 Запись 1
0 1 А X Данные в пря- мом коде Считывание
Предельные режимы эксплуатации микросхем серии К1500
(в диапазоне температур +1 ... +85°C)
Значения параметров
Параметры МИН. - макс.
Напряжение питания Uccum, В -6,0 0
Входное напряжение Unim, В —5,0 0
Выходной ток lollm, мА — 30
Временная диаграмма работы микросхем серии К1500
11-5037
161
Статические параметры микросхем серии К1500
(в диапазоне температур 4-1 ... -(-85° С)
Параметры К1500РУ073 К1500РУ415 К1500РУ470
мин. макс. мин. макс. мин. макс
Напряжение питания, (/сс, В -4,725 / —4,275 -4.725 -4.275 -4.725 -4,275
Ток потребления, fcc, мА — 220 — 150 — 150
Входное напряжение, В: -0.88 —1.165 —0,88 -1,165 -0,88
логической 1, U1И —1,165
логического 0, UlL -1,81 -1,62 —1,81 —1,475 -1,81 -1,475
Входной ток логического 0, мА: по входу CS, /щел 0,5 — 0,5 — 0,5
по остальным входам, 1 lL — 0,01 — 0.050 — 0.050
Входной ток логической 1, мА: по входу CS, IIH(CS} — — — 0,220 — 0,220
по остальным входам, 1,н — — — 0,0.50 — 0.050
Выходное напряжение, В:
логической 1, Uo/{ 1,035 — -1.025 -0,880 -1.025 -0,880
логического 0, U0L — —1.61 -1.810 —1,620 —1,810 -1,620
Примечание. Выходные напряжения UOL и U0H измерялись оря
Vcc“—4,5 В и 7?L=51 Ом, включенном между выводом DO и источником
смещения 1/см=— 2 В и при £/,„=—1,165 В; l/;t—1.475 В для К1500РУ73 и
DIH=— 0,88 В; UlL=—1,81 В для остальных микросхем.
Рекомендации по применению
Микросхема может работать в режимах записи, считывания и хра-
нения информации. При этом входные сигналы на БИС ЗУ подаются
согласно таблице истинности для данного типа микросхемы.
Временная диаграмма для всех БИС ЗУ данной серии единая.
В режим записи сигналы выбора микросхемы CS и сигнал записи
WR можно подавать как импульсом, так и уровнем.
В режиме считывания сигналы выбора микросхемы CS и сигнал
считывания RD можно подавать как импульсом, так и уровнем. Если
сигнал CS подается уровнем, то данные на выходе микросхемы по-
явятся при смене адреса через бцл).
Потребляемая мощность в режимах обращения и хранения практи-
чески одинаковая.
162
Динамические параметры микросхем серии К1500
(в диапазоне температур 4-1 ... 4-85 °C)
Параметры К1500РУ073 К1500РУ415 К1500РУ470
МИН. макс. МИН. .мак с. МИН. макс.
Время выборки адреса, /Д(Л), нс — 6,0 — 20 35
Время выбора микросхемы tcs, нс — 4 — 10 — 15
Время выборки сигнала RD, Ia(rd), нс — 7 — 20 —- —
Время установления сигнала записи относительно адреса, tsU(A-VR), нс 2 — 5 — 10 —
Время установления сигнала записи относительно сигнала CS, tsb\cs-VR), нс 2 — 5 — 5 —
Время установления сигнала записи относительно входных ДаННЫХ, tsV(Dl-WR), нс 0,5 — 5 — 5 —
Время запрещения выходных данных после RD, tDrsiRD}, нс — 5 — 10 — 15
Время сохранения входных данных после WR, tv^R-oit, нс 2 — 5 — 5 —
Время сохранения адреса пос- ле WR, tv(VR-A}, нс 2 — 5 — 5 —
Время сохранения сигнала CS после IV7?, tv(WR—cs)y нс 1 — 5 — 5 —
Время запрещения выходных данных после сигнала CS, toiS(CS), нс — 4 — — — —
Длительность сигнала записи, НС 5 — 18 — 30 —
Входная емкость, Ct, пФ — 8 — 8 — 8
Выходная емкость, Со, пФ — 5 — 5 — 5
Емкость нагрузки CL, пФ — 30 — 30 — 30
Примечания: Временные параметры измерялись при нагрузке, состоящей
из = 3 пФ±10% н ₽£ = 51 Ом±5% и включенной между выводом DO и источником
смещения 1/см = —2 В. при длительности фронта входных сигналов //;=0,8±0.2 нс.
2. Временные интервалы указаны по уровню 0.54.
И
163
Ниже приведены зависимости электрических параметров микро-
схем от электрических режимов работы и условий эксплуатации.
1.2
1,0
0,8
Г, °C
Зависимость Счл)/Л<(л)пом=
=/ (Т, °C) микросхем
К1500РУ415, К1500РУ470
Зависимость /сс//сспом =
—f (Г. °C) микросхем
К1500РУ415, К1500РУ470
Зависимость lcc=f (Т, °C)
микросхемы К1500РУ073
Зависимость временных пара-
метров микросхемы
К1500РУ073 от напряжения пи-
тания при 7=+ 25 °C и CL=
=30 пФ:
/ — /Л(.4р 2~tCS- 3~,DIS(CS)
Зависимость временных пара-
метров микросхемы
К1500РУ073 от нагрузки при
окружающей среды при UCc=-
= 4,5 В и Ct = 30 пФ:
/ — ^Л(Л)' 2~(CS: 3~1D1S(CS1
Зависимость временных пара-
метров микросхемы
К1500РУ073 от нагрузки при
Ссс=4,5 В и Г=+25°С:
1 ~ 2 ~ /CS: 3 ~ IdiS(.CS)
164
8.2. Статические ЗУ на основе п-МОП-структур
СЕРИИ К132, КР132, КМ 132
Статические оперативные ЗУ на основе п-МОП-структур
К132РУ2А, К132РУ2Б, КР132РУ2А, КР132РУ2Б
Информационная емкость .
Организация.................
Время цикла записи
Время цикла считывания .
Напряжение питания
Диапазон температур .
Выход ......................
Совместимость по входу и выходу
1024 бит
, , 1024 словХ! разряд
. Не более 650 нс
. Не более 950 нс
. . 5 В±10 %
. . —10...+70 °C
. . Три состояния
. С ТТЛ-схемами
Микросхемы К132РУ2А, К132РУ2Б и КР132РУ2А, КР132РУ2Б
отличаются друг от друга только корпусом. Микросхемы К132РУ2А,
К132РУ2Б имеют металлокерамический корпус типа 402.16—18 (см.
рис. 6.3), микросхемы КР132РУ2А, КР132РУ2Б — пластмассовый, типа
2103.16—6 (см. рис. 6.2).
Классификационные параметры микросхем К132РУ2А, К132РУ2Б,
КР132РУ2А, КР132РУ2Б
Тип микросхемы Время выборки адреса, нс, не более Потребляемая мощность мВт, не более
К132РУ2А 650 390
КР132РУ2А 650 390
К132РУ2Б 950 440
КР132РУ2Б 950 440
Назначение выводов микросхем К132РУ2А,
К132РУ2Б; КР132РУ2А, КР132РУ2Б
Вы воды Назначение Обозначение
/, 2, 4... ...8, 14... ...16 Адресные входы ^1» ^о> ^5, ^4* • • ^2
11 Вход данных D1
12 Выход данных DO
13 Выбор микросхемы CS
3 Сигнал запись— считывание WR RD
10 Напряжение пита- ния UCC
9 Общий 0B
г — i — 16 — 15 — 14 — в — Ч — 5 — 6 — 7 — 11 — 0 — 3 — Afl Af 4? *3 А» As A? 4« Ap VI CS wn/n RAM fl 0 VO — 12
К132РУ2А,
К132РУ2Б,
КР132РУ2А,
КР132РУ2Б
165
Таблица истинности микросхем К132РУ2А, К132РУ2Б,
КР132РУ2А, КР132РУ2Б
S5 WPJRD А,...А, DI DO Режим работы
1 X X X Ruff Хранение
0 0 А 0 Roff Запись 0
0 0 А 1 Roff Запись 1
0 1 А X Данные в пря- мом коде Считывание
К132РУЗА, К132РУЗБ, КР132РУЗА, КР132РУЗБ, КМ132РУЗА,
КМ132РУЗБ
Информационная емкость..................1024 бит
Организация............................. 1024 словХ! разряд
Напряжение питания......................5 В±10%
Диапазон температур.....................—10...+70°C
Выход...................................Три состояния
Совместимость по входу и выходу ... С ТТЛ-схемами
.Микросхемы К132РУЗА, К132РУЗБ, КР132РУЗА, КР132РУЗБ,
КМ132РУЗА, КМ132РУЗБ отличаются друг от друга только корпусом.
Микросхемы К132РУЗА, К132РУЗБ имеют металлокерамический кор-
пус типа 201.16—8 (см. рис. 6.2), микросхемы КР132РУЗА,
КР132РУЗБ — пластмассовый, типа 2103.16—6 (см. рис. 6.2), микросхе-
мы КМ132РУЗА, КМ132РУЗБ — металлокерамический, типа 4112.6—2
(см. рис. 6.3).
Классификационные параметры микросхем К132РУЗА, К132РУЗБ,
КР132РУЗА, КР132РУЗБ, КМ132РУЗА, КМ132РУЗБ
Тип микросхемы Время выборки адреса, нс, не более Потребляемая мощность мВт, не более
К132РУЗА 75 660
К132РУЗБ 125 550
КР132РУЗА 75 660
КР132РУЗБ 125 550
КМ132РУЗА 75 660
КМ132РУЗБ 125 550
166
Назначение выводов микросхем К132РУЗА,
К132РУЗБ, КР132РУЗА, КР132РУЗБ,
КМ132РУЗА, КМ132РУЗБ
2 — 3 — 4 — 5- 6 — 9 — to- ll — 12 — 13 — 15 — Ao At Аг Al, As A? A8 Ag VI RAM $ VO — 7
1 — CS
19 — WR'RV I
К132РУЗА,
К132РУЗБ,
КР132РУЗА,
КР132РУЗБ.
КМ132РУЗА,
КМ132РУЗБ
Выводы Назначение Обозначение
2. ..6, Q /? Адресные входы
/5 Вход данных DI
7 Выход данных DO
/ Выбор микросхемы CS
14 Сигнал запись— WR RD
считывание
16 Напряжение пита- ucc
НИЯ
8 Общий 0B
Таблица истинности микросхем К132РУЗА, К132РУЗБ, КР132РУЗА,
КР132РУЗБ, КМ132РУЗА, КМ132РУЗБ
CS WR/RD л»...л, DI DO Режим работы
1 X X X Хранение
0 0 A 0 Roff Запись 0
0 0 A 1 Roff Запись 1
0 1 A X Данные в пря- мом коде Считывание
КР132РУ4А, КР132РУ4Б
Информационная емкость . . . .
Организация........................
Напряжение питания.................
Потребляемая мощность:
в режиме обращения...............
в режиме хранения................
Диапазон температур................
Выход .............................
Совместимость по входу и выходу .
Тип корпуса .......................
1024 бит
1024 словХ! разряд
. 5 В± 10 %
. Не более 470 мВт
. Не более 250 мВт
. —1О...+7О°С
. Три состояния
. С ТТЛ-схемами
. Пластмассовый, 2103.16—2
(см. рис. 6.3)
167
Классификационные параметры микросхем КР132РУ4А, КР132РУ4Б
Тип микросхемы Время выборки адреса, нс, не более Время цикла записи (считыва- ния), не, не более
КР132РУ4А 33 55
КР132РУ4Б 70 ПО
Назначение выводов микросхем КР132РУ4А,
г — RAM 0 КР132РУ4Б
3 — 4 — 5 — 6 — А, Аг А3 я» Выводы Назначение Обозначение
9 — fO- 11 — 12 — 13 — 15 — 1 — 14 — AS As A? Ag a9 VI E V/Rff P VO — 7 1 2...6, 9.. 13 13 7 1 14 Адресные входы Вход данных Выход данных Выбор микросхемы Сигнал запись— считывание Ао.. .At, А'ЬА' DO CS WR.RD
КР132РУ4А, КР132РУ4Б 16 8 Напряжение пита- ния Общий ucc 0 В
Таблица истинности микросхем КР132РУ4А, КР132РУ4Б
CS WR/RD Ao.. .At DI DO Режим работы
1 X X X Roll Хранение
0 0 A 0 Roff Запись 0
0 0 A 1 Rotf Запись 1
0 1 A X Данные в пря- мом коде Считывание
КМ132РУ5А, КМ132РУ5Б
Информационная емкость............... 4096 бит
Организация.......................... 4096 словХ! разряд
Напряжение питания . ..... 5 В±10 %
Потребляемая мощность:
в режиме обращения.......................Не более 990 мВт
в режиме хранения ...... Не более 165 мВт
168
Диапазон температур...................—10...+70°C
Выход.................................Три состояния
Совместимость по входу и выходу ... С ТТЛ-схемами
Тип корпуса............................. Металлокерамический,
2104.18—1 (см. рис. 6.2)
Классификационные параметры микросхем КМ132РУ5А, КМ132РУ5Б
Тип микросхемы Время выборки цдреса, нс, нс более Время цикла записи (считывания), нс, не менее
КМ132РУ5А КМ132РУ5Б 85 120 85 120
Назначение выводов микросхем КМ132РУ5А,
КМ132РУ5Б
1 — A0 RAM A
2 — Al
3 a2
4 —
5 — Ab
b — A-5
17 —
16 —
15 — A6 00
14 — Ag
>3 — 4*6
12 — A11
11 — 01
10 — CS
8 — ib/Hb 1
КМ132РУ5А,
КМ132РУ5Б
Выводы Назначение Обозначение
1...6. Адресные входы Ао.. .А5,
12...17 4ц... Ае
И Вход данных DI
7 Выход данных DO
10 Выбор микросхемы CS
8 Сигнал запись— WR/RD
считывание
18 Напряжение пита- UCC
НИЯ
9 Общий OB
Таблица истинности микросхем КМ132РУ5А, КМ132РУ5Б
CS WR/RD 4О...Л,, DI DO Режим работы
1 X X X Roft Храп ение
0 0 A 0 Roff Запись 0
0 0 A 1 Roff Запись 1
0 1 A X Данные в пря- мом коде Считывание
169
Информационная емкость
Организация.....................
Напряжение питания . . . .
Потребляемая мощность:
в режиме обращения . . . .
в режиме хранения . . . .
Диапазон температур . . . .
Выход...........................
Совместимость по входу и выходу .
Тип корпуса ....................
КР132РУ6А, КР132РУ6Б
16384 бит
16384 словХ! разряд
5 В± 10 %
Не более 440 мВт
Не более 140 мВт
— 10... +70 °C
Три состояния
С ТТЛ-схемами
Пластмассовый,
2140Ю.20—3 (см. рис. 6.2)
Классификационные параметры микросхем КР132РУ6А, КР132РУ6Б
Тип микросхемы Время выборки адпеса, нс, не более Время цикла записи (считывания), нс, не менее
КР132РУ6А 45 75
КР132РУ6Б 70 120
п — А0 ММ А
1 *1
19 — а2
1 — А3
г — А1
J — А5
9 — А6
5 — А?
6 — Ав
7 — А9 10 — 8
13 — А10
19 — Ап
15 — А12
15 — А13
12 — И
11 — CS
9 - US/я D
Назначение выводов микросхем КР132РУ6А,
КР132РУ6Г.
КР132РУ6А
КР132РУ6Б
Выводы Назначение Обозначение
1...7, Адресные входы Лд . . .Ад,
13...16, Лю-. • А13,
17...19 Ло*. .Л2
12 Вход данных D1
8 Выход данных DO
11 Выбор микросхемы CS
9 Сигнал запись— WR RD
считывание
20 Напряжение пита- ucc
НИЯ
10 Общий 0 В
Таблица истинности микросхем КР132РУ6А, КР132РУ6Б
CS WR/RD 4ti DI DO Режим работы
1 X X X R.lf Хранение
0 0 A 0 Roff Запись 0
0 0 A 1 Roff Запись 1
0 1 A X Данные в пря- мом коде Считывание
170
КМ132РУ8А, КМ132РУ8Б
Информационная емкость
Организация.....................
Напряжение питания . . . .
Потребляемая мощность:
в режиме обращения . . . .
в режиме хранения . . . .
Диапазон температур . . . .
Выход....................
Совместимость по входу и выходу
Тип корпуса ................
4096 бит
1024 словХ4 разряда
5 В±10 %
Не более 900 мВт
Не более 150 мВт
— 10... +70°С
Три состояния
С ТТЛ-схемами
Пластмассовый, 2104.18—1
(см. рис. 6.2)
Классификационные параметры микросхем
КМ132РУ8А, КМ132РУ8Б
Тип микросхемы Время выборки адреса, нс, не более
КМ132РУ8А 60
КМ132РУ8В 100
5 — £ — 7 — 4 — Ао А, Аг Аз RAM $ 0I0a — 14
3 —
2 — А 5 DIO, — 13
f — АС
17 — А? П107 — 12
16 — Ав
15 — а9 зю} I— 11
10 — I 1
8 —
КМ132РУ8А,
КМ132РУ8Б
Назначение выводов микросхем
КМ132РУ8А, КМ132РУ8Б
Выводы Назначение Обозначение
1...4, 5, 6, 7, 1b, 16, 17 Адресные входы Ав., .A3, А2, А], Ао, Ае, Л- А
11...14 Вход—выход дан- ных D1OS... ...DIO0
8 Выбор микросхемы CS
10 Сигнал запись- считывание WR RD
18 Напряжение пита- ния ^cc
9 Общий 0 В
Таблица истинности микросхем КМ132РУ8А, КМ 132РУ8Б
CS WRIRD /Io • ‘-^9 D10o...D10, Режим работы
1 X X Rotf Храпение
0 0 A 0 Запись 0
0 0 A 1 Запись 1
0 I A Данные в прямом коде Считывание
171
172
Временные диаграммы работы микросхем КР132РУ4Л, КР132РУ4Б.
Временные интервалы измеряются по уровням: £7/д=0,7 В; UIH—2,0 В;
(/О£=0,4 В; УО„=2,4 В;
а —режим записи; б — режим считывания
Временные диаграммы работы микросхем К132РУ2А, К132РУ2Б,
КР132РУ2Л; КР132РУ2Б; К132РУЗА, К132РУЗБ, КР132РУЗА,
КР132РУЗБ, КМ132РУЗА, КМ132РУЗБ, КМ132РУ8А, КМ132РУ8Б.
Временные интервалы измеряются по уровням: К132РУ2: UIL—0,6 В;
£Ли=2,2 В; Uol=0,8 В; UOH=2,0 В; К132РУЗ: У,т=0,8 В; U,„=2,0 В;
Uol=Uoh=0,5 А; КМ132РУ8: Uil=Uih=Uol=Uoh=0,5 Л;
а— режим записи; б — режим считывания
173
a — первый режим записи; б — второй режим записи; в — режим считывания
174
Рекомендации по применению
Микросхемы ЗУ серий К132, КР132 и КМ132 выпускаются двух
типов: статические (К132РУ2А, К132РУ2Б, КР132РУ2А, КР132РУ2Б,
К132РУЗА, К132РУЗБ, К.Р132РУЗА, КР132РУЗБ, КМ132РУЗА,
КМ132РУЗБ, КМ132РУ5А, КМ132РУ5Б а КМ132РУ8А, КМ132РУ8Б) и
статические тактируемые (КР132РУ4А, КР132РУ4Б и КР132РУ6Л,
КР132РУ6Б).
У статических микросхем (кроме КМ132РУ5А, КМ132РУ5Б) в ре-
жиме записи сигнал CS допускается подавать уровнем или импульсом
(сигнал записи обязательно импульсом), а в режиме считывания сиг-
налы CS и RD — уровнем или импульсом.
У микросхем КМ132РУ5А, КМ132РУ5Б в режиме записи сигнал
CS допускается подавать уровнем (при этом сигнал записи — обяза-
тельно импульсом) или сигнал записи уровнем (при этом сигнал CS
обязательно импульсом). Очевидно,что сигналы записи и CS допускается
подавать импульсами. В режиме считывания сигналы CS и RD допус-
кается подавать уровнем или импульсом. У этих микросхем в режиме
считывания допускается возникновение помехи па выходе DO после
подачи сигнала CS в течение времени не более tcs. Время возникнове-
ния помехи определяется значениями tsuics-oo) или tsu<.A-oo).
В режиме считывания никл определяется (при подаче сиг-
нала CS уровнем) переключением адресных сигналов, а при импульс-
ном сигнале C.S — переключением сигнала CS (адреса могут быть не-
изменными либо переключаться за пределами цикла).
175
Временные диаграммы работы микросхем КР132РУ6А, КР132РУ6Б.
Временные интервалы измеряются по уровню: С7/г=О,7 В; У/и=2,2 В;
Уос=0,4 В; U'ои—2А В;
а —режим записи; б —режим считывания; в — режим считывание — модифика-
ция— запись
176
У микросхем КМ132РУ5А, КМ132РУ5Б в ТУ оговорен коэффи-
циент объединения по выходу (Ко=10), у других микросхем этой
серии коэффициент объединения определяется нагрузочными способ-
ностями микросхемы.
У статических тактируемых микросхем КР132РУ4Л, КР132РУ4Б,
КР132РУ6А, КР132РУ6Б в режиме записи и считывания сигнал за-
пись — считывание допускается подавать уровнем или импульсом,
а сигнал CS — обязательно импульсом. У микросхем КР132РУ6А,
ь КР132РУ6Б в режимах записи и считывания по входам Ао ... А13, DI
и WR/RD происходит запоминание входных сигналов специальными
схемами {входными усилителями) по спаду сигнала CS(/f(cs;), после
чего сигналы па входах могут изменяться в течение текущего цикла
работы.
У микросхем К.Р132РУ6А, КР132РУ6Б имеется режим считыва-
ние— модификация — запись, заключающийся в том, что считывание
информации и последующая запись происходит в один и тот же ЭП
микросхемы. В этом режиме па выходе микросхемы DO при считыва-
нии и при записи сохраняется информация, определяемая па момент
начала режима, т. е. при считывании до момента окончания сигнала
CS (типовое значение nrs(cs)= 1 • • • 8 нс). Длительность цикла у этой
микросхемы (сГ(Л)ГЯ min = tcYWRD min=tv(CS)-'rtREC(CS}-
12-5037
177
00
Предельные режимы эксплуатации микросхем серий К132, КР132,
КМ132 (в диапазоне температур —10 ... 4-70°С)
Значения параметров
Параметры К132РУ2А, К132РУ2Б. КР132РУ2А. КР132РУ2Б К132РУЗА, К132РУЗБ, КР132РУЗА, КР132РУЗБ. КМ13ЙРУЗА, КМ132РУЗБ КР132РУ4А, КР132РУ4Б КМ132РУ5А. КМВ2РУ5Б КР132РУ6А. КР132РУ6Б ЕМ132РУ8А. КМ132РУ8Б
мин. макс. МИН. макс. мин. макс. мин. макс. мин. макс. мин. макс.
Напряжение питания, Ucciim, В — 6,о — 6,0 — 6,0 — 6,0 — 6,0 — 6,0
Кратковременное напряжение пита- ния в течение 5 мс, Ucc к нт, В — 7,0 — 7,0 — 7,0 — — — — — —
Входное напряжение, Ui цп, В 0 5,5 0 5,5 -0,5 6,0 — 1,0 6,0 -0,3 6,0 -0,3 6,0
Выходной ток, /о Нт, мА — 3,2 — 3,2 — 10 — 20 — 10 — —
Емкость нагрузки, Сент, пФ — 500 — 500 — 100 — 600 — 120 — 600
Длительности фронта и спада вход- ных сигналов, tR Нт, if Цт, НС — — — — — — — — — 500 — —
J3 Статические параметры микросхем серий К132, КР132, КМ132 (в диапазоне температур —10 ... +70°С)
Параметры Значения параметров
К132РУ2Л. К132РУ2В, КР132РУ2Л, КР132РУ2Б К132РУЗА, К132РУЗБ, КР132РУЗА. КР132РУЗБ. КМ132РУЗА, КМ132РУЗБ КР132РУ4А, КР132РУ4Б КМ132РУ5А, КМ132РУ5Б КР132РУ6А. КР132РУ0Б КМ132РУ8А, КМ132РУ8Б
МИН. макс. мин. макс. МИН. макс. мин. макс. мин. макс. мин. макс.
Напряжение питания, £7^, В Ток потребления, / , мА Ток потребления в режиме хранения, мА Входное напряжение, В: логической 1, £7 / п логического 0, U Ток утечки на входах, IмкА Выходное напряжение. В: логической 1, ()п логического 0, Выходной ток, мА: логической 1, ОП логического 0, Ток утечки по выходу в режиме хранения, 'lo- “кА Статический потенциал, В 1 1 1 1 1 X 1 1 -X II* 70(80) 5,5 0.4 10 5.5 0.4 20(100) 100 1 111 1 -X 1 ° X । । •* 5,5 120(100) 5.5 0,4 10 0.4 0,1 1.6 25 30 4.5 2,4 0 2.4 0 5.5 45 5,5 0,4 50 5.5 0,45 2.0 5.0 50 100 4.5 2.4 2.4 5,5 180 30 0.4 10 0.4 4.0 8.0 50 100 1 III 1 1 1 II." ** VI 5,5 80 25 0,4 10 0.4 2.0 5.0 50 100 1 1 1 । 1 -X 1 1 -X 1 1 * 5,5 150 27 0.4 10 0.4 4.0 8.0 50
Примечания: 1. В скобках указаны параметры микросхем К132РУ2Б, К132РУЗБ, отличные от К132РУ2Л, К132РУЗА.
2. Выходные напряжения измерялись при максимальных значениях тока.
3. Все параметры (кроме 1/он) измерялись при Ucc=5,5 В, иоц — при t/cc=4,5B.
4. Для микросхемы КР132РУ6А оговорен микромощный режим. В этом режиме ток потребления измеряется в цепи источника
CS (Ucc отключено от соответствующего вывода). При этом /рс.ч<2 “А- При измерении все входы (кроме CS) соединены с об
то Динамические параметры микросхем серий К132, КР132, КМ132
° (в диапазоне температур —10 ... +70°С)
Параметры Значения параметров
К132РУ2А, К132РУ2Б, КР132РУ2А, KP132P3 2В К132РУЗА, К132РУЗБ. КР132РУЗА, КР132РУЗБ. КМ132РУЗА. КМ132РУЗБ КР132РУ4А, КР132РУ4Б КМ132РУ5А, КМ132РУ5Б КР132РУ6А, КР132РУ6Б КМ132РУ8А КМ132РУ8Б
МИН. макс. МИН. макс. МИН. макс. МИН. макс. мин. макс. мин. макс.
Время выборки адреса, /л(Л), нс — 650 (950) — 75 (125) — 33 (70) — 85 (120) — 45 (70) — 70 (1-0)
Время выбора, tcs, нс — — — — 33 (70) — 100 (130) — 45 (70) —
Время установления сигнала CS относительно адреса, tsuiA-cs}, нс — —-* — — 0 0 0 — — —
Время установления сигнала CS относительно сигнала запись — счи- тывание tsU(VR-CS1, tsU(RD-CS), НС —* — — — 0 — — — 0 см. прим. 4 — — —
Время установления сигнала записи относительно адреса, нс 100 — 10 — — — 0 — — — 0 —
Время установления сигнала записи относительно входных данных, tsU(DI-WI>}, нс — — 10 — — — — — см. прим. 4 — —
Время сохранения сигнала выходной информации после адреса, /г(л-оо), нс 80 — — — — — — 5 — — — —
Время сохранения входной информа- ции после сигнала записи, tv(VR_Dn, ис 100 — 10 — — — 10 — — — 5 —
Время сохранения адреса после сиг- мала записи, д), нс — — — — — — 15 — — 5 —
Время сохранения адреса после сиг- нала CS, tv(CS—A\. нс — •— — — — — 15 — — — — —
II родолжение
Параметры Значения параметров
К132РУ2А, К132РУ2Б, КР132РУ2А. КР132РУ2Б К132РУЗА, К132РУЗБ, КР132РУЗА, КР132РУЗБ, КМ132РУЗА, КМ132РУЗБ КР132РУ4А, КР132РУ4Б КМ132РУ5А, КМ132РУ5Б КР132РУ6А, КР132РУ6Б КМ132РУ8А. КМ132РУ8Б
мин. макс. МИН. макс. мин. макс. МИН. макс. МИН. макс. МИН. | макс.
Время запрещения выходных данных после сигнала CS, toisicsi, нс — — — — — — — 40 — — — —
Время запрещения выходных данных после сигнала считывания, /d/s(rd>, нс — — — — — — — 40 — — — —
Время удержания сигнала записи относительно входных данных, tH(DI-WR), НС 400 — — — — — 45 (80) (60) — — — —
Время удержания входных данных относительно сигнала записи, tn(.VR-DI), НС 65 — — СМ. прим. 4 — 25 —
Время удержания адреса относитель- но сигнала CS, t»(cs-A), нс — — — — 1-5 (50) — — — — — — —
Время удержания сигнала записи от- носительн» сигнала CS, tmes-ww, нс — — — — 25 (50) — — — 25 (40) — 50 —
Время удержания сигнала записи от- носительно адреса, tH(A-w, нс — — — — — — 70 (Ю5) — — — —
Длительность сигнала записи, tw(WR), нс 400 — 55 — — — 55 (90) — СМ. прим. 4 — — —
Длительность сигнала CS, tv^cs), нс — — — — 33 (70) — 70 (Ю5) — 70< — 55 —
Длительность интервала между сиг- то налами CS, /»£C(cs), нс — — — 22 (40) — — 30 (50) — — —
Значения параметров
182
У микросхем КР132РУ6Л в ТУ оговорен микромощный ре-
жим хранения, при котором потребляемая мощность уменьшается более
чем в 20 раз. Такой режим осуществляется путем отключения напря-
жения питания Ucc от микросхемы с обязательным подключением сиг-
нала CS к источнику 4,5 ... 5,5 В (при этом остальные сигналы могут
иметь произвольное логического состояние). В этом режиме накопи-
тель микросхемы запитывается от источника сигнала CS.
Ниже приведены зависимости электрических параметров микросхе-
мы от электрических режимов и условий эксплуатации.
о 1 10 100 0,кГц -10 0 25 50 70
т/с
Зависимость lrC=f(F) микросхемы
К132РУ2А при Г= + 25СС и Ucc=5 В
Зависимость
=f (Г, °C) микросхемы
К132РУ2А при UCc=
=5,0 В
ООО
350
0,0
500
050
М “сс >
Зависимость (Cl) микро-
схемы К132РУ2А при С7сс=5,0В:
/ — при 7 = + 70 °C; 2 — при Т-—10 и
+25 ‘С
Зависимость <д(Л)=
=f(Ucc) микросхемы
К132РУ2А приТ=+25сС
183
Зависимость lcc=f (Т, °C)
микросхемы К132РУЗ при
t/cc=5,0 В
/ — группа А; 2 — группа Б
Зависимость Icc=f(Ucc) мик-
росхемы К.132РУЗ при Т—
=+25 °C:
/ — группа А; 2 — группа Б
tAfAl.K
W>W
100
80
60
чо
-10 0 20 4 0 60Т,°С
Зависимость /,4(л>=/ (Г, °C)
микросхемы К132РУЗ при
Зависимость 6(л>=/(1/сс) микросхе-
мы К132РУЗ при Т= + 25°С:
/ — группа А; 2 — группа Б
Зависимость tAw=f(CL) мик-
росхемы К132РУЗ при Т=
=+25 °C и Ucc=5,0 В:
/ — группа А; 2—группа Б
Зависимость lcc=i (Т, °C)
микросхемы КР132РУЗ при
Усс=5,5 В:
/ —/С),=50 нс; 2 —/с(. — 100 нс
tcs, КС
О 20 40 60 Г, °C
Зависимость tcs—l (Т, °C)
микросхемы КР132РУ4А при
t/cc=4,5 В и С\=ЗО пФ
tcs, нс
28
26
Зависимость tcs—l(CL) микро-
схемы КР132РУ4Л при Ucc=
=4,5 В и Т= + 25°С
184
Зависимости Icc—f (Г, °C) и
lccs=f (Т, °C) микросхемы
КМ132РУ5 при Усс=5,5 В:
Z — Zce—/ (Г. °C) при Ус5-0; 2-
^CCS=f ПРИ ^cs~^cc
Зависимость Uo=f(Io) микро-
схемы КР132РУ4 при Г=
=+25 °C:
' ~ 2 ~ UoL~f(Iot)
Зависимости lcc=f(Ucc) и
lccs=f(Ucc) микросхемы
КМ132РУ5 при Г=+25°С:
/ lcc=f(Urc) при U ^"О; 2—
Jccs~fWctJ ПРИ ^CS~^CC
Зависимость Icc=f(K) микро-
схемы КМ132РУ5 при Т~
=+25 °C и С£=ЗО пФ (К=
= t W (С S)/1IIЕ С (С S))
Зависимость ^л(л>//л(л)о=
=f (Т, °C) микросхемы
КМ132РУ5 при 1/сс=4,5 В и
С, =30 пФ (<4(Л)0=^Л<Л) при
Г=+25°С)
Зависимость A^m>(A<cs) =
=f(CL) микросхемы КМ 132РУ5
при (/Сс=4,5 В и Т= + 70°С
(Д/л(Л)=^л(л)—^л(л)о. где
/л(л)о=Ал(Л) при Cj.=30 пФ)
185
Зависимость Icc/Icco~f(l//cr)
микросхемы КР132РУ6 при
7=+ 25 °C и CL =30 пФ
(Jcco—Icc при 1//сг=10 МГц)
Зависимость 1CCS2/1 ccs2L>=
=f(Ucs) микросхемы
КР132РУ6 при Г=+25°С
(JcCS20—IcCS2 при (/cs=5,5 В)
Зависимость tcs/tcso=f (Ucc) мик-
росхемы КР132РУ6 при 7'=25°С и
Сь=30 пФ (tcso=tcs при (/сс=5,0 В)
Зависимость tcs/tcso—f (Т, °C) мик-
росхемы КР132РУ6 при (7сс=4,5 В
и Сi=30 пФ (tcso=tcs при Т=
=+25 °C)
Зависимость tcs/tcso=f (Cl) микро-
схемы КР132РУ6 при Г= + 25°С и
усс=4,5 В (tcso=tcs приС£=30 пФ)
186
Зависимость tAw/tA(M>=l(Ucc)
микросхемы КМ132РУ5 при
Т=+25°С и CL=30 пФ
(^л(лх)=^л<л) при 1/сс=4,5 В)
1, I
0,9
9.5 5,0 UCC,B
Зависимость токов потребле-
ния от напряжения питания
микросхемы КМ132РУ8 при
Г= + 25°С:
2 ~' 2СС‘ 2 CCS
Зависимость t/t0—f(T, °C) ми-
кросхемы КМ132РУ8 при (7сс=
=5,0 В (/„=/ при 7'=4-70°С):
>~Vlt0)AW-- 2~^cs
Зависимость токов потребле-
ния от температуры окружаю-
щей среды микросхемы
КМ132РУ8 при Усс=5,0 В:
2 ~ 2СС’ 2 ~ ^ccs
Зависимость t/t0=f(UCc) ми-
кросхемы КМ132РУ8 при Т=
= + 25°С(/0=^ при UCc=
=5,0 В):
1 — 2 ~ V/Iflcs
187
СЕРИЯ КР565
Статическое оперативное ЗУ на основе
п-МОП-структур
КР565РУ2А, КР565РУ2Б Информационная емкость 1024 бит Организация 1024 словХ! разряд Напряжение питания 5 В±10 % Потребляемая мощность . . . j , Не более 385 мВт Диапазон температур —10...+70°C Выход Три состояния Совместимость по входу и выходу ... С ТТЛ-схемами Тип корпуса Пластмассовый, 2103.16—1 (см. рис. 6.2) Классификационные параметры микросхем КР565РУ2А, КР565РУ2Б
Тип микросхемы Время выборкиТадреса, нс, не более Время цикла записи (считывания), нс, не менее
КР565РУ2А КР565РУ2Б 450 850 450 850
Ао Ai Аг Ai а5 AS А7 Ав Лд VI CS й»/ RAM w 0 VO
КР565РУ2
Назначение выводов микросхем КР565РУ2А,
КР565РУ2Б _____
Выводы Назначение Обозначение
1, 2, 4 ...8, 14 ... 16 11 12 13 3 10 9 Адресные входы Вход данных Выход данных Выбор микросхемы Сигнал запись — считывание Напряжение пита- ния Общий А, Ад, Ад. . .Aj DI DO CS WR RD ucc 0B
Таблица истинности микросхем КР565РУ2А, КР565РУ2Б
CS VR/RD A> • •A, Dt DO Режим работы
1 X X X R.1! Хранение
0 0 A 0 0 Запись 0
0 0 A 1 1 Запись 1
0 1 A X Данные в пря- мом коде Считывание
188
Временные диаграммы работы микросхемы КР565РУ2:
а — режим записи; б — режим считывания
189
Предельные режимы эксплуатации микросхем КР565РУ2А, КР565РУ2Б
(в диапазоне температур —10 ... + 70°С)
Параметры Значения параметров
мин. макс.
Напряжение питания, Ucctim, В Напряжение на любом выводе, Umm, Uo Нт, В Выходной TOK, loLHm, мА Емкость нагрузки, CL нт, пФ — 6,0
—0,5 6,0
— 10
— 600
Статические параметры микросхем КР565РУ2А, КР565РУ2Б
(в диапазоне температур —10 ... -f-70°C)
Параметры Значения параметров Примечания
мин. | макс.
Напряжение питания, UCc, В Ток потребления, Ice, мА 4,5 5,5 —
— 70 [7СС = 5,5В
Входное напряжение, В: логического 0, Un, 0 0,8 —
логической 1, и,н 2,0 Ucc —
Выходное напряжение, В: логического 0, Uol 0 0,4 t/cc = 4,5 В,
логической 1, Uoh 2,4 Ucc /£ = 2,1 мА 1/сс= 4,5 В,
Выходной ток, мА: логического 0, lot. 2,1 1L = 0,1 мА
логической 1, 1он — 0,1 —
Ток утечки, мкА: на входе, 1ы — 10 С7сс = 5,5 В
на выходе, lLo — 10 УСС = 5,5В
Рекомендации по применению
Микросхема может работать в режимах записи, считывания и хра-
нения информации согласно таблице истинности и временным диа-
граммам.
В режиме считывания допускается наличие помехи после подачи
сигнала выбора микросхемы CS до момента появления выходной
информации.
Нельзя объединять выводы по входу и выходу данных, так как
в режиме записи на выходе имеется входная информация.
Допустимое значение статического электричества 100 В.
190
Динамические параметры микросхем КР565РУ2А, КР565РУ2Б
(в диапазоне температур —10 ... 4-70°С)
Параметры Значения параметров
МИН. макс.
