mow
по полу-
проводниковым
приборам
В. Ю. ЛАВРИНЕНКО
СПРАВОЧНИК
ПО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ
ПРИБОРАМ
Издание 6-е,
стереотипное
ИЗДАТЕЛЬСТВО „ТЕХН1КА'*
КИЕВ —1971
6Ф0.32 (083)
Л13
УДК 621.3.032 (031)
Справочник по полупроводниковым приборам.
Лавриненко В. Ю. Изд. 6-е. «Техника»,
1971, 380 стр.
Справочник содержит сведения об основных
типах терморезисторов, фоторезисторов, варисторов,
селеновых выпрямителей, полупроводниковых диодов
и транзисторов, вентильных фотоэлементов, фото-
диодов и фототранзисторов, выпускаемых отече-
ственной промышленностью.
Предназначен для инженеров и техников, рабо-
тающих в области использования полупроводнико-
вых приборов, а также может быть полезен подго-
товленным радиолюбителям и студентам вузов соот-
ветствующих специальностей.
Табл. 167, илл. 347, библ. 30.
Рецензен К. Ц. Лабец, канд. техн, наук
Редакция литературы по энергетике, электронике,
кибернетике и связи
Заведующий редакцией инж. 3. В. Божко
Владимир Юлианович Лавриненко,
канд. техн, наук
СПРАВОЧНИК
ПО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ
ПРИБОРАМ
Редактор издательства
инж. Н. М. Корнильева
Переплет художника Л. Г. Диденко
Художественные редакторы Б. В. Валуенко,
В. И. Глазунов
Технический редактор С. В. Новик
Корректоры Ж. А. Вилыианская, Г. А. Высоцкая
3-3-12
202-72М
ПРЕДИСЛОВИЕ
Прогресс во всех областях науки и техники тесно связан с достиже-
ниями советских физиков в исследовании свойств и совершенствовании
способов производства полупроводников, которые широко применяются
в радиотехнической аппаратуре, приборах автоматического контроля и
управления.
Отечественная промышленность выпускает полупроводниковые при-
боры, удовлетворяющие условиям использования их в аппаратуре раз-
личного назначения.
Справочник построен с учетом того, что пользующиеся им знакомы
с физическими принципами работы полупроводниковых приборов и осо-
бенностями построения схем, в которых они применяются.
В начале каждой главы приводятся общие справочное данные,
характеризующие данный класс полупроводниковых приборов,'особеннос-
ти их применения, даются определения основных параметров, а затем
данные по конкретным типам приборов.
Полупроводниковые приборы, отмеченные в справочнике звездочкой,
сняты с производства.
Отзывы и пожелания просим направлять по адресу: Киев, 4,
Пушкинская, 28, издательство «Техника».
1. ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ
Терморезисторы (термосопротивления) — нелинейные объемные ре-
зисторы, изготавливаемые из полупроводниковых материалов, имеющих
большой отрицательный температурный коэффициент сопротивления.
В зависимости от применяемого полупроводникового материала термо-
резисторы могут быть разделены на медно-марганцевые (ММТ) и ко-
бальте-марганцевые (КМТ).
Выпускаемые промышленностью терморезисторы по назначению можно
разделить на следующие группы:
для измерения и регулирования температуры: ММТ-1, ММТ-4,
ММТ-5, ММТ-6, КМТ-1, КМТ-4, НКМТ-4, КМТ-4Е, МКМТ-16;
для термокомпенсации различных элементов электрической цепи,
работающих в широком интервале температур: ММТ-8, ММТ-9, ММТ-12,
ММТ-13, KMT-8, СТ1-17, СТЗ-17, CT3-23, КМТ-10, КМТ-10а, КМТ-11,
KMT-12, КМТ-14, КМТ-17, ТКИ-1, ТКИ-2, ТКИ-3;
для систем теплового контроля, основанных на использовании ре-
лейного эффекта: КМТ-10 и КМТ-11;
для работы в качестве чувствительного элемента при измерениях
мощности сверхвысокочастотных колебаний от долей микроватта до
единиц милливатта: Т8Д, Т8Е, Т8М, Т8Р, Т8С1, Т8С2, Т8СЗ, T9,
Т8С1М, Т8С2М, Т8СЗМ, ТШ1, ТП12;
для стабилизации напряжения в цепях постоянного и переменного
токов: ТП2/0.5; ТП2/2; ТП6/2;
в качестве регулируемых бесконтактных резисторов в цепях авто-
матики: ТКП-20, ТКЦ-50А, ТКП-50Б, ТКП-300, ТКП-450.
Все терморезисторы, за исключением последней группы, относятся
к терморезисторам прямого подогрева, у которых разогрев рабочего
тела полупроводника осуществляется токами, протекающими через ра-
бочее тело терморезистора.
Терморезисторы типа ТКП называются терморезисторами косвенного
подогрева, так как рабочее тело полупроводника нагревается в резуль-
тате теплопроводности и излучения от специального подогревательного
элемента.
Независимо от специализации каждый тип терморезисторов может быть
использован для решения других задач. Терморезисторы в аппаратуре
следует располагать таким образом, чтобы свести к минимуму влияние
других элементов, которые могут внести дополнительные ошибки. При
пайке терморезисторов к схеме необходимо следить за тем, чтобы тем-
пература рабочего тела терморезистора не превышала допустимую (осо-
бенно для измерительных терморезисторов).
Основные параметры терморезисторов:
Холодное сопротивление Rn— сопротивление рабочего тела термо-
резистора при температуре окружающей среды 20° С, (ом).
4
Температурный коэффициент сопротивления ат — выражает в про-
центах изменение абсолютной величины сопротивления рабочего тела
терморезистора при изменении температуры на1°С. В таблицах значение
а приведено для температуры 20° С. Значение температурного коэффи-
циента сопротивления для любой температуры в диапазоне 20—150° С
можно наити по выражению
В _J___
Т2 град '
a.
Т Т	R
Где В = „ 1 1, 1п -5^-, ° К — коэффициент температурной чувствитель-
12 — '1	1<т2
ности; 7\— исходная температура рабочего тела; Т2 — конечная темпе-
ратура рабочего тела, для которой определяется значение температур-
ного коэффициента сопротивления; /?Т1 и КТг — сопротивления рабочего
тела терморезистора при температурах соответственно Tt и Т2. Значения
коэффициента В приводятся в справочных данных.
Коэффициент рассеяния b — коэффициент, учитывающий все виды
распространения тепла от рабочего тела терморезистора, (вт/град).
Теплоемкость Н — количество тепла, которое необходимо сообщить
терморезистору, чтобы повысить температуру рабочего тела на 1 град,
(вт  сек/град).
Коэффициент энергетической чувствительности G — мощность, ко-
торую необходимо сообщить терморезистору, чтобы уменьшить его со-
противление на 1% (вт/°/о).
Постоянная времени т — время, в течение которого разность темпе-
ратур рабочего тела и среды понижается на 63% от первоначального
значения, (сек).
Параметры связаны между собой зависимостями
И	b
т = — и G = — .
Ь	а
Основными характеристиками терморезисторов являются: статическая
вольт-амперная U = (/) и температурная R = /2 (О-
ТЕРМОМЕТРЫ СОПРОТИВЛЕНИЯ
Конструктивное оформление — круглые опрессованные стержни, за-
щищенные влагостойким лаком или металлическим герметизированным
корпусом, а также бусинкового типа (МКМТ-16) с защитным покрытием
из эпоксидной смолы (рис. 1).
Терморезисторы ММТ-1, КМТ-1, ММТ-6 и'МКМТ-16 предназначены
для работы в сухих закрытых помещениях. Терморезисторы ММТ-5,
ММТ-4Е, КМТ-4Е и НКМТ-4 используются в условиях высокой влаж-
ности и непосредственно в жидкостях, не вызывающих каких-либо реак-
ций с материалом корпуса.
Терморезисторы предназначены для использования в качестве тер-
мометров сопротивления, датчиков для измерения и регулирования тем-
пературы, измерения влажности воздуха, скорости ветра и т. ii.
Терморезисторы НКМТ-1 и НКМТ-4 конструктивно аналогичны
терморезисторам КМТ-1 и КМТ-4, но имеют сопротивление только двух
номиналов 24 и 33 ком с допусками +10% и +20%.
5
Параметры	Тип				
	ММТ-1	КМТ-1	НКМТ-1	ММТ-4	
Интервал рабочих температур,	От —60	От —60	От —60	От —60	
°C ... •		до+125	до +180	до +180	до +125	
Относительная влажность, % Наибольшее допустимое уско-	80	80	80	08	
рение при вибрациях, g . . .	7,5	7,5	10	7,5	
Частота вибраций, гц	 Наибольшее допустимое уско-	10—1000	10—1000	50	10—1000	
рение при ударе, g 	 Атмосферное давление, мм рт. ст.:	35	35		35	
наименьшее		2	2	10	2	
наибольшее	 Гарантийный срок:	7600	7600	7600	7600	
службы, ч		5000	5000	3000	5000	
хранения, год 		10	10	3	10	
Тип
Параметры	ММТ-1	КМТ-1	НКМТ-1	ММТ-4
Диапазон номинальных сопро- тивлений, ком		1—220	22—1000	22 и 33	1—200
Допустимые отклонения вели- чины сопротивления от номинала, % 		+20	+20	±10 +20	±20
Мощность рассеивания, мет: наибольшая 		600	1000	1000	700
при наибольшей рабочей тем- пературе 		0,4	0,3	0,3	0,5
Постоянная времени, сек . . .	85	85	85	115
Коэффициент рассеивания, мвт/град		4,5			8
Теплоемкость, мет - сек/град	63	—	—	424
Постоянная В, ° К		2060— 4300	3600— 7200	3600	2060— 4300
Температурный коэффициент	От —2,4	От —4,2	От —3,8	От —2,4
сопротивления, %/град ....	—5,0	до—8,4	до —5,0	до —5,0
Изменение величины сопротив- ления после 48-часовой вы- держки в атмосфере с влаж- ностью 98%, %		От ±1 до ±3	От +1 до ±3	±1	От ±1: ДО ±3
6
Таблица 1
терморезистора
	ММТ-4Е	КМТ-4	КМТ-4Е	НКМТ-4	ММТ-5	MM5F-8	КМТМ-16
	От —60 до +85 98	От —60 до 4-125 98	От —60 до +85 98	От —60 до +125 98	От —70 Гдо +120 98	От —60 до +120 80	От —60 до +120 80
	4 5—200	7,5 10—1000	4 5—200	10 50	—	10 50	—
	35	35	35	—	—	—	15
	2 7600	2 7600	2 7600	10 7600	2 7600	2 1520	1 7600
	10 000 10	5000 10	10 000 10	3000 3	5000	5000 2	—
Таблица 2
терморезистора
	ММТ-4Е	КМТ-4	КМТ-4Е	НКМТ-4	ММТ-5	ММТ-6	МКМТ-16
	1—200	22—1000	22—1000	22 и 33	1—200	10—100	2,7 и 5,1
	±20	±20	±20	±10 ±20	—	±20	—
	500	800	500	500	400	50	40
	0,4	0,3	0,2	0,2					
	115	115	115	115	90	35	4
	8	—	—	—	—	—	——
	424	—	—				—	
	2060 -2,4	3600 7200 От —4,2 до—8,4] От ±1	3600 —4,2	3600 От —3,8 до —5,0	—3,4	2060— 2920 —2,4	-4,0
	±1	до ±3	±1	±1	—	±1	—
7
Терморезисторы ММТ-4Е и КМТ-4Е по параметрам аналогичны
ММТ-4 и КМТ-4, но имеют повышенную надежность.
КМТ-1, ММТ-1
ММТ-4, КМТ-4
Рис. 1. Внешний вид и основные размеры термометров сопротивления:
/ — стеклянный изолятор; 2 — металлический корпус; 3 — рабочее тело.
МКМТ-16
Условия эксплуатации терморезисторов приведены в табл. 1, а их
параметры — в табл. 2. Характеристики терморезисторов приведены на
рис. 2—4.
ТЕРМОКОМПЕНСАТОРЫ
Конструктивное оформление — отдельные полупроводниковые шайбы
с нанесенными на торцах серебряными электродами или набор полупро-
водниковых шайб в металлическом герметизированном корпусе (рис. 5).
Терморезисторы ТКИ и КМТ-14 выполнены в виде цилиндриков и дисков.
Для защиты от влаги терморезисторы типа ТКИ покрываются влагостой-
ким лаком, а КМТ-14 помещаются в стеклянный корпус. Терморезисторы
типа КМТ-17 промышленностью выпускаются в двух вариантах оформле-
ния: с выводами, расположенными по одну сторону шайбы (со сдвигом
относительно центра на 1,25 мм) и с выводами с противоположных сто-
рон шайбы.
Терморезисторы ММТ-8 и ММТ-9 предназначены для температурной
компенсации сопротивления рамок измерительных приборов. Они обеспе-
чивают стабильность сопротивления всей цепи с точностью i2% в ин-
тервале температур от —50 до +50° С.
Терморезисторы ТКИ предназначены для температурной компенсации
сопротивлений медных и алюминиевых проводов в измерительных приборах.
8
Рис. 2. Характеристики тер-
морезисторов ММТ-1:
а — вольт-амперная; б —темпера-
турная.
Рис. 3. Характеристики тер-
морезистора КМТ-1:
а — вольт-амперная; б — темпе-
ратурная.
Рис. 4. Характеристики тер-
морезистора КМТ-4:
а — вольт-амперная; б — темпе-
ратурная.
ММТ-8, КМТ-д
ММТ-9
ММТ-12
Рис. 5. Внешний
вид и основные раз-
меры термокомпен-
саторов:
I — серебряные элект-
роды
СТ1-17, СТЗ-17
Термореэисторы КМТ-14 и КМТ-17 могут применяться в схемах из-
мерения и регулирования температуры. Терморезистор КМТ-14 предна-
значен для применения в воздушной или жидкой средах, а КМТ-17 —
только в воздушной среде.
Терморезисторы ММТ-8, КМТ-8. КМТ-14 и КМТ-17
пписоединяются к схеме пайкой соединительных про-
водов к выводам, а ММТ-9, ММТ-12 и КМТ-12 —при-
жимными контактами.
Терморезисторы СТ1-17, СТЗ-17 и CT3-23 вы-
полнены в виде дисков и прямоугольных пластин,
защищенных влагостойким покрытием, и подсоединя-
ются к схеме пайкой гибких выводов.
Условия эксплуатации терморезисторов приведены
в табл. 3, а их параметры — в табл. 4.
ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ ДЛЯ ТЕПЛОВОГО
контроля
06
05&-
К МТ-10
Рис. 6. Внешний
вид и основные
размеры термо-
резистора для
теплового конт-
роля:
1 — металлический
корпус; 2 — термо-
резистор КМТ-11.
Конструктивное оформление — круглые опрессо-
ванные стержни, защищенные влагостойким лаком
(КМТ-11) или металлическим корпусом (КМТ-10, рис. 6).
Терморезисторы КМТ-10а имеют контактные выводы,
приваренные к траверсам пластмассового корпуса.
Терморезисторы предназначены для контроля
температуры с точностью до iO,5°C, а также при-
меняются в схемах температурной сигнализации и те-
плового контроля, использующих релейный эффект.
Суть релейного эффекта заключается в том, что при
определенной температуре окружающей среды ток
через терморезистор скачком увеличивается в сто и
более раз, поэтому можно включать электромагнитное
реле непосредственно в цепь терморезистора. В момент
проявления релейного эффекта протекающий ток разо-
гревает рабочее тело до температуры 300—400° С. Для предохранения
терморезистора от повреждения его необходимо закорачивать на время
работы электромагнитного реле.
Характеристики терморезистора
6
Рис. 7. Характеристики терморезистора КМТ-10:
а — вольт-амперная; 6<— температурная.
11
Параметры	Тип					
	ММТ-8	КМТ-8	ММТ-9 |	ММТ-12 |	ММТ-13	КМТ-12
Интервал рабочих	От —40	От —40	От —60	От—60	От —60	От —60
температур, °C . . .	до 4-70	до 4-70	до 4-125	до 4-120	до 4-120	до 4-120
Относительная влаж-	98	98	80	80	80	80
ность, % 	 Наибольшее допусти- мое ускорение при	при +40° С	при 4-40° С	при 4-25°С	при +25° С	при 4-25°С	при 4-25°С
вибрациях, g . , . . Частота вибраций,	7,5 10—	7,5 10—	7,5 10 —	10	10	10
гц	 Наибольшее допусти- мое ускорение при	1000	1000	600	20	20	20
УДаре, g 	 Наибольшее допусти-	35	35	35	—	35	—
мое число ударов . . Атмосферное давле- ние, мм рт. ст.:	10 000	10 000	10 000	—	1000	—
наименьшее ....	0,05	0,05	2	10	10	10
наибольшее .... Гарантийный срок:	7600	7600	7600	760	7600	7600
службы, ч . . . .	5000	5000	5000	5000	5000	5000
хранения, год . . .	8,5	8,5	8,5	6,5	6,5	6,5
Вес, г		20	20	3,4	1,5	12	1,5
Параметры	Тип					
	ММТ-8	КМТ-8	ММТ-9	ММТ-12	ММТ-13	
Диапазон номинальных сопротивлений, ком . . .	0,001-1	0,1-10	0,01-4,7	4.7 • 10-1	0,01—2.2	
Допустимые отклонения величины сопротивления от номинала, % . .	±10 ±20	±10 ±20	±ю ±20	+ 30	±30	
Мощность рассеивания, мвт‘. наибольшая		600	600				
при наибольшей рабо- чей температуре ....	2	2	2	3	1.2	
Постоянная В, 0 К . . . • Температурный коэффи- циент сопротивления, %/ерад		2060— 3430 От —2,4 до —4,0	3600- 4300 От -4,2 до —5,0	2060— 2920 От —2,4 до —4,0-	От —2,4 до —4,0	3600- 4290 —4,2	
Изменение величины со- противления после 48-ча- совой выдержки в атмо- сфере с влажностью 98%, %		От ±5 до ~ЬЭ	От до ±3	От ±1 до ±3	—	—	
’) Коэффициент рассеивания 0,8 мвт/град". теплоемкость 8 мет  сек/град.
*) Постоянная времени 30 сек.
12
Таблица 3
термореэистора
	КМТ-14	КМТ-17	СТ1-17	СТЗ-17	CT3-23	ТКИ-1	тки-	тки-з
	От —Ю до 4-300 100	От —60 до 4-155 80 при 4-25°С	От —60 до 4-100 98 при 4-40°С	От-60 до 4-100 98 при 4-40°С	От —60 до 4-100 98 при 4-40°С	От —40 де 4 70	От —40 до 4-70	От —40 до 4-70
	10 10— 80	7,5 10 — 1000	7,5 10 — 1000	7,5 10 — 1000	2,5 10 — 80	—	—	—
	12	12	35	35	12	—	—	—
	—	—	10 000	10 000	5000	—	—	—
	5	5 7600	2 7600	2 7600	720 760	10 7600	10 7600	10 7600
	1,5 4	3000 3	3000 0,02	3000 0,02	3000 1,5	От	0,5 до	2,5
Таблица 4
терморезистора
	КМТ-141)	КМТ-17’1	[СТ1-17	СТЗ-17	CT3-23 ।	ТКИ-1	ТКИ-2	тки-з
	0,5; 0,91 160; 200 330; 4300 7500	0,3—20	0,3-22	0,033 0,047 0,068 0,01; 0,15 0,22; 0,33	0,0022 0,0027 0,0039 0,0047	0.005-0,4	0,01-1	0,01-20
	±30	±10 ±20	±10 ±20	±10 ±20	±ю ±20		—	—
	—	0,5	500	500	—	—	—	—
	—	—	0,1	0,2	3	—	—	—
	От —2.3 ДО —3,9	—4,2	3600- 6000	2580— 3860	2600- 3200	—0,4	— 2,6	-2,8
	±3	±2	—	—	—			—		
13
Параметры терморезисторов КМТ-10, КМТ-10а, КМТ-11
Диапазон номинальных сопротивлений, ком. 100—3300
Допустимое отклонение величины сопротивле-
ния от номинала, % ............... ^20
Наибольшая мощность рассеивания, мет . ... . 250
Температурный коэффициент сопротивления, % . . —4,2
Коэффициент рассеивания, мет/град'.
КМТ-10................•................ 0,65
КМТ-11..................................0,4
Теплоемкость, мет • сек/град'.
КМТ-10..................................3,25
КМТ-11................•.................1,4
Постоянная времени КМТ-11, сек ......... 24
Интервал рабочих температур, • С.........0—120
Относительная влажность, %:
КМТ-10, КМТ-10а.......................... 80
КМТ-11 ................................. 98
Наибольшее допустимое ускорение при вибра-
циях, g .........................•	... .	10
Частота вибраций, гц .............. 40—50
Наибольшее допустимое ускорение при ударе для
КМТ-11, g . . •......................... 20
Рис. 8. Внешний вид
и основные размеры
терморезистора
ТОС-М.
ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ ТИПА ТОС-М
Конструктивное оформление — плоский оп-
рессованный диск из полупроводникового мате-
риала с гибкими выводами, покрытый влаго-
стойким лаком (рис. 8). Применяются термо-
резисторы ТОС-М в качестве датчиков темпе-
ратуры автоматических обогревающих устройств.
Характеристики терморезистора изображены
на рис. 9.
а — вольт-амперная} б — температурная.
14
Параметры терморезистора ТОС-М
Диапазон номинальных сопротивлений, ком .... 5—6,5
Температурный коэффициент сопротивления,	%	—3
Номинальный ток, ма........................... 2,5
Максимальный ток, ма .............	5
НаибоЛьшая мощность рассеивания, мет........ 50
Коэффициент энергетической чувствительности,
мвт/70 . . -....................•........... 3,3
Постоянная рассеивания, мвт/град............ 7,1
Теплоемкость, мет • сек/град ..........	89
Постоянная В, ° К........................... 3200
Постоянная времени, сек.................•	.	45
Наибольшая рабочая температура, °C..........180
Срок службы, ч...........•..................500
Вес, г ... . • • • • . •....................0,5
ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ
Конструктивное оформление — полупроводниковый шарик, располо-
женный на тонких проводах в стеклянном корпусе или без него (рис. 10).
Основное назначение — чувствительные элементы в радиотехнической
и индикаторной аппаратуре для измерений мощности от долей микро-
ватта до нескольких миливатт. Могут
применяться для измерений темпера-
туры в схемах, где требуется малая
постоянная времени. Особенно удобны
для этой цели терморезисторы типа Т8
без стеклянного корпуса.
Параметры измерительных термо-
резисторов приведены в табл. 5, а
основные
типов терморезисторов показаны
рис. 11—17.
50
характеристики отдельных
на
Рис. 10. Основные размеры из-
Рис. 11. Характеристики терморезистора Т8С1М:
а — вольт-амперная; б — температурная.
15
Параметры
Сопротивление в рабочей точке при
20° С, ом.......................
Мощность в рабочей точке при
20® С, мет:
минимальная .....................
максимальная ...................
Чувствительность в рабочей точке,
ом[мвт ..............
Тип
Т8Д	Т8Е	Т8М	Т8Р	Т8С1
. 150	150	200	125	120
10	7	9	7	9,5
15	10	И	12	24
20 -30	30—70	66—90	10—19	10—40
Примечания) I. Температурный коэффициент сопротивления от —1,0
2. Постоянная В = 15004- 5000° К.
3. Постоянная времени 0,5—2,5 сек.
4. Срок службы 500 я.
а — вольт-амперная; б — температурная.
ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ ДЛЯ СТАБИЛИЗАЦИИ НАПРЯЖЕНИЯ
Конструктивное оформление — круглые опрессованные стержни,
заключенные в стеклянный баллон с нормальным октальным цоколем,
откачанный до давления 10 мм рт. ст. (рис. 18).
16
Таблица 5
термореэистора
Т8С2	Т8СЗ	T9	Т8С1М	Т8С2М	Т8СЗМ	тип	ТШ2
150	15	125	150	150	150	125	150
8	7	7	9,5	8	7	7	13,5
19	23	19	24	19	23	11	17,5
12—25	10—50	10—40	10—40	12—25	10—50	—	—
до — 5,6%/град.
Обозначения: ТП — терморезистор прямого подогрева; число в чис-
лителе указывает номинальное напряжение в вольтах, а число в знаме-
нателе — средний рабочий ток в миллиамперах.
Терморезисторы предназначены для стабилизации напряжения в
цепях постоянного и переменного токов с частотой до 150 кгц. После
500 ч работы допускается смещение точек вольт-амперной характерис-
тики на ±3% от первоначального положения-
Рис. 13. Характеристики терморезистора T9:
а — вольт-амперная; б — температурная.
Терморезисторы ТСТ-1А применяются для устранения пусковых
токов в бареттерных схемах (включаются последовательно с бареттером).
Параметры терморезисторов типа ТП приведены в табл. 6, а характерис-
тики— на рис. 19 и 20.
17
Рис. 14. Зависимость
вольт-амперной характе-
ристики терморезистора
Т8 от характера окру-
жающей среды.
Рис. 15. Характеристики
терморезистора Т8Р:
а — вольт-амперная; б — тем-
пературная.
Рис. 16. Характеристики терморе-
зистора Т8М:
а — вольт-амперная; б — температурная.

Таблица 6
Параметры	Тип термо резистора		
	ТП2/0.5	ТП2/2	ТП6/2
Номинальное напряжение, в		2,0	2,0	6,0
Общий предел стабилизации, в • ... .	1,6—3,0	1,6—3,0	4,2—7,8
Рабочая область по току, ма ......	0,2—2,0	0,4—6,0	0,4—6,0
Средний рабочий ток, ма ........	0,5	2,0	2,0
Максимально допустимое изменение под- водимого напряжения, в		0,4	0,4	1,2
Предельно допустимая кратковременная перегрузка, ма		4,0	4,0	12,0
Максимальная продолжительность пере- грузки, сек	‘	. . .	2	2	2
Сопротивление изоляции между рабо- чими выводами при относительной влажности 95%, Мом		5	5	5
Постоянная В, °К •		От 3900	до 15 800	
Срок службы, ч		5000	5000	5000
Диаметр рабочего тела, мм		От 0,2	до 0,3	
Длина рабочего тела, леи	  .	.	От 0,6	До 1,3	
Вес, г		45	45	45
20
Рис. 20. Характеристики терморезистора ТП2/2;
а — вольт-амперная; б — температурная.
Параметры терморезистора ТСТ-1А
Сопротивление в холодном состоянии, ом ... .	20
Горячее сопротивление, ом ................ 4
Температурный коэффициент сопротивления,
% /град.................................—1.4
Максимально допустимый ток, ма......... 3
Максимально допустимая мощность, мет	....	40
Постоянная В, ° К...................1320
Диаметр рабочего тела, мм............. 6
Длина рабочего тела, мм...........  17,5
Вес, г .....................	45
ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ КОСВЕННОГО ПОДОГРЕВА
Конструктивное оформление — стеклянный баллон с номинальным
октальным цоколем. Рабочее тело ,-------I—
терморезистора представляет собой
цилиндр из полупроводникового
материала, размещенный внутри
цилиндрического подогревателя
(рис. 21).
Обозначения: ТКП—терморе-
зистор косвенного подогрева;
число, стоящее после букв, обо-
значает сопротивление рабочего те-
ла терморезистора при номиналь-
ной мощности, подводимой к подо-
1—033—1 ТКП
Рис. 21. Внешний вид, цоколевка
и основные размеры терморезисто-
ров косвенного подогрева.
гревателю.
Параметры терморезисторов ко-
свенного подогрева приведены в
табл. 7, а характеристики — на
рис. 22 и 23.
21
а	б
Рис. 22. Характеристики терморезисторов ТКП-300:
а — вольт-амперная; б — температурная; в — подогревателя.
Рис. 23. Характеристики терморезисторов типа ТКП:
а — вольт-амперные; б — зависимость сопротивления от мощности,
рассеиваемой в подогревателе.
Таблица 7
Параметры	Тип терморезистора			
	ТКП-20	ТЦП-50А	ТКП-50Б	ТКП-300
Сопротивление в холодном со- стоянии, ком	.	. Температурный коэффициент со-	0,5	2,0	0,75	10
противления, %/град	 Номинальная мощность подо-	—2,0 ,	—2,3	—2,3	—3,5
грева, мет	 Сопротивление терморезистора	160	160	160	20
при номинальной мощности,				
ом		20	50	50	300
Постоянная В, ° К	 Пробивное напряжение между рабочим телом и подогрева-	1850	3200	3200	3000
телем, в 	 Максимальный рабочий ток че-	150	150	150	50
рез подогреватель, ма 	 Номинальный ток через подо-	40	35	35	20
греватель, ма ......... Величина сопротивления подо- гревателя при токе через об-	30	25	25	15
мотку 10 ма, ом	 Коэффициент энергетической	40	40 0,04654	40	30
чувствительности, мвт[% . . . Максимальная мощность рассея- ния в обмотке подогревателя при максимальном рабочем	0,00295		0,04654	0,0919
				
				
токе, мет	 Максимально допустимый пере-	180 + 40	160 + 40	160 + 40	20 ±40
				
грузочный ток через подогре-				
ватель, ма		49	45	45	25
Постоянная времени, сек .... К. п. д. (соотношение мощное-	143	114	114	13,5
тей, необходимых для разог- рева терморезисторов до горя-				
чего сопротивления	при прямом и косвенном обогре- ве), %	  .	94	97	97	50
Примечание. Срок службы 3000 ч,
II. ВАРИСТОРЫ
Варисторы — нелинейные полупроводниковые резисторы, величина
сопротивления которых изменяется в зависимости от приложенного на-
пряжения. Они изготовляются на основе размолотого карбида кремния
с добавкой связующего вещества.
Типовая характеристика варистора представлена на рис. 24. Как сле-
дует из приведенной характеристики, варисторы являются симметричными
Рис. 24. Типовая характе-
ристика варистора.
Статическое сопротивление
стора при постоянных значениях
Рис. 25. Внешний вид варис-
торов:
а — НПР; б - СН.
сопротивлениями, т. е. такими, у ко-
торых одним и тем же абсолютным
значениям напряжения соответствуют
равные абсолютные значения токов.
Основные параметры варисторов:
/?ст — значение сопротивления вари.
•ока и напряжения
R
С1
U
I ‘
Динамическое сопротивление — значение сопротивления при малых
изменениях тока через варистор. Вычисляется для определенного среднего
значения тока или напряжения
R
_At/
« Д/
24
Коэффициент нелинейности Р — отношение значений статического
К динамического сопротивлений
в—R"
Варисторы применяются в маломощных стабилизаторах напряжения,
автоматических регуляторах усиления, системах автоматической регули-
ровки полосы пропускания, в устройствах, снижающих нелинейные иска-
жения, стабилизаторах амплитуды в /?С-генераторах, триггерах и т. п.
Конструктивное оформление — металлизированные с торцов диски или
цилиндры с гибкими выводами или без них (рис. 25).
Обозначение: НПР — нелинейный полупроводниковый резистор.
Первая группа цифр обозначает величину номинального значения напря-
жения в вольтах. Вторая (цифры в первых скобках) — величину номи-
нального тока через варистор в миллиамперах. Третья (цифры во вто-
рых скобках) — значение коэффициента нелинейности.
Параметры варисторов приведены в табл. 8 и 9.
Таблица 8
Параметры	Тип варистора		
	НПР-5 (0,7—10)— (1,5—20)	НПР-20 (0,7—20)— (2-3)	НПР-50 (0.7—30)— (2.0—4,5)
Номинальное напряжение, в ... . Номинальный ток, ма	 Коэффициент нелинейности .... Допустимая мощность рассеивания, вт	5 0,7—10 1,5—20 0,5	20 0,7—20 2,0-3,0 0,75	50 0,7—30 2,0—4,5 1,0
Таблица 9
Параметры	Тип варистора					
	СН1-1-1	СН1-1-2	СН1-2-1	I СН1-2-2	СН1-3	СН1-6
Нормальный (клас- сификационный) ток, ма	 Нормальное (клас- сификационное) на- пряжение, в . . .	10	10	2	3	5	20
	1500	1300	270	100	5,6—27	
	1300 1200 1000 820 (80 560	680 560	220 180 150 120 100 82 68 56	82 68 56 47 33 27 22 15		33
25
Продолжение табл. 9
Параметры	Тип варистора					
	СН1-1-1	СН1-1-2 |	СН1-2-1 |	СН1-2-2	СН1-3	СН1-6
Наибольшая ампли- туда импульсного напряжения, в . 	2000	1700	800	230		150
	1700	1300	650	200		
	1600	1200	550	170		
	1500		450	150		
	1400		360	120		
	1300		300	110		
	1200		250	95		
			210	90		
			180	80		
				70		
				60		
Наименьший коэф- фициент нелиней-						
ности 	 Наибольший темпе-	3,5—4,5	3,5—4,5	3,5	3—3,5	2,0	4
ратурный коэффи- циент тока (напря- жения), %/град . .	+0,7	+0,7	+0,7	+0,7	—	0,15
Начальная ем-				20—30	20—30		600—
кость, пф ... . Допустимая мощ-						800
ность рассеивания, вт		1	0,8	1,0	1,0	0,1	2,5
Наибольшая допу- стимая температура						
окружающей сре- ды,” С	+ 70	+ 70	+ 60	+ 60	+ 75	+ 75
Наибольшая допу- стимая температура варистора, °C..	+ 125	+ 125	+ 125	+ 125	+ 125	+ 12’
Размеры, мм: диаметр 		8,6	6	16	12	—	34
длина (толщина)	19	16	6,5—8,5	6,5	—-	9
длина выводов . .	25	25	25	25	—	25
Конструкция ва- ристора 		Цилиндр	Цилиндр	Диск	Диск	—	Диск
Примечание. Варисторы СН1-3 имеют мнкромодульное исполнение.
111. ФОТОРЕЗИСТОРЫ
Фоторезисторы — полупроводниковые резисторы, изменяющие свое
сопротивление под воздействием светового потока или проникающего
излучения.
В зависимости от спектральной чувствительности фоторезисторы
делятся на три группы: фоторезисторы для видимой части спектра,
‘фоторезисторы для инфракрасной части спектра и датчики проникающего
излучения.
Материалом для изготовления фоторезисторов являются сернистые,
селенистые соединения кадмия и свинца. Чувствительные элементы изго-
товляются из монокристаллов или из поликристаллов этих соединений.
Обозначение типов фоторезисторов: первый элемент — буквы, обозна-
чающие тип прибора (ФС — фоторезистор, РГД — рентгеногамма-датчик);
второй элемент — буква, обозначающая материал чувствительного эле-
мента (А — сернистый свинец, К— сернистый кадмий, Д — селенистый
кадмий); третий элемент — цифра, обозначающая тип конструктивного
оформления. Буква Г перед цифрой обозначает герметизированный ва-
риант выполнения, а буквы П или М — пленочный или монокристалли-
ческий материал чувствительного элемента. Буква Т в конце обозначе-
ния. определяет «тропический» вариант выполнения, предназначенный для
эксплуатации в условиях повышенных температуры и влажности.
Основные параметры фоторезисторов:
Темновой ток /тем — ток, протекающих в цепи фоторезистора при-
приложенном рабочем напряжении через 30 сек после снятия освещен-
ности 200 лк.
Темновое сопротивление /?тем — сопротивление фоторезистора при-
20° С через 30 сек после снятия освещенности 200 лк.
Световой ток /св — ток через фоторезистор при приложенном рабо-
чем напряжении и освещенности 200 лк от источника света с цветовой
температурой 2850° К. Минимальное значение ограничивается требова-
ниями ГОСТ или ТУ.
Фототок — разность между установившимся значением светового
т°ка и значением темнового тока.
Удельная чувствительность — отношение фототока к произведению
величины падающего на фоторезистор светового потока на приложенное
к нему напряжение
^о='^- мка1лм • в»
где —фототок; Ф — световой поток, падающий на фоторезистор; U —
“анряжение, приложенное к фоторезистору.
27
Иногда удельную чувствительность определяют с учетом расстояния
между электродами фоторезистора
К * = К01 мка/лк  в,
где 1\_ — расстояние между электродами фоторезистора.
Пороговая чувствительность — минимальный световой поток, вызы-
вающий появление фототока, вдвое превышающего шумовой ток фоторе-
зистора.
Рабочее напряжение — напряжение, которое может быть приложено
к фоторезистору при длительной эксплуатации его без повреждения. Вели-
чина рабочего напряжения устанавливается в каждом конкретном случае
экспериментально с учетом допустимой мощности рассеивания и необхо-
димого запаса по пробивному напряжению.
Мощность рассеивания Ррас — допустимое значение мощности, рас-
сеиваемой на фоторезисторе без его теплового повреждения. Определя-
ется при температуре окружающей среды 20° С.
Фоторезисторы обладают достаточно высокой стабильностью своих
параметров. Основной причиной их выхода из строя являются непра-
вильные режимы эксплуатации и хранения.
Поведение фототока является достаточно точной характеристикой
состояния фоторезистора. В процессе длительной эксплуатации фоторе-
зистора наблюдается стабилизация фототока, при этом его величина
может измениться на 20—30%.
Следует отметить, что фоторезисторы чувствительны к быстрой
циклической смене крайних температур, поэтому не следует допус-
кать более трех циклов.
Хранить фоторезисторы следует при температуре окружающей среды
(5—35)° С и влажности не более 80%. В окружающей атмосфере должны
отсутствовать вредные примеси паров кислот или щелочей.
Фоторезисторы могут применяться в преобразователях световых сиг-
налов в электрические в цепях постоянного, переменного, пульсирующего
и импульсного токов.
Основные характеристики фоторезисторов:
Вольт-амперная, характеризующая зависимость фототока (при по-
стоянном световом потоке) или темнового тока от приложенного напря-
жения.
Спектральная, характеризующая чувствительность фоторезистора
при действии на него потока излучения постоянной мощности определен-
ной длины волны.
Частотная, характеризующая чувствительность фоторезистора при
действии на него светового потока, изменяющегося с определенной ча-
стотой.
Световая (люкс-амперная), характеризующая чувствительность фото-
резистора в зависимости от величины падающего на него светового
потока постоянного спектрального состава.
ФОТОРЕЗИСТОРЫ ДЛЯ ВИДИМОЙ ЧАСТИ СПЕКТРА
Чувствительные к видимой части спектра фоторезисторы изготовля-
ются на основе сернистого и селенистого кадмия.
Промышленность выпускает чувствительные элементы в пластмассо-
вых или металлических корпусах, или без корпуса для сборки их
в блоки последовательного или параллельного соединения. К фоторезис-
28
торам без корпуса относятся: ФСК-la, ФСК-5, ФСК-7а, ФСК-76 (рис. 26, а>.
ФСК-5 предназначен для сборки в блоки. ФСК-1а и ФСК-7 имеют чув
ФСК-5	ФлЛ~11а„ ФСК-70	ФСК-Iff
Ч'Ьп Ju
СФЗ-1
СФ2-1	ФСК-П1
г
Рис. 26. Фоторезисторы:
вез корпуса; б — в пластмассовом корпусе; в — в металлическом кор-
пусе; г — малогабаритные.
фСК“ЧЬИЬ1й элемент, приклеенный к стеклянной пластинке. Фоторезисторы
Щихся ВЫпускаются в ДВУХ модификациях ФСК-7а и ФСК-76, отличаю-
ЧувствиК0НфиГуРацией электР°Д°в- Электроды у них нанесены на свето-
ЯЦт Ко;еЛЬНЫЙ Слой* а к схеме они подключаются с помощью прижим-
29
Параметры				Тип фото	
	ФСК-1 а	ФСК-1	ФСК-2	ФСК-4а	
Общие размеры, мм ....... Размеры чувстви- тельного элемен- та, мм . ... . Рабочая площадь чувствительного элемента, леи2 . . Расстояние между электродами, мм Способ соединения со схемой .... Тип чувствитель- ного элемента . .	14,5х8,5х Х2 0 8X1 28,8 4 Паять	0 28х?16 0 8x1 28,8 4 Прижим	28x16x12,5 8X1 28,8 4 Октальная панель Сернист	24х 18x3 7x3x1 12 4 Паять о-кадмиевый,	
Параметры					Тип фото	
	ФСК-Г2	СФЗ-2	ФСК-П1	СФ2-1	ФСК-М1	
Общие размеры, мм	 Размеры чувстви- тельного элемен- та, мм . ... . Рабочая площадь чувствительного элемента, ммг . . Расстояние между электродами, мм Способ соединения со схемой .... Тип чувствитель- ного элемента . .	0 33x 32 2Х (8x1) 57,6 4 Октальная панель Сернис	15Х9Х Х3,5 12х6х Х0,5 28 1 Паять то-кадмие	13х8х Х2.8 6x6x0,5 12 2 Паять зый, плене	8x5x2,5 1,5хЗх Х1,2 0,45 0,3 (0,5) Паять >чный	0 28x21 2 1 Октальная панель Сернисто- пленоч	
30
Таблица 10
резистора
ФСК-5	ФСК-6	ФСК-7а	ФСК-76	ФСК-Г7	ФСК-Г1
6x1x1	0 28х 17	0 25x4	0 25x4	0 22x11	0 22х 15,5
6x1x1	0 16x1,5	0 25x1,5	0 25X1,5	0 20x1	0 8X1
1	162	238	239	221	28,8
1	4	7	3,15	6,5	4
Паять	Октальная панель	Прижим	Прижим	Паять	Паять
прессованный
Продолжение таблицы 10
резистора
	ФСК-М2	ФСД-1а	ФСД-1	ФСД-П	СФЗ-1	СФ2-2
	0 28x21	14,5x8,5x2	0 18x12	0 22х Х15,5	0 8x5x2,5	15х9х Х3,5
	—	0 8x1	0 8x1	0 8x1	1,5хЗх1,2	12х6х ХО,5
	1,65	28,8	28,8	28,8	0,45	32,5
	1,1	4	4	4	0,3	0,5
	Октальная панель	Паять	Семиштырь- ковая панель	Паять	Паять	Паять
	кадмиевый, ный	Сернисто-кадмиевый, прессованный, пленочный				
31
	Гии фото					
Параметры	cq		сч	nJ		
	к	ЬсГ		к		ЬсГ
	и	и	и	и	и	и
	е	е	е	е	е	е
Интервал рабочих температур. ЭС . .	От —60	От —60	От —60	От —60	От —25	От —60
	До +85	до +85	до +85	до +85	до +55	до +85
Относительная влажность, % . . . .	80 при	80 при	80 при	80 при	80 при	80 при
	25° С	25° С	25° С	25° С	20° С	25° С
Наибольшее допустимое ускорение при вибрациях, g 		7,5	7.5	7,5	7,5			7,5
Частота вибраций, гц 		5—1000	5—1000	5-1000	5-1000	—	5-1000
Наибольшее допустимое ускорение при ударе, g 		35	35	35	35			35
Наибольшее допустимое число ударов	10 000	10 000	10 000	10 000	—	10 000
Наибольшее допустимое постоянное ускорение, g 		25	25	25	25			25
Гарантийный срок: службы, ч		10 000	10 000	10 000	10 000	5000	10 000
хранения, год 		8.5	8.5	8.5	8,5	3	8,5
Примечание. Наименьшее допустимое атмосферное д изление 0,05 им рт. ст.
Тип фото
Параметры	ФСК-1а	ФСК-1	ФСК-2	1 ФСК-4а	ФСК-5	ФСК-6	ФСК-7а	ФСК-76
Рабочее напряжение, в . . . Световой ток, ма:	50	50	100		50	50	50	10
наименьший		1500	1500	600	1500	83	1500	350	800
среднее значение 	 Темновой ток, мка:	2000	2000	1000	2000	1000	2000	500	3000 100
наибольший		15	15	30	30	5	15	100	
среднее значение 	 Среднее значение:	5	5	10		1	5	10 250	10 7500
Ко, мка ,1м- в		7000	7000	1боо	15 000	220 000	6000		
К*. чка,!.1К-в		1100	1100	250	2 40	2200	128	150	600
Темновое сопротивление, Мом	3,3	3.3	3.3	1.6	10	3.3	0,5	0.1
Наименьшее значение крат- нос г и			100	100	20	50	17	100	3.5	8
Интегральная чувствитель- ность, а!лм		2,8	2,8	0,5	.3,0	5,0	0,28	0.15	3,6
Допустимая мощность рас- сеивания, мет		125	125	125	125	50	200	350	350
32
Таблица 11
резистора
	ФСК-Г1	ФСК-Г2	ФСК-Г7	ФСД-1	ФСД-1а	ФСД-Г1	СФЗ-1	ФСК-П1	Сф2-2	СФЗ-2	СФ2-1
		От —60	От -60	От —60	От —60	От —60	От —60	От —60	От —60	От —60	От —60
	—60 до	До +8 5	до 4-85	до 4-40	До 4-40	до 4-40	до 4-85	До 4-85	до 4-85	До +85	До 4-85
	-|-85 98 при	98 при	98 при	80 при	80 при	98 при	98 при	98 при	98 при	98 при	98 при
	20° С	40° С	40° С	20° С	20° С	40° С	.20° С	20° С	20° С	20° С	20° С
	7.5	7,5	7,5	7,5	7.5	7.5	2,5	12	2,5	2,5	2,5
	5- 1000	5—80	5-80	5-1000	5—1000	5—1000	10—80	10- 3000	10—80	10—80	10-80
	35	12	12	35	35	35	12	35	12	12	12
	10 000	10 000	10 000	10 000	10 000	10 000	10 000	4000	5000	5000	10 000
	25	25	25	25	25	25	9	50	9	9	9
	10 000	10 000	10 000	1000	1000	1000	3000	5000	1000	1000	1000
	8,5	8,5	8,5	8,5	8.5	8,5	5	5	5	5	5
Таблица 12
резистора
		сч	С				£	СЧ %	а		и		
	&	£	£	СЧ	СЧ	СО	&			Е(			
	и	и	и	е	е	е	о	и	О	и	<		в
	е	е	е	и	о	и	е	е	е	е	е		и
	50	50	100	15	2	5	70	70	20	20	20	15	
	1500	2500	1000	500	500	500					1500	1500	1500	750	
	2000	6000	2000	1000	1500	2000	300	1000	3000	3000	3000	1500	
	15	30	1	1	1	1					10	10	10	0.5	
	5	10	0,01	0,5	0,5-0,2	0,5	1	1	1	1	1	0.01	
	7000	7000	8000	400 000	75 000	80 000	35000—	35000—	30 000	30 000	30 000	60 000	
	1100						50 000	50 000					
		1100	320	360	190	800	—			4800	4800	4800	540	
	3,3	1,65	100	15	2	5	700	70	2	2	2	30	
	100	83	1000	500	500	500	—	—	150	150	150	1500	
	2.1	2,1	4.8	10	0,36	—	0,5—3	3-10	15	15	20	20	
	120	200	100	100	50	100	30-60	30—60	50	50	50	10	
2 544
33
В пластмассовых корпусах выпускаются фоторезисторы: ФСК-1,
ФСК-2, ФСК-4а, ФСК-6, ФСК-Ml, ФСК-М2 (рис. 26,6). Чувствительные
элементы этих фоторезисторов крепятся внутри корпуса, закрывающегося
крышкой с окном. Выводы у фоторезисторов ФСК-1, ФСК-2, ФСК-6
рассчитаны на стандартную октальную панель. Выводы у фоторезистора
ФСК-4а рассчитаны под специальную панель либо пайку. Эти фоторези-
сторы могут так же набираться в блоки.
Особенность конструкции фоторезистора ФСК-6 обусловливается
назначением работы его в отраженном свете (рис. 27).
Фоторезисторы ФСК-Г1, ФСК-Г2, ФСК-Г7, ФСК-Г1Т имеют метал-
лический корпус (рис. 26, в). В
ФСК-6
Отражающая
поверхность
Электроды
8^- (1ТСвет
5
6
Сбеточубст-
оительный
элемент
Рис. 27. Конструктивное оформ-
ление фоторезистора ФСК-6.
корпусе ФСК-Г1 размещаются чувстви-
тельные элементы фоторезисторов
ФСК-1а или ФСК-1. Фоторезистор
ФСК-Г2 имеет два таких чувствитель-
ных элемента, соединенных парал-
лельно. Чувствительный элемент фо-
торезистора ФСК-Г7 дифференциаль-
ного типа. Выводы фоторезистора
ФСК-Г2 сделаны под стандартную
октальную панель. Фоторезисторы
ФСК-П и ФСК-Г7 имеют выводы под
пайку.
В отдельную группу входят мало-
габаритные фоторезисторы: СФ2-4,
СФЗ-4, СФ2-5, СФЗ-5, СФ2-1, СФ2-2,
СФЗ-2, СФЗ-1 и ФСК-П1 (рис. 26, г).
Фоторезистор СФ2-1 имеет прямо-
угольное пластмассовое основание
с чувствительным слоем на торце. От
влаги фоторезистор защищен эпоксид-
ной заливкой. Чувствительные эле-
менты фоторезисторов ФСК-П1,
СФ2-2, СФЗ-2 помещены в пластмас-
совый корпус с окном из фотостекла.
Выводы выполнены гибким серебренным проводом длиной 25—35 мм.
Сернисто-кадмиевые фоторезисторы имеют четыре варианта конст-
руктивного выполнения: ФСД-1а — без корпуса с чувствительным эле-
ментом, приклеенным к стеклянной пластине; ФСД-1 — в пластмассовом
корпусе с выводами под семиштырьковую панель пальчиковой лампы;
ФСД-Г1 —в металлическом герметизированном корпусе и СФЗ-1 в мало-
габаритном оформлении с защитным эпоксидным покрытием.
Таблица 13
Параметры
мкв!гц 2
Тип фоторезистора
Напряжение на
фоторезисторе, в
Величина шума,
34
Общие габаритные характеристики фоторезисторов приведены
в табл. Ю, условия эксплуатации — в табл. 11, параметры —в табл. 12,
а значения уровней собственных шумов для некоторых фоторезисторов —
в табл. 13.
Рис. 28. Характеристики фоторезисторов:
а — спектральная (ФСК-Ml и ФСК-М2)5 б —частотная (СФ2-1).
Из всех сернисто-кадмиевых фоторезисторов СФ2-1, СФ2-2, СФ2-5
и СФЗ-2 имеют самый низкий уровень собственных шумов и обладают
лучшими характеристиками, что позволяет использовать их для обнару-
Рис. 29. Вольт-амперные характеристики фоторезисторов:
в — для различных типов, б — для различных световых потоков.
жени я слабых световых потоков. Эти фоторезисторы также обладают
ысокой пороговой чувствительностью СФ2-1—(2—4) • 10~10 лм,
а СФЗ-1-(2-5) . io-п ЛЛ/.
•Характеристики фоторезисторов приведены на рис. 28—36.
35
Рис. 30. Световая характеристика фоторезисторов:
а — ФСК-1 и ФСК-2; б — СФ2-1 при напряжении 15 в.
Рис. 31. График зависимости:
а — удельной чувствительности от освещенности (СФ2-1, СФ2-2, ФСК-П1);
б — пороговой чувствительности от частоты (СФЗ-1).
Рис. 32. Температурные характеристики фоторезисторов:
а — световая; б — темнового тока.
Рис. 33. Характеристики фо-
торезисторов:
а — зависимость величины шумов
от приложенного напряжения;
б — спектральная; пунктиром по-
казано среднее значение.
О 500 1000 1500 2000 2500 f,2U
Рис. 34. Характеристики фоторезистора ФСД:
темнового тока от времени с момен-
та прекращения освещения.
-80 -60-40-20 0 20 40 6080 t'C
О
Рис. 35. Характеристики фоторезисторов:
ф7Гпззвнсимость удельной чувствительности от освещенности (ФСК-1.
’-'Д-1. СФЗ-1); б — температурная зависимость светового тока (СФЗ-1)
—-________________________при освещенности 200 лк и напряжении 15 в.
a — световая при различном рабочем напряжении; б — вольт-ампериые при
различном световом потоке.
ФОТОРЕЗИСТОРЫ ДЛЯ ИНФРАКРАСНОЙ ЧАСТИ СПЕКТРА
Чувствительные к инфракрасной части спектра фоторезисторы изго-
товляются на основе сернистого и селенистого свинца. Чувствительные
элементы изготовляются методом напыления в вакууме на стеклянную
пластину с заранее нанесенными на ней золотыми или графитовыми
электродами.
а
Рис. 37. Конструктивное оформление фоторезисторов:
а — ФСА; б — СФ4-1.
Промышленность выпускает чувствительные элементы в пластмас-
совых или металлических корпусах, или же без них для сборки их
в блоки (рис. 37).
Фоторезисторы ФСА-la выпускаются без корпуса. Из этих фоторе-
зисторов можно набирать блоки, соединяя их последовательно или парал-
лельно. Фоторезисторы ФСА-1 и ФСА-6 выпускаются в пластмассовых
корпусах. У фоторезистора ФСА-1 применяется чувствительный элемент
типа ФСА-1 а, помещенный в пластмассовый корпус, закрытый крышкой
38
с окном. Конструкция фоторезистора ФСА-6 аналогична конструкции
ФСК-6, так как он предназначен для работы в отраженном свете. Для
защиты от пыли фоторезисторы ФСА-la, ФСА-1 и ФСА-6 покрываются
поливинилацетатным лаком. Фоторезисторы ФСА-П и ФСА-Г2 выполнены
в металлическом герметизированном корпусе и предназначены для рабо-
ты в условиях повышенной влажности. Выводы у фоторезистора ФСА-П
предназначены для соединения пайкой. Выводы фоторезйстора ФСА-Г2
распаяны на 4-ю и 8-ю ножки стандартного октального цоколя.
Чувствительный элемент фоторезистора СФ4-1 может размещаться
в металлическом или в пластмассовом корпусе.
Общие габаритные характеристики фоторезисторов приведены
в табл. 14, условия эксплуатации — в табл. 15, а параметры — в табл. 16.
Сернисто-свинцовые фоторезисторы изготовляются с темновым сопро-
тивлением от 22 ком до 1 Мом с промежуточными значениями: 33, 47,
68, 100, 150, 220, 330, 470 и 680 ком. Уровень шумов сернисто-свинцо-
вых фоторезисторов в полосе 20 гц составляет 1—3 мкв/в.
Чувствительный элемент фоторезистора СФ4-1 изготовляется из
селенистого свинца. В неохлажденном состоянии фоторезистор СФ4-1
способен реагировать на излучение с длиной волны до 5 мк. Среднее
значение обнаружительной способности этих фоторезисторов имеет
Таблица 14
Параметры	Тип фоторезистора					
	СФ4-1	ФСА-1а	ФСА-1	ФСА-6	ФСА-П	ФСА-Г2
Общие раз-						
меры, мм	0 18 X	12 X	28 X 15Х	0 28 х	0 22 X	0 33 х
	X 6,5	X 7,5 X	X 18	X 17	X 15,5	X 32
	17 X П	X 1,5				
Размеры чувствитель- ного эле- мента, мм	1 X 1	12x7,5х	12Х7.5Х	016 х 1	12х7,5х	15 Х12х
		X 1,5	X 1,5		Х1,5	X 1,5
Рабочая пло- щадь чув- ствительно- го элемента, мм2 . . . Расстояние между эле- ктродами,	1		30	162	30	
						
						
						
		30				96
мм ....	1	4	4	4	4	8
Способ сое- динения со схемой . .	Паять	Паять	Окталь-	Окталь-	Паять	Окталь-
			ная па-	ная па-		ная па-
Тип чувст- вительного			нель	нель		нель
элемента . .			Сер н исто -свин цовый			
39
величину 2 • 107 см гц2 /вт. Предельно допустимое напряжёние для
фоторезисторов ФСА составляет 200 в. Характеристики фоторезисторов
представлены на рис. 38—40.
Рис. 38. Характеристики фоторезисторов:
а—температурная зависимость темнового сопротивления (ФСД); б — спект-
ральная (СФ4-1).
Таблица 15
Параметры	Тип фоторезистора	
	СФ4-1	ФСА-1а, ФСА-1, ФСА-6, ФСА-Г11, ФСА-Г21
Интервал рабочих температур, в С . . . .	От —55	От —60
	ДО 4-40	ДО 4-70
Относительная влажность, % 		80 при 25° С	80 при 25° С
Наибольшее допустимое ускорение при вибрациях, g 		7,5	7,5
Частота при вибрациях, гц		5—80	5-10 000
Наибольшее допустимое ускорение при уда- Ре, g		12	35
Наибольшее допустимое число ударов . . .	5000	10 000
Наибольшее допустимое постоянное ускоре- ние, g	 Наименьшее допустимое атмосферное давле- ние, мм рт. ст	 Гарантийный срок: службы, ч ...............	9	25
			0,05
	500	10 000
хранения, год 		5	8,5
1 Относительная влажность 98% при 40° С.
40
Рис. 39. Характеристики фоторезистора СФ4-1:
о _ частотная; б — зависимость напряжения шумов от прило-
женного напряжения.

Рис. 40. Температурные зависимости темнового сопро-
тивления и фототока фоторезистора СФ4-1 при осве-
щенности 200 лк и напряжении 5 в.
-40-20 020 40t°C
Таблица 16
Параметры	Тип фоторезистора			
	ФСА-1, ФСА-1а	ФСА-6	ФСА-Г1, ФСА-Г2	СФ4-1
Рабочее напряжение, в . . . . Наименьшая кратность 7?тем//?св	2—100	5—30	4—40	15
	1,2	1,2	1,2	—
Темновое сопротивление, ком	22—1000	50—300	47—470	0,1—1000
Среднее значение Ко, мка/лмв Вольтовая чувствительность,	500	500	500	—
в/вт	 Наибольший температурный коэффициент фототока в интер- вале рабочих температур,	1500	1500	1500	100—1000
% 1 град		— 1.5	—1,5	—1,5	—
Постоянная времени, 10 5 сек Пороговая чувствительность,	4	4	4	0,3—0,5
мкет	 Допустимая мощность рассей-	0,1	0,1	0,1	
вания, мет	 Наименьшее значение относи- тельного изменения сопротив-	10	10	10	10
ления, %	 Длина волны, мк, соответству- ющая: максимуму спектральной чув-	20	20	20	
ствительности 		2,1	2,1	2,1	3—3,5
красной границе 		2,7	2,7	2,7	4,8
Пр нмечанне. Вольтовая чувствительность — интегральная чувствительность
(«/«ш), соответствующая излучению от источника с температурой 300° С.
41
ДАТЧИКИ ПРОНИКАЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ
Чувствительные к проникающему излучению датчики изготовляются
на основе поликристаллических сульфида и селенида кадмия. Чувстви-
тельные элементы датчиков изготовляются возгонкой в вакууме полу-
проводникового материала на проводящую подложку, служащую одним
из электродов. Второй электрод наносится напылением на полупровод-
никовый чувствительный слой.
Промышленностью выпускаются датчики как в открытом, так
и в закрытом выполнении. Рентгеногамма-датчик РГД-0 выполнен в виде
Рис. 41. Конструктивное
оформление датчиков прони-
кающего излучения.
Рис. 42. Вольт-амперные ха-
рактеристики датчика типа
РГД при напряжении 10 в
для темнового тока и гамма-
тока.
круглого чувствительного элемента, покрытого слоем эпоксидной смолы.
Для подсоединения к схеме служат гибкие выводы. Гамма-датчик РГД-2
имеет чувствительный элемент, помещенный в металлический колпачок
полупроводниковым слоем внутрь. Благодаря этому на чувствительный
элемент не попадает видимый свет и рентгеновское излучение. Рентгено-
гамма-датчик РГД-1 имеет чувствительный элемент, помещенный в пласт-
массовый корпус, основанием которого служит стандартный октальный
цоколь. К его первым четырем штырькам присоединен один вывод чув-
ствительного элемента, а к остальным четырем штырькам присоединен
второй вывод. Корпус закрыт крышкой с отверстием по центру. Для
защиты от пыли чувствительный элемент покрыт эпоксидной смолой.
Герметизированный гамма-датчик ГД-Г1 имеет чувствительный элемент,
размещенный в герметизированном металлическом корпусе. Для придания
жесткости чувствительный элемент внутри корпуса заливается эпоксид-
ной смолой. Выводы сделаны гибким проводом под пайку (рис. 41).
Общие габаритные характеристики датчиков приведены в табл. 17,
а условия эксплуатации — в табл. 18.
42
Датчики обладают высокой чувствительностью при относительно
низких рабочих напряжениях; применяются для целей индикации про-
никающего излучения, а также в дозиметрии рентгеновского и гамма-
излучений, там где инерционность датчиков не играет существенной
роли.
Таблица 17
Параметры	Тип датчика			
	РГД-0	РГД-1	РГД-2	ГД-Г1
Общие размеры, мм .... Размеры чувствительного	0 20x2,5	0 33x32	0 21x2,8	0 30x26
элемента, мм	 Рабочая площадь чувстви-	0 20x2,5	0 20x2,5	0 20x2,5	0 20x2,5
тельного элемента, мм2 . . Расстояние между электро-	300	300	300	300
дами, мм		1	1	1	1
Способ соединения со схемой Тип чувствительного эле-	Паять	Октальная панель	Паять	Паять
мента 		Сернистый кадмий,		пленка	Селенис- тый кад- мий, плен- ка
Таблица 18
Параметры	Тип датчика	
	РГД-0, РГД-1, РГД-2	ГД-Г1
Интервал рабочих температур, °C	 Относительная влажность, %	 Наибольшее допустимое ускорение при ви- брациях, g	 Частота при вибрациях, гц	 Наибольшее допустимое ускорение при УДаре, g 	 Наибольшее допустимое число ударов . . . Наибольшее допустимое постоянное уско- рение, g 			 Гарантийный срок: службы, ч ............... хранения, год 		От —25 до 4-40 80 при 20° С 2,5 10—80 12 5000 9 1000	От —60 до 4-85 98 при 40° С 7,5 10—600 150 4000 9 1000 3
Параметры датчиков приведены в табл. 19.
43
Таблица 19
Параметры	Тип датчика	
	РГД-0, РГД-1, РГД-2	гд-п
Рабочее напряжение, в	 Наибольший темновой ток, мка	 Гамма-ток (при мощности излучения), мка Средняя чувствительность, мка/р/ч .... Постоянная времени при 5 р/ч, сек .... Допустимая мощность рассеивания, мет . . Предельно допустимое напряжение, в . . . Температурный коэффициент добавочного тока, %/град	 Напряжение шумов, мкв/в		10 10 500 (5 р/ч) 100 60 50 50 0,3—0,4 2—10	30 1000 4000 (3 р/ч) 20 100 50 0,8—1,5 10—15
Примечание. Рентгеновский ток датчиков РГД-0, РГД-1 900 мка.
Рис. 43. Характеристики дат-
чиков при напряжении 10 в:
а — зависимость гамма-тока от мощ-
ности дозы (РГД); б — зависимость
времени нарастания дополнительного
тока от мощности дозы (РГД и РД).
Рис. 44. Температурная зависи-
мость тока при облучении дат-
чика РГД-0.
Нормальное значение величины темнового сопротивления датчиков
не должно быть ниже 10 ом. Инерционность датчиков существенно за-
висит от мощности дозы облучения и от температуры. Характеристики
датчиков приведены на рис. 42—44.
IV. СЕЛЕНОВЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ
Промышленность выпускает селеновые выпрямители по техническим
условиям ОЖО’321.010 ТУ, в соответствии с которыми введены новые
обозначения селеновых выпрямителей.
Маркировка селеновых выпрямителей состоит из семи элементов
Первый элемент — число, указывающее на размеры элемента.
Условные обозначения размеров элементов и допустимое значение пря
мого тока приведены в табл. 20
Таблица 20
выпрямителя,
один элемент:
Второй элемент — буква, обозначающая класс
напряжения на
К —45 в.
т. е. условное обозначение допустимого
В — 20 в, Г — 25 в, Е — 35 в, И — 40 в,
Рис. 45. Схемы различных выпрямителей.
Третий элемент — буква, характеризующая схему выпрями-
теля: Е единичный вентиль; Д — двуплечий выпрямитель; С — выпря-
митель со средней точкой; М — однофазный мост; Т — трехфазный мост.
Схемы различных выпрямителей изображены на рис. 45.
Четвертый элемент — число, обозначающее количество эле
ментов в выпрямителе (от 2 до 32).
Пятый элемент — буква, обозначающая серию выпрямителя,
в зависимости от эксплуатационных особенностей селеновые выпрямители
делятся на серии:
45
A — выпрямители из элементов, допускающих работу при темпера-
туре нагрева до 75° С (бывшая серия АВС);
Г — выпрямители из элементов, допускающих работу при темпера-
туре нагрева до 80° С, имеющие большую по сравнению с серией А
стабильность параметров при хранении (бывшая серия ТВС);
Е — выпрямители из элементов, допускающих работу при темпера-
туре окружающей среды до 100° С.
Я — выпрямители, предназначенные для работы с удвоенной плот-
ностью тока.
Шестой элемент — цифра, указывающая на количество парал-
лельных ветвей в выпрямителе (от 2 до 6).
Седьмой элемент — буква, обозначающая особенности испол-
нения выпрямителя. В зависимости от условий использования селеновые
перные характерис-
тики селеновых вы-
прямительных эле-
ментов:
С — со стальной осно-
вой; Л — с алюминие-
вой основой.
допускают работу
с
выпрямители имеют обозначения:
М — выпрямители нормальной конструкции,
неокрашенные, предназначенные для работы в транс-
форматорном масле;
Т — выпрямители, окрашенные, предназначен-
ные для работы в условиях тропического климата;
П — выпрямители, рассчитанные на номиналь-
ный выпрямленный ток при сокращенном сроке
службы.
Выпрямители нормальной конструкции окра-
шенные не имеют условных обозначений (седьмого
элемента).
Вольт-амперная характеристика селеновых вы-
прямительных элементов при температуре 20° С
изображена на рис. 46.
Понижение температуры вызывает некоторое
увеличение прямого падения напряжения и воз-
растание обратного тока. С повышением темпера-
туры уменьшается прямое падение напряжения
и незначительно изменяется обратный ток. Выпря-
мители при естественном воздушном охлаждении
номинальными нагрузками по напряжению и току
при температуре окружающего воздуха до 35° С. При повышении темпе-
ратуры выше указанной должны снижаться нагрузки выпрямителя. Сте-
пень снижения нагрузки представлена в табл. 21.
Таблица 21
Температура окру- жающего воздуха, ° С	Переменное напряжение, в процентах от номинального	Выпрямленный ток, в процентах от номинального	Схемы выпрямителя
До 35		100	100	Однофазные
			и трехфазные
Выше 35		100	80	
До 50 		80	100	
Выше 50		80	60	Однофазные
До 60		65	45	Трехфазные
46
Для выпрямителей серии Г допускается увеличение указанных тем-
ператур на 5° С. При температуре окружающего воздуха не более 25° С
допускается увеличение выпрямленного тока до 120% от номинального
значения при номинальном переменном напряжении. Селеновые выпря-
мители допускают работу при температурах до—60° С. При этом
в момент включения существенно уменьшается выпрямленное напряжение.
По мере прогрева элемента выпрямленное напряжение возрастает. Зна-
чения выпрямленного напряжения при температуре —60° С в процентном
отношении к их номинальным значениям приведены в табл. 22.
Таблица 22
Серия выпрямителя	Схема выпрямителя	Выпрямленное напряжение, %, не менее	
		в момент включения	в установившемся режиме
А	Е, Д, С, М, Т	85	90
Г	Е, Д	65	85
	С, М, Т	82	88
Нормальная степень влажности окружающего воздуха, при которой
работают селеновые элементы, 80% при температуре воздуха 20 i 5° С.
Специальные лакокрасочные покрытия обеспечивают кратковременную
работу при влажности до 98%. При нормальной температуре окружаю-
щего воздуха и давлении 40 мм рт. ст. ток нагрузки должен быть
снижен на 25%. При разряжении до 5 мм рт. ст. и нормальной темпе-
ратуре выпрямители могут работать кратковременно (до 20 мин).
поминальные данные выпрямителей сохраняются при частотах пере-
менного тока до 1000 гц. Выпрямители могут работать кратковременно
(до 30 мин) при воздействии вибраций в диапазоне 10—600 гц с ампли-
тудой до 1 мм] постоянного ускорения до 25 g и ударной тряски
(40—100 ударов в минуту) с ускорением до 25 g.
Нормальное расположение выпрямителей — горизонтальное.
Желательно, чтобы температура нагрева в начале эксплуатации
была на 10° С ниже предельно допустимой.
При холостом ходе допускается подача на выпрямитель переменного
напряжения выше номинального не более чем на 10%.
Для предотвращения перегрузки отдельных параллельных ветвей
числом более двух необходимо при подсчете полного выпрямленного
тока вводить коэффициент 0,9.
При повторном кратковременном режиме работы не допускаются
перегрузки выпрямленным током выше 10-кратного номинального. Выпря-
мители, собранные на стяжных шпильках, при рабочем напряжении
(эффективное) свыше 750 в в аппаратуре должны устанавливаться изоли-
ровано от корпуса.
Собственная емкость элементов равна 0,01—0,02 мкф/см2.
В селеновых выпрямителях применяется: естественное воздушное,
принудительное воздушное и масляное охлаждение.
47
Селеновые выпрямители характеризуются следующими параметрами.
Максимальное переменное напряжение — наивысшее эффективное
значение напряжения на входе выпрямителя, которое может быть дли-
тельно допущено для надежной работы элементов. Величина этого
напряжения зависит от количества последовательно соединенных эле-
ментов.
Номинальное выпрямленное напряжение НЪЪ1П — среднее значение
напряжения на выходе выпрямителя при максимальном напряжении на
входе и номинальном выпрямленном токе.
Номинальный выпрямленный ток /— средний ток на выходе
выпрямителя, который может быть длительно допущен при номинальном
выпрямленном напряжении. Его вели-
Рис. 47. Зависимость между
кратностью и длительностью пе-
регрузок селеновых выпрямите-
лей.
чина зависит от размера элемента,
схемы выпрямителя, вида нагрузки
и способа охлаждения выпрямителя. Се-
леновые выпрямители допускают крат-
ковременные перегрузки током в не-
сколько раз большим номинального,
что является их существенным пре-
имуществом. Допустимая .кратность
и длительность перегрузок при охлаж-
дении выпрямителя между циклами
до температуры не более 35° С пока-
зана на рис. 47.
Особенностью селеновых выпря-
мителей является малое изменение
к. п. д. при значительном изменении
нагрузки. Срок службы выпрямителя
определяется временем, за которое
выпрямленное напряжение при работе
выпрямителя в нормальных климати-
ческих условиях снижается до опре-
деленного значения по сравнению
с номинальным.
Конструкция выпрямителя зависит
от схемы выпрямления и класса.
Для однофазной схемы к. п. д. состав-
ляет 45—65%, а для трехфазных—60—85%.
Конечные значения выпрямленного напряжения составляют для
выпрямителей классов В и Г — 90%; класса Д — 92%; класса Е — 93%;
классов И и К — 94%.
Срок службы зависит от условий и режима эксплуатации и средней
рабочей температуры элемента. Средний срок службы выпрямителей для
класса В составляет 20 000 ч; для классов Г, Д и Е — 15 000 ч и для
классов И и К — 5000 ч. Наличие в воздухе паров ртути, кислот и ще-
лочей существенно снижает срок службы выпрямителей.
Селеновые выпрямители недежно работают в цепях, не требующих
высокой стабильности электрических параметров; при режимах работы,
не связанных с длительными перерывами; во всех случаях, когда неста-
бильностью электрических параметров не нарушается режим работы
отдельных узлов аппаратуры. Гарантийный срок работы и хранения
селеновых выпрямителей — 5 лет. В таблицах приведены значения ве-
личин для температуры 20° С.
48
СЕЛЕНОВЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ СЕРИИ А В ТРУБЧАТОМ КОРПУСЕ
Представляют собой набор элементов (шайб), соединенных последо-
вательно и помещенных в трубчатый корпус из изоляционного мате-
риала. Селеновые выпрямители
присоединяютя к схеме двумя про-
волочными выводами (рис. 48).
Наибольшая температура на-
грева корпуса выпрямителя в лю-
Рис. 48. Селеновые выпрямители в
трубчатом корпусе.
бых условиях эксплуатации не
должна превышать 70° С. Выпря-
мители необходимо хранить рас-
пакованными в сухом отапливаемом и вентилируемом помещении при
температурах 5—40° С и относительной влажностью не более 80%.
Таблица 23
Тнп	^под. эфф, в	^ВЫП’ в	^ВЫП, ма	Размеры, мм				Вес, г
				Длина с выводами	Длина столбика 1	Диаметр шайб	Наружный диаметр трубки d	
АВС-1-30	30	10,5	1,2	90	20	5	6,1	3,5
АВС-1-60	60	21	1,2	93	23	5	6,1	3,8
АВС-1-90	90	32	1,2	96	26	5	6,1	4,0
АВС-1-120	120	42	1,2	99	29	5	6,1	4,3
АВС-1-150	150	53	1.2	102	32	5	6,1	4,5
АВС-1-210	210	74	1,2	108	38	5	6,1	5,0
АВС-1-270	270	95	1,2	114	44	5	6,1	5,5
АВС-1-330	330	117	1,2	120	50	5	6,1	6,0
АВС-1-420	420	148	1,2	129	59	5	6,1	7,0
АВС-1-510	510	180	1,2	137	67	5	6,1	8,0
АВС-1-600	600	212	1,2	146	76	5	6,1	9,0
АВС-1-720	720	254	1,2	158	88	5	6,1	10,5
АВС-1 -840	840	297	1,2	170	100	5	6,1	12,0
АВС-1-1000	1000	355	1,2	186	116	5	6,1	14,0
АВС-6-30	30	10,5	6	92	22	7,2	8,6	4
АВС-6-60	60	21	6	95	25	7,2	8,6	4,5
АВС-6-90	90	32	6	98	28	7,2	8,6	5
АВС-6-120	120	42	6	101	31	7,2	8,6	5,5
АВС-6-150	150	53	6	103	34	7,2	8,6	6
АВС-6-210	210	74	6	109	39	7,2	8,6	7
АВС-6-270	270	95	6	114	44	7,2	8,6	8
АВС-6-330	330	117	6	120	50	7,2	8,6	9
АВС-6-420	420	148	6	128	58	7,2	8,6	10,5
АВС-6-510	510	180	6	137	67	7,2	8,6	12
АВС-6-600	600	212	6	145	75	7,2	8,6	13,5
АВС-6-720	720	254	6	156	86	7,2	8,6	15,5
АВС-6-840	840	297	6	167	97	7,2	8,6	17,5
АВС-6-1000	1000	355	6	182	112	7,2	8,6	20
Примечали	е. Знач	ение выг	рямлеик	ого ток,	привел	ено для	однофа;	ной од-
/”ериоднои схемы. Для однофазной двухполупериодной схемы это значение								
1 Он 4 8 жа И Схеме УДвоения напряжения				значения токов		будут	соответственно	
49
Таблица 24
Тип	^под. эфф, в	^ВЫП, в	^ВЫП, ма	Размеры, мм				Вес, г
				Длина с выводами L	Длина столбика /	Диаметр шайб	Наружный диаметр трубки d	
ТВС-7-11	100	37	7,5	97	26	7	8,6	3,5
ТВС-7-12	200	75	7,5	101	30	7	8,6	4,0
TBC-7-I3	300	112	7,5	105	34	7	8,6	4,5
ТВС-7-14	500	185	7,5	112	42	7	8,6	6,0
ТВС-7-15	750	280	7,5	121	50	7	8,6	7,5
ТВС-7-16	1000	375	7,5	131	60	7	8,6	9,0
ТВС-7-17	1500	560	7,5	154	83	7	8,6	13,0
ТВС-7-18	2000	750	7,5	173	102	7	8,6	16,5
ТВС-7-11М	100	37	7,5	97	26	7	8,6	3,0
ТВС-7-12М	200	75	7,5	99	28	7	8,6	3,5
ТВС-7-13М	300	112	7,5	101	30	7	8,6	3,5
ТВС-7-14М	500	185	7,5	107	36	7	8,6	5,0
ТВС-7-15М	750	280	7,5	113	42	7	8,6	6,0
ТВС-7-16М	1000	375	7,5	121	50	7	8,6	7,0
ТВС-7-17М	1500	560	7,5	136	65	7	8,6	11,0
ТВС-7-18М	2000	750	7,5	150	79	7	8,6	13,0
ТВС-7-19М	3000	1120	7,5	182	111	7	8,6	17,5
ТВС-12-11	100	36	25	100	29	12	14,5	9,0
ТВС-12-12	200	72	25	104	33	12	14,5	11,0
ТВС-12-13	300	108	25	106	36	12	14,5	13,0
ТВС-12-14	500	180	25	116	45	12	14,5	15,0
ТВС-12-15	750	270	25	124	53	12	14,5	19,0
ТВС-12-16	1000	360	25	134	63	12	14,5	24,0
ТВС-12-17	1500	540	25	159	87	12	14,5	34,0
ТВС-12-18	1800	650	25	169	97	12	14,5	38,0
ТВС-12-19	2000	720	25	179	107	12	14,5	42,0
ТВС-12-ИМ	100	36	25	100	29	12	14,5	9,0
ТВС-12-12М	200	72	25	102	31	12	14,5	10,0
ТВС-12-13М	300	108	25	104	33	12	14,5	11,0
ТВС-12-14М	500	180	25	109	38	12	14,5	13,0
ТВС-12-15М	750	270	25	116	45	12	14,5	16,0
ТВС-12-16М	1000	360	25	124	53	12	14,5	19,0
ТВС-12-17М	1500	540	25	141	69	12	14,5	26,0
ТВС-12-18М	1800	650	25	140	70	12	14,5	28,0
ТВС-12-19М	2000	720	25	155	83	12	14,5	32,0
Примечание. Значение выпрямленного тока приведено для однофазной одн<£-
полу периодной схемы. Для однофазной двухполупериодной схемы этн значения надо
удвоить. В схеме удвоения напряжения значения токов будут соответственно 6 и 20 ма.
50
Выпрямители серии А в обесточенном состоянии подвержены рас-
формовке. После включения через 5—10 сек обратный ток устанавли-
вается в норме.
Значения выпрямленного напряжения при номинальном значении
переменного напряжения могут быть на 3—6% выше табличных. Допус-
тимо использование на низких звуковых частотах. Параметры выпрями-
телей приведены в табл. 23.
СЕЛЕНОВЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ СЕРИИ Г
В ТРУБЧАТОМ КОРПУСЕ
Представляют собой набор элементов, соединенных последовательно
и помещенных в трубчатый корпус из изоляционного материала
(см. рис. 48). Селеновые выпрямители присоединяются к схеме двумя про-
волочными выводами.
При естественном воздушном охлаждении выпрямители могут рабо-
тать с номинальными нагрузками по напряжению и току при температу-
рах окружающего воздуха от—60 до -|-80о С. Но уже при температуре
выше 40° С срок службы выпрямителей сокращается. Допустимо исполь-
зование на низких звуковых частотах. Выпрямители могут работать при
воздействии:
вибраций в диапазоне частот 20—600 гц с перегрузками до 10 g;
постоянной перегрузки до 100 g;
ударной перегрузки до 80 g;
ударной тряски (40—100 ударов в минуту) с перегрузками до 10 g.
Срок службы при номинальных нагрузках по току и напряжению
5000 ч в интервале температур от —60 до +40° С; 1000 ч в интервале
40—70° С и 150 ч в интервале 70—80° С. Значения выпрямленного
напряжения при номинальном значении переменного напряжения могут
быть на 3—6% выше табличных.
Параметры выпрямителей приведены в табл. 24.
СЕЛЕНОВЫЕ ВЫПРЯЛ1И ТЕЛЬНЫЕ СТОЛБЫ В ОПРЕССОВАННЫХ
КОРПУСАХ (ПАКЕТНЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ)
Пластмассовый опрессованный прямоугольный корпус с металличес-
ким Наружным теплоотводом (рис. 49).
г—а
Рис. 49. Пакетный селеновый выпрямитель.
Тепло, выделяемое при работе выпрямителей, отводится специальным
радиатором или металлическим шасси. В последнем случае выпрямитель
должен плотно крепиться непосредственно к шасси. Рабочее положение
Должно благоприятствовать охлаждению. Срок службы не менее 2000 ч.
выпрямители собраны по однофазной двухтактной схеме.
51