Время выборки адреса, нс Время выбора, tcs, нс Время цикла записи, tcrwvR, нс 450 (850) 450 (850) 20 (200) 300 (600) 20 (200) 300 (600) 150 (250) 600 (1000) 320 (800) 450 (850) 250 (500)
Время цикла считывания, tcvwRo, нс Время установления сигнала CS относи- тельно сигнала адреса,_(зу(л-с«), нс Длительность сигнала CS, tries), нс Время установления сигнала записи отно- сительно сигнала адреса, tsu(A-vR), нс Длительность сигнала записи, /«-(гл), нс Длительность интервала между сигналами записи, tREC(WR), нс Время удержания сигнала входных данных относительно сигнала адреса, 1щл-ог), нс Время удержания сигнала CS относитель- но сигнала входных данных, tn(Di-csy, нс Входная емкость, С/, пФ Выходная емкость, Со, пФ Емкость нагрузки, Cl, пФ 7 12 100
Примечания: 1. В скобках указаны параметры микросхем группы Б, от-
личных от группы А.
2. Временные интервалы параметров и указаны по уровням —
= 0,8 В н U = 2>0 в> остальные интервалы — по уровню 0,5 А. ,
4. Временные параметры измерялись при условиях: С = 100 пФ, 1/^=4,5 В,
U,„is2,4B, U,, <0,4 В.
In IL
Мощности потребления микросхемы в режимах обращения и хра-
нения примерно одинаковые.
В режиме считывания сигналы CS и RD допускается подавать
уровнем или импульсом. В режиме записи допускается работать в сле-
дующих режимах: подавать CS уровнем, a WR импульсом; CS импуль-
сом, a WR уровнем; CS и WR импульсами.
Ниже приведены зависимости электрических параметров микро-
схемы от электрических режимов и условий эксплуатации.
191
I tc. «4
Зависимость (T, CC)
микросхемы КР565РУ2А при
t’cc=5,5 В
Зависимость lcc=f(Ucc) мик-
росхем КР565РУ2 при Т=
= + 25°С
Зависимость (Т, °C)
микросхемы КР565РУ2А при
Усс=4,5 В и Сд=100 пФ
Зависимость tAW=f(CL) мик-
росхемы КР565РУ2 при Ucc=
=4,5 В и 7=+25 °C
8.3. Статические ЗУ на основе КМОП-структур
СЕРИЯ К176
Статическое тактируемое оперативное ЗУ на основе
КМОП-структур
К176РУ2
Информационная емкость . . . .
Организация........................
Время выборки адреса...............
Время цикла записи (считывания) .
Напряжение питания.................
Потребляемая мощность:
в режиме обращения при f=50 кГц .
в режиме хранения . . - .
Диапазон температур................
Выход...........................
Совместимость по входу и выходу .
Тип корпуса .......................
256 бит
256 словХ1 разряд
Не более 650 нс
Не более 900 нс
9 В±5 %
. Не более 19 мВт (при
7=+25 °C)
. Не более 19 мВт
. —45...+70 °C
, Три состояния
. С КМОП-схемами
Пластмассовый, 238.18—1
(см. рис. 6.2)
192
Назначение выводов микросхемы К176РУ2
выводы Назначение Обозначение — 12 —16
2, 3, 6, 7, 9, 10, 11 12 13 14 16 15 5 4 8 Адресный вход Вход данных Выход данных: прямой инверсный Выбор микросхемы Сигнал запись — считывание Напряжение пита- ния Общи й Свободный 6— А- А- А> г — А> А- A. 1 — А, А 7- DI 9- 10 — DO 11 ~ DO 12- CS 15 — 16 — WR RD ^сс OB Ао Al А2 А] Aq а5 Аб Aj DI CS RAM Й e DO DO
К176РУ2
Таблица истинности микросхемы К176РУ2
CS WRfRD Ao ... A, Dt DO Режим работы
1 X X X Rott Хранение
0 1 A 1 Roff Запись 1
0 1 A 0 Roti Запись 0
0 0 A X Данные в прямом и инверсном коде Считывание
Предельные режимы эксплуатации микросхемы К176РУ2
(в диапазоне температур —45 ... 4-70°С)
Параметры Значения параметров
мин. макс.
Напряжение питания, Осс нт, В 10
Кратковременное напряжение питания в те- чение 3 мс, Ucc к Нт, в Напряжение входного сигнала, Ui ит, В 12
—0,5 12
Выходной ТОК, 10 Нт, мА .— 5
Емкость нагрузки, Сд»,„, пФ — 300
13—5047
193
Временная диаграмма микросхемы К176РУ2:
а — режим записи; б — режим считывания
194
Статические параметры микросхемы К176РУ2
(в диапазоне температур —45 ... +70°С)
Значения параметров
Параметры МИН. макс.
Напряжение питания, Ucc, В Ток потребления, мА: 8,55 9,45
в режиме обращения, 1сс — 2,0
в режиме хранения, Ices Входное напряжение, В: — 2,0
логического 0, Ute — 0,9
логической 1, Uih Входной ток, мкА: 8,1 —
логического 0, 1ц — •2
логической 1, Iih Выходное напряжение. В: — 2
логического 0, Uol — 0,3
логической 1, Uон 8,2 —
Выходной ток утечки в высокоомном со- стоянии, Iloh, мкА — 3
П.’р н м е ч а н и'я. 1. Все параметры измерялись при Ucq=$.45 В.
2. Ток потребления в/режиме оЗращения /сс указан при +25 ’С; ток по-
требления в режиме храиеняя Ices ПРИ +25’С равен 0.5 мА.
Динамические параметры микросхемы К176РУ2 (при температуре +25°С)
Параметры Значения параметров
мин. макс.
Время выборки адреса, /ли), нс — 650
Время установления сигнала CS относи- 20 —
тельно адреса, tsu(A-cs), нс Время сохранения адреса после сигнала CS, 180 —
Mcs-x), нс Длительность сигнала CS, tV(csi, нс 700 —
Длительность интервала между сигналами 200 —
CS, IkeC(CS), нс Время цикла считывания (записи), /сг(Л)во; 900 —
tcY(A)VR, НС Входная емкость, С/, пФ — 3
Выходная емкость, Со, пФ — 12
Емкость нагрузки, CL, пФ — 50
Примечания. 1. Временные интервалы измерялись при Ь'сс=9.0 В и Сд=
=50 пФ.
2. Временные интервалы указаны по уровню 0,5 А.
3. Временные интервалы измерялись при длительности фронта входных сигна-
лов /п=30 нс.
13
195
Рекомендации по применению
Микросхема может работать в режимах хранения, записи и счи-
тывания информации. Временная диаграмма работы показана выше.
В режиме записи и считывания сигнал WR/RD допускается по-
давать импульсом или уровнем, сигнал CS — обязательно импульсом.
Входное напряжение не должно превышать напряжение источни-
ка питания. При эксплуатации микросхем, когда входные цепи и цепи
питания подключены к различным источникам питания, необходимо
соблюдать следующий порядок включения и выключения. При вклю-
чении сначала подается Ucc, затем входное напряжение, при выклю-
чении — наоборот.
Ниже приведены зависимости
электрических параметров от элек-
трических режимов и условий экс-
плуатации.
Зависимость /сс = Шсг(Л)ях>]
микросхемы К176РУ2 при
Усс=9 В, 7=+25 °C и CL=
=50 пФ
Зависимость /л(л)=/(Сд)
микросхемы К176РУ2 при
7=+ 25 °C и £/сс=9 В
Зависимость /л<л)=/ (7, °C)
микросхемы К176РУ2 при
Ucc—9 В и CL—50 пФ
СЕРИИ К537, КР537
Статическое тактируемое оперативное ЗУ на основе
КМОП-структур
К537РУ1А, К537РУ1Б, К537РУ1В
Информационная емкость . . . .
Организация........................
Напряжение питания.................
Потребляемая мощность:
в режиме обращения при f=l МГц .
в режиме хранения.................
Диапазон температур................
Выход..............................
Совместимость:
по входу .........................
по выходу ........................
Тип корпуса .......................
. 1024 бит
. 1024 битХ1 разряд
. 5 В± 10 %
. Не более 14.0 мВт (при
7=+25 °C)
. Не более 0,5 мВт
. —60...+85 °C
. Три состояния
. С ТТЛ ОК и КМОП-схе-
мами
. С ТТЛ и КМОП-схемами
. Металлокерамический.
402.16—18 (см. рис. 6.3)
196
Классификационные параметры микросхем
Тип микросхемы Гремя выборки адреса, нс, не более Бремя цикла записи (считывания), нс, не более
К537РУ1А 1100 1300
К537РУ1Б 1700 2000
К537РУ1В 3400 4000
Назначение выводов микросхем К537РУ1А;
К537РУ1Б, К537РУ1В
Выводы Назначение Обозначение
1,8...12, 13...16 2 4 6 3 7 5 Адресный вход Вход данных Выход данных Выбор микросхемы Сигнал запись — считывание Напряжение пита- ния Общий D1 DO CS WP RD ^CC 0 В
s — *i RAM 0
10 — 11 — 12 — 1 — 13 — 14 — IS- IS— A2 *3 A5 A6 A, A9
2 — VI
6 — 3 — CS k* /RD
К537РУ1Л,
К537РУ1Б,
К537РУ1В
Таблица истинности микросхем К537РУ1А, К537РУ1Б, К537РУ1В
CS VR/RD DI DO Режим работы
0 X X X Хранение
1 1 A 0 1 Запись 0
1 1 A 1 0 Запись 1
1 0 A X Данные в ин- версном коде Считывание
КР537РУ2А, КР537РУ2Б
Информационная емкость.............. 4096 бит
Организация.......................... 4096 словХ I разряд
Напряжение питания...................5 В±10%
Потребляемая мощность в режиме обра-
щения при f=l МГц.................Не более 28,0 мВт
Диапазон температур..................—1О...+7О°С
Выход................................Три состояния
Совместимость:
по входу...........................С ТТЛ ОК и КМОП-схе-
мами
по выходу..........................С ТТЛ и КМОП-схемами
Тнп корпуса..........................Пластмассовый, 2107.18—4
(см. рис. 6.2)
197
Классификационные параметры микросхем КР537РУ2Л, КР537РУ2Б
Тип микросхемы Время выборки адреса, нс, не более Потребляемая мощность в режиме хранения, мВт, не более
КР537РУ2А 410 2,75
КР537РУ2Б 580 5,5
15 — 16 — 40 + RAM 0
17 — 1 — 2 — 3 — 4 — 5 — 6 — 16 — 13 — 12 — А2 4, 4$ 4j 4, 4» *9 4(0 А'1 00 — 7
11 — 01
10 — 8 — ЧЬ
КР537РУ2А,
КР537РУ2Б
Назначение выводов микросхем КР537РУ2А,
КР537РУ2Б
Выводы Назначение Обозначение
1...6, 12... 17 Адресный вход
11 Вход данных DI
7 Выход данных DO
10 Выбор микросхемы CS
8 Сигнал запись — считывание WR'RD
18 Напряжение пита- ния исс
9 Общий 0 В
Таблица истинности микросхем КР537РУ2А, КР537РУ2Б
CS WR/RD Л,.. 4,! DI DO Режим работы
1 X X А Roff Хранение
0 0 А 0 Roff Запись 0
0 0 А 1 Roff Запись 1
0 1 А X Данные в прямом коде Считывание
КР537РУЗА, КР537РУЗБ, КР537РУЗВ
Информационная емкость................
Организация...........................
Напряжение питания....................
Потребляемая мощность в режиме обраще-
ния при Г=1 МГц.......................
Диапазон температур...................
Выход.................................
Совместимость:
по входу .............................
по выходу ............................
Тип корпуса ..........................
4096 бит
4096 словХ1 разряд
5 В± 10 %
Не более 110 мВт
—10...+70 °C
Три состояния
С ТТЛ ОК и КМОП-схе-
мами
С ТТЛ и КМОП-схемами
Пластмассовый, 2107.18—1
(см. рис. 6.2)
198
Классификационные параметры микросхем КР537РУЗА, КР537РУЗБ,
КР537РУЗВ
Тип микросхемы Гремя выборки адреса, нс, не более Потребляемая мощность в режиме хранения, мВт, не более
КР537РУЗА 32(/ 0,055
КР537РУЗБ 220 1.1
КР537РУЗВ 320 1,1
Назначение выводов микросхем КР537РУЗА,
КР537РУЗБ, КР537РУЗВ
t5 — 16 — Лц A, RAM $
1 — дг
2 — A5
J — A4
> — A$
5 — Al
6 — A? DO I— 7
12 — Ag
13 — Af
14 — A n
1? — An
11 —
10 — is
8 — Ok
КР537РУЗА,
КР537РУЗБ,
КР537РУЗВ
Выводы Назначение Обозначение
1...6, 12...14, 15, 16, 17 И 7 10 8 18 9 Адресный вход Вход данных Выход данных Выбор микросхемы Сигнал запись — считывание Напряжение пита- ния Общий л»- АА1вА Л°, Aj, Au DO CS WR/RD UCC 0 в.
Таблица истинности микросхем КР537РУЗА, КР537РУЗБ, КР537РУЗВ
CS WR/RD A,.. .A,, D3 DO Режим работы
1 X X X Roff Хранение
0 0 A 1 Roff Запись 1
0 0 A 0 Roff Запись 0
0 1 A X Данные в пря- мом коде Считывание
КР537РУ8А, КР537РУ8Б
Информационная емкость................16384 бит
Организация........................... 2048X8 разрядов
Напряжение питания....................5 В±5 %
Потребляемая мощность в режиме обраще-
ния на частоте F=2 МГц .... 160 мВт
199
Диапазон температур . . . .
Выход ...........................
Совместимость:
по входу ......................
по выходу .....................
Тип корпуса .....................
. — 1О...+7О°С
Три состояния
. С ТТЛ ОК И КМОП-схе-
мами
. С ТТЛ и КМОП-схемами
. Пластмассовый, 239.24—2
(см. рис. 6.2)
Классификационные параметры микросхем КР537РУ8А, КР537РУ8Б
Тип микросхемы Время выбора, нс. не более Потребляемая мощность в режиме хранения, мВт, не более
КР537РУ8А 220 6
КР537РУ8Б 400 11
8 — 7 — Ао 4, RAM $
6 — 5 — 4? 910, — 9
9 — з — 2 — 4« 4у 4« 010, О’Ог — 10 — 11
1 — 23 — 22 — 4? 4« 4} Ы0„ — /з — 14
19 — Аю 010;
18 — сз2 0Ю; —16
20 — OS, 010, — 17
21 — WR /Ю
КР537РУ8А,
КР537РУ8Б
Назначение выводов микросхем КР537РУ8А,
КР537РУ8Б
Выводы Назначение Обозначение
1...8, Адресный вход Л7. ..Лв,
19, 22, 23
9...11, Вход — выход дан-
13... 17 ВЫХ
2D Выбор микросхемы CS,
18 Выбор микросхемы cs2
21 Сигнал запись — WR'RB
считывание
24 Напряжение пита- ^cc
НИЯ
12 Общий 0 в
Таблица истинности микросхем КР537РУ8А, КР537РУ8Б
CS, CS, WRIRD Ло- D!Oo...DlO, Режим работы
M M X X Roff Хранение
0 0 0 A 0 Запись 0
0 0 0 A 1 Запись 1
0 0 1 A Данные в пря- мом коде Считывание
Приме чан и е. М — любая комбинация логических уровней или сигналов,
отличная от CSi-0 и С5г=0.
200
Временные диаграммы работы микросхем К537РУ1А, К537РУ1Б,
К537РУ1В:
а — режим записи; б — режим считывания
201
I
Статические параметры микросхем серий К537, КР537
Параметры Значения параметров
К537РУ1А. К537РУ1Б, К537РУ1В КР537РУ2А, КР537РУ2Б КР537РУЗА. КР537РУЗБ, КР537РУЗВ КР537РУ8А. КР537РУ8Б
МИН. макс. МИН. макс. МИН. макс. МИН. макс.
Напряжение питания, Ucc, В 4,5 5,5 4,5 5,5 4,5 5,5 4,75 5,25
Ток потребления:
в режиме обращения, fee, мА — 2,5 — 5,0 — 20 — 30
в режиме хранения при Ucc= = 4,5 ... 5,5 В, Iccst мА — 0,1 — 0,5 (1-0) — 0,01 (0,2) — 1,0 (2,0)
в режиме хранения при 47сс=2,2 В, fees, мкА — — — — — 5 (50) — —
Входное напряжение, В:
логического 0, Uil — 0,4 0 1,1 — 0,8 0 0,4
логической 1, Uih усс= =0,4 В — 4,4 — 2,4 — 0,9(/сс —
Выходное напряжение, В:
логического 0, UOl — 0,35 0 0,4 — 0,4 0 0,4
логической 1, Uон 2,4 — 2,4 — 2,4 .— 2,4
Выходной ток, мА:
логического 0, foe — 0,5 — 1,6 — 4,8 — 1,6
логической 1, 1он ?Т“ 0,5 — 1,2 — 2,0 — 0,1
S Продолжение
Параметры Значения параметров
К537РУ1А, К537РУ1Б, К537РУ1В КР537РУ2А, КР537РУ2Б КР637РУЗА, КР537РУЗБ. КР537РУЗВ КР537РУ8А, КР537РУ8Б
МИН. макс. МИН. макс. МИН. макс. МИН. макс.
Входной ток утечки, Ль, мкА Выходной ток утечки, /от., мкА Примечания: 1. Параметры К537Р ры остальных микросхем этой серии —в У!А, К537РУ диапазоне 0,06 1Б. К537РУ температу] IB указаиь — 10 . . . + 10 10 в диапазо 70'С. Ток не темпер потреблен 5 16 атур —60 ия 1сс у . . . +70 °C. К537РУ1А, 5 5 парамет- К537РУ1Б,
К537РУ1В указан для Т= + 25°С.
2. В скобках указаны параметры:
КР537РУ2Б. отличные от параметров КР537РУ2А:
КР537РУЗБ, КР537РУЗВ, отличные от параметров КР537РУЗА:
КР537РУ8Б. отличные от параметров КР537РУ8А.
3. Ток потребления !сс для КР53/РУ8А, КР537РУ8Б указан при (7сс=5.0 В и Р=2 МГц, для остальных микросхем — при
17сс=5,5 В я F'I МГц.
4. Выходные напряжения U0L и U()ll указаны при соответствующих максимальных значениях выходных токов.
Динамические параметры микросхем серий К537, КР537
Параметры Значения параметров
К537РУ1А, К537РУ1Б, К537РУ1В КР537РУ2А. КР537РУ2Б КР537РУЗА, КР537РУЗБ. КР5Э7РУЗК КР537РУ8А. КР537РУ8Б
К537РУ1 Л К537РУ1Б К537РУ1В МИН. макс. МИН. макс. МИН. макс.
мин. | макс. МИН. | макс. мин. | макс.
Время выборки адреса, Сцп, нс — 1100 — 1700 — 3400 — 410 (580) — 220 (320) — —
Время выбора, tcs, нс 900 1400 ,2800 390 (560) 200 (300) 200 (400)
Время установления сигнала CS от-
носительно адреса, /son-cs), нс
Время установления сигнала записи
относительно адреса, tsuis-vR), не
Время установления сигнала записи
относительно сигнала CS, tsutcs-wR), нс
Время установления сигнала записи отно-
сительно входных данных, tsLUDI-VR), 1С
Время сохранения адреса после сиг-
нала CS, tv(CS-A), нс
Время сохранения сигнала CS после
сигнала записи, tV(WR-cs), нс
Длительность сигнала, CS, tries), нс
Длительность интервала между сиг-
налами CS, /REC(CS), нс
Время запрещения выходных данных
после сигнала CS, tDis(cs), нс
Длительность сигнала записи, twiwr,.
нс
Время цикла записи, Icywvr, нс
Время цикла считывания, /с>(А)яр, ис
Входная емкость, С/. пФ
Выходная емкость, Со, пФ
Емкость нагрузки, Сд, пФ
Примечания: 1. Параметры К537РУ1А, К537РУ
200 300 — 600 — 20 — 20 — 70
— — ' — — — — 0 — — —
200 —20 ПС
— 300 — 600 — — 20 — 30
-- — — — — — — — 20 — —
200 — 300 — 600 — — — 20 — 60
300 — 500 — 1000 — — — — — 30
900 - 1400 — 2800 390 - - 200 220
400 — 600 — 1200 — (560) 110 — (300) — (400)
— — — — — 50 190 — Г“ —
400 1300 — G00 — 1200 — *IV'(CS)+ +20 pc — 80 — —
— 2000 — 4000 — 500 — 350
1300 — 2000 — 4000 — (670) 500 (530) 350
— 10 — 10 10 (670) 8 — 10 (530)
— 10 — 10 — 10 14 .— 10
— 30 — 30 — 30 — 50 — 50
1Б. К537РУ1В
указаны в
диапазоне
10
50
—60 ... +70 °C, парамст-
Для КР537РУЗ в скобках
: температур
КР537РУ2А. „.... ___________ _ _________
• Для КР337РУ8 в скобках указаны пара-
КР537РУ8Б параметры измерялись при
ю
о
сл
ры остальных микросхем —в диапазоне температур —10...+70 °C.
2. Для КР537РУ2 в скобках указаны параметры КР537РУ2Б, отличные от параметров
указаны параметры КР537РУЗА и КР537РУЗВ, отличные от параметров КР537РУЗБ
метры КР537РУ8Б. отличные от параметров КР537РУ2Л.
3. Для КР537РУ2Л. КР537РУ2Б. КР337РУЗА, КР537РУЗБ, КР537РУЗВ КР537РУ8А
нагрузке Сд=50 пФ.
•1. Временные интервалы для К537РУ1А. К537РУ1Б. К537РУ1В, КР537РУ2А, КР337РУ2Б, КР537РУЗА КР537РУЗБ КР337РУЗН
указычл на уровне 0.5 Л. для КР537РУ8А. КР.137РУ8Б - па уровне 1.5 В. KPaj/iyjB
о
3
Е
CQ
С)
Я
Ч
«3
я
Я
3
о.
о
с_
о
я
О
X
3
я
CQ
i
Примечание. Параметры К537РУ1А. К537РУ1Б, К537РУ1В указаны в диапазоне температур —60...+70 °C, остальных микросхем этой
серии — в диапазоне температур —10... +70 °C.
206
Рекомендации по применению
В режимах записи и считывания сигналы записи и считывания на
микросхемы допускается подавать уровнем. При этом сигнал выбора
микросхемы CS должен быть обязательно импульсным. Все управляю-
щие сигналы CS, WR/RD могут быть импульсными (согласно времен-
ным диаграммам).
Минимальное время цикла записи или считывания должно быть
равно ter min=tv(CS)-\-tllEC(CS)'
В режиме хранения (невыбора) микросхемы потребляют значи-
тельно меньшую мощность, чем в режиме обращения. Поэтому для
сохранения данных в ОЗУ в режиме хранения можно выключать
основной источник напряжения питания и переключать ОЗУ на мало-
мощный буферный источник питания, обеспечивающий подачу напря-
жения только на БИС ЗУ. Для микросхем К537РУ1А, К531РУ1Б,
К537РУ1В и КР537РУ8А, КР537РУ8Б в режиме хранения допускается
снижать напряжение питания источника до 3 В. а для микросхем
КР537РУЗА, КР537РУЗБ, КР537РУЗВ—до 2,2 В; для микросхем
КР537РУ2А, КР537РУ2Б такой режим не оговорен.
При применении микросхем этой серии запрещается подавать сиг-
налы на входы микросхемы при отключенном напряжении питания.
При включении блока ЗУ первым на блок должно подаваться напря-
жение питания, а затем входные сигналы. При выключении блока ЗУ
сначала должны отключаться входные сигналы, а затем напряжение
питания. Напряжение входных сигналов не должно превышать напря-
жение питания микросхемы Ucc-
При эксплуатации микросхем допускается объединять выводы DO
и DI (при допустимых нагрузках и уровнях соответствующих сиг-
налов).
Ниже приведены зависимости электрических параметров от элек-
микросхем К537РУ1А, микросхемы К537РУ1А
К537РУ1Б, К537РУ1В при при 1/сс=4,5 В, С,.=30 пФ и
t/cc=5,5 В. Сд=30 пФ и F= Г= 250... 770 кГц
=770 кГц
Зависимость Ices—f (Ucc) мик-
росхем при Т=4-25°С:
1 — КР537РУ2А: 2 - КР537РУ2Б
Зависимость Iccs=f (Т, °C)
микросхем при Псс=5,5 В:
I - КР537РУ2А; 2 — КР537РУ2Б
207
Зависимость lcc=f(Ct) микро-
схем К537РУ1А, К537РУ1Б,
К537РУ1В при Г=+25°С,
Ucc=5,5 В и А = 770 кГц
Зависимость Mcs=f(CL) мик-
росхем К537РУ1А, К537РУ1В,
К537РУ1В при Усс=4,58 В.
7’=+25°С и F=25 ... 770 кГц
(&fcs — приращение времени
выбора из-за изменения емко-
сти нагрузки)
Зависимость Icc=fUcr) мик-
росхем КР537РУ2А,
КР537РУ2Б при Т=+25°С.
Ucc=5,5 В и Сд=50 пФ
,(tc Y(A}W R = tcY(A1RD — tW(CS)',
алгоритмы контроля — «бегу-
щий 0» и «бегущая 1»)
Зависимость tCs=f (Т, °C)
микросхемы КР537РУ2А при
Ucc = 4,5 В и Сд=50 пФ
Зависимость tcs=](UCc) мик-
росхемы КР537РУЗБ при Т=
= +25 °C и С\=50 пФ
Зависимость tcs=j(CL) микро-
схемы КР537РУЗБ при Т=
= +25 °C и UCc= 4,5 В
208
Зависимость lccs=f (Т, °C)
микросхемы КР537РУ8Л при
Ucc=5,25 В
Зависимость tCs=f(CL) микро-
схемы КР537РУ8А при Ucc—
=4,75 В и Т= + 25°С
ttS>
500
ООО
500
200
Зависимость 1сс=1(.1сг) мик-
росхем КР537РУ8А.
К.Р537РУ8Б при 67=50 пФ и
усс=5,25 В
Зависимость tcs=f(CL) микро-
схем КР537РУ2А при Т—
= + 25°C и 67 с=4,5
СЕРИЯ К561
Статическое тактируемое оперативное ЗУ
на основе КМОП-структур
К561РУ2А, К561РУ2Б
Информационная емкость .
Организация..................
Напряжение питания
Диапазон температур
Выход .......................
Совместимость по входу и выходу
Тип корпуса ....................
. 256 бит
. 256 словХ 1 разряд
. 6... 12 В
. —45...+85 °C
. Три состояния
. С КМОП-схемами
. Пластмассовый, 2106.16—2
(см. рис. 6.2)
Классификационные параметры микросхем К561РУ2А, К561РУ2Б
Тип микросхемы Время выборки адреса, нс, не более Потребляемая мощность в режиме хранения, нс, не более
К561РУ2А 970 2,85
К561РУ2Б 1600 9,45
14-5037
209
о, 1 11 1 1 1 1 1 1 1 1 - Ац 4, д2 ^5 ^7 П/ CS W»/ RAM V) VO й — 13 — 1U
К561РУ2А,
К56ГРУ2Б
Назначение выводов микросхем
К565РУ2А, К561РУ2Б
Рыводы Назначение Обозна- чение
1, 2,3, 6,7, Адресный вход Ао... А7
9, 10, 11 12 Вход данных DI
13 Выход данных: прямой ВО
14 и н верен ый DO
16 Выбор микросхемы CS
15 Сипая запись—счи- WR RD
5 ты ванне Напряжени е пи тана я ucc
4 Общий OB
8 Свободный
Таблица истинности микросхем К561РУ2А, К561РУ2Б
CS VR>RD aq . .4? DI no Режим габоты
1 X X X Rott Хранение
0 Д A 0 Roff Запись 0
0 1 A 1 Rofi Запись 1
0 0 A X Данные в прямом коде — вывод 13, в инверсном ко- де — вывод 14 Считывание
Предельные режимы эксплуатации микросхем серий К561
(в диапазоне температур —45 ... 4-85’С)
Параметры Значения параметров
мин. мака.
Напряжение питания, Ucciim, В —0,5 12
Напряжение входных сигналов, (//«„, В —0,5
Длительность фронтов сигнала CS, iptim, t R Нт, МКС Мощность потребления при Ucc=9 В, РссНт, мВт Выходной ТОК, Jol Нт, мА — 1,0
— 150
— 10
Емкость нагрузки при Ucc— 9,45 В и F— = 1 МГц, CL нт, пФ — 500
210
Временная диаграмма работы микросхем К561РУ2А, К561РУ2Б:
а — режим записи; б — режим считывания
14*
211
Статические параметры микросхем серий К561
(в диапазоне температур —45 ... +85°С)
Параметры Значения параметрон
мин. макс.
Напряжение питания, Ucc, В 6 12
Ток потребления в режиме хранения *, lees, мА Входное напряжение**, В: — 0,3
7,7 (1.0)
логической 1, Uih 8,55
логического 0, Oil Входной ток *, мкА: 0,6 —
логической 1, 1/н — 1,0
логического 0, hL. Выходное напряжение *: — 1,0
логической 1, Uон, В 9,44 —
логического 0, UOl, мВ Выходной ток, мА: — 50
логической 1*, 1он логического 0**, Iol — 0,6
— 2,0
Выходной ток утечки**, Ii.on, мкА — 15 (20)
Входной ток утечки*, Ilih, Ilil, мкА — 1.0
Примечания: В скобках указаны параметры К561РУ2Б, отличные от
К561РУ2Л.
• При 1/сс=9.45 В±1%.
*• При Усс=8,55 В±2%.
Рекомендации по применению
Микросхема может работать в режимах записи, считывания и хра-
нения информации согласно таблице истинности и временной диаграм-
ме (см. выше).
Сигналы записи и считывания допускается подавать постоянным
уровнем. При этом сигнал CS должен быть импульсным.
Допускается объединение выводов D1 и DO (при допустимых на-
грузках и уровнях сигналов).
Допускается превышение входного импульсного напряжения над (1
напряжением питания на одном (любом) выводе не более чем на
1,0 В при /1г^1 мкс (на уровне 0,5) и скважности не менее 2, а при
одновременном воздействии на несколько выходов — не более чем
на 0,5 В.
Допускается отрицательное напряжение па входе в импульсном
режиме на одном (любом) выводе не более 1,0 В при /дт=1 мкс (на
уровне 0,5) и скважности не менее 2.
Микросхема К561РУ2 в режиме хранения потребляет значительно
меньшую мощность, чем в режиме обращения. Поэтому для сохране-
ния данных в ОЗУ в режиме хранения можно подключать буферный
маломощный источник питания только к микросхеме, а все управляю-
щие схемы модуля ОЗУ отключать от источника питания.
Примерная схема автоматического подключения буферного источ-
ника питания приведена ниже.
212 •’
Динамические параметры микросхем серий K56I
(при температуре +25°C)
Параметры Значения параметров
мин. макс.
Время выборки адреса, нс — 620
Время выбора, tcs. нс — (1100) 600
Время установления сигнала CS относи- 20 (1000)
тельно адреса, isu(A-cs), нс Длительность интервала между сигналами (ЮО) 180 200
CS, tREC(CS), нс Время установления сигнала записи (счи- 0 —
тывания) относительно адреса, tSUIA_VRi, нс Длительность сигнала записи, tv{vl{), нс 620 —
Длительность сигнала CS, tw(cs>, нс (1100) 600 __
Время цикла записи (считывания) <ст(А)оог, (1000) 800
нс Входная емкость, С/. пФ (1300) 8
Выходная емкость, Со, пФ — 16
Емкость нагрузки, Сд, пФ — 50
Примечания: I. В скобках указаны параметры К561РУ2Б, отличные от
К561РУ2А.
2. Временные параметры измерялись при Ысс—8,55 В и CL=50 пФ.
3. Временные интервалы указаны по уровню 0,5 А.
4. Время цикла записи (считывания), tCY^}VR. в диапазоне температур
—45...+85°C составляет 1200 ( 2100) нс.
Схема подключения буферного
источника питания йссл к
микросхемам К561РУ2Л,
К-561РУ2Б
Напряжение буферного источника Ucc6 несколько меньше напря-
жения основного источника. В рабочем режиме буферный источник
отключен из-за закрытого диода VD3, а в момент выключения основ-
ного источника Ucc6 автоматически подключается к микросхеме. Дио-
ды VDi и VD. обеспечивают Uccynp^UccB к.
Так как К561РУ2 работает в широком интервале питающих напря-
жений, то, например, при номинальном значении £/сс=9 В, напряже-
ние буферного источника может изменяться в процессе разрядки до
6,0 В.
213
Для повышения надежности работы ОЗУ рекомендуется обеспе-
чить в схемах управления модуля ОЗУ в момент выключения основного
источника и перехода на буферный источник автоматическое переклю-
чение на выводе CS микросхемы на напряжение логической 1, а на
выводе WR/RD — напряжение логического 0.
Ниже приведены зависимости электрических параметров от элек-
трических режимов и условий эксплуатации.
Зависимость Icc—f (Г, °C)
микросхемы К561РУ2А при
£/сс=+9 В
Зависимость временных пара-
метров микросхемы К561РУ2А
от нагрузки С при 1/Сс=9 В
и Г=-|-25сС:
Зависимость временных пара-
метров микросхемы К561РУ2А
от температуры окружающей
среды при Ucc=9 В и CL=
=50 пФ:
/ — <СГ(Л): 2~ (cs'' 3 — ^EClCSy
4— ^₽(0) длительность фронта вы-
ходного сигнала
Зависимость временных пара-
метров микросхемы К561РУ2А
от напряжения питания при
Т= + 25°С и С£=50 пФ:
1 ~ 2CS’ 2 ~ ^REClCSy 3 ~ *Л(0>
214
Зависимость lcc-l(Ucc) мик-
росхемы К561РУ2А при Т=
=+25 °C
8.4. Динамические ЗУ на основе п-МОП-структур
СЕРИИ К565, КР565
Динамические оперативные ЗУ на основе п-МОП-структур
К565РУЗА... К565РУЗГ
Информационная емкость . . . 16384 бит
Организация.....................16384 словХ! разряд
Суммарная потребляемая мощность
по всем источникам питания: '
в режиме хранения.............Не более 40,0 мВт
в режиме обращения ... Не более 460,0 мВт
Диапазон температур.............—10...+70°C
Выход...........................Три состояния
Совместимость по входам (кроме ___
входов RAS, CAS, WR/RD) и вы- С ТТЛ-схемами. Входы RAS,
ходам i ........ CAS, WR/RD совместимы с
ТТЛ с ОК
Тип корпуса*....................Металлокерамический. 201.16—17
, (см. рис. 6.2)
” Коды маркировки наносятся на любом свободном месте поля маркировки
микросхемы:
<.»—группа А: «..»—группа Б; <...»—группа В. Микросхемы группы Г
маркируются без точки (К565РУЗ).
Классификационные параметры микросхем К565РУЗА ... К565РУЗГ
Тип микро- схемы Время цикла записи, нс, не более Время цикла считыва- ния, нс, не более Время выборки (относи- тельно сиг- нала RAS), нс, не бо- лее Период регенера- ции. мс, не более Напряжение питания
К565РУЗА 510 510 300 2 ^сс\ 1*12 В+5%
К565РУЗБ 510 510 300 1 +5 В+10% (Сз=~5В±5о/в
К565РУЗВ 410 410 250 2 । с.с\^=
К565РУЗГ 370 370 200 2 ^СС2~ +5 В +10% (/^=-5 B+lOo/.
215
Назначение выводов микросхем
К565РУЗЛ ... К565РУЗГ
К565РУЗЛ...
... К565РУЗГ
Выводы Назначение Обозначение
5...7. 10...13 Адресные входы •^0’ ^2» ^1т Л5, А4, Л3, Ле
2 Вход данных D1
14 Выход данных DO
4 Строб адреса строк RAS
15 Строб адреса столбцов CAS
3 Сигнал запись—считы- вание WR/RD
8 Напряжение питания -1-12 В UCCl
9 Напряжение питания +5 В Ucci
1 Напряжение питания -5 В ^ссз
16 Общий 0 В
Таблица истинности микросхемы К565РУЗА ... К565РУЗГ
MS CAS V.RIRD -4„.. .A, DI DO Режимы работы
1 1 X X X Roff Хранение
1 0 x X X Roff Хранение
0 1 X A X Roff Регенерация
0 0 0 A 0 R<>ft Запись 0
0 0 0 A 1 R<>ff Запись 1
0 0 1 A X Данные в прямом ходе Считывание
К565РУ5Б ... К565РУ5Д, К565РУ5Д1 ... К565РУ5Д4
Диапазон температур . . . .
Выход............................
Совместимость по входу и выходу .
Тип корпуса* ....................
— 10...+70 °C
Три состояния
С ТТЛ-схемами
Металлокерамический.
2103.16—5 (см. рис. 6.2)
* При маркировке корпуса с лицевой стероны допускается вместо буквы
«В» наносить знак «.», вместо буквы «Г»—знак вместо буквы «Д» —
знак «...». Буква «Б> точками не выделяется. Вместо индексов «Д1». . _«Д4> —
арабские цифры «!». . .«4>.
216
Классификационные параметры микросхем К565РУ5Б ... К565РУ5Д
Тип микро- схемы Информаци- онная емкость, бит Организация. словХразряд Напря кенне питания, В Время вы'орк н относительно сигнала RAS. нс, ис солее
К565РУ5Б 65536 65536X1 5+10% 120
К565РУ5В 65536 65536X1 5+10% 150
К565РУ5Г 65536 65536X1 5 4 5% 200
К565РУ5Д 65536 (5536X1 5+5% 250
К565РУ5Д1 32768 32768Х1 5+5% 250
К565РУ5Д2 32768 32768X1 5+ 5% 250
К565РУ5ДЗ 16384 16384X1 5—5°/о 250
К565РУ5Д4 16384 16384X1 5+5% 250
Тип микро- схемы Время цикла за- писи (счи- тывания/, нс, не бо- лее Период регене- рации, нс, не менее Потребляемая мощность, мВт, не более Задействованные адреса
в режиме хранения в режиме обраще- ния
К565РУ5Б 230 2 22 250 Все
К565РУ5В 280 2 22 195 То же
К565РУ5Г 360 2 32 185 п
К565РУ5Д 460 1 21 160
К565РУ5Д1 460 1 21 160 Вее*
К565РУ5Д2 460 1 21 160 Все*
К565РУ5ДЗ 460 1 21 160 Все, кроме Д7=лог. 0
К565РУ5Д4 460 1 21 160 Все, кроме А,=лог.1
* Кроме Д;— логической 1 (при подаче сигнала RAS); А? — любое (логнчсс-
кие 1 или 0) при подаче сигнала CAS.
Назначение выводов микросхем
К565РУ5Б ... К565РУ5Д
Выводы Назначение Обозначение
5...7, Адресные входы А6... А4, Д7,
9...13 А2... Ао, .43
2 Вход данных D1
14 Выход данных DO
4 Строб адреса строки RAS
15 Строб адреса столбцов _CAS
3 Сигнал запись — считы- WR RD
вание
8 Напряжение питания ^'cc
16 Общий 0 В
1 Свободный
<2 — 11 — 10 — 13 — 7 — 6 — 5 — 9 — At> A1 4* A5 4« A7 RAM 0 DO —
z — DI
4 — 15 — 3 — CAS /,0
К565РУ5Б ..
... К565РУ5Д
217
Таблица истинности микросхем К565РУ5Б ... К565РУ5Д
RAS С AS WR/RD А DI DO Режим работы
1 1 X X X Rolf Хранение
1 0 X X X Roff Хранение
0 1 X А X Roff Регенерация
0 0 0 А 0 Rolf Запись 0
0 0 0 А 1 Roff Запись 1
0 0 1 А X Данные в прямом коде Считывание
КР565РУ6Б ... КР565РУ6Д
Информационная емкость................
Организация...........................
Потребляемая мощность в режиме хра-
нения ................................
Диапазон температур...................
Выход.................................
Совместимость по входу и выходу .
Тип корпуса ..........................
16384 бит
16384 словХ! разряд
Не более 22 мВт
-10... +70 °C
Три состояния
С ТТЛ-схемами
Пластмассовый, 2103.16—2
(см. рис. 6.2)
Классификационные параметры микросхем КР565РУ6Б ... КР565РУ6Д
Тип микро* схемы Напряжение питания В ремя выбор- ки сигнала /?Л5, нс, не более Время цикла записи (счи- тывания), нс, не более Период регенера- ции, мс, не бопее Потребляемая мощность в режиме обращения, мВт, не более
КР565РУ6Б +5В±10/. 120 230 2 150
КР565РУ6В +5В±10°/о 150 280 2 140
< Р565РУ6Г +5 В+5% 200 360 2 130
КР565РУ6Д + 5В+5о/в 250 460 1 120
5— 7 — 6 — 12 — 11 — 10 — 13 — 4 о % 4» *5 RAM 0 по
2 — ш
♦ —
15 — CAS
5 — ЙЯ /W |_
КР565РУ6Б...
... КР565РУ6Д
Назначение выводов микросхем
КР565РУ6Б ... КР565РУ6Д
Выводы Назначение Сбочначение
5 ... 7, 10 ... 13 Адресные входы -^о» -^2» -^1» ^5 •••
2 Вход данных D1
14 Выход данных DO
4 Строб адреса строк RAS
15 Строб адреса столбцов CAS
3 Сигнал запись — считывание WR/RD
8 Напряжение пита- ния ucc
16 Общий 0B
1,9 Свободные выводы —
Таблица истинности микросхем КР565РУ6Б ... КР565РУ6Д
РЛ5 CAS WR!RD А Dt DO Реким работы
1 1 X X X Roff Хранение
1 0 X X X Rott Хранение
0 1 X А X Roif Регенерация
0 0 0 А 0 Roff Запись 0
0 0 0 А 1 Roff Запись 1
0 0 1 А X Данные в прямом коде Считывание
Предельные режимы эксплуатации микросхем К565РУЗА ... К565РУЗГ
(в диапазоне температур —10 ... +70°C)
Параметры Значения параметров
мин. макс.
Напряжения питания, В: Ucci Um 13,5
UcC2 Нт — 6,0
UcC3 Нт — 6,0 — 4,0
Входное напряжение, Ui цт, В — 1,0 7,0
Примечание. Допускается превышение в течение 10 мс t/CC2 до 7 В и
UCCl относительно UCC3 до 20 В при сохранении условия
Предельные режимы эксплуатации микросхем
К565РУ5Б ... К565РУ5Д; КР565РУ6Б ... КР565РУ6Д
Параметры Значения параметров
мин. макс.
Напряжение питания, Uccum, В 0 6,0
Кратковременное напряжение питания в те- чение 10 МС, UcCKlim, В — 7,0
Входные напряжения, Uinm. В — 1,0 6,5
Кратковременные входные напряжения в те- чение 10 МС, Ul и Нт, В — 2,0 7,0
Выходной ТОК, /о Нт, мА — 30
Емкость нагрузки, Ol Нт, пФ — 200
219
220
RAS к
thtRAs- *c)
tsu(RAS-CAS)
tRMW
tn(RAS-CAS)
tw(RAS)
tsu(A- cas)
A
tSit(A-RAS)tH{RAS-A)
А-строк\
wr/rd
tn(CAS-RAS)
tw(CAS)
tRCCl'RAS) i
tn(CAS-A)
А-столбцов
tsu(RO-CAS)
t
t
tH(WR-CAS) _ I , ‘ ±
il *1 Cu(wR-RAS)
tsUfCAS-WR/
t WlWR
tsU(RAS-WR)
8)
;(ras)
RAS
tsU(RAS-CAS) tw(CAS) t^oC(CAS~)
tn(CAS-RAS)
t DIS (CAS) t
----X Roff
tA(RAS)
tsUCDI-WR)
tAaASTT
ixtWR-Bl')
t
t
tw(RAS)
t
CAS
t-SU(ARAS)
WR/RD’)
z' ? w W 5 -Л) t WM-rpgt Ute AS-A)
t
tsuCwR-CAS)^
,tn(CAS-WR)
t
tn(CASBl')
t
tsu(DI-CAS)
г)
&
Pl
221
tA(CAS)
Ia(ras)
Rotf
Roff
no
tDlS(CAS)
r ROff
Roff
Временные диаграммы работы микросхем серий К565, КР565:
а — режим записи; б — режим считывания; в — режим считывание — модифика-
ция — запись; г — страничный режим записи; д — страничный режим считыва-
ния; е — режим регенерации
Уровни отсчета временных интервалов микросхем: К565РУЗА...
...К565РУЗГ: Uil~0,8 В; Uah~Udih~%A В; Uvrh=Urash—Uc/ash—
=2,7 В; К565РУ5Б ... К565РУ5Д: {/„=0,8 В; {/,„=2,4 В; К565РУ6Б,
К565РУ6В: {/,£=0,8 В; {/,„=2,4 В; К565РУ6Г, К565РУ6Д: {/„=0,6 В;
{//„=2,4 В
Рекомендации по применению
Для выбора любого из 16384 элементов памяти микросхем
К565РУЗ и КР565РУ6 требуется 14-разрядный адресный код в мульти-
плексном режиме. При этом сначала подаются в параллельном коде
семь младших разрядов адреса строк —А строк (Ао А6), которые
фиксируются на адресном регистре при помощи сигнала RAS. Затем
подается код адреса столбцов —А столбцов (А, ... А|3), который фик-
сируется на адресном регистре столбцов при помощи сигнала CAS.
222
Статические параметры микросхем К565РУЗА ... К-з65РУЗГ
(в диапазоне температур —10 ... 4-70°С)
Параметры Значения параметров
мин. макс.
Напряжения питания, В:
Ucci 11,4 12,6
(10,8) (13,2)
Uc.C2 4,5 5,5
U ccs -4,75 —5,25
(-4,5) (-5,5)
Ток потребления: в режиме обращения:
/ссь мА — 35
/ссз, мкА — 300
в режиме хранения:
Iccsu мА lean, мкА — 3,0
— 10
Iccss, мкА — 100
Входное напряжение, В:
логического 0 (на всех выводах), U,L — 1,0 0,6
логической 1 (на выводах RAS, CAS, 2,7 (0,8)
6,5
WR/RD), и,,. 2,4
(на выводах A, DI), Um 6,5
Выходное напряжение, В: 0,4
логического 0, Uol —
логической 1, Uон 2,4 —
Выходной ток, мА: 4,0
логического 0, 1OL —
логической 1, /он — 4,0
Выходной ток утечки, lLO, мкА -10 10
Выходной ток утечки, lLI, мкА — 10 10
Примечания: 1. В скобках указаны параметры микросхем К565РУЗВ и
К565РУЗГ. отличные от параметров микросхем К565РУЗА, К565РУЗБ.
2. Значения параметров U0L и UOII указаны при максимальных значениях
выходных токов.
3. Уровни управляющих сигналов даны с учетом амплитудных значений
напряжений помех в полосе частот не менее 100 МГц
4. Ток потребления /сс зависит от нагрузки и составляет 2 ... 4 мА.
Для выбора любого из 65536 элементов памяти микросхемы
К565РУ5 требуется 16-разрядный адресный код, который подается на
8-разрядный адресный регистр в мультиплексном режиме. При этом
сначала подаются в параллельном коде восемь младших разрядов
адреса строк —А строк (Ао ••• А7). Код адреса строк фиксируется
на адресном регистре при помощи сигнала RAS. Восемь: старших раз-
рядов кода адреса столбцов —А столбцов (Л8 ... Ai5) фиксируются
на адресном регистре при помощи сигнала CAS.
На операцию мультиплексирования практически не требуется до-
полнительного времени по сравнению с параллельной подачей кода
223
to Статические параметры микросхем К565РУ5Б ... К565РУ5Д (в диапазоне температур —10 ... 4-70аС)
Значения параметрон
Параметры К565РУ5Б К565РУ5В К565РУ5Г К565РУ5Д, К5Ч5РУ5Д1.. ... К565РУ5Д4
МИН. макс. МИН. макс. МИН. макс. мин. макс.
Напряжение питания, Ucc, В 4,5 5,5 4,5 5,5 4,75 5,25 4,75 5,25
Ток потребления, мЛ: в режиме хранения. Ices в режиме обращения, Ice — 4,0 45 — 4.0 35 — 6,0 35 — 4,0 30
Входное напряжение, В: логического 0, Uli, — 1,0 0,8 — 1,0 0,8 — 1,0 0,6 — 1,0 0,6
логической 1, Um 2,4 6,0 2,4 6,0 2,4 6,0 2,4 6,0
Входные токи утечки, 1ц, мкА —10 10 — 10 10 — 10 10 — 10 10
Выходные токи утечки, /до, мкА —10 10 — 10 10 — 10 10 —10 10
Выходное напряжение, В: логического 0, UOL 0,4 0,4 0,4 0,4
логической 1, Uон 2,4 2,4 2,4 2,4
Выходной ток логического 0, /од, мА — 4,0 4,0 — 4,0 — 4,0
Примечания. I. Параметр U0L указан при максимальных значениях выходного тока.
2. Допустимые уровни сигналов указаны с учетом амплитудных значений напряжения помех в полосе частот не менее 100 МГц.
3. Ток потребления в режиме обращения указан при/сг5г230 нс (К565РУ5Б), /су>280 нс (К565РУ5В), Тсу>360 нс
(К565РУ5Г). /С).>460 нс (К565РУ5Д).
Статические параметры микросхем КР565РУ6Б ... КР565РУ6Д (в диапазоне температур —10 ... +70°С)
8
Параметры Значения параметров
КР565РУ6Б КР565РУ6В КР565РУ6Г КР565РУ6Д
мин. макс. МИН. макс. мин. макс. мин. макс.
Напряжение питания, Ucc, В 4,5 5,5 4,5 5,5 4,75 5,25 4,75 5,25
Ток потребления, мА: в режиме обращения 1сс — 27 — 25 — 23 — 21 6,0
в режиме хранения Ices 4,0 4,0 — 4,0 —
Входное напряжение*, В: логической '1, Um логического 0, Oil — 1,0 2,4 0,8 6,0 —1,0 2,4 0,8 6,0 — 1,0 2,4 0,6 6,0 — 1,0 2,4 0,6 6,0
Выходное напряжение, В: логической 1, Uoh логического 0, Uol 2,4 0,4 2,4 0,4 2,4 0,4 2,4 0,4
Ток утечки на входе, 1ц, мкА — 10 10 — 10 10 — 10 10 — 10 10
Ток утечки на выходе, 1<ц, мкА — 10 10 — 10 10 -10 10 —10 10
Выходной ток, мА: логической 1, 1Ън — 2 — 2 — 2 — 9
логического 0, Iol — 4 — 4 — 4 — 4
выходных токов.
>360 нс (К565РУ6Г); /
максимальных значениях соответствующих
280 нс (К565РУ6В); t
Примечания. 1. Значения параметров и указаны при
2. Параметр измерялся при времени цикла 3:230 нс (К565РУ6Б);
> 460 нс (К565РУ6Д).
• С учетом амплитуд помех в полосе частот до 100 МГц.
ю
ко
226
Динамические параметры микросхем К565РУЗА ... К565РУЗГ (в диапазоне температур —10 ... +70°C)
Параметры Значения параметров
К565РУЗА, К565РУЗБ К565РУЗВ К565РУЗГ
МИН. макс. МИН. макс. МИН. макс.
Время выборки сигнала /?AS *, tA(RAS), НС — 300 — 250 — 200
Время выборки сигнала CAS **, tA(CAS), нс Время запрещения выходных дан- ных после сигнала CAS, измеренное без нагрузки, Idis(cas), нс — 200 ••— 165 — 135
0 80 0 60 0 50
Время цикла считывания (записи), в режиме записи — считывания tcY(RAS}RD (JcY(RAS'iWr) , НС 510 — 410 — 370 —
Время цикла считывания — модифи- кации — записи, ten, нс 670 — 520 — 420 —
Время цикла считывания (записи) в страничном режиме, tcYZ, нс 370 — 275 — 225 —
Длительность сигнала RAS, Iwiras), нс 300 10 000 250 10 000 200 10 000
Длительность интервала между сиг- налами RAS, tffEClRAS), нс 200 — 150 — 120 —
Длительность сигнала СЛ$, ^г(сд5), нс 220 10 000 165 10 000 135 10 000
Время установления сигнала САЗ относительно RAS, tsu(RAs-cAs->, нс 100 — 85 — 65 —
Время удержания сигнала RAS от- носительно CAS, tmcAs-RAS}, нс 200 — 165 — 135 —
Время установления сигнала CAS относительно сигнала DI, tsuioi-cAS}, нс 0 — 0 7— 0 —
Продолжение
Параметры / Значения параметров
К565РУ.ЧА. К565РУЗБ К565РУЗВ К565РУЗГ
мин. макс. МИН. макс. МИН. 1 макс.
Время удержания сигнала CAS отно- сительно RAS, t/HRAS-CAS}, нс 300 — 250 — 200 —
Время удержания сигнала /?AS отно- сительно сигнала CAS, Ih(cas-ras}, нс 100 — 80 — 60 —
Время установления сигнала /?АЗ относительно адреса строк, Isu(a-ras}, нс 0 — 0 — 0 —
Время удержания адреса строк отно- сительно сигнала RAS, Ih(ras-a), нс 60 — 45 — 25 —
Время установления сигнала САЗ относительно адреса столбцов, Gt (Л— CAS), нс 20 — 10 — 10 —
Время удержания адреса столбцов относительно сигнала САЗ, 1щса*-а}, нс 100 — 75 — 55 —
Время удержания адреса столбцов относительно сигнала /?АЗ, Ih(ras-a}, нс 200 — 160 — 120 —
Время установления сигнала CAS относительно сигнала RD, Isuird- елз), to НС 0 — 0 — 0 —
Продолжение
228
Параметры Значения параметров
К565РУЗА, К565РУЗБ К565РУЗВ КР565РУЗГ
мин. макс. МНИ. макс. мин. макс.
Время сохранения сигнала считыва- ния после сигнала СЛЗ, tv{CAs-RS), не 0 — 0 — 0 —
Длительность сигнала WR, нс 120 — 75 — 55 —
Время удержания сигнала W7? отно- сительно сигнала CAS, /«(ms-wto, нс 100 — 75 — 55 —
Время удержания сигнала WR отно- сительно сигнала RAS, tmus-wR), нс 200 — 160 — 120
Время удержания сигнала &4S отно- сительно сигнала WR, Ihiwr-ras), нс 150 — 100 — 80 —
Время удержания сигнала СЛЗ отно- сительно сигнала WR, t^wR-cAS), нс 150 — 100 — 80 —
Время установления сигнала СЛЗ от- носительно сигнала DI, tsmoi-cAS), нс 0 — 0 — С —
Время удержания сигнала DI относи- тельно сигнала CAS, tn(CAs-oi), нс 100 — 75 — 55 —
Время удержания сигнала D1 относи- тельно сигнала WR, tmvR-oi), нс 100 — 75 — 55 —
Время установления сигнала СЛЗ относительно сигнала WR ***, t SU(VR-CAS), НС 20 10 — 10 —
О к о н ч а н и е
Параметра Значения параметров
К565РУЗА, К565РУЗБ К565РУЗВ К565РУЗГ
МИН. макс. мин. макс. МИН. макс.
Время установления сигнала WR относительно сигнала СЛЗ * •• *** *•**, tsU(CAS-WR), ИС 205 — 170 — 140 —
Время удержания сигнала DI отно- сительно сигнала RAS, tn(RAs-ni), нс 200 — 160 — 120 —
Длительность интервала между сиг- налами СЛЗ (в страничном режи- ме), IreC(CAS), нс 140 — 100 — 80 —
Период регенерации, Tref, нс — 2 (1) 7— 9 — 2
Длительность фронта ***♦, /я, tF< нс 3 35 3 35 3 35
Время установления сигнала WR от- носительно сигнала О/, tsu(ni-WR), нс 20 — 10 — 10 —
Примечания: 1. Предполагается, что tsu (R AS_C As) ~^su (в лв-с AS) min- Если tgu (н/is-c.isl^sr (плв-с AS) min т0
‘л (RAS) бУдет возрастать на величину, равную tsu (R/IS-cas -‘suiras-c AS)min-
2. Все параметры измерялись при нагрузке, эквивалентной двум нагрузкам ТТЛ и емкости 100 пФ.
3. Все параметры измерялись при нс.
4. В скобках указаны параметры микросхем К565РУЗБ, отличные от параметров микросхем других групп этой серии.
5. Временные интервалы и фронты управляющих сигналов измерялись относительно уровней входных сигналов: U11 0,8 В;
^лн“2’4 В; В; ^WHH=2,7 В; ^лвя-2,7 В; UCASH=2,7 В.
* См, п. 1, 3 настоящих примечаний.
•• См. п. 2, 3 настоящих примечаний.
ьэ *** См. п. I настоящих примечаний.
*•** См. п. 2 настоящих примечаний.
Динамические параметры микросхем К565РУ5Б ... К565РУ5Д(в диапазоне температур —10 ... +70°C)
Параметры Значения параметров
* К565РУ5Б К565РУ5В КЕ65РУ5Г К565РУ5Д. К565РУ5Д1... К565РУ5Д4
мин. макс. МИН. макс. МИН. макс. МИН. макс.
Время выборки сигнала RAS, Ia(kas), нс — 120 — 150 — 200 — 250
Время выборки сигнала CAS, tA(CAS), НС — 70 — 90 — 120 — 150
Время запрещения выходных данных после сигнала CAS, Idis(cas), нс — 35 — 40 — 60 — 90
Период регенерации, Т R£r, нс 2,0 — 2,0 — 2,0 — 1,0 —
Время цикла считывания (записи), tcY(RAS)RD (tcYiRAS)Wp), НС 230 — 280 — 360 — 460 —
Время цикла считывания — модифи- кации ЗаПИСИ tcY(RAS)RMWt нс Время цикла считывания (записи) в страничном режиме ter рс, нс 310 — 380 — 460 — 600 —
150 — 180 — 250 — 320 —
Длительность сигнала RAS, twtRAsy. нс 120 10 000 150 10 000 200 10 000 250 10 000
Длительность интервала между сиг- налами RAS, Irec(ras), нс 100 — 120 — 150 — 200 —
Длительность интервала между сиг- налами СЛ5, /r£C(CAS), нс 35 — 40 — 60 — 99 —
Длительность сигнала CAS, tvt.cAS), нс 70 10 000 90 10 000 120 10 000 150 10 000
Время установления сигнала CAS относительно сигнала RAS, tSU(RAS-CAS), нс 30 50 35 60 55 80 75 100
Время удержания сигнала RAS относительно сигнала CAS, tn(CAS-RAS), нс 70 — 90 — 120 150 —
Продолжение
Параметры Значения параметров
К565РУ5Б К565РУ5В К555РУ5Г 065РУ5Д. К565РУ.5Д 1... К56'РУ5Д4
мин. макс. мин. макс. МИН. макс. МИН. макс.
Время удержания сигнала CAS относительно сигнала RAS, tn(RAS-CAS'), ИС 120 — 150 — 200 — 250 —
Время установления сигнала RAS относительно адреса строк, tsU(A — RAS), НС 0 0 0 0
Время удержания адреса строк от- носительно сигнала RAS, tn(RAS-A), НС 15 20 40 (0
Время установления сигнала CAS относительно адреса столбцов, tsU(A-CAS), НС 0 0 0 0
Время удержания адреса столбцов относительно сигнала CAS, ^HiCAS-AI, нс 25 — 35 45 60 —
Время удержания адреса столб- цов относительно сигнала RAS, ^H(RAS-A)^ НС 75 — 95 125 160 —
Время установления сигнала CAS относительно сигнала считывания, tsU(RD-CAS), НС 0 0 0 0 —
Время сохранения сигнала считы- вания -после сигнала CAS, tv(CAS-RD), нс 15 20 30 30
Продолжение
Параметры 1 Значения параметров
К565РУ5Б К565РУ5В К565РУ5Г К565РУ5Д, К565РУ5Д1... К555РУ5Д4
мин. макс. МИН. макс. мин. | макс. МИН. макс.
Время удержания сигнала вания относительно сигнала /«pMS-RD), НС считы- RAS, 30 — 40 — 60 — 90 —
Длительность сигнала WR, нс tw<.WR), 35 — 45 — 80 — 120 —
Время удержания сигнала относительно сигнала CAS, tmCAS-WR), НС WR 45 — 55 80 — 120
Время удержания сигнала относительно сигнала tlHRAS-WR), нс WR RAS, 95 — 115 — 160 — 220 —
Время удержания сигнала относительно сигнала WR, ‘mWR-RAS), НС RAS 55 70 — 95 — 130 —
Время удержания сигнала относительно сигнала WR, tn<.VR-CAS), НС CAS 55 — 70 — 95 —— 130 —-
Время установления сигнала относительно сигнала D1, tsU(DI-CAS), нс CAS 0 0 0 0
Продолжение
Параметры Значения параметров
К565РУ5Б К565РУ5В К565РУ5Г К565РУ5Д. К565РУ5Д1... К565РУ5Д4
МИН. макс. мин. макс. мин. макс. мин. макс.
Время установления сигнала относительно сигнала DI, tsU(DI-WR), нс WR 0 — 0 — 0 — 0 —
Время удержания сигнала относительно C4S, Ih(cas-di), DI нс 45 — 55 — 80 — 120 —
Время удержания сигнала относительно сигнала UZ/?, /«(ГЯ-ГИ), нс DI 45 — 55 — 80 — 120 —
Время установления сигнала относительно сигнала WR, t.SU(VR-CAS), НС CAS 0 — 0 — 0 — 0 —
Время установления сигнала относительно сигнала CHS, tsU(CAS-WR), нс WR 70 — 95 — 120 — 155 —
Время установления сигнала относительно сигнала tsU(RAS-WR), НС WR RAS, 120 т— 155 — 200 — 255 —
Время удержания сигнала относительно /MS, Ihiras-di), DI HC 95 115 — 160 — 220 —
Окончание
Параметры Значения параметров
К565РУ5Б К565РУ5В К565РУ5Г К565РУ5Д, . К565РУ5Д1... К565РУ5Д4
мин. макс. МИН. макс. мин. | макс. мин. макс.
Длительность интервала между сиг- налами CHS (в страничном режи- ме), /«£C(C4S>, нс 70 — 80 — 120 — 160 —
Длительность фронта, If, нс 3 35 3 35 3 35 3 35
Входная емкость, пФ: •
по входам WR/RD, RAS, CAS, С, — 10 — 10 — 10 — 10
по входам A, DI, С, — 6 — 6 — 6 — 6
Выходная емкость, Со, пФ — 10 — 10 — 10 — 10
Емкость нагрузки, CL, пФ — 50 — 50 — 50 — 50
Примечания: 1. Работоспособность микросхемы обеспечивается при фронте и
11 азо не 3 ... 35 нс.
2. Все параметры, кроме С/# Со. СL, измерялись при /;(<5нс, нс.
3. Временные интервалы и фронты управляющих сигналов измерялись относительно
б,дн=2>‘* В; ^сги“2’'1 В; U w пн“2>4 В- U rash=%A в! ^cash=-^ в-
4. Все параметры, кроме <£>is(cas)> С1 и Со, измерялись при нагрузке: #L=330 Ом,
рялся без емкости нагрузки CL.
спаде входных сигналов, лежащих в диа-
уровней входных сигналов: C//L-0,8 В;
Cl-50 пФ. Параметр <D/S(CAS) нзме-
Дииамические параметры микросхем КР565РУ6Б ... КР565РУ6Д (в диапазоне температур —10 ... +70°C)
Параметры Значения параметров
КР565РУ6В КР565РУ6В КР565РУ6Г КР565РУ6Д
мин. | макс. МИИ. макс. мин. макс. мин. макс.
Время выборки сигнала СЛЗ, /деедх), нс — 70 — 90 — 120 — 150
Время выборки сигнала RAS, tA(RAS)9 нс — 120 — 150 — 200 — 250
Период регенерации, Тref, нс 2,0 — 2,0 — 2,0 — 1,0 —
Длительность сигнала RAS, tw(RAS), нс 120 10 000 150 10 000 200 10 000 250 10 000
Длительность интервала между сиг- налами RAS, tREC(RAS), нс 100 — 120 — 150 — 200 —*
Длительность сигнала C4S, tw(cas), нс 70 10 000 90 10 000 120 10 000 150 10 000
Время установления сигнала CHS относительно сигнала RAS, tsU(RAS-CAS), нс 30 50 35 60 55 80 75 100
Время удержания сигнала RAS относительно сигнала CHS, tmCAS-RAS), нс 70 90 120 — 150 —
Время установления сигнала /?Д5 относительно адреса строк, tsU(A-RAS), НС 0 0 1 0 — 0 —
Время удержания адреса строк относительно сигнала RAS, tH(RAS-A), нс 15 20 40 60
Продолжение
Параметры Значения параметров
КР565РУ6Б КР565РУ6В I КР565РУ6Г КР565РУ6Д
МИН. макс. МИН. макс. мин. макс. мин. макс.
Время установления сигнала C/1S относительно адреса столбцов, tsU(A-CAS), нс 0 — 0 — 0 — ° —
Время удержания адреса столб- цов относительно сигнала CAS, Ih(CAS-A), ИС 25 — 35 — 45 60
Время удержания сигнала D1 от- носительно сигнала WR, tmwR-oi), нс 45 — 55 — 80 120
Длительность интервала между сигналами C71S, /«£С(слз), нс 35 — 40 — 60 — 90 —
Время установления сигнала C/1S относительно сигнала RD, tsU(RD-CAS), нс 0 — 0 — 0 0
Время сохранения сигнала считыва- ния после сигнала C71S, tv(CAS-RD), НС Длительность сигнала WR, twivu), нс 15 20 — 30 30
35 —• 45 ' 80 — 120 —
Время удержания сигнала WR от- носительно сигнала CAS,tH(CAS-vn), нс 45 — 55 —‘ 80 120
Время удержания сигнала RAS от- носительно сигнала WR, hnWR-RAS), НС 55 — 70 — 95 130
Продолжение
Параметры Значения параметров
КР565РУ6Б КР565РУ6В КР568РУ6Г КР565РУ6Д
МИН. макс. МИН. макс. МИН. макс. МИН. макс.
Время удержания сигнала 671S относительно сигнала WR, tH(WK-CAS), нс 55 — 70 — 95 — 130 —
Время установления сигнала C71S относительно сигнала D1, tsU(Dt-CAS), нс 0 0 — 0 — 0 —
Время удержания сигнала D1 отно- сительно сигнала C/1S, <h(ms-dzj, нс 45 — 55 — 80 — 120
Время установления сигнала 6/16 относительно сигнала W7?, tsU(WR-CAS), НС 0 — 0 — 0 — 0 —
Время установления сигнала WR относительно сигнала D1, tsU(DI-WR), НС 0 •— 0 — 0 — 0 —
Время запрещения выходных данных после сигнала C4S, tnisicAsy, нс — 35 — 40 — 60 — 90
Длительность интервала между сиг- налами C/1S, tpi;c(cAs), (в странич- ном режиме), нс 70 — 80 — 120 — 160 —
Время удержания сигнала СЛ5 от- носительно сигнала RAS, tmRAS-CAS), нс 120 — 150 — 200 — 250 —
Время удержания сигнала D1 отно- w сительно сигнала S, tinRAS-oiy, не 95 , 115 — 160 — 220 —
О)
X
к
СЧ
В*
X
о
X
О
Значения параметров
238
адреса. Состояние входной информации DI фиксируется по сигналам
RAS, CAS, WR/RD в момент прихода последнего по времени сигнала.
Когда сигнал CHS или /?.1S находится в состоянии лог. 1, инфор-
мационный выход имеет высокое сопротивление. Кроме того, в режиме
записи, когда сигнал WR/RD приходит раньше сигнала CHS, выход
микросхемы остается высокоомным в течение всего цикла записи. При
считывании выход переходит из высокоомного состояния в активное
состояние (логического 0 или 1) через время, равное времени выборки.
В таком включенном состоянии выход остается до перехода сигнала
CHS в состояние логической 1 (при этом логическое состояние сигнала
/MS безразлично).
В режиме считывания информация на выходе появится через время
tiiKAS). Если задержка между сигналами RAS и CHS Isl\ras-casi>
>tsu(RAs-cAS)min, то нормальное функционирование схемы не нару-
шается, однако время выборки относительно сигнала RAS в этом слу-
чае увеличится на величину разности Isuiras-cas}—tsuiRAs-cASimin.
Считывание информации производится без ее разрушения.
Так как в микросхеме нет выходных буферных регистров для фик-
сации выходной информации, сигнал RAS (или CHS) может выполнять
функции сигнала «выбор микросхемы» в блоке ЗУ. При использовании
для этой цели обоих сигналов RAS и CHS можно реализовать двухко-
ординатную (А', У) схему выбора микросхемы.
Регенерация информации осуществляется путем обращения к каж-
дой из 128 строк не реже, чем 2 мс (1 мс), путем перебора адресов:
для микросхем К565РУЗ и КР565РУ6 перебором адресов Аа ... Нв;
для микросхемы К565РУ5 перебором адресов Ао ... А7. Регенерация
информации осуществляется в любом обычном цикле работы ЗУ. Наи-
более удобно выполнять регенерацию в специальном режиме управле-
ния одним сигналом RAS, когда сигнал CHS находится в состоянии
логической 1 (регенерация сигналом /?Д5). При регенерации в этом
режиме микросхема потребляет минимальную мощность.
Когда микросхема К565РУЗ находится в режиме регенерации,
источник иСсг можно отключить с целью экономии энергии.
Режим работы считывание — модификация — запись заключается
в считывании информации с последующей записью информации в один
п тот же ЭП в микросхеме.
Страничные режимы записи и считывания отличаются тем, что
в процессе записи или считывания изменяются только адреса столбцов;
тем самым осуществляется перебор ЭП данной строки. В этих режи-
мах значительно уменьшается время цикла.
Микросхема К565РУЗ питается от трех источников напряжения.
Включение источников напряжения необходимо производить в следую-
щей последовательности: источник Ucci подключать первым, а отклю-
чать последним (допускается источник t/со подключать с задержкой
до 100 мс по отношению к моменту включения Ucci и Ucci и отклю-
чать источник иССз за 100 мс до момента отключения Ucci и Ucci}.
Поочередность включения и выключения источников Ucci и Ucci без-
различна. Когда на микросхему подают напряжение Ucci, недопустимо,
чтобы напряжение Уссз было более положительным, чем напряжение
общей шины (0 В) пли разомкнутым.
После подачи напряжения питания микросхема К565РУЗ перехо-
дит в нормальный режим функционирования через 8 рабочих циклов,
микросхема К565РУ5 — через 2,0 мс и 16 рабочих циклов, микросхема
КР565РУ6 — через 8—16 рабочих циклов.
239
В режиме записи и считывания на микросхемы серии К565 допус-
кается подавать сигнал WR/RD уровнями в пределах соответствующе-
го цикла.
При эксплуатации микросхем в режиме записи или считывания
возможно объединение соответствующих выводов DI и DO.
При конструировании аппаратуры для повышения надежности ре-
комендуется обеспечивать такой тепловой режим, чтобы температура
корпуса микросхемы не превышала -|~70°С.
Допустимое значение статического потенциала не более 30 В.
Амплитудные значения паразитных сигналов в полосе частот до
100 МГц на выводе питания и общем (ОВ) должны быть не более
0,2 В.
В связи с тем что микросхемы КР565РУ6 ... КР565РУ6Д по
своим параметрам аналогичны микросхемам К505РУЗА ... К565РУЗГ,
но. работают с одним источником питания, целесообразно в новых раз-
работках при применении динамических ОЗУ использовать микросхемы
КР565РУ6Б ... КР565РУ6Д.
Ниже приведены зависимости электрических параметров от элек-
трических режимов и условий эксплуатации.
hci > МА
О 20 00 60 Т,°С
Зависимость lcci=f (Г, °C)
микросхем К565РУЗЛ ...
... К565РУЗГ при /сг=370 нс;
l/cci = 12,0 В; Uccz— 5.0 В;
Uc.cs——5,0 В; Cl=50 пФ
Зависимость Zcci=f (1//сг)
микросхем К565РУЗЛ ...
... К565РУЗГ при 7=+ 25 °C;
Псс1 = 12,0 В; Усс2=5,0 В;
Uсей——5,0 В; Cl=50 пФ
Зависимость ^(c.4S)/A-t(c.isio=
=f(Ucci) микросхем
К565РУЗЛ ... К565РУЗГ при
Т= + 25°С; (7Сс2=5,0 В; Уссз=
=—5,0 В; Ct=50 пФ
(fo(CXS)0=tl(<X4S) при Ucc\ =
= 12,0 В)
Зависимость ^л(сл5)//л(слэх)=
= f (Т, °C) микросхем
К565РУЗЛ ... К565РУЗГ при
Ucci = 12,0 В; (Усс?—5,0 В;
Uccs——5,0 В; С;.=50 пФ
(^(<ms)o=/i(c.4s) при Т=+25°С)
240
^A(CAS)^A(CAS)O
Зависимость Zcc=f(l//c>-)-
микросхемы К565РУ5Б при
1/сс=5,5 В; Г=25°С
Зависимость tA(CASl/tA(CAS)a=
=f (Т, °C) микросхем
КР565РУ6Б ... КР565РУ6Д
при £7сс=5,0 В и Ct=100 пФ
(tA(.CAS)!)=tA(CAS1 ПрИ Т=
=+25 °C)
^A(CAS) ^А (CASIO
О 20 W Т,‘С
п (fOO tCv, нс
Зависимость t4(C4S)/tt(c.<sx>—
=/ (Г, °C) микросхем
К565РУ5Б ... К565РУ5Д при
(7сс=5,5 В; Ci=50 пФ
(^(СЛ5Ю=/л(СЛ5) При Т—
= + 25 °C)
Зависимость lcc=f\lcr) мик-
росхемы КР565РУ6Б при Т=
=+25 °C; Ucc=5,0 В:
1 ~ *1Г(ял8)=Ч® нс:
2 — <vr(nj%s)=400 нс
Зависимость Iaicasi/
Iaicas^—I (Ucc) мик-
росхем К565РУ5Б...
... К565РУ5Д при
7’=+25°С; CL=
= 50 пФ (tAiCASfl —
~tA(.CAS) При Ucc—
=5,0 В)
Зависимость Iaicasi/
tA(CAS)o—i(Ucc) мик-
росхем КР565РУ6Б...
... К565РУ6Д при
Т= + 25°С и С;,=
= 100 пФ (Ia(cas>o—
=Ia(cas) при 17сс=
=5,0 В)
Зависимость 1л(слц/
tA(cAs»=f(Ui.) микро-
схем КР565РУ6Б...
...КР565РУ6Д при Т=
=+25’С и Ucc=
=5,0 В (/4(C4SW=
—tA(CAS} при Сд=
= 100 пФ)
16—5037
241
Глава девятая
Постоянные запоминающие устройства
9.1. Масочные ПЗУ
СЕРИИ К568, КР568
Постоянные масочные ЗУ на п-МОП-структурах
К568РЕ1, KP568PEI
Информационная емкость . . . .
Организация........................
Время выборки адреса...............
Время цикла считывания . . . .
Напряжение питания.................
Суммарная потребляемая мощность
Диапазон температур................
Выход..............................
Совместимость по входу и выходу .
16384 бит
2048 словХ8 разрядов
Не более 500 нс
Не менее 600 нс
(7cci = 5 В± 10 %
Усс2=12 В+10 %
Нс более 450 мВт
-10... +70°С
Три состояния
С ТТЛ-схемами
Микросхемы К568РЕ1 и KP568PEI отличаются друг от друга толь-
ко корпусом. Микросхема К568РЕ1 имеет металлокерамический корпус
типа 405.24—2 (см. рис. 6.3), микросхема КР568РЕ1—пластмассовый,
типа 2120.24—3 (см. рис. 6.2).
Назначение выводов микросхем К568РЕ1,
КР568РЕ1
Гы воды Назначение Обозначение
20 — 19 — 21- 18 — П - 16 - 15 — 10- 14- 13- 11- 1- 4® 4, 4? А3 4« а5 А6 л? Ав *10 CS ROM П0о по, пог по, OOt, П05 П0( Р07 _г 10,11,13,14, — 3 15, 16... 21 - 4 - 5 2...9 - 8 — 9 1 Адресные входы Выход данных Выбор микро- схемы Напряжение пита- ния Напряжение пита, и ня Общий Свободный •^7’’ ^10» у1д. /1«, ^1» A Л w00,' b(\, DO* DO3. DO,, DOb, DOe, DO, CS
К568РЕ1, КР568РЕ1 24 23 12 22 UCCl l,CC2 0B
242
Таблица истинности микросхем К568РЕ1, КР568РЕ1
CS Ло., .Дю DOo...D(), Режим работы
1 X Roff Хранение (невыбор)
0 А Данные в прямом коде Считывание
КР568РЕ2
Информационная емкость ....
Организация........................
Время выборки адреса...............
Время цикла считывания
Напряжение питания.................
Суммарная потребляемая мощность
Диапазон температур................
Выход.......................... .
Совместимость по входу и выходу .
Тип корпуса .......................
65536 бит
8192 словХ8 разрядов
Не более 350 нс
Не менее 400 нс
t/ccl = 5 В±5 %
t/cc2=I2 В±5 %
Не более 590 мВт
—10... +70°C
Три состояния
С ТТЛ-схемами
Пластмассовый. 2121.28—5
(см. рис. 6.2)
Назначение выводов микросхемы КР568РЕ2
Выводы Назначен не Обозначение
2, 1,3,28, 27, 26, 25, 18. 24, 23, 19, 22, 21 9, 11...17 Адресные входы Ио... /112
Выход данных dob...do7
8 Выбор микро- CS
схемы
6 Напряжение пита- ^CCl
НИЯ
7 Напряжение пита- ^ССЗ
НИЯ
29 Общий OB
4,5, 10 Свободные —
2- Ад ROM е
1 — 3 - 28 — 4, Аг Aj VOg — 9 — 11 — 12
27 — Ац 80, — 13
26- — 14-
25- Ад — 15
18 - А? ООб —16
24 -I 4д V0? — 17
27- 4$
19 -
22-
21 - Ап
8 — CS
КР568РЕ2
Таблица истинности микросхемы КР568РЕ2
CS Ло...Ац DOo...DO, Режим работы
1 0 X А RjH Данные в прямом коде Хранение <невыбор) Считывание
16*
243
КР568РЕЗ
Информационная емкость .
Организация..................