Д+18-
Рис. 50. Основные размеры селеновых выпрямителей открытой
конструкции из элементов:
а — для размера Д до ЮОхЮО мм‘, б — до 100x200 мм\ в — до 100x 300 мм\
г — до 100x400 мм\ д — диаметром 18 и 25 мм.
Параметры выпрямителей приведены в табл. 25.
Таблица 25
Тип	в «ффе -Доц^	ё 3 п	§ Е а 0 “-Ч	^вып. макс, ма	Размеры, мм				
					Длина без выводов 8	л 2 w >, ь о Я 2 а М s а я 5 Е д 5 Ш Е ЗБ Д-S! Q.3 а ЧЕ мам	1 Длина с выводами	Ширина 1	Толщина д
АВС-80-260	260	285	80	90	88	80	но	40	8
АВС-120-270	270	295	120	130	105	97	118	46	8
СЕЛЕНОВЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ ОТКРЫТОЙ КОНСТРУКЦИИ
СЕРИЙ А И Г КЛАССОВ В, Г, Д, Е, И, К
Представляют собой набор выпрямительных элементов прямоуголь-
ной или круглой формы на одном или нескольких стяжных болтах
(рис. 50). Характеристики выпрямителей приведены на рис. 51. Срок
хранения неокрашенных выпрямителей в таре до 3 месяцев, без тары —
Рис. 51. Характеристики селеновых выпрямителей:
а — вольт-амперная; б — относительная зависимость обратного тока от
обратного напряжения.
Значения выпрямленного напряжения при номинальном значении
переменного напряжения могут быть на 3—6% выше табличных.
Параметры выпрямителей приведены в табл. 26. Звездочкой обозна-
чены в таблице размеры для варианта одностороннего крепления.
54
Таблица 26
Тип	9 .ффе -tfou^	ф е а 00	сз Е д	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	1		
Селеновые выпрямители класса В
Выпрямители из элементов размером 15x15 мм
Двуплечий выпрямитель
15ВД2А	40	14	0,04	40*	26*	В	0,019
15ВД4А	80	29	0,04	45*	32*	Б	0,022
15В Д6А	120	43	0,04	50*	40*	А	0,025
15ВД8А	160	58	0,04	55*	44*	А	0,028
15ВД10А	200	72	0,04	70	50	А	0,031
15ВД12А	240	87	0,04	75	56	А	0,035
15ВД16А	320	115	0,04	90	68	А	0,043
15ВД20А	400	145	0,04	100	80	А	0,051
15ВД24А	480	175	0,04	115	92	А	0,059
15ВД28А	560	205	0,04	125	102	А	0,067
15ВД32А	640	230	0,04	140	116	А	0,075
Выпрямитель со средней точкой
15ВС2А	20	7	0,075	40* |	26* |	в 1	0,019
		Однофазный мост					
15ВМ4А	20	14	0,075	45*	32*	В	0,023
15ВМ8А	40	29	0,075	55*	44*	В	0,030
15ВМ12А	60	43	0,075	75	56	Б	0,038
15ВМ16А	80	58	0,075	90	68	Б	0,046
15ВМ20А	100	72	0,075	100	80	Б	0,054
15ВМ24А	120	87	0,075	115	92	Б	0,063
15ВМ32А	160	115	0,075	140	116	Б	0,081
Выпрямители из элементов размером 22x22 мм
Двуплечий выпрямитель
22ВД2А	40	14	0,075	40*	26*	В	0,025
22ВД4А	80	29	0,075	45*	32*	Б	0,035
22ВД6А	120	43	0,075	50*	40*	А	0,041
22ВД8А	160	58	0,075	60*	48*	А	0,049
22ВДЮА	200	72	0,075	75	56	А	0,057
22ВД12А	240	87	0,075	85	60	А	0,065
22ВД16А	320	115	0,075	95	74	А	0,080
22ВД20А	400	145	0,075	ПО	88	А	0,094
22ВД24А	480	175	0,075	125	102	А	0,109
22ВД28А	560	205	0,075	140	116	А	0,124
22ВД32А	640	230	0,075	155	130	А	0,140
55
Продолжение табл. 26
Тип	•е •е п м о с	1 0 а	а g 0	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	/		
Выпрямитель со средней точкой
22ВС2А	| 20	7	0,15	| 40*	| 26*	1 в	0,025
		Однофазный мост					
22ВМ4А	20	14	0,15	45*	32*	В	0,040
22ВМ8А	40	29	0,15	60*	48*	В	0,050
22ВМ12А	60	43	0,15	85	60	Б	0,070
22ВМ16А	80	58	0,15	95	74	Б	0,085
22ВМ20А	100	72	0,15	ПО	88	Б	0,100
22ВМ24А	120	87	0,15	125	102	Б	0,115
22ВМ32А	160	115	0,15	155	130	Б	0,145
Выпрямители из элементов размером 30 x 30 мм
Двуплечий выпрямитель
30ВД2А	40	14	0,15	40*	26*	В	0,028
30ВД4А	80	29	0,15	50*	40*	Б	0,037
30ВД6А	120	43	0,15	60*	48*	А	0,045
30ВД8А	160	58	0,15	85	60	А	0,060
ЗОВДЮА	200	72	0,15	90	68	А	0,070
30ВД12А	240	87	0,15	105	82	А	0,080
30ВД16А	320	115	0,15	125	102	А	0,105
30ВД20А	400	145	0,15	145	124	А	0,130
30ВД24А	480	175	0,15	165	144	А	0,150
30ВД28А	560	205	0,15	185	164	А	0,175
30ВД32А	640	230	0,15	210	186	А	0,200
	Выпрямитель со средней точкой						
30ВС2А	20	7	0,3	40*	26*	в	0,028
		Однофазный мост					
30ВМ4А	20	14	0,3	50*	40*	В	0,040
30ВМ8А	40	29	0,3	85	60	в	0,065
30ВМ12А	60	43	0,3	105	82	Б	0,085
30ВМ16А	80	58	0,3	125	102	Б	0,110
30ВМ20А	100	72	0,3	145	124	Б	0,135
30ВМ24А	120	87	0,3	165	144	Б	0,155
30ВМ32А	160	115	0,3	210	186	Б	0,205
56
Продолжение табл. 26
Тип	^под. эфф* 6	С 3 0 а	<3 с а о	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	/		
Выпрямители		из элементов размером			40x40 мм		
		Двуплечий мост					
40ВД2А	40	14	о,3	45*	34*	в	0,050
40ВД4А	80	29	0,3	55*	44*	Б	0,070
40ВД6А	120	43	0,3	65*	55*	А	0,085
40ВД8А	160	58	0,3	90	66	А	0,100
40ВДЮА	200	72	0,3	100	78	А	0,130
40ВД12А	240	87	0,3	ПО	88	А	0,145
40ВД16А	320	115	0,3	135	ПО	А	0,180
40ВД20А	400	145	0,3	155	132	А	0,230
40ВД24А	480	175	0,3	180	154	А	0,260
40ВД28А	560	205	0,3	200	176	А	0,300
40ВД32А	640	230	0,3	220	198	А	0,340
	Выпрямитель со средней точкой						
40ВС2А	|	20 |	7 1	0,6	45*	34*	в	0,50
		Однофазный мост					
4ОВМ4А	20	14	0,6	55*	44*	В	0,080
40ВМ8А	40	29	0,6	90	66	В	0,110
40ВМ12А	60	43	0,6	ПО	88	Б	0,155
40ВМ16А	80	58	0,6	135	ПО	Б	0,190
40ВМ20А	100	72	0,6	155	132	Б	0,235
40ВМ24А	120	87	0,6	180	154	Б	0,270
40ВМ32А	160	115	0,6	220	198	Б	0,350
Выпрямители		из элементов размером			60x60	мм	
	Двуплечий выпрямитель						
60ВД2А	40	14	0,6	60*	44*	В	0,11
60ВД4А	80	29	0,6	75*	56*	Б	0,15
60ВД6А	120	43	0,6	85*	68*	А	0,20
60ВД8А	160	58	0,6	115	84	А	0,24
60ВДЮА	200	72	0,6	125	94	А	0,28
60ВД12А	240	87	0,6	140	ПО	А	0,33
60ВД16А	320	115	0,6	170	138	А	0,41
60ВД20А	400	145	0,6	195	164	А	0,50
60ВД24А	480	175	0,6	220	190	А	0,58
60ВД28А	560	205	0,6	250	218	А	0,67
60ВД32А	640	230	0,6	275	246	А	0,75
	Выпрямитель со средней точкой						
60ВС2А	20	7	1>2	60*	44* |	в |	0,11
57
Продолжение табл. 26
Тип	^под. эфф1 в	EJ 3 о	а с 0	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	i		
		Однофазный мост					
60ВМ4А	20	14	1,2	75*	56*	в	0,16
60ВМ8А	40	29	1,2	115	84	в	0,25
60ВМ12А	60	43	1,2	140	ПО	Б	0,34
60ВМ16А	80	58	1,2	170	138	Б	0,43
		Однофазный мост					
40ВМ4А	20	14	0,6	55*	44*	В	0,080
40ВМ8А	40	29	0,6	90	66	В	0,110
40ВМ12А	60	43	0,6	ПО	88	Б	0,155
40ВМ16А	80	58	0,6	135	ПО	Б	0,190
40ВМ20А	100	72	0,6	155	132	Б	0,235
40ВМ24А	120	87	0,6	180	154	Б	0,270
40ВМ32А	160	115	0,6	220	198	Б	0,350
Выпрямители		из элементов размером			60x60	мм	
	Двуплечий выпрямитель						
60ВД2А	40	14	0,6	60*	44*	В	0,11
60ВД4А	80	29	0,6	75*	56*	Б	0,15
60ВД6А	120	43	0,6	85*	68*	А	0,20
60ВД8А	160	58	0,6	115	84	А	0,24
60ВД10А	200	72	0,6	125	94	А	0,28
60ВД12А	240	87	0,6	140	ПО	А	0,33
60ВД16А	320	115	0,6	170	138	А	0,41
60ВД20А	400	145	0,6	195	164	А	0,50
60ВД24А	480	175	0,6	220	190	А	0,58
60ВД28А	560	205	0,6	250	218	А	0,67
60ВД32А	640	230	0,6	275	246	А	0,75
	Выпрямитель со средней точкой						
60ВС2А	20	7	1.2	60* |	44*	в	0,11
		Однофазный мост					
60ВМ4А	20	14	1,2	75*	56*	В	0,16
60ВМ8А	40	29	1,2	115	84	В	0,25
60ВМ12А	60	43	1,2	140	ПО	Б	0,34
60ВМ16А	80	58	1,2	170	138	Б	0,43
75ВТ12А	35	37	3,6	145	112	В	0,41
75ВТ18А	52	55	3,6	185	154	В	0,58
75ВТ24А	70	74	3,6	225	194	В	0,75
Выпрямители		из элементов размером			90X90	ММ	
	Двуплечий выпрямитель						
90ВД2А	40	14	1,5	60*	44*	в	0,14
90ВД4А	80	29	1,5	90	80	Б	0,21
90ВД6А	120	43	1,5	НО	78	А	0,28
58
Продолжение табл. 26
Тип	•е •е <п м о Е	Е а л	а Е а о	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	i		
90ВД8А	160	58	1,5	125	94	А	0,35
90ВД10А	200	72	1,5	140	НО	А	0,42
90ВД12А	240	87	1,5	155	126	А	0,49
90ВД16А	320	115	1,5	190	160	А	0,63
90ВД20А	400	145	1,5	225	194	А	0,78
90ВД24А	480	175	1,5	255	224	А	0,93
	Выпрямитель со средней точкой						
90ВС2А	20	7	з	60*	44*	в	0,14
		Однофазный мост					
90ВМ4А	20	14	3	95	62	В	0,23
90ВМ8А	40	29	3	125	94	в	0,37
90ВМ12А	60	43	3	160	128	Б	0,51
90ВМ16А	80	58	3	190	160	Б	0,66
90ВМ20А	100	72	3	225	194	Б	0,81
90ВМ24А	120	87	3	260	225	Б	0,97
		Трехфазный мост					
90ВТ6А	17,5	18	4,5	ПО	78	В	0,32
90ВТ12А	35	37	4,5	160	128	В	0,55
90ВТ18А	52	55	4,5	210	178	В	0,75
90ВТ24А	70	74	4,5	260	228	В	1,00
Выпрямители из элементов размером 100Х100 мм
Двуплечий выпрямитель
100ВД2А	40	14	2	60*	44*	В	0,16
100ВД4А	80	29	2	90	60	Б	0,25
100ВД6А	120	43	2	ПО	78	А	0,33
100ВД8А	160	58	2	125	94	А	0,42
100ВДЮА	200	72	2	140	ПО	А	0,50
100В Д12А	240	87	2	155	126	А	0,59
100ВД16А	320	115	2	190	160	А	0,76
100В Д20А	400	145	2	225	194	А	0,95
100ВД24А	480	175	2	225	224	А	1.Н
100ВДЮА5	40	14	9	145	112	В	0,56
100ВД20А5	80	29	9	225	194	В	1,02
Выпрямитель со средней точкой
100ВС2А
20 I 7 1	4 I 60* I 44* I В 1	0,16
69
П родолжение табл. 26
Тип	^ПОД. эфф’ 9	с 3 я b	а 5 0	Разме L	ры. мм	Расположение выводов	Вес, кг
Однофазный мост
100ВМ4А	20	14	4	95	62	В	0,27
100ВМ8А	40	29	4	125	94	В	0,44
100ВМ12А	60	43	4	160	128	Б	0,61
100ВМ16А	80	58	4	190	160	Б	0,78
100ВМ20А	100	72	4	225	194	Б	0,96
100ВМ24А	120	87	4	260	228	Б	1,16
100ВМ8А2	20	14	8	130	100	В	0,49
100ВМ16А2	40	29	8	195	164	В	0,82
100ВМ24А2	60	43	8	260	228	В	1,21
100ВМ12АЗ	20	14	11	165	132	В	0,68
100ВМ24АЗ	40	29	11	265	232	В	1,26
100ВМ16А4	20	14	14,5	200	168	В	0,87
100ВМ20А5	20	14	18	235	202	В	1,06
100ВМ24А6	20	14	21,5	270	238	В	1,30
Трехфазный мост
100ВТ6А	17,5	18	6	НО	78	В	0,39
100ВТ12А	35	37	6	160	128	В	0,63
100ВТ18А	52	55	6	210	178	В	0,92
100ВТ24А	70	74	6	260	228	В	1,20
100ВТ18АЗ	17,5	18	16	215	184	В	0,97
Выпрямители из элементов размером 100x200 мм
Двуплечий выпрямитель
120ВД2А	40	14	4	80	48	В	0,35
120ВД4А	80	29	4	105	74	Б	0,57
120ВД6А	120	43	4	130	100	А	0,80
120ВД8А	160	58	4	155	126	А	1,05
120ВД12А	240	87	4	205	176	А	1,55
120ВД16А	320	115	4	260	228	А	2,05
120ВД20А	400	145	4	310	280	А	2,55
120ВД24А	480	175	4	360	330	А	3,05
120ВД10А5	40	14	18	185	154	В	1,40
120ВД20А5	80	29	18	315	284	В	2,65
		Однофазный мост					
120ВМ4А	20	14	8	105	74	В	0,60
120ВМ8А	40	29	8	155	126	в	1,10
120ВМ12А	60	43	8	210	178	Б	1,60
120ВМ16А	80	58	8	260	228	Б	2,10
120ВМ20А	100	72	8	310	280	Б	2,60
120ВМ24А	120	87	8	360	330	Б	3,10
120ВМ20А5	20	14	36	320	290	В	2,80
60
Продолжение табл. 26
Тип	9 .ффе	с Л о b	Е 0	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	1		
Трехфазный мост
120ВТ6А	17,5	18	12	135	102	В	0,90
120ВТ12А	35	37	12	210	178	В	1,65
120ВТ18А	52	55	12	285	255	В	2,40
120ВТ24А	70	74	12	365	334	в	3,20
Выпрямители из элементов размером 100x300 мм
Двуплечий выпрямитель
130ВД2А	40	14	6	80	48	В	0,55
130ВД4А	80	29	6	105	74	Б	0,90
130ВД6А	120	43	6	130	100	А	1,25
130ВД8А	160	58	6	155	126	А	1.60
130ВД12А	240	87	6	205	176	А	2,35
130ВД16А	320	115	6	260	228	А	3,10
1 ЗОВ Д 20 А	400	145	6	310	280	А	3,85
130ВД24А	480	175	6	360	330	А	4,60
130ВД10А5	40	14	27	185	154	В	2,10
130ВД20А5	80	29	27	315	284	В	4,00
Однофазный мост
130ВМ4А	20	14	12	105	74	В	0,95
130ВМ8А	40	29	12	155	126	В	1,70
130ВМ12А	60	43	12	210	178	Б	2,45
130ВМ16А	80	58	12	260	228	Б	3,20
130ВМ20А	100	72	12	310	280	Б	3,95
130ВМ24А	120	87	12	360	330	Б	4,70
130ВМ8А2	20	14	24	160	128	В	1,90
130ВМ16А2	40	29	24	265	232	В	3,40
130ВМ24А2	60	43	24	365	334	В	5,00
130ВМ20А51	20	14	54	320	290	В	4,30
130ВМ24А61	20	14	65	375	344	В	5,20
Трехфазный мост
130ВТ6А	17,5	18	18	135	102	В	1,30
130ВТ12А	35	37	18	210	178	В	2,50
130ВТ18А	52	55	18	285	255	в	3,70
130ВТ24А	70	74	18	365	334	в	4,90
Выпрямители из элементов размером 100x400 мм
Двуплечий выпрямитель
140ВД2А	40	14	8	80	48	В	0,8
И0ВД4А	80	29	8	105	74	Б	1,3
140ВД6А	120	43	8	130	100	А	1,7
1 У этих выпрямителей размер 318 заменен размером 352.
61
П родолжение табл. 26
Тип	g <ффе -НоПд	ь 0	а с 3 ш	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	i		
140ВД8А	160	58	8	155	126	А	2,3
140ВД12А	240	87	8	205	176	А	3,2
140ВД16А	320	115	8	260	228	А	4,4
140ВД20А	400	145	8	310	280	А	5,4
140ВД24А	480	175	8	360	330	А	6,5
140ВДЮА5	40	14	36	185	154	В	3,1
140ВД20А5	80	29	36	315	284	В	5,6
Однофазный мост
140ВМ4А	20	14	16	105	74	В	1,4
140ВМ8А	40	29	16	155	126	В	2,4
140ВМ12А	60	43	16	210	пв-	Б	3,5
140ВМ16А	80	58	16	260	ггв	Б	4,5
140ВМ20А	100	72	16	310	280	Б	5,5
140ВМ24А	120	87	16	360	330	Б	6,6
140ВМ8А2	20	14	32	760	128	В	2,7
140ВМ16А2	40	29	32	265	232	В	4,8
140ВМ24А2	60	43	32	365	334	В	6,8
140ВМ12АЗ	20	14	43	212	184	В	3,7
140ВМ24АЗ	40	29	43	365	334	В	6,9
140ВМ20А51	20	14	72	320	220	В	6,0
140ВМ24А61	20	14	86	375	344	В	7,1
Трехфазный мост
140ВТ6А	17,5	18	24	135	102	В	2,0
140ВТ12А	35	37	24	210	178	В	3,6
140ВТ18А	52	55	24	285	255	В	5,2
140ВТ24А	70	74	24	365	334	в	6,7
140ВТ18А31	17,5	18	65	295	264	в	5,3
Селеновые выпрямители класса Г
Выпрямители из элементов размером 15x15 мм
Двуплечий выпрямитель
15ГД2А	50	19	0,04	40*	26*	В	0,019
15ГД4А	100	38	0,04	45*	32*	Б	0,022
15ГД6А	150	57	0,04	50*	40*	А	0,025
15ГД8А	200	76	0,04	55*	44*	А	0,028
15ГД10А	250	95	0,04	70	50	А	0,031
15ГД12А	300	115	0,04	75	56	А	0,035
15ГД16А	400	150	0,04	90	68	А	0,043
15ГД20А	500	190	0,04	100	80	А	0,051
1 У этих выпрямителей размер 418 заменен размером					452.		
62
Продолжение табл. 26
Тип	в .ффе	С 3 0	Q С 3 0	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	1		
15ГД24А	600	230	0,04	115	92	А	0,059
15ГД28А	700	265	0,04	125	102	А	0,067
15ГД32А	800	305	0,04	140	116	А	0,075
Выпрямитель со средней точкой
15ГС2А	1	25	9	0,075	40*	26*	в	0,019
		Однофазный мост					
15ГМ4А	25	18	0,075	45*	32*	В	0,023
15ГМ8А	50	37	0,075	55*	44*	В	0,030
15ГМ12А	75	55	0,075	75	56	Б	0,038
15ГМ16А	100	74	0,075	90	68	Б	0,046
15ГМ20А	125	92	0,075	100	80	Б	0,054
15ГМ24А	150	ПО	0,075	115	92	Б	0,063
15ГМ32А	200	150	0,075	140	116	Б	0,081
Выпрямители из элементов размером 22x22 мм
Двуплечий выпрямитель
22ГД2А	50	19	0,075	40*	26*	В	0,025
22ГД4А	100	38	0,075	45*	32*	Б	0,035
22ГД6А	150	57	0,075	50*	40*	А	0,041
22ГД8А	200	76	0,075	60*	48*	А	0,049
22ГД10А	250	95	0,075	75	56	А	0,057
22ГД12А	300	115	0,075	85	60	А	0,065
22ГД16А	400	150	0,075	95	74	А	0,080
22ГД20А	500	190	0,075	НО	88	А	0,094
22ГД24А	600	230	0,075	125	102	А	0,109
22ГД28А	700	265	0,075	140	116	А	0,124
22ГД32А	800	305	0,075	155	130	А	0,140
Выпрямитель со средней точкой
22ГС2А	25	9	0,15	40*	| 26*	1 в	0,025
		Однофазный мост					
22ГМ4А	25	18	0,15	45*	32*	В	0,040
22ГМ8А	50	37	0,15	60*	48*	В	0,050
22ГМ12А	75	55	0,15	85	60	Б	0,070
22ГМ16А	100	74	0,15	95	74	Б	0,085
22ГМ20А	125	92	0,15	ПО	88	Б	0,100
22ГМ24А	150	ПО	0,15	125	102	Б	0,115
22ГМ32А	200	150	0,15	155	130	Б	0,145
63
Продолжение табл. 26
Тип	^ПОД. эфф’ в	ё 3 в ь	а Ё 3 0	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	1		
Выпрямители из элементов размером ЗОх 30 мм							
	Двуплечий выпрямитель						
30ГД2А	50	19	0,15	40*	26*	В	0,028
30ГД4А	100	38	0,15	50*	40*	Б	0,037
30ГД6А	150	57	0,15	60*	48*	А	0,045
30ГД8А	200	76	0,15	85	60	А	0,060
ЗОГДЮА	250	95	0,15	90	68	А	0,070
30ГД12А	300	115	0,15	105	82	А	0,080
30ГД16А	400	150	0,15	125	102	А	0,105
30ГД20А	500	190	0,15	145	124	А	0,130
30ГД24А	600	230	0,15	165	144	А	0,150
30ГД28А	700	265	0,15	185	164	А	0,175
30ГД32А	800	305	0,15	210	186	А	0,200
	Выпрямитель со средней точкой						
30ГС2А	25 |	9	0,3	40*	26*	в	0,028
		Однофазный мост					
30ГМ4А	25	18	0,3	50*	40*	В	0,040
30ГМ8А	50	37	0,3	85	60	В	0,065
30ГМ12А	75	55	0,3	105	82	Б	0,085
30ГМ16А	100	74	0,3	125	102	Б	0,110
30ГМ20А	125	92	0,3	145	124	Б	0,135
ЗОГМ24А	150	ПО	0,3	165	144	Б	0,155
30ГМ32А	200	150	0,3	210	186	Б	0,205
Выпрямители		из элементов размером			40x40	мм	
	Двуплечий выпрямитель						
40ГД2А	50	19	0,3	45*	34*	В	0,050
40ГД4А	100	38	0,3	55*	44*	Б	0,070
40ГД6А	150	57	о,з	65*	55*	А	0,085
40ГД8А	200	76	о,3	90	66	А	0,100
40ГД10А	250	95	0,3	100	78	А	0,130
40ГД12А	300	115	0,3	110	88	А	0,145
40ГД16А	400	150	0,3	135	НО	А	0,180
40ГД20А	500	190	0,3	155	132	А	0,230
4ОГД24А	600	230	0,3	180	154	А	0,260
40ГД28А	700	265	0,3	200	176	А	0,300
40ГД32А	800	305	0,3	220	198	А	0,340
64
Продолжение табл. 26
Тип	•е •е- О* 4 о с ь	ь 3 в	□ с 3 0	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	/		
Выпрямитель со средней точкой
40ГС2А	25	9	0,6	45*	34* |	в 1	0,050
		Однофазный мост					
40ГМ4А	25	18	0,6	55*	44*	В	0,080
40ГМ8А	50	37	0,6	90	66	В	0,110
40ГМ12А	75	55	0,6	ПО	88	Б	0,155
40ГМ16А	100	74	0,6	135	ПО	Б	0,190
40ГМ20А	125	92	0,6	155	132	Б	0,235
40ГМ24А	150	ПО	0,6	180	154	Б	0,270
40ГМ32А	200	150	0,6	220	198	Б	0,350
Выпрямители из элементов размером 60X60 мм
Двуплечий выпрямитель							
60ГД2А	50	19	0,6	60*	44*	В	0,11
60ГД4А	100	38	0,6	75*	56*	Б	0,15
60ГД6А	150	57	0,6	85*	68*	А	0,20
60ГД8А	200	76	0,6	115	84	А	0,24
60ГД10А	250	95	0,6	125	94	А	0,28
60ГД12А	300	115	0,6	140	ПО	А	0,33
60ГД16А	400	150	0,6	170	138	А	0,41
60ГД20А	500	190	0,6	195	164	А	0,50
60ГД24А	600	230	0,6	220	190	А	0,58
60ГД28А	700	265	0,6	250	218	А	0,67
60ГД32А	800	305	0,6	275	246	А	0,75
Выпрямитель со средней точкой
60ГС2А	25	9	1,2	| 60*	| 44*	в	0,11
60ГМ4А	25	Одноц 18	разный мо 1,2	ст 75*	56*	В	0,16
60ГМ8А	50	37	1,2	115	84	в	0,25
60ГМ12А	75	55	1,2	140	ПО	Б	0,34
60ГМ16А	100	74	1,2	170	138,	Б	0,43
60ГМ20А	125	92	1,2	195	164	Б	0,52
60ГМ24А	150	ПО	1,2	225	194	Б	0,60
60ГМ32А	200	150	1,2	275	246	Б	0,78
3 544
65
Продолжение табл. 26
Тип	g .ффб 'ИОПд	Е 3 0	□ Е 0 *“•4	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	/		
Выпрямители из элементов размером 75x75 мм							
	Двуплечий выпрямитель						
75ГД2А	50	19	1,2	60*	44*	В	0,13
75ГД4А	100	38	1,2	75*	56*	Б	0,18
75ГД6А	150	57	1,2	100	70	А	0,22
75ГД8А	200	76	1,2	115	84	А	0,27
75ГД10А	250	95	1,2	125	94	А	0,32
75ГД12А	300	115	1,2	140	НО	А	0,38
75ГД16А	400	150	1,2	170	138	А	0,49
75ГД20А	500	190	1,2	195	164	А	0,60
75ГД24А	600	230	1,2	220	190	А	0,72
75ГД28А	700	265	1,2	250	218	А	0,83
Выпрямитель со средней точкой
75ГС2А	I 20 |	9 |	2,4	| 60* ) 44* | В |	0,13
Однофазный мост
75ГМ4А	25	18	2,4	75*	56*	В	0,20
75ГМ8А	50	37	2,4	115	84	В	0,29
75ГМ12А	75	55	2,4	140	110	Б	0,40
75ГМ16А	100	74	2,4	170	138	Б	0,51
75ГМ20А	125	92	2,4	195	164	Б	0,62
75ГМ24А	150	ПО	2,4	225	194	Б	0,74
75ГМ28А	175	130	2,4	250	218	Б	0,85
Трехфазный мост
75ГТ6А	22	24	3,6	100	70	В	0,25
75ГТ12А	44	48	3,6	145	112	В	0,41
75ГТ18А	66	72	3,6	185	154	В	0,58
75ГТ24А	88	96	3,6	225	194	в	0,75
Выпрямители из элементов размером 90x90 мм
Двуплечий выпрямитель
90ГД2А	50	19	1,5	60*	44*	в	0,14
90ГД4А	100	38	1,5	90	60	Б	0,21
90ГД6А	150	57	1,5	ПО	78	А	0,28
90ГД8А	200	76	1,5	125	94	А	0,35
90ГД10А	250	95	1,5	140	110	А	0,42
90ГД12А	300	115	1,5	155	126	А	0,49
90ГД16А	400	150	1,5	190	160	А	0,63
90ГД20А	500	190	1,5	225	194	А	0,78
90ГД24А	600	230	1,5	255	224	А	0,93
66
Продолжение табл. 26
Тип	g .ффе	Е 3 СП	□ Е 3 в	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	1		
Выпрямитель со средней точкой
90ГС2А	| 25	|	9 |	3	| 60* |	44* |	в I	0,14
		Однофазный мост			
90ГМ4А	25	18	3	95	62	В	0,23
90ГМ8А	50	37	3	125	94	В	0,37
90ГМ12А	75	55	3	160	128	Б	0,51
90ГМ16А	100	74	3	190	160	Б	0,66
90ГМ20А	125	92	3	225	194	Б	0,81
90ГМ24А	150	ПО	3	260	228	Б	0,97
Трехфазный мост
90ГТ6А	22	24	4,5	НО	78	В	0,32
90ГТ12А	44	48	4,5	160	128	В	0,55
90ГТ18А	66	72	4,5	210	178	В	0,75
90ГТ24А	88	96	4,5	260	228	В	1,00
Выпрямители из элементов размером ЮОх 100 мм
Двуплечий выпрямитель
100ГД2А	50	19	2	60*	44*	В	0,16
100ГД4А	100	38	2	90	60	Б	0,25
100ГД6А	150	57	2	НО	78	А	0,33
100ГД8А	200	76	2	125	94	А	0,42
Ю0ГД10А	250	95	2	140	НО	А	0,50
100ГД12А	300	115	2	155	126	А	0,59
100ГД16А	400	150	2	190	160	А	0,76
100ГД20А	500	190	2	225	194	А	0,95
100ГД24А	600	230	2	255	224	А	1,11
Ю0ГД10А5	50	19	9	145	112	В	0,56
Ю0ГД20А5	100	38	9	225	194	В	1,02
Выпрямитель со средней точкой
100ГС2А	25	9	4	60*	44*	в	0,16
Ю0ГМ4А	25	Одно/. 18	Разный мо 4	ст 95	62	В	0,27
Ю0ГМ8А	50	37	4	125	94	В	0,44
100ГМ12А	75	55	4	160	128	Б	0,61
Ю0ГМ16А	100	74	4	190	160	Б	0,78
100ГМ20А	125	92	4	225	194	Б	0,96
100ГМ24А	150	НО	4	260	228	Б	1,16
3*
67
Продолжение табл. 26
Тип	о в	с 3 в	а Е 3 0	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	i		
100ГМ8А2	25	18	8	130	100	в	0,49
100ГМ16А2	50	37	8	195	164	в	0,82
100ГМ24А2	75	55	8	260	228	в	1,21
100ГМ12АЗ	25	18	И	165	132	в	0,68
100ГМ24АЗ	50	37	11	265	232	в	1,26
100ГМ16А4	25	18	14,5	200	168	в	0,87
100ГМ20А5	25	18	18	235	202	в	1,06
100ГМ24А6	25	18	21,5	270	238	в	1,30
Трехфазный мост
100ГТ6А	22	24	6	НО	78	В	0,39
100ГТ12А	44	48	6	160	128	В	0,63
100ГТ18А	60	72	6	210	178	В	0,92
100ГТ24А	88	96	6	260	228	В	1,20
100ГТ18АЗ	22	24	16	215	184	В	0,97
Выпрямители из элементов размером 100 x 200 мм
Двуплечий выпрямитель							
120ГД2А	50	19	4	80	48	В	0,35
120ГД4А	100	38	4	105	74	Б	0,57
120ГД6А	150	57	4	130	100	А	0,80
120ГД8А	200	76	4	155	126	А	1,05
120ГД12А	300	115	4	205	176	А	1,55
120ГД16А	400	150	4	260	228	А	2,05
120ГД20А	500	190	4	310	280	А	2,55
120ГД24А	600	230	4	360	330	А	2,05
120ГД10А5	50	13	18	185	154	В	1,40
120ГД20А5	100	38	18	315	284	В	2,65
		Однофазный мост					
120ГМ4А	25	18	8	105	74	В	0,60
120ГМ8А	50	37	8	155	126	В	1,10
120ГМ12А	75	55	8	210	178	Б	1,60
120ГМ16А	100	74	8	260	228	Б	2,10
120ГМ20А	125	92	8	310	280	Б	2,60
120ГМ24А	150	110	8	360	230	Б	3,10
120ГМ20А5	25	18	36	320	290	В	2,80
		Трехфазный мост					
120ГД6А	22	24	12	135	102	В	0,90
120ГД12А	44	48	12	210	178	В	1,65
120ГД18А	66	72	12	285	255	В	2,40
120ГД24А	88	96	12	365	334	В	3,20
68
Продолжение табл. 26
Тип	со -е* е- ti о с Гд	с 3 в	<3 Е 3 0	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	!		
Выпрямители из элементов размером 100 x 300 мм							
	Двуплечий выпрямитель						
130ГД2А	50	19	6	80	48	В	0,55
130ГД4А	100	38	6	105	74	Б	0,90
130ГД6А	150	57	6	130	100	А	1,25
130ГД8А	200	76	6	155	126	А	1,60
130ГД12А	300	115	6	205	176	А	2,35
130ГД16А	400	150	6	260	228	А	3,10
130ГД20А	500	190	6	310	280	А	3,85
130ГД24А	600	230	6	360	330	А	4,60
130ГДЮА5	50	19	27	185	154	В	2,10
130ГД20А5	100	38	27	315	285	В	4,00
Однофазный мост
130ГМ4А	25	18	12	105	74	В	0,95
130ГМ8А	50	37	12	155	126	В	1,70
130ГМ12А	75	55	12	210	178	Б	2,45
130ГМ16А	100	74	12	260	228	Б	3,20
130ГМ20А	125	92	12	310	280	Б	3,95
130ГМ24А	150	ПО	12	360	330	Б	4,70
130ГМ8А2	25	18	24	160	128	В	1,90
130ГМ16А2	50	37	24	265	232	В	3,40
130ГМ24А2	75	55	24	365	334	В	5,00
130ГМ20А5 1	25	18	54	320	290	В	4,30
130ГМ24А6 1	25	18	65	375	344	В	5,20
Трехфазный мост
130ГТ6А	22	24	18	135	102	В	1,30
130ГТ12А	44	48	18	210	178	В	2,50
130ГТ18А	66	72	18	285	255	В	3,70
130ГТ24А	88	96	18	365	334	В	4,90
Выпрямители из элементов размером 100x400 мм
Двуплечий выпрямитель
140ГД2А 140ГД4А	50 100	19 38	8 8	80 105	48 74	В Б	0,8 1,3
140ГД6А	150	57	8	130	100	А	1,7
140ГД8А 140ГД12А 140ГД16А	200 300 400	76 115 150	ОО ОО 00	155 205 260	126 176 228	А А А	2,3 3,2 4,4
У этих выпрямителей размер 318 заменен размером 352.
69
Продолжение табл. 26
Тип	е <ффе -»оил	9 •“’«п	О § 0	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	1		
140ГД20А	500	190	8	310	280	А	5,4
140ГД24А	600	230	8	360	330	А	6,5
140ГД10А5	50	19	36	185	154	В	3,1
140ГД20А5	100	38	36	315	284	В	5,7
		Однофазный мост					
140ГМ4А	25	18	16	105	74	В	1,4
140ГМ8А	50	37	16	155	126	В	2,4
140ГМ12А	75	55	16	210	178	Б	3,5
140ГМ16А	100	74	16	260	228	Б	4,5
140ГМ20А	125	92	16	310	280	Б	5,5
140ГМ24А	150	ПО	16	360	330	Б	6,6
140ГМ8А2	25	18	32	160	128	В	2,7
140ГМ16А2	50	37	32	265	232	В	4,8
140ГМ24А2	75	55	32	365	334	В	6,8
140ГМ12АЗ	25	18	43	215	184	В	3,7
140ГМ24АЗ	50	37	43	365	334	В	6,9
140ГМ20А51	25	18	72	320	290	В	6,0
140ГМ24А61	25	18	86	375	344	В	7,1
		Трехфазный мост					
140ГТ6А	22	24	24	135	102	В	2,0
140ГТ12А	44	48	24	210	178	В	3,6
140ГТ18А	66	72	24	285	255	В	5,2
140ГТ24А	88	96	24	365	334	В	6,7
140ГТ18А31	22	24	65	295	264	В	5,3
Селеновые выпрямители класса Д
Выпрямители из элементов размером 15X15 мм
Двуплечий выпрямитель
15ДД2А	60	23	0,04	40*	26*	В	0,019
15ДД4А	120	46	0,04	45*	32*	Б	0,022
15ДД6А	180	69	0,04	50*	40*	А	0,025
15ДД8А	240	92	0,04	55*	44*	А	0,028
15ДДЮА	300	115	0,04	70	50	А	0,031
15ДД12А	360	135	0,04	75	56	А	0,035
15ДД16А	480	185	0,04	90	68	А	0,043
15ДД20А	600	230	0,04	100	80	А	0,051
15ДД24А	720	275	0,04	115	92	А	0,059
15ДД28А	840	320	0,04	125	102	А	0,067
15ДД32А	960	370	0,04	140	116	А	0,075
1 У этих выпрямителей размер 418 заменен размером 452,
70
Продолжение табл. 26
Тип	^ПОД. эфф’ 6	С 3 д Ь	о с 3 д	Размеры, jwjw		Расположение выводов	Вес, кг
				L	1		
	Выпрямитель со средней точкой						
15ДС2А	30	И	0,075	40*	26*	в	0,019
		Однофазный мост					
15ДМ4А	30	22	0,075	45*	32*	В	0,023
15ДМ8А	60	45	0,075	55*	44*	в	0,030
15ДМ12А	90	67	0,075	75	56	Б	0,038
15ДМ16А	120	90	0,075	90	68	Б	0,046
15ДМ20А	150	НО	0,075	100	80	Б	0,054
15ДМ24А	180	135	0,075	115	92	Б	0,063
15ДМ32А	240	180	0,075	140	116	Б	0,081
Выпрямители из элементов размером 22x22 мм
Двуплечий выпрямитель							
22ДД2А	60	23	0,075	40*	26*	В	0,025
22ДД4А	120	46	0,075	45*	32*	Б	0,035
22ДД6А	180	69	0,075	50*	40*	А	0,041
22ДД8А	240	92	0,075	60*	48*	А	0,049
22ДД10А	300	115	0,075	75	56	А	0,057
22ДД12А	360	135	0,075	85	60	А	0,065
22ДД1,6А	480	185	0,075	95	74	А	0,080
22ДД20А	600	230	0,075	НО	88	А	0,094
22ДД24А	720	275	0,075	125	102	А	0,109
22ДД28А	840	320	0,075	140	116	А	0,124
22ДД32А	960	370	0,075	155	130	А	0,140
	Выпрямитель		со средней точкой				
22ДС2А	1 30	Н	0,15	40*	26*	в	0,025
		Однофазный мост					
22ДМ4А	.30	22	0,15	45*	32*	В	0,040
22ДМ8А	60	45	0,15	60*	48*	В	0,050
22ДМ12А	90	67	0,15	85	60	Б	0,070
22ДМ16А	120	90	0,15	95	74	Б	0,085
22ДМ20А	150	НО	0,15	НО	88	Б	0,100
22ДМ24А	180	135	0,15	125	102	Б	0,115
22ДМ32А	240	180	0,15	155	130	Б	0,145
71
Продолжение табл. 26
Тип	„ .ффб	Е 3	<□ с я	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	1		
Выпрямители из элементов размером 30x30 мм
Двуплечий выпрямитель
30ДД2А	60	23	0,15	40*	26*	В	0,028
30ДД4А	120	46	0,15	50*	40*	Б	0,037
30ДД6А	180	69	0,15	60*	48*	А	0,045
30ДД8А	240	92	0,15	85	60	А	0,060
30ДД10А	300	115	0,15	90	68	А	0,070
30ДД12А	360	135	0,15	105	82	А	0,080
30ДД16А	480	185	0,15	125	102	А	0,105
30ДД20А	600	230	0,15	145	124	А	0,130
30ДД24А	720	275	0,15	165	144	А	0,150
30ДД28А	840	320	0,15	185	164	А	0,175
30ДД32А	960	370	0,15	210	186	А	0,200
Выпрямитель со средней точкой							0,028
30ДС2А	|	30 |	Н 1	0,3	40*	26*	в	
		Однофазный мост					
30ДМ4А	30	22	0,3	50*	40*	В	0,040
30ДМ8А	60	45	0,3	85	60	В	0,065
30ДМ12А	90	67	0,3	105	82	Б	0,085
30ДМ16А	120	90	0,3	125	102	Б	0,110
30ДМ20А	150	ПО	0,3	145	124	Б	0,135
30ДМ24А	180	135	0,3	165	144	Б	0,155
30ДМ32А	240	180	0,3	210	186	Б	0,205
Выпрямители из элементов размером 40x40 мм
Двуплечий выпрямитель
40ДД2А	60	23	0,3	45*	34*	В	0,050
40ДД4А	120	46	0,3	55*	44*	Б	0,070
40ДД6А	180	69	0,3	65*	55*	А	0,085
40ДД8А	240	92	0,3	90	66	А	0,100
40ДД10А	300	115	0,3	100	78	А	0,130
40ДД12А	360	135	0,3	110	88	А	0,145
40ДД16А	480	185	0,3	135	110	А	0,180
40ДД20А	600	230	0,3	155	132	А	0,230
4ЭДД24А	720	275	0,3	180	154	А	0,260
40ДД28А	840	320	0,3	200	176	А	0,300
40ДД32А	960	370	0,3	220	198	А	0,340
72
Продолжение табл. 26
Тип	•е •е- <п с	с 3 Ь	а с 3	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	1		
Выпрямитель со средней точкой
40ДС2А	30	и	0,6	45*	34*	в	0,050
		Однофазный мост					
40ДМ4А	30	22	0,6	55*	44*	В	0,080
40ДМ8А	60	45	0,6	90*	66	В	0,110
40ДМ12А	90	67	0,6	ПО	88	Б	0,155
40ДМ16А	120	90	0,6	135	ПО	Б	0,190
40ДМ20А	150	НО	0,6	155	132	Б	0,235
40ДМ24А	180	135	0,6	180	154	Б	0,270
40ДМ32А	240	180	0,6	220	198	Б	0,350
Выпрямители
из элементов размером 60 x 60 мм
Двуплечий выпрямитель
60ДД2А	60	23	0,6	60*	44*	В	0,11
60ДД4А	120	46	0,6	75*	56*	Б	0,45
60ДД6А	180	69	0,6	85*	68*	А	0,20
60ДД8А	240	92	0,6	115	84	А	0,24
60ДД10А	300	115	0,6	125	94	А	0,28
60ДД12А	360	135	0,6	140	ПО	А	0,33
60ДД16А	480	185	0,6	170	138	А	0,41
60ДД20А	600	230	0,6	195	164	А	0,50
60ДД24А	720	275	0,6	220	190	А	0,58
60ДД28А	840	320	0,6	250	218	А	0,67
60ДД32А	960	370	0,6	275	246	А	0,75
Выпрямитель со средней точкой
60ДС2А	30	Н 1	1,2	60*	44*	в	0,11
		Однофазный мост					
60ДМ4А	30	22	1,2	75*	56*	В	0,16
60ДМ8А	60	45	1,2	115	84	в	0,25
60ДМ12А	90	67	1,2	140	ПО	Б	0,34
60ДМ16А	120	90	1,2	170	138	Б	0,43
60ДМ20А	150	ПО	1,2	195	164	Б	0,52
60ДМ24А	180	135	1,2	225	194	Б	0,60
60ДМ32А	240	180	1,2	275	246	Б	0,78
73
П родолжение табл. 26
Тип	<е ё •е* СП tt о е Ь	с	с	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	1		
Выпрямители из элементов размером 75x75 мм
	Двуплечий выпрямитель						
75ДД2А	60	23	1,2	60*	44*	В	0,13
75ДД4А	120	46	1,2	75*	56*	Б	0,18
75ДД6А	180	69	1,2	100	70	А	0,22
75ДД8А	240	92	1,2	115	84	А	0,27
75ДДЮА	300	115	1,2	125	94	А	0,32
75ДД12А	360	135	1,2	140	ПО	А	0,38
75ДД16А	480	185	1,2	170	138	А	0,49
75ДД20А	600	230	1,2	195	164	А	0,60
75ДД24А	720	275	1,2	220	190	А	0,72
75ДД28А	840	320	1,2	250	218	А	0,83
	Выпрямитель со средней точкой						
75ДС2А	30	П	2,4	60*	44*	в	0,13
		Однофазный мост					
75ДМ4А	30	22	2,4	75*	56*	В	0,20
75ДМ8А	60	45	2,4	115	84	В	0,29
75ДМ12А	90	67	2,4	140	ПО	Б	0,40
75ДМ16А	120	90	2,4	170	138	Б	0,51
75ДМ20А	150	ПО	2,4	195	164	Б	0,62
75ДМ24А	180	135	2,4	225	194	Б	0,74
75ДМ28А	240	155	2,4	250	218	Б	0,85
		Трехфазный мост					
75ДТ6А	26	29	3,6	100	70	В	0,25
75ДТ12А	52	58	3,6	145	112	В	0,41
75ДТ18А	78	87	3,6	185	154	В	0,58
75ДТ24А	104	115	3,6	225	194	В	0,75
Выпрямители из элементов размером					90x90	мм	
	Двуплечий выпрямитель						
90ДД2А	60	23	1,5	60*	44*	В	0,14
90ДД4А	120	46	1,5	90	60	Б	0,21
90ДД6А	180	69	1,5	100	78	А	0,28
90ДД8А	240	92	1,5	125	94	А	0,35
90ДД10А	300	115	1,5	140	ПО	А	0,42
90ДД12А	360	135	1,5	155	126	А	0,49
90ДД16А	480	185	1,5	190	160	А	0,63
90ДД20А	600	230	1,5	225	194	А	0,78
90ДД24А	720	275	1,5	255	224	А	0,93
74
Продолжение табл. 26
Тип	• .ффв -»опл	с я го	0 «UH0;	Размеры, мм		Расположени выводов	Вес, кг
				L	1		
Выпрямитель со средней точкой							
90ДС2А	30	11 |	3	| 60* Однофазный мост			44*	в	0,14
90ДМ4А	30	22	3	95	62	В	0,23
90ДМ8А	60	45	3	125	94	В	0,37
90ДМ12А	90	67	3	160	128	Б	0,51
90ДМ16А	120	90	3	190	160	Б	0,66
90ДМ20А	150	НО	3	225	194	Б	0,81
90ДМ24А	180	135	3	260	228	Б	0,97
Трехфазный мост
90ДТ6А	26	29	4,5	ПО	78	В	0,32
90ДТ12А	52	58	4,5	160	128	В	0,55
90ДТ18А	78	87	4,5	210	178	В	0,75
90ДТ24А	104	115	4,5	260	228	В	1,00
Выпрямители из элементов размером 100X100 мм
Двуплечий выпрямитель
100ДД2А	60	23	2	60*	44*	В	0,16
100ДД4А	120	46	2	90	60	Б	0,25
100ДД6А	180	69	2	ПО	78	А	0,33
100ДД8А	240	92	2	125	94	А	0,42
100ДД10А	300	115	2	140	ПО	А	0,50
100ДД12А	360	135	2	155	126	А	0,59
100ДД16А	480	185	2	190	160	А	0,76
100ДД20А	600	230	2	225	194	А	0,95
100ДД24А	720	275	2	255	224	А	1,11
100ДД10А5	60	23	9	145	112	В	0,56
100ДД20А5	120	46	9	225	194	В	1,02
Выпрямитель со средней точкой
100ДС2А	| 30 | 11 |	4	| 60* | 44* | В |	0,16
Однофазный мост
100ДМ4А	30	22	4	95	62	В	0,27
100ДМ8А	60	45	4	125	94	В	0,44
Ю0ДМ12А	90	67	4	160	128	Б	0,61
100ДМ16А	120	90	4	190	160	Б	0,78
100ДМ20А	150	ПО	4	225	194	Б	0,96
75
Продолжение табл. 26
Тип	^под. эфф> в	CS С 2	<3 с 3 со	Размеры, мм		Расположение : выводов	Вес. кг
				L	1		
100ДМ24А	180	135	4	260	228	Б	1,16
100ДМ8А2	30	22	8	130	100	В	0,49
100ДМ16А2	60	45	8	195	164	В	0,82
100ДМ24А2	90	67	8	260	228	В	1,21
100ДМ12АЗ	30	22	11	165	132	В	0,68
100ДМ24АЗ	60	45	И	265	232	В	1,26
100ДМ16А4	30	22	14,5	200	168	В	0,87
100ДМ20А5	30	22	18	235	202	В	1,06
100ДМ24А6	30	22	21,5	270	238	В	1,30
		Трехфазный мост					
100ДТ6Л	26	29	6	ПО	78	В	0,39
100ДТ12А	52	58	6	160	128	В	0,63
100ДТ18А	78	87	6	210	178	в	0,92
100ДТ24А	104	115	6	260	228	в	1,20
100ДТ18АЗ	26	29	16	215	184	в	0,97
Выпрямители из элементов размером 100x200 мм
Двуплечий выпрямитель							
120ДД2А	60	23	4	80	48	В	0,35
120ДД4А	120	46	4	105	74	Б	0,57
120ДД6А	180	69	4	130	100	А	0,80
120ДД8А	240	92	4	155	126	А	1,05
120ДД12А	360	135	4	205	176	А	1,55
120ДД16А	480	185	4	260	228	А	2,05
120ДД20А	600	230	4	310	280	А	2,55
120ДД24А	720	275	4	360	330	А	3,05
120ДД10А5	60	23	18	185	154	В	1,40
120ДД20А5	120	46	18	315	284	В	2,65
		Однофазный мост					
120 ДАН А	30	22	8	105	74	В	0,60
120ДМ8А	60	45	8	155	126	В	1,10
120ДМ12А	90	67	8	210	178	Б	1,60
120ДМ16А	120	90	8	260	228	Б	2,10
120ДМ20Л	150	ПО	8	310	280	Б	2,60
120ДМ24А	180	135	8	360	330	Б	3,10
120ДМ20А5	30	22	36	320	290	В	2,80
		Трехфазный мост					
120ДТ6А	26	29	12	135	102	В	0,90
120ДТ12А	52	58	12	210	178	В	1,65
120ДТ18А	78	87	12	285	255	В	2,40
120ДТ24А	104	115	12	365	334	В	3,20
76
Продолжение табл. 26
Тип	•ё- •е- <г> Ч О с	«0 Е 2 п	<□ с я	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	1		
Выпрямители из элементов размером Двуплечий выпрямитель					00x300 ММ		
130ДД2А	60	23	6	80	48	В	0,55
130ДД4А	120	46	6	105	74	Б	0,90
130ДД6А	180	69	6	130	100	А	1,25
130ДД8А	240	92	6	155	126	А	1,60
130ДД12А	360	135	6	205	176	А	2,35
130ДД16А	480	185	6	260	228	А	3,10
130ДД20А	600	230	6	310	280	А	3,85
130ДД24А	720	275	6	360	330	А	4,60
130ДДЮА5	60	23	27	185	154	В	2,10
130ДД20А5	120	46	27	315	284	В	4,00
Однофазный мост
130ДМ4А	30	22	12	105	74	В	0,95
130ДМ8А	60	45	12	155	126	В	1,70
130ДМ12А	90	67	12	210	178	Б	2,45
130ДМ16А	120	90	12	260	228	Б	3,20
130ДМ20А	150	НО	12	310	280	Б	3,95
130ДМ24А	180	135	12	360	330	Б	4,70
130ДМ8А2	30	22	24	160	128	В	1,90
130ДМ16А2	60	45	24	265	232	В	3,40
130ДМ24А2	90	67	24	365	334	В	5,00
130ДМ20А51	30	22	54	320	290	В	4,30
130ДМ24А61	30	22	65	375	344	В	5,20
Трехфазный мост
130ДТ6А	26	29	18	135	102	В	1,30
130ДТ12А	58	58	18	210	178	В	2,50
130ДТ18А	78	87	18	285	255	в	3,70
130ДТ24А	104	115	18	365	334	в	4,90
Выпрямители из элементов размером 100x400 мм
Двуплечий выпрямитель
140ДД2А	60	23	8	80	46	в	0,8
140ДД4А	120	46	8	105	74	Б	1,3
140ДД6А	180	69	8	130	100	А	1,7
140ДД8А	240	92	8	155	126	А	2,3
140ДД12А	360	135	8	205	176	А	3,2
140ДД16А	480	185	8	260	228	А	4,4
140ДД20А	600	230	8	310	280	А	5,4
140ДД24А	720	275	8	360	330	А	6,5
140ДД10А5	60	23	36	185	154	В	3,1
140ДД20А5	120	46	36	315	284	В	5,7
1 У этих выпрямителей размер 318 заменен размером 352.
77
Продолжение табл. 26
Тип	в <ффе -»ou^	<е С 2 Л	<3 с 2 л	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	1		
Однофазный мост
140ДМ4А	30	22	16	105	75	В	1,4
140ДМ8А	60	45	16	155	126	В	2,4
140ДМ12А	90	67	16	210	178	Б	3,5
140 ДМ 16 А	120	90	16	260	228	Б	4,5
140ДМ20А	150	ПО	16	310	280	Б	5,5
140ДМ24А	180	135	16	360	330	Б	6,6
140ДМ8А2	30	22	32	160	128	В	2,7
140ДМ16А2	60	45	32	265	132	В	4,8
140ДМ24А2	90	67	32	365	334	В	6,8
140ДМ12АЗ	30	22	43	215	184	В	3,7
140ДМ24АЗ	60	45	43	365	334	В	6,9
140ДМ20А51	30	22	72	320	290	В	6,0
140ДМ24А61	30	22	86	375	344	в	7,1
Трехфазный мост
140ДТ6А	26	29	24	135	102	В	2,0
140ДТ12А	52	58	24	210	178	В	3,6
140ДТ18А	78	87	24	285	255	В	5,2
140ДТ24А	104	115	24	365	334	В	6,7
140ДТ18А31	26	29	65	295	264	В	5,3
Селеновые выпрямители класса Е
Выпрямители из элементов диаметром 18 мм
Одноплечий выпрямитель
18ЕД2Г	70	27	0,04	40*	26*	В	0,019
18ЕД4Г	140	54	0,04	45*	32*	Б	0,022
18ЕД6Г	210	81	0,04	50*	40*	А	0,025
18ЕД8Г	280	105	0,04	55*	44*	А	0,028
18ЕД10Г	350	135	0,04	70	50	А	0,031
18ЕД12Г	420	160	0,04	75	56	А	0,035
18ЕД16Г	560	215	0,04	90	68	А	0,043
18ЕД20Г	700	270	0,04	100	80	А	0,051
18ЕД24Г	840	325	0,04	115	92	А	0,059
18ЕД28Г	980	380	0,04	125	102	А	0,067
18ЕД32Г	1120	430	0,04	140	116	А	0,075
Выпрямитель со средней точкой
18ЕС2Г	| 35 |	13 |	0,075 | 40* I 26* | В |	0,019
1 У этих выпрямителей размер 418 заменен размером 452,
78
Продолжение табл. 26
Тип	g .фф€ -tfOU^	с 2 0 Ь	<3 С 3	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	1		
Однофазный мост
18ЕМ4Г	35	26	0,075	45*	32*	В	0,023
18ЕМ8Г	70	53	0,075	55*	44*	В	0,030
18ЕМ12Г	105	79	0,075	75	56	Б	0,038
18ЕМ16Г	140	105	0,075	90	68	Б	0,046
18ЕМ20Г	175	130	0,075	100	80	Б	0,054
18ЕМ24Г	210	160	0,075	115	92	Б	0,063
18ЕМ32Г	280	210	0,075	140	116	Б	0,081
Выпрямители		из элементов диаметром 25 мм					
	Двуплечий выпрямитель						
25ЕД2Г	70	27	0,075	40*	26*	В	0,025
25ЕД4Г	140	54	0,075	45*	32*	Б	0,035
25ЕД6Г	210	81	0,075	50*	40*	А	0,041
25ЕД8Г	280	105	0,075	60*	48*	А	0,049
25ЕД10Г	350	135	0,075	75	56	А	0,057
25ЕД12Г	420	160	0,075	85	60	А	0,065
25ЕД16Г	560	215	0,075	95	74	А	0,080
25ЕД20Г	700	270	0,075	ПО	88	А	0,094
25ЕД24Г	840	325	0,075	125	102	А	0,109
25ЕД28Г	980	380	0,075	140	116	А	0,124
25ЕД32Г	1120	430	0,075	155	130	А	0,140
	Выпрямитель со средней точкой						
25ЕС2Г	|	35	13	| 0,15*	| 40*	| 26*	в	0,025
		Однофазный мост					
25ЕМ4Г	35	26	0,15	45*	32*	В	0,040
25ЕМ8Г	70	53	0,15	60*	48*	В	0,050
25ЕМ12Г	105	79	0,15	85	60	Б	0,070
25ЕМ16Г	140	105	0,15	95	74	Б	0,085
25ЕМ20Г	175	130	0,15	НО	88	Б	0,100
25ЕМ24Г	210	160	0,15	125	102	Б	0,115
25ЕМ32Г	280	210	0,15	155	130	Б	0,145
Выпрямители		из элементов размером			40x40	мм	
	Двуплечий выпрямитель						
40ЕД2Г	70	27	0,3	45*	34*	В	0,050
40ЕД4Г	140	54	0,3	55*	44*	Б	0,070
40ЕД6Г	210	81	0,3	65*	55*	А	0,085
40ЕД8Г	280	105	0,3	90	66	А	0,100
79
П родолжение табл. 26
Тип	^под. эфф- в	«а С 2 со	□ и 3	Размеры, мм		Располож ение выводов	Вес, кг
				L	i		
10ЕД10Г	350	135	0,3	100	78	А	0,130
40ЕД12Г	420	160	0,3	по	88	А	0,145
40ЕД16Г	560	215	0,3	135	ПО	А	0,180
40ЕД20Г	700	270	0,3	155	132	А	0,230
40ЕД24Г	840	325	0,3	180	154	А	0,260
40ЕД28Г	980	380	0,3	200	176	А	0,300
40ЕД32Г	1120	430	0,3	220	198	А	0,340
	Выпрямитель		со средней точкой				
10ЕС2Г	35	13	0,6	45* |	34* |	в |	0,050
		Однофазный мост					
40ЕМ4Г	35	26	0,6	55*	44*	В	0,080
40ЕМ8Г	70	53	0,6	90	66	Б	0,110
40ЕМ12Г	105	79	0,6	ПО	88	Б	0,155
40ЕМ16Г	140	105	0,6	135	ПО	Б	0,190
40ЕМ20Г	175	130	0,6	155	132	Б	0,235
40ЕМ24Г	210	160	0,6	180	154	Б	0,270
40ЕМ32Г	280	210	0,6	220	198	Б	0,350
Выпрямители из элементов размером 75x75 мм
Двуплечий выпрямитель
75ЕД2Г	70	27	1,2	60*	44*	В	0,13
75ЕД4Г	140	54	1,2	75*	56*	Б	0,18
75ЕД6Г	210	81	1,2	100	70	А	0,22
75ЕД8Г	280	105	1,2	115	84	А	0,27
75ЕД10Г	350	135	1,2	125	94	А	0,32
75ЕД12Г	420	160	1,2	140	НО	А	0,38
75ЕД16Г	560	215	1,2	170	138	А	0,49
75ЕД20Г	700	270	1,2	195	164	А	0,60
75ЕД24Г	840	325	1,2	220	190	А	0,72
75ЕД28Г	980	380	1,2	250	218	А	0,83
	Выпрямитель со средней точкой						
75ЕС2Г	35	13	2,4	60*	44*	в	0,13
		Однофазный мост					
75ЕМ4Г	35	26	2,4	75*	56*	В	0,20
75ЕМ8Г	70	53	2,4	115	84	В	0,29
75ЕМ12Г	105	79	2,4	140	ПО	Б	0,40
75ЕМ16Г	140	105	2,4	170	138	Б	0,51
75ЕМ20Г	175	130	2,4	195	164	Б	0,62
75ЕМ24Г	210	160	2,4	225	194	Б	0,74
75ЕМ28Г	245	185	2,4	250	218	Б	0,85
80
Продолжение табл. 26
Тип	•е <п ч о с	с 3 0	<3 с 3 -	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	i		
		Трехфазный мост					
75ЕТ6Г	30	33	3,6	100	70	В	0,25
75ЕТ12Г	60	66	3,6	145	112	В	0,41
75ЕТ18Г	90	99	3,6	185	154	В	0,58
75ЕТ24Г	120	130	3,6	225	194	В	0,75
Выпрямители из элементов размером ЮОх 100 мм							
	Двуплечий выпрямитель						
100ЕД2Г	70	27	2	60*	44*	В	0,16
100ЕД4Г	140	54	2	90	60	Б	0,25
100ЕД6Г	210	81	2	НО	78	А	0,33
100ЕД8Г	280	105	2	125	94	А	0,42
100ЕД10Г	350	135	2	140	ПО	А	0,50
100ЕД12Г	420	160	2	155	126	А	0,59
100ЕД16Г	560	215	2	190	160	А	0,76
100ЕД20Г	700	270	2	225	194	А	0,95
100ЕД24Г	840	325	2	255	224	А	1,11
100ЕД10Г5	70	27	2	145	112	В	0,56
100ЕД20Г5	140	54	9	225	194	В	1,02
	Выпрямитель со средней точкой						
100ЕС2Г	35	13	4	| 60*	44*	в	0,16
		Однофазный мост					
100ЕМ4Г	35	26	4	95	62	В	0,27
100ЕМ8Г	70	53	4	125	94	В	0,44
100ЕМ12Г	105	79	4	160	128	Б	0,61
100ЕМ16Г	140	105	4	190	160	Б	0,78
100ЕМ20Г	175	130	4	225	194	Б	0,96
100ЕМ24Г	210	160	4	260	228	Б	1,16
100ЕМ8Г2	35	26	8	130	100	В	0,49
100ЕМ16Г2	70	53	8	195	164	В	0,82
100ЕМ24Г2	105	79	8	260	228	В	1,21
100ЕМ12ГЗ	35	26	11	165	132	В	0,68
Ю0ЕМ24ГЗ	70	53	11	265	232	В	1,26
100ЕМ16Г4	35	26	14,5	200	168	В	0,87
100ЕМ20Г5	35	26	18	235	202	В	1,06
100ЕМ24Г6	35	26	21,5	270	238	В	1,3
		Трехфазный мост					
100ЕТ6Г	30	33	6	110	78	В	0,39
100ЕТ12Г	60	66	6	160	128	В	0,63
100ЕТ18Г	90	99	6	210	178	В	0,92
Ю0ЕТ24Г	120	130	6	260	228	В	1,20
Ю0ЕТ18ГЗ	30	33	16	215	184	В	0,97
81
Продолжение табл. 26
Тип	•е <п о с	с 3 0	Q С 3 0	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	1		
Селеновые выпрямители класса И
Выпрямители из элементов диаметром 18 мм
Двуплечий выпрямитель
18ИД2Г	80	31	0,04	40*	26*	В	0,019
18ИД4Г	160	62	0,04	45*	32*	Б	0,022
18ИД6Г	240	93	0,04	50*	40*	А	0,025
18ИД8Г	320	125	0,04	55*	44*	А	0,028
18ИД10Г	400	155	0,04	70	50	А	0,031
18ИД12Г	480	185	0,04	75	56	А	0,035
18ИД16Г	640	250	0,04	90	68	А	0,043
18ИД20Г	800	310	0,04	100	80	А	0,051
18ИД24Г	960	370	0,04	115	92	А	0,059
18ИД28Г	1120	435	0,04	125	102	А	0,067
18ИД32Г	1280	495	0,04	140	116	А	0,075
Выпрямитель со средней точкой
18ИС2Г	40	15	0,075	40*	26*	в	| 0,019
		Однофазный мост					
18ИМ4Г	40	31	0,075	45*	32*	В	0,023
18ИМ8Г	80	62	0,075	55*	44*	В	0,030
18ИМ12Г	120	93	0,075	75	56	Б	0,038
18ИМ16Г	160	125	0,075	90	68	Б	0,046
18ИМ20Г	200	155	0,075	100	80	Б	0,054
18ИМ24Г	240	185	0,075	115	92	Б	0,063
18ИМ32Г	320	250	0,075	140	116	Б	0,081
Выпрямители из элементов диаметром 25 мм
Двуплечий выпрямитель
25ИД2Г	80	31	0,075	40*	26*	В	0,025
25ИД4Г	160	62	0,075	45*	32*	Б	0,035
25ИД6Г	240	93	0,075	50*	40*	А	0,041
25ИД8Г	320	125	0,075	60*	48*	А	0,049
25ИД10Г	400	155	0,075	75	56	А	0,057
25ИД12Г	480	185	0,075	85	60	А	0,065
25ИД16Г	640	250	0,075	95	74	А	0,080
25ИД20Г	800	310	0,075	ПО	88	А	0,094
25ИД24Г	960	370	0,075	125	102	А	0,109
25ИД28Г	1120	435	0,075	140	116	А	0,124
25ИД32Г	1280	495	0,075	155	130	А	0,140
82
Продолжение табл. 26
11 Тип	g <ффе	с 3 0	<3 С 3 0	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	1		
Выпрямитель со средней точкой
25ИС2Г	I 40 | 15 |	0,15 | 40* | 26* | В | 0,025
Однофазный мост
25ИМ4Г	40	31	0,15	45*	32*	В	0,040
25ИМ8Г	80	62	0,15	60*	48*	В	0,050
25ИМ12Г	120	93	0,15	85	60	Б	0,070
25ИМ16Г	160	125	0,15	95	74	Б	0,085
25ИМ20Г	200	155	0,15	НО	88	Б	0,100
25ИМ24Г	240	185	0,15	125	102	Б	0,115
25ИМ32Г	320	250	0,15	155	130	Б	0,145
Выпрямители из элементов размером 40x40 мм
Двуплечий выпрямитель
40ИД2Г	80	31	0,3	45*	34*	В	0,050
40ИД4Г	100	62	0,3	55*	44*	Б	0,070
40ИД6Г	240	93	0,3	65*	55*	А	0,085
40ИД8Г	320	125	0,3	90	66	А	0,100
40ИД10Г	400	155	0,3	100	78	А	0,130
40ИД12Г	480	185	0,3	ПО	88	А	0,145
40ИД16Г	640	250	0,3	135	НО	А	0,180
40ИД20Г	800	310	0,3	155	132	А	0,230
40ИД24Г	960	370	0,3	180	154	А	0,260
40ИД28Г	1120	435	0,3	200	176	А	0,300
40ИД32Г	1280	495	0,3	220	198	А	0,340
	Выпрямитель со средней точкой						
40ИС2Г	40	15	0,6	45*	34*	в	0,050
		Однофазный мост					
40ИМ4Г	40	31	0,6	55*	44*	В	0,080
40ИМ8Г	80	62	0,6	90	66	В	0,110
40ИМ12Г	120	93	0,6	НО	88	Б	0,155
40ИМ16Г	160	125	0,6	135	НО	Б	0,190
40ИМ20Г	200	155	0,6	155	132	Б	0,235
40ИМ24Г	240	185	0,6	180	154	Б	0,270
40ИМ32Г	320	250	0,6	220	198	Б	0,350
83
Продолжение табл. 26
Тип	9 «ффе 1Гопл	с 3 0	<3 Е 3 0	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	/		
Выпрямители из элементов размером Двуплечий выпрямитель					75x75	мм	
75ИД2Г	80	31	1,2	60*	44*	В	0,13
75ИД4Г	160	62	1,2	75*	56*	Б	0,18
75ИД6Г	240	93	1,2	100 ,	70	А	0,22
75ИД8Г	320	125	1,2	115	84	А	0,27
75ИД10Г	400	155	1,2	125	94	А	0,32
75ИД12Г	480	185	1,2	140	НО	А	0,38
75ИД16Г	640	250	1,2	170	138	А	0,49
75ИД20Г	800	310	1,2	195	164	А	0,60
75ИД24Г	960	370	1,2	220	190	А	0,72
75ИД28Г	1120 Выпря	435 шител1	1,2 со средш	250 ?и точ>	218 <ой	А	0,83
75ИС2Г	40	15 |	2,4	| 60* Однофазный мост			44*	в	0,13
75ИМ4Г	40	31	2,4	75*	56*	В	0,20
75ИМ8Г	80	62	2,4	115	84	В	0,29
75ИМ12Г	120	93	2,4	140	ПО	Б	0,40
75ИМ16Г	160	125	2,4	170	138	Б	0,51
75ИМ20Г	200	155	2,4	195	164	Б	0,62
75ИМ24Г	240	185	2,4	225	194	Б	0,74
75ИМ28Г	280	215 Трехф	2,4 азный мо	250 ст	218	Б	0,85
75ИТ6Г	34	39	3,6	100	70	В	0,25
75ИТ12Г	68	78	3,6	145	112	В	0,41
75ИТ18Г	102	115	3,6	185	154	В	0,58
75ИТ24Г	136	155	3,6	225	194	В	0,75
Выпрямители из элементов размером 100х 100 мм Двуплечий выпрямитель							
100ИД2Г	80	31	2	60*	44*	В	0,16
100ИД4Г	160	62	2	90	60	Б	0,25
100ИД6Г	240	93	2	110	78	А	0,33
100ИД8Г	320	125	2	125	94	А	0,42
100ИД10Г	400	155	2	140	110	А	0,50
100ИД12Г	480	185	2	155	126	А	0,59
100ИД16Г	640	250	2	190	160	А	0,76
100ИД20Г	800	310	2	225	194	А	0,95
100ИД24Г	960	370	2	255	224	А	1,11 0,56
100ИД10Г5	80	31	9	145	112	В	
100ИД20Г5	160	62	9	225	194	В	1,02
84
Продолжение табл. 26
Тип	е .ффе -tfou^	«о Е 3 0	<3 С 3 0	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	1		
Выпрямитель со средней точкой
100ИС2Г	| 40 |	15 |	4	| 60* | 44* j В |	0,16
Однофазный мост
Ю0ИМ4Г	40	31	4	95	62	В	0,27
100ИМ8Г	80	62	4	125	94	В	0,44
Ю0ИМ12Г	120	93	4	160	128	Б	0,61
100ИМ16Г	160	125	4	190	160	Б	0,78
100ИМ20Г	200	155	4	225	194	Б	0,96
100ИМ24Г	240	185	4	260	228	Б	1,16
100ИМ8Г2	40	31	8	130	100	В	0,49
100ИМ16Г2	80	62	8	195	164	В	0,82
100ИМ24Г2	120	93	8	260	228	В	1,21
100ИМ12ГЗ	40	31	11	165	132	В	0,68
100ИМ24ГЗ	80	62	11	265	232	В	1,26
100ИМ16Г4	40	31	14,5	200	168	В	0,87
100ИМ20Г5	40	31	18	235	202	В	1,06
100ИМ24Г6	40	31	21,5	270	238	В	1,30
Трехфазный мост
100ИТ6Г	34	39	6	ПО	78	В	0,39
100ИТ12Г	68	78	6	160	128	В	0,63
100ИТ18Г	102	115	6	210	178	В	0,92
100ИТ24Г	136	155	6	260	228	в	1,20
100ИТ18ГЗ	34	39	16	215	184	в	0,97
Селеновые выпрямители класса К
Выпрямители из элементов диаметром 18 мм
Двуплечий выпрямитель
18КД2Г	90	36	0,04	40*	26*	В	0,019
18КД4Г	180	72	0,04	45*	32*	Б	0,022
18КД6Г	270	105	0,04	50*	40*	А	0,025
18КД8Г	360	145	0,04	55*	44*	А	0,028
18КДЮГ	450	180	0,04	70	50	А	0,031
18КД12Г	540	215	0,04	75	56	А	0,035
18КД16Г	720	290	0,04	90	68	А	0,043
18КД20Г	900	360	0,04	100	80	А	0,051
18КД24Г	1080	430	0,04	115	92	А	0,059
18КД28Г	1260	505	0,04	125	102	А	0,067
18КД32Г	1440	575	0,04	140	116	А	0,075
85
Продолжение табл. 26
Тип	» .ффе ’tfoun	<а С 3 п	о 0	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	1		
Выпрямитель со средней точкой
18КС2Г	45	18	0,075	40*	26*	в	0,019
		Однофазный мост					
18КМ4Г	45	35	0,075	45*	32*	В	0,023
18КМ8Г	90	70	0,075	55*	44*	В	0,030
18КМ12Г	135	105	0,075	75	56	Б	0,038
18КМ16Г	180	140	0,075	90	68	Б	0,046
18KM20F	225	175	0,075	100	80	Б	0,054
18KM24F	270	215	0,075	115	92	Б	0,063
18КМ32Г	360	285	0,075	140	116	Б	0,081
Выпрямители из элементов диаметром 25 мм
Одноплечий выпрямитель
25КД2Г	90	36	0,075	40*	26*	В	0,025
25КД4Г	180	72	0,075	45*	32*	Б	0,035
25КД6Г	270	105	0,075	50*	40*	А	0,041
25КД8Г	360	145	0,075	60*	48*	А	0,049
25КДЮГ	450	180	0,075	75	56	А	0,057
25КД12Г	540	215	0,075	85	60	А	0,065
25КД16Г	720	290	0,075	95	74	А	0,080
25КД20Г	900	360	0,075	ПО	88	А	0,094
25КД24Г	1080	430	0,075	125	102	А	0,109
25КД28Г	1260	505	0,075	; 140	116	А	0,124
25КД32Г	1440	575	0,075	155	130	А	0,140
Выпрямитель со средней точкой
25КС2Г	45	18	0,15	40*	| 26*	в	| 0,25
		Однофазный мост					
25КМ4Г	45	35	0,15	45*	32*	В	0,040
25КМ8Г	90	70	0,15	60*	48*	В	0,050
25КМ12Г	135	105	0,15	85	60	Б	0,070
25КМ16Г	180	140	0,15	95	74	Б	0,085
25КМ20Г	225	175	0,15	НО	88	Б	0,100
25КМ24Г	270	215	0,15	125	102	Б	0,115
25KM32F	360	285	0,15	155	130	Б	0,145
86
Продолжение табл. 26
Тип	^ПОД. эфф’ в	с 2 л	а с 2 0	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	1		
Выпрямители		из элементов размером			40x40	мм	
	Двуплечий выпрямитель						
40КД2Г	90	36	0,3	45*	34*	В	0,050
40КД4Г	180	72	0,3	55*	44*	Б	0,070
40КД6Г	270	105	0,3	65*	55*	А	0,085
40КД8Г	360	145	0,3	90	66	А	0,100
40КДЮГ	450	180	0,3	100	78	А	0,130
40КД12Г	540	215	0,3	НО	88	А	0,145
40КД16Г	720	290	0,3	135	НО	А	0,180
40КД20Г	900	360	0,3	155	132	А	0,230
40КД24Г	1080	430	0,3	180	154	А	0,260
40КД28Г	1260'	505	0,3	200	176	А	0,300
40КД32Г	1440	575	0,3	220	198	А	0,340
	Выпрямитель со средней точкой						
40КС2Г	45	18	0,6	45*	34*	в	0,050
		Однофазный мост					
40КМ4Г	45	35	0,6	55*	44*	В	0,080
40КМ8Г	90	70	0,6	90	66	В	0,110
40КМ12Г	135	105	0,6	110	88	Б	0,155
40КМ16Г	180	140	0,6	135	НО	Б	0,190
40КМ20Г	225	175	0,6	155	132	Б	0,235
40КМ24Г	270	215	0,6	180	154	Б	0,270
40КМ32Г	360	285	0,6	220	198	Б	0,350
Выпрямители из элементов размером 75x75						мм	
	Двуплечий выпрямитель						
75КД2Г	90	36	1,2	60*	44*	В	0,13
75КД4Г	180	72	1,2	75*	56*	Б	0,18
75КД6Г	270	105	1,2	100	70	А	0,22
75КД8Г	360	145	1,2	115	84	А	0,27
75КД10Г	450	180	1,2	125	94	А	0,32
75КД12Г	540	215	1,2	140	НО	А	0,38
75КД16Г	720	290	1,2	170	138	А	0,49
75КД20Г	900	360	1,2	195	164	А	0,60
75КД24Г	1080	430	1,2	220	190	А	0,72
75КД28Г	1260	505	1,2	250	218	А	0,83
	Выпрямитель		со средней точкой				
75КС2Г	|	45 |	18 |	2,4	60* |	44* |	в 1	0,13
87
Продолжение табл. 26
Тип	<о е е <п о в	с а 0	С 3 0	Разме L	эы, мм 1	Расположение выводов	Вес, кг
Однофазный мост
75КМ4Г	45	35	2,4	75*	56*	В	0,20
75КМ8Г	90	70	2,4	115	84	В	0,29
75КМ12Г	135	105	2,4	140	ПО	Б	0,40
75КМ16Г	180	140	2,4	170	138	Б	0,51
75КМ20Г	225	175	2,4	195	164	Б	0,62
75КМ24Г	270	215	2,4	225	194	Б	0,74
75КМ28Г	315	250	2,4	250	218	Б	0,85
Трехфазный мост
75КТ6Г	38	45	3,6	100	70	В	0,25
75КТ12Г	76	90	3,6	145	112	В	0,41
75КТ18Г	114	135	3,6	185	154	В	0,58
75КТ24Г	152	180	3,6	225	194	В	0,75
Выпрямители из элементов размером 100 х 100 мм
Двуплечий выпрямитель
100КД2Г	90	36	2	60*	44*	В	0,16
100КД4Г	180	72	2	90	60	Б	0,25
100КД6Г	270	105	2	ПО	78	А	0,33
100КД8Г	360	145	2	125	94	А	0,42
100КДЮГ	450	180	2	140	ПО	А	0,50
100КД12Г	540	215	2	155	12&	А	0,59
100КД16Г	720	290	2	190	160	А	0,76
100КД20Г	900	360	2	225	194	А	0,95
100КД24Г	1080	430	2	255	224	А	1,11
100КДЮГ5	90	36	9	145	112	В	0,56
100КД20Г5	180	72	9	225	194	В	1,02
Выпрямитель со средней точкой
100КС2Г	45	18 |	4	1	60* |	44* |	в |	0,16
		Однофазный мост					
Ю0КМ4Г	45	35	4	95	62	В	0,27
100КМ8Г	90	70	4	125	94	В	0,44
100КМ12Г	135	105	4	160	128	Б	0,61
100КМ16Г	180	140	4	190	160	Б	0,78
100КМ20Г	225	175	4	225	194	Б	0,96
100КМ24Г	270	215	4	260	228	Б	1,16
100КМ8Г2	45	35	8	130	100	В	0,49
100КМ16Г2	90	70	8	195	164	В	0,82
100КМ24Г2	135	105	8	260	228	В	1,21
88
Продолжение табл. 26
Тип	^ПОД. эфф’ в	с 3 0	а Е	Размеры, мм		Расположение выводов	Вес, кг
				L	1		
100КМ12ГЗ	45	35	11	165	132	В	0,68
100КМ24ГЗ	90	70	11	265	232	в	1,26
100КМ16Г4	45	35	14,5	200	168	в	0,87
100КМ20Г5	45	35	18	235	202	в	1,06
100КМ24Г6	45	35	21,5	270	238	в	1,30
		Трехфазный мост					
100КТ6Г	38	45	6	НО	78	в	0,39
100КТ12Г	76	90	6	160	128	в	0,63
100КТ18Г	114	135	6	210	178	в	0,92
100КТ24Г	152	180	6	260	228	в	1,20
100КТ18ГЗ	38	45	16	215	184	в	0,97
В связи с введением новых технических условий ОЖО.321.0Ю.ТУ выпуск селе-
новых выпрямителей по ранее действующим ЭТУ № 404—53 и ВЗТУ № 309 пре-
кращен.
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ СЕЛЕНОВЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ ТИПА Ф
Конструктивное оформление — столбик собран в трубчатом корпусе
из изоляционного материала из элементов на алюминиевой фольге с при-
менением контактной пружины (см. рис. 48).
Рабочее положение — любое.
Сопротивление изоляции токоведущих частей выпрямителей отно-
сительно корпуса:
в нерабочем состоянии..................... 200	Мом
после 2 ч работы при температуре окружаю-
щей среды 60° С............................ 40	Мом
Параметры приведены в табл. 27.
Таблица 27
Тип выпрямителя	^эфф,в	^ВЫП’ в	^ВЫП’ ма	Размеры, мм			Вес, г
				£.±5	/±з	d	
5ГЕ40Ф	1000	390	1,2	100	30	6,1	2,0
5ГЕ60Ф	1500	540	1,2	106	36	6,1	2,3
5ГЕ80Ф	2000	780	1,2	112	42	6,1	2,5
5ГЕ100Ф	2500	930	1,2	118	48	6,1	2,8
5ГЕ140Ф	3500	1320	1,2	130	60	6,1	3,5
5ГЕ200Ф	5000	1860	1,2	147	77	6,1	5,5
V. полупроводниковые диоды
Промышленность выпускает германиевые и кремниевые диоды, а так-
же диоды из арсенида галлия, предназначенные для работы в радиотех-
нических устройствах, измерительных схемах и в схемах автоматики.
Полупроводниковые диоды, применяющиеся в настоящее время,
имеют обозначения согласно ГОСТ 5461—59 и 10862—64.
В соответствии с ГОСТ 5461—59 для диодов введены следующие
обозначения элементов:
первый — буквенный, Д;
второй — цифровой, указывающий порядковый номер типа при-
бора;
третий — буквенный, указывающий на разновидность прибора
(Д101А, Д10Б, Д1009А и т. д.).
Для диодов введены следующие цифровые обозначения:
точечные германиевые диоды для работы в обычных температурных
условиях — номера от 1 до 100;
точечные кремниевые диоды для работы при повышенной темпера-
туре—номера от 101 до 200;
плоскостные кремниевые диода для работы по повышенной темпе-
ратуре—номера от 201 до 300;
плоскостные германиевые диоды для работы в обычных температур-
ных условиях — номера от 301 до 400;
германиевые и кремниевые смесительные диоды — номера от 401
до 500;
германиевые и кремниевые умножительные диоды — номера от 501
до 600;
германиевые и кремниевые видеодетекторы — номера от 601 до 700;
германиевые и кремниевые параметрические диоды — номера от 701
до 800;
кремниевые опорные диоды — номера от 801 до 900;
германиевые и кремниевые высоковольтные выпрямительные столбы—
номера от 1001 и выше.
В связи с недостатками классификации по ГОСТ 5461—59 введены
новые обозначения полупроводниковых диодов.
В соответствии с ГОСТ 10862—64 диодам присваиваются обозначения
из четырех элементов:
первый — буква или цифра, обозначающая исходный материал:
Г или 1—германий; К или 2 — кремний; А или 3 — арсенид галлия;
второй — буква, указывающая класс или группу приборов: Д —
выпрямительные, универсальные, импульсные диоды; В — варикапы; А —
сверхвысокочастотные диоды; Н — неуправляемые многослойные пере-
ключающие диоды; У — управляемые многослойные переключающие
диоды; И — туннельные диоды; С — стабилитроны; Ц — выпрямительные
столбы и блоки;
90
третий — число, характеризующее назначение или электрические
свойства диода:
Диоды низкой частоты:
выпрямительные ...........................101—399
универсальные............................. 401—499
импульсные................................ 501—599
варикапы..................................101—999
Сверхвысокочастотные диоды:
смесительные..............................101—199
видеодетекторы ........................... 201—299
модуляторные.............................. 301—399
параметрические........................... 401—499
переключающие............................. 501—599
умножительные.................•........... 601—699
Неуправляемые многослойные переключающие
диоды:
малой мощности............................101—199
средней »	..............•............ 201—299
большой »	........................... 301—399
Управляемые многослойные переключающие
диоды:
малой мощности............................101—199
средней »	........................... 201—299
большой »	........................... 301—399
Туннельные диоды:
низкой частоты ........................... 101—199
средней »	........................... 201—299
высокой »	........................... 301—399
Стабилитроны малой мощности:
напряжение стабилизации	от	1,0 до 9,9 в	.	.	101—199
напряжение стабилизации	от	10 до 99 в .	.	.	201—299
напряжение стабилизации	от	100 до 199 в	.	.	301—399
Стабилитроны средней мощности:
напряжение стабилизации	от	1,0 до 9,9 в	.	.	401—499
»	»	от 10 до 99 в . . . 501—599
»	»	от 100 до 199 в . . 601—699
Стабилитроны большой мощности:
напряжение стабилизации от 1,0 до 9,9 в . . 701—799
»	»	от 10 до 99 в .. . 801—899
»	»	от 100 до 199 в . . 901—999
Выпрямительные столбы малой мощности . . . 101—199
»	»	средней	»	...	201—299
»	блоки малой »	... 301—399
»	»	средней	»	...	401—499
»	»	большой	»	...	501—599
четвертый — буква, указывающая разновидность типа из данной
группы приборов (2С156А — кремниевый опорный диод малой мощности,
разновидность типа А; 1И302В — германиевый туннельный высокочастот-
ный диод, разновидность типа В).
Графическое обозначение диодов дается в соответствии с ГОСТ
7624—62.
Все диоды включаются в схему в соответствии с их полярностью,
указанной на корпусе. Нельзя допускать работы диодов в предельных
91
режимах, так как при этом резко сокращается срок их службы и могут
появиться внезапные отказы аппаратуры.
Выводы диодов, особенно маломощных, паяют припоем ПОС-40 на
расстоянии не менее 10 мм от корпуса. Мощность паяльника не должна
превышать 50 — 60 вт. Продолжительность пайки не более 2 — 3 сек
с обязательным применением дополнительных теплоотводов между мес-
том пайки и корпусом диода. Изгибы выводных концов должны нахо-
диться не ближе 3 мм от проходного изолятора. При монтаже мощные
диоды необходимо располагать так, чтобы обеспечить хорошие условия
охлаждения.
Если диоды работают в тяжелых условиях, то необходимо облегчать
условия их работы уменьшением выпрямленного тока и обратного на-
пряжения. Выпрямительные диоды могут работать на емкостную нагрузку
при условии, если амплитуда обратного напряжения не будет превышать
номинального значения для данного типа диодов, а эффективное значе-
ние тока будет меньше 1,57 /вып.
При использовании диодов, которые крепятся к шасси с помощью
винта, для охлаждения необходимо, чтобы площадь шасси, приходящаяся
на один диод, была не меньше 40 см2 при толщине 1 мм. В случае не-
обходимости сами диоды могут изолироваться от шасси специальными
тонкими шайбами. Для охлаждения мощных диодов используются воз-
душные радиаторы, масляное или водяное охлаждение. Рабочее поло-
жение диода в этом случае определяется условиями размещения аппара-
туры охлаждения.
При выборе диодов следует исходить из конкретных заданных ус-
ловий их работы. Германиевые диоды применяются до температур 70—
80° С. Кремниевые диоды используются при температурах до 125° С.
Выпускаемые промышленностью диоды по назначению разделяются
на типовые группы: выпрямительные, универсальные, импульсные, пере-
ключающие, опорные, туннельные, варикапы, сверхвысокочастотные
(СВЧ).
Параметры выпрямительных диодов и выпрямительных столбов:
Наибольший выпрямленный ток /вып макс — наибольшее допустимое
среднее значение выпрямленного тока за период.
Прямое падение напряжения Unp — напряжение на диоде при про-
текающем через него установленном выпрямленном токе.
Наибольшее обратное напряжение макс — напряжение, кото-
рое может быть приложено к диоду в непропускном направлении в те-
чение длительного времени без вреда для него.
Наибольший обратный ток /обр макс — ток через диод в обратном
направлении при приложенном к нему наибольшем допустимом обратном
направлении.
Наибольшая амплитуда выпрямленного тока I вып макс — пре-
дельно допустимое амплитудное значение тока через диод, при котором
среднее значение не превышает наибольшего выпрямленного тока.
Наибольшая допустимая мощность рассеяния Ррас макс — допусти-
мое значение рассеиваемой мощности, при которой обеспечивается за-
данная надежность при длительной работе.
Основные характеристики выпрямительных диодов и выпрямитель-
ных столбов приведены в табл. 28.
Параметры универсальных диодов:
Прямой ток /пр — ток через диод при приложенном к нему постоян-
ном напряжении 1 в в пропускном направлении.
92
Таблица 28
Тип	Полупровод- ник	Выпрямлен- ный ток, а	Обратное на- пряжение, в	Рабочая частота, гц
Д7А—Д7Ж	Германий	0,1—0,3	50—400	5000
Д302—Д305	»	1—10	50—200	50000
ВК2, ВКВ2	Кремний	10—500	100—1000	400
ВЛ, ВЛВ	»	10—500	750—1500	400
Д202—Д205	»	0,4	100—400	50000
Д206—Д211	»	0,1	100—600	5000
Д214—Д215Б	»	2—10	100—200	1000
Д217—Д218	»	0,1	800—1000	1000
Д221—Д222	»	0,4	400—600	3000
Д242—Д248БП	»	5—10	50—600	1000
Д226—Д226Е	»	0,3	200—300	50000
Д229А—Д230Б	»	0,3—0,4	200—400	1000
Д231—Д234БП	»	5—10	300—600	1000
Д1001*—ДЮОЗ* А	Германий	0,1—0,3	500—2000	20000
Д1004—ДЮНА	Кремний	0,05—0,3	500—10000	20000
КЦ401А и КЦ401Б	»	0,4—0,5	500	1000
КД202В—КД202С	»	1—3	100—600	5000
Пробивное напряжение t/ б		— напряжение на диоде,		при котором
отношение изменения	напряжения	к изменению	тока становится равным	
нулю; с превышением этого напряжения резко			возрастает	обратный ток
и диод разрушается.				
Выпрямленный ток /вып — среднее значение выпрямленного тока за				
период.
Проходная емкость Спрох — статическая емкость между зажимами
диода.
Наибольшая амплитуда тока при переходных процессах /а перех —
наибольшая амплитуда тока через диод, не вызывающая его поврежде-
ния в течение 1 сек.
Остальные параметры аналогичны параметрам выпрямительных дио-
дов. Основные характеристики универсальных диодов приведены в табл. 29.
Таблица 29
Тип	Полупро- водник	Основное назначение	Выпрям- ленный ток, ма	Обратное напряже- ние, в	Рабочая часто- та, М гц
Д1А-Д1Ж*	Германий	Детектирование	2—7	20—100	150
Д2А—Д2И	»	Детектирование, индикация	8—50	100—175	150
Д9А—Д9М	»	Детектирование, выпрямление	15—40	10—100	40
ДЮ—ДЮБ	»	То же	3—8	10	100
ДП—Д14А	»	»	20	30—100	150
Д15—Д16	»	»	3—15	30—50	300
ДЮ1—ДЮ6А	Кремний	Детектирование	50—75	30—100	600
Д107*—ДЮ9*	»	»	10	10—50	20
Д223—Д223Б	»		50	50—150	20
Д225*	»	»	30	5	—
Примечан с Производства.	и е. Диоды, обозначенные звездочкой, в настоящее время сняты				
93
Параметры импульсных диодов:
Импульсное прямое сопротивление 7?им пр — отношение наибольшего
импульсного напряжения на диоде к вызвавшему его импульсу тока.
Время восстановления обратного сопротивления твос — время с мо-
мента смены направления тока через диод с прямого на обратное до того
момента, когда обратный ток уменьшится до заданного значения.
Выпрямленный ток /вып — среднее значение тока через диод с уче-
том частоты следования импульсов.
Максимальный импульс тока /им макс — наибольшее значение тока
в импульсе заданной длительности, допустимое для диода без его по-
вреждения.
Основные характеристики импульсных диодов приведены в табл. 30.
Параметры стабилитронов (опорных диодов):
Напряжение стабилизации Ucr — напряжение на диоде в области
стабилизации.
Минимальный ток стабилизации /ст мин—наименьший ток, про-
текающий через стабилитрон, при котором еще гарантируется стабили-
зация напряжения.
Динамическое сопротивление 7?д— отношение приращения напряже-
ния к соответствующему приращению тока в области стабилизации.
Температурный коэффициент напряжения ТКН — относительное
изменение напряжения стабилизации, вызванное изменением температуры
на 1° С при постоянном токе, проходящем через стабилитрон.
Максимально допустимая мощность рассеивания Ррас макс — до-
пустимое значение рассеиваемой мощности, при которой обеспечивается
заданная надежность при длительной работе.
Основные характеристики стабилитронов приведены в табл. 31.
Параметры переключающих диодов (тиристоров):
Напряжение переключения С7пер — напряжение, при котором ток
через диод начинает резко нарастать, достигая значения тока переклю-
чения.
Ток переключения /пер — ток, протекающий через диод, при прило-
женном к нему напряжении переключения.
Ток включения /вкл — наименьший ток через диод, при котором он
еще остается во включенном состоянии.
Время включения твкл — время с момента поступления отпирающего
импульса и до момента понижения напряжения на диоде до заданного
уровня.
Время выключения твык — наименьшее время, в течение которого на
диод подается запирающее напряжение для выключения.
Основные характеристики переключающих диодов приведены в
табл. 32.
Параметры туннельных диодов:
Ток максимума /макс — величина тока, соответствующая максимуму
вольт-амперной характеристики, при включении диода в прямом направ-
лении.
Ток минимума 1ит — величина тока, соответствующая минимуму
вольт-амперной характеристики при прямом включении диода.
Напряжение максимума (/макс— напряжение, соответствующее мак-
симальному току.
94
Таблица 30
Тип	Полупро- водник	Основное назначение	Выпрям- ленный ток, ма	Обратное напряже- ние, в	Время вос- становле- ния обрат- ного соп- ротивле- ния, мксек,
Д18	Германий		2Q	20	о,1
Д19—Д19Б	»	Импульсные схемы, быст-	45—60	20—40	—
Д20	»	ро действую-	50	10	0,07
Д310	»	щие машины, широкопо-	500	20	0,3
Д311-Д312	»	лосные огра-	20—80	30—100	0,05—0,5
ДММЗ—ДММЗВП		ничители, де- текторы и др.	12	15	0,1
2ДМ101А	»		10	30	—
2ДМ502А— 2ДМ502Г	»		10	30—100	0,5
1ДМ505А	»		12	15	—
Д219А—Д219Б	Кремний		50	50—100	0,4
2Д503А—2Д503Б	»		20	30	0,01
Примечания: 1. Диоды ДММЗ, ДММЗВП, 2ДМ101А и 2ДМ502А—2ДМ502Г
имеют микромодульное исполнение.
2. Диод 1ДМ505А состоит из трех мнкродиодов типа ДММЗ с общим минусовым
выводом.
Напряжение минимума С/мин напряжение, соответствующее мини-
мальному току.
Наибольшее напряжение Un — напряжение на диоде при максималь-
ном диффузионном токе, соответствующем восходящей ветви характерис-
тики при прямом включении диода.
Параметры варикапов:
Номинальная емкость Сном — емкость диода при номинальном при-
ложенном напряжении.
Добротность Q — отношение реактивного сопротивления к полному
сопротивлению потерь диода на заданной частоте.
Коэффициент перекрытия по емкости kc — отношение максималь-
ной емкости диода к минимальной.
в т б СН33НЫе хаРактеРистикн туннельных диодов и варикапов приведены
Параметры СВЧ диодов:
Фактор шума (относительная шумовая температура) — отноше-
ние мощности шумов, выделяемых детектором, к мощности тепловых
пет₽°В ОМического сопротивления, равного внутреннему сопротивлению
ктора при одной и той же температуре.
95
Таблица 31
Тип	Полупро’ водннк	Основное назна- чение	Напряже- ние ста- билиза- ции, в	Ток стаби- лизации, ма	Мощность рассея- ния, вт
Д808—Д811,	Кремний		7—14	20—33	0,28
Д813					
Д814А-Д814Д	»	Стабилиза-	24—40	6—18	0,34
Д815А-Д815Ж	»	ция, ограни-	5,6—18	450—1400	8,0
Д816А—Д817ГП	»	чение, фор-	22—100	50—230	5,0
Д818А—Д818Е	»	мирование и	9,0	33	0,3
2С156А, 2С168А	»	др.	5,6—6,8	45—55	0,3
2С920А—2С980А	»		120—180	28—42	5,0
CKI, СК2	»		5,6—300	25—2000	10—15
KCI33A—КС168А	»		3,3—6,8	10	0,3
КС211А—КС211Д	»		11	10	0,28
КС620А—КС680А	»		120—180	25	5,0
2СМ133А—2СМ213А	»		3—12	5—10	0,125
Примечание. Стабилитроны типа СМ имеют микромодульное исполнение.
Таблица 32
Тип	Полупро- водник	Основное назначе- ние	Напряже- ние пере- ключения, в	Ток через диод, а	с R Г а 2 . а> к « а 5 s CQ m аз	1 Время выключе- ния, мксек
Д227А—Д227И	Кремний		10—200	0,2	0,5	10
Д228А—Д228И	»	Переклю-	10—200	0,05	0,1	1
Д235А—Д235Г	»	чение	40—100	2,0	5,0	25
Д238А—Д238Е	»		50—150	10	10	35
ВКУ-Ю—	»	Управляв-	50—600	10—100	—	—
ВКУВ-Ю0 тлз, тл, тлв	»	мые вен- тили, ин-	400—1000	160—320				
ВКДУС	»	верторы	50—800	100—150	—	—
вкду	»		100—1000	25—320		—
Ч у ветвите льность по току (3 = —ЕЬ1П — отношение	выпрямленного
^под
тока к величине подводимой к детектору мощности при достаточно малом
уровне сигнала и сопротивлении нагрузки, много меньше, чем выходное
сопротивление детектора.
96
Таблица 33
Тип	Полупро- водник	Основное назначение	Ток мак- симума, ма	Напряже- ние мак- симума, в	Наибольшее напряжение, в
ЗИЗО1А— ЗИЗО1Г	Арсенид галлия	Переклю- чающий эле- мент, усили- тель и др.	2—10	0,18	0,65—1,3
1H3J2A—1И302Г	Германий	Переменная емкость, уси- литель и др.	1.7—17	0,06	45—80
Д901А— Д901Е	Кремний		—	—	(емкость от 22 до 44 пф)
Коэффициент стоячей волны напряжения (КСВН) — корень квадрат-
ный из отношения токов индикаторного детектора в пучностях и узлах на-
пряжения электрического поля; измеряется для детекторов в стандартной
камере с помощью измерительной линии с детекторным индикатором.
Выходное сопротивление /?ВЬ1Х — дифференциальное сопротивление
в рабочем режиме на промежуточной частоте.
Добротность Q определяется чувствительностью диода по току, вы-
ходным сопротивлением и относительной шумовой температурой диода
V ^вых^ш +	л
где /?ш л — эквивалентное шумовое сопротивление лампы усилителя, па
которую работает детектор.
Максимальная добротность кремниевых диодов получается при на-
чальном смешении 0—0,2 в; для германиевых диодов при смещении 0,3—
0,4 в. При отрицательном смещении возрастают шумы диода и снижается
добротность.
Выпрямленный ток /вып — постоянный ток, протекающий в выход-
ной цепи диода при воздействии СВЧ мощности.
Номинальная энергия тока выгорания £[)ЬИ. — энергия (в эргах)
импульса постоянного тока, при котором происходят необратимые изме-
нения детектирующих и преобразовательных свойств днода.
Р
Потери преобразования L --	— отношение номинальной мощ-
' вых
ности сигнала СВЧ, поступающего на вход диода, к номинальной мощ-
ности сигнала промежуточной частоты, получаемого на выходе диода.
Нормальный коэффициент шума N — характеристика чувствитель-
ности смесительного детектора при его работе с усилителем промежу-
точной частоты, имеющим определенное значение коэффициента шума,
^ = Ь^ш-!-£УПч-1^
гДе L — потери преобразования детектора; £уГ1Ч— коэффициент шума
УПЧ.
4 544
97
Выбор диода для работы на СВЧ определяется конкретными усло-
виями (длиной рабочей волны, типом приемника, предельными рабочими
температурами и т. п.). Использование высокоомных видео детекторов не
всегда целесообразно, так как они обладают невысокой чувствительностью
по току. В детекторных приемниках импульсных сигналов целесообразно
использовать иизкоомиые видеодетекторы, так как в этом случае легче
обеспечить требуемую полосу пропускания первого каскада.
Основные характеристики СВЧ диодов приведены в табл. 34.
Таблица 34
Тип	Полупро- водник	Основное назначение	Рабочая длина волны, см	Наиболь- шие поте- ри пре- образова- ния, дб	Наимень- шая чув- ствитель- ность, а/вт
Д401	Германий	СВЧ модуля- тор (модули- рующая час- тота до 150 Мгц)	7—10	13	—
Д403А—Д403В	»	Смеситель	3—30	9	—
Д405—Д405БП	Кремний	»	3	6—8	—
Д408	»	»	10	6	—
Д602—Д602Б	Германий	Видеодетек-	27—60	—	1,5
дг-с	»	Смеситель	3—10	6,5—8,5		
ДЗА-ДЗБ	Кремний	Видеодетек- тор	2,9—30	—	—
Д603	»	»	6—60		4
Д604	»	»	3	—	—
дк-с	»	Смеситель	3—10	6,5—8	—
дк-и	»	Измеритель- ный	3—10	—	0,2—0,5
дк-в	»	Видеодетек- тор	3—10	—	0,4—1,2 14 (в/втУ2)
Д605	»	»	3,2	—	
Д501	»	Умножитель	25,6	—	—
ДК-С7М	»	Смеситель	3—12	6,5	—
ДК-В8	»	Видеодетек- тор	1,8—3,2	—	15 (elem'l*)
дк-вн	»	»	—	—	1,5
Д402—Д404	»	Смеситель		8,5—10	—
Д406	>	»		1	—
Д606	»	Видеодетек-	—	—	14 (в/вт1*)
Д601А*—Д601В	>	тор >	—	—	—
ГЕРМАНИЕВЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ ДИОД Д7
Конструктивное оформление — металлический корпус со стеклян-
ными изоляторами и гибкими выводами (рис. 52).
Вес 1,4 г.
98
Интервал рабочих температур от +70 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружаю-
щего воздуха 98% при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давления 40—
800 мм рт. ст.
Наибольшие допустимые ускорения при вибрациях
с частотами от 10 до 70 гц— 10 g.
Рабочее положение — любое.
Наибольшая рабочая частота 50 кгц.
Основное назначение — выпрямление переменного
тока.
Параметры приведены в табл. .35, типовые режи-
мы — в табл. 36.
I ц**
Д7,Д20в-Д2«
Рис. 52. Внеш-
ний вид и основ-
ные размеры ди-
одов Д7, Д206—
Д2П
Таблица 35.
Параметры	Тип диода						
	Д7А	| Д7Б	Д7В	Д7Г	Д7Д	Д7Е	Д7Ж
Наибольшее обратное напряжение, в ....	50	100	150	200	300	350	400
Наибольшее падение на- пряжения в прямом на- правлении, в, не более Наибольший обратный Я'ок, ма, при наиболь- шем обратном напряже- нии 		0,5	0,5	0,5	0,5	0,3	0,3	0,3
	0,3	0,3	0,3	0,3	0,3	0,3	0,3
Наибольший выпрямлен- ный ток, ма 	 Наименьшее пробивное напряжение, в		300	300	300	300	300	300	300
	75	150	225	300	450	525	600
Наибольшая амплитуда тока при переходных процессах в течение 0,1 сек, а		25	25	25	25	25	25	25
Таблица 36
Темпера- тура окру- жающего воздуха, °C	Наибольший выпрямленный ток, ма	Наибольшее обратное напряжение, в						
		Д7А	Д7Б	Д7В	Д7Г	Д7Д	Д7Е	Д7Ж
20	300	50	100	150	200	300	350	400
50	300	35	60	90	125	190	220	250
70	210	25	35	50	65	90	НО	130
4*
99
Диоды Д7 заменяют ранее выпускавшиеся диоды ДГ-Ц. Данные для
замены соответствующих типов диодов:
ДГ-Ц21	ДГ-Ц22	ДГ-Ц23	ДГ-Ц24	ДГ-Ц25	ДГ-Ц26	ДГ-Ц27
Д7А	Д7Б	Д7В	Д7Г	Д7Д	Д7Е	Д7Ж
Характеристики диодов приведены на рис. 53.
Рис. 53. Вольт-амперные
характеристики диодов Д7
при различной темпера-
туре.
КРЕМНИЕВЫЕ ПЛОСКОСТНЫЕ ДИОДЫ Д202-Д205
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус (рис. 54).
Вес 7,2 г.
Интервал рабочих температур от 4-125 до —60° С. Предельная тем-
пература окружающей среды для диода без нагрузки 150° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Интервал изменения атмосферного давления 5—800 мм рт. ст.
Наибольшее постоянное ускорение 150 g.
100
Наибольшее ускорение при ударе 150 g.
Наибольшее допустимое ускорение при вибрации с частотой 50 гц —
15 ц.
Отсутствие механических резонансов при перегрузках 6—10 g на
частотах 10—60 гц.
Рабочее положение должно способст-
вовать охлаждению.
Наибольшая рабочая частота 50 кгц.
Параметры приведены в табл. 37.
Без дополнительного радиатора допу-
стимая рабочая температура не более 80° С,
при этом величина выпрямленного тока
должна быть снижена на 50%.
Рис. 54. Внешний вид и основные размеры
диодов Д202—Д205.
При параллельном соединении диодов
необходимо после каждого из них вклю-
чать последовательно резистор сопротивлением 10—50 ом.
Основное назначение — выпрямление переменного тока в установках,
работающих при повышенных температурах.
Характеристики диодов приведены на рис. 55.
Рис.-55. Вольт-амперные характеристики диода Д202—Д205
при различных температурах.
101
Таблица 37
Параметры	Тип диода			
	Д202	Д203	Д204	Д205
Наибольшее обратное напряже- ние, в	 Наибольший обратный ток, ма, при наибольшем обратном на- пряжении 	 Наибольшее падение напряже- ния в прямом направлении при токе 400 ма, в		100	200	300	400
	0,5	0,5	0,5	0,5
	1,0	1,0	1,0	1,0
Наибольший выпрямленный ток, ма .............	400	400	400	400
Примечания:!. В таблице приведены данные для температуры 125° С при
наличии теплоотводящего шасси.
2. Без теплоотводящего шасси значение выпрямленного тока снижается в два
раза.
КРЕМНИЕВЫЕ ПЛОСКОСТНЫЕ ДИОДЫ Д206-Д211
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус с гибкими выводами (см. рис. 52).
Интервал рабочих температур от 4-125 до —60® С.
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению.
Основное назначение — выпрямление переменного тока в устройст-
вах радиовещания, радиолокации, телевидения, в счетных машинах.
Таблица 38
Параметры	Тип диода					
	Д206	Д207	' Д208	Д209	Д2Ю	Д211
Наибольшее обратное напряже- ние, в	 Наибольший обратный ток, ма, при наибольшем обратном на- пряжении 		100	200	300	400	500	600
	0,1	0,1	0,1	0,1	0,1	0,1
Средний выпрямленный ток, ма	100	100	100	100	100	100
Падение напряжения в прямом направлении при максимальном выпрямленном токе, в . . . .	1,0	1,0	1,0	1,0	1,0	1,0
Параметры диодов приведены в табл. 38, а характеристики изобра-
жены на рис. 56.
102
Д208
Inpt Ma
-----100
‘npt
50
^,6-250-200-150-100-50 0
'np>
+20°C +70°C+125°C
i I I
0,5
50 ]—
Рис. 56. Вольт-ам-
перные характерис-
тики диодов Д206—
Д211 при различ-
ных температурах.
КРЕМНИЕВЫЕ ПЛОСКОСТНЫЕ ДИОДЫ Д214—Д215Б
Конструктивное выполнение — металлический герметизированный
корпус со стеклянным изолятором и болтом для крепления к шасси
(рис. 57).
Вес (без радиатора) 22 г.
Интервал рабочих температур от +125 до —60® С.
Диоды должны устанавливаться на теплоотводящем шасси или же
радиаторах. Необходимые площади алюминиевых радиаторов при тол-
щине не менее 3 мм в зависимости от окружающей среды приведены
в табл. 39.
Таблица 39
Максимальный выпрямлен- ный ток, а	Площадь радиатора, см*	
	до 25° С	до 125е С
2—5	25	100
10	50	200
103
Интервал допустимого изменения давления окружающего воздуха от
5 мм pm. ст. до 2 ати.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 95 ± 3%
при температуре 40 + 5° С.
Наибольшие постоянные ускорения 150 g.
Наибольшие ударные ускорения 150 g.
L—21,5^
Д214-Д215Б,
Д242-Д248П
Рис. 57. Внешний вид
и основные размеры
диодов Д214—Д215Б,
Д242—Д248П.
Рис. 58. График зависи-
мости выпрямленного тока
от температуры корпуса.
Выдерживает вибрационные ускорения до 20 g с частотами от 10 до
2000 гц.
Допускает трехкратную перегрузку номинальным током в течение
0,5 сек.
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению.
Основное назначение — выпрямление переменного тока частотой
до 1 кгц.
Таблица 40
Параметры	Тип диода					
	Д214	Д214А	Д214Б |	Д215 |	Д215А |	Д215Б
Наибольший средний выпрям- ленный ток, а 		5	10	2	5	10	2
Наибольшее обратное напряже- ние, в	 Наибольший обратный ток, ма	100	100	100	200	200	200
	3	3	3	3	3	3
Наибольшее падение напряже- ния в прямом направлении, в	1.0	1,0	1,0	1,0	1,0	1,0
Наибольшая допустимая темпе- ратура корпуса диода, °C . . .	150	150	150	150	150	150
104
в табл. 40, характеристики изобра-
Рис. 60. Вольт-амперные характеристики диодов Д2Г4 и Д215А при
различных температурах.
КРЕМНИЕВЫЕ ПЛОСКОСТНЫЕ ДИОДЫ Д217 И Д218
кооп^сНгпР/КТИВНое выполнение — металлический герметизированный
Р Инта СТеКЛЯННЫМ ИЗОЛЯТОрОМ И ГИбКИМИ ВЫВОДЭМИ (рИС. 61).
нтервал рабочих температур от -{-125 до —60° С.
температуреМ40о°СН°СИТеЛЬНаЯ влажность окружающего воздуха 98% при
Рабочее положение — любое.
105
Диоды соединяют параллельно и последовательно. При параллель-
ном соединении последовательно с каждым диодом включают резистор
сопротивлением 5 ом, при
шунтировать каждый диод
gO,fl
последовательном соединении рекомендуется
выравнивающей емкостью 50 пф.
Диоды работают на емкостную нагрузку
при условии, что эффективное значение
тока через диод не превышает 1,57 от но-
минального значения выпрямленного тока.
Основное назначение — выпрямление пе-
ременного тока частотой до 1 кгц. Допус-
кается использование на более высоких
частотах при условии, что величина обрат-
ного тока на данной частоте и в задан-
ном режиме не будет превышать 500 мка.
06,8
Д217,Д218,Д226
Д228А -Д228И
-60-40-20 0 20 40 60 80 1001201^0
Рис. 61. Внешний
вид и основные раз-
меры диодов Д217,
Д218, Д226,
Д228А—Д228И.
Рис. 62. График зависимости наи-
большего выпрямленного тока от
температуры окружающей среды
для диодов Д217 и Д218.
Параметры диодов	Д217	Д218
Наибольший средний выпрямленный ток, а	0,1	0,1
Наибольший обратный ток, мка............ 50	50
Наибольшее падение напряжения в прямом
направлении, в .......................... 0,5	0,5
Наибольшая допустимая температура кор-
пуса диода при эксплуатации, °C.........140	140
Наибольшее обратное напряжение, в	.	. .	800	1000
Характеристики диодов изображены на рис. 62—64.
Рис. 63. Области изменения обратной ветви
вольт-амперных характеристик диодов Д217
и Д218 при различных температурах:
а----60° С; б — 4-20° С; в — 4-120° С.
Я
106
Рис. 64. Области изменения прямой ветви вольт-ам-
перных характеристик диодов Д217 и Д218 при раз-
личных температурах:
а — 4-120° С; б — 4-20° С; в-------------------60° С.
КРЕМНИЕВЫЕ СПЛАВНЫЕ ДИОДЫ Д221 и Д222
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянным изолятором и винтом для крепления на теплоот-
водящем радиаторе (рис. 65).
Вес 7,2 г.
Интервал рабочих температур от 4-125 до —60е С. Предельно
допустимая температура корпуса 135° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давле-
ния от 5 мм рт. ст. до 2 ати.
Наибольшее допустимое постоянное уско-
рение 150 g.
Наибольшее допустимое ударное ускоре-
ние 150 g.
Наибольшее допустимое ускорение при
вибрациях с частотами 10—1000 гц 12 g.
Для повышения надежности целесообразно
устанавливать значение обратного напряжения
на 20% ниже его номинального значения.
Диоды соединяют последовательно и па-
раллельно. При последовательном соединении
диодов каждый из них необходимо шунтиро-
вать с резистором из расчета 70 ком на 100 в
амплитудного значения обратного напряжения.
При параллельном соединении диодов последо-
вательно с каждым из них необходимо включать
резистор сопротивлением 5—8 ом.
Работа диодов в предельном режиме допу-
скается при наличии площади шасси (радиато-
ра) на один диод не менее 40 см2 при тол-
щине более 1 мм.
Д221.Д222
Рис. 65. Внешний вид
и основные размеры
диодов Д221 и Д222.
107
Запрещается изгибание верхнего вывода диода.
Основное назначение — работа в схемах выпрямителей различных
радиотехнических и электронных устройств.
Характеристики диодов изображены на рис. 66.
Рис. 66. Вольт-амперные характеристики диодов Д221, Д222.
Параметры диодов	Д221 Д222
Наибольший выпрямленный ток, ма . . . . 400	400
Наибольший обратный ток при наибольшем
обратном напряжении, ма........... 0,5	0,5
Наибольшее падение напряжения в прямом
направлении при наибольшем выпрямленном
токе, в............................. 1	1
Проходная емкость диода при обратном на-
пряжении 5 в, пф ............	20	20
Граничная частота без снижения выпрямлен-
ного тока, кгц...................... 3	3
Наибольшая k амплитуда обратного напряже-
ния, в . .  ...................... 400	600
КРЕМНИЕВЫЕ ПЛОСКОСТНЫЕ ДИОДЫ Д226—Д226Е
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (см. рис. 61).
Вес 2 г.
Интервал рабочих температур от 4-125 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давления от 5 мм рт. ст.
до 2 ати.
Наибольшее допустимое постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее допустимое ударное ускорение 150 g.
Наибольшее допустимое ускорение при вибрациях с частотами от 10
до 2000 гц — 15 g.
Диоды можно соединять параллельно и последовательно. При парал-
лельном соединении последовательно с каждым диодом включается
резистор сопротивлением 5 ом. При последовательном соединении парал-
лельно каждому диоду включается выравнивающий резистор. Его сопро-
тивление выбирается из расчета 70—100 ком на каждые 100 в амплитуды
обратного напряжения.
W8
В номинальном режиме при нормальной температуре допускаются
однократные перегрузки по выпрямленному току в 1 а в течение 0,1 сек.
Допускается работа диодов на емкостную нагрузку при условии,
что амплитуда обратного напряжения не превышает допустимого значе-
ния, а ток через диод не более 1,57 от номинального значения выпрям-
ленного тока.
Для повышения надежности рекомендуется снижать рабочее значе-
ние обратного напряжения на 20% от его номинального значения.
Рабочее положение — любое.
Срок службы 5000 ч.
Рис. 67. График зависимости амп-
литуды обратного напряжения
от температуры окружающей
среды.
Рис. 68. График зависимости об-
ратного и выпрямленного токов
от температуры окружающей
среды.
Основное назначение — выпрямление переменного тока. Могут при*
меняться взамен диодов Д7А—Д7Ж в схемах, где величина прямого
падения напряжения не критична.
Параметры приведены в табл. 41, а характеристики изображены иа
рис. 67 -и 68.
Таблица 41
Параметры диодов	Д226 Д226Б	Д226 \ Д226В	Д226Г Д226Е	Д226Д
Наибольший выпрямленный ток, ма: от +50 до —60°С 		300	300	300	300
от 50 до 80°С		250*	250	200**	200
Наибольший обратный ток, мка, при наибольшем обратном напряжении: 20 и —60°С . ,	...	50	50	100	100
80°С . .	100	100	300	300
Наибольшая амплитуда обратного на- пряжения, в: от +50 до —60°С 		400	300	200	100
от 50 до 80°С 		300	200	150	70
Для Д226Б — 200 в.
Для Д226Е — 250 в.
КРЕМНИЕВЫЕ ПЛОСКОСТНЫЕ ДИОДЫ Д229А—Д230Б
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус (рис. 69) со стеклянным изолятором и болтом для крепления
к шасси (Д229А—Д229Б) или же гибкими выводами (Д230А—Д230Б).
Интервал рабочих температур от 4-125 до —60° С. Допустимая тем-
пература корпуса диода 135® С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Рабочее положение — любое.
Д229Х1, Д229Б
Рис. 69. Внешний вид и основные размеры диодов Д229А—
Д230Б.
Д230А, Д2306
Диоды соединяют параллельно и последовательно. При параллель-
ном соединении диодов последовательно с каждым из них включается
резистор сопротивлением 8 ом. При последовательном соединении парал-
лельно каждому диоду включается разгрузочная емкость либо шунт
другого типа, при котором напряжение на каждом диоде не превосходит
допустимых значений.
Диоды могут работать на емкостную нагрузку при условии, что
амплитуда обратного напряжения не превышает допустимых значений,
а импульс тока не превышает шестикратного значения выпрямленного
тока.
Таблица 42
Параметры	Тип диода			
	Д229А	Д229Б	Д230А	Д230Б
Наибольший средний выпрямленный ток, ма 	 Наибольшее обратное напряжение, в	400	400	300	300
	200	400	200	400
Наибольший обратный ток, мка . . .	50	50	50	50
Наибольшее падение напряжения в прямом направлении, 		1.0	1.0	1,0	1.0
110
Параметры диодов приведены в табл. 42, а характеристики изобра-
жены на рис. 70.
Рис. 70. Вольт-амперные характеристики диодов Д229 при различных
температурах.
КРЕМНИЕВЫЕ ПЛОСКОСТНЫЕ ДИОДЫ Д231—Д234БП
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянным изолятором и винтом для крепления на теплоот-
водящем радиаторе (рис. 71).
Вес 21 г.
Интервал рабочих температур от 4-130
сительная влажность окружающего воз-
духа 98% при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного
давления от 5 мм рт. ст. до 3 ати.
Наибольшее допустимое постоянное
ускорение 150 g.
Наибольшее допустимое ударное уско-
рение 150 g.
Наибольшее допустимое ускорение
при вибрациях с частотой от 10 до
2000 гц — 20 g.
Возможно применение принудитель-
ного охлаждения диодов. Диоды можно
соединять последовательно, при этом их
необходимо шунтировать сопротивлением
из расчета 10—15 ком на каждые 100 в
амплитуды обратного напряжения. Для
повышения надежности целесообразно
Устанавливать обратное напряжение на
2®'° ниже его номинального значения.
Категорически запрещается прилагать
к изолированному выводу усилия, превы-
шающие 1 кг. Температура верхнего мон-
тажного вывода при пайке не должна
превышать 180° С.
Рабочее положение должно благо-
приятствовать охлаждению.
до —60° С. Допустимая отно-
41
Д231-Д2346П
Рис. 71. Внешний вид и ос-
новные размеры диодов
Д231—Д234БП.
Рис. 72. График зависимости
выпрямленного тока от тем-
пературы корпуса.
111
Основное назначение — работа в выпрямителях переменного тока
промышленной частоты радиотехнических и электротехнических уста-
новок.
Параметры диодов приведены в табл. 43, а характеристики изобра-
жены на рис. 72 и 73.
Таблица 43
Параметры
Наибольший вы-
прямленный ток, а:
до 75° С . . . .
при 130° С . . .
Наибольшее обрат-
ное напряжение в
рабочем интервале
температур, в (в
однофазной одно-
полупериодной схе-
ме выпрямления)
Наибольший обрат-
ный ток при наи-
большем обратном
напряжении в ра-
бочем интервале
температур, ма . .
Наибольшее паде-
ние напряжения в
прямом направле-
нии при наиболь-
шем выпрямленном
токе, в, при тем-
пературе:
—60° С ....
+25° С . . : .
+ 130° С ....
Тип диода
Примечание. Диоды с индексом П имеют обратную полярность.
КРЕМНИЕВЫЕ ПЛОСКОСТНЫЕ ДИОДЫ Д242—Д248БП
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянным изолятором и болтом для крепления к шасси
(см. рис. 57).
Вес (без радиатора) 18 г.
Интервал рабочих температур от -J-125 до —60° С. Диоды устанав-
ливаются на теплоотводящем шасси или радиаторах. Необходимые раз-
меры площади алюминиевых радиаторов при толщине стенки не менее
112
з .мл в зависимости от температуры окружающей среды приведены
в табл. 39.	Qfl0/
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98/о
при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давления от 5 мм рт. ст. до
2 ати.
Рис. 73. Вольт-амперные ха-
рактеристики диодовД231—
Д234Б при различных темпе-
ратурах.
113
Тип
Параметры
Наибольший выпрямленный ток,
а, при температуре:
от —60 до +75° С..........
130° С ...................
Наибольший обратный ток, ма,
при рабочем напряжении и тем-
пературе корпуса от —60 до
4-130° С ...................
Наибольшее прямое падение
напряжения, в, при темпера-
туре:
от —60 до 4-75° С.........
130° С ...................
Наибольшее обратное напряже-
ние при температуре от —60
до 4-130° С, в..............
Наибольшая допустимая темпе-
ратура корпуса, °C .........
10
5
3
1,25
1
100
130
3
1
1
100
130
5	10	Ю
2	5	10
1,5	1,25	1
1	1	1
100	200	200
130	130	130
1,5
1
200
130
5
2
3
Наибольшее постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее ускорение при ударе 150 g.
Наибольшее ускорение при вибрациях с частотами от 10 до
1000 гц — 10 g.
Рис. 74. График зависимости
выпрямленного тока от тем-
пературы корпуса для ди-
одов Д242—Д248П.
характеристики диода
Д242 при различных тем-
пературах.
При последовательном соединении параллельно каждому диоду вклю-
чается резистор с сопротивлением из расчета 10—15 ком на каждые
100 в амплитуды обратного напряжения.
114
Таблица 44
диода
	.с	.с		.с	-С		-Е		.с	-С
м‘5		ид	-С ю ю	<< ю ю	ЙЙ ю ю	.С с©	U3 U3		gg	из из ор ср
сч сч ад			сч сч	счсч	сч сч	сч сч	сч сч	сч сч	счЯ	СЧ СЧ
		ад	ад	ад	ад	ад		ад	ад	ад
5
2
10
5
3
1,25
1
50
130
10
10
5	10	10
2	5	10
1
1
50
130
1,5	1,25	1
1	1	1
50	300
130	130
5
2
3
1,5
1
300
130
10
5
3
1,25
1
400
130
1,5
1
400
130
1,25	1,5	1,5
1	1	1
500	500	600
130	130	130
3
3	3
3
Для повышения надежности рекомендуется уменьшать подводимое
напряжение на 20% по сравнению с допустимым. В первое время после
включения может наблюдаться некоторый рост обратного тока.
Рис. 76. Область 80%-ного разброса вольт-амперных характе-
ристик при температуре окружающей среды 20° С для диодов
Д242 и Д243А.
При пайке температура места пайки не должна превышать 150°О,
запрещается прикладывать к выводам диода усилия, превышающие 1 кг.
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению.
1000^СН°ВНОе назначение — выпрямление переменного тока частотой до
Параметры диодов приведены в табл. 44, а характеристики изобра-
жены на рис. 74—76.
115
ГЕРМАНИЕВЫЕ ПЛОСКОСТНЫЕ ДИОДЫ Д302—Д305
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянным
Д302-Д305
Рис. 77. Внешний вид
и основные размеры
диодов Д302 — Д305.
кратная для ДЗОЗ; 2,5-
изолятором и болтом для крепления к шасси
(рис. 77).
Вес 16 г.
Интервал рабочих температур от -|-70 до
—60° С.
Допустимая относительная влажность окру-
жающего воздуха 98% при температуре
40° С.
Интервал допустимого изменения давления
окружающего воздуха от 5 мм рт. ст. до
2 ати.
Наибольшее постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее ускорение при ударе 120 g.
Наибольшее ускорение при вибрациях с час-
тотой от 10 до 1000 гц— 15 g.
Для повышения надежности температура
нагрева корпуса не должна превышать 80° С.
Диоды можно соединять последовательно
и параллельно. При последовательном соеди-
нении параллельно каждому диоду подключается
резистор сопротивлением 10—15 ком. Рекомен-
дуется также снижать рабочее обратное напря-
жение на 20% от наибольшего допустимого.
Допускается перегрузка диодов по току
в течение 0,5 сек: 4-кратная для Д302; 1,5-
кратная для Д304 и 2-кратная для Д305.
Рис. 78. Вольт-амперные характеристики диодов Д302—Д305
при различных температурах.
116
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению.
Срок службы 5000 ч.
Основное назначение — выпрямление переменного тока частотой 50 гц.
Параметры приведены в табл. 45. Характеристики изображены на
рис. 78 и 79.
ТТ I 1
'•'обр.макс
200г—
150 —
100
50.
: °Д302
ДЗОЗ
Д304
Д305
0-60-40-20 0 20 40 601.,°C
а
Рис. 79. Характеристики диодов Д302—Д305:
а — зависимость максимального обратного напряжения от температуры;
б — зависимость максимального выпрямленного тока от температуры.
Таблица 45
Параметры	Тип диода			
	Д302	ДЗОЗ	Д304	Д305
Наибольшее обратное напряжение, в . . . Наибольшее падение напряжения в прямом	200	150	100	50
направлении, в 	 Наибольший обратный ток при наибольшем	0,2	0,3	0,4	0,5
обратном напряжении, ма		3	3	3	1,5
Наибольший выпрямленный ток, а		1	3	5	10
Пр нмечание. Значения выпрямленных токов .приведены для условий охла-
ждения: Д302 без радиатора; ДЗОЗ с радиатором 0 60 мм; Д304 с радиатором 0 80 ммз
Д305 с радиатором 0 150 мм.
КРЕМНИЕВЫЕ ВЕНТИЛИ ВК2, ВКВ2, ВЛ И ВЛ В
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянным изолятором и болтом для крепления (рис. 80).
Вентили ВК2 и ВЛ работают в условиях естественного или прину-
дительного воздушного охлаждения. Вентили ВКВ2 и ВЛВ работают
в условиях водяного охлаждения.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Наибольшие допустимые ускорения при ударе 12 g.
Наибольшие допустимые ускорения при вибрации с частотой до
w гц — 7,5 g
Обозначение вентилей состоит из группы букв и цифр:
г»л первые две буквы указывают тип (ВК — вентиль кремниевый;
1 вентиль лавинный);
117
Параметры	Тип					
	ВК2-10	ВК2-25	ВК2-50	ВК2-200	ВКВ2-350	
Номинальный прямой ток, а	10	25	50	200	350	
Номинальное обратное на- пряжение, в		100—	100—	100—	100—	100—	
	1000	1000	1000	1000	1000	
Прямое падение напряжения при номинальном токе, в . .	0,4—0,6	0,4—0,6	0,4—0,6	0,4—0,7	0,5—0,8	
Наибольший обратный ток, ма								
Установившееся значение теплового сопротивления, град/вт .........		.		.						
Габариты, мм		72x72х	90 x 90х	44x75х	70x80х	0 62Х	
	Х116	Х67	Х272	хззо	Х325	
Вес, кг: без охладителя 		0,045	0,081	0,19	0,51	0,51	
с охладителем 		0,131	0,225	1,29	2,26	1,16	
ВКДУС ТЛ-250
ВКДУ ВДКУВ	ВЛ-320
Рис. 80. Внешний вид кремниевых вен-
тилей.
третья буква, при ее наличии,
указывает на водяное охлаждение вентиля;
первая цифра указывает груп-
пу вентиля;
цифры после тире указывают ве-
личину номинального тока через вентиль.
Рабочее положение вентиля опреде-
ляется положением охладителя.
Основное назначение — преобразова-
ние переменного тока частотой до 400 гц
118
Таблица 46
вентиля										
	ВКВ2-500	вл-ю	ВЛ-25	ВЛ-50	ВЛ-200	ВЛ-320	| ВЛ В-320	ВЛ В-500
	500	10	25	50	200	320	320	500
	100— 1000	700— 1500	700— 1500	700— 1500	700— 1500	700— 1500	700— 1500	700—1500
	0,5—0,9	0,4—0,6	0,4—0,6	0,4—0,6	0,4— 0,7	0,5—0,7	0,6—0,75	0,6—0,8
	—	1	2	3	5	5	5	5
	060x 353	1,5 72х72х Х116	1,2 90х90х Х67	0,7 44х75х Х272	0,18 80x70 хззо	0,14 НОхНбх Х357	0,14 062 x 325	0,14 060x 353
	1,0 1,6	0,045 0,131	0,081 0,225	0,191 1,29— 1,94	0,51 2,26	1,0 4,6	0,51 1,16	1,0 1,6
в постоянный, а также использование в силовых электрических установ-
ках и в схемах автоматизации процессов.
Параметры вентилей приведены в табл. 46.
ГЕРМАНИЕВЫЕ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ
СТОЛБЫ Д1001—Д1003А,
Конструктивное оформление — металлический корпус, залитый эпок-
сидной смолой (рис. 81).
Интервал рабочих температур, при котором величина выпрямленного
напряжения изменяется не более чем на 3%, от -]-70 до —60° С.
Наибольшая допустимая температура корпуса 80° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давления от 5 мм рт, ст. до
3 ати.
Наибольшее ускорение при вибрациях с частотами 10—600 гц 12 g.
Наибольшее постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее ускорение при одиночном ударе 150 g.
Наибольшие ускорения при многократных ударах с частотой 60—80
Ударов в минуту 10 g.
Наибольшая рабочая частота 20 кгц.
Срок службы 5000 ч.
Указания по эксплуатации
ДвВате ®ыпРямительные столбы можно соединять параллельно и после-
При обратном напряжении до 6 кв столбы можно включать последо-
ельно без шунтирующих сопротивлений. На более высокие напряжения
119
разрешается включать выпрямители только с шунтирующим сопротивле-
нием величиной не более 4,5 Мом. Для Д1002 и Д1002А — не более
4,0 Мом.
При любом способе последовательного включения обратное напряже-
ние каждого столба не должно превышать допустимого значения. При
последовательном соединении столбов их корпуса должны быть надежно
изолированными от металлического шасси.
Д700/	Д1001А	ДЮОЗА
Д1002
Рис. 81. Внешний вид и основные размеры выпрямительных столбов
Д1001—ДЮОЗА.
2.	Выпрямительные столбы допускают работу на емкостную нагрузку
при условии, что амплитуда обратного напряжения не превышает пре-
дельно допустимую, а эффективное значение тока через диод не превы-
шает допустимого.
3.	Выпрямительные столбы работают в диапазоне частот от 50 гц до
20 кгц.
До частоты 2,4 кгц столбы работают без снижения рабочего напря-
жения.
При работе на более высоких частотах необходимо снижать подво-
димое напряжение и выпрямленный ток в соответствии с данными, при-
веденными в табл. 47.
120
4	При давлении меньше 41 ммрт. ст. выводы столбов и оголенные
части подводящих проводов должны изолироваться изоляционной массой.
5.	В устройствах выпрямительные столбы должны располагаться таким
образом, чтобы обеспечивалось их нормальное охлаждение и не было
дополнительного подогрева от других деталей.
Таблица 47
Частота, кгц	Снижение величины подводимого напряжения в % от номинального	Снижение величины выпрямленного тока в % от номинального
3,0			10
5,0	15	15
10,0	25	25
20,0	50	50
6.	Крепление выпрямительных столбов на шасси может осуществ-
ляться в любом положении, обеспечивающем достаточную площадь
теплоотвода. На неметаллических и небольших металлических шасси
выпрямительные столбы необходимо устанавливать вверх маркировкой,
обеспечивая их охлаждение со всех сторон.
7.	При работе в условиях затрудненного теплоотвода, при повышен-
ной температуре окружающей среды, а также на частотах свыше 2,4 кгц
необходимо проверять, чтобы температура корпуса не превышала допу-
стимой.
Параметры выпрямительных столбов приведены в табл. 48, темпера-
турные зависимости режимов — в табл. 49, а характеристики изображены
на рис. 82.
Таблица 48
Параметры	Тип выпрямительного столба				
	Д1001*	Д1001А*	ДЮО2^Д|ОО2А’!|Д1ООЗА*		
Наибольшее обратное напряжение, в Наибольший обратный ток при наи-	2000	1000	2000	1000	500
большем обратном напряжении, ма Наибольшее прямое падение -напря-	0,15	0,15	0,3	0,3	0,3
исения, в, при токе 0,1 ма		6,5	3,5	7,5	4	2
Наибольший выпрямленный ток, ма таибольшее пробивное напряжение, в Наименьшая теплоотведящая поверх-	100	100	300	300	300
	5000	3000	5000	3000	3000
	60	60	100	100	60
«ость, см1		 «’больший ток при переходном про-	35	35	60	60	35
цессе в течение четверти периода, а	—	—	1,8	1,8	1,8
121
	Д1003Л								
						3ZU 240 160 во 00			
									
									
Цэбр	„6-500-400-300-200-								
							01	20,	
							"ZU -40 ма		
									
Рис. 82. Вольт-амперные
характеристики выпрями-
тельных столбов —
Д1001—Д1003А.
Таблица 49
Тип	Параметры	Температура окружающей среды, °C				
		-60	4-20	4-50	4-60	4-70
	Наибольшая амплитуда обратного на- пряжения, в		2000	2000	2000	2000	2000
	Наибольший выпрямленный ток, ма . .	100	100	100	80	60
о S	Прямое падение напряжения при наи- большем выпрямленном токе, в ... . Обратный ток при наибольшем обрат- ном напряжении, ма		10,0	6,5	6,0	5,5	5,0
		0,1	0,15	0,5	0,6	0,8
	Наибольшая амплитуда обратного на- пряжения, в	 Наибольший выпрямленный ток, ма . .	1000	1000	1000	1000	1000
«£		100	100	100	80	60
о о tf	Прямое падение напряжения прн наи- большем выпрямленном токе, в . . . .	5,0	3,5	3,0	3,0	2,5
	Обратный ток при наибольшем обрат- ном напряжении, ма .........	0,1	0,15	0,5	0,6	0,8
	Наибольшая амплитуда обратного на- пряжения, в	 Наибольший выпрямленный ток, ма. .	2000	2000	2000	2000	2000
с*		300	300	300	230	200
	Прямое падение напряжения при наи- большем выпрямленном токе, в ... .	12,0	7,5	7,0	6,5	6,0
	Обратный ток при наибольшем обрат- ном напряжении, ма		0,2	0,3	0,7	0,8	1,0
	Наибольшая амплитуда обратного на- пряжения, в		1000	1000	1000	1000	1000
сч о	Наибольший выпрямленный ток, ма . .	300	300	300	230	200
о Ц	Прямое падение напряжения при наи- большем выпрямленном токе, в .  • 	6,0	4,0	3,5	3,5	3,0
	Обратный ток при наибольшем обрат- ном напряжении, ма ... 			0,2	0,3	0,7	0,8	1,0
	Наибольшая амплитуда обратного на- пряжения, в		500	500	500	500	500
	Наибольший выпрямленный ток, ма . . Прямое падение напряжения при наи- большем выпрямленном токе, в . . . . Обратный ток при наибольшем обрат- ном напряжении, ма		300	300	300	230	200
СО S		3,0	2,0	1,8	1,7	1,5
		0,2	0,3	0,7	0,8	1,0
	Наибольшая амплитуда обратного на- пряжения при последовательном вклю- чении плеч, в ............	1000	1000	1000	1000	1000
123
КРЕМНИЕВЫЕ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ СТОЛБЫ
Д1004—Д1011А
Конструктивное оформление — прямоугольный пластмассовый кор-
пус, залитый полимеризованной смолой (рис. 83).
Интервал рабочих температур: Д1004—Д1008 от -|-125 до —60° С,
Д1009—ДЮНА от +80 до —60QC.
Рис. 84. График зависимости наи-
большего выпрямленного тока
от температуры для выпрями-
тельных столбов Д1004 и
Д1Э05А.
Рис. 83. Внешний вид и основные
размеры высоковольтных выпрями-
тельных столбов Д1004—Д1011А.
Рис. 85. Вольт-амперные харак-
теристики (прямая ветвь) выпря-
мительных столбов ДЮ04 и
Д1005А при различных темпе-
ратурах.
Допустимая относительная
влажность окружающего возду-
ха 98% при температуре 40° С.
Рабочее положение должно
максимально благоприятство-
вать охлаждению и не допускать
их разогрева со стороны дру-
гих элементов.
Столбы одной и той же груп-
пы можно соединять параллель-
но при условии, что ток через
них не превысит номинального.
Рис. 86. График зависимости
выпрямленного тока от темпе-
ратуры для выпрямительных
столбов Д1005Б—Д1008.
124
Таблица 50
	ЮНА		о co			СЧ 00	
							
	|voi		о	о „		1П	ш
	I'—l		co о о			Щ 00	
	—						
	el						
	£						
	-		с*э	f k < ’»			оо
	d			СЧ			
	g		о	О .		1П	ш
	г >			О о		СО 00	
							