Время выборки адреса .
Время цикла считывания
Напряжение питания-
Потребляемая мощность
Диапазон температур
Выход .......................
Совместимость по входу и выходу
Тип корпуса .................
131072 бита
16384 словаХ8 разрядов
Не более 600 нс
Не менее 800 нс
5 В ±10 %
Нс более 300 мВт
— 10... +70°С
Три состояния
С ТТЛ-схемами
Пластмассовый, 2121.28—5
(см. рис. 6.2)
25- 25- Ао А, ROM $
26 — Аг
23 — Аз
ц — Ац — 3
А; 00, — 2
6- А( 00г — 1
19 — Ау О1)3 — 27
20 — 'li L- ff
21 - Аз О>5 — 12
15-4 006 — 17
13 - 00у — 18
19 - Ап
10 - А13
16- CS
КР568РЕЗ
Назначение выводов микросхемы КР568РЕЗ
Выводы Назначение Обозначение
4, 5, 6, 10, 13. 14. 15, 19, 20, 21. 23,25,26, 28 Адресные входы А» Де- As' z’n. Аг- Ао, А, А' А- А, -^1, /11, а
1,2, 3, 11, 12, 17, 18, 27 Выход данных оо2, DOX, DO„, DO4. ОО„, DO,. DO.,, D()3
16 Выбор микросхемы CS
7 Напряжения пита- ния L'cc
8 Общий 0 в
9, 22,24 Свободные выводы —
Таблица истинности микросхемы КР568РЕЗ
CS Ло... Ais DO0...D0, Режим работы
1 0 X A Roff Данные в прямом коде Хранение (невыбор) Считывание
244
Временная диаграмма работы микросхем серин К568, КР568 в режиме
считывания. Временные интервалы указаны по уровню: выходные сиг-
налы— 2,0 В и 0,8 В; входные сигналы К568РЕ1. КР568РЕ1—2.2 В
и 0,6 В, КР568РЕ2 и КР568РЕЗ — 2,0 В и 0,6 В
Предельные режимы эксплуатации микросхем серий К568, КР568
(в диапазоне температур —10 ... +70°С)
Параметры Значения параметров
К568РЕ1. KP5G8PF.I КР568РЕ2 КР568РЕЗ
МИН, макс. МИН макс. мин. макс.
Напряжение питания; В: Ucci Um 6,о 6,0 —0,3 6,0
Ucc2 Нт — 14,0 — 13,5 — —
Напряжения входных сигна- лов, В: логического 0, Uil цт — — 0 0,7 —0,7 0,8
логической 1, Uilllim — 6,0 — 6,0 — 6,0
Выходной ток: логического 0, /о г. цт. мА — 2,0 — 2,0 — 2,0
ЛОГИЧеСКОЙ 1, loillim, мкА — 200 — 200 — 200
Емкость нагрузки, Cl Нт, пФ — 550 — 250 — 500
Статический потенциал, U, В — 30 — 30 — 30
245
Статические параметры микросхем серий К568, КР568 (в диапазоне
температур —10 ... 4-70°C)
Параметры Значения параметров
К56 PEI, КР568РЕ1 КР568РЕ2 КР568РЕЗ
МИН. макс. МИН. макс. МИН. макс.
Напряжение питания, В:
Ucci 4,5 5,5 4,75 5,25 4,5 5,5
Ucct 10,8 13,2 11,4 12,6 — -—-
Ток потребления, мА:
Icci — 23 — 25 — 54
IСС2 — 24,5 — 28,5 — —
Входное напряжение, А:
логического 0, Un — 0,4 — 0,4 — 0,4
логической 1, Uih 2,4 5,5 2,4 — 2,4 —
Входной ток, мкА:
логического 0, In — 650 — 1000 — 650
логической 1, Iih •— 30 — 30 — 30
Выходное напряжение, В:
логического 0, Uol — 0,4 — 0,4 — 0,4
логической 1, Uон 2,4 — 2,4 — 2,4 —
Выходной ток:
логического 0, Iol, мА — 1,6 — 1.6 — 1,6
логической 1, 1он, мкА — 100 — 100 — 100
Ток утечки по выходу, Ilo, мкА — 30 — 10 — 30
Напряжение помехи, Um, В — 0,2 — 0,15 — 0,2
Примечание. Выходные напряжения измерялись при максимальных
значениях тока нагрузки.
Рекомендации по применению
Микросхемы могут работать в режимах хранения (невыбор) и счи-
тывания согласно таблицам истинности и временной диаграмме.
Допускается сигнал CS подавать постоянным уровнем.
При применении микросхем К568РЕ1, КР568РЕ1 необходимо учи-
тывать, что основание их корпуса имеет отрицательный потенциал и
поэтому при использовании теплоотвода подключать его к общей шине
0 В недопустимо.
При эксплуатации микросхем КР568РЕЗ необходимо подключить
между выводами 22 (вывод напряжения смешения подложки микросхе-
мы) и 7 (Ucc) конденсатор С емкостью 10 000 пФ±50 %.
Заказ на прошивку ПЗУ осуществляется согласно техническим
условиям на микросхему. Кроме того, согласно ТУ на указанные ми-
кросхемы имеются стандартные прошивки (например, КР568РЕ1 —
таблица синусов и таблица косинусов, КР568РЕ2 — 0001 — универсаль-
246
Динамические параметры микросхем серий К." 68. КР568
(в диапазоне температур —10 ... +70°C)
Параметры Значения параметров
K568PEI, КР563РЕ1 КР568РЕ2 КР568РЕЗ
МИН. макс. | мин. макс. МИН. макс.
Бремя выборки адреса, Сцд), нс —- 500 — 350 — 600
Время выбора, tcs, нс — 220 — 350 — —
Время запрещения выходных данных после сигнала CS, to/SiCS), нс — 200 — — — —
Время цикла, /сил», нс 600 — 400 — 800 —
Длительность сигнала CS, tT(CS), нс 220 — — — —• —
Время сохранения данных отно- сительно адреса, /см-оо), нс 30 — —— — — —•
Входная емкость, С/, пФ •— 10 — 10 — - 10
Выходная емкость, Со, пФ — 20 — 20 — 10
Емкость нагрузки, Сд, пФ — 100 — 100 — 100
Примечания: 1. Динамические параметры измерялись при нагрузке
С£=100 нФ и одной ТТЛ-схеме серии KI55.
2. Временные интервалы указаны:
выходных сигналов — по уровням 2.0 В и 0,8 В;
входных сигналов:
К568РЕ1. KP-568PEI—по уровням 2.2 В и 0.8 В;
КР568РЕ2, KP5G8PE3 — по уровням 2,0 В и 0.0 В.
ный генератор символов международных телеграфных кодов № 2 и
№ 3; КР568РЕЗ— 0002 — редактор текстов для ассемблера и т. п.).
Ниже приведены зависимости электрических параметров микросхем
от электрических режимов и условий эксплуатации.
Зависимость Pcc=f (Т, °C) микро-
схем К568РЕ1, КР568РЕ1 при Ucn=
=13,2 В и £/сс1=5,5 В
Зависимость Рсс=1 (ЛСгс)
микоосхем К568РЕ1
КР568РЕ1 при Г=+25'С
247
^A(A)tHC
«г
230
2iO
,200
-15-10-5 О
5 AUсс,°/>
Зависимость /л(л>=/ (Т, °C) микро-
схем К568РЕ1, КР568РЕ1 при Ucci—
=10,8 В и Усс1=4,5 В
Зависимость
=f(AUcc) микросхем
К568РЕ1, КР568РЕ1
Зависимость /л<л)=/(С£.) мик-
росхем К568РЕ1, KP568PEI
при Т=+25°С, УСС1=4,5 В,
t/cc2=10,8 В
Зависимость Pcc—f (Т, °C)
микросхем КР568РЕ2 при
t/cci=5,25 В и f7cc2=12,6 В
Зависимость Млю—{ (AUcci)
микросхемы КР568РЕ2 при’
УСС2=Ц,4 В и Т=+25°С
(А^(Л)=/л(Л)—^(1)0, (а<А)О—
=?л(,1) при t?cci=5,0 В)
Зависимость (CL)
микросхемы КР568РЕ2 при
17cci=4,75 В, В и
7'= + 25°С (Д<л(4)=<лмг—
/л(л)о=<л(л) при Ct=100 пФ)
248
Зависимость
микросхемы
1/сс2=12,0
— Uccio (^ccio=^cci=5,O
Pcc=i (A^cci)
КР568РЕ2 при
В; At/cci- 15 сс]—
В)
5сс> мА
40
55
50
-10 0 10 20
50 «О 50 T,‘C
Зависимость
микросхемы
1/сс=5,5 В
/сс=/ (Г, °C)
КР568РЕЗ при
100 200 500 CL,пФ
T°C
-20-10 О Ю 20 50 40 50 60
Зависимость (Г, °C) микро-
схемы КР568РЕЗ при 1/сс=4,5 В
Зависимость (1/се)
микросхемы КР568РЕЗ при
Г=4-25°С
СЕРИЯ K596
Постоянное масочное ЗУ на основе ТТЛ-элементов
К596РЕ1
. 65 536 бит
. 8192 слов\8 разрядов
Не более 350 нс
Не менее 350 нс
. 4 В± 10 %
Информационная емкость
Организация . . . .
Время выборки адреса .
Время цикла считывания
Напряжение питания*
Зависимость
микросхемы
Vcci=4,75 В
/лм>=/ (Г, °C)
КР568РЕ2 при
и С/сс2=Н.4 В
Jcc >
40
55
50
4,5
Ucc. в
5,0
Зависимость lcc-f(Ucc) микросхемь
КР568РЕЗ при 7’= + 25°С
Зависимость 1а(лу=1(CL) мик-
росхемы КР568РЕЗ при Т=
= 4-25 °C
500 |ZX
4,5
Ucc 18
Предусмотрена возможность импульсного питания.
249
Потребляемая мощность . ... Не более 640 мВт
Диапазон температур...—10...+70 С
Выход .............................Три состояния
Совместимость по входу и выходу С ТТЛ-схемами
Тип корпуса...Металлокерамический
н 1 4131.24—3 (см. рис. 6.3)
Назначение выводов микросхемы К596РЕ1
Гыводы Назначение Обозначение 111 А0 4? ROM ООо 00, —23 -22
10- 4у V02
/...6, Адресные входы Л7, Л8, 9- 8 — /,« — 21
7...11, 13, +2.. ./10, 1 - 005 -20
19, 24 Лв. . • ^з* ^9* 1 - *7
Л12, л10, 2-i Аз 00^ — 1?
14,..17, Выход данных ^11 DOa...DO7 11 — 19 — 29 — 4? А10 00s — 15
20...23 18 Выбор микросхемы CS 13 — А12 OCS V07 — 15
12 Напряжение пи- "сс io — CS — I'-i
тания
6 Общий ОВ К596РЕ1
Таблица истинности микросхемы К596РЕ1
CS Aq ... An DO - DO? Режим работы
0 X Хранение
1 A Данные в прямом коде Считывание
Временная диаграмма режима считывания микросхемы К596РЕ1 (вре-
менные интервалы указаны по уровню 2,0 В и 0,8 В соответственно)
250
Предельные режимы эксплуатации микросхемы К596РЕ1
(в диапазоне температур — 10...+70 °C)
Параметры Значения параметров
мин. макс.
Напряжение питания, Ucciim, В — 5,0
Напряжение на любом выводе, Lhiim, Uо Нт, В — 1.0 5,0
Выходной ток, мА: 3,5
логического 0, Iol Нт —
логической 1, loHlim — 2,0
Емкость нагрузки, Ci. цт, пФ — 200
Статические параметры микросхемы К596РЕ1
(в диапазоне температур —10.. +70 °C)
Параметры Значения параметров Примечания
мин. макс.
Напряжение питания, Ucc, В Ток потребления, Ice, мА Входное напряжение, В: логического 0, UtL логической 1, Uih Входной ток, мА: логического 0, 1ц. логической 1, 1щ Выходное напряжение, В: логического 0. Uql логической 1, Uон Выходной ток, мА: логического 0, Iol логической 1, 1он Выходной ток утечки, Iol, мкА 3,6 2,0 2,4 4,4 160 0,8 0,5 0,1 0,4 3,2 1.6 100 ^СС=4.4В /L=3,2 мА I/=1,6 мА При CS — логиче- скому 0
Рекомендации по применению
Микросхема К596РЕ1 может работать при импульсном питании.
В этом случае достигается значительное уменьшение потребляемой
мощности по сравнению с режимом работы, когда источник питания
включен постоянно. Пониженное напряжение питания (-] 4 В+10 %)
позволяет использовать в качестве импульсного источника транзистор-
ный ключ, управляемый стандартным источником +5 В+5 %.
При отключенном напряжении питания на выходах микросхемы
реализуется третье состояние (Ron), что удобно при использовании
251
Динамические параметры микросхемы К596РЕ1
(в диапазоне температур —10...+85 °C)
Параметры Значения параметров
мин. макс.
Время выборки адреса, нс — 350
Время выбора, tcs, нс — 100
Время цикла считывания, /сг<л)«о, нс 350 —
Входная емкость, С/, пФ — 10
Выходная емкость, Со, пФ — 10
Емкость нагрузки, CL, пФ — 50
П |> и м с ч а и и я: I. Значения временных параметров указаны но уровню—
2,0 В и 0,8 В соответственных сигналов.
2. Временные параметры измерялись при нагрузке: Ct=50 нФ и две ТТЛ-
схемы серии К155.
импульсного источника и позволяет при построении модуля ЗУ для
расширения памяти объединять выходы отдельных микросхем по схеме
«проводного ИЛИ».
Время задержки выходной информации после включения источни-
ка питания (например, при импульсном питании) при постоянно вклю-
ченных сигналах выбора микросхемы CS и адреса Л не более 500 нс
в диапазоне температур от —10 до +85 °C и напряжении Dec от 3,6 В
до 4,4 В. Ток потребления микросхемы в режиме хранения практиче-
ски не отличается от тока потребления в режиме обращения.
Допустимый статический потенциал — не более 100 В.
Для прошивки ПЗУ оформляется карта заказа по форме, приве-
денной в технических условиях на микросхему. В карте заказа дается
описание функционального назначения прошивки и содержание за-
шивки.
Ниже приведены зависимости электрических параметров микросхе-
мы от электрических режимов и условий эксплуатации.
Зависимость lcc~f (Т, °C)
микросхемы К596РЕ1 при
Псс=4,0 В
Зависимости hi=f (Т, °C) и
lni=i (Т, °C) микросхемы
К596РЕ1 при Urc=4,4 В:
1 “ ho 2 ~ hit
252
Зависимость Icc=f(Ucc) мнк.
росхемы K596PEI при Т
=+25 °C
ICC мЛ
Зависимости Uol={ (Т, °C) и
Uon—f (Т, °C) микросхемы
К596РЕ1:
I~uol п₽и усс“‘,-‘) В; 2~ион
при исс-3,й В
Зависимость (Т, °C)
микросхемы К596РЕ1 при
Ucc=i,0 В и С7=50 пФ
СЕРИЯ КР1610
Постоянное масочное ЗУ на п-МОП-структурах
КР1610РЕ1
Информационная емкость
Организация.................
Время выборки адреса .
Время цикла считывания
Напряжение питания
Потребляемая мощность
Диапазон температур
Выход.......................
Совместимость по входу и выходу
Тип корпуса ................
16384 бит
2048 словХ8 разрядов
Не более 340 нс
Не менее 340 нс
5 В— 10 %
Нс более 300 мВт
—45... +85 °C
Три состояния
С ТТЛ-схемами
Пластмассовый, 2120.24—3
(см. рис. 6.2)
253
8 — 7 — 5 — 5 — Ао А, Аг 'Ч ROM $ Wo — 9
9 — Аи во, — 10
3 < Ai 00? I—
2 — *6 ви3 — /5
А, 00ч — 'ч
23 — а8 D0S к- 15
22 — Ад В0е — 16
19 — А к ВО? — 17
18 — CS
20— СЕО
КР1610РЕ1
Назначение выводов микросхемы КР1610РЕ1
Г ыводы Назначение Обозначение
1...8, 19, Адресный вход А--А-
22, 23 А;п- А' А
9, И, Выход данных ГО0...ОО,
13...17
18 Выбор микросхемы CS
20 Сигнал разреше- CEO
ния по выходу
24 Напряжение пата- ^сс
НИЯ
12 Общий 0 В
21 Свободный —
Таблица истинности микросхемы KP1G1OPE1
CS СЕО Лэ.. .Лю т0...о >, Режим раЗоты
Af м X R.if Хранение
0 0 А Дачные в пря- мом коде Считывание
П р и м е ч а н и е. М—любая комбинация логических уровней или сигналов
отличных от CS = C£O = Q.
Предельные режимы эксплуатации микросхемы КР1610РЕ1
(в диапазоне температур —45 ...+85 °C)
Параметры Значения параметров
мин. макс.
Напряжение питания, Ucctim, В —0,7 6,0
Кратковременное напряжение питания в те- чение 1 с, Ucc к Нт, в 7,0
Напряжение на входе, Uin„, В Выходной ток, мА: —0,7 6,0
ЛОГИЧеСКОГО 0, loLltm — 5,0
логической 1, Ion Нт 5,0
Емкость нагрузки, CL цт, пФ — 500
254
Временная диаграмма работы микросхемы КР1610РЕ1 в режиме считы-
вания
Статические параметры микросхемы КР1610РЕ1
(в диапазоне температур —45...+85 °C)
Параметры Значения параметров
мин. макс.
Напряжение питания, Ucc, В 4,5 5,5
Ток потребления, Ice, мА — 55
Входное напряжение, В: логического 0, U,L 0 0,4
логической 1, Uih 2,4 5,5
Ток утечки на входах, hi, мкА — 15
Выходное напряжение, В: логического 0, Uql — 0,4
логической 1, Uон 2,4 —
Выходной ток, мА: логического 0, Iol — 1.6
логической 1, Ion —— 0,1
Ток утечки на выходе в режиме хранения — 15
(невыбор), lot., мкА Напряжение помехи, (Ам, В — 0,2
255
Динамические параметры микросхемы КР1610РЕ1
(в диапазоне температур —45 ... + 85 °C)
Параметры Значения параметров мин. макс.
Время выборки адреса, 1Л(А), нс — 340
Время выбора, tes, нс — 340
Время выборки сигнала разрешения по выходу, — 80
<А(СЕО), нс
Время сохранения выходной информации после 80 —
адреса, tv (a-do), нс
Время запрещения выходных данных после сиг- — 80
нала CS, tois(cs), нс
Время запрещения выходных данных после сиг- — 80
нала CEO, tnis(CEO), нс
Входная емкость, С,, пФ — 5
Выходная емкость, Со, пФ •— 10
Емкость нагрузки, С,., пФ — 10
Примечания: 1. Временные параметры измерялись при нагрузке: одна
ТТЛ-схема серии К155 и С£=100 пФ.
2. Временные интервалы указаны по уровням: на входе t//£=0,6 В; С7/л,=
= 2,2 В; на выходе (/О£ = 0,8 В; (Уо//=2,0 В.
Рекомендации по применению
Заказ на прошивку ПЗУ осуществляется согласно техническим
условиям на микросхему. Кроме того, согласно ТУ на данные микро-
схемы имеются стандартные прошивки, например KPI610PE1—0100 ...
...0107 программное обеспечение ЭВМ «Искра».
Допускается работа микросхемы при наличии на выводе 21 напря-
жения —30 В ... -}-30 В.
В режиме считывания микросхема КР1610РЕ1 взаимозаменяема
в аппаратуре с микросхемами К537РФ2 и К537РФ5. Допускается в ре-
жиме считывания подача сигналов CS и СЕО на микросхему уровня-
ми. Ниже приведены зависимости электрических параметров от элек-
трических режимов и условий эксплуатации.
Зависимость ?4(,i>=f(CL) мик-
росхемы КР1610РЕ1 при Т—
= + 25±10°С и t/cc=4,5 В
256
-40-30-20-10 0 10 20 30 40 50 Т, °C
Зависимость lcc=f (Т, °C) микро-
схемы КР1601РЕ1 при (7СС=5,5 В
Зависимость Д7сс=/(ЛУсс)
микросхемы КР160ФЕ1 при
7’= + 25±10°С (Д/сс=/сс-
—/ссо; 1ссо—1сс при Ucc=
=5,0 В; Д4?сс=^сс—Ucco',
Ucco=Ucc=5J3 В)
-60-50-40-30-20-10 0 10 20 30 40 50 60 Т, °C
Зависимость tAW=f{T, °C) микросхе-
мы КР1610РЕ1 при Cz.= 100 пФ и
7/сс=4,5 В
Зависимость Д/л(л>=/( Ucc)
микросхемы КР1610РЕ1 при
Т=+25±10°С и С£=100 пФ:
(Д/л(Д)=^(л)—/л(ло; /,4(лю=
= 180 нс)
9.2. Программируемые ПЗУ
СЕРИЯ КР556
Программируемое постоянное ЗУ на основе
ТТЛ-элементов с диодами Шотки
КР556РТ4А
Информационная емкость............1024 бит
Организация....................... 256 словХ4 разряда
Время выборки адреса..............Не более 70 нс (при Т=
=+25 °C)
Напряжение питания................5 В±5%
Потребляемая мощность.............Не более 690 мВт
Диапазон температур...............—1О...+7О°С
17-5037
257
Выход...........................
Совместимость по входу и выходу .
Коэффициент программируемости*
поставках партии более 1000 шт.
Тип корпуса ....................
. Открытый коллектор
С ТТЛ-схемами
при
Не менее 0.9
Пластмассовый,
238.16—2 (см. рис. 6.2)|
* За коэффициент программируемости принимается отношение числа микро-
схем, запрограммируемых к общему числу микросхем, поступивших па про-
граммирование.
Микросхема поступает к потребителю в первоначальном состоянии, соот-
ветствующем логическому 0.
Назначение выводов микросхемы KP55GPT4A
1 1 1 1 1 1 П II ктхсо-ч .э- к-, СМ »- Q-, Н As а, а2 Aj А» Ау Аб ^7 :s. cs2 PROM UOd 00, Wj Выводы — 12 Назначение Обозначение
1...4. -W 5... 7, 15 9...12 ~9 13, 14 16 Адресные входы Выход данных Выбор микросхемы Напряжение пита- ния Общий » gw" £ <4 • • «с/з ° <4>gl<J
КР556РТ4А 8
Таблица истинности микросхем КР556РТ4А
CS, CS, Aq,..A-i DO0...DO, Режим ра'оты
М М X 1 Хранение (невы- бор)
0 0 А Данные в пря- мом коде Считывание
Примечание: М — любая комбинация сигналов CS. кроме 00.
КР556РТ5
Информационная емкость................
Организация...........................
Время выборки адреса..................
Напряжение питания....................
Потребляемая мощность.................
Диапазон температур...................
Выход ................................
Совместимость по входу и выходу .
Коэффициент программируемости при по-
ставках партии более 1000 шт. .
Тип корпуса ..........................
4096 бит
512 словХ8 разрядов
Не более 80 нс (при Т=
+25 °C)
5 В±5 %
Не более 1000 мВт
-10... +70°С
Открытый коллектор
С ТТЛ-схемами
Не менее 0,65
Пластмассовый, 239.24—2
(см. рис. 6.2)
Микросхема поступает к потребителю в первоначальном состоянии, соот-
ветствующем логической 1.
258
Назначение выводов микросхемы КР556РТ5
Выводы Назначение Обозначение
1...8, 23 Адресные входы Д7 • «До» Де DOo-’-W?
9...11, 13...17 Выход данных
18, 19, 20, 21 Выбор микросхемы cs1( cs„ cs3, cs4
24 Напряжение пита- ния ^cc
22 Напряжение пита- ния при програм- мировании UPR
12 Общий 0 В
8 — 7 — 6 — S— !> — J — 2- 1 — 23— 18 — 19 — 20— 21 — ^0 *1 A* As CS, cs2 CSj cs4 PROM 0 D0o 10, do, DOj DO, nos dos DO, ' ss Si 1 1 1 1 1 1 ; 1
КР556РТ5
Таблица истинности микросхемы КР556РТ5
CS, CS, CS, CS, a0...a9 DO,...DO, UPR Режим работы
M .11 Л4 Л1 X 1 Roff Хранение
1 1 0 0 A Данные в пря- мом коде Считывание
Примечание: М — любая комбинация сигналов CS, кроме С$, = 1; CS,—
= 1; CSl=0; Ъ(=0.
КР556РТ11
Информационная емкость................
Организация...........................
Время выборки адреса..................
Напряжение питания....................
Потребляемая мощность.................
Диапазон температур................
Выход.................................
Совместимость по входу и выходу .
Коэффициент программируемости при по-
ставках партии более 1000 шт. .
Тип корпуса ..........................
1024 бит
256 словХ4 разряда
Не более 45 нс
5 В±5 %
Не более 700 мВт
—10... +70°С
Три состояния
С ТТЛ-схемами
Не менее 0,9
Пластмассовый, 238.16—2
(см. рис. 6.2)
Микросхема поступает к потребителю в первоначальном состоянии, соот-
ветствующем логическому 0.
17*
259
Назначение выводов микросхемы КР556РТ11
НН Ао А, л2 Ат PR0M 0 ПО, — 1? Выводы Назначение Обозначение
5 — 2 — 1 — ♦5 — -Ч А5 ПО, ИОг POj — м — 1...7, 15 9...12 Адресные входы Выход данных Ав... А,. Ао.. ,Аг, А, DO,... DO,
Ч — — 4 13.. 14 Выбор микросхемы CS,, CS,
J4 — 16 Напряжение пита- ucc
НИЯ
КР556РТ1 8 Обший 0 В
Таблица истинности микросхемы КР556РТ11
CS, CS, До- --Д? DO,...DO, Режим работы
.14 M X Roff Хранение
0 0 A Данные в пря- мом коде Считывание
Примечание: М — любая комбинация сигналов CS, кроме 00.
КР556РТ12
Информационная емкость................
Организация...........................
Время выборки адреса..................
Напряжение питания....................
Потребляемая мощность.................
Диапазон температур...................
Выход.................................
Совместимость по входу и выходу .
Коэффициент программируемости при по-
ставках партии более 1000 шт. .
Тип корпуса ..........................
4096 бит
1024 словХ4 разряда
Не более 60 нс
5 В±5 %
Не более 740 мВт
—10 . .. +70 °C
Открытый коллектор
С ТТЛ-схемами
Не менее 0.7
Пластмассовый. 2104.18—5
(см. рис. 6.2)
Микросхема поступает
ствующим логическому 0.
5 — 6 — А0 А, PR0M
7 — Ц — Аз П0о — '4
3 — 2 — А, А 5 по, — 13
' — А6 А? пог — 1?
,6 — >5— Ав Ад D0s 11
8 — CS, С5г
КР556РТ12
к потребителю в первоначальном состоянии, соответ-
Назначенис выводов микросхемы КР556РТ12
Выводы Назначение Обозначение
1...4, 5...7, 15...17 11...14 8, 10 18 9 Адресные входы Выход данных Выбор микросхемы Напряжение пита- ния Общий А-.-Л; Л... Л; А,... А, DO,... DO, CS.. CS, ucc 0 В
260
Таблица истинности микросхемы КР556РТ12
CSj CS, А,...А, Режим работы
м М X 1 Хранение
0 0 А Данные в пря- мом коде Считывание
Примечание: М — любая комбинация сигналов CS, кроме 00.
КР556РТ13
Информационная емкость................
Организация...........................
Время выборки адреса..................
Напряжение питания....................
Потребляемая мощность.................
Диапазон температур...................
Выход ................................
Совместимость по входу и выходу .
Коэффициент программируемости при по-
ставках партии более 1000 шт. .
Тип корпуса ..........................
4096 бит
1024 словХ4 разряда
Не более 60 нс
5 В±5 %
Не более 740 мВт
—10... +70°С
Три состояния
С ТТЛ-схемами
Не менее 0,7
Пластмассовый, 2104.18—5
(см. рис. 6.2)
Микросхема поступает к потребителю в первоначальном состоянии, соот«
ветствующем логическому 0.
Назначение выводов микросхемы КР556РТ13
Выводы Назначение 5— Обозначение ? ~ Ч — а’ % $ но, ПО? — /4
1...4, 5...7, 15- .17 11...14 8, 10 18 Адресные входы Выход данных Выбор микросхемы Напряжение пита- ния Общий 1 1 1 1 1 1 II ЮСМ *- £ ° w °* : : : : <е о L 'С-тОнс/, Qikj А* Ад ^7 Ав Ад CSt cs2 — /3 — 1Z -11
9 0 в КР556РТ13
Таблица истинности микросхемы КР556РТ13
CSt CS, Ло...Д$ DOo...DOt Режим работы
.11 .11 X Roff Хранение
0 0 А Данные в пря- мом коде Считывание
п р и м с ч а и и е: Л1 — любая комбинация сигналов CS, кроме 00.
261
КР556РТ14
Информационная емкость................
Организация...........................
Время выборки адреса..................
Напряжение питания....................
Потребляемая мощность.................
Диапазон температур...................
Выход ................................
Совместимость по входу и выходу .
Коэффициент программируемости при по-
ставках партии более 1000 шт. .
Тип корпуса ..........................
8192 бит
2048 словХ4 разряда
Не более 60 нс
5 В±5 %
Не более 740 мВт
— 10... +70 °C
Открытый коллектор
С ТТЛ-схемами
Не менее 0,7
Пластмассовый, 2104.18—5
(см. рис. 6.2)
Микросхема поступает к потребителю в первоначальном состоянии, соот-
ветствующем логическому 0.
Назначение выводов микросхемы КР556РТ14
5 — 6 — ? — Ч — Ао Л, Аг А, PROM & — >4 Выводы Назначение Обозначение
3 “1 2 — 1 — Г7 —| Ац 45 45 4? VO, 002 — 13 —11 1...4, 5...7. 8. Адресные входы Л6.. А3, - V •
J5 — Аз 15. 16, 17
15— 003 — 11 И...14 Выход данных DO3.. • £>Оо
8 — Ate 10 Выбор микросхемы CS
10 — OS 18 Напряжение пита- исс
НИЯ
КР556РТ14 9 Общий 0 В
Таблица истинности микросхемы КР556РТ14
CS A<,...410 DO „...DO, Режим работы
1 X 1 Хранение
0 А Данные в прямом коде Считывание
КР556РТ15
Информационная емкость ,
Организация.....................
Время выборки...................
Напряжение питания ....
Потребляемая мощность
Диапазон температур ....
Выход ..........................
Совместимость по входу и выходу .
Коэффициент программируемости при
ставках партии более 1000 шт. .
Тип корпуса ....................
8192 бит
2048 словХ4 разряда
Не более 60 нс
5 В±5 %
. Не более 740 мВт
. —10...+70 °C
. Три состояния
. С ТТЛ-схемами
по-
. Не менее 0,7
. Пластмассовый. 2104.18—5
(см. рис. 6.2)
Микросхема поступает к потребителю в первоначальном состоянии, соот-
ветств>ющем логическому 0.
262
Назначение выводов микросхемы КР556РТ15
Выво ды Назначение 5 — Обозначение 6 — 7 — А» A, A? Аз As Ay Ay A? a8 Ag AfO CS PROM I ф £ t £ I — 10 — 13 — 12 — 11
1...4, 5...7, 8, 15...17 11 ..14 10 18 9 Адресные входы Выход данных Выбор микросхемы Напряжение пита- ния Общий Ав...А3, |- 17- CS 8- Urr cc tf-i
KP556PT15
Таблица истинности микросхемы КР556РТ15
CS Ao.. .Лю doq...do, Режим работы
I X Roff Хранение
0 A Данные в прямом коде Считывание
КР556РТ16
Информационная емкость................
Организация...........................
Время выборки адреса..................
Напряжение питания....................
Потребляемая мощность.................
Диапазон температур...................
Выход ................................
Совместимость по входу и выходу .
Коэффициент программируемости при по-
ставках партии более 1000 шт. .
Тип корпуса....................... .
65536 бит
8192 словХ8 разрядов
Не более 85 нс
5 В±5 %
Не более 1000 мВт
— 10 ... +70 °C
Три состояния
С ТТЛ-схемами
Не менее 0,7
Пластмассовый, 239.24—2
(см. рис. 6.2)
Микросхема поступает к потребителю в первоначальном состоянии, соот-
ветствующем логическому 0.
Назначение выводов микросхемы КР556РТ16 о Ay Af A? Ay A« Ay Aj A? A8 As А» A11 A12 CS PROM 4 VOc 00i Юг Ъ'0^ 00^ nos 006 co. — 9 — 10 — 11 — 13 — 14 — 15 — 10 1?
Выводы Назначение 7 — Обозначение 5 — 5 —
1...8, 18, 19, 21...23 9. ..11, 13.. 17 20 24 12 Адресные входы Выход данных Выбор микросхемы Напряжение пита- ния Общий 3 — Я7...Ао, 2 — Ац, •^10- • - А» 22 — DO0...DO, 21 — 19 -J CS 18 - ^cc 20—
0 В KP556PT16
263
Таблица истинности микросхемы КР556РТ16
CS Ло-.-Лц DO....DO, Режим работы
1 0 X А Rofl Данные в прямом коде Хранение Считывание
КР556РТ17
Информационная емкость 4096 бит Организация 512 словХ8 разрядов Время выборки адреса Не более 50 нс Напряжение питания 5 В±5 % Потребляемая мощность Не более 890 мВт Диапазон температур —1О...+7О°С Выход Три состояния Совместимость по входу и выходу . С ТТЛ-схемами Коэффициент программируемости при по- ставках партии более 1000 шт. ... Не менее 0,9 Тип корпуса . ........ Пластмассовый, 239.24—2 (см. рис. 6.2) Микросхемы поступают к потребителю в первоначальном состоянии, соот- ветствующем логической 1. Назначение выводов микросхемы КР556РТ17
Выводы Назначение Обозначение
8 — 7 — 6 — 5 — 5 — з — 2 — 1 — 23 — 18- 13 — 20 — 21 — Ав А) Аг Аз А* Ау As А? *8 CS, CS? CSy СЗц PROM 0 ЗОо 00, 00г ЗОз 00ч 005 оо6 по?
1 ... 8, 23 -з 9... 11, —» 13 ... 17 18 ... 21 — « — 15 —16 24 — 17 22 Адресные входы Выход данных Выбор микросхемы Напряжение пита- ния Напряжение пита- ния при програм- мировании Общий А,... А., Ав DO0... DQ, CS,, CS4, cs„, cs. Ucc UpR 0B
КР556РТ17 12
Таблица истинности микросхемы КР556РТ17
CS, CS, CS, CS, DO...DO, UPR Режим работы
Л1 1 Al 1 A4 0 M 0 X A Ron Данные в прямом коде Ron Roff Хранение Считывание
n -1, CS и м с 4 3=0, CS анис: >0. /И — лю бая комби? ация сигналов Г 'S, крох е CSi = l, CS3=
264
KP55SPT18
Информационная емкость
Организация.................
Время выборки адреса
Напряжение питания
Потребляемая мощность
Диапазон температур
Выход.......................
Совместимость по входу и выходу
Коэффициент программируемости
ставках партии более 1000 шт.
Тип корпуса ................
Микросхема поступает к потребителю в первичном состоянии, соответст-
вующем логическому 0.
16384 бит
2048 словХ8 разрядов
Не более 60 нс
. 5 В±5 %
Не более 950 мВт
. —10...+70°С
. Три состояния
. С ТТЛ-схемами
при по-
Не менее 0,7
Пластмассовый, 239—24.2
(см. рис. 6.2)
Назначение выводов микросхемы КР556РТ18
Выводы Назначение Обозначение
1 ... 8, 21 ... 23 9 ... 11, 13... 17 20, 19. 18 24 12 Адресные входы Выход данных Выбор микросхемы Напряжение пита- ния Общин -'1, ... zl0, А|0 ... /1, оо,... по, С5,, CS2, csa Ucc ОВ
8 — 7 — 6 — 5 — *0 А) 4? 4у PROM $ И0о НО, — 9 — 10
Q — 4« 00г —11
3 — 2 — *5 Д 5 ио3 — в
1 — 25- 4? 00ц — 19
22 - 4у П05 — 18
21 — оое — 16
20 - 19 - 18 - CS< 45? по? — 17
КР556РТ18
Таблица истинности микросхемы КР556РТ18
CS, CS, CS, До---^ю DO0...D0, Режим работы
м м М X Rofl Хранение
0 1 1 А Данные в прямом коде Считывание
Примечание: М — любая комбинация сигналов CS, кроме СЗ, = 0; С32=
= 1; CS3=1.
265
Предельные режимы эксплуатации микросхем серии КР556
(в диапазоне температур —10 ... +70°C)
Параметры Значения параметров
МИН. макс.
Напряжение питания, Ucciim, В — 6,0
Кратковременное напряжение питания в те- чение 5 МС, UCC к Нт, В Напряжение на выходе закрытой микросхе- мы в течение 5 мс, Uoiim, В Входное напряжение, Uiiim, В Входной ток, hum, мА Кратковременный выходной ток в течение 5 МС, /ок Нт, мА Емкость нагрузки, CL цт, пФ —0,5 7,0
— 7,0
—0,5 5,5
— 5
— 20
— 100
Статические параметры микросхем серии КР556
Параметры Значения
КР556РТ4А мин. | макс. КР55 мин. 6РТ5 макс. KP55GPTI1 мин. | макс. КР556РТ12 мин. | макс.
Напряжение питания, Ucc, В Ток потребления, 1сс, мА Входное напряжение, В: логической 1, Uih логического 0, U/L Входной ток: логической 1, 1/н, мкА логического 0, 1п, мА Выходное напряжение, В: логической 1, Uон логического 0, Vol Выходной ток: логической 1, 1он, мкА логического 0, /ос, мА Ток утечки по выходу логической 1, Icon, мкА Ток утечки по выходу логического 0, ILOl, мкА Примечания: 1. Вы; 2. Входные токи измерял 3. Выходное напряжение 4,75 2,4 2,4 содное ись пр логич 5,25 130 0,4 40 0,25 0,5 100 15 напря и исс сской 4,75 2,4 2,4 жение =5,25 1 нэме{ 5,25 175 0,5 40 0,25 0,5 100 15 логич В и >ялось 4,75 2,4 2,4 еского юответ при 5,25 130 0,5 40 0,25 0,5 2000 15 50 50 0 изм ствуюи максим 4975 2,4 2,4 ерялос ;ем зн ально» 5,25 140 0,5 40 0,25 0,5 100 16 ь при ачении значе
266
Рекомендации по применению
Микросхемы серии КР556 поступают потребителю незапрограммн-
рованными (т. е. в соответствии с типом схемы в первоначальном со-
стоянии, соответствующем логическому 0 или логической 1).
Режим программирования обеспечивает разрушение нихромовой пе-
ремычки и запись соответствующей информации. Для обеспечения на-
дежного программирования микросхемы должны программироваться
в течение 12 месяцев после изготовления.
Режим программирования для всех микросхем серии КР556 за-
ключается в следующем (см. схему подачи режимов и временную диа-
грамму импульсов).
1. Исходное состояние микросхемы:
а) общий вывод О В заземлен;
б) на вывод питания Ucc подается входное напряжение низкого
уровня (Uccl^O ... 0,5 В).