	El						
	600		о	о -		е-	о
				о о			
	El			сч			
СО							
п о	g			о		to	
S	-"1		in	о —:			
	—			О О			
Е	1=1			о			
S								
	007		in	о _		ю	
	5			о о 00			
	006		8			со о	
				1	> Г 1			
	El			<О			
	LQ						
	ю о		о	о		(О	о
				f “k t >			
	El						
							
	Ю О		s				о
	5						
	004					тГ	
				о о			
	El			сч			
		X			X		
		О					
		»x		«о •	с а		О
		3 2		о X .	К		со
		0)		X			
		к 4		S В ж	0) *		Е О
		x			X		X
3 V		С 3		£* х ё ° X м	с СО X		СП
S							
&		X		о э X Я	0) X	40	л
□		X			X		0)
		O)		СО ж сх сх	0)	X	с S
		a		'g'g	Б	X X 0)	ф
		•x		<и »х	0)	ч	X
		X		о X	0)	X	СП
		В		а а	в		а
		Л		л л		с	Л
		4	•	ч ч	ч	СП	ч
		£	•		>8	X	3
		X		X X	X	S	X
			q	со со	со	о	СП
			3	ХЕХ			
При амплитуде обратного напряже-
ния до 50 кв столбы Д1004—Д1008 можно
соединять последовательно, но при этом
каждый из них необходимо шунтировать
емкостью, величина которой определяется
по формуле
Сш == 8,4№,
где М — число последовательно соединен-
ных столбов.
Рис. 87. Вольт-амперные характе-
ристики (прямая ветвь) выпрями-
тельных столбов Д1005—Д1008 при
различных температурах.
Так как емкость столба относитель-
но земли не должна превышать 3 пф,
то при монтаже необходимо следить за
тем, чтобы расстояние между корпусом
столба и шасси было не менее 5 мм.
Столбы Д1009 — ДЮНА при ампли-
туде обратного напряжения до 6 кв
можно соединять последовательно без
шунтирующих сопротивлений. При ампли-
туде обратного напряжения свыше 6 кв
последовательное соединение разрешает-
ся только с шунтирующим сопротивле-
нием не более 5 Мом.
Выпрямители могут работать на ем-
костную нагрузку при условии, что
амплитуда обратного напряжения не пре-
вышает допустимых значений, а ток не
более 1,57/вып.
Параметры диодов приведены в табл.
50, характеристики изображены на
рис. 84—88.
125
Рис. 88. Вольт-амперные харак-
теристики выпрямительных стол-
бов Д1009—ДЮНА при различ-
ных температурах.
КРЕМНИЕВЫЕ СИЛОВЫЕ БЛОКИ КЦ401А и КЦ401Б
Конструктивное оформление — плоский пластмассовый корпус с жест-
кими выводами по бокам (рис. 89).
Интервал рабочих температур от -f-70 до —55° С. Наибольшая допу-
стимая температура корпуса 85° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98% при
температуре 40° С.
Блоки допускают работу на емкостную нагрузку. Запрещается вклю-
чать блоки параллельно и последовательно. Допускается разовая шести-
кратная перегрузка по току.
Рабочее положение — любое, но расположение на шасси должно
благоприятствовать охлаждению. Срок службы 1000 ч.
126
основное назначение —выпрямление переменного тока в радиотехни-
„ Устройствах. Блоки КЦ401А предназначены для работы в качестве
’^о^елей напряжения, а блоки КЦ401Б - в качестве удвоителей напря-
жения, и в мостовых схемах.
Средняя
точка
<.	Л	2
y^006^/\Vo6-500diIil>t^300Ma
3
1—М—И—И--2
г—м—и—И--3
6-М—И—н--4
61—м—м—М-5
Рис. 89. Внешний вид, основные размеры и схемы соединений
кремниевых силовых блоков КЦ401А и КЦ401Б.
% Ц 4015
Параметры диодов приведены в табл. 51.
Таблица 51
Параметры	Тип блока	
	КЦ401А	КЦ401Б
Выпрямленный ток первого плеча, ма	 »	» второго » , ма ....... »	» в мостовой схеме, ма	 н	»	» в схеме удвоения, ма 	 наибольшее допустимое обратное напряжение на плечо, в .................. наибольший обратный ток на одно плечо при обрат- Н^?апРЯЖении 500 в, мка 	 ^ибольшее прямое падение напряжения на одно при номинальном токе, в 		400 300 500 100 2,5	500 400 500 100 2,5
127
КРЕМНИЕВЫЕ ДИФФУЗИОННЫЕ ДИОДЫ КД202В—КД202С
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянным изолятором и болтом для крепления к шасси
(рис. 90).
Интервал рабочих температур от -|-125 до —60° С. Для лучшего
охлаждения диоды должны устанавливаться на теплоотводящем шасси
или радиаторах.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Диоды могут пропускать постоянный пря-
мой ток, не превышающий наибольшего выпрям-
ленного тока. При прямом постоянном токе 3 а
прямое падение напряжения не превышает 1,8 в.
Диоды могут работать при токе до 1,5 а при
температуре .20° С и до 0,4 а при предельно
допустимой температуре. Допускается работа
импульсами тока до 5 а длительностью до
10 мксек с частотой повторения до 3000 гц
при температуре корпуса, не превышающей
75° С.
Рабочее положение должно благоприятст-
вовать охлаждению диода.
Диоды допускают перегрузку током до 9 а
в течение 1,5 сек. При использовании диодов
на частотах 1200—5000 гц, необходимо сни-
жать допустимый прямой ток вдвое при номи-
нальном обратном напряжении.
Основное назначение — выпрямление пере-
менного тока.
Параметры диодов приведены в табл. 52,
а характеристики изображены на рис. 91
и 92.
еее
0/3----J
КД202В-КД202С
Рис. 90. Внешний вид
и основные размеры
кремниевых диффузи-
онных диодов
КД202В—КД202С.
Таблица 52
Тип диода
Параметры
КД202А, КД202В,
КД202Д, КД202Ж,
КД202К, КД202М,
КД202Р
КД202Б, КД202Г,
КД202Е, КД202И,
КД202Л, КД202Н,
КД202С
Наибольший прямой (или вып-
рямленный) ток, а, при темпера-
туре:
25 ±10 и —60 ±5°С.............
120°С.........................
Наибольший обратный ток в ин-
тервале рабочих температур, ма
3	1
2,5	1
1	1
Примечание. Наибольшая амплитуда обратного напряжения в интервале ра-
бочих температур для: КД202А и КД202Б — 50 в; КД202В и КД202Г — 100 в; КД202Д
и КД202Е — 200 в; КД202Ж и КД202И — 300 в; КД202К и КД202Л — 400 в; КД202М 
КД202Н — 500 в; КД202Р и КД202С - 600 в.
128
Рис. 91. График зависимости допустимого среднего прямого тока от
температуры (/— без радиатора, 2 — радиатор 10 см2, 3 — радиатор
25 см2, 4 — радиатор 50 см2, 5 — радиатор 100 см2, 6 — радиатор
150 сл«2) для диодов:
а - КД202В, КД202Д, КД202Ж. КД2О2К. КД202М. КД202Р; б — КД202Г.
Рис. 92. Характеристики диодов КД202В—КД202С:
а — зависимость допустимого среднего прямого тока от температуры корпуса
(/- КД202В, КД202Д, КД202Ж, КД202К. КД202М, КД202Р; 2 — КД202Г,
КД202Е, КД202И, КД202Л, КД202Н, КД202С); б — зависимость коэффициента
импульсной перегрузки от длительности импульса; в — зависимость среднего
прямого тока от частоты для сниусоидального напряжения и актнвно-индук-
тивной нагрузки.
ГЕРМАНИЕВЫЙ ТОЧЕЧНЫЙ ДИОДД1А— Д1Ж’
Конструктивное оформление — стекл
кими выводами (рис. 93).
Вес 03, г.
Интервал рабочих температур от
+70 до 60° С.
Допустимая относительная влаж,-
Ность окружающего воздуха 98% при тем-
Яературе 40+ 5° С.
Интервал изменения атмосферного
Давления 5—800 мм рт. ст.
Наибольшее ускорение при вибра-
циях с частотами 50—80 гц 10 g.
Наибольшее ускорение при тряске
с частотой 60—80 ударов в минуту 12 g.
Наибольшая ударная нагрузка 15 g.
Рабочее положение — любое.
Б 544
запаянный корпус с гиб-
юз —
Д1.Д9
Рис. 93. Внешний вид и ос-
новные размеры диодов Д1
(индикаторная цветная метка
указывает положительную
полярность) и Д9.
129
характеристики диодов
Д1. Показаны границы
80%-ного разброса пара-
метров.
Наибольшая рабочая частота 150 Мгц.
Основное назначение — детектирование и выпрямление переменного
тока.
Параметры диодов приведены в табл. 53, характеристики изображены
на рис. 94.
Таблица 53
Параметры
Тип диода
Д1А | Д1Б | Д1В | Д1Г | Д1Д | Д1Е | Д1Ж
Наибольшее обратное напря-
жение, в, при температуре:
4-20° С.................
4-70° С.................
Наименьший прямой ток при
напряжении 1 в, ма, при тем-
пературе:
4-20° С ................
—60° С..................
Наибольший обратный ток, ма,
при обратном напряжении, в:
10.....................
25.....................
50.....................
75.....................
100.....................
Наибольший обратный ток при
70° С и наибольшем обратном
напряжении, ма............
Амплитуда обратного пробив-
ного напряжения, в . - . . • •
Наибольший выпрямленный ток,
ма .............
Проходная емкость, пф . . . .
20 10	30 25	30 25	50 45	75 55	100 65	100 70
2,5	1,0	7,5	5,0	2,5	1,0	5,0
0,8	0,3	1,5	1,2	0,8	0,3	1,2
0,25											
—	0,25	0,25	—	—	—	—
—	—	—	0,25	—	—	—
——				——	——	0,25	—-	——
—	—	—	—	—	0,25	0,25
1,5	1,5	1,5	1,5	2,5	2,5	2,5
40	45	45	75	ПО	150	150
16	16	25	16	16	12	12
1—2	1—2	1—2	1—2	1—2	1—2	1—2
ГЕРМАНИЕВЫЙ ТОЧЕЧНЫЙ ДИОД Д2А—Д2И
Конструктивное оформление — металлический корпус со стеклян-
ными изоляторами и ленточными выводами (рис. 95).
Вес 1,3 г.
Интервал рабочих температур от 4-70 до —60° С.
Допустимая относительная влаж-
ность окружающего воздуха 98% при
температуре 40 + 5° С.
Интервал изменения атмосферного
Давления 5 — 800 мм рт. ст.
Наибольшее ускорение при вибра-
ции с частотами 15—80 гц—10 g.
Рабочее положение — любое.
Наибольшая рабочая частота
150 Мгц.	Н
Основное назначение: Д2А — ра-
°°та в измерительных схемах и инди-
Рис. 95. Внешний вид и основ-
ные размеры диода Д2.
5*
131
катерах; Д2Б и Д2В — работа в измерительной аппаратуре, в видео-
каналах с частотной и амплитудной модуляцией, в качестве второго
детектора и т. п.; Д2Г—работа в схемах ограничения, восстановления
постоянной составляющей; Д2Д — работа в схемах второго детектора,
детектора АРУ; Д2Е и Д2Г — работа в схемах выпрямления переменного
тока; Д2Ж и Д2И — работа в схемах кольцевых модуляторов, преобра-
зователей.
Параметры диодов приведены в табл. 54, а характеристики изобра-
жены на рис. 96—99.
Таблица 54
Параметры
Наибольшее обратное на-
пряжение, в, при темпе-
ратуре:
4-20® С .............
4-70°С ..............
Наибольший прямой ток
при напряжении 1 в, ма
Наибольший обратный ток,
ма, при обратном напря-
жении, в:
7..................
10..................
30..................
50..............
100..................
150..................
Наибольший выпрямлен-
ный ток, ма ...........
Наибольшая
выпрямленного тока, ма
Наибольшая
тока через диод при пе-
реходном процессе в тече-
ние 1 сек, ма..........
Наименьшее пробивное на-
пряжение, в............
Наибольшее прямое паде-
ние напряжения, в . . .
Проходная емкость, пф
амплитуда
амплитуда
Тип диода
Д2А	Д2Б	Д2В	Д2Г	Д2Д	Д2Е	Д2Ж	Д2И
10	30	40	75	75	100	150	100
30	30	40	56	.56	75	112	75
5,0	5—10	10	2—5	5—10	2—10	2—10	2—10
0,25	—							—	—		
—	0,1	—	—	—	—	—	—
—	—	0,25	—	—-	—	—	—
—	—	—	0,25	0,25	—	—	—
—	—	—	—	—	0,25	—	0,25
—	—	—	—	—	—	0,25	—
50	16	25	16	16	16	8	16
150	50	75	50	50	50	25	50
400	400	400	400	400	400	400	400
15	45	60	100	100	150	200	150
1	1	1	1	1	1	1	1
1—2	1—2	1—2	1—2	1—2	1—2	1—2	1—2
ГЕРМАНИЕВЫЕ ТОЧЕЧНЫЕ ДИОДЫ Д9А—Д9М
Конструктивное оформление — стеклянный корпус с гибкими выво-
дами (см. рис. 93).
Вес 0,3 г.
Интервал рабочих температур от 4-70 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 4-40° С.
132
Рис. 96. Вольт-амперные характеристики диодов Д2 при темпера-
туре 20° С. Показаны границы 80%-ного разброса параметров.
Рис. 97. Вольт-амперные характеристики
диодов Д2 при различных температурах.
Таблица 55
Тип	Метка посредине корпуса	
Д9А			
Д9Б	Красная точка	
Д9В	Оранжевая	»
Д9Г	Желтая	»
Д9Д	Белая	»
Д9Е	Голубая	»
Д9Ж	Зеленая	»
Д9И	Две желтые	точки
Д9К	» белые	»
Д9Л	» зеленые	»
Д9М	» голубые	»
Примечание. Плюсовый вывод обозначен красной точкой.
Таблица 56
Параметры	Тип диода										
	Д9А	Д9Б	дэв	Д9Г	Д9Д	Д9Е	Д9Ж	Д9И	Д9К	Д9Л	Д9М
Наиболь шее об- ратное напря- жение, в, при температуре:							100				
20° С. . . .	10	10	30	30	30	50		30	30	100	30
70°С. . . . Наименьший	10	10	20	20	20	30	45	20	20	45	20
прямой ток при напряжении 1 в,											
ма, при темпе- ратуре:											
20°С. . . .	10	90	10	30	60	30	10	30	60	30	60
70°С. . . . Наибольший об- ратный ток при наибольшем об- ратном напря- жении, ма, при температуре:	6	50	6	15	35	15	6				
20°С ...	0,25	0,25	0,25	0,25	0,25	0,25	0,25	0,12	0,06	0,25	—
70° С ... Наибольший	1	1	0,8	0,8	0,8	0,6	0,5	—	—	—	—
выпрямленный ток, ма . . . Проходная ем-	25	40	20	25	30	20	15	30	30	15	30
кость, пф . . Наибольшая	1—2	1—2	1—2	1—2	1—2	1—2	1—2	1—2	1—2	1—2	1—2
мощность рас- сеяния, мет	50	50	50	50	50	50	50	50	50	50	50
135
Ue6p,6 -20 О 0 0,40,8Unp,6
Д2Д			„/? Момом 1,21200 1,0 юоо 0,8800 0,6800 0,4400 0,2200				
		т					
	/	1					
/							
г				у			
							
							
иобр,б -20 О 0 0,4 0,817^,6
Рис. 98. График зависимости сопротивления от приложенного
напряжения для диодов Д2.
Интервал изменения атмосфер-
ного давления 5—800 мм рт. ст.
Наибольшее ускорение при ви-
брациях с частотами 50—80 гц—10g.
Наибольшее ускорение при
тряске с частотами 60—80 ударов
в секунду 12 g.
Наибольшее постоянное уско-
рение 15 g.
Рабочее положение — любое.
Наибольшая рабочая частота
40 Мгц.
Полярность и тип диодов обоз-
начается цветными метками. Цве-
товая маркировка приведена в
табл. 55.
Основное назначение — детек-
тирование и выпрямление перемен-
ного тока.
Параметры диодов приведены
в табл. 56, а характеристики изо-
бражены на рис. 100.
ГЕРМАНИЕВЫЙ ТОЧЕЧНЫЙ ДИОД ДЮ—ДЮБ
Конструктивное оформление — металлический корпус со стеклянными
изоляторами и ленточными выводами (рис. 101).
Вес 1,3 г.
Интервал рабочих температур от -J-70 до —60° С.
Допустимая влажность окружающего воздуха 98% при температуре
40 ± 5° С.
Интервал изменения атмосферного давления 5—800 мм рт. ст.
Наибольшее допустимое ускорение при вибрации 12 g.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение: ДЮ — выпрямитель, АРУ и индикатор на ча-
стотах 50—100 Мгц: ДЮА и ДЮБ—ограничитель и видеодетектор на
частотах 50—100 Мгц.
Параметры диодов приведены в табл. 57, а характеристики изобра-
жены на рис, 102-106,Таблица 57
Тип диода
Параметры
Наибольшее обратное напряжение, в............
Наибольший обратный ток, ма, при обратном
напряжении 10 в..............................
Выпрямленный ток, ма ........................
Наибольший выпрямленный ток при частоте 50 гц, ма
Наименьшее пробивное напряжение, в...........
Переходная емкость, пф, не более ............
ДЮ	ДЮА	ДЮБ
10	10	10
0,1	0,2	0,2
3	5	8
50	50	50
20	20	20
1	1	1
BonnJiJ Р и м е ч а и ие. Корпус диодов ДЮ окрашен в желтый цвет. Плюсовый конец
уса имеет различную окраску] ДЮ — зеленый, ДЮА — желтый, ДЮБ — красный.
137
Рис. 99. Частотные характеристики диодов Д2.

Рис. ЮЗ. Вольт-амперные
характеристики диодов
ДЮ при различных тем-
пературах.
MomRom
~8 ~4	0 0,4 0,8Unp,6
Рис. 104. График зависимости со-
противления от приложенного на-
пряжения для диодов ДЮ.
~00'°C Mom/?ом
I 4J)2001L
'^iebo_
з^Л
з,а|
2.4
1400
1200,
1,6
_+20Т
+зо°с
2.0VOOQ,
во
ГС’
; 42 601
| 0,8 Ш
14200
+20 °C
_□____^2J
0.4 O,8Unff,6
Ш0А
r-₽ —
Mom ом i .
8,0 4000-H-
7,2 2600 -Ц
6.43200Н4
— 5,0 2800 j—U
4.82400!—Т
4,0 2ОО'Л~“У
3.2i6Q0\—I
-60’С

1,6 800’--j
0,8 400г
V^g °с
!&h±7o;c
^в/90°С
UeSp,6 -8 -4 0
иобр,0-8-4 О
0	0.4 0,8Unp,6
Рис. 105. График зависимости
сопротивления диодов ДЮ
от приложенного напряжения
при различных температурах.
Германиевые точечные диоды ДИ—Д14А
(сопротивление в прямом направлении — малое)
Рис. 107. Внешний
вид и основные разме-
Конструктивное оформление — металлический корпус со стеклянными
изоляторами и ленточными выводами (рис. 107).
Вес 0,9 г.
Интервал рабочих температур от +70 до —60е С.
Допустимая относительная влажность окру-
жающего воздуха 98% при температуре
40 +5° С.
Интервал изменения атмосферного давления
5—800 мм рт. ст.
Наибольшее ускорение при вибрации с ча-
стотами 15—80 гц 10 g.
Наибольшая рабочая частота 150 Мгц.
Основное назначение — работа в счетно-
решающих устройствах и различной радиоаппа-
ратуре.
Параметры диодов приведены в табл. 58,
а характеристики изображены на рис. 108—
111.
ГЕРМАНИЕВЫЕ ТОЧЕЧНЫЕ ДИОДЫ Д15—Д16
Конструктивное оформление — «бусинковое» выполнение.
Вес 0,4 г.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Рабочее положение — любое.
Наибольшая рабочая частота 300 Мгц.
Основное назначение — работа в малогабаритной электронной аппа-
ратуре.
Параметры диодов приведены в табл. 59.
142
Таблица 58
Параметры	Тип диода					
	ДИ	Д12	Д12А	Д13	Д14	Д14А
Наименьшее обратное напряже- ние, в		30	50	50	50	100	100
Наибольший обратный ток, ма, при обратном напряжении 10 в	0,1	0,07	0,05	0,05	0,05	0,07
Наименьший прямой ток при 1 в, ма		100	50	too	100	30	100
Выпрямленный ток, ма, не бо- лее		20	20	20	20	20	20
Наибольший выпрямленный ток, ма 			60	60	60	60	60	60
Наименьшее пробивное напря- жение, в	 Наибольший постоянный ток при.длительной нагрузке, ма .	40	75	75	100	125	125
	50	50	50	50	50	50
Наибольшая амплитуда тока при переходных процессах в те- чение 1 сек, ма		400	400	400	400	400	400
Проходная емкость, пф, не бо- лее		1	1	1	1	1	1
Примечания! 1. При температуре 70° С наибольшее обратное напряжение
должно быть снижено иа 40%.
2. Диоды Д11—Д14А имеют окрашенные концы корпуса; (+) —красный, (—) —
черный.
3. Обратное напряжение соответствует обратному току 250 мка.
Таблица 59
Параметры	Тип диода	
	Д15	Д16
Наибольший обратный ток, мке, при напря- жении: 30 в,,	~	... .	300	
50 в .		500
Наименьший прямой ток, ма, при напряже- нии 1 $	15	з
Наибольшая емкость, пф ......		1	1
наибольший диаметр, мм	 Цвет корпуса 	 Цвет положительного электрода		3	3
	Желтый	Синий
	Красный	Зеленый
143
Рис. 108. Вольт-амперные характеристики диодов Д11—Д14А при
температуре 20° С. Показаны границы 80%-ного разброса парамет-
ров.
Рис. 109. Вольт-амперные характеристики диодов Д11—Д14А при
различных температурах.
иобр,6-20-10 0 0,4Unp,6
Рис. НО. График зависимости сопротивления от приложенного напря-
жения для диодов Д11—Д14А.
Рис. 111. Частотные характеристики диодов Д11—Д14А.
КРЕМНИЕВЫЕ ТОЧЕЧНЫЕ ДИОДЫ Д101— Д106А
Конструктивное оформление: диоды Д101—ДЮЗА — в металлическом
корпусе со стеклянными изоляторами и ленточными выводами, диоды
Д104—Д106А — в пластмассовом корпусе (рис. 112).
Вес 0,9 г (Д101—ДЮЗА) и 0,5 г (ДЮ4—ДЮ6А).
Интервал рабочих температур от +150 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98% при
температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давления от 5 мм рт. ст. до
2 ати.
Наибольшее допустимое ускорение при вибрациях в частотами
Ю—600 гц 12 g.
Д101-Д103А
Д104-Д106 А ,Д107~Д109,Д 18
Рис. 112. Внешний вид и основные размеры диодов ДЮ1—ДЮ9
и Д18.
Наибольшее постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее ускорение при ударе 150 g.
Рабочее положение — любое.
Наибольшая рабочая частота 600 Мгц.
Основное назначение — работа в измерительной аппаратуре, видео-
каналах ЧМ и AM, схемах АРУ, а также в качестве дискриминатора,
второго детектора и т. п.
Типы диодов обозначаются цветными метками на корпусе. Цветовая
маркировка приведена в табл. 60.
Параметры диодов приведены в табл. 61, а характеристики изобра-
жены на рис. ИЗ—116.
Таблица 60
Тип
Метка на корпусе
ДЮ1, ДЮ4
ДЮ1А
ДЮ2, Д105
ДЮ2А, ДЮ5А
ДЮЗ, ДЮ6
ДЮЗА, Д106А
ДЮ4А
Белая точка
Желтая точка
Оранжевая »
Г олубая	»
Зеленая	»
Красная »
147
Таблица 61
Параметры	Тип диода					
	ДЮ1, ДЮ4	Д101А, Д104А	ДЮ2, Д105	Д102А, Д105А	ДЮЗ, Д106	ДЮЗА, Д106А
Наибольшее обратное напряже- ние, в, при температуре: 20° С		100	100	75	75	30	30
125е С		75	75	50	50	30	30
Наибольший обратный ток, мка, при наибольшем обратном на- пряжении при температуре: 20е С		30	30	30	30	30	30
125° С		100	75	100	100	100	100
Наименьший прямой ток, ма, при напряжении: 1 в			1		1		1
2 в		2	—	2	—	2	—
Выпрямленный ток, нс менее, ма, при температуре: 20° С		50	75	50	75	50	75
125° С		25	50	25	50	25	50
Наибольший выпрямленный ток, ма		100	150	100	150	100	150
Наименьшее пробивное напря- жение, в 		200	200	200	200	200	200
Наименьший прямой ток при переходных процессах, ма . . .	500	500	500	500	500	500
Проходная емкость на частоте 100 Мгц и обратном напряже- нии, 10 в, пф . 		 Время восстановления обратно- го сопротивления при прямом токе 15 ма и обратном напря- жении 30 в, мксек		0,5	0,5	0,5	0,5	0,5	0,5
	0,5	0,5	0,5	0,5	0,5	0,5
КРЕМНИЕВЫЕ ТОЧЕЧНЫЕ ДИОДЫ Д107—Д109*
Конструктивное оформление — герметизированный металло-стеклян-
ный корпус с гибкими выводами (см. рис. 112).
Вес 0,3 г.
Интервал рабочих температур от 4-125 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98% при
температуре 40° С.
Интервал изменения атмосферного давления от 5 мм рт. ст. до 2 ати.
Наибольшее допустимое постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее допустимое ударное ускорение 150 g.
Наибольшее допустимое ускорение при вибрациях с частотами
60—1000 гц 12 g.
Недопустимо нахождение обесточеных диодов при температуре
125° С свыше 4 ч.
148
Рис. 113. Вольт-амперные характеристики диолов Д101—ДЮЗА
при температуре 20° С. Показаны границы 80% -ного разброса пара-
метров.
Рис. 114. Вольт-амперные характеристики диодов Д101—ДЮЗА
при различных температурах.
Рис. 115. Вольт-амперные
характеристики диодов
Д104—Д106А при различ-
ных температурах.
U^, 6 -60-50 -40-30-20-10 0 0,5 Uni), 6
Рис- 116. График зависимости сопротивления от приложенного напряжения
для диодов Д101—ДЮЗА.
Плюсовый вывод обозначен красной окраской корпуса.
Типы диодов различаются по цвету трех точек на корпусе: Д107—
оранжевый. Д107А — красный, Д108 —белый, Д109 —желтый.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в радиотехнической и измерительной
аппаратуре на частотах не выше 20 Мгц.
Рис. 117. Вольт-амперные характеристики диодов Д107—Д109
ври различных температурах.
Параметры диодов приведены в табл. 62, а характеристики изобра-
жены на рис. 117.
Таблица 62
	Тип диода	
Параметры	I	1
	Д107* |Д107А*	Д108* J Д109*
Средний выпрямленный ток, .ма...........
Наибольший прямой ток при напряжении
1 в, ма.................................
Наибольший обратный ток, мка............
Наибольший обратный ток, мка, при макси-
мальном обратном напряжении и температу-
ре окружающей среды:
50° С .
125° С	‘	‘
^^*°ц)ЬШее пРямое падение напряжения при
Наибольшее обратное напряжение во всем
интервале рабочих температур, в ........
afin °ЛЬШее Допустимое значение пикового
ратного напряжения, в...................
3
10
0,1
0,5
1
10
30
3
10
1
10
1
10
30
3
10
1
35
1
30
50
3
10
1
20
1
50
75
153
КРЕМНИЕВЫЕ ТОЧЕЧНЫЕ ДИОДЫ Д223-Д223Б
Конструктивное оформление — металло-стеклянный герметизирован-
ный корпус с гибкими выводами (рис. 118).
Вес 0,3 г.
Интервал рабочих температур от -|-1250 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 95 i 3%
при температуре 40° С.
00.6
обратного тока от обратного на-
пряжения для диодов Д223 при
различных температурах.
Д219-Д22ОБ,
Д223-Д223Б
Рис. 118.
Внешний вид
и основные
размеры дио-
дов Д219—
Д220Б,
Д223—
Д223Б.
Рис. 120. Вольт-амперные характеристики диодов Д223.
Интервал изменения атмосферного давления от 5 мм рт. ст. до
3 ати.
Наибольшее допустимое постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее допустимое ударное ускорение 150 g.
10 Наибольшее допустимое ускорение прц вибрациях с частотами
154
Диоды разрешается соединять с элементами схемы пайкой, сваркой
или другими методами при условии, что температура корпуса не будет
при этом выше 150° С.
Изгиб вывода не допускается ближе 3 мм от корпуса. Плюсовый
вывод обозначен красной меткой на корпусе. Тип диода определяется по
числу красных точек на корпусе: Д223—четыре, Д223Б — три
и Д223А — две.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в схемах радиотехнических и измери-
тельных устройств на частотах до 30 Мгц.
Параметры диодов приведены в табл. 63, а характеристики изобра-
жены на рис. 119, 120.
Таблица 63
Параметры
Тип диода
Д223 | Д223А | Д223Б
Наибольший выпрямленный ток, ма, при тем-
пературе: 20° С		50	50	50
125° С		20	20	20
Наибольший ток в импульсе, ма	 Наибольшее обратное напряжение во всем ин-	500	500	500
тервале допустимых температур, в	 Наибольший обратный ток, мка, при напряже-	50	100	150
нии, в: 10				
	0,1	—	—
50		1	—	—
50		—	0,5	—
100		—	1,0	—
75		—	——.	0,7
150	 Наибольшее падение напряжения в прямом на- правлении, в, при токе 50 ма, при темпера-	—	—	1,0
туре:			
20° С		1,0	1,0	1,0
125° С	 Наибольший обратный ток, мка, при наиболь- шем обратном напряжении и температуре:	1,0	1,0	1,0
20° С		1,0	1,0	1,0
125° С		50	50	50
КРЕМНИЕВЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ ДИОД Д225*
(с малыми обратными токами)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянным изолятором и гибкими выводами (рис. 121).
Интервал рабочих температур от +100 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98% при
температуре 40° С.
Рабочее положение — любое. Срок службы 5000 ч.
155
'CS0.5
Основное назначение — работа в схемах элек-
тронных вычислительных машин.
Параметры диода Д225
Наибольший средний выпрямленный ток, ма 30
Наибольшее обратное напряжение, в .... 5
Наибольший обратный ток при напряжении
1 в, мка .................. 0,004
Наибольшее падение напряжения в прямом
направлении, в ............ 1,0
Наибольший обратный ток при температуре
60° С, мка.................0,01
Д225
Рис. 121. Внешний
вид и основные раз-
меры диода Д225.
ГЕРМАНИЕВЫЙ ТОЧЕЧНЫЙ ИМПУЛЬСНЫЙ
ДИОД Д18
Конструктивное оформление — металло-стек-
лянный корпус с гибкими выводами (см. рис. 112).
Вес 0,6 кг.
Интервал рабочих температур от +70 до
—65° С.
Допустимая относительная влажность окру-
жающего воздуха 98% при температуре 45° С.
Интервал изменения атмосферного давления от 5 мм рт. ст. до
2 ати.
Наибольшее допустимое ускорение при вибрациях с частотами
5—2000 гц 12 g.
Наибольшее допустимое линейное ускорение 150 g.
Наибольшее допустимое ускорение при ударе 150 g.
Рис. 122. Характеристики диода Д18:
а — вольт-амперные; б — частотные.
Рабочее положение — любое. Плюсовый вывод обозначается красной
краской на утолщенной части.
Основное назначение — работа в схемах быстродействующих вычисли-
тельных машин и в широкополосных ограничительных и детекторных
схемах (работа с импульсами в единицы и доли микросекунды).
Характеристики диода изображены на рис. 122.
156
Параметры диода Д18 (при нормальных условиях)
Прямой ток при напряжении 1 в, не менее, ма	20
Обратный ток при напряжении 20 в, не более,
мка............................................. 50
Прямое сопротивление при импульсе прямого
тока 50 мка, не более, ом.......................100
Время восстановления обратного сопротивления
до уровня 10 ком при переключении с прямого тока
50 ма на обратное напряжение 10 в, не более, мксек 0,08
Проходная емкость на 1 Мгц при обратном на-
пряжении 5 в,	пф................................0,5
Наибольшая допустимая амплитуда обратного на-
пряжения, в..................................... 20
Наибольшая допустимая амплитуда прямого тока,
ма ............................................. 20
Наибольшая допустимая амплитуда тока в им-
пульсе, ма....................................  50
Наибольшее прямое падение напряжения, в ... .	1
ГЕРМАНИЕВЫЕ ТОЧЕЧНЫЕ ДИОДЫ Д19—Д19Б
Конструктивное оформление — стеклянный корпус с гибкими выво-
дами (рис. 123).
Интервал рабочих температур от +70 до —60° С. Допустимая отно-
сительная влажность окружающего воз-
духа 98% при температуре 40° С.
Рабочее положение — любое.
Плюсовый вывод обозначается крас-
ной точкой. Тип диода обозначается цве-
том поперечной полосы посредине кор-
пуса: Д19 — желтый, Д19А — зеленый,
Д19Б — синий.
Основное назначение — работа в ка-
честве ключевых элементов в импульс-
ных схемах при длительностях импуль-
сов единицы и доли микросекунды.
Параметры диодов приведены в
табл. 64.
Рис. 123. Внешний вид и ос-
новные размеры диодов Д19—
Д19Б.
Таблица 64
Параметры
Тип диода
Д19 1 Д19А I Д19Б
Наибольший обратный ток при температуре
окружающей среды 50° С, мка................
Прямой ток при напряжении в 1 в и темпера-
туре окружающей среды 50° С, ма ...........
Наибольшее обратное напряжение при темпе-
ратуре окружающей среды 50° С, в...........
аибольшее прямое импульсное сопротивле-
ние, ом . ,
100	100	100
45	60	45
40	20	20
400	400	250
157
ГЕРМАНИЕВЫЙ ТОЧЕЧНЫЙ ДИОД Д20
Конструктивное оформление — металлический герметизированный кор-
пус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 124). Марки-
ровка наносится цветным или буквенно-цифровым кодом. В последнем
случае утолщенная часть минусового вывода окрашивается в зеленый
цвет, а для обозначения полярности утолщенная часть плюсового вывода
окрашивается в красный цвет.
Интервал рабочих температур
от +70 до —60° С.
Допустимая относительная
влажность окружающего воздуха
98% при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосфер-
ного давления от 5 мм рт. ст.
до 3 ати.
Наибольшее допустимое посто-
янное ускорение 150 g.
Наибольшее допустимое удар-
ное ускорение 150 g.
Наибольшее допустимое ускорение при вибрациях с частотами
5—2000 гц 12 g.
Для повышения надежности корпус диода в аппаратуре должен
удерживаться зажимом.
60
-------12 --------Н
ДМ
Рис. 124. Внешний вид и основные
размеры диодов Д20.
1пр(Л5Мгц)^^&20_
80
601—l—*—-----
100 10
Ikoi
0J5 0,5 1	10$	50100200f,Mea
а
Рис. 125. Характеристики диода Д20:
а — вольт-амперные при различных температурах; б — зависимость выпрям-
ленного тока от частоты при напряжении 1 в; в — зависимость прямого
сопротивления от времени (после включения).
Рабочее положение — любое.
Срок службы 5000 ч.
Основное назначение — работа в схемах электронной аппаратуры
с высокой частотой повторения импульсов и в схемах вычислительных
машин.
Характеристики диода изображены на рис. 125.
158
Параметры диода Д20
Наибольшее обратное напряжение, в............... 10
Наибольшее прямое падение напряжения при пря-
мом токе 10 ма, в...............................1»0
Наибольший допустимый прямой ток, ма . . • . « 20
Наибольший обратный ток, мка.............	. , , 50
Средний выпрямленный ток, ма................... 16
Наибольшее импульсное сопротивление при пря-
мом токе 50 ма, ом..............................100
Наибольшее время восстановления обратного со-
противления, мксек.............................0,07
КРЕМНИЕВЫЕ СПЛАВНЫЕ ДИОДЫ Д219А—Д220Б
Конструктивное оформление — металло-стеклянный корпус е гибкими
выводами (см. рис. 118).
Рис. 126. Вольт-амперные характеристики диодов Д219—Д220Б.
4^ Допустимая относительная влажность воздуха 98%
Интервал изменений атмосферного давления от 5
3 ати.
при температуре
мм рт. ст. до
Наибольшее допустимое постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее допустимое ускорение при вибрациях с частотами 60—
*000 гц 15 g.
Разрешается соединять выводы диода со схемой пайкой, сваркой
** Другими методами при условии, что температура корпуса не будет выше
159
100° С. Запрещается применение диодов в аппаратуре, где температура
может повышаться выше 100° С.
В интервале температур 20—100° С допустимая величина выпрямлен-
ного тока определяется по формуле
ЯО
1ъ макс («<-) = 50 - gj (<с - 20" С).
где tc— температура окружающей среды, °C.
Плюсовый вывод отмечен красным цветом на корпусе диода. Тип
диодов определяется цветом точки на средине корпуса: Д219 — красный,
Д220, Д220А и Д220Б — желтый. Минусовый вывод диодов Д219 отме-
чается черной точкой, Д220 — синей, Д220А — черной и Д220Б — зеленой.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в импульсных схемах с импульсами
малой длительности (доли микросекунды).
Параметры диодов приведены в табл. 65, а характеристики изобра-
жены на рис. 126.
Таблица 65
Параметры	Тип диода			
	Д219А	Д220	| Д220А	Д220Б
Наибольший обратный ток, мка	 Наибольший прямой ток при длительности	1,0	1,0	1,о	1,0
импульса 10 мксек, ма	 Наибольшее прямое падение напряжения, в, при прямом токе 50 ма, при температуре:	500	500	500	500
20° С		1,0	1,5	1,5	1,5
100° С		1,1	1,9	1,9	1,9
Наибольшее обратное напряжение, в . . . . Время восстановления обратного сопротивле- ния при обратном напряжении 30 в и вы-	70	50	70	100
прямленном токе 30 ма, мксек 	 Наибольшее прямое импульсное сопротивле-	0,4	0,4	0,4	0,4
ние, ом		50	75	75	75
Наибольшая емкость диода, пф .	 Средний выпрямленный ток, ма, при темпе- ратуре:	15	15	15	15
20° С		50	50	50	50
100° С		20	20	20	20
ГЕРМАНИЕВЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ ДИОД Д310
Конструктивное оформление — металлический герметизированный кор-
пус со стеклянным изолятором и гибкими выводами (рис. 127).
Интервал рабочих температур от +70 до —65° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давления от 5 мм рт. ст. до
2 ати.
Наибольшее допустимое постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее допустимое ускорение при ударе 150 g.
160
Наибольшее допустимое уско-
рение при вибрациях с частотами
5—2000 гц 15 g.
Присоединение выводов диода
пайкой или же сваркой разрешает-
ся на расстоянии не менее 5 мм
от корпуса. Температура корпуса
не должна превышать 100® С.
Рабочее положение — любое.
Срок службы 10 000 ч.
Основное назначение — работа
В схемах запоминающих логичес-
ких устройств.
Характеристики диода изобра-
жены на рис. 128.
Рис. 128. Характеристики диода Д310:
а — вольт-амперные; б — область изменений вольт-амперных характеристик
при температуре 70° С; в — область изменения величины емкости в зависи-
мости от обратного напряжения.
55
--------11,6
Д310, Д311 -Д312
Рис. 127. Внешний вид и основные
размеры диодов Д310—Д312.
а
Параметры диода Д310
Наибольшее обратное напряжение в рабочем
интервале температур, в.......................... 20
Наибольший прямой ток в импульсе при дли-
тельности импульса 10 мксек в рабочем интервале
температур, ма...................................800
Наибольший постоянный ток, ма ......... 500
6 544
161
Наибольшее импульсное сопротивление при прямом
токе 800 ма и температуре 20° С, ом....... 3
Наибольший обратный ток при температуре 70° С,
мка ....................... 100
Наибольшее время восстановления обратного со-
противления при температуре 70° С, мксек.0,3
Наибольшая емкость диода при температуре
20° С, пф................................ 15
Наибольшая мощность рассеивания в рабочем ин-
тервале температур, мет..................275
ГЕРМАНИЕВЫЕ ИМПУЛЬСНЫЕ ДИОДЫ Д311—Д312
Конструктивное оформление — металлический герметизированный кор-
пус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (см. рис. 127).
1о6р,мка
Рис. 129. Вольт-амперные характеристики диодов Д311—Д312при раз-
личных температурах.
Интервал рабочих температур от +70 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давления от 5 мм рт. ст. до
2 ати.
Наибольшее постоянное ускорение 150 g.
162
Наибольшее ускорение при ударе 150 g.
Наибольшее ускорение при вибрациях с частотами 5—2000 гц 15 g.
Присоединение выводов диода пайкой или же сваркой разрешается
производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в импульсных схемах различного на-
значения.
Рис. 130. График зависимости наибольшего прямого
импульсного напряжения от импульсного тока для
диодов Д311—Д312.
Параметры диодов приведены в табл. 66,
а характеристики изображены на рис. 129—134.
Рис. 131. График зависимости времени восстанов-
ления обратного сопротивления от прямого тока
для диодов Д311.
Таблица 66
Параметры	Тип диода			
	Д311	| Д311А	Д311Б	Д312
Наибольший импульсный ток при длитель- ности импульса 10 мксек, ма .......	500	500	500	250
Выпрямленный ток, ма		40	80	20	50
Наибольшее прямое импульсное сопротивле- ние при прямом импульсном токе 50 ма, ом	25	20	30	25
Наибольшее допустимое обратное напряже-	30	30	30	100
Наибольший обратный ток, мка		100	100	100	100
Время восстановления, мксек		0,05	0,05	0,05	0,5
Наибольшая емкость диода, пф		1,5	3	2	3
6*
163
Рис. 132. График зависимости
тока от скважности для диодов
ратурах.
прямого наибольшего импульсного
Д311—Д312 при различных темпе-
Рис. 133. График зависимости
обратного тока от температуры
для диодов Д311.
-60 ~40 -20 0 20 40 60 $
Рис. 134. График зависимости
прямого наибольшего импульс-
ного тока от температуры окру-
жающей среды для диодов ДЗП.
КРЕМНИЕВЫЕ ДИОДЫ МЕЗА 2Д503А и 2Д503Б
Конструктивное оформление — металлический герметизированный кор-
пус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 135).
Вес 0,3 г.
Интервал рабочих температур от 4-120 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 95—98%
при температуре 40° С.
Наибольшее допустимое постоянное ускоре-
ние 150 g.
Наибольшее допустимое ударное ускорение
150 g.
Наибольшее допустимое ускорение при оди-
ночном ударе 500 g.
Наибольшее допустимое ускорение при
вибрациях с частотами 5—2000 гц 15 g.
Пайку выводов разрешается производить
не ближе 5 мм от корпуса. Температура кор-
пуса при пайке не должна превышать 120® С.
Рабочее положение — любое.
Срок службы 5000 ч.
Основное назначение — работа в импульс-
ных быстродействующих схемах.
Параметры диодов приведены в табл. 67, а
жены на рис. 136.
2Д503А, 2Д503Б
Рис. 135. Внешний вид
и основные размеры
диодов меза 2Д503А
и 2Д503Б.
характеристики изобра-
Таблица 67
Параметры	Тип диода	
	2Д503А	2Д503Б
Наибольшее постоянное прямое напряжение при	1,о	1,2
прямом токе 10 ма и температуре 30° С, в . . . . Наибольшее импульсное прямое напряжение при		
прямом токе 50 ма и температуре 30° С, в ... . Наибольший постоянный обратный ток при обратном	2,5	3,5
напряжении 30 в, мка	 Наибольшее время восстановления обратного сопро- тивления при прямом токе 10 ма и обратном на-	4,0	4,0
пряжении 10 в, нсек 	 Наибольшее обратное напряжение любой формы и	10	10
периодичности, в 	 Наибольшее значение постоянного прямого тока, ма, при температуре: 25°С..	,	.	30	30
	20	20
120° С	 Наибольший прямой ток в импульсе при длитель- ности импульса менее 10 мксек, ма, при темпера- туре:	10	10
25° С		200	200
120° С	 Наибольшая емкость диода при нулевом смещении,	100	100
пф		5,0	2,5
165
a
Рис. 136. Характеристики диодов
2Д503А—2Д503Б:
а — вольт-амперные при различных температу-
рах; б — зависимость прямого импульсного
напряжения от импульсного тока; в — зависи-
мость прямого импульсного тока от длитель-
ности импульса.
ГЕРМАНИЕВЫЕ МИКРОДИОДЫ ТИПОВ ДМ и 2ДМ
Конструктивное оформление — металло-стеклянный корпус с гибкими
выводами (рис. 137). Диоды ДММЗВП устанавливаются на стандартную
микромодульную плату, а выводы подпаиваются к пазам 1 и 6. Диоды типа
2ДМ впаиваются непосредственно в микромодульную плату с подключе-
нием выводов к пазам 1 и 6. Толщина микроме дульной платы с уста-
новленным диодом не превышает 1,35 мм, а вес 0,4 г. Диоды типа
1ДМ505А состоят из трех микродиодов ДММЗ, расположенных на одной
микромодульной плате. Минусовый вывод у диодов общий и подведен
к пазу. 7, а плюсовые выводы диодов соответственно к пазам 1, 2 и 3.
Плюсовые выводы всех микродиодов подключаются к пазам с малыми
порядковыми номерами.
12 11 10
ДММЗВП
Рис. 137. Внешний вид и основные
ЗДММЗ
размеры микродиодов.
Интервал рабочих температур для диодов ДММЗВП и 1ДМ505А от
+73 до —60° С, для диодов 2ДМ — от +80 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давления от 5 мм рт. ст. до
2 ати. Допускается использование диодов при атмосферном давлении
До 1 • Ю~® мм рт. ст.
Наибольшие постоянные ускорения 150 g.
Наибольшие ударные ускорения при многократных ударах 150 g,
при однократных 1000 g.
5 500а01^°ЛЬШИе Д°ПУСТИМЫе УСК°РеНИЯ ПРИ вибРациях ° частотами
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в радиоэлектронных схемах широкого
назначения.
Параметры приведены в табл. 68.
167
Тип диода
Параметры
Таблица 68
8
Е(
Наибольшее допустимое обрат-
ное напряжение любой формы
и периодичности, в
Наибольшее прямое импульсное
падение напряжения, в, при
импульсе тока 50 ма...........
Постоянное прямое падение
напряжения, в.................
Постоянный обратный ток при
наибольшем обратном напряже-
нии, мка......................
Наибольшее время восстановле-
ния обратного сопротивления,
мксек.........................
Импульс прямого тока при им-
пульсе приложенного напряже-
ния длительностью 10 мксек, ма
Выпрямленный ток, ма, при
температуре:
80° С.......................
от —|-25 до —60° С..........
15
3,5 1
1
100
0,1
50
12
30
1 6
5
200
10
20
30
3,5
1 4
5
0,5
200
10
20
30
2,5
1 5
5
0,5
200
10
20
100
3,5
1 4
5
0,5
200
10
20
100
2,5
1 5
5
0,5
200
10
20
15
3,5 х
I3
100
0,1
50
12
1 При импульсе тока 20 ма.
*	Сведения приведены применительно к одному элементу. Полиэлементный диод
1ДМ505А иногда маркируется как ЗДМ М3.
•	При токе 5 ма.
*	При токе 10 ма.
•	При токе 50 ма.
•	При токе 100 ма,
КРЕМНИЕВЫЕ ОПОРНЫЕ ДИОДЫ Д808—Д811, Д813
(СТАБИЛИТРОНЫ)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянным изолятором и гибкими выводами (рис. 138).
Вес 0,9 г.
Интервал рабочих температур от -f-125 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Постоянное ускорение, не более 20 g.
Наибольшее допустимое ускорение при вибрациях с частотами
10—60 гц 10 g.
Температурный коэффициент напряжения в диапазоне температур
от -]-70 до —60® С не более 1% на 1°С.
168
Рабочее положение — любое.
При температуре 100° С максимальный ток стабилизации не должен
превышать 9 ма.
Обратное сопротивление при смещении 1 в равно 10 Мом.
Основное назначение — стабилизация, работа в различных стабили-
заторах напряжения, ограничителях, формирующих устройствах и т. п.
Рис. 138. Внешний вид и основные
размеры диодов Д808—Д811, Д813.
Рис. 139. График зависимости ТКН
от напряжения стабилизации.
Параметры диодов приведены в табл. 69, а характеристики изоб-
ражены на рис. 139 и 140.
Таблица 69
Параметры	Тип диода				
	Д808	Д809	Д8Ю	Д8П	Д813
Наибольший прямой ток при на- пряжении 1 в, ма		50	50	50	50	50
Ток стабилизации, ма		5	5	5	5	5
Напряжение стабилизации при токе стабилизации 5 ма, в ... .	7—8,5	8—9,5	9—10,5	10—12	11,5—14
Динамическое сопротивление, ом, при токе стабилизации, не более: 1 ма		12	18	25	30	35
5 ма		6,0	10	12	15	18
Наибольшее падение напряжения в прямом направлении, в . . . .	1	1	1	1	1
Обратное сопротивление при на- пряжении 1 в, не менее, Мом . . Наибольший стабилизированный ток, ма 	 Наибольшая рассеиваемая мощ- ность, мет		10	10	10	10	10
	33	29	26	23	20
	280	280	280	280	280
спо Римечание. При увеличении
w Допустимая мощность рассеивания
температуры окружающей среды свыше
снижается на 2,8 мет на каждый градус.
169
Рис. 140. Вольт-амперные характеристики диодов Д808—Д811,
Д813 при различных температурах.
КРЕМНИЕВЫЕ ОПОРНЫЕ ДИОДЫ Д814А—Д814Д
(СТАБИЛИТРОНЫ)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный кор-
пус со стеклянным изолятором и гибкими выводами (рис. 141).
Интервал рабочих температур от —1-125 до —60е С.
Допустймая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Рабочее положение — любое.	—
Диоды можно соединять последова-
тельно. Параллельное соединение разре-
шается только в целях резервирования
при условии, что рассеиваемая мощность
не превышает допустимой для одного
диода.
Основное назначение — стабилиза-	рИс. 141. Внешний вид и ос-
ция, работа в различных стабилизаторах	новные размеры диодов
напряжения, ограничителях, формирую-	Д814А—Д814Д,
щих устройствах и т. п.
Параметры диодов приведены в табл. 70, а характеристики изобра-
жены на рис. 142 и 143.
Таблица 70
Параметры	Тип диода				
	Д814А	Д814Б	Д814В	Д814Г	Д814Д
Напряжение стабилизации, в, при токе стабилизации 5 ма	7—8,5	8—9,5	9—10,5	10—12	11,5—14
Наибольшее прямое падение напряжения, в, при прямом токе 50 ма		1,0	1,0	1,0	1,0	1,0
Наибольшее динамическое со- противление, ом, при токе: 1 ма		12	18	25	30	35
5 ма •		6х	10	12	15	18
Наибольший обратный токх, мка		0,1	0,1	0,1	0,1	0,1
Наибольший дрейф напряжения стабилизации, в, при токе ста- билизации 5 ма		0,17	0,19	0,21	0,24	0,28
Наибольший температурный ко- эффициент напряжения стаби- лизации, %/град		0,07	0,08	0,09	0,095	0,095
Наибольший прямой ток, ма .	100	100	100	100	100
Наибольший допустимый ток стабилизации, ма 		40	36	32	39	24
Предельно допустимая мощ- ность рассеивания, мет ....	340	340	340	340	340
1 При обратном напряжении — 1 в.
171
Рис. 142. Вольт-амперные характеристики диодов Д814А—Д814Д
при различных температурах.
Рис. 143. Характеристики диодов Д814А—Д814Д:
а — зависимость напряжения стабилизации от температуры окружающей сре
ды; б — зависимость наибольшего тока стабилизации от температуры.
КРЕМНИЕВЫЕ ОПОРНЫЕ ДИОДЫ Д815А—Д817ГП
(СТАБИЛИТРОНЫ)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянным изолятором и болтом для крепления к шасси.
Диоды с буквой П в конце обозначения имеют обратную полярность
(рис. 144).
Вес 6 г.
Интервал рабочих температур от +125 до —60° С.
Рис. 145. График зависимости
наибольшей допустимой мощнос-
ти рассеивания от температуры
корпуса.
Д815А-Д815ЖП,
Д816А-Д816ДП,
Д817А-Д817ГП,
2С920А-2С980А
Рис. 144. Внешний вид
и основные размеры
диодов	Д815А—
Д817ГП.	2С920А—
2С980А.
Допустимая относительная влажность
окружающего воздуха 98% при темпе-
ратуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного
давления от 5 мм рт. ст. до 3 ати.
Наибольшее допустимое постоянное
ускорение 150 g.
Наибольшее допустимое ударное уско-
рение 150 g.
Наибольшее допустимое ускорение
при вибрациях с частотами 5—2000 гц
15 g.
Диоды можно соединять последова-
тельно. Параллельное соединение одно-
типных диодов возможно при условии,
что суммарная мощность, рассеиваемая
во всех параллельно включенных диодах,
значения мощности рассеивания одного
не превышает наибольшего
диода данного типа.
При работе диода как стабилизатора его включают в схему проти-
воположно полярности, обозначенной на корпусе (это не относится к
Диодам, имеющим в обозначении букву П).
Наибольшая температура корпуса диода не должна превышать 135® С
Допустимый уровень мощности рассеивания надо снижать пропор-
ционально увеличению температуры: для диодов Д815А—Д815Ж.
Д815АП—Д815ЖП при температуре корпуса свыше 90° С, для диодов
Д816А—Д816Д, Д816АП—Д816ДП, Д817Г, Д817АП—Д817ГП, при тем-
пературе корпуса свыше 75° С.
При работе диодов в качестве стабилизаторов в режиме максималь-
ного тока стабилизации температура корпуса не должна превышать
173
Параметры	Тип						
	Д815А, Д815АП	Д815Б, Д815БП	Д815В, Д815ВП	Д815Г, Д815ГП	Д8 15Д, Д815ДП	Д815Е, Д815ЕП	
Напряжение стабилизации при температуре 25° С, в Наибольший ток стабилиза- ции при температуре от -f-75 до —60° С, ма . . . . Наибольший прямой ток, ма	 Наибольшее дифференциаль- ное сопротивление при тем- пературе 25° С, ом .... Наибольшая	допустимая мощность рассеивания в ин- тервале температур от 4-75 до —60° С, вт	 Температурный коэффициент напряжения в интервале ра- бочих температур, % /град	5,6 1400 1000 0,6 8 0,045	6,8 1150 1000 0,8 8 0,05	8,2 950 1000 1,0 8 0,07	10 800 1000 1,8 8 0,08	12 650 1000 2,0 8 0,09	15 550 1000 2,5 8 0,1	
температуры окружающей среды: для диодов Д815А—Д815Ж, Д815АП—
Д815ЖП более чем на 40° С и для всех остальных более чем на 25° С.
К элементам схемы диоды присоединяются пайкой. Температура
места пайки не должна превышать 170° С, а место спая не должно быть
Д818Л-Д818Е
Рис. 146. Внешний
ближе 5 мм от корпуса.
Рабочее положение — любое.
Срок службы 5000 ч.
Основное назначение — работа в схемах ста-
билизации напряжения.
Параметры диодов приведены в табл. 71, а
характеристики изображены на рис. 145.
КРЕМНИЕВЫЕ ОПОРНЫЕ ДИОДЫ Д818А—Д818Е
(СТАБИЛИТРОНЫ)
Конструктивное оформление — металлический
герметизированный корпус со стеклянными изоля-
торами и гибкими выводами (рис. 146).
Вес 1 г.
Интервал рабочих температур от 4" 120 до
—60° С.
Допустимая относительная влажность окру-
жающего воздуха 98% при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давления
от 5 мм рт. ст. до 3 ати.
Параллельное соединение диодов разрешается
вид и основные раз-
меры диодов
Д818А—Д818Е.
в том случае, если суммарная рассеиваемая на
всех диодах мощность не превышает наибольшей
мощности рассеивания для одного диода.
174
Таблица 71
диода
Д815Ж, Д815ЖП	Д816А. Д816АП	Д816Б, Д816БП	Д816В, Д816ВП	Д816Г, Д816ГП	Д818Д, Д816ДП	Д817А, Д817АП	Д817Б, Д817БП	Д817В, Д817ВП	Д817Г, Д817ГП
18	22	27	33	39	47	56	68	82	100
450	230	180	150	130	НО	90	75	60	50
1000	1000	1000	1000	1000	1000	1000	1000	1000	1000
3,0	7,0	8,0	10	12	15	35	40	45	50
8	5	5	5	5	5	5	5	5	5
0,11	0,12	0,12	0,12	0,12	0,12	0,14	0,14	0,14	0,14
Рис. 147. Графики зависимости среднего значения ТКН от тока ста-
билизации для диодов Д818А—Д818Е. Кривые ограничивают область
изменения ТКН.
При работе диода как стабилизатора его включают в схему проти-
воположно полярности, указанной на корпусе.
Для получения высокостабильного эталонного напряжения на диоде
необходимо более точно поддерживать величину номинального тока
(Ю ма).
175
Если ток диода отличен от номинального, то рекомендуемая рабочая
область токов стабилизации находится в пределах 5—10 ма.
Рабочее положение — любое. Срок службы 5000 ч.
Основное назначение—работа в схемах стабилизации напряжения.
Характеристики диодов изображены на рис. 147—149.
Рис. 148. Графики зависимости напряжения стабилизации от
температуры для диодов Д818А—Д818Г. Кривые ограничивают
область изменения напряжения.
Рис. 149. Характеристики диодов Д818А—Д818Е:
а — зависимость дифференциального сопротивления от температуры; б — зависи-
мость наибольшего тока стабилизации от температуры; в — зависимость диффе-
ренциального сопротивления от тока стабилизации} а — зависимость наибольшей
допустимой мощности от температуры.
176
Параметры диодов Д818А—Д818Е
Напряжения стабилизации при температуре
25° С, в........................................... 9
Наибольший ток стабилизации, ма, при темпера-
туре:
От +50 до —60° С................................ 33
120е С.......................................... 11
Наименьший ток стабилизации, ма.................... 3
Наибольшее дифференциальное сопротивление при
температуре 25е С, ом ............................ 18
Наибольшая допустимая мощность рассеивания,
мет, при температуре:
от +50 до —60е С................................300
120° С........................................  100
Температурный коэффициент напряжения в рабочем интервале тем-
ператур, %/град, соответственно для Д818А, Д818Б, Д818В, Д818Г,
Д818Д, Д818Е +0,02; —0,02; ±0,01; ±0,005; ±0,002; ±0,001.
КРЕМНИЕВЫЕ ОПОРНЫЕ ДИОДЫ 2С156А и 2С168А
(стабилитроны)
Конструктивное оформление — металлический герметизированнный
корпус со стеклянным изолятором и гибкими выводами (рис. 150).
Вео 1 г.
Интервал рабочих температур от +120 до —60е С. Допустимая отно-
сительная влажность окружающего воздуха 98% при температуре 40е С.
Рис. 150. Внешний вид и основные
размеры диодов 2С156А и 2С168А.
Наибольшее постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее ударное ускорение 150 g. Допускаются и одиночные
Ударные перегрузки до 500 g.
Наибольшее допустимое ускорение при вибрациях с частотами
5—2000 гц 15 g.
I Рабочее положение — любое. Срок службы 5000 «.
Основное назначение — стабилизация напряжения в радиотехнических
Устройствах.
Рис Г|^аметРы пРивеДены в табл. 72, а характеристики изображены на
177
Ucm-в
Рис. 151. Графики зависимости для диодов 2С156А и 2С168А:
а — наибольшего тока стабилизации от температуры; б — дифференциального
сопротивления от тока стабилизации при различном напряжении стабилиза-
ции; в — ТКН от напряжения стабилизации при токе стабилизации Юла;
г — температурного коэффициента дифференциального сопротивления от на-
пряжения стабилизации; д — наибольшей допустимой мощности от темпера-
туры.
Таблица 72
Параметры	Тип диода	
	2С156А	2С168А
Ток стабилизации, ма 		10	10
Наименьший ток стабилизации, ма	 Наибольший ток стабилизации, ма, при температуре:	3	3
от +50 до —60° С		55	45
120° С		18	15
Напряжение стабилизации, в	 Дифференциальное сопротивление стабилитрона на рабочем участке характеристики в интервале 10%	5,6	6,8
разброса напряжения стабилизации, ом	 Наибольший температурный коэффициент напряже- ния стабилизации в рабочем интервале температур,	28—46	10—28
%/град		0,05	0,06
КРЕМНИЕВЫЕ ОПОРНЫЕ ДИОДЫ 2С920А, 2С920АП, 2С930А,
2С930АП, 2С950А, 2С950АП, 2С980А, 2С980АП
(стабилитроны)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный кор-
пус со стеклянным изолятором, жестким выводом и болтом для крепления
к шасси (см. рис. 144). Диоды с буквой П в конце обозначения имеют
обратную полярность.
Вес 6 г.
Интервал рабочих температур от -|-120 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 95—98%
при температуре 40° С.
Наибольшее допустимое постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее допустимое ударное ускорение 150 g.
Наибольшее допустимое ускорение при одиночном ударе 500 g.
Наибольшее допустимое ускорение при вибрациях с частотами
5—2000 гц 15 g.
Диоды можно соединять последовательно в неограниченном коли-
честве. При параллельном соединении диодов необходимо, чтобы сум-
марная мощность, рассеиваемая на всех диодах, не превышала предельной
для одного диода.
Для обеспечения необходимого охлаждения диодов их укрепляют на
теплоотводящем шасси или радиаторе. Допускается ввинчивание диода
в радиатор. Место соприкосновения радиатора с диодом должно быть
тщательно обработано. Применяется принудительное охлаждение диодов.
Предельно допустимая температура корпуса 130° С.
Прилагаемое к выводам диода усилие не должно превышать 0,1 кг.
Для повышения надежности рекомендуется эксплуатировать диоды
в режимах на 30% ниже предельно допустимых.
Пайку выводов разрешается проводить не ближе 5 мм от корпуса.
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению.
Срок службы 5000 ч.
Основное назначение—работа в схемах стабилизации напряжения.
Параметры диодов приведены в табл. 73, а характеристики изобра-
жены на рис. 152.
179
Таблица 73
Параметры	Тип диода			
	2С920А, 2С920АП	2С930А, 2С930АП	2С950А, 2С950АП	2С980А, 2С980АП
Номинальное напряжение стаби- лизации, в		120	130	150	180
Наибольшее дифференциальное сопротивление на рабочем участ- ке характеристики, ом 		100	120	170	220
Наибольшее дифференциальное сопротивление на начальном участке характеристики, ом . . Наибольший ток стабилизации, ма, при температуре корпуса: 75° С		500	500	500	500
	42	38	33	28
130° С		16	15	13	11
Наименьший ток стабилизации, ма		5	5	2,5	2,5
Температурный коэффициент на- пряжения стабилизации в рабо- чем интервале температур, %/град		0,16	0,16	0,16	0,16
Прямой ток через стабилизатор, ма		1000	1000	1000	1000
Прямое падение напряжения, в	1.5	1.5	1.5	1,5
Наибольшая мощность рассеива- ния, вт, при температуре кор- пуса: 75е С		5	5	5	5
130е С		2	2	2	2
Рис. 152. Характеристики диодов 2С920А—2С980АП:
а — зависимость наибольшей мощности рассеивания от темпера-
туры корпуса; б — зависимость величины дифференциального со-
противления от тока стабилизации при температуре 25° С.
180
КРЕМНИЕВЫЕ И СИЛОВЫЕ ОПОРНЫЕ ДИОДЫ
ТИПОВ СК1 И СК2 (СТАБИЛИТРОНЫ)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянным изолятором и болтом для крепления к радиатору
(рис, 153).
Рис. 153. Внешний вид и основные размеры диодов СК.
СК2
Маркировка диодов состоит из четырех элементов: первый — буквы
СК, означающие стабилитрон кремниевый; второй — цифра, означающая
тип стабилитрона; третий — цифра, указывающая величину напряжения
стабилизации в вольтах; четвертый — цифра, указывающая величину
Рис. 154. Графики зависимости тока стабилизации
диодов СК:
а — от температуры; б — от скорости потока воздуха
при искусственном охлаждении.
номинального тока стабилизации в миллиамперах (СК1 91/50 — стабили-
трон кремниевый, первого типа с напряжением стабилизации 91 в и
номинальным током 50 ма).
Интервал рабочих температур от +65 до —40° С.
181
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 90%
при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давления 600—1500 мм рт. ст.
Запрещается использовать диоды для работы в агрессивных средах
с токопроводящей пылью.
Диоды обеспечивают длительную работу с радиатором в условиях
естественного воздушного охлаждения.
Диоды можно соединять последовательно при условии, что мощ-
ность рассеивания каждого диода не превышает допустимую.
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению диодов.
Срок службы 20 000 ч.
Основное назначение — работа в схемах стабилизации уровня на-
пряжения, устройствах управления и формирования импульсов различ-
ной формы.
Параметры диодов приведены в табл. 74 и 75, а характеристики
изображены на рис. 154.
Таблица 74
Ти	п диода	Напряже- ние стаби- лизации, в	Номиналь- ный ток диода ^ИОМ’ ма	Динамическое сопро- тивление рабочего участка, ом		Температур- ный коэффи- циент на- пряжения, %/град
				при ^ном	при 20% от ^ном	
СК1	5,6/1000	5,6	1000	0,5	0,8	0,045
СК1	6,8/1000	6,8	1000	0,8	1,5	0,05
СК1	8,2/1000	8,2	1000	1,0	2,0	0,07
CKI	10/500	10	500	1,5	2,5	0,08
CKI	12/500	12	500	1,8	3,0	0,09
CKI	15/500	15	500	2,2	3,5	0,1
CKI	18/500	18	500	3,0	4,5	0,11
CKI	22/150	22	150	4,5	7,0	0,11
СК1	24/150	24	150	6,0	8,5	0,12
СК1	28/150	28	150	8,0	12,0	0,12
CKI	30/150	30	150	10,0	30,0	0,12
СК1	36/150	36	150	12,0	45,0	0,12
CKI	43/150	43	150	14,0	60,0	0,12
CKI	51/150	51	150	25,0	70,0	0,12
СК1	62/150	62	150	30,0	80,0	0,14
CKI	75/50	75	50	35,0	100,0	0,14
CKI	91/50	91	50	40,0	100,0	0,14
СК1	110/50	110	50	45,0	110,0	0,14
СК1	120/50	120	50	50,0	112,0	0,14
СК1	150/50	150	50	55,0	150,0	0,15
СК1	180/50	180	50	60,0	150,0	0,15
СК1	220/25	220	25	80,0	300,0	0,15
СК1	270/25	270	25	110,0	400,0	0,15
СК1	300/25	300	25	150,0	500,0	0,15
Примечание. Наибольшая мощность рассеивания 10 вт.
182
Таблица 75
«к*- ' Тип диода	Напряже- ние ста- билиза- ции, в	Номиналь- ный ток Диода ^ИОМ‘ ма	Динамическое сопротивление рабочего участка, ом		Температур- ный коэффи- циент напря- жения, %/град
			при ^ном	при 20% от 7ном	
СК2 5,6/2000	5,6	2000	0,5	0,7	0,045
СК2 6,8/2000	6,8	2000	0,7	1,2	0,05
СК2 8,2/2000	8,2	2000	0,9	1,8	0,07
СК2 10/1000	10	1000	1,0	2,2	0,08
СК2 12/1000	12	1000	1,5	2,5	0,09
СК2 15/1000	15	1000	2,0	3,0	0,10
СК2 18/700	18	700	2,5	3,5	0,11
СК2 22/300	22	300	3,5	5,0	0,12
СК2 24/300	24	300	4,0	6,0	0,12
СК2 28/300	28	300	5,0	8,0	0,12
СК2 30/300	30	300	8,0	25,0	0,12
СК2 36/300	36	300	9,0	30,0	0,12
СК2 43/300	43	300	10,0	35,0	0,12
СК2 51/200	51	200	12,0	45,0	0,12
СК2 62/200	62	200	25,0	60,0	0,14
СК2 75/100	75	100	30,0	80,0	0,14
СК2 91/100	91	100	35,0	90,0	0,14
СК2 110/100	110	100	45,0	100,0	0,14
СК2 120/100	120	100	50,0	100,0	0,14
СК2 150/100	150	100	55,0	120,0	0,14
СК2 180/100	180	100	70,0	200,0	0,15
СК2 220/50	220	50	80,0	300,0	0,15
СК2 270/50	270	50	100,0	350,0	0,15
СК2 300/50	300	50	120,0	450,0	0,15
Примечание. Наибольшая мощность рассеивания 15 вт.
КРЕМНИЕВЫЕ ОПОРНЫЕ ДИОДЫ ТИПА
КС 133А—КС 168А и КС211Б—КС211Д
(стабилитроны)
Конструктивное < *	‘	_
корпус со стеклянным изолятором и гибкими выводами "(рис. 155).	"
Интервал рабочих температур: КС133А—КС168А от + 100 до —60е С;
КС211Б—КС211Д от +120 до —60s С. Допустимая относительная влаж-
ность окружающего воздуха 98% при
температуре 40° С.
Рабочее положение должно бла-
гоприятствовать охлаждению.
Основное назначение — работа
схемах стабилизации напряжения.
Параметры диодов приведены
табл. 76.
оформление — металлический герметизированный
Рис. 155. Внешний вид и основные
размеры диодов КС133А —KCI68A
да
в
в
КС211Б-КС211Д
и КС211Б — КС211Д. Ю13М -КС/Ш
183
Тип
Параметры
КС 133 А КС 139 А
Номинальное напряжение стабилизации, в	 Допустимый разброс напряжения стабилизации от номи-	3,3	3,9
нала, % 	 Номинальный ток стабилизации, ма		+ 10	±10
	10	10
Ток стабилизации, ма:		
наибольший		81	70
наименьший		3	3
Температурный коэффициент напряжения, 10~2 %]град .	— 10	—10
Наибольший прямой ток, ма		50	50
Прямое падение напряжения, в		1	1
Дифференциальное сопротивление, ом .........	65	60
Наибольшая рассеиваемая мощность, мет .......	300	300
КРЕМНИЕВЫЕ ОПОРНЫЕ ДИОДЫ КС620А—КС680А
(СТАБИЛИТРОНЫ)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянным изолятором, жестким выводом и болтом для
крепления к шасси (рис. 156).
Вес 6 г.
Интервал рабочих температур от +100
(температура корпуса) до —60° С.
КСБ20А -КС660А
Рис. 156. Внешний
вид и основные раз-
меры диодов КС620А —
КС680А.
Рис. 157. Гафик зависимости наи-
большей допустимой мощности рас-
сеивания от температуры корпуса
для диодов КС620А — КС680А.
Допустимая относительная влажность ок-
ружающего воздуха 98% при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давле-
ния от 200 мм рт. ст. до 3 ати.
Наибольшие постоянные ускорения 30 g.
Наибольшие ускорения при многократных
ударах 95 g.
Наибольшие ускорения при вибрациях
7,5 g.
184
Таблица 76
диода
	КС147А	КС156А	КС168А	КС211Б	КС211В	КС211Г	КС211Д
	4,7	5,6	6,8	11	11	11	11
	±ю	±ю	±10	+20	—20	±15	±15
	10	10	10	10	10	10	10
	58	55	45	33	33	33	33
	3	3	3	5	5	5	5
	От —8 до 2	От —5 до 5	От —6 до 6	+2	—2	±1	±0,5
	50	50	50		—	—	—
	1	1	1	—		—	
	56	46	28	15	15	15	15
	300	300	300	280	280	280	280
Последовательно можно соединять неограниченное количество дио-
дов. При параллельном соединении диодов необходимо, чтобы суммарная
мощность рассеивания не превосходила предельной для одного диода.
Для охлаждения диоды укрепляют на теплоотводящем шасси или
радиаторах. Диаметр отверстия для болта не должен превышать 4,3 мм.
Место соприкосновения радиатора с диодом должно быть тщательно
обработано. Допускается принудительное охлаждение диодов.
Для повышения надежности необходимо снижать подводимую мощ-
ность на 20% по сравнению с допустимой.
Прилагаемое к выводам диода усилие не должно превышать 0,1 кГ.
Таблица 77
Параметры	Тип диода			
	КС620А	КС630А	КС650А	КС680А
Номинальное напряжение стабилизации, в	120	130	150	180
Допустимый разброс напряжения стабили- зации от номинального значения, % . . .	15	15	15	15
Номинальный ток стабилизации, ма . . . .	50	50	20	20
Ток стабилизации, ма: наибольший								33	28
наименьший		5	5	2,5	2,5
Температурный коэффициент напряжения,	20	20	20	20
Наибольший прямой ток, ма		500	500	500	500
Прямое падение напряжения, в		1,5	1,5	1,5	1,5
Дифференциальное сопротивление при но- минальном токе стабилизации, ом . . . .	150	180	255	330
Наибольший ток стабилизации при темпе- ратуре корпуса 100° С, ма		16	15	13	11
Наибольшая рассеиваемая мощность, вт . .	5	5	5	5
185
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению.
Основное назначение — работа в схемах стабилизации напряжения.
Параметры диодов приведены в табл. 77, а характеристики изобра-
жены на рис. 157.
КРЕМНИЕВЫЕ ОПОРНЫЕ МИКРОДИОДЫ ТИПА 2СМ
(СТАБИЛИТРОНЫ)
Конструктивное оформление — круглые шайбы, закрепленные на
микромодульных платах (см. рис. 137). Выводы диодов подведены к па-
зам 1 и 6. Плюсовые выводы микродиодов подключаются всегда к пазу
с меньшим порядковым номером.
Интервал рабочих температур от -J-120 до —60® С. Допустимая отно-
сительная влажность окружающего воздуха 98% при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давления от 5 мм рт. ст. до
2 ати. Допускается использование диодов при атмосферном давлении
до 10~6 мм рт. ст.
Наибольшие постоянные ускорения 150 g.
Наибольшее ускорение при многократных ударах 150 g.
Наибольшее ускорение при однократных ударах 1000 g.
Наибольшее допустимое ускорение при вибрациях с частотами
5—5000 гц 40 g.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в схемах стабилизации напряжения.
Параметры диодов приведены в табл. 78.
Параметры	2СМ180А	Тип 2СМ190А	
Номинальное напряжение стабилизации, в, при токе: 5 ма		7—8,5	8—9,5	
10 ма		—	—	
Дифференциальное сопротивление, ем, при токе: 1 ма		15	22	
5 ма ......................	8	12	
10 ма		—	—	
Наибольший допустимый ток стабилизации, ма, при температуре: от 4-50 до —60° С		15	13	
120° С			8	7,5	
Наименьший ток стабилизации в интервале темпера- тур от 4-120 до —60° С, ма		—	—	
Наибольшая мощность рассеивания, мет, при темпе- ратуре: от 4-50 до —60° С		125	125	
120° С		70	70	
186
КРЕМНИЕВЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ДИОДЫ Д227А—Д227И (р-п-р-п)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянным изолятором и болтом для крепления (рис. 158).
Интервал рабочих температур от 4-100 до —60s С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98% при
температуре 40® С.
Рабочее положение—любое. При работе диода в качестве пере-
ключающего элемента последовательно с ним включается сопротивление
нагрузки.
Срок службы 5000 ч.
Основное назначение — работа в качестве переключающего элемента
в радиотехнических устройствах и схемах автоматики.
Параметры диодов приведены в табл. 79, а характеристики изобра-
жены на рис. 159.
Ц221И-М2ТИ
Рис. 158. Внешний вид и основные
размеры диодов Д227А — Д227И.
Таблица 78
диода
	2СМ210А	2СМ211А	2СМ213А	2СМ133А	2СМ139А	2СМ147А	2СМ156А	2СМ168А
	а-10,5	10—12	11,5—12					
	—	—	—	3—3,7	3,5—4,3	4,1—5,2	5—6,4	6-7,5
	32	36	44										
	15	18	22	—	—	—				
	—	—	—	65	60	56	45	15
	11	10	9	30	26	21	18	15
	6,5	6	5	21	18	15	12	10
	—	—	—	3	3	3	3	3
	125	125	125					
	70	70	70	—	—	—	—	—
187
Таблица 79
Параметры	Тип диода						
	Д227А	Д227Б	Д227В	Д227Г	Д227Д	Д227Ж	Д227И
Наибольший обратный ток переключения, ма . . . .	1,0	1.0	1,0	1,0	1,о	1,0	1,0
Напряжение включения, в .............	10—20	14—28	20—40	28—56	40—80	80—100	100—200
Наибольший ток утечки, мка		100	100	100	100	100	100	100
Наибольший ток включения, ма		5	5	5	5	5	5	5
Наибольший ток выключения, ма .........	15	15	15	15	15	15	15
Наибольший ток в импульсе длительностью до 10 мксек (при среднем токе через диод не более 20 ма), а .....................	2	2	2	2	2	2	2
Наибольшее остаточное напряжение (при токе через диод 20 ма), в		1,5	1,5	1,5	1,5	1,5	1,5	1,5
Наибольшее обратное напряжение, в		—10	—10	-10	-10	— 10	— 10	-10
Наибольшее время включения, мксек ........	0,5	0,5	0,5	0,5	0,5	0,5	1,5
Наибольшее время выключения, мксек		10	10	10	10	10	10	10
Наибольшая емкость диода, пф		100	100	100	100	100	100	100
Примечание. Ток, протекающий через диод при наибольшем напряжении на нем, — ток включения; ток, соответствующий
минимальному напряжению на диоде, — ток выключения.