У микросхем КР556РТ5 и КР55РТ17 при программировании выво-
ды 22, 24 объединяются;
(в диапазоне температур —10 ... +70°C)
параметров
КР5."6РТ13 КР556РТ14 КР556РП5 КР556РТ16 KP556PTI7 КР55ВРТ18
мин. макс. мин. | макс. мин. макс. мив. макс. мин. | макс. МИН. | макс.
4,75 5,35 4,75 5,25 4,75 5,25 4,75 5,25 4,75 5,25 4,75 5,25
— 140 — 140 — 140 —- 190 — 175 — 180
2,4 — 2,4 — 2,4 — 2,4 — 2,4 — 2,4 —
— 0,5 — 0,5 — 0,5 — 0,5 — 0,5 — 0,5
— 40 — 40 — 40 — 40 — 40 — 40
* — 0,25 — 0,25 — 0,25 — 0,25 — 0,25 — 0,25
2,4 — 2,4 — 2,4 — 2,4 — 2,4 — 2,4 —
— 0,5 — 0,5 — 0,5 — 0,5 — 0,5 — 0,6
2000 — 100 2000 — 2000 — 2000 — 2000
— 16 — 16 — 16 — 15 — 15 — 15
— 100 — — — 100 — 100 — 100 — 100
— 100 — — — 100 — 100 — 100 — 100
максимальном значении /OL и Ucc=4,75 В.
входного напряжения.
нии 10Н и Ucc=4,75 В.
2G7
Динамические параметры микросхем серии КР556
Значения
Параметры КР556РТ4А КР556РТ5 КР556РТ11 КР556РТ12
мин. макс. мин. | макс. МИН. макс. МИИ. макс.
Время выборки адреса, Gm), нс Время выбора, tes, нс Время запрещения вы- ходных данных после сигнала CS, tors(cs), нс Входная емкость С/, пФ Выходная емкость Со, пФ Емкость нагрузки, Cl, пФ Ill III 70 30 30 10 15 30 — 80 40 40 10 15 30 — 45 25 25 10 15 30 1 II III 60 45 45 10 15 30
Примечания: 2. Временные интервалы указаны по уровню 1,5 В соответ
2. При измерении динамических параметров принималось Псс=5 В. Схема
резистор между выходом и общей шиной; С L—конденсатор между выходом и
Для КР556РТ4А, КР556РТ5, КР556РТ12, КР556РТ14. КР556РТ17, КР556РТ18
KP556PTI6 при измерении ^cS(zl) и ^di s cs(l z) R i.iw300 Om; P/2^G20
3. Динамические параметры KP556PT4A и KP556PT15 указаны при Г=+25°С.
Схема включения
микросхем КР556РТ
при программирова-
нии:
G] — генератор по-
стоянного напряже-
ния; 62, Оз — генера-
торы импульсного на-
пряжения; Р — конт-
рольное устройство;
S — переключатель
(/ режим программи-
рования; I/ — режим
контроля электриче-
ских параметров мик-
росхем с записанной
информацией); R —
резистор сопротивле-
нием 620 Ом±5%
при напряжении ге-
нератора Gs U=
=12,5 В
в) на входы выбора микросхемы CS подается код, соответствую-
щий режиму считывания (в соответствии с таблицей истинности соот-
ветствующей микросхемы);
г) на все выходы DO0 ... DOn подается напряжение высокого
уровня (1/00=4 ... 5,5 В).
268
(в диапазоне температур —10 ... +70 °C)
параметрон
KP556PTI3 КР556РТ14 KP55GPT15 KP556PTI6 КР556РП7 КР556РТ18
МВ и. | макс. мив. | макс. мин. | макс. МИН. макс. мин. макс. МИН. макс.
• — 60 — 60 — 60 — 85 — 50 — 60
— 45 — 45 — 45 — 40 — 30 — 40
— 45 — 45 — 45 — 40 — 30 — 40
— 10 — 10 — 10 10 10 10
— 15 — 15 — 15 — 15 — 15 — 15
— 30 — 30 — 30 — 30 — 30 — 30
ствующих сигналов
нагрузки следующая: Л,,—резистор между выходом и шиной питания; /?,2 —
общей шиной.
Я£1=300 Ом. RL2=620 Ом. С£=30 пФ; для КР556РТ11; КР556РТ13; КР556РТ15,
Ом; CL= 30 пФ; при измерении /CS(ZH) и/D/SCS(H z) Л£2=1000 Ом и С, =30 пФ.
Допускается подключать все выходы микросхем через резистор со-
противлением R = 300 Ом ... 1 кОм к источнику напряжения 5±0,5 В.
2. Последовательность подачи напряжения в режиме записи инфор-
мации следующая:
а) на адресные входы Ло ... Ап подается напряжение низкого
уровня (UAL=0 ... 0,5 В) и напряжение высокого уровня (1Л«=
=4 ... 5,5 В) в соответствии с кодом адреса слова, в которое записы-
вается информация;
б) напряжение питания Ucc повышается от 0 ... 0,5 В до 5+
±0,5 В;
Выводы выбора микросхемы, участвующие в программировании
Тип микросхемы Гывод сигнала CS Тип микросхемы Вывод сигнала CS
КР556РТ4А 14 КР556РТ14 10
КР556РТ5 21 КР556РТ15 10
КР556РТ11 14 КР556РТ16 20
КР556РТ12 10 КР556РТ17 21
КР556РТ13 10 КР556РТ18 20
в) на вход CS выбора микросхемы, участвующей в программиро-
вании (в соответствии с таблицей), подается входное напряжение вы-
сокого уровня Ucsh=4,0 ... 5,5 В);
г) "на все выходы ОО0 ... DOn, кроме программируемого, подает-
ся напряжение высокого уровня (Uoo=4,0 ... 5,5 В);
269
Временная диаграмма одного цикла программирования микросхем се-
рии КР556
I
д) напряжение питания Ucc повышается от 5±0,5 В до 12,5+
+0,5 В (источник напряжения 12,5 В должен обеспечивать ток не
менее 600 мА).
Одновременно такое же напряжение через резистор /?=620 Ом+
+5 % (см. схему подачи режимов) подается на программируемый вы-
ход DO, соответствующий разряду, в который записывается" информа-
ция. На остальных выходах поддерживается напряжение 4,0 ... 5,5 В
(одновременное программирование двух и более разрядов не допус-
270
кается). Этот момент соответствует пережиганию нихромовой пере-
мычки;
е) напряжение питания Ucc понижается до UCcl=0 ... 0,5 В.
Одновременно понижается напряжение на программируемом выходе.
ж) напряжение на выходе CS выбора микросхемы, участвующей
в программировании, понижается до Ucsl—0 ... 0,5 В;
з) пункты 2а ... 2ж повторяются для всех программируемых раз-
рядов, что соответствует циклу записи информации в одно слово.
Допускается по окончании цикла записи информации в одно слово
напряжение питания Ucc понижать с 12,5 В до 5±0,5 В, совмещая
конец цикла записи информации с началом цикла контроля.
Параметры серий импульсов при программировании серии КР556
Значения параметров
Па раметры Обозна- чение мин. макс. реко-. кевдуе- мое
1. Нормальный режим записи информа- ции: длительность импульсов программирова- ния, мкс число импульсов программирования на один бит 2. Скважность программирующих импуль- сов 3. Время установления адресных входов относительно напряжения питания, мкс 4. Время установления напряжения пита- ния относительно сигнала запрета вы- бора микросхемы, мкс 5. Время установления сигнала запрета выбора микросхемы относительно на- пряжения программирования, мкс 6. Время сохранения сигнала запрета вы- бора микросхемы относительно напря- жения питания, мкс 7. Время задержки строба импульса кон- троля относительно входа выбора ми- кросхемы, мкс 8. Время задержки сигнала выбора микро- схемы относительно напряжения пита- ния, мкс 9. Время фронта и спада импульса (на уровне 0,1 и 0,9 амплитуды импульса), нс 10. Дополнительный режим записи инфор- мации: длительность импульсов программирова- ния, мкс число импульсов программирования на один бит н Й? СУ -4* ~ 25 1000 5 1 1 1 1 1 0 300 25 40 100 4002 20 10 5 5 3000 100 100 25 1000 10 0 25 60
При м е ч а н и я: 1. Q=»rn//np, где — период программирующих импуль-
сов ?пр — время воздействия напряжения питания.
2. Все временные параметры должны быть установлены с точностью ±10%.
271
По окончании цикла записи информации в одно слово проводится
контроль правильности записанной информации. Для этого напряжение
на выводе питания устанавливается равным 5+0,5 В и проводятся счи-
тывание и проверка правильности записанной информации в данное
слово (допускается проводить контроль информации после записи
информации в каждый бит). Время воздействия напряжения питания
при контроле записанной информации должно быть минимально воз-
можным.
3. Запись информации в микросхемы осуществляется путем подачи
напряжений, указанных в п. 2, в виде двух серий импульсов для каж-
дого слова ППЗУ, в которое записывается информация.
Первая серия импульсов соответствует нормальному режиму запи-
си информации (см. п. 1 таблицы параметров серий импульсов) и за-
канчивается после записи информации в одно слово (или бит). По
окончании подачи импульсов первой серии необходимо перейти к пода-
че второй серии импульсов (см. п. 10 указанной выше таблицы). Если
после окончания второй серии импульсов информация в одно слово не
записалась, то микросхема должна быть забракована.
Программирование возможно производить на любом программато-
ре, обеспечивающем указанные режимы программирования. Серийно
выпускаются программаторы ППЗУ типа 815, АУПП и др.
4. После записи информации микросхемы должны быть подвергну-
ты контролю электрических параметров на соответствие величинам,
указанным в таблицах статических и динамических параметров для
данной микросхемы.
Для обеспечения надежной работы запрограммируемой микросхемы
после записи информации необходимо подвергнуть микросхему элек-
тротермотренировке с последующим контролем правильности записан-
Схема подключения микросхем серии КР556 при электротермотрени-
ровкс:
Ucc — источник постоянного напряжения: G — многоканальный генера-
тор прямоугольных импульсов с параметрами Uo=2, 4 ... 4,5 В; Q=2;
тя=100 нс.
Импульсы с генератора G подаются на адресные входы микросхемы,
начиная с Ла до А,„, в следующей последовательности: /о=5О Гц...
...1 МГц; Л=/о/2; /г=^о/4; /з=/о/8; f4=fo/16; .. .; /т=/о/2'я. где т —
старший разряд адреса данной микросхемы. На выводы CS подается
частота /=/о/2т+1. Нагрузка на выходы DO микросхем серии К556:
/?Д1=ЗОО Ом±5 %; /?и=620 Ом±5 %
272
ной информации путем проверки работоспособности и электрических
параметров.
Электротермотренировка микросхемы проводится в течение не ме-
нее 168 ч при питании Ucc=5 В±5% и температуре окружающей среды
70+3°С путем считывания информации с частотой 50 Гц ... 1 МГц
последовательно по всем адресам микросхемы (см. рисунок).
Микросхемы, у которых в процессе электротермотренировки про-
изошла потеря записанной информации, допускается программировать
повторно; после повторной записи информации необходимо повторить
электротермотренировку и контроль правильности записанной информа-
ции. При повторном незапрограммировании микросхемы должны быть
забракованы. Допускается электротермотренировку микросхем с запи-
санной информацией проводить в составе используемой аппаратуры.
В режиме считывания сигналы выбора микросхемы могут пода-
ваться в соответствии с таблицей истинности на данную микросхему
уровнем или импульсом. В этом режиме у микросхем КР556РТ5 и
КР556РТ17 вывод 22 (Upp) свободен (см. временную диаграмму).
При работе с микросхемами должны быть приняты меры по защи-
те от воздействия статического заряда (не более 30 В).
Мощность потребления микросхемы в режимах считывания и хра-
нения (невыбор) практически одинакова.
С целью уменьшения потребления БИС ЗУ можно использовать
микросхемы серии КР556РТ в режиме импульсного питания.
При отсутствии напряжения в интервалах времени между импуль-
сами на выходе в микросхемах, имеющими ОК на выходе, устанавли-
вается уровень логической 1, в микросхемах, имеющих по выходу три
состояния,— высокоомное сопротивление (Roff). При этом в интерва-
лах между импульсами питания на адресных шинах и входах выбора
микросхемы могут присутствовать сигналы любого логического уровня.
При подаче импульса напряжения питания напряжение на выходе
микросхемы определяется режимом ее работы — записанной информа-
цией и сигналами на входах выбора микросхемы.
При построении модуля ЗУ на микросхемах КР556РТ с импульс-
ным питанием выводы сигнала CS можно подключать (согласно таб-
Временная диаграмма работы микросхем серии КР556 в режиме счи-
тывания (ДО—для микросхем с выходом OK; DO' — для микросхем
с выходом три состояния)
18-5037
273
.лице истинности на данный тип микросхемы) к общей шине ОВ или
через резистор сопротивления 1 кОм к шине Ucc. При этом выбор
соответствующей микросхемы осуществляется с помощью соответст-
вующих ключей включения импульсного питания. Ключ должен обеспе-
чить на выводе питания микросхемы UCc напряжение 5±0,5 В отно-
сительно общего вывода при постоянном токе нагрузки через ключ.
В связи с переходными процессами в микросхеме, возникающими
при использовании импульсного питания, время выборки адреса микро-
схемы увеличивается примерно в 2 ... 3 раза от указанного в таблице
динамических параметров.
Для увеличения надежности работы ППЗУ при импульсном пита-
нии рекомендуется применять стробирование выходной информации.
Ниже приведены зависимости электрических параметров от элек-
трических режимов и условий эксплуатации.
-60 -30 О 30 60 90 Т}°С
Зависимость Icc—f (Т, °C) микросхе-
мы КР556РТ4Л при Ucc=5 В
Зависимость lcc=j(Ucc) мик-
росхемы КР556РТ4А при Г=
=+25 °C
Зависимость временных пара-
метров микросхемы
КР556РТ4Л от температуры
при 1/сс=5,0 В и Ct=30 пФ:
2 ~‘а(А)ИЬ’ 3~lCS'
- ~ torsics)
Зависимость /cc=f{F) микро-
схемы КР556РТ4А при Т—
=+25 °C. UcC=i> В и С£=
=30 пФ
Icc'MA
С 1 19 10г 103 Г,кГц
Зависимость временных пара-
метров микросхемы
КР556РТ4Л от напряжения
питания при Г= + 25°С и Сд=
=30 пФ:
1 ~ lA(A)Ui'- 2~{А(А)ии 3~2CS'<
4 ~ (DIS(CS\
274
1сс>мА
Icct^A
Зависимость lcc=f(F) микро-
схемы KP556PT5 при Ucc—
=5,0 В и Т=+25°С
Зависимость Icc=f (Т, °C)
микросхемы КР556РТ5 при
Ucc=5,0 В
Зависимость временных пара-
метров микросхем КР556РТ4А
от емкости нагрузки при UCc—
=5,0 В и 7=+ 25 °C:
1 ~ {A(A}LH- 2 ~ 1А(А}нй 3 ~ {CS‘
4 “ *D/S(CS)
Зависимость временных пара-
метров микросхемы КР556РТ5
от емкости нагрузки при Г=
=+25 °C и Ucc=5,0 В:
^AfAfHL1 2~tA(A}LH' 3~1С$>
1 ~ 'oiSfCSJ
-40 0 40 80 КОТ,°C
Зависимость временных пара-
метров микросхемы КР556РТ5
от температуры при Ucr=
=5,0 В и С£=30 пФ:
, — tA(A)HL- 2~‘л(Л)СН' 3 ’cs>
* ~ *DlSfCS)
Зависимость временных пара-
метров микросхемы КР556РТ5
от напряжения питания при
Г=+25°С и С£=30 пФ:
1 ~ ‘AfAjHL’ 2~'tA(A'iLH- 3~*CS
18*
275-
Зависимость Icc=f(Ucc) мик-
росхемы КР556РТ5 при Т—
= + 25 °C
Зависимость временных пара-
метров микросхемы КР556РТ11
от напряжения питания при
Г= + 25°С, Сл=30 пФ, RL,=
=300 Ом и /?л2=620 Ом:
/ —^(Д)‘> 2~^cs’ S — 'niSicsi
Зависимость временных пара-
метров микросхемы КР556РТ11
от температуры окружающей
среды при Ucc—5 В и Ct=
=30 пФ:
1 ~ 2 ^CS’ 3 ~ lDIS(CS]
Зависимость временных пара-
метров микросхемы КР556РТ12
от температуры окружающей
среды при UCc=5 В и CL—
=30 пФ:
1 — 1 А(Л)! 2 — *CS: 3 ~ 'oiSCCSI
Зависимость временных пара-
метров микросхемы K.P556PTI 2
от емкости нагрузки при Uc.c=
=5 В и Г=+25°С:
1 ~ 2 — *СЗ'' 3 ~ lOIS(CS}
276
Зависимость временных пара-
метров микросхемы КР556РТ11
от емкости нагрузки при Urc=
=5 В и Т= + 25°С:
Зависимость Icc=f (Т, °C)
микросхемы КР556РТ14 при
УСс=5,25 В
Зависимость lcc=l (Т, °C)
микросхемы КР556РТ12 при
С'сс=5,25 В
Зависимость Icc=f (Т, °C)
микросхемы КР556РТ11 при
Усс=5,25 В
Зависимость lcc=f (Т. °C)
микросхемы КР556РТ13 при
Усс=5,25 В
Зависимость выходных напря-
жений микросхемы КР556РТ13
от температуры окружающей
среды при Ucc=4,75 В и мак-
симальных значениях тока на-
грузки:
/-Уо„; 2-У01
Зависимость входных токов
микросхемы КР556РТ13 от
температуры окружающей сре-
ды при Ucc=7>,25 В:
277
Зависимость временных пара-
метров микросхемы KP556PTI3
от температуры окружающей
среды при Ucc=5 В и CL=
=30 пФ:
1 ~ 2 — fcs'< 3 —
t,HC
50
00
30
20
10
20 00 60 80 С^пР
Зависимость временных пара-
метров микросхемы КР556РТ1Э
от емкости нагрузки при Ucc=
=5 В и Т=+25°С:
1~ *Л(Л)‘> 2~ICS’ 3~*О13(С5)
Зависимость временных пара-
метров микросхемы КР556РТ14
от температуры окружающей
среды при Ucc=5 В и Cl=
=30 пФ:
1 ~ 2 ~ ‘СЗ- 3 ~ 1 DIS(CS)
Зависимость временных пара-
метров микросхемы КР556РТ15
от напряжения питания при
Т=+25°С и С7=30 пФ:
1 ~ *Л(Лр 2 ~ *СЗ< 3 ~~ toistcsy
Зависимость lcc=f (Т, °C)
микросхемы КР556РТ15 при
Ucc=5,25 В
Зависимость tAW=f(Ucc) мик-
росхемы КР556РТ16 при Т=
=+25°C и Сz=30 пФ
278
АО
30
20
50
пара-
10
20 40 60 80 Cl,пФ
Зависимость временных
метров микросхемы КР556РТ14
от емкости нагрузки при 1)сс=
=5 В и Т=+25°С:
2 — *СЗ: 3 — *DJS(CS)
lcc=f (Т,
КР556РТ17
Зависимость
микросхемы
Ucc=5,25 В
Зависимость временных пара-
метров микросхемы КР556РТ17
от температуры окружающей
среды при исс—5 В, CL—
=30 пФ:
1 — (Л(Лр 2~{CS< 3~lDIS(CSt
°C)
при
Зависимость
микросхемы
lcc=f (Г, °C)
КР556РТ16 при
Ucc=5,25 В
Зависимость временных пара-
метров микросхемы КР556РТ16
от температуры окружающей
среды при Ucc=5 В и Ct=
=30 пФ:
1 ~ {Л(Л)’ 2 ~ tCS- 3 ~ *013<.С5)
279
Зависимость временных пара-
метров микросхемы КР556РТ15
от температуры окружающей
среды при t/Cc=5 В и Ct=
=30 пФ:
' ~ *3(4)! 2 — fCS’ 3 ~ *OIS(CS)
Зависимость временных пара-
метров микросхемы КР556РТ15
от емкости нагрузки при Ucc—
=5 В и Г= + 25°С:
1 ~ >: 2 ~~ *cs'< 3 — rors(cs>
Зависимость временных пара-
метров микросхемы КР556РТ17
от емкости нагрузки при Ucc—
=5 В и Г= + 25°С:
1 ~ 2 — fCS' 3~,DIS(CS1
Зависимость временных пара-
метров микросхемы КР556РТ18
от температуры окружающей
среды при Uc.c=§ В и CL—
=30 пФ:
1 ~ 2Л(Л)! 2 — *CS’ 3 — ^D/SfCS)
СЕРИЯ К1500
Программируемое постоянное ЗУ на основе
ЭСЛ-элементов
Информационная емкость
Организация . . . .
Время выборки адреса
Напряжение питания .
Потребляемая мощность .
Диапазон температур .
К1500РТ416
. . . 1024 бит
. 256 словХ4 разряда
. Не более 20 нс
. . . —4,5 В±5 %
. Не более 665 мВт
. . . + 1...+85’С
280
Выход..............................ЭСЛ-типа
Совместимость по входу и выходу С ЭСЛ-схемами
Тип корпуса . Стеклокерамический, 4112.16—9
(см. рис. 6.3)
Микросхема поступает к потребителю в первичном состоянии, соответст-
вующем логической 1.
Назначение выводов микросхемы К1500РТ416
Выводы Назначение Обозначение 2 3 77 13
Ag 4? CS PROM Ъ HOo 11
2...7, 9, 11, 12, 14, 13 8 1 10 15 Адресные входы Выход данных Выбор микросхемы Напряжение пита- ния Напряжение про- 710. .. DO,... DO, CS Ucc UpR TOO, no2 00} 1Z 14 15
16 граммирования Общий OB K1500PT416
Таблица истинности микросхемы К1500РТ416
CS A,... A, no,...D:ia UPR Режим работы
1 X 0 OB Хранение
0 A Данные в прямом коде OB Считывание
Предельные режимы эксплуатации микросхемы К1500РТ416
(в диапазоне температур +1 ... +85°C)
Параметры Значения параметрон
МИН. макс.
Напряжение питания, Ucc ит, В -6,0 0
Входное напряжение, Ui цт, В U'cc 0
Выходной ТОК, /о Нт, мА 0 30
Рекомендации по применению
Микросхемы К1500РТ416 поступают к потребителю незапрограм-
мированными (т. с. во всех ЭП содержится логическая 1). Для записи
логического 0, которая осуществляется путем разрушения нихромовой
перемычки, необходимо подать последовательность импульсов, причем
входные данные подаются лишь па выход программируемого разряда.
Остальные выходы свободны.
Режим программирования для микросхемы серии К1500РТ416 за-
ключается в следующем (см. схему подачи режимов и временную диа-
грамму импульсов):
281
Статические параметры микросхемы К1500РТ416
(в диапазоне температур +1 ... +85°C)
Параметры Значения параметров
мин. макс.
Напряжение питания, Ucc, В —4,725 —4,225
Напряжение на выводе UPP, В —0,1 0,1
Ток потребления, Ice, мА — 140
Входное напряжение. В: логического 0, Uil -1,81 —1,62
логической 1, Uih —1,025 —0,88
Входной ток, мкА: 0,5
логического 0, 111 —
логической 1, 1:н — 220
Выходное напряжение, В: —1,61
логического 0, Uol —
логической 1, Uoh —1,035 —
Примечания: 1. Ток потребления 1СС измерялся при 4,5 В,
2. Выходные напряжения U0L и Uon измерялись при Ucc=— 4,5 В на на-
грузке /?ь=51 Ом±Б%, 1,475 В, и1и=—1,165 В и 1,81 В. U/H-
=—0,88 В соответственно.
Динамические параметры микросхемы К1500РТ416
(в диапазоне температур +1 ... +85 °C)
Параметры
Максимальные значения
параметров
Время выборки адреса, tAW, нс
Время выбора, tcs, нс
Входная емкость, С/, пФ
Выходная емкость, Со, пФ
Емкость нагрузки, Cl, пФ
20
8
8
5
30
Примечания: 1. Временные интервалы указаны по уровню 0,5 А.
2. Временные параметры измерялись при £/сс=—4,5 В при нагрузке: С, —
=3 пФ±10% и й£=51 Ом=5%.
а) напряжение источника питания Ucc (вывод 8) понижается от
0 ... 0,4 В до —4,4 ... —4,7 В. Источник Ucc должен обеспечивать
ток не менее 950 мА;
б) на адресные входы Ао ... А? подается адресный код, соответ-
ствующий программируемому слову, причем UAH=—0,7 ... 0,9 В;
UAL=—1,8 ... — 2,1 В;
в) напряжение UPK (вывод /) от генератора G} повышается от
±(0 ... 0,1) до 11,5±0,5 В. Источник UPK должен обеспечить ток не
менее 700 мА;
г) на одни из выводов DO (выводы И, 12, 14, 15), соответствую-
щий выбранному для программирования разряду, от генератора Оз
подается напряжение Оо=4,7+0,2 В, на другие выводы через резистор
сопротивлением Л = 680 Ом+5 % подается напряжение питания
282
Схема подачи режимов при программировании микросхемы К1500РТ416
Временная диаграмма работы микросхемы К1500РТ416 в режиме про-
граммирования
—4,4 ... —4,7 В. Источник напряжения Uo должен обеспечить ток не
менее 50 мА;
д) к выводу CS (вывод 13) подключается источник тока б2, обес-
печивающий /с$=28±0,2 мА (ток вытекает из вывода); при этом
напряжение на выводе 13 не должно быть менее —5,3 В.
В одном цикле информацию можно записать только в один раз-
ряд. При записи в другие разряды повторяются пункты а) ... д).
По окончании циклов записи информации в одно слово проводится
контроль правильности записанной информации в одно слово. Для
этого напряжение на выводе UPR устанавливается равным ±(0 ...
... 0,1) В и проводятся считывание и проверка правильности записан-
ной информации в данное слово. Время воздействия напряжения пита-
ния Ucc при контроле правильности записанной информации не долж-
но превышать 50 мс.
283
Запись информации в микросхемы осуществляется путем подачи
импульсов напряжения и тока, указанных выше в виде трех серий
импульсов для каждого слова ППЗУ, в которое записывается инфор-
мация. Первая серия импульсов соответствует нормальному режиму
записи информации и характеризуется минимальной длительностью
импульсов тока /ясз>=25 мкс (см. временную диаграмму) и числом
импульсов на один бит (не более 1000). Если информация в данное
слово не записалась при подаче импульсов первой серии, то необходи-
мо перейти к форсированному режиму записи с длительностью импуль-
сов тока /|Г(сз)=Ю мс и числом импульсов на один бит не более 100.
Если по окончании серии с фиксированным режимом информация
в слово не записалась, то микросхема должна быть забракована. После
того как информация в слово ППЗУ записалась, необходимо на дан-
ное слово подать дополнительную серию импульсов с tv(cs)=25 мкс
с числом импульсов 40 на один бит.
В режиме считывания сигналы CS могут подаваться уровнем или
импульсом. В этом режиме на вывод (вывод /) подается напря-
жение ±(0 ... 0,1) В (см. временную диаграмму в режиме считы-
вания).
Временная диаграмма работы микросхемы К1500РТ416 в режиме счи-
тывания
Мощность потребления микросхемы в режимах считывания и хра-
нения (невыбор) практически одинаковая.
Ниже приведены типовые зависимости электрических параметров
от электрических режимов и условий эксплуатации.
Зависимость 1л(А)={ (Т, °C)
микросхемы К1500РТ416 при
различных напряжениях пита-
ния:
I-Licc^-4,73 В; 2 —Усс—4,5 В;
3 - Ucc----------4,27 В
Зависимость tcs=i (Г, °C)
микросхемы К1500РТ416 при
различных напряжениях пита-
ния:
1—UCC = —4.73 В; 2-Ucc--4,5 В;
3 — исс---------4,27 В
284
Зависимость lcc=f(Ucc) мик-
росхемы К1500РТ416 при раз-
личной температуре окружаю-
щей среды:
/ —Т= + 1°С; 2—Г-+25 “С: 3 —
Т- + Я5°С
Ucc, В -0,5 -4,27
9.3. Репрограммируемые ПЗУ
СЕРИЯ КР558
Репрограммируемое постоянное ЗУ с электрической
перезаписью информации и ее хранением
при включенном и выключенном источнике питания;
выполнено по р-МНОП технологии
КР558РР2А, КР558РР21А ... КР558РР24А
КР558РР2Б, КР558РР21Б ... КР558РР24Б
Время хранения информации в вык-
люченном состоянии ..............
Число циклов программирования
Напряжение питания: . . . .
Потребляемая мощность . . . .
Диапазон температур..............
Выход....................,. . .
Совместимость в режиме считыва-
ния по входу и выходу .
Тип корпуса .....................
Не менее 5000 ч
Не менее 104
<7СС = 5 В±5 %
1/рВ = 5 В±5 % (в режиме счи-
тывания)
Не более 480 мВт
—10... +70°С
Три состояния
С ТТЛ-схемами
Металлокерамический, 405.24—7
(см. рис. 6.3)
Классификационные параметры микросхем
Тип микро схемы Информа- ционная емкость, бит Организа- ция, слсиХ Xразрядов Время выборки адреса, мкс. не более Задействованные адреса Задейство- ванные разряды
КР558РР2А 16384 2018X8 0,35 Все Все
КР558РР2В 16384 2048X8 0,7 То же То же
КР558РР21А 8192 1024x8 0,35 Все, кроме Аю= =логическом у 0 »
КР558РР2Б 8192 1024x8 0,7 То же >
•КР558РР22А 8192 1024x8 0,35 Все, кроме Аю= =логической 1 >
КР558РР22Б 8192 1024 x8 0,7 То же »
КР558РР23А 8192 2048x4 0,35 Все 3, 4, 5, 7
КР558РР23Б 8192 2048X4 0,7 То же 3, 4,5, 7
КР558РР24А 8192 2048X4 0,35 3, 4, 5, 7
КР558РР24Б 8192 2048X4 0,7 3, 4,5,7
285
Назначение выводов микросхем КР558РР2А,
КР558РР21А ... КР558РР24А, КР558РР2Б,
КР558РР21Б ... КР558РР24Б
3 — 4р UPR0M Л
7 — 4» 9
6 — а2
5 — А3
Ч — АЧ ад — 9
3 — 4$ ад, — 10
2-J 4р ад — И
1 — 4? ад -- и
23 — 4# ад — 14
22- а9 s/ffs — 15
19- —16
М — CS ад, — 17
20 — гео
21 —
Выводы Назначение Обозначение
/.. 8, 23, 22, 19 9...11, 13. .17 18 20 24 21 12 Адресный вход Вход—выход данных Выбор микросхемы Разрешение по выходу Напряжение питания Напряжение програм- мирования Общий А7.. .А,, A,, At, А«о DIO9...DIOt, DI O, ...DIO, CS CEO ^CC UpR OB
Примечания: В микросхемах КР558РР22А,
КР558РР22Б адресный вывод 19 (соответствующий
Л|о) подключается к Ucc (вывод 24), а в микросхе-
мах КР558РР21А, КР558РР21Б — к общей шине ОБ
(вывод 12).
В микросхемах КР558РР23А, КР558РР23Б,
КР558РР24А, КР558РР24Б согласно следующей таб-
лице задействованы по входу — выходу данных
(D10) только четыре разряда; остальные разряды
DI0 свободны.
В микросхемах КР558РР24А. КР558РР24Б выво-
ды по входу — выходу данных DI0—10 и // — объ-
единяются.
КР558РР2А,
КР558РР21А...
.. КР558РР24А,
КР558РР2Б.
КР558РР21Б...
... КР558РР24Б
Выводы входа — выхода данных микросхем
Номер вывода и его функциональное назначения
Тип микросхемы 9 10 П 13 15 16 17
KP558PP2A, DIO, DIO, DIOg DIO, DIO. DIO, DIO, DIO,
КР558РР2Б, DIO, DIO-, dio2 DIO, DIO, DIO, DIO, DIO,
KP558PP21A, DIO, DIOX dio2 DIO, DIO, DIO, DIO, DIO,
КРБ58РР21Б, DIO, DIO, DIO, DIO, DIO, DIO, DIO, DIO,
KP558PP22A, DIO, DIO1 DIO, DIO, DIO, DIO, DIO, DIO,
КР558РР22Б DIO, DIO, DIO, DIO, DIO, DIO, DIO, DIO,
KP558PP23A, — — DIO, DIO, DIO, DIO, —
КР558РР23Б — — DIO„ DIOr DIO, DIO, —
KP558PP24A, — DIOn DIO, DIOl DIO, — DIO, —
КР558РР24Б — I)IOB DIO, DlOy DIO, — DIO, —
286
Таблица истинности микросхем К.Р558РР2А,
KP55RPP21A ... КР558РР24А, КР558РР2Б. КР558РР21Б ... КР558РР24Б-
CS СЕО .40.. .д10 DIOt...DIO, Режим работы
1 X X Ro'f ^СС Хранение (не выбор)
1 0 X X 18 В (импульс) Стирание
1 1 А Входные данные в пря- мом коде 18 В (импульс) Запись
0 0 А Выходные данные в пря- мом коде исс Считывание
Предельные режимы эксплуатации микросхем КР558РР2А,
КР558РР21А ... КР558РР24А, КР558РР2Б, КР558РР21 Б ... КР558РР24Б
_____________(в диапазоне температур —10 ... +70°C)_______________
Параметры Значения параметров
мин. макс.
Напряжение питания, Ucc iim, В Напряжение входного сигнала, В: — 5,5
U1Н Нт 2,4 5,5
^IL Um -0,1 0.8
Напряжение программирования, U PR lim, В — 26
Емкость нагрузки, CL lim, пФ — 500
Статические параметры микросхем КР558РР2А, KP558PP2IA ...
... КР558РР24А, КР558РР2Б, КР558РР21Б ... КР558РР24Б
О ........... ................. ____in I 7nor\
в режиме считывания (в диапазоне температур —10 . . +70 °C)
Значения параметров
Параметры
мин. макс.
Напряжение питания, В:
Ucc 4,75 5,25
иР* 4,75 5.25
Ток потребления в режиме считывания, — 120
/сс, мА
Входное напряжение, В:
логической 1, Uih 2,4 —
логического 0, Uil — 0,4
Входной ток, мкА:
логической 1, Iih — 10
логического 0, 1ц. —— 10
Выходное напряжение, В:
логической 1, Uон 2,4 —
логического 0, Uol — 0,4
Выходной ток, мА:
логической 1, /он — 0,4
логического 0, /ос — 1,6
Примечания: 1. Ток потребления в режиме считывания измерялся при
2. Выходное напряжение измерялось при Усс=4,75 В.
Рекомендации по применению
Микросхема может работать в режимах хранения (невыбор) и счи-
тывания информации (согласно таблице истинности и временной диа-
грамме).
В режиме считывания на вывод UPK подается напряжение Ucc-
При этом на микросхему допускается подавать сигналы CS, СЕО по-
стоянным уровнем.
Допустимый электростатический потенциал 100 В.
Источник питания микросхемы должен быть общим с микросхема-
ми, с которыми она согласуется по входам и выходам.
Временные диаграммы работы микросхем КР558РР2Л, КР558РР21А ...
а — режим считывания; б — режим стирания: в — режим записи
288
Динамические параметры микросхем КР558РР2А, КР558РР21А
... КР558РР24А, КР558РР2Б, КР558РР21Б.. в режиме считывания (в диапазоне температур . КР558РР24Б — 10... +70 °C)
Параметры Максимальные зна- чения параметров
Время выбора, tcs, мкс 0,35
Время -Запрещения выходных данных после сиг- нала CS, torst.cs), мкс Время-Запрещения выходных данных после сиг- нала CEO, tnisicEO), мкс Входная емкость, С/, пФ Выходная емкость, Со, пФ Емкость нагрузки CL, пФ (0,7) 0,25 0,25 15 25 100
Примечания: 1. В скобках указаны данные для микросхем группы Б,
отличные от группы А.
2. Временные интервалы указаны по уровням UH=0,9 A; =0,1 А.
3. Временные параметры измерялись при Ucс=4,75 В и С, <100 пФ.
В режиме программирования на вывод UPR подается напряжение
программирования в виде импульса PR амплитудой 18 В согласно
временной диаграмме программирования. Режим программирования
состоит из стирания информации по всему объему памяти и последую-
щей записи информации последовательно по каждому адресу. При за-
писи информации на выводы D1O подается соответствующий 8-разряд-
ный код числа.
... КР558РР24А, КР558РР2Б, КР558РР21 ... КР558РР24Б:
19-5037
289
Параметры микросхем КР558РР2А. КР558РР21А ... КР558РР24А,
КР558РР2Б, КР558РР21Б ... КР558РР24Б в режиме
программирования (при температуре ±25°С)
Параметры Значения па- раметров Примечания
мин. макс.
Напряжение питания, Ucc, В Напряжение программирования, UPP, В Входное напряжение, В: логического 0, U/L логической 1, Uih Время установления сигнала CS отно- сительно сигнала PR на выводе UPr, tsU(PR-CS), мкс Время установления сигнала CS относи- тельно сигнала CEO, tsu(CEo-cs), мкс Время сохранения сигнала СЕО после сигнала CS, tvics-cso), мкс Время сохранения сигнала PR после сигнала CS, tv(cs-PR), мкс Длительность сигнала CS: в режиме стирания, <w(cs), с в режиме записи, tV(CS)VR, мс Время установления сигнала CS относи- тельно адреса, tSu(A-cs), мкс Время установления сигнала CS относи- тельно сигнала CEO, tsu(CEo-cs), мкс Время установления сигнала CS отно- сительно данных, tsu(ot-cs), мкс Время установления сигнала CS относи- тельно сигнала PR на выводе UPr, tsU(.PR-CS), мкс Время сохранения сигнала адреса после сигнала CS, tv(cs-A), мкс Время сохранения сигнала СЕО после сигнала CS, tv(cs-cEO), мкс Время сохранения данных после сигна- ла CS, tv(cs—ot), мкс Время сохранения сигнала PR на вы- воде UPr после сигнала CS, tv(cs-PR), мкс 4,75 17,1 2,4 10 2,0 2,0 10 1,0 10 2,0 2,0 2,0 10 2,0 2,0 2,0 10 Illi I 1 I 1 1 I III 1 1 -й сл В режиме стирания То же • ±10% ±0,5 мс В режиме записи То же В режиме записи То же • я
Примечание: Временные интервалы указаны по уровням: У^'= 0.9 А;
U^=0,I А, сигналы CS—по уровню 0,5 А.
Для восстановления уровней внутренних узлов микросхемы до
уровней режима считывания после каждого режима записи или стира-
ния перед считыванием должно быть проведено однократное считыва-
ние информации по всем адресам микросхемы (без использования счи-
танной информации). Это считывание можно заменить выдержкой в те-
чение не менее 60 с при включенном питании и низком уровне напря-
жения на остальных выводах или в режиме хранения при выключен-
ном питании (все выводы микросхемы соединены с общим выводом).
290
Необходимо учитывать, что время задержки сигналов мбжду записью
и считыванием, стиранием и считыванием, стиранием и записью должно
быть не менее 5 мс.
В режиме стирания допускается иметь произвольное логическое со-
стояние по адресным и информационным входам.