б
Рис. 159. Характеристики
диодов Д227А — Д227И:
а — зависимость времени включе-
ния от температуры корпуса; б —
зависимость относительного тока
переключения от температуры
окружающей среды; в — зависи-
мость напряжения переключения
от температуры.
КРЕМНИЕВЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ДИОДЫ Д228А— Д228И
(р-п-р-п)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянным изолятором и гибкими выводами (см. рис. 61).
Вес 1,4 г.
Интервал рабочих температур от 4-100 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40s С.
Интервал изменений атмосферного давления от 5 мм рт. ст. до
2 ати.
Наибольшее постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее ускорение при многократных ударах 150 g.
Наибольшее ускорение при однократных ударах 500 g.
Наибольшее допустимое ускорение при вибрациях с частотами
5—2000 гц 15 g.
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению.
При эксплуатации диодов в условиях вибраций и ускорений их не-
обходимо крепить за корпус.
Диоды присоединяются к элементам схемы пайкой выводов. Разре-
шается пайка выводов на расстоянии не менее 10 мм от корпуса паяль-
ником мощностью не более 60 вт в течение времени, не превышаю-
щем 2 сек.
Основное назначение—работа в качестве переключающего элемента
в радиотехнических устройствах и схемах автоматики.
Параметры диодов приведены в табл. 80.
189
Z	Таблица 80							
Параметры	Тип диода							
	Д228А	Д228Б	Д228В	Д228Г	Д228Д	Д228Е	Д228Ж	Д228И
Наибольшее остаточное напряжение, в . .	1,5	1,5	1,5	1,5	1,5	1,5	1,5	1,5
Напряжение переключения, в		10—20	14—28	20—40	28—56	40—80	56—112	80—160	100—200
Наибольший ток переключения, ма ... .	1	1	1	1	1	1	1	1
Наибольший ток выключения, ма		15	15	15	15	15	15	15	15
Наибольший ток утечки, мка		60	60	60	60	60	60	60	60
Наибольший обратный ток, ма		0,5	0,5	0,5	0,5	0,5	0,5	0,5	0,5
Наибольший постоянный ток, ма		50	50	50	50	50	50	50	50
Наибольший ток в импульсе длительностью до 10 мксек (при среднем токе через диод не более 50 ма), а		2	2	2	2	2	2	2	2
Наибольшее время, мксек:								
включения		0,1	0,1	0,1	0,1	0,1	0,1	0,1	0,1
выключения		5	5	5	5	5	5	5	5
Наибольшая емкость диода, пф		80	80	80	80	80	80	80	80
КРЕМНИЕВЫЕ [ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ
УПРАВЛЯЕМЫЕ ДИОДЫ Д235А—Д235Г
Конструктивное оформление — металличес-
кий герметизированный корпус со стеклянным
изолятором, жестким выводом и болтом для
крепления к шасси (рис. 160).
Вес 17 г.
Интервал рабочих температур от -|-100 до
—60° С.
Допустимая относительная влажность ок-
ружающего воздуха 98% при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давле-
ния от 5 мм рт. ст. до 3 ати.
Наибольшее допустимое постоянное уско-
рение 150 g.
Наибольшее допустимое ударное ускорение
150 g.
Наибольшее допустимое ускорение при
одиночном ударе 500 g.
Наибольшее допустимое ускорение при
вибрациях с частотами 5—2000 гц 15 g.
~-20—~
Д235А-Д235Г
Рис. 160. Внешний вид
Наибольшая допустимая температура кор- и основные размеры
пуса 100° С.	диодов Д235А —Д235Г.
191
В интервале температур корпуса 70—100® С ток в открытом состоя-
нии и мощность рассеивания определяются по формулам:
(102-^)® С	(102 —/кор) e С
'отк. мако	» а И гмакс	g
, вт
где *кор — температура корпуса диода.
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению диодов.
Срок службы 5000 ч.
Основное назначение — работа в схемах переключения и управляе-
мых выпрямителей.
Параметры диодов приведены в табл. 81, а характеристики изобра-
жены на рис. 161.
Таблица 8/
Параметры	Тип диода			
	Д235А	Д235Б	Д235В	Д235Г
Наименьшее обратное напряжение в интер- вале рабочих температур, в 						40	80
Наибольшее остаточное напряжение при температуре 25® С, в		2	2	2	2
Наибольший ток утечки при температуре 25° С, ма		1	1	1	1
Наименьшее напряжение переключения, в, при температуре: +20° С		40	100	40	100
+ 100® С		40	80	40	80
—60° С		40	80	40	80
Наибольший ток управления, ма, при тем- пературе: +25° С		20	20	20	20
—60° С		50	50	50	50
Наибольший ток выключения при темпера- туре —60° С, ма		100	100	100	100
Наибольший ток в открытом состоянии при температуре корпуса 70° С, а		2	2	2	2
Наибольший импульсный ток в открытом состоянии при длительности импульса менее 10 мксек, а	 Наибольшее обратное напряжение на управ- ляющем электроде, в 		10	10	10	10
	1	1	1	I
Наибольший ток в одиночном импульсе длительностью 50 мксек, а		30	30	30	30
Наибольшее время, мксек: включения 		5	5	5	5
выключения		35	35	35	35
Наибольшая мощность рассеивания при тем- пературе корпуса 70° С, вт ........	4	4	4	4
192
КРЕМНИЕВЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ УПРАВЛЯЕМЫЕ ДИОДЫ
Д238А—Д238Е
Конструктивное оформление — металлический герметизированный кор-
пус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 162).
Вес 40 г.
Интервал рабочих температур от +100 до —50е С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давле-
ния от 5 мм. рт. ст. до 3 сипи.
Наибольшее допустимое постоянное уско-
рение 150 g.
Наибольшее допустимое ударное ускорение
150 g.
Наибольшее допустимое ускорение при оди-
ночном ударе 500 g.
Наибольшее допустимое ускорение при
вибрациях с частотами 5—2000 гц 15 g.
Диоды присоединяются к элементам схемы
пайкой выводов на расстоянии не менее 30 мм
от корпуса. К шасси или радиатору диоды
крепятся накидным фланцем.
Температура корпуса при пайке не должна
превышать 120® С.
В рабочем интервале температур ток в от-
крытом состоянии определяется по формуле
(100 —fK)°C
'отк. макс	q а‘
В интервале температур корпуса 40—
100° С мощность рассеивания определяется
по формуле
„ <1ОТ-'кор)’С
°макс	з вт‘
Рабочее положение должно благоприятст-
вовать охлаждению.	диодов Д238.
Срок службы 5000 ч.
Основное назначение — работа в схемах переключения и в управля-
емых выпрямителях.
Параметры приведены в табл. 82.
Д238А-Д23ВЕ
Рис. 162. Внешний вид
и основные размеры
КРЕМНИЕВЫЕ СИЛОВЫЕ УПРАВЛЯЕМЫЕ ВЕНТИЛИ
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянным изолятором, болтом для крепления и гибкими
выводами (см. рис. 80 и 163).
Интервал рабочих температур окружающей среды: от +65 до —40® С
Оия ВКУ, ТЛ, ТЛЗ, ВКДУС, ВКДУ); от +30 до +5° С (ВКУВ, ТЛВ,
* 544	193
Таблица 82
Параметры	Тип диода					
	Д238А	Д238Б	Д238В	Д238Г	Д238Д	Д238Е
Наименьшее обратное напря- жение, в					50	100	150
Наибольшее остаточное напря- жение при температуре 20° С, в	2	2	2	2	2	2
Наибольшее напряжение пере- ключения в рабочем интервале температур, в		50	100	150	50	100	150
Наибольший ток управления при температуре —50° С, ма	150	150	150	150	150	150
Наибольший ток в открытом состоянии при температуре корпуса 40° С, а		10	10	10	10	10	10
Наибольшая мощность рассеи- вания при температуре кор- пуса до 40° С, вт		20	20	20	20	20	20
Наибольшее время включения при управляющем токе 150 ма и температуре 20° С, мксек . .	10	10	10	10	10	10
Наибольшее время выключения при температуре 20° С, мксек	35	35	35	35	35	35
Наибольший ток в импульсе длительностью 50 мксек и среднем токе не более 0,5 а, а	100	100	100	100	100	100
ВКДУВ). Вентили типа ВКУ, ТЛ, ТЛЗ, ВКДУС и ВКДУ обеспечивают
длительную работу при естественном или принудительном воздушном
охлаждении. Вентили ВКУВ, ТЛВ и ВКДУВ требуют водяного охлаж-
дения.
Интервал допустимого изменения атмосферного давления 600—
1600 мм рт. ст.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Запрещается применять вентили в агрессивных средах, а так же
в средах со значительной токопроводностыо.
В зависимости от допустимого обратного напряжения вентили ВКУ
и ВКУВ делятся на восемь классов (табл. 83).
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению венти-
лей.
Срок службы вентилей ВКУ 12 000 ч.
Основное назначение — работа в статических силовых преобразо-
вателях электроэнергии и в цепях постоянного и переменного тока
с частотой до 400 гц.
Параметры вентилей приведены в табл. 84 и 85.
194
Рис. 163. Внешний вид и основные размеры кремниевых силовых
управляемых вентилей.
Таблица 83
Класс вентиля
Параметры
0,25	0,5	0,75	1	1,5
2,5	.4
Пиковое пороговое на-
пряжение переключе-
ния, в................
Наибольшее обратное на-
пряжение, в...........
50
38
100	150	200 300
75	125	150 225
400 500 600
300 375 450
	—	Тип
Параметры	О	_ ю	о *7	Й	8 СО
	т	аз
	ь	н	g
Номинальный прямой ток, а 		160	250	320
Номинальное напряжение, в	 Номинальное прямое падение напряже-	400—1000 400—1000	400—1000
НИЯ, в		0,55—0,99 0,55—0,8	0,55—0,9
Ток управления, ма 		300	400	400
Напряжение управления, в	 Установившееся тепловое сопротивле-	7	8	8
ние, град/вт	 Наибольший обратный ток и ток утечки при номинальном напряжении, ма . . .	0,2	0,15	0,15
	— —	—
Габариты, мм ............. Вес, кг:	70х80х 110x116* Х332	Х342	060x338
без охладителя 		0,45	0,85	0,85
с охладителем		2,14	4,5	1,45
196
Таблица 84
Тип вентиля
Параметры
ВКУ-10 ВКУ-20 ВКУ-50
ВКУ-ЮО
ВКУ В-100
Наибольший выпрямленный
ток, а ....................
Наибольшее прямое падение на-
пряжения, в................
Средний обратный ток, ма . .
Средний ток утечки, ма . . .
Наибольшая импульсная мощ-
ность управления, вт . . . .
Допустимая амплитуда напря-
жения управляющего импуль-
са, в .....................
Амплитуда тока импульса уп-
равления, а................
Вес, кг....................
10	20	50	100	100
1,4	1,4	1,4	1,4	1,4
20	20	20	20	20
20	20	20	20	20
20	20	30	40	40
20	20	20	20	20
1	1	1	1	1
0,28	0,359	—	2,1	1,34
			(с радиа-	
			тором)	
Таблица 85
вентиля
	ВКДУС-100	ВКДУС-150	ss-Afriis	ВКДУ-50	ВКДУ-ЮО	ВКДУ-150	ВКДУ-250	ВКДУВ-320
	100	150	25	50	100	150	250	320
	50—800	50—800	100—	100—	100—	100—	100—	100—
			1000	1000	1000	1000	1000	1000
	0,75	0,75	0,8	0,8	0,9	0,75	0,75	0,9
	—	—	—	—	—	—	—	—
	—	—	—	—	—	—	—	—
							—		.						
	20	20	10	20	20	20	20	20
	70х80х	70х80х	90х90х	70х80х	70х80х	70х80х	ПОхПбх	60х60х
	Х328	Х328	XI50	Х272	Х328	Х328	Х342	Х338
	0,45	0,45	0,12	1,19	0,45	0,45	0,85	0,85
	2,2	2,2	0,260	2,09	2,2	2,2	4,5	1,5
197
ГЕРМАНИЕВЫЕ ТУННЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ 1И302А— 1И302Г
Конструктивное оформление — металло-стеклянный корпус с гибкими
выводами (рис. 164).
Вес 0,1 г.
Интервал рабочих температур от +70 до —60° С.
Допустимая относительная
влажность окружающего воздуха
98% при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосфер-
ного давления от 5 мм рт. ст.
др 3 ати.
Наибольшее постоянное уско-
рение 150 g.
Наибольшее ускорение при
многократных ударах 150 g.
Наибольшее ускорение при
однократном ударе 500 g.
Наибольшее ускорение при ви-
брациях с частотами 5—2000 гц 15 g.
При постоянных ускорениях свыше
50 g и вибрациях свыше 2 g диоды
необходимо крепить за корпус
-60 -40 -20-10 010 2030 40501^0
Рис. 165. График зависимости
тока максимума от температуры
для диодов 1И302.
Таблица 86
Рис. 164. Внешний вид и основ-
ные размеры туннельных диодов
1И302А— 1И302Г.
Параметры	Тип диода			
	1И302А	1И302Б	1И302В	1И302Г
Ток максимума, ма	 Наименьшее отношение тока мак- симума к току минимума при тем- пературе:	1.7—2,3	4,3—5,8	8,5—11,5	13—17
+20 и —60° С		4,5	4,5	4,5	4,5
70° С	 Наибольшее напряжение максиму-	3,5	3,5	3,5	3,5
ма, мв	 Наибольшая емкость диода на	60	60	60	60
частоте 8 Мгц, пф .......	80	150	180	200
198
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в переключающих схемах вычисли-
тельных устройств.
Параметры диодов приведены в табл. 86, а характеристики изобра-
жены на рис. 165.
АРСЕНИДО-ГАЛЛИЕВЫЕ ТУННЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ ЗИЗО1А—ЗИЗО1Г
Конструктивное оформление — ме'
ними выводами (рис. 166).
Вес 0,07 г.
Интервал рабочих температур от
70 до —60° С.
Допустимая относительная влаж-
ность окружающего воздуха 98% при
температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного
давления от 5 мм рт. ст. до 3 ати.
Наибольшее постоянное ускорение
150 g.
Наибольшее ударное ускорение
120
Наибольшее ускорение при вибра-
циях с частотами 20—1000 гц 10 g.
Рабочее положение — любое.
Срок службы 5000 ч.
Основное назначение — работа в
схемах переключения радиоэлектрон-
ной аппаратуры.
Параметры диодов приведены в i
жены на рис. 167.
^-керамический корпус с гиб-
—4 0 2,8 Н—
ЗИ301А-ЗИ301Г
Рис. 166. Внешний вид и основ-
ные размеры диодов ЗИЗО1А —
ЗИЗО1Г.
I. 87, а характеристики изобра-
Таблица 87
Параметры	Тип диода			
	ЗИ301А	ЗИЗО1Б	ЗИЗО1В	ЗИЗО1Г
Ток максимума, ма, при тем- пературе: +25°С	.	. . .	2	5	5	10
+70° С		1,5—2,4	4,2—5,5	4,2—5,5	8,4—11
—60°С		1,4—2,7	3,9—6,2	3,9—6,2	8—12
Допустимые отклонения тока в максимуме, %		±20	±10	±10	±10
Наименьшее отношение тока максимума к току минимума .	8	8	8	8
Наибольшее напряжение мак- симума, в		0,18	0,18	0,18	0,18
Наименьшее напряжение, соот- ветствующее току в максиму- ме во второй восходящей ветви характеристики, в 		0,65	0,85—1,15	1—1,3	0,8
Наибольшая емкость диода, пф	12	25	25	50
199
Рис. 167 Вольт-амперные характе-
ристики диодов ЗИЗО1А—ЗИЗО1Г.
КРЕМНИЕВЫЕ ВАРИКАПЫ Д901А—А901Е
.00,6
05,5
Д901А-Д901Е
Рис. 168.
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 168).
Вес 0,65 г.
Интервал рабочих температур от + 125 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего
воздуха 98% при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давления от 5 л.ч
рт. ст. до 3 ати.
Наибольшее допустимое постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее допустимое ударное ускорение 150 g.
Наибольшее допустимое ускорение при вибрациях
с частотами 5—2000 гц 15 g.
Для работы в схеме в качестве переменной емкости
варикап должен быть включен обратно полярности, ука-
занной на корпусе.
Варикап присоединяется к элементам схемы пайкой
выводов. Пайку разрешается производить не ближе 5 мм
от корпуса. Время пайки не более 2—3 сек. Между
местом пайки и корпусом обязательно применять допол-
нительный теплоотвод.
Температура корпуса при пайке не должна превы-
шать 140° С.
Рабочее положение — любое.
Внешний вид
и основные
размеры дио-
дов Д901А —
Д901Е.
Срок службы 5000 ч.
Основное назначение — перестройка резонансной
частоты контура в схемах АПЧ, частотных модуляторов,
параметрических усилителей и т. п.
Параметры диодов приведены в табл. 88, а характе-
ристики изображены на рис. 169.
Рис. 169. Характеристики диодов Д901:
а — зависимость емкости от наибольшего напряжения смещения;
б — зависимость относительного значения добротности от напряжения сме-
щения; в — зависимость относительного значения добротности от частоты.
ГЕРМАНИЕВЫЕ СМЕСИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ ДГ-С
Конструктивное оформление—керамический патрон с жесткими вы-
водами (рис. 170).
Вес 0,7 г.
Интервал рабочих температур от +70 до —60° С.
201
Таблица 88
Тип диода
Параметры	Д901А	Д901Б	Д901В	Д9О1Г	Д901Д	Д901Е
Наибольшее напряжение сме-
щения при температуре 20° С, в
Наибольший обратный ток, мка,
при температуре:
+20° С...................
+125°С...................
Наибольшая емкость при на-
пряжении смещения 4 в и тем-
пературе 20° С, пф.........
Коэффициент перекрытия по
емкости ...................
Наибольший температурный
коэффициент емкости при на-
пряжении смещения 4 в в ин-
тервале рабочих температур,
10~6 Цград.................
Наибольший температурный ко-
эффициент емкости при напря-
жении смещения 40 в в интер-
вале рабочих температур,
10~в If град...............
Наибольшая добротность при
напряжении смещения 4 в, час-
тоте 50 Мгц и температуре
20° С......................
Наибольшая мощность рассеи-
вания в интервале температур
от +25 до —60° С, мвпг . . .
80	45	80	45	80
1	1	1	1	1
25	25	25	25	25
22—32	22—32	28—38	28—38	34—44
4	3	4	3	4
500	500	500	500	500
200	200	200	200	200
25	30	25	30	25
250	250	250	250	250
45
1
25
34—44
3
500
200
30
250
МЗ*ОД\
Дб02А,Д602Б,ДГ~С,ДЗА,ДЗБ,
ДК-В1-ДК-М-
Рис. 170. Внешний вид и ос-
новные размеры диодов Д602,
ДГ-С, ДЗА, ДЗБ, ДК-В1 -
ДК-В4.
Примечание. При температуре свыше
25° С мощность рассеивания должна уменьшать-
ся на 2 мет, на каждый 1° С.
Допустимая относительная влажность
окружающего воздуха 98% при темпе-
ратуре 40° С.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение—преобразова-
ние частоты в супергетеродинных прием-
никах десяти- и трехсантиметрового диа-
пазонов.
Параметры диодов приведены в табл.
89, а характеристики изображены на
рис. 171.
202
Таблица 89
Параметры	Тип диода			
	ДГ-С1	ДГ-С2	ДГ-СЗ	ДГ-С4
Номинальная длина волны, см . 		9,8	9,8	3,2	3,2
Наибольшие потери преобразования, дб . .	8,5	6,5	8,5	6,5
Наибольший фактор шума		3	3	3	3
Наибольший выпрямленный ток, ма . . . .	0,4	0,4	0,4	0,4
Номинальное входное сопротивление, ом . .	400	400	400	400
Коэффициент стоячей волны напряжения	3,5	3,5	3,5	3,5
Наибольшая просачивающаяся мощность в импульсе в условиях эксплуатации, не более, мет		80	80	80	80
Наибольшая просачивающаяся мощность при испытании в течение 60 сек при час- тоте посылок 800—1000 гц, длительности импульса 1 мксек и внутреннем сопротивле- нии источника импульсов 50 ом, не более, мет		250	250	250	250
Наибольшая энергия среднего тока проса- чивающейся мощности при многократной подаче импульсом, не более, эрг		0,1	0,1	0,1	0,1
Наибольшая энергия тока просачивающейся мощности при испытании однократным им- пульсом длительностью 2,5 • 10~9 сек, не более, эрг 		3	3	3	3
Примечания: 1. Приведенные параметры получены для ДГ-С1 и ДГ-С2 при
подводимой мощности 0,5 мет, а для диодов ДГ-СЗ и ДГ-С4 — при мощности 1 мет.
2. Диоды ДГ-С2 и ДГ-С4 обладают повышенной чувствительностью.
ма
203
КРЕМНИЕВЫЕ СМЕСИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ ДК-С
Конструктивное оформление — керамический патрон с жесткими
выводами (рис. 172).
Вес 3 г (ДК-С1 — ДК-СЗ) и 0,7 г (ДК-С5, ДК-С7).
Интервал рабочих температур от 4- 70 до — 60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
—-------
ДК-И, ДК-&5-ДК-Ы
Д1<05-ДМ5Б; ДК- Ct-ДК-СЗ
Рис. 172. Внешний вид и основные размеры диодов Д405, ДК-С,
дк-и, дк-в.
Рис. 173. График зависи-
мости потерь преобразова-
ния от величины выпрям-
ленного тока для диодов
ДК-С.
204
Наибольшее ускорение при вибрациях в условиях эксплуатации 2,5 g.
Наибольшее постоянное ускорение 20 g.
Наибольшее ускорение при трехкратном ударе 100 g.
Наибольшее ускорение при вибрациях с частотами 20—70 гц при
испытании в течение 120 мин 4 g.
Рабочее положение — любое.
Параметры диодов приведены в табл. 90, а характеристики изоб-
ражены на рис. 173.
Таблица 90
Параметры	Тип диода					
	ДК-С1*|дК-С2*|дК-СЗ*|дК-С4*				ДК-С5*	ДК-С7’
Номинальная рабочая длина волны, см 	 Наибольшие потери преобразо- вания, дб		9,8	9,8	3,2	3,2	2	3,2
	8,5	6,5	8,5	6,5	8	7
Наибольший фактор шума . .	2,7	2	2,7	2,2	2,5	2
Наибольший обратный ток, ма, при напряжении 1 в		0,15	0,25	0,15	0,25			0,1
Коэффициент стоячей волны напряжения, не более ....	3	3	3	3	3	3
Номинальное выходное сопро- тивление, ом		400	400	400	400	400	400
Выпрямленный ток, ма . . . .	0,4	0,4	0,4	0,4	0,4	0,4
Наибольшая просачивающаяся мощность в условиях эксплуа- тации, мет	 Наибольшая просачивающаяся мощность в условиях испыта- ния в течение 60 сек, мет . .	80	50	50	30	30	50
	200-	100	200	100	200	
Наибольшая энергия среднего пика просачивающейся мощ- ности при многократной подаче импульсов, эрг		0,1	0,06	0,06	0,06	0,06	0,06
Наибольшая энергия среднего пика просачивающейся мощ- ности при испытании однократ- ным импульсом длительностью 2,5 • 10~9 сек, эрг		2	2	0,6	0,3	0,2	—
Примечания] 1. Приведенные параметры сняты при подводимой мощности
0,5 лит (ДК-С1 — ДК-СЗ), частоте повторения импульсов 800—1000 гц и длитель-
ности 1 мксек. Для ДК-С4 подводимая мощность 1 мет, а для ДК-С7 — 0,7 мет.
2- Диоды ДК-С2 повышенной чувствительности.
205
КРЕМНИЕВЫЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ ДК-И*
Конструктивное выполнение — керамический герметизированный
патрон с жесткими выводами (см. рис. 172).
Вес 3 г.
Интервал рабочих температур от -|- 70 до — 50° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 96 ± 3%
при температуре 40° С.
Наибольшее ускорение при вибрациях в условиях эксплуатации 2,5 g.
Наибольшие ускорения при вибрациях с частотами 20 — 70 гц
при испытаниях в течение 120 мин 20 g.
Наибольшее ускорение при ударе 100 g.
Рабочее положение — любое.
Параметры диодов приведены в табл. 91.
Таблица 91
Параметры	Тип диода	
	ДК-И1*	ДК-И2*
Номинальная рабочая длина волны, см . . .	9,8	3,2
Чувствительность по току при подводимой мощности 20 мквт, а/вт 		0,5	0.2
Входное сопротивление, ком 		10	10
Выпрямленный ток при подводимой мощности 0,5 мет, ма		0,4	0,4
Наибольшая мощность периодических импуль- сов при испытании в течение 3 сек, мет . .	200	200
Наибольший выпрямленный ток, ма ....	1	1
Наибольшая мощность периодических импуль- сов в условиях кратковременных перегрузок, мет		50	50
Примечание. Наибольшая мощность периодических импульсов измерена
при частоте посылок 800—1000 гц и длительности импульсов 1 мксек.
КРЕМНИЕВЫЕ ВИДЕОДЕТЕКТОРЫ ДК-В
, Конструктивное оформление — керамичес-
кий патрон с жесткими выводами (см. рис. 170
ДК-BI — ДК-В4; рис. 172 ДК-В5 — ДК-В7).
Вес 3 г (ДК-В5 — ДК-В7) и 0,7 г (ДК-В1—
ДК-В4).	v
Интервал рабочих температур от -|- 70 до—
50° С. Допустимая относительная влажность
окружающего воздуха 98% при температуре
Рис. 174. График зависимости чувствительности
по току от температуры для диодов ДК-В5,
ДК-В6, ДК-В7.
206
Наибольшее ускорение при вибрации в условиях эксплуатации 2,5 g.
Наибольшее ускорение при вибрациях с частотами 20 — 70 гц при
испытании в течение 120 мин 4 g.
Наибольшее постоянное ускорение 20 g.
Наибольшее ускорение при трехкратном ударе 100 g.
Рабочее положение — любое.
Параметры диодов приведены в табл. 92, а характеристики изоб-
ражены на рис. 174.
_____________________________________________Таблица 92
Параметры	Тип диода						
	ДК-В1	ДК-В2	дк-вз	ДК-В4	ДК-В5*	ДК-Вб*	ДК-В7*
Номинальная рабочая длина волны, см . . . . Чувствительность	по току при подводимой мощности 20 мквт не менее, а/вт	 Выходное сопротивление при напряжении до 5 мв не более, ком		9,8	9,8	3,2	3,2	9,8	9,8	3,2
	0,8	1,2	0,4	0,8	0,8	0,8	0,4
	15	10	15	10	10	5—25	10
Наибольшая мощность периодических импуль- сов при испытании в тече- ние 3 сек, мет .... Наибольшая мощность периодических импуль- сов в условиях эксплуа- тации при кратковремен- ных перегрузках, мет . .	200	100	200	100	200	200	200
	50	50	50	50	50	50	50
Примечания! 1. Наибольшая мощность периодических импульсов измерена
при частоте 800—1000 гц и длительности импульсов 1 мксек.
2. Диоды ДК-В2 и ДК-В4 — повышенной чувствительности.
3. Диод ДК-В6 — высокоомный.
КРЕМНИЕВЫЙ ВИДЕОДЕТЕКТОР ДК-В8
Конструктивное оформление — металлокерамический корпус с же-
сткими выводами (рис. 175). Маркировка наносится черной краской на
среднюю часть корпуса. Интервал рабочих температур от +70 до —60° С
Допустимая относительная влаж-
ность окружающего воздуха 95—98%	|	------ I
при температуре 20° С.
Интервал изменений атмосферного
Давления 5—760 мм рт. ст.
Наибольшее допустимое постоян-
ное ускорение 100 g.
Наибольшее допустимое ускоре-
ние при вибрациях с частотами 20—
600 гц 6 g.
Запрещается подвергать диоды
Ударным нагрузкам, вынимать их из
12,5-
ДК-В8
Рис. 175. Внешний вид и основ-
ные размеры диода ДК-В8.
207
индивидуальной упаковки вблизи мощных импульсных устройств, а также
применять в аппаратуре, не имеющей заземления.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в приемниках прямого усиления в диа-
пазоне волн 1,8—3,2 см.
Параметры диода ДК-В8
Наибольшая мощность периодических импульсов,
мет............................................. 50
Наибольшее сопротивление в нулевой точке, ом 1500
Наименьшая чувствительность по току при Рвх =
= 0,02 мет и X = 3,2 см, а/ет................... 15
Наибольший коэффициент стоячей волны напря-
жения при Рвх = 0,02 мет и /?н = 20 ом ... .	3
Допустимое время перегрузки периодическими
прямоугольными импульсами мощностью 150 мет
на частоте 1000 гц, мин ........................ 15
КРЕМНИЕВЫЙ ВИДЕОДЕТЕКТОР ДК-В11
Конструктивное оформление — металлокерамический герметизиро-
ванный корпус с жесткими выводами. Маркировка наносится черной крас-
кой на среднюю часть корпуса (рис. 176).
Вес 0,7 г.
Интервал рабочих температур
ДК-В11
Рис. 176. Внешний вид и основ-
ные размеры диода ДК-В11.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа
ратуре.
от Ц-70 до —50° С.
Допустимая относительная влаж-
ность окружающего воздуха 98% при
температуре 20® С.
Интервал изменений атмосферного
давления 16—760 мм рт. ст.
Наибольшее допустимое ускоре-
ние при вибрациях с частотами 20—
300 гц 6 g.
Запрещается подвергать диоды
ударным нагрузкам, вынимать их из
индивидуальной упаковки вблизи мощ-
ных импульсных устройств, а также
применять в аппаратуре, не имеющей
заземления.
в различной радиоэлектронной аппа-
Параметры диода ДК-В11
Наибольшая мощность периодических импульсов,
мет .......................•.....................50
Наименьшая чувствительность по току при Рвх =
— 0,02 мет, а/ет............................... 1,5
Наибольшее сопротивление в нулевой точке, ком 10
Наибольший коэффициент стоячей волны напря-
жения ......................................... 2,5
208
КРЕМНИЕВЫЙ СМЕСИТЕЛЬНЫЙ ДИОД ДК-С7М
Конструктивное оформление — металлокерамический герметизиро-
ванный корпус с жесткими выводами. Маркировка наносится черной
краской на среднюю часть корпуса (рис. 177).
Интервал рабочих температур от +80 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 95—98%
при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давления 5—760 мм рт. ст.
Наибольшее допустимое постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее допустимое ударное .	.
ускорение (при трехкратном ударе)
100 g.
Наибольшее допустимое ускоре-
ние при вибрациях с частотами 10—
2000 гц в течение 2 ч 10 g.
Запрещается вынимать диоды из ин-
дивидуальной упаковки вблизи рабо-
тающих мощных импульсных устройств,
а также применять их в аппаратуре,
не имеющей заземления.
Срок службы 300 ч.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в
телях супергетеродинных приемников i
— 13 —
ДК-С7М
\02.4
Рис. 177. Внешний вид и основ-
ные размеры диода ДК-С7М.
балансных и однотактных смеси-
з диапазоне волн от 3 до 12 см.
6
Рис. 178. Характеристики диодов ДК-С7М:
а — зависимость выпрямленного тока от температуры (мощность СВЧ
б — зависимость выпрямленного тока от температуры (мощность
СВЧ 0,28 мет)} в — зависимость потерь преобразования от температуры
(мощность СВЧ 0,7 мет).
Параметры диода ДК-С7М
Наибольшая мощность плоской части просачи-
вающегося импульса, мет.................... 100
Наибольшая энергия пика просачивающегося
импульса, эрг ................	0,3
209
Наибольший выпрямленный ток, ма.............. 3
Наибольший обратный ток, мка............... 250
Наибольшие потери преобразования при Рвх =
= 0,7 мет, 7?н = 400 ом и X = 3,2 см, дб . .	6,5
Относительная температура шума при Рвх =
= 0,7 мет, Рн = 50 ом и X = 3,2 см, °C..	2
Выходное сопротивление Рвх = 0,7 мет и
X = 3,2 см, ом............................. 250—700
Характеристики приведены на рис. 178.
ГЕРМАНИЕВЫЙ МОДУЛЯТОРНЫЙ ДИОД Д401
Конструктивное оформление — керамический патрон с жесткими
нарезными выводами (рис. 179).
Вес 0,7 г.
Рис. 179. Внешний вид и основные
размеры диодов Д401.
Интервал рабочих температур
5—70° С.
Наибольшее ускорение при
трехкратном ударе 100 g.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — модуля-
ция генераторов сверхвысокочастот-
ных колебаний повышенного уровня
мощности и работа в аппаратуре
радиорелейных линий связи.
Контактная пара состоит из
вольфрамовой иглы и монокри-
сталлического германия, легиро-
ванного сурьмой.
Параметры диода Д401
Диапазон рабочих частот, Мгц:
несущая  ..................... 2500—3000(7—10 см)
модулирующая.................. 70—150
Минимальная выходная мощность
на боковой частоте, мет....... 15
Потери преобразования на несущей
и модулирующей частоте, дб . .	13
Типовой режим
Входная мощность сверхвысоко-
частотных колебаний, мет . .	300
Мощность модулирующих коле-
баний, мет............................ 300
Сопротивление смещения в цепи
выпрямленного тока, ком ...	1
210
КРЕМНИЕВЫЕ СМЕСИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ Д402 и Д404
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус коаксиально-волноводной конструкции. Маркировка наносится
черной краской на среднюю часть корпуса (рис. 180).
Бес 9 7 2.
Интервал рабочих температур от +85 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 95—98%
при температуре 40° С.
Рис. 180. Внешний вид и основ-
ные размеры диодов Д402 и
Д404.
Интервал изменений атмосфер-
ного давления 5—1520 мм рт. ст.
Наибольшее допустимое по-
стоянное ускорение 20 g.
Наибольшее допустимое уско-
рение при вибрациях с частотами
10—200 гц 5 g.
Запрещается подвергать диоды
ти потерь преобразования от
температуры для диодов
Д404.
ударным нагрузкам, применять их
в аппаратуре, не имеющей заземления, а также вынимать из индиви-
дуальной упаковки вблизи работающих импульсных устройств.
Рабочее положение — любое.
Таблица 93
Параметры	Тип диода	
	Д402	Д404
Наибольшая мощность плоской части просачиваю- щегося импульса, мет 		 . . Наибольшая энергия пика просачивающегося им- пульса, эрг ................... Наибольшие потери преобразования при Рвх = 1 мет и /?н = 400 о;и, дб	 Выходное сопротивление при Рвх = 1 мет и 7?н = = 100 ом, ом	 Относительная температура шума при Рвх = 1 мет и Рн = 100 ом, ° С	 Коэффициент стоячей волны напряжения .....	10 0,02 10 250—650 2,5 3	10 0,02 8,5 280—520 2,5 2,5
211
Основное назначение — работа в качестве смесителя СВЧ супер-
гетеродинных приемников.
Параметры диодов приведены в табл. 93, а характеристики изоб-
ражены на рис. 181.
ГЕРМАНИЕВЫЕ СМЕСИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ Д403А — Д403В
Конструктивное оформление — керамический патрон с жесткими
выводами (рис. 182).
Вес 0,7 а.
Д4ОЗА-ДЫЗБ
Интервал рабочих температур от
4-100 до —60° С.
Наименьшее атмосферное давление
15 мм рт. ст.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — преобразова-
ние частоты в супергетеродинных прием-
никах, работающих в диапазоне волн 3—
30 см (преимущественно используются
в приемниках с лампами бегущей волны).
Срок службы 250 ч.
Параметры диодов приведены в табл.
94, а характеристики изображены на
рис. 183.
Рис. 182. Внешний вид и
основные размеры диодов
Д403.
Рис. 183. Характеристики ди-
ода Д403:
а — область изменения КСВН в зави-
симости от температуры; б — зави-
симость потерь преобразования от
температуры.
а
б
212
Таблица 94
Параметры	Типы диодов		
	Д403А	Д403Б	Д403В
Номинальная рабочая длина волны, см . . Потери преобразования не более, дб . .	9,8	3—12	9,8
	9	8,5	9
Относительная температура шума, не более	3	3	—
Нормированный коэффициент шума, не более 						13
Выходное сопротивление, ом		200—700	200—600	200—600
Коэффициент стоячей волны напряжения, не более				3	3,5	2,8
Наибольшая просачивающаяся мощность в импульсе, мет	 Наибольшая энергия тока просачиваю- щейся мощности при широкополосном разряднике, эрг 	 Наибольшая энергия тока просачиваю- щейся мощности при высокодобротном разряднике, эрг 		150	150	150
	0,3	0,3	0,3
	0,15	0,15	0,15
Типовой режим
Ток постоянного смещения, ма . . .
Суммарный ток, ма.................
Наибольшая просачивающаяся мощ-
ность в импульсе, мет.............
Наибольшая энергия тока просачива-
ющейся мощности в разряднике, эрг
Наибольшая энергия тока про-
сачивающейся мощности при высоко-
добротном разряднике, эрг ........
Температура окружающей среды, ° С
0,1—0,3
0,5—0,8
100
0,25
0,1
от -|-85 до —60
КРЕМНИЕВЫЕ СМЕСИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ Д405 — Д405БП
Конструктивное оформление — керамический патрон с жесткими вы-
водами (рис. 184).
Вес 3,5 г.
Интервал рабочих температур от -|-100 до —70° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — преобразование частоты в супергетеродинных
приемниках трехсантиметрового диапазона.
Параметры диодов приведены в табл. 95, а характеристики изобра-
жены на рис. 185.
213
Таблица 95
Параметры	Тип диода		
	Д405	Д405А, Д405АП	Д405Б, Д405БП
Подводимая мощность, мет		1,0 1,0 7,0 200—400 2,0 80 0,6	1,0 1,0 6,0 200 — 350 1,7 80 1,0	1,0 1,0 8,0 230—350 1,4 80 1,0
Выпрямленный ток, не менее, ма ... Потери преобразования, не более, дб . . Выходное сопротивление, ом 	 Коэффициент стоячей волны напряжения, не более 	 Наибольшая просачивающаяся мощность в импульсе, мет	 Номинальная энергия тока выгорания, эрг			
П р’и м е ч а н и е. Прямой ток диодов Д405АП и Д405БП по направлению про-
тивоположен току диодов Д405 — Д405Б при одинаковом конструктивном выполнении.
Д405-Д405БП
Рис. 184. Внешний вид и
основные размеры диодов
Д405 — Д405БП.
Рис. 185. График зависимости
потерь преобразования от тем-
пературы для диодов Д405.
КРЕМНИЕВЫЙ СМЕСИТЕЛЬНЫЙ ДИОД Д406
Конструктивное оформление — металлокерамический герметизирован-
ный корпус с жесткими выводами. Маркировка наносится черной кра-
Д406
Рис. 186. Внешний вид и ос-
новные размеры диода Д406.
ской на среднюю часть корпуса (рис. 186).
Вес 1,2 г.
Интервал рабочих температур от
4-100 до —60° С.
Допустимая относительная влажность
окружающего воздуха 95—98% при тем-
пературе 50° С
Интервал изменений атмосферного
давления от 5 мм рт. ст. до 2 ати.
Наибольшее постоянное ускорение 25 g.
Наибольшее ускорение при вибрациях
с частотами 100—600 гц 10 g.
Запрещается подвергать диоды ударным нагрузкам, применять их
в аппаратуре, не имеющей заземления, а также вынимать из индиви-
дуальной упаковки вблизи работающих импульсных устройств.
214
Срок службы 300 ч.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в однотактных и балансных смесителях
сантиметрового диапазона волн.
Параметры диода Д406
Наибольшая мощность плоской части просачиваю-
щихся импульсов, мет........................... 40
Наибольшая энергия пика просачивающегося им-
пульса, эрг................................... 0,1
Наибольшая мощность прямоугольных импульсов,
мет............................................300
КРЕМНИЕВЫЙ СМЕСИТЕЛЬНЫЙ ДИОД Д408
Конструктивное оформление — керамический патрон с жесткими
металлическими выводами (рис. 187).
Вес 3,5 г.
Интервал рабочих температур от -J-125
Допустимая относительная влажность
окружающего воздуха 98% при темпе-
ратуре 40° С.
Интервал изменения атмосферного
давления от 5 мм рт. ст. до 2 ати.
Наибольшие допустимые ускорения
при вибрациях с частотами 10—600 гц
12 g.
Наибольшее допустимое постоянное
ускорение 100 g.
Наибольшее допустимое ускорение
при ударе 150 g.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — преобразова-
ние частоты в однотактных и баланс-
ных смесителях супергетеродинных при-
до —60° С.
Д408,Д501,Д603, - Д605
Рис. 187. Внешний вид и ос-
новные размеры диодов Д408,
Д501, Д603 —Д605.
емников десятисантиметрового диапазона.
Параметры диода Д408
(при подводимой мощности 0,5 мет)
Номинальная рабочая длина волны, см . . . .	10
Потери преобразования не более, дб ........ 6
Коэффициент шума при коэффициенте шума
усилителя промежуточной частоты 16 дб не
более, дб .................................
Выпрямленный ток не менее, ма ............. 0,8
Выходное сопротивление, ом................. 280 — 390
КСВН, не более............................. 1,3
Разброс параметров в паре:
по потерям преобразования, не более, дб . . ОД
по выпрямленному току не более -|-10% от
среднего значения
по выходному сопротивлению, не более, ом . .	25
215
Предельно допустимые значения
Наибольшая просачивающаяся мощность
в импульсе, мет......................... 100
Наибольшая энергия тока просачиваю-
щейся мощности в импульсе, эрг ....	0,5
Наибольшая мощность прямоугольных
СВЧ импульсов, мет .........	500
Для балансных смесителей выпускаются диоды Д408 обратной
полярности.
Характеристики диодов изображены на рис. 188.
Рис. 188. Характеристики диодов
Д408:
а — зависимость выпрямленного тока от
подводимой мощности СВЧ; б — зависи-
мость коэффициента шума от подводи-
мой мощности СВЧ; в — зависимость
коэффициента шума от температуры.
6
КРЕМНИЕВЫЙ УМНОЖИТЕЛЬНЫЙ ДИОД Д501
Конструктивное оформление — керамический патрон с жесткими
выводами (см. рис. 187).
Вес 3,5 г.
Интервал рабочих температур от -J-100 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при 40° С.
Наибольшее допустимое постоянное ускорение 50 g.
Наибольшее допустимое ускорение при ударе 35 g.
Наибольшее допустимое ускорение при вибрациях на частотах 10—
600 гц 12 g.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в схемах умножения частоты.
216
Параметры диода Д501
Номинальная длина волны основной частоты, см 25,6
Наибольшая мощность 8-й гармоники при подводи-
мой мощности основной частоты 130 мет и сопро-
тивлении смещения в цепи диода 100 ом, мквт . . 300
Наибольшая допустимая мощность СВЧ основной
частоты, мет:
при воздействии в течение 100 ч и температуре
100° С .......................................100
при воздействии в течение 20 ч и температуре
20° С.........................................100
при кратковременных перегрузках в течение
30 мин .......................................200
Характеристики диода изображены на рис. 189.
Рис. 189. Характеристики диода Д501:
а — зависимость мощности 8-й гармоники от мощности основной частоты;
б — зависимость мощности 8-й гармоники от температуры.
КРЕМНИЕВЫЕ СВЧ ДИОДЫ Д601А, Д601Б,
Д601В
Конструктивное оформление — металлический
герметизированный корпус коаксиальной конструк-
ции. Маркировка наносится черной краской на
среднюю часть корпуса с указанием месяца и
года изготовления диода (рис. 190).
^Интервал рабочих температур от +70 до
Допустимая относительная влажность окружа-
ющего воздуха 95—98% при температуре 40° С.
^Наибольшее допустимое постоянное ускорение
Наибольшее допустимое ускорение при вибра-
циях с частотами 20—600 гц 6 g.
Рис. 190. Внешний вид и основные размеры диодов
Д601А—Д601В.
Д601А -Д601В
217
Запрещается подвергать диоды ударным нагрузкам, вынимать из
индивидуальной упаковки вблизи работающих мощных импульсных
устройств, применять их в аппаратуре, не имеющей заземления, а также
оставлять в аппаратуре с присоединенными к ней свободными проводами,
которые могут принять иа себя электрические разряды.
Рабочее положение — любое.
Срок службы 250 ч.
Основное назначение — работа в детекторных приемниках.
Параметры диодов Д601
Мощность периодических импульсов, не более, мет 10
Сопротивление в нулевой точке, не более, ком 2
Добротность при Рвх=10жт, не менее, вт	^2
Коэффициент стоячей волны напряжения при
Рвх = 10 мет, не более ..................... 3
ГЕРМАНИЕВЫЕ ДИОДЫ Д602А — Д602Б
Конструктивное оформление — керамический патрон с жесткими
выводами (см. рис. 170).
Вес 0,7 г.
Интервал рабочих температур от -J-100 до —60° С.
Наименьшее атмосферное давление 18 мм рт. ст.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — преобразование частот в приемниках пря-
мого усиления, работающих в диапазоне волн 27—60 см с положитель-
ным смещением, соответствующим току 150 мка.
Срок службы 300 ч.
Параметры диодов Д602
Номинальная рабочая длина волны, см ... .	3,2
Чувствительность по току при подводимой
мощности не более 0,02 мет на длине волны
3,2 см, не менее, а/вт................... 1,5
Относительная температура шума, не бо-
лее, °C.................................... 15
Сопротивление в рабочей точке, ом ...... 200—600
Добротность:
Д602А, не менее . . . е.................. 15
Д602Б, не менее . . . ”.................. 20
Наибольшая подводимая мощность, мет ...	20
КРЕМНИЕВЫЙ ВИДЕОДЕТЕКТОР Д603
Конструктивное оформление — керамический патрон с жесткими вы-
водами (см. рис. 187).
Вес 3,5 г.
Интервал рабочих температур от -J-100 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
218
Наибольшее ускорение при вибрации с частотами 10—600 гц 10 g.
Наибольшее ускорение при десятикратном ударе 100 g.
Наибольшее постоянное ускорение 50 g.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — видеодетектор приемников прямого усиления,
работающих в диапазоне волн 6—60 см.
Параметры диода Д603
Номинальная рабочая длина волны см, ....	10
Чувствительность по току, не менее, а]вт . .	4
Относительная температура шума, не более,°C 10
Коэффициент стоячей волны напряжения, не
более...................................... 2
Выходное сопротивление, ом................. 300—200
Положительное смещение соответствует току
50 мка
Наибольшая мощность периодических импуль-
сов сверхвысокой частоты, мет .......	200
Рис. 191. Графики зависимости чувствительности по току для
диодов Д603:
а — от тока смещения; б — от температуры.
при положительном смещении, соответствующем
Допускается работа
току 6—150 мка.
Характеристики диода изображены на рис. 191.
219
КРЕМНИЕВЫЙ ВИДЕОДЕТЕКТОР Д604
Конструктивное оформление — керамический патрон с жесткими вы-
водами (см. рис. 187).
Вес 3,5 г.
Интервал рабочих температур от -J-100 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 4-40° С.
Наибольшее ускорение при вибрации с частотами 20—600 гц 10 g.
Наибольшее ускорение при ударе 100 g.
Рабочее положение — любое.
Рис. 192. Графики зависимости добротности диодов Д604:
а — от тока смещения; б — от температуры.
Основное назначение — видеодетектор приемников прямого усиления
трехсантиметрового диапазона.
Параметры диода Д604
Номинальная рабочая длина волны, см .......... 3
Добротность при подводимой мощности 10 мквт,
не менее .................................... 35
Коэффициент стоячей волны напряжения на но-
минальной длине волны и подводимой мощности
10 мквт, не более ............................ 2
Положительное смещение соответствует току 50 мка
Предельно допустимые значения
Наибольшая мощность периодических импульсов
сверхвысокой частоты, мет......................300
Наибольшая мощность периодических импульсов
сверхвысокой частоты при испытании в течение
10 мин (при частоте посылок 1000 гц и длитель-
ности импульсов 1 мксек), вт.................... I
Характеристики диода изображены на рис. 192.
220
КРЕМНИЕВЫЙ ДИОД Д605
Конструктивное оформление — керамический патрон с жесткими
выводами (см. рис. 187).
Вес 3,5 г.
Интервал рабочих температур от 4-85 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 50° С.
Наибольшее допустимое атмосферное давление 5 мм рт. ст.
Наибольшее допустимое постоянное ускорение 75 g.
Наибольшее допустимое ускорение при трехкратном ударе 100 g.
Наибольшее допустимое ускорение при вибрациях с частотами 20—
600 гц 35 g.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — детектирование импульсных СВЧ ампли-
тудно-модулированных колебаний и индикация импульсной мощности
на частотах до 15 500 Мгц.
Параметры диода Д605
Наибольшая рабочая длина волны, см . .	3,2
Наименьшая чувствительность по напря-
1
жению, в/вт2............................. 14
Выпрямленное напряжение на нагруз-
ке 10 ком при подведении прямоуголь-
ных СВЧ. импульсов мощностью 600 мет,
в.....................................от	—0,5 до 16
Наибольшее выпрямленное напряжение
на нагрузке 10 ком при длине волны
2 см, в................................... 7
Наибольшая допустимая мощность пери-
одических импульсов СВЧ при кратко-
временных перегрузках, вт ................ 2
Характеристики диода изображены на рис. 193.
Рис. 193. График зависимости выпрямленного напряжения для
диодов Д605:
а — от подводимой мощности СВЧ (7?н = 10 ком и X = 3.2 сл); б —
от температуры
221
КРЕМНИЕВЫЙ ДИОД Д606
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус коаксиальной конструкции (рис. 194).
Вес 10 г.
Рис. 194. Внешний вид и основ-
ные размеры диодов Д606.
Интервал рабочих температур от
4-85 до —60° С.
Допустимая относительная влаж-
ность окружающего воздуха 95—
98% при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферно-
го давления 5—760 мм рт. ст.
Наибольшее допустимое ударное
ускорение 10000 ударов с ускоре-
нием до 15 g.
Наибольшее допустимое ускоре-
ние при вибрациях с частотами 20—
600 гц 10 g.
Запрещается вынимать диоды из
индивидуальной упаковки вблизи ра-
ботающих мощных импульсных уст-
ройств, применять в аппаратуре,
не имеющей заземления, а также ос-
тавлять в аппаратуре с присоеди-
ненными к ней свободными проводами,
которые могут принять на себя элек-
трический разряд.
Срок службы 200 ч.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — детектиро-
вание СВЧ импульсных амплитудно-мо-
дулированных колебаний индикация
импульсной СВЧ мощности.
Параметры диода Д606
Мощность периодических импульсов (при кратко-
временных перегрузках) не более, мет............100
Выпрямленное напряжение при Рн = 10 ком и
Рвх = 60 лее, не менее, в...................... 5,2
Чувствительность по напряжению при Рвх =
= 15-4-20 мет, не менее, в вт 2................. 14
кремниевые диоды ДЗА — ДЗБ
Конструктивное оформление — керамический патрон с жесткими
выводами (см. рис. 170).
Вес 0,7 г.
Интервал рабочих температур от -|-70 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
222
Наибольшее ускорение при вибрации 2,5 g.
Наибольшее ускорение при вибрации на частотах 10,50 и 200 гц
4,5 g.
Наибольшее ускорение при трехкратном ударе 100 g.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — видеодетекторы в широкополосных прием-
никах, работающих в диапазоне волн 2,9—5,4 см (ДЗА) и 5,4—30 см
(ДЗБ).
Рис. 195. График зависимости добротности от температуры для
диодов ДЗ.
Параметры диодов приведены в табл. 96, а характеристики изоб-
ражены на рис. 195.
Таблица 96
Параметры	Тип диода	
	ДЗА	ДЗБ
Номинальная рабочая длина волны, см 	 Добротность при подводимой мощности 20 мквт, не менее 	 Коэффициент стоячей волны напряжения, не более Наибольшая мощность периодических импульсов при кратковременных перегрузках, мет 		3,2 22 2,5 50	9,8 40 2,4 50
223
VI. ТРАНЗИСТОРЫ
Промышленностью выпускаются германиевые и кремниевые тран-
зисторы, предназначенные для работы в различной аппаратуре.
Транзисторы имеют обозначения, предусмотренные ГОСТ 5461—59
или 10862—64.
В соответствии с ГОСТ 5461—59 условные обозначения транзисторов
буквенно-цифровые и могут содержать два или три элемента:
первый элемент буквенный — П (для транзисторов с унифи-
цированным корпусом—МП);
второй — цифровой, указывающий порядковый номер типа при-
бора;
третий — буквенный, указывающий на разновидность типа при-
бора (П16, П4А, МП39А и т. п.).
Для транзисторов введены следующие цифровые обозначения:
а)	маломощные германиевые, предназначенные для работы при
обычных температурных условиях, имеют числовое обозначение от 1
до 100;
б)	маломощные кремниевые, предназначенные для работы при по-
вышенных температурах, имеют числовое обозначение от 101 до 200;
в)	мощные германиевые, предназначенные для работы при обычных
температурах, имеют числовое обозначение от 201 до 300;
г)	мощные кремниевые, предназначенные для работы при повышен-
ных температурах, имеют числовое обозначение от 301 до 400;
д)	маломощные высокочастотные германиевые, предназначенные для
работы при обычных температурах, имеют числовое обозначение от 101
до 500;
е)	маломощные высокочастотные кремниевые, предназначенные для
работы при повышенных температурах, имеют числовое обозначение
от 501 до 600;
ж)	мощные высокочастотные германиевые, предназначенные для
работы при нормальных условиях, имеют числовое обозначение от
601 до 700;
з)	мощные высокочастотные кремниевые, предназначенные для ра-
боты при повышенных температурах, имеют обозначение от 701 до 800.
В соответствии с классификацией транзисторы разделяются на три
группы:
транзисторы малой мощности — с мощностью рассеивания не более
300 мет;
транзисторы средней мощности — с мощностью рассеивания от
300 мет до 1,5 вт;
транзисторы большой мощности — с мощностью рассеивания более
1,5 вт.
Мощность транзисторов второй и третьей групп определяется при
условии, что они работают с дополнительными внешними радиаторами.
224
Классификация транзисторов по частоте:
низкочастотные — с предельной частотой усиления по току не
выше 3 Мгц',
среднечастотные — с предельной частотой усиления по току от 3
до 30 Мгц\
высокочастотные — с предельной частотой усиления по току свыше
300 Мгц.
В связи с недостатками классификации по ГОСТ 5461—59 введены
новые обозначения транзисторов.
В соответствии с ГОСТ 10 862—64 транзисторам присваиваются
обозначения из четырех элементов:
первый — буква или цифра, обозначающая исходный материал:
Г или 1 —германий; К или 2 — кремний; А или 3 — арсенид галлия;
второй — буква Т;
третий — число, указывающее назначение или электрические
свойства прибора:
Транзисторы малой мощности:
низкой частоты................................. 101—199
средней » ....................•................ 201—299
высокой »	............................... 301—399
Транзисторы средней мощности:
низкой частоты . . . . •......................... 401—499
средней »	......................• . . . 501—599
высокой »	..........• . . 601—699
Транзисторы большой мощности:
низкой частоты....................•.............. 701—799
средней »	......................• . . . . 801—899
высокой »	............................... 901—999
четвертый — буква, указывающая на разновидность типа из
данной подгруппы приборов (1Т303Б—германиевый высокочастотный
транзистор малой мощности, разновидность Б; 2Т301А — кремниевый
высокочастотный транзистор малой мощности, разновидность А).
Графическое обозначение транзисторов дается в соответствии с ГОСТ
7624—62.
Транзисторы выполнены в специальных герметизированных кор-
пусах и подсоединяются в общую схему при помощи пайки гибких
выводов электродов припоем ПОС-40 или другими с температурой плав-
ления не выше- 150° С паяльником мощностью не более 50—60 вт.
Продолжительность пайки не более 2—3 сек. Дополнительные теплост-
.воды желательно применять между корпусом транзистора и паяльником.
Место пайки должно быть не ближе 10 мм от корпуса.
Транзисторы нельзя укреплять на выводах. Запрещается изгибать
выводы ближе чем за 5 мм от корпуса. Располагать транзисторы, осо-
бенно мощные, необходимо так, чтобы они хорошо охлаждались. Для
этого удобно использовать дополнительные радиаторы, одеваемые на
охлаждаемую часть корпуса транзистора. При подключении транзистора
к источнику питания базовый вывод должен подсоединяться первым.
Для предварительной оценки возможностей использования тех или
иных типов транзисторов можно воспользоваться данными, приведенными
в табл. 97.
Верхний предел рабочих температур: для германиевых транзисторов
70—80° С, для кремниевых 100—125° С.
Параметры транзисторов, приводимые в справочнике:
8 544	225
Таблица 97
					Наиболь-	я
Тип	Харак- тер пе-	Полупро-	Основное назначение		шая рабочая	§ £ к Л Н 2
	рехода	водник			частота,	\о Я
					Мгц	8 ^2
						X Е о
		Транзисторы малой мощности				
			низком	частоты		
			Усиление,			
П8* —П11А	п-р-п	Германий	генерирование		2	0,15
П13 —П15А	р-п-р	в	в	в	2	0,15
П16 — П18Б	в	в	Импульсные схемы		1	0,15
П20 —П21А	»	в	в	в	1	0,15
П22 — П23	в	в	в	в	1	0,10
П25 —П26Б	в	в	в	в	0,2	0,20
П27 — П28	»	в	Усиление		1-5	0,03
			Усиление,			
П35 — П38А	п-р-п	в	генерирование		1	0,15
П39 — П41А	р-п-р	в	в	»	1	0,15
П42 — П42Б	в	в	в	»	1	0,20
МП37 — МП38А —	п-р-п	в	в	в	1	0,15
МП39 —МП41А	р-п-р	»	в	»	1	0,15
П101 — П103А	п-р-п	Кремний	в	»	1	0,15
П104* — П106	р-п-р	в	в	в	0,465	0,15
П108* — П110	п-р-п	в	в	»	1	0,15
ГТ108А — Г	р-п-р	Германий	в	в	1	0,075
ГТ109А —Е	в	в	в	в	1	0,03
ТМ-2А-3—						
ТМ-2Д-3	в	в	в	в	2—3	0,075
ТМ-5А-3—						
ТМ-5Д-3	»	в	в	в	1—3	0,075
М-1 ОБ —М-Н А	в	Кремний	в	в	0,1—0,5	0,15
11504 — П505	п-р-п	в	в	в	2,5—4,7	0,15
		Транзисторы малой мощности				
			средней	частоты		
П29 —П31А	р-п-р	Германий	Импульсные схемы		10	0,03
ГТ322А — Е	в	в	в	в	20	0,05
ТМ-ЗА-З						
ТМ-ЗД-З	п-р-п	в	в	в	1—10	0,075
1ТМ305А — В	р-п-р	в	»	в	20	0,075
		Транзисторы малой мощности				
			высокой	частоты		
			Усиление,			
П401 — П403	р-п-р	Германий	генерирование		30—120	0,15
П410 — П411А*	в	в	в	»	200—40 0	0,1
П414* — П415Б*	в	в	в	»	120	0,1
П416 — П416Б	в	в	в	»	120	0,05
П417 — П417А	в	в	»	»	200	0,05
П420* — П423А	в	в	»	в	120	0,05
П501* —П503А*	п-р-п	Кремний	в	в	60	0,15
226
Продолжение табл. 97
Тип	Характер перехода	Полупро- водник	Основное назначение		Наиболь- шая рабочая частота, Мгц	Наибольшая мощность рас- сеивания, вт
1Т308А — Г	р-П-р	Германий	Усиление, генерирование		150—200	0,15
ГТ309А — Е	в	в	в	»	150	0,05
ГТЗЮА — Е	»	в	в	в		0,02
ГТ311А —И	п-р-п	в	в	в	—	0,15
ГТ313А — Б	р-п-р	в	в	в	100	0,1
ГТ320А — В	в	в	Импульсные схемы		130—200	0,2
ГТ321А— Е	в	в	в	в	—	0,16
1Т303А —Е	п-р-п	в	в	в	—	0,1
КТ301А — Ж	»	Кремний	Усиление, генерирование		30—60	0,15
КТ315А — Г	»	в	в	»	——	0,15
2Т301 —2Т301Ж	»	в	в	в	60	0,15
ТМ-4А-4 — ТМ-4Е-4	р-п-р	Германий Кремний	в	в	60—120	0,075
ТМ-10— ТМ-11Б	п-р-п		в	в	0,5—60	0,15
П201 — П203	р-п-р	Транзи Германий	сторы средней мощ низкой частоты Усиление, преобразование		пости 0,2	1
П209 —П210А	в	в	в	в	0,1	1,5
П211 — П212А	в	в	в	в	1	0,75
П302 — П306А	»	Кремний	в	в	0,1	2
1Т403А —И	»	Германий	в	в	—	1
ГТ402А — Б	в	в	в	в	0,15	0,6
П601 — П602А	р-п-р	Транзи Германий	сторы средней мощи средней частоты Импульсные схемы		ости 20	1
П604 — П604Б	в	в	в	в			0,4
П605 — П606А	в	в	в	в		0,5
П701 — П701Б	п-р-п	Кремний	Усиление, импульсные схемы		20	1
П607 — П609Б	р-п-р	Транзис Германий	торы средней мощн высокой частоты Усиление, генерирование		ости 40—100	1,5
КТ601А	п-р-п	Кремний	в	»	—	0,5
КТ602А — Б	в	в	в	в	150	0,85
КТ605А — Б	в	в	в	в	——	0,4
8*
227
Продолжение табл. 97
Тип	Характер перехода	Полупро- водник	Основное назначение		Наиболь- шая рабочая частота, Мгц	Наибольшая мощность рас- сеивания. дт
П4А — Д	р-п-р	Транзи Германий	сторы большой мои низкой частоты Усиление, преобразование		(НОСТИ 0,15	20—25
П213 —П214Г	»	»	»	»	0,15	10
П216 — П217Г	»		в	»	ОД	30
ГТ701А		»	Система зажигания		0,05	50
П702—702А	п-р-п	Транз» Кремний	для двигателей внутреннего сгорания ICTOpbl большой мои средней частоты Усиление, преобразование		J.HOCTH 5	40
КТ801А —Б	»	»	»	»	10	5
КТ802А		»	в	в	10	50
Примечания: 1. Значения мощности рассеивания для транзисторов боль-
шой мощности приведены с учетом дополнительного теплоотвода.
2. Звездочкой в таблицах обозначены снятые в настоящее время с производ-
ства транзисторы.
Входное сопротивление hu — отношение приращения входного на-
пряжения к приращению входного тока при короткозамкнутом выходе
транзистора по переменному току.
Выходная проводимость h22 — отношение приращения выходного
тока к приращению выходного напряжения при разомкнутом по пере-
менному току входе.
Коэффициент обратной связи h12 — отношение приращения вход-
ного напряжения к приращению выходного при разомкнутом по пере-
менному току входе.
Коэффициент усиления по току k21 — отношение приращения тока
коллектора к приращению тока эмиттера при короткозамкнутом выходе
на частоте измерительного сигнала. В схеме с общей базой этот пара-
метр обозначается буквой а, а в схеме с общим эмиттером — р. Между
ними существует следующая зависимость:
а = а_____. ~_______L_
1 — а 1 + Р
Предельная частота усиления — частота входного сигнала, при
которой значение коэффициента а уменьшается на 3 дб по сравнению
с его значением на низких частотах.
228
Наибольшая рассеиваемая мощность Ррас макс — предельно допусти-
мое значение мощности, рассеиваемой на коллекторе, при которой его
температура не превосходит допустимых пределов.
Обратный ток коллектора I — ток через переход коллектор — база
При отключенном эмиттере и определенном напряжении на коллекторе.
Обратный ток эмиттера 1Э — ток через переход эмиттер — база
при отключенном коллекторе и определенном напряжении на эмиттере.
Фактор шума Fш — отношение полной мощности шумов на вы-
ходе (не учитывая собственных шумов нагрузки) к той части шумов на
входе, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника.
Емкость коллекторного перехода Ск — емкость между выводами кол-
лектора и базы при отключенном эмиттере.
Постоянная времени коллекторной цепи г^Ск — произведение сопро-
тивления базы на высокой частоте на емкость коллекторного перехода.
Максимальная частота генерирования /макс— частота, выше кото-
рой транзистор не может обеспечить полезное усиление мощности. Для
большинства транзисторов она определяется выражением
/макс
1 / “Za
V 30г;ск’
где rg — сопротивление базы на высокой частоте.
Начальный ток коллектора /к н — ток при закороченных выводах
базы и эмиттера.
Время рассасывания импульса тока коллектора ~р — время рассеи-
вания неосновных носителей при выключении транзистора.
Статический коэффициент усиления по току ВСТ — отношение тока
коллектора к току базы (при больших сигналах).
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора в
режиме насыщения UK н — напряжение между коллектором и эмиттером
при заданном токе коллектора и базы или определенной глубине насы-
щения. Под глубиной насыщения понимают отношение прямого тока
базы к току, при котором транзистор находится на границе насыщения.
Напряжение между базой и эмиттером в режиме насыщения U3 н изме-
ряется при тех же условиях что и UK н.
Сопротивление насыщения 7?н — котангенс угла наклона к оси
абсцисс начального участка выходной характеристики транзистора.
Тепловое сопротивление Rn к и /?п с — тепловое сопротивление
участков переход — корпус транзистора и переход — окружающая среда
(град/вт).
Применяя транзисторы в различных схемах, необходимо учитывать
особенности, накладываемые схемой включения.
Схема с общей базой характеризуется малым входным и высоким
выходным сопротивлениями отсутствием инверсии фазы входного сигнала.
Такая схема является не усилителем по току, а усилителем по напря-
жению и мощности.
229
Схема с общим эмиттером характеризуется более высоким входным
сопротивлением и более низким выходным по сравнению со схемой с
общей базой. В ней происходит инверсия фазы входного напряжения.
Из всех схем включения транзисторов этой схемой обеспечивается наи-
большее усиление по напряжению и мощности.
В схеме с общим коллектором коэффициент усиления по напряже-
нию меньше единицы. Усиление по току того же порядка, что и для
схемы с общим эмиттером. Усиление по мощности не очень велико.
Инверсии фазы входного сигнала в схеме нет.
С изменением частоты входное сопротивление транзистора изменяется
в зависимости от схемы его включения.
В схеме с общей базой входное сопротивление мало зависит от ха-
рактера нагрузки. По мере возрастания частоты от нуля оно приобретает
индуктивный характер; при приближении к предельной частоте стано-
вится чисго активным и достигает величины (3—4) 7?bxq; ПРИ дальней-
шем увеличении частоты становится емкостным и падает tio абсолютной
величине.
В схеме с общим эмиттером входное сопротивление по мере воз-
растания частоты падает по абсолютной величине, оставаясь все время
емкостным.
В схеме с общим коллектором входное сопротивление зависит от
характера нагрузки. При активной нагрузке имеет емкостный характер
для всех частот; при емкостной нагрузке может быть как емкостным,
так и индуктивным, в зависимости от соотношения мнимых и действи-
тельных частей ZBX к и ; при индуктивной нагрузке имеет ин-
дуктивный характер на всех частотах. По абсолютной величине входное
сопротивление падает с увеличением частоты.
Для всех схем выходное сопротивление зависит от сопротивления
генератора сигнала 7?г.
Выходное сопротивление также зависит от схемы включения и из-
меняется с изменением частоты.
В схемах с общей базой и общим эмиттером выходное сопротивле-
ние на всех частотах (независимо от 2?г) носит емкостный характер.
В схеме с общим коллектором при коротком замыкании входа вы-
ходное сопротивление имеет индуктивный характер вплоть до предель-
ной частоты; при более высоких частотах — емкостный характер.
Из трех схем включения схема с общей базой имеет наилучшую
частотную характеристику.
Изменение режимов питания сказывается на параметрах схем:
изменения режима по эмиттеру и коллектору почти не влияют на
параметры схемы с общим коллектором;
изменения режима по эмиттеру и коллектору одинаково влияют на пара-
метры схем с общим эмиттером и общей базой;
изменения режима по эмиттеру и коллектору сказываются на пара-
метрах схем на высокой частоте.
При выборе типа транзистора необходимо исходить из конкретных
условий, учитывая температурные условия, предельные частоты усиления
или генерирования, необходимую полезную мощность, схему включения
и т. л.
230
ГЕРМАНИЕВЫЕ ПЛОСКОСТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ П8 — П11А
(п-р-п)
К
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 196).
Вес 2 г.
Интервал рабочих температур от -|-70 до —60° С.
Допустимая температура перехода 100° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Интервал изменения атмосфер-
ного давления 5—800 мм рт. ст.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — усиле-
ние электрических колебаний,
работа в ; схемах переключения и
в усилителях класса В (совместно
с ШЗ—П15А).
Параметры транзисторов гдля
температуры 20° С приведены в
табл. 98, а характеристики изобра-
жены на рис. 197 и 198.
Рис. 196. Внешний вид и основные
размеры транзисторов:
П8 — ППА, П13 —FT15A, П16 — Ш8Б.
П20—П23, П25— П26Б, П35 — П38А,
П39 — П41А, П42 — П42Б, П101 — П10ЭА.
Ш04 — П106, П108 — Ш10.
Рис. 197. Характеристики транзисторов П8 — П11А:
а — /к = f (UK g) при /э = const’ б — /к = f (/э) при С/к> $ = const;
e — иэ. б = Н/э) п₽и ик. 6 = const; г — ^э. б = Н^к. б) ПРИ 7э =
= const; д — зависимость обратного тока коллектора от температуры.
231
Таблица 98
Тип транзистора
Параметры	П8'	П9	П9А	П10	П10А	П10Б	пп	П1П
Предельная частота усиления по току, Мгц	 Коэффициент усиления по току Наибольшая выходная прово- димость при UK б = +15 в, /э = 1 ма и / = 1 кгц, мкмо Наибольший обратный ток коллектора при UK б — +15 в, мка	 Наибольший обратный ток эмиттера при напряжении U3 б = — 15 в (П8, Г19, П9А, ПН, П11А) и U3 б= -30 в (П10 П10А, П10Б), мка	 Наибольшая емкость коллек- тора при UK б = +5 1э — = 1 ма и f = 500 гц, пф . . Наибольшее сопротивление базы на высокой частоте при 17к< б = +5 в, /э = 1 ма и / = 500 гц, ом	 Наибольший ток коллектора, ма: в режиме усиления .... в режимах импульсном или переключения	 Наибольшие напряжения кол- лектор-база и коллектор-эмит- тер, в, при температуре: до 50° С	 свыше 50° С	 Наибольшее напряжение кол- лектор-эмиттер при отключен- ной базе и температуре 20° С, в Наибольшая рассеиваемая мощ- ность, мет	 Тепловое сопротивление, град! в т		0,5 10— 25 2,5 30 30 65 150 20 150 15 10 40 150 0,2	0,5 10— 20 2,5 15 30 65 150 20 150 15 10 40 150 0,2	1,0 45 2,5 15 30 60 150 20 150 15 10 40 150 0,2	1,0 15— 30 2,5 15 30 60 150 20 150 15 10 40 150 0,2	1,0 15— 30 2,5 15 30 60 150 20 150 30 20 65 150 0,2	1,0 25— 50 2,5 15 30 60 150 20 150 30 20 65 150 0,2	2,0 25— 50 2,5 15 30 60 150 20 150 15 10 40 150 0,2	2,0 45- 90 2,5 15 30 60 150 20 150 15 10 40 150 0,2
232
4^ psa
Рис. 198. Характеристики транзистора ПЭЛ:
а — для схемы с общим эмиттером; б — зависимость коэффициента шума
от тока эмиттера; в — зависимость коэффициента шума от напряжения
коллектор — база.
ГЕРМАНИЕВЫЕ ПЛОСКОСТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ П13 — П15А
(Р-П-Р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (см. рас. 196).
Вес 2 г.
Интервал рабочих температур от +85 до —60° С.
Наибольшая температура перехода 100° С, наименьшая — 50° С.
При температурах корпуса 50—85° С максимальная рассеиваемая
Мощность на коллекторе определяется по формуле
100'- с с
^к. макс	о г- МвП1,
0,5 —
мет
где 'кор0 С—температура корпуса.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Наибольшее ускорение при вибрации 12 g.
Наибольшее ускорение при одиночном ударе 120 g.
233
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — усиление и генерирование на частотах до
1,6 Мгц.
Параметры транзисторов приведены в табл. 99, а характеристики
изображены на рис. 199 — 204.
Приводим данные замены группы транзисторов П6 транзисторами
Тран-
зисторы	Замена группы П6
П13	П6А — по всем параметрам
П6Б — по всем параметрам, за исключением
выходной проводимости
П1 ЗА	П6В — по всем параметрам
П6Г — по всем параметрам, за исключением
предельной частоты усиления
П13Б	П6Д — по всем параметрам
П14	П6В — по всем параметрам, за исключением
выходной проводимости
П6Г — по всем параметрам, за исключением
коэффициента усиления по току на низ-
кой частоте
П15	Группа с повышенным частотным пределом уси-
ления по току
Рис. 199. Характеристики транзисторов для схемы с общим эмит-
тером.
234
Таблица 99
Тип транзистора
Параметры	П13	П13А	П13Б	П14	П14А	П14Б	П15	П15А
Предельная частота усиления по току, Мгц		0,5	0,5	1,0	1,0	1,0	1,0	2,0	2,0
Коэффициент усиления по току	12—	20—	20—	20—	20—	30—	30—	50—
	45	60	60	40	40	60	60	100
Наибольшее входное сопротив-							32	32
ление, ом ... . 		32	32	32	32	32	32		
Наибольший коэффициент об- ратной связи 		5 х 10—’	5 х ю—•	5 х 10—’	5 х 10—’	7 х 10—’	5 х ю—8	5 х ю—’	5 х ю—8
Наибольшая выходная прово- димость при UK. 6 - - —5 в.								
1э = 1 ма и f = 1 мгц, мкмо	2,5	2,5	2,5	2,5	2,5	2,5	2,5	2,5
Наибольший обратный ток кол- лектора при UK б = —5 в, мка	15	10	10	10	15	15	15	15
Наибольший обратный ток эмиттера при U3 б = 4-15 в,								
мка		30	30	30	30	30	30	30	30
Наибольшая емкость кол- лектора при UK б = —5 в,								
								
/э=1 ма и / = 500 гц, пф Наибольшее сопротивление базы на высокой частоте при UK б=—5 в, /э = 1 ма и	50 150	50	50	50	50	50	50	50
								
								
f = 500 гц, ом	 Наибольший ток коллектора,жг		150	150	150	150	150	150	150
								
в режиме усиления	 в режимах импульсном или	20	20	20	20	20	20	20	20
переключения	 Наибольший ток эмиттера в	150	150	150	150	150	150	150	150
режиме усиления, ма . . . . Наибольшие напряжения, в:	20	20	20	20	20	20	20	20
коллектор — база при разом- кнутом эмиттере 		—15	—15	—15	-15	—20	—20	—15	—15
коллектор — эмиттер при со- противлении между эмит- тером и базой не более 1 ком	—15	—15	—15	—15	—20	—20	— 15	—15
Наибольшая рассеиваемая мощ-								
ность, мет		. Тепловое сопротивление,	150	150	150	150	150	150	150	150
град/вт 			0,2	0,2	0,2 	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2
235
Рис. 200. Характеристики транзисторов П13 — П15:
а — входные в схеме с общей базой; б — входные в схеме с общим эмит-
тером; в — выходные в схеме с общей базой.
Рис. 202. Характеристики транзисторов П13 — П15:
а — Для схемы с общей базой; б — зависимость сопротивления базы
от температуры? в — зависимость сопротивления коллекторного пере-
хода от температуры.
Рис. 201. Выходные характе-
ристики транзисторов в схеме
с общим эмиттером.
-60-40-20 0 20 40 60 80 tOOtfl
Рис. 203. Характеристики транзисторов П13, П13Б, П14, П15:
а — зависимость коэффициента усиления от тока эмиттера; б, в— зависи-
мость наибольшего допустимого напряжения коллектор — эмиттер от со-
противления в цепи эмиттер — база; г — зависимость коэффициента уси-
ления от частоты.
Рис. 204. Характеристики транзисторов П13 — П15 в схеме
с общей базой на частоте 1 кгц:
а — входное сопротивление; б — выходная проводимость; в — зависи-
мость коэффициента усиления от тока эмиттера для П14 — П15; г — зави-
симость входного сопротивления от температуры (схема с общим эмиттером),
ГЕРМАНИЕВЫЕ ПЛОСКОСТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ П16 —П18Б
{р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (см. рис. 196).
Вес 2 г.
Интервал рабочих температур от -|-100 до —60° С.
Рис. 205. Характеристики транзисторов П16-П16Б:
а — входные в схеме с общим эмиттером; б — входные в схеме с общей базой;
в — выходные в схеме с общей базой.
Рис. 206. Выходные характери-
стики транзисторов П16-П16Б в
схеме с общим эмиттером.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в импульсных и переключающих
схемах.
Параметры транзисторов для температуры 20° С приведены в табл. 100,
а характеристики изображены на рис. 205—207.
239
Таблица 100
Параметры
Предельная частота усиления,
Мгц.......................
Наименьший коэффициент
усиления по току ... .
Наименьший коэффициент
усиления по мощности, дб
Наибольший ток эмиттера, ма
Наибольший ток коллектора,
ма........................
Наибольший ток закрытого
транзистора, ма ...........
Наибольший ток коллектора
в режиме переключения, ма
Наибольшее напряжение на
коллекторе, в .............
Пиковое напряжение на кол-
лекторе, в .........
Наибольшее падение напряже-
ния на переходе база — эмит-
тер, в.....................
Наибольшее остаточное на-
пряжение, в................
Наибольшая рассеиваемая
мощность, мет..............
Время переключения, не более,
мксек ...........
Тип транзистора
П16	П16А	П16Б	П17	П17А	П17Б	П18	П18А	П18Б
1	1	1	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2
0,95	0,97	0,98	.0,9	0,94	0,97	0,9	0,94	0,97
—	—	—	20	20	20	20	20	20
10	10	10	—	—	—	—	—	—
10	10	10	10	10	10	10	10	10
25	25	25	—	—	—	—	—	—
50	50	50	—	—	—	—	—	—
15	15	15	40	40	40	70	70	70
25	25	25	60	60	60	100	100	100
0,3	0,3	0,3	—	—	—	—	—	—
0,1	0,1	0,1	—	—	—	—	—	—
150	150	150	150	150	150	150	150	150
2	1,5	1.0	—	—	—	—	—	—
240
Рис. 207. Характеристики тран-
зисторов П16—П16Б:
а — зависимость относительного ко-
эффициента усиления от тока кол-
лектора; б — зависимость коэффици-
ента усиления от температуры;
в — зависимость относительного наи-
большего допустимого напряжения
коллектор—эмиттер от сопротивления
в цепи базы.
ГЕРМАНИЕВЫЕ ПЛОСКОСТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ П20—П21А (р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (см. рис. 196).
Вес 1 г.
Интервал рабочих температур от -J-85 до —60е С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в импульсных схемах.
Параметры транзисторов для температуры 20° С приведены в табл. 101,
а характеристики изображены на рис. 208—210.
Рис. 208. Входные характеристики транзисторов П20—П21А:
о-в схеме с общим эмиттером; б — в схеме с общей базой.
241
Таблица 101
	Тип транзистора		
Параметры	П20	П21	П21А
			
Предельная частота усиления, Мгц .... Наибольший коэффициент усиления по то-	1	1	1
ку Р	 Наименьший коэффициент усиления по то-	50—150	20—60	50—150
«У Р		10	10	10
Наибольшее сопротивление насыщения, ом	1	1	1
Наибольший обратный ток коллектора, мка	50	50	50
Наибольший обратный ток эмиттера, мка	10	10	10
Наибольший ток в режиме переключения, а Наибольшее напряжение коллектор — ба-	0,5	0,5	0,5
за, в	 Наибольшая рассеиваемая мощносгь, мет	50	70	70
	150	150	150
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 tc‘C
б
Рис. 209. Характеристики транзисторов П20—П21А:
а — выходные в схеме с общим эмиттером; б — область изменения коэф-
фициента усиления от температуры.
Рис. 210. Зависимость отно-
сительного наибольшего до-
пустимого напряжения от
сопротивления в цепи база —
эмиттер в интервале темпе-
ратур от +20 до —60° С
(границы 80%-ного разброса).
242
ГЕРМАНИЕВЫЕ ПЛОСКОСТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ П22—П23
(р-я-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (см. рис. 196).
Вес 1 г.
Интервал рабочих температур от 4-85 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — генерирование колебаний специальной формы
и работа в импульсных схемах.
Параметры транзисторов для температуры 20° С, приведены в таб-
лице 102.
Таблица 102
Параметры	Тип транзистора	
	П22	П23
Предельная частота усиления по току, Мгц ....	1	3
Коэффициент усиления по току р		5	5
Наибольшая выходная проводимость, мкмо ....	3,3	3,3
Наибольший обратный ток коллектора, мка . . . .	25	25
Наибольший обратный ток эмиттера, мка	 Наибольшее напряжение коллектор — база при от-	20	20
к.чюченном эмиттере, в	 Наибольший ток в импульсе при длительности до	40	35
10 мксек, а ...................	1	1
Наибольшая рассеиваемая мощность, мвт		100	100
ГЕРМАНИЕВЫЕ ПЛОСКОСТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ П25—П26Б
(р-я-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (см. рис. 196).
Интервал рабочих температур от —60 до 4-75° С.
Допустимая относительная влажность воздуха 98% при темпера-
туре 40° С.
Рабочее положение — любое.
При температуре корпуса 35—75° С максимальную мощность рассея-
ния на коллекторе можно определить по формуле
_ 75° С —/коро С
^*к. макс	ор Мвт,
0,2---
мвт
где ^кор °C — температура корпуса.
Основное назначение — работа в схемах переключения и в схемах
усиления электрических сигналов.
Параметры транзисторов для температуры 20° С приведены в табл. 103,
а характеристики изображены на рис. 211—213.
243
Рис. 211. Характеристики зависимостей для транзисторов П25 и П26:
а — относительного коэффициента усиления от тока эмиттера; б — относительной
выходной проводимости от напряжения на коллекторе; в — относительной выход-
ной проводимости оттока эмиттера; г — относительного сопротивления базы на
высокой частоте от напряжения на коллекторе.
Рис. 212. Характеристики зависимостей для транзисторов П25
и П26:
а — относительной предельной частоты усиления по току от напряжения
на коллекторе; б — относительного сопротивления базы на высокой часто-
те от тока эмиттера.
Рис. 213. Характеристики транзисторов П25—П26А:
а — входные в схеме с общей базой; б — выходные в схеме с общим эмит-
тером.
Таблица 103
Параметры	Тип транзистора					
	П25 |	П25А |П25Б |		П26 |	П26А |	П26Б
Режим переключения						
Ток эмиттера, ма 		2,2	2,5	2,5	1,5	1,5	1,5
Напряжение коллектора, в	 Наименьший коэффициент усиления	—40 0,9	—40 0,94	—40	—40	—70	—70
по току 				0,97	0,9	0,94	0,97
Предельная частота усиления, кгц	200	200	200	200	200	200
Наибольшее сопротивление базы, ом Наибольшее сопротивление базы на	400 100	400 100	400 100	400 100	400	400
частоте f = 465 кгц, ом	 Наибольший обратный ток эмиттера,					100	100
	100					
мка			100	100	100	100	100
Наибольший обратный ток коллекто-	200					
ра, мка	 Наибольший обратный ток коллекто-		200	200	200	200	200
	600					
,ра при t — 70° С, мка	 Наибольшее время переключения,		600	600	600	600	600
						
мксек		2	2	2	2	2	2
Режим усиления						
Ток эмиттера, ма .........	6,5	6,5	6,5	6,5	6,5	6,5
Напряжение коллектора, в . ... . Наибольший коэффициент усиления	30	30	30	50	50	50
по мощности, дб 	 Наибольший коэффициент нелиней-	20	20	20	20	20	20
ных искажений, %	 Наибольшее напряжение коллектора	15	15	15	15	15	15
при 35° С, в	 Наибольшее пиковое напряжение	40	40	40	70	70	70
коллектора при 35° С, в	 Наибольший пиковый ток коллекто-	60	60	60	100	100	100
ра, ма		 Наибольшая мощность рассеяния при	400	400	400	400	400	400
35° С, мвт		200	200	200	200	200	200
ГЕРМАНИЕВЫЕ СПЛАВНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ П27—П28 (р-П-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 214).
Вес 1,5 г.
Интервал рабочих температур от -|-850 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Интервал изменения атмосферного давления от 5 мм рт. ст. до
2 ати.
246
П27-П28,
П29 -ПЗ/А
Рис. 214. Внешний вид и основные
Наибольшее постоянное ускорение
150
ударное ускорение 150 g.
Наибольшие вибрационные ускорения
12 g.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — усиление
электрических сигналов с частотой до
5 Мгц с низким уровнем шумов.
Параметры транзисторов приведены
в табл. 104, а характеристики изобра-
жены на рис. 215—217.
Рис. 215. График зависимости обратного
тока коллектора от температуры.
а
Рис. 216. Характеристики транзисторов П27—П28:
а — входные в схеме с общей базой; б — начальный участок выходных
характеристик в схеме с общим эмиттером.
247
Таблица 104
Параметры	Тип транзистора		
	П27	П27А	|	П28
Предельная частота усиления, Мгц ....	1	1	5
Наименьший коэффициент усиления по току	20	20	20
Наибольшая выходная проводимость при £7Кф б = —5 в, /к = 0,5 ма на частоте 1 кгц, мкмо		2	1	1
Наибольшая выходная проводимость при тех же условиях и температуре 80° С, мкмо	8	4	4
Наибольшая емкость коллекторного пере- хода, пф		50	50	50
Наибольшее произведение сопротивления базы на емкость коллекторного перехода на частоте 1000 кгц, нсек 		6000	6000	5000
Наибольший коэффициент шума, дб ...	10	5	5
Наибольший обратный ток коллекторного перехода, мка 		3	3	3
Наибольший обратный ток коллекторного перехода при температуре 80° С, мка . . .	200	200	200
Наибольший ток эмиттера в режиме уси- ления, ма	 Наибольший ток коллектора в режиме уси- ления, ма	 Наибольшее напряжение коллектор — база в интервале температур от —60 до 4-70° С, в		6	6	6
	6	6	6
	5	5	5
Наибольшее напряжение коллектор — эмит- тер при сопротивлении в цепи базы не бо- лее 500 ом в интервале температур от —60 до 4-70° С, в		5	5	5
Наибольшая мощность, рассеиваемая кол- лектором, мв/п		30	30	30
Тепловое сопротивление, град]мвт ....	1	1	1
ГЕРМАНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ П35—П38А (п-р-п)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный кор-
пус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (см. рис. 196).
Интервал рабочих температур от 4-70 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Наибольшее постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее ускорение при ударе 150 g.
Не рекомендуется использовать транзисторы при температурах свыше
4-60° С и ниже —20° С. При подключении транзистора к схеме, нахо-
дящейся под напряжением, базовый вывод присоединяется первым. Из-
гибание и пайка выводов ближе 5 мм от корпуса не разрешается. Для
повышения надежности транзистора рекомендуется использовать его
с нагрузками на 20% ниже номинальных.
248
Рис. 217. Характеристики транзисторов П27—П28 в схеме с общим
эмиттером:
а — входные; б — выходные.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в усилителях низкой и промежуточ-
ной частоты.
Параметры транзисторов приведены в табл. 105.
Таблица 105
Параметры	Тип транзистора					
	П35	П36А	П37А	П37Б	П38	П38А
Наибольшая частота усиле- ния по току, Мгц	 Коэффициент усиления по току (схема с общим эмит- тером) 		0,5	1	1	1	1	2
	10—125	15—45	15—45	25—30	15—30	45—100
Наибольшая емкость коллек- торного перехода, пф . . .	60	60	60	60	60	60
Наибольшее напряжение коллектор — эмиттер, в . .	+ 15	+ 15	+30	+30	+ 15	+ 15
Наибольший ток коллекто- ра, ма		20	20	20	20	20	20
Постоянная времени цепи обратной связи, нсек . . .	13,2	13,2	13,2	13,2	13,2	13,2
Наибольший начальный ток коллектора, ма 		30	30	30	15	30	15
Наибольшая мощность рас- сеивания, мет ......	150	150	150	150	150	150
249.
ГЕРМАНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ П39—П41А (р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (см. рис. 196).
Интервал рабочих температур от +70 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Наибольшее постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее ускорение при ударе 150 g.
Не рекомендуется использовать транзистор при температурах свыше
+60° С и ниже —20°С. При подключении транзистора к схеме, находя-
щейся под напряжением, базовый вывод присоединяется первым. Изгиба-
ние и пайка выводов ближе 5 мм от корпуса не разрешается. Для повы-
шения надежности транзистора рекомендуется использовать его с на-
грузками на 20% ниже номинальных.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в усилителях низкой частоты.
Параметры транзисторов приведены в табл. 106.
Таблица 106
Параметры	Тип транзистора						
	П39	П39Б	П40	П40А	П40Б	П41	П41А
Наибольшая частота усиления по току, Мгц		0,5	0,5	1	1	1	1	1
Коэффициент усиле- ния по току (схема с общим эмиттером) .	13—30	20—60	20—40	30—60	30—60	30—60	50—100
Наибольшая емкость коллекторного пере- хода, пф		60	60	60	60	60	60	60
Наибольшее напряже- ние коллектор — эмит- тер, в		— 10	—10	—10	—30	—30	—10	—10
Наибольший ток кол- лектора, ма ....	20	20	20	20	20	20	20
Постоянная времени цепи обратной связи, нсек		13,2	13,2	13,2	13,2	13,2	13,2	13Д
Наибольшая мощность рассеивания, мет . .	150	150	150	150	150	150	150
ГЕРМАНИЕВЫЕ СПЛАВНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ П42А и П42Б (р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянным изолятором и гибкими выводами (см. рис. 196).
Интервал рабочих температур от +70 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Наибольшее допустимое постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее допустимое ускорение при ударе 150 g.
250
Наибольшее допустимое ускорение при вибрациях с частотами 5—
2000 гц 12 g.
Для обеспечения высокой надежности при длительной работе реко-
мендуется использовать транзисторы в режимах, не превышающих Р =
= 0>8^макс’ I ~ О’^макс* ~ ^’^к. макс-
При температуре свыше 45° С максимальная мощность рассеивания
на коллекторе определяется по формуле
85 — tc
^к. макс Q 2 мвт‘
где tc — температура среды, °C.
При давлении окружающей среды менее 500 мм рт. ст. мощность
рассеивания определяется по формуле
85 ~1С
^к. макс о д мвт.
В аппаратуре транзистор жестко крепится за корпус.
Срок службы 5000 ч.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в переключающих и триггерных схе-
мах радиоэлектронной аппаратуры.
Параметры транзисторов приведены в табл. 107.
Таблица 107
Параметры	Тип транзистора	
	П42А |	П42Б
Предельная частота усиления по току при /к = 1 ма п Uк = —5 в, Мгц		1	1
Коэффициент усиления по току при /к = 10 ма и <4 = -1 «		30—50	45—100
Время включения при JK = 10 ма и UK = —15 в, мксек		1,5	1,0
Наибольшее остаточное напряжение на коллекторе в режиме насыщения при 1к = 10 ма в схеме с об- щим эмиттером, в		0,15	0,25
Наибольшее остаточное напряжение на базе в ре- жиме насыщения при 1к = 10 ма в схеме с общим эмиттером, в		0,35	0,4
Наибольший ток запертого транзистора при UK = = —15 в и температуре:	25	25
60° С		150	150
Наибольший импульсный ток запертого транзистора при 1к = 8 ма и Uк = —12 в, мка		400	400
Наибольшая мощность рассеивания при температуре ЛО 45° С, мвт			200	200
Наибольшее напряжение на коллекторе, в		15	15
Наибольший ток коллектора в режиме переключения или в импульсном режиме, ма		150	150
251
ГЕРМАНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ МП37А—МП38А
(п-р-п)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 218).
Вес 2 г.
Интервал рабочих температур от +60 до —55° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного дав-
ления от 5 мм рт. ст. до 2 ати.
Наибольшее линейное ускорение 25 g.
Наибольшее ускорение при многократ-
ных ударах 7,5 g.
Наибольшие допустимые ускорения
при вибрациях с частотами 10—600 гц 7,5 g.
Пайка и изгиб выводов не разрешается
ближе 5 мм от корпуса. Для повышения
надежности рекомендуется применять тран-
зисторы при рассеиваемой мощности не более
0.8РмаКс, напряжении коллектора не более
0,7f7K макс и токе коллектора не более
°»9/к.макс-
Рабочее положение — любое.
Гарантийный срок хранения 3 года. Срок
службы 5000 ч.
Основное назначение — работа в усили-
телях низкой частоты.
Параметры транзисторов приведены в
табл. 108, а характеристики изображены на
рис. 219.
ГЕРМАНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
МП39—МП41А (р-п-р)
Конструктивное оформление — металли-
ческий герметизированный корпус со стек-
лянными изоляторами и гибкими выводами
(см. рис. 218).
Вес 2 г.
Интервал рабочих температур от +70
до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давления от 5 мм рт. ст. до
2 ати.
Наибольшее линейное ускорение 150 g.
Наибольшее ускорение при многократных ударах 150 g.
Наибольшее допустимое ускорение при вибрациях с частотами
5—2000 гц 12 g.
Пайка и изгиб выводов разрешается на расстоянии не менее 5 мм
от корпуса. Не рекомендуется применять транзисторы при температуре
свыше +55° С и ниже —20° С. Для повышения надежности рекомендуется
Э
МП37А-МП36Л
К
Рис. 218. Внешний вид и
основные размеры тран-
зисторов МП37А—МП38А
и МП39Б—МП41А.
Б
252
Рис. 219. Характеристики
транзисторов МП37А—МП38А:
а — зависимость относительного допустимого
напряжения коллектор — эмиттер от сопро-
тивления в цепи база—эмиттер; б — зависи-
мость относительного коэффициента усиле-
ния от напряжения коллектора; в — зави-
симость величины обратного тока коллектора
от температуры.
-W ~20 0 20 401с°С
О
Таблица 108
Параметры	Тип транзистора		
	МП37А	МП37Б	МП38А
Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером при /э = 1 ма, UK = = 4-15 в (МП37А, МП37Б) и UK = +5 в (МП38А) на частоте 1 кгц		15—30	25—50	45—100
Предельная частота усиления по току при UK = 4-5 в и 1э = 1 ма, Мгц 		1	1	1
Наибольший обратный ток эмиттера при U3 = —5 в, мка		15	15	15
Наибольший начальный ток коллектора при замкнутых эмиттере и базе и UK = 4-5 в, мка 		30	30	30
Наибольшая емкость коллекторного перехо- да при Z7K = 4-5 в на частоте 0,5 Мгц, пф	60	60	60
Наибольшая выходная проводимость при UK = 4-5 в, 1э = 1 ма на частоте 1 кгц, мкмо		3,3	3,3	з,з
Наибольший ток коллектора, ма: в режиме усиления		20	20	20
»	» переключения		150	150	150
Наибольшее напряжение коллектор — база и коллектор — эмиттер, в, при темпера- туре: до 40° С		—30	—30	—15
свыше 40° С		—20	—20	—10
Наибольшая рассеиваемая мощность при температуре до 55° С, мет		150	150	150
применять транзисторы при рассеиваемой мощности не более 0,7Рмакс,
напряжении коллектора 0,7UK макс и токе коллектора 0,9ZK макс. Не
следует допускать ударных ускорений более 50 g и ускорений при ви-
брациях более 5 g.
Рабочее положение — любое.
Гарантийный срок хранения 3 года. Срок службы 5000 ч.
Основное назначение — работа в усилителях низкой частоты.
Параметры транзисторов приведены в табл. 109.
КРЕМНИЕВЫЕ ПЛОСКОСТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ П101—П103А {п-р-п)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (см. рис. 196).
Вес 2 г.
Интервал рабочих температур от -J-150 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98% при
температуре 40° С.
254
Таблица 109
Параметры	Тип транзистора				
	МП39Б	| МП40	| МП40А	| МП41	| МП41А
Предельная частота усиления по току при 1э = 1 ма и UK =					
= —5 в, Мгц	 Коэффициент усиления по то- ку в схеме с общим эмиттером при /э = 1 ма и UK = —5 в на	0,5	1	1	1	1
частоте 1 кгц 	 Наибольший обратный ток кол-	20—60	20—40	20—40	30—60	50—100
лектора при U3 = —5 в, мка . Наибольший обратный ток	15	15	15	15	15
эмиттера при U3 = —5 в, мка Наибольшая емкость коллек- торного перехода при UK = = —5 в на частоте 0,5 Мгц,	30	30	30	30	30
пф	 Наибольшее сопротивление ба- зы при UK = —5 в и 13 = 1 ма	60	60	60	60	60
на частоте 0,5 Мгц, ом .. . Наибольшая выходная прово- димость при UK = —5 в и 1э—	220	220	220	220	220
= 1 ма на частоте 1 кгц, мкмо Наибольшее напряжение кол- лектор — база и коллектор — эмиттер при сопротивлении в цепи база — эмиттер не бо- лее 10 ком и температуре до 40° С, в:	3,3	3,3	з,з	3,3	3,3
постоянное 		—10	—10	-10	—10	—10
пиковое 	 Наибольшее напряжение кол- лектор — база и коллектор — эмиттер при сопротивлении в цепи база — эмиттер не более 10 ком и температуре свыше 40° С, в:	—20	—20	—20	—20	—20
постоянное 		—10	— 10	-20	—10	—10
пиковое 	 Наибольшее обратное напря- жение эмиттер — база в ин- тервале температур от -4-60 до	—15	—15	—	-15	-15
—20° С, в	 Наибольший ток коллектора в режиме переключения при токе эмиттера не более 40 ма,	5	5	5	5	5
ма ............. Наибольшая рассеиваемая мощ- ность при температуре 55° С,	150	150	150	150	150
мвт		150	150	150	150	150 255
Рис. 220. Характеристики
транзисторов П101—П103 для
схемы с общим эмиттером.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — усиление и генерирование электрических ко-
лебаний высокой частоты.
Параметры транзисторов для температуры 20° С приведены в табл.
110, а характеристики изображены на рис. 220—222.
О -40 -20 0 20 40 60 80 100 П01с?С
Рис. 221. Характеристики транзисторов П101—П103 в зависимости от
температуры среды:
а — обратного тока коллектора; б — области изменения сопротивления коллекто-
ра; в — сопротивления базы; г — коэффициента усиления.
б
Рис. 222. Характеристики транзисторов
П101—П103:
а — зависимость сопротивления коллектора от
тока эмиттера; б — зависимость сопротивления
коллектора от напряжения коллектор—база.
КРЕМНИЕВЫЕ ПЛОСКОСТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ П104—П106
{р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (см. рис. 196).
Вес 2 г.
Интервал рабочих температур от +^0 до —60° С.
9 544
257
Таблица ПО
Параметры	Тип транзистора					
	Ш01	П101А	П101Б	Ш02	Ш03	ПЮЗА
Предельная частота уси- ления по току, Мгц . .	0,5	0,5	0,5	1,0	1,0	1.0
Коэффициент усиления по току 		9—20	10—30	10—35	10—35	10—35	30—70
Наибольшая выходная проводимость	при ик. б = +5 в, 1э = 1 ма и f = 1 кгц, мкмо . . .	2,0	2,0	2,0	2,0	2,0	2,0
Наибольшее	входное сопротивление	при ик. б - +5 в> 4 = 1 ма и f = 1 кгц, ом ....	100	100	100	100	100	100
Наибольший коэффици- ент обратной связи при <4. б = +5 *> 4 = 1 ма и f = 1 кгц		3 IO"3	3 1О~3	ЗЮ'3	ЗЮ-з	ЗЮ"3	ЗЮ'’
Наибольший обратный ток коллектора при <4. б = +ю* 04.6 = = +20 в для П101), мка	3	3	3	3	3	3
Наибольший обратный ток эмиттера при U3 б = —10 в, мка . .	3	3	3	3	3	3
Наибольшая емкость кол- лектора на частоте 465 кгц, пф	 Наибольший коэффици- ент шума в схеме с об- щим эмиттером при ик. Э = +1в и 4 = = 0,2 ма, дб		100	100	100	100	100	100
	25	15	25	25	25	25
Наибольший ток коллек- тора, в: в режиме усиления . .	20	20	20	20	20	20
в режиме переключе- ния или импульсном режиме		100	100	100	100	100	100
Наибольший ток эмитте- тера в режиме усиления, ма		20	20	20	20	20	20
Наибольшие напряжения коллектор — база, кол- лектор — эмиттер	и эмиттер—база, в . . .	20	10	20	10	10	10
Наибольшая рассеивае- мая мощность, мет . .	150	150	150	150	150	150
Тепловое сопротивление, град/вт 		0,5	0,5	0,5	0,5	0,5	0,5
258
Допустимая относительная влажность
при температуре 40° С.
окружающего воздуха 98%
Рис. 223. Характеристики транзистора ПКИ в схеме с общим эмит-
тером:
а — входные; б — выходные.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — усиление и генерирование электрических
сигналов низкой частоты при повышенной температуре окружающей
среды.
Параметры транзисторов для температуры 20° С приведены в табл.
111» а характеристики изображены на рис. 223—227.
9*	259
Рис. 225. Характеристики тран-
зистора П106 в схеме с общим
эмиттером:
а — входные; б — выходные
Рис. 226. Характеристики транзистора П105 и П106 при различных
температурах:
а — зависимость обратного тока эмиттера от напряжения^ эмнттер — база; б, в —
обратного тока коллектора от напряжения коллектор — база; г — обратного тока
эмиттера от напряжения эмиттер — база.
/ 2 4 6!0 20 40-^,0	1 2 3 4-1^0.
а	б
Рис. 227. График зависимости Л-параметров транзистора П104:
а — от напряжения на коллекторе; б — от тока эмиттера.
Таблица lit
Параметры	Тип транзистора		
	П104*	П105	П106
Предельная частота усиления, кгц . 		100	200	465
Наименьший коэффициент усиления по току . . . Наибольшая выходная проводимость при разомк-	0,9	0,9	0,9
нутом входе, мкмо		3,3	3,3	3,3
Наибольший обратный ток коллектора, мка . . .	50	50	50
Наибольший ток эмиттера, ма		10	10	10
Наибольший ток коллектора, ма		10	10	10
Наибольшее напряжение коллектор — база, в . .	100	45	45
Наибольшая мощность рассеивания, мет		150	150	150
КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ П108—НПО
(п-р-п)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (см. рис. 196),
Вес 2 г.
Интервал рабочих температур от +150 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98% при
температуре 40° С.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в схемах генераторов, усилителей про-
межуточной и низкой частоты.
Параметры транзисторов приведены в табл. 112.
Таблица 112
Параметры	Тип транзистора			
	П108	П108А	П109	пио
Предельная частота усиления по току, Мгц		1	1	2	3
Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером		20	13—25	13—25	15
Наибольший обратный ток коллектора при £/к = +15 в, мка		0,5	0,5	0,5	0,5
Наибольшая емкость коллекторного пе- рехода, пф		50	50	50	50
Наибольшее напряжение коллектор — эмиттер, в 		+ 10	+ю	+ 10	+ 10
Наибольший ток коллектора, ма ...	20	20	20	20
Наибольшая рассеиваемая мощность, мет	150	150	150	150
261
ГЕРМАНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ГТ108А—ГТ108Г
(р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 228).
Вес 0,5 г.
Интервал рабочих температур от 4-55 до —20° С.
Рис. 229. Характеристики транзи-
сторов ГТ108А—ГТ108Г в схеме с
общим эмиттером;
а — входные; б — выходные.
ГТ1О8А-ГТ1О8Г
Рис. 228. Внешний вид и основ-
ные размеры транзисторов
ГТ108А—ГТ108Г.
Допустимая относительная влаж-
ность окружающего воздуха 98% при
температуре 40° С.
Наибольшее ускорение при много-
кратных ударах 15 g.
Наибольшее допустимое ускоре-
ние при вибрациях с частотами 10—
70 гц 3 g.
Пайка и изгибание выводов раз-
решается на расстоянии не менее 5 мм
от корпуса. Для повышения надеж-
ности рекомендуется использовать
транзисторы с нагрузками на 20%
ниже допустимых.
Рабочее положение — любое.
Гарантийный срок хранения 6,5 лет.
Срок службы 5000 ч.
Основное назначение — работа в схемах усилителей.
Параметры транзисторов приведены в табл. 113, а характеристики
изображены на рис. 229.
ГЕРМАНИЕВЫЕ СПЛАВНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
ГТ109А — ГТ109Е (р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный кор-
пус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 230).
Вес 0,1 г.
Интервал рабочих температур от -f- 55° до — 20° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
262
Таблица 113
Параметры	Тип транзистора			
	ГТ108А	ГТ108Б	| ГТ108В	ГТ108Г
Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером при UK = = —5 в и /э — 1 ма в диапазоне частот 50—1000 гц при температуре: +20° С		20—50	35—80	60—130	110—250
+55° С		20	35	60	110
—20° С		15—50	20—80	40—130	70—250
Наибольший обратный ток коллекто- ра при £/к = —5 в, мка, при тем- пературах: +20 и —20° С		10	10	10	10
+55° С		250	250	250	250
Наибольший обратный ток эмиттера при U3 = —5 в, мка 			15	15	15	15
Наибольшая выходная проводимость при £/к =—5 в и /э = 1 ма в диа- пазоне частот 50—1000 гц, мкмо . . Предельная частота коэффициента усиления по току при UK = —5 в и /э = 1 ма, Мгц		з,з	3,3	3,3	3,3
	0,5	1	1	1
Наибольшая постоянная времени це- пи обратной связи при £/к = —5 в и /э = 1 ма на частоте 465 кгц, нсек .	5	5	5	5
Наибольшая емкость коллекторного перехода при UK = —5 в на частоте 465 кгц, пф	 Наибольший ток коллектора при тем- пературе 55° С, ма		50	50	50	50
	50	50	50	50
Наибольшее напряжение коллектор— база, в: постоянное 		—10	— 10	—10	—10
пиковое 		—18	-18	—18	—18
Тепловое сопротивление переход — окружающая среда, град]вт ....	0,8	0,8	0,8	0,8
Наибольшая рассеиваемая мощность, мвт		75	75	75	75
Наибольшее постоянное ускорение 100 g.
Наибольшее ударное ускорение 100 g.
Наибольшее ударное ускорение при многократных ударах 15 g.
Наибольшее ускорение при вибрациях с частотами 20—2000 гц 10 g.
При температуре свыше 20° С максимальная рассеиваемая мощность на
коллекторе определяется по формуле
t —t
макс j-g
гДе ta, tc — температура соответственно перехода и среды, °C.
263
Рис. 230. Внешний вид и основные размеры транзисторов
ГТ109А—ГТ109Е, ГТЗЮА—ГТ310Е.
Рис. 231. Входные
характеристики тран-
зисторов ГТ 109 А—
ГТ109Е в схеме с
общим эмиттером.
Рис. 232. Выходные характеристики
транзисторов ГТ109А—ГТ109Г в схеме
с общим эмиттером.
264
Таблица 114
Параметры	Тип транзистора					
	ГТ109А	ГТ109Б	ГТЮ9В	ГТ109Г	ГТ109Д	ГТ109Е
Предельная частота усиления по току при £/к = — бе, Мгц .  .	1	1	1	1	3	5
Коэффициент усиления по току при — 1 ма, U„= — 5в и f = 270 гц		20— 50	35— 80	60— 130	НО— 250	20— 70	50— 100
Наибольший обратный ток кол- лектора при UK = — 5 в, мка		5	5	5	5	/ 2	2
Наибольший обратный ток эмит- тера при UK — — 5 в, мка . . .	5	5	5	5	3	3
Наибольшая емкость коллекто- ра при UK — — 5в(ГТ109А— ГТ109Г) и UK= — 1.2 в (ГТ109Д и ГТ109Е) на часто- те 465 кгц, пф		30	30	30	30	40	40
Наибольшая постоянная времени цепи обратной связи при 0к = — 5 в, /э = 1 ма и час- тоте 465 кгц, мкмксек	3500	3500	3500	3500	3500	3500
Наибольшая выходная проводи- мости при UK = — 5 в, 1э = = 1 ма и частоте 270 гц, мкмо		3,3	3,3	3,3	3,3	3,3	3,3
Наибольший ток коллектора, ма		20	20	20	20	20	20
Наибольшее напряжение кол- лектор—база, в 		15	15	15	15	15	15
Наибольшее напряжение кол- лектор — эмиттер при сопротив- лении база — эмиттер до 200 ком, в		6	6	6	6	6	6
Наибольшая мощность рассе- ивания, мет		30	30	30	30	30	30
265
Рабочее положение — любое.
Срок службы 5000 ч.
Основное назначение — работа в различных схемах миниатюрной
радиоэлектронной аппаратуры.
Параметры транзисторов приведены в табл. 114, а характеристики
изображены на рис. 231 и 232.
ГЕРМАНИЕВЫЕ МИКРОМОДУЛЬНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
ТМ-2А-3—ТМ-2Д-3 (р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный кол-
пачок, устанавливаемый на микромодульной плате, с выводами, распаян-
ными к пазам (рис. 233).
Вес 0,8 г.
Интервал рабочих температур от +73 до —60° С.
Допустимая относительная влажность
окружающего воздуха 98% при темпе-
ратуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного
давления от 5 мм рт. ст. до 2 ати.
пускается применение транзисторов при
атмосферном давлении до '
рт. ст.
Наибольшее
150 g.
Наибольшее
кратных ударах
Наибольшее
12
11
Внешний вид
и
9 8
Рис. 233.
основные размеры микромо-
дульных транзисторов.
1 • 10 0 мм

постоянное
ускорение
при много-
ускорение
150 g.
допустимое ускорение
при вибрациях с частотами 5—2000 гц
Ю g.
Микротранзисторы монтируются на микромодульных платах разме-
ром 9,6 х 9,6 X 3,1 мм и обозначаются буквами ТМ или М. Элек-
троды транзисторов распаиваются по пазам микромодульной платы:
1 — база, 5 — эмиттер, 8 — коллектор.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в аппаратуре широкого назначения
с микромодульным исполнением.
Параметры транзисторов приведены в табл. 115.
Таблица 115
Параметры	Тип транзистора				
	ТМ-2А-3	ТМ-2Б-3	ТМ-2В-3	ТМ-2Г-3	ТМ-2Д-3
Предельная частота усиле- ния по току, Мгц		3	3	9	9	20
Коэффициент усиления по то- ку в схеме с общим эмит- тером 		20—120	50—250	30—250	70—400	80—450
Наибольшее напряжение на коллекторе в схеме с об- щей базой, в 		—15	—15	—10	—10	—10
Наибольшая рассеиваемая мощность, мет .....	75	75	75	75	75
266
ГЕРМАНИЕВЫЕ МИКРОМОДУЛЬНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
ТМ-5А-3—ТМ-5Д-3 (р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный кол-
пачок, установленный на микромодульной плате, с выводами, распаян-
ными к пазам (см. рис. 233).
Вес 0,8 г.
Интервал рабочих температур от + 73 до — 60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давления от 5 мм рт. ст. до
2 ати. Допускается применение транзисторов при атмосферном давлении
до 1 • 10~® мм рт. ст.
Наибольшее постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее ускорение при многократных ударах 150 g.
Наибольшее допустимое ускорение при вибрациях с частотами 5—
2000 гц 10 g.
Микротранзисторы монтируются на микромодульных платах разме-
ром 9,6 х 9, 6 X 3,1 мм и обозначаются буквами ТМ или М.
Электроды транзисторов распаиваются по пазам микромодульной платы:
1 — база, 5 — эмиттер, 8 — коллектор.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в аппаратуре широкого назначения
с микромодульным исполнением.
Параметры транзисторов приведены в табл. 116.
Таблица 116
Параметры	Тип транзистора			
	ТМ-5А-3, ТМ-5Б-3	ТМ-5В-3	ТМ-5Г-3	ТМ-5Д-3
Предельная частота усиления по току, Мгц		1	1	2	3
Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером ....	20—100	35—120	60—250	110—320
Наибольшее напряжение на кол- лекторе в схеме с общей базой, в		—15	—15	—15	—25
Наибольшая рассеиваемая мощ- ность, мвт ...........	75	75	75	75
КРЕМНИЕВЫЕ МИКРОМОДУЛЬНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
М-10Б— М-11 А (р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный кол-
пачок, устанавливаемый на микромодульной плате, с выводами, распаян-
ными к пазам (см. рис. 233).
Вес 0,8 г.
Интервал рабочих температур от + 120 до — 60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давления от 5 мм рт. ст. до
2 ати. Допускается применение транзисторов при атмосферном давлении
До 1 • 10 6 мм рт. ст.
267
Наибольшее постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее ускорение при многократных ударах 150 g.
Наибольшее допустимое ускорение при вибрациях с частотами 5—
2000 гц 10 g.
Микротранзисторы монтируются на микрсмодульных платах разме-
ром 9,6 х 9,6 х 3,1 мм и обозначаются буквами ТМ или М. Электроды
транзисторов распаиваются по пазам микромодульной платы: 1 —база,
5 — эмиттер, 8 — коллектор.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в аппаратуре широкого назначения с
микромодульным исполнением.
Параметры транзисторов приведены в табл. 117.
Таблица 117
Параметры	Тип транзистора		
	М-10Б	м-п	М-11А
Предельная частота усиления по току, Мгц		 Коэффициент усиления по току в схеме с	0,5	0,1	0,5
общим эмиттером		40—160	9—36	15—60
Наибольшее напряжение на коллекторе в схеме с общей базой, в		—20	—40	—20
Наибольшая рассеиваемая мощность, мет . .	150	150	150
КРЕМНИЕВЫЕ ДИФФУЗИОННЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
П504—П505А (п-р-п)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный кор-
пус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 234).
Ш	Интервал рабочих температур от -f- 120°
до-60° С.
Допустимая относительная влажность
окружающего воздуха 98% при температуре
40° С.
Максимальная рассеиваемая мощность
на коллекторе в интервале температур 60—
120° С определяется по формуле
150 — tc
—-— мет ,
0,6
где /с — температура среды, °C.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в аппара-
туре широкого назначения.
Параметры транзисторов приведены в
табл. 118.
к. макс
—а 8,5
— 0/2
П50Ч--П505А
Рис. 234. Внешний вид и основные размеры
транзисторов П504—П505А.
268
Таблица 118
Параметры	Тип транзистора			
	П504	П504А	।	П505	П505А
Коэффициент усиления по току в схе- ме с общим эмиттером при t/K = ~10 в, 1— 5 ма.				
в диапазоне частот 50—1000 гц. . .	10—35	25—80	40—150	20—60
иа частоте 20 Мгц, не менее .... Наибольший обратный ток коллекто- ра, мка:	2,5	2,5	4,7	4,7
при UK б— + 30 в		2	2	—	—
при UK б = + 20 в		—	—	2	2
Наибольший обратный ток эмиттера при U3 б = + 2 в, мка		20	20	20	20
Наибольшая постоянная времени це- пи обратной связи при (7к = -|-10в, Z = 5 ма на частоте 5 М$ц, нсек . .	—	—	1500	1500
Наибольшая емкость коллекторного пе- рехода при UK = 4- 10 в на часто- те 1 Мгц, пф . . . . •		7	7	7	7
Наибольшая выходная проводимость при £/к = + 10 в, 13 = 5 ма в ди- апазоне частот 50—1000 гц, мкмо . .	2	2	2	2
Наибольшее напряжение коллектор— база, в 		30	30	20	20
Наибольший ток коллектора, ма: при усилении 		10	10	10	10
при переключении 		20	20	20	20
Наибольшая рассеиваемая мощность при температуре до 60° С, мвт . . .	150	150	150	150
ГЕРМАНИЕВЫЕ СПЛАВНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
П29—П31А (р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный кор-
пус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (см. рис. 214).
269
Вес 1,5 г.
Интервал рабочих температур от +70 до — 60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Интервал изменения атмосферного давления от 5 мм рт. ст. до 2 ати.
Наибольшее постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее ударное ускорение 150 g.
Наибольшее вибрационное ускорение 12 g.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в переключающих и импульсных схе-
мах.
Параметры транзисторов приведены в табл. 119, а характеристики
изображены на рис. 235.
Рис. 235. Графики зависимости обратного тока от температуры
для транзисторов П29 — ПЗО:
а — коллектора; б — эмиттера.
Таблица 119
Параметры	Тип транзистора				
	П29	П29А	П30	П31	П31А
Предельная частота усиления по току в схеме с общей ба- зой при UK q = 6 в, /э — I ма, Мгц . . .'		5	5	10	4,5	4,5
Коэффициент усиления по то- ку		25—50	45—90	160—320	25—50	45—90
Наибольшая емкость коллек- торного перехода при £/к б = = 6 в, /э = I ма на частоте 1000 кгц, пф		20	20	20	50	60
270
Продолжение табл. 119
Параметры	Тип транзистора				
	П29	П29А	пзо	!	П31	I П31А
Наибольшее напряжение база— эмиттер в режиме насыщения при /к = 20 ма, 7g =1 ма’ в		0,4	1 0,4	0,4	0,2	0,2
Наибольший обратный ток кол- лекторного перехода при Uk 6 = 12 в, мка		4	4	4	5	5
Наибольший обратный ток кол- лекторного перехода при Ua б = 12 в, мка		4	4	4	—	—
Наибольший ток коллектора в режиме переключения, ма . . .	100	100	100	100	100
Наибольшее напряжение кол- лектор — база в режиме пере- ключения, в .........	12	12	12	12	12
Наибольшее напряжение кол- лектор — эмиттер в режиме пе- реключения, в		12	12	12	12	12
Наибольшее напряжение эмит- тер — база в режиме переклю- чения, в		12	12	12	—	—
Наибольшее напряжение эмит- тер—база, в, с отключенной 2q3<^? ПРИ температуре:	10	10	10	10	10
70° С		6	6	6	6	6
Наибольшая рассеиваемая мощ- ность, мет		30	30	30	30	30
271
ГЕРМАНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ГТ322А—ГТ322Е
(Р-п-р)
04-9-
ГТ322А-ГТ322Е
Рис. 236. Внешний
вид и основные раз-
меры транзисторов
ГТ322А — ГТ322Е.
Конструктивное оформление — металлический герметизированный кор-
пус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 236).
Интервал рабочих температур от + 60° до — 40° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
КЛ.У и^и^ание выводов разрешается на расстоянии не менее 5 мм
повышения надежности рекомендуется применять
транзисторы при нагрузках на 20% меньше допус-
тимых.
При температурах свыше 25° С максимальная
мощность рассеивания на коллекторе определяется
выражением
п	?л —
^к.макс Q у мет >
где tc, tn — температура соответственно среды
и перехода, °C.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в аппаратуре
различного назначения.
Параметры транзисторов приведены в табл. 120.
ГЕРМАНИЕВЫЕ МИКРОМОДУЛЬНЫЕ
ТРАНЗИСТОРЫ ТМ'ЗА-З—ТМ-ЗД-З (п-р-п)
Конструктивное оформление — металлический
герметизированный колпачок, устанавливаемый на
микромодульной плате, с выводами, распаянными
к пазам (см. рис. 233).
Вес 0,8 г.
Интервал рабочих температур от 4-73 до
— 60° С.
Допустимая относительная влажность окружаю-
щего воздуха 98% при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давления от 5 мм рт. ст. до
2 ати. Допускается применение транзисторов' при атмосферном давлении
до 1 • 10~« мм рт. ст.
Наибольшее линейное ускорение 150 g.
Наибольшее ускорение при многократных ударах 150 g.
Наибольшее допустимое ускорение при вибрациях с частотами 5—
2000 гц 10 g.
Микротранзисторы монтируются на микромодульных платах разме-
ром 9,6 х 9,6 х 3,1 мм и обозначаются буквами ТМ или М. Электроды
транзисторов распаиваются по пазам микромодульной платы: 1—база, 5—
эмиттер, 8—коллектор.
Рабочее положение—любое.
Основное назначение — работа в аппарате различного назначения с
мпкромодульным исполнением.
Параметры транзисторов приведены в табл. 121.
02.5
272
Таблица 120
Параметры	Тип транзистора				
	ГТ322А |	ГТ322Б |	ГТ322В, I ГТ322Д |	ГТ322Г	ГТ322Е
Наибольшее значение моду- ля коэффициента переда- чи тока в схеме с общим эмиттером при UK= 5 в, I = 1 ма на частоте 20 Мгц		4	4	2,5	2,5	2,5
Статический коэффициент передачи тока при (7К = = — 5 в, 7Э = 1 ма . . . •	20—70	50—120	20—70	50—120	50—120
Наибольший обратный ток коллектора при UK = = — 10 в, мка		4	4	4	4	4
Наибольшее входное сопро- тивление при UK = —5 в, / = 1 ма на частотах 50— 1000 гц, ом		34	34	34	34	34
Наибольшая выходная про- водимость при UK = —5 в, /э = 1 ма на частотах 50—1000 гц, мкмо ....	1	1	1	1	1
Наибольшая емкость кол- лекторного перехода при UK = — 5 в на частоте 10 Мгц, пф		1,8	1,8	2,5	2,5	2,5
Наибольший обратный ток коллектора при UK = —10 в, мка, при температуре: — 25° С		4	4	4	4	4
+ 55° С		100	100	100	100	100
Коэффициент шума при t/K - - — 10 в, /э = 1 ма на частоте 1,6 Мгц, дб . .	4	4	4	4	4
Наибольший ток коллектора в интервале температур от 4- 55 до — 20° С, ма . .	5	5	5	5	5
Наибольшее напряжение коллектор — база в интер- вале температур от 4- 55° До — 20° С, в	•	.	— 15	—15	— 15	— 15	—15
273
Продолжение табл. 120
Параметры	Тип транзистора				
	ГТ322А	ГТ322Б	1 ГТ322В, ГТ322Д	I ГТ322Г	ГТ322Е
Наибольшее напряжение коллектор — эмиттер при сопротивлении в цепи ба- зы 10 ком в интервале температур от + 55 до — 20° С, в		— 10	—6	— 10	—10	— 10
Наибольшая рассеиваемая мощность, мет, при тем- пературе: от 4- 25 до — 20° С . . .	50	50	50	50	50
55° С		10	10	10	10	10
Наибольшая допустимая температура перехода, ° С	62	59	62	59	59
Таблица 121
Параметры	Тип транзистора				
	ТМ-ЗА-З	ТМ-ЗБ-З	тм-зв-з	тм-зг-з	ТМ-ЗД-З
Предельная частота усиле- ния по току, Мгц		1	2	5	5	10
Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером 		18—55	40—120	25—75	60—180	60—250
Наибольшее напряжение на коллекторе в схеме с об- щей базой, в		4-15	+ 15	4-15	4-15	+ 15
Наибольшая рассеиваемая мощность, мет		75	75	75	75	75
ГЕРМАНИЕВЫЕ МИКРОМОДУЛЬНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ М-ЗА-З—М-ЗД-З
(п-р-п)
Конструктивное оформление— металлический герметизированный кол-
пачок, устанавливаемый на микромодульной плате, с выводами, распа-
янными к пазам (см. рис. 233).
Вес 0,8 г.
Интервал рабочих температур от + 73 до — 60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98% при
температуре 40° С.
274
Интервал изменений атмосферного давления от 5 мм рт. ст. до
2 ати. Допускается применение транзисторов при атмосферном давлении
до 1 • Ю-в мм рт. ст.
Наибольшее постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее ускорение при многократных ударах 150 g.
Наибольшее допустимое ускорение при вибрациях с частотами 5—
2000 гц 10 g.
Микротранзисторы монтируются на микромодульных платах разме-
ром 9,6 х 9,6 X 3,1 мм и обозначаются буквами ТМили М. Электроды
транзисторов распаиваются по пазам микромодульной платы: 1 — база,
5 — эмиттер, 8 — коллектор.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в аппаратуре различного назначения
с микромодульным исполнением.
Параметры транзисторов приведены в табл. 122.
Таблица 122
Параметры	Тип транзистора				
	М-ЗА-З	М-ЗБ-З	м-зв-з	м-зг-з	м-зд-з
Предельная частота усиле- ния по току, Мгц		1	1	5	5	10
Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером 		18—55	40—120	25—75	60—180	60—250
Наибольшее напряжение на коллекторе в схеме с общей базой, в 		+ 15	4-15	+15	+15	+15
Наибольшая рассеиваемая мощность, мет	75	75	75	75	75
ГЕРМАНИЕВЫЕ МИКРОМОДУЛЬНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
1ТМ305А—1ТМ305В (р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный кол-
пачок, устанавливаемый на микромодульной плате, с выводами, распаян-
ными к пазам (см. рис. 233).
Вес 0,8 г.
Интервал рабочих температур от -f- 73 до — 60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давления от 5 мм рт. ст. до
2. ати. Допускается применение транзисторов при атмосферном давле-
нии до 1 • 10~« мм рт. ст.
Наибольшее постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее ускорение при многократных ударах 150 g.
2000 г^И^10ЛЬШее допУстимое Ускорение при вибрациях с частотами 5—
275
Микротранзисторы монтируются на микромодульных платах размером
9,6 х 9,6 х 3,1 лии и обозначаются буквами ТМ или М. Электроды тран-
зисторов распаиваются по пазам микромодульной платы: 1 — база, 5 —
эмиттер, 8 — коллектор.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в аппаратуре различного назначения
с микромодульным исполнением.
Параметры транзисторов приведены в табл. 123.
Таблица 123
	Тип транзистора		
	1ТМ305А	1ТМ305Б	1ТМ305В
Предельная частота усиления по току, Мгц		20	20	20
Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером		25—240	60—500	40—360
Наибольшее напряжение на коллекторе в схеме с общей базой, в		—15	— 15	— 15
Наибольшая рассеиваемая мощность, мвт 		75	75	75
ГЕРМАНИЕВЫЕ ДИФФУЗИОННЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
П401—П403А (р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический корпус со стеклянными
изоляторами и гибкими выводами (рис. 237).
Вес 2 г (П401—П403) и 1 г (П403А).
Интервал рабочих температур от + 80 до — 60° С.
точка
ПЫМ-ГЬОЗЬ
Рис. 237. Внешний вид и основ-
ные размеры транзисторов
П401— П403А.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98% при
температуре 40° С.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — генерирование и усиление электрических ко-
лебаний высокой частоты.
276
Параметры транзисторов для температуры 20° С приведены в табл. 124,
а характеристики изображены на рис. 238.
1н^а
Ю
8
6
4
2
О
20 4/7 60 te°C
Рис. 238. Характерис-
тики транзисторов
П401—П403А:
а - /к = f (С/к. б> ПР”
/э = const; б — /к =
= /(/э) при С/К.б =
= const; в —Uэ. б = (Оз
при (7К б = const: г —
иэ. б = f<UK. б) ПРИ 7э=
const; д — зависимость от-
носительной величины об-
ратного тока коллектора
от температуры.
Таблица 124
	Тип транзистора			
Параметры				П403А
	П401	П402	П403	
Предельная частота усиления, Мгц . . Наименьший коэффициент усиления по	30	60	120	120 0,97
току		0,94	0,94	0,94—0,97	
Наибольший обратный ток коллектора, мка	'	... .	10	5	5	5
Наименьшее сопротивление коллектора				500
на частоте 1000 гц, ком.	 Наибольшая выходная проводимость,	500	300	200	
				
мкмо		5	5	5	5
Наибольшая емкость коллектора на час- тоте 5 Мгц, пф		15	10	10	10
Наибольшее произведение сопротивле- ния базы на емкость коллектора, нсек,	3500	1000	500	500
Наибольший ток коллектора, ма . . . .	10	10	10	10
Наибольший ток эмиттера, ма		10	10	10	10
Наибольшее напряжение на коллекторе, в Наибольшая мощность, рассеиваемая на	10	10	10	10
коллекторе, мет 		100	100	100	100
Примечание. Параметры измерены в схеме с общей базой в режиме
“к = -о в и = б ма.
277
ГЕРМАНИЕВЫЕ ДИФФУЗИОННЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ
ТРАНЗИСТОРЫ П410 — П411А (р-п-р)
Конструктивное оформление—металлический герметизированный кор-
пус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Эмиттер, кроме
гибкого вывода, имеет Ггакже с противоположной стороны транзистора
жесткий вывод (рис. 239).
Г----25
П410-П411А	иранжеоая точка	Эмиттер
Рис. 239. Внешн й вид и основные размеры транзисторов
П410—П411А.
Рис. 240. Характеристики транзисто-#	4 0	8 -0^,6
ров П410—П411А:	2
а — для схемы с общим эмиттером C/g э = f (С/к> э) при Zg = const и (7g э =
= f (Zg) ПРН э = const; б — Для схемы с общим эмиттером /к = f (С/к э)
при /g = const и ZK = f (/g) при С7К э = const; в — для схемы с общей базой
U3 g = f (17к g) при /э = const и С/э g = f (/д) при C/K. g = cnst; г — для
схемы с общей базой /к = f(t/K g) при /э = const и ZK = / (?э) при (7Ki g=const.
278
Вес 1,3 г.
Интервал рабочих температур от 4-70 до —60° С,
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 95+3%
при температуре 40° С.
При повышении температуры окружающей среды выше 25° С мощ-
ность рассеивания необходимо снижать на 15 мвт на каждые 10° С.
Интервал изменений атмосферного давления от 5 мм рт. ст.
до 2 ати.
Рабочее положение — лк^бое.
При включении транзистора в цепь коллекторный контакт должен
присоединяться последним и отключаться первым. Пайка выводов не
допускается. При эксплуатации транзисторов с перегрузками свыше 4 g
корпус необходимо крепить к шасси.
Наибольшее постоянное ускорение 150 g.
Наибольшая перегрузка при вибрациях на частотах 0—600 гц 12 g.
Основное назначение — усиление и генерирование высокочастотных
колебаний.
Параметры транзисторов приведены в табл. 125, а характеристики
изображены на рис. 240.
ГЕРМАНИЕВЫЕ ДИФФУЗИОННЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ
ТРАНЗИСТОРЫ П414 —П415Б (р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 241).
Вес 1,2 г.
Интервал рабочих температур от +75 до —60° С.
Рис. 241. Внешний вид и основные размеры транзисторов П414—•
П415Б, П416—П416Б.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Интервал изменения амплитудного давления от 55 мм рт. ст.
до 2 ати.
Наибольшее постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее ударное ускорение 150 g.
Наибольшие перегрузки при вибрациях с частотами 5—2500 гц 15 g.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — усиление и генерирование электрических
колебаний в диапазоне до 120 Мгц и работа в импульсных схемах.
Параметры транзисторов приведены в табл. 126, а характеристики
изображены на рис. 242—244.
279
Таблица 125
Параметры	Тип транзистора			
	П410	П410А	П411	П411А
Максимальная частота гене- Ра^ин /макс- МгЧ	 Наибольшее входное сопро-	200	200	400	400
тивление А11( ом 	 Наименьший коэффициент	10	10	10	10
усиления по току на час- тоте 1 кгц, h21 		0,97	0,99	0,97	0,99
Наибольшая выходная про- водимость /г22, мкмо . . .	10	10	10	10
Наибольший коэффициент обратной связи /г12 ....	1,2 • 10“3	1,2 • 10~3	1,2 IO—3	1,2 • 10“3
Наибольший обратный ток коллектора1	/к0, мка . .	2	2	2	2
Наибольшая емкость кол- лектора Ск, пф .... Наибольшее произведение сопротивления базы на емкость коллекторного пе-	2	2 300	2 300	2 300
рехода, нсек 		300			
Номинальное напряжение				
коллектор — база, в . . . .	5	5	5	D
Номинальный ток эмиттера, ма		5	5	5	5
Наибольшее напряжение				
коллектор — база, в . . . . Наибольшее напряжение	6	6	6	о
коллектор — эмиттер при разомкнутой базе, в . . . . Наибольшее напряжение	6	6	6	6
коллектор — эмиттер при				
разомкнутых электродах эмиттер — база, в	 Наибольший ток коллекто-	8	8	8	8 20
				
ра, ма	 Наибольший ток эмиттера,	20	20 20	20 20	
				
ма 	 Наибольшая общая мош,-	20			20
				
ность, рассеиваемая при				
температуре окружающей среды не более 35° С,				100
мвт		100	100	100	
Наибольшая температура пе- рехода, °C		85	85	85	85
’ Значение /кд дано при С/к>	б = -3 в.			
280
60
4Z?
20
О
\^°^12Qo\
I ^Ю00~~
^800 I
;  Z-^600\
,
;	1в=200мка\
10 -UH3l8
б
Рис. 242. Выходные характеристики транзисторов П414—П415:
а — в схеме с общей базой; б — в схеме с общим эмиттером; в — в схеме
с общей базой для П414А и П415А; г — в схеме с общим эмиттером для
П414Б и П415Б.
Рис. 243. Характеристики транзисторов:
о — зависимость обратного тока коллектора от температуры; б — зависимость
относительного обратного тока коллектора от напряжения коллектор — база.
Таблица 126
	Тип транзистора					
Параметры			и			
				ю	ю	ю
						