При необходимости большой корректировки информации ее необ-
ходимо стереть во всем массиве памяти и записать заново. Кроме того,
возможно проводить корректировку информации в отдельных разрядах
слов, если в них записана 1 (без предварительного стирания всей
информации в массиве памяти). В этом случае по нужному адресу
в исправляемые разряды записывается 0, а во все остальные — старый
код числа. Изменение информации на 1 в разряде, где записан 0, не-
возможно без общего стирания информации и последующей записи.
У рассматриваемых микросхем не допускается подавать на выво-
ды DIOq ... DIO7 уровни, превышающие Ucc, а в режиме считыва-
ния — на вывод UpR напряжение меньше Ucc.
Во избежание перегрева микросхемы при записи (стирания) реко-
мендуется не превышать минимально возможное время подачи сигна-
ла PR на вывод UPR.
Ниже приведены зависимости параметров микросхемы от электри-
ческих режимов и условий эксплуатации.
Зависимость tcs=f (Т, °C)
микросхем КР558РР2Л,
КР558РР21А ... КР558РР24А
при 1/Сс=4,75 В
Зависимость tcs = l(CL) микро-
схем КР558РР2А.
КР558РР21А ... КР558РР24А
при £/сс=4,75 В и 7 = +25 °C
СЕРИЯ К573
Репрограммируемое постоянное ЗУ с длительным сроком
хранения информации при включенном
и выключенном источнике питания.
К573РР — обеспечивают электрическую перезапись информации;
выполнено по л-МОП технологии с «плавающим» затвором.
К573РФ — обеспечивают электрическую запись информации и сти-
рание информации ультрафиолетовым светом; выполнено по л-МОП
технологии с «плавающим» затвором.
19*
291
К573РР2, К573РР21, К573РР22
Время выборки адреса . . . .
Время хранения информации:
во включенном состоянии .
в выключенном состоянии .
Число циклов перепрограммирования
Напряжение питания . . . .
Общая потребляемая мощность:
в режиме считывания . . . .
в режиме хранения (нсвыбор)
Диапазон температур...............
Выход ............................
Совместимость по входу и выходу в
режиме считывания.................
Тип корпуса ......................
Не более 350 нс
Не менее 15 000 ч
Не менее 15 000 ч
Не менее 104
(Усс = 5 В±5 % UPR = b В±5 %
(в режиме считывания)
Не более 620 мВт
Не более 340 мВт
—10... + 70 °C
Три состояния
С ТТЛ-схемами
Металлокерамический,
2120.24—1.02 (см. рис. 6.2)
Классификационные параметры микросхем К573РР2, К573РР21,
К573РР22
Тип микросхемы Информаци- онная ем- кость, бит Организация, словХразря- дов Задействованные адреса
К573РР2 К573РР21 К573РР22 16 384 8192 8192 2048X8 1024X8 1024x8 Все Все, кроме А ,0=логиче- скому 0 Все, кроме 410=логиче- ской 1
Назначение выводов микросхем К573РР2,
К573РР21, К573РР22
8 — 7 — 4» A, SIP80M $
1 1 <0^0 Аз — 9
4 — 3 — Ah Af DIO, — Ю
2 — 1 — As Ay 0Юг —11
23 - 22 - Ae Afj — 13
19 - A10 mot — 14
18 - CS м>5 -15
20 - etii VI06 — 16
Opp 910? — 1?
К573РР2
Выводы Назначение Обозначение
8...1, 23, Адресные входы 1 Ио. • •
22, 19
9, 10, 11, Вход — выход дан- DI()e...DI0i
13...17 ных
18 Выбор микросхемы CS
20 Разрешение по вы- CEO
ходу
24 Напряжение пита- U сс
НИЯ
21 Напряжение про- UPR
граммирования
12 Общий OB
1 Микросхемы К573РР21 и К573РР22 имеют ин-
формационную емкость 8192 бит, поэтому у них па
один из адресных входов подается:
K573PP2I: на вывод 19, соответствующий До-
логический 0
К573РР22: на вывод 19, соответствующий Дю —
логическая 1
29 2
Таблица истинности микросхем К573РР2, Р573РР21, К573РР22
CS СЕО Ао...Аю DIOa...DIO, UPR Режим работы
1 X X Roff ^СС Хранение (невыбор)
0 12В X 1 22 В (импульс) Общее стирание
12 В 1 1 X X 22 В (импульс) Общая запись
0 А Входные данные в прямом коде 22 В (импульс) Избирательная (байтовая) запись
0 1 А 22 В (импульс) Избирательное (байтовое) стира- ние
0? 0 А Выходные дан- ные в прямом коде ^сс Считывание
Предельные режимы эксплуатации микросхем К573РР2,
K573PP2I, К573РР22
Параметры Значения параметров
мин. макс.
Напряжение питания, Uccum, В —0,1 5,5
Кратковременное напряжение питания в те- чение 5 МС, Ucc к Нт, В — 6,0
Напряжение входного сигнала, В: —0,1 0,8
логического 0, UIL Пт
логической 1, Um Пт 2,0 5,5
Напряжение программирования, иРРпт, В —0,1 23
Емкость нагрузки, Cl ц,п, пФ — 200
Рекомендации по применению
Микросхемы могут работать в следующих режимах: храпение (не-
выбор), считывание, общее стирание, общая запись, избирательное
(байтовое) стирание, избирательная (байтовая) запись. Требуемые сиг-
налы для получения указанных режимов приведены в таблице истин-
ности и на временных диаграммах. __
Режим хранения (невыбор). В этом режиме на вывод CS подает-
ся логическая 1. При этом микросхема переходит в режим малой по-
требляемой мощности, а выходы — в высокоомное состояние (Roff)- На
вывод Upr подается напряжение Ucc- Этот режим применяется при
объединении микросхем по выходам для увеличения информационного
объема ЗУ. *
Режим считывания. Микросхема представляет собой статическое
ПЗУ. Выходные уровни определяются записанной информацией в пря-
мом коде. На вывод UPR подается напряжение Ucc (см. временную
диаграмму работы микросхемы в этом режиме). Допускается подавать
сигналы CS и СЕО уровнями или импульсами.
293
Временные диаграммы работы микросхем К573РР2 К573РР21
К573РР22:
а — режим считывания; б — режим общего стирания; в — режим общей записи;
г — режим избирательного стирания — записи
294
t
Статические параметры микросхем К573РР2, К573РР21, К573РР22
в режиме считывания (в диапазоне температур —10... 4-70 °C)
Параметры Значение па- раметра Примечания
мин. | макс.
Напряжение питания, В: 5,25
Ucc 4,75
U ph Ток потребления по цепи Ucc, мА: 4,75 5,25 —
в режиме считывания, Ice — НО l)CC~^PR~ =5,25 В
в режиме хранения, Ices Ток потребления по цепи UPK, мА: — 55 ^CC~^PR— =5,25 В
в режиме считывания, Ipr — 20 UcC—UpR— =5,25 В
в режиме хранения, IPrs Входное напряжение, В: — 10 Vcc=UpR= =5,25В
логического 0, Uil — 0,4 —
логической 1, Uih Выходное напряжение, В: 2,4 5,25 —
логического 0, UOl 0,4 ^CC—UpR— =4,75 В; /?£=3,12 кОм
логической 1, Uон Выходной ток, мА: логического 0, Iol 2,4 — UcC~U PR~ =4,75 В
— 1,6 —
логической 1, 1он — 0,1 —
Ток утечки по входам ILil, Ilih, мкА 10 I’cc—Upp— =5,25 В Т=2.5±10°С
Режим общего стирания. В режиме программирования предвари-
тельное извлечение микросхемы из контактного приспособления на
плате необходимо производить при отсутствии напряжения на ее вы-
водах. Допускается программирование микросхем производить в соста-
ве устройства при соблюдении режимов, указанных в следующей таб-
лице.
В этом режиме на вывод CS необходимо подать уровень логиче-
ского 0, на вывод СЕО—напряжение 12 В±5 %, на вывод UPft—
импульс PR амплитудой 22+0,5 В и длительностью 50 мс+10%.
Фронт импульса PR должен определяться выражением
где UPR(t)—текущее значение импульса на выводе UPK\ —номи-
нальное значение импульса на выводе t — время, мс.
296
Динамические параметры микросхем К573РР2, К573РР21, К573РР22
в режиме считывания (в диапазоне температур —10 ... 4-70 °C)
Параметры Максимальные зна- чения параметров
Время выборки адреса, /л/л, нс 350
Время выбора, tes, нс 350
Время выборки сигнала разрешения выхода, 120
/л(С£О), нс
Время запрещения выходных данных после сиг- 120
нала CS, tDIs(cs), нс
Время запрещения выходных данных после сиг- 120
нала CEO, toistcet», нс
Входная емкость, С/, пФ 8
Выходная емкость, Со, пФ 10
Емкость нагрузки, Сд, пФ 100
Примечания: I. Все временные параметры измерялись при I)сC = Uри
=4,76 В, С, =100 пФ и одном ТТЛ-входе серин К155.
2. Временные интервалы указаны по уровням 1,0 н 2,0 В.
Состояние адресных входов безразлично (логические 0 или 1).
В результате общего стирания все ЭП устанавливаются в состояние
логической 1 (см. временную диаграмму режима общего стирания).
Режим общей записи. В этом режиме происходит запись логическо-
го 0 во все ЭП. При этом на вывод CS подается напряжение 12 В±
+5 %, на вывод СЕО — уровень логической 1, на вывод Upp подается
импульс PR с параметрами, указанными в режиме общего стирания.
Состояние адресных и информационных входов безразлично (логиче-
ские 0 или 1).
Режим избирательной (байтового) стирания. В этом режиме на вы-
вывод CS подается уровень логического 0, на вывод СЕО — уровень
логической 1, на вывод Upp—импульс PR с параметрами, указанны-
ми в режиме общего стирания. На адресные выводы подается соответ-
ствующий код выбранного адреса, на все информационные выводы —
уровень логической 1. В этом режиме во все разряды слова по выбран-
ному адресу записывается логическая 1 (см. временную диаграмму).
Режим избирательной (байтовой) записи. В этом режиме на вы-
вод CS подается уровень логического 0, на вывод СЕО — уровень ло-
гической 1, на вывод U,.р — импульс. PR с параметрами, указанными
в режиме общего стирания; на адресные выводы подается соответст-
вующий код выбранного адреса, а на информационные выводы — вход-
ные данные в прямом коде. Запись информации (логической 0) может
происходить только после стирания информации в данном слове (см.
временную диаграмму).
Во всех режимах работы источники питания БИС ЗУ и микросхем,
с которыми они согласуются по входам и выходам, должны быть
общими.
На незадействованные выводы DIO рекомендуется подавать уров-
ни логической 1 или напряжение Ur.c через резистор сопротивлением
не менее 3 кОм.
297
Параметры микросхем К573РР2, К573РР21, К573РР22 в режиме
программирования (в диапазоне температур —10 ... -f-70°C)
Параметры Значения па- раметров Примечания
Мин- макс, тч е /
Напряжение питания, Ucc, В 4,75 5,25 —
Напряжение программирования, UPr, В Входные напряжения, В: 21,5 22,5 0,4 —
логического 0, UiL — —
логической 1, Um 2.4 5,25 —
Время установления сигнала PR на вы- воде Ррв относительно сигнала CS, tsU(CS-PR), ИС 150
Время сохранения сигнала CS после сигнала PR на выводе UPn, tV(PR-cs), нс 50 — —
Длительность сигнала программирова- ния на выводе UPR, tV{PR), мс 45 55 ——
Длительность фронта сигнала програм- мирования, /#(₽»), мс 0,45 0,75 0,1 —
Длительность спада сигнала программи- рования, ^Р(РЛ), мс — —
Время установления сигнала PR на вы- воде Upr относительно сигнала СЕО, tsU(CEO-PR), ПС 0 150 В режиме об- щего стирания В режиме общей записи
Время установления сигнала PR на вы- воде UPr относительно входных данных, tsU(DI-PR), НС 0 В режимах об- щего и избира- тельного стира- ния
Время установления сигнала PR на вы- воде UPr относительно адреса, tsu(A-pR), нс 150 — В режимах из- бирательной за- писи и стирания
Время сохранения сигнала СЕО после сигнала PR на выводе UPR, tvtPR-cpo), нс 0 — В режиме обще- го стирания
50 — В режиме общей записи
Время сохранения входных данных пос- ле. сигнала PR на выводе UPR, tv(PR-DI1, ИС 0 — В режиме обще- го стирания
50 — В режиме изби- рательной запи- си и стирания
Время сохранения адреса после сигнала PR на выводе UPR, tv{PR_A}, нс 50 В режиме изби- рательной запи- си и стирания
298
Цоколевка микросхемы К573РР2, режим работы и временная диа-
грамма при считывании аналогичны микросхеме К537РФ2.
Ниже приведены зависимости электрических параметров микросхе-
мы от электрических режимов работы и условий эксплуатации.
Зависимость Ir.c=f(UCc) мик-
росхем К573РР2, К573РР21,
К573РР22 при Т= +25 °C
Зависимость Icc=f (7, °C),
микросхем К573РР2,
К573РР21, К573РР22 при
Цсс=5,0 В
Зависимость временных пара-
метров микросхем К573РР2,
К573РР21, К573РР22 от на-
пряжения питания при Т=
=+25 °C и Сд=100 пФ:
> — 'л(Л)! 2 — *CS' 3 ~ *А(СЕО)
Зависимость временных пара-
метров микросхем К573РР2,
К573РР21, К573РР22 от тем-
пературы при Ucc=5,Q В и
Сс=100 пФ:
1 ~ Ц(Л): 2 ~ lCS: 3 ~ fA(CEO)
К573РФ1, К573РФ13, К573РФ14
Время выборки адреса . . . .
Время хранения информации:
при включенных источниках пита-
ния ...........................
при отключенных источниках пита-
ния ...........................
Число циклов программирования
Напряжение питания . . . .
Суммарная потребляемая мощность
по всем источникам питания в ре-
жиме считывания .................
Диапазон температур . . . .
Выход ...........................
Нс более 450 нс
Не менее 15 000 ч
Не менее 100 000 ч
Не менее 100 (при Г=+25°С)
ЦСС1=5 В±5 %
ЦСС2=12 В±5 %
Цссз=-5 В±5 %
Не более 1100 мВт
—45...+70 °C
Три состояния
299
Совместимость:
по входу.......................С ТТЛ ОК-схсмами
по выходу......................С ТТЛ-схемами
Тип корпуса......................Металлокерамический,
210Б.24—5, с прозрачной для
ультрафиолетовых лучей крыш-
кой (см. рис. 6.2)
Классификационные параметры микросхем К573РФ1, К573РФ13,
К573РФ14
Тип микросхемы Информационная емкость, бит Организация, слов X разрядов Задействованные разряды
К573РФ1 8192 1024x8 Все
К573РФ13 4096 1024X4 2, 3, 4, 6
К573РФ14 4096 1024X4 1, 2, 3, 6
Назначение выводов микросхем К573РФ1,
К573РФ13, К573РФ14
1 1 QO «V. Ао А, 2PR0M — 9
6- 5 — 4г Аз то. —10
9- 3 — Alt АЗ 0102 —11
2 — 1 — Аб А? шо} —13
23 — 22 — Ав А} П№; — 19 -15
20 — CS — 16
1ь — PR Г/?7 — 17
К573РФ1
Выводы Назначение Обозначение
1..18, 22, 23 Адресные входы yl-j • • ♦ , ^8
9, 10, 11, Вход—выход дан- DIO,... DIO,
23...17 ных
20 Выбор микросхемы CS
18 Сигнал програм- мирования PR
19 Напряжение пита- ния ^СС2
21 Напряжение пита- ния ^ссз
24 Напряжение пита- ния UCC1
12 Общий 0 в
Примечание. В микросхемах К573РФ13 и
РФ14 согласно таблице классификационных пара-
метров задействованы по входу — выходу данных
(pJO) только четыре разряда, остальные разряды
DIO свободные.
Номера выводов входа — выхода данных микросхем К573РФ1 К573РФ13, К573РФ14
Тип микросхемы Выводы и их функциональное назначение
9 10 и 13 \ « 15 | 10 17
• К573РФ1 К573РФ13 К573РФ14 DIO„ DIO, dio2 D1O2 DlO0 DIO, DIO3 DIO. DlOy^ DIOt dio2 DIO, DIOe DIO3 DIO3 DIO,
300
Таблица истинности микросхем К573РФ1, К573РФ13, К573РФ14
CS Л? А о...Д» ОГ00...ПГО, Режим работы
1 X X RoH Хранение (невыбор)
12 В 26 В (импульс) А Входные данные в прямом коде Программирова- ние
0 0 А Выходные данные в прямом коде Считывание
Временные диаграммы работы микросхемы К573РФ1:
а — режим считывания; б — режим программирования
tytuCc2'>
CS
Область
действительной
информации
Область
недостоверной
информации
t$V(A-CS)
tAM+O>VMKC
Временная диаграмма работы микросхемы К573РФ1 в режиме считы-
вания с импульсным питанием
К573РФ2, К573РФ21 ... К573РФ24
Время выборки адреса ....
Время хранения информации:
при включенных источниках пита-
ния .............................
при выключенных источниках пи-
тания ..........................
Число циклов программирования
Напряжение питания................
Суммарная потребляемая мощность:
в режиме считывания
в режиме хранения (невыбор)
Диапазон температур ....
Выход ............................
Совместимость по входу и выходу
Тип корпуса . ..............
Не более 450 нс
Не менее 25 000 ч
Не менее 25 000 ч
Не менее 100 (при Т’=+25°С)
£/сс=5 В±5 %
t/pH=5 В±5 % (в режиме счи-
тывания)
Не более 580 мВт
Не более 200 мВт
—45...+70 °C
Три состояния
С ТТЛ-схемами
Металлокерамический,
210Б.24—5, с прозрачной для
ультрафиолетовых лучей крыш-
кой (см. рис. 6.2)
302
Классификационные параметры микросхем К573РФ2, К573РФ21.. -К573РФ24
Тип микросхемы Информа- ционная емкость» бит Организа- ция, словХ разрядов Задействован- ные разряды Задействованные адреса
К573РФ2 К573РФ21 _ К573РФ22 К573РФ23 К573РФ24 16384 8192 8192 8192 8192 2048X8 1024X8 1024X8 2048X4 2048X4 Все Все Все 2, 3, 4, 6 1, 2, 3, 6 Все Все, кроме А10=логиче- скому 0 Все, кроме Л10=логиче- ской 1 Все Все
Назначение выводов микросхем К573РФ2, К573РФ21... К373РФ24
Выводы Назначение Обозначение — 9 — 10 —11 — 13 -14 — 15 -15 — 17
1...8, 19, 22, 23 9, 10, И, 13, 14, 13, 16, 17 18 20 24 21 12 Адресные входы1 Вход—выход дан- ных2 Выбор микросхемы Разрешение но выходу Напряжение пита- ния Напряжение про- граммирования Общий »ы К573РФ21. РФ22 из 1 11 1 1 11111 1 I 1 1 00 г-. ЭМС 5 5 К .'С'О g X <5 ,/-> и от \ о 1 § Ао А1 А2 А3 АЧ \5 к А10 С$ сГо Чрц EPROM е М 910, тог Ш0} то, шо5 Ш06 ою.
ционную емкость 8 Кбит (1024x8), поэтому у них на один из адресных входов подастся: К573РФ21: на вывод 19, соответствующий Дю, — логический 0; К573РФ22: на вывод 19, соответствую- щий Дю, — логическая 1. ’ Микросхемы К573РФ23. К573РФ24 имеют ин- формационную емкость 8 Кбит (2048 X 4), поэтому по выходу данных задействованы только четыре разряда (см. следующую таблицу). Остальные раз- ряды свободные. К573РФ2
Номера выводов входа—выхода данных микросхем К373РФ2,
К573РФ21 .. К573РФ24
Тип микросхемы Выводы и их функциональное назначение
9 to 13 14 15 n ,7
К573РФ2 DIO, DIO, DIO, DIO, DIO, DIO, DIO, DIO,
К573РФ21 dio, DlOy DIO, DIO, DIO, DIO, DIO, DIO,
К573РФ22 DIO, DIO, DIO, DIO, DIO, DIO, DIO, D/O,
К573РФ23 — DIO, DIO, DIO, — DIO, ——
К573РФ24 — DIO, DIO, DIO, — — DIO, —
303
A
Программирование^ ^программирования
Xj ?og текущий ^adpec
N 1
DIO
COO
CS
N
jy(PR-A')
Временные диаграммы работы микросхем К573РФ2, К573РФ5:
а — режим считывания; б — режим программирования
304
Таблица истинности микросхем К573РФ2, К573РФ21 ... К573РФ24
CS СЕО U РЕ Aq .-Дю DIOo...l>IO, Режим работы
1 X исс X Хранение (невыбор)
1 1 25 В л Входные данные в прямом коде Программирование
0 0 25 В л Выходные данные в прямом коде Контроль после программирования
0 0 исс А Выходные данные в прямом коде Считывание
К573РФЗ, К573РФ31, К573РФ34
Время выборки адреса ....
Время хранения информации:
при включенных источниках пита-
ния ...........................
при выключенных источниках пи-
тания .........................
Число циклов перепрограммирования
Напряжения питания...............
Суммарная потребляемая мощность:
в режиме считывания ....
в режиме хранения (певыбор)
Диапазон температур . . . .
Выход............................
Совместимость по входу
Тип корпуса ....
Не более 450 нс
Не менее 15 000 ч
Не менее 15 000 ч
Не менее 10 (при 7'=-|-25<,С)
Ус с=5 В ±5 %
UPK=5 В±5 % (в режиме счи-
тывания)
Не более 450 мВт
Не более 210 мВт
—10... 4-70 °C
Три состояния, мультиплексиро-
ванный с входом адреса—данных
и выходу С ТТЛ-схемами
. . . Металлокерамический.
210Б.24—5. с прозрачной для
ультрафиолетовых лучей крыш-
кой (см. рис. 6.2)
Классификационные параметры микросхем К573РФЗ,
К573РФ31 ... К573РФ34
Тип микросхемы Информацион- ная емкость, К бит Организация Задействованные адреса
К573РФЗ 64 4096X16 Все
К573РФ31 32 2048X16 Все, кроме /112—логиче- ской 1
К573РФ32 32 2048X16 Все, кроме Л12—логическо- му 0
К573РФЗЗ 16 1024X16 Все, кроме ^^логиче- ской 1 Л12=логической 1
К573РФ34 16 1024X16 Все, кроме /^^логиче- скому 0 Л12—логическому 0
20-5037
305
Назначение выводов микросхем К573РФЗ,
К573РФ31 ... К573РФ34
CS EPROM $ UlOo —16
3 — №10, — 15
1 — СЁ} Ю!0; m:cr — Ц — 13
— P
г- RPU '.BlSc — 5
MH0( - 6
W, — 7
СЕ -8
25- w, — 9
MID" - 10
—11
22 — PR — 1? — 18
—19
21 - UpR -20
К573РФЗ
Выводи Назначение Обозначение
4...11, 13.. 15, 17...20 16 3 23 22 1 2 24 21 12 Адрес, вход — вы- ход данных Вход—выход дан- ных Выбор микросхемы Сигнал разрешения Сигнал программи- рования Разрешение по вы- ходу Выход сигнала от- вета Напряжение пита- ния Напряжение про- граммирования Общий AD10t... ...ADIOllt AD103... ...ADlOt AD1OU... ...ADIOU DIO0 CS CE PR CEO RPLY UCC PR 0 в
Примечания: Микросхемы К573РФ31, К573РФ32 имеют информацион-
ную емкость 32 Кбит (2018 слов Х16 разрядов), поэтому у них на один из вхо-
дов — выходов адреса-данных в момент приема адреса подаются следующие
сигналы:
К573РФ31: на вывод 17. соответствующий А — логическая 1:
К573РФ32: на вывод 17, соответствующий Ди, — логический О
2. Микросхемы К573РФЗЗ, К573РФ34 имеют информационную емкость 16 Кбит
(1024 словх16 разрядов), поэтому у них на два из входов — выходов адреса
данных в момент приема адреса подаются следующие сигналы:
К573РФЗЗ: на выводы 11 и 17. соответствующие Дп и Ди, — логическая 1;
К573РФ34: на выводы 11 и 17, соответствующие Дц и Ац, — логический 0.
Таблица истинности микросхем К573РФЗ, К573РФ31 ... К573РФ34
CS CEO CE PR RPLY ADI О и Режим работы
A,...A,„ D/Oo...DlO,, PR
1 1 1 0 1 X X Рсс Хранение
0 1 1 0 1 A Входные дан- 18В Программиро-
ные в прямом (им- ванне
0 0 0 1 0 A коде Выходные дан- пульс) Рсс Считывание
ные в прямом коде
Временные диаграммы работы микросхемы К573РФЗ:
а — режим считывания; б —режим программирования (Р —при программирова-
нии информации, R — при программировании кода микросхемы)
306
20*
307
К573РФ4, К573РФ41 ...КК573РФ44
Время выборки адреса . . . .
Время хранения информации:
при включенных источниках пита-
ния ...........................
при выключенных источниках пи-
тания .........................
Число циклов перепрограммирования
Напряжения питания...............
Суммарная потребляемая мощность:
в режиме считывания ....
в режиме хранения (нсвыбор)
Диапазон температур . . . .
Выход ............................
Совместимость по входу и выходу
Тип корпуса ......................
Не более 500 нс
Не менее 15 000 ч
Не менее 15 000 ч
Не менее 25 (при 7^+25’С)
t/cci=5 В±5 °/о
£7СС2=12 В±5 %
Uph=5 В (в режиме считыва-
ния)
Не более 700 мВт
Не более 200 мВт
-10...+70 °C
Три состояния
С ТТЛ-схем а ми
Металлокерамический,
2121.28—8, с прозрачной для
ультрафиолетовых лучей крыш-
кой (см. рис. 6.2)
Классификационные параметры микросхем К573РФ4,
К573РФ41 ... К573РФ44
Тип микросхемы Информа- ционная емкость, бит Оргаииза- , ЦНЯ, словХраз- рядов Задействован- ные разряды Задействованные адреса
К573РФ4 65536 8192X8 Все Все
К573РФ41 32768 4096X8 Все Все, кроме Л,=логиче-
скому 0
К573РФ42 32768 4096X8 Все Все, кроме <46=логиче-
с кой 1
К573РФ43 32768 8192X4 3, 4, 5, 7 Все
К573РФ44 32768 8192X4 2. 3, 4, 7 Все
Номера выводов выхода данных микросхем К573РФ4,
К573РФ41 ... К573РФ44
Тан микросхемы Выводы я их функциональное назначение
11 13 15 16 17 18 19
К573РФ4 DIO, DIO, DIO, DIO, DIO, DIO, DIO, DIO,
К573РФ41 DIO0 DIO, DIO, DIO, DIO, DIO, DIO, DIO,
К573РФ43 — DIO, DIOX DIO, DIO, —
К573РФ44 — dio2 DIO, D1O1 —* — DIO, —
308
Назначение выводов микросхем К573РФ4,
К573РФ41 ... К573РФ44
Выводы Назначение Обозначение
10...3, 25, 24, 21, 23, 2 11...13, 15... 19 22 20 26 28 1 14 27 Адресные входы 1 Вход — выход дан- ных 2 Выбор микросхемы Сигнал програм- мирования Напряжение пита- ния Напряжение пита- ния Напряжение про- граммирования Общий Свободный Ао.. ..<412 D/O0...D/O7 CS PR ^CCl UCC2 UpR 0 В
1 Микросхемы К573РФ41, РФ42 имеют инфор-
мационную емкость 32 Кбит (4КХ8), поэтому у них
на один из адресных входов подается:
К573РФ41: на вывод 2, соответствующий До-
логический 0;
К573РФ42: на вывод 2, соответствующий До-
логическая 1;
2 Микросхемы К573РФ43, К573РФ44 имеют ин-
формационную емкость 32 Кбит (8КХ4). поэтому по
выходу данных задействованы только четыре раз-
ряда (см. следующую таблицу). Остальные разря-
ды DIO свободные.
10- 9 — 8 — A0 A1 a2 EPROM 0 VlOo —11
7 — A3 CIO, — 12
6 -1
5 — PIO, - 13
9-
3- *7 wo. — 15
25— A 8
24- a9 PIO^ -16
21 —
23 — A11 DlOf — 17
2- A1?
22 — CS UI0s — 18
20 — PR CIO, -is
1 - Орк
К573РФ4
Таблица истинности микросхем К573РФ4, К573РФ41 ... К573РФ44
CS PR До-..»,. Df Oo... DIOi UPR Режим работы
1 1 X /?off 0 Хранение (невы- бор)
1 1 A Входные данные в прямом коде 25 В Программирование
1 0 X Ron 25 В Запрет програм- мирования
0 0 A Выходные данные в прямом коде 0 Считывание
21-5037
309
Временные диаграммы работы микросхемы К573РФ4:
а — режим считывания; б — режим программирования
К573РФ5
Информационная емкость . . 16384 бит
Организация....................... 2048X8 разрядов
Время выборки адреса .... Не более 450 нс
Время хранения информации:
при включенных источниках пита-
ния ............................Не менее 15 000 ч
при выключенных источниках пи-
тания . .................Не менее 15 000 ч
Число циклов перепрограммирования Не менее 25 (при Т=4-25°С)
Напряжение питания .... Д/сс=5 В±5 %
ПрЛ=5 В±5 % (в режиме счи-
тывания)
Суммарная потребляемая мощность:
в режиме считывания ... Не более 580 мВт
в режиме хранения (невыбор) . Не более 135 мВт
Диапазон температур .... —10 ... 4-70 °C
Выход . ....................Три состояния
Совместимость по входу и выходу С ТТЛ-схемами
Тип корпуса.......................Металлокерамический,
21 ОБ.24 -5, с прозрачной для
ультрафиолетовых лучей крыш-
кой (см. рис. 6.2)
310
Назначение выводов микросхемы К573РФ5
Выводы Назначение Обоз начение
1...8, 22, Адресный вход Л7... Ап, Л3.
23. 19 г, Л8’
9, 10, 11, Вход — выход дан- DI()q. .. DIOi
13...17 ПЫХ
18 Выбор микросхемы CS
20 Разрешение по вы- CEO
ходу
21 Напряжение про- V PR
граммироваппя
24 Напряжение пита- Ucc
ПИЯ
12 Общий OB
3- 7 — Ao EPROH $
s- Ж — 9
5- Vi'), — in
4-t 4 V10, —11
3 — i>!S,
2-4 Hilt — /4
1 Al ViSi — /5
A3 - И
22- '? VI01 — 17
tli-f л и
21- C£i>
18— CS
21-
К573РФ5
21*
311
Таблица истинности микросхемы К573РФ5
CS сг.о UPR V.. Дю Dt О DIО 7 Ре.ким работы
1 X V сс X Roft Хранение (невыбор)
1 1 25 В А Входные данные в прямом коде Программирование
0 1 25 В А Доп Запрет програм- мирования
0 0 25 В А Выходные данные в прямом коде Контроль после программирования
0 0 исс А Выходные данные в прямом коде Считывание
К573РФ6А
Информационная емкость . 65536 бит
Организация.......................8192 словХВ разрядов
Время выборки адреса .... Не более 300 нс
Время хранения информации:
при включенных источниках пита-
ния ............................Не менее 20 000 ч
при выключенных источниках пи-
тания ..........................Не менее 5 лет
Число циклов перепрограммирования Не менее 25 (при Т=+25°С)
Напряжение питания .... (7СС=5 В±5 %
(7рн=5 В±5 % (в режиме счи-
тывания)
Суммарная потребляемая мощность:
в режиме считывания . ... Нс более 870 мВт
в режиме хранения (невыбор) . Не более 265 мВт
Диапазон температур .... —10...+70 °C
Выход.............................Три состояния
Совместимость по входу и выходу С ТТЛ-схемами
Тип корпуса.......................Металлокерамический,
2121.28—6.04, с прозрачной для
ультрафиолетовых лучей крыш-
кой (см. рис. 6.2)
Таблица истинности микросхемы К573РФ6А
CS СЕО PR ^0 . . . А | 2 DrO0...DrO, UPR Режим работы
1 X X X Roff ^сс Хранение (невыбор)
0 1 0 А Входные данные в прямом коде 19 В Программирование
1 •х X X Ron 19 В Запрет програм- мирования
0 0 1 А Выходные данные в прямом коде 19 В Контроль програм- мирования
0 0 1 А Выходные данные в прямом коде исс Считывание
312
Назначение выводов микросхемы К573РФ6А
Выводы Назначение Обозначение
10... 3, 25, Адресные входы Ло. . . А7, Л8,
24, 21, 23, Л9, Л10,
2 Аи, /112
11...19 Вход — выход дан- e>io0...dio,
ных
20 Выбор микросхемы CS
22 Разрешение по вы- CEO
ходу
27 Сигнал ирограм- PR
мирования
28 Напряжение пита- ljcc
НИЯ
1 Напряжение про- l'pR
граммирования
14 Общий 0 В
26 Свободный —
1 II I 4« 4f 4г 4j EPROM fat) Щ -12
s— 4«
5 — 45 ПЮг — 13
♦ - 4«
3 - 4? шо5 — 15
2£- a8
24 - a9 blu^ — 16
21 “
2J- 4h г-Р
8-J 4p
т6 — 18
24-
то. — 19
22 — CEO
27- PR
J - OpR
К573РФ6А
Рекомендации по применению
Микросхемы серии К573РФ могут работать в режимах хранения
(иевыбор), считывания, стирания и программирования. Микросхема
К573РФЗ имеет организацию 4096 словХ16 разрядов (К573РФ31,
РФ32—2048 словХ16 разрядов, К573РФЗЗ, РФ34—1024 словХ16 раз-
рядов); на эти микросхемы можно подавать 15-разрядный адрес код,
который обеспечивает выборку одного из 32768 слов. Это объясняется
тем, что 12 разрядов адресного кода используются для выборки сло-
ва внутри микросхемы (одного из 4096 слов), а три разряда адреса
обеспечива!от выбор самой микросхемы в модуле ЗУ. В корпусе микро-
схемы имеется внутренний дешифратор на восемь выходов, который
программируется в режимах считывания и записи. Таким образом, при
использовании модуля ЗУ емкостью 32768 слов, построенного из вось-
ми микросхем К573РФЗ, не нужно, как обычно при работе других ти-
пов микросхем, применять внешний дешифратор для обеспечения вы-
бора нужного БИС ЗУ, входящего в данный модуль ЗУ. Очевидно, что
каждая из восьми микросхем К573РФЗ программируется под своим
(одним из восьми) номером.
Если микросхема К573РФЗ используется в модуле ЗУ меньшего
информационного объема, чем 32768 слов (т. е. в модуле ЗУ исполь-
зуется меньшее число микросхем К573РФЗ), то необходимо подать на
незадействовапные адресные входы в момент приема адреса соответст-
вующий адресный код (логические 1 или 0).
Режим хранения (невыбор). В этом режиме согласно соответствую-
щим таблицам истинности на вывод UPP подается напряжение Ucc
(у К573РФ4 возможна подача на вывод UPR напряжения логического
О, у К573РФ1, К537РФ13, К573РФ14 вывод UPR отсутствует), на вывод
CS, подается сигнал логическая 1. При этом микросхемы потребляют
пониженную мощность. Выходы микросхем (кроме К573РФЗ,
К573РФ31 ... К573РФ34) находятся в третьем состоянии (Яоп); со-
стояние остальных входных цепей (кроме CS), безразлично (уК573РФ4,
К573РФ41 ... К573РФ44 на вывод PR подается логическая 1).
313
Временные диаграммы работы микросхемы К573РФ6Л:
а режим считывания; б — режим программирования
Предельные режимы эксплуатации микросхем серии К573РФ
(в диапазоне температур —10 ... -|-70°С)
Параметры Значения параметров
К573РФ1. К573РФ13, К573РФ14 К573РФ2, К573РФ21 . . . К573РФ24 К573РФЗ, К573РФ31 . . . К573РФ34 К573РФ4. К573РФ41 . . . К573РФ44 К573РФ5 К573РФ6А
МИН. макс. мин. макс. мин. макс. МИН. макс. мин. макс. МИН. макс.
Напряжения питания, В: Ucc\ Нт 4,5 5,5 6,0 — 7,0 — 6,0 -0,3 6,0 -0,3 6,0
UСС2 11т 10,8 13,2 — — — — — 13,0 — — — —
UcC3 Urn —5,5 -4,5 — — — — — — — — — —
Входное напряжение, Ui нт, В — 6,0 —0,3 6,0 —0,3 7,0 --0,1 6,0 —0,3 6,0 —0,3 6,0
Емкость нагрузки, CL Нт, пФ — 200 — 1000 — 100 — 200 — 200 — 500
Напряжение программирования, Uря нт, В: в режиме считывания Г— -0,3 6,0 .— 6,0 — — .— — —— —
в режиме программирования — — — 25,7 — 21В — 26 — 26,5 —0,3 22
Выходной ток: логической 1, Гонит, мкА — — — — — — — — — 200 — 200
логического 0, loLHm, мА — 2,0 — — — — — 2,0 — 2,0 — 2,0
оо
5>
Статические параметры микросхем серии К573 в режиме считывания
(в рабочем диапазоне температур)
Значения параметров
Параметры К573РФ1. К573РФ13, К573РФ14 К573РФ2, К573РФ21. .. К573РФ24 К573РФЗ, К573РФ31... К573РФ34 К573РФ4, К573РФ41... К573РФ44 К573РФ5 К573РФ6А
мин. макс. мин. макс мин. макс. мин. | макс. МИН. макс. МИН. макс.
Напряжение питания, В: Ucc\ 4,75 5,25 4,75 5,25 4,75 5,25 4,75 5,25 4,75 5,25 4,75 5,25
Uссг 11,4 12,6 — — — — Н,4 12,6 — — — —
иссз —4,75 —5,25 — — — — — — —• — — —
Напряжение питания по выводу — — 4,75 5,25 4,75 5,25 4,75 5,25 4,75 5,25 4,75 5,25
U PR, В Ток потребления, мА: в режиме считывания /cci 15 100 85 15 100 150
1сС2 — 60 — — — — — 50 — — — —
1ссз — 45 — — — — — — — — — —
в режиме хранения fee si 15 35 40 5 25 50
Iccst — 70 — — — — — 15 — — — —
Iccsa — 45 — — — — — — — — —— —
Ток потребления по выводу, UPR, мА: в режиме считывания 1PR — — — 10 __ —— —. . 10 i, 15
в режиме хранения, IPRs — 1 — 2,0 — — — — — 10 — 15
Окончание
Параметры Значения параметров
К573РФ1, К573РФ13, К573РФ14, К573РФ2, К573РФ21 ... К573РФ24 К573РФЗ, К573РФ31... К573РФ34 К573РФ4, К573РФ41... К573РФ44 К573РФ5 К573РФ6А
МИН. макс. мин. макс. мин. макс. МИН. | макс. МИН. | макс. МИН. макс.
Входное напряжение, В: логического 0, Un. —3,5 0,4 0 0,4 0 0,4 0 0,4 -0,1 0,4 —0,1 0,4
логической 1, Uih 4,0 5,25 2,4 5,25 2.4 5,25 2,4 5,25 2,4 5,25 2,4 5,5
Выходное напряжение, В: логического 0, UOl — 0,4 — 0,4 0,5 — 0,4 — 0,4 0,4
логической 1, Uон 2,4 — 2.4 — 2,4 — 2,4 — 2,4 — 2,4 —
Выходной ток, мА: логического 0, Iol — 1,6 — 1,6 — 3,2 1,6 1,6 1,6
логической 1, Ion — 0,1 — 0,1 — 0,4 — 0,1 — 0,1 — 0,1
Ток утечки, мкА: по входу, 1и — 10 — 10 —. 10 — 10 — 10 — 10
по выходу, IL0 — 10 —- 10 — — — 10 — 10 — 10
Примечания: 1. Токи потребления измерялись
микросхем К573РФЗ, К573РФ31, К573РФ32 оговорено, что
лов F—2 МГц и нагрузке 30 пФ).
2. Токи утечки измерялись при Т=+25°С.
при максимальных значениях соответствующих источников питания (для
ток потребления измеряется при частоте входных управляющих сигна-
w Динамические параметры микросхем серии К573РФ в режиме
оо считывания (в рабочем диапазоне температур)
Параметры Значения параметров
К573РФ1, К573РФ13, К573РФ14 К573РФ2, К573РФ21 . . . К573РФ24 К573РФЗ, К573РФ31 . . . К.573РФ34 К373РФ4, К573РФ41 . . . К573РФ44 К573РФ5 К573РФ6А
мин. макс. МИН. макс. МИН. макс. МИН. макс. МИН. макс. мин. макс.
Время выборки адреса /щл), нс — 450 — 450 — 475 — 500 — 450 — 300
Время выбора, tes, нс — — — 450 — 400 — — —- 450 — 300
Время выборки сигнала СЕО, (л(СЕО), нс — — — 250 — — — — — 200 — 150
Время установления сигнала CS относительно адреса, tsu(A-cs), нс 250 — — — 75 — 350 — — — — —
Время установления сигнала СЕО относительно сигнала CS, tsuics-cEo), нс — — — — 100 — — — — — —
Время удержания адреса относитель- но сигнала CS, tnics-A), нс — — — — 50 — — — — — —
Длительность сигнала CS, tv(cs), нс — — — — 425 — — — — — — . —
Длительность сигнала СЕ, twice), нс — — — — 500 — — — — — — —
18— >
Окончание
Параметры Значения параметров
К573РФ1, К573РФ13. К573РФ14 К573РФ2. К573РФ21 . . . К573РФ24 К573РФЗ. К573РФ31 . . . К573РФ34 К573РФ4, К573РФ41 . . . К573РФ44 К573РФЗ К573РФ6А
МИН. макс. МИН. макс. МИН. макс. МИН. макс. МИН. макс. МИН. макс.
Время запрещения выходных данных после сигнала CS, tois(cs'), нс — 250 — 250 — — — 350 200 — 150
Время запрещения выходных данных после сигнала PR, tnis(PR), нс — — — — —- —г 250 — — — —
Время запрещения выходных данных после сигнала CEO, Idis(ceo), нс — — — 250 — 250 — — — 200 — 150
Входная емкость, Ci, пФ — 8 — 8 — 10 — 8 — 8 — 8
Выходная емкость, Со, пФ — 10 — 12 — 10 — 10 — 12 — 12
Емкость нагрузки, CL, пФ — 100 — 100 — 50 — 50 — 100 — 100
Примечания: I. Динамические параметры микросхем измерялись при следующих нагрузках: К573РФ1. К573РФ2, К573РФ5,
К573РФ6А — С£=100 пФ и одни ТТЛ-вход серии К155; К573РФЗ. К573РФ4 - С£=50 пФ и один ТТЛ-вход серии К155.
2. Динамические параметры микросхем К373РФЗ; К573РФ31 .. . К573РФ34 измерялись при Г=+25’С.
w 3. Временные интервалы измерялись по уровням, указанным на соответствующих временных диаграммах
<О _______________._________________________________________________________________________________________________________
Параметры микросхем серии К573РФ в режиме программирования (при температуре +25 °C)
Значения параметров
Параметры К573РФ1. К573РФ13, К573РФ14 К573РФ2. К573РФ21... К573РФ24 К573РФ4. К573РФ41... К573РФ44 К573РФ5 К573РФ6А
мин. макс. МИН. макс. МИН. макс. МИН. макс. МИН. макс.
Напряжение питания, В:
Ucci 4,75 5,25 4,75 5,25 4,75 5,25 4,75 5,25 4,75 5,25
UcC2 И.4 12,6 — — 11,4 12,6 — — — —
UССЗ —4,75 —5,25 — — — — — — —
Напряжение на выводе UPr. В —- — 24 25,5 25 26 24 26 18,5 19,5
Ток потребления по выводу Upr, Ipr, мА Входное напряжение, В: — — — 30 — — — 30 — 30
логического 0, Un —0,3 0,4 0 0,4 0 0,4 —0,1 0,4 -0,1 0,4
логической 1, Uih 4,0 5,25 2,4 5,5 2,4 5,25 2,4 5,25 2,4 5,5
Время установления сигнала PR относительно адреса, tsu(A-pR), мкс 10 — 2,0 10,0 — 2,0 — 2,0 —
Время установления сигнала PR относительно сигнала CS, tsu(cs-pR), мкс 10 — — — 10,0 — — — 2,0 —
Время установления сигнала PR от- носительно сигнала CEO, isuicEo-pp), мкс — — 2,0 — — — 2,0 — — —
Время установления сигнала PR относительно входных данных, tsUlDI-PR), МКС 10 — 2,0 — 10,0 — 2,0 — 2,0 —
Время сохранения адреса после сиг- нала PR, tV(PR_Aj, мкс 1,0 — 2,0 — 1,0 — 2,0 — — —
Время сохранения сигнала DI после сигнала PR, tv(PR-Diy, мкс 1,0 — 2,0 — 1,0 — 2,0 — 2,0 —
Окончание
Параметры Значения параметров
К573РФ1. К573РФ13 К573РФ14 К573РФ2, К573РФ21 . . . К573РФ24 К573РФ4, К573РФ41 . . . К573РФ44 К.573РФ5 К573РФ6А
МИН. макс. мин. макс. МИН. макс. МИН. макс. мин. макс.
Время сохранения сигнала СЕО пос- ле сигнала PR, tviPR-cso), мкс — — 2,0 — — — 2,0 — 4,0 —
Длительность программирующего им- пульса, tw(.PR), мс 0,9 1,1 45 55 90 100 45 55 45 55
Время выборки выходной информа- ции относительно сигнала СЕО, tA(CEO), нс — — — 250 — — — 200 Г" 150
Время запрещения выходных данных после сигнала CEO, tDisicEo), нс — — — 250 — — — 200 — 150
Время установления входных данных относительно сигнала CEO, Isuiceo-di), мкс — — — — — 2,0 —
Время сохранения сигнала CS после сигнала PR, tV(PR-cs), мкс 1.0 — — — — — — — — —
Время фронта и спада программи- рующего импульса, tR(PR), tp(pp), нс 500 2000 — — — — -- — — 100
Примечания: I. У микросхем К573РФ1. К573РФ13, К573РФ14 в режиме программирования на вывод С5 (вывод 20) по-
дается напряжение питания 12 В±5 %, а на вывод PR (вывод 18) — импульс амплитудной 26 В±1 В.
2. Параметры микросхем К573РФЗ, К573РФ31 . .. К573РФ34 в режиме программирования приведены в следующей таблице.
3. Допускается UPR для микросхем К573РФ2, К573РФ21 ... К573РФ24, К573РФ4, К573РФ41 . . . К573РФ44, К573РФ5, К573РФ6А
подавать импульсом.
Параметры микросхем К573РФЗ, К573РФ31 ... К573РФ34 в режиме программирования (при температуре 4-25°С)
Параметры Минимальные значе-
ння параметра
Время установления сигнала CS относительно адреса при программировании кода данных, tsU(A-CS), нс 75
Время удержания сигнала адреса относительно сигнала CS при программировании кода данных, 1h(cs-a}, нс 50
Время сохранения сигнала СЕ после сигнала адреса при программировании кода данных, tv(A-CE), нс 100
Время удержания сигнала CS относительно сиг- нала СЕ при программировании кода данных, (щСЕ-CS}, НС 100
Время установления сигнала UPR относительно сигнала СЕ, tSu(CE-ullR} • мкс 1
Время сохранения сигнала СЕ после сигнала UPR, lv (UpR-CE)> мкс 1
Длительность сигнала UPR, tw(UpRf мс 50
Время сохранения кода микросхемы после сигна- 100
ла СЕ, tv(CE-A), нс »
Время установления сигнала CS относительно ко- да Микросхемы, tsU(A—CS), нс 100
Время установления сигнала СЕ относительно сигнала CS при программировании кода микро- схемы, tsU(CS-CE), НС 100
Примечания: 1. Допускается троекратное повторение цикла програм- мирования.
2. Временные интервалы указаны по уровню 0,5 А налов. соответствующих сиг-
Этот режим применяется при объединении микросхем по выходам
для наращивания информационного объема.
Режим считывания. В этом режиме микросхемы представляют
собой статическое ПЗУ и выходные уровни определяются записанной
информацией и логическими уровнями на адресных и управляющих
входах. На вывод UPK подается напряжение Ucc (у К573РФ4,
К573РФ41 ... К573РФ44 возможна подача па вход UPft логического О,
у К573РФ1, К573РФ13, К573РФ14 вывод UPR отсутствует). Напряже-
ние UPR должно подаваться одновременно с Ucc или после него, а сни-
маться одновременно с Ucc или до его снятия.
У микросхем, где задействованы не все разряды (К573РФ13,
К573РФ14, К573РФ43, К573РФ44), рекомендуется соединять перемыч-
кой соответствующие выводы (у микросхем К573РФ13 и К573РФ14 —
выводы 10 и 14, у микросхем К573РФ43 и К573РФ44 — выводы 12 и
16), чтобы использовать любую из этих микросхем без изменения раз-
водки печатного монтажа плат.
322
Во избежание преждевременной потери информации при ее дли
тельном хранении окно корпуса микросхемы при эксплуатации должно
быть защищено от воздействия ультрафиолетового и видимого излуче-
ния, например не пропускающей эти виды излучения пленкой. Можно
также поместить микросхему в защищенный от излучения дополни-
тельный корпус.
При применении контактного приспособления на плате извлечение
микросхемы из него допускается при отсутствии на выводах напряже-
ния и входных сигналов.
У микросхем К573РФ1, К573РФ13, К573РФ14 источник напряже-
ния иСсз включается первым и выключается последним. Допускается
одновременное включение и выключение всех источников питания.
Допускается работа микросхем К573РФ1, К573РФ13, К573РФ14
в режиме считывания с импульсными источниками питания; при этом
необходимо руководствоваться следующими требованиями (см. времен-
ную диаграмму):
время восстановления режимов в микросхеме после включения
источников питания составляет 0,4 мкс; на это время увеличивается
время выборки адреса при подаче кода адреса одновременно с вклю-
чением питания;
рекомендуется источник питания (7сс2=12 В делать импульсным;
при этом обеспечивается снижение потребляемой мощности примерно
на 75 % по сравнению с режимом непрерывного питания.
____В режиме считывания на микросхемы серии К573 сигналы CS и
СЕО допускается подавать уровнем или импульсом.
В микросхеме К573РФЗ в качестве управляющих сигналов исполь-
зуются следующие; по сигналу CS начинается обмен информацией ЗУ
с абонентом; сигнал PR задает режим работы ЗУ; сигнал СЕ совмест-
но с кодом микросхемы, определяемым разрядами адреса А13 ... Ais,
служит для выбора одной из восьми микросхем без внешнего деши-
фратора; сигнал СЕО определяет момент передачи данных от ЗУ
к абоненту. ЗУ выдает сигнал RPLY готовности к выдаче данных
в режиме считывания.
Адрес и данные мультиплексированы. Адрес принимается на вы-
воды 4 ... 11, 13 ... 15 и 17, выводы 18 ... 20 служат для выбора
любой из восьми БИС ЗУ. Данные выдаются при считывании и при-
нимаются при программировании иа выводы 4 ... 11 и 13 ... 20. 11ри
задании адреса на выводе 16 может быть любое логическое состояние.
Режим стирания. Стирапие информации, записанной в микросхему,
осуществляется путем облучения микросхемы ультрафиолетовым излу-
чением с длиной волны менее 400 нм, перпендикулярно падающим на
прозрачную крышку корпуса; при этом на микросхему не должны
подаваться напряжения питания и входные сигналы. Температура кор-
пуса микросхемы не должна превышать |-70оС. Допускается стирание
информации в составе модуля ЗУ.
Рекомендуются следующие режимы стирания. У микросхем
К573РФ1, К573РФ13, К573РФ14 энергетическая освещенность ультра-
фиолетового излучения не более 100 Вт/м2. В качестве источников
ультрафиолетового излучения можно испольозвать ДРТ-220, ДРТ-375,
ДБ-8, ДБ-30-1, ДБ-60, ДРБ-8 без ультрафиолетовых фильтров. Рас-
стояние от колбы лампы до крышки корпуса микросхемы 3 см для
ламп ДРТ-220, ДРТ-375 и не более 0,5 см для ламп ДБ-8, ДРБ-8,
Д-30-1 и ДБ-60. Время стирания нс более 30 мин.
323
У микросхем К573РФ2, К573РФ21 ... К573РФ24 время стирания
(облучения) с, определяется из выражения
tEe=HE/EE=W/EE,
где Ее—суммарное значение энергетической освещенности ультрафио-
летового излучения в плоскости окна корпуса микросхемы, Вт/м2;
НЕ — допустимое значение энергетической экспозиции, Дж/см2.
Во время стирания ££<100 Вт/м2. При энергетической освещенно-
сти 30 ... 40 Вт/м2 рекомендуется стирание проводить в течение
30 мин.
У микросхем К573РФЗ, К573РФ31 ... К573РФ34 необходимая
интегральная доза облучения 10 Вт-с/см2 при энергетической освещен-
ности 10 Вт/см2. Время стирания 30 ... 60 мин.
У микросхем К573РФ4, К573РФ41 ... К573РФ44 время стирания
(облучения), 1ЕЕ, с определяется из выражения
1ее=Не/Ее=2-Ю/Ее.
Во время стирания £с^100 Вт/м2.
У микросхемы К573РФ5 интегральная доза облучения (т. е. интен-
сивность УФ лучейХвремя выдержки) должна быть не менее
15 Вт-с/см2. Время облучения не менее 30 мин. Расстояние микросхе-
мы от источника должно быть не более 1 см.
У микросхемы К573РФ6А время стирания не менее 60 мин, инте-
гральная доза облучения не менее 45 Вт-с/см2.
После стирания у всех микросхем этой серии необходимо провести
проверку высокого уровня (логической 1) на всех выходах микросхемы
по всем адресам. В качестве порогового элемента лри измерении можно
использовать микросхемы ТТЛ.
Режим программирования (записи информации). Незапрограмми-
рованная микросхема имеет на выходах уровень логической 1. Запись
информации в микросхему проводится в соответствии с временными
диаграммами и таблицами параметров сигналов при программирова-
нии одновременно во все разряды данного слова. Для записи в требуе-
мые разряды какого-либо адреса логического 0 на соответствующие
выводы DIO подаются уровни логического 0, на все другие входы DIO
этого адреса для сохранения в элементах памяти логической 1 необхо-
димо подать уровень логической 1.
Допускается проводить корректировку ранее записанной информа-
ции путем дополнительной записи в нужные адреса напряжения низ-
кого уровня (логического 0), а в остальные—в соответствии с ранее
записанной информацией.
Запись информации должна проводиться при температуре окру-
жающей среды -|-25±10°С.
В связи с равнозначностью адресов микросхем последовательность
перебора адресов может быть выбрана произвольно.
Рекомендуются следующие режимы программирования. У микро-
схем К573РФ1, К573РФ13, К573РФ14 на вывод CS (вывод 20) по-
дается напряжение питания 12 В+5%, а на вывод PR (вывод 18)
импульсы длительностью 1 мс и амплитудой 26±1В. Для обеспечения
гарантированного времени хранения информации (Zso = 105 ч) суммар-
ное время программирования каждого бита лри записи логического 0
должно быть порядка 300 мс. Программирование ведется по циклам;
при этом под циклом понимается подача программирующих импульсов
PR в определенный адрес с последовательным перебором всех 1024
адресов микросхемы. Для программирования микросхемы необходимо
300 импульсов PR. Допускается производить запись информации при
324
подаче по каждому адресу менее 300 программирующих импульсов PR
при условии наличия на выходе требуемой информации; при этом
время хранения информации не гарантируется. При программировании
рекомендуется источник сигнала PR рассчитывать на нагрузку до
30 мА при емкости до 100 пФ (при расчете на одну микросхему).
У микросхем К573РФ2, К573РФ21 ... К573РФ24 программирова-
ние информации допускается проводить серией импульсов PR (пода-
ваемых на вывод CS) последовательно по одному импульсу в каждый
адрес. Число импульсов в серии должно быть таким, чтобы суммарная
длительность импульсов PR в каждый адрес /it(pr)=48 мс. Запись
можно проводить также одним импульсом PR в каждый адрес дли-
тельностью 50 мс+10 %.
При записи информации в какую-либо микросхему модуля ЗУ до-
пускается не снимать напряжение UPR с других микросхем этого мо-
дуля. При этом на выводы СЕО должна подаваться логическая 1, а на
выводы CS, не программируемых в данный момент времени, — логиче-
ский 0. При проверке записанной информации (считывании) допускает-
ся не снижать напряжения UPR. Включение источника UPR необходимо
проводить одновременно с Ucc или после, а выключение — наоборот.
У микросхем К573РФЗ, К573РФ31 ... К573РФ34 сначала произво-
дится выборка адреса, а затем записывается число в прямом коде.
Управляющие сигналы при этом находятся в следующих состояниях:
CS — логический 0; PR — логический 0; СЕО — логическая 1; СЕ — ло-
гическая 1. Источник питания UPR при программировании работает
в импульсном режиме. При необходимости программирования кода вы-
бора микросхемы в модуле необходимо добавочно подавать уровень
PR (вывод 22) положительной полярности (см. временную диаграмму
в режиме программирования).
У микросхем К573РФ4, К573РФ41 ... К573РФ44 подается серия
из 100 импульсов PR последовательно по одному импульсу в каждый
адрес суммарной длительностью /»?(pr)=100 мс. Допускается проводить
программирование в каждый адрес одним импульсом PR длительно-
стью 100 мс (при последовательном переборе всех адресов микросхе-
мы). При этом напряжение программирования UP^=25 В.
При записи информации в любую микросхему модуля ЗУ допус-
кается не снимать напряжения UPR с других микросхем ЗУ этого мо-
дуля. При этом на выводы CS и PR подается логическая 1, а на вы-
вод PR не программируемых в данный момент микросхем логический 0
(так называемый режим запрета записи). Включение источника UPR
необходимо проводить после включения Ucci и Ucci, а выключение —-
до выключения Ucci и UcC2-
У микросхемы К573РФ5 на вывод CS подается импульс_Р/? дли-
тельностью <г(ря)=50 мс. При программировании на вывод CS не до-
пускается подача постоянного уровня. Допускается параллельное про-
граммирование одной и той же информации в несколько микросхем;
при этом одноименные входы микросхем должны быть соединены вме-
сте. Допускается запись различной информации в несколько запарал-
леленных микросхем; при этом все одноименные входы этих микросхем
(кроме входа CS) могут быть общими. Высокий уровень сигнала про-
граммирования (логическая 1), подаваемый на вывод CS одной микро-
схемы. обеспечивает ее программирование. Низкий уровень сигнала на
выводе CS (логический 0) и других микросхем запрещает их програм-
мирование.
325
После программирования микросхемы проводится контроль про-
граммирования для определения правильности записанной информации;
при этом на выводе UPK поддерживается напряжение 25 В (такой
режим допускается только в режимах программирования и контроля).
Включение источника UPK производится одновременно с Ucc или
после включения последнего, а выключение — одновременно или до вы-
ключения Ucc.
У микросхемы К573РФ6А подается импульс PR длительностью
tv(PR-)= 100 мс. Допускается запись различной информации в несколько
запараллеленных микросхем; при этом их одноименные входы (кроме
PR, СЕО и CS) могут быть общими, а на выводы PR, СЕО и CS
подаются сигналы согласно таблице истинности, обеспечивающие про-
граммирование выбранной микросхемы; на выводы PR, СЕО и CS
подаются сигналы, обеспечивающие запрет программирования других
микросхем.
После программирования микросхемы проводится контроль про-
граммирования для определения правильности записанной информации;
при этом на выводе UPR поддерживается напряжение 19 В (такой ре-
жим допускается только в режимах программирования и контроля).
К выходам микросхем серии К573РФ допускается подключать
один вход ТТЛ-серии, а питание 5 В тех и других микросхем осу-
ществлять от одного источника.
При работе с микросхемами необходимо соблюдать меры по за-
щите от воздействия статического электричества. Его допустимое зна-
чение не более 30 В.
Не допускается попадание влагозащитного лака на окно в корпусе
микросхемы.
Ниже приведены зависимости электрических параметров микро-
схем от режимов и условий эксплуатации.
Зависимость Icc=f (Т, °C)
микросхемы К573РФ1 при
UCC2=13,2 В, иСсз=—5,2 В,
Ucci=5,5 В:
1 ~ ^СС2'Г 2 ~ 1сСЗ< 3 ~ /СС1
Зависимость Icc=f(UCc2) мик-
росхемы К573РФ1 при Т=
= 4-25 °C; Ucc3=—5,5 В, £/сг1 =
=5,5 В:
1 ~ ГСС2' 2 ~ 1сСЗ‘ 3 ~ ГСС1
326
Зависимость lcc=f(Uccs) мик-
росхемы К573РФ1 при Г=
= + 25 °C; t/ccs=13,2 В;
l/cci=5,5 В:
1~1сС2: 2 — 1ссЗ: 3—lcci
Зависимость tcs=f(CL) микро-
схемы К573РФЗ при Т=
=+25 °C, Ucc=5.0 В
Зависимость lcc=f (Уса) мик-
росхемы К573РФ1 при Т—
= +25 °C; С7сс2=13,2 В; £7ссз=
=—5,5 В:
/ — /СС2; 2~ ,ССЗ: 3~ ^СС1
Зависимость временных пара-
метров микросхемы К573РФ1
от емкости нагрузки при
Оса— 10,8 В; Vca——4,5 В;
t/cci=4,5 В; 77л«=4,О В; Ual=
=Ucsl—0,4 В:
/ — 2~ fcs
Зависимость Icc=f (Т, °C)
микросхемы К573РФ2 при
Ucc=UpK=Uah=5,25 В;
Ucsl^Uceol—Ual—0,4 В
327
Зависимость tAW=f (Ucci) мик-
росхемы К573РФ1 при Т=
=+25°; Ucc2=10,8 В; UCcs=
=—4,5 В; СL=100 пФ
Зависимость временных пара-
метров микросхемы К573РФ1
от температуры окружающей
среды при t/Cc2=10,8 В;
Ucc3=—4,5 В; i/cci=4,5 В;
UAh—A В; UAi_=Ucsl=0A В;
С£=100 пФ:
/ —^(Л)! 2— tcs
Зависимость ICcs=f (Т, °C)
микросхемы К573РФ2 при
Ucc=Ucsh=Upr=5,25 В
Зависимость IRR=f (Т, °C)
микросхемы К573РФ2 в режи-
ме считывания при Ucc=UPR=
— Uah=5,25 В; Ucsl=Uceol=
Ual=0,4 В
1,мА
40
50
10
4 5
Зависимость l=f(Ucc)
схемы К573РФ2 при
=5,25 В; Upr=5 В;
=£/сео£=0,4 В:
1 ~ ^сс- 2 ~ Jccs
16 17 18 19l/pR, В
Зависимость tViuPK)=f(UPR)
микросхемы К573РФЗ при
i/cc=5,0 В; Т=+25 °C
Зависимость временных пара-
метров микросхемы К573РФ2
в режиме считывания от тем-
пературы при Ucr=Upp~
=4,75 В; £Ли=2,4 В; UAL=
~Ucsl—^A В:
' ~ 2Л(Л Й 2 ~ lcs
Зависимость (Ucc) мик-
росхемы К573РФ2 при Т=
= +25 °C; t/..w=2,4 В; Ual=
—Ucsl=Uceol~^A В; Сд=
= 100 пФ
Зависимость Icc=l (Т, °C)
микросхемы К573РФЗ при
(7сс=5,25 В
Зависимость временных пара-
метров микросхемы К573РФ2
от емкости нагрузки при Т=
=+25 °C; Ucc=Up„=4,75 В;
£/ля=2,4 В; Ual—Ucsl—OA В;
Зависимость /,4(л>=/(t/ссг) мик-
росхемы К573РФ4 при Ucci—
=4,75 В, 7=+ 25 °C
Зависимость (t/cci) мик-
росхемы К573РФ4 при Ucc2=
= 11,4 В, Г== + 25°С
22—5037
329
Зависимость lcci=f (7, °C)
микросхемы К573РФ4 при
(7cci=5,0 В; УСС2=12,0 В:
1~‘СС1' 2 ~ fccsi
Зависимость /СС2=/ (Т, °C)
микросхемы К573РФ4 пр»
i7cci=5,0 В; £?сс2=12,0 В:
1 “ ^сс2: 2 — 'ссзг
-10 0 20 40 60 Т,°С
Зависимость lcc=f (Т, °C)
микросхемы К573РФ5 при
£7сс=5,25 В:
1 — в режиме считывания; 2 —в
режиме хранения (невыбора)
Зависимость lpR=f (Т, °C)
микросхемы К573РФ5 в режи-
ме считывания при Ucc—
=5,25 В
Зависимость lcc-f(Ucc) мик-
росхемы К573РФ5 в режиме
считывания при 7= 4-25°C
Зависимость tA(A)=f(Ucc) мик-
росхемы К573РФ5 при Т=
=+25 °C
330
Зависимость /сс2=/(^ссг) мик-
росхемы К573РФ4 при t/cci=
=5,0 В; 7=+ 25 °C:
1 ~ 2СС2’ 2 ~ ^CCSj
Зависимость /cci=/(t/cci) мик-
росхемы К573РФ4 при Ucc2=
= 12,0 В, Т=+25°С:
1 ~ ^cci; 2 ~ 'ccs\
Зависимость tA(At=f (Г, °C)
микросхемы К573РФ4 при
Усс|=4,75 В; t/CC2=ll,4 В
Зависимость ^(4)=f(Ct) мик-
росхемы К573РФ4 при l/cci =
=4,75 В; УСС2=Ц,4 В; 7=
=+25 °C
Зависимость Icc=f (Т,
микросхемы К573РФ6А
Ucc=5,0 В
°C) Зависимость
при 1л(л) = f(Ucc)
микросхемы
К573РФ6А
при 7= + 25°С
и Ci=100 пФ
Зависимость
=f (Т, °C) мик-
росхемы
К573РФ6А
при Ucc=5,0 В
и Ct=100 пФ
22*
33 I
Зависимость /,к..ц=/ (Т, °C)
микросхемы К573РФ5 при
О’гг=4.75 В
Зависимость /Л(Л)=/(С/.) мик-
росхемы К573РФ5 при Т—
= + 25 °C и Усс=5,0 В
Зависимость lcc—i(Ucc}
микросхемы К573РФ6А
при Т=+25°С
Зависимость мик-
росхемы К573РФ6А при Ucc—
=5,0 В и Г= + 25°С
СЕРИИ К1601, КР1601
Репрограммируемые постоянные ЗУ с длительным сроком
хранения информации при включенных и выключенных
источниках питания, обеспечивающие электрическую
перезапись информации; выполнены по р-МНОП
технологии
К1601РР1, К1601РР11, К1601РР12,
КР1601РР1, КР1601РР11, КР1601РР12
Время выборки адреса . . . .
Время цикла считывания
Время храпения информации:
во включенном состоянии в режи-
ме невыбора.......................
в выключенном состоянии
Время непрерывного считывания ин-
формации, записанной в микро-
схему ...........................
Число циклов перепрограммирования
Напряжение питания................
Нс более 1,8 мкс
Нс более 2,0 мкс
Не менее 500 ч
Не менее 3000 ч
Не менее 250 ч
Не менее 104
77ссг=5 В±5 %
t7cci=-12 В±5 %
Uph=—33 В ... Ucci (в режиме
считывания)
332
Общая потребляемая мощность (в
режиме считывания) .... Не более 625 мВт
Диапазон температур .... —45... 4-70°C
Выход..............................Три состояния
Классификационные параметры микросхем К1601РР1,
К1601РР11, К1601РР12, КР1601РР1, КР1601РР11, КР1601РР12
Тип микросхемы Информационная емкость, бит Организация. еловХ Хразрядов Задействованные адреса
К1601РР1 4096 1024X4 Все
КР1601РР1 4096 1024X4 Все
К1601РР11 2048 512x4 Все, кроме Ая
КР1601РР11 2048 512X4 То же
К1601РР12 2048 512x4 Все. кроме Ав
КР1601РР12 2048 512x4 То же
Назначение выводов микросхем К1601РР1,
К1601РР11, К1601РР12, KPI601PP1,
КР1601РР1, КР1601РР12
Выводы Назначение Обозначение
1, 6, 7, 8, Адресные входы о!в,/10, Д3, 9, 23, 22, А,, Аг, /18, <7— 21,20,19 Л, Л, Л, « = 3, 5, 14, 11 Данные вход— Д/О0, DlOt, выход D1O2, ОЮ2 20— 2 Выбор микросхемы CS 21 — 13 Сигнал считывания RD %?— 14 Сигнал программи- PR f.— рования 18 Сигнал стирания ER 15 Напряжение про- U pR 74 граммирования 18 — 12 Напряжение пита- Urr, 15
Ао Аг л3 А* А5 Ав А? Ае Ад RD PR PR UPR EEPROM $ moo wp 0!02 —IS Г15" —IQ —It
НИЯ 24 Напряжение пита- Ucc2 ния 4 Общий 0 В 16, 17 Свободные — K1601PP1
Примечание. В микросхемах KI601PP11,
KP1601PPI1 адресный вывод 1, соответствующий Л...
подключается к общей шине (вывод 4), в микро-
схемах К1601РР12, KP1601PPI2 —к UCC2 (вывод 24).
333
Таблица истинности микросхем К1601РР1, К1601РР11,
К1601РР12, КР1601РР1, KP1601PP1I, КР1601РР12
CS ER PR RD А„...А, At...A, upr-r DfO0 ... DIO1 Режим работа
0 X X X X X X Roff Хранение (невыбор)
1 0 1 0 X X —(33.. .31) в X Общее стирание
1 0 0 0 X А —(33...31) в 1 Избиратель- ное стирание
1 1 0 0 А А -(33...31) в 1 Запись 1
1 1 0 0 А А —(33...31) в 0 Запись 0
1 1 1 1 А А —(33...(7СС2) Выходные данные в прямом ко- де Считывание
Микросхемы К1601РР1, К1601РР11, KI601PP12 и К1601РР1,
КР1601РР11, КР1601РР12 отличаются друг от друга только корпусом.
Микросхемы К1601РР1, К1601РР11, К1601РР12 выполнены в металло-
керамическом корпусе типа 405.24—2 (см. рис. 6.3), микросхемы
Временные диаграммы работы микросхемы К1601РР1:
а — режим считывания; б — режим общего стирнаия;
334
КР1601РР1, КР1601РР11, КР1601РР12 — в пластмассовом, типа
2120.24—3 (см. рис. 6.2).
К1601РРЗ, К1601РР31 ... К1601РР38, КР1601РРЗ,
КР1601РР31 ...КР1601РР38
Время выборки адреса . . . .
Время цикла считывания
Время хранения информации:
во включенном состоянии в режи-
ме невыбора....................
в выключенном состоянии
Время непрерывного считывания ин-
формации, записанной в микро-
схему ...........................
Число циклов перепрограммирования
Напряжение питания...............
Общая потребляемая мощность (в
режиме считывания) . . . .
Диапазон температур . . . .
Выход ............................
Совместимость по входу и выходу в
режиме считывания . . . .
Не более 1600 нс
Не более 2 мкс
Не менее 500 ч
Не менее 3000 ч
Не менее 250 ч
Не менее 104
Усса—5.0 В±5 %
t/ccl=—12,0 В±5%
UPR=—37 В... Ucci (в режи-
ме считывания)
Не более 850 мВт
—10...+70 °C
Три состояния
ч
С ТТЛ-схемами
в — режим избирательного стирания; г — режим записи
335
Классиф и к а ц и о иные параметры микросхем
Тип микросхемы Информа- ционная емкость, бит Организация ело вХ раз- рядов Задейст- вованные разряды Задействованные адреса
K160IPP3 КР1601РРЗ К1601РР31 КР1601РР31 К1601РР32 КР1601РР32 K1G01PP33 КР1601РРЗЗ К1601РР34 КР1601РР34 К1601РР35 КР1601РР35 К1601РР36 КР1601РР36 К1601РР37 КР1601РР37 К1601РР38 КР1601РР38 16384 16384 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 2048X8 2048X8 1024X8 1024X8 1024X8 1024X8 2048X4 2048X4 2048X4 2048X4 2048X4 2048X4 2048X4 2048X4 2048X4 2048X4 2048X4 2048X4 1...8 1...8 1...8 1...8 1...8 1...8 1...4 1...4 5...8 5...8 1. 2, 5, 6 1, 2, 5, 6 1, 2, 7- 8 1. 2, 7, 8 3...6 3...6 3. 4,1.7, 8 3, 4. 7, 8 Все То же Все, кроме Л10 = логическому 0 То же Все, кроме Л10 = логической 1 То же Все То же * я я я я я я я я
Предельные режимы эксплуатации микросхем серий К1601, КР1601 (в рабочем диапазоне температур)
Параметры Значения параметров
К1601РР1. К1601РР11, К1601РР12, KP160IPP1, KP1601PPI1, KP160IРР12 К1601РРЗ, К1601РР31.. ...K160IPP38. КР1601РРЗ. КР1601РР31... ...КР1601РР38
мин. макс. МИИ. макс.
Напряжение питания, В: Ucci Нт UcC2 Нт —13,2 5,5 —13,2 6,0
Напряжение программирова- ния, Uрц Нт, В Входное напряжение, U/нт, В —40,0 — —37,5 —
—13,2 UCC2+ +0.3В — —
Выходное напряжение логиче- ской 1 UoHHm, В — 5,5 — —
Ток на выводах DIO в режиме считывания, /DZ0, мА 4,0 — 4,0
Емкость нагрузки, CL цт, пФ — 400 — 400
Длительность сигналов PR и — 0,5 —
ER, tw(PRHm) и tw(ERllm), С
Примечание. Значения пар >аметров м икросхем K160IPP1, КР1601РР1
указаны в диапазоне температур —45... 4-70 °C, микросхем К1601РРЗ в диапазоне температур —10 . .. +70 °C. КР1601РРЗ
10-2
336
Назначение выводов микросхем К1601РРЗ,
К1601РР31 ... К1601РР38, КР1601РРЗ,
КР1601РР31 ... КР1601РР38
Выводы Назначение Обозначение
/, 2, 3, 8, Адресные входы ^7» ^8» ^9»
19, 20, 21, ^10» ^3» ^2»
22, 26, 27, 28 . Ai, Ао, At, As, At DIO^.DIO^
4...7, Входы — ВЫХОДЫ
9. ..12 данных CS
25 Выбор микросхемы
14 Сигнал считывания RD
24 Сигнал програм- мирования PR
16 Сигнал стирания ER
17 Напряжение пита- ния UCCi
13 Напряжение пита- ния UCC2
18 Напряжение про- граммирования UpR
15 Напряжение сме- щения RE
23 Общий OB
22 — Ao EEPSOM $
21 - Af
20- Аг
19 — Аз- DiOg
26- Ац —
27 — A; И2,
28- As ШОг
1 — A? VIUi
2 - Ag —
J — Ag —
8-
S* IW'7 —
25- 1ч — g
29 — PR
16 — 1&.
<9 - Uz*!
К1601РРЗ
*
Г
3
7
9
10
11
12
Примечания: I. В микросхемах KI601PP3I,
KPI601PP3I адресный вывод 8, соответствующий Лю,
подключается к общей шине (вывод 23), в микро-
схемах К1601РР32, KPI60IPP32—к выводу /3 (l/CCJ).
2. В микросхемах K160IPP33 . , . K160IPP38,
КР1601РРЗЗ. . . KP160IPP38 согласно таблице клас-
сификационных параметров задействованы по вхо-
ду-выходу данных (1)10) только четыре разряда,
остальные свободные.
Таблица истинности микросхем К1601РРЗ, К1601РР31 ... К1601РР38,
КР1601РРЗ, КР1601РР31 ... К1601РР38
CS ER PR Rl) Ло... Л...э A< .. .. ./ho bPR DlOs...OrZ, Режвм работы
1 X X X X X X Roff Хранение (невыбор)
0 0 1 I X X — (35...37) В X Общее стирание
0 0 0 1 X A -(35...37) В 1 Избирательное стирание
0 1 0 1 A A — (35...37) В 1 Запись 1
0 1 0 1 A A -(35...37) В Запись 0
0 1 1 0 Л A -(37...11,4) В Выходные данные в прямом коде Считывание
337
Временные диаграммы работы микросхемы К1601РРЗ:
а — режим считывания; б — режим общего стирания; в —режим избирательного
стирания; г —режим записи
338
Статические параметры микросхем К1601, КР1601 в режиме считывания
(в рабочем диапазоне температур)
Параметры Значения параме*рев
K1601PPI. К1601РР11. К1601РР12. КР1601РР1. КР1601РР11. КР1601РР12 К1601РРЗ. К1601РР31... ...К1601РР38. KPI601PP3. КР16О1РР31... ...КР1601РР38
мин. макс. мин. макс.
Напряжение питания, В:
Ucci 4,75 5,25 4,75 5,25
Ucci —12,6 —11,4 —12,6 —11,4
Напряжение программирова- ния в режиме считывания, —33 UCC2 —37 L'cci
Up к, В Напряжение смещения, Ure, В Ток потребления, мА: — — —1,0 0,5
в режиме считывания: /cci 35 45
/сС2 — ^СС1 + ;— ZCCl +
в режиме хранения (невы- бор): + ZPR +lPR
Iccst — 17 —— —
IccSZ — /СС51 + +lPR И — —
Ток потребления по выводу UpR в режиме считывания, IpR, мА — — 6,0
Входное напряжение, В:
логического 0, Uil — 0,4 — 0,4
логической 1, Uih 2,4 5,25 2,4 5,25
Ток утечки на адресных и управляющих входах, 1и, мкА Выходное напряжение, В: 10 — 10
логического 0, UOl 0,4 —— —
логической 1, Uон Выходной ток, мА: 3,0 — 3,0 0,4
логического 0, Iol — 1,6 1,6
логической 1, Ion — 0,1 — 0,1
Выходной ток утечки в режи- ме невыбора, мкА:
логического 0, Ilol — 50 — 50
логической 1, Iloh 50 — 50
Примечания: 1. Значения параметрон микросхем К1601РР1, КР1601РР1
указаны в диапазоне температур —45...+70 °C, KI601PP3, КР1601РРЗ —в
диапазоне температур —10 ...+70 °C.