		с	с	с	с	с
Частота генерации, Мгц . . . Коэффициент усиления по току при UK = 5 в, 1э~5ма на	60	60	60	120	120	120
частоте 270 гц 			25—	60—	100—	25—	60—	100—
Наибольшая выходная прово- димость при тех же уело-	100	120	200	100	120	2000
ВИЯХ, мкмо	 Наибольший обратный ток кол- лектора, мка:	5	5	5	5	5	5
ПРИ ик. б = —5 в		2	2	2	2	2	2
ПРИ ик. б = —12 в	 Наибольшая емкость коллек- торного перехода на частоте	5	5	5	5	5	5
5 Мгц, пф	 Наибольшая постоянная време-	10	10	10	10	10	10
ни, нсек 	 Наибольшее падение напря- жения j при токе эмиттера	1000	1000	1000	500	500	500
50 ма, в	 Наибольший ток коллектора,	1,5	1,5	1,5	1,5	1.5	1,5
ма	 Наибольший ток коллектора в импульсе или в режиме переключения в интервале температур от —60 до	10	10	10	10	10	10
+50° С, ма	 Наибольшее напряжение кол-	30	30	30	30	30	30
лектор — база, в	 Наибольшее напряжение кол- лектор — эмиттер при сопро- тивлении в цепи базы не	10	10	10	10	10	10
более 1 ком, в 	 Наибольшее напряжение эмит- тер — база при обратном токе	10	10	10	10	10	10
менее 100 мка, в	 Наименьшая мощность рассеи- вания в интервале темпера- тур от —60 до -|-20о С,	1	1	1	1	1	1
мет	 Тепловое сопротивление при температуре больше 20° С,	100	100	100	100	100	100
град вт	0,66	0,66	0,66	0,66	0,66	0,66
282
Рис. 244. Характеристики зависимостей для транзисторов П414—П415:
а — относительного коэффициента усиления от тока эмиттера; б — относитель-
ного сопротивления коллекторного перехода от температуры.
ГЕРМАНИЕВЫЕ ДИФФУЗИОННЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ
ТРАНЗИСТОРЫ П416 — П416Б (р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (см. рис. 241).
Интервал рабочих температур от +85 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Рис. 245. Характеристики транзисторов П416—П416Б:
а — входные в схеме с общим эмиттером; б — входные в схеме с общей базой;
в — выходные в схеме с общей базой.
Наибольшее постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее ударное ускорение 150 g.
Наибольшие перегрузки при вибрациях с частотами 25—2500 гц 15 g.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — усиление и генерирование электрических
колебаний до 120 Мгц и работа в импульсных схемах.
Параметры транзисторов приведены в табл. 127, а характеристики
изображены на рис. 245—247,
283
Таблица /27
Параметры	Тип транзистора		
	П416	П416А	П416Б
Коэффициент усиления по току при UK б = = 5 в, /э = 1 ма и частоте 270 гц . . .	0,95—	0,97—	0,98—
	0,98	0,987	0,992
Коэффициент усиления по току на большом сигнале при UK э = 3 в, 1э = 50 ма и частоте 270 гц при температуре: Н-20° С		25—75	50—120	80—200
—60° С		15	30	40
Наибольший обратный ток коллекторного перехода, мка: ПРИ ик. б = 5 в		2	2	2
ПРИ ик. б= 15 в		8	8	8
при 6/к б = 5 в и t = 70° С		70	70	70
Наибольший обратный ток эмиттерного пе- рехода, мка, при иэ б = 2 в		100	100	100
Время выключения при токе эмиттера 50 ма, мксек		1	1	1
Наибольшая емкость коллекторного пере- хода при UK б = 5 в на частоте 5 Мгц, пф	  .	.	8,5	8,5	8,5
Наибольшая постоянная времени при UK б = = 5 в, /э = 5 ма на частоте 5 Мгц, нсек ...................	500	500	500
Наибольшее падение напряжения в откры- том состоянии при /э = 50 ма, в ... .	2	2	2
Наибольший ток коллектора, ма		15	15	15
Наибольший ток коллектора в импульсе или в режиме переключения, ма		120	120	120
Наибольшее напряжение коллектор — эмит- тер при запертом эмиттере, в		20	20	20
Наибольшее напряжение коллектор — эмит- тер при короткозамкнутых электродах эмиттера и базы, в . 		15	15	16
Наибольшее напряжение коллектор — эмит- тер при сопротивлении в цепи базы не более 1 ком, в 		12	12	12
Наибольшее обратное напряжение эмит- тер — база, в 		3	3	3
Наибольшая рассеиваемая мощность, мвт		100	100	100
Наибольшая мощность в импульсе, мвт		250	250	250
Тепловое сопротивление при температуре 45 — 70° С, град)мвт ...........	0,4	0,4	0,4
284
Рис. 246. Характеристики транзисторов П416—П416Б:
а — зависимость относительного коэффициента усиления от тока эмиттера; б —
от напряжения коллектор — эмиттер; в — зависимость относительного предельно
допустимого напряжения от сопротивления в цепи эмиттер — база.
Рис. 247. Характеристики транзистора П416А:
а — зависимость обратного тока эмиттера от напряжения на
эмиттере; б — зависимость обратного тока коллектора от на-
пряжения на коллекторе.
ГЕРМАНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ П417—П417А
(р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 248).
Вес 2 г.
Интервал рабочих температур от +70 до —60° С.
Оранжевая точка
2,5
'8,5\
Допустимая относительная влажность окружаю-
щего воздуха 98% при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давления от
5 мм рт. ст. до 3 ати.
Наибольшее
Наибольшее
150 g.
постоянное ускорение 150 g.
ускорение при многократных
ударах
Г74Г7-П4Г7Л
П501 -П50ЭА
Наибольшее ускорение при однократных ударах
500 g.
Наибольшее допустимое ускорение при вибра-
циях с частотами 5—2000 гц 15 g.
Пайка и изгибание выводов разрешается на рас-
стоянии не менее 5 мм от корпуса. При эксплуатации
транзисторов в условиях изменяющейся температуры
в схеме необходимо предусматривать систему темпе-
ратурной компенсации.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в усилителях и
генераторах СВЧ колебаний.
Параметры транзисторов приведены в табл. 128,
а характеристики изображены на рис. 249 и 250.
Рис. 248. Внешний вид и основные размеры транзисто-
ров П417-П417А, П501-П503А.
Рлс. 249. Характеристики в схеме с общим эмиттером:
а — входные для транзисторов П417-П417А; б — выходные для транзистора FI417J
.в — выходные для транзистора П417А.
286
Таблица 128
Параметры	Тип транзистора	
	П417	П417А
Предельная частота усиления по току, Мгц . . . Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером при UK = —5 в, /э = 5 ма в диапа-	200	200
зоне частот 50 — 1000 гц	 Наибольший обратный ток коллектора при UK =	24—100	65—200
= —5 в, мка	 Наибольший обратный ток эмиттера при UK =	3	3
— —0,5 в, мка 	 Наибольший начальный ток коллектора при UK = = —8 в и сопротивлении в цепи база — эмиттер	30	30
50 ком, мка	 Наибольшая постоянная времени цепи обратной связи при UK = —5 в, /э = 5 ма на частоте	5	5
5 Мгц, нсек	 Наибольшая емкость коллекторного перехода при	400	400
UK = —5 в на частоте 5 Мгц, пф	 Наибольшее напряжение коллектор — эмиттер при	5	5
замкнутых эмиттере и базе, в . . .			—8	”10
Наибольший ток коллектора, ма		10	
Наибольшая рассеиваемая мощность, мет ....	50	50
Наибольшая допустимая температура перехода,°C	85	85
Рис. 250. Графики зависимости для транзисторов П417 и П417А:
а обратного тока коллектора от температуры; б — относительного коэффициента
усиления по току от тока эмиттера; в — относительная ' зависимость коэффициента
усиления по току от температурь!.
287
ГЕРМАНИЕВЫЕ ДИФФУЗИОННЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
П420 — П423А (р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 251).
Вес 1 г.
Интервал рабочих температур от -f-55 до —20° С.
ПЬ2О-(1Ч23Ь
Рис. 251.' Внешний вид и основные размеры транзи-
сторов П420—П423А.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 95—98%
при температуре 40 + 5° С.
Наибольшие ударные ускорения 100 g.
Наибольшие ускорения при вибрациях с частотами 10—150 гц 8 g.
Рабочее положение — любое.
10 20 30 ЬО 50UH_6,b
а
Рис. 252. Характеристики транзисторов П430—П423Авсхеме с общей
базой:
а — выходные; б — обратной связи.
Основное назначение — генерирование, усиление и преобразование
колебаний высокой частоты в радиотехнических устройствах широкого
применения.
Параметры транзисторов приведены в табл. 129, а характеристики
изображены на рис. 252.
288
Таблица 129
Тип транзистора
Параметры
П420* П421*
Наименьшая частота генерации,
Мгц .......................
Наименьший коэффициент уси-
ления по постоянному току
в схеме с общим эмиттером:
при /э = 5 ма..............
при 1Э = 1 ма............
Наибольшая выходная прово-
димость Л2з» мкмо..........
Наибольшее входное сопротив-
ление Лх1, ом..............
Наибольший обратный ток кол-
лектора, мка...............
Наибольшая емкость коллек-
тора, пф...................
Наибольшая постоянная вре-
мени цепи коллектора, нсек . .
Наибольший коэффициент шу-
ма, до.....................
Наибольший ток коллектора,
ма.........................
Наибольшее напряжение кол-
лектор — эмиттер при внеш-
нем Rq 1000 ом, в ... .
Наибольшая мощность рассеи-
вания в интервале темпера-
тур от -f-20 до —20° С, мет . .
30
12
6
10
20
5000
10
—10
50
30
15
5
10
15
3500
10
—10
50
П422	П422А	П423	П423А
60	60	120	120
30— 100	15	30— 100	15
24	—	24	—
5	5	5	5
38	—	38	—
5	5	5	5
10	10	10	10
1000	1000	500	500
10	—	10	—
10	10	10	—
—10	—10	— 10	—10
50	50	50	50
КРЕМНИЕВЫЕ ДИФФУЗИОННЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ
ТРАНЗИСТОРЫ П501 — П503А (п-р-п)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (см. рис. 248).
Вес 1,5 г.
Интервал рабочих температур от +150 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Интервал изменения атмосферного давления от 5 мм рт. ст.
до 2 ати.
При температуре корпуса свыше 60° С максимальная мощность рас-
сеивания на коллектбре рассчитывается по формуле
_150~'с
'к. макс Q § мет,
где tc — температура среды, ° С.
10 544	289
Наибольшее постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее ускорение при ударе 150 g.
Наибольшее ускорение при вибрациях 15 g.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — усиление и генерирование электрических ко-
лебаний с частотами до 60 Мгц.
Параметры транзисторов приведены в табл. 130, а характеристики
изображены на рис. 253 и 254.
Рис. 253. Выходные характеристики транзисторов:
а — в схеме с общей базой для П501-П503; б — в схеме с общим эмиттером для
П501А. П502Б, П502В, П503А; в— в схеме с общим эмиттером для П501, П502
и 11503.
Рис. 254. Графики зависимости коэффициента усиления для тран-
зисторов П501-П503А:
а — от тока эмиттера; б — от напряжения иа коллекторе; в — от температуры;
г — наибольшей частоты генерации от тока эмиттера.
290
Таблица 130
	Тип транзистора							
Параметры					th	щ		
	W4		см			СМ	СО	
		t ।	t ।			t ।		
		LTD	ю	ю				
	С	С	с	с	с	С	с	с
Частота генерации, Мгц		10	10	30	30	30	30	60	60
Наименьший коэффициент усиле- ния по току в схеме с общей базой при UK б = 10 в, /э = = 3 ма на частотах 50—1000 гц	0,9	0,95	0,9	0,95	0,9	0,9	0,9	0,95
Наименьший коэффициент усиле- ния по току в схеме с общим эмиттером при £/к э = 10 в, /э = = 3 ма на частоте 20 Мгц ....	0,7	0,7	0,7	1.0	1,0	1,0	1,5	1,5
Наименьшая выходная проводи- мость, 10~6 мкмо		3	3	3	3	3	3	3	3
Наибольшая емкость коллектор- ного перехода на частоте ЬМгц, пф		10	10	10	10	10	10	10	10
Наибольший обратный ток кол- лекторного перехода при разомк- нутом эмиттере и температуре 120° С, мка 			100	100	100	100	100	100	100	100
Сопротивление насыщения в схеме с общим эмиттером при /б = = 2,5 ма, UK =20 в, ом . .	390	380	490	210	230	190				.
Наибольший обратный ток эмиттер- ного перехода при разомкнутом коллекторе, мка ........					1.0	1,0	1,0	1,0	1,0	1,0
Наибольший ток эмиттера, ма . .	10	10	10	10	10	10	10	10
Наибольший ток _базы, ма . . . .	10	10	10	10	10	10	10	10
Наибольшее напряжение коллек- тор — база, в ..........	20	20	20	20	20	20	20	20
Наибольшее напряжение коллек- тор — эмиттер при короткозамк- нутых выводах базы и эмитте- ра, в 		20	20	20	20	20	20	20	20
Наибольшее обратное напряжение эмиттер — база, в		1	1	3	3	3	3	3	3
Наибольшая рассеиваемая мощ- ность, мвт		150	150	150	150	150	150	150	150
Тепловое сопротивление,град/вт	0,6	0,6	0,6	0,6	0,6	0,6	0,6	0,6
10*
291
ГЕРМАНИЕВЫЕ ДИФФУЗИОННЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
1Т308А — 1Т308Г (р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 255).
Вес 2 г.
ГГ306Л-1Т306Г
Интервал рабочих температур от +70
до —60° С.
Допустимая относительная влажность
окружающего воздуха 98% при температу-
ре 40° С.
Интервал изменений атмосферного дав-
ления от 5 мм рт. ст. до 3 ати.
Наибольшее постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее ускорение при многократ-
ных ударах 150 g.
Наибольшее ускорение при однократных
ударах 500 g.
Наибольшие ускорения при вибрациях
с частотами 5—2000 гц 15 g.
Пайка и изгибание выводов разрешается
на расстоянии не менее 5 мм от корпуса.
При эксплуатации транзисторов в условиях
изменяющейся температуры в схеме пре-
дусматривают систему температурной ком-
пенсации.
Гарантийный срок хранения 10 лет. Срок
службы 10 000 ч.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в аппара-
туре различного назначения.
Параметры транзисторов приведены в
табл. 131, а характеристики изображены на
рис. 256—259.
Рис. 255. Внешний вид
и основные размеры тран-
зисторов 1Т308А-1Т308Г.
Рис. 256. Характеристики транзистора 1Т308А в схеме с общим
эмиттером:
а — входные; б — выходные.
292
Рнс. 257. Характеристики транзистора 1Т308Б в схеме с общим
эмиттером:
а — входные; б — выходные.
Рис. 258. Характеристики транзистора 1Т308В в схеме с общим
эмиттером:
а — входные; б — выходные.
Рис. 259. Характеристики транзистора 1Т308Г в схеме с общим
эмиттером:
а — входные; б — выходные.
Таблица 131
Параметры	Тип транзистора			
	1Т308А	1Т308Б	1Т308В	1Т308Г
Наименьшее значение модуля коэффициента усиления по то- ку при UK = —5 в, /э = 5 ма на частоте 20 Мгц		4,5	6	6	6
Статический коэффициент уси- ления по току в импульсном режиме при UK = 1 в, 1э — = 10 ма на частоте 50 гц при скважности 10—100: при температуре 20° С . . .	25—70	50—120	80—150	100—300
в интервале рабочих темпе- ратур 		15—200	30—360	45—450	—
Предельная частота коэффи- циента усиления по току, Мгц	90	120	120	120
Наибольший обратный ток кол- лектора при UK = —15 в, мка	5	5	5	5
Наибольший обратный ток кол- лектора при UK = —10 в и тем- пературе 70° С, мка		90	90	90	90
Наибольший обратный ток эмит- тера при U3 = —2 в, мка . .	50	50	50	50
Наибольшее напряжение насы- щения, в коллектор—эмиттер при /к = = 50 ма, 16=1 ма . . . .	1,5	1,2	1,2	1,2
база — эмиттер при 1к = = 10 ма, 7б = 1 ма . . . .	0,45	0,45	0,45	0,45
Наибольшая емкость коллек- торного перехода при UK = = —5 в в диапазоне частот 5— 10 Мгц, пф		8	8	8	8
Наибольшая емкость эмиттер- ного перехода при U3 — 1 ев диапазоне частот 5—10 Мгц, пф	22	22	22	22
Наибольшая постоянная вре- мени цепи обратной связи при UK — —5 в, Iэ = 1 ма на час- тоте 5 Мгц, нсек 		400	400	400	400
Наибольшее время рассасыва- ния в схеме с общим эмитте- ром, мксек ..........	1	1	1	1
Наибольший коэффициент шума при U = —5 в, /э = 5 ма на частоте 1,6 Мгц, дб		—	—	8	6
294
Продолжение табл. 131
Параметры	Тип транзистора			
	1Т308А	1Т308Б	1Т308В	1Т308Г
Наибольшее напряжение кол- лектор — база, в		—20	—20	—20	—20
Наибольшее импульсное напря- жение коллектор — база при длительности импульса до 1 мксек, в		—30	—30	—30	—30
Наибольшее напряжение кол- лектор — эмиттер при запертом эмиттере, в	 Наибольший ток коллектора, ма‘. постоянный		—20	—20	—20	—20
	50	50	50	50
импульсный 		120	120	120	120
Наибольшая рассеиваемая мощ- ность, мвт	 Наибольшая допустимая темпе- ратура перехода, °C 		150	150	150	150
	85	85	85	85
ГЕРМАНИЕВЫЕ ДИФФУЗИОННЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
ГТ309А — ГТ309Е (р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 260).
Вес 0,5 г.
Интервал рабочих температур от 4-55
до —20° С.
Допустимая относительная влажность
окружающего воздуха 98% при температуре
40° С.
Наибольшее ускорение при многократ-
ных ударах 15 g.
Наибольшее допустимое ускорение при
вибрациях с частотами 10—70 гц 3 g.
Пайка и изгибание выводов разреша-
ется на расстоянии не менее 5 мм от кор-
пуса. Для повышения надежности рекомен-
дуется применять транзисторы с нагрузками
на 20% меньше допустимых.
Гарантийный срок хранения 6,5 лет.
Срок службы 5000 ч.
Рабочее положение — любое.
Рис. 260. Внешний вид и основные размеры
транзисторов ГТ309А-ГТ309Е.
ГТ309А -ГТ309Е
295
Таблица 132
Параметры	Тип транзистора					
	ГТ309А	ГТ309Б	ГТ309В	ГТ309Г	ГТ309Д	| ГТ309Е
Статический коэф- фициент усиления по току прн UK = = —5 в, /э = 1 ма в диапазоне частот 50—1000 гц: при температуре 20° С		20—70	60—180	20—70	60—180	20—70	60—180
в интервале ра- бочих температур	16—140	30—360	16—140	30—360	16—140	30—360
Наименьшее значе- ние модуля коэф- фициента усиления по току при (7К = = 5 в, /э =1 ма на частоте 20 Мгц	6	6	6	6	6	6
Наибольший обрат- ный ток коллекто- ра при UK = —5 &, мка		5	5	5	5	5	5
Наибольшая по- стоянная времени цепи обратной свя- зи при 1/к = —5 в, 1э= 1 ма на час- тоте 5 Мгц, нсек	500	500	1000	1000	1000	1000
Наибольшая ем- кость коллектор- ного перехода при (7К= —5 в, на час- тоте 5 Мгц, пф	10	10	10	10	10	10
Наибольшая выход- ная проводимость при UK = —5 в и /э = 5 ма в диапа- зоне частот 50— —1000 гц, мкмо	5	5	5	5	5	5
Наибольшее вход- ное сопротивление при UK= —5 в, /э= = 1 ма в диапазо- не частот 50— —1000 гц, ом . .	38	38	38	38	38	38
296
Продолжение табл. 132
Параметры	Тип транзистора					
	ГТ309А	ГТ309Б	ГТ309В	ГТ309Г |	ГТ309Д	ГТ309Е
Наибольший коэф- фициент шума при с/к = —5 в, /э = = 1 ма на частоте 1,6 Мгц, дб . . .		6		6		
Наибольший ток коллектора, ма Наибольшее напря- жение коллектор— эмиттер при сопро- тивлении в цепи базы не более 10 ком, в ... . Наибольшая рас- сеиваемая мощ- ность в интервале температур от +20 до —20° С, мет	10	10	10	10	10	10
	— 10	— 10	— 10	— 10	— 10	— 10
	50	50	50	50	50	50
Наибольшая допус- тимая температура перехода, °C . . .	70	70	70	70	70	70
Основное назначение — работа в аппаратуре различного назначения
миниатюрного исполнения.
Параметры транзисторов приведены в табл. 132, а характеристики
изображены на рис. 261.
Рис. 261. Характеристики транзисторов ГТ309А-ГТ309Е в схеме с
общим эмиттером:
а — входные; б — выходные; в — зависимость коэффициента усиления от тока
эмиттера.
297
ГЕРМАНИЕВЫЕ ДИФФУЗИОННО-СПЛАВНЫЕ
ТРАНЗИСТОРЫ ГТ310А —ГТ310Е (р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (см. рис. 230).
Вес 0,1 г.
Интервал рабочих температур от + 55 до —20° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Наибольшее ускорение при ударе 15g.
Наибольшее ускорение при вибрациях с частотами 10—70 гц 3g.
При температуре свыше 30° С максимальная мощность рассеивания
на коллекторе определяется по формуле
Лс макс 2 мвт.
Рис. 262. График зависимости
относительного модуля коэффи-
циента усиления от тока
эмиттера для транзисторов
ГТ310А-ГТ310Е.
Рабочее положение — любое.
Срок службы 5000 ч.
Основное назначение — работа в
различных схемах миниатюрной радио-
электронной аппаратуры.
Параметры транзисторов приведе-
ны в табл. 133, а характеристики изо-
бражены на рис. 262.
ГТ311А -ГТ311Д
ГТ313А -ГТ313Б
Рис. 263. Внешний вид и
основные размеры транзи-
сторов ГТ311А—ГТ311И,
ГТ313А—ГТ313Б.
ГЕРМАНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ГТЗИА — ГТ311И
(п-р-п)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 263).
Интервал рабочих температур от 55 до —20° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С,
298
Таблица 133
Параметры	Тип транзистора					
	ГТ310А	ГТ310Б	ГТ310В	ГТЗЮГ | ГТ310Д | ГТ310Е		
Коэффициент усиления по току при /э = 1 ма, UK = = — 5 в		20—70	60—180	20—70	60—180	20—70	60—180
Наибольший коэффициент шума при /э = 1 ма, = —5 в и частоте 1,6 Мгц, дб		3	3	4	4	4	4
Наибольшая емкость кол- лектора при {7К = —5 в на частоте 5 Мгц, пф . .	4	4	5	5	5	5
Наибольшая постоянная времени цепи обратной связи при 1э = 5 ма, UK= = —5 fl и частоте 5 Мгц, мкмксек		300	300	300	300	300	500
Наибольший обратный ток коллектора при 67к= = —5 а, мка, при темпе- ратуре: + 20° С		5	5	5	5	5	5
4-55° С		120	120	120	120	120	120
Наибольшее входное со- противление при /э=1 ма, UK = —5 в, ом		38	38	38	38	38	38
Наибольший ток коллек- тора, ма		10	10	10	10	10	10
Наибольшее напряжение коллектор—эмиттер, в: при /?б э = 10 ком . .	10	10	10	10	10	10
при /?б> э = 200 ком	6	6	6	6	6	6
Наибольшее напряжение коллектор—база, в . . .	12	12	12	12	12	12
Наибольшая мощность рассеивания при темпера- туре до 30° С, мвт . . .	20	20	20	20	20	20
Пайка и изгибание выводов разрешается на расстоянии не менее
5 мм от корпуса. Для повышения надежности рекомендуется применять
транзисторы с нагрузками на 20% ниже допустимых.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в импульсных устройствах.
Параметры транзисторов приведены в табл. 134.
299
8
Параметры
Статический коэффициент усиления по току при
UK = —3 в, /э = 15 ма, частоте повторения
50 гц и скважности 10—100.................
Модуль коэффициента усиления по току при
UK = 5 в, /э = 5 ма на частоте 100 Мгц . . .
Наибольшая емкость коллекторного перехода
при UK = —5 в на частоте 10 Мгц, пф ... .
Наибольшая емкость эмиттерного перехода при
Uэ = —0,2 в на частоте 10 Мгц, пф.........
Наибольшая постоянная времени цепи обратной
связи при UK = 5 в, /э = 5 ма, нсек . . .
Наибольший обратный ток коллектора при UK=
= —2 в, мка...............................
Таблица 134
Тип транзистора
ГТ311А	ГТ311Б	FT311B	ГТ311Г	гтзнд	ГТ311Е	ГТ311Ж	ГТ311И
15—180	30—180	15—50	30—80	50—180	15—180	50—200	100—300
3—10	3—10	4,5—10	4,5—10	6—10	2,5	3	4,5
2,5	2,5	2,5	2,5	2,5	2,5	2,5	2,5
50	105	75	75	75	5	5	5
50	100	75	75	75	75	100	100
5	5	5	5	5	10 ((/к= =—12в)	10(t/K = = —12 в)	10(t/K = = —10 в)
Наибольший обратный ток эмиттера при U3 =
=2 в,мка ..............................
Наибольшее напряжение база—эмиттер в ре-
жиме насыщения при ZK = 15 ма, Z6 = 1,5 ма, в
Наибольшее напряжение коллектор—эмиттер
в режиме насыщения при ZK = 15 ма и Z6 =
= 1,5 ма, в...............................
Наибольшее время рассасывания при ZK = 20 ма
и 1б = 2 ма, нсек ......... .....
Наибольшее напряжение коллектор—база, в
Наибольшее импульсное напряжение коллек-
тор—база при длительности импульса до
1 мксек и коэффициенте заполнения не более
0,1, в ...................................
Наибольшее напряжение коллектор—эмиттер,
Наибольшее напряжение эмиттер—база, в .
Наибольшая рассеиваемая мощность, мет . .
10	10	10	15	15	15	15	15 ({/э = =—1,5 в)
+.06	+0,6	+0,6	+0,6	+0,6	+0,6	+0,6	+0,6
+0,3	+0,3	+0,3	+0,3	+0,3	+0,3	+0,3	+0,3
50	50	50	50	50	50	50	50
+ 12	+ 12	+ 12	+ 12	+ 12	+ 12	+ 12	+ 12
+25	+25	+25	+25	+25	+20	+20	+20
+ 12	+ 12	+12	+ 12	-1-12	+ 12	+ 12	+ 10
—2	—2	—2	—2	—2	—2	—2	—2
150	150	150	150	150	150	150	150
ГЕРМАНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ГТ313А—ГТ313Б
(р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный кор-
пус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (см. рис. 263).
Вес 2 г.
Интервал рабочих температур от -|-55 до —20° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Наибольшие ускорения при многократных ударах 50 g.
Наибольшие допустимые ускорения при вибрациях с частотами
10—70 гц 3g.
Пайка и изгибание выводов разрешается на расстоянии не менее
5 мм от корпуса. Допускается установка транзисторов в аппаратуру без
дополнительного крепления при длине выводов не более 5 мм.
Рабочее положение — любое.
Гарантийный срок хранения 6,5 лет. Срок службы 5000 ч. Основное
назначение — работа в импульсных усилителях с малым уровнем собст-
венных шумов.
Параметры транзисторов приведены в табл. 135.
ГТ320А-ГТ320В
Рис. 264. Внешний вид
и основные размеры
транзисторов
ГТ320А — ГТ320В.
ГЕРМАНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
ГТ320А—ГТ320В (р-п-р)
Конструктивное оформление — ме-
таллический герметизированный корпус
со стеклянными изоляторами и гибкими
выводами (рис. 264).
Вес 2,2 г.
Интервал рабочих температур от -f-70
до —55° С.
Рис. 265. Характеристики транзи-
сторов ГТ320В в схеме с общим
эмиттером:
а — входные; б — выходные.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давления от 203 мм рт. ст. до
3 ати.
Наибольшее постоянное ускорение 25 g.
302
Таблица 135
Параметры	Тип транзистора	
	ГТ313А	ГТЗПБ
Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмит- тером при UK = —5в, 1э = 5 ма в диапазоне частот		
50—1000 гц при температуре:		
20° С		20—250	20—250
+55 и —20° С	 Модуль коэффициента передачи тока при UK = —5 в,	15	15
1э= 5 ма на частоте 100 Мгц		 Наибольший обратный ток коллектора при UK =	3—10	3—10
= —12 в, мка		3	3
Наибольший обратный ток эмиттера при U3 = = —0,25 в, мка		 Наибольшее входное сопротивление при UK = —5 в,	10	10
/э = 1 ма в диапазоне частот 50—1000 гц ом . . . Наибольшая емкость коллекторного перехода при С/к=	30	30
= 0,25 е на частоте 10 Мгц, пф	 Наибольшая емкость эмиттерного перехода при t/K=	2,5	2
= —0,25 в на частоте 5 Мгц, пф	 Наибольшая постоянная времени цепи обратной свя-	14	14
зи при UK = —5 в, 1э = 5 ма на частоте 5 Мгц, нсек	75	40
Наибольший ток коллектора, ма	 Наибольшее напряжение коллектор—эмиттер при сопротивлении в цепи базы до 2 ком и в цепи эмит-	10	10
тера не более 500 ом, е ............. Наибольший коэффициент шума при 1э = 5 ма на	—15	—15
частоте 180 Мгц, дб	 Наибольшая рассеиваемая мощность, мвт, при тем-	—	7
пературе:		
20° С			100	100
55° С		55	55
Наибольшие ускорения при многократных ударах 75 g.
Наибольшие допустимые ускорения при вибрациях с частотами 10—
600 гц 7,5 g.
Пайка и изгибание выводов разрешается на расстоянии не менее
5 мм от корпуса. При эксплуатации аппаратуры с ускорениями более
2g транзисторы необходимо крепить за корпус.
Гарантийный срок хранения 4 года. Срок службы 5000 ч.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в аппаратуре различного назначения.
Параметры транзисторов приведены в табл. 136, а характеристики
изображены на рис. 265—267,
303
Таблица 136
Параметры	Тип транзистора		
	ГТ320А	ГТ320Б	ГТ320В
Предельная частота усиления по току, Мгц . .	130	200	260
Статический коэффициент усиления по току на частоте 50 гц и скважности 5—100: при UK = —1 в, 13 = 10 ма		20—80	50—120	80—250
при UK = —3 в, /э = 200 ма		20	40	60
Наименьший модуль коэффициента усиления по току при {/к=— 5в, 13 = 10 ма на частоте 20 Мгц	4	6	8
Наибольший обратный ток коллектора, мка: при UK = —5 в		2	2	2
при UK = —20 в ..............	10	10	10
Наибольший обратный ток эмиттера при U3 = = 2 в, мка		100	100	100
Наибольшее напряжение насыщения база—эмит- тер при 1к = 10 ма, /б = 1 ма, в		0,5	0,5	0,5
Наибольшее напряжение насыщения коллектор— эммитер при /к = 20 ма, 16 = 20 ма, в ... .	2	2	2
Наименьшее напряжение переворота фазы тока базы при скважности 50—100 и /э = 10 ма на частоте 50 гц, в 		13	11	9
Наибольшая емкость коллекторного перехода при UK = —5 в на частоте 5 Мгц, пф ... .	8	8	8
Наибольшая емкость эмиттерного перехода при U3 = —2 в на частоте 5 Мгц, пф ......	25	25	25
Наибольшая постоянная времени цепи обратной связи при UK = —5 в, /э = 5 ма, нсек ....	500	500	600
Время рассасывания при = 10 ма, /б = 1 ма, нсек		400	400	400
Наибольшее напряжение коллектор—эмиттер при замкнутых эмиттере и базе, в ........	—15	— 15	—15
Наибольшее импульсное напряжение коллектор- эмиттер при замкнутых-эмиттере и базе и дли- тельности импульса до 1 мксек, в		—25	—25	—25
Наибольшее напряжение коллектор—эмиттер при запертом эмиттере, в		—20	—20	—20
Наибольшее напряжение коллектор—база, в . .	—20	—20	-20
Наибольшее обратное напряжение эмиттер—ба- за, в 			3	3	3
Наибольший ток коллектора, ма		150	150	150
Наибольший импульсный ток коллектора, ма	300	300	300
Наибольшая рассеиваемая мощность, мет . . .	200	200	200
304
Рис. 266. Характеристики транзи-
зисторов ГТ320Б в схеме с общим
эмиттером:
а — входные; б — выходные.
Рис. 267. Характеристики тран-
зисторов ГТ20А в схеме с об-
щим эмиттером:
а — входные; б — выходные.
ГЕРМАНИЕВЫЕ КОНВЕРСИОННЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
ГТ321А—ГТ321Е (р-я-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 268).
Вес 2 г.
Интервал рабочих температур от -|-60 до —55е С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 95—98%
при температуре 40° С.
Наибольшее постоянное ускорение 25 g.
Наибольшие ускорения при многократных ударах 150g.
Наибольшие допустимые ускорения при вибрациях с частотами
10—2000 гг{ 15g.
При подключении транзистора к схеме, находящейся под током,
коллекторный вывод присоединяется последним и отключается первым.
Эксплуатировать транзисторы с отклю-
ченной по постоянному току базой запре-
щается.
Рабочее положение — любое.
Рис. 268. Внешний вид и основные раз-
меры транзисторов ГТ321А — ГТ321Е.
Основное назначение — работа в бы-
стродействующих импульсных и высоко-
частотных устройствах.
Параметры транзисторов приведены
305
Таблица 137
Параметры	Тип транзистора					
	ГТ321А	ГТ321Б	| ГТ321В	| ГТ321Г	| ГТ321Д	| ГТ321Е
Статический коэффициент передачи тока при /к = = 500 ма, UK э — 3 в, частоте 1000 гц и дли-						
тельности	импульса 5 мксек		20—60	40—120	80—200	20—60	40—120	80—200
Модуль коэффициента передачи тока при /э — — 15 ма, UK 6 = — 10 в на частоте 20 Мгц . . . Наибольший обратный	3	3	3	3	3	3
ток коллектора при UK б=—60 в (ГТ321А—В), UK б =45в (ГТ321Г—Е),						
мка		500	500	500	500	500	500
Наименьшее обратное на- пряжение перехода эмит- тер—база при /б=0,5 ма, в	4	4	4	2,5	2,5	2,5
Начальный ток коллек-						
тора при UK э = — 50 в (ГТ321А—В), t/K э=— 40 в						
(ГТ321Г—Е), ма ... . Наибольшая емкость кол-	0,8	0,8	0,8	0,8	0,8	0,8
лекторного перехода при UK б = — 10 в на часто- те 5 Мгц, пф	 Наибольшая емкость эмит- терного перехода при	80	80	80	80	80	80
U3 б = 0,5 в на частоте 5 Мгц, пф	 Наибольшее напряжение	600	600	600	600	600	600
коллектор—эмиттер в ре- жиме насыщения при 1к— =700 ма и /б = 140 ма (ГТ321А, ГТ321Г), /б =						
=70 лш(ГТ321Б,ГТ321Д), /б = 35 ма (ГТ321В, ГТ321Е) при длительно- сти импульса 10 — 20 мксек, в	 Наибольшее напряжение	—2,5	—2,5	—2,5	—2,5	—2,5	-2,5
						
база—эмиттер в режиме насыщения (при тех же режимах измерений, что						
и для напряжения кол- лектор—эмиттер), в . . .	—1,3	—1,3	— 1,3	— 1,3	— 1,3	—1,3
306
Продолжение табл. 137
Параметры	Тип транзистора					
	ГТ321А	| ГТ321Б	| ГТ321В	| ГТ321Г	ГТ321Д	| ГТ321Е
Наибольшее время рас- сасывания при /к=700 ма н1б = 10ма (ГТ321А, ГТ321Г), /б = 35 ма, (ГТ321Б, ГТ321Д), /б = = 17,5 ма (ГТ321В, ГТ321Е) на частоте 1000 гц при длительности импуль- са 5—10 мксек, мксек Наибольшая постоянная времени цепи обратной связи на высоких частотах при /э = 15 ма, 67к б = =— 10 в и частоте 5 Мгц,	1	1	1	1	1	1
нсек	 Наименьшее напряжение переворота тока базы при /э = 700 ма, UK б = = — 40 в, (ГТ321А—В), UK б=— ЗОв (ГТ321Г—Е),	600	600	600	600	600	600
в	 Наибольшее напряжение	40	40	40	40	40	40
коллектор—база, в . . . Наибольшее обратное напряжение база—эмиттер в интервале температур	—60	—60	—60	—60	—60	—60
45—60° С, в	 Наибольший ток коллек- тора в импульсе при дли- тельности импульса не	—3	—3	—3	—2	—2	—2
более 30 мксек, а .. . Наибольший ток базы в импульсе во всем рабо- чем интервале темпера-	2	2	2	2	2	2
тур, а 	 Наибольший постоянный	0,5	0,5	0,5	0,5	0,5	0,5
ток коллектора, ма . . Наибольший постоянный	200	200	200	200	200	200
ток базы, ма	 Наибольшее постоянное напряжение коллектор— эмиттер при температуре 20° С и сопротивлении в цепи база—эмиттер до	30	30	30	30	30	30
100 ом, в		—50	—50	—50	—40	—40	—40
307
Продолжение табл. 137
Параметры	Тип транзистора					
	ГТ321А	ГТ321Б	ГТ321В	ГТ321Г	| ГТ321Д	ГТ321Е
Наибольшая рассеивае- мая мощность, мвпг-. средняя 		160	160	160	160	160	160
импульсная		20 000	20 000	20 000	20 000	20 000	20 000
Наибольшая допустимая температура перехода, 0 С	85	85	85	85	85	85
Примечания.’ 1. При температуре более 45° С напряжение коллектор—база
должно снижаться на 1.2 в (ГТ321А— В) и на 0,6 в (ГТ321Г—Е) на каждый градус.
2. При температуре более 45° С допустимый импульсный ток должен снижаться
на 0,02 а на каждый градус.
ГЕРМАНИЕВЫЕ ДИФФУЗИОННЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
1Т303А—1Т303Е (п-р-п)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 269).
Интервал рабочих температур от +70 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
В интервале температур 40—70° С максимальная рассеиваемая мощ-
ность на коллекторе определяется по формуле
,	_80-,с
к. макс Q 4 мвт.
1Т303Й - 1T3Q3E
где tc — температура среды, ° С.
Паять и изгибать выводы разрешает-
ся на расстоянии не менее 5 мм от кор-
пуса.
Рис. 269. Внешний вид и основные раз-
меры транзисторов 1Т303А—1Т303Е.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в пе-
реключающих и усилительных устрой-
ствах.
Параметры транзисторов приведены
в табл. 138.
308
Таблица 138
Параметры	Тип транзистора			
	1Т303А, 1ТЗОЗГ	1Т303Б. 1Т303Д	1Т303В	1Т303Е
Статический коэффициент передачи тока при UK б = +5 в, /э = 5 ма п сопротив- лении в цепи базы до 3000 ом на часто- те 1 кгц		15—50	30—80	60—100	60—160
Наибольший обратный ток эмиттера при U3 б = + 1,6 в, мка		100	100	100	100
Наибольший обратный ток коллектора, мкаг при UK б = +12 в .........	6	6	6	6
ПРИ ик. б = +15 в		8	8	8	8
Наибольшая постоянная времени цепи обратной связи при UK б = +5 в, /э = = 5 ма на частоте 5 Мгц, нсек ....	1000	1000	1000	1000
Наибольшее время рассасывания при 13 = 50 ма, ти = 5 мксек, сопротивлении в цепи коллектора 140 ом и в цепи базы 5100 ом на частоте 5 кгц, мксек ....	1	1	1	1
Наибольшая емкость коллекторного пере- хода при UK б = +5 в на частоте 5 Мгц, пф 		10	10	10	10
Наибольшая емкость эмиттерного пере- хода при U3 б = 0 в на частоте 5 Мгц, пф 		60	60	60	60
Наибольшее напряжение насыщения при /э = 50 ма и сопротивлении в цепи кол- лектора 340 ом, в: коллектора 		3	3	3	3
эмиттера 		2	2	2	2
Наибольшее напряжение коллектор—ба- за, в 	 Наибольшее напряжение коллектор — эмиттер, в		+ 12	+ 12	+ 12	+ 12
	+ю	+ ю	+ю	+ю
Наибольшее импульсное напряжение кол- лектор—эмиттер, в		+ 15	+ 15	+ 15	+ 15
Наибольший ток коллектора, ма ....	15	15	15	15
Наибольший импульсный ток коллектора при длительности импульса до 100 мксек, ма		120	120	120	120
Наибольшая рассеиваемая мощность, мвт	100	100	100	100
309
КРЕМНИЕВЫЕ ДИФФУЗИОННЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
КТ301А—КТ301Ж (п-р-п)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 270).
Вес 0,5 г.
0 7,7
0 5,7
Интервал рабочих температур от -|-85 до —55° С.
Допустимая относительная влажность
окружающего воздуха 98% при темпера-
туре 40° С.
Интервал изменений атмосферного
давления от 203 мм рт. ст. до 3 ати.
Наибольшее постоянное ускорение 25g-.
Наибольшее ускорение при много-
кратных ударах 75g.
Наибольшее допустимое ускорение
при вибрациях с частотами 10—600 гц 7,5g.
Пайка и изгибание выводов разре-
шается на расстоянии ие менее 5 мм от
корпуса. При эксплуатации транзисторов
в условиях изменяющейся температуры
необходимо предусматривать в схемах си-
стему температурной компенсации.
Гарантийный срок хранения 4 года.
Срок службы 5000 ч.
Рабочее положение — любое.
0Д-3
М 9 5
КТ301 - КТ301Ж
Рис. 270. Внешний вид и основные раз-
меры транзисторов КТЗО1 — КТ301Ж.
Рис. 272. Характеристики тран-
зисто ров	КТ 301Д — КТ301Ж
в схеме с общим эмиттером при
температуре 85° С:
а — входные; б — выходные.
Рис. 271. Характеристики транзи-
сторов КТ301А— КТ301Ж в схеме
с общим эмиттером:
а — входные; б — выходные.
Основное назначение — работа в аппаратуре широкого назначения.
Параметры транзисторов приведены в табл. 139, а характеристики
изображены на рис. 271—274.
310
Таблица 139
			Тип	транзистора			
Параметры	.И		И	и	5	ы	*
		55	55	со	со	СО	СО
		&	X	X	X	5	
Наибольшая частота							60
генерации, Мгц . . Коэффициент переда-	30	30	30	60	60	60	
							
чи тока в схеме с							
общим эмиттером при UK= 4-10 в, /э= 3 ма Наименьшее значение модуля коэффициента	20—60	40—120	10—32	10—32	20—60	40—120	80—300
							
усиления по току при Uк = 4-Ю в и 1э = 3 ма на частоте 20 Мгц	 Наибольший обрат-	1	1	1	1,5	1,5	1,5	1,5
ный ток коллектора при UK = -|-20 в, мка	40	40	40	40	40	40	40
Наибольший обратный							
ток эмиттера при U3 = 4~3 в, мка . .	50	50	50	50	50	50	50
Наибольшая выход- ная проводимость при UK= 4-10 в, 1э= 3 ма							
на частоте 1 кгц, мкмо Наибольшая емкость	3	3	3	3	3	3	3
коллекторного пере- хода при б/к= 4-Ю в							
на частоте 5 Мгц, пф	 Наибольшая емкость	10	10	10	10	10	10	10
эмиттерного перехо- да при U6 э = 4-0,5 в, UBX = 30 мв на часто-							
те 5 Мгц, пф ... . Наибольшая постоян-	80	80	80	80	80	80	80
ная времени цепи							
обратной связи при 6/к = +10 в, 1э = = 2 ма, 6/вх = 30 мв							
на частоте 5 Мгц,							
нсек		2	2	2	2	2	2	2
Наибольшее напряже- ние коллектор—эмит- тер и коллектор—база в рабочем интервале температур, в . ► .	4-20	4-20	4-20	4-20	+20	+20	+20
311
П родолжение табл. 139
Параметры
Наибольшее напряже-
ние эмиттер—база в
рабочем интервале
температур, в . . .
Наибольший ток эмит-
тера и базы, ма . .
Наибольшее напря-
жение насыщения при
UK= +10 в, /э - 1 ма
и длительности им-
пульса 2 мксек, в:
коллектор—эмиттер
эмиттер—база . .
Наибольшая рассеи-
ваемая мощность, мвт
Тип транзистора
3
10
3
2
150
3
10
3
2
150
3
10
3	3
10	10
3	3	3
2	2	2
150	150	150
3
2
150
3
10
3
2
150
Рис. 273. Характеристики транзи-
сторов КТ301А — КТ301Ж в схеме
с общей базой:
а — входные; б — выходные.
а
Рис. 274. Характеристики транзисторов КТ301А — КТ301Ж
в схеме с общей базой при температуре 85° С:
а — входные; б — выходные.
312
КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАНАРНО-ЭПИТАКСИАЛ ЬНЫЕ
ТРАНЗИСТОРЫ КТ315А—КТ315Г (п-р-п)
Конструктивное оформление — пласт-
массовый герметизированный корпус
с плоскими выводами (рис. 275).
Интервал рабочих температур от
+120 до —60е С.
Допустимая относительная влаж-
ность окружающего воздуха 98% при
температуре 40° С.
Допустимая мощность рассеивания на
коллекторе при температуре свыше 25° С
определяется по формуле
120 — /с
РК. макс = 0|67  Мвт>
где tc — температура среды, ®С.
Рис. 275. Внешний вид и основные раз-
меры транзисторов КТ315А — КТ315Г.
КТ315А - К7315Г
Таблица 140
Параметры	Тип транзистора	
	КТ315.А КТ315В	КТ315Б, КТ315Г
Статический коэффициент передачи тока при UK = = +10 в, /э = 5 ма		20—90	70—350
Наименьший модуль коэффициента усиления по току при UK = +10 в, 1э = 5 ма на частоте 100 Мгц	2,5	2,5
Наибольший начальный ток коллектора при сопро- тивлении в цепи эмиттера 10 ком и наибольшем напряжении, ма		1	1
Наибольший обратный ток коллектора при UK = = +10 в, мка	 Наибольший обратный ток эмиттера при U3 = = +5 в, мка		1	1
	30	30
Наибольшая емкость коллектора при Z/K = +10e, пф		7	7
Наибольшее напряжение насыщения коллектор—ба- за при ZK = 100 ма, /б = 10 ма, в		0,5	0,5
Наибольшее напряжение насыщения эмиттер—база при ZK — 100 ма, /б = 10 ма, в		1,1	1,1
Наибольшая постоянная времени цепи обратной связи при UK = + 10 в, 1Э = Ь ма, нсек		500	500
Наибольший ток коллектора, ма		100	100
Наибольшее напряжение коллектор—база при сопро- тивлении в цепи эмиттер—база 10 ком и начальном токе коллектора 1 ма, в 		25	25
Наибольшая рассеиваемая мощность, мет		150	150
313
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в аппаратуре различного назначения.
Параметры транзисторов приведены в табл. 140.
КРЕМНИЕВЫЕ ДИФФУЗИОННЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
2Т301-2Т301Ж (П-р-п)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 276).
Вес 0,5 г.
Интервал рабочих температур от -{-120 до —60е С.
2Т301 - 2Т301Ж
Допустимая относительная влажность
окружающего воздуха 98% при темпе-
ратуре 40° С.
Наибольшие постоянные ускорения
150 g.
Наибольшие ускорения при много-
кратных ударах — 150 g.
Наибольшие ускорения при однократ-
ных ударах 500 g.
Наибольшие ускорения при вибра-
циях с частотами 5—2000 гц 15 g.
Пайка и изгибание выводов разре-
шается на расстоянии не менее 5 мм от
корпуса. При эксплуатации транзисторов
в условиях изменяющейся температуры
необходимо предусматривать в схемах
систему температурной компенсации.
В интервале температур 60—120°С
максимальная рассеиваемая мощность на
коллекторе определяется по формуле
150 — tc
^к. макс = Q^g мет,
Рис. 276. Внешний вид и ос- Где / — температура среды, ® С.
ппнН9ТЧтаЗМ9ТЬчтжаНЗИСТ0" Гарантийный срок хранения 12 лет.
ров 2Г301 - 2Т301Ж	Срок службы 5000 ч
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в усилительных и импульсных уст-
ройствах.
Параметры транзисторов приведены в табл. 141, а характеристики
изображены на рис. 277—280.
ГЕРМАНИЕВЫЕ МИКРОМОДУЛ ЬНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
ТМ-4А-4 — ТМ-4Е-4 (р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
колпачок, устанавливаемый на микромодульной плите, с выводами, рас-
паянными к пазам (см. рис. 233).
Вес 0,8 г.
Интервал рабочих температур от -J-73 до —60° С.
314
Рис. 277. Характеристики транзи-
сторов 2Т301А —2Т301Ж в схеме
с общим эмиттером:
а — входные; б — выходные.
Рис. 278. Характеристики тран-
зисторов 2Т301А — 2Т301Ж
в схеме с общим эмиттером
при температуре 120° С:
а — входные; б— выходные.
Рис. 279. Характеристики транзи-
сторов 2Т301А — 2Т301Ж в схеме
с общей базой:
а — входные; б — выходные.
Рис. 280. Характеристики тран-
зисторов 2Т301А — 2Т301Ж в схеме
с общей базой при температуре
120° С:
а — входные; б — выходные.
co
о •--------------------------------
Параметры
Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмит-
тером при UK = 4-10 6 на частоте 1000 гц ... \
Наибольший модуль передачи тока при UK= 4-10 в,
/э = 3 ма на частоте 20 Мгц..................
Наибольшая частота генерации при 1/к = 4-10в,
/э = 3 ма, Мгц...............................
Наибольший обратный ток коллектора, мка'.
при температуре 20° С и UK = 4-20 в........
при температуре 120° С и UK = -}-10 в . . . .
Наибольшая выходная проводимость при UK =
= 4-Ю в, /э = 3 ма на частоте 1000 гц, мкмо . .
Наибольшая емкость коллекторного перехода при
UK = 4-Ю в на частоте 5 Мгц, пф..............
Наибольшее напряжение в рабочем интервале тем-
ператур, в:
коллектор—база]............................
коллектор—эмиттер..........................
Наибольшее обратное напряжение эмиттер—база
в рабочем интервале температур, в ...........
Наибольший ток эмиттера, ма..................
Наибольшая, рассеиваемая мощность при темпера-
туре корпуса до 60° С, мвт...................
Наибольшая допустимая температура перехода, °C
__________________________Таблица 141
Тип транзистора
2Т301	2Т301А	2Т301Б	2Т301В 		1 2Т301Г	2Т301Д	2Т301Е	2Т301Ж
20—60	40—120	10—32	20—60	10—32	20—60	40—120	80—300
0,7	0,7	1	1	1.5	1,5	1,5	1.5
30	30	30	30	60	60	60	60
40	40	40	40	40	40	40	40
100	100	100	100	100	100	100	100
3	3	3	3	3	3	3	3
10	10	10	10	10	10	10	10
30	30	30	30	30	30	30	30
30	30	30	30	30	30	30	30
3	3	3	3	3	3	3	3
10	10	10	10	10	10	10	10
150	150	150	150	150	150	150	150
+150	+ 150	+ 150	+150	+ 150	+150	+150	+150
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давления от 5 мм рт. ст. до
2 ати. Допускается применение транзисторов при атмосферном давлении
до 1 • 10~в мм рт. ст.
Наибольшее постоянное ускорение 150g.
Наибольшее ускорение при многократных ударах 150g.
Наибольшее допустимое ускорение при вибрациях с частотами
5—2000 гц 10g.
Микротранзисторы монтируются на микромодульных платах размером
9,6 х 9,6 X 3,1 мм и обозначаются буквами ТМ или М. Электроды тран-
зисторов распаиваются по пазам микромодульной платы: 1 — база, 5 —
эмиттер, 8 — коллектор.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в аппаратуре различного назначения
с микромодульным исполнением.
Параметры транзисторов приведены в табл. 142.
Таблица 142
Параметры	Тип транзистора			
	ТМ-4А-4. ТМ-4Б-4	ТМ-4В-4	ТМ-4Г-4, ТМ-4Е-4	ТМ-4Д-4
Предельная частота усиления по току, Мгц		60	60	120	120
Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером . .	20—300	50—600	50—600	90—600
Наибольшее напряжение на кол- лекторе в схеме с общей базой, в		— 15	—15	— 15	—15
Наибольшая рассеиваемая мощ- ность, мет ..........	75	75	75	75
КРЕМНИЕВЫЕ
МИКРОМОДУЛ ЬНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
ТМ-10 —ТМ-11Б (п-р-п)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
колпачок, устанавливаемый на микромодульной плате, с выводами, рас-
паянными к пазам (см. рис. 233).
Вес 0,8 г.
Интервал рабочих температур от -j-120 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давления от 5 мм рт. ст. до
2 ати. Допускается применение транзисторов при атмосферном давле-
нии до 1 • 10-е мм рт. ст.
Наибольшее постоянное ускорение 150g.
Наибольшее ускорение при многократных ударах 150g.
Нанбольшее допустимое ускорение при вибрациях с частотами 5—
*000 гц 10g.
317
	Тип тран-			
Параметры	ТМ-10, ТМ-10В	ТМ-10А	ТМ-10Б	
Предельная частота усиления по току, Мгц		30	30	30	
Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером 		20—60	40—120	10—32	
Наибольшее напряжение на коллекторе в схеме с общей базой, в		20	20	20	
Наибольшая рассеиваемая мощность, мет	150	150	150	
Микротранзисторы монтируются на микромодульных платах разме-
ром 9,6 х 9,6 х 3,1 мм и обозначаются буквами ТМ или М. Электроды
транзисторов распаиваются по пазам микромодульной платы: 1 — база,
5 — эмиттер, 8 — коллектор.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в аппаратуре широкого назначения
с микромодульным исполнением.
Параметры транзисторов приведены в табл. 143.
ГЕРМАНИЕВЫЕ ПЛОСКОСТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
П201(Э)—П203(Э) (р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный кор-
пус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 281).
Вес 8,2 е.
Интервал рабочих температур от 4-70 до —60 °C.
Предельная температура перехода 100° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе при темпера-
туре, большей 65° С, определяется выражением
100 — tK
макс 35 вт’
где 1К—температура коллектора, °C.
Наибольшая перегрузка при вибрации 12 g.
Наибольшие постоянные и ударные перегрузки 150 g.
Транзисторы виброустойчивы в диапазоне частот 10—600 гц.
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению. Для
лучшего теплоотвода транзистор должен быть плотно привинчен к хорошо
шлифованной поверхности теплоотвода.
Основное назначение — усиление электрических сигналов низкой
частоты в выходных каскадах, преобразование напряжения и переклю-
чение.
Таблица 143
	зистора						
	ТМ-10Г	тм-юд	ТМ-10Е	ТМ-10Ж	тм-и	ТМ-11А	ТМ-11Б
	60	60	60	60	о,1	0,5	0,5
	10—32	20—60	40—120	80	9—36	16-60	40—160
	20	20	20	20	20	10	10
	150	150	150	150	150	150	150
F
П201@-П203{э)
Рис. 281. Внешний вид и основные размеры транзисторов
П201 — П203 (Э).
Параметры транзисторов для температуры 20° С приведены в табл.
144—146, а характеристики изображены на рис. 282—285.
Схема переключения (с общим эмиттером)
Ток коллектора, а .........	1
Напряжение на коллекторе, в ... . 30
Сопротивление нагрузки, ом .... 30
Переключаемая мощность, вт ... . 30
319
Таблица 144
Параметры	Тип транзистора			
	П201 (Э) |п201 А(Э)| П202(Э)			| П203(Э)
Предельная частота усиления, кгц . . . Наименьший коэффициент усиления по	100	200	200	200
току	 Наименьший коэффициент усиления по	0,95	0,97	0,95	—
току на предельной частоте 	 Наибольший обратный ток коллектора,	0,7	0,7	0,7	0,7
ма		0,4	0,4	0,4	0,4
Наибольший обратный ток эмиттера, ма	0,4	0,4	0,4	0,4
Наибольший ток коллектора, а .... Наибольшее напряжение коллектор —	1,5	1.5	1,5	1,5
эмиттер, в 	 Наибольшее напряжение коллектор —	22	22	30	30
база, в 	 Наибольшее падение напряжения кол-	30	30	45	60
лектор — эмиттер, в	 Наибольшее напряжение на коллекторе	—	0,5	0,5	0,5
в схеме с общей базой, в	 Наибольшее напряжение на коллекторе	30	30	45	60
в схеме с общим эмиттером, в	 Наибольшая мощность, рассеиваемая на коллекторе, вт:	22	22	30	30
без дополнительного теплоотвода . . .	1	1	1	1
с дополнительным теплоотводом . . .	10	10	10	10
Примечания: I. Не допускается на коллекторе мгновенных напряжений
больших допустимых.
2. Коэффициент усиления по току измерен для схемы с общей базой при корот-
ком замыкании в цепи коллектора по переменному току и UK = —20 в, /к = 0,1 а.
3. Напряжение <7К> э измерено для схемы с общим эмиттером при /д = 0.
4. Напряжение <7К_ д_ макс измерено для схемы с общей базой при /д = 0.
5. Падение напряжения t/K- э измерено для схемы с общим эммитером при
/к = I а и /д = 0,1 а.
Таблица 145
П201(Э), П201А(Э) Однотактная схема (класс А)
Параметры	Схемы включения		
	с общим эмитте- ром	с общей базой	с общим коллек- тором
Ток коллектора, ма 	 Напряжение на коллекторе, в	 Сопротивление нагрузки в цепи коллектора, ом Внутреннее сопротивление источника сигнала, ом Выходная мощность, вт	 Переменное (эффективное) напряжение на вхо- де, мв	 Коэффициент нелинейных искажений, % ... Коэффициент усиления по мощности, дб . . . .	340 —15 45 40 2,5 150 15 25	340 — 15 45 20 2,5 250 7 10	340 — 15 45 1000 2,5 1100 12 15
320
Таблица 146
П202(Э) Однотактная схема (класс А)
Параметры	Схемы включения		
	с общим эмитте- ром	с общей базой	с общим коллек- тором
Ток коллектора, ма 		240	240	240
Напряжение на коллекторе, в		—22	—22	—22
Сопротивление нагрузки в цепи коллектора, ом	100	100	100
Внутреннее сопротивление источника сигнала, ом	40	20	5000
Выходная мощность, вт		2,5	2,5	2,5
Переменное (эффективное) напряжение на вхо-			
де, мв		120	160	17 500
Коэффициент нелинейных искажений, % . . . .	15	5	7
Коэффициент усиления по мощности, дб . . . .	25	13	15
Рис. 282. Вольт-амперные харак-
теристики транзисторов П201 (Э)
и П201А (Э) в схеме с общей базой.
Схема переключения (с общим эмиттером)
Ток коллектора, а............................... 1
Напряжение на коллекторе, в .......... 10
Сопротивление нагрузки, ом .......... 40
Переключаемая мощность, вт . ,..................40
П203(Э) Двухтактная схема (с общим эмиттером)
Напряжение на коллекторе, в.................... 28
Нагрузка в цепи коллектора, ом................. 36
Внутреннее сопротивление источника сигнала, ом 20
Выходная мощность, вт.......................... 10
Коэффициент усиления по мощности, дб........... 20
Коэффициент нелинейных искажений, % . . . .	10
’/4 644
321
Рис. 283, Вольт-амперные характеристики транзисторов П201 (Э)
и П201А(Э) в схеме с общим эмиттером.
Рис. 284. Вольт-амперные характеристики транзисторов П202
и П203:
а — в схеме с общей базой; б — в схеме с общим эмиттером.
Рис. 285. Характеристики транзи-
сторов П201 (Э) — П203 (Э):
а—зависимость относительного коэф-
фициента усиления от частоты; б — зави-
симость наибольшего тоца ‘коллектора
от напряжения коллектор — база; в —
зависимость обратного тока коллектора
от температуры.
ГЕРМАНИЕВЫЕ ПЛОСКОСТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
П209—П210А (р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный кор-
пус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 286).
Вес 37 г.
Интервал рабочих температур от +85 до —60® С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98% при
температуре 40° С.
Устойчивы к многократным циклическим изменениям температуры
окружающей среды от +70 до —60 °C
Рис. 286. Внешний вид и основные размеры транзисторов П209 —
П210А.
323
Наибольшее ускорение при вибрациях 12 g.
Наибольшее постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее ускорение при ударе 120 g.
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению.
Рис. 287. График зависимости
необходимой площади радиатора
(круглого диска с двух сторон)
от величины рассеиваемой мощ-
ности для транзисторов
П209 — П210А.
Рис. 288. График зависимости
наибольшего тока коллектора
от напряжения коллектора для
транзисторов П210А.
Транзисторы должны прочно
привинчиваться к теплоотводя-
щей панели с помощью накид-
ного фланца, придаваемого в
комплект. Режим должен выбираться таким образом, чтобы температура
перехода не превышала 85° С.
При повышении температуры корпуса свыше 25 0 С необходимо умень-
шать предельную мощность, рассеиваемую на коллекторе, на 100 мет на
каждые 10° С.
График зависимости площади радиатора при свободной конвекции
с двух сторон в зависимости от рассеиваемой мощности приведен на
рис. 287.
Не допускается разрыв цепи базы при наличии напряжения на эле-
ктродах.
А®
60
20
о
6
Рис. 289. Характеристики транзис-
тора П210А:
а — область зависимости статического коэф-
фициента усиления от тока коллектора; б —
напряжения лавинного пробоя коллектор —
эмиттер от температуры; в — зависимость
обратного тока коллектора от напряжения
коллектора для транзисторов П2ЮА; г —
зависимость обратного тока коллектора от
температуры.
324
Основное назначение — усиление мощности электрических сигналов
низкой частоты и переключение мощности.
Параметры транзисторов при температуре 20° С приведены в табл. 147,
а характеристики изображены на рис. 288 и 289.
Таблица 147
Параметры	Тип транзистора			
	П209*	П209А*	П210	П210А
Наименьший коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером	15	15	15	15
Наибольший обратный ток коллек- тора, ма		8	8	12	12
Средняя динамическая крутизна пере- ходной характеристики, а/в ....	5,5—10	>9	5,5—10	>9
Наибольшее напряжение отсечки пе- реходной характеристики в схеме с общим эмиттером, в . .	....	-0,3	—0,3	—0,3	—0,3
Внутреннее падение напряжения кол- лектор — эмиттер открытого транзи- стора, в 		0,5—1	0,6	0,5—1	0,6
Наибольший ток коллектора, а . . .	12	12	12	12
Наибольший ток базы, а		0,3	0,3	0,3	0,3
Наибольшее напряжение коллектор— база при разомкнутом эмиттере, в . .	45	45	65	65
Наибольшее напряжение коллектор — эмиттер при коротком замыкании эмит- тера с базой, в 		40	40	60	60
Наибольшая мощность, рассеиваемая при температуре корпуса не более 25° С, вт		60	60	60	60
Наибольшая рассеиваемая мощность, без дополнительного радиатора, вт	1,5	1,5	1,5	1,5
ГЕРМАНИЕВЫЕ ПЛОСКОСТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
П211—П212А {р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный кор-
пус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 290).
1
Рис. 290. Внешний вид и основные размеры транзисторов
П211 — П212А.
325
Вес 14 г.
Интервал рабочих температур от 4-85 до —60° С.
Допустимая, относительная влажность окружающего воздуха 98% при
температуре 40° С.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — усиление электрических сигналов низкой ча-
стоты и переключение мощности.
Рис. 291. Характеристики транзисторов П211—П212А в схеме
с общим эмиттером:
а — входные; б — выходные при температуре 50° С.
Рис. 292. Характеристики транзисторов П211—П212А в схеме
с общей базой:
а — входные; б — выходные при температуре 50° С.
а
32b
Параметры транзисторов при температуре 20е С приведены в табл. 148,
а характеристики изображены на рис. 291 и 292.
Таблица 148
Параметры	Тип транзистора		
	П211	П212	П212А
Предельная частота усиления, Мгц . .	1	1	1
Коэффициент усиления по току в схе- ме с общим эмиттером		50—150	20—60	50—150
Наибольший коэффициент усиления при больших уровнях в схеме с общим эмиттером		10	10	10
Наибольшее сопротивление насыще- ния, ом		1	1	1
Наибольший обратный ток коллекто- ра, мка	 Наибольший обратный ток эмиттера, мка		50	50	50
	10	10	10
Наибольший ток в режиме переклю- чения, а	 Наибольшее напряжение коллектор — база, в 		0,5	0,5	0,5
	50	70	70
Наибольшая рассеиваемая мощность, вт		0,75	0,75	0,75
КРЕМНИЕВЫЕ СПЛАВНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ П302—П306А (р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический
герметизированный корпус со стеклянными изоля-
торами и жесткими выводами (рис. 293).
Вес 9 г.
Интервал рабочих температур от +130 до
—60° С.
Допустимая относительная влажность окружаю-
щего воздуха 98% при температуре 40° С.
Интервал изменения атмосферного давления от
5 мм рт. ст. до 2 ати.
Транзисторы прочно крепятся к теплоотво-
дящей панели с хорошо отшлифованной поверх-
ностью при помощи винтов или крепежного фланца.
Для снижения теплового сопротивления между
корпусом транзистора и шасси контактирующие
поверхности рекомендуется смазать невысыхающим
маслом либо транзистор припаять к шасси припоем
с температурой плавления не выше 120° С.
Во время работы температура перехода не
должна превышать 150° С.
При повышении температуры окружающей сре-
ды свыше 100° С на каждые 10° С необходимо
снижать мощность рассеивания на 40 мет.
Рис. 293. Внешний вид и основные размеры тран-
зисторов П302 — П306А,
П302-П306А
11+-S/4 544
327
Таблица 149
Параметры	Тип транзистора					
	П302	пзоз	П303А	| П304	| П306	| П306А
Предельная частота усиления по току, кгц 		200	100	100	50	50	50
Наименьший статический коэф- фициент усиления по постоян-						
ному току в схеме с общим эмиттером при UK э = — 10 в						
и /э = 300 ма, при температуре:						
+20° С	10	6	6	5	7	7
—60°С	6	3,5	3,5	3	4	4
Наименьшее входное напряже- ние при UK б = — 20 в и /э =						
= 120 ма, в		6	10	2,5—4	10	6	4
Наименьший обратный ток кол- лекторного перехода при ра- зомкнутом эмиттере, мка . . .	100	100	100	100	100	100
Наибольший начальный ток	1		1	1		
коллектора, ма 			1			1	1
Наибольшее сопротивление на- сыщения при температуре от —60 до 4-120° С, ом		—	30	30	30	20	20
Наибольший ток эмиттера, ма Наибольший ток коллектора	500	500	500	500	500	500
без дополнительного радиато- ра, ма		500	500	500	500	400	400
Наибольший ток базы, ма . . . Наибольшее напряжение кол-	200	200	200	200	—	—
лектор—эмиттер, в, при тем- пературе:						
4-150°С 		18	30	30	40					
—60°С		30	50	50	80	50	50
в диапазоне температур 20 — 100° С 		35	60	60	80	60	60
Наибольшая мощность рассей-						
вания:						
без дополнительного ра-						
диатора 	 с дополнительным радиато-	2	2	2	2	1	1
ром при температуре кор- пуса до 50° С 		8	10	10	10	10	10
Тепловое сопротивление, град/впг 		10	10	10	10	10	10
328
При температуре свыше 50° С и внешнем радиаторе максимальная
мощность рассеивания на коллекторе рассчитывается по формуле
_150-'с
“к. макс	ю
где t0 — температура среды, °C.
Время установления температуры корпуса 10 мин без внешнего ради-
атора и 30 мин с внешним радиатором.
При понижении атмосферного давления до 5 мм рт. ст. мощность
рассеивания необходимо снизить на 50%. При повышении температуры
перехода свыше 100° С необходимо на каждые 10° С снижать на 10%
предельное напряжение коллектор — эмиттер. При понижении темпера-
туры до —60° С необходимо снижать напряжение на 10—15%.
Рис. 294. Выходные характеристики транзисторов П302 — П304 в схеме
о общим эмиттером.
При наличии в эксплуатации ускорений более 2g транзистор необ-
ходимо крепить за корпус.
Наибольшее постоянное ускорение 150g.
Наибольшее ударное ускорение 150g.
Наибольшее ускорение при вибрациях с частотами 5—2000 гц 15g.
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению.
Таблица 150
Двухтактный усилитель по схеме с общим эмиттером
Параметры	Класс в	Класс АВ
Напряжение питания коллектора, в		60	60
Сопротивление коллекторной нагрузки, ом ... .	180	180
Внутреннее сопротивление источника сигналов,ом	100	60
Мощность, отдаваемая нагрузке, вт		10	10
Напряжение смещения база — эмиттер, в ....	0	10
Коэффициент нелинейных искажений не более, %	15	6—10
Коэффициент усиления по мощности, дб		15—20	20—25
11+3/?
329
Рис. 295. Характеристики транзисторов П302 — П304:
а — зависимость предельно допустимой мощности рассеивания от темпера-
туры (/—радиатор размером 120К120Х4 мм; 2 — без радиатора); б — зави-
симость площади радиатора, необходимой для охлаждения, от мощности
рассеивания в условиях свободной конвекции воздуха при постоянной темпе-
ратуре перепада переход — среда.
Рис. 296. Характеристики транзисто-
ров:
а — зависимость относительного коэффи-
циента усиления от температуры корпуса;
б —• зависимость коэффициента усиления от
тока коллектора.
Таблица 151
Параметра	Тип транзистора							
	1Т403А	| 1Т403Б	| 1Т403В	1Т403Г	| 1Т403Д	| 1Т403Е	| 1Т403Ж	1 1Т403И
Коэффициент усиления по току при /к = 100 ма, UK = — 5 в		20—60	50—150	20—60	50—150	50—150			20—60	50—150
Наибольшее входное напряжение при /к = 450 ма, в		0,8	0,65	0,8	0,8	0,8	0,8	0,8	0,8
Наименьшая предельная частота уси-								
ления по току в схеме с общим эмиттером при /к = 100 ма, UK =								
= — 5 в, кгц	 Выходная проводимость при наи-	8	8	8	8	8	8	8	8
большем напряжении коллектор — эмиттер, мкмо	 Наибольший обратный ток коллек-	250	250	250	250	250	250	250	250
тора при наибольшем напряжении коллектор — база, мка, при темпе-								
ратуре:							50	
20° С		50	50	50	50	50	50		50
70е С		800	800	800	800	800	800	800	800
Наибольший обратный ток коллек- тор — эмиттер при наибольшем на-							6000	6000
пряжении коллектор — эмиттер, мка Наибольший обратный ток эмиттер —	5000	5000	5000	5000	5000	5000		
								
база при наибольшем напряжении эмиттер — база, мка	 Наибольшее тепловое сопротивление	50	50	50	50	50	50	70	70
между переходом и теплоотводом				15			15	
при Р с =1 вт, град/вт	 оэ со		15	11		15	12		15
Продолжение таблицы 151
8 8
1-м О
Основное назначение — усиление и
переключение мощности при повышенных
температурах.
Параметры транзисторов приведены
в табл. 149 и 150, а характеристики
изображены на рис. 294—300.
Рис. 297. Характеристики тран-
зистора П306 в схеме с общим
эмиттером:
а — входные; б — выходные.
Рис. 298. Характеристики транзи-
стора П306 в схеме с общей базой:
а — входные; б — выходные.
ГЕРМАНИЕВЫЕ СПЛАВНЫЕ
ТРАНЗИСТОРЫ 1Т403А—1Т403И (р-П-р)
Конструктивное оформление — метал-
лический герметизированный корпус со
стеклянными изоляторами и жесткими
выводами (рис. 301).
Вес 4 г.
Интервал рабочих температур от 4-70
до —60° С.
332
Рис. 299. Характеристики транзистора П306А в схеме с общим
эмиттером:
а — входные; б — выходные.
Рис. 300. Характеристики транзистора П306А в схеме с общей
базой:
а — входные; б — выходные.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40°С.
Максимальная мощность рассеивания на коллекторе определяется
по формуле
р JLzh,
к. макс р
где /?т — тепловое сопротивление транзистора без теплоотвода, равное
100 град! от.
Рис. 301. Внешний вид и основные размеры транзисторов
1Т403А — 1Т403И.
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению.
Основное назначение — работа в схемах усилителей низкой частоты,
преобразователей и стабилизаторов постоянного
напряжения.
Параметры транзисторов приведены в табл. 151.
ГЕРМАНИЕВЫЕ СПЛАВНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
ГТ402А И ГТ402Б (р-п-р}
Конструктивное оформление — металлический
герметизированный корпус со стеклянными изоля-
торами и гибкими выводами (рис. 302).
Интервал рабочих температур от 4-55 до
—20° С.
Допустимая относительная влажность окру-
жающего воздуха 98% при температуре 40° С.
При температуре свыше 25° С максимальная
рассеиваемая мощность на коллекторе определяет-
ся по формуле
п	85
^к. макс од мвт,
где ta — температура среды, °C.
Рис. 302. Внешний вид и основные размеры тран-
зисторов ГТ402А и ГТ402Б.
334
Транзисторы обладают малой зависимостью статического коэффи-
циента усиления по току от тока эмиттера.
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению.
Основное назначение — работа в выходных каскадах УНЧ приемни-
ков.
Параметры транзисторов приведены в табл. 152, а характеристики
изображены на рис. 303.
Рис. 303. Характеристики транзисторов FT402A и ГТ402Б:
а — зависимость статического коэффициента усиления от тока эмиттера; б —
зависимость допустимой мощности рассеивания от площади пластинчатого радиа-
тора! в — выходная для схемы с общим эмиттером.
Таблица 152
Параметры	Тип транзистора	
	ГТ402А	ГТ402Б
Предельная частота передачи тока в схеме с об- щим эмиттером при UK = — 1 в, /э = 3 ма, кгц	15	15
Наименьший статический коэффициент усиления по току при UK = 1 в, /э = 3 ма		30—80	60—150
Относительное изменение статического коэффици- ента усиления по току при изменении тока эмит- тера 3—300 ма 		0,7—1,4	0.7—1,4
Наибольший обратный ток коллектора при UK = = — 10в, мка		25	25
Наибольшее напряжение коллектор — эмиттер при сопротивлении в цепи базы 200 ом и температу- ре 55° С, в 		25	25
Наибольшее напряжение эмиттер — база при ра- зомкнутом коллекторе и /б = 2 ма, в		0,42	0,42
Наибольший ток коллектора, ма		500	500
Наибольшая рассеиваемая мощность, мвт ....	600	600
Наибольшая допустимая температура перехода, °C	85	85
335
ГЕРМАНИЕВЫЕ КОНВЕРСИОННЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
П601—П602А (р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 304).

N V
9/5,5-
к
Л
11-
Вес 14 г.
Интервал рабочих температур от 4-70 до
—60° С.
Допустимая относительная влажность окру-
жающего воздуха 95 ± 3% при температуре 40° С.
Интервал изменения относительного давления
от 5 мм рт. ст. до 2 ати.
При повышении температуры корпуса свыше
75° С максимальная мощность рассеивания на кол-
лекторе рассчитывается по формуле
р _ 85 ^кор
^к. макс 2 вгп'
П605-П606А
П601 ~П6О2Л
постоянное ускорение 150g.
ускорение при ударе 120g.
ускорение при вибрациях с часто-
12g.
где fKop — температура корпуса, °C.
Наибольшее
Наибольшее
Наибольшее
тами 5—2000 гц
Рабочее положение должно благоприятствовать
охлаждению.
Основное назначение — усиление и генериро-
вание электрических колебаний высокой частоты
и работа в импульсных схемах.
Параметры транзисторов приведены в табл. 153,
а характеристики изображены на рис. 305—307.
Рис. 304. Внешний
вид и основные раз-
меры транзисторов
П601 — П602А,
П605 — П606А.
Рис. 305. Характеристики транзисторов П601—П602А в схеме с об-
щим эмиттером:
а — входные; б — выходные.
336
Рис. 306. Характеристики транзисторов П601 — П602А:
а — зависимость относительного коэффициента усиления от частоты; б —
зависимость емкости коллектора от напряжения коллектор — база.
Рис. 307. Характеристики тран-
зистора:
а — зависимость обратного тока коллек-
тора от температуры перехода для
П601 — П602А; б — зависимость коэффи-
циента усиления от тока коллектора для
П601Б, П602А; в — зависимость коэффи-
циента усиления от температуры для
П601 - П602А.
-Ю -20 0 20 40 60 80t^C
в
ГЕРМАНИЕВЫЕ КОНВЕРСИОННЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
П604—П604Б (р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и жесткими выводами (рис. 308).
Интервал рабочих температур от +85 до —60е С.
Допустимая относительная
влажность окружающего воз-
духа 98% при температуре
40° С.