2. Ток потребления микросхем K160IPP3, KPI601PP3 по выводу UPR в ре-»
жиме считывания измерялся при UpR—Uccv
3. Значения выходных напряжений измерялись при максимальных выход*
ных точках.
339
Динамические параметры микросхем К1601, КР1601 в режиме
считывания (в рабочем диапазоне температур)
П араметры Значения параметров
К1601РР1, К1601РРП. К1601РР12. КР1601РР1. КР1601РР11. KP160IPP12 K150IPP3. К1601РР31... ...К1601РРЗ'. КР1601РРЗ. КР161РР31... ...КР1601РР38
МИН. макс. МИН. макс.
Время выборки адреса, /д(д), мкс —г 1,8 — —
Время выбора, tes, мкс — 1,8 — —
Время выборки сигнала считы- вания, tA[Rb), мкс — — — 0,6
Время установления сигнала считывания относительно адре- са, Л$П(Л-ЛО), мкс 0 — 0,3 —
Время сохранения адреса пос- ле окончания сигнала считыва- ния, tv^D-A), МКС Время запрещения выходной информации после сигнала CS, toiSfCS), мкс —• — 0,3 —
0,1 — — —
Длительность сигнала считыва- ния, tVR(D), МКС Длительность интервала меж- ду сигналами считывания RD, tREC(RD), МКС 0,6 — 0,9 1000
0,6 — —
Время удержания адреса отно- сительно сигнала считывания, tmRD-A'„ МКС 1,8 — — —
Входная емкость Ci, пФ — 7 — 7
Выходная емкость, Со, пФ — 10 — 10
Емкости нагрузки, Cl, пФ — 100 — 100
Примечания: I. Значения параметров микросхем K1601PPI, КР1601РР1
указаны в диапазоне температур —45...+70 °C; K160IPP3, К.Р1601РРЗ — в диа-
пазоне температур —10 . . .+70'С.
2. Временные параметры измерялись по уровням <7к=2,0 В, t'£=0,8 В при
нагрузке: С£=100 пФ к одной микросхеме серии KI55.
Микросхемы К1601РРЗ, К1601РР31 ... К1601РР38 и KP160IPP3,
КР1601РР31 ... КР1601РР38 отличаются друг от друга только кор-
пусом. Микросхемы К1601РРЗ, К1601РР31 ... К1601РР38 выполнены
в металлокерамическом корпусе типа 2121.28—6 (см. рис. 6.2), микро-
схемы КР1601РРЗ, КР1601РР31 ... КР1601РР38 — в пластмассовом,
типа 2121.28—5 (см. рис. 6.2).
340
Параметры микросхем К1601, KPI601 в режиме программирования
(в рабочем диапазоне температур)
Параметры Значения параметров
KI60IPPI. K1601PPU. KI601PP12, КР1601РР1. KP1G01PP11, Кр:601РР1з К1601РРЗ, K160IPP31. . ...KI601PP38, КР16ШРРЗ, КР1601РР31... ...КР1601РР38
мин. макс. МИН. макс.
Напряжение питания, В:
UСС2 4,75 5,25 4,75 5,25
Ucci —12,6 — 11,4 —12,6 —11,4
Напряжение на выводе UPR, Upr, В —33 —31 —37 -35
Напряжение смещения, URe, В Входное напряжение, В: — — — 1,0 0,5
логического 0, U,L — 0,4 — 0,4
логической 1, Uih 2,4 5,25 2,4 5,25
Ток потребления по выводу Up* в режиме программирова- ния, Ipr, мА — 11 — 10
Время установления сигнала программирования относитель- но адреса, tsu^-pRi, мкс 0 — 10 —
Время установления сигнала стирания относительно сигнала программирования, tsu(pR-ER)t нс 0 100 — —
Время установления входной информации относительно сиг- нала программирования, tsil(PR-DI'), мкс 0 1,0 — —
Время сохранения входной ин- формации после сигнала про- граммирования, tv(PR-DI), нс — 100 — —
Время сохранения адреса пос- ле сигнала программирования, tvtPR-Л), мс 0,1 т- 0,2 —
Время сохранения сигнала про- граммирования после сигнала стирания, tvtER-PR), мс 0,5 — 0,2 —
Длительность сигнала програм- мирования, tw(PR1, мс 10 50 10 20
Длительность сигнала стира- ния, мс 100 200 100 200
Время установления сигнала считывания относительно сиг- нала программирования, tsi'(PR-RD}, МС 2,0 2,0 ——
341
Окончание
Параметры Значения параметров
К1601РР1. KieOIPPli. KI601PP12. КР1601РР1. KP1601PPI1, КР1601РР12 К1601РРЗ. К1601РРЭ1... ...К1601РР38. КР1601РРЗ, КР16О1РР31... ... КР1601РР38
МИН. макс. мин. мака.
Время установления сигнала считывания относительно сиг- нала СТИраНИЯ, tsU(ER-RD), мс 2,0 — 2,0 —
Примечания: I. Значения параметров микросхем К1601РР1, КР1601РР1
указаны в диапазоне температур —45 . . .+70'С, К1601РРЗ, КР1601РРЗ— в
диапазоне температур —10...+70 °C.
2. Временные параметры измерялись при следующих уровнях сигналов:
Ult = 2.0 В; Уд-0,8 В.
3. Для микросхем К1601РРЗ допускается многократное формирование
импульса стирания (F.R) длительностью не менее 10 'мс при суммарной дли-
тельности сигнала ER не менее 100 мс.
Рекомендации по применению
В микросхемах предусмотрено пять режимов работы: общее сти-
рание, избирательное стирание, запись, считывание, хранение (невы-
бор). Работа микросхем в указанных режимах осуществляется соглас-
но соответствующим таблицам истинности и временным диаграммам.
В режиме общего стирания осуществляется одновременное стира-
ние во всех ячейках накопителя БЙС ЗУ при подаче импульса напря-
жения логического 0 на вывод «Стирание» (£/?). Сигналы CS и ER
подаются одновременно с одинаковой длительностью (на К1601РР1
сигнал CS подается уровнем логической 1, на К1601РРЗ сигнал CS —
уровнем логического 0).
В режиме избирательного стирания при подаче напряжения логи-
ческого 0 на выводы стирания ER и программирования PR осуществ-
ляется стирание строки в соответствии с кодом адреса, установленного
на выводах старших разрядов адресов К1601РР1, в зависимости от
когда адреса на выводах Л4 ... Лд осуществляется стирание 64 ЭП
одной строки накопителя, т. е. 16 четырехразрядных слов, у К1601РРЗ
в зависимости от кода адреса на выводах Л4 ... Лю осуществляется
стирание 128 ЭП одной строки накопителя, т. е. 16 восьмиразрядных
слов. При этом информация в остальных элементах памяти не изме-
няется. Сигнал CS подается одновременно с адресом и имеет такую
же длительность.
Перед записью информации необходимо провести общее или изби-
рательное стирание. В режиме записи на вывод PR подается сигнал
логического 0, а на выводы вход—выход данных—информация для
записи в прямом коде. Поступающая информация записывается в вы-
бранные ЭП в соответствии с кодом адреса, поступающим на адрес-
ные входы. У К1601РР1 запись осуществляется одновременно в четы-
рехразрядное слово выбранного адреса, у К1601РРЗ— в восьмираз-
рядное слово.
342
В режиме считывания информации с выводов вход — выход дан-
ных D1O считывается записанная информация в прямом коде с выбран-
ного слова соответственно подаваемому коду адреса. При этом на вы-
вод считывания RD необходимо подать импульс: К1601РР1 — логиче-
скую 1, К1601РРЗ— логический 0.
В режиме считывания или программирования сигнал CS допус-
кается подавать постоянным уровнем или импульсом.
В режиме считывания с целью снижения потребляемой мощности
рекомендуется подключать вывод £/РЯ: у К1601РР1 и КР1601РР1 —
к источнику питания Uca; у К1601РРЗ и КР1601РРЗ —к источнику
питания Ucci- Допускается подача импульсного напряжения Ucci,
установившееся значение которого должно быть достигнуто в момент
подачи сигнала считывания (RD) и сохраняться на весь цикл считы-
вания. При снятии напряжения Ucci (между импульсами напряжения
питания) микросхема переходит в режим хранения информации; при
этом данные на выходе не гарантируются. Рекомендуется управлять
импульсным питанием сигналом CS.
В режиме хранения (невыбор) происходит блокирование всех ре-
жимов работы микросхем и уменьшение потребляемой мощности.
При отключении источников питания микросхема переходит в ре-
жим хранения. Выключение источников питания производится одно-
временно или в следующей последовательности UPR, Ucci, Ucci,
а включение—одновременно или в обратной последовательности.
Для микросхем К1601РРЗ, КР1601РРЗ оговорен коэффициент раз-
ветвления по выходу — не более двух ТТЛ-схем серии 155.
Ниже приведены зависимости электрических параметров микро-
схемы от электрических режимов и условий эксплуатации.
tf j, мхе
50-25 0 25 50 ТЛ
Зависимость tCs=f (Т, еС)
микросхемы К1601РР1 при
UCci=—11,4 и t/CC2=4,75 В
Зависимость IpR=l(UpR) мик-
росхемы К1601РР1 при Т=
=25 °C
Зависимость ICci=f(F) микро- Зависимость IpR=f(UPR) мик-
схемы К1601РРЗ при Т= росхемы К1601РРЗ при Т=
= +25 °C, I7cci=—12,6 В, =+25 °C
Uca=5,25 В
343
tc$,MKC
1,6
1,5
1,Ц
1J
4,7 H.81,95,05,15,2иссг,В
Зависимость tcs=j (Uccz) мик-
росхемы KI601 PPI при Ucc\=
=-12 В и T= + 25°C
Зависимость lcs=f(Ct)
росхемы KI 601РР1 при
= + 25 °C, Ucci=—11,4
17ccs=4,75 В
мик- Зависимость Icci=f(Ucci) мик-
T= росхемы К1601РРЗ при Uccz=
В, =5 В и Т= + 25°С
Зависимость /ли)=/ (Л °C)
микросхемы К1601РРЗ при
UCci=—11,4 В и £/сс2=4,75 В
Зависимость /л(л)=/(Сг.) мик-
росхемы К1601РРЗ при Ucc\=
=—11,4 В и Усс2=4,75 В:
/ — при Г= + 70°С; 2 — при 7 =
= + 25 еС
СЕРИЯ КМ1609
Репрограммируемое постоянное ЗУ с длительным сроком
хранения информации при включенном и выключенном
источнике питания, обеспечивающее электрическую
перезапись информации; выполнено на п-МОП
технологии с «плавающим» затвором
КМ1609РР1, КМ1609РР11, KM1S09PP12
Время выборки адреса .... Не более 350 нс
Время хранения информации:
во включенном состоянии . . Не менее 5000 ч
в выключенном состоянии ... Не менее 5 лет
Число циклов перезаписи . . Не менее 10‘
Напряжение питания...............Усс=5 В±5 %
Uрп=5 В±5 % (в режиме счи-
тывания)
344
Потребляемая мощность (в режиме
считывания) .....................
Диапазон температур . . . .
Выход ...........................
Совместимость по входу и выходу
Тип корпуса ..................
Не более 525 мВт
—10...+70 °C
Три состояния
С ТТЛ-схемами
Металлокерамический,
21 ОБ.24—2 (см. рис. 6.2)
Классификационные параметры микросхем КМ1609РР
Тип микросхемы Информацион- ная емкость, бит Организация, словХразря- ДОВ Номера задействованных адресов
КМ1609РР1 КМ1609РР11 КМ1609РР12 16 384 8192 8192 2048x8 1024x8 1024x8 Все Все, кроме Л1о= логичес- кому 0 Вее, кроме .410=логичес- кой 1
Назначение выводов микросхем КМ1609РР1
Выводы Назначение Обозначение J- 7 — Aj $
8...1, 23, 22, 19 9...11, 13...17 18 20 21 21 Адресные входы 1 Вход — выход дан- ных Выбор микросхемы Разрешение по вы- ходу Напряжение пита- ния Напряжение про- граммирования Общий Ао... Л7, As, ^9’ ^10 D1O9...DIO1 CS CEO !Jcc 0 в 6 — 5- 4 — 3 — 2 — 1 — 23—A 22 — 18 — 20— 21 — Аг Аз Ait Ay As A, Ай A? Aw CS CEO UpR oiO, Ш8, 0I02 mo3 2% DI0( HO, „ 5 fc t; г t fe b I 1 1 1 1 1 1 1
12 Серия KM 1609
'Микросхемы КМ1609РР11 и КМ1609РР12 име-
ют информационную емкость 8192 бит, поэтому у
них на один из адресных входов подается:
KM1609PP1I: на вывод 19, соответствующий
/4'0,— логический 0;
КМ1609РР12: на вывод 19, соответствующий
Лю, — логическая 1.
23—5037
345
346
лица истинности микросхем КМ1609РР1, КМ1609РР11,
KMI609PP12
CS СЕО Ао.. .Ajo DlOa...DIOi UPR Режим работы
1 X X Roff исс Хранение
0 1 X Rott исс Отключение выхода
0 12 В X 1 21 В (импульс) Общее стирание
12 В 1 X 0 21 В (импульс) Общая запись
0 1 А Входные дан- ные в прямом 21 В (импульс) Избирательная (байтовая) запись
0 1 А 1 21 В (импульс) Избирательное (байтовое) стирание-
1 X X Roti 21 В (импульс) Запрет программи- рования
0 0 А Выходные дан- ные в прямом коде Ucc Считывание
23*
347
Программирование ।контроль после программирование
А
2,0
1,0
Текущий адрес н
N+1
t
С5‘
tou(CS-PR') tv(PR-CS)
2,0
1,0
tR/PR) tf(W)
UpR^
tsU(A-PR')
tw<PR)
tv (PR-А)
15,5
6,0
DIO
Осс
Выходная ин-
формация по те-
кущему адресу
=й
_____ L.
tsU(DI-FR)
Hpp
tv(PR-m)
2,0
1,0
CEO
t SU(CCO-PR)
логичес-
кая 1
„ t
Входная инфор-
мация по те-
кущему адресу
_
Логический 0
tvlPR-CRO)
tA(CEO')
tpis(cco) 6
t
2,0
1,0
Г
t
в)
.Временные диаграммы работы микросхем КМ1609РР1, KM1609PPU
КМ1609РР12:
а — режим считывания; б — режим общего стирания; в — режим избирательной
записи, избирательного стирания и контроля после программирования; г — ре-
жим общей записи
348
Предельные режимы эксплуатации микросхем КМ1609РР1,
КМ1609РР11, КМ1609РР12
Параметры Значения параметров
мин. макс.
Напряжение питания, Ucciim, В Напряжение на входах, В: адресных, Ищт ОСТалЬНЫХ, U1 цт Напряжение на выходе, UG ц.„ Напряжение программирования, URRum, В Выходной ток: ЛОГИЧеСКОГО 0, lot Нт, мА логической 1, loillim, мкА Емкость нагрузки, CL цт, пФ Длительность программирующего импуль- са, tw{PRftim, с со со со 1 о о о 1 1111 1 1 1 6,0 сс+^’-5 В 17 В [Ус<?4-0,25 В 22,5 В 2,0 200 300 300
349
Статические параметры микросхем КМ1609РР1, КМ1609РР11,
КМ1609РР12
Параметры Значения параметров
мин. макс.
Напряжение питания, В: Ucc Upr Ток потребления по цепи Ucc, мА: в режиме считывания, Ice в режиме хранения, Ices Ток потребления по цепи Upr (в режиме считывания и хранения), IPR, мА Входное напряжение, В: логического 0, Uil логической 1, Uih Выходное напряжение, В: логического 0, UOl логической 1, Uон Выходной ток, мА: логического 0, Iol логической 1, 1он Ток утечки на входах, 1и, мкА Ток утечки на выходах при невыборе, ILo, мкА 4,75 4,75 —0,1 2,4 2,4 5,25 5,25 100 38 15 0,4 5,25 0,4 1,6 0,1 10 10
Примечание. Выходные напряжения измерялись при максимальных
значениях выходных токов.
Динамические параметры микросхем КМ1609РР1, КМ1609РР11,
КМ1609РР12 в режиме считывания (в диапазоне температур
—10 ... 4-70°С)
Параметры ^Максимальные значе- ния параметров
Время выборки адреса, tAW, нс Время выбора, tes, нс Время выборки сигнала разрешения выхода СЕО, 1л(СЕО), нс Время запрещения выходной информации после сигналов CS и CEO, totstes), Idis(ceo), нс Входная емкость, Ct, пФ Выходная емкость, Со, пФ Емкость нагрузки, CL, пФ Емкость по выводу, UpR, Cpr, пФ 350 450 150 200 8 12 100 200
Примечания: 1. Временные параметры измерялись по уровню 1.0 в
2,0 В соответствующих сигналов при нагрузке: Сд=100 пФ н одна ТТЛ-схема.
2. Временные параметры измерялись при следующих параметрах входных
сигналов: /#=50 нс; lf=50 нс.
350
Параметры микросхем КМ1609РР1, КМ1609РР11, КМ1609РР12
в режиме программирования
Параметры Значения параметров
мин. макс.
Напряжение питания, Ucc, В 4,75 5,25
Напряжение на выводе UpR, Upr, В 20 22
• Входное напряжение (импульс), В: логического 0, Un. —0,1 0,4
логической 1, Uih 2,4 5,25
Напряжение на выводе CS в режиме об- щего стирания, Ucscpri, В 9,0 15
Напряжение на выводе СЕО в режиме общей записи, Uceoipr), В 9,0 15
Ток потребления по выводу Upr, lPR, мА — 30
Время установления сигнала PR относи- тельно адреса, Isuia-pr'i, нс 350 —
Время установления PR относительно сиг- нала CS, tsu(cs-PR)^ нс 350 —
Время установления сигнала PR относи- тельно данных, tsuiDi-PR), нс 0 —
Время сохранения адреса относительно сигнала PR, tV(PR-A), мкс 2 —
Время сохранения CS относительно сигна- ла PR, tv(PR-CS), нс 50 —
Время сохранения данных относительно сигнала PR, tv{pp-oo, нс 50 —
Длительность программирующего импульса PR, tw^pR'i, мс 9 15
Длительность фронта программирующего импульса, Ir(pr), мкс 450 1000
Длительность спада программирующего им- пульса, tp(PR), мкс — 100
Длительность фронта и спада сигналов CS и СЕО в режимах общей записи и стира- ния, tp(cs), U(CS), Ir(CEO), tp(CEO), МКС — 100
Время установления сигнала PR относи- тельно сигнала CEO, tsuicEo-pRi, нс 0 —
> Время сохранения сигнала СЕО относитель- но сигнала PR, Ivipr-ceo), нс 0 —
Примечание. Нарастание программирующего импульса иметь экспоненциальную форму. ‘rIPr) Должно
Л
351
Рекомендации по применению
Микросхема может работать в следующих режимах: считывание,
хранение информации (невыбор), отключение выходов, общее, стира-
ние, общая запись, избирательная запись в выбранное слово, избира-
тельное стирание выбранного слова, запрет программирования. Требуе-
мые сигналы для получения указанных режимов приведены в таблице
истинности и на временных диаграммах.
При программировании извлекать микросхему из контактного при-
способления необходимо при отсутствии напряжения на ее выводах.
Допускается производить программирование микросхем в составе
устройства при соблюдении режима, указанного в таблице параметров
микросхем в режиме программирования.
При программировании на вывод иРЯ подается импульс програм-
мирования амплитудой 21 В и длительностью 12 мс. Подавать импульс
программирования допускается только при включенном питании Ucc-
Программирование осуществляется следующим образом.
Режим общего стирания. На вывод СЕО (вывод 20) подается на-
пряжение 9 ... 15 В (уровнем или импульсом), а на выход CS (вы-
вод 18)—логический 0. На выводы О1О0 ... D1O-, согласно времен-
ной диаграмме подается логическая 1. После стирания все ЭП нако-
пителя находятся в состоянии логической 1. Стирание осуществляется
одновременно во всем накопителе микросхемы.
Режим общей записи. Перед этим режимом необходимо произвести
общее стирание.
На вывод CS (вывод 18) подается напряжение 9 ... 15 В (уров-
нем или импульсом), а на вывод СЕО (вывод 20)—логическая 1. На
выводы DIO0 ... D1O-, согласно временной диаграмме подается логи-
ческий 0. После общей записи все ЭП накопители микросхемы нахо-
дятся в состоянии логического 0. Общая запись осуществляется одно-
временно во всем накопителе микросхемы.
Режим избирательного стирания. Согласно подаваемому коду адре-
са производится стирание информации в выбранном слове путем пода-
чи^ на все разряды (выводы DlO0 ... DIO7) логической 1/На вывод
CS подастся логический 0, на вывод СЕО — логическая 1. В выбран-
ном слове во всех разрядах записывается логическая 1 вне зависимости
от записанной информации по другим адресам (см. соответствующую
временную диаграмму).
Режим избирательной записи. После избирательного стирания в вы-
бранном слойе в него возможно записать информацию вне зависимости
от остального массива памяти путем подачи на выводы DIO0 ... DIO;
логического 0 (в те разряды, где должен быть записан логический 0)
и логическая 1 (в те разряды, где должна быть сохранена логичес-
кая 1). Избирательную запись можно также осуществлять после ре-
жима общего стирания.
После программирования проводится контроль записанной инфор-
мации в режиме считывания (допускается проводить контроль после
программирования всего массива памяти).
В режиме считывания допускается подавать сигналы CS и СЕО
уровнем или импульсом.
Не допускается электрический контакт корпуса микросхемы (вы-
вод 12) с шинами, имеющими потенциал отличный от 0 В.
Допустимый статический потенциал — не более 30 В.
Ниже приведены зависимости электрических параметров микросхе-
мы от электрических режимов работы и условий эксплуатации.
352
Зависимость Icc=
=!(Ucc) микросхемы
KM1609PP1 при
UPK=Ucc и Т 25 °C:
' ~ 2сс; 2 — ^ccs
Зависимость /р«=
=/(^сс) микросхемы
КМ1609РР1 в режи-
ме считывания при
Ucc—U рн и Т—
=—10 °C
Зависимость 1л(л>—
=i(UCc) микросхемы
КМ1609РР1 при Т=
=25 °C, Ucc=Upn и
Ct=100 пФ
Зависимость 1сс=1 (Л °C)
микросхемы КМ1609РР1 при
Ucc—Upr—5,25 В:
1 ~ 2СС- 2 — ^ccs
Зависимость 1а<а)=[ (Т, °C)
микросхемы КМ1609РР1 при
Ucc—Upr=4,75 В
Зависимость lpp=f (Т, °C)
микросхемы КМ1609РР1 при
Ucc=Upp=5,25 В
Зависимость 1а(а>—ЦСс)
микросхемы КМ1609РР1
при Т—25 °C и Ucc—
— UPR—4,75 В
353
354
Приложение 1
Условия эксплуатации микросхем
Тип микросхемы Интервал рабочих температур, °C Относи- тельная влажность воздуха 98% при темпера- туре, °C Вибрация Много- кратные удары с ускоре- нием, g, не более Линейная нагрузка с ускоре- нием g, не более Одиноч- ные уда- ры с уско- рением, g, не более
Диапазон частот, Гц У скоре- ние. g, нс солее
К132РУ2А, К132РУ2Б 1 КР132РУ2А, КР132РУ2Б / —10...+70 35 1...600 10 75 25 —
К132РУЗА, К132РУЗБ, КР132РУЗА, ) КР132РУЗБ 1 —10...+70 35 1...600 10 75 25
КМ132РУЗА, КМ132РУЗБ ! КР132РУ4А, КР132РУ4Б — 10...+70 25 1...600 10 75 25
КМ132РУ5А, КМ132РУ5Б — 10.. .+70 25 1... 600 10 75 25
КР132РУ6А, КР132РУ6Б —10...+70 35 75 25
КМ132РУ8А, КМ132РУ8Б —10...+70 35 1...600 10 75 25
К134РУ6 —45...+85 25 1...5000 40 500 150 1000
К155РУ5 — 10. ..+70 25 1...600 10 75 25
К155РУ7 — 10.. .+70 25 1... 600 10 75 25
К176РУ2 -45...+70 25 1...600 10 75 25 —
КР185РУ2 — 10...+70 25 1...600 10 75 25 —
КР185РУЗ — 10...+70 25 1...600 10 75 25 ——
К185РУ4, КР185РУ4 — 10...+70 35 1. . .600 10 75 25 .
К185РУ5, КР185РУ5 —10...+70 25 1...600 10 75 25
К500РУ145 —10...+70 25 1...600 10 75 25
К500РУ148 —10...+70 35 1...2000 20 150 200 500
К500РУ410, К500РУ410А —10...+70 25 1... 600 10 75 25 .—
К500РУ415, К500РУ415А — 10...+70 25 1...600 10 75 25 .—
К500РУ470 — 10...+70 25 1...600 10 75 25
К531РУ8П, К531РУ9П — 10...+70 25 1...600 10 75 25 , —
Продолжение прил. 1
Тип микросхемы Интервал рабочих температур, 'С Относи- тельная влажность воздуха 98% при темпера- туре, °C Вибрация Много- кратные УДары с ускоре- нием, g, не более Линейная нагрузка с ускоре- нием, g, не более Одиночные УДары с ускоре- нием, g, не более
Диапазон частот, Гц Ускоре- ние g, не более
К531РУ11П —10.. .+70 25 75 25
К537РУ1А, К537РУ1Б, К537РУ1В —60.. .+85 25 1. ..600 10 75 ’5
КР537РУ2А, КР537РУ2Б — 10.. .+70 25 1. ..600 10 75 95
КР537РУЗА, К537РУЗБ, К537РУЗВ —10.. .+70 25 1. ..600 10 75 25
КР537РУ8А, К537РУ8Б — 10.. .+70 35 1. ..600 10 75 25
К541РУ1, К541РУ1А, КР541РУ1, 1 КР541РУ1А J —10.. .+70 25 1. ..600 10 75 25 —
К541РУ2, К541РУ2А, КР541РУ2, 1 КР541РУ2А / —10.. .+70 35 1. ..2000 10 75 50 150
К541РУЗ, К541РУ31 ... К541РУ34, ) К541РУЗА, К541РУ31А...К541РУ34А, КР541РУЗ, КР541РУ31 ...КР541РУ34 J -10.. .+70 25 — — 75 25 —
КР556РТ4А —10.. .+70 25 1. ..600 10 75 25
КР556РТ5 —10.. .+70 25 1. . .600 10 75 25
КР556РТ11 — 10.. .+70 35 1. ..600 10 75 >5
КР556РТ12 —10.. .+70 35 1. ..600 10 75 20
КР556РТ13 —10.. .+70 35 1. ..600 10 75 *>0
КР556РТ14 — 10.. .+70 35 1. ..600 10 75 20
КР556РТ15 — 10.. .+70 35 1. . .600 10 75 ’0
КР556РТ16 —10.. .+70 35 1. ..600 10 75 90
КР556РТ17 — 10.. .+70 35 1. . .600 10 75 20
КР556РТ18 КР558РР2А, КР558РР2Б. ] — 10.. .+70 35 1. -.600 10 75 20 —
КР558РР21А ... КР558РР24А КР558РР21Б... КР558РР24Б J —10.. .+70 25 1. ..600 10 75 25 —
сл Продолжение пр и л. 1
о — Тип микросхемы Интервал рабочих тем- ператур. °C Относи- тельная влажность воздуха 9ь% при темпера- туре, °C Вибрация Много-'' кратные удары с ускоре- нием, g, не более Линейная нагрузка с ускоре- нием. g, не более Одиночные удары с ускоре- нием. g. не более
Диапазон частот. Гц Ускоре- ние. g, не более
К561РУ2А, К561РУ2Б —45.. +85 25 1...600 10 75 25
КР565РУ2А, КР565РУ2Б — 10.. +70 25 1...600 10 75 25 —
К565РУЗА... К565РУЗГ — 10.. +70 -- - 1...2000 10 75 50 150
К565РУ5Б ... К565РУ5Д —10.. +70 25 1...2000 10 75 50 150
КР565РУ6Б ... КР565РУ6Д — 10.. +70 35 — — 75 25 —
К568РЕ1, КР568РЕ1 — 10.. +70 35 1...G00 10 75 25 —
КР568РЕ2 — 10.. +70 35 1...600 10 75 25 —
КР568РЕЗ 10.. +70 35 1...600 10 75 25 —
К573РФ1, К573РФ13, К573РФ14 —45.. +70 25 1...600 10 75 25 —
К573РФ2, К573РФ21 . .. К573РФ24 —45.. +70 25 1...600 10 75 25 —
К573РР2, К573РР21, К573РР22 — 10.. +70 25 1...600 10 75 25 —
К573РФЗ, К573РФ31 ... К573РФ34 - 10.. +70 25 1...600 10 75 25 —
К573РФ4, К573РФ41 ... К573РФ44 -10.. +70 25 1...600 10 75 25 — •
К573РФ5 10.. +70 35 1...600 10 75 25 —
К573РФ6А — 10. . +70 35 I...600 10 75 25 —
К596РЕ1 — 10.. +85 — — 75 ЦО - 150
К1500РУ073, К1500РУ415, К1500РУ470 + 1... +85 35 1...500 10 75 —
К1500РТ416 + 1... 4-85 35 1...2000 15 150 25 —
К1601РР1, К1601РР11, К1601РР12, 1 35
КР1601РР1, КР1601РР11, КР1601РР12 / + ?о 1...600 10 75 25 -
К1601РРЗ, К1601РР31 . К1601РР38 1 +70
КР1601РРЗ, КР1601РР31.. .КР1601РР38 J 35 1...600 10 75 25 •
КМ1609РР1, КМ1609РР11, КМ1609РР12 — 10... +70 35 1...600 10 75
КР1610РЕ1 -45.. +85 35 1...600 10 75 ZD 25 —
Продолжение прил. 2
Тип микросхемы Техноло- гия изго- товления Инфор- мацион- ный объем, бит Организа- ция, словХ X разрядов Номер страницы, где помеще- ны данные о БИС ЗУ
КР565РУ6Б. КР565РУ6В. \ КР565РУ6Г, КР565РУ6Д J л-МОП 16К 16КХ1 218
К565РУ5Б, К565РУ5В, \ К565РУ5Г, К565РУ5Д J л «МОП 64К 64КХ1 216
Масочные ПЗУ K568PEI, КР568РЕ1 п-МОП 16К 2КХ8 242 253
КР1610РЕ1 п-МОП 16 2КХ8
КР568РЕ2 п-МОП 64 К 8КХ8 243
K596PEI ТТЛ 64 К 8КХЗ 249
КР568РЕЗ п-МОП 128К 16КХ8 244
Программируемые ПЗУ КР556РТ4А ТТЛШ 1024 256X4 257
KP556PT1I ТТЛШ 1024 256X4 259
KI500PT416 ЭСЛ 1021 256X4 280
КР556РТ5 ТТЛШ 4096 512X8 258
КР556РТ17 ТТЛШ 4096 512X8 264
KP556PTI2 ТТЛШ 4096 1021X4 260
КР556РТ13 ТТЛШ 4096 1021X4 261
КР556РТ14 ТТЛШ 8192 2048X4 262
КР556РТ15 ТТЛШ 8192 2048X4 262
КР556РТ18 ТТЛШ 16К 2048X4 265
КР556РТ16 ТТЛШ 64К 8192X8 263
Репрограммяруемые ПЗУ
K1601PPI1, KI601PP12, 1 КР1601РР11, КР1601РР12 J р-МНОП 2К 512X4 332
К573РФ13, К573РФ14 п-МОП 4К 1024X4 299
К1601РР1. КР1601РР1 р-МНСП 4К 1024X4 332
KP558PP2IA, КР558РР22А 1 КР558РР21Б, КР558РР22Б J р-МНОП 8К 1КХ8 285
К573РФ1 л-МОП 8К 1КХ8 299
К573РР21, К573РР22 п-МОП 8К 1КХ8 292
К573РФ21. К573РФ22 п-МОП 8К 1КХ8 302
K160IPP31, KP1601PP3I р-МНОП 8К 1КХ8 335
K1G01PP32. КР1601РР32 р-МНОП 8К 1КХ8 335
КМ1609РР11, KM1609PPI2 п-МОП 8К 1КХ8 344
КР558РР23А, КР668РР24А. \ КР558РР23Б, КР558РР24Б J р-МНОП 8К 2КХ4 285
К573РФ23, К573РФ24 п-МОП 8К 2КХ4 302
К1601РРЗЗ . .. KI60IPP38, \ KP160IPP33 . .. КР1601РР38 I р-МНОП 8К 2КХ4 335
К573РФЗЗ, К573РФ34 п-МОП 16К 1KXI6 305
КР558РР2А, КР558РР2Б р-МНОП 16К 2КХ8 285
К.573РР2 л-МОП 16К 2КХ8 292
К573РФ2 л-МОП 16К 2КХ8 302
К573РФ5 л-МОП 16К 2КХ8 310
К1601РРЗ, KP160IPP3 р-МНОП 16 2КХ8 335
КМТ609РР1 л- МОП 16К 2КХ8 344
К573РФ31. К573РФ32 п- МОП 32К 2КХ16 305
К573РФ41, К573РФ42 л-МОП 32К 4КХ8 308
К573РФ43, К573РФ44 л-МОП 32К 8КХ4 308
К573РФЗ л -МОП 64К 4КХ16 305
К573РФ4 и-МОП 64К 8КХ8 308
К573РФ6А п-МОП 64К 8КХ8 312
358
Список литературы
1. ГОСТ 2.743—82. Обозначения условные графические в схемах..
Элементы цифровой техники.
2. ГОСТ 19480—74, с изменениями 1981 и 1985 гг. Микросхемы ин-
тегральные. Термины, определения и буквенные обозначения элек-
трических параметров.
3. ГОСТ 22565—77. Микросхемы интегральные. Запоминающие-
устройства и элементы запоминающих устройств. Термины, опре-
деления и буквенные обозначения электрических параметров.
4. Измерение параметров цифровых интегральных микросхем/
Д. Ю. Эйдукас, Б. В. Орлов, Л. М. Попель и др. Под ред.
Д. IO. Эйдукаса, Б. В. Орлова. — М.: Радио и связь, 1982 —368 с.
5, Memory Data Book and Designer Guide. — Mostek, 1980, p. 315.
6. Методы контроля полупроводниковых запоминающих устройств
с произвольной выборкой/ Г. X. Ягудин, Е. Л. Шелетов, Г. С. Пет-
рова и др. — М.: ЦНИИ Электроника, 1981. Сер. 3. Микроэлектро-
ника, вып. 3 (787), с. 33—35.
7. Слуцкий Г. Я., Мамджян Г. Г., Сирота Л. Я. Анализ методов те-
стирования полупроводниковых оперативных запоминающих
устройств. — Техника средств связи. Сер. ТРС, 1980, вып. 3,-
с. 76-82.
8. Morgan М. К. М. A new approach to memory testing. — Microelec-
tronics and Reliability, 1976, v. 5, N 4, pp. 351—353.
9. Валиев К. А., Орликовский А. А. Полупроводниковые интегральные
схемы памяти на биполярных структурах. — М.: Сов. Радио, 1979.—
256 с.
16. Караханян Э. Р., Шилин В. А. Динамические интегральные схемы
памяти с МДП-структурой. — М.: Радио и связь, 1981.—115 с.
И. Triebel W. A. Handbook of semiconductor and Buble memories.—
New York: Prentice-Hall, 1980. — 401 p.
12. Баринов В. В., Орликовский Л. А. Сверхбыстродействующие эле-
менты кремниевых цифровых БИС.—М.: МИЭТ, 1981.—109 с.
13. Быстродействующие ОЗУ К155РУ7 емкостью 1 К/ А. П. Голубев,
В. Н. Неклюдов, С. А. Фастов и др. — Электронная промышлен-
ность, 1983. вып. 4 (121), с. 42—43.
14. Кружанов Ю. В., Сафронов В. Э. Статическое биполярное ПЗУ
К596РЕ1 емкостью 64К-—Электронная промышленность, 1983,
вып. 6 (123), с. 7—8.
15. Щетинин Ю. И. Модернизация биполярного ППЗУ емкостью 1К.—
Электронная промышленность, 1983, вып. 4 (121), с. 44—46.
16. Некоторые механизмы программирования элементов ППЗУ на осно-
ве тонких пленок/ Ю. И. Щетинин, 3. А. Штейнгард, Е. Н. Ива-
нов и др.— Микроэлектроника и полупроводниковые приборы,
1981, вып. 6, с. 121 —132.
17. Быстродействующее ОЗУ К500РУ145 емкостью 64 бит/ В. Н. Дят-
ченко, В. А. Неклюдов, А. Э. Нестеров и др.—Электронная про-
мышленность, 1983, вып. 6 (123), с. 6—7.
359
58. Сверхскоростное ЭСЛ ОЗУ/ И. В. Александров, С. Н. Колеснева,
А. И. Сухопарое и др. — Электронная промышленность, 1982,
вып. 2 (108), с. 41—44.
19. Статическое СОЗУ К132РУ4 емкостью 1 К/ А. Н. Бочков, И. П. Ла-
заренко, Ю. Н. Минков и др. — Электронная промышленность,
1983, вып. 4 (121), с. 42—43.
20. Динамическое ЗУПВ К565РУ5 емкостью 64К/ А. С. Лушников,
А. Б. Однолько, В. И. Соломоненко и др. — Электронная промыш-
ленность, 1983, вып. 4 (121), с. 37—38.
21. Динамическое ЗУПВ КР565РУ6 емкостью 16К/ В. П. Беспалов,
А. С. Ильюшенков, А. И. Макаров и др.—Электронная промыш-
ленность, 1983, вып. 4 (121), с. 38—40.
22. Буй В. Б., Сидоренко В. П., Солод А. С. Статическое ПЗУ
КР568РЕ1 емкостью 16К-—Электронная промышленность, 1983,
вып. 4 (121), с. 40—41.
23. Закроева Н. М., Малинин А. В., Черных А. Г. Статическое ОЗУ
КР537РУЗ емкостью 4К-—Электронная промышленность, 1983,
вып. 4 (121), с. 41—42.
24. Огнев И. В., Шамаев Ю. М. Проектирование запоминающих
устройств.— М.: Высшая школа, 1979.—320 с.
25. Полупроводниковые запоминающие устройства и их применение/
В. П. Андреев, В. В. Баранов, Н. В. Бекин и др'. Под ред.
А. Ю. Гордонова. — М.: Радио и связь, 1981.—343 с.
26. Дерюгин А. А. Полупроводниковые запоминающие устройства.—М.:
МЭИ, 1982.—78 с.
27. ГОСТ 17467—72. Микросхемы интегральные. Корпуса. Типы и раз-
меры.
28. ГОСТ 17467—79. Микросхемы интегральные. Основные размеры.
29. ГОСТ 18725—73. Микросхемы интегральные для устройств широ-
кого применения. Общие технические условия.
30. Аналоговые и цифровые интегральные схемы/ С. В. Якубовский,
Н. А. Барканов, Б. П. Кудряшов и др. Под ред. С. В. Якубовско-
го,—М.: Сов. радио, 1979.—336 с.