Рис. 308. Внешний вид и основные
размеры транзисторов П604.
Рабочее положение должно
благоприятствовать охлажде-
нию.
Срок службы 10000 ч.
Основное назначение — ра-
бота в импульсных и переклю-
чающих схемах.
Параметры транзисторов
приведены в табл. 154.
ГЕРМАНИЕВЫЕ КОНВЕРСИОН-
НЫЕ ИМПУЛЬСНЫЕ ТРАНЗИ-
СТОРЫ П60Б—П606А (р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (см. рис. 304).
Вес 14 г.
Интервал рабочих температур от +70 до —60° С
Рис. 309. Характеристики транзисторов П605 — П606А:
а — зависимость коэффициента усиления от тока коллектора; б — зави-
симость емкости коллектора от напряжения коллектор — база.
Допустимая относительная влажность воздуха 98% при температуре
40° С.
Интервал изменения атмосферного давления от 5 мм рт. ст. до
2 ати.
338
Таблица 153
Параметры	Тип транзистора				
	П601 |	П601А |	П601Б	П602	П602А
Предельная частота усиления по то- ку, Мгц	 Коэффициент усиления по постоян- ному току при UK = — 10 в, /к=0,5а	20	20	20	20	20
	>20-	40—	80—	40—	80—
	40	100	200	100	200
Наименьший коэффициент усиления по мощности в схеме усиления клас- са В с общим эмиттером при Ра = = 1 вт, UK = 15 в и частоте 2 Мгц, дб	10	10	10	10	10
Наибольший обратный ток коллектор- ного перехода при UK 6 — — 10 в, мка, при температуре: 20° С		200	100	130	100	130
70° С		6000	6000	6000	6000	6000
Наибольшая емкость коллекторного перехода при UK б = — 10 в, пф . . .	200	200	200	200	200
Наибольшая постоянная времени при UK — — 10 в, 1к = 0,1 а, на частоте 5 Мгц, нсек		500	500	500	500	500
Наибольшее сопротивление насыще- ния при /к = 1 а, ом		3	3	3	3	3
Н аибольшее напряжение коллектор — база при отключенном эмиттере, в . .	25	30	25	30	25
Наибольшее напряжение коллектор — эмиттер при отключенной базе, в . . .	12	15	12	15	12
Наибольшее напряжение коллектор — эмиттер при сопротивлении в цепи базы 500 ом, в		25	30	25	30	25
Наибольшее напряжение эмиттер — база при отключенном коллекторе, в	0,5	0,5	0,5	0,5	0,5
Наибольшая мощность рассеивания, вт: без радиатора 		1	1	1	1	1
с радиатором площадью 300	и толщиной 5 мм		5	5	5	5	5
Наибольший ток коллектора, а . . . Тепловое сопротивление, град/вт . .	1	1	1	1	1
	2	2	2	2	2
Таблица 154
Параметры	Тип транзистора		
	П604	П604А	П604Б
Статический коэффициент усиления по току	 Наибольшее начальное напряжение кол- лектор — эмиттер при /к = 200 ма, I б = == 30 ма, в		10 0,5	20—50 0,5	40—100 0,5
339
Продолжение табл. 154
Параметры	Тип транзистора		
	П604	П604А	П604Б
Наибольшее начальное напряжение база— эмиттер при тех же условиях, в ... .	1,5	1,5	1,5
Наибольшее время включения, мксек	1,5	0,8	0,8
Наибольшее время выключения, мксек	3,0	2,0	2,0
Наибольшее напряжение коллектор— эмиттер при внешнем сопротивлении цепи база — эмиттер не более 100 ом, в	45	45	45
Наибольшее обратное напряжение эмит- тер — база при /к = 0, в		15	15	15
Наибольший ток коллектора в режиме переключения при длительности импуль- са до 10 мксек и скважности не менее 2, ма		500	500	500
Наибольший ток эмиттера в режиме пе- реключения длительности импульса до 10 мксек и скважности 2, ма		550	550	550
Наибольший статический ток коллектора в режиме насыщения, ма		200	200	200
Наибольшая средняя мощность, мет, рассеиваемая на коллекторе в режиме переключения при температуре: от —60 до -f-25° С		400	400	400
25 — 50° С		300	300	300
4-70°С 		100	100	100
При температуре окружающей среды свыше 20 ± 5° С и площади
радиатора 300 см2 максимальная мощность рассеивания на коллекторе
рассчитывается по формуле
Р
к. мако
85 -tc
зо em’
гдй tQ — температура среды, D С.
При использовании транзисторов без радиаторов мощность рассеива-
ния уменьшается относительно значения при 20° С на 0,16 вт на каж-
дые 10° С увеличения температуры.
Наибольшее постоянное ускорение 150g.
Наибольшее ускорение при вибрациях с частотами 5—200 гц 20g.
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению.
Основное назначение — работа в быстродействующих импульсных
схемах.
Параметры транзисторов приведены в табл. 155, а характеристики
изображены на рис. 309—312.
340
Таблица 155
Параметры	Тип транзистора			
	П605	П605А	П606	П606А
Коэффициент усиления по току в им- пульсном режиме при UK = 35 в	20—60	50—120	20—60	50—120
Наибольший обратный ток коллекто-				
ра, ма, при температуре: 20° С					
	2	2	2	2
70° С 		 Наибольший начальный ток коллек-	8	8	8	8
тора при 17к э = 40 в, R6 = 100 ом, ма Наибольший обратный ток . эмиттера при U3 б = 1 в, ма, при температуре:	3	3	3	3
20° С		1	1	1	1
70° С		2	2	2	2
Наибольшее напряжение коллектор — эмиттер насыщенного транзистора при				
/к = 0,5 a, UK = 35 в и А?к = 64 ом, в Наибольшее время нарастания им-	2	2	2	2
пульса тока коллектора при ти = — 5 мксек, 1к = 0,5 а, /б = 60 ма, Ru = 36 ом, мксек	 Наибольшее время нарастания тока	0,3	0,35	0,3	0,35
коллектора при тех же услови- ях, мксек	 Наибольшая емкость при Uv 6 =	3	3	3	3
= 20 в, пф		130	130	130	130
Наибольшая постоянная времени при б = 20 в, 1к = 50 ма, нсек ....	500	500	500	500
Наибольшая амплитуда тока коллек- тора, а .............. Наибольшая амплитуда импульса то-	1,5	1,5	1,5	1,5
ка базы при температурах 20— 70° С, а		0,5	0,5	0,5	0,5
Наибольшее напряжение коллектор —	45	45		35
база при отключенном эмиттере, в Напряжение на коллекторе, при ко-			00	
				
тором коэффициент усиления по то-	35		35	
ку меньше единицы, в			00		оо
Наибольшее напряжение коллектор —			35	
эмиттер закрытого транзистора, в . . Наибольшее обратное напряжение		40		40
				
эмиттер — база при температурах 20—70° С, в			0,5	0,5	0,5	0,5
Наибольшая мощность рассеива-				
ния, вт:			0,5	0,5
без радиатора 		0,5	0,5		
с радиатором размером 50 х 50 х X 5 мм		3	3	3	3
Тепловое сопротивление, град^вт	2	2	2	2
341
Рис. 310. Характеристики транзисторов П605 — П606А в схеме
с общим эмиттером:
а — входные; б — выходные.
Рис. 311. Характеристики транзисторов П605 — П606А:
а — зависимость обратного тока эмиттера от напряжения на эмиттере; б —
зависимость обратного тока коллектора от напряжения на коллекторе.
а
Рис. 312. Зависимость коэффициента усиления от тем-
пературы для транзисторов П605 — П606А.
КРЕМНИЕВЫЕ СПЛАВНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
П701—П701Б (п-р-п)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и жесткими выводами (рис. 313).
Вес 12 г.
Интервал рабочих температур от
Допустимая относительная влаж-
ность окружающего воздуха 98% при
температуре 40® С.
Интервал изменений атмосферного
давления от 5 мм рт. ст. до 3 ати.
Наибольшее постоянное ускорение
150 g.
Наибольшее ускорение при мно-
гократных ударах 150 g.
Наибольшее ускорение при одно
кратных ударах 500 g.
Наибольшее допустимое ускоре-
ние при вибрациях с частотами 5—
2000 гц 15 g.
Максимальная рассеиваемая мощ-
ность на коллекторе в интервале тем-
ператур 50—130° С определяется по
формуле
р _150“гкорй
^к. макс	1Q  вт,
до —60® С.
Э Б К
П701-П701Б
Рис. 31'3. Внешний вид и основ-
ные размеры транзисторов
П701 — П701Б.
где £кор — температура корпуса, ® С.
Пайка выводов разрешается на
расстоянии не менее 5 мм от кор-
пуса. Для повышения надежности
при эксплуатации транзисторов в ин-
тервале температур 50—100° С рекомендуется снижать нагрузку на 30%
от допустимой.
Гарантийный срок хранения 12 лет. Срок службы 10000 ч.
Рис. 314. Характеристики тран-
зистора П701 в схеме с общим
эмиттером:
в — входные; б — выходные.
Рис. 315. Характеристики тран-
зистора П701А в схеме с общим
эмиттером:
а — входные; б — выходные.
343
Таблица 156
Параметры	Тип транзистора		
	П701	П701А	Г1701Б
Предельная частота коэффициента пере- дачи тока, Мгц 		 Статический коэффициент передачи тока при UK = 4-10 в, /к =~ 0,5а		20	20	
	10—40	15—60	30—100
Наибольший модуль коэффициента пере- дачи тока при UK = 4-20 в и /к = 0,1 а на частоте 5 Мгц 		2,5	2,5	2,5
Наибольший обратный ток коллектора при наибольшем напряжении, мка .	100	100	100
Начальный ток коллектора при сопро- тивлении в цепи база—эмиттер 100 ом, ма: при температурах +20° С и —60° С (UK =•= 4-50 в для П701 и UK = 4-70 в для П701А)		0,5	0,5	
при температуре 120° С (UK а= 4-35 в для П701 и UK => 4-50 в для П701А)	5	5	—
Наибольший обратный ток эмиттера при Уэ = 4-3 в, ма			3	3	3
Наибольшее входное напряжение при £7К = 4-Ю в, /к = 0,5 а, в	...	4	4	4
Наибольшее напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=0,5 а, /б = 0,1 Q, 8			7	7	7
Наибольшее напряжение коллектор — база в интервале температур от + 100 до —60° С, в .			40	60	35
Наибольшее напряжение коллектор — эмиттер в интервале температур от 4-100 до —60° С, в: постоянное 		40	60	35
в режиме переключения при токе в импульсе не менее 0,5 а		30	50	—
Наибольшее напряжение эмиттер — база в интервале температур от 4-80 до —60° С, в			2	2	2
Наибольший ток коллектора, а: в режиме усиления		0,5	0,5	0,5
в импульсном режиме	'	. .	1	1	1 0,7
Наибольший ток эмиттера, а		0,7	0,7	
Наибольшая рассеиваемая мощность, вт: без теплоотвода при температуре до 65° С 		1	1	1
с теплоотводом при температуре кор- пуса до 55“ С		10	10	10
с теплоотводом при температуре кор- пуса 130° С		2	2	2
344
Продолжение табл. 156
11араметры	Тип транзистора		
	П701	11701А	П701Б
Наибольшее тепловое сопротивление, град/вт\ переход — корпус		10	10	10
переход — среда		85	85	85
Наибольшая допустимая температура перехода, ’С		150	150	150
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению.
Основное назначение — работа в усилительных и импульсных устрой-
ствах.
Параметры транзисторов приведены в табл. 156, а характеристики
изображены на рис. 314 и 315.
ГЕРМАНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ П607—П609Б
(Р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Крепится
к шасси с помощью накидного фланца (рис. 316).
Вес 12 г.
Интервал рабочих температур от -{-70 до —60° С.
Рис. 316. Внешний вид и основные размеры транзисторов П607 —
П609Б.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Интервал изменения атмосферного давления от 5 мм рт. ст. до
3 ати.
При температуре корпуса выше 35° С предельно допустимая мощ-
ность рассеивания должна снижаться на каждые 10° С на 290 мет.
345
Параметры	
	П607
Наибольший начальный ток коллектора при UK = —25 в, R6 э = 100 ом, ма	0,5
Наибольший обратный ток коллектора при UK = 30 в, ма, при температуре: 20’ С 		0,3
70° С 			3
Наибольший обратный ток эмиттера при UK = —1,5 в, ма, при температуре: 20° С 		0,5
70° С 		2
Статический коэффициент усиления по току при UK э = —3 в, /к = 250 ма, ти = 5 мксек и / = 1 кгц		20—80
Наибольшее значение модуля коэффи- циента усиления по току на частоте 20 Мгц при UK = —10 в, 1э = 50 ма	3
Наибольшее напряжение насыщения при /к = 200 ма и степени насыщения 2—5, в: коллектор — эмиттер		2
база — эмиттер		0,6
Наименьшее напряжение переворота фазы базового тока при /э = 100 ма, ти = 5 мксек и / = 1 кгц, в		25
Таблица 157
Тип транзистора
П607А	|	П608	| П608А	| П608Б	|	П609	| П609А	| П609Б
0,5	0,5	0,5	0,5	0,5	0,5	0,5
0,3	0,3	0,3	0,5	0,3	0,3	0,5
3	3	3	5	3	3	5
0,5	0,5	0,5	0,5	0,5	0,5	0,5
2	2	2	2	2	2	2
)—200	40—120	80—240	40—120	40—120	80—240	80—240
3	4,5	4,5	4,5	6	6	6--
2	2	2	2	2	2	2
0,6	0,6	0,6	0,6	0,6	0,6	0,5
25	25	25	40	25	25	40
Продолжение табл. 157
Параметры	Тип транзистора							
	П607	I П607А	|	П608	| П608А	П608Б	|	П609	П609А	П609Б
Наибольшая постоянная времени цепи обратной связи при UK =—10 в, f = = 5 Мгц и /э = 100 ма, нсек		500	500	500	500	500	500	500	500
Наибольшая емкость перехода при / = 5 Мгц, пф: коллектора при UK=—10 в		50	50	50	50	50	50	50	50
эмиттера при U3 = —0,5 в		500	500	500	500	500	500	500	500
Наибольшее время рассеивания в схеме с общим эмиттером при /э 200 ма, ти = 5-г-10 мксек, f= 1 кгц и степени насыщения 2—5, мксек		3	3	3	3	3	3	3	3
Наибольшее напряжение, в: коллектор — база			30	30	30	30	50	30	30	50
коллектор—эмиттер при температуре:	25	25	25	25	40	25	25	40
70° С 		20	20	20	20	30	30	20	30
Наибольшее обратное напряжение эмит- тер — база, в 		1,5	1,5	1,5	1,5	1,5	1,5	1,5	1,5
Наибольший ток коллектора, ма: постоянный		300	300	300	300	300	300	300	300
импульсный в режиме переключения	600	600	600	600	600	600	600	600
Наибольший импульсный ток базы, ма	150	150	150	150	150	150	150	150
Наибольшая рассеиваемая мощность при температуре корпуса от —60 до 4-40° С и UK = —20 в, вт		1,5	1,5	1,5	1,5	1,5	1,5	1,5	1,5
Наибольшая температура перехода, °C Ж	85	85	85	85	85	85	85	85
Нельзя применять транзисторы в схемах, в которых сопротивление
между базой и эмиттером более 5 ком.
Наибольшее постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее многократное ударное ускорение 150 g.
Наибольшее ускорение при вибрациях с частотами 5—2500 гц 15 g.
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению.
Основное назначение — работа в различной радиоэлектронной аппа-
ратуре.
Параметры транзисторов приведены в табл. 157, а характеристики
изображены на рис. 317 и 318.
Рис. 317. Характеристики
в схеме с общим эмиттером:
а — входные; б — выходные.
Рис. 318. Область изменения характеристик транзисторов П607—
П609Б:
а — коэффициента усиления от тока коллектора; б — коэффициента усиле-
ния от температуры; в — допустимой рассеиваемой мощности от температуры
корпуса.
КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ КТ601А
(п-р-п)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 319).
Вес 4 г.
Интервал рабочих температур от +55 до —20° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Наибольшее ускорение при многократных ударах 50 g.
Наибольшее ускорение при вибрациях с частотами 10—70 гц 3 g.
348
Пайка и изгибание выводов разрешена на расстоянии не менее 5 мм
от корпуса. Изгибать выводы необходимо на специальных шаблонах.
Для повышения надежности рекомендуется применять транзисторы при
нагрузках на 20% ниже допустимых.
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению.
Основное назначение — работа в аппаратуре различного назначения.
КТ 60! А
и основные размеры
транзисторов КТ602.
КТ602А-КТ602Б
Параметры транзистора КТ601А
Наименьший коэффициент передачи тока при t/K =
= +20 в, /э = 10 ма на низкой частоте.....	16
Модуль коэффициента передачи тока при t/K=+20 в,
/э= 10 ма на частоте 20 Мгц.................. 2
Наибольший начальный ток коллектора, мка:
при UK = 50 в ................	50
при UK = 100 в........................... 500
Наибольший обратный ток эмиттера при U3=+2 в, мка 50
Наибольшая емкость коллекторного перехода при
UK = +20 в на частоте 5 Мгц, пф............. 15
Наибольшая постоянная времени цепи обратной свя-
зи при UK = +50 в, /э = 6 ма, нсек......... 600
Наибольший ток коллектора, ма............... 30
Наибольший ток базы, ма..................... 30
Наибольшее напряжение эмиттер — база, в . . . .	+2
Наибольшее напряжение коллектор—база и коллек-
тор— эмиттер, в....................»• • • +100
Наибольшая рассеиваемая мощность, мвт ....	500
Наибольшая допустимая температура перехода, 0 С 150
12 544
319
КРЕМНИЕВЫЕ ДИФФУЗИОННЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
КТ602А и КТ602Б (п-р-п)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 320).
Интервал рабочих температур от +85 до —40° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 95—98%
при температуре 40° С.
Наибольшее линейное ускорение 25 g.
Наибольшее ускорение при многократных ударах 75 g.
Наибольшее, ускорение при вибрациях с частотами 10—600 гц 7,5 g.
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению.
Основное назначение — генерирование и усиление сигналов в устрой-
ствах различного применения.
Параметры транзисторов приведены в табл. 158, а характеристики
изображены на рис. 321.
Таблица 158
Параметры	Тип транзистора	
	КТ602А	КТ602В
Предельная частота коэффициента передачи тока при (7К Э = +Ю в, /к = 25 ма, Мгц		150	150
Статический коэффициент передачи тока при UK б =		более
= +10 в, /э = 10 ма	 Начальный ток коллектора при t/K э = +100в и со-	20—80	50
противления в цепи эмиттер—база 10 ом, мка	 Обратный ток коллектора при UK б = +120 в, мка . .	100	100
	70	70
Емкость коллекторного перехода при UK б = +50 в		
на частоте 2 Мгц, пф	 Емкость эмиттерного перехода при (7Э б = 0 в на ча-	4	4
сто те 2 Afety, пф	 Напряжение коллектор—эмиттер при /к = 50 ма, /б =	25	25
= 5 ма, в ...................... Постоянная времени цепи обратной связи при UK б =	3	3
= +10 в, /к = 10 ма на частоте 2 Мгц, нсек		300	300
Наибольший ток коллектора в импульсе, ма . . . « . .	500	500
Наибольший постоянный ток коллектора, ма		80	80
Наибольшее напряжение коллектор—эмиттер при сопро- тивлении в цепи эмиттер—база 1000 ом в интервале температур от +70 до —40° С, в		+ 100	+ 100
Наибольшее напряжение эмиттер—база в интервале тем- ператур от +120 до —40° С, в		—5	—5
Наибольшее напряжение коллектор—база в интервале температур от +70 до —40° С, в		+ 120	+ 120
Наибольшее тепловое сопротивление переход—корпус, град/вт		45	45
Наибольшая рассеиваемая мощность, вт:	2,8	2,8
с радиатором при температуре корпуса 20® С . . . .		
с радиатором при температуре корпуса 85® С . . . .	0,65	0,65
без радиатора при температуре корпуса 85®С ....	0,2	0,2
Наибольшая допустимая температура корпуса, °C . , .	120	120
350
Рис. 321. Характеристики транзисторов КТ602 в схеме с общим
эмиттером:
а — входные; б — выходные.
a
КРЕМНИЕВЫЕ МЕЗА-ПЛАНАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
КТ605А и КТ605Б (п-р-п)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 322).
Интервал рабочих температур от -j-lOO до —25° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40® С.
Наибольшее постоянное ускорение 25 g.
Наибольшее ускорение при многократных ударах 75 g.
Наибольшее ускорение при вибрациях с частотами 10—600 гц 7,5 g.
Рабочее положение должно благо-
приятствовать охлаждению.
Основное назначение — работа в уст-
ройствах различного назначения, а также
Рис. 322. Внешний вид и основные раз-
меры транзисторов КТ605.
в операционных усилителях, генераторах
развертки электростатических трубок,
преобразователях напряжения и т. п.
Параметры транзисторов приведены
в табл. 159, а характеристики изображе-
ны на рис. 323.
КТ605А, КТ605Б
12*
351
Рис. 323. Характеристики транзисторов КТ605А и КТ605Б для
схемы с общим эмиттером:
а — входные; б — выходные.
Таблица 159
Параметры	Тип транзистора	
	КТ605А	КТ605Б
Статический коэффициент передачи тока при UK б = = —40 в, /э = 20 ма		10—40	30—120
Начальный ток коллектора при UK э = —250 в, мка	50	50
Обратный ток эмиттера при U3 б = -|-5 в, мка . . .	100	100
Емкость эмиттерного перехода при U3 б = 0 в, пф	50	50
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при /к — 20 ма, /б = 2 ма, в		8	8
Наибольший импульсный ток коллектора, ма . . . . Наибольшее напряжение коллектор-эмиттер при	200	200
сопротивлении в цепи эмиттер—база 1000 ом в ин- тервале температур от 4*100 до —25° С, в		250	250
Наибольшее напряжение коллектор—база в интерва- ле температур от 4*100 до —25° С, в	 Наибольшая рассеиваемая мощность при температуре	300	300
4-20° С, вт		0,4	0,4
Наибольшее тепловое сопротивление переход—среда, град/вт		300	300
Наибольшая допустимая температура перехода, С .	150	150
ГЕРМАНИЕВЫЕ ПЛОСКОСТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
П4А(Э)—П4Д(Э) (р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 324).
Вес 14 г.
Интервал рабочих температур от 4-70 до —60° С.
352
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давления 5—800 мм рт. ст.
Предельно допустимый ток базы 1,2 а.
В схемах необходимо предусматривать меры по ограничению тока
базы при случайном включении коллектора.
Вывод коллектора транзистора соединен с корпусом, поэтому для
схем включения с заземленным эмиттером и заземленной базой необхо-
димо предусматривать дополнительную изоляцию корпуса триода от
шасси.
Рис. 324. Внешний вид и основные размеры
транзисторов П4А (Э) — П4Д (Э).
=о»=э
ПЧЬ -ПЧД



При температурах окружающей среды больше 25° С значение пре-
дельно допустимой мощности рассеивания на коллекторе определяется
выражением
к. макс ‘ § вт’
где /кор — температура корпуса транзистора, °C.
Типовые параметры в различных режимах усиления приведены в
табл. 160.
Для увеличения рассеиваемой мощности на корпус транзистора наде-
вается дополнительный радиатор, площадь которого должна быть не
менее 12 см2 на 1 вт рассеиваемой мощности.
Предельные значения рассеиваемой мощности с дополнительным
радиатором определяются температурой окружающей среды.
При температуре 30° С дополнительно -может быть рассеяна мощ-
ность 25 вт, а при температуре 50° С — только 15 вт.
Предельно допустимая температура перехода 90° С.
Основное назначение: П4А(Э) и П4Г(Э) усиление мощности колеба-
ний электрических сигналов звуковой частоты; П4Б(Э), П4В(Э) и П4Д(Э)—
усиление мощности колебаний электрических сигналов звуковой частоты
и преобразование напряжений.
353
Таблица 160
Режим усилителя	ик> в	/к. а	Рвых. вт	RH, ом	RT, ом	*м 1. ^6
Класс А	26 12	1 2	10 10	25 6	15 10	20 15
Класс Б	26 12	1 1	20 7,5	50 25	15 15	25 18
1 Коэффициент усиления по мощности.
Таблица 161
Параметры	Тип транзистора				
	П4А(Э)	П4Б(Э)	П4В(Э)	П4Г(Э)	П4Д(Э)
Предельная частота усиления1, кгц Наименьший коэффициент усиления по	150	150	150	150	150
току 2	 Наибольший коэффициент усиления по	5	8	10	10	20
току 2	 Наибольший обратный ток коллектора3,	—	20	—	20	—
мка	 Наименьший коэффициент усиления по	500	400	400	400	400
мощности4, дб 	 Наибольший коэффициент нелинейных	20	23	—	27	30
искажений, %	 Наибольшее напряжение между кол-	15	10	—	10	10
лектором и эмиттером (t/K э) -, в . . Наибольшее напряжение, в, на кол- лекторе:		0,5	0,5	—	—
в схеме с общей базой 		60	70	50	60	60
»	»	» общим эмиттером . . .	50	60	35	50	50
»	»	» общим коллектором . .	40	50	25	40	40
Наибольший ток коллектора, а . . .	5	5	5	5	5
Наибольший ток базы, а	 Наибольшая мощность, рассеиваемая на коллекторе ®, вт, при температуре:	1,2	1,2	1,2	1,2	1,2
20° С		25	30	30	30	30
50° С	 без дополнительного теплоотвода:	15	20	20	20	20
при 30°С 		2	3	3	3	3
Тепловое сопротивление, град!вт	2	2	2	2	2
* Для схемы с общей базой.
* Для схемы с общим эмиттером при UK » —10 в, 1К = 2 a, Rr « 5 ом.
3 Для LfK = —10 в.
* Для 1/к = —20 в, 1К = 1 а, Лн = 25 ом; Rr = 15 ом, Рвых = 10 вт.
* Для 1К = 2 a, ™ 0>3 а-
* Для транзисторов с дополнительным радиатором площадью 12 см*[вт.
354
Рис. 325. Характеристики транзисторов П4А (Э) — П4Г (Э) в схеме
с общей базой:
а — входные; б — выходные.
Рис. 326. Характеристики тран-
зистора П4А (Э) в схеме с общим
эмиттером:
а — входные; б — выходные.
б
Рис. 327. Характеристики тран-
зистора Г14Б (Э) в схеме с общим
эмиттером:
а — входные; б — выходные.
Рис. 328. Характеристики транзистора П4Г (Э) в схеме с общим
эмиттером:
а — входные; б — выходные.
Рис. 329. Характеристики транзисторов в схеме с общим эмиттером:
а — входные для П4В (Э); б — выходные для П4Д (Э).
б
Рис. 330. Характеристики транзистора П4А (Э):
а__входные в схеме с общим эмиттером (начальный участок); б зави-
симость величины мощности рассеивания от температуры корпуса.
Долговечность 5000 ч.
Параметры транзисторов при температуре 20э С приведены в табл. 161,
а характеристики изображены на рис. 325—331.
Рис. 331. Характеристики транзисторов П4А (Э)— П4Г (Э):
а — зависимость допустимого напряжения коллектор — эмиттер от сопротив-
ления в цепи эмиттера (А) н сопротивления в цепи базы (Б); б — относитель-
ная зависимость обратного тока коллектора от температуры.
Параметры	Тип	
	П213	| П213А |
Предельная частота усиления по току, кгц ...	150	150
Коэффициент передачи тока при UK = —5 в, /к = 1 а на частоте до 300 гц 		20—50	20
Наибольший обратный ток коллектора при UK = = —45 в, ма, при температуре: 20° С		0,15	1
70° С		2	4,5
Наибольший обратный ток эмиттера при U3=—15в, ма, при температуре: 20° С		0,3	0,4
70° С		2	4,5
Наибольшая выходная проводимость при UK =—60 в, /э = 0 ма, мкмо		150	1000
Наибольшее падение напряжения коллектор — эмит- тер на открытом транзисторе при /к=3 а, /б=0,37 а, в	0,5	0,5
Наибольшая амплитуда напряжения, в: коллектор — база		45	45
коллектор — эмиттер		40	30
Наибольшее напряжение эмиттер — база, в		15	10
Наибольший ток коллектора, а		5	5
Наибольший ток базы, а		0,5	0,5
Наибольшая рассеиваемая мощность при температу- ре радиатора 45° С, вт	 Наибольшее тепловое сопротивление переход—радиа- тор, град/вт		Н,5	10
	3,5	4
Наибольшая допустимая температура перехода, °C. .	85	85
358
ГЕРМАНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ П213—П214Г
(Р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и жесткими выводами (рис. 332).
Рис. 332. Внешний вид и основные размеры транзисторов
П213 — П214Г и П216 —П217Г.
Э /<
Таблица 162
транзистора
	П213Б	П214	П214А	П214Б	П214В	П214Г
	150	150	150	150	150	150
	40	20—60	20—150	20—150	20	20—150
	1	0,3	0,3	0,15	1,5	1,5
	4,5	2,5	2,5	2	5	5
	0,4	0,3	0,3	0,3	0,4	0,4
	4,5	2,5	2,5	2	5	5
	1000	150	150	150	1000	1000
	2,5	0,9	0,9	0,9	2,5	2,5
	45	60	60	60	60	60
	30	55	55	55	55	55
	10	15	15	15	10	10
	5	5	5	5	5	5
	0,5	0,5	0,5	0,5	0,5	0,5
	10	10	10	11,5	10	10
	4	4	4	4	4	4
	85	85	85	85	85	85
359
Вес 17 г.
Интервал рабочих температур от +70 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давления от 1 • 10~6 мм рт. ст
до 3 ати.
Наибольшее постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее ускорение при многократных ударах 150 g.
Наибольшее ускорение при однократных ударах 1000 g.
Наибольшее ускорение при вибрациях с частотами 10—2500 гц 15 g.
При температуре радиатора свыше 45° С максимальная рассеиваемая
мощность на коллекторе определяется по формуле
85 — tn
Р	= _____Рдт
‘ к. макс 4 a"h
где tp — температура радиатора, °C.
Транзисторы должны устанавливаться на шлифованную поверхность
теплоотвода и крепиться латунными болтами для согласования темпера-
турных коэффициентов расширения. Рекомендуется контактирующие
поверхности смазывать невысыхающим маслом. Диаметр отверстий под
выводы должен быть не менее 5 мм. Для изоляции корпуса от радиа-
тора применяют оксидированные алюминиевые шайбы или слюдяные про-
кладки. Необходимо учитывать, что при этом увеличивается тепловое
сопротивление переход—теплоотвод на 0,25 град/вт на каждые 50 мк
слоя окиси алюминия и на 0,5 град/вт на каждые 50 мк толщины слю-
дяной прокладки.
Гарантийный срок хранения 10 лет. Срок службы 10000 ч.
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению.
Основное назначение — работа в мощных УНЧ, преобразователях
постоянного напряжения и коммутаторах.
Параметры транзисторов приведены в табл. 162.
ГЕРМАНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ П216—П217Г
(р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Крепление
к теплоотводу с помощью накидного фланца (см. рис. 332).
Вес 17 г.
Интервал рабочих температур от +70 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давления от 1 • 10 6 мм рт. ст.
до 3 ати.
Наибольшее постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее допустимое ускорение при вибрациях с частотами
10—2500 гц 15 g.
Транзисторы должны устанавливаться на шлифованную поверхность
теплоотвода и крепиться латунными болтами для согласования тепловых
коэффициентов расширения. Рекомендуется контактирующие поверхности
смазывать невысыхающим маслом.
360
Гарантийный срок хранения 10 лет. Долговечность 10000 ч.
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению.
Основное назначение — работа в мощных УНЧ, преобразователях
постоянного напряжения, коммутаторах.
Параметры транзисторов приведены в табл. 163.
Таблица 163
Параметры
Предельная частота
усиления по току,
кгц...............
Коэффициент пере-
дачи тока.........
Наибольший обрат-
ный ток коллекто-
ра при наибольшем
напряжении, ма,
при температуре:
20 °C...........
70 °C...........
Наибольшая ампли-
туда'иапряжения, в:
коллектор—база
коллектор—эмит-
тер ..............
Наибольшее напря-
жение эмиттер—ба-
за, в ............
Наибольший ток
коллектора, а . . .
Наибольший ток ба-
зы, а.............
Наибольшая рассеи-
ваемая мощность
при температуре ра-
диатора 25 °C, вт
Наибольшее тепло-
вое сопротивление
переход—радиатор,
град/вт...........
Наибольшая допу-
стимая температура
перехода, °C . . .
Тип транзистора
П216, П216А	П216Б	П216В	П216Г	П216Д	П217	П217А	П217Б	П217В
100	100	100	100	100	100	100	100	100
20— 80	10	30	5	*30	20	20— 60	20— 150	15— 40
0,5	1,5	2	2,5	2	0,5	0,5	0,5	3
4,5	7,5	7,5	7,5	7,5	5	5	5	7,5
40	35	35	50	50	60	60	60	60
40	35	35	50	50	60	60	60	60
15	15	15	15	15	15	15	15	15
7,5	7,5	7,5	7,5	7,5	7,5	7,5	7,5	7,5
0,75	0,75	0,75	0,75	0,75	0,75	0,75	0,75	0,75
30	24	24	24	24	30	30	30	24
2	2,5	2,5	2,5	2	2	2	2	2,5
85	85	85	85	85	85	85	85	85
ёч
С
100
20
3
7,5
60
60
15
7,5
0,75
24
2,5
85
361
ГЕРМАНИЕВЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ ТРАНЗИСТОР ГТ701А
(р-п-р)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 333).
Вес 32,5 г.
Интервал рабочих температур от -f-70 до —60° С.
— 1+0,75
„О
*—030
023
Допустимая относительная влаж-
ность окружающего воздуха 98% при
температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного
давления от 5 мм рт. ст. до 3 ати.
Максимальная рассеиваемая мощ-
ность на коллекторе определяется по
установившейся температуре середины
корпуса
85 — t
р_________________кор
'к. макс । 2
вт,
где /кор — температура корпуса, °C.
Наибольшее постоянное ускорение
150g.
Наибольшее ускорение при мно-
гократных ударах 150g.
Наибольшее ускорение при одно-
кратных ударах 500 g.
Наибольшие ускорения при вибра-
циях с частотами 5—2000 гц 15g.
Транзисторы работают устойчиво
в системах зажигания и двухтактных
преобразователях при напряжении не
свыше 30 в, в однотактных преобра-
зователях при напряжении не свыше
55 в. Необходима тщательная притирка
поверхности радиатора для плотной
посадки транзистора. Пайка выводов
разрешается на расстоянии не менее
22 мм от корпуса.
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению.
Основное назначение — работа в системах зажигания двигателей
внутреннего сгорания и в преобразователях напряжения.
Характеристики транзистора изображены на рис. 334.
л
ГТ701А
Рис. 333. Внешний вид и основ-
ные размеры транзистора
ГТ1701А.
Параметры транзистора ГТ701А
Предельная частота коэффициента усиления по
току, кгц ................... 50
Статический коэффициент передачи тока при UK =
= —20 в, /к = 5 а, не менее:
при 20° С..................... 10
при 4-70° и —60° С............. 6
Наибольший обратный ток коллектора при UK =
= —60 в, ма ................. 10
362
Наибольшее напряжение лавинного пробоя (пере-
ворота фазы базового тока)	при /к = 2,5 а, в	100
Наибольшее напряжение коллектор — эмиттер, в:
постоянное................................... 55
импульсное..................................100
Запирающее напряжение база — эмиттер, в . . . 0,5—15
Наибольшее обратное напряжение база — эмит-
тер, в....................................... 15
Наибольший ток коллектора, а ................ 12
Наибольший ток базы в режиме насыщения, ма 150
Наибольшая рассеиваемая мощность при темпе-
ратуре 25° С, вт............................. 50
Наибольшая допустимая температура перехода, °C 85
Рис. 334. Характеристики тран-
зистора ГТ701А:
а — зависимость допустимого напря-
жения коллектор — эмиттер от вели-
d/K
чины S, = -Tz— ; 1—5 соответственно
* d/K0
для мощности рассеивания 0.2; 0.3;
0,5; 0,8; 1,0 от Рмакс; б — зависимость допустимого тока коллектора от темпера-
туры корпуса; в — зависимость допустимого тока коллектора от напряжения кол-
лектор — эмиттер (зона устойчивой работы) 1 — при температуре коллектора 25° С
и Рк = 50 вт; 2 — при 75° С и Рк «= 8,3 вт.
КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ П702 и П702А
(п-р-п)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и жесткими выводами (рис. 335).
Вес 50 г.
Интервал рабочих температур от -f-120 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Интервал изменений атмосферного давления от 5 мм рт. ст. до
3 ати.
Наибольшее постоянное ускорение 150 g.
Наибольшее ускорение при многократных ударах 150 g.
363
Наибольшее допустимое ускорение при ви-
брациях с частотами 5—2000 гц 15 g.
В интервале температур 20—120° С макси-
мальная рассеиваемая мощность на коллекторе
определяется по формуле
150 - tc
^к. макс ~ зз вт’
где 1С— температура среды, °C.
Пайка выводов разрешается только к крюч-
кам. Изгибать выводы запрещается.
Гарантийный срок хранения 10 лет. Срок
службы 10000 ч.
Рабочее положение должно благоприятст-
вовать охлаждению.
Рис. 335. Внешний вид и основные размеры тран-
зисторов П702.
Таблица 164
Параметры
Тип транзистора
П702	П702А
Наименьший статический коэффициент усиления по току
при UK = -f-Ю в, /к = 1 а............................
Наименьший модуль коэффициента усиления по току при
UK = 4-30в, /к = 0,За................................
Наибольший обратный ток коллектора при UK = 4-70 в,
ма...................................................
Наибольший обратный ток коллектора при (Ук = 4-70 в
и сопротивлении в цепи база — эмиттер 100 ом, ма
Наибольший обратный ток эмиттера при U3 б = 4-3 в, ма
Наибольшее входное напряжение база — эмиттер при
UK = 4-Ю в, /к = 1 а, в..............................
Наибольшее напряжение насыщения коллектор — эмит-
тер при /к = 1 а, /б = 0,2 а, в......................
Наибольшее напряжение коллектор — база и коллек-
тор — эмиттер, в, при температуре перехода:
до 120°С ..........................................
150° С..........................................
Наибольшее обратное напряжение эмиттер — база, в
Наибольшая рассеиваемая мощность без радиатора, вт,
при температуре:
20° С..............................................
120° С............................................
Наибольшая рассеиваемая мощность с радиатором, вт,
прн температуре корпуса:
20° С..............................................
120° С ...........................................
Наибольшая допустимая температура перехода, °C . .
25
4
5
10
5
4
2,5
60
30
3
4
0,9
40
12
150
10
4
2,5
5
5
4
4
60
30
3
4
0,9
40
12
150
364
Рис. 336. Характеристики транзисторов П702 и П702А:
а — выходные в схеме с общим эмиттером; б — зависимость напряжения
насыщения коллектор — эмиттер от температуры.
Рис. 337. Зависимость статического коэффициента усиления
по току для транзистбров П702 и П702А:
а — от напряжения коллектора; б — от тока коллектора.
Рис. 338. Зависимость статического коэффициента усиления по
току от температуры для транзисторов П702 и П702А.
Основное назначение — работа в усилительных и генераторных уст-
ройствах.
Параметры транзисторов приведены в табл. 164, а характеристики
изображены на рис. 336—338.
КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ КТ801А и КТ801Б
(п-р-п)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 339).
Вес 4 г.
Интервал рабочих температур от -f-55 до —20° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Наибольшее ускорение при многократных ударах 50 g.
Наибольшие допустимые ускорения при вибрациях с частотами 10—
70 гц 5 g.
Пайка и изгибание выводов разрешается на расстоянии не менее 5 мм
от корпуса. Для повышения надежности рекомендуется эксплуатировать
транзисторы с нагрузками на 20% ниже допустимых.
Гарантийный срок хранения 6,5 лет. Срок службы 5000 ч.
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению.
Основное назначение — работа в аппаратуре различного назначения.
Параметры транзисторов приведены в табл. 165.
Таблица 165
Параметры	Тип транзистора	
	КТ801А	КТ801Б
Статический коэффициент усиления по току при t/K = + 4-5 в, 1к = 1 а		13—50	20—
Наибольший модуль коэффициента усиления по току при (Ук = 4-Юв, /к = 0,За на частоте 10 Мгц ....	1	100 1
Наибольший обратный ток эмиттера при U3 — 4-2,5 в, ма	2	2
Наибольший начальный ток коллектора при UK = 4* 4-80 в и сопротивлении в цепи база — эмиттер 100 ом, ма, при температуре: 20° С		10	10
55° С		20	20
Наибольшее входное напряжение при UK = 4-5 в, /к = = 0,3 а, в		 . . Наибольшее напряжение насыщения коллектор — эмит- тер при /к = 1 а, /б = 0,2 а, в		2	2
	2	2
Наибольшее напряжение, в: эмиттер — база			2,5	2,5
коллектор — эмиттер		80	60
Наибольшая рассеиваемая мощность при температуре корпуса до 55° С, вт ................	5	5
Наибольшая допустимая температура перехода, °C..	150	150
366
±1|1з l|i/f ||к
КТ 801А , КТ801Б
КТ802А
Рис. 340. Внешний вид и ос-
новные размеры транзисто-
ров КТ802.
Рис. 339. Внешний вид
и основные размеры тран-
зисторов КТ801.
КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР КТ802А
(п-р-п)
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус со стеклянными изоляторами и жесткими выводами (рис. 340).
Вес 22 г.
Интервал рабочих температур от -f-ЮО до —20°С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98% при
температуре 40° С.
Наибольшее ускорение при многократных ударах 50 g.
Наибольшее допустимое ускорение при вибрациях с частотами 10—
70 гц 5g.
Пайка и изгибание выводов разрешается на расстоянии не менее 5 мм
от корпуса. Для повышения надежности рекомендуется эксплуатировать
транзисторы с нагрузками на 20% ниже допустимых.
Гарантийный срок хранения 6,5 лет. Срок службы 5000 ч.
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению.
Основное назначение — работа в аппаратуре различного назначения.
Параметры транзисторов КТ802А
Наименьший статический коэффициент усиления
по току при (/к = 4-10в, /к = 2а.............. 15
Наименьший модуль коэффициента усиления по
току при /к = 0,5 a, = 4-10 в на частотеЮ Мгц 1
367
Наибольший обратный ток коллектора при UK =
--- —150 в, ма..............................  60
Наибольшее входное напряжение при U = 4-10 в,
/к = 5 а, в .	...	..................... 3
Наибольшее напряжение насыщения коллектор —
эмиттер при /к = 5 а, 16 = 0,5 а, в........... 5
Наибольшее напряжение коллектор — база при
температуре перехода до 100° С и отключенном
эмиттере, в..................................150
Наибольшее импульсное напряжение коллектор —
эмиттер при температуре перехода до 100° С, в 130
Наибольший ток	коллектора,	а................. 5
Наибольший ток	базы, а....................... 1
Наибольшее обратное напряжение эмиттер —
база, в......... ............................. 3
Наибольшая рассеиваемая мощность при темпера-
туре корпуса 25° С, вт .	.................50
Наибольшая допустимая температура перехода,
VII. ФОТОДИОДЫ, ФОТОТРАНЗИСТОРЫ
И ВЕНТИЛЬНЫЕ ФОТОЭЛЕМЕНТЫ
Германиевые и кремниевые фотодиоды и фототранзисторы, а также
вентильные фотоэлементы являются малоинерционными и высокочувст-
вительными элементами, служащими для преобразования световых сиг-
налов в электрические.
ФОТОДИОДЫ
Фотодиоды могут работать в двух режимах: в режиме Лив ре-
жиме Б.
Режим А характеризуется отсутствием внешнего источника напря-
жения. В этом режиме фотодиод работает как вентильный фотоэлемент.
Собственная э. д. с. такого фотоэлемента около 0,1 в. Наибольший ток
100 мка (при 7000 лк и /?н = 1000 ом).
Особенности режима А:
1.	Световая чувствительность мало изменяется с изменением осве-
щенности в пределах 500—7000 лк.
2.	При освещенностях 7000—7500 лк и температуре 25° С фотодиод
развивает э. д. с. около 60—90 мв.
3.	Наибольший прирост э. д. с. фотодиода получается при малых
освещенностях. При освещенностях свыше 800—10000 лк э. д. с. почти
не меняется.
4.	Фотодиоды, использующиеся совместно с усилительными схемами
на транзисторах, должны работать при освещенностях 5000—7000 лк с
/?н = 1,2 4-0,9 ком.
5.	Режим характеризуется низким уровнем собственных шумов.
6.	Недостатками режима является ограниченная частотная характе-
ристика и малая величина фото-э. д. с. Снижение напряжения на 5%
начинается на частоте 10 кгц.
Режим Б характеризуется работой фотодиода с внешним источником
напряжения и называется фотодиодным режимом.
В неосвещенном состоянии через фотодиод течет темновой ток, вели-
чина которого зависит от приложенного внешнего напряжения. При
освещении фотодиода его ток возрастает за счет фототока приблизительно
пропорционально освещенности.
Особенности режима Б:
1.	Рабочий перепад напряжения представляет разность напряжений
на нагрузке при темновом и световом сопротивлениях фотодиода.
2.	Темновое сопротивление увеличивается с ростом приложенного
напряжения.
3.	Темновое сопротивление резко уменьшается с повышением тем-
пературы, вследствие чего уменьшается перепад напряжения на нагрузке,
что приводит к изменению режима последующей схемы.
369
4.	Световое сопротивление с увеличением приложенного напряжения
при постоянной освещенности и температуре увеличивается, что может
нарушить согласование каскадов.
5.	Наибольший прирост фототока наблюдается при изменении при-
ложенного напряжения от 0 до 3 в. Фототок в этом режиме в 2—3 раза
больше, нежели в режиме А при прочих одинаковых условиях. При
использовании фотодиодов с транзисторами, имеющими низкоомный вход,
напряжение питания надо выбирать в пределах 1—3 в.
6.	Увеличение освещенности при постоянной величине питающего
напряжения приводит к уменьшению сопротивления фотодиода.
7.	Внутренние шумы фотодиода значительно больше, чем в режиме А.
8.	Частотные свойства лучше, чем в режиме А, так как снижение
напряжения на 5% получается на частоте около 100 кгц.
ФОТОТРАНЗИСТОРЫ
Фототранзисторы имеют переход типа п-р. Усиление первичного
фототока в 100—1000 раз обеспечивается тонкой диффузионной базой
и высоколегированным сплавным эмиттером. Схема включения фототран-
зистора представлена на рис. 341, а. Отношение величины фототока, при-
Рис. 341. Схема включения фото-
диода (а) и спектральная харак-
теристика германиевых фотодиодов
и фототранзисторов (б).
темненный диод или транзистор пр
ток при освещении — ток через освещенный
при приложенном рабочем напряжении;
ходящегося на единицу светового
потока, к темновому току такого
же порядка, как и у вакуумных
фотоэлементов.
Спектральная характеристика
германиевых фотодиодов и фото-
транзисторов имеет максимум около
1,5 мк и монотонно убывает в
ультрафиолетовой области (рис.
340, б).
Основные параметры фотодио-
дов и фототранзисторов:
темновой ток — ток через за-
приложенном рабочем напряжении;
диод или транзистор
интегральная чувствительность — отношение тока через диод или
транзистор при приложенном рабочем напряжении к падающему на него
световому потоку. Измерения производятся при номинальном рабочем
напряжении и источнике с цветовой температурой 7'цв = 2360°К.
Основное назначение фотодиодов и фототранзисторов—чувствитель-
ные элементы в системах телеконтроля, автоматических устройств, в ап-
паратуре считывания числового материала, фототелеграфии, кинематогра-
фии и др.
Фотодиоды в режиме Б целесообразно использовать с усилительными
электронными лампами, так как в этом режиме при повышении напряже-
ния питания до 20—30 в внутреннее сопротивление приближается по
величине к входному сопротивлению электронной лампы.
Инерционность фотодиодов в режиме Б и фототранзисторов порядка
10 мксек. В режиме А инерционность на порядок выше.
Основным недостатком германиевых фотодиодов и фототранзисторов
является зависимость их параметров от температуры.
370
ГЕРМАНИЕВЫЙ ФОТОДИОД ФД-1
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус с ленточным выводом и прозрачным окном (рис. 342).
Вес 0,9 г.
Интервал рабочих температур 5—40® С.
Выдерживает изменения температур от 4-40 до —40° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 95 + 3%
при температуре 40° С в течение 48 ч.
Наибольшие допустимые пере-
грузки при вибрациях с частотами
30—500 гц 12g.
Параметры фотодиодов и фо-
тотранзисторов для температуры
20° С приведены в табл. 166.
Наибольшая перегрузка при
воздействии линейного ускорения
20g в течение 15 мин.
Рабочее положение — любое.
Срок службы не менее 500 ч
(определяется в циклическом режи-
ме — 5 мин под светом и 5 мин
без света).
Гарантийный срок хранения
3 года.
Рис. 342. Внешний вид и основные
размеры фотодиодов ФД-1.
Таблица 166
Параметры	Типы фотодиодов и фототранзнсторов				
	ФД-1	ФД-2	ФД-з	ФДК-1	ФТ-1
Рабочее напряжение, в . . . . Темновой ток при рабочем на-	15	30	10	20	3
пряжении, мка	 Интегральная	чувствитель-	30	25	15	3	300
ность, ма/лм	 Наибольший ток при освеще-	20	10—20	20	3	170—500
нии, мка		800	—	250	—	1000— 20000
Напряжение шумов, мв . . .	—	—	0,5—2,0	—	5,0
Постоянная времени, 10~б сек Наибольший темновой ток после	1	1	1	1	20
вибраций и перегрузок, мка . Наибольшее рабочее напряже-	40	40	—	—	1500
ние, в	 Наибольшая рассеиваемая мощ-	20	50	20	—	20
ность, мет		15	15	—	—	50
Сопротивление нагрузки, ком Размеры светочувствительной	7,5	300	—	—	0,5
поверхности, мм .......	5	1	2	2	2
371
ГЕРМАНИЕВЫЙ ФОТОДИОД ФД-2
Конструктивное оформление — пластмассовый герметизированный
корпус с прозрачным окном и гибкими выводами (рис. 343).
Вес около 1 г.
Интервал рабочих температур 5—40° С. Выдерживает изменение тем-
ператур от -|-40 до —40° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 70%
при температуре 40° С.
Наибольшие допустимые перегрузки при вибрациях с частотой 50 гц
амплитудой 0,5 мм в течение 30 мин—
Рис. 343. Внешний вид
и основные размеры фото-
диодов ФД-2.
Выводы допускают пятикратное изги-
ie под углом 90°.
По чувствительности фотодиоды де-
:я на три группы:
I — К = 20 ма/лм и более;
II —Д = 15 4- 19 ма/лм\
III — К = Ю4- 14 ма/лм
Рабочее положение — любое.
Срок службы не менее 500 ч.
ГЕРМАНИЕВЫЙ ФОТОДИОД ФД-3
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус с гибкими выводами и прозрачным окном (рис. 344.)
Вес 0,2 г.
Выдерживает измене-
ние температур от -|-60
до —60° С.
Допустимая относи-
тельная влажность окру-
жающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Рабочее положение —
любое.
Срок службы не ме-
нее 500 ч.
Рис. 344. Внешний вид Рис. 345. Внешний вид КРЕМНИЕВЫЙ
и основные размеры и основные размеры
фотодиодов ФД-3. фотодиодов ФДК-1. ФОТОДИОД ФДК-1
Конструктивное оформление—металлический герметизированный
корпус с гибкими выводами и прозрачным окном (рис. 345).
Вес 0,2 г.
Выдерживает изменение температуры от 4-80 до —60° С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Рабочее положение — любое.
Срок службы не менее 500 ч.
т
Параметры			
	к-5	К-ю	К-20
Чувствитель- ный слой . . . Рабочая пло- щадь чувстви- тельного слоя, см2		Селено 5	зый 10	20
Интегральная чувствитель- ность, мка/лм	200—500	200—500	200—500
Фото-э. д. с., мв				
Внутреннее со- противление, ом	1000—50000	1000—50000	1000-
Диапазон ли- нейности фото- тока, мка . . . Максимальная частота модуля- ции светового потока, гц . .			50000
	50—100	50—100	50—100
Длина волны, соответствую- щая максимуму спектральной чувствитель- но ности, мк . . .	0,5—0,6	0,5—0,6	0,5—0,6
Таблица 167
Тип фотоэлемента
ФЭСС-У-2	ФЭСС-У-З	ФЭСС-У-5	ФЭСС-У-10	
Серн	исто-серебрин	ный		Серотал- лиевый
2	3	5	10	2
3500—8000	3500—8000	3500—8000	3500—8000	5000— 10000
60—150	60—150	60—150	60—150	До 150
1500—3000	1000—2000	700—1400	400—800	—
5—150	5—150	5—150	5—150	30—50
5—Ю	5—10	5—10	5—10	—
0,6—1,1	0,6—1,1	0,6—1,1	и,6—1,1	0,8—1,0
ГЕРМАНИЕВЫЙ ФОТОТРАНЗИСТОР ФТ-1
Рис. 346. Внешний вид
и основные размеры фото-
транзисторов ФТ-1.
Конструктивное оформление — металлический герметизированный
корпус с гибкими выводами и прозрачным окном (рис. 346).
Вес 0,9 г.
Выдерживает изменения температуры от 4-50 до —60е С.
Допустимая относительная влажность окружающего воздуха 98%
при температуре 40° С.
Белая точка на корпусе обозначает место подключения минуса пита-
ющего напряжения.
Фототранзистор сохраняет работоспо-
собность при понижении питающего напря- /
жения до 1 в. Без дополнительного усили- '
теля может управлять работой реле с током
срабатывания до 20 ма и током отпускания
1 ма.
Рабочее положение — любое.
Срок службы не менее 500 ч.
На рис. 347 приведена вольт-амперная
характеристика фототранзистора при различ-
ных освещенностях.
ВЕНТИЛЬНЫЕ ФОТОЭЛЕМЕНТЫ
Вентильные фотоэлементы получили
практическое применение в 30-е годы наше-
го века, благодаря работам советских физи-
ков.
Их распространение было обусловлено
рядом достоинств: большой чувствитель-
ностью, близостью спектральной характерис-
тики к спектральной чувствительности чело-
веческого глаза, отсутствием внешнего источ-
ника питания и др. Однако нестабильность
характеристик и относительно малое внут-
реннее сопротивление, затрудняющее усиле-
ние фототока, ограничили область их приме-
нения.
Вентильный фотоэлемент состоит из ме-
таллической пластины, служащей электро-
дом, с нанесенным слоем полупроводника,
сверху которого наносится второй (полупро-
зрачный) электрод. Он чаще всего выпол-
няется напылением в вакууме слоя золота,
Рис. 347. Вольт-амперные
характеристики фототран-
зистора при различной
освещенности.
Запирающий слой образу-
ется на границе полупроводникового материала и полупрозрачного
электрода. Полупроводниковым материалом служат сернистые и селе-
нистые соединения.
Вентильные фотоэлементы не рекомендуется применять при модуля-
ции светового потока с частотой свыше 10 гц, а также запрещается при-
менять в агрессивных средах.
Параметры вентильных фотоэлементов приведены в табл. 1&7.
ЛИТЕРАТУРА
Барканов Н. А. и др. Конструирование микромодульной аппа-
ратуры. М., «Советское радио», 1968.
Берман Л. С. Варикапы. М., «Энергия», 1965.
Б рой де А. М., Тарасов Ф. И. Справочник по электроваку-
умным и полупроводниковым приборам. М., Госэнергоиздат, 1961.
Верхопятский П. Д. Электрические элементы судовых радио-
электронных и вычислительных устройств. Л., Судостроение, 1967.
В помощь радиолюбителю. Изд-во ДОСААФ, 1966—1968.
Давыдов П. Д. Анализ и расчет тепловых режимов полупро-
водниковых приборов. М., «Энергия», 1967.
Каталог «Радиоэлектронная аппаратура и ее элементы», т. VIII.
Полупроводниковые приборы. М. ЦБНТИ, 1962—1966.
Лабутин В. К. Мощные низкочастотные транзисторы. М., «Энер-
гия», 1965.
Лабутин В. К. Полупроводниковые диоды. М., «Энергия», 1967.
Мирошников И. Ф. Питающие устройства на фотодиодах и кри-
сталлических триодах. М., филиал ВИНТИ, 1958.
О лес к А. О. Фоторезисторы. М., «Энергия», 1966.
Полупроводниковые термосопротивления. М., Госэнергоиздат, 1959.
Полупроводниковые приборы. М., ЦБНТИ, 1958.
Полупроводниковые приборы. М., ЦБНТИ, 1959.
Полупроводниковые термосопротивления. М., ЦБНТИ, 1958.
Радиоэлектронная промышленность. М., ЦБНТИ, 1958.
Радиоэлектронная промышленность. М., ЦБНТИ, 1959.
Радиоэлектроника. М., ЦБНТИ, 1960.
Радио. Изд-во ДОСААФ, 1965—1969.
Сандлер А. С., Сарбатов Р. С. Характеристики мощных
плоскостных триодов П4 и П207 для расчета ключевых режимов. — «Вест-
ник электропромышленности». 1960, № 3.
Сопротивления. М., ЦБНТИ, 1958.
Справочник по полупроводниковым диодам и триодам. Л., Судпром-
гиз, 1961.
Справочник по полупроводниковым диодам и транзисторам. М.,
«Энергия», 1964.
Транзисторы и полупроводниковые диоды. Справочник под ред. Нико-
лаевского И. Ф. М., Связьиздат, 1963.
Трухачев Б. С., Удалов Н. П. Полупроводниковые тензопре-
образователи. М., «Энергия», 1968.
Тиркулец В. И., Удалов Н. П. Фотодиоды и фототриоды. М.,
Госэнергоиздат, 1962,
Термисторы. М., ЦБНТИ, 1958.
Черкашина А. Г. Элементы автоматики на варикапах. М., «Энер-
гия», 1968.
375
Федотов Я. А., Шмарцев Ю. В. Транзисторы. М., «Советское
радио», 1960.
Фридман Г. Н. Высоковольтный выпрямитель на германиевых,
диодах. —«Вестник электропромышленности». 1959, № 1.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Стр.
Предисловие ................................................... 3
I.	Терморезисторы.............................................. 4
Термометры сопротивления................................... 5
Термокомпенсаторы.......................................... 8
Терморезисторы для теплового контроля..................... 11
Терморезисторы типа ТОС-М ................................ 14
Измерительные терморезисторы.............................. 15
Терморезисторы для стабилизации напряжения................ 16
Терморезисторы косвенного подогрева....................... 21
11.	Варисторы................................................. 24
III.	Фоторезисторы............................................ 27
Фоторезисторы для видимой части	спектра.................. 28
Фоторезисторы для инфракрасной части	спектра.............. 38
Датчики проникающего излучения...........................  42
IV.	Селеновые выпрямители.................................... 45
Селеновые выпрямители серии А	в	трубчатом	корпусе......	49
Селеновые выпрямители серии Г	в	трубчатом	корпусе......	51
Селеновые выпрямительные столбы в опрессованных корпусах
(пакетные выпрямители).....................................51
Селеновые выпрямители открытой конструкции серий А и Г
классов В, Г, Д, Е, И, К.................................. 54
Высоковольтные селеновые выпрямители	типа Ф............... 89
V.	Полупроводниковые диоды................................... 90
Германиевый плоскостной диод Д7........................... 98
Кремниевые плоскостные	диоды	Д202 — Д205 ............... 100
Кремниевые плоскостные	диоды	Д206 — Д211................102
Кремниевые плоскостные	диоды	Д214 — Д215Б................103
Кремниевые плоскостные	диоды	Д217 — Д218................105
Кремниевые сплавные диоды Д221 и Д222 ................... 107
Кремниевые плоскостные диоды Д226 — Д226Е.................108
Кремниевые плоскостные диоды Д229А — Д230Б.................НО
Кремниевые плоскостные диоды Д231 — Д234БП................111
Кремниевые плоскостные диоды Д242 — Д248П.................112
Германиевые плоскостные диоды Д302—Д305 ................. 116
Кремниевые вентили ВК2, ВКВ2, ВЛ и ВЛВ....................117
Германиевые высоковольтные выпрямительные столбы Д1001 —
ДЮОЗА ....................................................119
Кремниевые высоковольтные выпрямительные столбы Д1004 —
ДЮНА....................................................  124
Кремниевые силовые блоки КЦ401А — КЦ401Б..................126
Кремниевые диффузионные диоды КД202В — КД202С............128
Германиевый точечный диод Д1А—Д1Ж.........................129
Германиевый точечный диод Д2А—Д2Ж.........................131
377
Германиевые точечные диоды Д9А — Д9М.......................132
Германиевый точечный диод ДЮ — ДЮБ.........................137
Германиевые точечные диоды ДП—Д14А.........................142
Германиевые точечные диоды Д15 — Д16.......................142
Кремниевые точечные диоды Д101—Д106А.......................147
Кремниевые точечные диоды Д107 — ДЮ9.......................148
Кремниевые точечные диоды Д223 — Д223Б.....................154
Кремниевый плоскостной диод Д225..................• .	• 155
Германиевый точечный импульсный диод Д18.................  156
Германиевые точечные диоды Д19 — Д19Б......................157
Германиевый точечный диод Д20..............................158
Кремниевые сплавные диоды Д219А—Д220Б......................159
Германиевый плоскостной диод Д310..........................160
Германиевые импульсные диоды Д311 — Д312...................162
Кремниевые диоды меза 2Д503А и 2Д503Б......................165
Германиевые микродиоды типов ДМ и 2ДМ......................167
Кремниевые опорные диоды Д808 — Д811, Д813 (стабилитроны) 168
Кремниевые опорные диоды Д814А — Д814Д (стабилитроны) . . 171
Кремниевые опорные диоды Д815А — Д817ГП (стабилитроны) . 173
Кремниевые опорные диоды Д818А — Д818Е (стабилитроны) . . 174
Кремниевые опорные диоды 2С156А и 2С168А (стабилитроны) . . 177
Кремниевые опорные диоды 2С920А, 2С920АП, 2С930А, 2С930АП,
2С950А, 2С950АП, 2С980А, 2С980АП (стабилитроны)............179
Кремниевые силовые опорные диоды типов СК1 и СК2 (стабили-
троны) ....................................................181
Кремниевые опорные диоды типа КС133А — КС168А и КС211Б—
КС211Д (стабилитроны)..........•...........................183
Кремниевые опорные диоды КС620А — КС680А (стабилитроны) 184
Кремниевые опорные микродиоды типа 2СМ (стабилитроны) . . 186
Кремниевые переключающие диоды Д227А — Д227И (р-п-р-п) 187
Кремниевые переключающие диоды Д228А— Д228И {р-п-р-п) . . 189
Кремниевые переключающие управляемые диоды Д235А — Д235Г 191
Кремниевые переключающие управляемые диоды Д238А—Д238Е 193
Кремниевые силовые управляемые вентили.....................193
Германиевые туннельные диоды 1И302А—1И302Г.................198
Арсенидо-галлиевые туннельные диоды ЗИЗО1А — ЗИЗО1Г . . . 199
Кремниевые варикапы Д901А — Д901Е..........................201
Германиевые смесительные диоды ДГ-С........................201
Кремниевые смесительные диоды ДК-С.........................204
Кремниевые измерительные диоды ДК-И........................206
Кремниевые видеодетекторы ДК-В.............................206
Кремниевый видеодетектор ДК-В8.............................207
Кремниевый видеодетектор ДК-В 11.......................... 208
Кремниевый смесительный диод ДК-С7М . .....................209
Германиевый модуляторный диод Д401.........................210
Кремниевые смесительные диоды Д402 и Д404 ................ 211
Германиевые смесительные диоды Д403А—Д403В ................212
Кремниевые смесительные диоды Д405 — Д405БП................213
Кремниевый смесительный диод Д406 ........................ 214
Кремниевый смесительный диод Д408 ........................ 215
Кремниевый умножительный диод	Д501 •.......................216
Кремниевые СВЧ диоды Д601А, Д601Б, Д601В...................217
Германиевые диоды Д602А — Д602Б............................218
Кремниевый видеодетектор Д603	......................... 218
Кремниевый видеодетектор Д604	......................... 220
378
Кремниевый диод Д605 ........................................ 221
Кремниевый диод Д606 .......................................  222
Кремниевые диоды ДЗА — ДЗБ....................................222
VI.	Транзисторы..................................................224
Германиевые плоскостные транзисторы П8 — П11А (п-р-п) ... 231
Германиевые плоскостные	транзисторы	П13 — П15А (р-п-р).	.	.	233
Германиевые плоскостные	транзисторы	П16 — П18Б (р-п-р)	.	.	.	239
Германиевые плоскостные транзисторы П20—П21А (р-п-р) ... 241
Германиевые плоскостные	транзисторы	П22 — П23 (р-п-р)	.	.	.	243
Германиевые плоскостные	транзисторы	П25 — П26Б (р-п-р)	.	.	243
Германиевые сплавные транзисторы П27 — П28 (р-п-р) .... 246
Германиевые транзисторы П35 — П38А (п-р-п) . .... .... 248
Германиевые транзисторы П39 — П41А (р-п-р)....................250
Германиевые сплавные транзисторы П42А и П42Б (р-п-р) . . . 250
Германиевые транзисторы МП37А — МП38А (п-р-п).................252
Германиевые транзисторы МП39— МП41А (р-п-р)..................252
Кремниевые плоскостные транзисторы П101 — П103А (р-п-р). . 254
Кремниевые плоскостные транзисторы П104 — П106 (р-п-р) . . . 257
Кремниевые транзисторы П108 — П110 (п-р-п)....................261
Германиевые транзисторы ГТ108А—ГТ108Г (р-п-р) .... • . 262
Германиевые сплавные транзисторы ГТ109А — ГТ109Е (р-п-р) 262
Германиевые микромодульные транзисторы ТМ-2А-3 — ТМ-2Д-3
(р-п-р)	 266
Германиевые микромодульные транзисторы ТМ-5А-3 — ТМ-5Д-3
(р-п-р).......................................................267
Кремниевые	микромодульные транзисторы М-1 ОБ — М-11А (р-п-р)	267
Кремниевые	диффузионные	транзисторы	П504 — П505А	(п-р-п)	268
Германиевые сплавные транзисторы П29—П31А (р-п-р) .... 269
Германиевые транзисторы ГТ322А — FT322E (р-п-р)...............272
Германиевые микромодульные транзисторы ТМ-ЗА-З—ТМ-ЗД-З
(п-р-п).......................................................272
Германиевые микромодульные транзисторы М-ЗА-З — М-ЗД-З
(п-р-п)	......................................................274
Германиевые микромодульные транзисторы 1ТМ305А—1ТМ305В
(р-п-р).......................................................275
Германиевые диффузионные транзисторы П401—П403А (р-п-р) 276
Германиевые диффузионные высокочастотные транзисторы П410 —
П411А (р-п-р)................................................ 278
Германиевые диффузионные высокочастотные транзисторы П414 —
П415Б (р-п-р).................................................279
Германиевые диффузионные высокочастотные транзисторы П416 —
П416Б (р-п-р).................................................284
Германиевые транзисторы П417 — П417А (р-п-р) ........ 286
Германиевые диффузионные транзисторы П420— П423А (р-п-р)	288
Кремниевые диффузионные высокочастотные транзисторы П501 —
П503А (п-р-п) ........................ 289
Германиевые диффузионные транзисторы 1Т308А — 1Т308Г (р-п-р) 292
Германиевые диффузионные транзисторы ГТ309А — ГТ309Е
(р-п-р)...................................................... 295
Германиевые диффузионно-сплавные транзисторы ГТЗЮА —
ГТ310Е (р-п-р)................................................298
Германиевые транзисторы	ГТ311А—ГТ311И	(п-р-п)...298
Германиевые транзисторы	ГТ313А—ГТ313Б	(р-п-р)...302
Германиевые транзисторы	ГТ320А — ГТ320В	(р-п-р) ...... 302
379
Германиевые конверсионные транзисторы ГТ321А — ГТ321Е
(р-п-р)....................................................305
Германиевые диффузионные транзисторы 1Т303А — 1Т303Е (п-р-п) 308
Кремниевые диффузионные транзисторы КТ301А — КТ301Ж
(п-р-п)................................................... 310
Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисторы КТ315А —
КТ315Г (п-р-п)............................................313
Кремниевые диффузионные транзисторы 2Т301—2Т301Ж (п-р-п) 314
Германиевые микромодульные транзисторы ТМ-4А-4 — ТМ-4Е-4
(р-п-р)....................................................314
Кремниевые микромодульные транзисторы ТМ-10— ТМ-11Б
(п-р-п)...................................... •............317
Германиевые плоскостные транзисторы П201 (Э) — П203 (Э) (р-п-р) 318
Германиевые плоскостные транзисторы П209 — П210А (р-п-р) 323
Германиевые плоскостные транзисторы П211—П212А (р-п-р)	325
Кремниевые сплавные транзисторы П302 — П306А (р-п-р) .... 327
Германиевые сплавные транзисторы 1Т403А — 1Т403И (р-п-р)	332
Германиевые сплавные транзисторы ГТ402А и ГТ402Б (р-п-р)	334
Германиевые конверсионные транзисторы П601—П602А (р-п-р)	336
Германиевые конверсионные транзисторы П604 — П604Б (р-п-р) 338
Германиевые конверсионные импульсные транзисторы П605 —
П606А (р-п-р)..............................................333
Кремниевые сплавные транзисторы П701—П701Б (п-р-п) . . . . 343
Германиевые транзисторы П607 — П609Б (р-п-р) ....... 345
Кремниевые транзисторы КТ601А (п-р-п)......................348
Кремниевые диффузионные транзисторы КТ602А и КТ602Б
(п-р-п)....................................................350
Кремниевые меза-планарные транзисторы КТ605А и КТ605Б
(п-р-п) ...................................................351
Германиевые плоскостные транзисторы П4А (Э) — П4Д (Э) (р-п-р) 352
Германиевые транзисторы П213 — П214Г (р-п-р)............. 359.
Германиевые транзисторы П216 — П217Г (р-п-р)..............360
Германиевый плоскостной транзистор ГТ701А (р-п-р).........362
Кремниевые транзисторы П702 и П702А (п-р-п)................363
Кремниевые транзисторы КТ801А и КТ801Б (п-р-п).............366
Кремниевый транзистор КТ802А (п-р-п) ......................367
VII.	Фотодиоды, фототранзисторы и вентильные фотоэлементы
Фотодиоды.......................................................369
Фототранзисторы........................................... 370
Германиевый фотодиод	ФД-1 ...............................371
Германиевый фотодиод	ФД-2 ...............................372
Германиевый фотодиод	ФД-3................................372
Кремниевый фотодиод ФДК-1................‘.................372
Германиевый фототранзистор ФТ-1............................373
Вентильные фотоэлементы....................................373
Литература.....................................................376
Подписано к печати 14 IX. 1971 г. Формат бумаги 84Х108‘/м- Объем: 11,875 физ. л.;
19,95 усл. л.; 23,88 уч.-изд. л. Тираж 55 000. Зак. № 544. БФ 01922. Цена 1 руб. 40 коп.
Издательство «Техн1ка», Киев, 4, Пушкинская, 28.
Отпечатано с матриц Харьковской книжной фабрики им. М. В. Фрунзе на Киевской
книжной фабрике Комитета по печати при Совете Министров УССР, ул. Воровского, 24.